JP2019197054A - 残光検出装置及び残光検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、残光検出装置及び残光検出方法を提供する。【解決手段】残光検出装置は、X線ビームを発するX線管（1）；検出待ち検出器（10）から第一検出信号を受け、第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力する第一リード回路（3）；X線管（1)のビームアウト側に設置される残留光線検出器（2）；残留光線検出器（2）に接続され、残留光線検出器（2）から第二検出信号を受け、第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力する第二リード回路（4）；及び、第一リード回路（3）及び第二リード回路（4）に接続され、第一測定信号及び第二測定信号を受け、X線管（1）の電源がオフになった後に、第一測定信号及び第二測定信号に基づいて、残光検出信号を計算して出力する計算ユニット（5）を含む。【選択図】図4

Description

本出願は、2018年5月9日に出願された中国特許出願第201810437201.6号に基づく優先権を主張するものであり、中国特許出願第201810437201.6号の全内容を本出願に援用する。

本発明は、放射線検査技術に関し、特に、残光（afterglow）検出装置及び残光検出方法に関する。

残光とは、シンチレーション（scintillation）検出器が、該シンチレーション検出器への外部励起信号（例えば、光線、可視光など)が消えた後でも、しばらく、可視光を発するとのことを意味する。残光の強度（intensity）は、時間経過に応じてほぼ指数関数的に低下する。

残光は、一般的に、外部励起信号がなくなってからの所定期間で、相対強度に基づいて測定することができる。例えば、典型的なヨウ化セシウム（タリウム）（CsI（TI)）シンチレーション検出器について言えば、外部励起信号（例えば、X線ビーム)が存在するときにシンチレーション検出器の出力信号が1（単位）であるとすれば、励起信号が消えてから10msの時点で、シンチレーション検出器の出力信号が約5000ppmであり、即ち、シンチレーション検出器の残光値は、励起信号がなくなってから10msの時点で約0.5%である。また、シンチレーション検出器が同じタイプのものであっても、異なるメーカーにより生産されたシンチレーション検出器の残光値がかなり異なり、異なる検出ユニットも異なる残光値を有する。

X線ビームを連続して放出するX線源又は同位体線源を用いる検査システムでは、シンチレーション検出器のシンチレータの残光が、最終パフォーマンス指標に影響する重要な因子である。検出待ち物質（対象）が厚いときに、放射線源からの放射線の強度が千分の一よりも小さく減衰し得るが、残光値が減衰した放射線の強度値の数倍である可能性があり、また、異なる検出ユニットの残光値も異なり、そのため、画像の明るさ斑をもたらし、偽信号を来す恐れがある。

図1は、CsI（TI）検出器の検出信号に基づいて形成されたスキャン画像である。図1から分かるように、鋼板の同じ厚さの箇所で、右側が左側よりも明るく、また、異なる検出器が異なる残光値を有し、そのため、画像は、異なる明るさを持つストライプを有する。

図2は、タングステン酸カドミウム検出器の検出信号に基づいて形成されたスキャン画像である。このスキャン画像は、図1中のスキャン画像よりもきれいである。タングステン酸カドミウムは、シンチレーション検出器にとって、優れたシンチレーション性能（パフォーマンス）を有する材料であり、残光時間が短く、残光値が低い。

図3は、励起信号が無くなる前後のCsI（TI）検出器から出力された相対強度曲線（細い実線）とタングステン酸カドミウム検出器から出力された相対強度曲線（太い実線）との比較図である。図3は、高残光検出器としての典型的なCsI（TI）検出器と低残光検出器としての典型的なタングステン酸カドミウム検出器との残光比較結果を示す。図3では、-10ms乃至0msの範囲では、励起信号としてのX線ビームがCsI（TI）検出器及びタングステン酸カドミウム検出器に照射される。0msの時点の後は、CsI（TI）検出器及びタングステン酸カドミウム検出器に照射されたX線ビームがなくなる。よって、0msの時点の後のCsI（TI）検出器及びタングステン酸カドミウム検出器から出力された相対強度曲線の値は、それぞれの残光値を示している。

残光の現象による画像の明るさ斑問題を解決するには、主に、２つの方法がある。

１つの方法では、低残光を有するシンチレーション材料（物質）がシンチレーション検出器の有感領域（sensitive volume）として用いられるが、このようなシンチレーション材料は、通常、感度が低く且つ値段が高い。

