JP2020001146A - Cutting blade, cutting blade manufacturing method and work-piece processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被加工物を切削するための切削ブレード、該切削ブレードの製造方法、及び該切削ブレードを用いた被加工物の加工方法に関する。 The present invention relates to a cutting blade for cutting a workpiece, a method for manufacturing the cutting blade, and a method for processing a workpiece using the cutting blade.
半導体デバイスチップの製造工程においては、分割予定ライン（ストリート）によって区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを備える半導体ウェーハが用いられる。この半導体ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数の半導体デバイスチップが得られる。同様に、ＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハを分割することにより、光デバイスチップが製造される。 In a manufacturing process of a semiconductor device chip, a semiconductor wafer having devices such as an IC and an LSI in a region partitioned by a line to be divided (street) is used. By dividing this semiconductor wafer along the dividing line, a plurality of semiconductor device chips each having a device can be obtained. Similarly, an optical device chip is manufactured by dividing an optical device wafer on which optical devices such as LEDs are formed.
上記の半導体ウェーハや光デバイスウェーハなどに代表される被加工物の分割には、切削装置が用いられる。切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、先端部に被加工物を切削するための切削ブレードが装着されるスピンドルとを備えている。この切削ブレードは、ダイヤモンド等でなる砥粒を金属等でなるボンド材で結合することによって形成される（例えば、特許文献１、２参照）。 A cutting device is used to divide a workpiece represented by the above-described semiconductor wafer or optical device wafer. The cutting device includes a chuck table for holding a workpiece, and a spindle on a tip of which a cutting blade for cutting the workpiece is mounted. This cutting blade is formed by bonding abrasive grains made of diamond or the like with a bonding material made of metal or the like (for example, see Patent Documents 1 and 2).
スピンドルの先端部に切削ブレードを装着してスピンドルを回転させると、切削ブレードはスピンドルの軸心を回転軸として回転する。この状態で切削ブレードを被加工物に切り込ませると、切削ブレードのボンド材から露出した砥粒が被加工物と接触して被加工物が切削される。そして、全ての分割予定ラインに沿って被加工物を切削することにより、被加工物が複数のチップに分割される。 When the cutting blade is mounted on the tip of the spindle and the spindle is rotated, the cutting blade rotates about the axis of the spindle as a rotation axis. When the cutting blade is cut into the workpiece in this state, the abrasive grains exposed from the bonding material of the cutting blade come into contact with the workpiece, and the workpiece is cut. Then, the workpiece is cut along a plurality of planned dividing lines to divide the workpiece into a plurality of chips.
切削ブレードによる切削を続けると、切削によって生じた加工屑（切削屑）がボンド材と砥粒との隙間に蓄積し、砥粒の一部が埋没することがある（目詰まり）。この目詰まりが生じると、加工負荷が増大して被加工物に加工不良が生じやすくなる。そのため、切削加工時には、切削ブレードをドレッサーボードに切り込ませて切削ブレードのドレッシングを行うことにより、砥粒を露出させる作業（目立て）が実施される。 If the cutting by the cutting blade is continued, processing chips (cutting chips) generated by the cutting accumulate in a gap between the bond material and the abrasive grains, and a part of the abrasive grains may be buried (clogging). When this clogging occurs, the processing load increases, and processing defects easily occur in the workpiece. Therefore, at the time of cutting, the work (sharpening) of exposing abrasive grains is performed by cutting the cutting blade into a dresser board and dressing the cutting blade.
また、ドレッサーボードを用いる代わりに、切削ブレードにレーザービームを照射してドレッシングを行う手法も提案されている。特許文献３には、切削ブレードで被加工物を切削しながら、切削ブレードにレーザービームを照射してドレッシングを行う切削装置が開示されている。 In addition, instead of using a dresser board, a method of performing dressing by irradiating a cutting blade with a laser beam has been proposed. Patent Literature 3 discloses a cutting device that performs dressing by irradiating a laser beam to a cutting blade while cutting a workpiece with the cutting blade.
前述のドレッサーボードを用いたドレッシングでは、ドレッシングを行うために切削ブレードによる被加工物の切削を中断する必要がある上、ドレッシング作業に時間がかかる。そのため、ドレッシングの実施による加工効率の低下が問題となる。 In the dressing using the above-described dresser board, it is necessary to interrupt the cutting of the workpiece by the cutting blade in order to perform dressing, and the dressing operation takes time. Therefore, there is a problem that the processing efficiency is reduced by performing the dressing.
一方、前述のレーザービームを用いたドレッシングでは、被加工物の切削中にドレッシングを実施できるため、加工効率の低下を回避できる。しかしながら、レーザービームの照射によるアブレーションによって砥粒がボンド材から脱落してしまい、切削ブレードの目立てが適切に行われない場合がある。このような切削ブレードを用いて被加工物を切削すると、被加工物に加工不良が発生しやすい。 On the other hand, in the above-mentioned dressing using a laser beam, since dressing can be performed during cutting of a workpiece, a reduction in processing efficiency can be avoided. However, abrasive grains may fall off from the bond material due to ablation by laser beam irradiation, and the cutting blade may not be properly dressed. When a workpiece is cut using such a cutting blade, processing defects are likely to occur in the workpiece.
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、加工効率を低下させることなく加工不良の発生を抑制することが可能な切削ブレード、該切削ブレードの製造方法、及び該切削ブレードを用いた被加工物の加工方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and a cutting blade capable of suppressing the occurrence of processing defects without lowering the processing efficiency, a method of manufacturing the cutting blade, and a coating method using the cutting blade. It is an object to provide a method of processing a workpiece.
本発明の一態様によれば、砥粒と、該砥粒を結合するボンド材と、を含む切れ刃部を有する切削ブレードであって、該ボンド材の表面には、幅が該砥粒の粒径以下である突起部によって構成される凹凸構造が形成されている切削ブレードが提供される。なお、本発明の一態様において、該砥粒の粒径は、２００μｍ以下であってもよい。 According to one embodiment of the present invention, there is provided a cutting blade having a cutting edge portion including abrasive grains and a bonding material that binds the abrasive grains, and the surface of the bonding material has a width of the abrasive grains. A cutting blade provided with an uneven structure formed by protrusions having a particle diameter or less is provided. In one embodiment of the present invention, the particle size of the abrasive grains may be 200 μm or less.
