JP2019192863A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing apparatus capable of reducing a processing liquid amount used in a concentration control.SOLUTION: A substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus performing a prescribed processing to a substrate by ejecting a processing liquid containing a medicinal solution and a pure water to the substrate. The substrate processing apparatus comprises: a medicinal solution supply part that supplies the medicinal solution containing a prescribed component; a pure water supply part that supplies the pure water; an accumulation tank that accumulates the processing liquid of which a concentration of the prescribed component is lower than that of the medicinal solution by containing the medicinal solution supplied from the medicinal solution supply part and the pure water supplied from the pure water supply part; a substrate processing part that executes the prescribed processing to the substrate by ejecting the processing liquid to the substrate; a supply pipe that becomes a flow channel of the processing liquid from the accumulation tank to the substrate processing part; and a collection pipe that returns the processing liquid ejected to the substrate in the substrate processing part to the accumulation tank. The medicinal solution supply part supplies the medicinal solution to the accumulation tank in accordance with the prescribed processing, and thereby suppressing the deterioration of the concentration of the processing liquid.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板に対して処理液を吐出し、エッチング処理や洗浄処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for discharging a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer and performing an etching process and a cleaning process.

基板処理装置では、基板の処理準備として、基板処理装置のタンクに所定濃度の処理液が供給され、供給された処理液はタンクに貯留される。半導体装置の製造工程には、基板処理装置のタンクに貯留された処理液を基板に対して吐出することにより、当該基板にエッチング処理や洗浄処理等の処理を施す工程が含まれる。吐出した処理液はタンクに回収されて基板に対する処理に再利用される。処理液が再利用されることで、処理液の消費量が低減される。   In the substrate processing apparatus, as a substrate processing preparation, a processing liquid having a predetermined concentration is supplied to a tank of the substrate processing apparatus, and the supplied processing liquid is stored in the tank. The manufacturing process of a semiconductor device includes a process of performing an etching process, a cleaning process, or the like on the substrate by discharging a processing liquid stored in a tank of the substrate processing apparatus to the substrate. The discharged processing liquid is collected in a tank and reused for processing the substrate. By reusing the processing liquid, the consumption of the processing liquid is reduced.

処理液の再利用を続けると、時間の経過とともに、処理液構成成分の蒸発、分解等によって処理液の濃度が低下する場合がある。そのため、処理液の濃度を上記のエッチング処理や洗浄処理に適切な範囲内に維持するための濃度制御が行われる。濃度制御は、例えば、所定濃度の処理液をタンクに補充することで行われる。濃度制御によっても処理液の濃度を上記のエッチング処理や洗浄処理に適切な範囲内に維持できなくなると、処理液の全液交換が実施される。   If the reuse of the processing liquid is continued, the concentration of the processing liquid may decrease with the passage of time due to evaporation, decomposition, or the like of the processing liquid constituent components. Therefore, concentration control is performed to maintain the concentration of the processing liquid within a range appropriate for the etching process and the cleaning process. Concentration control is performed, for example, by replenishing a tank with a processing solution having a predetermined concentration. If the concentration of the treatment liquid cannot be maintained within the appropriate range for the above-described etching process or cleaning process even by the concentration control, the entire treatment liquid is exchanged.

特開2015−177139号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2015-177139

従来では、濃度制御においてタンクに補充される処理液の濃度は、処理準備においてタンクに貯留される処理液の濃度と同じであっため、タンク内の処理液の濃度を上記各処理に適した範囲内に維持するには、濃度制御において処理液を大量に補充する必要があった。   Conventionally, the concentration of the processing liquid to be replenished in the tank in the concentration control is the same as the concentration of the processing liquid stored in the tank in the preparation for processing, so the concentration of the processing liquid in the tank is in a range suitable for each of the above processes. In order to maintain the inside, it was necessary to replenish a large amount of the processing solution in the concentration control.

そこで、開示の技術の1つの側面は、基板処理装置において、処理液の濃度制御で使用する処理液の量を低減することを課題とする。   Thus, one aspect of the disclosed technique is to reduce the amount of processing liquid used in the concentration control of the processing liquid in the substrate processing apparatus.

開示の技術の1つの側面は、次のような基板処理装置によって例示される。本基板処理装置は、薬液と純水とを含む処理液を基板に吐出することで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置である。本基板処理装置は、所定成分を含む薬液を供給する薬液供給部と、純水を供給する純水供給部と、薬液供給部から供給される薬液と純水供給部から供給される純水とを含むことで薬液よりも所定成分の濃度が低い処理液を貯留する貯留槽と、処理液を基板に対して吐出することで、基板に対して所定の処理を実行する基板処理部と、貯留槽から基板処理部への処理液の流路となる供給配管と、基板処理部において基板に対して吐出された処理液を貯留槽に返送する回収配管と、を備え、薬液供給部は、所定の処理の進行に応じて薬液を貯留槽に供給することで、処理液の濃度低下を抑制する。   One aspect of the disclosed technology is exemplified by the following substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate by discharging a processing liquid containing a chemical solution and pure water onto the substrate. The substrate processing apparatus includes a chemical solution supply unit that supplies a chemical solution containing a predetermined component, a pure water supply unit that supplies pure water, a chemical solution supplied from the chemical solution supply unit, and pure water supplied from the pure water supply unit. A storage tank for storing a processing liquid having a concentration of a predetermined component lower than that of the chemical liquid, a substrate processing unit for executing a predetermined processing on the substrate by discharging the processing liquid to the substrate, and storage A supply pipe that serves as a flow path for the processing liquid from the tank to the substrate processing unit, and a recovery pipe that returns the processing liquid discharged to the substrate in the substrate processing unit to the storage tank. By supplying the chemical liquid to the storage tank as the process progresses, the concentration of the processing liquid is suppressed from decreasing.

開示の技術では、所定成分を含む薬液と純水とを含むことにより、所定成分の濃度が薬液よりも低い処理液が貯留槽に貯留される。基板処理部は、処理液を基板に対して吐出することで基板に対する所定の処理を実行する。基板処理部において基板に対して吐出され
た処理液は、回収配管を介して貯留槽に返送されることで、所定の処理に再利用される。処理液の再利用を続けると処理液の濃度が低下する場合があるが、処理液は薬液よりも所定成分の濃度が低いため、薬液をそのまま処理液として使用する場合よりも処理液の再利用に伴う濃度の低下が緩やかである。また、処理液における所定成分の濃度が低いため、少量の薬液の供給によって貯留槽に貯留される処理液の濃度を高めることができる。そのため、開示の技術によれば、濃度制御で使用する処理液の量を低減することができる。薬液の供給は、例えば、基板処理部が基板に対する所定の処理を所定の枚数行うごとに実行されてもよいし、基板処理部による所定の処理の累積実行時間が所定時間に達したときに実行されてもよい。
In the disclosed technology, by containing a chemical solution containing a predetermined component and pure water, a treatment liquid having a concentration of the predetermined component lower than that of the chemical solution is stored in a storage tank. The substrate processing unit performs a predetermined process on the substrate by discharging a processing liquid onto the substrate. The processing liquid discharged to the substrate in the substrate processing unit is returned to the storage tank via the recovery pipe, and is reused for the predetermined processing. Continuing the reuse of the treatment liquid may reduce the concentration of the treatment liquid, but the treatment liquid has a lower concentration of certain components than the chemical liquid, so the reuse of the treatment liquid is more than when using the chemical liquid as it is. The decrease in concentration due to is moderate. Moreover, since the density | concentration of the predetermined component in a process liquid is low, the density | concentration of the process liquid stored in a storage tank can be raised by supply of a small amount of chemical | medical solutions. Therefore, according to the disclosed technique, it is possible to reduce the amount of processing liquid used for concentration control. The supply of the chemical solution may be performed, for example, every time the substrate processing unit performs a predetermined number of predetermined processes on the substrate, or is performed when the cumulative execution time of the predetermined processing by the substrate processing unit reaches a predetermined time. May be.

開示の技術においては、供給配管の管路途中から貯留槽への流路となる循環配管をさらに備え、循環配管には、循環配管内を流れる処理液中の薬液の濃度を計測する濃度計が設けられてもよい。濃度計は、濃度計測の対象となる処理液中に泡が生じると計測精度が低下する。泡は、処理液の流れが無い場所や処理液と気体とが接する場所に生じやすい。循環配管内は処理液の流れがあり、かつ、処理液と気体とが接することもないため、濃度計の設置に好適であり、濃度計の計測精度の低下が抑制される。   The disclosed technology further includes a circulation pipe serving as a flow path from the middle of the supply pipe to the storage tank, and the circulation pipe includes a concentration meter that measures the concentration of the chemical in the processing liquid flowing in the circulation pipe. It may be provided. The concentration accuracy of the densitometer decreases when bubbles are generated in the processing liquid that is the target of concentration measurement. Bubbles are likely to occur in places where there is no flow of processing liquid or where the processing liquid and gas are in contact. Since there is a flow of the processing liquid in the circulation pipe and the processing liquid and the gas are not in contact with each other, it is suitable for installing a concentration meter, and a decrease in measurement accuracy of the concentration meter is suppressed.

開示の技術においては、循環配管には、循環配管内を流れる処理液を排出する廃液配管がさらに設けられ、濃度計が示す濃度が所定の処理に適した濃度範囲を下回った場合に、廃液配管から所定量の処理液を排出するとともに、薬液供給部が所定量の薬液を貯留槽に供給してもよい。このような技術によれば、濃度の低下した処理液を排出した上で薬液を補充することにより、処理液の濃度を容易に回復できる。   In the disclosed technology, the circulation pipe is further provided with a waste liquid pipe for discharging the processing liquid flowing in the circulation pipe, and when the concentration indicated by the densitometer falls below the concentration range suitable for the predetermined treatment, the waste liquid pipe is provided. A predetermined amount of the processing liquid may be discharged from the liquid and the chemical liquid supply unit may supply a predetermined amount of the chemical liquid to the storage tank. According to such a technique, the concentration of the treatment liquid can be easily recovered by discharging the treatment liquid having a reduced concentration and then replenishing the chemical liquid.

開示の技術においては、純水供給部は、濃度計が示す濃度が所定の処理に適した濃度範囲を上回った場合に、純水を貯留槽に供給する処理をさらに実行してもよい。このような技術によれば、所定成分の濃度が高くなりすぎた処理液の濃度を下げることができる。   In the disclosed technology, the pure water supply unit may further execute a process of supplying pure water to the storage tank when the concentration indicated by the densitometer exceeds a concentration range suitable for a predetermined process. According to such a technique, the concentration of the treatment liquid in which the concentration of the predetermined component is too high can be lowered.

開示の技術においては、供給配管の管路途中よりも基板処理部側に接続されるとともに、貯留槽へ処理液を返送する返送配管をさらに備え、循環配管の内径は、返送配管の内径よりも細く形成されてもよい。循環配管の内径が返送配管の内径よりも細いことにより、循環配管内を流れる処理液の流量は返送配管内を流れる処理液の流量よりも少なくなる。そのため、濃度計測のために循環配管内を流す処理液の量を低減できる。   The disclosed technology further includes a return pipe that is connected to the substrate processing unit side from the middle of the supply pipe and returns the processing liquid to the storage tank. The inner diameter of the circulation pipe is larger than the inner diameter of the return pipe. It may be formed thin. Since the inner diameter of the circulation pipe is smaller than the inner diameter of the return pipe, the flow rate of the processing liquid flowing in the return pipe is smaller than the flow rate of the process liquid flowing in the return pipe. Therefore, it is possible to reduce the amount of processing liquid that flows through the circulation pipe for concentration measurement.

開示の技術において、供給配管において管路途中よりも貯留槽側には、供給配管内を流れる処理液を加熱する加熱手段が設けられ、加熱手段は、薬液を所定の処理に用いる場合よりも高い温度に処理液を加熱してもよい。基板に対する処理効率は、処理液中の所定成分の濃度と処理液の温度に依存する。処理液は、薬液よりも所定成分の濃度が低いことにより、基板に対する処理効率が低下する可能性がある。開示の技術によれば、薬液を処理に用いる場合よりも高い温度に処理液の温度を加熱することで、処理効率の低下が抑制される。   In the disclosed technology, a heating unit that heats the processing liquid flowing in the supply pipe is provided on the supply pipe closer to the storage tank than in the middle of the pipe line, and the heating unit is higher than when the chemical liquid is used for a predetermined process. The treatment liquid may be heated to a temperature. The processing efficiency for the substrate depends on the concentration of the predetermined component in the processing liquid and the temperature of the processing liquid. The processing liquid may have a lower processing efficiency for the substrate due to a lower concentration of the predetermined component than the chemical liquid. According to the technique of an indication, the fall of process efficiency is suppressed by heating the temperature of a process liquid to the temperature higher than the case where a chemical | medical solution is used for a process.

開示の技術においては、貯留槽は、第1貯留槽と第2貯留槽とを含み、供給配管は、第1貯留槽と基板処理部との間における処理液の流路となる第1供給配管と、第2貯留槽と第1貯留槽との間における処理液の流路となる第2供給配管とを含み、循環配管は、第1供給配管の第1管路途中から第1貯留槽への流路となる第1循環配管と、第2供給配管の第2管路途中から第2貯留槽への流路となる第2循環配管と、を含み、加熱手段は、第1供給配管において第1管路途中よりも第1貯留槽側に設けられ、第1供給配管内を流れる処理液を加熱する第1加熱手段と、第2供給配管において第2管路途中よりも第2貯留槽側に設けられ、第2供給配管内を流れる処理液を加熱する第2加熱手段とを含み、第2加熱手段は第1加熱手段よりも高い温度で処理液を加熱してもよい。第2加熱手段が第1加
熱手段よりも高い温度で処理液を加熱するため、第2貯留槽における温度調整では、より短時間で基板の処理に好適な温度に調整される。第1貯留槽には処理に好適な温度に調整された処理液が第2貯留槽から供給されるため、第1貯留槽から基板処理部に供給する処理液の温度調整では、第2加熱手段よりも低い温度に設定された第1加熱手段によって処理液の温度を微調整すれば十分である。このような技術によれば、処理液をより短い時間で処理に好適な温度に調整できるとともに、基板処理部に供給される処理液の温度を高精度に制御できる。
In the disclosed technology, the storage tank includes a first storage tank and a second storage tank, and the supply pipe is a first supply pipe that serves as a flow path for the processing liquid between the first storage tank and the substrate processing unit. And a second supply pipe that serves as a flow path for the processing liquid between the second storage tank and the first storage tank, and the circulation pipe passes from the middle of the first pipeline of the first supply pipe to the first storage tank. And a second circulation pipe serving as a flow path from the middle of the second pipe of the second supply pipe to the second storage tank, and the heating means is provided in the first supply pipe. A first heating unit that is provided closer to the first storage tank than in the middle of the first pipe and heats the processing liquid flowing in the first supply pipe, and a second storage tank in the second supply pipe than in the middle of the second pipe. And a second heating means for heating the processing liquid flowing in the second supply pipe, the second heating means being higher than the first heating means. Temperature in the processing liquid may be heated. Since the second heating unit heats the processing liquid at a temperature higher than that of the first heating unit, the temperature adjustment in the second storage tank is adjusted to a temperature suitable for the substrate processing in a shorter time. Since the processing liquid adjusted to a temperature suitable for processing is supplied from the second storage tank to the first storage tank, the second heating means is used for temperature adjustment of the processing liquid supplied from the first storage tank to the substrate processing unit. It is sufficient to finely adjust the temperature of the treatment liquid by the first heating means set to a lower temperature. According to such a technique, the processing liquid can be adjusted to a temperature suitable for processing in a shorter time, and the temperature of the processing liquid supplied to the substrate processing unit can be controlled with high accuracy.

