JP2019220623A - Shower head and plasma processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、シャワーヘッドおよびプラズマ処理装置に関する。 The present disclosure relates to a shower head and a plasma processing apparatus.
フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造過程では、被処理体であるガラス基板に形成された所定の膜にプラズマエッチング等のプラズマ処理を施して微細加工を施すことにより、電極や配線等を形成している。 In the manufacturing process of a flat panel display (FPD), a predetermined film formed on a glass substrate to be processed is subjected to plasma processing such as plasma etching and fine processing to form electrodes and wirings. I have.
このようなプラズマ処理を行うプラズマ処理装置では、チャンバー内に配置された載置台上に基板を配置した状態で、載置台の上方に配置されたシャワーヘッドから処理ガスをチャンバー内に吐出させ、チャンバー内にプラズマを生成する。 In a plasma processing apparatus that performs such plasma processing, a processing gas is discharged into a chamber from a shower head disposed above a mounting table in a state where a substrate is disposed on a mounting table disposed in a chamber. Generates plasma within.
シャワーヘッドは、アルミニウム等の金属で形成されており、かつ処理ガスやプラズマに曝されるため、シャワーヘッドに対する腐食を抑制する技術が種々提案されている。 Since the showerhead is formed of a metal such as aluminum and is exposed to a processing gas or plasma, various techniques for suppressing corrosion of the showerhead have been proposed.
例えば、特許文献1には、シャワーヘッドの基材に設けられたガス吐出孔の出口側に凹部を形成し、その凹部に円筒状のスリーブを固定し、かつ、基材のプラズマ生成空間側の表面を覆うように耐プラズマ皮膜を形成する技術が提案されている。
For example, in
本開示は、処理ガスによる腐食およびプラズマに対する耐久性により優れたシャワーヘッドおよびプラズマ処理装置を提供する。 The present disclosure provides a showerhead and a plasma processing apparatus that are more resistant to corrosion by a processing gas and plasma.
本開示の一実施形態に係るシャワーヘッドは、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、基板が配置され、プラズマが生成されるチャンバー内に、プラズマを生成するための処理ガスを供給するシャワーヘッドであって、処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有する本体部と、前記本体部内に設けられ、処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、を備え、前記本体部は、金属からなる基材と、前記基材に嵌め込まれ、前記複数のガス吐出孔を規定する複数のスリーブと、前記基材の前記ガス拡散空間に接する面に、前記処理ガスに対する耐食性を有する材料を溶射して形成され、含浸材が含浸された第1の溶射皮膜と、前記基材の前記チャンバーのプラズマ生成空間に接する面に、前記処理ガスのプラズマに対する耐プラズマ性を有する材料を溶射して形成され、含浸材が含浸された第2の溶射皮膜と、を有する。 A shower head according to an embodiment of the present disclosure is a plasma processing apparatus that performs a plasma process on a substrate, wherein the substrate is disposed and a shower head that supplies a processing gas for generating the plasma into a chamber where the plasma is generated. A main body having a plurality of gas discharge holes for discharging a processing gas, and a gas diffusion space provided in the main body, into which a processing gas is introduced, and communicating with the plurality of gas discharge holes, The main body is formed of a metal base, a plurality of sleeves fitted into the base, and defining the plurality of gas discharge holes, and a surface of the base contacting the gas diffusion space. A first sprayed coating formed by spraying a material having corrosion resistance and impregnated with an impregnating material, and the processing gas on a surface of the substrate that is in contact with a plasma generation space of the chamber. It is formed by spraying a material having a resistance to plasma for the plasma, has a second thermal spray coating impregnation material is impregnated, a.
本開示によれば、処理ガスによる腐食およびプラズマに対する耐久性により優れたシャワーヘッドおよびプラズマ処理装置が提供される。 According to the present disclosure, a shower head and a plasma processing apparatus that are more excellent in durability against corrosion by a processing gas and plasma are provided.
以下、添付図面を参照して実施形態について説明する。
図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a plasma processing apparatus according to one embodiment.
図1に示すプラズマ処理装置は、誘導結合プラズマ処理装置として構成され、矩形基板、例えば、FPD用ガラス基板上に薄膜トランジスタを形成する際の金属膜のエッチングに好適に用いることができる。 The plasma processing apparatus illustrated in FIG. 1 is configured as an inductively coupled plasma processing apparatus and can be suitably used for etching a metal film when a thin film transistor is formed over a rectangular substrate, for example, a glass substrate for an FPD.