もう１つの方法では、シンチレーション検出器の出力信号が、シンチレーション検出器の残光のために校正（correct）される。このような方法では、まず、シンチレーション検出器の残光を測定する必要があり、それから、残光の影響を、所定のアルゴリズムに基づいて、シンチレーション検出器の検出結果から差し引くことで、シンチレーション検出器のパフォーマンスを向上させる。

シンチレーション検出器の残光が測定されるときに、X線（又は、ガンマ線）が完全になくなった後の幾つかの期間（例えば、1ms、5ms及び10ms）内の残光値を測定する必要がある。シンチレーション検出器の残光を測定するために、信頼性があり、使用が簡単であり、且つコストが低い残光検出装置及び残光検出方法を提供する必要がある。

一般的な残光検出方法では、放射線源がシンチレーション検出器に照射してシンチレーション検出器のデータの取得を行う。放射線ビームがなくなった後に、検出器のデータの取得は、検出器の残光データを得るために、一定期間続けて行われる。放射線源は、電子加速器、同位体源、X線管などであっても良い。

電子加速器は、高価なものであり、大量のパワーを消費する必要があるため、普及が難しい。同位体源は、常にガンマ線ビームがあるので、安全の問題が存在する。X線管は、体積が小さく、使いやすく、且つ数十キロボルトから数百キロボルトのエネルギー範囲を有する。X線管は、通常、連続してビームを放出するX線源であり、残光検出のための放射線源として用いられるときに、幾つかの利点を有する。

しかし、X線管が残光検出のための放射線源として用いられるときに、X線管の電源がオフになった後に、X線管は、依然として、X線ビーム、即ち、残留X線ビームを発する。残留X線ビームは、残光検出に悪影響を与えることができる。残留X線ビームの強度及びX線光子の平均エネルギーは、時間経過に応じて低下し、大抵、指数関数的に減衰する。異なるモデルのX線管は、残留X線ビームの強度が異なる。典型的なX線管は、電源がオフになってから10msの時点で、残留X線ビームの強度が、X線管の電源がオンのときのX線ビームの強度の40%であり、また、X線光子の平均エネルギーが、X線管の電源がオンのときのX線光子の平均エネルギーの50%に減衰し得る（もちろん、異なるメーカーや異なるモデルのX線管がかなり異なる場合もある)。

X線管の残留X線ビームの残光検出への悪影響を低減するために、従来技術では、X線管を放射線源として残光検出を行うときに、通常、マッチしたヘビーメタルブロックを配置する必要がある。X線管の電源がオフになるときに、ヘビーメタルブロックは、残留X線ビームをブロックするために、X線管と検出待ち検出器との間の位置に迅速に移動され、これにより、残光検出結果は、残留X線ビームの影響を受けることがない。残留X線ビームをタイムリーにブロックするために、ヘビーメタルブロックは、高速で移動し且つできる限り早く動かないようになる必要があり、そのため、ヘビーメタルブロックは、大きな加速度を有する必要があり、また、ヘビーメタルブロックの位置を調整するための複雑且つ高価な制御システム及び機械システムを設置する必要もある。今のところ、X線管を用いてシンチレーション検出器の残光を検出することは、ヘビーメタルブロックを配置する必要があるから、主に実験室やワークショップのような場所で用いられるが、製品の応用サイトで使用されることが困難である。

本発明の目的は、X線管を放射線源として使用することで、シンプルで信頼性のある残光検出装置及び残光検出方法を実現することにある。

本発明の第一側面によれば、残光検出装置が提供され、それは、
X線ビームを発するX線管；
検出待ち検出器から第一検出信号を受け、前記第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力する第一リード（read）回路であって、前記検出待ち検出器は、検出時に、前記X線ビームの放射を受け、前記第一検出信号を前記第一リード回路に出力するよう、前記第一リード回路に接続され、且つ前記X線管のビームアウト（beam-out）側に設けられる、第一リード回路；
前記X線管のビームアウト側に設けられる残留光線検出器；
前記残留光線検出器に接続され、前記残留光線検出器から第二検出信号を受け、前記第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力する第二リード回路であって、前記残留光線検出器は、前記X線ビームの放射を受け、前記第二検出信号を前記第二リード回路に出力する、第二リード回路；及び
前記第一リード回路及び前記第二リード回路との信号接続で、前記第一測定信号及び前記第二測定信号を受ける計算ユニットであって、前記計算ユニットは、前記X線管の電源がオフになった後に、前記第一測定信号及び前記第二測定信号に基づいて、残光検出信号を計算して出力する、計算ユニットを含む。

