JP2020009864A - Grinding method of workpiece - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被加工物の研削方法に関する。 The present invention relates to a method for grinding a workpiece.
サファイアウェーハ等の固く削りづらい被加工物を研削すると、外周部から被加工物にクラックが入ることがあった。この種の問題を解決するために、被加工物の表面側からエッジトリミングを行った後に、裏面側から被加工物を研削するという加工方法が用いられている。 When a hard-to-cut workpiece such as a sapphire wafer is ground, the workpiece may crack from the outer periphery. In order to solve this kind of problem, a processing method is used in which edge trimming is performed from the front side of the workpiece and then the workpiece is ground from the back side.
しかしながら、前述した加工方法は、エッジトリミング時にデバイス面にチッピングが生じ研削を経ると、エッジトリミング時に生じたチッピングを起点に中央に向かって延びたクラックが被加工物に形成されてしまう問題があった。また、前述した加工方法は、表面側からエッジトリミングを行った後に、裏面側から被加工物を研削するために、エッジトリミング後に被加工物の表面側に保護テープ等を貼着するための工数を要するという問題があった。 However, the above-mentioned processing method has a problem in that when chipping occurs on the device surface during edge trimming and grinding is performed, cracks extending toward the center from the chipping generated during edge trimming are formed on the workpiece. Was. In addition, the above-mentioned processing method involves performing edge trimming from the front surface side and then grinding the workpiece from the back surface side, so that a man-hour for attaching a protective tape or the like to the front surface side of the workpiece after edge trimming is used. There was a problem that required.
そこで、本発明の出願人は、前述した問題を解決するために、研削前に被加工物の外周端部に沿って、被加工物の一方の面から被加工物に透過性を有する波長のレーザー光線等を照射し、被加工物の内部に環状の改質層等を形成して、被加工物の外周端部を除去する加工方法を提案している(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に示された加工方法が形成する改質層等は、研削時の外周から発生するクラックを改質層でとめて、改質層よりも中央側に進行することを抑制する。
Therefore, in order to solve the above-described problem, the applicant of the present invention has proposed a wavelength having a transmittance to the workpiece from one surface of the workpiece along the outer peripheral edge of the workpiece before grinding. A processing method of irradiating a laser beam or the like to form an annular modified layer or the like inside a workpiece and removing an outer peripheral end of the workpiece has been proposed (for example, see Patent Document 1). The modified layer or the like formed by the processing method disclosed in
特許文献1に示された加工方法は、被加工物が表面にエピ膜(例えば、サファイアウェーハ上に成長させたLED(Light Emitting Diode)等の発光素子となるGaN(Gallium Nitride:窒化ガリウム)や金属パターンが形成されているウェーハの場合、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射しても表面でアブレーションを起こしてしまうため、改質層を形成するためには裏面からレーザー光線を照射する必要がある。しかしながら、前述したウェーハの場合、裏面が凹凸のある梨地面であることが多く、梨地面である場合レーザー光線を散乱するため裏面から改質層を安定して形成することが困難である。
In the processing method disclosed in
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、研削中にクラックが被加工物の中央に向かって延びることを抑制することができる被加工物の研削方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a method of grinding a workpiece which can suppress a crack from extending toward the center of the workpiece during grinding. That is.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の研削方法は、被加工物の研削方法であって、該被加工物の裏面側から外周端部に対して切削ブレードを所定厚み切り込ませた状態で被加工物を保持したチャックテーブルを回転させつつ切削ブレードで被加工物の外周端部を切削し、レーザー光線を入射できる平坦面を形成するトリミングステップと、該被加工物の裏面側から該トリミングステップにおいて形成された該平坦面に該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該被加工物の内部に外周縁に沿って環状の改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの実施後に、裏面側から該被加工物を研削して所定の仕上げ厚みに形成する研削ステップと、を含むことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, a method for grinding a workpiece according to the present invention is a method for grinding a workpiece, wherein the workpiece is cut from a rear surface side to an outer peripheral end portion. A trimming step of cutting the outer peripheral end of the workpiece with a cutting blade while rotating the chuck table holding the workpiece with the blade cut into a predetermined thickness, and forming a flat surface through which a laser beam can be incident; and The flat surface formed in the trimming step from the back side of the workpiece is irradiated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the workpiece, and a circular ring is formed inside the workpiece along the outer peripheral edge. A modified layer forming step of forming a modified layer, and a grinding step of grinding the workpiece from the back side to form a predetermined finished thickness after performing the modified layer forming step. And
上記被加工物の研削方法において、該改質層は、該仕上げ厚みより裏面側に形成されても良い。 In the method for grinding a workpiece, the modified layer may be formed on a back surface side of the finished thickness.