この誘導結合プラズマ処理装置は、導電性材料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器1を有する。この本体容器1は分解可能に組み立てられており、接地線1aにより電気的に接地されている。
This inductively coupled plasma processing apparatus has an airtight
本体容器1は、本体容器1と絶縁されて形成された矩形状のシャワーヘッド2により上下に区画されており、上側がアンテナ室を画成するアンテナ容器3となっており、下側が処理室を画成するチャンバー(処理容器)4となっている。シャワーヘッド2は金属窓として機能し、チャンバー4の天壁を構成する。金属窓となるシャワーヘッド2は、主に、非磁性体で導電性の金属、例えばアルミニウム(またはアルミニウムを含む合金)で構成される。
The
アンテナ容器3の側壁3aとチャンバー4の側壁4aとの間には、本体容器1の内側に突出する支持棚5、および支持梁6が設けられている。支持棚5および支持梁6は導電性材料、望ましくはアルミニウム等の金属で構成される。シャワーヘッド2は絶縁部材7を介して複数に分割されて構成されている。そして、複数に分割されたシャワーヘッド2の分割部分は、絶縁部材7を介して支持棚5および支持梁6に支持される。支持梁6は、複数本のサスペンダ(図示せず)により本体容器1の天井に吊された状態となっている。
Between the
シャワーヘッド2の各分割部分は、本体部50と、本体部50の内部に設けられたガス拡散空間(バッファ)51とを有している。本体部50は、ベース部52と、ガス拡散空間51からチャンバー内へ処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔54を有するガス吐出部53とを有している。ガス拡散空間51には処理ガス供給機構20からガス供給管21を介して処理ガスが導入される。ガス拡散空間51は複数のガス吐出孔54に連通し、ガス拡散空間51から複数のガス吐出孔54を介して処理ガスが吐出される。なお、ベース部52とガス吐出部53とは一体であっても別体であってもよい。別体の場合は、ガス吐出部53は、シャワープレートとして構成される。
Each divided portion of the
シャワーヘッド2の上のアンテナ室3内には、シャワーヘッド2のチャンバー4側とは反対側の面に面するように高周波アンテナ13が配置されている。高周波アンテナ13は導電性材料、例えば銅などからなり、絶縁部材からなるスペーサ(図示せず)によりシャワーヘッド2から離間して配置されており、矩形状のシャワーヘッド2に対応する面内で、例えば渦巻き状に形成される。また、環状に形成されていてもよく、アンテナ線は一本でも複数本でもよい。
A high-
高周波アンテナ13には、給電線16、整合器17を介して第1の高周波電源18が接続されている。そして、プラズマ処理の間、高周波アンテナ13に第1の高周波電源18から延びる給電線16を介して、例えば13.56MHzの高周波電力が供給される。これにより、後述するように金属窓として機能するシャワーヘッド2に誘起されるループ電流を介して、チャンバー4内に誘導電界が形成される。そして、この誘導電界により、チャンバー4内のシャワーヘッド2直下のプラズマ生成空間Sにおいて、シャワーヘッド2から供給された処理ガスがプラズマ化され、誘導結合プラズマが生成される。すなわち、高周波アンテナ13および第1の高周波電源18がプラズマ生成機構として機能する。
A first high
チャンバー4内の底部には、シャワーヘッド2を挟んで高周波アンテナ13と対向するように、被処理基板として、矩形状のFPD用ガラス基板(以下単に基板と記す)Gを載置するための載置台23が絶縁体部材24を介して固定されている。載置台23は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。載置台23に載置された基板Gは、静電チャック(図示せず)により吸着保持される。
On the bottom of the
載置台23の上部周縁部には絶縁性のシールドリング25aが設けられ、載置台23の周面には絶縁リング25bが設けられている。載置台23には基板Gの搬入出のためのリフターピン26が、本体容器1の底壁、絶縁体部材24を介して挿通されている。リフターピン26は、本体容器1外に設けられた昇降機構(図示せず)により昇降駆動して基板Gの搬入出を行うようになっている。
An
本体容器1外には、整合器28および第2の高周波電源29が設けられており、載置台23には給電線28aにより整合器28を介して第2の高周波電源29が接続されている。この第2の高周波電源29は、プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が3.2MHzの高周波電力を載置台23に印加する。このバイアス用の高周波電力により生成されたセルフバイアスによって、チャンバー4内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Gに引き込まれる。
A
さらに、載置台23内には、基板Gの温度を制御するため、ヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている(いずれも図示せず)。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも本体容器1の底面および絶縁体部材24に設けられた開口部1bを通して本体容器1外に導出される。
Further, a temperature control mechanism including a heating unit such as a heater, a coolant flow path, and the like, and a temperature sensor are provided in the mounting table 23 to control the temperature of the substrate G (none is shown). . All of the piping and wiring for these mechanisms and members are led out of the
