JP2019214054A - Processing method and processing device - Google Patents

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Abstract

To provide a processing method capable of lessening deviation between a position of a previously-decided point to be processed and an actually processed position.SOLUTION: In a processing device, the surface to be processed of a base plate is partitioned into plural unit areas, and an alignment mark is provided corresponding to each unit area. Further, plural positions of a point to be processed are defined inside the unit area. The position of an alignment mark corresponding to the next unit area to be processed is detected every processing of the unit area when processing the point to be processed of each inside of the unit area, and processing of the point to be processed is carried out on the basis of the detection result.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、加工方法及び加工装置に関する。   The present invention relates to a processing method and a processing device.

従来、レーザビームを用いて基板に穴明け加工を行う場合、規定位置に形成されたアライメントマークの位置を、加工前に基板ごとに測定していた（特許文献１）。アライメントマークの位置の測定結果に基づいて基板の位置を検知し、予め決められている被加工点にレーザビームを入射させる。これにより、アライメントマークを基準として、予め位置が決められている被加工点のレーザ加工、例えば穴明け加工を行うことができる。   Conventionally, when drilling a substrate using a laser beam, the position of an alignment mark formed at a specified position is measured for each substrate before the processing (Patent Document 1). The position of the substrate is detected based on the measurement result of the position of the alignment mark, and a laser beam is incident on a predetermined processing point. This makes it possible to perform laser processing, for example, drilling processing on a processing target point whose position is determined in advance with reference to the alignment mark.

国際公開第２０１３／１１４５９３号International Publication No. 2013/114593

本願の発明者による評価実験によると、アライメントマークの位置を正確に検出（測定）し、検出結果に基づいて被加工点にレーザビームを入射させても、実際にレーザビームの入射によって加工された点が、目標とする被加工点からずれてしまう場合があることが分かった。本発明の目的は、予め決められている被加工点の位置と、実際に加工される位置とのずれを小さくすることが可能な加工方法及び加工装置を提供することである。   According to the evaluation experiment by the inventor of the present application, even if the position of the alignment mark is accurately detected (measured) and the laser beam is incident on the processing point based on the detection result, the laser beam is actually processed by the incident laser beam. It has been found that the point may deviate from the target processing point. An object of the present invention is to provide a processing method and a processing apparatus capable of reducing a deviation between a position of a predetermined processing point and a position to be actually processed.

本発明の一観点によると、
被加工面が複数の単位領域に区分され、前記単位領域の各々に対応してアライメントマークが設けられ、前記単位領域の内部に複数の被加工点の位置が定義された基板の、前記単位領域の各々の内部の前記被加工点の加工を行う工程を含み、
前記単位領域の加工ごとに、次に加工すべき前記単位領域に対応する前記アライメントマークの位置を検出し、検出結果に基づいて前記被加工点の加工を行う加工方法が提供される。 According to one aspect of the invention,
The processing area is divided into a plurality of unit areas, an alignment mark is provided corresponding to each of the unit areas, and the position of a plurality of processing points is defined inside the unit area. Performing the processing of the processing point inside each of the
A processing method is provided for detecting a position of the alignment mark corresponding to the next unit area to be processed next for each processing of the unit area, and processing the processing point based on a detection result.

本発明の他の観点によると、
レーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたレーザビームを、基板の表面に入射させるとともに、入射位置を前記基板の表面上で移動させるビーム走査器と、
前記基板に設けられたアライメントマークを検知するセンサと、
被加工面が複数の単位領域に区分され、前記被加工面の複数の被加工点の位置を記憶しており、前記単位領域の加工ごとに、次に加工すべき前記単位領域に対応する前記アライメントマークの位置を、前記センサの検知結果から検出し、検出結果に基づいて前記ビーム走査器を制御して前記被加工点に順番にレーザビームを入射させる制御装置と
を有する加工装置が提供される。 According to another aspect of the present invention,
A laser light source for outputting a laser beam,
A laser beam emitted from the laser light source is incident on the surface of the substrate, and a beam scanner that moves the incident position on the surface of the substrate,
A sensor for detecting an alignment mark provided on the substrate,
The processing surface is divided into a plurality of unit areas, and positions of a plurality of processing points on the processing surface are stored, and for each processing of the unit area, the position corresponding to the unit area to be processed next is stored. A control device for detecting a position of an alignment mark from a detection result of the sensor, controlling the beam scanner based on the detection result, and sequentially irradiating a laser beam to the processing target point. You.

本発明のさらに他の観点によると、
複数のアライメントマークが設けられており、加工すべき複数の被加工点の位置が定義されている基板の、少なくとも一部の前記アライメントマークの位置を検出する工程と、
前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて、前記複数の被加工点のうち一部の被加工点の加工を順番に行う工程と
を交互に複数回繰り返す加工方法が提供される。 According to yet another aspect of the invention,
A plurality of alignment marks are provided, the position of a plurality of processing points to be processed is defined on the substrate, the step of detecting the position of at least a part of the alignment mark,
A processing method is provided in which the step of sequentially processing a part of the plurality of processing points based on the detection result of the position of the alignment mark is alternately repeated a plurality of times.

本発明のさらに他の観点によると、
レーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたレーザビームを、基板の被加工面に入射させるとともに、入射位置を前記基板の表面上で移動させるビーム走査器と、
前記基板に設けられた複数のアライメントマークの各々を検知するセンサと、
前記被加工面の複数の被加工点の位置を記憶しており、前記センサの検知結果に基づいて前記レーザ光源及び前記ビーム走査器を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、少なくとも一部の前記アライメントマークの位置を前記センサの検知結果に基づいて検出する処理と、前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて前記レーザ光源及び前記ビーム走査器を制御して、前記複数の被加工点のうち一部の被加工点の加工を順番に行う処理とを、交互に複数回繰り返す加工装置が提供される。 According to yet another aspect of the invention,
A laser light source for outputting a laser beam,
A laser beam emitted from the laser light source is incident on the surface to be processed of the substrate, and a beam scanner that moves the incident position on the surface of the substrate,
A sensor for detecting each of the plurality of alignment marks provided on the substrate,
It stores the positions of a plurality of processing points on the processing surface, and has a control device that controls the laser light source and the beam scanner based on the detection result of the sensor,
The control device detects the position of at least a part of the alignment mark based on the detection result of the sensor, and controls the laser light source and the beam scanner based on the detection result of the position of the alignment mark. Thus, there is provided a processing apparatus that alternately repeats a process of sequentially performing processing of a part of the plurality of processing points a plurality of times.

