JP2019523910A - 深度取得及び3次元撮像のためのライトフィールド撮像デバイス及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記シーンから出る光波面を受け取るよう構成された回折格子アセンブリと、
前記回折格子アセンブリの下方に配置され、回折された波面をライトフィールド画像データとして検出する複数の感光画素を有する画素アレイと、を備え、
前記回折格子アセンブリは、格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子であって前記光波面を回折させて回折波面を生成する回折格子を備え、
前記画素アレイは、前記格子周期よりも小さい、前記格子軸に沿った画素ピッチを有する。
前面および背面を有する基板と、
前記基板の背面の上方に設けられ前記シーンから出る光波面を受け取る回折格子アセンブリと、
前記基板内に形成された画素アレイと、
前記前面の下方に設けられ前記画素アレイに結合された画素アレイ回路と、を備え、
前記回折格子アセンブリは、格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子であって前記光波面を回折させて回折波面を生成する回折格子を備え、
前記画素アレイは、前記回折波面を、前記背面を通じて受け取り前記ライトフィールド画像データとして検出するように構成された複数の感光画素を備え、前記格子周期よりも小さい、前記格子軸に沿った画素ピッチを有する。
格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子を備えた回折格子アセンブリと、
前記回折格子の下方に配置された複数の感光画素を備えた画素アレイであって、前記格子周期よりも小さい、格子軸に沿った画素ピッチを有する画素アレイと、を備える。
格子軸と前記格子軸に沿った格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子を備え、
前記格子周期は、前記格子軸に沿った画素アレイの画素ピッチよりも大きく、
前記回折格子は、前記ライトフィールド画像データとして感光画素によって検出する回折波面を生成するために、前記シーンから生じる光波面を受け取り、回折するように構成され、
当該回折格子アセンブリは、前記画素アレイの上方に配置されるように構成されている。
回折波面を生成するために、格子軸に沿って格子周期を有する回折格子でシーンから発する光波面を回折するステップと、
前記回折格子の下方に配置された複数の感光画素を含む画素アレイであって前記格子周期よりも小さい格子軸に沿った画素ピッチを有する画素アレイにより前記回折波面を前記ライトフィールド画像データとして検出するステップと、を備える。
格子軸と前記格子軸に沿った格子周期とを有する回折格子を備えた回折格子アセンブリを画像センサの前に配置するステップと、
前記回折格子で前記シーンから発する光波面を受け取って回折し、回折波面を生成するステップと、
前記感光画素で前記回折波面を検出するステップと、を備える。そして、前記格子周期は、前記格子軸に沿った画素アレイの画素ピッチより大きい。
図1および図2を参照すると、観察可能なシーン22に関するライトフィールドまたは深度画像データをキャプチャするためのライトフィールド撮像デバイス20の例示的な実施形態の概略図が提供されている。本明細書では、「ライトフィールド撮像デバイス」という用語は、シーンから発するライトフィールドまたは波面を表す画像を取得することができ、画像平面における光強度だけでなく、例えば光線がデバイスに入る方向およびライトフィールドのスペクトルなどの他のライトフィールドパラメータに関する情報を含む任意の画像キャプチャデバイスを広く指す。本明細書では、「ライトフィールド撮像デバイス」という用語は、「ライトフィールドカメラ」、「ライトフィールドイメージャ」、「ライトフィールドイメージキャプチャデバイス」、「深度イメージキャプチャデバイス」、「3Dイメージキャプチャデバイス」などの用語と互換的に使用することができることに留意されたい。
Ibase=I(bankn)+I(bankn+1)、 (3)
Imod=I(bankn)−I(bankn+1). (4)
IR〜Imod,R(奥行き情報)×Ibase,R(2Dイメージ)、 (5)
IG〜Imod,G(奥行き情報)×Ibase,G(2Dイメージ)、 (6)
IB〜Imod,B(深度情報)×Ibase,B(2Dイメージ)。 (7)
図10において、強度プロファイルIGおよびIBは、それぞれ一点鎖線および点線で示されている。
図17を参照すると、別の態様によれば、本説明は、シーン22の周囲のライトフィールド画像データをキャプチャするために複数の感光画素40を有する画素アレイ38を含む画像センサ94と共に使用するための回折格子アセンブリ24にも関する。画素アレイ38の上方に配置されるように構成された回折格子アセンブリ24は、格子軸30を有する回折格子28と、格子軸30に沿った格子周期34を有する屈折率変調パターン32とを含み、格子周期34が格子軸30に沿った画素アレイ38の画素ピッチ62よりも大きい限り、ライトフィールド撮像デバイスの実施に関して上述したものと多くの類似点を共有することができる。例えば、格子軸30に沿った画素ピッチ62に対する格子周期34の比は、2または2の整数倍に等しくすることができる。いくつかの実施態様では、回折格子28は、バイナリ位相格子とすることができ、屈折率変調パターン32は、交互のリッジ52および溝54を含むことができる。回折格子28は、ライトフィールド画像データとして感光画素40によって検出される回折波面36を生成するために、シーン22から発せられる光波面26を受け取り、回折するように構成される。カラー撮像用途向けのいくつかの実施形態では、回折格子アセンブリ24は、画像センサ94のカラーフィルタアレイ42の上方に配置されるように構成される。カラーフィルタアレイ42は、画素アレイ38の上方に配置され、複数の感光画素40によって検出される前に、回折波面36を空間的およびスペクトル的にフィルタリングするように構成される。
別の態様によれば、本説明は、シーンに関するライトフィールド画像データをキャプチャする方法、ならびに従来の2D画像センサに3D画像化能力を提供する方法を含む、様々なライトフィールド画像化方法にも関する。これらの方法は、上述したようなライトフィールド撮像デバイスおよび回折格子アセンブリ、または他の類似のデバイスおよびアセンブリを用いて実行することができる。
Claims (89)
- シーンに関するライトフィールド画像データをキャプチャするためのライトフィールド撮像デバイスであって、
前記シーンから出る光波面を受け取るように構成された回折格子アセンブリと、
前記回折格子アセンブリの下方に配置され、回折された波面をライトフィールド画像データとして検出する複数の感光画素を有する画素アレイと、を備え、
前記回折格子アセンブリは、格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子であって前記光波面を回折させて回折波面を生成する回折格子を備え、
前記画素アレイは、前記格子周期よりも小さい、前記格子軸に沿った画素ピッチを有する、ライトフィールド撮像デバイス。 - 前記画素アレイの上方に配置され、モザイク色パターンで配置された複数のカラーフィルタを備えるカラーフィルタアレイをさらに備え、前記カラーフィルタアレイは、前記複数の感光画素による前記回折波面の検出の前に、前記モザイク色パターンに従って前記回折波面を空間的かつスペクトル的にフィルタリングする、請求項1に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記カラーフィルタの各々が、前記感光画素の対応する1つに光学的に結合される、請求項2に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記カラーフィルタの各々が、前記複数の感光画素のうちの少なくとも2つの対応する画素に光学的に結合される、請求項2に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記カラーフィルタの各々が、赤色パスフィルタ、緑色パスフィルタ、および青色パスフィルタのうちの1つである、請求項2〜4のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記モザイク色パターンがベイヤーパターンである、請求項2〜5のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、前記光波面を400ナノメートル〜1550ナノメートルの範囲の波長帯で回折するように構成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の周期は、1マイクロメートルから20マイクロメートルの範囲である、請求項1から7のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、前記格子周期の2〜10回の繰り返しを含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子が位相格子である、請求項1〜9のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、バイナリ位相格子であり、前記屈折率変調パターンは、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連のリッジを備え、当該リッジは前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