また、本発明の一態様によれば、砥粒と、該砥粒を結合するボンド材と、を含む切れ刃部を有する切削ブレードの製造方法であって、レーザービームを該切れ刃部に照射することにより、該ボンド材の表面に、幅が該砥粒の粒径以下である突起部によって構成される凹凸構造を形成する切削ブレードの製造方法が提供される。なお、本発明の一態様において、該レーザービームのパルス幅は１０ｐｓ以下であり、該突起部の幅は、該レーザービームの波長未満であってもよい。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a cutting blade having a cutting edge portion including abrasive grains and a bonding material for bonding the abrasive grains, wherein the cutting edge portion is irradiated with a laser beam. By doing so, there is provided a method of manufacturing a cutting blade for forming a concave-convex structure formed on the surface of the bond material by a protrusion having a width equal to or smaller than the particle size of the abrasive grains. Note that in one embodiment of the present invention, the pulse width of the laser beam may be 10 ps or less, and the width of the protrusion may be smaller than the wavelength of the laser beam.
また、本発明の一態様によれば、上記の切削ブレードを用いた被加工物の加工方法であって、該切削ブレードを被加工物に切り込ませることにより、該被加工物を切削予定ラインに沿って切削する被加工物の加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method of processing a workpiece using the above cutting blade, wherein the cutting blade is cut into the workpiece to cut the workpiece into a line to be cut. And a method for machining a workpiece to be cut along the axis.
本発明の一態様に係る切削ブレードのボンド材の表面には、砥粒の粒径以下のサイズの凹凸構造が形成されている。ボンド材の表面に凹凸構造が形成されていると、ボンド材と切削によって生じた異物（切削屑）との接触面積が減少して切削屑がボンド材に付着しにくくなり、目詰まりの発生が抑制される。これにより、切削ブレードのドレッシングを頻繁に実施せずとも砥粒が露出した状態を維持することができ、加工効率の低下を抑えつつ加工不良の発生を抑制できる。 The surface of the bond material of the cutting blade according to one embodiment of the present invention has a concavo-convex structure having a size equal to or less than the grain size of abrasive grains. If an uneven structure is formed on the surface of the bond material, the contact area between the bond material and foreign matter (cut chips) generated by cutting is reduced, and the cut chips are less likely to adhere to the bond material, thereby causing clogging. Be suppressed. Thus, the state in which the abrasive grains are exposed can be maintained without frequently performing dressing of the cutting blade, and the occurrence of processing defects can be suppressed while suppressing a decrease in processing efficiency.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る切削ブレードについて説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に切削ブレードの構成例を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. First, the cutting blade according to the present embodiment will be described. FIG. 1A and FIG. 1B show a configuration example of the cutting blade.
図１（Ａ）は、基台３及び切れ刃部５を備える切削ブレード１を示す斜視図である。切削ブレード１は、中央部に開口３ａを有する円環状の基台３と、基台３の外縁部に形成された環状の切れ刃部５とによって構成される。切れ刃部５は、ダイヤモンド等でなる砥粒をボンド材で結合することにより形成される。ボンド材としては、例えばメタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンドなどが用いられる。基台３の外縁部に切れ刃部５が形成された切削ブレード１は、ハブタイプ（ハブブレード）と呼ばれる。 FIG. 1A is a perspective view showing a cutting blade 1 including a base 3 and a cutting edge portion 5. The cutting blade 1 includes an annular base 3 having an opening 3a in the center, and an annular cutting edge 5 formed on the outer edge of the base 3. The cutting edge portion 5 is formed by bonding abrasive grains made of diamond or the like with a bonding material. As the bonding material, for example, a metal bond, a resin bond, a vitrified bond, or the like is used. The cutting blade 1 in which the cutting edge 5 is formed on the outer edge of the base 3 is called a hub type (hub blade).
また、基台３は幅方向に突出した円環状の把持部３ｂを有する。切削装置を用いて被加工物を加工する際、切削装置の使用者（オペレータ）は把持部３ｂを持って切削ブレード１を切削装置に装着することができる。 Further, the base 3 has an annular grip 3b protruding in the width direction. When processing a workpiece using the cutting device, a user (operator) of the cutting device can mount the cutting blade 1 on the cutting device by holding the grip portion 3b.
図１（Ｂ）は、切れ刃部９からなる切削ブレード７を示す斜視図である。切削ブレード７は、中央部に開口９ａを有する円環状の切れ刃部９によって構成されている。なお、切れ刃部９の材料は、図１（Ａ）に示す切削ブレード１の切れ刃部５と同様である。円環状の切れ刃部９によって構成された切削ブレード７は、ワッシャータイプ（ワッシャーブレード）と呼ばれる。 FIG. 1B is a perspective view showing the cutting blade 7 including the cutting edge portion 9. The cutting blade 7 is constituted by an annular cutting edge 9 having an opening 9a in the center. The material of the cutting edge portion 9 is the same as that of the cutting edge portion 5 of the cutting blade 1 shown in FIG. The cutting blade 7 constituted by the annular cutting edge portion 9 is called a washer type (washer blade).
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるような切削ブレードは、切削装置に備えられたスピンドルの先端部に装着され、スピンドルによって回転可能な態様で支持される。切削ブレードがスピンドルに装着された状態でスピンドルを回転させると、切削ブレードはスピンドルの軸心を回転軸として回転する。そして、回転する切削ブレードを被加工物に切り込ませることにより、被加工物が切削される。 A cutting blade as shown in FIGS. 1A and 1B is mounted on a tip of a spindle provided in a cutting device, and is supported by the spindle in a rotatable manner. When the spindle is rotated while the cutting blade is mounted on the spindle, the cutting blade rotates around the axis of the spindle as a rotation axis. Then, the workpiece is cut by cutting the rotating cutting blade into the workpiece.