チャンバー4の側壁4aには、基板Gを搬入出するための搬入出口27aおよびそれを開閉するゲートバルブ27が設けられている。また、チャンバー4の底部には、排気管31を介して真空ポンプ等を含む排気装置30が接続される。この排気装置30により、チャンバー4内が排気され、プラズマ処理中、チャンバー4内が所定の真空雰囲気(例えば1.33Pa)に設定、維持される。
A loading /
載置台23に載置された基板Gの裏面側には冷却空間(図示せず)が形成されており、一定の圧力の熱伝達用ガスとしてHeガスを供給するためのHeガス流路41が設けられている。このように基板Gの裏面側に熱伝達用ガスを供給することにより、真空下において基板Gのプラズマ処理による温度上昇や温度変化を抑制することができるようになっている。
A cooling space (not shown) is formed on the back surface side of the substrate G mounted on the mounting table 23, and a He
この誘導結合プラズマ処理装置は、さらに制御部100を有している。制御部100は、コンピュータからなり、プラズマ処理装置の各構成部を制御するCPUからなる主制御部と、入力装置と、出力装置と、表示装置と、記憶装置とを有している。記憶装置には、プラズマ処理装置で実行される各種処理のパラメータが記憶されており、また、プラズマ処理装置で実行される処理を制御するためのプログラム、すなわち処理レシピが格納された記憶媒体がセットされるようになっている。主制御部は、記憶媒体に記憶されている所定の処理レシピを呼び出し、その処理レシピに基づいてプラズマ処理装置に所定の処理を実行させるように制御する。
The inductively coupled plasma processing apparatus further includes a
次に、シャワーヘッド2についてさらに詳細に説明する。
誘導結合プラズマは、高周波アンテナに高周波電流が流れることにより、その周囲に磁界が発生し、その磁界により誘起される誘導電界を利用して高周波放電を起こし、それにより生成するプラズマである。チャンバー4の天壁として1枚の金属窓を用いる場合、面内で周方向に周回されるように設けられた高周波アンテナ13では、渦電流および磁界が金属窓の裏面側、すなわちチャンバー4側に到達しないため、プラズマが生成されない。このため、本実施形態では、高周波アンテナ13に流れる高周波電流によって生じる磁界および渦電流がチャンバー4側に到達するように、金属窓として機能するシャワーヘッド2を、絶縁部材7で複数に分割された構造とする。
Next, the
The inductively coupled plasma is a plasma generated by generating a magnetic field around a high-frequency antenna when a high-frequency current flows through the high-frequency antenna, generating a high-frequency discharge using an induced electric field induced by the magnetic field. When one metal window is used as the top wall of the
図2は、シャワーヘッド2の本体部50のガス吐出部53の一部分を示す図である。本体部50は、基材61と、複数のスリーブ62と、第1の溶射皮膜63と、第2の溶射皮膜64とを有している。
FIG. 2 is a diagram showing a part of the
基材61は非磁性の金属、例えば、アルミニウムからなり、必要に応じて側面に陽極酸化処理により陽極酸化皮膜61aが設けられる。側面の陽極酸化皮膜61aは、全面に陽極酸化処理を行った後、上下面の皮膜を取り除くことにより形成される。
The
複数のスリーブ62は、ステンレス鋼、ハステロイのようなニッケル基合金等の耐食性金属またはセラミックスからなり、基材61のガス吐出孔54に対応する部分に嵌め込まれている。各スリーブ62は、ガス吐出孔54を規定している。
The plurality of
ガス吐出孔54は、ガス拡散空間51側の大径部54aと、プラズマ生成空間S側の小径部54bとを有している。そして、小径部54bの下端がプラズマ生成空間Sに臨む開口部54cとなっている。プラズマ生成空間S側を小径部54bにしたのは、プラズマがガス吐出孔54の奥に入り込むのを防止するためである。小径部54bの径は、例えば0.5〜1mmに設定される。
The
第1の溶射皮膜63は、基材61のガス拡散空間51に接する面に、処理ガスに対して耐食性を有する材料を溶射して形成され、かつ、含浸材が含浸されている。
The first
第2の溶射皮膜64は、基材61のチャンバー4内のプラズマ生成空間Sに接する面に、処理ガスのプラズマに対して耐プラズマ性を有する材料を溶射して形成され、かつ、含浸材が含浸されている。
The second
第1の溶射皮膜63は、処理ガスに対する耐食性を有する材料で形成されているので、基材61を処理ガスから保護する効果が高い。第1の溶射皮膜63の材料としてはセラミックスが好ましい。例えば、Alのエッチング処理に用いられる60〜200℃、例えば160℃の高温のCl2ガスを処理ガスとする場合は、第1の溶射皮膜63として、アルミナ(Al2O3)溶射皮膜を好適に用いることができる。Al2O3溶射皮膜は、Cl2ガスや反応生成物であるHClに対する耐食性が高い。また、第1の溶射皮膜63に含浸材が含浸されていることにより、溶射皮膜の気孔が封孔され、Cl2ガスやHClによる腐食をより効果的に抑制することができる。処理ガスが高温の場合は、含浸材は耐熱性が高いことも求められる。第1の溶射皮膜63の厚さは、80〜200μmの範囲が好ましい。
Since the first