互に配置されている、請求項10に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、約50%のデューティサイクルを有する、請求項11に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記感光画素の各々が、前記リッジの対応する1つまたは前記溝の対応する1つの下方に当該リッジまたは溝に整列して位置する、請求項12に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記感光画素の各々が、前記リッジの対応する1つと当該リッジに隣接する前記溝の1つとの間の移行部の下方に当該移行部に整列して位置する、請求項12に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子が、50%とは異なるデューティサイクルを有する、請求項11に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記一連のリッジは、前記一連の溝に対して0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲のステップ高さを有する、請求項11から15のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の前記屈折率変調パターンと前記画素アレイの受光面との離間距離が0.5マイクロメートル〜20マイクロメートルである、請求項1〜16のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の前記屈折率変調パターンと前記画素アレイの受光面との離間距離が、前記光波面の中心波長の約10倍未満であることを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記格子軸に沿った前記画素ピッチに対する前記格子周期の比は、実質的に2に等しい、請求項1から18のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の感光画素は、2つの直交する画素軸によって画定される矩形画素グリッドに配置され、前記格子軸は、前記2つの直交する画素軸のうちの1つに平行であるか、または前記2つの直交する画素軸の両方に斜めであるかのいずれかである、請求項1から19のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記画素ピッチが、1マイクロメートルから10マイクロメートルの範囲である、請求項1から20のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記シーンと前記回折格子アセンブリとの間の前記光波面の光路に配置された分散光学素子をさらに含み、前記分散光学素子は、前記光波面を受け取ってスペクトル分散させるように構成される、請求項1から21のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記画素アレイの上方に配置され、複数のマイクロレンズを備えるマイクロレンズアレイをさらに備え、各マイクロレンズは、前記感光画素の対応する1つに光学的に結合される、請求項1から22のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 背面照明構成では前記画素アレイの下方に、または、前面照明構成では前記回折格子アセンブリと前記画素アレイとの間に、配置される画素アレイ回路をさらに備える、請求項1から23のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、前記回折格子アセンブリの複数の回折格子の1つであり、当該複数の回折格子は、前記画素アレイの上方に設けられた二次元格子アレイに配置されている、請求項1から24のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の回折格子は、複数の回折格子のセットを含み、前記セットのうちの互いに異なるセットの回折格子の格子軸は、異なる配向を有する、請求項25に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の複数のセットは、回折格子の第1のセットと、回折格子の第2のセットとを含み、前記第1のセットの回折格子の格子軸は、前記第2のセットの回折格子の格子軸に実質的に垂直に延在する、請求項26に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の各々が、屈折率変調パターンが形成された上面を有する格子基板を備え、前記格子基板は、前記複数の感光画素による前記回折波面の検出の前に前記回折波面をスペクトル的にフィルタリングするように構成されたスペクトルフィルタ材料または領域を含み、したがって前記複数の回折格子がカラーフィルタアレイを形成する、請求項24〜27のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記格子基板の各々が、赤色パスフィルタ、緑色パスフィルタ、および青色パスフィルタのうちの1つとして働く、請求項28に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記カラーフィルタアレイは、ベイヤーパターンで配置される、請求項28または29に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- シーンに関するライトフィールド画像データをキャプチャするための背面照明ライトフィールド撮像デバイスであって、当該背面照明ライトフィールド撮像デバイスは、
前面および背面を有する基板と、
前記基板の背面の上方に設けられ前記シーンから出る光波面を受け取る回折格子アセンブリと、
前記基板内に形成された画素アレイと、
前記前面の下方に設けられ前記画素アレイに結合された画素アレイ回路と、を備え、
前記回折格子アセンブリは、格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子であって前記光波面を回折させて回折波面を生成する回折格子を備え、
前記画素アレイは、前記回折波面を、前記背面を通じて受け取り前記ライトフィールド画像データとして検出するように構成された複数の感光画素を備え、前記格子周期よりも小さい、前記格子軸に沿った画素ピッチを有する、背面照明ライトフィールド撮像デバイス。 - 前記背面の上方に配置され、モザイク色パターンで配置された複数のカラーフィルタを備えるカラーフィルタアレイをさらに備え、前記カラーフィルタアレイは、前記複数の感光画素による前記回折波面の検出の前に、前記モザイク色パターンに従って前記回折波面を空間的かつスペクトル的にフィルタリングする、請求項31に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記モザイク色パターンがベイヤーパターンである、請求項32に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、バイナリ位相格子であり、前記屈折率変調パターンは、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連のリッジを備え、当該リッジは前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互に配置されている、請求項31〜33のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、約50%のデューティサイクルを有し、前記感光画素の各々は、前記リッジの対応する1つ又は前記溝の対応する1つの下方に当該リッジまたは溝に整列して位置する、請求項34に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子が約50%のデューティサイクルを有し、各感光画素が、前記リッジの対応する1つと当該リッジに隣接する前記溝の1つとの間の移行部の下方に当該移行部に整列して位置する、請求項34に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の屈折率変調パターンと前記画素アレイの受光面との離間距離が0.5マイクロメートル〜5マイクロメートルである、請求項31〜36のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記格子軸に沿った前記画素ピッチに対する前記格子周期の比が、実質的に2に等しい、請求項31から37のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の感光画素は、2つの直交する画素軸によって画定される矩形画素グリッドに配置され、前記格子軸は、前記2つの直交する画素軸のうちの1つに平行であるか、または前記2つの直交する画素軸の両方に斜めであるかのいずれかである、請求項31〜38のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記画素ピッチが、1マイクロメートルから5マイクロメートルの範囲である、請求項31から39のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記シーンと前記回折格子アセンブリとの間の前記光波面の光路に配置された分散光学素子をさらに含み、前記分散光学素子は、前記光波面を受け取ってスペクトル分散させるように構成される、請求項31〜40のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記画素アレイの上方に配置され、複数のマイクロレンズを備えるマイクロレンズアレイをさらに備え、各マイクロレンズは、前記感光画素の対応する1つに光学的に結合される、請求項31〜41のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、前記回折格子アセンブリの複数の回折格子の1つであり、前記複数の回折格子は、前記画素アレイの上方に設けられた二次元格子アレイに配置される、請求項31から42のいずれか一項に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の回折格子は、複数の回折格子のセットを含み、前記セットのうちの互いに異なるセットの回折格子の格子軸は、異なる配向を有する、請求項43に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の複数のセットは、回折格子の第1のセットと、回折格子の第2のセットとを含み、前記第1のセットの回折格子の格子軸は、前記第2のセットの回折格子の格子軸に実質的に垂直に延在する、請求項44に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。
