JP2020003361A - Inspection jig, semiconductor chip inspection method, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップを搭載して検査に供する検査冶具、半導体チップの検査方法、および半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an inspection jig on which a semiconductor chip is mounted for inspection, a semiconductor chip inspection method, and a semiconductor device manufacturing method.
従来、半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、ダイシング工程により複数の半導体チップに切り分けられる。ダイシング工程では、半導体基板をダイシング装置に対して固定するために、環状のダイシングフレームと、ダイシングフレームに固定されており、かつ半導体基板が貼り付けられるダイシングテープとからなるダイシング冶具が用いられている。ダイシングフレームは金属材料から成り、ダイシングテープはポリ塩化ビニル等の合成樹脂と粘着剤とから成る。ダイシング工程では、複数の半導体チップは、ダイシング冶具に保持された状態で回収される。 Conventionally, a plurality of semiconductor elements formed on a semiconductor substrate are cut into a plurality of semiconductor chips by a dicing process. In the dicing step, in order to fix the semiconductor substrate to the dicing apparatus, a dicing jig including an annular dicing frame and a dicing tape fixed to the dicing frame and to which the semiconductor substrate is attached is used. . The dicing frame is made of a metal material, and the dicing tape is made of a synthetic resin such as polyvinyl chloride and an adhesive. In the dicing step, the plurality of semiconductor chips are collected while being held by a dicing jig.
従来、ダイシング冶具に保持された半導体チップを検査するプローブ装置が知られている。このようなプローブ装置は、例えば特開2016−154268号公報、国際公開第2014/132856号、特開2007−95938号公報、特開2011−222851号公報、特開2005−164522号公報、特開2008−027960号公報に開示されている。該プローブ装置において、ダイシング冶具は、プロープに対して半導体チップを位置合わせするための検査冶具として利用されている。 Conventionally, a probe device for inspecting a semiconductor chip held by a dicing jig is known. Such a probe device is disclosed in, for example, JP-A-2006-154268, WO 2014/132856, JP-A-2007-95938, JP-A-2011-222851, JP-A-2005-164522, and JP-A-2005-164522. It is disclosed in 2008-027960. In the probe device, the dicing jig is used as an inspection jig for aligning the semiconductor chip with the probe.
しかしながら、上記のようなプローブ装置は、150℃以上に加熱された高温環境下で半導体チップに対して実施される検査には利用されていなかった。これは、ダイシング冶具が高温環境下に置かれるとダイシングテープが変形する場合があり、この場合には半導体チップが検査可能な状態に保持されず、検査ができなくなるためである。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 However, the probe device as described above has not been used for an inspection performed on a semiconductor chip under a high-temperature environment heated to 150 ° C. or higher. This is because if the dicing jig is placed in a high-temperature environment, the dicing tape may be deformed, and in this case, the semiconductor chip is not maintained in an inspectable state and cannot be inspected. Other problems and novel features will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本実施の形態に係る検査冶具は、半導体チップを搭載して検査に供する検査冶具である。本実施の形態に係る検査冶具は、メタルフレームと、メタルプレートと、搭載部とを備える。メタルフレームは、平面視において環状である。メタルプレートは、平面視においてメタルフレームに囲まれた内部領域内に配置され、かつメタルフレームに固定されている。搭載部は、平面視において上記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップが搭載される第1面と、メタルプレートと粘着している第2面とを有する。 The inspection jig according to the present embodiment is an inspection jig on which a semiconductor chip is mounted and used for inspection. The inspection jig according to the present embodiment includes a metal frame, a metal plate, and a mounting unit. The metal frame is annular in plan view. The metal plate is arranged in an internal region surrounded by the metal frame in a plan view, and is fixed to the metal frame. The mounting portion is disposed so as to overlap a part of the inner portion in a plan view, and has a first surface on which the semiconductor chip is mounted and a second surface adhered to the metal plate.
本実施の形態によれば、プローブ装置を用いた検査に供する検査冶具であって、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても半導体チップを検査可能な状態に保持することができる検査冶具、上記検査冶具を用いた半導体チップの検査方法、および上記半導体チップの検査方法を備える半導体装置の製造方法を提供することができる。 According to the present embodiment, an inspection jig provided for inspection using a probe device, in which a semiconductor chip can be inspected even in a high-temperature environment where a dicing jig cannot maintain the semiconductor chip in an inspectable state Jig that can be held in a semiconductor chip, an inspection method of a semiconductor chip using the inspection jig, and a method of manufacturing a semiconductor device including the inspection method of the semiconductor chip.
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding portions have the same reference characters allotted, and description thereof will not be repeated.
(実施の形態1)
<検査冶具の構成>
図1〜図4に示されるように、実施の形態1に係る検査冶具ISJは、半導体チップCHPを搭載して検査に供する検査冶具である。検査冶具ISJは、メタルフレームMF、第1メタルプレートMP1、および搭載部PFCを備える。なお、以下では、検査冶具ISJを平面視したときに、半導体チップCHPが搭載される側を上、その反対側を下とする。
(Embodiment 1)
<Configuration of inspection jig>
As shown in FIGS. 1 to 4, the inspection jig ISJ according to the first embodiment is an inspection jig mounted with the semiconductor chip CHP and subjected to inspection. The inspection jig ISJ includes a metal frame MF, a first metal plate MP1, and a mounting portion PFC. Hereinafter, when the inspection jig ISJ is viewed in a plan view, the side on which the semiconductor chip CHP is mounted is referred to as “up” and the opposite side is referred to as “down”.
図2に示されるように、メタルフレームMFは、平面視において環状である。平面視においてメタルフレームMFの内周端の形状は、例えば円形状である。平面視において、メタルフレームMFの外周端の形状は、例えばメタルフレームMFの中心に対して回転対称性を有していない形状である。メタルフレームMFを構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。メタルフレームMFは、ダイシングフレームである。メタルフレームMFの構造および寸法は、例えば半導体基板が検査冶具ISJに搭載される半導体チップCHPにダイシングされるときに用いられたダイシングフレームの構造および寸法と同等である。 As shown in FIG. 2, the metal frame MF is annular in plan view. In plan view, the shape of the inner peripheral end of the metal frame MF is, for example, a circular shape. In plan view, the shape of the outer peripheral end of the metal frame MF is, for example, a shape that does not have rotational symmetry with respect to the center of the metal frame MF. The material forming the metal frame MF includes a metal material, for example, stainless steel. The metal frame MF is a dicing frame. The structure and dimensions of the metal frame MF are equivalent to, for example, the structure and dimensions of a dicing frame used when a semiconductor substrate is diced into a semiconductor chip CHP mounted on an inspection jig ISJ.
図1および図3に示されるように、第1メタルプレートMP1は、メタルフレームMFに固定されている。図2に示されるように、平面視において、第1メタルプレートMP1は、メタルフレームMFの内側に配置されている内側部分と、平面視においてメタルフレームMFと重なるように配置されており、かつ上記内側部分を囲むように配置されている外側部分とを有している。第1メタルプレートMP1の上記内側部分は、例えば平坦に設けられている。第1メタルプレートMP1の外側部分の上面は、例えば接着部AMによってメタルフレームMFの下面と接着されている。なお、メタルフレームMFおよび第1メタルプレートMP1は、例えば一体として設けられていてもよい。第1メタルプレートMP1を構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。第1メタルプレートMP1の厚みは、メタルフレームMFの厚みよりも薄く、例えば20μm以上300μm以下である。第1メタルプレートMP1が室温に置かれているときの第1メタルプレートMP1の寸法値に対する第1メタルプレートMP1が200℃に加熱された後の第1メタルプレートMP1の寸法値の変化率(変形率)は、ダイシングテープのそれよりも小さい。 As shown in FIGS. 1 and 3, the first metal plate MP1 is fixed to the metal frame MF. As shown in FIG. 2, the first metal plate MP <b> 1 is disposed so as to overlap with the inner portion disposed inside the metal frame MF in plan view and the metal frame MF in plan view, and An outer portion arranged to surround the inner portion. The inside portion of the first metal plate MP1 is provided, for example, flat. The upper surface of the outer portion of the first metal plate MP1 is adhered to the lower surface of the metal frame MF by, for example, an adhesive portion AM. The metal frame MF and the first metal plate MP1 may be provided integrally, for example. The material forming the first metal plate MP1 includes a metal material, for example, stainless steel. The thickness of the first metal plate MP1 is smaller than the thickness of the metal frame MF, for example, not less than 20 μm and not more than 300 μm. The rate of change (deformation) of the dimensional value of the first metal plate MP1 after the first metal plate MP1 is heated to 200 ° C. with respect to the dimensional value of the first metal plate MP1 when the first metal plate MP1 is kept at room temperature. Rate) is smaller than that of the dicing tape.
図3に示されるように、搭載部PFCは、複数の半導体チップCHPが搭載される第1面SF1と、第1メタルプレートMP1と粘着している第2面SF2とを有している。図2に示されるように、平面視において、搭載部PFCは、第1メタルプレートMP1の上記内側部分の一部と重なるように配置されて、当該一部と粘着している。平面視において、搭載部PFCは、例えば上記内側部分の中央部と重なるように配置されている。平面視において、搭載部PFCの中心は、例えば上記内側部分の中心と重なっている。搭載部PFCの幅W1は、第1メタルプレートMP1の上記内側部分の幅未満である。搭載部PFCの幅W1は、例えば上記半導体基板の外径と同等である。図2に示されるように、搭載部PFCの平面形状は、例えば円形状である。 As shown in FIG. 3, the mounting portion PFC has a first surface SF1 on which a plurality of semiconductor chips CHP are mounted, and a second surface SF2 adhered to the first metal plate MP1. As shown in FIG. 2, in plan view, the mounting portion PFC is arranged so as to overlap with a part of the inner part of the first metal plate MP1, and adheres to the part. In plan view, the mounting portion PFC is arranged so as to overlap, for example, the central portion of the inside portion. In plan view, the center of the mounting portion PFC overlaps, for example, the center of the inside portion. The width W1 of the mounting portion PFC is smaller than the width of the inside portion of the first metal plate MP1. The width W1 of the mounting portion PFC is, for example, equal to the outer diameter of the semiconductor substrate. As shown in FIG. 2, the planar shape of the mounting portion PFC is, for example, a circular shape.