第2の溶射皮膜64は耐プラズマ性を有する材料で形成されているので、基材61をプラズマから保護する効果が高い。第2の溶射皮膜64の材料としてもセラミックスが好ましい。第2の溶射皮膜64としては、耐プラズマ性の高いイットリア(Y2O3)溶射皮膜またはY−Al−Si−O系混合溶射皮膜(イットリア、アルミナ、およびシリカ(または窒化珪素)の混合溶射皮膜)等のイットリウム含有酸化物溶射皮膜がより好ましい。これらは、例えば、Alのエッチング処理に用いられるような、60〜200℃、例えば160℃の高温のCl2ガスを処理ガスとする場合にも、耐プラズマ性を高く維持することができる。使用する処理ガスによっては、Al2O3溶射皮膜も好適に用いることができる。また、第2の溶射皮膜64に含浸材が含浸されていることにより、溶射皮膜に存在する気孔が封孔され、耐プラズマ性をより高めることができるとともに、耐ピンホール腐食も高めることができる。上述したような処理ガスが高温の場合、第2の溶射皮膜64に含浸される含浸材についても耐熱性が高いことが求められる。
Since the second
第2の溶射皮膜64は、表面が耐プラズマ性の高い準緻密溶射皮膜であることが好ましい。準緻密溶射皮膜とは、通常の溶射皮膜よりも気孔率が低い溶射皮膜をいい、通常の皮膜の気孔率が3〜5%であるのに対して、2〜3%の気孔率である。準緻密溶射とすることで、耐プラズマ性をより高めることができる。具体的には、プラズマによる削れ耐性を数%上昇させることができる。また、溶射皮膜の準緻密化と含浸材とを組み合わせることにより、耐プラズマ性を一層高めることができる。
The second
第2の溶射皮膜64の厚さは、150〜500μmの範囲が好ましい。また、図3に示すように、第2の溶射皮膜64の含浸材の含浸部分64aは、第2の溶射皮膜64の基材61側の一部分であることが好ましい。含浸部分64aを第2の溶射皮膜64の基材61側の一部分とすることにより、第2の溶射皮膜64のプラズマ空間側が含浸材を含浸しない非含浸部分64bとなり、プラズマによる含浸材の消耗を抑えてパーティクルを低減することができる。より好ましくは、第2の溶射皮膜64において、含浸部分64aの厚さが50〜100μmの範囲、非含浸部分64bの厚さが100〜400μmの範囲である。このような一部分に含浸部分64aを有する溶射皮膜は、含浸部分64aに相当する厚さの溶射皮膜を形成し含浸処理を行った後、非含浸部分64bに相当する厚さの溶射皮膜を形成することにより得ることができる。
The thickness of the second
第1の溶射皮膜63および第2の溶射皮膜64に含浸される含浸材としては、準緻密皮膜へ浸透できる程度の低粘度で、皮膜の気孔をほぼ完全に充填できる充填性(充填率)を有する充填型タイプのものであることが求められる。このような充填型で低粘度の充填材としては、樹脂含浸材を好適に用いることができる。このような樹脂含浸材としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができる。
The impregnating material to be impregnated into the first sprayed
また、処理ガスとして、60〜200℃、例えば160℃の高温のCl2ガスが用いられる場合、これらの特性に加えて、耐熱性を有し、高温でも処理ガスに対する耐食性を保持できるものであることが好ましい。このような充填型で低粘度、かつ、耐熱性および高温耐食性が良好な含浸材としては、耐熱エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、主剤(プレポリマー)と硬化剤とを混合して熱硬化処理を行ったものであり、主剤と硬化剤の材料を適宜選択することにより、粘度、耐熱性、充填性、耐食性を調整することができる。エポキシ樹脂は本質的に充填性が高く、低粘度にすることにより溶射皮膜への浸透性を高くすることができる。また、耐熱エポキシ樹脂は、ガラス転移温度(Tg)が高く、低温焼成可能なものである。 When a high-temperature Cl 2 gas of 60 to 200 ° C., for example, 160 ° C. is used as the processing gas, in addition to these characteristics, it has heat resistance and can maintain corrosion resistance to the processing gas even at a high temperature. Is preferred. As such a filling type impregnating material having low viscosity, good heat resistance and good high-temperature corrosion resistance, a heat-resistant epoxy resin is preferable. Epoxy resin is obtained by mixing a main component (prepolymer) and a curing agent and performing a thermosetting treatment. By appropriately selecting the materials of the main component and the curing agent, the viscosity, heat resistance, filling property, and corrosion resistance are improved. Can be adjusted. Epoxy resins are inherently high in filling properties, and can be made to have low viscosity to increase the permeability to the thermal spray coating. The heat-resistant epoxy resin has a high glass transition temperature (Tg) and can be fired at a low temperature.