被加工物の切削は、切削ブレードが備える切れ刃部のボンド材から露出した砥粒が被加工物に接触することによって行われる。ただし、切削ブレードによる切削を続けると、切削によって生じた異物（切削屑）が切削ブレードの先端部に付着し、砥粒の一部又は全体が埋没することがある（目詰まり）。この目詰まりが生じると、加工負荷が増大して被加工物に加工不良が生じやすくなる。 Cutting of the workpiece is performed by the abrasive grains exposed from the bond material of the cutting edge portion of the cutting blade contacting the workpiece. However, if cutting by the cutting blade is continued, foreign matter (cutting chips) generated by the cutting may adhere to the tip of the cutting blade, and part or all of the abrasive grains may be buried (clogging). When this clogging occurs, the processing load increases, and processing defects easily occur in the workpiece.
目詰まりは、切削ブレードをドレッサーボードに切り込ませるドレッシングを実施して砥粒を露出させる（目立て）ことにより解消できる。しかしながら、ドレッサーボードを用いてドレッシングを行うためには、切削ブレードによる被加工物の切削を中断する必要がある上、ドレッシング作業に時間がかかるため、加工効率の低下が問題となる。 The clogging can be eliminated by performing dressing for cutting the cutting blade into the dresser board to expose (grind) the abrasive grains. However, in order to perform dressing using a dresser board, it is necessary to interrupt the cutting of the workpiece by the cutting blade, and the dressing operation takes a long time.
一方、被加工物を加工しながら切削ブレードにレーザービームを照射することによってドレッシングを行う方法も提案されている。しかしながら、切削加工中の切削ブレードにレーザービームを照射すると、アブレーションによって砥粒がボンド材から脱落してしまい、目立てが適切に実施されない場合がある。このような切削ブレードを用いて被加工物を切削すると、被加工物に加工不良が発生しやすい。 On the other hand, a method of performing dressing by irradiating a cutting blade with a laser beam while processing a workpiece has been proposed. However, when a laser beam is applied to the cutting blade during cutting, abrasive grains may fall off from the bond material due to ablation, and dressing may not be performed properly. When a workpiece is cut using such a cutting blade, processing defects are likely to occur in the workpiece.
本実施形態においては、ボンド材に砥粒の粒径以下のサイズの凹凸構造が形成された切削ブレードを用いて被加工物を加工する。ボンド材の表面に凹凸構造が形成されていると、ボンド材と切削屑との接触面積が減少して切削屑がボンド材に付着しにくくなり、目詰まりの発生が抑制される。これにより、切削ブレードのドレッシングを頻繁に実施せずとも砥粒が露出した状態を維持することができ、加工効率の低下を抑えつつ加工不良の発生を抑制できる。 In the present embodiment, the workpiece is processed using a cutting blade in which a concavo-convex structure having a size equal to or smaller than the grain size of the abrasive grains is formed in the bond material. When the uneven structure is formed on the surface of the bond material, the contact area between the bond material and the cutting chips is reduced, so that the cutting chips are less likely to adhere to the bond material, and the occurrence of clogging is suppressed. Thus, the state in which the abrasive grains are exposed can be maintained without frequently performing dressing of the cutting blade, and the occurrence of processing defects can be suppressed while suppressing a decrease in processing efficiency.
上記の凹凸構造は、レーザービームを用いた微細加工によって形成できる。具体的には、パルス幅が極めて短い（例えば１０ｐｓ以下）超短パルスレーザービームを固体材料に照射すると、固体材料の表面にレーザービームの波長と同程度のサイズの凹凸構造（リップル構造）が形成される。このリップル構造は、レーザービームの入射光と、固体材料の表面で生じる表面プラズマ波との干渉によって形成されると考えられる。 The above uneven structure can be formed by fine processing using a laser beam. Specifically, when a solid material is irradiated with an ultrashort pulse laser beam having an extremely short pulse width (for example, 10 ps or less), a concavo-convex structure (ripple structure) having a size similar to the wavelength of the laser beam is formed on the surface of the solid material. Is done. This ripple structure is considered to be formed by interference between incident light of a laser beam and a surface plasma wave generated on the surface of the solid material.
さらに、超短パルスレーザービームを低フルエンス（例えば、アブレーション閾値の１０倍以下、好ましくは５倍以下）で固体材料に照射すると、固体材料の表面にはレーザービームの波長未満のサイズの凹凸構造が形成される。なお、アブレーション閾値は、レーザービームの照射によって固体材料がアブレーション加工されるために必要な最小のレーザービームのエネルギーであり、その値は主に固体材料の融点等に依存する。 Furthermore, when an ultra-short pulse laser beam is applied to a solid material at a low fluence (for example, 10 times or less, preferably 5 times or less of the ablation threshold), an uneven structure having a size smaller than the wavelength of the laser beam is formed on the surface of the solid material. It is formed. Note that the ablation threshold is the minimum laser beam energy required for ablation of a solid material by laser beam irradiation, and its value mainly depends on the melting point of the solid material.
そこで、本実施形態においては、切削ブレードの切れ刃部に極短パルスレーザービームを照射することによってボンド材を加工する。これにより、ボンド材の表面に砥粒の粒径以下のサイズの微細な凹凸構造を形成できる。 Therefore, in the present embodiment, the bonding material is processed by irradiating the cutting edge portion of the cutting blade with an extremely short pulse laser beam. Thereby, a fine uneven structure having a size equal to or less than the particle size of the abrasive grains can be formed on the surface of the bond material.
なお、極短パルスレーザービームの照射によって形成される凹凸構造の形状は、レーザービームの偏光方向に依存する。そのため、レーザービームの偏光方向を制御することにより、ボンド材に様々な形状の凹凸構造を形成できる。例えば、直線偏光のレーザービームを照射すると、ボンド材には偏光方向と垂直な方向に沿って線状の突起部が形成される。また、円偏光又は楕円偏光のレーザービームを照射すると、ボンド材には粒状の突起部が形成される。 Note that the shape of the concavo-convex structure formed by irradiation with the ultrashort pulse laser beam depends on the polarization direction of the laser beam. Therefore, by controlling the polarization direction of the laser beam, uneven structures having various shapes can be formed on the bond material. For example, when a linearly polarized laser beam is irradiated, a linear projection is formed on the bond material along a direction perpendicular to the polarization direction. When a circularly or elliptically polarized laser beam is irradiated, a granular projection is formed on the bonding material.