予め決められている被加工点の位置と、実際に加工される位置とのずれを小さくすることができる。   It is possible to reduce the deviation between the position of the predetermined processing point and the position to be actually processed.

図１は、実施例によるレーザ加工装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to an embodiment. 図２は、加工対象の基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a substrate to be processed. 図３は、実施例による加工方法のフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of the processing method according to the embodiment. 図４は、ビーム走査器の走査可能範囲と単位領域との大きさの関係の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the relationship between the scannable range of the beam scanner and the size of the unit area. 図５は、ビーム走査器の走査可能範囲と単位領域との大きさの関係の他の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating another example of the relationship between the scannable range of the beam scanner and the size of the unit area. 図６は、他の実施例による加工方法で加工される基板の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a substrate processed by a processing method according to another embodiment. 図７は、さらに他の実施例による加工方法で加工対象となる基板の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a substrate to be processed by a processing method according to still another embodiment. 図８は、図７に示した基板の加工を行う実施例による加工方法のフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart of a processing method according to an embodiment for processing the substrate shown in FIG. 図９Ａは、さらに他の実施例による加工方法の加工前の基板の断面図であり、図９Ｂは、基板の上面の加工を行った後の基板の断面図であり、図９Ｃは、基板の表裏を反転させた後の基板の断面図であり、図９Ｄは、基板の下面の加工を行った後の基板の断面図である。9A is a cross-sectional view of a substrate before processing by a processing method according to still another embodiment, FIG. 9B is a cross-sectional view of the substrate after processing the upper surface of the substrate, and FIG. FIG. 9D is a cross-sectional view of the substrate after the front and back are reversed, and FIG. 9D is a cross-sectional view of the substrate after processing the lower surface of the substrate.

図１〜図３を参照して、実施例による加工方法及び加工装置について説明する。
図１は、実施例によるレーザ加工装置の概略図である。レーザ光源１０がパルスレーザビームを出力する。レーザ光源１０として、例えば炭酸ガスレーザ発振器を用いることができる。レーザ光源１０から出力されたパルスレーザビームが音響光学素子（ＡＯＭ）１１、ミラー１２、ビーム走査器１３、及び集光レンズ１４を経由して、ステージ１７に保持された加工対象の基板３０に入射する。 A processing method and a processing apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to an embodiment. The laser light source 10 outputs a pulse laser beam. As the laser light source 10, for example, a carbon dioxide laser oscillator can be used. The pulse laser beam output from the laser light source 10 passes through the acousto-optic device (AOM) 11, the mirror 12, the beam scanner 13, and the condenser lens 14, and is incident on the substrate 30 to be processed held on the stage 17. I do.

ＡＯＭ１１は、制御装置２０からの指令により、レーザ光源１０から出力されたパルスレーザビームのレーザパルスから、加工に用いる一部分を切り出す。切り出されたレーザパルスは加工対象物である基板３０に向かい、残りのパルスレーザビームはビームダンパ１５に入射する。   The AOM 11 cuts out a part used for processing from a laser pulse of the pulse laser beam output from the laser light source 10 in accordance with a command from the control device 20. The cut laser pulse is directed to the substrate 30 which is a processing target, and the remaining pulse laser beam is incident on the beam damper 15.

ビーム走査器１３は、制御装置２０からの指令を受け、レーザビームを二次元方向に走査することにより、基板３０の表面におけるパルスレーザビームの入射位置を移動させる。ビーム走査器１３として、例えば一対のガルバノミラーを有するガルバノスキャナを用いることができる。   The beam scanner 13 receives an instruction from the control device 20 and moves the incident position of the pulse laser beam on the surface of the substrate 30 by scanning the laser beam in a two-dimensional direction. As the beam scanner 13, for example, a galvano scanner having a pair of galvanometer mirrors can be used.

集光レンズ１４は、ビーム走査器１３によって走査されたパルスレーザビームを基板３０の表面（被加工面）に集光させる。集光レンズ１４として、例えばｆθレンズを用いることができる。   The condenser lens 14 condenses the pulse laser beam scanned by the beam scanner 13 on the surface of the substrate 30 (working surface). As the condenser lens 14, for example, an fθ lens can be used.

ステージ１７の上方にセンサ１６が配置されている。センサ１６は、ステージ１７に保持された基板３０に設けられているアライメントマークを検知する。例えば、センサ１６として撮像装置が用いられる。撮像装置は、基板３０の被加工面を撮像し、画像データを生成する。撮像装置で生成された画像データが制御装置２０に読み込まれる。   The sensor 16 is arranged above the stage 17. The sensor 16 detects an alignment mark provided on the substrate 30 held on the stage 17. For example, an imaging device is used as the sensor 16. The imaging device captures an image of the surface to be processed of the substrate 30 and generates image data. The image data generated by the imaging device is read into the control device 20.

ステージ１７は、制御装置２０からの指令を受けて、基板３０を、その被加工面に平行な二次元方向に移動させる。ステージ１７として、例えばＸＹステージを用いることができる。基板３０を移動させて、基板３０に設けられているアライメントマークをセンサ１６の検知可能範囲に配置させることにより、センサ１６でアライメントマークを検知することが可能になる。   The stage 17 receives a command from the control device 20 and moves the substrate 30 in a two-dimensional direction parallel to the surface to be processed. As the stage 17, for example, an XY stage can be used. By moving the substrate 30 and disposing the alignment mark provided on the substrate 30 in the detectable range of the sensor 16, the sensor 16 can detect the alignment mark.