図4に示されるように、搭載部PFCは、第2メタルプレートMP2と、第2メタルプレートMP2に接続されておりかつ第2メタルプレートMP2を挟むように配置された第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2とを含む。第1粘着部DAM1は、上記第1面SF1と、第1面SF1と反対側に位置する第3面SF3とを有している。第2粘着部DAM2は、上記第2面SF2と、第2面SF2と反対側に位置する第4面SF4とを有している。平面視における第2メタルプレートMP2、第1粘着部DAM1、および第2粘着部DAM2の各中心は、重なるように配置されている。 As shown in FIG. 4, the mounting portion PFC includes a second metal plate MP2, a first adhesive portion DAM1 connected to the second metal plate MP2, and a first adhesive portion DAM1 disposed so as to sandwich the second metal plate MP2. 2 adhesive part DAM2. The first adhesive portion DAM1 has the first surface SF1 and a third surface SF3 opposite to the first surface SF1. The second adhesive portion DAM2 has the second surface SF2 and a fourth surface SF4 located on the opposite side to the second surface SF2. The centers of the second metal plate MP2, the first adhesive portion DAM1, and the second adhesive portion DAM2 in plan view are arranged to overlap.
第1面SF1、第2面SF2、第3面SF3および第4面SF4は、粘着性を有している。第1面SF1は、複数の半導体チップCHPが粘着される面である。第2面SF2は、第1メタルプレートMP1の上記内側部分の上面と粘着している。第3面SF3は、第2メタルプレートMP2の上面と粘着している。第4面SF4は、第2メタルプレートMP2の下面と粘着している。 The first surface SF1, the second surface SF2, the third surface SF3, and the fourth surface SF4 have adhesiveness. The first surface SF1 is a surface to which the plurality of semiconductor chips CHP are adhered. The second surface SF2 is adhered to the upper surface of the inside portion of the first metal plate MP1. The third surface SF3 is adhered to the upper surface of the second metal plate MP2. The fourth surface SF4 is adhered to the lower surface of the second metal plate MP2.
第1面SF1の粘着力は第3面SF3の粘着力よりも小さい。第2面SF2の粘着力は第4面SF4の粘着力よりも小さい。なお、粘着力は、JIS Z 0237:2009に規定された方法に従って測定される。 The adhesive force of the first surface SF1 is smaller than the adhesive force of the third surface SF3. The adhesive force of the second surface SF2 is smaller than the adhesive force of the fourth surface SF4. The adhesive strength is measured according to the method specified in JIS Z 0237: 2009.
以下の測定方法によって測定される第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2の各々の第1粘着力に対する第2粘着力の比率は、50%以上である。 The ratio of the second adhesive force to the first adhesive force of each of the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 measured by the following measurement method is 50% or more.
まず、JIS Z 0237:2009に規定された方法に従って、第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2とSUS304鋼板との圧着体を複数準備する。圧着は、第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2とSUS304鋼板との積層体上に2kgのローラを載せて、該ローラを平面視における積層体の一端と他端との間で1往復させることにより実施される。 First, according to the method specified in JIS Z 0237: 2009, a plurality of press-bonded bodies of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 and the SUS304 steel plate are prepared. For the pressure bonding, a 2 kg roller is placed on a laminate of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 and the SUS304 steel plate, and the roller is reciprocated once between one end and the other end of the laminate in plan view. It is implemented by doing.
次に、一部の圧着体について、JIS Z 0237:2009に規定された方法に従って、引きはがし角度が180°引きはがす速度が300mm/分との条件で、試験片を試験板から引きはがし、第1粘着力を測定する。 Next, for some of the pressure-bonded bodies, the test piece was peeled off from the test plate under the condition that the peeling angle was 180 ° and the peeling speed was 300 mm / min according to the method specified in JIS Z 0237: 2009. 1 Measure the adhesive strength.
さらに、他の圧着体に対し、200℃に2時間加熱する。加熱後、室温まで冷却された上記圧着体に対し、JIS Z 0237:2009に規定された方法に従って、引きはがし角度が180°引きはがす速度が300mm/分との条件で、試験片を試験板に対して引きはがし、第2粘着力を測定する。第1粘着力に対する第2粘着力の比率は、50%以上である。なお、第1粘着力および第2粘着力の測定には、JIS B 7721に規定された引張試験機またはこれと同等の引張試験機が用いられる。なお、ダイシングテープの上記比率は50%より小さい。 Further, another crimped body is heated to 200 ° C. for 2 hours. After the heating, the crimped body cooled to room temperature is subjected to a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 300 mm / min according to the method specified in JIS Z 0237: 2009. Then, the second adhesive force is measured. The ratio of the second adhesive force to the first adhesive force is 50% or more. Note that a tensile tester specified in JIS B 7721 or a tensile tester equivalent thereto is used for measuring the first adhesive strength and the second adhesive strength. The above ratio of the dicing tape is smaller than 50%.
以下の測定方法によって測定される第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2の各々の変形率は、10%以下である。 The deformation rate of each of the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 measured by the following measurement method is 10% or less.
まず、平面寸法が25mm平方とされた第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2とSUS304鋼板との圧着体を複数準備する。圧着は、第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2とSUS304鋼板との積層体上に2kgのローラを載せて、該ローラを平面視における積層体の一端と他端との間で2往復させることにより実施される。 First, a plurality of pressure-bonded bodies of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 having a plane size of 25 mm square and the SUS304 steel plate are prepared. For the pressure bonding, a 2 kg roller is placed on a laminate of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 and the SUS304 steel plate, and the roller is reciprocated twice between one end and the other end of the laminate in plan view. It is implemented by doing.
次に、一部の圧着体について、第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2の平面寸法(第1長さおよび第1幅)および第1厚みを測定する。さらに、他の圧着体に対し、200℃に2時間加熱する。加熱後、室温まで冷却された上記圧着体に対し、第1粘着部DAM1または第2粘着部DM2の平面寸法(第2長さおよび第2幅)および第2厚みを測定する。なお、ダイシングテープの上記変形率は10%超えである。 Next, the plane dimensions (first length and first width) and first thickness of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 are measured for some of the pressure-bonded bodies. Further, another crimped body is heated to 200 ° C. for 2 hours. After the heating, the planar size (second length and second width) and second thickness of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DM2 are measured for the pressed body cooled to room temperature. The above-mentioned deformation rate of the dicing tape is more than 10%.
平面寸法の測定には、JIS B 7507:2011に規定する最小読取値0.05mmのノギス、JIS B 7512:2011に規定する鋼製巻尺、またはJIS B 7516:2011に規定する金属製直尺が用いられる。厚みの測定には、JIS B 7503:2011に規定されたダイアルゲージが用いられる。第1長さに対する第1長さと第2長さとの差の絶対値の比率、第1幅に対する第1幅と第2幅との差の絶対値の比率、および第1厚みに対する第1厚みと第2厚みの差の絶対値の比率、すなわち上記加熱に伴う第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2の各々の変形率は、10%以下である。 For the measurement of the planar dimensions, a caliper with a minimum reading value of 0.05 mm specified in JIS B 7507: 2011, a steel tape measure specified in JIS B 7512: 2011, or a metal straight scale specified in JIS B 7516: 2011 is used. Used. For measuring the thickness, a dial gauge specified in JIS B7503: 2011 is used. The ratio of the absolute value of the difference between the first length and the second length to the first length, the ratio of the absolute value of the difference between the first width and the second width to the first width, and the first thickness and the first thickness The ratio of the absolute value of the difference in the second thickness, that is, the deformation rate of each of the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 due to the heating is 10% or less.
図1〜図3に示されるように、第2メタルプレートMP2、第1粘着部DAM1、および第2粘着部DAM2の各平面形状は、例えば同一形状である。第2メタルプレートMP2の厚みは、メタルフレームMFの厚みよりも薄く、例えば50μm以上500μm以下である。第2メタルプレートMP2を構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。第2メタルプレートMP2が室温に置かれているときの第2メタルプレートMP2の寸法値に対する第2メタルプレートMP2が200℃に加熱された後の第2メタルプレートMP2の寸法値の変化率(変形率)は、ダイシングテープのそれよりも小さい。 As shown in FIGS. 1 to 3, the planar shapes of the second metal plate MP2, the first adhesive portion DAM1, and the second adhesive portion DAM2 are, for example, the same. The thickness of the second metal plate MP2 is smaller than the thickness of the metal frame MF, for example, not less than 50 μm and not more than 500 μm. The material forming the second metal plate MP2 includes a metal material, for example, stainless steel. The rate of change (deformation) of the dimensional value of the second metal plate MP2 after the second metal plate MP2 is heated to 200 ° C. with respect to the dimensional value of the second metal plate MP2 when the second metal plate MP2 is kept at room temperature. Rate) is smaller than that of the dicing tape.
