JP2019533383A - フラックスレートユニットセル焦点面アレイ - Google Patents

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Abstract

一態様に従って、本願の実施形態は、光検出器と、第1積分キャパシタと、積分期間中に光検出器から受け取られる光電流に対応する電荷を第1積分キャパシタで保持するよう構成される第1入力回路と、第1積分キャパシタへ結合され、第1積分キャパシタに係る第1積分電圧を第1閾基準電圧と比較するよう構成される第1コンパレータと、第1コンパレータへ結合されるレジスタと、レジスタへ結合され、積分期間にわたってカウンタ値を繰り返しインクリメントするよう構成されるカウンタとを有し、第1積分電圧が第1閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、第1コンパレータが、カウンタのカウンタ値をラッチするようにレジスタを制御するよう構成される第1出力信号を出力するよう更に構成される、ユニットセル回路を提供する。

Description

デジタルカメラ、ビデオカメラ、あるいは、他の写真及び/又は画像捕捉装置のような、多種多様な画像捕捉デバイスがある。それらの画像捕捉デバイスは、所望のシーンから画像を捕捉するために画像センサを使用し得る。例えば、画像センサは、レンズを介して光を受けるユニットセルのアレイ(すなわち、焦点面アレイ)を含んでよい。受け取られた光は、アレイ内の各ユニットセルに、その位置での光の強さに比例した電荷を蓄積させる。
焦点面アレイ(FPA)は、一般に、行及び列で編成された検出器又はユニットセル(すなわち、ピクセル)の2次元アレイを含む。FPAの各ユニットセル内の回路は、FPAの視野(FOV)内のシーン又はオブジェクトの画像を生成するよう、そのユニットセル内の光検出器での入射フラックス放射に対応する電荷を蓄積する。例えば、電荷は容量素子で蓄積され、容量素子は電荷を積分し、積分電圧を生成する。積分電圧は、積分期間(又は積分インターバル、又は積分時間)と呼ばれる所与の期間にわたる放射フラックスの強さに対応する。結果として現れる電圧は、追加の回路によってFPAの出力部へ運ばれ、次いで、光学的放射を発したシーンの画像を構成するために使用され得る。いくつかの場合に、そのような電圧又は電荷は、FPAの回路によってデジタル化され得、FPAの各ユニットセルごとに1つの値であるデジタル値のアレイをもたらす。然るに、いくつかの場合に、FPAは、フラックスの2次元パターンをデジタル値の2次元アレイに変換して、デジタル画像を得るために使用されてよい。
FPAにおける各ユニットセルは、一般に、所望のシーンの最終的な画像におけるピクチャ要素又はピクセルに対応する。ピクセルは、デジタル画像の最小部分と見なされる。デジタル画像は、一般に、ピクセルのアレイから構成される。画像捕捉デバイスへ結合された回路は、各ユニットセルからの蓄積電荷をピクセル情報に変換するよう、光捕捉後の処理ステップを実行してよい。この情報は、デジタル画像記憶又は表示フォーマットが必要とし得る不均一性補正、色、彩度、輝度、又は他の情報を含んでよい。デジタル画像は、.JPEG、.GIF、.TIFF、又はあらゆる他の適切なフォーマットのようなフォーマットで記憶されてよい。デジタル画像は、SMPTE−262、SMPTE−424、Camera Link、CoaXPress、Ethernet(登録商標)、HDMI(登録商標)、又はあらゆる他の適切なフォーマットのようなフォーマットで転送されてよい。
本明細書で説明される態様及び実施形態は、改善された高ダイナミック強度レンジのイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセル回路を提供する。特に、従来のアプローチによって提案されているように一定の積分期間にフラックスを積分することよりむしろ、本明細書で説明されるイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセルの様々な態様及び実施形態は、可変な量の時間に一定量のフラックスを積分するよう構成される。より具体的には、本明細書で記載されるフラックスレートユニットセルは、カウンタが動作している(例えば、インクリメントしている)間、比較的に小さいサイズの積分キャパシタにおいてフラックスを積分する。積分キャパシタにおける電荷が所望の閾レベルに達する場合に、カウンタの値はレジスタにラッチされる。ピクセルの時間に基づくレジスタ値は、ユニットセルの積分されたフラックス値をシステム内の他のユニットセルに対して推定するために、共通時間値(例えば、積分キャパシタを満たす推定される時間)に正規化され得る。画像プロセッサは、次いで、イメージングシステム内の各ユニットセルからの正規化された値に基づき、デジタル画像を生成することができる。
一定の期間にわたって蓄積された電荷の量をモニタするのではなく、比較的に小さい積分キャパシタを閾レベルに充電するのに必要な時間をモニタすることによって、マルチビット・アナログ−デジタル変換器及び大規模な積分キャパシタに対する依存性は、高ダイナミックレンジのユニットセルを依然として提供しながら、取り除かれ得る。その上、上述されたように、時間に基づくフラックスユニットセルを利用することによって、デジタルピクセル回路において一般に使用されている正確な電荷ダンプ回路(precision charge dump circuit)の必要性は取り除かれ得、ユニットセルの電力要件は、従来のユニットセルアプローチに対して低減され得、時間値の非同期ラッチングは、従来のユニットセルアプローチで通常見られる広域電流スパイクを低減し得る。
態様に従って、光学的放射を受けることに応答して光電流を生成するよう構成される光検出器と、第1積分キャパシタと、前記光検出器へ及び前記第1積分キャパシタへ結合され、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで保持するよう構成される第1入力回路と、前記第1積分キャパシタへ結合され、該第1積分キャパシタにかかる第1積分電圧を第1閾基準電圧と比較するよう構成される第1コンパレータと、前記第1コンパレータへ結合されるレジスタと、前記レジスタへ結合され、前記積分期間にわたってカウンタ値を繰り返しインクリメントするよう構成されるカウンタとを有し、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される第1出力信号を出力するよう更に構成される、イメージングシステムユニットセル回路が本明細書において提供される。
1つの実施形態に従って、前記第1入力回路は、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで蓄積するよう更に構成され、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記第1出力信号を出力するよう更に構成され、前記第1出力信号を受信することに応答して、前記レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される。1つの実施形態において、当該イメージングシステムユニットセル回路は、前記レジスタへ結合される画像処理ユニットを更に有し、前記画像処理ユニットは、前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出し、前記ラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化し、前記正規化されたカウンタ値に少なくとも部分的に基づきデジタル画像を生成するよう構成される。
他の実施形態に従って、前記第1入力回路は、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を前記第1積分キャパシタから取り除くよう更に構成され、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記第1出力信号を出力するよう更に構成され、前記第1出力信号を受信することに応答して、前記レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される。
1つの実施形態に従って、当該イメージングシステムユニットセル回路は、第2積分キャパシタと、前記光検出器へ及び前記第2積分キャパシタへ結合され、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第2積分キャパシタで保持するよう構成される第2入力回路とを更に有する。1つの実施形態において、当該イメージングシステムユニットセル回路は、前記第2積分キャパシタへ結合され、該第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を第2閾基準電圧と比較するよう構成される第2コンパレータを更に有し、前記第2積分電圧が前記第2閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第2コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される第2出力信号を出力するよう更に構成される。他の実施形態において、当該イメージングシステムユニットセル回路は、ORゲートを更に有し、前記第1コンパレータは、前記ORゲートへ結合される第1出力部を含み、前記第2コンパレータは、前記ORゲートへ結合される第2出力部を含み、前記ORゲートは、前記第1出力信号及び前記第2出力信号のうちの少なくとも一方を受信するよう、かつ、前記第1出力信号及び前記第2出力信号のうちの少なくとも一方を受信することに応答して前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される。