制御装置２０は記憶装置２１を含んでいる。記憶装置２１に、基板３０の被加工面に定義されている複数の被加工点の位置が記憶されている。制御装置２０は、センサ１６の検知結果に基づいて、基板３０に設けられたアライメントマークの位置を検出する機能を有する。例えば、制御装置２０は、センサ１６から取得した画像データを画像解析することにより、アライメントマークの位置を検出する。さらに、制御装置は、アライメントマークの位置の検出結果に基づいて、レーザビームが被加工点に入射するようにビーム走査器１３を制御する。   The control device 20 includes a storage device 21. The storage device 21 stores the positions of a plurality of processing points defined on the processing surface of the substrate 30. The control device 20 has a function of detecting the position of the alignment mark provided on the substrate 30 based on the detection result of the sensor 16. For example, the control device 20 detects the position of the alignment mark by performing image analysis on the image data acquired from the sensor 16. Further, the control device controls the beam scanner 13 based on the detection result of the position of the alignment mark so that the laser beam is incident on the processing point.

レーザ光源１０から基板３０までのパルスレーザビームの光路には、必要に応じてレンズ系、アパーチャ等が配置される場合がある。   In the optical path of the pulse laser beam from the laser light source 10 to the substrate 30, a lens system, an aperture, and the like may be arranged as necessary.

図２は、加工対象の基板３０の平面図である。基板３０の被加工面が複数の単位領域３２に区分されている。ここで「区分」とは、加工する際に単位領域３２を１つのまとまりとして取り扱うことを意味しており、外観上、単位領域３２を識別できることを意味しているわけではない。図２では、一例として、２行３列の行列状に６個の単位領域３２が配置されており、単位領域３２の各々の形状が長方形である例を示している。他の例として、単位領域３２の個数は６個以外でもよい。複数の単位領域３２の配置は行列状でなくてもよい。また、単位領域３２の各々の形状は、長方形でなくてもよい。   FIG. 2 is a plan view of the substrate 30 to be processed. The processing surface of the substrate 30 is divided into a plurality of unit regions 32. Here, “division” means that the unit area 32 is handled as one unit when processing, and does not mean that the unit area 32 can be identified in appearance. FIG. 2 shows an example in which six unit regions 32 are arranged in a matrix of 2 rows and 3 columns, and each unit region 32 has a rectangular shape. As another example, the number of unit areas 32 may be other than six. The arrangement of the plurality of unit areas 32 may not be a matrix. Further, each shape of the unit region 32 may not be a rectangle.

単位領域３２の各々に対応して、単位領域３２の内部に複数のアライメントマーク３１が設けられている。図２では、一例として、単位領域３２の各々の四隅のやや内側に、それぞれアライメントマーク３１が配置されている例を示している。アライメントマーク３１は、ステージ１７を基準とした単位領域３２の位置、及び被加工面に垂直な軸を中心とした回転方向の姿勢を特定できるように配置するとよい。さらに、単位領域３２の歪みを測定することができるように配置するとよい。   A plurality of alignment marks 31 are provided inside unit area 32 corresponding to each of unit areas 32. FIG. 2 shows, as an example, an example in which alignment marks 31 are respectively arranged slightly inside the four corners of each unit area 32. The alignment mark 31 is preferably arranged so that the position of the unit area 32 with respect to the stage 17 and the attitude in the rotation direction about an axis perpendicular to the surface to be processed can be specified. Further, it is preferable to arrange the unit region 32 so that the distortion of the unit region 32 can be measured.

単位領域３２の各々の内部に、複数の被加工点３３の位置が予め定義されている。複数の被加工点３３の位置を定義する情報は、制御装置２０の記憶装置２１に記憶されている。加工前には、被加工点３３を外観上認識することはできない。   In each of the unit regions 32, the positions of the plurality of processing points 33 are defined in advance. Information defining the positions of the plurality of processing points 33 is stored in the storage device 21 of the control device 20. Before processing, the point 33 to be processed cannot be visually recognized.

図３は、本実施例による加工方法のフローチャートである。まず、制御装置２０が、次に加工すべき１つの単位領域３２（図２）に対応するアライメントマーク３１の位置を検出する（ステップＳＡ１）。以下、アライメントマーク３１の位置を検出する手順について説明する。制御装置２０がステージ１７を制御して、次に加工すべき単位領域３２に対応する１つのアライメントマーク３１を、センサ１６（図１）の検知可能範囲内に移動させる。制御装置２０は、センサ１６で得られた画像データの解析を行うことにより、アライメントマーク３１の位置を検出する。同様に、残りの複数のアライメントマーク３１の位置を検出する。   FIG. 3 is a flowchart of the processing method according to the present embodiment. First, the control device 20 detects the position of the alignment mark 31 corresponding to one unit area 32 (FIG. 2) to be processed next (step SA1). Hereinafter, a procedure for detecting the position of the alignment mark 31 will be described. The controller 20 controls the stage 17 to move one alignment mark 31 corresponding to the unit area 32 to be processed next within the detectable range of the sensor 16 (FIG. 1). The control device 20 detects the position of the alignment mark 31 by analyzing the image data obtained by the sensor 16. Similarly, the positions of the remaining plural alignment marks 31 are detected.

制御装置２０は、アライメントマーク３１の位置の検出結果に基づいて、レーザ光源１０、ＡＯＭ１１、及びビーム走査器１３を制御する。これにより、位置を検出したアライメントマーク３１に対応する単位領域３２内の複数の被加工点３３に順番にレーザビームを入射させて、単位領域３２内のすべての被加工点３３の加工を行う（ステップＳＡ２）。   The control device 20 controls the laser light source 10, the AOM 11, and the beam scanner 13 based on the detection result of the position of the alignment mark 31. Thereby, the laser beam is sequentially incident on a plurality of processing points 33 in the unit area 32 corresponding to the alignment mark 31 whose position has been detected, and processing is performed on all the processing points 33 in the unit area 32 ( Step SA2).

制御装置２０は、すべての単位領域３２内のすべての被加工点３３の加工が完了するまで、ステップＳＡ１及びステップＳＡ２を繰り返し実行する（ステップＳＡ３）。   The control device 20 repeatedly executes the steps SA1 and SA2 until the processing of all the processing points 33 in all the unit areas 32 is completed (step SA3).

