JP2019200896A - Conductive paste - Google Patents

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Abstract

To provide a conductive paste for forming an external electrode in a chip type ceramic electronic component and discourage generation of blister failure during burning.SOLUTION: There is provided a conductive paste used for forming an external electrode 2 in a chip type ceramic electronic component 1, containing a copper powder and a glass powder, in which the copper powder has particle diameter of 300 nm or less, particle diameter/crystalline diameter of over 1.0 and 3.8 or less, and volume percentage of the glass powder in total volume of the copper powder and the glass powder of 35 vol.% or less. When a burning process is conducted, nickel contained in an internal electrode 9 and copper contained in the conducive paste are scattered respectively in vicinity of an exposed end of the internal electrode 9 containing nickel in a component body 4, and a Ni-Cu alloy layer 11 is formed in the external electrode 2. A glass layer 12 derived from the glass powder contained in the conductive paste is formed in a region in contact with the external electrode 2 and the component body 4.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

この発明は、導電性ペーストに関するもので、特に、チップ型セラミック電子部品における外部電極を形成するために用いられる導電性ペーストに関するものである。   The present invention relates to a conductive paste, and more particularly to a conductive paste used for forming an external electrode in a chip-type ceramic electronic component.

たとえば、特開2011−26631号公報(特許文献1)には、積層セラミックコンデンサ等のチップ型セラミック電子部品における外部電極を形成するために適用される、銅粉末を含む導電性ペーストが記載されている。特に、特許文献1では、銅粉末に対して耐酸化性を与えることを課題とし、この課題を解決するため、銅粉末の粒子内部に特定量のBiおよびMgを含有させることが提案されている。   For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-26631 (Patent Document 1) describes a conductive paste containing copper powder, which is applied to form external electrodes in chip-type ceramic electronic components such as multilayer ceramic capacitors. Yes. In particular, in Patent Document 1, it is an object to provide oxidation resistance to copper powder, and in order to solve this problem, it is proposed to contain a specific amount of Bi and Mg inside the particles of copper powder. .

特開2011−26631号公報JP 2011-26631 A

チップ型セラミック電子部品の外形寸法の小型化を図るため、チップ型セラミック電子部品の部品本体の外表面上に形成される外部電極の薄膜化を図ることが有効な手段の一つとして考えられる。薄膜化しながら、緻密性の高い、すなわち、欠陥が少なく、ボイドが少ない、外部電極を導電性ペーストの焼付けによって得るには、導電性ペーストに含まれる銅粉末およびガラス粉末を微粒化する必要がある。たとえば、粒子径が1μm以下と微粒化された銅粉末を得るための方法として、液相還元法、または気相法(熱プラズマ法)などの方法が知られている。   In order to reduce the external dimensions of the chip-type ceramic electronic component, it is considered as one effective means to reduce the thickness of the external electrode formed on the outer surface of the component body of the chip-type ceramic electronic component. In order to obtain an external electrode with high density, that is, with few defects and few voids while baking a conductive paste, it is necessary to atomize the copper powder and glass powder contained in the conductive paste. . For example, a method such as a liquid phase reduction method or a gas phase method (thermal plasma method) is known as a method for obtaining an atomized copper powder having a particle size of 1 μm or less.

他方、導電性ペーストに含ませる銅粉末として、粒子径1μm以下の微粒銅粉末を用いると、銅粉末が焼結する際にガスが発生しやすく、そのため、外部電極にブリスタによる不具合がもたらされることがある。ブリスタの原因となるガスとしては、たとえば、銅粉末に不純物として含まれるイオウに由来するSOガス、ガラス粉末に含まれる炭素に由来するCOガスなどがある。 On the other hand, if a fine copper powder having a particle diameter of 1 μm or less is used as the copper powder to be included in the conductive paste, gas is likely to be generated when the copper powder is sintered. There is. Examples of the gas that causes blisters include SO 2 gas derived from sulfur contained as an impurity in copper powder, and CO 2 gas derived from carbon contained in glass powder.

ブリスタ不具合を抑制するため、微粒の銅粉末の焼結開始を遅らせることが有効であると考えられている。たとえば、ZrOやAlのような酸化物を焼結遅延剤として銅粉末に加えることで、焼結開始を遅らせることができれば、脱脂過程で発生するガスを逃がす経路を確保することができるため、ブリスタ不具合を抑制することができる。 In order to suppress blister defects, it is considered effective to delay the start of sintering of fine copper powder. For example, by adding an oxide such as ZrO 2 or Al 2 O 3 as a sintering retarder to the copper powder, if the start of sintering can be delayed, it is possible to secure a route for releasing the gas generated in the degreasing process. As a result, blister defects can be suppressed.

しかしながら、上記のブリスタ抑制技術によれば、チップ型セラミック電子部品の部品本体内部にあって、外部電極と電気的に接続されるべき内部電極に対する、外部電極のコンタクト性能が低下するなど、品質面での課題に遭遇することがある。すなわち、ブリスタ抑制と、外部電極と内部電極とのコンタクト性能確保とは、トレードオフの関係にある。   However, according to the above-mentioned blister suppression technology, the contact performance of the external electrode with respect to the internal electrode that is to be electrically connected to the external electrode within the component body of the chip-type ceramic electronic component is deteriorated. You may encounter a problem at That is, there is a trade-off relationship between blister suppression and ensuring contact performance between the external electrode and the internal electrode.

この発明の目的は、焼結遅延剤に頼ることなく、焼成時にブリスタ不具合を生じにくくすることができる、外部電極形成用の導電性ペーストを提供しようとすることである。   An object of the present invention is to provide a conductive paste for forming an external electrode that can make it difficult to cause blister defects during firing without relying on a sintering retarder.