開示の技術においては、第2加熱手段は第2供給配管に沿って配置された複数の加熱部を含み、複数の加熱部のうちのいずれか一の加熱部と一の加熱部の隣に配置された加熱部との間に介挿されて第2供給配管内を流れる処理液の温度を計測する温度計をさらに備え、温度計の計測結果に基づいて、温度計よりも第1貯留槽側に配置された加熱部の温度が制御されてもよい。複数の加熱部のうちのいずれか一の加熱部と一の加熱部の隣に配置された加熱部との間に介挿された温度計によって、温度計よりも第2貯留槽側に配置された加熱部によって加熱された処理液の温度が計測される。計測結果に基づいて温度計よりも1貯留槽側に配置された加熱部が制御されることで、処理液の温度を細やかに制御することが可能である。   In the disclosed technology, the second heating unit includes a plurality of heating units disposed along the second supply pipe, and is disposed next to any one heating unit and the one heating unit among the plurality of heating units. And a thermometer that measures the temperature of the processing liquid that is inserted between the heated portion and flows in the second supply pipe, and based on the measurement result of the thermometer, the first storage tank side. The temperature of the heating unit arranged in the may be controlled. A thermometer interposed between any one of the plurality of heating units and a heating unit disposed next to the one heating unit is disposed closer to the second storage tank than the thermometer. The temperature of the treatment liquid heated by the heating unit is measured. Based on the measurement result, the temperature of the processing liquid can be finely controlled by controlling the heating unit disposed on the side of the one storage tank relative to the thermometer.

開示の技術において、薬液供給部は第2貯留槽に薬液を供給し、純水供給部は第2貯留槽に純水を供給してもよい。薬液供給部および純水供給部による供給先を第2貯留槽とすることで、第1貯留槽に貯留される処理液の濃度や温度の変化が抑制される。   In the disclosed technology, the chemical solution supply unit may supply the chemical solution to the second storage tank, and the pure water supply unit may supply pure water to the second storage tank. By making the supply destination by the chemical solution supply unit and the pure water supply unit the second storage tank, changes in the concentration and temperature of the processing liquid stored in the first storage tank are suppressed.

開示の技術において、薬液に含まれる所定成分はフッ化水素酸を含んでもよい。フッ化水素酸は基板のエッチング処理に好適である。また、開示の技術は、上記基板処理装置において実行される基板処理方法の側面から捉えることも可能である。   In the disclosed technology, the predetermined component included in the chemical solution may include hydrofluoric acid. Hydrofluoric acid is suitable for etching the substrate. The disclosed technology can also be understood from the side of the substrate processing method executed in the substrate processing apparatus.

開示の技術によれば、基板処理装置において、処理液の濃度制御で使用する処理液の量を低減することができる。   According to the disclosed technique, in the substrate processing apparatus, it is possible to reduce the amount of the processing liquid used for controlling the concentration of the processing liquid.

図1は、実施形態に係る基板処理装置の構成の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 図2は、基板処理装置の機能ブロック図の一例である。FIG. 2 is an example of a functional block diagram of the substrate processing apparatus. 図3は、回収管および処理チャンバーに積算流量計を設けた構成の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a configuration in which an integrating flow meter is provided in the recovery pipe and the processing chamber. 図4は、複数の処理チャンバーを備えた基板処理装置の構成の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus including a plurality of processing chambers. 図5は、基板の処理を行わずに温度調整が行われた場合における処理液中の所定成分の濃度の変化の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a change in the concentration of a predetermined component in the processing liquid when temperature adjustment is performed without processing the substrate. 図6は、処理液の再利用を行いつつ基板の処理を行った場合における処理液中の所定成分の濃度の変化の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a change in the concentration of a predetermined component in the processing liquid when the substrate is processed while the processing liquid is reused. 図7は、実施例に係る基板処理装置の構成の一例を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment. 図8は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第1の図である。FIG. 8 is a first diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図9は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第2の図である。FIG. 9 is a second diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図10は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第3の図である。FIG. 10 is a third diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図11は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第4の図である。FIG. 11 is a fourth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図12は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第5の図である。FIG. 12 is a fifth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図13は、処理液の作製時における基板処理装置の配管動作の一例を示す第6の図である。FIG. 13 is a sixth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus during the preparation of the processing liquid. 図14は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第1の図である。FIG. 14 is a first diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate. 図15は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第2の図である。FIG. 15 is a second diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate. 図16は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第3の図である。FIG. 16 is a third diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate. 図17は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第4の図である。FIG. 17 is a fourth diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate. 図18は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第5の図である。FIG. 18 is a fifth diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate. 図19は、基板に対する処理を行う基板処理装置の配管動作の一例を示す第6の図である。FIG. 19 is a sixth diagram illustrating an example of a piping operation of a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate.

以下、図面を参照して、一実施形態に係る基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法について説明する。以下に示す実施形態の構成は例示であり、開示の技術は実施形態の構成に限定されない。   Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the substrate processing apparatus according to an embodiment will be described with reference to the drawings. The configuration of the embodiment described below is an exemplification, and the disclosed technology is not limited to the configuration of the embodiment.

<実施形態>
図1は、実施形態に係る基板処理装置1の構成の一例を示す図である。この基板処理装置1は、主として半導体ウェハ等の基板Wに対してエッチング処理や洗浄処理(以下、単に“処理”ともいう)を施すものである。基板処理装置1は、基板Wを1枚ずつ処理する方式の装置であり、いわゆる枚様式の基板処理装置である。以下、図1を参照して、基板処理装置1の構成について説明する。基板Wに対するエッチング処理や洗浄処理等の処理は、「所定の処理」の一例である。
<Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the embodiment. The substrate processing apparatus 1 mainly performs an etching process or a cleaning process (hereinafter also simply referred to as “processing”) on a substrate W such as a semiconductor wafer. The substrate processing apparatus 1 is an apparatus of a type that processes the substrates W one by one, and is a so-called sheet type substrate processing apparatus. Hereinafter, the configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. Processing such as etching processing and cleaning processing on the substrate W is an example of “predetermined processing”.

処理チャンバー11は、基板Wに対して処理液を吐出することで処理を行う。処理チャンバー11は、基板Wを載置するテーブル111、吐出口112、壁113を有する。テーブル111は、略円柱形状に形成され、処理対象となる基板Wを載置して回転可能である。吐出口112は、テーブルに載置された基板Wに対して処理液を吐出する。テーブル111の周囲は壁113によって囲まれており、基板Wに対して吐出された処理液の飛散が抑制される。処理チャンバー11は、「基板処理部」の一例である。   The processing chamber 11 performs processing by discharging a processing liquid to the substrate W. The processing chamber 11 includes a table 111 on which the substrate W is placed, a discharge port 112, and a wall 113. The table 111 is formed in a substantially cylindrical shape, and can be rotated by placing a substrate W to be processed. The discharge port 112 discharges the processing liquid to the substrate W placed on the table. The periphery of the table 111 is surrounded by a wall 113, and scattering of the processing liquid discharged onto the substrate W is suppressed. The processing chamber 11 is an example of a “substrate processing unit”.

純水供給源17には純水が貯留される。純水供給源17にはタンク12への純水の流路となる純水供給管25が接続される。純水供給管25には、開閉弁31a(例えば、ゲートバルブ)、調整弁32a(例えば、ニードルバルブ)および瞬時流量計33a(例えば、超音波流量計)がこの順で設けられており、開閉弁31aが開弁されることでタンク12への純水の供給を開始し、開閉弁31aが閉弁されることでタンク12への純水の供給を停止する。純水供給源17からタンク12に供給される純水の流量は、調整弁32aによって制御される。瞬時流量計33aは、純水供給管25を流れる純水の単位時間当たりの流量を計測する。純水供給源17は、「純水供給部」の一例である。   Pure water is stored in the pure water supply source 17. The pure water supply source 17 is connected to a pure water supply pipe 25 that serves as a pure water flow path to the tank 12. The pure water supply pipe 25 is provided with an opening / closing valve 31a (for example, a gate valve), an adjustment valve 32a (for example, a needle valve), and an instantaneous flow meter 33a (for example, an ultrasonic flow meter) in this order. Supply of pure water to the tank 12 is started by opening the valve 31a, and supply of pure water to the tank 12 is stopped by closing the on-off valve 31a. The flow rate of pure water supplied from the pure water supply source 17 to the tank 12 is controlled by the regulating valve 32a. The instantaneous flow meter 33 a measures the flow rate per unit time of pure water flowing through the pure water supply pipe 25. The pure water supply source 17 is an example of a “pure water supply unit”.

薬液供給源18には所定成分を所定の補充濃度(例えば、49%)含む薬液が貯留される。薬液供給源18にはタンク12への薬液の流路となる薬液供給管26が接続される。薬液供給管26には、タンク12側から開閉弁31b、調整弁32bおよび瞬時流量計33bが設けられており、開閉弁31bが開弁されることでタンク12への薬液の供給を開
始し、開閉弁31bが閉弁されることでタンク12への薬液の供給を停止する。薬液供給源18からタンク12に供給される薬液の流量は、調整弁32bによって制御される。瞬時流量計33bは、薬液供給管26を流れる薬液の単位時間当たりの流量を計測する。薬液供給源18がタンク12に供給する薬液は、例えば、所定成分としてフッ化水素酸(フッ酸)を含むフッ酸水溶液である。薬液供給源18は、「薬液供給部」の一例である。
The chemical solution supply source 18 stores a chemical solution containing a predetermined component at a predetermined replenishment concentration (for example, 49%). A chemical solution supply pipe 26 serving as a chemical solution flow path to the tank 12 is connected to the chemical solution supply source 18. The chemical solution supply pipe 26 is provided with an on-off valve 31b, an adjustment valve 32b, and an instantaneous flow meter 33b from the tank 12 side. When the on-off valve 31b is opened, supply of the chemical solution to the tank 12 is started. The supply of the chemical solution to the tank 12 is stopped by closing the on-off valve 31b. The flow rate of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 to the tank 12 is controlled by the adjustment valve 32b. The instantaneous flow meter 33b measures the flow rate per unit time of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26. The chemical solution supplied to the tank 12 by the chemical solution supply source 18 is, for example, a hydrofluoric acid aqueous solution containing hydrofluoric acid (hydrofluoric acid) as a predetermined component. The chemical solution supply source 18 is an example of a “chemical solution supply unit”.

タンク12には、処理に用いられる処理液が貯留される。タンク12には、薬液供給源18から供給される薬液を純水供給源17から供給される純水によって希釈することで、上記補充濃度より低い初期濃度(例えば、40%)の所定成分を含む処理液が貯留される。基板Wに対する処理効率(例えば、処理がエッチングの場合にはエッチングレート)は、処理液中の所定成分の濃度と処理液の温度に依存する。すなわち、基板Wに対する処理効率を考えると処理液中の所定成分の濃度は高い方が好ましい。しかしながら、本実施形態では、後述する濃度制御で用いる処理液の量を低減するため、薬液を純水で希釈することで薬液よりも低い初期濃度となるようにタンク12に貯留される処理液の濃度が制御される。濃度を低くすることによる処理効率の低下は、後述する温度調整において、薬液をそのまま処理に用いる場合(すなわち、上記補充濃度の薬液を処理に用いる場合)よりも高い温度に処理液の温度が調整されることで、抑制される。タンク12には、タンク12内の処理液の液面の高さを検知する液面センサ121が設けられる。液面センサ121が液面の高さを検知することで、タンク12に貯留される処理液の量を判定できる。すなわち、液面センサ121によって液面高さを検知することで、液面高さが、タンク12に通常貯留される量である「定量」位置であるか、補充を開始すべき量である「補充開始」位置であるか、これ以上タンクに処理液が供給されるとタンクから処理液が溢れることを示す「オーバーフロー」位置であるか、タンク内に貯留される処理液の下限を示す「下限」位置であるか、を判定できる。タンク12は、「貯留槽」の一例である。   The tank 12 stores a processing liquid used for processing. The tank 12 contains a predetermined component having an initial concentration (for example, 40%) lower than the replenishment concentration by diluting the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 18 with pure water supplied from the pure water supply source 17. The processing liquid is stored. The processing efficiency for the substrate W (for example, the etching rate when the processing is etching) depends on the concentration of the predetermined component in the processing liquid and the temperature of the processing liquid. That is, considering the processing efficiency for the substrate W, it is preferable that the concentration of the predetermined component in the processing liquid is high. However, in this embodiment, in order to reduce the amount of processing liquid used in concentration control described later, the processing liquid stored in the tank 12 is diluted to an initial concentration lower than that of the chemical liquid by diluting the chemical liquid with pure water. Concentration is controlled. The decrease in processing efficiency due to the lowering of the concentration is because the temperature of the processing liquid is adjusted to a temperature higher than that in the case of using the chemical liquid as it is for the processing (that is, when the chemical liquid having the above-mentioned replenishment concentration is used in the processing). Is suppressed. The tank 12 is provided with a liquid level sensor 121 that detects the liquid level of the processing liquid in the tank 12. When the liquid level sensor 121 detects the height of the liquid level, the amount of the processing liquid stored in the tank 12 can be determined. That is, by detecting the liquid level height with the liquid level sensor 121, the liquid level is the “quantitative” position that is normally stored in the tank 12, or the amount that should be replenished. The “replenishment start” position, or the “overflow” position indicating that the processing liquid overflows from the tank when the processing liquid is further supplied to the tank, or the “lower limit” indicating the lower limit of the processing liquid stored in the tank Can be determined. The tank 12 is an example of a “storage tank”.

供給管21は、処理液の供給元と処理液の供給先とを接続する内径25mm程度の配管である。図1では、処理液の供給元であるタンク12と処理液の供給先である処理チャンバー11とが供給管21によって接続される。供給管21には、供給管21内を流れる処理液を加熱するヒーター13及びポンプ14が設けられている。ヒーター13により処理に適した温度に調整された処理液は、ポンプ14によって供給管21を介して処理チャンバー11に圧送される。タンク12の底部には開閉弁31fを備えるタンク廃液管24が設けられており、タンク12に貯留される処理液の全液交換を実施する際には、開閉弁31fが開弁されてタンク廃液管24を介してタンク12内の処理液がドレイン(排出)される。供給管21は、「供給配管」の一例である。   The supply pipe 21 is a pipe having an inner diameter of about 25 mm that connects a processing liquid supply source and a processing liquid supply destination. In FIG. 1, a tank 12 that is a supply source of processing liquid and a processing chamber 11 that is a supply destination of processing liquid are connected by a supply pipe 21. The supply pipe 21 is provided with a heater 13 and a pump 14 for heating the processing liquid flowing in the supply pipe 21. The processing liquid adjusted to a temperature suitable for processing by the heater 13 is pumped to the processing chamber 11 through the supply pipe 21 by the pump 14. A tank waste liquid pipe 24 having an opening / closing valve 31f is provided at the bottom of the tank 12, and when the entire liquid replacement of the processing liquid stored in the tank 12 is performed, the opening / closing valve 31f is opened and the tank waste liquid is discharged. The processing liquid in the tank 12 is drained (discharged) through the pipe 24. The supply pipe 21 is an example of a “supply pipe”.

循環配管22は、一端を供給管21の管路途中21pと接続し、他端をタンク12と接続する配管である。循環配管22は供給管21よりも細い配管であり、例えば、循環配管22の内径は6mm程度である。供給管21において、循環配管22が接続される管路途中21pよりもヒーター13の方がタンク12側に設けられるため、循環配管22にはヒーター13によって加熱された処理液が流入する。ヒーター13は、「加熱手段」の一例である。   The circulation pipe 22 is a pipe that has one end connected to the middle 21 p of the supply pipe 21 and the other end connected to the tank 12. The circulation pipe 22 is a pipe thinner than the supply pipe 21. For example, the inner diameter of the circulation pipe 22 is about 6 mm. In the supply pipe 21, the heater 13 is provided closer to the tank 12 than the middle pipe 21 p to which the circulation pipe 22 is connected. Therefore, the processing liquid heated by the heater 13 flows into the circulation pipe 22. The heater 13 is an example of a “heating means”.