図２（Ａ）は、ボンド材の表面に凹凸構造が形成された切れ刃部５の一例を示す拡大図である。図２（Ａ）に示す切れ刃部５は、ボンド材１１によって砥粒１３を結合して構成されている。なお、ボンド材１１にはメタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンドなどが用いられる。また、砥粒１３には粒径が２００μｍ以下のダイヤモンドなどが用いられる。 FIG. 2A is an enlarged view showing an example of the cutting edge portion 5 in which an uneven structure is formed on the surface of a bonding material. The cutting edge portion 5 shown in FIG. 2A is configured by bonding abrasive grains 13 with a bonding material 11. Note that a metal bond, a resin bond, a vitrified bond, or the like is used as the bond material 11. In addition, diamond having a particle size of 200 μm or less is used as the abrasive 13.
例えば、切れ刃部５に直線偏光の極短パルスレーザービームを照射すると、ボンド材１１の表面から突出する複数の線状の突起部１１ａが、レーザービームの偏光方向（矢印Ａで示す方向）と垂直な方向に沿って所定の周期で形成される。このとき、レーザービームを低フルエンス（例えば、アブレーション閾値の１０倍以下、好ましくは５倍以下）で照射すると、ボンド材１１の表面には幅がレーザービームの波長以下である複数の突起部１１ａによって構成される凹凸構造が形成される。 For example, when the cutting edge portion 5 is irradiated with a linearly polarized ultrashort pulse laser beam, a plurality of linear projections 11a protruding from the surface of the bonding material 11 have a polarization direction (direction indicated by an arrow A) of the laser beam. It is formed at a predetermined period along a vertical direction. At this time, when the laser beam is irradiated at a low fluence (for example, 10 times or less, preferably 5 times or less of the ablation threshold), the surface of the bonding material 11 is formed by a plurality of protrusions 11a having a width equal to or less than the wavelength of the laser beam. The formed concavo-convex structure is formed.
レーザービームの波長は、突起部１１ａの幅が砥粒１３の粒径以下となるように適宜選択される。例えば、砥粒１３の粒径が１μｍ以上である場合、波長が１μｍ以下程度のレーザービームを低フルエンスで照射することにより、ボンド材１１の表面に幅が１μｍ未満の突起部１１ａを形成できる。 The wavelength of the laser beam is appropriately selected such that the width of the protrusion 11a is equal to or smaller than the particle diameter of the abrasive grains 13. For example, when the grain size of the abrasive grains 13 is 1 μm or more, a projection 11 a having a width of less than 1 μm can be formed on the surface of the bonding material 11 by irradiating a laser beam having a wavelength of about 1 μm or less at a low fluence.
図２（Ｂ）は、ボンド材１１の表面に凹凸構造が形成された切れ刃部５の一例のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）像である。図２（Ｂ）に示すように、ボンド材１１の表面には、幅が砥粒１３の粒径以下である複数の突起部１１ａによって構成される微細な凹凸構造が形成されている。この凹凸構造により、切削屑がボンド材１１に付着しにくくなり、砥粒１３の目詰まりが抑制される。 FIG. 2B is an SEM (Scanning Electron Microscope) image of an example of the cutting edge portion 5 in which an uneven structure is formed on the surface of the bonding material 11. As shown in FIG. 2B, on the surface of the bonding material 11, a fine uneven structure formed by a plurality of protrusions 11a having a width equal to or smaller than the particle diameter of the abrasive grains 13 is formed. This uneven structure makes it difficult for cutting chips to adhere to the bonding material 11 and suppresses clogging of the abrasive grains 13.
なお、上記では直線偏光のレーザービームの照射によって線状の突起部１１ａが形成される場合について説明したが、円偏光又は楕円偏光のレーザービームを用いることにより、幅がレーザービームの波長よりも小さい粒状の突起部を形成してもよい。また、上記では図１（Ａ）に示す切れ刃部５に凹凸構造が形成された場合について説明したが、図１（Ｂ）に示す切れ刃部９にも同様に凹凸構造を形成できる。 Although the case where the linear protrusions 11a are formed by the irradiation of the linearly polarized laser beam has been described above, the width is smaller than the wavelength of the laser beam by using the circularly or elliptically polarized laser beam. Granular projections may be formed. Although the case where the uneven structure is formed on the cutting edge portion 5 shown in FIG. 1A has been described above, the uneven structure can be similarly formed on the cutting edge portion 9 shown in FIG. 1B.
次に、凹凸構造を有する切削ブレードの製造に用いられるレーザー照射装置の構成例について説明する。図３は、レーザー照射装置２を示す一部断面正面図である。レーザー照射装置２は、切れ刃部を有する切削ブレードを支持する支持テーブル４と、支持テーブル４によって支持された切削ブレードの切れ刃部にレーザービームを照射するレーザー加工ユニット６とを備える。 Next, a configuration example of a laser irradiation device used for manufacturing a cutting blade having an uneven structure will be described. FIG. 3 is a partial cross-sectional front view showing the laser irradiation device 2. The laser irradiation device 2 includes a support table 4 that supports a cutting blade having a cutting edge portion, and a laser processing unit 6 that irradiates a laser beam to the cutting edge portion of the cutting blade supported by the support table 4.
なお、ここでは基台１７及び切れ刃部１９を備える切削ブレード１５を加工することによって、図１（Ａ）に示す切削ブレード１を製造する方法について説明する。切削ブレード１５は、切れ刃部１９に凹凸構造が形成されていない点を除いては、切削ブレード１と同様に構成されている。 Here, a method of manufacturing the cutting blade 1 shown in FIG. 1A by processing the cutting blade 15 including the base 17 and the cutting edge portion 19 will be described. The cutting blade 15 has the same configuration as that of the cutting blade 1 except that the cutting blade 19 does not have an uneven structure.
支持テーブル４の上面は、切削ブレード１５を支持する支持面４ａを構成している。切削ブレード１５は、その径方向が支持面４ａと平行となるように、支持面４ａによって支持される。また、支持テーブル４は、支持テーブル４の下側に設けられた移動機構（不図示）及び回転機構（不図示）と連結されている。移動機構は支持テーブル４を水平方向に移動させ、回転機構は支持テーブル４を鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。 The upper surface of the support table 4 constitutes a support surface 4a that supports the cutting blade 15. The cutting blade 15 is supported by the support surface 4a such that its radial direction is parallel to the support surface 4a. The support table 4 is connected to a moving mechanism (not shown) and a rotation mechanism (not shown) provided below the support table 4. The moving mechanism moves the support table 4 in the horizontal direction, and the rotation mechanism rotates the support table 4 about a rotation axis that is substantially parallel to the vertical direction.