この発明は、チップ型セラミック電子部品における外部電極形成用の導電性ペーストに向けられる。導電性ペーストは、銅粉末とガラス粉末とを含み、上述した技術的課題を解決するため、銅粉末は、粒子径が300nm以下で、粒子径/結晶子径が1.0を超えかつ3.8以下であり、銅粉末およびガラス粉末の合計体積に占めるガラス粉末の体積割合が35体積%以下であることを特徴としている。   The present invention is directed to a conductive paste for forming external electrodes in a chip-type ceramic electronic component. The conductive paste contains copper powder and glass powder, and in order to solve the technical problems described above, the copper powder has a particle diameter of 300 nm or less, a particle diameter / crystallite diameter exceeding 1.0, and 3. 8 or less, and the volume ratio of the glass powder to the total volume of the copper powder and the glass powder is 35% by volume or less.

この発明によれば、導電性ペーストにおいて、粒子径が300nm以下というように微粒でありながらも、粒子径/結晶子径が3.8以下というように結晶性の高い銅粉末を導電成分として含んでいるので、焼結の進行を緩やかにすることができる。したがって、導電性ペーストの焼成工程における脱脂過程で発生するガスを逃がす経路を十分に確保することができるため、ブリスタ不具合を抑制することができる。   According to the present invention, the conductive paste contains copper powder having a high crystallinity as a conductive component such that the particle diameter / crystallite diameter is 3.8 or less, although the particle diameter is as fine as 300 nm or less. Therefore, the progress of sintering can be moderated. Therefore, a sufficient path for escaping gas generated in the degreasing process in the baking process of the conductive paste can be secured, so that blister defects can be suppressed.

また、銅粉末は、粒子径が300nm以下というように微粒であるので、銅粉末の粒子間に形成される隙間を少なくすることができる。その結果、銅粉末の粒子間の隙間に存在するガラス量を、ガラス粉末で35体積%以下と低減することができる。したがって、焼成時に発生し得るガラス粉末由来のガスについても、これを低減することができる。このことも、ブリスタ不具合の抑制に貢献する。   Moreover, since the copper powder is fine particles having a particle diameter of 300 nm or less, gaps formed between the copper powder particles can be reduced. As a result, the amount of glass present in the gaps between the copper powder particles can be reduced to 35% by volume or less with the glass powder. Therefore, this can also be reduced for the gas derived from the glass powder that can be generated during firing. This also contributes to suppression of blister failures.

また、導電性ペースト中の銅粉末が、粒子径300nm以下と微粒化されるので、外部電極と電気的に接続されるべき内部電極に対する、外部電極のコンタクト性能を向上させることができるとともに、外部電極において、たとえば水分などに対する高い封止性といった高い緻密性を実現することができる。   Further, since the copper powder in the conductive paste is atomized to a particle size of 300 nm or less, the contact performance of the external electrode with respect to the internal electrode to be electrically connected to the external electrode can be improved, and the external In the electrode, high density such as high sealing property against moisture or the like can be realized.

この発明の一実施形態による導電性ペーストを用いて外部電極2が形成されたチップ型セラミック電子部品1の一部を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically a part of chip-type ceramic electronic component 1 in which the external electrode 2 was formed using the electrically conductive paste by one Embodiment of this invention. 図1に示したチップ型セラミック電子部品1に相当する実際の試料を撮影した顕微鏡写真を示す図である。It is a figure which shows the microscope picture which image | photographed the actual sample corresponded to the chip-type ceramic electronic component 1 shown in FIG. 外部電極24の固着性能を評価する方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the method to evaluate the adhering performance of the external electrode.

この発明の一実施形態による導電性ペーストは、チップ型セラミック電子部品における外部電極を形成するために用いられる。導電性ペーストは、銅粉末とガラス粉末とを含み、さらに、ペースト性を与えるため、適量の樹脂および溶剤を含む。   The conductive paste according to one embodiment of the present invention is used to form external electrodes in chip-type ceramic electronic components. The conductive paste contains copper powder and glass powder, and further contains appropriate amounts of resin and solvent in order to provide paste properties.

導電性ペーストに含まれる銅粉末は、粒子径が300nm以下の微粉とされる。粒子径は、銅粉末の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて撮影し、画像解析ソフトを用いて求められたものである。また、銅粉末の結晶性は高く、銅粉末の粒子径/結晶子径は3.8以下とされる。ここで、結晶子径は、X線回折(XRD)法によって測定されて求められたものである。なお、結晶子径は粒子径より大きくなることはないので、粒子径/結晶子径は1.0を超える数値となる。   The copper powder contained in the conductive paste is a fine powder having a particle size of 300 nm or less. The particle diameter is obtained by photographing the surface of the copper powder with a scanning electron microscope (SEM) and using image analysis software. The crystallinity of the copper powder is high, and the particle size / crystallite size of the copper powder is 3.8 or less. Here, the crystallite diameter is obtained by measurement by an X-ray diffraction (XRD) method. In addition, since the crystallite diameter never becomes larger than the particle diameter, the particle diameter / crystallite diameter is a numerical value exceeding 1.0.

上述の粒子径/結晶子径は、より好ましくは、1.1以上かつ2.0以下とされる。これにより、ブリスタ不具合の抑制効果をより高めることができる。また、銅粉末の結晶子径は50nm以上であることが好ましい。このことも、ブリスタ不具合の抑制効果をより高めることに貢献する。   The above-mentioned particle diameter / crystallite diameter is more preferably 1.1 or more and 2.0 or less. Thereby, the inhibitory effect of a blister malfunction can be heightened more. Moreover, it is preferable that the crystallite diameter of copper powder is 50 nm or more. This also contributes to further enhancing the effect of suppressing blister defects.

銅粉末は、球形の粉末粒子からなることが好ましい。これによれば、導電性ペーストの乾燥塗膜中のガラス比率を低減することができるので、ガラス含有量を少なくすることができ、その結果、外部電極を緻密化することができる。したがって、たとえば平面寸法が0.2mm×0.1mmといった超小型のチップ型セラミック電子部品においても、チップ型セラミック電子部品における部品本体のセラミック面に対する外部電極の固着性能をそれほど低下させることなく、外部電極と内部電極との間で良好な導通性を実現することができる。   The copper powder is preferably composed of spherical powder particles. According to this, since the glass ratio in the dry paint film of an electrically conductive paste can be reduced, glass content can be decreased, As a result, an external electrode can be densified. Therefore, for example, even in an ultra-small chip-type ceramic electronic component having a planar size of 0.2 mm × 0.1 mm, the external electrode fixing performance with respect to the ceramic surface of the component body in the chip-type ceramic electronic component is not reduced so much. Good electrical conductivity can be realized between the electrode and the internal electrode.