他の実施形態に従って、当該イメージングシステムユニットセル回路は、前記第1積分キャパシタと前記第1コンパレータとの間に結合される第1スイッチと、前記第2積分キャパシタと前記第1コンパレータとの間に結合される第2スイッチと、前記第1スイッチへ及び前記第2スイッチへ結合され、前記第1キャパシタを前記第1コンパレータへ選択的に結合する第1動作モードにおいて前記第1スイッチを閉じるように動作させ、前記第2キャパシタを前記第1コンパレータへ選択的に結合する第2動作モードにおいて前記第2スイッチを閉じるように動作させるよう構成されるコントローラとを更に有し、前記第1動作モードの間、前記第1コンパレータは、前記第1積分キャパシタにかかる前記第1積分電圧を前記第1閾基準電圧と比較し、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して前記一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第1出力信号を出力するよう構成され、前記第2動作モードの間、前記第1コンパレータは、前記第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を前記第1閾基準電圧と比較し、前記第2積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して前記一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記ラッチを制御するよう構成される第2出力信号を出力するよう構成される。
1つの実施形態に従って、当該イメージングシステムユニットセル回路は、前記第1積分キャパシタにわたって結合されるスイッチを更に有し、前記積分期間の開始時にコントローラから第1リセット信号を受信することに応答して、前記スイッチは、前記第1積分キャパシタが接地に放電するように、前記第1積分キャパシタを接地へ選択的に結合するよう構成される。1つの実施形態において、前記カウンタは、前記積分期間の前記開始時に前記コントローラから第2リセット信号を受信するよう更に構成され、前記第2リセット信号を受信することに応答して、前記カウンタは、前記カウンタ値をリセットするよう構成される。他の実施形態において、前記レジスタは、前記積分期間の前記開始時に前記コントローラから第3リセット信号を受信するよう構成され、前記第3リセット信号を受信することに応答して、前記レジスタは、該レジスタをクリアするよう構成される。
本明細書で説明される他の態様は、画像を検出する方法であって、光検出器により、該光検出器で光学的放射を受けることに応答して光電流を生成することと、前記光検出器へ結合される第1入力回路により、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を第1積分キャパシタで保持することと、前記第1積分キャパシタにかかる第1積分電圧を第1閾基準電圧と比較することと、前記積分期間にわたってカウンタのカウンタ値を繰り返しインクリメントすることと、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするようにレジスタを動作させるよう第1出力信号を前記レジスタへ供給することとを有する方法を提供する。
1つの実施形態に従って、電荷を前記第1積分キャパシタで保持することは、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで蓄積することを含み、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう前記第1出力信号を前記レジスタへ供給することは、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させることを含む。1つの実施形態において、電荷を前記第1積分キャパシタで保持することは、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を前記第1積分キャパシタから取り除くことを含み、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう前記第1出力信号を前記レジスタへ供給することは、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させることを含む。
他の実施形態に従って、当該方法は、前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出すことと、前記ラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化することと、前記正規化されたカウンタ値に少なくとも部分的に基づきデジタル画像を生成することとを更に有する。1つの実施形態において、当該方法は、前記積分期間の開始時に少なくとも1つのリセット信号を受信することと、前記積分期間の前記開始時に前記少なくとも1つのリセット信号を受信することに応答して、前記第1積分キャパシタが接地に放電するように前記第1積分キャパシタを接地へ選択的に結合し、前記カウンタ値をリセットし、前記レジスタをクリアすることとを更に有する。他の実施形態において、当該方法は、前記光検出器へ結合される第2入力回路により、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を第2積分キャパシタで保持することと、前記第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を第2閾基準電圧と比較することと、前記第2積分電圧が前記第2閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう第2出力信号を前記レジスタへ供給することとを更に有する。
本明細書で説明される少なくとも1つの態様は、複数のユニットセルを含む焦点面アレイであり、前記複数のユニットセルの各ユニットセルが、光学的放射を受けることに応答して光電流を生成するよう構成される光検出器と、積分キャパシタと、前記光検出器へ及び前記積分キャパシタへ結合され、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記積分キャパシタで保持するよう構成される入力回路と、前記積分キャパシタへ結合され、該積分キャパシタにかかる積分電圧を閾基準電圧と比較するよう構成されるコンパレータとを有する、前記焦点面アレイと、夫々のレジスタが、前記複数のユニットセルのうちの1つのユニットセルの前記コンパレータへ結合される、複数のレジスタと、前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタへ結合され、前記積分期間にわたってカウンタ値を繰り返しインクリメントするよう構成されるカウンタと、前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタへ結合される画像処理ユニットとを有し、前記積分電圧が前記閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、各コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように対応するレジスタを制御するよう構成される出力信号を出力するよう更に構成され、前記画像処理ユニットは、前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出し、夫々の読み出されたラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化し、該正規化されたカウンタ値の夫々に基づきデジタル画像を生成するよう構成される、イメージングシステムを提供する。
1つの実施形態に従って、各入力回路は、前記積分期間中に対応する光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を対応する積分キャパシタで蓄積するよう更に構成され、対応する積分電圧が対応する閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、各コンパレータは、前記出力信号を出力するよう更に構成され、前記出力信号を受信することに応答して、各レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される。
他の実施形態に従って、各入力回路は、前記積分期間中に対応する光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を対応する積分キャパシタから取り除くよう更に構成され、対応する積分電圧が対応する閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、各コンパレータは、前記出力信号を出力するよう更に構成され、前記出力信号を受信することに応答して、各レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される。