次に、本実施例の優れた効果について説明する。
本願発明者が行った評価実験によると、基板３０（図２）の被加工点３３にレーザビームの入射によって貫通孔を形成すると、基板３０に歪みが生じ得ることが判明した。特に、基板３０の厚さが０．０４ｍｍ以下のとき、基板３０が歪む現象が生じやすいことが分かった。従来は、基板３０の加工を行う前にアライメントマーク３１の位置を検出し、その検出結果に基づいて全ての単位領域３２の加工を行っていた。加工が進むに従って基板３０に歪みが生じると、歪みが生じた後に加工を行う被加工点３３においては、加工すべき本来の被加工点３３の位置と、レーザビームが入射する位置とがずれてしまう。このような現象は、本願の出願時点では知られていなかった。 Next, the excellent effects of the present embodiment will be described.
According to an evaluation experiment performed by the inventor of the present application, it has been found that when a through-hole is formed at the processing point 33 of the substrate 30 (FIG. 2) by the incidence of a laser beam, the substrate 30 may be distorted. In particular, it was found that when the thickness of the substrate 30 was 0.04 mm or less, the phenomenon that the substrate 30 was distorted easily occurred. Conventionally, the position of the alignment mark 31 is detected before processing the substrate 30 and processing of all the unit regions 32 is performed based on the detection result. When the substrate 30 is distorted as the processing proceeds, at the processing point 33 where the processing is performed after the distortion is generated, the position of the original processing point 33 to be processed is shifted from the position where the laser beam is incident. I will. Such a phenomenon was not known at the time of filing the present application.

本実施例では、単位領域３２の加工ごとに、加工前に、次に加工すべき単位領域３２に対応するアライメントマーク３１の位置を検出する。１つの単位領域３２の加工によって基板３０に歪みが生じたとしても、次に加工すべき単位領域３２の加工の直前に、歪みが生じた後の基板３０のアライメントマーク３１の位置が検出される。このアライメントマーク３１の位置の検出結果に基づいて被加工点３３の加工を行うため、基板３０の歪みの影響を軽減することができる。その結果、基板３０の被加工面内の本来の被加工点３３の位置と、実際の加工位置とのずれを少なくすることができる。   In this embodiment, the position of the alignment mark 31 corresponding to the unit area 32 to be processed next is detected before the processing for each unit area 32 before processing. Even if the substrate 30 is distorted by processing one unit region 32, the position of the alignment mark 31 on the substrate 30 after the distortion is detected immediately before processing the unit region 32 to be processed next. . Since the processing of the processing point 33 is performed based on the detection result of the position of the alignment mark 31, the influence of the distortion of the substrate 30 can be reduced. As a result, it is possible to reduce the deviation between the position of the original processing point 33 in the processing surface of the substrate 30 and the actual processing position.

次に、歪みの影響を軽減するための一例について説明する。例えば、制御装置２０は、歪みが生じた後の基板３０のアライメントマーク３１の位置の検出結果に基づいて、基板３０の歪みに関する情報（歪み情報）を取得する。制御装置２０は、基板３０の歪み情報に基づいて、記憶装置２１に記憶されている被加工点３３の位置情報で特定される位置を補正し、補正後の被加工点３３の位置にレーザビームを入射させる。これにより、加工すべき本来の位置にレーザビームを入射させることが可能になり、加工の位置精度を高めることができる。   Next, an example for reducing the influence of distortion will be described. For example, the control device 20 acquires information on the distortion of the substrate 30 (distortion information) based on the detection result of the position of the alignment mark 31 on the substrate 30 after the distortion has occurred. The control device 20 corrects the position specified by the position information of the processing point 33 stored in the storage device 21 based on the distortion information of the substrate 30, and moves the laser beam to the corrected position of the processing point 33. Is incident. Thus, the laser beam can be made incident on the original position to be processed, and the processing position accuracy can be improved.

特に、基板３０に貫通孔を形成する加工を行う場合、貫通孔が形成されると、真空チャックの吸引力が低下することにより、基板３０に歪みが生じやすい。また、基板３０の厚さが０．０４ｍｍ以下の場合に、基板に歪みが生じやすい。従って、厚さ０．０４ｍｍ以下の基板に貫通孔を形成する加工を行う場合に、本実施例の顕著な効果が得られる。   In particular, when a process of forming a through-hole in the substrate 30 is performed, when the through-hole is formed, the suction force of the vacuum chuck is reduced, and the substrate 30 is likely to be distorted. When the thickness of the substrate 30 is 0.04 mm or less, the substrate is likely to be distorted. Therefore, the remarkable effect of the present embodiment can be obtained when a process of forming a through hole in a substrate having a thickness of 0.04 mm or less is performed.

次に、図４及び図５を参照して、ビーム走査器１３（図１）の走査可能範囲と単位領域３２との大きさの関係について説明する。
図４は、ビーム走査器１３の走査可能範囲３５と単位領域３２との大きさの関係の一例を示す図である。ビーム走査器１３は、基板３０を移動させることなく走査可能範囲３５の内部の任意の点にレーザビームを入射させることができる。図４に示した例では、走査可能範囲３５の内部に、少なくとも１つの単位領域３２が収まる。この場合には、図３のステップＳＡ２において、１つの単位領域３２内の被加工点３３の加工を行うときに、ステージ１７を移動させることなく基板３０を静止させた状態で加工を行う。１つの単位領域３２の加工が終了すると、ステップＳＡ１でアライメントマーク３１の位置を検出するときに、ステージ１７を移動させればよい。 Next, the relationship between the scannable range of the beam scanner 13 (FIG. 1) and the size of the unit area 32 will be described with reference to FIGS.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the size relationship between the scannable range 35 of the beam scanner 13 and the unit area 32. The beam scanner 13 can make a laser beam incident on an arbitrary point inside the scannable range 35 without moving the substrate 30. In the example shown in FIG. 4, at least one unit area 32 fits inside the scannable range 35. In this case, in step SA2 in FIG. 3, when processing the processing point 33 in one unit area 32, the processing is performed in a state where the substrate 30 is stationary without moving the stage 17. When the processing of one unit area 32 is completed, the stage 17 may be moved when detecting the position of the alignment mark 31 in step SA1.