本発明は、研削中にクラックが被加工物の中央に向かって延びることを抑制することができるという効果を奏する。 The present invention has an effect that a crack can be suppressed from extending toward the center of a workpiece during grinding.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be appropriately combined. Further, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る被加工物の研削方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る被加工物の研削方法の加工対象の被加工物の斜視図である。図2は、図1に示された被加工物の要部の側面図である。図3は、実施形態1に係る被加工物の研削方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment 1]
A method for grinding a workpiece according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a workpiece to be processed by the workpiece grinding method according to the first embodiment. FIG. 2 is a side view of a main part of the workpiece shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart illustrating a flow of the method of grinding a workpiece according to the first embodiment.
実施形態1に係る被加工物の研削方法は、図1に示す被加工物1の研削方法である。実施形態1に係る被加工物の研削方法の加工対象である図1に示す被加工物1は、サファイアを基板2とする円板状の光デバイスウェーハである。実施形態1において、被加工物1は、基板2の表面3に膜4が形成され、かつ基板2の裏面5が梨地面に形成されている。実施形態1において、膜4は、基板2の表面3上にエピタキシャル成長された膜であり、例えば、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子となるGaN(Gallium Nitride:窒化ガリウム)により構成されている。また、本発明では、膜4は、基板2が透過性を有する波長のレーザー光線22(図5に示す)が照射されても、膜4の表面上でアブレーションを起こすものである。
The method for grinding the workpiece according to the first embodiment is the method for grinding the
なお、本発明では、梨地面は、基板2が透過性を有する波長のレーザー光線22が照射されてもこのレーザー光線22を散乱させて基板2の内部に改質層9(図5に示す)を形成することが困難な程度に裏面5に細かな凹凸が形成されている面である。即ち、梨地面の表面粗さは、基板2が透過性を有する波長のレーザー光線22を照射してもこのレーザー光線22を散乱させて基板2の内部に改質層9を形成することが困難な値である。
In the present invention, the modified layer 9 (shown in FIG. 5) is formed inside the
なお、実施形態1において、被加工物1は、サファイアを基板2とする光デバイスウェーハであるが、本発明では、シリコンを基板2とする円板状の半導体ウェーハやSiC(炭化ケイ素)などを基板2とする光デバイスウェーハ等のウェーハでも良い。また、本発明では、被加工物1は、基板2の表面3の格子状の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハでも良く、この種のウェーハの場合、分割予定ラインにTEG(Test Element Group)等の金属からなる金属パターンが形成されても良い。なお、本発明では、金属パターンは、基板2が透過性を有する波長のレーザー光線22が照射されても、金属パターンの表面上でアブレーションを起こすものである。
In the first embodiment, the
要するに、本発明でいう被加工物1は、基板2が透過性を有するレーザー光線22にアブレーションを起こさせる膜4又は金属パターン等が基板2の表面3に形成され、基板2が透過性を有するレーザー光線22を散乱させる梨地面が基板2の裏面5に形成されたものをいう。また、被加工物1は、図2に示すように、外周端部6に表面3から裏面5に至る断面円弧状の面取り部7が形成されている。
In short, the
実施形態1に係る被加工物の研削方法は、被加工物1を仕上げ厚み100まで薄化する方法である。被加工物の研削方法は、図3に示すように、トリミングステップST1と、改質層形成ステップST2と、研削ステップST3とを含む。
The method of grinding a workpiece according to the first embodiment is a method of thinning the
(トリミングステップ)
図4は、図3に示された被加工物の研削方法のトリミングステップを一部断面で示す側面図である。トリミングステップST1は、被加工物1の裏面5側から外周端部6に対して図4に示す切削装置10の切削ブレード12を所定厚み101切り込ませた状態で被加工物1を保持したチャックテーブル11を軸心回りに回転させつつ切削ブレード12で被加工物1の外周端部6を切削し、レーザー光線22を入射できる平坦面8を形成するステップである。
(Trimming step)
FIG. 4 is a side view partially showing a trimming step of the method of grinding a workpiece shown in FIG. The trimming step ST1 is a chuck that holds the
トリミングステップST1では、切削装置10が、チャックテーブル11の保持面13に被加工物1の表面3側を吸引保持する。実施形態1では、被加工物1の表面3側の膜4に表面保護テープ200が貼着されており、切削装置10は、被加工物1を表面保護テープ200を介して保持面13に吸引保持する。
In the trimming step ST1, the
トリミングステップST1では、切削装置10は、図4に示すように、チャックテーブル11を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながら切削ユニット14のスピンドル15により回転された切削ブレード12を被加工物1の表面3側から外周端部6の面取り部7に所定厚み101切り込ませて平坦面8を形成する。平坦面8は、切削ユニット14のスピンドル15により回転された切削ブレード12が外周端部6に切り込まされて形成されるので、レーザー光線22を散乱させずに被加工物1の内部で集光させる程度の表面粗さに形成される。被加工物の研削方法は、トリミングステップST1後、改質層形成ステップST2に進む。
In the trimming step ST1, as shown in FIG. 4, the cutting
(改質層形成ステップ)
図5は、図3に示された被加工物の研削方法の改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。改質層形成ステップST2は、被加工物1の裏面5側からトリミングステップST1において形成された平坦面8に、被加工物1に対して透過性を有する波長のレーザー光線22を照射し、被加工物1の内部に外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿って環状の改質層9を形成するステップである。