一実施例では、前記計算ユニットは、前記X線管の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の値を減算して該時点の前記残光検出信号の値とし；或いは、前記計算ユニットは、前記X線管の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の校正値を減算して該時点の前記残光検出信号の値とする。

一実施例では、励起信号が消えてからの10msの時点で、前記残留光線検出器から出力される相対強度が、前記励起信号が存在するときに出力される相対強度の0.05%よりも低い。

一実施例では、前記残留光線検出器は、タングステン酸カドミウム検出器を含む。

一実施例では、前記残光検出装置は、前記X線管のビームアウト側に設けられ、且つ前記X線管と前記検出待ち検出器との間及び前記X線管と前記残留光線検出器との間に位置し、前記X線ビームの強度を減衰させる重金属シートを含む。

本発明の第二側面によれば、本発明の第一側面に記載の残光検出装置を用いて、シンチレーション検出器の残光を検出する残光検出方法が提供され、それは、
前記X線管の電源をオンにし、前記X線管にX線ビームを発させ、所定期間後に前記X線管の電源をオフにし；
前記検出待ち検出器が前記X線ビームの放射を受け、第一検出信号を出力し；
前記第一リード回路が前記第一検出信号を受け、前記第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力し；
前記残留光線検出器が前記X線ビームの放射を受け、第二検出信号を出力し；
前記第二リード回路が前記第二検出信号を受け、前記第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力し；及び
前記計算ユニットが前記第一測定信号及び前記第二測定信号を受け、前記X線管の電源がオフになった後に、前記第一測定信号及び前記第二測定信号に基づいて、残光検出信号を計算して出力するステップを含む。

一実施例では、前記計算ユニットは、前記X線管の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の値を減算して該時点の前記残光検出信号の値とし；或いは、前記計算ユニットは、前記X線管の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の校正値を減算して該時点の前記残光検出信号の値とする。

一実施例では、前記第一測定信号は、前記検出待ち検出器から出力される相対強度であり、前記第二測定信号は、前記残留光線検出器から出力される相対強度である。

本発明の実施例における残光検出装置及び残光検出方法により、X線管が放射線源として用いられ、残留光線検出器が、前記X線管の電源がオフになった後に、残留X線ビームの強度を検出するために用いられ、そして、残留光線検出器に由来の第二測定信号の影響を、検出待ち検出器に由来の第一測定信号から差し引くことで、検出待ち検出器の比較的正確な残光検出信号を得ることができる。このような残光検出装置及び残光検出方法は、シンプルで信頼性がある。また、X線管の電源がオフになった後に、残留X線ビームをブロックするヘビーメタルブロックを提供する必要がないため、このような検出装置及び検出方法は、X線ビーム検査装置サイトで用いることもできる。

本発明の上述の特徴及び利点をより明らかにするために、以下、実施例を挙げて、添付した図面を参照することにより、詳細に説明する。

添付した図面は、本発明をより良く理解するために用いられ、また、本願の一部を構成する。なお、本発明の実施例及びその中の記載は、本発明を説明するために用いられるが、本発明を限定するものでない。
CsI（TI）検出器からの検出信号に基づいて得られたスキャン画像を示す図である。 タングステン酸カドミウム検出器からの検出信号に基づいて得られたスキャン画像を示す図である。 励起信号が消える前後のCsI（TI）検出器から出力された相対強度曲線（細い実線）とタングステン酸カドミウム検出器から出力された相対強度曲線（太い実線）との比較図である。 本発明の一実施例による残光検出装置の原理図である。 図4に示すような実施例による残光検出装置が残光を検出するときに、検出待ち検出器から出力された相対強度曲線（細い実線）及び残留光線検出器から出力された相対強度曲線（太い実線）を示す図である。 本発明の他の実施例による残光検出装置の原理図である。 重金属シートがX線管のビームアウト側に設けられない場合に残留光線検出器から出力された相対線量強度曲線（細い実線）と、重金属シートがX線管のビームアウト側に設けられた場合に残留光線検出器から出力された相対線量強度曲線（太い実線）との比較図である。