図５は、ビーム走査器１３の走査可能範囲３５と単位領域３２との大きさの関係の他の例を示す図である。図５に示した例では、単位領域３２が走査可能範囲３５より大きい。この場合には、図３のステップＳＡ２において、１つの単位領域３２内の被加工点３３の加工を行うときに、走査可能範囲３５内の被加工点３３の加工を行う。その後、ステージ１７を移動させて、加工中の単位領域３２内の未加工の被加工点３３が分布する領域を走査可能範囲３５内に配置すればよい。   FIG. 5 is a diagram illustrating another example of the size relationship between the scannable range 35 of the beam scanner 13 and the unit area 32. In the example shown in FIG. 5, the unit area 32 is larger than the scannable range 35. In this case, in step SA2 in FIG. 3, when processing the processing point 33 in one unit area 32, the processing of the processing point 33 in the scannable range 35 is performed. After that, the stage 17 may be moved to arrange the area where the unprocessed processing points 33 are distributed in the unit area 32 being processed in the scannable range 35.

図１〜図３に示した実施例は、走査可能範囲３５が単位領域３２より大きい場合、及び単位領域３２が走査可能範囲３５より大きい場合のいずれにも適用可能である。   The embodiment shown in FIGS. 1 to 3 is applicable to both the case where the scannable area 35 is larger than the unit area 32 and the case where the unit area 32 is larger than the scannable area 35.

次に、図６を参照して他の実施例について説明する。
図６は、他の実施例による加工方法で加工される基板３０の平面図である。図２に示した実施例では、単位領域３２の各々に対応する複数のアライメントマーク３１が、当該単位領域３２の内部に配置されていた。図６に示した実施例では、一部のアライメントマーク３１が隣り合う単位領域３２の仮想的な境界線上に配置されている。すなわち、１つのアライメントマーク３１が複数の単位領域３２で共用される。本実施例のように、１つのアライメントマーク３１を複数の単位領域３２に対応付けてもよい。 Next, another embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is a plan view of a substrate 30 processed by a processing method according to another embodiment. In the embodiment shown in FIG. 2, the plurality of alignment marks 31 corresponding to each of the unit areas 32 are arranged inside the unit area 32. In the embodiment shown in FIG. 6, some alignment marks 31 are arranged on a virtual boundary line between adjacent unit regions 32. That is, one alignment mark 31 is shared by a plurality of unit areas 32. As in this embodiment, one alignment mark 31 may be associated with a plurality of unit areas 32.

次に、図７及び図８を参照して、さらに他の実施例について説明する。以下、図１〜図３に示した実施例と共通の構成については説明を省略する。
図７は、本実施例による加工方法で加工対象となる基板３０の平面図である。図２に示した実施例では、基板３０の被加工面が複数の単位領域３２に区分されていた。図７に示した実施例では、被加工面が単位領域３２に区分されておらず、複数のアライメントマーク３１が、基板３０の被加工面内に配置されている。 Next, still another embodiment will be described with reference to FIGS. Hereinafter, description of the configuration common to the embodiment shown in FIGS. 1 to 3 will be omitted.
FIG. 7 is a plan view of the substrate 30 to be processed by the processing method according to the present embodiment. In the embodiment shown in FIG. 2, the processing surface of the substrate 30 is divided into a plurality of unit regions 32. In the embodiment shown in FIG. 7, the processing surface is not divided into the unit areas 32, and the plurality of alignment marks 31 are arranged in the processing surface of the substrate 30.

図８は、本実施例による加工方法のフローチャートである。まず、制御装置２０が、少なくとも一部のアライメントマーク３１の位置を検出する（ステップＳＢ１）。アライメントマーク３１の位置の直前の検出結果に基づいて、次に加工すべき被加工点３３の加工を行う（ステップＳＢ２）。１つの被加工点３３の加工が完了すると、全ての被加工点３３の加工が終了したか否かを判定する（ステップＳＢ３）。未加工の被加工点３３が残っている場合は、制御装置２０は、アライメントマーク３１の位置の再検出を行うか否かを判定する（ステップＳＢ４）。例えば、直前にアライメントマーク３１の位置の検出を行った時点から所定の個数の被加工点３３の加工を行った場合に、再検出を行うようにするとよい。また、直前にアライメントマーク３１の位置の検出を行った時点から所定の時間が経過した場合に、再検出を行うようにするとよい。   FIG. 8 is a flowchart of the processing method according to the present embodiment. First, the control device 20 detects the position of at least a part of the alignment mark 31 (step SB1). Based on the detection result immediately before the position of the alignment mark 31, the processing point 33 to be processed next is processed (step SB2). When the processing of one processing point 33 is completed, it is determined whether the processing of all the processing points 33 is completed (step SB3). When the unprocessed point 33 remains, the control device 20 determines whether or not to re-detect the position of the alignment mark 31 (step SB4). For example, when a predetermined number of processing points 33 have been processed since the position of the alignment mark 31 was detected immediately before, re-detection may be performed. Further, when a predetermined time has elapsed since the position of the alignment mark 31 was detected immediately before, re-detection may be performed.

アライメントマーク３１の位置の再検出を行わない場合は、アライメントマーク３１の位置の直前の検出結果に基づいて、次に加工すべき被加工点３３の加工を行う（ステップＳＢ２）。アライメントマーク３１の位置の再検出を行う場合には、少なくとも一部のアライメントマーク３１の位置を検出する（ステップＳＢ１）。その後、次に加工すべき被加工点３３の加工を行う（ステップＳＢ２）。このときに位置を検出する一部のアライメントマーク３１は、その前に位置を検出した一部のアライメントマーク３１と同一のものであるとは限らない。通常は、検出されるアライメントマーク３１の少なくとも１つは、その前に検出されたアライメントマーク３１とは異なる。   If the position of the alignment mark 31 is not to be re-detected, the processing point 33 to be processed next is processed based on the detection result immediately before the position of the alignment mark 31 (step SB2). When re-detecting the position of the alignment mark 31, at least a part of the position of the alignment mark 31 is detected (step SB1). Thereafter, processing of the processing point 33 to be processed next is performed (step SB2). At this time, some of the alignment marks 31 whose position is detected are not necessarily the same as some of the alignment marks 31 whose position has been detected before. Usually, at least one of the detected alignment marks 31 is different from the previously detected alignment mark 31.