(Modified layer forming step)
FIG. 5 is a side view partially showing a modified layer forming step of the method for grinding a workpiece shown in FIG. The modified layer forming step ST2 irradiates the flat surface 8 formed in the trimming step ST1 from the
なお、改質層9は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲の母材とは異なる状態になった領域をいい、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらの領域が混在した領域等である。実施形態1では、改質層9の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。 The modified layer 9 refers to a region in which the density, refractive index, mechanical strength, and other physical properties are different from those of the surrounding base material. For example, the modified layer 9 includes a melt processing region, a crack region, and a dielectric breakdown region. , A refractive index change region, and a region in which these regions are mixed. In the first embodiment, the mechanical strength of the modified layer 9 is lower than the surrounding mechanical strength.
改質層形成ステップST2では、レーザー加工装置20が、チャックテーブル21の保持面23に被加工物1の表面3側を吸引保持する。実施形態1では、レーザー加工装置20は、保持面23に表面保護テープ200を介して被加工物1を吸引保持する。
In the modified layer forming step ST2, the laser processing device 20 suction-holds the
改質層形成ステップST2では、レーザー加工装置20は、図5に示すように、レーザー光線22を照射するレーザー光線照射ユニット24を平坦面8に鉛直方向に沿って対向させた後、レーザー光線22の集光点を被加工物1の内部に設定して、チャックテーブル21を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させながらレーザー光線照射ユニット24からレーザー光線22を被加工物1に照射する。改質層形成ステップST2では、レーザー加工装置20は、被加工物1の内部の平坦面8よりも表面3側に全周に亘って改質層9を形成する。なお、実施形態1において、改質層形成ステップST2では、レーザー加工装置20が膜4から仕上げ厚み100よりも裏面5寄りにレーザー光線22の焦点を設定して、改質層9は、レーザー加工装置20により膜4から仕上げ厚み100よりも裏面5側に形成される。被加工物の研削方法は、改質層形成ステップST2後、研削ステップST3に進む。
In the modified layer forming step ST2, the laser processing apparatus 20 causes the laser
(研削ステップ)
図6は、図3に示された被加工物の研削方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。研削ステップST3は、改質層形成ステップST2の実施後に、裏面5側から該被加工物1を研削して所定の仕上げ厚み100に形成するステップである。
(Grinding step)
FIG. 6 is a side view partially showing a grinding step of the method of grinding a workpiece shown in FIG. The grinding step ST3 is a step of grinding the
研削ステップST3では、図6に示すように、研削装置30がチャックテーブル31の保持面33に表面保護テープ200を介して被加工物1の表面3側を吸引保持し、チャックテーブル31を軸心回りに回転させつつ研削ユニット32の研削砥石34を軸心回りに回転させて被加工物1の裏面5に接触させて、裏面5を研削する。研削ステップST3では、研削装置30が仕上げ厚み100まで被加工物1を研削して薄化する。
In the grinding step ST3, as shown in FIG. 6, the grinding
研削ステップST3では、改質層9が被加工物1の外周端部6の内部に形成されているので、被加工物1は、改質層9から表面3及び裏面5に向かって延びたクラック9−1が形成されて、改質層9及びクラック9−1で破断される。このために、研削ステップST3において、被加工物1の外縁に発生したクラックは、被加工物1の中央に向かって延びて改質層9及びクラック9−1に到達すると、被加工物1が改質層9及びクラック9−1で破断されているので、改質層9及びクラック9−1よりも被加工物1の中央側に延びることが抑制される。また、研削ステップST3では、被加工物1は、改質層9が膜4から仕上げ厚み100よりも裏面5側に形成されているので、仕上げ厚み100まで薄化されると、改質層9が除去されることとなる。被加工物の研削方法は、被加工物1を仕上げ厚み100まで薄化すると、終了する。
In the grinding step ST3, since the modified layer 9 is formed inside the outer
実施形態1に係る被加工物の研削方法は、裏面5側から外周端部6を切削し平坦面8を形成するトリミングステップST1を行って、レーザー光線22を散乱させない程度の表面粗さに平坦面8を形成する。このために、被加工物の研削方法は、梨地面である裏面5側にレーザー光線22を照射しても、被加工物1の内部に改質層9を形成することができ、研削ステップST3で被加工物1の外縁に発生したクラックが、改質層9及びクラック9−1を超えて中央に向かって延びることを抑制することができる。その結果、被加工物の研削方法は、研削中にクラックが被加工物1の中央に向かって延びることを抑制することができる。
In the method of grinding a workpiece according to the first embodiment, a trimming step ST1 of cutting the outer
また、被加工物の研削方法は、改質層9を膜4から仕上げ厚み100よりも裏面5側に形成するので、研削ステップST3において、改質層9を除去することができる。その結果、被加工物の研削方法は、被加工物1を分割して得られるデバイスチップの抗折強度が低下することを抑止することができる。
In the method of grinding the workpiece, the modified layer 9 is formed on the
また、被加工物の加工方法は、トリミングステップST1において裏面5側から外周端部6を切削して平坦面8を形成し、改質層形成ステップST2において裏面5側からレーザー光線22を照射するとともに、研削ステップST3において裏面5側から被加工物1を研削する。このために、被加工物の加工方法は、トリミングステップST1前に表面3側に貼着した表面保護テープ200を剥がすとともに、他のテープ等に貼り替える必要がない。その結果、被加工物の加工方法は、加工に係る所要工数が増加することを抑制することができる。