以下、添付した図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。

図4は、本発明の一実施例による残光検出装置の原理図である。図4に示すように、残光検出装置は、X線管1、第一リード回路3、残留光線検出器2、第二リード回路4、及び計算ユニット5を含む。

X線管1は、X線ビームを発する。第一リード回路3は、検出待ち検出器10に接続される。検出待ち検出器10は、X線管1のビームアウト側に設けられ、検出時に、X線ビームの放射を受け、第一検出信号を第一リード回路3に出力する。第一リード回路3は、第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力する。残留光線検出器2は、X線管1のビームアウト側に設置される。第二リード回路4は、残留光線検出器2に接続される。残留光線検出器2は、X線ビームの放射を受け、第二検出信号を第二リード回路4に出力する。第二リード回路4は、第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力する。計算ユニット5は、第一リード回路3及び第二リード回路4に接続される。計算ユニット5は、第一測定信号及び第二測定信号を受信し、X線管1の電源がオフになった後に、第一測定信号及び第二測定信号に基づいて、残光検出信号を計算して出力する。

一実施例では、X線管1は、放射線源として用いられ、残留光線検出器2は、前記X線管1の電源がオフになった後に、残留X線ビームの強度を検出するために用いられる。残留光線検出器2に由来する第二測定信号の影響を、検出待ち検出器10に由来する第一測定信号から差し引くことで、検出待ち検出器10の比較的正確な残光検出信号を得ることができる。残光検出装置は、シンプルで信頼性がある。また、前記X線管1の電源がオフになった後で、残留X線ビームをブロックするヘビーメタルブロックを提供する必要がないので、残光検出装置は、X線ビーム検査装置サイトで使用することもできる。

本実施例では、残留光線検出器2は、励起信号がなくなってから10msの時点で、励起信号が存在するときの残光値の0.05%よりも小さい残光値を有する。残留光線検出器2は、例えば、タングステン酸カドミウム検出器を含む。このような要求を満たす残留光線検出器2の残光は、従来の検出待ち検出器10（例えば、CsI（TI）検出器)の残光より、約1桁分（one order of magnitude）低く又はもっと低い。この場合、第一測定信号から第二測定信号を直接減算することで、比較的正確な残光検出結果を得ることができる。

この実施例では、計算ユニット5は、X線管1の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の値を減算して該時点の残光検出信号の値とする。本実施例では、第一測定信号は、検出待ち検出器10から出力される相対強度であり、第二測定信号は、残留光線検出器2から出力される相対強度である。

一実施例では、計算ユニット5は、X線管1の電源がオフになってからの時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の校正値を減算して該時点の残光検出信号の値とすることもできる。

例えば、前記第二測定信号の校正値は、第二測定信号の値と校正係数との積であっても良い。或いは、例えば、前記第二測定信号の校正値は、前記第二測定信号の値と校正パラメータとの差であっても良い。例えば、残留光線検出器2の残光値が十分に低くないときに、まず、校正値を得ることで、第二測定信号から、第二測定信号における残留光線検出器2の残光値などによる影響を無くすことができる。

また、この実施例では、前述の残光検出装置を用いて、シンチレーション検出器の残光を検出する残光検出方法も提供する。残光検出方法は、X線管1の電源をオンにし、X線管1にX線ビームを発させ、所定期間後に、X線管1の電源をオフにし；検出待ち検出器10がX線管1からのX線ビームの放射を受け、第一検出信号を出力し；第一リード回路3が第一検出信号を受け、第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力し；残留光線検出器2がX線管1からのX線ビームの放射を受け、第二検出信号を出力し；第二リード回路4が第二検出信号を受け、第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力し；及び、計算ユニットが第一測定信号及び第二測定信号を受け、X線管1の電源がオフになった後に、第一測定信号及び第二測定信号に基づいて検出待ち検出器10の残光検出信号を計算して出力することを含む。

この残光検出方法は、残光検出装置と同様の利点を有する。

本実施例では、X線管1の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の値を減算して該時点の残光検出信号の値とすることができる。この実施例では、第一測定信号は、検出待ち検出器10から出力される相対強度であり、第二測定信号は、残留光線検出器2から出力される相対強度である。

一実施例では、X線管1の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第一測定信号の値から該時点の前記第二測定信号の校正値を減算して該時点の残光検出信号の値としても良い。例えば、前記第二測定信号の校正値は、前記第二測定信号の値と校正係数との積であっても良い。或いは、例えば、前記第二測定信号の校正値は、前記第二測定信号の値と校正パラメータとの差であっても良い。