更なる他の態様、実施形態、並びにそれらの例となる態様及び実施形態の利点は、以下で詳細に説明される。本明細書で開示される実施形態は、本明細書で開示される原理の少なくとも1つと整合する如何なる方法でも他の実施形態と組み合わされてよく、「実施形態」、「いくつかの実施形態」、「代替の実施形態」、「様々な実施形態」、「1つの実施形態」、等への言及は、必ずしも相互排他的ではなく、記載される特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも1つの実施形態に含まれ得ることを示すよう意図される。本明細書中のそのような語の出現は、必ずしも全てが同じ実施形態に言及しているわけではない。本明細書で記載される様々な態様及び実施形態は、記載される方法又は機能のいずれかを実行するための手段を含んでよい。
少なくとも1つの実施形態の様々な態様は、添付の図面を参照して以下で説明される。図面は、実寸通りであるよう意図されない。図は、実例並びに様々な態様及び実施形態の更なる理解を提供するために含まれており、本明細書の部分に組み込まれてそれを構成するが、本発明の制限の定義として意図されない。図中、様々な図で説明される夫々の同じ又は略同じ構成要素は、同じ番号によって表される。明りょうさのために、あらゆる構成要素があらゆる図で符号を付されなくてもよい。
本発明の態様に従う画像捕捉デバイスを表すブロック図である。 本発明の態様に従うユニットセル及び支援外部回路の一例の概略図である。 本発明の態様に従って、正方向に傾いている、積分キャパシタにかかる電圧を表すグラフである。 本発明の態様に従って、正に傾いている電圧に基づき動作する積分回路の一実施形態の概略図である。 本発明の態様に従って、正に傾いている電圧に基づき動作する積分回路の他の実施形態の概略図である。 本発明の態様に従って、負方向に傾いている、積分キャパシタにかかる電圧を表すグラフである。 本発明の態様に従って、負に傾いている電圧に基づき動作する積分回路の一実施形態の概略図である。 本発明の態様に従って、負に傾いている電圧に基づき動作する積分回路の他の実施形態の概略図である。 本発明の態様に従って、複数の入力回路の論理組み合わせを可能にするユニットセル回路において並列に連結された複数の積分回路の概略図である。 本発明の態様に従って、複数の入力回路の選択を可能にするユニットセル回路において並列に連結された複数の積分回路の他の実施形態の概略図である。
上述されたように、典型的なユニットセル回路は、衝突する光学的放射のフラックスに対応する電荷を蓄積する。旧来のアナログユニットセルでは、ウェルキャパシタが検出器ダイオードへ結合される。ウェルキャパシタは、積分インターバル(例えば、10μs)にわたって検出器ダイオードからの光電流を積分する。フレームごとに一度、ウェルキャパシタ上の電圧はサンプル・アンド・ホールドキャパシタに転送され、次いで、ラインごとに、アナログ−デジタル変換器(ADC)へ送出される。ADCは、電圧をバイナリ値に変換する。しかし、望まれるユニットセルサイズが小さくなるにつれて、電荷の有効な量を保持するウェルキャパシタの能力は落ちている。
より具体的には、従来のFPAアナログユニットは、通常、光学的放射の強さが大きくなりすぎる場合に飽和する。例えば、これは、閃光状態(glint conditions)(例えば、可視光が自動車に反射する、又は高温排気(hot exhaust))が起こる場合に現れ得る。実際に、多くの従来のFPAユニットセルは、ユニットセルのパラメータ(容量素子のサイズ)によって制限された閾値に強さが達する場合に、好ましくなく飽和する。これは、画像データの量、及び受け取られる光学的放射から取り出され得るダイナミックレンジを制限する。
旧来の“デジタル”ユニットセルは、蓄積された電荷のアナログ−デジタル変換を提供する。ユニットセル内のアナログ−デジタル変換イメージングは、ユニットセルの望まれるサイズが縮小し続ける(例えば、15ミクロン)場合でさえ、改善された光電荷容量を提供する。例えば、旧来のデジタルユニットセル設計は、量子化アナログフロントエンド回路を含み、この回路は、比較的に小さい積分キャパシタにわたって電荷を蓄積し、閾電荷がキャパシタに蓄えられるたびにリセット(例えば、放電)される。充電及びリセットのパターンは、より多くの光電流が積分するにつれて繰り返される。夫々のリセット事象は、デジタルカウンタ回路により累積(すなわち、カウント)される。フレームごとに、大域的スナップショットが、デジタルカウンタコンテンツをスナップショットレジスタにコピーし、次いで、スナップショットレジスタをラインごとに読み出すことによって、取得される。その効果は、比較的に小さいユニットセルサイズを保ちながら、イメージャのウェル容量を指数関数的に増大させることである。
しかし、そのようなデジタルユニットセルにおいて、積分キャパシタにおける蓄積電荷の非同期/同期リセットは、高い精度を必要とし、デジタルユニットセルにおいて比較的に高い電流スパイクをもたらし得る。その上、デジタルユニットセルの積分キャパシタがリセットされている間、デジタルユニットセルは、通常は、追加の電荷を蓄積せず、デジタルユニットセルに入射する光学的放射の如何なるフラックスも、通常、積分されない。また、デジタルユニットセルにおいて、残留電荷のための任意のデジタル化回路、及び高速な高分解能アナログ−デジタル変換器は、比較的に大量の電力を利用する。最後に、積分キャパシタを含むデジタルピクセル回路全体をユニットセル内に収めることは、困難であり得る。
然るに、本明細書で説明される様々な態様及び実施形態は、改善された高ダイナミック強度レンジのイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセル回路を提供する。特に、従来のアプローチによって提案されているように一定の積分期間にフラックスを積分することよりむしろ、本明細書で説明されるイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセルの様々な態様及び実施形態は、可変な量の時間に一定量のフラックスを積分するよう構成される。より具体的には、本明細書で記載されるフラックスレートユニットセルは、カウンタが動作している(例えば、インクリメントしている)間、比較的に小さいサイズの積分キャパシタにおいてフラックスを積分する。積分キャパシタにおける電荷が所望の閾レベルに達する場合に、カウンタの値はレジスタにラッチされる。ピクセルの時間に基づくレジスタ値は、ユニットセルの積分されたフラックス値をシステム内の他のユニットセルに対して推定するために、共通時間値(例えば、積分キャパシタを満たす推定される時間)に正規化され得る。システム内の各ユニットセル回路からの正規化された値は、次いで、システムのFOVの画像を生成するために画像プロセッサによって利用され得る。
一定の期間にわたって蓄積された電荷の量をモニタするのではなく、比較的に小さい積分キャパシタを閾レベルに充電するのに必要な時間をモニタすることによって、マルチビット・アナログ−デジタル変換器及び大規模な積分キャパシタに対する依存性は、高ダイナミックレンジのユニットセルを依然として提供しながら、取り除かれ得る。その上、上述されたように、時間に基づくフラックスユニットセルを利用することによって、正確な電荷ダンプ回路の必要性は取り除かれ得、ユニットセルの電力要件は、従来のユニットセルアプローチに対して低減され得、非同期ラッチは、従来のユニットセルアプローチで通常見られる広域電流スパイクを低減し得る。
当然ながら、本明細書で説明される方法及び装置の実施形態は、以下の説明で示されるか又は添付の図面に表される構成の詳細及び構成要素の配置への適用において制限されない。方法及び装置は、他の実施形態における実施、及び様々な方法で実施又は実行されること、が可能である。具体的な実施の例は、もっぱら説明のために本明細書中で与えられ、制限であることは意図されない。また、本明細書で使用される表現及び用語は、記載のためであり、制限と見なされるべきではない。「〜を含む」(including)、「〜を有する」(〜comprising)、「〜を具備する」(having)、「〜を包含する」(containing)、「〜を伴う」(involving)、及びそれらの変形の本明細書中の使用は、その前に記載されているアイテム及びそれらの同等物並びに更なるアイテムを網羅するよう意図される。「又は」(or)への言及は、「又は」を用いて記載される如何なる項目も、記載されている項目の1つ、1つよりも多く、及び全てのいずれかを示し得るように、包括的に解釈され得る。前及び後ろ、左及び右、上及び下、上位及び下位、並びに垂直及び水平への言及は、記載の便宜のためであり、本システム及び方法又はそれらの構成要素をいずれか1つの位置又は空間的配置に制限するよう意図されない。
図1は、本明細書で記載される態様に従って、画像を捕捉するために使用され得る画像捕捉デバイス10を表すブロック図である。例えば、デバイス10は、デジタルカメラ、ビデオカメラ、赤外線カメラ、あるいは、他の写真及び/又は画像捕捉装置であってよい。画像捕捉デバイス10は、画像センサ120及び画像処理ユニット106を有する。画像センサ120は、画像を捕捉することができるアクティブピクセルセンサ(APS)又は他の適切な光検知デバイスであってよい。画像処理ユニット106は、画像センサ120から信号情報を受け、信号情報をデジタル画像に変換するよう動作可能であるハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアの組み合わせであってよい。
