JP2019192734A - プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019192734A
JP2019192734A JP2018082443A JP2018082443A JP2019192734A JP 2019192734 A JP2019192734 A JP 2019192734A JP 2018082443 A JP2018082443 A JP 2018082443A JP 2018082443 A JP2018082443 A JP 2018082443A JP 2019192734 A JP2019192734 A JP 2019192734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge ring
etching
plasma
central
moving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018082443A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7061918B2 (ja
Inventor
幸輔 小笠原
Kosuke Ogasawara
幸輔 小笠原
修平 吉葉
Shuhei Yoshiba
修平 吉葉
貴徳 伴瀬
Takanori Tomose
貴徳 伴瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018082443A priority Critical patent/JP7061918B2/ja
Priority to US16/381,218 priority patent/US20190326092A1/en
Priority to KR1020190042352A priority patent/KR20190123208A/ko
Priority to TW108113295A priority patent/TW201946152A/zh
Publication of JP2019192734A publication Critical patent/JP2019192734A/ja
Priority to US17/353,960 priority patent/US20210313148A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7061918B2 publication Critical patent/JP7061918B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings

Abstract

【課題】エッチング状態を制御することを提供する。【解決手段】載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングと、を含むエッジリングを有するプラズマ処理装置を使用したプラズマエッチング方法であって、第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリングを移動させる工程と、を有するプラズマエッチング方法が提供される。【選択図】図７