第1粘着部DAM1の厚みは、例えば第2粘着部DM2の厚みと等しく、第2メタルプレートMP2の厚みよりも厚い。第1粘着部DAM1の厚みおよび第2粘着部DM2の厚みは、例えば185μm以上215μm以下である。搭載部PFCの厚み、すなわち第2メタルプレートMP2、第1粘着部DAM1、および第2粘着部DAM2の各厚みの和は、例えばメタルフレームMFおよび接着部AMの各厚みの和未満である。第1粘着部DAM1および第2粘着部DM2を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む。第1粘着部DAM1および第2粘着部DM2は、例えばTaconic社製TacsilF20である。
<検査冶具の製造方法>
検査冶具ISJは、各構成部材が任意の順番で粘着または接着されることにより、製造され得る。例えば、メタルフレームMFおよび第1メタルプレートMP1が接着部AMを介して接着される。また、第1粘着部DAM1、第2メタルプレートMP2、および第2粘着部DAM2が粘着されて搭載部PFCが形成される。次に、メタルフレームMFに固定された第1メタルプレートMP1と、搭載部PFCの第2粘着部DAM2とが粘着される。このようにして、検査冶具ISJは製造される。
<半導体チップの検査方法>
実施の形態1に係る半導体チップの検査方法は、検査冶具ISJに搭載された半導体チップCHPの検査方法である。図5に示されるように、実施の形態1に係る半導体チップの検査方法では、まずダイシング冶具DJ(図6参照)に搭載された複数の半導体チップCHPが準備される(工程(S10))。複数の半導体チップCHPは、ダイシング冶具DJに搭載された図示しない半導体基板がダイシングされることにより、形成される。ダイシング冶具DJは、ダイシングフレームDF2と、ダイシングフレームDF2に固定されたダイシングテープDTとを含む。各半導体チップCHPは、ダイシングテープDTに接着されている第5面SF5と、第5面SF5とは反対側に位置する第6面SF6とを有している。
The thickness of the first adhesive portion DAM1 is, for example, equal to the thickness of the second adhesive portion DM2, and is greater than the thickness of the second metal plate MP2. The thickness of the first adhesive portion DAM1 and the thickness of the second adhesive portion DM2 are, for example, not less than 185 μm and not more than 215 μm. The thickness of the mounting portion PFC, that is, the sum of the thicknesses of the second metal plate MP2, the first adhesive portion DAM1, and the second adhesive portion DAM2 is, for example, less than the sum of the thicknesses of the metal frame MF and the adhesive portion AM. The material forming the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DM2 includes a silicon-based adhesive. The first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DM2 are, for example, Tacsil F20 manufactured by Taconic.
<Method of manufacturing inspection jigs>
The inspection jig ISJ can be manufactured by sticking or adhering each constituent member in an arbitrary order. For example, the metal frame MF and the first metal plate MP1 are bonded via the bonding portion AM. Further, the first adhesive portion DAM1, the second metal plate MP2, and the second adhesive portion DAM2 are adhered to form the mounting portion PFC. Next, the first metal plate MP1 fixed to the metal frame MF and the second adhesive portion DAM2 of the mounting portion PFC are adhered. Thus, the inspection jig ISJ is manufactured.
<Semiconductor chip inspection method>
The semiconductor chip inspection method according to the first embodiment is an inspection method for a semiconductor chip CHP mounted on an inspection jig ISJ. As shown in FIG. 5, in the semiconductor chip inspection method according to the first embodiment, first, a plurality of semiconductor chips CHP mounted on a dicing jig DJ (see FIG. 6) are prepared (step (S10)). The plurality of semiconductor chips CHP are formed by dicing a semiconductor substrate (not shown) mounted on a dicing jig DJ. The dicing jig DJ includes a dicing frame DF2 and a dicing tape DT fixed to the dicing frame DF2. Each semiconductor chip CHP has a fifth surface SF5 adhered to the dicing tape DT, and a sixth surface SF6 located on the opposite side to the fifth surface SF5.
次に、ダイシング冶具DJに搭載された複数の半導体チップCHPのうち、検査対象とされる複数の半導体チップCHPがダイシング冶具DJから上記検査冶具ISJに移される(工程(S20))。図6〜図11は、本工程(S20)を説明するための断面図である。 Next, of the plurality of semiconductor chips CHP mounted on the dicing jig DJ, the plurality of semiconductor chips CHP to be inspected are transferred from the dicing jig DJ to the inspection jig ISJ (step (S20)). 6 to 11 are cross-sectional views for explaining the present step (S20).
本工程(S20)ではまず、図6に示されるように、紫外線硬化型テープUVTが準備される。紫外線硬化型テープUVTは、紫外線が照射された後の粘着力が弱まる特性を有している。紫外線が照射されていない紫外線硬化型テープUVTの粘着力は、ダイシングテープDTの粘着力よりも強い。紫外線が照射された後の紫外線硬化型テープUVTの粘着力は、未加熱である第1粘着部DAM1の第1面SF1よりも弱い。 In this step (S20), first, as shown in FIG. 6, an ultraviolet curable tape UVT is prepared. The UV-curable tape UVT has a property that the adhesive strength after being irradiated with ultraviolet light is weakened. The adhesive strength of the UV-curable tape UVT that has not been irradiated with ultraviolet light is stronger than the adhesive strength of the dicing tape DT. The adhesive strength of the ultraviolet-curable tape UVT after being irradiated with ultraviolet light is weaker than the unheated first surface SF1 of the first adhesive portion DAM1.
次に、図7に示されるように、1つの紫外線硬化型テープUVTが複数の半導体チップCHPの各第6面SF6に粘着される。このとき、紫外線硬化型テープUVTはダイシング冶具DJに対して任意の方法により位置決めされた後、複数の半導体チップCHPに粘着される。好ましくは、紫外線硬化型テープUVTは複数の半導体チップCHPに圧着される。圧着条件は、各半導体チップCHPの特性に影響を及ぼさない条件として設定される。 Next, as shown in FIG. 7, one ultraviolet curing tape UVT is adhered to each sixth surface SF6 of the plurality of semiconductor chips CHP. At this time, the ultraviolet curable tape UVT is positioned with respect to the dicing jig DJ by an arbitrary method, and is then adhered to the plurality of semiconductor chips CHP. Preferably, the UV-curable tape UVT is bonded to the plurality of semiconductor chips CHP. The pressure bonding condition is set as a condition that does not affect the characteristics of each semiconductor chip CHP.
次に、図8に示されるように、ダイシング冶具DJが紫外線硬化型テープUVTに粘着された複数の半導体チップCHPから分離される。例えば、ダイシングテープDTがダイシングフレームDF2から分離された後、ダイシングテープDTが複数の半導体チップCHPから分離される。上述のように、紫外線が照射されていない紫外線硬化型テープUVTの粘着力がダイシングテープDTの粘着力よりも強いため、ダイシングテープDTは紫外線硬化型テープUVTに粘着された複数の半導体チップCHPから容易に引きはがされる。 Next, as shown in FIG. 8, the dicing jig DJ is separated from the plurality of semiconductor chips CHP adhered to the ultraviolet curing tape UVT. For example, after the dicing tape DT is separated from the dicing frame DF2, the dicing tape DT is separated from the plurality of semiconductor chips CHP. As described above, since the adhesive force of the ultraviolet-curable tape UVT that is not irradiated with ultraviolet light is stronger than the adhesive force of the dicing tape DT, the dicing tape DT is made of a plurality of semiconductor chips CHP adhered to the ultraviolet-curable tape UVT. It is easily torn off.
次に、図9に示されるように、紫外線硬化型テープUVTに粘着された複数の半導体チップCHPの第5面SF5が、検査冶具ISJの搭載部PFCの第1面SF1に粘着される。このとき、紫外線硬化型テープUVTおよび複数の半導体チップCHPは検査冶具ISJに対して任意の方法により位置決めされた後、搭載部PFCに粘着される。好ましくは、搭載部PFCは複数の半導体チップCHPに圧着される。圧着条件は、各半導体チップCHPの特性に影響を及ぼさない条件として設定される。 Next, as shown in FIG. 9, the fifth surfaces SF5 of the plurality of semiconductor chips CHP adhered to the ultraviolet curing tape UVT are adhered to the first surface SF1 of the mounting portion PFC of the inspection jig ISJ. At this time, the ultraviolet curable tape UVT and the plurality of semiconductor chips CHP are positioned with respect to the inspection jig ISJ by an arbitrary method, and then adhered to the mounting portion PFC. Preferably, the mounting portion PFC is pressure-bonded to the plurality of semiconductor chips CHP. The pressure bonding condition is set as a condition that does not affect the characteristics of each semiconductor chip CHP.
次に、図10に示されるように、紫外線硬化型テープUVTに紫外線UVが照射される。紫外線UVは、複数のUV光源UVSから、紫外線硬化型テープUVTにおいて複数の半導体チップCHPと粘着している領域の全体に照射される。 Next, as shown in FIG. 10, the ultraviolet curing type tape UVT is irradiated with ultraviolet rays UV. The ultraviolet rays UV are emitted from the plurality of UV light sources UVS to the entire region of the ultraviolet-curable tape UVT that is adhered to the plurality of semiconductor chips CHP.
次に、図11に示されるように、紫外線硬化型テープUVTが、搭載部PFCに粘着された複数の半導体チップCHPから分離される。上述のように、紫外線が照射された後の紫外線硬化型テープUVTの粘着力は、未加熱である第1粘着部DAM1の第1面SF1よりも弱いため、紫外線硬化型テープUVTは搭載部PFCに粘着された複数の半導体チップCHPから容易に引きはがされる。このようにして、検査対象とされる複数の半導体チップCHPがダイシング冶具DJから上記検査冶具ISJに同時に一括して移される。 Next, as shown in FIG. 11, the ultraviolet curing tape UVT is separated from the plurality of semiconductor chips CHP adhered to the mounting portion PFC. As described above, since the adhesive strength of the ultraviolet-curable tape UVT after being irradiated with ultraviolet light is weaker than the first surface SF1 of the unheated first adhesive portion DAM1, the ultraviolet-curable tape UVT is mounted on the mounting portion PFC. Can be easily peeled off from the plurality of semiconductor chips CHP adhered to the substrate. In this manner, the plurality of semiconductor chips CHP to be inspected are simultaneously and collectively transferred from the dicing jig DJ to the above-mentioned inspection jig ISJ.