画像センサ120は、ユニットセル160のアレイ170を含む。アレイ170は、ユニットセル160をいくつでも含むことができる。アレイ170内の各ユニットセル160は、視野内のその位置での光強度に比例した電荷を蓄積し、その位置での光の強さの指示を画像処理ユニット106へ供給する。各ユニットセル160は、捕捉された電子画像におけるピクセルに対応し得る。
画像捕捉デバイス10を使用した画像捕捉のための特定の方法は、リップル捕捉動作、リップル読み出し動作、及びリップルリセット動作を伴ってよい。リップル捕捉動作は、画像センサ120からのユニットセル160の各行を順に光に晒す。例えば、リップル捕捉動作は、画像センサ120のユニットセル160の一番の上の行を、続いて2番目の行を、続いて3番の行を、以降、画像センサ120のユニットセル160の最後の行が光に晒されるまで、光に晒してよい。リップル読み出し動作は、画像センサ120からのユニットセル160の各行によって捕捉された光を順に処理する。リップル捕捉と同様に、リップル読み出しは、画像センサ120のユニットセル160の一番上の行を、続いてに2番目の行を、続いて3番目の行を、以降、画像センサ120のユニットセル160の最後の行が処理されるまで、処理してよい。画像センサ120のユニットセル160の行をリセットするリップルリセット動作は、同様にして実行されてよい。
リップル捕捉動作、リップル読み出し動作、及びリップルリセット動作は、通常、連続する行に対して実行される。例えば、リップル捕捉動作は、セル160の最初の行から開始してよい。リップル捕捉動作が2番目の行に移ると、リップル読み出し動作はセル160の最初の行から開始してよい。リップル捕捉動作が3番目の行へ移った後、リップル読み出し動作は2番目の行に対して開始してよく、リップルリセット動作は最初の行に対して開始してよい。これは、最後の行が処理されるまで続いてよい。最後の行が処理されると、画像は画像処理ユニット106によって処理、記憶、及び/又は送信されてよい。
上述されたように、リップルに基づく動作は、画像捕捉デバイス10を使用した画像の捕捉について先に記載されているが、他の実施形態では、画像捕捉デバイス10は、異なる画像捕捉方法を利用してよい。例えば、少なくとも1つの実施形態では、画像捕捉デバイスは、デバイス10内の全てのセル160が同時にフラックスを積分するよう構成されるところの、スナップショットに基づく方法を利用する。
図2は、本発明の態様に従うユニットセル回路200の一例の概略図である。ユニットセル回路200の少なくとも一部は、図1のユニットセル160の少なくとも1つに含まれる。ユニットセル回路200は、光検出器202、積分回路204、カウンタ206、レジスタ208、及び出力部210を含む。1つの実施形態において、積分回路204は、入力回路212、積分キャパシタ214、コンパレータ216、及びスイッチ218を含む。
フォトダイオード205が入力回路212の入力部へ結合されている。入力回路212の出力部は、スイッチ218の第1端子、積分キャパシタ214の第1の側、及びコンパレータ216の第1端子へ結合されている。スイッチ218の第2端子及び積分キャパシタ214の第2の側は、接地215へ結合されている。コンパレータ216の第2の端子は、閾電圧基準220へ結合されている。コンパレータ216の出力部は、レジスタ208の入力部へ結合されている。レジスタ208の出力部は、画像処理ユニット(例えば、図1に示される画像処理ユニット106)へ結合されるよう構成される。カウンタ206は、クロック207へ及びレジスタ208の制御入力部へ結合されるよう構成される。
様々な実施形態において、光検出器202は、撮像される画像から所与の波長の光学的放射を受け、対応する光電流を生成するよう構成される。光検出器202によって受け取られる光学的放射のフラックスレベルが増大するにつれて、光検出器202によって生成される光電流は比例的に増大する。特定の実施形態では、光検出器202は、所望の波長の光学的放射に反応するよう選択された如何なる検出器も含んでよい。少なくとも1つの例で、光学的放射は、可視光、赤外線放射、及び/又は紫外線放射を含む。例えば、光検出器202は、0.3ミクロンから2.5ミクロン以上の範囲に及ぶ光の波長を受けることに応答して光電流を生成するよう構成されるフォトダイオード205を含んでよい。
ユニットセル回路200の各積分期間の開始時に、コントローラからの第1リセット信号(Reset)222が、キャパシタ214が放電されるように積分キャパシタ214を接地215へ結合するべくスイッチ218へ供給され、コントローラからの第2リセット信号(Reset)224が、カウンタ206をリセットすべくカウンタ206へ供給され、コントローラからの第3リセット信号(Reset)226が、レジスタ208をクリアすべくレジスタ208へ供給される。リセット信号222、224、226が印加された後、それらはその後に取り除かれ、それにより、積分キャパシタ214はもはや接地に放電せず(充電を蓄積することができ)、カウンタ206はそのカウンタ値を繰り返しインクリメントし始め、レジスタ208は、そうするよう制御される場合に、ラッチされた値を保持することが可能になる。1つの実施形態において、画像処理ユニット106がリセット信号222、224、226を供給する。しかし、他の実施形態では、リセット信号222、224、226は、任意の数の異なるコントローラによって供給されてもよい。1つの実施形態に従って、リセット信号222、224、226は同期している。
リセット信号222、224、226が取り除かれた後、光検出器202は、撮像されているシーンから光検出器202に入射する光学的放射に応答して光電流を生成することができる。光電流に対応する充電又は放電のレベル、特に、光検出器202によって受け取られる光学的放射のフラックスレベル(すなわち、強さ/輝度)は、入力回路212によって積分キャパシタ214で保持される。1つの実施形態に従って、入力回路212は、光検出器202の出力を受けてユニットセル回路200内の使用可能な積分電圧に増幅する容量性トランスインピーダンス増幅器(CTIA)である。他の実施形態では、入力回路212は、他の適切なタイプのユニットセル入力回路、例えば、直接注入(direct injection)(DI)回路、ソースフォロワ・パー・ディテクタ(source follower per detector)(SFD)回路、又はフィードバック・エンハンス直接注入(feedback enhance direct injection)(FEDI)回路であることができる。
少なくとも1つの実施形態に従って、入力回路212は、光電流に対応する電荷を積分キャパシタ214で保持する。電荷が積分キャパシタ214で蓄積するか又はそれから取り除かれる場合に、積分キャパシタ214にかかる電圧は増大又は低下する。コンパレータ216は、積分キャパシタ214にかかる電圧を閾電圧基準220と比較し、積分キャパシタ214にかかる電圧と閾電圧基準220との間の関係に基づき信号を出力する。例えば、電荷が積分キャパシタ214で蓄積している1つの実施形態では、積分キャパシタ214にかかる電圧が閾電圧基準220よりも小さいことに応答して、コンパレータ216は、レジスタ208をラッチしない信号(例えば、ロー信号)を出力する。積分キャパシタ214にかかる電圧が閾電圧基準220を超えることに応答して、コンパレータ216は、レジスタ208にカウンタ206の現在の値をラッチさせる信号(例えば、ハイ信号)を出力する。
レジスタ208で保持されている時間に基づく値は、出力部210から画像処理ユニット(例えば、図1に示される画像処理ユニット106)によって読み出される。画像処理ユニット106は、ユニットセル回路200の積分されたフラックス値をアレイ170内の他のユニットセル160に対して推定するために、ユニットセル回路200の時間に基づく値を、アレイ170内の全てのユニットセル160にわたって利用される共通時間値(積分キャパシタ214を満たす推定される時間)に正規化する。(例えば、各ユニットセル160の)各ユニットセル回路200から読み出された正規化された時間に基づく値を利用して、画像処理ユニット106は、撮像されているシーンのデジタル画像を生成することができる。
一定の期間にわたって蓄積された電荷の量をモニタするのではなく、比較的に小さい積分キャパシタを閾レベルに充電するのに必要な時間をモニタすることによって、マルチビット・アナログ−デジタル変換器及び大規模な積分キャパシタに対する依存性は、高ダイナミックレンジのユニットセルを依然として提供しながら、取り除かれ得る。その上、上述されたように、時間に基づくフラックスユニットセルを利用することによって、正確な電荷ダンプ回路の必要性は取り除かれ得、ユニットセルの電力要件は、従来のユニットセルアプローチに対して低減され得、レジスタの非同期ラッチは、従来のユニットセルアプローチで通常見られる広域電流スパイクを低減し得る。
積分回路204の動作は、図3〜6に関して以下で更に詳細に説明される。上述されたように、1つの実施形態に従って、ユニットセル回路200は、光電流に対応する電荷を積分キャパシタ214で蓄積するように構成される。例えば、図3Aは、電荷が積分キャパシタ214で蓄積するにつれて正の方向に傾いている積分キャパシタ214にかかる電圧を表すトレース301を説明するグラフ300である。図3Bは、積分キャパシタ214における正に傾いている電圧301に基づき動作する積分回路(例えば、図2の積分回路204)の一実施形態の第1の概略図302を含む。第1の概略図302に示されるように、積分回路204は、その出力部で、NOT演算を実装するコンパレータ304を含む。コンパレータ304の非反転入力部は閾電圧220(図3AのVthreshold)へ結合され、コンパレータ304の反転入力部は積分キャパシタ214へ結合されている。