なお、銅粉末の粒子径を、たとえば300nmとするより、たとえば100nmというように、より小さくした方が、上述した外部電極と内部電極との間での導通性がより良好になり、また、上述した外部電極の固着性能をより高くすることができる。   Note that the conductivity between the external electrode and the internal electrode described above becomes better when the particle size of the copper powder is made smaller, for example, 100 nm, for example, 300 nm, and moreover, Thus, the fixing performance of the external electrode can be increased.

銅粉末は、気相法によって製造されることが好ましい。気相法によれば、前述したように、粒子径が300nm以下で、粒子径/結晶子径が3.8以下である、銅粉末を容易に製造することができる。また、気相法によれば、銅粉末の粉末粒子の内部に、不純物を含まないか、ほとんど含まないようにすることができる。特に、不純物として塩素を含む場合には、塩素イオン量として0.01質量%以下しか含まないようにすることができる。なお、この塩素イオン量は燃焼イオンクロマトグラフィー法で測定した値である。また、不純物としてイオウを含む場合には、イオウ量として0.002質量%以下しか含まないようにすることができる。なお、このイオウ量は高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−AES)で測定した値である。   The copper powder is preferably produced by a vapor phase method. According to the vapor phase method, as described above, a copper powder having a particle diameter of 300 nm or less and a particle diameter / crystallite diameter of 3.8 or less can be easily produced. In addition, according to the vapor phase method, it is possible to contain no or almost no impurities inside the powder particles of the copper powder. In particular, when chlorine is contained as an impurity, it can be made to contain only 0.01% by mass or less as the amount of chlorine ions. The amount of chlorine ions is a value measured by a combustion ion chromatography method. Moreover, when sulfur is contained as an impurity, it can be made to contain only 0.002 mass% or less as a sulfur amount. This amount of sulfur is a value measured by high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP-AES).

他方、ガラス粉末は、導電性ペーストにおける無機成分の合計体積、すなわち、銅粉末およびガラス粉末の合計体積に占める体積割合が35体積%以下とされ、好ましくは、10体積%以上かつ25体積%以下とされる。ガラス粉末の体積割合がたとえば上限の35体積%とされた場合には、銅粉末の粒子径がたとえば100nm以下であれば問題ないが、銅粉末の粒子径がたとえば300nmとされると、内部電極に対する、外部電極のコンタクト性能が劣化することがある。したがって、上述のように、ガラス粉末の体積割合は、10体積%以上かつ25体積%以下であることが好ましい。   On the other hand, in the glass powder, the total volume of inorganic components in the conductive paste, that is, the volume ratio of the total volume of the copper powder and the glass powder is 35% by volume or less, preferably 10% by volume or more and 25% by volume or less. It is said. When the volume ratio of the glass powder is, for example, the upper limit of 35% by volume, there is no problem if the particle diameter of the copper powder is, for example, 100 nm or less, but when the particle diameter of the copper powder is, for example, 300 nm, However, the contact performance of the external electrode may deteriorate. Therefore, as described above, the volume ratio of the glass powder is preferably 10% by volume or more and 25% by volume or less.

好ましくは、ガラス粉末の粒子径は1.0μm以下に選ばれる。ガラス粉末の粒子径についても、銅粉末の場合と同様、ガラス粉末の表面をSEMにて撮影し、画像解析ソフトを用いて求められたものである。   Preferably, the particle diameter of the glass powder is selected to be 1.0 μm or less. The particle diameter of the glass powder is also obtained by photographing the surface of the glass powder with an SEM and using image analysis software, as in the case of the copper powder.

また、ガラス粉末は、B−Si系ガラスからなることが好ましい。この場合、B−Si系ガラスは、添加元素として、BaまたはSrを含んでいてもよい。   The glass powder is preferably made of B-Si glass. In this case, the B—Si based glass may contain Ba or Sr as an additive element.

導電性ペーストは、前述したように、適量の樹脂および溶剤をさらに含んでいる。樹脂としては、アクリル樹脂、エチルセルロース樹脂、ブチラール樹脂など、公知の樹脂が用いられる。溶剤としては、好ましくは、ターピネオールなどのアルコール系溶剤が用いられる。溶剤には、分散剤が添加されてもよい。   As described above, the conductive paste further includes appropriate amounts of a resin and a solvent. As the resin, known resins such as an acrylic resin, an ethyl cellulose resin, and a butyral resin are used. As the solvent, an alcohol solvent such as terpineol is preferably used. A dispersant may be added to the solvent.

図1は、上述した導電性ペーストを用いて外部電極2が形成されたチップ型セラミック電子部品1の一部を断面図で示している。図1では、チップ型セラミック電子部品1が模式的に図示されている。したがって、図1に示した各要素の形態および各要素間の寸法比率は、実際のもの(図2参照)とは異なる場合がある。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a part of a chip-type ceramic electronic component 1 on which external electrodes 2 are formed using the conductive paste described above. In FIG. 1, a chip-type ceramic electronic component 1 is schematically shown. Therefore, the form of each element shown in FIG. 1 and the dimensional ratio between each element may be different from the actual one (see FIG. 2).

チップ型セラミック電子部品1は、たとえば積層セラミックコンデンサを構成するもので、複数のセラミック層3が積層されてなる部品本体4を備えている。部品本体4は、互いに対向する第1の主面5および第2の主面6と、それらの間を接続する第1の端面7および、図示しないが、第1の端面7に対向する第2の端面とを有し、さらに、図示しないが、図1紙面に対して平行に延びかつ互いに対向する第1の側面および第2の側面を有する。   The chip-type ceramic electronic component 1 constitutes, for example, a multilayer ceramic capacitor, and includes a component body 4 in which a plurality of ceramic layers 3 are laminated. The component main body 4 includes a first main surface 5 and a second main surface 6 that face each other, a first end surface 7 that connects the first main surface 5 and the second main surface 6, and a second end that opposes the first end surface 7 (not shown). In addition, although not shown, the first and second side surfaces extend in parallel with the paper surface of FIG. 1 and face each other.