次に、図5に示されるように、検査冶具ISJに搭載された複数の半導体チップCHPが検査される(工程(S30))。本工程(S30)は、例えば複数の半導体チップCHPを150℃以上の環境下で検査する工程(S31)と、複数の半導体チップCHPを150℃未満の環境下で検査する工程(S32)とを含む。上記工程(S31)および上記工程(S32)において、検査冶具ISJに搭載された半導体チップCHPは、ダイシング冶具に搭載された半導体チップを検査する従来のプローブ装置を用いて、検査される。上記工程(S31)および上記工程(S32)において実施される検査は、例えば半導体チップCHPの良否判定のための抜き取り検査もしくは全数検査、または不良とされた半導体チップCHPの不良解析のための検査である。上記工程(S31)では、例えば半導体チップCHPは200℃以上の環境下に複数時間置かれる。上記工程(S31)は、例えば信頼性試験として実施される。上記工程(S31)および上記工程(S32)の順番は、特に制限されない。 Next, as shown in FIG. 5, the plurality of semiconductor chips CHP mounted on the inspection jig ISJ are inspected (step (S30)). This step (S30) includes, for example, a step of inspecting a plurality of semiconductor chips CHP under an environment of 150 ° C. or more (S31) and a step of inspecting a plurality of semiconductor chips CHP under an environment of less than 150 ° C. (S32). Including. In the steps (S31) and (S32), the semiconductor chip CHP mounted on the inspection jig ISJ is inspected using a conventional probe device that inspects the semiconductor chip mounted on the dicing jig. The inspection performed in the above-described steps (S31) and (S32) is, for example, a sampling inspection or a 100% inspection for determining the quality of the semiconductor chip CHP, or an inspection for analyzing the failure of the semiconductor chip CHP which has been determined to be defective. is there. In the step (S31), for example, the semiconductor chip CHP is placed in an environment at 200 ° C. or higher for a plurality of hours. The above step (S31) is performed, for example, as a reliability test. The order of the step (S31) and the step (S32) is not particularly limited.
なお、上記工程(S20)では、上記方法とは異なる方法によって、ダイシング冶具DJから検査冶具ISJに半導体チップCHPを移してもよい。例えば、上記工程(S20)では、移載機(チップソーター)が用いられてもよい。移載機が用いられる場合には、ダイシング冶具DJに搭載された複数の半導体チップCHPから、一部の半導体チップCHPのみを抜き取って検査冶具ISJに移すことができる。この場合、抜き取られた半導体チップCHPのダイシング冶具DJ上での位置、および検査冶具ISJ上での位置を記録することにより、トレーサビリティを確保することができる。 In the step (S20), the semiconductor chip CHP may be transferred from the dicing jig DJ to the inspection jig ISJ by a method different from the above method. For example, in the step (S20), a transfer machine (tip sorter) may be used. When a transfer machine is used, only some of the semiconductor chips CHP can be extracted from the plurality of semiconductor chips CHP mounted on the dicing jig DJ and transferred to the inspection jig ISJ. In this case, traceability can be ensured by recording the position of the extracted semiconductor chip CHP on the dicing jig DJ and the position on the inspection jig ISJ.
<半導体装置の製造方法>
実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は、検査冶具ISJに搭載されて上記検査方法により検査された半導体チップCHPを用いて、半導体装置を製造する方法である。
<Semiconductor device manufacturing method>
The method of manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment is a method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor chip CHP mounted on an inspection jig ISJ and inspected by the above inspection method.
図12に示されるように、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法では、まず、複数の半導体素子が配列された半導体基板が準備される(工程(S40))。複数の半導体素子は、半導体基板に対して成膜工程および加工工程等が施されることにより形成される。各半導体素子は、任意の構造を有していればよい。 As shown in FIG. 12, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment, first, a semiconductor substrate on which a plurality of semiconductor elements are arranged is prepared (step (S40)). The plurality of semiconductor elements are formed by performing a film forming step, a processing step, and the like on a semiconductor substrate. Each semiconductor element may have any structure.
次に、半導体基板上に配列された複数の半導体素子が検査される(工程(S50))。本工程(S50)では、いわゆるオンウエハ検査が実施される。 Next, a plurality of semiconductor elements arranged on the semiconductor substrate are inspected (step (S50)). In this step (S50), a so-called on-wafer inspection is performed.
次に、上記半導体チップの検査方法が実施される。すなわち、検査冶具ISJを用いて、上記工程(S10)〜上記工程(S30)が実施される。 Next, the inspection method of the semiconductor chip is performed. That is, the above steps (S10) to (S30) are performed using the inspection jig ISJ.
次に、上記工程(S30)で得られた検査結果に基づいて、各半導体チップCHPが良品または不良品であるかが、判定される(工程(S60))。上記検査結果に基づいて各半導体チップCHPを良品または不良品と判定する基準は、予め定められている。 Next, it is determined whether each semiconductor chip CHP is a non-defective product or a defective product based on the inspection result obtained in the above step (S30) (step (S60)). The criterion for determining each semiconductor chip CHP as a non-defective product or a defective product based on the inspection result is predetermined.
次に、上記工程(S60)にて良品と判定された半導体チップCHPが組み立てられて、半導体装置が製造される(工程(S70))。本工程(S70)では、まず検査冶具ISJから半導体チップCHPが分離される。検査冶具ISJから半導体チップCHPを分離する方法は任意の方法であればよいが、例えば以下のような方法が挙げられる。 Next, the semiconductor chip CHP determined to be non-defective in the above step (S60) is assembled to manufacture a semiconductor device (step (S70)). In this step (S70), first, the semiconductor chip CHP is separated from the inspection jig ISJ. The method of separating the semiconductor chip CHP from the inspection jig ISJ may be any method, and examples thereof include the following method.
はじめに、検査冶具ISJの第1メタルプレートMP1から搭載部PFCが分離される。上述のように、第2面SF2の粘着力は第4面SF4の粘着力よりも小さいため、搭載部PFCは第1メタルプレートMP1から比較的容易に引きはがされる。次に、図13に示されるように、搭載部PFCが折り曲げられる。これにより、半導体チップCHPと第1粘着部DAM1との間に隙間が形成されるため、半導体チップCHPは搭載部PFCから比較的容易に引きはがされる。 First, the mounting part PFC is separated from the first metal plate MP1 of the inspection jig ISJ. As described above, since the adhesive force of the second surface SF2 is smaller than the adhesive force of the fourth surface SF4, the mounting portion PFC is relatively easily peeled off from the first metal plate MP1. Next, as shown in FIG. 13, the mounting portion PFC is bent. As a result, a gap is formed between the semiconductor chip CHP and the first adhesive portion DAM1, so that the semiconductor chip CHP can be relatively easily detached from the mounting portion PFC.
検査冶具ISJから取り外された半導体チップCHPは、半導体装置に組み立てられる。半導体装置は、例えばチップサイズパッケージ(CSP)品である。 The semiconductor chip CHP removed from the inspection jig ISJ is assembled into a semiconductor device. The semiconductor device is, for example, a chip size package (CSP) product.
なお、上記工程(S70)において半導体チップCHPが取り除かれた検査冶具ISJは、再利用され得る。例えば、検査冶具ISJの全体が再利用され得る。また、メタルフレームMF、第1メタルプレートMP1、および第2メタルプレートMP2が再利用され、第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2が貼り直されてもよい。 The inspection jig ISJ from which the semiconductor chip CHP has been removed in the above step (S70) can be reused. For example, the entire inspection jig ISJ can be reused. Further, the metal frame MF, the first metal plate MP1, and the second metal plate MP2 may be reused, and the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 may be re-attached.
<作用効果>
検査冶具ISJは、メタルフレームMF、第1メタルプレートMP1、および搭載部PFCを備える。メタルフレームMFは、平面視において環状である。第1メタルプレートMP1は、メタルフレームMFに固定されており、かつ平面視においてメタルフレームMFの内側に配置されている内側部分を有する。搭載部PFCは、平面視において内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップCHPが搭載される第1面SF1と、第1メタルプレートMP1と粘着している第2面SF2とを有する。
<Effects>
The inspection jig ISJ includes a metal frame MF, a first metal plate MP1, and a mounting portion PFC. The metal frame MF is annular in plan view. The first metal plate MP1 is fixed to the metal frame MF, and has an inner portion arranged inside the metal frame MF in plan view. The mounting portion PFC is disposed so as to overlap a part of the inner portion in plan view, and includes a first surface SF1 on which the semiconductor chip CHP is mounted, and a second surface SF2 adhered to the first metal plate MP1. Having.
検査冶具ISJのメタルフレームMFはダイシング冶具DJのダイシングフレームDF2と同様の構成を備えることができるため、検査冶具ISJに搭載された半導体チップCHPはダイシング冶具DJに搭載された半導体チップCHPを検査対象とするプローブ装置によって検査され得る。 Since the metal frame MF of the inspection jig ISJ can have the same configuration as the dicing frame DF2 of the dicing jig DJ, the semiconductor chip CHP mounted on the inspection jig ISJ is the semiconductor chip CHP mounted on the dicing jig DJ. Can be inspected by a probe device.