電圧301が積分キャパシタ214の両端で増大するにつれて、コンパレータ304は、電圧301を閾電圧220(Vthreshold)と比較する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧301よりも大きいことに応答して、NOT演算を備えたコンパレータ304は、負ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧301よりも小さいことに応答して、NOT演算を備えたコンパレータ304は、正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。正ラッチ信号は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(上記のとおり。)。
図3Cは、積分キャパシタ214における正に傾いている電圧に基づき動作する積分回路(例えば、図2の積分回路204)の他の実施形態の第2の概略図310を含む。第2の概略図310に示されるように、積分回路204は、その出力部でコンパレータ314を含む。コンパレータ314の非反転入力部は積分キャパシタ214へ結合され、コンパレータ314の反転入力部は閾電圧220(Vthreshold)へ結合されている。電圧301が積分キャパシタ214の両端で増大するにつれて、コンパレータ314は、電圧301を閾電圧220(Vthreshold)と比較する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧301よりも大きいことに応答して、コンパレータ314は、負ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧301よりも小さいことに応答して、コンパレータ314は、正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。正ラッチ信号は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(上記のとおり。)。
上述されたように、ユニットセル回路200は、光電流に対応する電荷が積分キャパシタ214で蓄積して、電荷が積分キャパシタ214で蓄積するにつれて正方向に傾く(すなわち、増大する)電圧を積分キャパシタ214の両端で生じさせるように、構成される。しかし、他の実施形態では、ユニットセル回路200は、異なるように構成されてよい。1つの実施形態において、光検出器202に入射する光学的放射に応じた光電流を受けることに応答して、光電流に対応する電荷、特に、光検出器202によって受け取られる光学的放射のフラックスレベル(すなわち、強さ/輝度)は、入力回路212によって積分キャパシタ214から取り除かれる。そのようなものとして、かような実施形態では、回路200に入射する光学的放射に応じた光電流を入力回路212が受ける場合に、積分キャパシタ214にかかる電圧は負方向に傾く(すなわち、低下する)。
例えば、図4Aは、回路200に入射する光に応じて光電流が生成されることに応答して負方向に傾く積分キャパシタ214にかかる電圧を表すトレース401を説明するグラフ400である。図4Bは、積分キャパシタ214における負に傾いている電圧401に基づき動作する積分回路(例えば、図2の積分回路204)の一実施形態の第1の概略図402である。第1の概略図402に示されるように、積分回路204は、その出力部でコンパレータ404を含む。コンパレータ404の非反転入力部は閾電圧220(図4AのVthreshold)へ結合され、コンパレータ404の反転入力部は積分キャパシタ214へ結合されている。
電圧401が積分キャパシタ214の両端で低下するにつれて、コンパレータ404は、電圧401を閾電圧220(Vthreshold)と比較する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧401よりも小さいことに応答して、コンパレータ404は、負ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧401よりも大きいことに応答して、コンパレータ404は、正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。正ラッチ信号は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(上記のとおり。)。
図4Cは、積分キャパシタ214における負に傾いている電圧に基づき動作する積分回路(例えば、図2の積分回路204)の他の実施形態の第2の概略図410である。第2の概略図410に示されるように、積分回路204は、その出力部でコンパレータ414を含む。コンパレータ414の反転入力部は、積分キャパシタ214へ、かつ、インバータ416を介して入力回路212へ結合されている。コンパレータ414の非反転入力部は閾電圧220(Vthreshold)へ結合されている。電圧401が積分キャパシタ214の両端で低下するにつれて、コンパレータ414は、電圧401を閾電圧220(Vthreshold)と比較する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧401よりも小さいことに応答して、コンパレータ414は、負ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。閾電圧220(Vthreshold)が積分キャパシタ214にかかる電圧401よりも大きいことに応答して、コンパレータ414は、正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。正ラッチ信号は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(上記のとおり。)。
少なくとも1つの実施形態に従って、ユニットセル回路200は、複数の積分回路204を含むよう構成される。例えば、図5は、少なくとも1つの実施形態に従って、ユニットセル回路内で並列結合された複数の積分回路502a、502xの概略図500である。夫々の積分回路502a、502xは、夫々の積分回路502a、502xの出力505a、505x(すなわち、夫々のコンパレータ504a、504xの出力505a、505x)が論理ゲート522へ結合されている点を除いて、図3A〜4Cに関して上述された積分回路302、310、402、410と略同じように動作するよう構成され得る。1つの実施形態において、論理ゲート522はORゲートである。しかし、他の実施形態では、論理ゲート522は他のタイプのゲート(例えば、ANDゲート)であってもよい。論理ゲート522がORゲートであるとして、積分回路502a、502aのうちのいずれか1つが正信号を出力する場合に(上記のとおり。)、ORゲート522は正信号を受信し、相応して正ラッチ信号をレジスタ208(図2に図示。)へ出力する。正ラッチ信号は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(図2に図示され、上述されたとおり。)。
2つのコンパレータを利用すること(図5に図示されたとおり。)によって、ユニットセル回路200は、異なるタイプの光(異なる波長を有している光)を捕らえるよう、正に傾いている積分キャパシタ電圧及び負に傾いている積分キャパシタ電圧の両方に対して作用することができる。例えば、1つの実施形態に従って、コンパレータ504aは、図3Bに関して上述された積分回路302と略同じように動作する(すなわち、入力回路512aによって保持される正に傾いている積分キャパシタ電圧に対して作用する)よう構成され、コンパレータ504xは、図4Bに関して上述された積分回路402と略同じように動作する(すなわち、入力回路512xによって保持される負に傾いている積分キャパシタ電圧に対して作用する)よう構成される。かようなデュアルバンド実施形態において、積分回路502aは、第1の波長を有してユニットセル回路200に入射する光に対応する電荷を積分キャパシタ514aで蓄積するよう構成され得、積分回路502xは、第2の波長を有してユニットセル回路200に入射する光に対応する電荷を積分キャパシタ514xで取り除くよう構成され得る。積分キャパシタ514aにおける電圧が閾電圧520aを超えるか、又は積分キャパシタ514xにおける電圧が閾電圧520xを下回る場合には、ORゲート522は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する正ラッチ信号をレジスタ208へ出力する(上記のとおり。)。