Further, in the processing method of the workpiece, the outer
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、実施形態1では、切削装置10、レーザー加工装置20及び研削装置30は、表面保護テープ200を介してチャックテーブル11,21,31の保持面13,23,33に吸引保持している。しかしながら、本発明では、切削装置10、レーザー加工装置20及び研削装置30は、表面3に表面保護テープ200が貼着されていない被加工物1の表面3と保持面13,23,33との間に図示しないポーラスシートを配置して、ポーラスシートを介して被加工物1をチャックテーブル11,21,31の保持面13,23,33に吸引保持しても良い。
Note that the present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. In the first embodiment, the cutting
1 被加工物
5 裏面
6 外周端部
8 平坦面
9 改質層
11 チャックテーブル
12 切削ブレード
22 レーザー光線
100 仕上げ厚み
ST1 トリミングステップ
ST2 改質層形成ステップ
ST3 研削ステップ
DESCRIPTION OF
Claims (2)
該被加工物の裏面側から外周端部に対して切削ブレードを所定厚み切り込ませた状態で被加工物を保持したチャックテーブルを回転させつつ切削ブレードで被加工物の外周端部を切削し、レーザー光線を入射できる平坦面を形成するトリミングステップと、
該被加工物の裏面側から該トリミングステップにおいて形成された該平坦面に該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該被加工物の内部に外周縁に沿って環状の改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップの実施後に、裏面側から該被加工物を研削して所定の仕上げ厚みに形成する研削ステップと、を含む、
ことを特徴とする被加工物の研削方法。 A grinding method for a workpiece,
Cutting the outer peripheral edge of the workpiece with the cutting blade while rotating the chuck table holding the workpiece in a state where the cutting blade is cut into the outer peripheral edge by a predetermined thickness from the back side of the workpiece. A trimming step of forming a flat surface through which a laser beam can be incident;
The flat surface formed in the trimming step is irradiated from the back side of the workpiece with a laser beam having a wavelength having transparency to the workpiece, and a circular ring is formed inside the workpiece along an outer peripheral edge. A modified layer forming step of forming a modified layer of
After performing the modified layer forming step, a grinding step of grinding the workpiece from the back side to form a predetermined finished thickness,
A method of grinding a workpiece.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021174810A (en) * | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP7558044B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-09-30 | 株式会社ディスコ | Wafer Processing Method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108532A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of grinding wafer |
JP2007096091A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer processing method |
JP2009131942A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Hamamatsu Photonics Kk | Grinding method of machining object |
JP2012079800A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division method |
JP2012146724A (en) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of optical device wafer and optical device |
-
2018
- 2018-07-05 JP JP2018128563A patent/JP7085426B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006108532A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of grinding wafer |
JP2007096091A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer processing method |
JP2009131942A (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Hamamatsu Photonics Kk | Grinding method of machining object |
JP2012079800A (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division method |
JP2012146724A (en) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | Processing method of optical device wafer and optical device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021174810A (en) * | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP7512072B2 (en) | 2020-04-21 | 2024-07-08 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP7558044B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-09-30 | 株式会社ディスコ | Wafer Processing Method |
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