また、第1メタルプレートMP1を構成する材料が金属材料を含むため、検査冶具ISJが室温に置かれているときの第1メタルプレートMP1の寸法値に対する検査冶具ISJが200℃に加熱された後の第1メタルプレートMP1の寸法値の変化率(変形率)は、ダイシングテープDTのそれよりも小さい。 Further, since the material forming the first metal plate MP1 includes a metal material, after the inspection jig ISJ is heated to 200 ° C. with respect to the dimension value of the first metal plate MP1 when the inspection jig ISJ is placed at room temperature. Of the first metal plate MP1 is smaller than that of the dicing tape DT.
さらに、搭載部PFCが平面視において第1メタルプレートMP1の上記内側部分の一部と重畳するように配置されているため、平面視における搭載部PFCの占有面積はダイシング冶具DJにおけるダイシングテープDTのそれと比べて小さい。そのため、搭載部PFCの上記変形率は、ダイシングテープDTのそれよりも小さい。さらに、搭載部PFCが平面視において第1メタルプレートMP1の上記内側部分の一部と重畳するように配置されているため、例えば搭載部PFCが第1メタルプレートMP1の上方に配置された状態では、第1メタルプレートMP1が搭載部PFCの変形を抑制される。 Furthermore, since the mounting portion PFC is arranged so as to overlap with a part of the inner portion of the first metal plate MP1 in plan view, the occupied area of the mounting portion PFC in plan view is the same as that of the dicing tape DT in the dicing jig DJ. Smaller than that. Therefore, the deformation ratio of the mounting portion PFC is smaller than that of the dicing tape DT. Further, since the mounting portion PFC is disposed so as to overlap with a part of the inner portion of the first metal plate MP1 in a plan view, for example, in a state where the mounting portion PFC is disposed above the first metal plate MP1. The first metal plate MP1 suppresses the deformation of the mounting portion PFC.
このように、検査冶具ISJはダイシング冶具DJと比べて高い耐熱性を有している。そのため、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても、検査冶具ISJは半導体チップCHPを検査可能な状態に保持することができる。そのため、検査冶具ISJが用いられる上記半導体チップの検査方法は、上記工程(S30)において高温環境下で半導体チップを検査することができるため、当該検査が出荷判定のために実施される場合、または当該検査が不良原因を解析するために実施される場合に、好適である。検査冶具ISJおよび上記検査方法は、例えば高温環境下での信頼性が求められる車載半導体装置用の半導体チップCHPの検査に好適である。 Thus, the inspection jig ISJ has higher heat resistance than the dicing jig DJ. Therefore, even in a high-temperature environment where the dicing jig cannot maintain the semiconductor chip in an inspectable state, the inspection jig ISJ can maintain the semiconductor chip CHP in an inspectable state. Therefore, the method of inspecting a semiconductor chip using the inspection jig ISJ can inspect the semiconductor chip in a high-temperature environment in the step (S30), so that the inspection is performed for shipping determination, or This is suitable when the inspection is performed to analyze the cause of the failure. The inspection jig ISJ and the above-described inspection method are suitable for, for example, inspection of a semiconductor chip CHP for a vehicle-mounted semiconductor device that requires reliability in a high-temperature environment.
検査冶具ISJにおいて、搭載部PFCは、第2メタルプレートMP2と、第2メタルプレートMP2に接続されておりかつ第2メタルプレートMP2を挟むように配置された第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2とを含む。第1粘着部DAM1は第1面SF1を有し、第2粘着部DAM2は第2面SF2を有している。 In the inspection jig ISJ, the mounting portion PFC includes a second metal plate MP2, a first adhesive portion DAM1 connected to the second metal plate MP2, and a second adhesive portion DAM1 and a second adhesive portion DMP1 arranged to sandwich the second metal plate MP2. DAM2. The first adhesive portion DAM1 has a first surface SF1, and the second adhesive portion DAM2 has a second surface SF2.
第1メタルプレートMP1に粘着され、かつ第2メタルプレートMP2を含む搭載部PFCの上記変形率は、ダイシングテープDTのそれよりも極めて小さくなる。そのため、上記検査冶具ISJはダイシング冶具DJと比べて極めて高い耐熱性を有している。 The deformation ratio of the mounting portion PFC adhered to the first metal plate MP1 and including the second metal plate MP2 is much smaller than that of the dicing tape DT. Therefore, the inspection jig ISJ has extremely high heat resistance as compared with the dicing jig DJ.
検査冶具ISJにおいて、第1粘着部DAM1は、第1面SF1と反対側に位置し第2メタルプレートMP2と粘着している第3面SF3をさらに有している。第2粘着部DAM2は、第2面SF2と反対側に位置し第2メタルプレートMP2と粘着している第4面SF4をさらに有している。第1面SF1の粘着力は第3面SF3の粘着力よりも小さく、第2面SF2の粘着力は第4面SF4の粘着力よりも小さい。 In the inspection jig ISJ, the first adhesive portion DAM1 further has a third surface SF3 which is located on the opposite side to the first surface SF1 and adheres to the second metal plate MP2. The second adhesive portion DAM2 further has a fourth surface SF4 located on the opposite side to the second surface SF2 and adhering to the second metal plate MP2. The adhesive force of the first surface SF1 is smaller than the adhesive force of the third surface SF3, and the adhesive force of the second surface SF2 is smaller than the adhesive force of the fourth surface SF4.
このようにすれば、第1粘着部DAM1、第2メタルプレートMP2および第2粘着部DAM2が粘着しており搭載部PFCが一体とされている状態を維持しながら、第1メタルプレートMP1から搭載部PFCを取り外すことができ、さらに搭載部PFCから半導体チップCHPを取り外すことができる。そのため、作業者は、検査冶具ISJから半導体チップCHPを比較的容易に取り外すことができる。 With this configuration, the first adhesive portion DAM1, the second metal plate MP2, and the second adhesive portion DAM2 are attached to each other, and the mounting portion PFC is mounted from the first metal plate MP1 while maintaining the integrated state. The portion PFC can be removed, and the semiconductor chip CHP can be removed from the mounting portion PFC. Therefore, the operator can relatively easily remove the semiconductor chip CHP from the inspection jig ISJ.
検査冶具ISJでは、第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2を構成する材料はシリコン系粘着剤を含む。このような第1粘着部DAM1および第2粘着部DAM2の上記第1粘着力に対する上記第2粘着力の比率は、ダイシングテープのそれと比べて十分に大きい。そのため、検査冶具ISJは、ダイシング冶具DJと比べて変形および粘着力の低下が抑制されており、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても、半導体チップCHPをより確実に保持することができる。 In the inspection jig ISJ, the material forming the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 includes a silicon-based adhesive. The ratio of the second adhesive force to the first adhesive force of the first adhesive portion DAM1 and the second adhesive portion DAM2 is sufficiently larger than that of the dicing tape. Therefore, the inspection jig ISJ suppresses the deformation and the decrease in the adhesive strength as compared with the dicing jig DJ, and the semiconductor chip CHP can be used even in a high-temperature environment where the dicing jig cannot hold the semiconductor chip in an inspectable state. Can be held more reliably.
また、検査冶具ISJの搭載部PFCの幅W1は、例えば検査冶具ISJに搭載される半導体チップCHPに個片化される前の上記半導体基板の外径と同等である。この場合、搭載部PFCの外周端がプローブ装置によっていわゆるエッジ検出され得る。そのため、検査冶具ISJに搭載された半導体チップCHPは、上記オンウエハ検査において実行されるシーケンスと同等のシーケンスによってプローブ装置によって検査され得る。この場合、検査冶具ISJに搭載された複数の半導体チップCHPのアライメントがプローブ装置によって調整された後に検査が実行されるため、検査不良の発生が抑制されている。 The width W1 of the mounting portion PFC of the inspection jig ISJ is, for example, equal to the outer diameter of the semiconductor substrate before being singulated into the semiconductor chips CHP mounted on the inspection jig ISJ. In this case, the so-called edge detection of the outer peripheral end of the mounting portion PFC can be performed by the probe device. Therefore, the semiconductor chip CHP mounted on the inspection jig ISJ can be inspected by the probe device in a sequence equivalent to the sequence executed in the on-wafer inspection. In this case, since the inspection is performed after the alignment of the plurality of semiconductor chips CHP mounted on the inspection jig ISJ by the probe device, the occurrence of inspection failure is suppressed.
また、上記検査方法の上記工程(S20)では、紫外線硬化型テープUVTが複数の半導体チップCHPを一括してダイシング冶具DJから検査冶具ISJに移すための粘着部材に利用されているが、これに限られるものではなく、その他の任意の方法により粘着力が低下する部材が当該粘着部材に用いられてもよい。例えば、加熱により粘着力が低下する熱硬化型テープが用いられてもよい。 Further, in the step (S20) of the inspection method, the ultraviolet curing tape UVT is used as an adhesive member for collectively transferring the plurality of semiconductor chips CHP from the dicing jig DJ to the inspection jig ISJ. The present invention is not limited to this, and a member whose adhesive strength is reduced by any other method may be used for the adhesive member. For example, a thermosetting tape whose adhesive strength is reduced by heating may be used.
(実施の形態2)
図14〜図19に示されるように、実施の形態2に係る検査冶具ISJ2は、実施の形態1に係る検査冶具ISJと基本的に同様の構成を備えるが、メタルフレームMFに対して搭載部PFCを位置決めする位置決め部材POJをさらに備える点で異なる。位置決め部材POJは、スペーサ部SPおよび複数(例えば2つ)の腕部AM1,AM2を含む。
(Embodiment 2)
As shown in FIGS. 14 to 19, the inspection jig ISJ2 according to the second embodiment has basically the same configuration as the inspection jig ISJ according to the first embodiment, but includes a mounting portion with respect to the metal frame MF. The difference is that a positioning member POJ for positioning the PFC is further provided. The positioning member POJ includes a spacer portion SP and a plurality (for example, two) of arm portions AM1 and AM2.