- 前記背面の上方に配置されたカラーフィルタアレイと、前記カラーフィルタアレイの上方に配置されたマイクロレンズアレイと、をさらに備え、
前記カラーフィルタアレイは、複数の感光画素の対応する1つにそれぞれ光学的に結合される複数のカラーフィルタを備え、前記複数の感光画素によって前記回折波面が検出される前に、前記回折波面を空間的かつスペクトル的にフィルタリングし、
前記マイクロレンズアレイは、前記複数のカラーフィルタの対応する1つに光学的に結合されるマイクロレンズの複数個を備え、
前記回折格子は、前記屈折率変調パターンが形成された上面と、前記マイクロレンズアレイの上方に配置された底面とを有する格子基板をさらに備える、請求項31に記載の背面照明ライトフィールド撮像デバイス。 - ライトフィールド撮像デバイスであって、
格子軸と当該格子軸に沿って格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子を備えた回折格子アセンブリと、
前記回折格子の下方に配置された複数の感光画素を備えた画素アレイであって、前記格子周期よりも小さい格子軸に沿った画素ピッチを有する画素アレイと、を備えたライトフィールド撮像デバイス。 - 前記画素アレイの上方に配置され、モザイク色パターンで配置された複数のカラーフィルタを備えるカラーフィルタアレイをさらに備え、前記カラーフィルタアレイは、前記複数の感光画素による前記回折波面の検出の前に、前記モザイク色パターンに従って前記回折波面を空間的かつスペクトル的にフィルタリングする、請求項47に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の周期は、1マイクロメートルから20マイクロメートルの範囲である、請求項47または48に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、バイナリ位相格子であり、前記屈折率変調パターンは、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連のリッジを備え、当該リッジは前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互に配置される、請求項47から49のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、約50%のデューティサイクルを有し、各感光画素は、前記リッジの対応する1つ又は前記溝の対応する1つの下方に当該リッジまたは溝に整列して位置する、請求項50に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、約50%のデューティサイクルを有し、各感光画素は、前記リッジの対応する1つと当該リッジに隣接する前記溝の1つとの間の移行部の下方に当該移行部に整列して位置する、請求項50に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記格子軸に沿った前記画素ピッチに対する前記格子周期の比が実質的に2に等しい、請求項47から52のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の感光画素は2つの直交する画素軸によって画定される矩形画素グリッドに配置され、前記格子軸は、前記2つの直交する画素軸のうちの1つに平行であるか、または前記2つの直交する画素軸の両方に斜めであるかのいずれかである、請求項47から53のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記シーンと前記回折格子アセンブリとの間の前記光波面の光路に配置された分散光学素子をさらに含み、前記分散光学素子は、前記光波面を受け取ってスペクトル分散させるように構成される、請求項47から54のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子は、前記回折格子アセンブリの複数の回折格子のうちの1つであり、前記複数の回折格子は、前記画素アレイの上方に配置された二次元格子アレイに配置される、請求項47から55のいずれか一項に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記複数の回折格子は、複数の回折格子のセットを含み、前記セットのうちの異なるセットの回折格子の格子軸は、異なる配向を有する、請求項56に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- 前記回折格子の複数のセットは、回折格子の第1のセットと、回折格子の第2のセットとを含み、前記第1のセットの前記回折格子の格子軸は、前記第2のセットの回折格子の前記格子軸に実質的に垂直に延在する、請求項57に記載のライトフィールド撮像デバイス。
- ライトフィールド画像データをシーンについてキャプチャする複数の感光画素を有する画素アレイを備えた画素センサと共に使用するための回折格子アセンブリであって、
当該回折格子アセンブリは、格子軸と前記格子軸に沿った格子周期を有する屈折率変調パターンとを有する回折格子を備え、
前記格子周期は、前記格子軸に沿った画素アレイの画素ピッチよりも大きく、
前記回折格子は、前記ライトフィールド画像データとして感光画素によって検出する回折波面を生成するために、前記シーンから生じる光波面を受け取り、回折するように構成され、 当該回折格子アセンブリは、前記画素アレイの上方に配置されるように構成されている、
回折格子アセンブリ。 - 前記回折格子アセンブリは、前記画像センサのカラーフィルタアレイの上方に配置されるように構成され、
前記カラーフィルタアレイは、前記画素アレイの上方に配置され、前記複数の感光画素による前記回折波面の検出の前に、前記回折波面を空間的およびスペクトル的にフィルタリングするように構成される、
請求項59に記載の回折格子アセンブリ。 - 前記回折格子は、400ナノメートルから1550ナノメートルの範囲の波長帯で前記光波面を回折するように構成される、請求項59または60に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記格子周期が1マイクロメートルから20マイクロメートルの範囲である、請求項59から61のいずれか一項に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記回折格子は、バイナリ位相格子であり、前記屈折率変調パターンは、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連のリッジを備え、当該リッジは前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互に配置される、請求項59から62のいずれか一項に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記格子軸に沿った前記画素ピッチに対する前記格子周期の比が実質的に2に等しい、請求項59から63のいずれか一項に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記回折格子は、前記回折格子アセンブリの複数の回折格子のうちの1つであり、前記複数の回折格子は、前記画素アレイの上方に配置された二次元格子アレイに配置される、請求項59から64のいずれか一項に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記複数の回折格子は、複数の回折格子のセットを含み、前記セットのうちの互いに異なるセットの回折格子の格子軸は、異なる配向を有する、請求項65に記載の回折格子アセンブリ。
- 前記回折格子の複数のセットは、回折格子の第1のセットと、回折格子の第2のセットとを含み、前記第1のセットの回折格子の格子軸は、前記第2のセットの回折格子の格子軸に実質的に垂直に延在する、請求項66に記載の回折格子アセンブリ。
- 各回折格子が、格子周期の2〜10回の繰り返しを含む、請求項59〜67のいずれか一項に記載の回折格子アセンブリ。
- シーンに関するライトフィールド画像データをキャプチャする方法であって、
回折波面を生成するために、格子軸に沿って格子周期を有する回折格子でシーンから発する光波面を回折するステップと、