この実施例では、残光検出開始前に、検出待ち検出器10としてのシンチレーション検出器が第一リード回路3に接続されても良い。それと同時に、図4に示すように、残留光線検出器2は、第二リード回路4に接続され、第一リード回路3及び第二リード回路4は、計算ユニット5に接続される。検出待ち検出器10及び残留光線検出器2は、X線管1のビームアウト側に位置する。検出開始時に、X線管1の電源がオンになり、X線ビーム7がX線管1のターゲットスポットから発され、検出待ち検出器10及び残留光線検出器2に照射される。第一リード回路3は、第一検出信号が検出待ち検出器10により出力されるときにデータの取得を行い、第二リード回路4は、第二検出信号が残留光線検出器2により出力されるときにデータの取得を行う。所定期間（例えば、10ms)後に、X線管1の電源がオフになり、X線管1は、継続して残留X線ビームを発し、検出待ち検出器10及び残留光線検出器2は、X線管1から発した残留X線ビームの強度を継続して検出する。

この実施例では、検出待ち検出器10により出力された第一検出信号は、第一リード回路3により、出力された相対強度を第一測定信号として形成し、残留光線検出器2により出力された第二検出信号は、第二リード回路4により、出力された相対強度を第二測定信号として形成する。第一測定信号及び第二測定信号を受けた後に、計算ユニット5は、X線管1の電源がオフになった後で前記第二測定信号の値を前記第一測定信号の値から減算し、これにより、残光検出信号の値を取得する。残光検出信号の値は、残光の大きさ（magnitude）を示す相対強度（relative intensity）である。

図5は、図4に示す実施例の残光検出装置における検出待ち検出器10から出力された相対強度曲線（細い実線）及び残留光線検出器2から出力された相対強度曲線（太い実線）を示す。図5に示すように、残留光線検出器2から出力された相対強度曲線は、X線管1の電源がオフになる前後のX線ビームの強度変化を表す。X線管1の電源がオフになった後に、各時点の検出待ち検出器10の残光値は、残留光線検出器2から出力された相対強度曲線を各時点の検出待ち検出器10から出力された相対強度曲線から差し引くことにより得られる。

第一リード回路3及び第二リード回路4は、接続される検出器に対応する既存の検出器リード回路を使用することができる。計算ユニット5は、本発明の実施例に記載される計算機能を行うことができる様々なものであっても良く、例えば、コンピュータ、汎用目的のプロセッサ、PLC（programmable logic controller)、DSP（digital signal processor)、ASIC(application specific integrated circuit)、FPGA（field programmable gate array)などを含むが、これに限定されない。

図6は、本発明の他の実施例による残光検出装置の原理図である。図6に示すように、この実施例と図4に示す実施例との相違点は、次のとおりであり、即ち、残光検出装置は、さらに、重金属シート8を含む。重金属シート8は、X線管1のビームアウト側に設けられ、且つX線管1と検出待ち検出器10との間及びX線管1と残留光線検出器2との間に位置し、これにより、X線ビームの強度を減衰させることができる。

図7は、重金属シートがX線管1のビームアウト側に設置されない場合に残留光線検出器2から出力された相対線量強度曲線（細い実線）と、重金属シートがX線管1のビームアウト側に設置されている場合に残留光線検出器2から出力された相対線量強度曲線（太い実線）との比較図である。この図では、-10msから0msまでは、X線管1の電源がオンになり、X線管1がX線ビームを発し、0msの時点になると、X線管1の電源がオフになり、残留X線ビームが発され、その後、残留X線ビームの線量強度は、時間経過に応じて低下する。この実施例では、重金属シート8は、鋼板であり、4mmの厚さを有し、且つX線管1のビームアウト側に設置される。図7に示すように、重金属シート8が設けられた後に、残留X線ビームの強度は、より迅速に減衰し得る。

X線管1のビームアウト側に増設され、且つX線管1と検出待ち検出器10との間及びX線管1と残留光線検出器2との間に位置する重金属シート8により、X線ビームにおける低エネルギーのX線光子が検出待ち検出器10及び残留光線検出器2に到着する確率を下げることで、検出待ち検出器10及び残留光線検出器2に到着する残留X線ビームの強度を低減させることができ、また、残留X線ビームの減衰度が増加することで、残留X線ビームの残光検出への影響を減らすこともできるため、検出精度をより一層向上させることができる。