部品本体4の内部には、各々複数の第1の内部電極9および第2の内部電極10が、隣り合うものの間に特定のセラミック層3を介在させながら、セラミック層3の積層方向に沿って交互に配置されている。第1の内部電極9は、図示した第1の端面7にまで引き出されている。他方、第2の内部電極10は、図示しない第2の端面にまで引き出されている。内部電極9および10は、導電成分としてニッケルを含んでいる。   Inside the component main body 4, a plurality of first internal electrodes 9 and second internal electrodes 10 are arranged along the stacking direction of the ceramic layers 3 while interposing a specific ceramic layer 3 between adjacent ones. Alternatingly arranged. The first internal electrode 9 is drawn out to the illustrated first end surface 7. On the other hand, the second internal electrode 10 is drawn out to a second end face (not shown). The internal electrodes 9 and 10 contain nickel as a conductive component.

図示した外部電極、すなわち第1の外部電極2は、部品本体4の第1の端面7に形成され、第1の内部電極9と電気的に接続されている。図示しないが、第1の外部電極2に対向するように形成される第2の外部電極は、部品本体4の第2の端面に形成され、第2の内部電極10と電気的に接続されている。第1の外部電極2と第2の外部電極とは実質的に同様の構成を有している。したがって、以下には、第1の外部電極2の構成について詳細に説明し、第2の外部電極の構成については説明を省略する。   The illustrated external electrode, that is, the first external electrode 2 is formed on the first end surface 7 of the component main body 4 and is electrically connected to the first internal electrode 9. Although not shown, the second external electrode formed so as to face the first external electrode 2 is formed on the second end face of the component body 4 and is electrically connected to the second internal electrode 10. Yes. The first external electrode 2 and the second external electrode have substantially the same configuration. Therefore, in the following, the configuration of the first external electrode 2 will be described in detail, and the description of the configuration of the second external electrode will be omitted.

第1の外部電極2は、第1の端面7からこれに隣接する第1および第2の主面5および6ならびに第1および第2の側面の各一部にまで延びるように形成されている。このような形態の外部電極2を形成するため、前述した導電性ペーストをディップ法などにより部品本体4の所定の部分に付与することによって導電性ペースト膜が形成され、この導電性ペースト膜が焼成される。焼成工程では、たとえば700℃というように、750℃以下の温度が適用される。   The first external electrode 2 is formed so as to extend from the first end face 7 to the first and second main faces 5 and 6 adjacent thereto and a part of each of the first and second side faces. . In order to form the external electrode 2 having such a form, a conductive paste film is formed by applying the above-described conductive paste to a predetermined portion of the component body 4 by a dip method or the like, and this conductive paste film is fired. Is done. In the firing step, a temperature of 750 ° C. or lower is applied, for example, 700 ° C.

上述の焼成工程を実施したとき、導電性ペースト膜における、第1の端面7での第1の内部電極9の露出端近傍では、内部電極9に含まれるニッケルと導電性ペーストに含まれる銅とが相互に拡散し、外部電極2中にNi−Cu合金層11が形成される。Ni−Cu合金層11には、空隙はなく、ガラスがほぼ存在しないことが好ましい。Ni−Cu合金層11は、複数の第1の内部電極9を互いに電気的に接続するように機能し、外部電極2と内部電極9とのコンタクト性能の向上に寄与し、また、外部電極2による水分シール性の向上にも寄与する。   When the above baking process is performed, in the conductive paste film, in the vicinity of the exposed end of the first internal electrode 9 on the first end surface 7, nickel contained in the internal electrode 9 and copper contained in the conductive paste Diffuse to each other, and the Ni—Cu alloy layer 11 is formed in the external electrode 2. The Ni—Cu alloy layer 11 is preferably free of voids and almost free of glass. The Ni—Cu alloy layer 11 functions to electrically connect the plurality of first internal electrodes 9 to each other, contributes to improvement in contact performance between the external electrode 2 and the internal electrode 9, and the external electrode 2 It also contributes to the improvement of moisture sealability.

また、上記Ni−Cu合金層11が形成された領域以外の領域であって、外部電極2における部品本体4と接する領域では、導電性ペーストに含まれるガラス粉末に由来するガラス層12が形成される。ガラス層12は、図1に示すように、連続した層となっていることが好ましいが、一部において途切れていてもよい。ガラス層12は、部品本体4に対する外部電極2の固着性能の向上に寄与する。   Further, in a region other than the region where the Ni-Cu alloy layer 11 is formed and in contact with the component body 4 in the external electrode 2, a glass layer 12 derived from the glass powder contained in the conductive paste is formed. The As shown in FIG. 1, the glass layer 12 is preferably a continuous layer, but may partially be interrupted. The glass layer 12 contributes to the improvement of the fixing performance of the external electrode 2 to the component body 4.

図2は、図1に示したチップ型セラミック電子部品1に相当する実際の試料を撮影した顕微鏡写真を示している。図2では、図1に示した外部電極2および部品本体4に相当する部分が撮影されている。特に引出し線をもって示すことはしないが、図2において、部品本体4中に第1および第2の内部電極9および10が存在していることが認められる。図2の顕微鏡写真において、外部電極2中の黒っぽい筋または斑点はガラスの存在によるものである。   FIG. 2 shows a photomicrograph of an actual sample corresponding to the chip-type ceramic electronic component 1 shown in FIG. In FIG. 2, a portion corresponding to the external electrode 2 and the component main body 4 shown in FIG. 1 is photographed. Although not particularly shown with a lead line, it can be seen in FIG. 2 that the first and second internal electrodes 9 and 10 are present in the component body 4. In the photomicrograph of FIG. 2, dark streaks or spots in the external electrode 2 are due to the presence of glass.