スペーサ部SPは、平面視においてメタルフレームMFと搭載部PFCとの間に配置されている。つまり、スペーサ部SPは、第1メタルプレートMP1の上記内側部分において搭載部PFCと重ならない領域上に配置されている。スペーサ部SPは、例えば平面視において搭載部PFCを囲むように環状に設けられている。スペーサ部SPの外径は、メタルフレームMFの内径未満である。スペーサ部SPの内径は、搭載部PFCの幅W1(図17参照)よりも大きい。 The spacer part SP is disposed between the metal frame MF and the mounting part PFC in plan view. That is, the spacer portion SP is disposed on a region that does not overlap with the mounting portion PFC in the inside portion of the first metal plate MP1. The spacer portion SP is provided annularly so as to surround the mounting portion PFC in a plan view, for example. The outer diameter of the spacer portion SP is smaller than the inner diameter of the metal frame MF. The inner diameter of the spacer part SP is larger than the width W1 of the mounting part PFC (see FIG. 17).
複数の腕部AM1,AM2は、スペーサ部SPに固定されている。複数の腕部AM1,AM2は、メタルフレームMFに嵌め合されている。 The plurality of arms AM1 and AM2 are fixed to the spacer SP. The plurality of arms AM1 and AM2 are fitted to the metal frame MF.
搭載部PFCの第2メタルプレートMP2は、少なくとも、平面視において第1粘着部DAM1または第2粘着部DAM2よりも外側に突出している第1凸部PRT1を有している。好ましくは、第2メタルプレートMP2は、第1凸部PRT1および第2凸部PRT2を有している。第2凸部PRT2は、平面視における搭載部PFCの周方向において第1凸部PRT1と間隔を隔てて配置されている。第1凸部PRT1の寸法は、例えば第2凸部PRT2の寸法と同等である。 The second metal plate MP2 of the mounting portion PFC has at least a first convex portion PRT1 that projects outside the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DAM2 in plan view. Preferably, the second metal plate MP2 has a first protrusion PRT1 and a second protrusion PRT2. The second convex portion PRT2 is arranged at a distance from the first convex portion PRT1 in the circumferential direction of the mounting portion PFC in plan view. The size of the first protrusion PRT1 is, for example, equal to the size of the second protrusion PRT2.
図17に示されるように、搭載部PFCの第1粘着部DAM1の幅W1は、第2メタルプレートMP2において第1凸部PRT1および第2凸部PRT2が設けられていない部分の幅に等しい。第2粘着部DAM2の幅W2は、搭載部PFCの第1粘着部DAM1の幅W1未満である。上記幅W1が300mmの場合、上記幅W1と上記幅W2との差分の半分の値W3は、例えば2mmである。第1粘着部DAM1に対する第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の各突出量、すなわち上記中心Oに対する径方向における第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の各幅は、上記幅W3超えである。 As shown in FIG. 17, the width W1 of the first adhesive portion DAM1 of the mounting portion PFC is equal to the width of the portion of the second metal plate MP2 where the first protrusion PRT1 and the second protrusion PRT2 are not provided. The width W2 of the second adhesive portion DAM2 is smaller than the width W1 of the first adhesive portion DAM1 of the mounting portion PFC. When the width W1 is 300 mm, a half value W3 of the difference between the width W1 and the width W2 is, for example, 2 mm. Each protrusion amount of the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 with respect to the first adhesive portion DAM1, that is, each width of the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 in the radial direction with respect to the center O exceeds the width W3. It is.
スペーサ部SPには、平面視において第1凸部PRT1を収容する第1凹部CCV1、および平面視において第2凸部PRT2を収容する第2凹部CCV2が設けられている。第1凹部CCV1の寸法は、例えば第2凹部CCV2の寸法と同等である。第1凹部CCV1および第2凹部CCV2の内周端の曲率は、スペーサ部SPにおいて第1凹部CCV1および第2凹部CCV2が設けられていない部分の内周端の曲率よりも大きい。図16および図18に示されるように、第1凹部CCV1および第2凹部CCV2は、例えば平面視におけるスペーサ部SPの中心Oを通り、かつ腕部AM1と腕部AM2との間の中点を通る仮想線に対して線対称の位置に設けられている。この場合、第1凸部PRT1が第1凹部CCV1に収容されかつ第2凸部PRT2が第2凹部CCV2に収容されている状態では、第1凸部PRT1および第2凸部PRT2は、例えば平面視におけるスペーサ部SPの中心Oを通り、かつ腕部AM1と腕部AM2との間の中点を通る仮想線に対して線対称の位置に設けられている。 The spacer portion SP is provided with a first concave portion CCV1 that accommodates the first convex portion PRT1 in plan view and a second concave portion CCV2 that accommodates the second convex portion PRT2 in plan view. The size of the first recess CCV1 is, for example, equal to the size of the second recess CCV2. The curvature of the inner peripheral ends of the first concave portion CCV1 and the second concave portion CCV2 is larger than the curvature of the inner peripheral end of a portion of the spacer portion SP where the first concave portion CCV1 and the second concave portion CCV2 are not provided. As shown in FIGS. 16 and 18, the first concave portion CCV1 and the second concave portion CCV2 pass, for example, through the center O of the spacer portion SP in plan view and at the midpoint between the arm portions AM1 and AM2. It is provided at a position symmetrical with respect to the passing virtual line. In this case, in a state where the first convex portion PRT1 is accommodated in the first concave portion CCV1 and the second convex portion PRT2 is accommodated in the second concave portion CCV2, the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 are, for example, flat surfaces. It is provided at a position symmetrical with respect to an imaginary line passing through the center O of the spacer part SP as viewed and passing through a midpoint between the arm part AM1 and the arm part AM2.
好ましくは、搭載部PFCの第2メタルプレートMP2は、例えば平面視において第1粘着部DAM1または第2粘着部DAM2よりも外側に突出している第3凸部PRT3をさらに有している。第3凸部PRT3、上記周方向において第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の各々と間隔を隔てて配置されている。第3凸部PRT3の寸法は、例えば第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の寸法と同等もしくは大きい。図16および図18に示されるように、第3凸部PRT3は、例えば上記中心Oを挟んで第2凸部PRT2と対向する位置に設けられている。 Preferably, the second metal plate MP2 of the mounting portion PFC further has, for example, a third convex portion PRT3 projecting outside of the first adhesive portion DAM1 or the second adhesive portion DAM2 in plan view. The third convex portion PRT3 is arranged at an interval from each of the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 in the circumferential direction. The dimensions of the third projection PRT3 are, for example, equal to or larger than the dimensions of the first projection PRT1 and the second projection PRT2. As shown in FIGS. 16 and 18, the third convex portion PRT3 is provided, for example, at a position facing the second convex portion PRT2 with the center O interposed therebetween.
スペーサ部SPには、平面視において第3凸部PRT3を収容する第3凹部CCV3が設けられている。第3凹部CCV3の寸法は、例えば第1凹部CCV1および第2凹部CCV2の寸法と同等もしくは大きい。図16および図18に示されるように、第3凹部CCV3は、例えば上記中心Oを挟んで第2凹部CCV2と対向する位置に設けられている。 The spacer portion SP is provided with a third concave portion CCV3 that accommodates the third convex portion PRT3 in plan view. The dimensions of the third recess CCV3 are, for example, equal to or larger than the dimensions of the first recess CCV1 and the second recess CCV2. As shown in FIGS. 16 and 18, the third concave portion CCV3 is provided at a position facing the second concave portion CCV2 with the center O interposed therebetween, for example.
図14に示されるように、搭載部PFCが位置決め部材POJによってメタルフレームMFに対して予め定められた位置に配置された基準状態において、搭載部PFCと位置決め部材POJとの間には、搭載部PFCの全周に渡って隙間が形成されている。すなわち、上記基準状態において、第1凸部PRT1と第1凹部CCV1との間、第2凸部PRT2と第2凹部CCV2との間、および第3凸部PRT3と第3凹部CCV3との間には、隙間が形成されている。第1粘着部DAM1に対する第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の各突出量、すなわち上記中心Oに対する径方向における第1凸部PRT1および第2凸部PRT2の各幅は、スペーサ部SPの内径と搭載部PFCの幅W1との差分の半分の値超えである。 As shown in FIG. 14, in the reference state where the mounting portion PFC is arranged at a predetermined position with respect to the metal frame MF by the positioning member POJ, the mounting portion PFC and the positioning member POJ are located between the mounting portion PFC and the positioning member POJ. A gap is formed over the entire circumference of the PFC. That is, in the reference state, between the first convex portion PRT1 and the first concave portion CCV1, between the second convex portion PRT2 and the second concave portion CCV2, and between the third convex portion PRT3 and the third concave portion CCV3. Has a gap formed. The amount of protrusion of each of the first protrusions PRT1 and the second protrusions PRT2 with respect to the first adhesive portion DAM1, that is, the width of each of the first protrusions PRT1 and the second protrusions PRT2 in the radial direction with respect to the center O is determined by the distance The value exceeds half the difference between the inner diameter and the width W1 of the mounting portion PFC.