前記回折格子の下方に配置された複数の感光画素を含む画素アレイであって前記格子周期よりも小さい格子軸に沿った画素ピッチを有する画素アレイにより前記回折波面を前記ライトフィールド画像データとして検出するステップと、を備える方法。 - 前記複数の感光画素で前記回折波面を検出する前に、前記回折波面をカラーフィルタアレイで空間スペクトルフィルタリングするステップをさらに含む、請求項69に記載の方法。
- 前記シーンから生じる前記光波面を回折するステップは、前記光波面を400ナノメートルから1550ナノメートルの範囲の波長帯で回折するステップを含む、請求項69または70に記載の方法。
- 前記格子周期を1マイクロメートルから20マイクロメートルの間の範囲で選択するステップをさらに含む、請求項69から71のいずれか一項に記載の方法。
- 前記回折格子を、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連のリッジを備え、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互に配置されたバイナリ位相格子として提供するステップをさらに含む、請求項69〜72のいずれか一項に記載の方法。
- 前記回折格子に約50%のデューティサイクルを提供するステップと、各感光画素を、前記リッジの対応する1つ又は前記溝の対応する1つの下方に当該リッジ又は溝に整列させて配置し、或いは、前記リッジの対応する1つと前記溝の対応する1つとの間の移行部の下方に当該移行部に整列させて配置するステップとを更に含む、請求項73に記載の方法。
- 前記リッジ及び前記溝の隣接するものの間の光路差を制御するために、前記溝に対する前記リッジのステップ高さを設定するステップをさらに含む、請求項73または74に記載の方法。
- 前記回折格子の前記屈折率変調パターンと前記画素アレイの前記受光面との間の分離距離を、前記光波面の中心波長の約10倍未満に設定するステップをさらに含む、請求項69〜75のいずれか一項に記載の方法。
- 前記格子軸に沿った前記画素ピッチに対する前記格子周期の比を実質的に2に設定するステップをさらに含む、請求項69から76のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の感光画素を、2つの直交する画素軸によって画定される矩形画素グリッド内に設けるステップと、前記格子軸を、前記2つの直交する画素軸のうちの1つに平行に、または前記2つの直交する画素軸の両方に斜めに配向するステップとをさらに含む、請求項69〜77のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光波面を回折する前に前記光波面をスペクトル的に分散させることをさらに含む、請求項69〜78のいずれか一項に記載の方法。
- シーンを観察し複数の感光画素を有する画素アレイを備える画像センサに三次元撮像能力を提供する方法であって、
格子軸と前記格子軸に沿った格子周期とを有する回折格子を備えた回折格子アセンブリを画像センサの前に配置するステップと、
前記回折格子で前記シーンから発する光波面を受け取って回折し、回折波面を生成するステップと、
前記感光画素で前記回折波面を検出するステップと、を備える、
前記格子周期は、前記格子軸に沿った画素アレイの画素ピッチより大きい、方法。 - 前記複数の感光画素によって前記回折波面を検出する前に、前記回折波面をカラーフィルタアレイで空間的かつスペクトル的にフィルタリングするステップをさらに含む、請求項80に記載の方法。
- 前記格子周期を1マイクロメートルから20マイクロメートルの間の範囲で選択するステップをさらに含む、請求項80または81に記載の方法。
- 前記回折格子を、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置され、前記格子周期で周期的に間隔を置いて配置された一連の溝と交互配置されたリッジを備えたバイナリ位相格子として提供するステップをさらに含む、請求項80〜82のいずれか一項に記載の方法。
- 前記回折格子に約50%のデューティサイクルを提供するステップと、前記回折格子アセンブリを前記画素アレイの上方に配置して、各リッジおよび各溝が、前記感光画素の対応する1つの上方に当該リッジ又は溝と整列して延在するか、または前記交互配置されたリッジおよび溝の間の各移行部の上方に当該移行部と整列して延在するようにするステップと、をさらに含む、請求項83に記載の方法。
- 前記リッジ及び前記溝のうち相互に隣接するリッジと溝との間の光路差を制御するために、前記溝に対する前記リッジのステップ高さを設定するステップをさらに含む、請求項83または84に記載の方法。
- 前記回折格子アセンブリを前記画像センサの前に配置するステップは、前記感光画素で検出される前の前記回折波面の光路長が前記光波面の中心波長の約10倍未満となるように選択された距離だけ前記画素アレイから分離させて前記回折格子アセンブリを配置するステップを含む、請求項80〜85のいずれか一項に記載の方法。
- 前記格子周期を、前記格子軸に沿った画素ピッチの実質的に2倍に等しく設定するステップをさらに含む、請求項80〜86のいずれか一項に記載の方法。
- 前記画像センサの前に前記回折格子アセンブリを配置するステップは、前記格子軸を、前記画素アレイの2つの直交する画素軸のうちの1つに平行に、または前記2つの直交する画素軸の両方に斜めに配向することを含む、請求項80〜87のいずれか一項に記載の方法。
- 前記光波面を回折する前に前記光波面をスペクトル的に分散させることをさらに含む、請求項80〜88のいずれか一項に記載の方法。
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Cited By (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109716176B (zh) * | 2016-06-07 | 2021-09-17 | 艾瑞3D 有限公司 | 用于深度采集和三维成像的光场成像装置和方法 |
IL251636B (en) | 2017-04-06 | 2018-02-28 | Yoav Berlatzky | A system and method for a coherent camera |
CN111670576B (zh) * | 2017-12-05 | 2022-10-25 | 艾瑞3D有限公司 | 用于深度获取的光场图像处理方法 |
CN110378185A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 北京图森未来科技有限公司 | 一种应用于自动驾驶车辆的图像处理方法、装置 |
US10638061B2 (en) | 2018-09-18 | 2020-04-28 | Analog Devices Global Unlimited Company | Active-pixel image sensor |
JP6857163B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2021-04-14 | 日本電信電話株式会社 | 偏光イメージング撮像システム |
CN109884742A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-14 | 深圳市灵明光子科技有限公司 | 光场成像装置和光场成像方法 |
EP3977206A4 (en) * | 2019-05-30 | 2023-06-14 | Microtau IP Pty Ltd. | SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING MICROSTRUCTURES |
TW202101035A (zh) | 2019-06-05 | 2021-01-01 | 加拿大商艾瑞3D股份有限公司 | 用於3d感測之光場成像裝置及方法 |
JP7182522B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2022-12-02 | Dmg森精機株式会社 | 検出装置 |
CN112393692B (zh) * | 2019-08-14 | 2023-04-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 激光投射模组、图像采集模组、深度相机及电子设备 |
EP3805819A1 (en) * | 2019-10-08 | 2021-04-14 | FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Light-field sensor, light-field sensor arrangement and camera apparatus |
KR20210048951A (ko) * | 2019-10-24 | 2021-05-04 | 삼성전자주식회사 | 초분광 이미지 센서 및 이를 포함하는 초분광 촬상 장치 |
US11070790B1 (en) * | 2020-01-10 | 2021-07-20 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Passive three-dimensional image sensing based on spatial filtering |
WO2022016412A1 (zh) * | 2020-07-22 | 2022-01-27 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 深度信息图像采集装置和电子设备 |