高温Cl2ガスによるエッチング処理に適した含浸材としては、耐熱エポキシ樹脂以外に、シリコーン樹脂を挙げることができる。 Examples of the impregnating material suitable for the etching treatment with the high-temperature Cl 2 gas include a silicone resin in addition to the heat-resistant epoxy resin.
次に、以上のように構成される誘導結合プラズマ処理装置を用いて基板Gに対してプラズマ処理、例えばプラズマエッチング処理を施す際の処理動作について説明する。 Next, a description will be given of a processing operation when a plasma processing, for example, a plasma etching processing is performed on the substrate G using the inductively coupled plasma processing apparatus configured as described above.
まず、ゲートバルブ27を開にした状態で搬入出口27aから搬送機構(図示せず)により所定の膜が形成された基板Gをチャンバー4内に搬入し、載置台23の載置面に載置する。次いで、静電チャック(図示せず)により基板Gを載置台23上に固定する。そして、排気装置30によりチャンバー4内を真空排気しつつ、圧力制御バルブ(図示せず)により、チャンバー4内を例えば0.66〜26.6Pa程度の圧力雰囲気に維持する。この状態で、処理ガス供給機構20からガス供給管21を介して処理ガスを金属窓の機能を有するシャワーヘッド2へ供給し、シャワーヘッド2からチャンバー4内に処理ガスをシャワー状に吐出させる。
First, with the
また、このとき基板Gの裏面側の冷却空間には、基板Gの温度上昇や温度変化を回避するために、Heガス流路41を介して、熱伝達用ガスとしてHeガスを供給する。
At this time, He gas is supplied as a heat transfer gas to the cooling space on the back surface side of the substrate G via the He
次いで、高周波電源18から例えば1MHz以上27MHz以下の高周波を高周波アンテナ13に印加し、これにより金属窓として機能するシャワーヘッド2を介してチャンバー4内に均一な誘導電界を生成する。このようにして生成された誘導電界により、チャンバー4内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このプラズマにより、基板Gに対してプラズマエッチング処理が行われる。
Next, a high frequency of, for example, 1 MHz or more and 27 MHz or less is applied to the
処理ガスとしてはフッ素系や塩素系等の腐食性ガスが用いられ、そのような腐食性ガスがプラズマ化されるため、従来、処理ガスやプラズマに曝されるシャワーヘッドは、腐食を抑制する対策が講じられている。 As processing gas, corrosive gas such as fluorine or chlorine is used, and such corrosive gas is turned into plasma, so shower heads that are conventionally exposed to processing gas or plasma have measures to suppress corrosion. Has been taken.
例えば、特許文献1では、シャワーヘッドの基材に設けられたガス吐出孔の出口側に凹部を形成し、その凹部に円筒状のスリーブを固定し、かつ、基材のプラズマ生成空間側の表面を覆うように耐プラズマ皮膜を形成している。
For example, in
しかし、処理ガスとして、腐食性の強いガスを用いてエッチングを行う場合、上記特許文献1の技術では不十分なことがある。
However, when etching is performed using a highly corrosive gas as a processing gas, the technique of
すなわち、腐食性の強いガスは、プラズマ化していなくても基材61に対する腐食性が高く、ガス吐出部53のガス拡散空間51側の面およびガス吐出孔54の表面の耐食性が問題となる。特許文献1では、ガス吐出孔内はスリーブにより腐食対策が取られているが、基材のガス拡散空間側の面は対策が取られていない。一方、特許文献1では、基材のプラズマ空間側の面は耐プラズマ性溶射皮膜が形成されているが、溶射皮膜は多数の気孔が形成されているため、基材の耐ピンホール腐食が問題となる。
That is, a highly corrosive gas is highly corrosive to the
これに対し、本実施形態では、シャワーヘッドの本体部50を、基材61と、ガス吐出孔54部分のスリーブ62と、ガス拡散空間51側の第1の溶射皮膜63と、プラズマ生成空間S側の第2の溶射皮膜64とで構成し、溶射皮膜に含浸材を含浸させた。第1の溶射皮膜63により、ガス拡散空間51側の面の処理ガスに対する耐食性を確保し、含浸材により、溶射皮膜の気孔を介しての基材の腐食をも抑制することができる。また、第2の溶射皮膜64により、耐プラズマ性を確保し、含浸材により、溶射皮膜の気孔を介しての基材のピンホール腐食をも抑制することができる。また、基材61のガス吐出孔54に対応する部分はスリーブ62により耐食性を確保することができる。これにより、処理ガスによる腐食およびプラズマに対する耐久性により優れたシャワーヘッドを得ることができる。
On the other hand, in the present embodiment, the
また、第2の溶射皮膜64を、気孔率2〜3%と低い準緻密溶射皮膜とすることで、耐プラズマ性をより高めることができ、さらに溶射皮膜の準緻密化と含浸材の含浸を組み合わせることで、耐プラズマ性を一層高めることができる。
Further, by forming the second
さらに、含浸材として低粘度で充填性の高いものを用いることにより、準緻密溶射皮膜でも浸透性が高く、溶射皮膜の気孔を確実に充填することができ、溶射皮膜の耐食性、耐プラズマ性、耐ピンホール腐食性を確実に高めることができる。このような含浸材としては樹脂含浸材、例えばエポキシ樹脂が好適である。 Furthermore, by using a low-viscosity, high-filling material as the impregnating material, the permeability can be high even in a quasi-dense spray coating, and the pores of the spray coating can be reliably filled, and the corrosion resistance, plasma resistance, Pinhole corrosion resistance can be reliably increased. As such an impregnating material, a resin impregnating material, for example, an epoxy resin is preferable.