被加工点３３の加工、及びアライメントマーク３１の位置の再検出の処理を、全ての被加工点３３の加工が終了するまで交互に複数回繰り返す。   The processing of the processing point 33 and the process of re-detecting the position of the alignment mark 31 are alternately repeated a plurality of times until the processing of all the processing points 33 is completed.

ステップＳＢ１で、少なくとも一部のアライメントマーク３１の位置を検出する処理において、基板３０の位置、及び被加工面に垂直な軸を中心とした回転方向の姿勢を特定できるように、位置を検出すべきアライメントマーク３１を選択するとよい。さらに、基板３０の歪みを測定することができるように、検出対象のアライメントマーク３１を選択するとよい。また、次に加工すべき被加工点３３に近い位置のアライメントマーク３１を選択するとよい。例えば、次に加工すべき被加工点３３に近い順に、複数個、例えば４個のアライメントマーク３１の位置を検出するとよい。   In step SB1, in the process of detecting the position of at least a part of the alignment mark 31, the position is detected so that the position of the substrate 30 and the posture in the rotational direction about an axis perpendicular to the surface to be processed can be specified. It is preferable to select the alignment mark 31 to be formed. Further, the alignment mark 31 to be detected may be selected so that the distortion of the substrate 30 can be measured. Further, it is preferable to select an alignment mark 31 located at a position close to the processing point 33 to be processed next. For example, the positions of a plurality of, for example, four alignment marks 31 may be detected in the order close to the processing point 33 to be processed next.

上述のように、本実施例では、複数の被加工点３３の加工を順番に行っている期間の途中に、少なくとも一部のアライメントマーク３１の位置を検出する。アライメントマーク３１の位置を検出した後に加工を行う被加工点３３については、加工途中の直前の検出結果に基づいて加工を行う。   As described above, in the present embodiment, the positions of at least some of the alignment marks 31 are detected during the period in which the processing of the plurality of processing points 33 is performed in order. Processing point 33, which is to be processed after detecting the position of alignment mark 31, is processed based on the detection result immediately before processing.

次に、図７及び図８に示した実施例の優れた効果について説明する。本実施例では、複数の被加工点３３を順番に加工している期間の途中で少なくとも一部のアライメントマーク３１の位置を検出する。その後の加工では、直近に検出したアライメントマーク３１の位置の検出結果に基づいて、被加工点３３の加工を行う。このように、加工の前に一度だけアライメントマーク３１の位置を検出する方法と比べて、基板３０の歪みが大きくなる前に、歪みを考慮して被加工点３３の位置を補正することができる。その結果、本来加工すべき被加工点３３の位置と、実際に加工される位置とのずれを少なくすることができる。   Next, the excellent effects of the embodiment shown in FIGS. 7 and 8 will be described. In the present embodiment, the positions of at least some of the alignment marks 31 are detected during the period in which the plurality of processing points 33 are sequentially processed. In the subsequent processing, the processing of the processing point 33 is performed based on the detection result of the position of the alignment mark 31 detected most recently. As described above, the position of the processing point 33 can be corrected in consideration of the distortion before the distortion of the substrate 30 increases, as compared with the method of detecting the position of the alignment mark 31 only once before the processing. . As a result, it is possible to reduce the deviation between the position of the processing point 33 to be originally processed and the position to be actually processed.

位置ずれを少なくするために、位置を検出する一部のアライメントマーク３１として、次に加工すべき被加工点３３に近い順に複数のアライメントマーク３１を採用するとよい。位置を検出するアライメントマーク３１の個数は、基板３０の歪みに関する情報を取得するために、４個以上とすることが好ましい。   In order to reduce the displacement, a plurality of alignment marks 31 may be used as a part of the alignment marks 31 for detecting the position in order from the processing point 33 to be processed next. The number of the alignment marks 31 for detecting the position is preferably four or more in order to obtain information on the distortion of the substrate 30.

次に、図９Ａ〜図９Ｄを参照して、さらに他の実施例による加工方法について説明する。
図９Ａは、加工前の基板３０の断面図である。ステージ１７の上に基板３０が保持される。基板３０は、樹脂からなるコア層４０の両面にそれぞれ銅箔４１、４２が貼り付けられた銅張積層板である。一方の銅箔４１の表面を上面といい、他方の銅箔４２の表面を下面ということとする。基板３０に、下面から上面まで達する貫通孔からなるアライメントマーク３１が設けられている。基板３０の上面及び下面に、複数の被加工点３３の位置が予め設定されている。上面の被加工点３３の位置と下面の被加工点３３の位置とは、基板３０の面内に関して同一であり、被加工点３３の位置は、制御装置２０の記憶装置２１に記憶されている。 Next, a processing method according to still another embodiment will be described with reference to FIGS. 9A to 9D.
FIG. 9A is a cross-sectional view of the substrate 30 before processing. The substrate 30 is held on the stage 17. The substrate 30 is a copper-clad laminate in which copper foils 41 and 42 are attached to both surfaces of a core layer 40 made of resin, respectively. The surface of one copper foil 41 is called an upper surface, and the surface of the other copper foil 42 is called a lower surface. The substrate 30 is provided with an alignment mark 31 composed of a through hole extending from the lower surface to the upper surface. The positions of the plurality of processing points 33 are set in advance on the upper surface and the lower surface of the substrate 30. The position of the processing point 33 on the upper surface and the position of the processing point 33 on the lower surface are the same in the plane of the substrate 30, and the position of the processing point 33 is stored in the storage device 21 of the control device 20. .

図９Ｂは、基板３０の上面の加工を行った後の基板３０の断面図である。制御装置２０はアライメントマーク３１の位置を検出し、検出結果に基づいて被加工点３３（図９Ａ）に順番にレーザビームを入射させる。これにより、被加工点３３に凹部４５が形成される。凹部４５は銅箔４１を貫通し、コア層４０の途中まで達する。   FIG. 9B is a cross-sectional view of the substrate 30 after the upper surface of the substrate 30 has been processed. The control device 20 detects the position of the alignment mark 31, and causes the laser beam to sequentially enter the processing point 33 (FIG. 9A) based on the detection result. Thereby, a concave portion 45 is formed at the point 33 to be processed. The recess 45 penetrates through the copper foil 41 and reaches halfway through the core layer 40.