US20220085084A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Stmicroelectronics (Research & Development) Limited | Pixel with an improved quantum efficiency |
US20240012262A1 (en) * | 2020-11-10 | 2024-01-11 | Airy3D Inc. | Imaging systems and methods for dual depth and polarization sensing |
US11536914B2 (en) * | 2020-11-17 | 2022-12-27 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodetector array with diffraction gratings having different pitches |
JP6910680B1 (ja) * | 2020-12-25 | 2021-07-28 | 株式会社SensAI | 撮像システム |
US20240069307A1 (en) * | 2021-01-15 | 2024-02-29 | Airy3D Inc. | Lens position determination in depth imaging |
US20240114235A1 (en) * | 2021-01-22 | 2024-04-04 | Airy3D Inc. | Power management techniques in depth imaging |
US20220408033A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-12-22 | Richard Edward Pimpinella | Computationally Enhanced Low-Performance Infrared Focal Plane Arrays |
CN113973197B (zh) * | 2021-11-29 | 2023-09-12 | 维沃移动通信有限公司 | 像素结构、像素阵列、图像传感器及电子设备 |
EP4362098A1 (en) * | 2022-10-25 | 2024-05-01 | Infineon Technologies AG | Active pixel sensor and method for fabricating an active pixel sensor |
KR102619003B1 (ko) * | 2022-11-22 | 2023-12-28 | 상명대학교산학협력단 | 회절 격자 기반의 3차원 이미징 시스템 및 그 동작 방법 |
CN116974090A (zh) * | 2023-09-08 | 2023-10-31 | 维悟光子(北京)科技有限公司 | 3d成像系统及其控制方法、装置、设备及介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006019627A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2009025501A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Topcon Corp | 回折格子付き波長板と、回折格子付き波長板の製造方法 |
JP2012108319A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Canon Inc | 積層型回折光学素子 |
WO2013179538A1 (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | 奥行き推定撮像装置 |
JP2014154755A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Canon Inc | 撮影レンズの瞳分割手段を備えた撮像素子を有する撮像装置および撮像素子の製造方法 |
US20150061065A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Rambus Inc. | Optical sensing of nearby scenes with tessellated phase anti-symmetric phase gratings |
US20150125943A1 (en) * | 2008-07-25 | 2015-05-07 | Cornell University | Light field image sensor, method and applications |
JP2016001236A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 株式会社エンプラス | 回折格子および変位計測装置 |
Family Cites Families (104)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3641895A (en) * | 1969-06-03 | 1972-02-15 | Agfa Gevaert Ag | Apparatus for photographic color recording |
KR0120397B1 (ko) * | 1992-04-28 | 1997-10-22 | 나카무라 히사오 | 화상표시장치 |
JPH1196374A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 3次元モデリング装置、3次元モデリング方法および3次元モデリングプログラムを記録した媒体 |
DE60122735T2 (de) * | 2000-07-18 | 2007-09-20 | Optaglio Ltd., Andover | Achromatisches beugungselement |
US20100085642A1 (en) * | 2000-07-18 | 2010-04-08 | Optaglio Limited | Diffractive device |
US6839088B2 (en) * | 2001-03-31 | 2005-01-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | System and method for estimating physical properties of objects and illuminants in a scene using modulated light emission |
US6524772B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-02-25 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing phase grating image sensor |
KR100416548B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 3차원 영상 표시장치 |
US7302093B2 (en) * | 2002-03-26 | 2007-11-27 | Hunter Engineering Company | Color vision vehicle wheel alignment system |
JP3947969B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2007-07-25 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、および画像処理方法、記録媒体、並びにプログラム |
US7548359B2 (en) * | 2002-11-13 | 2009-06-16 | Asahi Glass Company, Limited | Double-wavelength light source unit and optical head device having four diffraction gratings |
US7511749B2 (en) * | 2003-12-18 | 2009-03-31 | Aptina Imaging Corporation | Color image sensor having imaging element array forming images on respective regions of sensor elements |
TWM249381U (en) * | 2003-12-19 | 2004-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Image sensor |
EP1756646A2 (en) * | 2004-02-06 | 2007-02-28 | Nagayama IP Holdings llc | Complex pointillistic multicolor printing |
ATE520046T1 (de) * | 2004-04-23 | 2011-08-15 | Olivier M Parriaux | Hocheffiziente optische beugungseinrichtung |