さらにまた、第2の溶射皮膜64を、図3に示すように、含浸部分64aが基材61側の一部分に形成されるようにすることにより、プラズマによる含浸材の消耗を抑えてパーティクルを低減することができる。
Furthermore, as shown in FIG. 3, the second
ところで、FPD基板に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する場合、Al膜をエッチングして電極を形成する工程がある。この際には、上述したように、処理ガスとして60〜200℃、例えば160℃の高温のCl2ガスを用いる。Cl2ガスは、それ自体の腐食性が高く、しかも高温であるため、シャワーヘッド2には、より厳しい耐食性および耐プラズマ性が求められるとともに、含浸材の耐熱性も求められる。
Meanwhile, when a thin film transistor (TFT) is formed on an FPD substrate, there is a step of forming an electrode by etching an Al film. At this time, as described above, a high-temperature Cl 2 gas of 60 to 200 ° C., for example, 160 ° C. is used as the processing gas. Since the Cl 2 gas itself is highly corrosive and has a high temperature, the
このため、処理ガスとして高温のCl2ガスを用いる場合には、第1の溶射皮膜63として、Cl2ガスや反応生成物であるHClに対する耐食性の高いAl2O3溶射皮膜を用い、含浸材として、上記特性に加え、さらに耐熱性を有するものを用いることが好ましい。また、第2の溶射皮膜64として、Cl2ガスのプラズマに対する耐性が高いイットリア(Y2O3)溶射皮膜またはY−Al−Si−O系溶射皮膜等のイットリウム含有酸化物を用い、含浸材として、同様に耐熱性を有するものを用いることが好ましい。
For this reason, when a high temperature Cl 2 gas is used as the processing gas, an Al 2 O 3 sprayed coating having high corrosion resistance to Cl 2 gas and HCl as a reaction product is used as the first sprayed
低粘度と高い充填性を有することに加え、耐熱性も有する含浸材としては、ガラス転移温度(Tg)が高く、低温焼成可能な耐熱エポキシ樹脂のうち、低粘度のものを用いることが好適である。 As the impregnating material having heat resistance in addition to having low viscosity and high filling property, it is preferable to use a heat-resistant epoxy resin having a high glass transition temperature (Tg) and a low viscosity among heat-resistant epoxy resins which can be fired at a low temperature. is there.
処理ガスとして高温のCl2ガスを用いた場合も、上記構成により、第1の溶射皮膜63で基材61の腐食が抑制され、また、第2の溶射皮膜64でプラズマによる損耗が抑制されるとともに、基材61のピンホール腐食を抑制できる。これにより、パーティクルを抑制し、TFTパターンの欠陥を減らすことができる。また、耐プラズマ性が高いため、シャワーヘッド2(ガス吐出部53)の交換周期(寿命)を延ばすことができる。さらに、含浸材としてエポキシ樹脂を用いることで、耐電圧特性も向上し、プラズマとの間の異常放電を抑制することができる。
Even when a high-temperature Cl 2 gas is used as the processing gas, the above configuration suppresses the corrosion of the
次に、実験例について説明する。
まず、含浸材を含浸させた溶射皮膜について実験を行った。
含浸材の材質として、シリカ、2種類のシリコーン樹脂(シリコーンA、B)、2種類のエポキシ樹脂(エポキシA,B)を用い、アルミニウム基材上のアルミナ溶射皮膜に含浸させた。そして、含浸材の浸透性、充填性、耐熱性、含浸後の160℃の高温Cl2ガスに対する耐食性について評価した。
Next, an experimental example will be described.
First, an experiment was conducted on a thermal spray coating impregnated with an impregnating material.
As a material of the impregnating material, silica, two kinds of silicone resins (silicone A and B), and two kinds of epoxy resins (epoxy A and B) were used to impregnate the alumina sprayed coating on the aluminum substrate. Then, the permeability, the filling property, the heat resistance, and the corrosion resistance of the impregnated material to 160 ° C. high-temperature Cl 2 gas after impregnation were evaluated.