図6は、図2のユニットセル回路200内で連結されている複数の積分回路602a、602xを含む他の実施形態の概略図600である。夫々の積分回路602a、602xは、夫々の積分回路602a、602xが同じ閾電圧基準620及び同じコンパレータ604を利用する点を除いて、図3Bに関して上述された積分回路302と略同じように構成され(、動作す)る(すなわち、入力回路612a、612xによって保持される正に傾いている積分キャパシタ電圧に対して作用する)。より具体的には、コントローラ(例えば、画像処理ユニット106)は、第1の時間に積分キャパシタ614aをコンパレータ604へ結合するよう第1スイッチ622aを作動させ、第2の時間に積分キャパシタ614xをコンパレータ604へ結合するよう第2スイッチ622xを作動させる。第1スイッチ622aが閉じられている第1の時間中に、積分キャパシタ614aにかかる電圧が閾電圧基準620を超える場合には、コンパレータ604は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する(上記のとおり。)。第2スイッチ622xが閉じられている第2の時間中に、積分キャパシタ614xにかかる電圧が閾電圧基準620を超える場合には、コンパレータ604は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する(図2に図示され、上述されたとおり。)正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する(図2に図示。)。
上述されたように(例えば、図5〜6に示されたように)、2つの積分回路は、ユニットセル内で並列に連結される。しかし、他の実施形態では、積分回路はいくつでも、並列に選択的に連結可能である。例えば、X=0〜Xの繰り返される積分回路を考えると、A〜X個の積分回路が並列に選択的に連結され得る。
他の実施形態に従って、ユニットセル回路200は、異なる積分キャパシタ極性ランプ、閾値、及び複数の積分キャパシタに適応するよう任意の数の種々の方法で適応され得る。例えば、ユニットセル回路200は、コンパレータ(例えば、シングルビットA/Dコンバータ)及び対応するラッチ機能が異なる実施に適応することを可能にするよう、ユニットセル回路200の複製された部分又は追加のインバータ回路を含むことができる。
上述されたように、ユニットセル回路200は、少なくとも1つの閾電圧基準を、少なくとも1つの積分キャパシタにかかる電圧と比較する。1つの実施形態において、閾電圧基準は予め定義される。他の実施形態では、閾電圧基準は、異なるユニットセルトポロジ及び検知信号極性をサポートするようプログラム可能又は選択可能である。
また上述されたように、コンパレータは、カウンタの現在の値をラッチするようレジスタを制御する正ラッチ信号をレジスタへ供給する。少なくとも1つの実施形態において、出力されるラッチ信号は、異なる実施に適応するよう反転されてもよい。少なくとも1つの実施形態に従って、上記のユニットセル回路によって利用される少なくとも1つのコンパレータは、時間値の複数のラッチングを防ぐヒステリシス機能を備えてよい。
上述されたように、ユニットセル回路200は、カウンタ206の現在の値をラッチするようレジスタ208を制御する正ラッチ信号をレジスタ208へ供給する。カウンタ206は、画像センサ120に含まれるアレイ170内の1つよりも多いユニットセル160へ結合される部分的カウンタ、画像センサ120のアレイ170内の各ユニットセル160へ結合される大域的カウンタ、又は画像センサ120のアレイ170内の単一のユニットセル160へのみ結合される局所的カウンタであってよい。少なくとも1つの実施形態に従って、ユニットセル回路200のカウンタ206及びレジスタ208は一体化される。他の実施形態では、カウンタ206及びレジスタ208は、シリアル又はパラレルバスを介して連結される。少なくとも1つの実施形態において、カウンタ206は線形カウンタである。他の実施形態では、カウンタ206は非線形カウンタである。他の実施形態では、カウンタ206は、如何なる他の適切なタイプのカウンタであることもできる(例えば、グレイコードカウンタ、線形シフトレジスタ、など)。上述されたように、カウンタ206は、カウンタ値をインクリメントするよう構成される。しかし、少なくとも1つの他の実施形態では、カウンタ206は、リセット条件からカウンタ値をデクリメントするよう構成される。
1つの実施形態に従って、レジスタ208は、ユニットセル回路200内に位置する局所的レジスタであってよい。他の実施形態では、レジスタ208は、ユニットセル回路200の外に位置する遠隔レジスタである。1つの実施形態において、レジスタ208はメモリ記憶デバイスである。
少なくとも1つの実施形態に従って、第1リセット信号(Reset)222はまた、レジスタ208がカウンタ206の値を獲得すると、光電流をダンプするためにも使用され得る。この機能は、隣接するピクセルに対する過剰な光電流の影響を軽減するために利用され得る。
本明細書で説明される様々な態様及び実施形態は、改善された高ダイナミック強度レンジのイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセル回路を提供する。特に、従来のアプローチによって提案されているように一定の積分期間にフラックスを積分することよりむしろ、本明細書で説明されるイメージングシステム、FPA、及びイメージングシステムユニットセルの様々な態様及び実施形態は、可変な量の時間に一定量のフラックスを積分するよう構成される。より具体的には、本明細書で記載されるフラックスレートユニットセルは、カウンタが動作している(例えば、インクリメントしている)間、比較的に小さいサイズの積分キャパシタにおいてフラックスを積分する。積分キャパシタにおける電荷が所望の閾レベルに達する場合に、カウンタの値はレジスタにラッチされる。ピクセルの時間に基づくレジスタ値は、ユニットセルの積分されたフラックス値をシステム内の他のユニットセルに対して推定するために、共通時間値(例えば、積分キャパシタを満たす推定される時間)に正規化され得る。
一定の期間にわたって蓄積された電荷の量をモニタするのではなく、比較的に小さい積分キャパシタを閾レベルに充電するのに必要な時間をモニタすることによって、マルチビット・アナログ−デジタル変換器及び大規模な積分キャパシタに対する依存性は、高ダイナミックレンジのユニットセルを依然として提供しながら、取り除かれ得る。その上、上述されたように、時間に基づくフラックスユニットセルを利用することによって、正確な電荷ダンプ回路の必要性は取り除かれ得、ユニットセルの電力要件は、従来のユニットセルアプローチに対して低減され得、非同期ラッチは、従来のユニットセルアプローチで通常見られる広域電流スパイクを低減し得る。
このように本発明の少なくとも1つの実施形態のいくつかの態様について記載してきたが、当然ながら、様々な代替、変更、及び改善は当業者に容易に想到可能である。そのような代替、変更、及び改善は、本開示の部分であるよう意図され、本発明の精神及び適用範囲の中にあるよう意図される。然るに、上記の記載及び図面は、単なる一例である。

Claims (20)

  1. 光学的放射を受けることに応答して光電流を生成するよう構成される光検出器と、
    第1積分キャパシタと、
    前記光検出器へ及び前記第1積分キャパシタへ結合され、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで保持するよう構成される第1入力回路と、
    前記第1積分キャパシタへ結合され、該第1積分キャパシタにかかる第1積分電圧を第1閾基準電圧と比較するよう構成される第1コンパレータと、
    前記第1コンパレータへ結合されるレジスタと、
    前記レジスタへ結合され、前記積分期間にわたってカウンタ値を繰り返しインクリメントするよう構成されるカウンタと
    を有し、
    前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される第1出力信号を出力するよう更に構成される、
    イメージングシステムユニットセル回路。
  2. 前記第1入力回路は、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで蓄積するよう更に構成され、
    前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記第1出力信号を出力するよう更に構成され、
    前記第1出力信号を受信することに応答して、前記レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される、
    請求項1に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  3. 前記レジスタへ結合される画像処理ユニットを更に有し、
    前記画像処理ユニットは、
    前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出し、
    前記ラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化し、
    前記正規化されたカウンタ値に少なくとも部分的に基づきデジタル画像を生成する
    よう構成される、
    請求項2に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  4. 前記第1入力回路は、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を前記第1積分キャパシタから取り除くよう更に構成され、
    前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、前記第1コンパレータは、前記第1出力信号を出力するよう更に構成され、
    前記第1出力信号を受信することに応答して、前記レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される、