US20060072005A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-06 | Thomas-Wayne Patty J | Method and apparatus for 3-D electron holographic visual and audio scene propagation in a video or cinematic arena, digitally processed, auto language tracking |
KR20080009280A (ko) * | 2005-05-18 | 2008-01-28 | 더글라스 에스. 홉스 | 편광 및 파장 필터링을 위한 마이크로구조물형 광장치 |
JP4456040B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2010-04-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子 |
EP1932051A1 (en) * | 2005-09-14 | 2008-06-18 | Mirage Innovations Ltd. | Diffraction grating with a spatially varying duty-cycle |
ATE495026T1 (de) * | 2005-09-26 | 2011-01-15 | Suisse Electronique Microtech | Ein diffraktives sicherheitselement |
JP2007265581A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Fujinon Sano Kk | 回折素子 |
US8599301B2 (en) * | 2006-04-17 | 2013-12-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Arrayed imaging systems having improved alignment and associated methods |
US7619808B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-11-17 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Light wave front construction |
US7714368B2 (en) * | 2006-06-26 | 2010-05-11 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing imager pixel array with grating structure and imager device containing the same |
US20080043166A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-21 | Hewlett-Packard Development Company Lp | Multi-level layer |
JP5028048B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP4978105B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2012-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像素子カバー及び撮像装置 |
US7773138B2 (en) * | 2006-09-13 | 2010-08-10 | Tower Semiconductor Ltd. | Color pattern and pixel level binning for APS image sensor using 2×2 photodiode sharing scheme |
CN101222009A (zh) * | 2007-01-12 | 2008-07-16 | 清华大学 | 发光二极管 |
US7792423B2 (en) * | 2007-02-06 | 2010-09-07 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | 4D light field cameras |
JP2009217123A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Fujinon Corp | 回折格子型ローパスフィルタ |
US8809758B2 (en) * | 2008-07-25 | 2014-08-19 | Cornell University | Light field image sensor with an angle-sensitive pixel (ASP) device |
US7910961B2 (en) * | 2008-10-08 | 2011-03-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with low crosstalk and high red sensitivity |
WO2010077625A1 (en) * | 2008-12-08 | 2010-07-08 | Refocus Imaging, Inc. | Light field data acquisition devices, and methods of using and manufacturing same |
US8520061B2 (en) * | 2009-12-14 | 2013-08-27 | 3M Innovative Properties Company | Zero-D dimming for 3D displays |
KR101790601B1 (ko) * | 2010-08-03 | 2017-10-26 | 코넬 유니버시티 | 각 감지 픽셀(asp)에 기초한 이미지 처리 시스템, 방법, 및 응용들 |
KR101904033B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2018-10-04 | 코넬 유니버시티 | 광 필드 이미지 센서, 방법들 및 응용들 |
EP2447744B1 (en) * | 2010-11-01 | 2021-03-31 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Pixelated optical filter and method for the manufacturing thereof |
US9979941B2 (en) * | 2011-01-14 | 2018-05-22 | Sony Corporation | Imaging system using a lens unit with longitudinal chromatic aberrations and method of operating |
US8742309B2 (en) * | 2011-01-28 | 2014-06-03 | Aptina Imaging Corporation | Imagers with depth sensing capabilities |
US20130265459A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-10-10 | Pelican Imaging Corporation | Optical arrangements for use with an array camera |
JP5760811B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-08-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
JP2013038164A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
US8542933B2 (en) * | 2011-09-28 | 2013-09-24 | Pelican Imaging Corporation | Systems and methods for decoding light field image files |
CN103918257B (zh) * | 2011-11-09 | 2018-05-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 显示设备和方法 |
JP5692051B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-04-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 奥行き推定データの生成装置、生成方法及び生成プログラム、並びに疑似立体画像の生成装置、生成方法及び生成プログラム |
US8861850B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-10-14 | Apple Inc. | Digital image color correction |
US9554115B2 (en) * | 2012-02-27 | 2017-01-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging pixels with depth sensing capabilities |