回収管23は、一端を処理チャンバー11と接続し、他端をタンク12と接続する配管である。回収管23は、処理チャンバー11において処理に用いられた処理液をタンク12へ返送する流路となる。すなわち、処理チャンバー11で処理に用いられた処理液は、回収管23を介してタンク12に回収される。回収管23は、「回収配管」の一例である。   The recovery pipe 23 is a pipe that has one end connected to the processing chamber 11 and the other end connected to the tank 12. The recovery pipe 23 serves as a flow path for returning the processing liquid used for processing in the processing chamber 11 to the tank 12. That is, the processing liquid used for processing in the processing chamber 11 is recovered in the tank 12 via the recovery pipe 23. The recovery pipe 23 is an example of “recovery pipe”.

温度計15は、循環配管22に設けられる。上記の通り、ヒーター13によって加熱された処理液が循環配管22に流入するため、温度計15はヒーター13によって加熱され
た処理液の温度を計測できる。
The thermometer 15 is provided in the circulation pipe 22. As described above, since the processing liquid heated by the heater 13 flows into the circulation pipe 22, the thermometer 15 can measure the temperature of the processing liquid heated by the heater 13.

濃度計16は、循環配管22に設けられ、処理液中の所定成分の濃度を計測する。濃度計16は、濃度の計測対象となる処理液中に泡が混在すると計測精度が低下する。処理液中の泡は、処理液が流れていない箇所や処理液と気体とが接する箇所において生じやすい。そこで、本実施形態では、処理液に流れがあるとともに処理液と気体とが接することがない循環配管22に濃度計16を設ける。濃度計16は、例えば、導電率を基に処理液中のフッ酸の濃度を計測するものであり、例えば、株式会社堀場製作所のフッ酸濃度モニタ
HF−960EMを採用することができる。
The concentration meter 16 is provided in the circulation pipe 22 and measures the concentration of a predetermined component in the processing liquid. The densitometer 16 is reduced in measurement accuracy when bubbles are mixed in the treatment liquid to be measured for concentration. Bubbles in the processing liquid are likely to occur at locations where the processing liquid does not flow or where the processing liquid and gas are in contact. Therefore, in the present embodiment, the densitometer 16 is provided in the circulation pipe 22 in which the processing liquid flows and the processing liquid and the gas do not come into contact with each other. The densitometer 16 measures, for example, the concentration of hydrofluoric acid in the treatment liquid based on the conductivity. For example, a hydrofluoric acid concentration monitor HF-960EM manufactured by Horiba, Ltd. can be used.

開閉弁31eは、供給管21において、管路途中21pよりも処理チャンバー11側に設けられる弁であり、例えば、ゲートバルブである。開閉弁31eが閉弁されることで、タンク12から処理チャンバー11への処理液の流路が閉塞され、開閉弁31eが開弁されることで、タンク12から処理チャンバー11への処理液の流路が開放される。   In the supply pipe 21, the on-off valve 31e is a valve provided closer to the processing chamber 11 than the middle 21p of the pipe line, and is, for example, a gate valve. By closing the on-off valve 31e, the flow path of the processing liquid from the tank 12 to the processing chamber 11 is closed, and by opening the on-off valve 31e, the processing liquid from the tank 12 to the processing chamber 11 is opened. The flow path is opened.

循環配管22には、循環配管22内を流れる処理液のドレインに用いられる配管廃液管27が設けられる。配管廃液管27は、循環配管22のうち温度計15および濃度計16よりもタンク12側に接続される。また、循環配管22には、循環配管22のうち配管廃液管27が接続される位置よりもタンク12側に、開閉弁31cが設けられる。配管廃液管27には開閉弁31dが設けられており、開閉弁31dが開弁されることで循環配管22を流れる処理液が配管廃液管27を介してドレインされる。配管廃液管27を介してドレインを行う際には、開閉弁31cを閉弁してタンク12への流路を閉塞するとともに、開閉弁31eを閉弁して処理チャンバー11への流路を閉塞する。なお、上記の通り、循環配管22の内径は供給管21よりも細いため、循環配管22内を流れる処理液の流量は供給管21内を流れる処理液の流量よりも少ない。そのため、配管廃液管27が循環配管22に設けられることで、供給管21に配管廃液管27を設ける場合よりも、ドレインする処理液の量の制御が容易になる。配管廃液管27は、「廃液配管」の一例である。   The circulation pipe 22 is provided with a pipe waste liquid pipe 27 that is used as a drain of the processing liquid flowing in the circulation pipe 22. The pipe waste liquid pipe 27 is connected to the tank 12 side from the thermometer 15 and the concentration meter 16 in the circulation pipe 22. The circulation pipe 22 is provided with an on-off valve 31c on the tank 12 side of the circulation pipe 22 from the position where the pipe waste liquid pipe 27 is connected. The pipe waste liquid pipe 27 is provided with an on-off valve 31 d, and the processing liquid flowing through the circulation pipe 22 is drained through the pipe waste liquid pipe 27 by opening the on-off valve 31 d. When draining through the pipe waste liquid pipe 27, the on-off valve 31c is closed to close the flow path to the tank 12, and the on-off valve 31e is closed to close the flow path to the processing chamber 11. To do. As described above, since the inner diameter of the circulation pipe 22 is narrower than that of the supply pipe 21, the flow rate of the processing liquid flowing in the circulation pipe 22 is smaller than the flow rate of the processing liquid flowing in the supply pipe 21. Therefore, by providing the pipe waste liquid pipe 27 in the circulation pipe 22, it becomes easier to control the amount of the processing liquid to be drained than when the pipe waste liquid pipe 27 is provided in the supply pipe 21. The pipe waste liquid pipe 27 is an example of “waste liquid pipe”.

<機能ブロック>
図2は、基板処理装置1の機能ブロック図の一例である。上記した処理チャンバー11、タンク12、ヒーター13、純水供給源17、薬液供給源18は制御部55によって統括的に制御される。また、制御部55は、温度計15および濃度計16による計測結果を取得する。制御部55のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部55は、各種演算処理を行うCPU551、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM552、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM553および制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。本実施形態においては、制御部55のCPU551が所定のプログラムPを実行することにより、処理液の温度調整、処理チャンバー11による基板Wへの処理の実行、処理液の濃度制御およびレベル補充が実行される。上記のプログラムPは、記憶部57に記憶されている。
<Functional block>
FIG. 2 is an example of a functional block diagram of the substrate processing apparatus 1. The processing chamber 11, the tank 12, the heater 13, the pure water supply source 17, and the chemical solution supply source 18 are comprehensively controlled by the control unit 55. In addition, the control unit 55 acquires measurement results obtained by the thermometer 15 and the densitometer 16. The configuration of the control unit 55 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 55 stores a CPU 551 that performs various arithmetic processes, a ROM 552 that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM 553 that is a readable / writable memory that stores various information, and control applications and data. It is equipped with a magnetic disk. In the present embodiment, the CPU 551 of the control unit 55 executes a predetermined program P, thereby performing temperature adjustment of the processing liquid, execution of processing on the substrate W by the processing chamber 11, control of the processing liquid concentration, and level replenishment. Is done. The program P is stored in the storage unit 57.

<温度調整>
温度調整は、タンク12に貯留される処理液の温度を処理に適した温度に調整する処理である。温度調整では、ポンプ14によってタンク12から供給管21に圧送された処理液が供給管21に設けられたヒーター13によって加熱される。加熱された処理液は循環配管22を経由してタンク12に返送される。このような循環を繰り返すことで、タンク12に貯留される処理液の温度が、処理に適した温度に調整される。上記の通り、基板Wの処理効率は処理液の温度と濃度とに関係して変化するため、本実施形態に係る温度調整では、補充濃度の薬液を処理に用いる場合に好適な温度よりも高い温度にタンク12に貯留される処理液の温度が調整される。処理液を高い温度に調整することで、補充濃度より
低い初期濃度の処理液を用いても処理効率の低下を避けることが可能である。
<Temperature adjustment>
The temperature adjustment is a process of adjusting the temperature of the processing liquid stored in the tank 12 to a temperature suitable for the process. In the temperature adjustment, the processing liquid pumped from the tank 12 to the supply pipe 21 by the pump 14 is heated by the heater 13 provided in the supply pipe 21. The heated processing liquid is returned to the tank 12 via the circulation pipe 22. By repeating such circulation, the temperature of the processing liquid stored in the tank 12 is adjusted to a temperature suitable for processing. As described above, since the processing efficiency of the substrate W changes in relation to the temperature and concentration of the processing liquid, in the temperature adjustment according to the present embodiment, the temperature is higher than a suitable temperature when using a chemical solution with a replenishment concentration. The temperature of the processing liquid stored in the tank 12 is adjusted to the temperature. By adjusting the treatment liquid to a high temperature, it is possible to avoid a decrease in treatment efficiency even if a treatment liquid having an initial concentration lower than the replenishment concentration is used.

温度調整では、開閉弁31eが閉弁されることで処理チャンバー11への処理液の流路が閉塞される。タンク12から供給管21に圧送された処理液は、供給管21に設けられたヒーター13によって加熱され、加熱された処理液は循環配管22に流入する。循環配管22を流れる処理液は、温度計15によって温度が計測されてから、タンク12に返送される。温度計15によって計測される温度が基板Wの処理に適した温度範囲内になるまでの間、このような循環が繰り返される。なお、循環配管22には、上記の通り、濃度計16も設けられており、濃度計16は、循環配管22を流れる処理液の所定成分の濃度を計測する。温度調整において温度計15によって計測された温度が基板Wの処理に適した温度範囲内になると開閉弁31eが開弁され、タンク12に貯留される処理液の処理チャンバー11への供給が開始される。   In the temperature adjustment, the flow path of the processing liquid to the processing chamber 11 is closed by closing the on-off valve 31e. The processing liquid pumped from the tank 12 to the supply pipe 21 is heated by the heater 13 provided in the supply pipe 21, and the heated processing liquid flows into the circulation pipe 22. The processing liquid flowing through the circulation pipe 22 is returned to the tank 12 after the temperature is measured by the thermometer 15. Such circulation is repeated until the temperature measured by the thermometer 15 falls within a temperature range suitable for processing the substrate W. The circulation pipe 22 is also provided with the concentration meter 16 as described above, and the concentration meter 16 measures the concentration of a predetermined component of the processing liquid flowing through the circulation pipe 22. When the temperature measured by the thermometer 15 in the temperature adjustment falls within a temperature range suitable for the processing of the substrate W, the on-off valve 31e is opened, and supply of the processing liquid stored in the tank 12 to the processing chamber 11 is started. The

<基板Wの処理>
処理チャンバー11は、上記の通り、タンク12から供給される処理液を吐出口112から基板Wに吐出することで、処理を行う。ここで、半導体ウェハ等の基板Wの製造工程においては、例えばシリコン等の単結晶インゴッドをその棒軸方向にスライスし、得られたものに対して面取り、ラッピング、エッチング処理、ポリッシング等の処理が順次施される。その結果、基板Wの表面上には異なる材料による複数の層、構造、回路が形成される。処理チャンバー11において行われる基板Wの処理は、例えば、基板Wに残ったタングステン等のメタルを除去する目的で行われ、基板Wに対して処理液を吐出することにより行われる。処理チャンバー11では、処理対象となる基板Wがテーブル111に載置され、テーブル111が回転することで、テーブル111に載置された基板Wが回転する。処理チャンバー11は、処理液を吐出口112から回転する基板Wに対して吐出することで、基板Wに対する処理を実行する。テーブル111の周囲を囲む壁113によって処理に用いられた処理液の飛散が抑制されるとともに、処理に用いられた処理液は壁113に囲まれた領域113a内に貯留される。領域113a内に貯留された処理液は、処理チャンバー11とタンク12とを接続する回収管23を介してタンク12に回収される。すなわち、処理に用いられた処理液は、回収管23を介してタンク12に回収されることで、処理チャンバー11に供給する処理液として再利用される。処理チャンバー11に処理液を供給している間も、処理液の一部は管路途中21pを介して循環配管22に流入し、温度計15による温度計測と濃度計16による濃度計測とが継続して行われる。
<Processing of substrate W>
As described above, the processing chamber 11 performs processing by discharging the processing liquid supplied from the tank 12 to the substrate W from the discharge port 112. Here, in the manufacturing process of the substrate W such as a semiconductor wafer, for example, a single crystal ingot such as silicon is sliced in the rod axis direction, and the obtained product is subjected to processes such as chamfering, lapping, etching, and polishing. It is given sequentially. As a result, a plurality of layers, structures, and circuits made of different materials are formed on the surface of the substrate W. The processing of the substrate W performed in the processing chamber 11 is performed, for example, for the purpose of removing metal such as tungsten remaining on the substrate W, and is performed by discharging a processing liquid onto the substrate W. In the processing chamber 11, a substrate W to be processed is placed on the table 111, and the substrate W placed on the table 111 rotates as the table 111 rotates. The processing chamber 11 performs processing on the substrate W by discharging the processing liquid from the discharge port 112 to the rotating substrate W. Scattering of the processing liquid used for the processing is suppressed by the wall 113 surrounding the periphery of the table 111, and the processing liquid used for the processing is stored in a region 113 a surrounded by the wall 113. The processing liquid stored in the region 113 a is recovered in the tank 12 through a recovery pipe 23 that connects the processing chamber 11 and the tank 12. That is, the processing liquid used for the processing is recovered in the tank 12 through the recovery pipe 23 and is reused as the processing liquid supplied to the processing chamber 11. While the processing liquid is being supplied to the processing chamber 11, a part of the processing liquid flows into the circulation pipe 22 via the pipe line 21 p and the temperature measurement by the thermometer 15 and the concentration measurement by the densitometer 16 are continued. Done.

基板処理装置1では、基板Wの処理に用いた処理液を再利用することで、処理液の消費量を削減する。しかしながら、このような処理液の再利用が繰り返されると、処理液中の所定成分の濃度は、処理液構成成分の蒸発、分解等によって変化する場合がある。例えば、上記の温度調整においては、処理液中の水分の蒸発によって、図5に例示されるように、処理液中の所定成分の濃度が上昇することがある。また、例えば、基板Wの処理において処理液の再利用を続けると、処理液中の所定成分の蒸発、分解等によって、図6に例示されるように、処理液中の所定成分の濃度が低下することがある。処理液中の所定成分の濃度が変化することで、タンク12に貯留される処理液中の所定成分の濃度が、基板Wの処理に適した濃度範囲から逸脱することがある。そこで、濃度計16によって計測される処理液中の所定成分の濃度が基板Wの処理に適した濃度範囲を逸脱した場合、濃度制御が実行される。   In the substrate processing apparatus 1, the processing liquid used for processing the substrate W is reused to reduce the consumption of the processing liquid. However, when such reuse of the processing liquid is repeated, the concentration of the predetermined component in the processing liquid may change due to evaporation, decomposition, or the like of the processing liquid constituent components. For example, in the temperature adjustment described above, the concentration of a predetermined component in the processing liquid may increase due to the evaporation of moisture in the processing liquid, as illustrated in FIG. Further, for example, if the processing liquid is continuously reused in the processing of the substrate W, the concentration of the predetermined component in the processing liquid decreases due to evaporation, decomposition, etc. of the predetermined component in the processing liquid as illustrated in FIG. There are things to do. When the concentration of the predetermined component in the processing liquid changes, the concentration of the predetermined component in the processing liquid stored in the tank 12 may deviate from a concentration range suitable for processing the substrate W. Therefore, when the concentration of the predetermined component in the processing liquid measured by the densitometer 16 deviates from a concentration range suitable for processing the substrate W, concentration control is executed.

<濃度制御>
基板処理装置1では、処理の進行に応じて薬液供給源18からタンク12へ薬液が供給される。薬液供給源18が薬液を供給する時期および量は、あらかじめ実験等に基づいて処理液の濃度の変化を抑制できるように決定されればよい。薬液供給源18は、例えば、所定枚数の基板の処理が行われた場合や、処理の累積実行時間が所定時間に達したときに
薬液をタンク12に供給する。
<Density control>
In the substrate processing apparatus 1, a chemical solution is supplied from the chemical solution supply source 18 to the tank 12 as the processing proceeds. The timing and amount at which the chemical solution supply source 18 supplies the chemical solution may be determined in advance so as to suppress changes in the concentration of the processing solution based on experiments or the like. The chemical solution supply source 18 supplies the chemical solution to the tank 12 when, for example, a predetermined number of substrates are processed or when the accumulated execution time of the processing reaches a predetermined time.