シリカは、低粘度であり浸透性が高く、耐熱性も高いが、溶射皮膜の気孔に十分充填せず、気孔が残存した。その結果、160℃のCl2ガスに対する耐食試験の際に、気孔を通じてCl2ガスが基材に達し、基材が腐食した。 Silica has low viscosity, high permeability, and high heat resistance, but did not sufficiently fill the pores of the sprayed coating, leaving pores. As a result, during the corrosion test for 160 ° C. of Cl 2 gas, Cl 2 gas reaches the substrate through the pores, the substrate was corroded.
シリコーン樹脂は、低粘度で浸透性が高く、組成を調整することにより、高い充填率を得ることができた。しかし、シリコーンAは硬度が高く、低温焼成でもクラックが発生し、160℃のCl2ガスに対する耐食試験の際に、クラックを通じてCl2ガスが基材に達し、基材が腐食した。シリコーンAとは組成が異なるシリコーンBは、充填性が悪く、160℃のCl2ガスに対する耐食試験の際に、気孔を通じてCl2ガスが基材に達し、基材が腐食した。 The silicone resin had low viscosity and high permeability, and a high filling rate could be obtained by adjusting the composition. However, the silicone A has high hardness, also cracks occur in low-temperature firing, during corrosion tests for 160 ° C. of Cl 2 gas, cracks Cl 2 gas reaches the substrate through the substrate was corroded. Silicone A Silicone B which composition is different from the poor filling property at the time of corrosion test for 160 ° C. of Cl 2 gas, pores Cl 2 gas reaches the substrate through the substrate was corroded.
エポキシ樹脂は、高充填性で、溶射皮膜の気孔への充填率が高い。しかし、耐熱タイプではないエポキシAは、低粘度で浸透性が良好であったものの、耐熱性が低く、80℃で劣化した。その結果、高温での長期耐久性が不十分であった。エポキシBは、低粘度でありながら、ガラス転移温度Tgが高く低温焼成可能な高耐熱性であった。その結果、160℃のCl2ガスに対する耐食試験で、基材の腐食が見られなかった。 Epoxy resin has a high filling property and a high filling rate of the thermal spray coating into the pores. However, epoxy A, which is not a heat-resistant type, had low viscosity and good permeability, but had low heat resistance and deteriorated at 80 ° C. As a result, the long-term durability at high temperatures was insufficient. Epoxy B had a high glass transition temperature Tg and high heat resistance that could be fired at low temperatures, even though it had a low viscosity. As a result, no corrosion of the substrate was observed in the corrosion resistance test for Cl 2 gas at 160 ° C.
次に、耐プラズマ性の溶射皮膜について、含浸材を含浸させた効果を把握した。ここでは、サンプル1〜4として、アルミニウム基材の上に、以下の溶射皮膜を形成したものを準備した。サンプル1は、基材上に通常溶射によりY2O3溶射皮膜を形成したものである。サンプル2は、基材上に準緻密溶射によりY2O3溶射皮膜を形成した後、耐熱エポキシ樹脂(エポキシB)を含浸させたものである。サンプル3は、基材上に通常溶射によりY−Al−Si−O系混合溶射皮膜を形成したものである。サンプル4は、基材上に準緻密溶射によりY−Al−Si−O系混合溶射皮膜を形成した後、耐熱エポキシ樹脂(エポキシB)を含浸させたものである。
Next, the effect of impregnating the impregnating material with respect to the plasma-resistant sprayed coating was understood. Here, samples having the following thermal spray coating formed on an aluminum substrate were prepared as
これらサンプルについて、耐プラズマ試験を行った。耐プラズマ試験は、処理ガスとして160℃のCl2ガスを用い、チャンバー内圧力:15mTorr、ソースRFパワー:6kW、バイアスRFパワー:1kW、トータル時間:8時間の条件で行った。結果を図4に示す。図4は、サンプル1〜4の皮膜消耗量を示す図であり、皮膜消耗量は、通常溶射のY−Al−Si−O系混合溶射皮膜の皮膜消耗量を1として規格化した値である。この図に示すように、Y2O3溶射皮膜およびY−Al−Si−O系混合溶射皮膜のいずれも、準緻密皮膜とし、かつ耐熱エポキシ樹脂を含浸することにより、皮膜消耗量が20%程度減少することが確認された。
These samples were subjected to a plasma resistance test. The plasma resistance test was performed using a Cl 2 gas at 160 ° C. as a processing gas under the conditions of chamber pressure: 15 mTorr, source RF power: 6 kW, bias RF power: 1 kW, and total time: 8 hours. FIG. 4 shows the results. FIG. 4 is a diagram showing the amount of film consumption of
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Although the embodiments have been described above, the embodiments disclosed this time are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The above embodiments may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope of the appended claims and the spirit thereof.