KR101927886B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2018-12-11 | 삼성전자주식회사 | 영상 처리 장치 및 그 방법 |
EP2693396A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-05 | Nokia Corporation | Method, apparatus and computer program product for processing of multimedia content |
WO2014083836A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | パナソニック株式会社 | 集光装置、固体撮像素子および撮像装置 |
US9110240B2 (en) * | 2013-03-05 | 2015-08-18 | Rambus Inc. | Phase gratings with odd symmetry for high-resolution lensed and lensless optical sensing |
US9502453B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-11-22 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state imaging devices |
US9679360B2 (en) * | 2013-05-10 | 2017-06-13 | Trustees Of Princeton University | High-resolution light-field imaging |
EP3004950A1 (en) * | 2013-06-04 | 2016-04-13 | Danmarks Tekniske Universitet | An optical device capable of providing a structural color, and a corresponding method of manufacturing such a device |
JP2015037102A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
WO2015091014A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Koninklijke Philips N.V. | Autostereoscopic display device |
JP6228300B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-11-08 | ライトロ, インコーポレイテッドLytro, Inc. | プレノプティックカメラの分解能の改良 |
US10244223B2 (en) * | 2014-01-10 | 2019-03-26 | Ostendo Technologies, Inc. | Methods for full parallax compressed light field 3D imaging systems |
WO2015137635A1 (en) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image pickup apparatus and method for generating image having depth information |
CN106104318B (zh) * | 2014-04-09 | 2019-05-03 | 拉姆伯斯公司 | 低功率图像改变检测器 |
US8988317B1 (en) * | 2014-06-12 | 2015-03-24 | Lytro, Inc. | Depth determination for light field images |
WO2015195417A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Rambus Inc. | Systems and methods for lensed and lensless optical sensing |
KR20160025729A (ko) * | 2014-08-28 | 2016-03-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 깊이 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서 및 이를 이용한 깊이 정보 생성 방법 |
US9825078B2 (en) * | 2014-11-13 | 2017-11-21 | Visera Technologies Company Limited | Camera device having an image sensor comprising a conductive layer and a reflection layer stacked together to form a light pipe structure accommodating a filter unit |
US9712806B2 (en) * | 2014-12-19 | 2017-07-18 | Datalogic ADC, Inc. | Depth camera system using coded structured light |
KR102538464B1 (ko) * | 2015-02-06 | 2023-06-01 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 유리 기판, 적층 기판 및 유리 기판의 제조 방법 |
US9467633B2 (en) * | 2015-02-27 | 2016-10-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | High dynamic range imaging systems having differential photodiode exposures |
KR102456875B1 (ko) * | 2015-03-17 | 2022-10-19 | 코넬 유니버시티 | 심도 촬상 장치, 방법 및 응용 |
US20160309065A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Lytro, Inc. | Light guided image plane tiled arrays with dense fiber optic bundles for light-field and high resolution image acquisition |
WO2016180702A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | SensoMotoric Instruments Gesellschaft für innovative Sensorik mbH | Eye tracking device and method for operating an eye tracking device |
US10566365B2 (en) * | 2015-05-27 | 2020-02-18 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
US11054664B2 (en) * | 2015-06-18 | 2021-07-06 | Apple Inc. | Monitoring DOE performance using software scene evaluation |
US9712792B2 (en) * | 2015-08-10 | 2017-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | RGB-RWB dual images by multi-layer sensors towards better image quality |
US10261584B2 (en) * | 2015-08-24 | 2019-04-16 | Rambus Inc. | Touchless user interface for handheld and wearable computers |
EP3144879A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-22 | Thomson Licensing | A method and an apparatus for generating data representative of a light field |
EP3145168A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-22 | Thomson Licensing | An apparatus and a method for generating data representing a pixel beam |
KR20180102049A (ko) * | 2015-10-02 | 2018-09-14 | 푸에뎁스 리미티드 | 다중 디스플레이를 포함하는 디스플레이 시스템에서의 모아레 간섭을 줄이기 위해 서브픽셀 압축을 수행하는 방법 및 시스템 |