濃度計16によって計測される処理液中の所定成分の濃度が基板Wの処理に適した濃度範囲を逸脱した場合、純水供給源17からタンク12に純水を供給したり、薬液供給源18からタンク12に薬液を供給したりする濃度制御が実行される。濃度制御においては、例えば、処理液中の所定成分の濃度が上昇している場合には純水供給源17から純水を供給することで処理液中の所定成分の濃度を低下させる。また、例えば、上記の図6に例示されるように、処理液の再利用が続けられると処理液中の所定成分の濃度が低下するため、薬液供給源18から薬液を供給することで処理液中の所定成分の濃度の低下が抑制される。濃度計16が示す処理液中の所定成分の濃度が基板Wの処理に適した濃度範囲の下限を下回る場合、開閉弁31dを開弁するとともに開閉弁31cを閉弁して、配管廃液管27を介して所定成分の濃度が低下した処理液を所定量(例えば、3L)ドレインする。ドレインした処理液と同量の薬液が薬液供給源18からタンク12に供給されることで、タンク12に貯留される処理液中の所定成分の濃度を上昇させる。   When the concentration of the predetermined component in the processing liquid measured by the densitometer 16 deviates from the concentration range suitable for processing the substrate W, pure water is supplied from the pure water supply source 17 to the tank 12 or the chemical liquid supply source 18. Then, concentration control for supplying a chemical solution to the tank 12 is executed. In the concentration control, for example, when the concentration of the predetermined component in the processing liquid is increased, the concentration of the predetermined component in the processing liquid is decreased by supplying pure water from the pure water supply source 17. Further, for example, as illustrated in FIG. 6 above, since the concentration of the predetermined component in the processing liquid decreases when the processing liquid is continuously reused, the processing liquid is supplied by supplying the chemical liquid from the chemical liquid supply source 18. A decrease in the concentration of the predetermined component therein is suppressed. When the concentration of the predetermined component in the processing liquid indicated by the densitometer 16 is lower than the lower limit of the concentration range suitable for processing the substrate W, the on-off valve 31d is opened and the on-off valve 31c is closed, so that the pipe waste liquid pipe 27 is opened. Then, a predetermined amount (for example, 3 L) of the processing liquid having a reduced concentration of the predetermined component is drained. By supplying the same amount of chemical liquid as the drained processing liquid from the chemical liquid supply source 18 to the tank 12, the concentration of the predetermined component in the processing liquid stored in the tank 12 is increased.

上記の通り、本実施形態では、タンク12に貯留される処理液の初期濃度は、薬液供給源18が供給する濃度よりも低く設定される。そのため、タンク12に貯留される処理液の濃度と薬液供給源18から薬液が供給される薬液の濃度とが等しい場合と比較して、より少量の薬液の供給によってタンク12に貯留される処理液の濃度を上昇させることができる。すなわち、本実施形態によれば、濃度制御に用いる薬液の量を低減することができる。   As described above, in this embodiment, the initial concentration of the processing liquid stored in the tank 12 is set lower than the concentration supplied by the chemical liquid supply source 18. Therefore, compared with the case where the density | concentration of the processing liquid stored in the tank 12 and the density | concentration of the chemical liquid supplied from the chemical supply source 18 are equal, the processing liquid stored in the tank 12 by supply of a smaller amount of chemical liquid. The concentration of can be increased. That is, according to this embodiment, the amount of the chemical used for concentration control can be reduced.

<レベル補充>
上記した濃度制御において処理の進行に応じて薬液がタンク12へ供給されるが、それでもタンク12に貯留される処理液が減少することがある。タンク12に貯留される処理液の量が補充開始を示す量にまで減少した場合、レベル補充が行われる。レベル補充では、薬液供給源18から薬液がタンク12に供給されるとともに、純水供給源17から純水がタンク12に供給される。薬液供給源18が供給する薬液の流量と純水供給源17が供給する純水の流量は、それぞれ調整弁32b、32aによって薬液の濃度が初期濃度になるように制御される。レベル補充では、タンク12に貯留される処理液の量が、タンク12に通常貯留される量である定量を示すまで継続される。
<Level replenishment>
In the concentration control described above, the chemical liquid is supplied to the tank 12 as the processing proceeds, but the processing liquid stored in the tank 12 may still decrease. When the amount of the processing liquid stored in the tank 12 has decreased to an amount indicating the start of replenishment, level replenishment is performed. In level replenishment, a chemical solution is supplied from the chemical solution supply source 18 to the tank 12, and pure water is supplied from the pure water supply source 17 to the tank 12. The flow rate of the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 18 and the flow rate of pure water supplied from the pure water supply source 17 are controlled by the adjustment valves 32b and 32a so that the concentration of the chemical solution becomes the initial concentration. The level replenishment is continued until the amount of the processing liquid stored in the tank 12 indicates a fixed amount that is the amount normally stored in the tank 12.

<補充量>
ところで、上記したように、処理チャンバー11で処理に用いられた処理液は、回収管23を介してタンク12に回収される。処理チャンバー11とタンク12との間の距離は、基板処理装置1の設置場所によって異なるため、処理チャンバー11で使用されてから処理液がタンク12に回収されるまでの時間をあらかじめ決定しておくことはできない。また、基板処理装置1は、図4のように複数の処理チャンバー11を備えることが可能であり、処理チャンバー11の数が増加すればタンク12に回収される処理液の量も増加する。上記した濃度制御やレベル補充において処理液や薬液がタンク12の定量まで処理液が補充された後に処理チャンバー11から処理液がタンク12に回収された場合でも処理液がタンク12から溢れることが無いように、タンク12は容量に余裕をもって設計される。タンク12の容量に余裕をもって設計されると、タンク12の製造コストが増大したり、基板処理装置1の設置により広い設置スペースが必要になったりする。
<Replenishment amount>
By the way, as described above, the processing liquid used for processing in the processing chamber 11 is recovered in the tank 12 via the recovery pipe 23. Since the distance between the processing chamber 11 and the tank 12 varies depending on the installation location of the substrate processing apparatus 1, the time until the processing liquid is collected in the tank 12 after being used in the processing chamber 11 is determined in advance. It is not possible. Further, the substrate processing apparatus 1 can include a plurality of processing chambers 11 as shown in FIG. 4, and the amount of processing liquid recovered in the tank 12 increases as the number of the processing chambers 11 increases. Even when the processing liquid is collected from the processing chamber 11 to the tank 12 after the processing liquid or chemical solution is replenished to the fixed amount in the tank 12 in the above concentration control or level replenishment, the processing liquid does not overflow from the tank 12. Thus, the tank 12 is designed with a sufficient capacity. If the capacity of the tank 12 is designed with a margin, the manufacturing cost of the tank 12 increases, and a large installation space is required due to the installation of the substrate processing apparatus 1.

そこで、処理チャンバー11から回収される処理液の量を考慮して、濃度制御やレベル補充において補充される薬液や純水の量を決定してもよい。すなわち、濃度制御やレベル補充においてタンク12に補充される薬液や純水の量と処理チャンバー11から回収される処理液の量とでタンク12の処理液の量が定量になるように、補充される薬液および純
水の量が制御されればよい。
Therefore, in consideration of the amount of the processing liquid recovered from the processing chamber 11, the amount of chemical liquid or pure water to be replenished in concentration control or level replenishment may be determined. That is, replenishment is performed so that the amount of the treatment liquid in the tank 12 is quantitatively determined by the amount of the chemical liquid or pure water replenished in the tank 12 in the concentration control or level replenishment and the amount of the treatment liquid recovered from the treatment chamber 11. It is only necessary to control the amount of the chemical solution and pure water.

回収される処理液の量は、例えば、処理チャンバー11における処理において吐出された処理液の量と回収率とを基に決定できる。回収率は、処理チャンバー11における処理において吐出された処理液の量のうち、タンク12に回収される処理液の量を示す割合であり、例えば、次の式(1)によって決定できる。

Figure 2019192863
The amount of the processing liquid to be recovered can be determined based on, for example, the amount of the processing liquid discharged in the processing in the processing chamber 11 and the recovery rate. The recovery rate is a ratio indicating the amount of the processing liquid recovered in the tank 12 out of the amount of the processing liquid discharged in the processing in the processing chamber 11, and can be determined by the following equation (1), for example.
Figure 2019192863

式(1)において、「処理チャンバー11が吐出した処理液の量」は、タンク12に接続される処理チャンバー11が複数存在する場合、その複数の処理チャンバー11が吐出した処理液の合計量である。式(1)において回収率の変域は0から1の範囲であり、例えば、処理チャンバー11が吐出した処理液が全てタンク12に回収される場合の回収率は1となる。   In Expression (1), “amount of processing liquid discharged from the processing chamber 11” is the total amount of processing liquid discharged from the plurality of processing chambers 11 when there are a plurality of processing chambers 11 connected to the tank 12. is there. In the formula (1), the range of the recovery rate is in the range of 0 to 1. For example, the recovery rate is 1 when all the processing liquid discharged from the processing chamber 11 is recovered in the tank 12.

処理チャンバー11で吐出される処理液の量は、例えば、基板Wの処理内容を定めたレシピから取得できる。レシピは、例えば、記憶部57に記憶されており、制御部55が記憶部57からレシピを読み込み、吐出される処理液の量を取得すればよい。また、例えば、図3に例示されるように、処理チャンバー11の吐出口112に吐出される処理液の流量の積算を計測可能な積算流量計112aを設け、積算流量計112aによって吐出口112が吐出する処理液の量を計測しても取得可能である。基板処理装置1が処理チャンバー11を複数備える場合、処理チャンバー11の各々が有する積算流量計112aによる計測結果の合計値を吐出される処理液の量とすればよい。タンク12に回収される処理液の量は、タンク12が有する液面センサ121から取得できる。また、タンク12に回収される処理液の量は、図3に例示されるように、回収管23に設ける積算流量計23aによって計測することでも取得可能である。あらかじめ試験等によって回収率を確認し、確認した回収率を記憶部57に記憶させておくことで、製品として販売される基板処理装置1から積算流量計23aを省略することができる。タンク12に補充する薬液および純水の供給量は、例えば、次の式(2)によって決定できる。

Figure 2019192863
The amount of the processing liquid discharged in the processing chamber 11 can be acquired from a recipe that defines the processing content of the substrate W, for example. For example, the recipe is stored in the storage unit 57, and the control unit 55 may read the recipe from the storage unit 57 and acquire the amount of the processing liquid to be discharged. Further, for example, as illustrated in FIG. 3, an integrated flow meter 112a capable of measuring the integration of the flow rate of the processing liquid discharged to the discharge port 112 of the processing chamber 11 is provided, and the discharge port 112 is provided by the integrated flow meter 112a. It can also be obtained by measuring the amount of the processing liquid to be discharged. When the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing chambers 11, the total value of the measurement results obtained by the integrated flow meter 112 a included in each processing chamber 11 may be used as the amount of the processing liquid to be discharged. The amount of the processing liquid collected in the tank 12 can be acquired from the liquid level sensor 121 included in the tank 12. Further, the amount of the processing liquid recovered in the tank 12 can also be obtained by measuring with an integrated flow meter 23a provided in the recovery pipe 23 as illustrated in FIG. By confirming the collection rate in advance by a test or the like and storing the confirmed collection rate in the storage unit 57, the integrated flow meter 23a can be omitted from the substrate processing apparatus 1 sold as a product. The supply amount of the chemical solution and pure water to be replenished to the tank 12 can be determined by the following equation (2), for example.
Figure 2019192863

式(2)において、「現在の液量」は、タンク12に貯留されている処理液の量であり、例えば、タンク12に設けられている液面センサ121によって検出できる。「吐出量」は処理チャンバー11が吐出した処理液の量であり、処理チャンバー11が複数存在する場合は、複数の処理チャンバー11が吐出した処理液の合計である。すなわち、「(吐出量)×(回収率)」によって、タンク12に回収される処理液の量が決定される。例えば、タンク12の定量が30L,タンク12の現在の液量が20L、処理チャンバー11の吐出した処理液の量が10L、回収率が0.9である場合、タンク12に供給する薬液および純水の合計量は、式(2)によって、1Lと決定される。薬液および純水の各々の供給量は、例えば、濃度制御において薬液を供給する場合、薬液の供給量が1Lであり、純水の供給はない。また、例えば、濃度制御において純水を供給する場合、純水の供給量が1Lであり、薬液の供給は無い。また、レベル補充においては、処理液における所定成分の濃度と式(2)によって決定された合計量に基づいて、薬液と純水の各々の供給量が決定されればよい。なお、タンク12に補充する薬液および純水の供給量は、式(2)以外によって決定されてもよい。また、タンク12に補充する薬液および純水の供給量の合計は、タンク12から蒸発する処理液の量がさらに考慮されてもよい。   In Expression (2), the “current liquid amount” is the amount of the processing liquid stored in the tank 12 and can be detected by, for example, the liquid level sensor 121 provided in the tank 12. “Discharge amount” is the amount of the processing liquid discharged from the processing chamber 11, and when there are a plurality of processing chambers 11, is the total of the processing liquid discharged from the plurality of processing chambers 11. That is, the amount of processing liquid collected in the tank 12 is determined by “(discharge amount) × (recovery rate)”. For example, when the fixed amount of the tank 12 is 30 L, the current liquid amount of the tank 12 is 20 L, the amount of the processing liquid discharged from the processing chamber 11 is 10 L, and the recovery rate is 0.9, the chemical solution and pure liquid supplied to the tank 12 The total amount of water is determined to be 1 L by equation (2). For example, when the chemical solution is supplied in the concentration control, the supply amount of the chemical solution is 1 L, and there is no supply of pure water. For example, when pure water is supplied in concentration control, the supply amount of pure water is 1 L, and no chemical solution is supplied. Further, in the level replenishment, the supply amounts of the chemical solution and pure water may be determined based on the concentration of the predetermined component in the processing solution and the total amount determined by the equation (2). The supply amounts of the chemical solution and pure water to be replenished to the tank 12 may be determined by a method other than the equation (2). Further, the total amount of chemical solution and pure water supplied to the tank 12 may further take into account the amount of the processing solution evaporated from the tank 12.

なお、実施形態においては、処理チャンバー11において処理に用いられた処理液が回収管23によってタンク12に回収されたが、処理チャンバー11が吐出した処理液をタンク12に回収しない基板処理装置も考えられる。吐出した処理液を回収しない場合におけるタンクへの補充量は、式(2)において回収率を0として決定してもよいし、処理チャンバー11が吐出した吐出量と同量としてもよい。   In the embodiment, the processing liquid used for processing in the processing chamber 11 is recovered in the tank 12 by the recovery pipe 23, but a substrate processing apparatus that does not recover the processing liquid discharged from the processing chamber 11 in the tank 12 is also considered. It is done. The amount of replenishment to the tank when the discharged processing liquid is not recovered may be determined by setting the recovery rate to 0 in equation (2), or may be the same as the discharge amount discharged by the processing chamber 11.

濃度制御では、上記のように、タンク12に貯留される処理液の量が定量を下回った時に実施されてもよいが、処理チャンバー11が処理液を吐出するたびに実施されてもよいし、所定期間毎に実施されてもよいし、処理チャンバー11が吐出した処理液の量が所定量に達したときに実施されてもよい。例えば、所定期間毎に実施する場合、所定期間における吐出量の合計に基づいて補充量を決定すればよい。また、例えば、処理チャンバー11が吐出した処理液の量が所定量に達したときに実施する場合、当該所定量を補充量とすればよい。   In the concentration control, as described above, it may be performed when the amount of the processing liquid stored in the tank 12 falls below the fixed amount, but may be performed every time the processing chamber 11 discharges the processing liquid, It may be performed every predetermined period, or may be performed when the amount of the processing liquid discharged from the processing chamber 11 reaches a predetermined amount. For example, when it is performed every predetermined period, the replenishment amount may be determined based on the total discharge amount in the predetermined period. Further, for example, when the processing is performed when the amount of the processing liquid discharged from the processing chamber 11 reaches a predetermined amount, the predetermined amount may be used as the replenishment amount.