外部電極2における、部品本体4での第1の内部電極9の露出端近傍には、Ni−Cu合金層11が形成されている。Ni−Cu合金層11には、空隙はなく、ガラスがほぼ存在しないことが認められる。また、上記Ni−Cu合金層11が形成された領域以外の領域であって、外部電極2における部品本体4と接する領域では、筋状に延びるガラス層12が形成されている。   A Ni—Cu alloy layer 11 is formed in the external electrode 2 near the exposed end of the first internal electrode 9 in the component main body 4. It can be seen that the Ni—Cu alloy layer 11 has no voids and almost no glass. Further, in a region other than the region where the Ni—Cu alloy layer 11 is formed and in contact with the component main body 4 in the external electrode 2, a glass layer 12 extending in a streak shape is formed.

さらに、図2に示したチップ型セラミック電子部品1の外部電極2には、ブリスタ不具合を確認することができないことに注目すべきである。   Further, it should be noted that no blister failure can be confirmed in the external electrode 2 of the chip-type ceramic electronic component 1 shown in FIG.

[実験例]
次に、この明細書において開示された導電性ペーストを用いて実施した実験例について説明する。
[Experimental example]
Next, experimental examples carried out using the conductive paste disclosed in this specification will be described.

導電性ペーストに含まれる銅粉末については、気相法で製造されたものであって、後掲の表に示す所定の粒子径および所定の結晶子径を有する球形の粉末粒子からなるものを製造業者から入手した。銅粉末の粒子径については、銅粉末表面をSEMで撮影し、画像解析ソフトを用いて、粒子径500点の平均値D50を求め、これを粒子径とした。結晶子径については、ブルカー製のX線回折装置「D8 Advance」を用いて結晶性を測定し、この測定値からブルカー製の専用ソフト「TOPAS」により、結晶子径を算出した。   The copper powder contained in the conductive paste is manufactured by a vapor phase method and is made of spherical powder particles having a predetermined particle diameter and a predetermined crystallite diameter shown in the table below. Obtained from a vendor. Regarding the particle diameter of the copper powder, the surface of the copper powder was photographed with SEM, and an average value D50 of 500 particle diameters was determined using image analysis software, and this was used as the particle diameter. About crystallite diameter, crystallinity was measured using the Bruker X-ray-diffraction apparatus "D8 Advance", and the crystallite diameter was computed from this measured value with the dedicated software "TOPAS" made from Bruker.

導電性ペーストに含まれるガラス粉末については、粒子径が1.0μm以下であって、B−Si−Ba系ガラスからなるものを用意した。   About the glass powder contained in an electrically conductive paste, the particle diameter is 1.0 micrometer or less, Comprising: The thing which consists of B-Si-Ba type | system | group glass was prepared.

上述した銅粉末およびガラス粉末に、適量のアクリル樹脂およびターピネオールを加え、混合することによって、導電性ペーストを得た。   An appropriate amount of acrylic resin and terpineol were added to and mixed with the copper powder and glass powder described above to obtain a conductive paste.

また、導電性ペーストを、後掲の表に示すように、「ブリスタ」、「コンタクト性能」および「固着性能」の各項目について評価した。   The conductive paste was evaluated for each item of “blister”, “contact performance”, and “adhesion performance” as shown in the table below.

「ブリスタ」は、ブリスタ不具合の発生の有無を評価したものである。より具体的には、平面寸法が0.6mm×0.3mmの部品本体の両端部に導電性ペーストをディップ法により付与し、720℃の温度で焼成して、外部電極を形成した。ここで、焼成後の外部電極の、部品本体の端面上での厚みが、後述するように、30μmまたは50μmとなるようにした。100個の部品本体について外観観察を行ない、1個でもブリスタ不具合が発生したものがあれば、不良と判定し、後掲の表では「×」で示した。   “Blister” is an evaluation of whether or not a blister failure has occurred. More specifically, a conductive paste was applied to both ends of a component main body having a plane dimension of 0.6 mm × 0.3 mm by a dip method and fired at a temperature of 720 ° C. to form external electrodes. Here, the thickness of the external electrode after firing on the end face of the component main body was set to 30 μm or 50 μm as described later. The appearance of 100 component bodies was observed, and even if one of them had a blister failure, it was determined to be defective and indicated by “x” in the table below.

「コンタクト性能」は、外部電極と内部電極とのコンタクト性能を評価したものである。より具体的には、平面寸法が0.2mm×0.1mmの部品本体の両端部に導電性ペーストをディップ法により付与し、720℃の温度で焼成して、外部電極を形成して、静電容量10nFの積層セラミックコンデンサとなる試料を得た。次に、試料となる積層セラミックコンデンサに対して、温度150℃を1時間印加した後、さらに24時間経過後に初期容量を測定した。次いで、試料となる積層セラミックコンデンサを、定格電圧の2倍の印加電圧12.6Vで5秒間充電した後、金属容器の上に静置し、0オーム下で内部にたまった電子を放電した。その後、再度、試料となる積層セラミックコンデンサに対して、温度150℃を1時間印加した後、さらに24時間経過後に容量を測定した。この容量が前述の初期容量に比べて5%以上低下した試料が20個中いくつあるかを数えた。後掲の表において、この数が2個以上であれば「×」と表示し、1個であれば「△」と表示し、0個であれば「○」と表示した。   “Contact performance” is an evaluation of contact performance between an external electrode and an internal electrode. More specifically, a conductive paste is applied to both ends of a component body having a plane dimension of 0.2 mm × 0.1 mm by a dip method, and baked at a temperature of 720 ° C. to form an external electrode. A sample to be a multilayer ceramic capacitor having a capacitance of 10 nF was obtained. Next, a temperature of 150 ° C. was applied to the sample multilayer ceramic capacitor for 1 hour, and the initial capacity was measured after a further 24 hours. Next, the multilayer ceramic capacitor as a sample was charged with an applied voltage of 12.6 V that is twice the rated voltage for 5 seconds, and then left on a metal container to discharge electrons accumulated inside at 0 ohm. Thereafter, again, a temperature of 150 ° C. was applied to the multilayer ceramic capacitor as a sample for 1 hour, and the capacity was measured after 24 hours had elapsed. It was counted how many of 20 samples had this capacity decreased by 5% or more compared to the initial capacity described above. In the table below, when the number is 2 or more, “x” is displayed, when it is 1, “Δ” is displayed, and when it is 0, “◯” is displayed.