US9876995B2 (en) * | 2015-12-04 | 2018-01-23 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
KR102581465B1 (ko) * | 2016-01-12 | 2023-09-21 | 삼성전자주식회사 | 회절형 컬러 필터를 구비하는 입체 영상 표시 장치 |
US9837455B2 (en) * | 2016-01-20 | 2017-12-05 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
US20190018186A1 (en) * | 2016-01-30 | 2019-01-17 | Leia Inc. | Privacy display and dual-mode privacy display system |
US11209664B2 (en) * | 2016-02-29 | 2021-12-28 | Nlight, Inc. | 3D imaging system and method |
US10222742B2 (en) * | 2016-04-14 | 2019-03-05 | Rambus Inc. | Systems and methods for improving resolution in lensless imaging |
CN109716176B (zh) * | 2016-06-07 | 2021-09-17 | 艾瑞3D 有限公司 | 用于深度采集和三维成像的光场成像装置和方法 |
CN105929587B (zh) * | 2016-06-24 | 2022-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置 |
US20180091798A1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | Imec Taiwan Co. | System and Method for Generating a Depth Map Using Differential Patterns |
WO2018131509A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法、および電子機器 |
WO2018136276A1 (en) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | Rambus Inc. | Imaging systems and methods with periodic gratings with homologous pixels |
GB201708407D0 (en) * | 2017-05-25 | 2017-07-12 | Cambridge Entpr Ltd | Optical Devices |
KR102486389B1 (ko) * | 2017-08-14 | 2023-01-09 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 광학소자, 깊이 센서 및 전자장치 |
CN107749070B (zh) * | 2017-10-13 | 2020-06-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 深度信息的获取方法和获取装置、手势识别设备 |
US20190132574A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Depth sensing system with differential imaging camera |
CN111670576B (zh) * | 2017-12-05 | 2022-10-25 | 艾瑞3D有限公司 | 用于深度获取的光场图像处理方法 |
US10516876B2 (en) * | 2017-12-19 | 2019-12-24 | Intel Corporation | Dynamic vision sensor and projector for depth imaging |
US10802117B2 (en) * | 2018-01-24 | 2020-10-13 | Facebook Technologies, Llc | Systems and methods for optical demodulation in a depth-sensing device |
KR20200027123A (ko) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR20210131367A (ko) * | 2019-02-26 | 2021-11-02 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 파장 선택 필터, 파장 선택 필터의 제조 방법, 및, 표시 장치 |
US11405535B2 (en) * | 2019-02-28 | 2022-08-02 | Qualcomm Incorporated | Quad color filter array camera sensor configurations |
JP2020191564A (ja) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光デバイス、固体撮像装置、電子機器及び情報処理システム |
TW202101035A (zh) * | 2019-06-05 | 2021-01-01 | 加拿大商艾瑞3D股份有限公司 | 用於3d感測之光場成像裝置及方法 |
US10964744B1 (en) * | 2019-09-13 | 2021-03-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Light control for improved near infrared sensitivity and channel separation |
US20230418084A1 (en) * | 2020-11-20 | 2023-12-28 | Airy3D Inc. | Diffraction-grating-based systems and methods for stereoscopic and multiscopic imaging |
US11683598B1 (en) * | 2022-02-24 | 2023-06-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with on-chip occlusion detection and methods thereof |
-
2017
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-
2021
- 2021-08-09 US US17/397,019 patent/US20220057550A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006019627A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
JP2009025501A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Topcon Corp | 回折格子付き波長板と、回折格子付き波長板の製造方法 |
US20150125943A1 (en) * | 2008-07-25 | 2015-05-07 | Cornell University | Light field image sensor, method and applications |
JP2012108319A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Canon Inc | 積層型回折光学素子 |
WO2013179538A1 (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | 奥行き推定撮像装置 |
JP2014154755A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Canon Inc | 撮影レンズの瞳分割手段を備えた撮像素子を有する撮像装置および撮像素子の製造方法 |
US20150061065A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Rambus Inc. | Optical sensing of nearby scenes with tessellated phase anti-symmetric phase gratings |
JP2016001236A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 株式会社エンプラス | 回折格子および変位計測装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023182202A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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