<実施形態の作用効果>
実施形態では、タンク12には、薬液供給源18から供給される薬液を純水供給源17から供給される純水によって希釈した処理液が貯留される。希釈された処理液が用いられることで、薬液をそのまま処理液として使用する場合よりも処理液の再利用に伴う濃度の低下が緩やかになる。また、処理液における所定成分の濃度が低いため、少量の薬液の供給によってタンク12に貯留される処理液の濃度を高めることができる。濃度の低下が緩やかであり、かつ、少量の薬液の供給で濃度を高めることができるため、実施形態によれば、濃度制御で使用する処理液の量を低減することができる。
<Effects of Embodiment>
In the embodiment, the tank 12 stores a treatment liquid obtained by diluting the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 with pure water supplied from the pure water supply source 17. By using the diluted processing liquid, the concentration decrease due to the reuse of the processing liquid becomes more gradual than when the chemical liquid is used as the processing liquid as it is. Further, since the concentration of the predetermined component in the processing liquid is low, the concentration of the processing liquid stored in the tank 12 can be increased by supplying a small amount of chemical liquid. Since the decrease in the concentration is gradual and the concentration can be increased by supplying a small amount of chemical solution, according to the embodiment, the amount of the processing solution used in the concentration control can be reduced.

実施形態では、循環配管22に濃度計16が設けられる。濃度計16は、上記の通り、濃度計測の対象となる処理液中に泡が生じると計測精度が低下する。泡は、処理液の流れが無い場所や処理液と気体とが接する場所に生じやすい。循環配管22内はポンプ14によって圧送される処理液が流れており、かつ、処理液と気体とが接することもないため、濃度計の設置に好適であり、濃度計の計測精度の低下が抑制される。   In the embodiment, the densitometer 16 is provided in the circulation pipe 22. As described above, the measurement accuracy of the densitometer 16 decreases when bubbles are generated in the treatment liquid that is the target of concentration measurement. Bubbles are likely to occur in places where there is no flow of processing liquid or where the processing liquid and gas are in contact. Since the treatment liquid pumped by the pump 14 flows in the circulation pipe 22 and the treatment liquid and the gas do not come into contact with each other, it is suitable for the installation of the concentration meter and suppresses the decrease in the measurement accuracy of the concentration meter. Is done.

実施形態では、循環配管22には、循環配管22内を流れる処理液を排出する配管廃液管27が接続されており、濃度計16が示す濃度が処理に適した濃度範囲を下回った場合に、配管廃液管27から所定量の処理液を排出するとともに、薬液供給源18が所定量の薬液をタンク12に供給する。濃度の低下した処理液を排出した上で薬液が補充されるため、処理液の濃度を容易に回復できる。   In the embodiment, the circulation pipe 22 is connected to a pipe waste liquid pipe 27 for discharging the treatment liquid flowing in the circulation pipe 22, and when the concentration indicated by the densitometer 16 falls below a concentration range suitable for treatment, A predetermined amount of processing liquid is discharged from the pipe waste liquid pipe 27, and a chemical liquid supply source 18 supplies a predetermined amount of chemical liquid to the tank 12. Since the chemical solution is replenished after the processing solution having a reduced concentration is discharged, the concentration of the processing solution can be easily recovered.

実施形態では、純水供給源17は、濃度計16が示す濃度が処理に適した濃度範囲を上回った場合に、純水をタンク12に供給する。純水が供給されることで、所定成分の濃度が高くなりすぎた処理液の濃度を下げることができる。   In the embodiment, the pure water supply source 17 supplies pure water to the tank 12 when the concentration indicated by the densitometer 16 exceeds the concentration range suitable for processing. By supplying pure water, the concentration of the treatment liquid in which the concentration of the predetermined component becomes too high can be lowered.

実施形態では、循環配管22の内径は供給管21の内径よりも細く形成される。循環配管22の内径が供給管21の内径よりも細いことにより、循環配管22内を流れる処理液の流量は供給管21内を流れる処理液の流量よりも少なくなる。そのため、濃度計測のために循環配管22内を流す処理液の量を低減できる。また、処理液の流量が少ない循環配管22に配管廃液管27が設けられることで、ドレインする処理液の量の制御が容易になる。   In the embodiment, the inner diameter of the circulation pipe 22 is formed smaller than the inner diameter of the supply pipe 21. Since the inner diameter of the circulation pipe 22 is smaller than the inner diameter of the supply pipe 21, the flow rate of the processing liquid flowing in the circulation pipe 22 is smaller than the flow volume of the processing liquid flowing in the supply pipe 21. Therefore, it is possible to reduce the amount of the processing liquid flowing through the circulation pipe 22 for concentration measurement. In addition, since the pipe waste liquid pipe 27 is provided in the circulation pipe 22 where the flow rate of the processing liquid is small, the amount of the processing liquid to be drained can be easily controlled.

実施形態において、薬液供給源18から供給される薬液をそのまま処理に用いる場合に好適な温度よりも高い温度に処理液の温度は調整される。基板Wに対する処理効率は、処理液中の所定成分の濃度と処理液の温度とに依存する。薬液をそのまま処理に用いる場合
よりも高い温度に処理液の温度を調整することで、薬液よりも所定成分の濃度が低い処理液を処理に用いることによる処理効率の低下が抑制される。
In the embodiment, the temperature of the processing liquid is adjusted to a temperature higher than a temperature suitable when the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 is used as it is for the processing. The processing efficiency for the substrate W depends on the concentration of the predetermined component in the processing liquid and the temperature of the processing liquid. By adjusting the temperature of the treatment liquid to a higher temperature than when the chemical liquid is used for the treatment as it is, a reduction in treatment efficiency due to the use of the treatment liquid having a predetermined component concentration lower than that of the chemical liquid is suppressed.

実施形態では、薬液供給源18や純水供給源17がタンク12に補充される薬液や純水の量は、処理チャンバー11から回収される処理液の量を考慮して決定される。そのため、薬液供給源18や純水供給源17がタンク12に薬液や純水を供給した後に、処理チャンバー11で処理に使用された処理液がタンク12に回収されても、タンク12に貯留される処理液の量を定量とすることが可能となる。そのため、タンク12に処理液が回収された状態でタンク12に貯留される処理液の量が定量になるため、タンク12を大きめに製造しなくともよくなり、タンク12の小型化が実現される。   In the embodiment, the amounts of the chemical liquid and pure water that are replenished to the tank 12 by the chemical liquid supply source 18 and the pure water supply source 17 are determined in consideration of the amount of the processing liquid recovered from the processing chamber 11. Therefore, even if the processing liquid used for processing in the processing chamber 11 is collected in the tank 12 after the chemical liquid supply source 18 or the pure water supply source 17 supplies the chemical liquid or pure water to the tank 12, it is stored in the tank 12. It is possible to determine the amount of the treatment liquid to be quantified. Therefore, since the amount of the processing liquid stored in the tank 12 in a state where the processing liquid is collected in the tank 12 is fixed, it is not necessary to manufacture the tank 12 in a large size, and the tank 12 can be downsized. .

<実施例>
実施形態において説明した基板処理装置1について、より具体的な構成について説明する。図7は、実施例に係る基板処理装置1aの構成の一例を示す図であり、図1に例示される構成をより具体的に示したものである。基板処理装置1aにおいて、基板処理装置1と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。以下、図面を参照して、実施例に係る基板処理装置1aについて説明する。
<Example>
A more specific configuration of the substrate processing apparatus 1 described in the embodiment will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the configuration of the substrate processing apparatus 1a according to the embodiment, and more specifically illustrates the configuration illustrated in FIG. In the substrate processing apparatus 1a, the same components as those of the substrate processing apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. Hereinafter, a substrate processing apparatus 1a according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

基板処理装置1aは、2つのタンク12(第1タンク12a、第2タンク12b)を備える。第1タンク12aは処理チャンバー11への処理液の供給に用いられ、第2タンク12bは処理液の作製と作製した処理液の第1タンク12aへの供給に用いられる。第2タンク12bでは、薬液供給源18から供給される薬液と純水供給源17aから供給される純水とを基に、初期濃度の処理液が作製される。供給管21aは第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の流路となる配管であり、供給管21aには複数のヒーター13a、13b、13c、13dが供給管21aに沿って配置される。ヒーター13a、13bが処理液を加熱する温度は、例えば、ヒーター13c、13dよりも高く設定される。供給管21aにおいて、ヒーター13bとヒーター13bの隣に配置されたヒーター13cとの間には温度計15aが介挿され、ヒーター13dよりも第2タンク12b側には温度計15bが設けられており、供給管21a内を流れる処理液の温度が温度計15a、15bによって計測される。ヒーター13a、13bによって加熱された処理液の温度が温度計15aによって計測される。供給管21aには、さらに、ポンプ14aが設けられており、第2タンク12bに貯留された処理液は、ポンプ14aによって供給管21aに圧送される。また、供給管21aには、ヒーター13a、13b、13c、13dおよびポンプ14aよりも第1タンク12a側に、開閉弁31e1が設けられる。制御部55は、温度計15aの計測結果に基づいて、ヒーター13c、13dの温度を制御する。供給管21aにおいて、開閉弁31e1よりも第2タンク12b側で、ポンプ14aよりも第1タンク12a側の管路途中21p1には、管路途中21p1から第2タンク12bに延びる循環配管22aが接続される。循環配管22aには、開閉弁31c1が設けられる。第2タンク12bにおいて処理液の温度調整が行われるときは、開閉弁31e1が閉弁されることで第1タンク12aへの流路が閉塞されるとともに、開閉弁31c1が開弁されることで第2タンク12bへの流路が開放される。第2タンク12bに貯留される処理液は、ポンプ14aによって供給管21aに圧送され、圧送された処理液はヒーター13a、13b、13c、13dによって加熱されて、循環配管22aを介して第2タンク12bに返送される。ヒーター13a、13b、13c、13dは、「第2加熱手段」の一例である。ヒーター13a、13b、13c、13dのそれぞれは、「加熱部」の一例である。第1タンク12aは、「第1貯留槽」の一例である。第2タンク12bは、「第2貯留槽」の一例である。供給管21aは、「第2供給配管」の一例である。循環配管22aは、「第2循環配管」の一例である。管路途中21p1は、「第2管路途中」の一例である。ヒーター13bは、「一の加熱部」の一例である。   The substrate processing apparatus 1a includes two tanks 12 (a first tank 12a and a second tank 12b). The first tank 12a is used for supplying the processing liquid to the processing chamber 11, and the second tank 12b is used for preparing the processing liquid and supplying the prepared processing liquid to the first tank 12a. In the second tank 12b, a treatment liquid having an initial concentration is produced based on the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 and the pure water supplied from the pure water supply source 17a. The supply pipe 21a is a pipe that serves as a flow path for the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a. A plurality of heaters 13a, 13b, 13c, and 13d are arranged along the supply pipe 21a in the supply pipe 21a. The The temperature at which the heaters 13a and 13b heat the treatment liquid is set higher than the heaters 13c and 13d, for example. In the supply pipe 21a, a thermometer 15a is interposed between the heater 13b and the heater 13c arranged next to the heater 13b, and a thermometer 15b is provided on the second tank 12b side of the heater 13d. The temperature of the processing liquid flowing in the supply pipe 21a is measured by the thermometers 15a and 15b. The temperature of the processing liquid heated by the heaters 13a and 13b is measured by the thermometer 15a. The supply pipe 21a is further provided with a pump 14a, and the processing liquid stored in the second tank 12b is pumped to the supply pipe 21a by the pump 14a. The supply pipe 21a is provided with an on-off valve 31e1 on the first tank 12a side of the heaters 13a, 13b, 13c, 13d and the pump 14a. The controller 55 controls the temperatures of the heaters 13c and 13d based on the measurement result of the thermometer 15a. In the supply pipe 21a, a circulation pipe 22a extending from the pipe path 21p1 to the second tank 12b is connected to the pipe path 21p1 closer to the second tank 12b than the on-off valve 31e1 and closer to the first tank 12a than the pump 14a. Is done. An opening / closing valve 31c1 is provided in the circulation pipe 22a. When the temperature of the processing liquid is adjusted in the second tank 12b, the on-off valve 31e1 is closed to close the flow path to the first tank 12a, and the on-off valve 31c1 is opened. The flow path to the second tank 12b is opened. The processing liquid stored in the second tank 12b is pumped to the supply pipe 21a by the pump 14a, and the pumped processing liquid is heated by the heaters 13a, 13b, 13c, and 13d, and the second tank is passed through the circulation pipe 22a. Returned to 12b. The heaters 13a, 13b, 13c, and 13d are examples of “second heating means”. Each of the heaters 13a, 13b, 13c, and 13d is an example of a “heating unit”. The first tank 12a is an example of a “first storage tank”. The second tank 12b is an example of a “second storage tank”. The supply pipe 21a is an example of a “second supply pipe”. The circulation pipe 22a is an example of a “second circulation pipe”. The middle 21p1 of the pipeline is an example of “second half of the pipeline”. The heater 13b is an example of “one heating unit”.

第1タンク12aには、第2タンク12bにおいて作製され、温度調整された処理液が、供給管21aを介して供給される。供給管21b、21bの各々は第1タンク12aから処理チャンバー11、11の各々への処理液の流路となる配管であり、供給管21b、21bの各々にはヒーター13e、13eおよびポンプ14bが設けられる。供給管21b、21bの管路途中21p2、21p2には、管路途中21p2、21p2から第1タンク12aに延びる循環配管22bが接続される。循環配管22bには、管路途中21p2から第1タンク12aへ向かって順に開閉弁31g、積算流量計33c、調整弁32c、濃度計16および開閉弁31c2が設けられる。濃度計16は循環配管22aに設けられてもよいが、濃度計16が循環配管22bに設けられることで、処理チャンバー11により近い位置における処理液の濃度を計測可能である。供給管21b、21bには、さらに、管路途中21p2よりも処理チャンバー11側に設けられた管路途中21p3、21p3には、管路途中21p3、21p3から第1タンク12aに延びる返送管21b1、21b1が接続される。返送管21b1、21b1は循環配管22bよりも内径が大きい(すなわち、流路断面積が大きい)配管であり、例えば、返送管21b1、21b1の内径は25mmであり、循環配管22bの内径は6mmである。返送管21b1は、「返送配管」の一例である。ヒーター13eは、「第1加熱手段」の一例である。供給管21bは、「第1供給配管」の一例である。循環配管22bは、「第1循環配管」の一例である。管路途中21p2は、「第1管路途中」の一例である。   The first tank 12a is supplied with the treatment liquid prepared in the second tank 12b and adjusted in temperature via the supply pipe 21a. Each of the supply pipes 21b and 21b is a pipe that becomes a flow path of the processing liquid from the first tank 12a to each of the processing chambers 11 and 11, and each of the supply pipes 21b and 21b includes a heater 13e and 13e and a pump 14b. Provided. A circulation pipe 22b extending from the pipe passages 21p2 and 21p2 to the first tank 12a is connected to the pipe pipes 21p2 and 21p2 of the supply pipes 21b and 21b. The circulation pipe 22b is provided with an on-off valve 31g, an integrated flow meter 33c, an adjustment valve 32c, a concentration meter 16, and an on-off valve 31c2 in order from the middle 21p2 to the first tank 12a. The concentration meter 16 may be provided in the circulation pipe 22a, but the concentration of the processing liquid at a position closer to the processing chamber 11 can be measured by providing the concentration meter 16 in the circulation pipe 22b. The supply pipes 21b and 21b further include return pipes 21b1 extending from the pipe paths 21p3 and 21p3 to the first tank 12a in the pipe paths 21p3 and 21p3 provided on the processing chamber 11 side of the pipe path 21p2. 21b1 is connected. The return pipes 21b1 and 21b1 are pipes having an inner diameter larger than that of the circulation pipe 22b (that is, the passage cross-sectional area is larger). For example, the return pipes 21b1 and 21b1 have an inner diameter of 25 mm and the circulation pipe 22b has an inner diameter of 6 mm. is there. The return pipe 21b1 is an example of “return pipe”. The heater 13e is an example of a “first heating unit”. The supply pipe 21b is an example of a “first supply pipe”. The circulation pipe 22b is an example of a “first circulation pipe”. The middle 21p2 of the pipe line is an example of “middle of the first pipe line”.