    請求項1に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  5. 第2積分キャパシタと、
    前記光検出器へ及び前記第2積分キャパシタへ結合され、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第2積分キャパシタで保持するよう構成される第2入力回路と
    を更に有する、
    請求項1に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  6. 前記第2積分キャパシタへ結合され、該第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を第2閾基準電圧と比較するよう構成される第2コンパレータを更に有し、
    前記第2積分電圧が前記第2閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第2コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される第2出力信号を出力するよう更に構成される、
    請求項5に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  7. ORゲートを更に有し、
    前記第1コンパレータは、前記ORゲートへ結合される第1出力部を含み、
    前記第2コンパレータは、前記ORゲートへ結合される第2出力部を含み、
    前記ORゲートは、前記第1出力信号及び前記第2出力信号のうちの少なくとも一方を受信するよう、かつ、前記第1出力信号及び前記第2出力信号のうちの少なくとも一方を受信することに応答して前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを制御するよう構成される、
    請求項6に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  8. 前記第1積分キャパシタと前記第1コンパレータとの間に結合される第1スイッチと、
    前記第2積分キャパシタと前記第1コンパレータとの間に結合される第2スイッチと、
    前記第1スイッチへ及び前記第2スイッチへ結合され、前記第1積分キャパシタを前記第1コンパレータへ選択的に結合する第1動作モードにおいて前記第1スイッチを閉じるように動作させ、前記第2積分キャパシタを前記第1コンパレータへ選択的に結合する第2動作モードにおいて前記第2スイッチを閉じるように動作させるよう構成されるコントローラと
    を更に有し、
    前記第1動作モードの間、前記第1コンパレータは、前記第1積分キャパシタにかかる前記第1積分電圧を前記第1閾基準電圧と比較し、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して前記一定のレベルにあると決定することに応答して、前記第1出力信号を出力するよう構成され、
    前記第2動作モードの間、前記第1コンパレータは、前記第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を前記第1閾基準電圧と比較し、前記第2積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して前記一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記ラッチを制御するよう構成される第2出力信号を出力するよう構成される、
    請求項5に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  9. 前記第1積分キャパシタにわたって結合されるスイッチを更に有し、
    前記積分期間の開始時にコントローラから第1リセット信号を受信することに応答して、前記スイッチは、前記第1積分キャパシタが接地に放電するように、前記第1積分キャパシタを接地へ選択的に結合するよう構成される、
    請求項1に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  10. 前記カウンタは、前記積分期間の前記開始時に前記コントローラから第2リセット信号を受信するよう更に構成され、
    前記第2リセット信号を受信することに応答して、前記カウンタは、前記カウンタ値をリセットするよう構成される、
    請求項9に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  11. 前記レジスタは、前記積分期間の前記開始時に前記コントローラから第3リセット信号を受信するよう構成され、
    前記第3リセット信号を受信することに応答して、前記レジスタは、該レジスタをクリアするよう構成される、
    請求項10に記載のイメージングシステムユニットセル回路。
  12. 画像を検出する方法であって、
    光検出器により、該光検出器で光学的放射を受けることに応答して光電流を生成することと、
    前記光検出器へ結合される第1入力回路により、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を第1積分キャパシタで保持することと、
    前記第1積分キャパシタにかかる第1積分電圧を第1閾基準電圧と比較することと、
    前記積分期間にわたってカウンタのカウンタ値を繰り返しインクリメントすることと、
    前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするようにレジスタを動作させるよう第1出力信号を前記レジスタへ供給することと
    を有する方法。
  13. 電荷を前記第1積分キャパシタで保持することは、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記第1積分キャパシタで蓄積することを含み、
    前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう前記第1出力信号を前記レジスタへ供給することは、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させることを含む、
    請求項12に記載の方法。
  14. 電荷を前記第1積分キャパシタで保持することは、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を前記第1積分キャパシタから取り除くことを含み、
    前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう前記第1出力信号を前記レジスタへ供給することは、前記第1積分電圧が前記第1閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させることを含む、
    請求項12に記載の方法。
  15. 前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出すことと、
    前記ラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化することと、
    前記正規化されたカウンタ値に少なくとも部分的に基づきデジタル画像を生成することと
    を更に有する、
    請求項12に記載の方法。
  16. 前記積分期間の開始時に少なくとも1つのリセット信号を受信することと、
    前記積分期間の前記開始時に前記少なくとも1つのリセット信号を受信することに応答して、前記第1積分キャパシタが接地に放電するように前記第1積分キャパシタを接地へ選択的に結合し、前記カウンタ値をリセットし、前記レジスタをクリアすることと
    を更に有する、
    請求項12に記載の方法。
  17. 前記光検出器へ結合される第2入力回路により、前記積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を第2積分キャパシタで保持することと、
    前記第2積分キャパシタにかかる第2積分電圧を第2閾基準電圧と比較することと、
    前記第2積分電圧が前記第2閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように前記レジスタを動作させるよう第2出力信号を前記レジスタへ供給することと
    を更に有する、
    請求項12に記載の方法。
  18. 複数のユニットセルを含む焦点面アレイであり、前記複数のユニットセルの各ユニットセルが、光学的放射を受けることに応答して光電流を生成するよう構成される光検出器と、積分キャパシタと、前記光検出器へ及び前記積分キャパシタへ結合され、積分期間中に前記光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を前記積分キャパシタで保持するよう構成される入力回路と、前記積分キャパシタへ結合され、該積分キャパシタにかかる積分電圧を閾基準電圧と比較するよう構成されるコンパレータとを有する、前記焦点面アレイと、
    夫々のレジスタが、前記複数のユニットセルのうちの1つのユニットセルの前記コンパレータへ結合される、複数のレジスタと、
    前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタへ結合され、前記積分期間にわたってカウンタ値を繰り返しインクリメントするよう構成されるカウンタと、