支持テーブル４の上方には、レーザー加工ユニット６が配置されている。レーザー加工ユニット６は、レーザービームを支持テーブル４上の所定の位置に集光させるように構成されている。 Above the support table 4, a laser processing unit 6 is arranged. The laser processing unit 6 is configured to focus the laser beam at a predetermined position on the support table 4.
レーザー加工ユニット６は、パルス幅が１０ｐｓ以下のレーザービームをパルス発振するレーザー発振器８を備える。なお、レーザービームの波長に制限はなく、例えば波長が２６６ｎｍ以上１０６４ｎｍ以下のレーザービームがレーザー発振器８から発振される。レーザー発振器８によってパルス発振されたレーザービームは、ミラー１０で反射して波長板１２に入射し、波長板１２によってレーザービームの偏光が制御される。 The laser processing unit 6 includes a laser oscillator 8 that oscillates a laser beam having a pulse width of 10 ps or less. There is no limitation on the wavelength of the laser beam. For example, a laser beam having a wavelength of 266 nm to 1064 nm is emitted from the laser oscillator 8. The laser beam pulse-oscillated by the laser oscillator 8 is reflected by the mirror 10 and is incident on the wave plate 12, and the polarization of the laser beam is controlled by the wave plate 12.
例えば、レーザー発振器８から直線偏光のレーザービームがパルス発振される場合、波長板１２としてλ／２板を用いることにより、直線偏光のレーザービームの偏光方向を制御できる。また、波長板１２としてλ／４板を用いることにより、直線偏光のレーザービームを円偏光又は楕円偏光のレーザービームに変換できる。そして、波長板１２を通過して偏光が制御されたレーザービームは、集光レンズ１４によって所定の位置に集光される。 For example, when a linearly polarized laser beam is pulse-oscillated from the laser oscillator 8, the polarization direction of the linearly polarized laser beam can be controlled by using a λ / 2 plate as the wave plate 12. Further, by using a λ / 4 plate as the wavelength plate 12, a linearly polarized laser beam can be converted into a circularly polarized or elliptically polarized laser beam. The laser beam whose polarization has been controlled after passing through the wave plate 12 is condensed at a predetermined position by the condenser lens 14.
切削ブレード１５の切れ刃部１９が集光レンズ１４の中央の下方に配置されるように支持テーブル４及びレーザー加工ユニット６を位置付けた状態で、レーザービームをレーザー発振器８からパルス発振させる。これにより、レーザービームが切削ブレード１５の切れ刃部１９に照射される。 The laser beam is pulsed from the laser oscillator 8 with the support table 4 and the laser processing unit 6 positioned so that the cutting edge 19 of the cutting blade 15 is located below the center of the condenser lens 14. Thereby, the laser beam is applied to the cutting edge 19 of the cutting blade 15.
なお、レーザービームの照射条件（パルス幅、波長、エネルギー、集光レンズの開口数（ＮＡ）等）は、切れ刃部１９に形成しようとする凹凸構造の寸法や形状に応じて適宜調節される。ただし、ボンド材にレーザービームの波長未満のサイズの凹凸構造を形成する場合は、レーザービームを低フルエンス（例えば、アブレーション閾値の１０倍以下、好ましくは５倍以下）で照射することが好ましい。 The laser beam irradiation conditions (pulse width, wavelength, energy, numerical aperture (NA) of the condenser lens, etc.) are appropriately adjusted according to the size and shape of the concave-convex structure to be formed on the cutting edge portion 19. . However, in the case of forming a concavo-convex structure having a size smaller than the wavelength of the laser beam on the bond material, it is preferable to irradiate the laser beam with a low fluence (for example, 10 times or less, preferably 5 times or less of the ablation threshold).
そして、切れ刃部１９にレーザービームを照射しながら支持テーブル４を所定の方向に移動又は回転させることにより、レーザービームを走査する。これにより、レーザービームが切れ刃部１９の全体にわたって照射される。なお、レーザー加工ユニット６を移動させることによってレーザービームを走査してもよい。 Then, the laser beam is scanned by moving or rotating the support table 4 in a predetermined direction while irradiating the cutting edge portion 19 with the laser beam. Thereby, the laser beam is irradiated over the entire cutting edge portion 19. Note that the laser beam may be scanned by moving the laser processing unit 6.
図４（Ａ）、図４（Ｂ）、及び図４（Ｃ）は、切れ刃部に対するレーザービームの走査方向の例を示す平面図である。レーザービームは、円環状の切れ刃部１９に沿って円形に走査してもよいし（図４（Ａ））、切れ刃部１９の径方向に沿って放射状に走査してもよい（図４（Ｂ））。また、レーザービームを所定の間隔で平行に走査してもよい（図４（Ｃ））。 FIGS. 4A, 4B, and 4C are plan views showing examples of the scanning direction of the laser beam with respect to the cutting edge. The laser beam may scan circularly along the annular cutting edge 19 (FIG. 4A) or may scan radially along the cutting edge 19 (FIG. 4A). (B)). Further, the laser beam may be scanned in parallel at a predetermined interval (FIG. 4C).
上記のレーザービームの照射により、ボンド材の表面に凹凸構造が形成された切削ブレード１（図１（Ａ）参照）が製造される。なお、ここでは切削ブレード１の製造方法について説明したが、同様の方法により、ボンド材の表面に凹凸構造を有する切削ブレード７（図１（Ｂ））も製造できる。 By the irradiation of the laser beam, the cutting blade 1 (see FIG. 1A) in which the uneven structure is formed on the surface of the bond material is manufactured. Although the method of manufacturing the cutting blade 1 has been described here, the cutting blade 7 (FIG. 1B) having a concave-convex structure on the surface of the bonding material can also be manufactured by the same method.
ボンド材の表面に凹凸構造が形成された切削ブレードは、加工装置に装着される。図５は、加工装置２０を示す斜視図である。加工装置２０は、被加工物２１を保持するチャックテーブル２２と、チャックテーブル２２に支持された被加工物２１に対して切削加工を行う加工ユニット（加工手段）２４とを備える。 The cutting blade having the uneven structure formed on the surface of the bond material is mounted on a processing device. FIG. 5 is a perspective view showing the processing device 20. The processing apparatus 20 includes a chuck table 22 that holds a workpiece 21 and a processing unit (processing means) 24 that performs a cutting process on the workpiece 21 supported by the chuck table 22.