「固着性能」は、外部電極の部品本体に対する固着性能を評価したものである。より具体的には、平面寸法が0.2mm×0.1mmの部品本体の両端部に導電性ペーストをディップ法により付与し、720℃の温度で焼成して、外部電極を形成した後、さらに外部電極にSnめっきを施し、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。次に、図3に示すように、基板21上に積層セラミックコンデンサ22の部品本体23を立てた状態で配置し、下側の外部電極24にはんだ25を付与することによって、積層セラミックコンデンサ22を基板21に固定した。この状態で、矢印26で示すように、上側の外部電極27を横押しした。この横押しによって生じる破壊モードを、
(1)基板21とはんだ25との界面での剥離、
(2)はんだ25と外部電極24上のめっき膜との界面での剥離、
(3)外部電極24と部品本体23との界面での剥離、および
(4)部品本体23の割れ、
に4つに分類した。試料数10個について、1個でも(3)の破壊モードに遭遇したものがあれば、不良と判定し、後掲の表において「×」と表示した。
“Adhesion performance” is an evaluation of the adhesion performance of the external electrode to the component main body. More specifically, a conductive paste is applied to both ends of a component body having a plane dimension of 0.2 mm × 0.1 mm by a dip method, and baked at a temperature of 720 ° C. to form an external electrode. The external electrode was plated with Sn to produce a multilayer ceramic capacitor as a sample. Next, as shown in FIG. 3, the multilayer ceramic capacitor 22 is placed by placing the component body 23 of the multilayer ceramic capacitor 22 upright on the substrate 21 and applying solder 25 to the lower external electrode 24. Fixed to the substrate 21. In this state, as indicated by an arrow 26, the upper external electrode 27 was laterally pressed. The destruction mode caused by this lateral pushing
(1) Peeling at the interface between the substrate 21 and the solder 25,
(2) Peeling at the interface between the solder 25 and the plating film on the external electrode 24,
(3) peeling at the interface between the external electrode 24 and the component body 23, and (4) cracking of the component body 23,
It was classified into four. If there was even one sample that encountered the destruction mode (3) for 10 samples, it was determined to be defective, and “x” was displayed in the table below.

(実験例1)
実験例1では、表1に示すような「粒子径」、「結晶子径」および「粒子径/結晶子径」を有する銅粉末を含む導電性ペーストを用いて外部電極を形成した。また、導電性ペースト中の銅粉末およびガラス粉末の合計体積に占めるガラス粉末の体積割合は25体積%とした。実験例1では、焼成後の外部電極の、部品本体の端面上での厚みが30μmとなるようにした。
(Experimental example 1)
In Experimental Example 1, an external electrode was formed using a conductive paste containing copper powder having “particle diameter”, “crystallite diameter” and “particle diameter / crystallite diameter” as shown in Table 1. Moreover, the volume ratio of the glass powder to the total volume of the copper powder and the glass powder in the conductive paste was 25% by volume. In Experimental Example 1, the thickness of the fired external electrode on the end face of the component main body was set to 30 μm.

表1において、試料1、2および4が、この発明の範囲内にあるもので、銅粉末は、「粒子径」が300nm以下で、「粒子径/結晶子径」が1.0を超えかつ3.8以下であるという条件を満たしているので、「ブリスタ」、「コンタクト性能」および「固着性能」について「○」の評価となっている。   In Table 1, Samples 1, 2 and 4 are within the scope of the present invention, and the copper powder has a “particle diameter” of 300 nm or less and a “particle diameter / crystallite diameter” exceeding 1.0 and Since the condition of 3.8 or less is satisfied, the “blister”, “contact performance” and “adhesion performance” are evaluated as “◯”.

これに対して、試料3では、銅粉末の「粒子径/結晶子径」が3.8を超える10.0であるので、「ブリスタ」について「×」の評価となっている。   On the other hand, in the sample 3, since the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder is 10.0 exceeding 3.8, the “blister” is evaluated as “x”.

また、試料5では、銅粉末の「粒子径/結晶子径」が3.8を超える6.0であるので、「ブリスタ」について「×」の評価となっている。試料5では、銅粉末の「粒子径」が300nmというように、試料2の場合の100nmより大きいため、さらに「固着性能」について「×」の評価となっている。   In Sample 5, since the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder is 6.0 exceeding 3.8, “Blister” is evaluated as “x”. In Sample 5, since the “particle diameter” of the copper powder is larger than 100 nm in the case of Sample 2 such as 300 nm, the “adhesion performance” is further evaluated as “x”.

また、試料6では、銅粉末の「粒子径」が300nmを超える500nmであり、「粒子径/結晶子径」が3.8を超える5.0であるので、「ブリスタ」、「コンタクト性能」および「固着性能」について「×」の評価となっている。   In sample 6, since the “particle diameter” of the copper powder is 500 nm exceeding 300 nm and “particle diameter / crystallite diameter” is 5.0 exceeding 3.8, “blister”, “contact performance” The “adhesion performance” is evaluated as “x”.

また、試料7では、銅粉末の「粒子径/結晶子径」が1.0を超えかつ3.8以下であるという条件を満たしているが、「粒子径」が300nmを超える500nmであるので、「ブリスタ」、「コンタクト性能」および「固着性能」について「×」の評価となっている。   Sample 7 satisfies the condition that the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder exceeds 1.0 and is 3.8 or less, but the “particle diameter” is 500 nm exceeding 300 nm. “Blister”, “Contact performance” and “Fixing performance” are evaluated as “x”.