例えば、上記実施形態では、プラズマエッチングを行うプラズマ処理装置として誘導結合プラズマ処理装置を用いた例を示したが、これに限らず、ガス吐出部の基材が金属のシャワーヘッドであれば、容量結合プラズマ処理装置等の他のプラズマ処理装置であってもよい。容量結合プラズマ処理装置等の場合は、シャワーヘッドを分割する必要はない。 For example, in the above-described embodiment, an example in which an inductively coupled plasma processing apparatus is used as a plasma processing apparatus for performing plasma etching is described. However, the present invention is not limited thereto. Another plasma processing apparatus such as a combined plasma processing apparatus may be used. In the case of a capacitively coupled plasma processing apparatus or the like, it is not necessary to divide the shower head.
また、上記実施形態では、プラズマエッチング装置を例にとって説明したが、それに限らず、プラズマアッシングやプラズマCVD等の腐食性の高いガスのプラズマを用いるプラズマ処理装置であれば適用可能である。 Further, in the above-described embodiment, the plasma etching apparatus has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and any plasma processing apparatus using plasma of highly corrosive gas such as plasma ashing or plasma CVD can be applied.
1;本体容器
2;シャワーヘッド
3;アンテナ室
4;チャンバー
5;支持棚
6;支持梁
7;絶縁部材
13;高周波アンテナ
18;第1の高周波電源
20;処理ガス供給機構
50;本体部
51;ガス拡散空間
52;ベース部
53;ガス吐出部
54;ガス吐出孔
61;基材
62;スリーブ
63;第1の溶射皮膜
64;第2の溶射皮膜
64a;含浸部分
64b;非含浸部分
100;制御部
G;基板
DESCRIPTION OF
Claims (12)
処理ガスを吐出する複数のガス吐出孔を有する本体部と、
前記本体部内に設けられ、処理ガスが導入され、前記複数のガス吐出孔に連通するガス拡散空間と、
を備え、
前記本体部は、
金属からなる基材と、
前記基材に嵌め込まれ、前記複数のガス吐出孔を規定する複数のスリーブと、
前記基材の前記ガス拡散空間に接する面に、前記処理ガスに対する耐食性を有する材料を溶射して形成され、含浸材が含浸された第1の溶射皮膜と、
前記基材の前記チャンバーのプラズマ生成空間に接する面に、前記処理ガスのプラズマに対する耐プラズマ性を有する材料を溶射して形成され、含浸材が含浸された第2の溶射皮膜と、
を有する、シャワーヘッド。 In a plasma processing apparatus that performs plasma processing on the substrate, the substrate is disposed, in a chamber where plasma is generated, a shower head that supplies a processing gas for generating plasma,
A main body having a plurality of gas discharge holes for discharging the processing gas,
A gas diffusion space is provided in the main body, a processing gas is introduced, and the gas diffusion space communicates with the plurality of gas discharge holes.
With
The main body is
A base material made of metal,
A plurality of sleeves fitted into the base material and defining the plurality of gas discharge holes,
A first sprayed coating formed by spraying a material having corrosion resistance to the processing gas on a surface of the base material in contact with the gas diffusion space, and impregnated with an impregnating material,
A second thermal spray coating formed by spraying a material having plasma resistance to the plasma of the processing gas on a surface of the base material that is in contact with the plasma generation space of the chamber, and impregnated with an impregnating material,
Having a shower head.
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で基板を載置する載置台と、
前記チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記チャンバー内に、前記載置台と対向するように設けられ、プラズマを生成するための処理ガスを前記チャンバー内に供給する、請求項1から請求項10のいずれか1項のシャワーヘッドと、
を具備する、プラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate,
A chamber for accommodating the substrate;
A mounting table for mounting a substrate in the chamber,
A plasma generation mechanism for generating plasma in the chamber;
The shower head according to any one of claims 1 to 10, wherein the shower head is provided in the chamber so as to face the mounting table, and supplies a processing gas for generating plasma into the chamber.
A plasma processing apparatus comprising:
前記高周波アンテナは、前記シャワーヘッドの前記チャンバーと反対側の面に面するように設けられ、
前記シャワーヘッドは、前記チャンバーの天壁をなすように配置され、前記誘導結合プラズマの金属窓として機能し、前記高周波アンテナに流れる高周波電流によって生じる磁界および渦電流が前記チャンバー側に到達するように絶縁部材を介して複数に分割された構造を有している、請求項11に記載のプラズマ処理装置。 The plasma generation mechanism includes a high-frequency antenna and a high-frequency power supply that supplies high-frequency power to the high-frequency antenna. When the high-frequency power is supplied to the high-frequency antenna, the plasma generation mechanism is inductively coupled to the plasma generation space in the chamber. Configured to form a plasma,
The high-frequency antenna is provided so as to face a surface of the shower head opposite to the chamber,
The shower head is arranged so as to form a top wall of the chamber, functions as a metal window of the inductively coupled plasma, such that a magnetic field and an eddy current generated by a high-frequency current flowing through the high-frequency antenna reach the chamber side. The plasma processing apparatus according to claim 11, wherein the plasma processing apparatus has a structure divided into a plurality of parts via an insulating member.
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