第1タンク12aおよび第2タンク12bの各々には、上記した液面センサ121が設けられる。なお、第2タンク12bは、第1タンク12aへの処理液の供給元となるため、第2タンク12bは第1タンク12aよりも容量の大きいタンクが用いられる。そのため、第2タンク12bにおいて液面高さが「定量」となる処理液の量は、第1タンク12aにおいて液面高さが「定量」となる処理液の量よりも多くなるように設定される。例えば、第2タンク12bにおいて液面高さが「定量」となる処理液の量は「60L」であり、第1タンク12aにおいて液面高さが「定量」となる処理液の量は「30L」である。   Each of the first tank 12a and the second tank 12b is provided with the liquid level sensor 121 described above. Since the second tank 12b is a supply source of the processing liquid to the first tank 12a, a tank having a larger capacity than the first tank 12a is used for the second tank 12b. Therefore, the amount of the processing liquid whose liquid level is “determined” in the second tank 12b is set to be larger than the amount of the processing liquid whose liquid level is “determined” in the first tank 12a. The For example, in the second tank 12b, the amount of the processing liquid whose liquid level is “determined” is “60L”, and in the first tank 12a, the amount of the processing liquid whose liquid level is “determined” is “30L”. Is.

薬液供給源18には、第2タンク12bへの薬液の流路となる薬液供給管26a、26bが接続される。薬液供給管26aには、開閉弁31b1、調整弁32b1および瞬時流量計33b1が設けられる。開閉弁31b1が開弁されると薬液供給源18から第2タンク12bへの薬液供給管26aを介した流路が確保され、開閉弁31b1が閉弁されると薬液供給源18から第2タンク12bへの薬液供給管26aを介した流路が閉塞される。薬液供給管26a内を流れる薬液の流量は、調整弁32b1によって制御される。瞬時流量計33b1は、薬液供給管26aを流れる薬液の単位時間当たりの流量を計測する。薬液供給管26bには、開閉弁31b2、調整弁32b2および瞬時流量計33b2が設けられる。薬液供給管26bの管路途中26pにおいて、純水供給管25aが接続される。開閉弁31b2が開弁されると薬液供給源18から第2タンク12bへの薬液供給管26bを介した流路が確保され、開閉弁31b2が閉弁されると薬液供給源18から第2タンク12bへの薬液供給管26bを介した流路が閉塞される。薬液供給管26b内を流れる薬液の流量は、調整弁32b2によって制御される。瞬時流量計33b2は、薬液供給管26bを流れる薬液の単位時間当たりの流量を計測する。   The chemical liquid supply source 18 is connected to chemical liquid supply pipes 26a and 26b that serve as a flow path for the chemical liquid to the second tank 12b. The chemical solution supply pipe 26a is provided with an on-off valve 31b1, an adjustment valve 32b1, and an instantaneous flow meter 33b1. When the on-off valve 31b1 is opened, a flow path through the chemical solution supply pipe 26a from the chemical solution supply source 18 to the second tank 12b is secured, and when the on-off valve 31b1 is closed, the chemical solution supply source 18 connects the second tank. The flow path through the chemical solution supply pipe 26a to 12b is closed. The flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26a is controlled by the adjustment valve 32b1. The instantaneous flow meter 33b1 measures the flow rate per unit time of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26a. The chemical solution supply pipe 26b is provided with an on-off valve 31b2, an adjustment valve 32b2, and an instantaneous flow meter 33b2. A pure water supply pipe 25a is connected in the middle 26p of the chemical liquid supply pipe 26b. When the on-off valve 31b2 is opened, a flow path is secured from the chemical liquid supply source 18 to the second tank 12b via the chemical liquid supply pipe 26b. When the on-off valve 31b2 is closed, the chemical liquid supply source 18 connects the second tank. The flow path via the chemical solution supply pipe 26b to 12b is closed. The flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26b is controlled by the adjustment valve 32b2. The instantaneous flow meter 33b2 measures the flow rate per unit time of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26b.

基板処理装置1aでは、純水供給源として、純水供給源17aと純水スパイクタンク17b(図中では、DIW SPK Tankと記載)とを有する。純水供給源17aには、第2タンク12bへの純水の流路となる純水供給管25aが接続される。純水供給管25aには、開閉弁31a、調整弁32aおよび瞬時流量計33aが設けられる。純水供給源17aは、純水の供給先が第2タンク12bになることを除いて、実施形態に係る純水供給源17と同様である。   The substrate processing apparatus 1a includes a pure water supply source 17a and a pure water spike tank 17b (denoted as DIW SPK Tank in the drawing) as pure water supply sources. The pure water supply source 17a is connected to a pure water supply pipe 25a that serves as a pure water flow path to the second tank 12b. The pure water supply pipe 25a is provided with an on-off valve 31a, a regulating valve 32a, and an instantaneous flow meter 33a. The pure water supply source 17a is the same as the pure water supply source 17 according to the embodiment except that the pure water supply destination is the second tank 12b.

純水スパイクタンク17bには、第2タンク12bへの純水の流路となる純水供給管2
5bが接続される。純水供給管25bにはポンプ14dが設けられる。ポンプ14dによって圧送されることで、純水スパイクタンク17bから第2タンク12bへ所定量(例えば、100ml)の純水が供給される。
The pure water spike tank 17b includes a pure water supply pipe 2 that provides a flow path of pure water to the second tank 12b.
5b is connected. The pure water supply pipe 25b is provided with a pump 14d. By being pumped by the pump 14d, a predetermined amount (for example, 100 ml) of pure water is supplied from the pure water spike tank 17b to the second tank 12b.

ところで、基板Wの処理に用いられて回収管23によって回収される処理液の温度は、基板Wの処理に適した温度よりも低くなる。このような処理液を第1タンク12aに返送してしまうと、第1タンク12aに貯留される処理液の温度を低下させてしまう。そこで、基板処理装置1aでは、基板Wの処理に用いた処理液をタンク12に返送する回収管23は、処理チャンバー11から第2タンク12bへ延びるように設けられる。すなわち、処理チャンバー11で基板Wの処理に使用された処理液は、回収管23を介して第2タンク12bへ返送される。第2タンク12bから第1タンク12aへ処理液が圧送される処理液は、ヒーター13a、13b、13c、13dによって加熱される。そのため、第1タンク12aに貯留される処理液の温度の低下が抑制される。   By the way, the temperature of the processing liquid used for processing the substrate W and recovered by the recovery tube 23 is lower than the temperature suitable for processing the substrate W. If such a processing liquid is returned to the first tank 12a, the temperature of the processing liquid stored in the first tank 12a is lowered. Therefore, in the substrate processing apparatus 1a, the recovery pipe 23 for returning the processing liquid used for processing the substrate W to the tank 12 is provided so as to extend from the processing chamber 11 to the second tank 12b. That is, the processing liquid used for processing the substrate W in the processing chamber 11 is returned to the second tank 12 b through the recovery pipe 23. The processing liquid that is pumped from the second tank 12b to the first tank 12a is heated by the heaters 13a, 13b, 13c, and 13d. Therefore, a decrease in the temperature of the processing liquid stored in the first tank 12a is suppressed.

以上の構成を有する基板処理装置1aにおける基板Wの処理の流れについて、以下図8から図19を参照して説明する。図8から図19において、処理液が流れる配管は太線で示されている。   The processing flow of the substrate W in the substrate processing apparatus 1a having the above configuration will be described below with reference to FIGS. In FIG. 8 to FIG. 19, piping through which the processing liquid flows is indicated by a thick line.

<処理液の作製>
図8から図13は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す図である。以下、図8から図13を参照して、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例について説明する。
<Preparation of treatment liquid>
8 to 13 are diagrams showing an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. Hereinafter, an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid will be described with reference to FIGS.

図8は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第1の図である。処理液の作製開始時点であるため、第1タンク12aおよび第2タンク12bのいずれもタンク内は空になっている。処理液の作製が開始されると、薬液供給源18は、開閉弁31b2が開弁されるとともに開閉弁31b1が閉弁された状態で薬液供給管26bへ薬液を送出する。薬液供給管26bを流れる薬液の流量は、調整弁32b2によって制御される。純水供給源17aは、開閉弁31aが開弁された状態で純水供給管25aへ純水を送出する。純水供給管25aを流れる純水の流量は、調整弁32aによって制御される。薬液供給管26bと純水供給管25aとは管路途中26pにおいて接続され、薬液供給源18から供給される薬液の流量と純水供給源17aから供給される純水の流量とはそれぞれ調整弁32b2および調整弁32aによって制御されることで、第2タンク12bに初期濃度に調整された処理液が供給される。   FIG. 8 is a first diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. Since this is the start of the preparation of the treatment liquid, both the first tank 12a and the second tank 12b are empty. When the preparation of the treatment liquid is started, the chemical liquid supply source 18 sends the chemical liquid to the chemical liquid supply pipe 26b in a state where the on-off valve 31b2 is opened and the on-off valve 31b1 is closed. The flow rate of the chemical liquid flowing through the chemical liquid supply pipe 26b is controlled by the adjustment valve 32b2. The pure water supply source 17a sends pure water to the pure water supply pipe 25a with the on-off valve 31a being opened. The flow rate of pure water flowing through the pure water supply pipe 25a is controlled by the regulating valve 32a. The chemical liquid supply pipe 26b and the pure water supply pipe 25a are connected in the middle of the pipe line 26p, and the flow rate of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 and the flow rate of pure water supplied from the pure water supply source 17a are respectively adjusted valves. By being controlled by 32b2 and the adjustment valve 32a, the processing liquid adjusted to the initial concentration is supplied to the second tank 12b.

図9は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第2の図である。第2タンク12bに貯留される処理液の液面高さが下限を超えると、処理液の温度調整が開始される。温度調整では、開閉弁31c1が開弁され、開閉弁31e1が閉弁される。そして、第2タンク12b内の処理液がポンプ14aによって供給管21aに圧送され、供給管21aに圧送された処理液はヒーター13a、13bによって加熱される。ヒーター13a、13bによって加熱された処理液の温度は温度計15aによって計測される。制御部55は温度計15aから温度計15aが計測した温度を取得し、取得した温度に基づいて、ヒーター13c、13dの温度を制御する。ヒーター13c、13dによって加熱された処理液は、その温度が温度計15bによって計測されてから、循環配管22aを介して第2タンク12bに返送される。温度計15bによって計測される処理液の温度が、基板Wの処理に適した温度範囲内を示すまでの間、このような循環が繰り返されて処理液の温度調整が実行される。さらに、温度調整が実行されている間も、図8を参照して説明した処理液の作製が継続される。   FIG. 9 is a second diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. When the liquid level of the processing liquid stored in the second tank 12b exceeds the lower limit, temperature adjustment of the processing liquid is started. In the temperature adjustment, the on-off valve 31c1 is opened and the on-off valve 31e1 is closed. Then, the processing liquid in the second tank 12b is pumped to the supply pipe 21a by the pump 14a, and the processing liquid pumped to the supply pipe 21a is heated by the heaters 13a and 13b. The temperature of the processing liquid heated by the heaters 13a and 13b is measured by a thermometer 15a. The control unit 55 acquires the temperature measured by the thermometer 15a from the thermometer 15a, and controls the temperatures of the heaters 13c and 13d based on the acquired temperature. The processing liquid heated by the heaters 13c and 13d is returned to the second tank 12b through the circulation pipe 22a after its temperature is measured by the thermometer 15b. Such circulation is repeated until the temperature of the processing liquid measured by the thermometer 15b falls within a temperature range suitable for processing the substrate W, and the temperature adjustment of the processing liquid is executed. Further, while the temperature adjustment is being performed, the preparation of the processing liquid described with reference to FIG. 8 is continued.

図10は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第3の図
である。第2タンク12bに貯留される処理液の温度が基板Wの処理に適した温度範囲に調整されており、かつ、第2タンク12bに貯留される処理液の液面高さが「定量」に達すると、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の供給が開始される。まず、開閉弁31c1が閉弁されるとともに開閉弁31e1が開弁されることで、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の流路が確保される。その後、ポンプ14aによって第2タンク12bに貯留される処理液が供給管21aを介して第1タンク12aへ圧送される。なお、供給管21aに設けられたヒーター13a、13b、13c、13dは、第1タンク12aへ圧送される処理液が基板Wの処理に適した温度範囲から逸脱しないように制御される。
FIG. 10 is a third diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. The temperature of the processing liquid stored in the second tank 12b is adjusted to a temperature range suitable for processing the substrate W, and the liquid level of the processing liquid stored in the second tank 12b is “quantitative”. When reaching, the supply of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is started. First, the on-off valve 31c1 is closed and the on-off valve 31e1 is opened, so that a flow path for the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is secured. Thereafter, the processing liquid stored in the second tank 12b is pumped to the first tank 12a via the supply pipe 21a by the pump 14a. The heaters 13a, 13b, 13c, and 13d provided in the supply pipe 21a are controlled so that the processing liquid fed to the first tank 12a does not deviate from a temperature range suitable for processing the substrate W.

図11は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第4の図である。第1タンク12aにおいて処理液の液面高さが定量に達するまでの間に、第1タンク12aに貯留される処理液の温度が低下することがある。そこで、基板処理装置1aでは、第1タンク12aに貯留される処理液の液面高さが「下限」を超えると、第1タンク12aにおいて処理液の温度調整が行われる。この温度調整では、第1タンク12aに貯留される処理液が、ポンプ14bによって供給管21bに圧送される。供給管21bに圧送された処理液は、ヒーター13eによって加熱される。ヒーター13eによって加熱された処理液は、管路途中21p2において、そのまま供給管21b内を管路途中21p3に向けて流れる流れと、循環配管22bに流入する流れとに分かれる。管路途中21p3に向けて流れる処理液は、管路途中21p3において返送管21b1に流入し、第1タンク12aに返送される。また、循環配管22bに流入した処理液は、濃度計16によって処理液中の所定成分の濃度が計測されてから第1タンク12aに返送される。   FIG. 11 is a fourth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. The temperature of the processing liquid stored in the first tank 12a may decrease until the liquid level of the processing liquid reaches a fixed amount in the first tank 12a. Therefore, in the substrate processing apparatus 1a, when the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a exceeds the “lower limit”, the temperature of the processing liquid is adjusted in the first tank 12a. In this temperature adjustment, the processing liquid stored in the first tank 12a is pumped to the supply pipe 21b by the pump 14b. The processing liquid pressure-fed to the supply pipe 21b is heated by the heater 13e. The treatment liquid heated by the heater 13e is divided into a flow flowing in the supply pipe 21b as it is toward the middle 21p3 in the supply pipe 21b and a flow flowing into the circulation pipe 22b in the middle 21p2. The processing liquid flowing toward the middle 21p3 of the pipeline flows into the return pipe 21b1 in the middle 21p3 of the pipeline and is returned to the first tank 12a. Further, the processing liquid flowing into the circulation pipe 22b is returned to the first tank 12a after the concentration meter 16 measures the concentration of the predetermined component in the processing liquid.