(実験例2)
実験例2では、表2に示すような「粒子径」、「結晶子径」および「粒子径/結晶子径」を有する銅粉末を含む導電性ペーストを用いて外部電極を形成した。また、導電性ペースト中の銅粉末およびガラス粉末の合計体積に占めるガラス粉末の体積割合は、実験例1の場合と同様、25体積%とした。実験例2では、焼成後の外部電極の、部品本体の端面上での厚みは、実験例1の場合より厚く、50μmとなるようにした。外部電極の厚みがより厚くなるほど、ブリスタ不具合が発生するリスクがより高まることが推測される。
(Experimental example 2)
In Experimental Example 2, an external electrode was formed using a conductive paste containing copper powder having “particle diameter”, “crystallite diameter” and “particle diameter / crystallite diameter” as shown in Table 2. Further, the volume ratio of the glass powder to the total volume of the copper powder and the glass powder in the conductive paste was set to 25% by volume as in the case of Experimental Example 1. In Experimental Example 2, the thickness of the external electrode after firing on the end face of the component main body was thicker than that in Experimental Example 1 and was 50 μm. It is estimated that the greater the thickness of the external electrode, the higher the risk of blister failure.

表2において、試料11〜18のすべてが300nm以下の「粒子径」である。また、試料11〜18のうち、試料14を除く試料11〜13および15〜18については、銅粉末は、「粒子径/結晶子径」が1.0を超えかつ3.8以下であるという条件を満たしており、この発明の範囲内にある。   In Table 2, all of the samples 11 to 18 have a “particle diameter” of 300 nm or less. Moreover, about the samples 11-13 and 15-18 except the sample 14 among the samples 11-18, it is said that copper powder has "particle diameter / crystallite diameter" exceeding 1.0 and 3.8 or less. The conditions are met and are within the scope of this invention.

しかしながら、この発明の範囲内にある試料11〜13および15〜18のうち、試料11および17については、「ブリスタ」の評価が「×」となっている。これは、銅粉末の「粒子径/結晶子径」が、試料12、13、15、16および18では、1.1以上かつ2.0以下の範囲にあるのに対し、試料11および17では、1.1以上かつ2.0以下の範囲から外れ、それぞれ、3.3および3.0となっているためであると考えられる。   However, among the samples 11 to 13 and 15 to 18 within the scope of the present invention, the evaluation of “blister” is “x” for the samples 11 and 17. This is because the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder is in the range of 1.1 or more and 2.0 or less in the samples 12, 13, 15, 16 and 18, whereas in the samples 11 and 17 , 1.1 and 2.0 or less, and 3.3 and 3.0, respectively.

このことから、外部電極の厚みがより厚くなるほど、ブリスタ不具合が発生するリスクがより高まるため、銅粉末の「粒子径/結晶子径」を、1.0を超えかつ3.8以下の範囲より狭めて、1.1以上かつ2.0以下の範囲にすることが望ましいことがわかる。   From this, the greater the thickness of the external electrode, the higher the risk of blister failure, so that the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder is more than 1.0 and less than 3.8. It can be seen that it is desirable to narrow it to a range between 1.1 and 2.0.

すなわち、銅粉末の「粒子径/結晶子径」を1.1以上かつ2.0以下の範囲に狭めた試料12、13、15、16および18では、外部電極の厚みが50μmと厚くなっても、「ブリスタ」の評価が「○」となっている。   That is, in the samples 12, 13, 15, 16 and 18 in which the “particle diameter / crystallite diameter” of the copper powder is narrowed to a range of 1.1 or more and 2.0 or less, the thickness of the external electrode is increased to 50 μm. However, the evaluation of “Blista” is “○”.

(実験例3)
実験例3では、表3に示すような「粒子径」、「結晶子径」および「粒子径/結晶子径」を有する銅粉末を含む導電性ペーストを用いて外部電極を形成した。また、実験例3では、実験例1の場合と同様、焼成後の外部電極の、部品本体の端面上での厚みが30μmとなるようにした。
(Experimental example 3)
In Experimental Example 3, an external electrode was formed using a conductive paste containing copper powder having “particle diameter”, “crystallite diameter” and “particle diameter / crystallite diameter” as shown in Table 3. In Experimental Example 3, as in Experimental Example 1, the thickness of the fired external electrode on the end surface of the component main body was set to 30 μm.

実験例3では、導電性ペースト中の銅粉末およびガラス粉末の合計体積に占めるガラス粉末の体積割合を、表3の「ガラス比率」に示すように、5〜35体積%の範囲で変更した。   In Experimental Example 3, the volume ratio of the glass powder to the total volume of the copper powder and the glass powder in the conductive paste was changed within the range of 5 to 35% by volume as shown in “Glass ratio” in Table 3.

まず、銅粉末の「粒子径」に注目すると、試料29〜31は、300nmを超える500nmである点で、この発明の範囲外である。そのため、「コンタクト性能」および「固着性能」の少なくとも一方の評価が「×」となっている。   First, paying attention to the “particle diameter” of the copper powder, the samples 29 to 31 are out of the scope of the present invention in that they are 500 nm exceeding 300 nm. Therefore, the evaluation of at least one of “contact performance” and “adhesion performance” is “x”.

他方、試料21〜28は、この発明の範囲内にあるもので、銅粉末は、「粒子径」が300nm以下で、「粒子径/結晶子径」が1.0を超えかつ3.8以下であるという条件を満たしている。表3では表示していないが、これら試料21〜28では、ブリスタ不具合は生じなかった。   On the other hand, Samples 21 to 28 are within the scope of the present invention. The copper powder has a “particle diameter” of 300 nm or less, a “particle diameter / crystallite diameter” exceeding 1.0 and 3.8 or less. The condition of being is satisfied. Although not shown in Table 3, in these samples 21 to 28, no blister failure occurred.

しかしながら、試料21〜28の中で、「コンタクト性能」および「固着性能」の各評価がともに「○」となっているのは、試料22〜24、26および27だけである。試料22〜24、26および27における「ガラス比率」に注目すると、「ガラス比率」は10〜25体積%の範囲に入っている。   However, among the samples 21 to 28, only the samples 22 to 24, 26, and 27 are evaluated as “◯” in the “contact performance” and “adhesion performance”. When attention is paid to the “glass ratio” in the samples 22 to 24, 26 and 27, the “glass ratio” is in the range of 10 to 25% by volume.