被加工物２１は、例えば円盤状に形成され、表面２１ａ及び裏面２１ｂを備える。被加工物２１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の切削予定ライン（ストリート）２３によって複数の領域に区画されており、この複数の領域の表面２１ａ側にはそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等で構成されるデバイス２５が形成されている。また、被加工物２１の裏面２１ｂ側には、被加工物２１よりも径の大きい円形のダイシングテープ２７が貼付されている。 The workpiece 21 is formed, for example, in a disk shape and has a front surface 21a and a back surface 21b. The workpiece 21 is divided into a plurality of regions by a plurality of scheduled cutting lines (streets) 23 arranged in a lattice so as to intersect each other, and ICs and LSIs are respectively provided on the surface 21a side of the plurality of regions. Are formed. A circular dicing tape 27 having a larger diameter than the workpiece 21 is attached to the back surface 21b side of the workpiece 21.
なお、被加工物２１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、被加工物２１として、半導体（シリコン、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成されたウェーハを用いることができる。また、デバイス２５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 The material, shape, structure, size, and the like of the workpiece 21 are not limited. For example, a wafer formed of a material such as a semiconductor (silicon, GaAs, InP, GaN, SiC, etc.), glass, ceramics, resin, metal, or the like can be used as the workpiece 21. Further, there is no limitation on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, and the like of the device 25.
チャックテーブル２２は、ダイシングテープ２７を介して被加工物２１を吸引保持する。チャックテーブル２２の上面は被加工物２１を保持する保持面を構成しており、この保持面はチャックテーブル２２の内部に形成された吸引路（不図示）を通じて吸引源（不図示）と接続されている。 The chuck table 22 suction-holds the workpiece 21 via the dicing tape 27. The upper surface of the chuck table 22 forms a holding surface for holding the workpiece 21, and this holding surface is connected to a suction source (not shown) through a suction path (not shown) formed inside the chuck table 22. ing.
また、チャックテーブル２２は、チャックテーブル２２の下側に設けられた移動機構（不図示）及び回転機構（不図示）と連結されている。移動機構はチャックテーブル２２をＸ軸方向（加工送り方向）及びＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動させ、回転機構はチャックテーブル２２を鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転させる。 The chuck table 22 is connected to a moving mechanism (not shown) and a rotating mechanism (not shown) provided below the chuck table 22. The moving mechanism moves the chuck table 22 in the X-axis direction (processing feed direction) and the Y-axis direction (index feed direction), and the rotating mechanism rotates the chuck table 22 around a rotation axis that is substantially parallel to the vertical direction.
被加工物２１の裏面２１ｂ側は、ダイシングテープ２７を介してチャックテーブル２２の保持面によって支持される。この状態でチャックテーブル２２の保持面に吸引源の負圧を作用させると、被加工物２１がチャックテーブル２２によって吸引保持される。 The back surface 21 b side of the workpiece 21 is supported by the holding surface of the chuck table 22 via the dicing tape 27. When the negative pressure of the suction source is applied to the holding surface of the chuck table 22 in this state, the workpiece 21 is suction-held by the chuck table 22.
チャックテーブル２２の上方には、加工ユニット２４が配置されている。加工ユニット２４は、チャックテーブル２２の保持面に対して概ね平行な方向に軸心をとるスピンドル（不図示）を備えており、スピンドルの先端部には切削ブレード２６が装着される。この切削ブレード２６として、本実施形態に係る凹凸構造が形成された切削ブレードが用いられる。スピンドルはモータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、スピンドルに装着された切削ブレード２６は回転駆動源から伝わる力によって回転する。 Above the chuck table 22, a processing unit 24 is arranged. The processing unit 24 includes a spindle (not shown) having an axis centered in a direction substantially parallel to the holding surface of the chuck table 22, and a cutting blade 26 is mounted on the tip of the spindle. As the cutting blade 26, a cutting blade having the uneven structure according to the present embodiment is used. The spindle is connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor, and the cutting blade 26 mounted on the spindle is rotated by a force transmitted from the rotary drive source.
また、加工ユニット２４には、チャックテーブル２２によって吸引保持された被加工物２１等を撮像するための撮像ユニット２８が装着されている。撮像ユニット２８によって取得された画像に基づいて、チャックテーブル２２と加工ユニット２４との位置合わせが行われる。 The processing unit 24 is provided with an imaging unit 28 for imaging the workpiece 21 and the like sucked and held by the chuck table 22. Based on the image acquired by the imaging unit 28, the positioning between the chuck table 22 and the processing unit 24 is performed.
切削ブレード２６の下端を被加工物２１の裏面２１ｂよりも下方に位置付けた状態で、チャックテーブル２２を加工送り方向に移動させる。これにより、切削ブレード２６が被加工物２１に切り込み、被加工物２１には切削予定ライン２３に沿って直線状の切削溝２１ｃが形成される。そして、全ての切削予定ライン２３に沿って被加工物２１が切削されると、被加工物２１はデバイス２５をそれぞれ備える複数のデバイスチップに分割される。 With the lower end of the cutting blade 26 positioned below the back surface 21b of the workpiece 21, the chuck table 22 is moved in the processing feed direction. Thereby, the cutting blade 26 cuts into the workpiece 21, and a linear cutting groove 21 c is formed in the workpiece 21 along the scheduled cutting line 23. When the workpiece 21 is cut along all the planned cutting lines 23, the workpiece 21 is divided into a plurality of device chips each including a device 25.
なお、切削ブレード２６が被加工物２１に切り込む深さは、被加工物２１の厚さ未満であってもよい。この場合、全ての切削予定ライン２３に沿って切削溝２１ｃを形成した後、被加工物２１の裏面２１ｂ側を研削して切削溝２１ｃを裏面２１ｂに露出させることにより、被加工物２１を複数のデバイスチップに分割できる。 The depth at which the cutting blade 26 cuts into the workpiece 21 may be less than the thickness of the workpiece 21. In this case, after forming the cutting grooves 21c along all the planned cutting lines 23, the back surface 21b side of the work 21 is ground to expose the cutting grooves 21c to the back surface 21b, so that a plurality of the work 21 is formed. Device chips.