図９Ｃは、基板３０の表裏を反転させた後の基板３０の断面図である。上面側の銅箔４１がステージ１７に密着し、下面側の銅箔４２の表面が上方を向く。制御装置２０は、この状態で一部のアライメントマーク３１の位置を検出する。   FIG. 9C is a sectional view of the substrate 30 after the substrate 30 is turned upside down. The copper foil 41 on the upper surface is in close contact with the stage 17, and the surface of the copper foil 42 on the lower surface faces upward. The control device 20 detects the positions of some of the alignment marks 31 in this state.

図９Ｄは、基板３０の下面の加工を行った後の基板３０の断面図である。制御装置２０は、基板３０の下面の複数の被加工点３３（図９Ａ）に順番にレーザビームを入射させる。このとき、図３または図８に示した実施例による加工方法を採用する。下面の被加工点３３に凹部が形成されることにより、上面に形成されていた凹部４５（図９Ｂ）と繋がって貫通孔４６が形成される。   FIG. 9D is a cross-sectional view of the substrate 30 after the lower surface of the substrate 30 has been processed. The control device 20 causes the laser beam to be sequentially incident on a plurality of processing points 33 (FIG. 9A) on the lower surface of the substrate 30. At this time, the processing method according to the embodiment shown in FIG. 3 or FIG. 8 is adopted. By forming the concave portion at the processing point 33 on the lower surface, the through hole 46 is formed by connecting to the concave portion 45 (FIG. 9B) formed on the upper surface.

次に、図９Ａ〜図９Ｄに示した実施例の優れた効果について説明する。
本実施例では、基板３０に貫通孔４６（図９Ｄ）が形成されて基板３０に歪みが生じた場合でも、レーザビームを入射させる位置と、本来の被加工点３３の位置とのずれを少なくすることができる。このため、上面に形成された凹部４５（図９Ｂ）と下面に形成された凹部とを繋げて貫通孔４６（図９Ｄ）を形成することができる。 Next, the excellent effects of the embodiment shown in FIGS. 9A to 9D will be described.
In this embodiment, even when the through hole 46 (FIG. 9D) is formed in the substrate 30 and the substrate 30 is distorted, the deviation between the position where the laser beam is incident and the original position of the processing point 33 is small. can do. For this reason, the through hole 46 (FIG. 9D) can be formed by connecting the concave portion 45 (FIG. 9B) formed on the upper surface and the concave portion formed on the lower surface.

次に、本実施例の変形例について説明する。本実施例では、基板３０の上面の被加工点３３（図９Ｂ）の加工においては、図３または図８に示した実施例による加工方法を採用しなかった。これは、上面の加工においては貫通孔が形成されず、基板３０の歪みが大きくならないと考えられるためである。上面の加工時にも基板３０の歪みが大きくなると想定される場合には、上面の加工時にも、図３または図８に示した実施例による加工方法を採用するとよい。これにより、上面に形成された凹部４５（図９Ｂ）と下面に形成される凹部との位置ずれをより少なくすることができる。   Next, a modified example of the present embodiment will be described. In this embodiment, the processing method according to the embodiment shown in FIG. 3 or FIG. 8 was not employed in processing the processing point 33 (FIG. 9B) on the upper surface of the substrate 30. This is because no through hole is formed in the processing of the upper surface, and it is considered that the distortion of the substrate 30 does not increase. When it is assumed that the distortion of the substrate 30 is increased even when processing the upper surface, the processing method according to the embodiment illustrated in FIG. 3 or FIG. This makes it possible to further reduce the positional deviation between the concave portion 45 (FIG. 9B) formed on the upper surface and the concave portion formed on the lower surface.

本実施例では、まず基板３０の上面に凹部を形成し、その後、基板３０の表裏を反転させて下面に凹部を形成することにより、上面からの凹部と下面からの凹部とを繋げて貫通孔を形成した。基板３０の片側からのレーザビームの入射によって一気に貫通孔を形成してもよい。この場合には、貫通孔を形成するときに、図３または図８に示した実施例による加工方法を採用するとよい。   In the present embodiment, first, a concave portion is formed on the upper surface of the substrate 30, and then the substrate 30 is turned upside down to form a concave portion on the lower surface. Was formed. The through hole may be formed at a stretch by the incidence of a laser beam from one side of the substrate 30. In this case, when forming the through-hole, the processing method according to the embodiment shown in FIG. 3 or FIG. 8 may be adopted.

上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Each of the embodiments described above is an exemplification, and it goes without saying that the configuration shown in the different embodiments can be partially replaced or combined. The same operation and effect of the same configuration of the plurality of embodiments will not be sequentially described for each embodiment. Furthermore, the invention is not limited to the embodiments described above. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

１０ レーザ光源
１１ 音響光学素子（ＡＯＭ）
１２ ミラー
１３ ビーム走査器
１４ 集光レンズ
１５ ビームダンパ
１６ センサ
１７ ステージ
２０ 制御装置
２１ 記憶装置
３０ 基板
３１ アライメントマーク
３２ 単位領域
３３ 被加工点
３５ ビーム走査器の走査可能範囲
４０ コア層
４１、４２ 銅箔
４５ 凹部
４６ 貫通孔
10 laser light source 11 acousto-optic device (AOM)
12 Mirror 13 Beam Scanner 14 Condenser Lens 15 Beam Damper 16 Sensor 17 Stage 20 Controller 21 Storage 30 Substrate 31 Alignment Mark 32 Unit Area 33 Work Point 35 Scannable Range of Beam Scanner 40 Core Layers 41, 42 Copper Foil 45 recess 46 through hole

Claims (6)