図12は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第5の図である。第2タンク12bからの処理液の供給により、第1タンク12aに貯留される処理液の液面高さが定量に達すると、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の供給が停止される。具体的には、開閉弁31e1が閉弁されて第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の流路が閉塞されるとともに、開閉弁31c1が開弁されて循環配管22aから第2タンク12bへの流路が確保される。第2タンク12bにおいては、図9を参照して説明した処理液の温度調整と処理液の作製が実行される。また、第1タンク12aにおいては、図11を参照して説明した処理液の温度調整が実行される。   FIG. 12 is a fifth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. When the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a reaches a fixed amount due to the supply of the processing liquid from the second tank 12b, the supply of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is stopped. Is done. Specifically, the on-off valve 31e1 is closed to close the flow path of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a, and the on-off valve 31c1 is opened to open the second tank from the circulation pipe 22a. A flow path to 12b is secured. In the second tank 12b, the temperature adjustment of the processing liquid and the preparation of the processing liquid described with reference to FIG. 9 are executed. In the first tank 12a, the temperature adjustment of the processing liquid described with reference to FIG. 11 is executed.

図13は、処理液の作製時における基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第6の図である。図13では、図12で説明した、第1タンク12aにおける温度調整と、第2タンク12bにおける温度調整および処理液の作成とによって、第1タンク12aおよび第2タンク12bのいずれもが処理液の温度調整を終えるとともに、貯留される処理液の液面高さが定量に達した状態が例示されている。第1タンク12aおよび第2タンク12bに貯留される処理液の濃度は初期濃度に調整されており、初期濃度は、例えば、43%である。図13に例示される状態において、第1タンク12aおよび第2タンク12bに貯留される処理液の量がいずれも定量に達しており、処理液の温度および濃度がいずれも処理に適した範囲内になっている。そのため、図13に例示される状態は、基板Wの処理を開始する準備が整った状態ということができる。   FIG. 13 is a sixth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a during the preparation of the processing liquid. In FIG. 13, the temperature adjustment in the first tank 12 a and the temperature adjustment in the second tank 12 b and the preparation of the treatment liquid described in FIG. The state in which the liquid level height of the stored processing liquid has reached a fixed amount is illustrated while finishing the temperature adjustment. The concentration of the processing liquid stored in the first tank 12a and the second tank 12b is adjusted to the initial concentration, and the initial concentration is, for example, 43%. In the state illustrated in FIG. 13, the amount of the processing liquid stored in the first tank 12a and the second tank 12b has reached a fixed amount, and the temperature and concentration of the processing liquid are both within the range suitable for processing. It has become. Therefore, the state illustrated in FIG. 13 can be said to be a state where preparation for starting the processing of the substrate W is completed.

<処理実行時>
図14から図19は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す図である。以下、図14から図19を参照して、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例について説明する。
<When processing is executed>
14 to 19 are diagrams illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. Hereinafter, an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W will be described with reference to FIGS.

図14は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第1の図である。図14において、第1タンク12aに貯留される処理液は、供給管21bを介
して処理チャンバー11に供給される。処理チャンバー11は、第1タンク12aから供給された処理液を吐出口112から基板Wに対して吐出して処理を実行する。処理チャンバー11による処理に用いられた処理液は、回収管23を介して第2タンク12bに返送される。そのため、処理チャンバー11における処理が継続されると、第1タンク12aに貯留される処理液の液面は低下する。そこで、第1タンク12aに貯留される処理液の液面高さが定量を下回ると、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の供給が開始される。具体的には、開閉弁31e1が開弁されて第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の流路が確保される。ポンプ14aが第2タンク12bに貯留される処理液を第1タンク12aへ供給管21aを介して圧送する。なお、第2タンク12bに貯留される処理液の液面高さが下限を下回っている場合は、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の供給は実行されない。このような場合の処理は、後述される。
FIG. 14 is a first diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. In FIG. 14, the processing liquid stored in the first tank 12a is supplied to the processing chamber 11 through the supply pipe 21b. The processing chamber 11 performs processing by discharging the processing liquid supplied from the first tank 12 a to the substrate W from the discharge port 112. The processing liquid used for the processing in the processing chamber 11 is returned to the second tank 12b through the recovery pipe 23. Therefore, when the processing in the processing chamber 11 is continued, the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a is lowered. Therefore, when the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a falls below the fixed amount, supply of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is started. Specifically, the on-off valve 31e1 is opened to secure a flow path for the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a. The pump 14a pumps the processing liquid stored in the second tank 12b to the first tank 12a through the supply pipe 21a. When the liquid level of the processing liquid stored in the second tank 12b is below the lower limit, the supply of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is not executed. Processing in such a case will be described later.

図15は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第2の図である。図15では、上記した濃度制御の一例が示される。上記の通り、基板Wの処理が継続されると、処理液中の所定成分の濃度が変化する。そこで、基板Wの処理枚数に応じて所定量の薬液が薬液供給源18から第2タンク12bに供給され、第2タンク12bから第1タンク12aに当該処理液が供給されることで、処理に用いられる処理液の濃度の変化が抑制される。例えば、基板Wを25枚処理する毎に1Lの薬液が薬液供給源18から第2タンク12bに供給される。なお、薬液供給源18が供給する薬液の量は、例えば、処理チャンバー11から回収される処理液の量を考慮して決定されてもよい。具体的には、薬液供給源18が供給する薬液の量は、上記した式(1)および式(2)に基づいて決定されてもよい。   FIG. 15 is a second diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. 15 shows an example of the density control described above. As described above, when the processing of the substrate W is continued, the concentration of the predetermined component in the processing liquid changes. Accordingly, a predetermined amount of chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 18 to the second tank 12b according to the number of processed substrates W, and the processing liquid is supplied from the second tank 12b to the first tank 12a. Changes in the concentration of the treatment liquid used are suppressed. For example, 1L of chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 18 to the second tank 12b every time 25 substrates W are processed. The amount of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 may be determined in consideration of the amount of the processing liquid recovered from the processing chamber 11, for example. Specifically, the amount of the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 may be determined based on the above-described formula (1) and formula (2).

図16は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第3の図である。図16では、上記したレベル補充の一例が示される。薬液供給源18から第2タンク12bへ薬液の供給が行われても、第2タンク12bに貯留される処理液の液面高さが補充開始を下回る場合、開閉弁31b1を閉弁するとともに開閉弁31b2を開弁して薬液の供給に用いる配管を薬液供給管26aから薬液供給管26bに切り替える。また、開閉弁31aを開弁することで、純水供給源17aから第2タンク12bへ純水が供給されるようにする。すなわち、上記の通り、第2タンク12bに対して、初期濃度に調整された処理液が供給される。初期濃度に調整された処理液の供給は、第1タンク12aおよび第2タンク12bに貯留される処理液の液面高さが定量を示すまで継続される。なお、薬液供給源18が供給する薬液の量と純水供給源17が供給する純水の量との合計量は、例えば、処理チャンバー11から回収される処理液の量を考慮して決定されてもよい。具体的には、薬液供給源18が供給する薬液の量と純水供給源17が供給する純水の量との合計量は、上記した式(1)および式(2)に基づいて決定されてもよい。   FIG. 16 is a third diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. 16 shows an example of the level replenishment described above. Even if chemical liquid is supplied from the chemical liquid supply source 18 to the second tank 12b, if the liquid level of the processing liquid stored in the second tank 12b falls below the start of replenishment, the on-off valve 31b1 is closed and opened / closed. The valve 31b2 is opened to switch the pipe used for supplying the chemical liquid from the chemical liquid supply pipe 26a to the chemical liquid supply pipe 26b. Further, by opening the on-off valve 31a, pure water is supplied from the pure water supply source 17a to the second tank 12b. That is, as described above, the processing liquid adjusted to the initial concentration is supplied to the second tank 12b. The supply of the processing liquid adjusted to the initial concentration is continued until the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a and the second tank 12b shows a fixed amount. Note that the total amount of the chemical solution supplied from the chemical solution supply source 18 and the pure water supplied from the pure water supply source 17 is determined in consideration of the amount of the processing solution recovered from the processing chamber 11, for example. May be. Specifically, the total amount of the chemical solution supplied by the chemical solution supply source 18 and the pure water supplied by the pure water supply source 17 is determined based on the above formulas (1) and (2). May be.

図17は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第4の図である。図17では、上記した濃度制御の一例が示される。基板Wの処理を継続すると、時間の経過とともに、処理液構成成分の蒸発、分解等によって処理液の濃度が低下する場合がある。図15に例示した薬液の供給を行っても第1タンク12aに貯留される処理液の濃度が低下する場合、開閉弁31dを開弁して、処理液が所定量(例えば、3L)ドレインされる。ドレインした処理液の量は、例えば、積算流量計33cによって管理される。ドレインを行っている間は、処理チャンバー11への処理液の供給は停止され、処理チャンバー11による基板Wへの処理も停止される。さらに、第2タンク12bから第1タンク12aへの処理液の供給は停止され、第2タンク12bにおいては、処理液の温度調整が実行される。   FIG. 17 is a fourth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. 17 shows an example of the density control described above. If the processing of the substrate W is continued, the concentration of the processing liquid may decrease with the passage of time due to evaporation and decomposition of the processing liquid constituent components. If the concentration of the processing liquid stored in the first tank 12a decreases even after the chemical liquid illustrated in FIG. 15 is supplied, the on-off valve 31d is opened to drain the processing liquid by a predetermined amount (for example, 3L). The The amount of the drained processing liquid is managed by the integrated flow meter 33c, for example. While draining, the supply of the processing liquid to the processing chamber 11 is stopped, and the processing of the substrate W by the processing chamber 11 is also stopped. Further, the supply of the processing liquid from the second tank 12b to the first tank 12a is stopped, and the temperature of the processing liquid is adjusted in the second tank 12b.

図18は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第5の図である。図18では、上記した濃度制御の一例が示される。図17に例示するように、
処理液のドレインが実行されると、第1タンク12aに貯留される処理液の量が減少する。処理液の量が減少した結果、第1タンク12aに貯留される処理液の液面高さが定量を下回ると、第2タンク12bから第1タンク12aに処理液が供給される。さらに、ドレインした量と同量(例えば、3L)の薬液が薬液供給源18から第2タンク12bに供給される。
FIG. 18 is a fifth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. 18 shows an example of the above density control. As illustrated in FIG.
When the drain of the processing liquid is executed, the amount of the processing liquid stored in the first tank 12a decreases. As a result of the decrease in the amount of the processing liquid, when the liquid level of the processing liquid stored in the first tank 12a falls below the fixed amount, the processing liquid is supplied from the second tank 12b to the first tank 12a. Further, the same amount (for example, 3 L) of the chemical solution as the drained amount is supplied from the chemical solution supply source 18 to the second tank 12b.

図19は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1aの配管動作の一例を示す第6の図である。図19では、上記した濃度制御の一例が示される。基板Wの処理を継続すると、処理液中の水分が時間とともに蒸発し、処理液中の所定成分の濃度が上昇することがある。所定成分の濃度が上昇した場合には純水スパイクタンク17bから適量(例えば、100ml)の純水を第2タンク12bに供給し、所定成分の濃度を低下させる。この制御により、処理液中の所定成分の濃度の変化が抑制される。また、一回で供給する純水量を規定しているため、処理液中の所定成分の濃度が許容範囲内より低くなることもない。   FIG. 19 is a sixth diagram illustrating an example of the piping operation of the substrate processing apparatus 1a that performs processing on the substrate W. FIG. 19 shows an example of the density control described above. If the processing of the substrate W is continued, the moisture in the processing liquid evaporates with time, and the concentration of the predetermined component in the processing liquid may increase. When the concentration of the predetermined component increases, an appropriate amount (for example, 100 ml) of pure water is supplied from the pure water spike tank 17b to the second tank 12b to decrease the concentration of the predetermined component. By this control, a change in the concentration of the predetermined component in the processing liquid is suppressed. Further, since the amount of pure water supplied at one time is defined, the concentration of the predetermined component in the processing liquid does not become lower than the allowable range.

<実施例の作用効果>
実施例では、第2タンク12bには、薬液供給源18から供給される薬液を純水供給源17aから供給される純水によって希釈した処理液が貯留される。希釈された処理液が用いられることで、薬液をそのまま処理液として使用する場合よりも処理液の再利用に伴う濃度の低下が緩やかになる。また、処理液における所定成分の濃度が低いため、少量の薬液の供給によって第2タンク12bに貯留される処理液の濃度を高めることができる。濃度の低下が緩やかであり、かつ、少量の薬液の供給で濃度を高めることができるため、実施例によれば、濃度制御で使用する処理液の量を低減することができる。
<Effects of Example>
In the embodiment, the second tank 12b stores a treatment liquid obtained by diluting the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply source 18 with pure water supplied from the pure water supply source 17a. By using the diluted processing liquid, the concentration decrease due to the reuse of the processing liquid becomes more gradual than when the chemical liquid is used as the processing liquid as it is. Further, since the concentration of the predetermined component in the processing liquid is low, the concentration of the processing liquid stored in the second tank 12b can be increased by supplying a small amount of chemical liquid. Since the decrease in the concentration is gradual and the concentration can be increased by supplying a small amount of the chemical solution, according to the embodiment, the amount of the processing solution used for the concentration control can be reduced.

実施例では、第1タンク12aに接続される循環配管22bに濃度計16が設けられる。第1タンク12aは、処理チャンバー11に供給する処理液が貯留されるため、循環配管22bに濃度計16が設けられることで、処理チャンバー11に供給される処理液の濃度を高精度に計測することが可能である。   In the embodiment, the densitometer 16 is provided in the circulation pipe 22b connected to the first tank 12a. Since the processing liquid supplied to the processing chamber 11 is stored in the first tank 12a, the concentration meter 16 is provided in the circulation pipe 22b, thereby measuring the concentration of the processing liquid supplied to the processing chamber 11 with high accuracy. It is possible.

実施例では、配管廃液管27は循環配管22bに接続される。濃度計16が示す濃度が処理に適した濃度範囲を下回った場合に、配管廃液管27から所定量の処理液を排出するとともに、薬液供給源18が所定量の薬液を第2タンク12bに供給する。薬液が供給される供給先が第1タンク12aではなく第2タンク12bであるため、第1タンク12aにおける処理液の濃度や温度の急激な変化が抑制される。   In the embodiment, the pipe waste liquid pipe 27 is connected to the circulation pipe 22b. When the concentration indicated by the densitometer 16 falls below the concentration range suitable for processing, a predetermined amount of processing liquid is discharged from the pipe waste liquid pipe 27 and the chemical liquid supply source 18 supplies a predetermined amount of chemical liquid to the second tank 12b. To do. Since the supply destination to which the chemical solution is supplied is not the first tank 12a but the second tank 12b, rapid changes in the concentration and temperature of the processing solution in the first tank 12a are suppressed.

実施例では、純水供給源17aは、濃度計16が示す濃度が処理に適した濃度範囲を上回った場合に、純水を第2タンク12bに供給する。純水が供給される供給先が第1タンク12aではなく第2タンク12bであるため、第1タンク12aにおける処理液の濃度や温度の急激な変化が抑制される。   In the embodiment, the pure water supply source 17a supplies pure water to the second tank 12b when the concentration indicated by the densitometer 16 exceeds the concentration range suitable for processing. Since the supply destination to which pure water is supplied is not the first tank 12a but the second tank 12b, rapid changes in the concentration and temperature of the processing liquid in the first tank 12a are suppressed.

実施例では、第2タンク12bと第1タンク12aとを接続する供給管21aには、ヒーター13a、13b、13c、13dが設けられ、第1タンク12aと処理チャンバー11とを接続する供給管21bにはヒーター13eが設けられる。ヒーター13a、13b、13c、13dが処理液に与える熱量は、ヒーター13eが処理液に与える熱量よりも大きい。そのため、第2タンク12bにおける温度調整においてはより短時間で処理に好適な温度に処理液の温度を調整できるとともに、第1タンク12aから処理チャンバー11に処理液を供給する際には、ヒーター13eによって処理液の温度が微調整される。そのため、処理液をより短い時間で処理に好適な温度に調整できるとともに、処理チャンバー11に供給される処理液の温度を高精度に制御できる。   In the embodiment, the supply pipe 21a that connects the second tank 12b and the first tank 12a is provided with heaters 13a, 13b, 13c, and 13d, and the supply pipe 21b that connects the first tank 12a and the processing chamber 11. Is provided with a heater 13e. The amount of heat that the heaters 13a, 13b, 13c, and 13d give to the treatment liquid is larger than the amount of heat that the heater 13e gives to the treatment liquid. Therefore, in adjusting the temperature in the second tank 12b, the temperature of the processing liquid can be adjusted to a temperature suitable for processing in a shorter time, and when supplying the processing liquid from the first tank 12a to the processing chamber 11, the heater 13e. Thus, the temperature of the treatment liquid is finely adjusted. Therefore, the processing liquid can be adjusted to a temperature suitable for processing in a shorter time, and the temperature of the processing liquid supplied to the processing chamber 11 can be controlled with high accuracy.