好ましくは、第1凸部PRT1、第2凸部PRT2、および第3凸部PRT3は、中心Oを通り、かつ腕部AM1と腕部AM2との間の中点を通る上記仮想線上、ならびに上記仮想線に対して中心Oにおいて成す角度が45度、90度および135度である各仮想線上には、設けられていない。 Preferably, the first convex portion PRT1, the second convex portion PRT2, and the third convex portion PRT3 are on the virtual line passing through the center O and passing through a midpoint between the arm portion AM1 and the arm portion AM2, and It is not provided on each imaginary line having angles of 45 degrees, 90 degrees, and 135 degrees with respect to the imaginary line at the center O.
図19に示されるように、複数の腕部AM1,AM2の各々は、側面視においてスペーサ部SPよりも下方に突出している第4凸部PRT4を有している。メタルフレームMFには、側面視において第4凸部PRT4を収容する第4凹部CCV4が設けられている。各第4凸部PRT4は各第4凹部CCV4に嵌め合されている。これにより、位置決め部材POJは、上記周方向および上記周方向に対する径方向において、メタルフレームMFに対して位置決めされる。 As shown in FIG. 19, each of the plurality of arms AM1 and AM2 has a fourth protrusion PRT4 that protrudes below the spacer SP in a side view. The metal frame MF is provided with a fourth concave portion CCV4 that accommodates the fourth convex portion PRT4 in a side view. Each fourth convex part PRT4 is fitted into each fourth concave part CCV4. Thereby, the positioning member POJ is positioned with respect to the metal frame MF in the circumferential direction and in the radial direction with respect to the circumferential direction.
なお、位置決め部材POJは、少なくとも搭載部PFCが第1メタルプレートMP1に粘着されるときに、メタルフレームMFと嵌め合されていればよい。位置決め部材POJは、例えば上記検査する工程(S30)においてはメタルフレームMFから取り外されていてもよい。 The positioning member POJ only needs to be fitted with the metal frame MF when at least the mounting portion PFC is adhered to the first metal plate MP1. The positioning member POJ may be removed from the metal frame MF in, for example, the inspection step (S30).
好ましくは、検査冶具ISJ2に搭載される複数の半導体チップCHPは、まず移載機によってダイシング冶具DJから搭載部PFCに予め定められた配列を成すように移された後に、搭載部PFCが第1メタルプレートMP1に粘着される。好ましくは、図20に示されるように、移載機において搭載部PFCが保持されるステージSTには、位置決め部材POJと同等の構造を備える第2位置決め部材POJ2が固定されている。なお、移載機のステージSTは、位置決め部材POJが着脱するように設けられていてもよい。位置決め部材POJは、メタルフレームMFに嵌め合された状態と、移載機のステージSTに嵌め合された状態とを切替るように設けられていてもよい。 Preferably, the plurality of semiconductor chips CHP mounted on the inspection jig ISJ2 are first transferred from the dicing jig DJ to the mounting section PFC by a transfer machine so as to form a predetermined arrangement, and then the mounting section PFC is moved to the first position. It is adhered to the metal plate MP1. Preferably, as shown in FIG. 20, a second positioning member POJ2 having the same structure as the positioning member POJ is fixed to the stage ST in which the mounting portion PFC is held in the transfer machine. The stage ST of the transfer machine may be provided such that the positioning member POJ is detachable. The positioning member POJ may be provided so as to switch between a state of being fitted to the metal frame MF and a state of being fitted to the stage ST of the transfer machine.
<作用効果>
検査冶具ISJ2は、検査冶具ISJと基本的に同様の構成を備えているため、検査冶具ISJと同様の効果を奏することができる。
<Effects>
Since the inspection jig ISJ2 has basically the same configuration as the inspection jig ISJ, the same effect as the inspection jig ISJ can be obtained.
さらに、検査冶具ISJ2は、位置決め部材POJをさらに備えているため、搭載部PFCを第1メタルプレートMP1に粘着させるときに、搭載部PFCをメタルフレームMFに対して位置決めすることができる。そのため、例えば検査冶具ISJ2に搭載される半導体チップCHPを交換しながら上記半導体チップの検査方法が繰り返し実施される場合、検査ロット間での検査冶具ISJ2における搭載部PFCの位置のばらつきが抑制されている。そのため、検査冶具ISJ2を用いることにより、例えば複数の検査ロットを同一のシーケンスにより実行することができる。 Further, since the inspection jig ISJ2 further includes the positioning member POJ, when the mounting portion PFC is adhered to the first metal plate MP1, the mounting portion PFC can be positioned with respect to the metal frame MF. Therefore, for example, when the above-described semiconductor chip inspection method is repeatedly performed while replacing the semiconductor chip CHP mounted on the inspection jig ISJ2, variation in the position of the mounting portion PFC in the inspection jig ISJ2 between inspection lots is suppressed. I have. Therefore, by using the inspection jig ISJ2, for example, a plurality of inspection lots can be executed in the same sequence.
位置決め部材POJは、腕部AM1,AM2がメタルフレームMFに嵌め合されることにより、メタルフレームMFおよび第1メタルプレートMP1に対して容易に位置決めされる。さらに、スペーサ部SPの第1凹部CCV1および第2凹部CCV2が平面視において外側に凹んでおり、かつ第2メタルプレートMP2の第1凸部PRT1および第2凸部PRT2が平面視において外側に突出している。そのため、搭載部PFCを第1メタルプレートMP1に粘着させるときに、第1凸部PRT1および第2凸部PRT2は第1凹部CCV1および第2凹部CCV2に容易に収容される。そのため、検査冶具ISJ2では、位置決め部材POJによって、搭載部PFCがメタルフレームMFに対して容易に位置決めされる。また、第1凸部PRT1および第2凸部PRT2が設けられている位置決め部材POJによれば、第1凸部PRT1のみが設けられている位置決め部材POJと比べて、上記位置決めが容易に行われ、かつ上記位置決めの精度が高められている。 The positioning member POJ is easily positioned with respect to the metal frame MF and the first metal plate MP1 by fitting the arms AM1 and AM2 to the metal frame MF. Further, the first concave portion CCV1 and the second concave portion CCV2 of the spacer portion SP are concave outward in plan view, and the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 of the second metal plate MP2 project outward in plan view. ing. Therefore, when attaching the mounting portion PFC to the first metal plate MP1, the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2 are easily accommodated in the first concave portion CCV1 and the second concave portion CCV2. Therefore, in the inspection jig ISJ2, the mounting portion PFC is easily positioned with respect to the metal frame MF by the positioning member POJ. According to the positioning member POJ provided with the first convex portion PRT1 and the second convex portion PRT2, the above-described positioning is easily performed as compared with the positioning member POJ provided only with the first convex portion PRT1. In addition, the positioning accuracy is improved.
さらに、検査冶具ISJ2では、第3凸部PRT3が上記中心Oを挟んで第2凸部PRT2と対向する位置に設けられているため、作業者は、搭載部PFCを第1メタルプレートMP1から取り外すときに、第1凸部PRT1、第2凸部PRT2、および第3凸部PRT3の少なくともいずれかをつまんで搭載部PFCを第1メタルプレートMP1から容易に引きはがすことができる。 Further, in the inspection jig ISJ2, since the third convex portion PRT3 is provided at a position facing the second convex portion PRT2 across the center O, the operator removes the mounting portion PFC from the first metal plate MP1. At this time, the mounting portion PFC can be easily peeled off from the first metal plate MP1 by pinching at least one of the first protrusion PRT1, the second protrusion PRT2, and the third protrusion PRT3.
第1凸部PRT1、第2凸部PRT2、および第3凸部PRT3は、中心Oを通り、かつ腕部AM1と腕部AM2との間の中点を通る上記仮想線上、ならびに上記仮想線に対して中心Oにおいて成す角度が45度、90度および135度である各仮想線上には、設けられていない。一般的なプローブ装置は、ダイシング冶具に搭載された半導体基板において上記各仮想線と重なる外周端部に対してエッジ検出を行う。そのため、ダイシング冶具に搭載された半導体基板と同等のシーケンスによって上記検査する工程(S30)が実行される場合、第1凸部PRT1、第2凸部PRT2、および第3凸部PRT3が上記各仮想線上に設けられている場合、エッジが検出されず、検査が正常に実行されないことが懸念される。第1凸部PRT1、第2凸部PRT2、および第3凸部PRT3が上記各仮想線上に設けられていなければ、上記懸念を解消できる。 The first convex portion PRT1, the second convex portion PRT2, and the third convex portion PRT3 are on the imaginary line passing through the center O and passing through the midpoint between the arm portions AM1 and AM2, and on the imaginary line. On the other hand, it is not provided on each imaginary line having angles of 45 degrees, 90 degrees, and 135 degrees at the center O. A general probe device performs edge detection on an outer peripheral end portion of the semiconductor substrate mounted on a dicing jig, which overlaps with each of the virtual lines. Therefore, when the above-described inspection step (S30) is performed in a sequence equivalent to that of the semiconductor substrate mounted on the dicing jig, the first convex portion PRT1, the second convex portion PRT2, and the third convex portion PRT3 include If it is provided on the line, the edge is not detected, and there is a concern that the inspection may not be performed normally. If the first convex portion PRT1, the second convex portion PRT2, and the third convex portion PRT3 are not provided on each of the imaginary lines, the above concern can be solved.
(実施の形態3)
図21に示されるように、実施の形態3に係る検査冶具ISJ3は、実施の形態1に係る検査冶具ISJ1と基本的に同様の構成を備えるが、搭載部PFCが第3粘着部DAM3を含み、第3粘着部DAM3が第1面SF1および第2面SF2を有している点で異なる。第3粘着部DAM3を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む。第3粘着部DAM3は、例えばTaconic社製TacsilF20である。
(Embodiment 3)
As shown in FIG. 21, the inspection jig ISJ3 according to the third embodiment has basically the same configuration as the inspection jig ISJ1 according to the first embodiment, but the mounting part PFC includes the third adhesive part DAM3. , The third adhesive portion DAM3 has a first surface SF1 and a second surface SF2. The material forming the third adhesive portion DAM3 includes a silicon-based adhesive. The third adhesive portion DAM3 is, for example, Tacsil F20 manufactured by Taconic.