これに対して、「ガラス比率」が10体積%未満のそれぞれ5体積%および7体積%である試料21および25では、「固着性能」の評価が「×」となっている。「固着性能」の評価が「×」となったのは、「ガラス比率」が比較的低いためであるが、「ガラス比率」が試料21の5体積%より多い7体積%の試料25でも「固着性能」が「×」と評価されたのは、銅粉末の「粒子径」が試料21の100nmより大きい300nmであったためであると推測される。   On the other hand, in the samples 21 and 25 in which the “glass ratio” is less than 10% by volume and 5% by volume and 7% by volume, respectively, the “adhesion performance” is evaluated as “x”. The evaluation of “adhesion performance” was “x” because the “glass ratio” was relatively low, but the “glass ratio” was 7 vol%, which is higher than 5 vol% of the sample 21. It is estimated that the “adhesion performance” was evaluated as “x” because the “particle diameter” of the copper powder was 300 nm, which is larger than 100 nm of the sample 21.

また、「ガラス比率」が25体積%を超える35体積%である試料28では、「コンタクト性能」の評価が「△」となっている。他方、「ガラス比率」が同じく35体積%である試料24では、「コンタクト性能」の評価が「○」となっている。これは、「ガラス比率」を比較的多い35体積%としたとき、試料24のように、銅粉末の「粒子径」が100nmと比較的小さければ問題ないが、試料28のように、銅粉末の「粒子径」が300nmと比較的大きくなると「コンタクト性能」が劣化してしまう懸念があることを示している。見方を変えると、「ガラス比率」が比較的多い35体積%であっても、銅粉末の「粒子径」を100nmと比較的小さくすれば、良好なコンタクト性能が得られることを示している。   Moreover, in the sample 28 whose “glass ratio” is 35% by volume exceeding 25% by volume, the evaluation of “contact performance” is “Δ”. On the other hand, in the sample 24 whose “glass ratio” is also 35% by volume, the evaluation of “contact performance” is “◯”. This is not a problem if the “particle diameter” of the copper powder is relatively small as 100 nm as in the case of the sample 24 when the “glass ratio” is set to a relatively large 35 volume%. This indicates that there is a concern that the “contact performance” may be deteriorated when the “particle diameter” is relatively large at 300 nm. In other words, even when the “glass ratio” is relatively large, 35% by volume, it is shown that good contact performance can be obtained if the “particle diameter” of the copper powder is relatively small, such as 100 nm.

以上、この発明に係る導電性ペーストが外部電極形成に適用されるチップ型セラミック電子部品として、主に積層セラミックコンデンサを例示して説明したが、当該導電性ペーストは、他のチップ型セラミック電子部品の外部電極形成のためにも用いることができる。   As described above, as the chip-type ceramic electronic component to which the conductive paste according to the present invention is applied for forming the external electrode, the multilayer ceramic capacitor has been mainly exemplified and described. However, the conductive paste is not limited to other chip-type ceramic electronic components. It can also be used for forming external electrodes.

1 チップ型セラミック電子部品
2 外部電極
4 部品本体
9,10 内部電極
11 Ni−Cu合金層
12 ガラス層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip-type ceramic electronic component 2 External electrode 4 Component main body 9,10 Internal electrode 11 Ni-Cu alloy layer 12 Glass layer

Claims (8)

チップ型セラミック電子部品における外部電極形成用の導電性ペーストであって、
銅粉末とガラス粉末とを含み、
前記銅粉末は、粒子径が300nm以下で、粒子径/結晶子径が1.0を超えかつ3.8以下であり、
前記銅粉末および前記ガラス粉末の合計体積に占める前記ガラス粉末の体積割合が35体積%以下である、
導電性ペースト。
A conductive paste for forming external electrodes in a chip-type ceramic electronic component,
Including copper powder and glass powder,
The copper powder has a particle size of 300 nm or less, a particle size / crystallite size of more than 1.0 and 3.8 or less,
The volume ratio of the glass powder in the total volume of the copper powder and the glass powder is 35% by volume or less.
Conductive paste.
前記銅粉末の前記粒子径/結晶子径が1.1以上かつ2.0以下である、請求項1に記載の導電性ペースト。   The electrically conductive paste of Claim 1 whose said particle diameter / crystallite diameter of the said copper powder is 1.1 or more and 2.0 or less. 前記銅粉末の前記結晶子径が50nm以上である、請求項1または2に記載の導電性ペースト。   The conductive paste according to claim 1 or 2, wherein the crystallite diameter of the copper powder is 50 nm or more. 前記銅粉末の粉末粒子の内部には、不純物を含まないか、塩素を含む場合には、塩素イオン量として0.01質量%以下しか、イオウを含む場合には、イオウ量として0.002質量%以下しか含まない、請求項1ないし3のいずれかに記載の導電性ペースト。   When the copper powder does not contain impurities or contains chlorine, the amount of chlorine ions is 0.01% by mass or less, and when sulfur is contained, the amount of sulfur is 0.002 mass. The electrically conductive paste in any one of Claim 1 thru | or 3 which contains only% or less. 前記銅粉末は、球形の粉末粒子からなる、請求項1ないし4のいずれかに記載の導電性ペースト。   The conductive paste according to claim 1, wherein the copper powder is formed of spherical powder particles. 前記銅粉末および前記ガラス粉末の合計体積に占める前記ガラス粉末の体積割合が10体積%以上かつ25体積%以下である、請求項1ないし5のいずれかに記載の導電性ペースト。   The electrically conductive paste in any one of Claim 1 thru | or 5 whose volume ratio of the said glass powder to the total volume of the said copper powder and the said glass powder is 10 volume% or more and 25 volume% or less. 前記ガラス粉末の粒子径が1.0μm以下である、請求項1ないし6のいずれかに記載の導電性ペースト。   The electrically conductive paste in any one of Claim 1 thru | or 6 whose particle diameter of the said glass powder is 1.0 micrometer or less. 前記ガラス粉末は、B−Si系ガラスからなる、請求項1ないし7のいずれかに記載の導電性ペースト。   The conductive paste according to any one of claims 1 to 7, wherein the glass powder is made of B-Si glass.
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