以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこのような実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の技術的範囲に属する。

Claims (8)

1. 残光検出装置であって、
   X線ビームを発するX線管（1）；
   検出待ち検出器（10）から第一検出信号を受け、前記第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力する第一リード回路（3）であって、前記検出待ち検出器（10）は、前記第一リード回路（3）に接続され、且つ前記X線管（1）のビームアウト側に設置され、検出時に、前記X線ビームの放射を受け、且つ前記第一検出信号を前記第一リード回路（3）に出力する、第一リード回路（3）；
   前記X線管（1)のビームアウト側に設置される残留光線検出器（2）；
   前記残留光線検出器（2）に接続され、前記残留光線検出器（2）から第二検出信号を受け、前記第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力する第二リード回路（4）であって、前記残留光線検出器（2）は、前記X線ビームの放射を受け、前記第二検出信号を前記第二リード回路（4)に出力する、第二リード回路（4)；及び
   前記第一リード回路（3）及び第二リード回路（4）に接続され、前記第一測定信号及び前記第二測定信号を受け、前記X線管（1）の電源がオフになった後に、前記第一測定信号及び前記第二測定信号に基づいて、残光検出信号を計算して出力する計算ユニット（5）を含む、残光検出装置。
2. 請求項1に記載の残光検出装置であって、
   前記計算ユニット（5）は、前記X線管（1）の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第二測定信号の値を該時点の前記第一測定信号の値から減算して該時点の前記残光検出信号の値とし；又は、
   前記計算ユニット（5）は、前記X線管（1）の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第二測定信号の校正値を該時点の前記第一測定信号の値から減算して該時点の前記残光検出信号の値とする、残光検出装置。
3. 請求項1に記載の残光検出装置であって、
   励起信号がなくなってからの10msの時点で、前記残留光線検出器（2）から出力される相対強度は、該励起信号が存在するときに該残留光線検出器（2）から出力される相対強度の0.05%よりも低い、残光検出装置。
4. 請求項1に記載の残光検出装置であって、
   前記残留光線検出器（2）は、タングステン酸カドミウム検出器を含む、残光検出装置。
5. 請求項1に記載の残光検出装置であって、
   重金属シート（8)をさらに含み、
   前記重金属シート（8）は、前記X線ビームの強度を減衰させるよう、前記X線管（1）のビームアウト側に設置され、且つ前記X線管（1）と前記検出待ち検出器（10）との間及び前記X線管（1）と前記残留光線検出器（2)との間に位置する、残光検出装置。
6. 請求項1乃至5の何れか1項に記載の残光検出装置を用いて、シンチレーション検出器の残光を検出する残光検出方法であって、
   前記X線管（1）の電源をオンにし、前記X線管（1)にX線ビームを発させ、所定期間後に、X線管（1）の電源をオフにし；
   前記検出待ち検出器（10)が前記X線ビームの放射を受け、第一検出信号を出力し；
   前記第一リード回路（3)が前記第一検出信号を受け、前記第一検出信号に基づいて第一測定信号を形成して出力し；
   前記残留光線検出器（2)が前記X線ビームの放射を受け、第二検出信号を出力し；
   前記第二リード回路（4)が前記第二検出信号を受け、前記第二検出信号に基づいて第二測定信号を形成して出力し；及び
   前記計算ユニット（5）が前記第一測定信号及び前記第二測定信号を受け、前記X線管（1）の電源がオフになったときに、前記第一測定信号及び前記第二測定信号に基づいて残光検出信号を計算して出力することを含む、残光検出方法。
7. 請求項6に記載の残光検出方法であって、
   前記計算ユニットは、前記X線管（1）の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第二測定信号の値を該時点の前記第一測定信号の値から減算して該時点の前記残光検出信号の値とし；又は、
   前記計算ユニット（5）は、前記X線管（1）の電源がオフになった後の時点で、該時点の前記第二測定信号の校正値を該時点の前記第一測定信号の値から減算して該時点の前記残光検出信号の値とする、残光検出方法。
8. 請求項6に記載の残光検出方法であって、
   前記第一測定信号は、前記検出待ち検出器（10)から出力される相対強度であり、前記第二測定信号は、前記残留光線検出器（2)から出力される相対強度である、残光検出方法。