好ましくは、検査冶具ISJ3の第1面SF1の粘着力は、検査冶具ISJの第1面SF1の粘着力よりも小さい。 Preferably, the adhesive force of first surface SF1 of inspection jig ISJ3 is smaller than the adhesive force of first surface SF1 of inspection jig ISJ.
検査冶具ISJ3は、検査冶具ISJと基本的に同様の構成を備えるため、検査冶具ISJと同様の効果を奏することができる。 Since the inspection jig ISJ3 has basically the same configuration as the inspection jig ISJ, the same effect as the inspection jig ISJ can be obtained.
実施の形態1〜3に係る検査冶具ISJ,ISJ2,ISJ3は、半導体チップCHP以外にも、図22に示されるような複数片に割れた半導体基板SUB、または図23に示されるような複数片に割れた半導体基板のうちの一部の小片SPSを搭載することができる。このようにすれば、検査冶具ISJ,ISJ2,ISJ3が搭載している半導体基板SUBまたは小片SPS上に形成されている複数の半導体素子は、プローブ装置を用いて上記高温環境下にて検査され得る。 The inspection jigs ISJ, ISJ2, and ISJ3 according to the first to third embodiments are not limited to the semiconductor chip CHP, but may be a semiconductor substrate SUB split into a plurality of pieces as shown in FIG. 22 or a plurality of pieces as shown in FIG. Some small pieces SPS of the broken semiconductor substrate can be mounted. With this configuration, a plurality of semiconductor elements formed on the semiconductor substrate SUB or the small piece SPS on which the inspection jigs ISJ, ISJ2, and ISJ3 are mounted can be inspected in the high-temperature environment using the probe device. .
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As described above, the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
ISJ,ISJ1,ISJ2,ISJ3 検査冶具、MF メタルフレーム、MP1 第1メタルプレート、PFC 搭載部、MP2 第2メタルプレート、DAM1 第1粘着部、DAM2 第2粘着部、DAM3 第3粘着部、SF1 第1面、SF2 第2面、SF3 第3面、SF4 第4面、POJ 位置決め部材、SP スペーサ部、AM1 腕部、CCV1 第1凹部、CCV2 第2凹部、CCV3 第3凹部、CCV4 第4凹部、PRT1 第1凸部、PRT2 第2凸部、PRT3 第3凸部、PRT4 第4凸部、SP2 第2スペーサ部、CHP 半導体チップ、SF5 第5面、SF6 第6面、DF2 ダイシングフレーム、DJ ダイシング冶具、DT ダイシングテープ、UVS 光源、UVT 紫外線硬化型テープ。 ISJ, ISJ1, ISJ2, ISJ3 Inspection jig, MF metal frame, MP1 first metal plate, PFC mounting part, MP2 second metal plate, DAM1 first adhesive part, DAM2 second adhesive part, DAM3 third adhesive part, SF1 No. 1 surface, 2nd surface of SF2, 3rd surface of SF3, 4th surface of SF4, POJ positioning member, SP spacer, AM1 arm, CCV1 1st recess, CCV2 2nd recess, CCV3 3rd recess, CCV4 4th recess, PRT1 first convex portion, PRT2 second convex portion, PRT3 third convex portion, PRT4 fourth convex portion, SP2 second spacer portion, CHP semiconductor chip, SF5 fifth surface, SF6 sixth surface, DF2 dicing frame, DJ dicing Jig, DT dicing tape, UVS light source, UVT UV curing tape.
Claims (12)
平面視において環状のメタルフレームと、
前記メタルフレームに固定されており、かつ平面視において前記メタルフレームの内側に配置されている内側部分を有する第1メタルプレートと、
平面視において前記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップが搭載される第1面と、前記第1メタルプレートと粘着している第2面とを有する搭載部とを備える、検査冶具。 An inspection jig for mounting a semiconductor chip for inspection,
An annular metal frame in plan view;
A first metal plate fixed to the metal frame and having an inner portion disposed inside the metal frame in plan view;
A first portion on which a semiconductor chip is mounted, which is disposed so as to overlap with a part of the inner portion in a plan view, and a mounting portion having a second surface adhered to the first metal plate; , Inspection jig.
前記第1粘着部は、前記第1面を有し、
前記第2粘着部は、前記第2面を有している、請求項1に記載の検査冶具。 The mounting unit includes a second metal plate, a first adhesive unit and a second adhesive unit connected to the second metal plate and arranged to sandwich the second metal plate,
The first adhesive portion has the first surface,
The inspection jig according to claim 1, wherein the second adhesive portion has the second surface.
前記第2粘着部は、前記第2面と反対側に位置し前記第2メタルプレートと粘着している第4面をさらに有し、
前記第1面の粘着力は前記第3面の粘着力よりも小さく、
前記第2面の粘着力は前記第4面の粘着力よりも小さい、請求項2に記載の検査冶具。 The first adhesive portion further includes a third surface located on the opposite side to the first surface and adhered to the second metal plate,
The second adhesive portion further includes a fourth surface located on the opposite side to the second surface and adhered to the second metal plate,
The adhesive force of the first surface is smaller than the adhesive force of the third surface,
The inspection jig according to claim 2, wherein the adhesive force of the second surface is smaller than the adhesive force of the fourth surface.
平面視において前記メタルフレームと前記搭載部との間に配置されているスペーサ部と、
前記スペーサ部に固定されており、かつ前記メタルフレームと嵌め合されている腕部とを含み、
前記第2メタルプレートは、平面視において前記第1粘着部または前記第2粘着部よりも外側に突出している第1凸部を有し、
前記スペーサ部には、平面視において前記第1凸部を収容する第1凹部が設けられている、請求項5に記載の検査冶具。 The positioning member,
A spacer portion disposed between the metal frame and the mounting portion in a plan view,
An arm fixed to the spacer portion and fitted with the metal frame;
The second metal plate has a first protrusion protruding outward from the first adhesive portion or the second adhesive portion in a plan view,
The inspection jig according to claim 5, wherein the spacer portion is provided with a first concave portion that accommodates the first convex portion in a plan view.
前記スペーサ部には、平面視において前記第2凸部を収容する第2凹部がさらに設けられている、請求項6に記載の検査冶具。 The second metal plate protrudes outward from the first adhesive portion or the second adhesive portion in plan view, and is spaced apart from the first convex portion in a circumferential direction of the mounting portion in plan view. Further comprising a second convex portion disposed;
The inspection jig according to claim 6, wherein the spacer portion further includes a second concave portion that accommodates the second convex portion in a plan view.
前記第3粘着部は、前記第1面および前記第2面を有している、請求項1に記載の検査冶具。 The mounting unit includes a third adhesive unit,
The inspection jig according to claim 1, wherein the third adhesive portion has the first surface and the second surface.
前記半導体チップを搭載するように設けられており、検査に供する検査冶具を準備する工程と、
前記半導体チップを前記ダイシング冶具から前記検査冶具に移す工程と、
前記検査冶具に搭載された前記半導体チップを検査する工程とを備え、
前記検査冶具は、平面視において環状のメタルフレームと、
前記メタルフレームに固定されており、かつ平面視において前記メタルフレームの内側に配置されている内側部分を有する第1メタルプレートと、
平面視において前記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ前記半導体チップが搭載される第1面と、前記第1メタルプレートと粘着している第2面とを有する搭載部とを備える、半導体チップの検査方法。 A step of preparing a semiconductor chip mounted on a dicing jig;
A step of preparing an inspection jig which is provided so as to mount the semiconductor chip and is provided for inspection;
Transferring the semiconductor chip from the dicing jig to the inspection jig,
Inspecting the semiconductor chip mounted on the inspection jig,
The inspection jig has an annular metal frame in plan view,
A first metal plate fixed to the metal frame and having an inner portion disposed inside the metal frame in plan view;
A mounting portion having a first surface on which the semiconductor chip is mounted and arranged so as to overlap with a part of the inner portion in a plan view, and a second surface adhered to the first metal plate; An inspection method for a semiconductor chip.
前記半導体チップにおいて前記ダイシング冶具に粘着されている第5面とは反対側に位置する第6面に粘着部材を粘着する工程と、
前記粘着部材に粘着された前記半導体チップと前記ダイシング冶具とを分離する工程と、
前記半導体チップの前記第5面に検査冶具を固定する工程と、
前記粘着部材の粘着力を低下させる工程と、
前記検査冶具に固定された前記半導体チップと前記粘着部材とを分離する工程とを含む、請求項10に記載の半導体チップの検査方法。 The transferring step includes:
A step of adhering an adhesive member to a sixth surface of the semiconductor chip opposite to the fifth surface adhered to the dicing jig,
Separating the semiconductor chip and the dicing jig adhered to the adhesive member,
Fixing an inspection jig to the fifth surface of the semiconductor chip;
A step of reducing the adhesive strength of the adhesive member,
The method for inspecting a semiconductor chip according to claim 10, further comprising a step of separating the semiconductor chip fixed to the inspection jig and the adhesive member.
前記半導体チップを請求項10または11に記載の半導体チップの検査方法によって検査する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 Dicing a semiconductor substrate mounted on the dicing jig to form the semiconductor chip,
A step of inspecting the semiconductor chip by the method of inspecting a semiconductor chip according to claim 10.
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