    前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタへ結合される画像処理ユニットと
    を有し、
    前記積分電圧が前記閾基準電圧に対して一定のレベルにあると決定することに応答して、各コンパレータは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするように対応するレジスタを制御するよう構成される出力信号を出力するよう更に構成され、
    前記画像処理ユニットは、前記複数のユニットセルの各ユニットセルの前記レジスタから前記ラッチされたカウンタ値を読み出し、夫々の読み出されたラッチされたカウンタ値を共通時間値に正規化し、該正規化されたカウンタ値の夫々に基づきデジタル画像を生成するよう構成される、
    イメージングシステム。
  19. 各入力回路は、前記積分期間中に対応する光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷を対応する積分キャパシタで蓄積するよう更に構成され、
    対応する積分電圧が対応する閾基準電圧よりも大きいと決定することに応答して、各コンパレータは、前記出力信号を出力するよう更に構成され、
    前記出力信号を受信することに応答して、各レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される、
    請求項18に記載のイメージングシステム。
  20. 各入力回路は、前記積分期間中に対応する光検出器から受け取られる前記光電流に対応する電荷の量を対応する積分キャパシタから取り除くよう更に構成され、
    対応する積分電圧が対応する閾基準電圧よりも小さいと決定することに応答して、各コンパレータは、前記出力信号を出力するよう更に構成され、
    前記出力信号を受信することに応答して、各レジスタは、前記カウンタの前記カウンタ値をラッチするよう構成される、
    請求項18に記載のイメージングシステム。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11297258B2 (en) * 2015-10-01 2022-04-05 Qualcomm Incorporated High dynamic range solid state image sensor and camera system
CN108881544B (zh) * 2018-06-29 2020-08-11 维沃移动通信有限公司 一种拍照的方法及移动终端
WO2020142149A1 (en) * 2018-12-31 2020-07-09 Flir Commercial Systems, Inc. Analog-to-digital conversion systems and methods with pulse generators
US11894670B2 (en) * 2021-09-21 2024-02-06 Raytheon Company High-energy suppression for infrared imagers or other imaging devices
US11843355B2 (en) 2022-02-04 2023-12-12 Raytheon Company High-energy suppression for capacitor transimpedance amplifier (CTIA)-based imagers or other imaging devices

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3146502B2 (ja) 1990-08-30 2001-03-19 富士電機株式会社 フォトセンサ回路
US6373050B1 (en) * 1998-10-07 2002-04-16 California Institute Of Technology Focal plane infrared readout circuit with automatic background suppression
US6671345B2 (en) 2000-11-14 2003-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data acquisition for computed tomography
US7176970B2 (en) * 2003-06-30 2007-02-13 Motorola, Inc. Light sensing pixel sensor and method
DE102005017158B4 (de) 2005-04-14 2007-12-06 Basler Ag Verfahren zum Erzeugen eines digitalen Ausgangssignals eines lichtempfindlichen Sensors und dessen Aufbau
US8179296B2 (en) 2005-09-30 2012-05-15 The Massachusetts Institute Of Technology Digital readout method and apparatus
US20100226495A1 (en) * 2007-10-29 2010-09-09 Michael Kelly Digital readout method and apparatus
JP2010004025A (ja) 2008-05-21 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置の駆動方法、並びに当該光電変換装置を具備する電子機器
US8625012B2 (en) 2009-02-05 2014-01-07 The Hong Kong University Of Science And Technology Apparatus and method for improving dynamic range and linearity of CMOS image sensor
US8704144B2 (en) 2010-10-27 2014-04-22 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Dual speed readout integrated circuit for high spatial and temporal resolution applications
US8604774B2 (en) 2010-12-07 2013-12-10 Himax Technologies Limited Current sensing circuit with feedback control and dual capacitor set range setting
US8581168B2 (en) 2011-03-29 2013-11-12 Flir Systems, Inc. Dual well read-out integrated circuit (ROIC)
US8890052B2 (en) 2011-05-03 2014-11-18 Raytheon Company Shift register with two-phase non-overlapping clocks
WO2013127450A1 (en) * 2012-02-29 2013-09-06 Sabanci Üniversitesi Self-reset asynchronous pulse frequency modulated droic with extended counting and having reduced quantization noise
WO2013158965A1 (en) 2012-04-19 2013-10-24 Raytheon Company Repartitioned digital pixel
US9172873B2 (en) * 2012-06-01 2015-10-27 Forza Silicon Corporation CTIA in-pixel correlated double sampling with snapshot operation for IR readout integrated circuits
CN104704812B (zh) * 2012-10-05 2018-05-25 拉姆伯斯公司 集成电路图像传感器以及在其中操作的方法
US9094628B2 (en) 2013-10-27 2015-07-28 Raytheon Company Address mapped repartitioned digital pixel
EP3100451B1 (en) * 2014-01-28 2021-08-25 MBDA UK Limited Improved imaging method and apparatus
US10027917B2 (en) * 2014-10-06 2018-07-17 Forza Silicon Corporation In-pixel correlated double sampling with fold-over detection
US9647655B2 (en) 2015-03-27 2017-05-09 Raytheon Company Current to frequency converter

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