実施例では、供給管21a設けられる複数のヒーター13a、13b、13c、13d
において、ヒーター13a、13bが処理液を加熱する温度は、ヒーター13c、13dよりも高く設定される。ヒーター13bとヒーター13cとの間及びヒーター13dよりも第2タンク12b側には、それぞれ温度計15a、15bが設けられており、供給管21a内を流れる処理液の温度が計測される。制御部55は、温度計15aの計測結果に基づいて、ヒーター13c、13dの温度を制御する。すなわち、ヒーター13a、13bによって処理液の温度が大まかに調整された後、ヒーター13c、13dによって処理液の温度が微調整されることで、処理液の温度制御の精度を高めることができる。
In the embodiment, a plurality of heaters 13a, 13b, 13c, 13d provided in the supply pipe 21a.
, The temperature at which the heaters 13a and 13b heat the treatment liquid is set higher than the heaters 13c and 13d. Thermometers 15a and 15b are provided between the heater 13b and the heater 13c and closer to the second tank 12b than the heater 13d, respectively, and the temperature of the processing liquid flowing in the supply pipe 21a is measured. The controller 55 controls the temperatures of the heaters 13c and 13d based on the measurement result of the thermometer 15a. That is, after the temperature of the processing liquid is roughly adjusted by the heaters 13a and 13b, the temperature of the processing liquid is finely adjusted by the heaters 13c and 13d, so that the temperature control accuracy of the processing liquid can be improved.

実施例では、薬液供給源18、純水供給源17aおよび純水スパイクタンク17bによる供給先は第2タンク12bである。第2タンク12bに貯留される処理液は、濃度および温度が調整されてから第1タンク12aに供給される。そのため、第1タンク12aにおいて、薬液供給源18、純水供給源17aまたは純水スパイクタンク17bからの供給による処理液の濃度や温度の変化が抑制される。   In the embodiment, the supply destination of the chemical liquid supply source 18, the pure water supply source 17a, and the pure water spike tank 17b is the second tank 12b. The processing liquid stored in the second tank 12b is supplied to the first tank 12a after the concentration and temperature are adjusted. Therefore, in the first tank 12a, changes in the concentration and temperature of the processing liquid due to the supply from the chemical liquid supply source 18, the pure water supply source 17a, or the pure water spike tank 17b are suppressed.

以上で開示した実施形態や実施例はそれぞれ組み合わせる事ができる。   The embodiments and examples disclosed above can be combined.

<<コンピュータが読み取り可能な記録媒体>>
コンピュータその他の機械、装置(以下、コンピュータ等)に上記いずれかの機能を実現させる情報処理プログラムをコンピュータ等が読み取り可能な記録媒体に記録することができる。そして、コンピュータ等に、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実行させることにより、その機能を提供させることができる。
<< Computer-readable recording medium >>
An information processing program that causes a computer or other machine or device (hereinafter, a computer or the like) to realize any of the functions described above can be recorded on a computer-readable recording medium. Then, the function can be provided by causing the computer or the like to read and execute the program of the recording medium.

ここで、コンピュータ等が読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータ等から読み取ることができる記録媒体をいう。このような記録媒体のうちコンピュータ等から取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、Compact Disc Read Only Memory(CD−ROM)、Compact Disc - Recordable(CD−R)、Compact Disc - ReWriterable(CD−RW)、Digital Versatile Disc(DVD)、ブ
ルーレイディスク(BD)、Digital Audio Tape(DAT)、8mmテープ、フラッシュメモリなどのメモリカード等がある。また、コンピュータ等に固定された記録媒体としてハードディスクやROM等がある。
Here, a computer-readable recording medium refers to a recording medium that stores information such as data and programs by electrical, magnetic, optical, mechanical, or chemical action and can be read from a computer or the like. Say. Among such recording media, those removable from a computer or the like include, for example, a flexible disk, a magneto-optical disk, a compact disc read only memory (CD-ROM), a compact disc-recordable (CD-R), and a compact disc-rewriterable. (CD-RW), Digital Versatile Disc (DVD), Blu-ray Disc (BD), Digital Audio Tape (DAT), 8 mm tape, flash memory, and other memory cards. Moreover, there are a hard disk, a ROM, and the like as a recording medium fixed to a computer or the like.

1、1a・・・基板処理装置
11・・・処理チャンバー
111・・・テーブル
112・・・吐出口
113・・・壁
12・・・タンク
121・・・液面センサ
12a・・・第1タンク
12b・・・第2タンク
13、13a、13b、13c、13d、13e・・・ヒーター
15・・・濃度計
16・・・温度計
17、17a・・・純水供給源
17b・・・純水スパイクタンク
18・・・薬液供給源
21・・・供給管
21b1・・・返送管
22・・・循環配管
23・・・回収管
24・・・タンク廃液管
25、25a・・・純水供給管
26、26a、26b・・・薬液供給管
27・・・配管廃液管
33a、33b、33b1、33b2・・・瞬時流量計
23a、112a・・・積算流量計
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a ... Substrate processing apparatus 11 ... Processing chamber 111 ... Table 112 ... Discharge port 113 ... Wall 12 ... Tank 121 ... Liquid level sensor 12a ... 1st tank 12b: second tank 13, 13a, 13b, 13c, 13d, 13e ... heater 15 ... concentration meter 16 ... thermometer 17, 17a ... pure water supply source 17b ... pure water Spike tank 18 ... Chemical solution supply source 21 ... Supply pipe 21b1 ... Return pipe 22 ... Circulation pipe 23 ... Recovery pipe 24 ... Tank waste liquid pipe 25, 25a ... Pure water supply pipe 26, 26a, 26b ... Chemical liquid supply pipe 27 ... Pipe waste liquid pipe 33a, 33b, 33b1, 33b2 ... Instantaneous flow meter 23a, 112a ... Integrated flow meter

Claims (13)

薬液と純水とを含む処理液を基板に吐出することで該基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
所定成分を含む前記薬液を供給する薬液供給部と、
前記純水を供給する純水供給部と、
前記薬液供給部から供給される前記薬液と前記純水供給部から供給される前記純水とを含むことで前記薬液よりも前記所定成分の濃度が低い前記処理液を貯留する貯留槽と、
前記処理液を基板に対して吐出することで、前記基板に対して所定の処理を実行する基板処理部と、
前記貯留槽から前記基板処理部への前記処理液の流路となる供給配管と、
前記基板処理部において前記基板に対して吐出された前記処理液を前記貯留槽に返送する回収配管と、を備え、
前記薬液供給部は、前記所定の処理の進行に応じて前記薬液を前記貯留槽に供給することで、前記処理液の濃度低下を抑制する、ことを特徴とする、
基板処理装置。
A substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate by discharging a processing liquid containing a chemical and pure water onto the substrate,
A chemical solution supply unit for supplying the chemical solution containing a predetermined component;
A pure water supply unit for supplying the pure water;
A storage tank for storing the treatment liquid having a concentration of the predetermined component lower than that of the chemical liquid by including the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply section and the pure water supplied from the pure water supply section;
A substrate processing unit that performs predetermined processing on the substrate by discharging the processing liquid onto the substrate;
A supply pipe serving as a flow path for the processing liquid from the storage tank to the substrate processing unit;
A recovery pipe for returning the processing liquid discharged to the substrate in the substrate processing section to the storage tank;
The chemical liquid supply unit suppresses a decrease in the concentration of the processing liquid by supplying the chemical liquid to the storage tank according to the progress of the predetermined processing.
Substrate processing equipment.
前記薬液供給部は、前記基板処理部が前記基板に対する前記所定の処理を所定の枚数行うごとに前記薬液を前記貯留槽に供給することを特徴とする、
請求項1に記載の基板処理装置。
The chemical solution supply unit supplies the chemical solution to the storage tank every time the substrate processing unit performs the predetermined number of the predetermined processes on the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記薬液供給部は、前記基板処理部による前記所定の処理の累積実行時間が所定時間に達したときに前記薬液を前記貯留槽に供給することを特徴とする、
請求項1または2に記載の基板処理装置。
The chemical solution supply unit supplies the chemical solution to the storage tank when an accumulated execution time of the predetermined processing by the substrate processing unit reaches a predetermined time.
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記供給配管の管路途中から前記貯留槽への流路となる循環配管をさらに備え、
前記循環配管には、前記循環配管内を流れる前記処理液中の前記所定成分の濃度を計測する濃度計が設けられる、ことを特徴とする。
請求項1から3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
A circulation pipe that becomes a flow path from the middle of the supply pipe to the storage tank;
The circulation pipe is provided with a densitometer that measures the concentration of the predetermined component in the processing liquid flowing in the circulation pipe.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記循環配管には、前記循環配管内を流れる前記処理液を排出する廃液配管がさらに設けられ、
前記濃度計が示す濃度が前記所定の処理に適した濃度範囲を下回った場合に、前記廃液配管から所定量の前記処理液を排出するとともに、前記薬液供給部が前記所定量の前記薬液を前記貯留槽に供給する、
請求項4に記載の基板処理装置。
The circulation pipe is further provided with a waste liquid pipe for discharging the treatment liquid flowing in the circulation pipe,
When the concentration indicated by the densitometer falls below a concentration range suitable for the predetermined treatment, a predetermined amount of the processing liquid is discharged from the waste liquid pipe, and the chemical liquid supply unit discharges the predetermined amount of the chemical liquid. Supply to the storage tank,
The substrate processing apparatus according to claim 4.
前記純水供給部は、前記濃度計が示す濃度が前記所定の処理に適した濃度範囲を上回った場合に、前記純水を前記貯留槽に供給する処理をさらに実行する、
請求項5に記載の基板処理装置。
The pure water supply unit further executes a process of supplying the pure water to the storage tank when the concentration indicated by the densitometer exceeds a concentration range suitable for the predetermined process.
The substrate processing apparatus according to claim 5.
前記供給配管の前記管路途中よりも前記基板処理部側に接続されるとともに、前記貯留槽へ前記処理液を返送する返送配管をさらに備え、
前記循環配管の内径は、前記返送配管の内径よりも細く形成されることを特徴とする、
請求項4から6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
While being connected to the substrate processing unit side than the middle of the pipeline of the supply pipe, further comprising a return pipe for returning the processing liquid to the storage tank,
The inside diameter of the circulation pipe is formed narrower than the inside diameter of the return pipe,
The substrate processing apparatus according to claim 4.
前記供給配管において前記管路途中よりも前記貯留槽側には、前記供給配管内を流れる前記処理液を加熱する加熱手段が設けられ、
前記加熱手段は、前記薬液を前記所定の処理に用いる場合よりも高い温度に前記処理液を加熱する、ことを特徴とする、
請求項4から7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
In the supply pipe, a heating means for heating the processing liquid flowing in the supply pipe is provided closer to the storage tank than in the middle of the pipe line,
The heating means heats the treatment liquid to a temperature higher than when the chemical liquid is used for the predetermined treatment.
The substrate processing apparatus according to claim 4.
前記貯留槽は、第1貯留槽と第2貯留槽とを含み、
前記供給配管は、前記第1貯留槽と前記基板処理部との間における前記処理液の流路となる第1供給配管と、前記第2貯留槽と前記第1貯留槽との間における前記処理液の流路となる第2供給配管とを含み、
前記循環配管は、前記第1供給配管の第1管路途中から前記第1貯留槽への流路となる第1循環配管と、前記第2供給配管の第2管路途中から前記第2貯留槽への流路となる第2循環配管と、を含み、
前記加熱手段は、前記第1供給配管において前記第1管路途中よりも前記第1貯留槽側に設けられ、前記第1供給配管内を流れる前記処理液を加熱する第1加熱手段と、前記第2供給配管において前記第2管路途中よりも前記第2貯留槽側に設けられ、前記第2供給配管内を流れる前記処理液を加熱する第2加熱手段とを含み、
前記第2加熱手段は前記第1加熱手段よりも高い温度で前記処理液を加熱する、ことを特徴とする、
請求項8に記載の基板処理装置。
The storage tank includes a first storage tank and a second storage tank,
The supply pipe is a first supply pipe serving as a flow path for the processing liquid between the first storage tank and the substrate processing unit, and the processing between the second storage tank and the first storage tank. A second supply pipe serving as a liquid flow path,
The circulation pipe includes a first circulation pipe serving as a flow path from the middle of the first supply pipe to the first storage tank, and the second storage from the middle of the second pipeline of the second supply pipe. A second circulation pipe serving as a flow path to the tank,
The heating means is provided closer to the first storage tank than the middle of the first pipeline in the first supply pipe, and the first heating means for heating the processing liquid flowing in the first supply pipe; A second heating unit that is provided closer to the second storage tank than the middle of the second pipe in the second supply pipe, and that heats the treatment liquid flowing in the second supply pipe;
The second heating means heats the treatment liquid at a temperature higher than that of the first heating means,
The substrate processing apparatus according to claim 8.
前記第2加熱手段は前記第2供給配管に沿って配置された複数の加熱部を含み、
前記複数の加熱部のうちのいずれか一の加熱部と前記一の加熱部の隣に配置された加熱部との間に介挿されて前記第2供給配管内を流れる前記処理液の温度を計測する温度計をさらに備え、
前記温度計の計測結果に基づいて、前記温度計よりも前記第1貯留槽側に配置された前記加熱部の温度が制御される、ことを特徴とする、
請求項9に記載の基板処理装置。
The second heating means includes a plurality of heating units arranged along the second supply pipe,
The temperature of the processing liquid flowing in the second supply pipe is interposed between any one of the plurality of heating units and a heating unit disposed next to the one heating unit. A thermometer to measure,
Based on the measurement result of the thermometer, the temperature of the heating unit arranged on the first storage tank side than the thermometer is controlled,
The substrate processing apparatus according to claim 9.
前記薬液供給部は前記第2貯留槽に前記薬液を供給し、
前記純水供給部は前記第2貯留槽に前記純水を供給する、
請求項9または10に記載の基板処理装置。
The chemical solution supply unit supplies the chemical solution to the second storage tank,
The pure water supply unit supplies the pure water to the second storage tank;
The substrate processing apparatus according to claim 9 or 10.
前記所定成分はフッ化水素酸を含む、
請求項1から11のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The predetermined component includes hydrofluoric acid,
The substrate processing apparatus according to claim 1.
薬液と純水とを含む処理液を基板に吐出することで該基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
所定成分を含む薬液と純水とを含むことで前記薬液よりも前記所定成分の濃度が低い処理液を貯留槽に貯留し、
前記貯留槽から供給される前記処理液を基板に対して吐出することで、前記基板に対して所定の処理を実行し、
前記基板に対して吐出された前記処理液を前記貯留槽に返送し、
前記所定の処理の進行に応じて前記薬液を前記貯留槽に供給することで、前記処理液の濃度低下を抑制する、ことを特徴とする、
基板処理方法。
A substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate by discharging a processing liquid containing a chemical and pure water onto the substrate,
By storing a chemical liquid containing a predetermined component and pure water, the processing liquid having a lower concentration of the predetermined component than the chemical liquid is stored in a storage tank,
By discharging the processing liquid supplied from the storage tank to the substrate, a predetermined process is performed on the substrate,
Returning the processing liquid discharged to the substrate to the storage tank;
By supplying the chemical solution to the storage tank according to the progress of the predetermined treatment, it is possible to suppress a decrease in the concentration of the treatment solution,
Substrate processing method.
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