切削ブレード２６としては、前述のボンド材の表面に凹凸構造が形成された切削ブレードが用いられる。そのため、被加工物２１を切削する際に生じた切削屑とボンド材との接触面積が減少して切削屑がボンド材に付着しにくくなる。よって、切削ブレード２６の目詰まりが防止され、被加工物２１の加工不良が抑制される。 As the cutting blade 26, a cutting blade in which a concavo-convex structure is formed on the surface of the aforementioned bond material is used. Therefore, the contact area between the cutting chips generated when cutting the workpiece 21 and the bonding material is reduced, and the cutting chips are less likely to adhere to the bonding material. Therefore, clogging of the cutting blade 26 is prevented, and processing failure of the workpiece 21 is suppressed.
なお、上記では主に、パルス幅が１０ｐｓ以下程度の超短パルスレーザービームを低フルエンスで照射することによってボンド材の表面に凹凸構造を形成する例について説明したが、凹凸構造の形成方法はこれに限定されない。例えば、凹凸構造のサイズによっては、パルス幅が１０ｐｓよりも大きいレーザービーム（例えばナノ秒パルスレーザなど）を高ＮＡの集光レンズ（例えばＮＡ＝０．８以上）で絞って集光させ、ボンド材をアブレーション加工することによって凹凸構造を形成することもできる。 In the above description, an example in which an irregular structure is formed on the surface of the bond material by irradiating an ultrashort pulse laser beam having a pulse width of about 10 ps or less at a low fluence has been mainly described. It is not limited to. For example, depending on the size of the concavo-convex structure, a laser beam (for example, a nanosecond pulse laser) having a pulse width larger than 10 ps is focused and condensed by a high-NA condensing lens (for example, NA = 0.8 or more), and is bonded. An uneven structure can be formed by ablating the material.
次に、本実施形態に係る切削ブレードによって切削された被加工物の評価結果について説明する。本評価では、ボンド材の表面に凹凸構造が形成された切削ブレードを用いて被加工物を切削し、切削によって被加工物に生じた欠け（チッピング）のサイズを測定した。 Next, an evaluation result of the workpiece cut by the cutting blade according to the present embodiment will be described. In this evaluation, the workpiece was cut using a cutting blade having an uneven structure formed on the surface of the bond material, and the size of chipping (chipping) generated in the workpiece due to the cutting was measured.
評価には、被加工物として直径６インチ、厚さ０．２ｍｍのシリコンウェーハを用い、このシリコンウェーハを図５に示す加工装置２０を用いて切削した。具体的には、シリコンウェーハをチャックテーブル２２によって吸引保持し、切削ブレードをシリコンウェーハの表面側から切削予定ラインに沿って切り込ませることにより、シリコンウェーハに切削溝を形成した。なお、切削ブレードがシリコンウェーハに切り込む深さは２０μｍとした。 For the evaluation, a silicon wafer having a diameter of 6 inches and a thickness of 0.2 mm was used as a workpiece, and this silicon wafer was cut using a processing apparatus 20 shown in FIG. Specifically, the silicon wafer was sucked and held by the chuck table 22, and the cutting blade was cut along the cutting line from the front side of the silicon wafer, thereby forming a cutting groove in the silicon wafer. The cutting blade cut into the silicon wafer at a depth of 20 μm.
切削加工には、ダイヤモンドでなる砥粒をニッケルでなるボンド材で結合した３種類の切削ブレードＡ，Ｂ，Ｃを用いた。切削ブレードＡは、ボンド材の表面に凹凸構造がなく、ドレッサーボードを用いたドレッシングによって目立を行った切削ブレードである。切削ブレードＢは、ボンド材の表面に凹凸構造がなく、ドレッサーボードを用いたドレッシングを行っていない切削ブレードである。切削ブレードＣは、ボンド材に砥粒の粒径以下のサイズの凹凸構造が形成された本実施形態に係る切削ブレードである（図２（Ｂ）参照）。 For the cutting, three types of cutting blades A, B and C in which abrasive grains made of diamond were bonded with a bond material made of nickel were used. The cutting blade A is a cutting blade which has no uneven structure on the surface of the bond material and is made noticeable by dressing using a dresser board. The cutting blade B is a cutting blade that does not have an uneven structure on the surface of the bond material and does not perform dressing using a dresser board. The cutting blade C is a cutting blade according to the present embodiment in which an uneven structure having a size equal to or smaller than the particle size of abrasive grains is formed on a bond material (see FIG. 2B).
なお、切削ブレードＣの凹凸構造は、レーザービームの照射によって形成した。レーザービームの照射条件は以下のように設定した。なお、下記のスポット間距離は、レーザービームを走査した際に隣接するビームスポットの中心間の距離に相当する。
パルス幅 ：１０ｐｓ
波長 ：１０６４ｎｍ
１パルス当たりのエネルギー ：１０μＪ
スポット径 ：６０μｍ
スポット間距離 ：０．５μｍ
The uneven structure of the cutting blade C was formed by laser beam irradiation. The irradiation conditions of the laser beam were set as follows. The following distance between spots corresponds to the distance between the centers of adjacent beam spots when scanning with a laser beam.
Pulse width: 10ps
Wavelength: 1064 nm
Energy per pulse: 10μJ
Spot diameter: 60 μm
Spot distance: 0.5 μm
上記の切削ブレードＡ，Ｂ，Ｃをそれぞれ用いて、シリコンウェーハに切削溝を形成した。そして、切削溝によって区画されたシリコンウェーハの表面側の各領域において、切削によって生じたチッピングの大きさ（チッピングサイズ）を測定した。なお、チッピングサイズは、シリコンウェーハの表面と平行な方向における、切削面からチッピングの先端までの最大の距離である。チッピングサイズの測定は、切削ブレードＡ，Ｂ，Ｃによって切削したシリコンウェーハそれぞれについて、６２か所で行った。 Using the above cutting blades A, B, and C, cutting grooves were formed in the silicon wafer. Then, in each region on the surface side of the silicon wafer partitioned by the cutting grooves, the size of chipping (chipping size) generated by cutting was measured. Note that the chipping size is the maximum distance from the cutting surface to the tip of the chipping in a direction parallel to the surface of the silicon wafer. The measurement of the chipping size was performed at 62 locations on each of the silicon wafers cut by the cutting blades A, B, and C.