被加工面が複数の単位領域に区分され、前記単位領域の各々に対応してアライメントマークが設けられ、前記単位領域の内部に複数の被加工点の位置が定義された基板の、前記単位領域の各々の内部の前記被加工点の加工を行う工程を含み、
前記単位領域の加工ごとに、次に加工すべき前記単位領域に対応する前記アライメントマークの位置を検出し、検出結果に基づいて前記被加工点の加工を行う加工方法。 The processing area is divided into a plurality of unit areas, an alignment mark is provided corresponding to each of the unit areas, and the position of a plurality of processing points is defined inside the unit area. Performing the processing of the processing point inside each of the
A processing method for detecting a position of the alignment mark corresponding to the unit area to be processed next for each processing of the unit area, and processing the processing point based on a detection result. 前記アライメントマークの位置を検出した後、前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて前記基板の歪みを表す歪み情報を求め、前記歪み情報に基づいて前記被加工点の位置を補正し、前記被加工点の加工を行う際に、補正後の前記被加工点の位置に基づいて加工を行う請求項１に記載の加工方法。   After detecting the position of the alignment mark, distortion information representing distortion of the substrate is obtained based on the detection result of the position of the alignment mark, and the position of the processing point is corrected based on the distortion information. The processing method according to claim 1, wherein when processing the processing point, the processing is performed based on the corrected position of the processing point. レーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたレーザビームを、基板の表面に入射させるとともに、入射位置を前記基板の表面上で移動させるビーム走査器と、
前記基板に設けられたアライメントマークを検知するセンサと、
被加工面が複数の単位領域に区分され、前記被加工面の複数の被加工点の位置を記憶しており、前記単位領域の加工ごとに、次に加工すべき前記単位領域に対応する前記アライメントマークの位置を、前記センサの検知結果から検出し、検出結果に基づいて前記ビーム走査器を制御して前記被加工点に順番にレーザビームを入射させる制御装置と
を有する加工装置。 A laser light source for outputting a laser beam,
A laser beam emitted from the laser light source is incident on the surface of the substrate, and a beam scanner that moves the incident position on the surface of the substrate,
A sensor for detecting an alignment mark provided on the substrate,
The processing surface is divided into a plurality of unit areas, and positions of a plurality of processing points on the processing surface are stored, and for each processing of the unit area, the position corresponding to the unit area to be processed next is stored. A processing device that detects a position of an alignment mark from a detection result of the sensor, controls the beam scanner based on the detection result, and sequentially emits a laser beam to the processing point. 複数のアライメントマークが設けられており、加工すべき複数の被加工点の位置が定義されている基板の、少なくとも一部の前記アライメントマークの位置を検出する工程と、
前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて、前記複数の被加工点のうち一部の被加工点の加工を順番に行う工程と
を交互に複数回繰り返す加工方法。 A plurality of alignment marks are provided, the position of a plurality of processing points to be processed is defined on the substrate, the step of detecting the position of at least a part of the alignment mark,
A processing method in which, based on a detection result of the position of the alignment mark, a step of sequentially performing processing on some of the plurality of processing points in order is repeated a plurality of times alternately. 前記アライメントマークの位置を検出した後、前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて前記基板の歪みを表す歪み情報を求め、前記歪み情報に基づいて前記被加工点の位置を補正し、前記被加工点の加工を行う際に、補正後の前記被加工点の位置に基づいて加工を行う請求項４に記載の加工方法。   After detecting the position of the alignment mark, distortion information representing distortion of the substrate is obtained based on the detection result of the position of the alignment mark, and the position of the processing point is corrected based on the distortion information. The processing method according to claim 4, wherein when processing the processing point, the processing is performed based on the corrected position of the processing point. レーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたレーザビームを、基板の被加工面に入射させるとともに、入射位置を前記基板の表面上で移動させるビーム走査器と、
前記基板に設けられた複数のアライメントマークの各々を検知するセンサと、
前記被加工面の複数の被加工点の位置を記憶しており、前記センサの検知結果に基づいて前記レーザ光源及び前記ビーム走査器を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、少なくとも一部の前記アライメントマークの位置を前記センサの検知結果に基づいて検出する処理と、前記アライメントマークの位置の検出結果に基づいて前記レーザ光源及び前記ビーム走査器を制御して、前記複数の被加工点のうち一部の被加工点の加工を順番に行う処理とを、交互に複数回繰り返す加工装置。 A laser light source for outputting a laser beam,
A laser beam emitted from the laser light source is incident on the surface to be processed of the substrate, and a beam scanner that moves the incident position on the surface of the substrate,
A sensor for detecting each of the plurality of alignment marks provided on the substrate,
It stores the positions of a plurality of processing points on the processing surface, and has a control device that controls the laser light source and the beam scanner based on the detection result of the sensor,
The control device detects the position of at least a part of the alignment mark based on the detection result of the sensor, and controls the laser light source and the beam scanner based on the detection result of the position of the alignment mark. And a process for sequentially processing a part of the plurality of processing points among the plurality of processing points alternately a plurality of times.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7348109B2 (en) * 2020-03-11 2023-09-20 住友重機械工業株式会社 Control device for laser processing equipment, laser processing equipment, and laser processing method
CN114682920A (en) * 2020-12-31 2022-07-01 大族激光科技产业集团股份有限公司 Laser marking method and laser marking system for wafer
CN113441842A (en) * 2021-09-01 2021-09-28 佛山市联动科技股份有限公司 Wafer laser marking method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006263803A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam machining method and equipment
JP2013114593A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Ricoh Co Ltd Image display device, control method thereof, and program

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010049589A1 (en) 1993-01-21 2001-12-06 Nikon Corporation Alignment method and apparatus therefor
CN102009275B (en) * 2010-11-03 2012-09-05 上海交通大学 Automatic welding system for rack and base of marine diesel engine
JP5089827B1 (en) * 2012-02-01 2012-12-05 三菱電機株式会社 Laser processing method and laser processing apparatus
JP5808267B2 (en) * 2012-02-20 2015-11-10 住友重機械工業株式会社 Laser processing apparatus and laser processing method
CN203708641U (en) * 2013-12-24 2014-07-09 广州兴森快捷电路科技有限公司 High hole site precision requirement circuit board and implement device thereof
JP5952875B2 (en) * 2014-09-30 2016-07-13 株式会社片岡製作所 Laser processing machine, work distortion correction method for laser processing machine
KR101720004B1 (en) * 2016-06-16 2017-03-27 주식회사 디이엔티 Machining position correction apparatus and method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006263803A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser beam machining method and equipment
JP2013114593A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Ricoh Co Ltd Image display device, control method thereof, and program

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