図６は、チッピングサイズの測定結果を示すグラフである。図６より、ボンド材の表面に凹凸構造が形成された切削ブレードＣでは、切削ブレードＡ及び切削ブレードＢと比較してサイズの大きいチッピングの発生が抑えられていることが分かる。また、切削ブレードＣを用いた場合のチッピングサイズの平均値は、切削ブレードＡを用いた場合と比較して４μｍ程度小さかった。これより、切削ブレードＣはドレッシングが行われた切削ブレードＡよりもチッピングの防止に有効であることが分かる。 FIG. 6 is a graph showing the measurement results of the chipping size. From FIG. 6, it can be seen that in the cutting blade C in which the concavo-convex structure is formed on the surface of the bond material, the occurrence of chipping having a large size is suppressed as compared with the cutting blades A and B. Further, the average value of the chipping size when the cutting blade C was used was about 4 μm smaller than that when the cutting blade A was used. This shows that the cutting blade C is more effective in preventing chipping than the dressed cutting blade A.
上記の結果から、切削ブレードのボンド材の表面に凹凸構造を形成することは、サイズの大きいチッピングの発生の抑制に効果的であることが分かった。なお、このチッピングサイズの抑制は、ボンド材に形成された凹凸構造によって目詰まりが抑制され、砥粒の露出した状態が維持されやすくなったことに起因していると考えられる。 From the above results, it was found that forming the uneven structure on the surface of the bonding material of the cutting blade was effective in suppressing the occurrence of large-sized chipping. It is considered that the suppression of the chipping size is due to the fact that clogging is suppressed by the uneven structure formed in the bond material, and the exposed state of the abrasive grains is easily maintained.
以上の通り、本実施形態においては、ボンド材に砥粒の粒径以下のサイズの凹凸構造が形成された切削ブレードを用いて被加工物を加工する。ボンド材の表面に凹凸構造が形成されていると、ボンド材と切削屑との接触面積が減少して切削屑がボンド材に付着しにくくなり、目詰まりの発生が抑制される。これにより、切削ブレードのドレッシングを頻繁に実施せずとも砥粒が露出した状態を維持することができ、加工効率の低下を抑えつつ加工不良の発生を抑制できる。 As described above, in the present embodiment, the workpiece is processed using the cutting blade in which the bonding material has an uneven structure having a size equal to or smaller than the grain size of the abrasive grains. When the uneven structure is formed on the surface of the bond material, the contact area between the bond material and the cutting chips is reduced, so that the cutting chips are less likely to adhere to the bond material, and the occurrence of clogging is suppressed. Thus, the state in which the abrasive grains are exposed can be maintained without frequently performing dressing of the cutting blade, and the occurrence of processing defects can be suppressed while suppressing a decrease in processing efficiency.
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, and the like according to the above embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.
１ 切削ブレード
３ 基台
３ａ 開口
３ｂ 把持部
５ 切れ刃部
７ 切削ブレード
９ 切れ刃部
９ａ 開口
１１ ボンド材
１１ａ 突起部
１３ 砥粒
１５ 切削ブレード
１７ 基台
１９ 切れ刃部
２１ 被加工物
２１ａ 表面
２１ｂ 裏面
２１ｃ 切削溝
２３ 分割予定ライン
２５ デバイス
２７ ダイシングテープ
２ レーザー照射装置
４ 支持テーブル
４ａ 支持面
６ レーザー加工ユニット
８ レーザー発振器
１０ ミラー
１２ 波長板
１４ 集光レンズ
２０ 加工装置
２２ チャックテーブル
２４ 加工ユニット
２６ 切削ブレード
２８ 撮像ユニット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting blade 3 Base 3a Opening 3b Gripping part 5 Cutting edge part 7 Cutting blade 9 Cutting edge part 9a Opening 11 Bond material 11a Projection part 13 Abrasive grain 15 Cutting blade 17 Base 19 Cutting edge part 21 Workpiece 21a Surface 21b Back surface 21c Cutting groove 23 Planned dividing line 25 Device 27 Dicing tape 2 Laser irradiation device 4 Support table 4a Support surface 6 Laser processing unit 8 Laser oscillator 10 Mirror 12 Wave plate 14 Condenser lens 20 Processing device 22 Chuck table 24 Processing unit 26 Cutting Blade 28 Imaging unit
Claims (5)
該ボンド材の表面には、幅が該砥粒の粒径以下である突起部によって構成される凹凸構造が形成されていることを特徴とする切削ブレード。 Abrasive grains, a bonding material that bonds the abrasive grains, a cutting blade having a cutting edge portion including,
A cutting blade, characterized in that a concave-convex structure formed by a projection having a width equal to or smaller than the particle size of the abrasive grains is formed on a surface of the bonding material.
レーザービームを該切れ刃部に照射することにより、該ボンド材の表面に、幅が該砥粒の粒径以下である突起部によって構成される凹凸構造を形成することを特徴とする切削ブレードの製造方法。 A method for manufacturing a cutting blade having a cutting edge portion including abrasive grains and a bond material for bonding the abrasive grains,
By irradiating the cutting edge portion with a laser beam, on the surface of the bond material, a cutting blade characterized by forming a concavo-convex structure formed by a protrusion having a width equal to or less than the particle size of the abrasive grains Production method.
該レーザービームのパルス幅は１０ｐｓ以下であり、
該突起部の幅は、該レーザービームの波長未満であることを特徴とする切削ブレードの製造方法。 It is a manufacturing method of the cutting blade according to claim 3,
The pulse width of the laser beam is 10 ps or less,
A method for manufacturing a cutting blade, wherein the width of the projection is less than the wavelength of the laser beam.
該切削ブレードを被加工物に切り込ませることにより、該被加工物を切削予定ラインに沿って切削することを特徴とする被加工物の加工方法。 A method of processing a workpiece using the cutting blade according to claim 1 or 2,
A method for processing a workpiece, wherein the workpiece is cut along a line to be cut by cutting the cutting blade into the workpiece.
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