Description

本開示は、プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置に関する。
プラズマエッチング装置には、ウェハの外周に沿ってエッジリングが設けられている（例えば、特許文献１を参照）。エッジリングは、ウェハの外周近傍におけるプラズマを制御し、ウェハの面内のエッチングレートの均一性を向上させる機能を有する。
ウェハのエッジ部のエッチングレートは、エッジリングの高さに依存して変化する。このため、エッジリングの消耗によりその高さが変動すると、ウェハのエッジ部のエッチングレート等のエッチング特性を制御することが困難になる。そこで、特許文献１では、エッジリングを上下に駆動する駆動部を設け、エッジリングの上面の位置を制御し、ウェハのエッジ部の制御性を高めることが行われている。
特開２００８−２４４２７４号公報
しかしながら、特許文献１では、２分割されたエッジリングの、内側のエッジリングは固定させたまま、外側のエッジリングのみを上下に移動させるようになっている。かかる機構では、外側のエッジリングを上下に移動させると、ウェハ全体のエッチングレートがシフトしてしまう。このため、ウェハのエッジ部だけでなくウェハ全体のエッチング特性が変化する。
上記課題に対して、一側面では、エッチング状態を制御することができる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングと、を含むエッジリングを有するプラズマ処理装置を使用したプラズマエッチング方法であって、第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリングを移動させる工程と、を有するプラズマエッチング方法が提供される。
一の側面によれば、エッチング状態を制御することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図。 一実施形態に係るエッジリング、移動機構及び駆動部の一例を示す図。 一実施形態に係るエッジリングの上下動を説明するための図。 一実施形態及び比較例に係るエッジリングによるプラズマ生成を説明する図。 一実施形態に係るエッジリングの厚さとエッチング特性の実験結果例を示す図。 一実施形態に係る図５の実験を説明するための図。 一実施形態に係る中央エッジリングの上下動とエッチング特性の実験結果例を示す図。 一実施形態に係る中央エッジリングの上下動とエッチング特性の相関情報の一例を示す図。 一実施形態に係る中央エッジリングの上下動とエッチング特性の相関情報収集処理の一例を示すフローチャート。 一実施形態に係る収集した相関情報の一例を示す図。 一実施形態に係るプラズマエッチング処理の一例を示すフローチャート。 一実施形態に係るエッジリングの上下動のバリエーションを示す図。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［プラズマ処理装置］
まず、一実施形態に係るプラズマ処理装置５の構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置５の構成の一例を示す。本実施形態では、プラズマ処理装置５の一例として容量結合型の平行平板プラズマ処理装置を例に挙げて説明する。
プラズマ処理装置５は、たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型真空容器である処理容器１０を有している。処理容器１０の内部はプラズマ処理を行う処理室となっており、接地されている。
処理容器１０内の下部中央には、ウェハＷを載置する円板状の載置台１２が配置されている。載置台１２は、たとえばアルミニウムからなり、処理容器１０の底から垂直上方に延びる導電性の筒状支持部１６及びその内部に隣接して設けられたハウジング１００により支持されている。
筒状支持部１６と処理容器１０の内壁との間には、環状の排気路１８が形成されている。排気路１８の上部または入口には環状のバッフル板２０が取り付けられ、底部に排気ポート２２が設けられている。処理容器１０内のガスの流れを載置台１２上のウェハＷに対して軸対象に均一にするためには、排気ポート２２を円周方向に等間隔で複数設ける構成が好ましい。
各排気ポート２２には排気管２４を介して排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、処理容器１０内のプラズマ生成空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。処理容器１０の側壁の外には、ウェハＷの搬入出口２７を開閉するゲートバルブ２８が取り付けられている。
載置台１２には、第２の高周波電源３０が整合器３２および給電棒３４を介して電気的に接続されている。第２の高周波電源３０は、ウェハＷに引き込むイオンのエネルギーを制御するために適した周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波ＬＦを可変のパワーで出力する。高周波ＬＦのパワーは載置台１２に印加され、これにより、載置台１２は下部電極としても機能する。整合器３２は、第２の高周波電源３０側のインピーダンスと負荷側のインピーダンスの間で整合をとるためのリアクタンス可変の整合回路を収容している。
載置台１２の上面には、ウェハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック３６が設けられている。静電チャック３６は導電膜からなる電極３６ａを一対の絶縁膜３６ｂの間に挟み込んだものであり、電極３６ａには直流電源４０がスイッチ４２および被覆線４３を介して電気的に接続されている。ウェハＷは、直流電源４０から供給される直流電流により静電力で静電チャック３６上に吸着保持される。
載置台１２に載置されたウェハＷの外周に沿ってエッジリング３８が設けられている。エッジリング３８は、ウェハＷの外周近傍におけるプラズマを制御し、ウェハＷの面内のエッチングレートの均一性を向上させる機能を有する。エッジリング３８は、内側エッジリング３８ｉ、中央エッジリング３８ｍ、外側エッジリング３８ｏに三分割されている。
載置台１２の内部には、たとえば円周方向に延びる環状の冷媒流路４４が設けられている。冷媒流路４４には、チラーユニットより配管４６，４８を介して所定温度の冷媒たとえば冷却水ｃｗが循環して供給され、冷媒の温度によって静電チャック３６上のウェハＷの温度を制御する。また、伝熱ガス供給部からの伝熱ガスたとえばＨeガスが、ガス供給管５０を介して静電チャック３６の上面とウェハＷの裏面との間に供給される。また、載置台１２には、ウェハＷの搬入及び搬出のために載置台１２を垂直方向に貫通して上下に移動可能なリフトピンおよびその昇降機構等が設けられている。
ガスシャワーヘッド５１は、その周縁部に設けられたシールドリング５４を介して処理容器１０の天井部に設けられている。ガスシャワーヘッド５１は、シリコンにより形成されている。ガスシャワーヘッド５１は、載置台１２（下部電極）に対向する対向電極（上部電極）としても機能する。
ガスシャワーヘッド５１には、ガスを導入するガス導入口５６が形成されている。ガスシャワーヘッド５１の内部にはガス導入口５６に連通する拡散室５８が設けられている。ガス供給源６６から出力されたガスは、ガス導入口５６を介して拡散室５８に供給され、拡散室５８にて拡散されて多数のガス供給孔５２からプラズマ生成空間Ｓに導入される。
ガスシャワーヘッド５１には、整合器５９および給電棒６０を介して第１の高周波電源５７が電気的に接続されている。第１の高周波電源５７は、高周波放電によるプラズマの生成に適した周波数であって、第２の高周波電源３０から出力される高周波ＬＦの周波数よりも高い周波数（例えば４０ＭＨｚ）のプラズマ生成用の高周波ＨＦを可変のパワーで出力できるようになっている。整合器５９は、第１の高周波電源５７側のインピーダンスと負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるためのリアクタンス可変の整合回路を収容している。
プラズマ処理装置５は、制御部７４を有する。制御部７４は、たとえばＣＰＵ７４ａ、ＲＯＭ７４ｂ、ＲＡＭ７４ｃを有する。ＲＯＭ７４ｂには、ＣＰＵ７４ａがプラズマ処理装置５の全体を制御するための基本プログラム及び各種データが記憶されている。
ＲＡＭ７４ｃには、プロセス条件毎に対応する複数のレシピ７４ｄが記憶されている。制御部７４は、プロセス条件に合致したレシピ７４ｄに従って、プラズマ処理装置５内の各部の動作および装置全体の動作を制御する。制御部７４により制御される各部としては、排気装置２６、第１の高周波電源５７、第２の高周波電源３０、整合器３２，整合器５９、静電チャック用のスイッチ４２、ガス供給源６６、チラーユニット、伝熱ガス供給部等が挙げられる。
ＲＡＭ７４ｃには、中央エッジリング３８ｍの上下の移動距離と、ウェハＷの直径方向の各位置に対するエッチングレートの相関情報をプロセス条件毎に予め収集し、記憶したライブラリ７４ｅが記憶されている。ライブラリ７４ｅは、ＲＯＭ７４ｂに記憶してもよい。ＲＡＭ７４ｃ又はＲＯＭ７４ｂは、中央エッジリング３８ｍの移動距離とウェハＷのエッチングレートの相関情報をプロセス条件に対応させて記憶した記憶部の一例である。また、相関情報に用いられるエッチングレートは、エッチング特性を示す値の一例である。
プラズマ処理装置５において、エッチング処理を行うには、先ずゲートバルブ２８を開状態にしてウェハＷを処理容器１０内に搬入して、静電チャック３６の上に載置する。そして、ゲートバルブ２８を閉めてから、ガス供給源６６より所定のガスを所定の流量および流量比で処理容器１０内に導入し、排気装置２６により処理容器１０内の圧力を所定の設定値まで減圧する。さらに、第１の高周波電源５７をオンにしてプラズマ生成用の高周波ＨＦを所定のパワーで出力させ、整合器５９，給電棒６０を介してガスシャワーヘッド５１に供給する。
一方、イオン引き込み制御用の高周波ＬＦを印加する場合には、第２の高周波電源３０をオンにして高周波ＬＦを所定のパワーで出力させ、整合器３２および給電棒３４を介して載置台１２に印加する。また、伝熱ガス供給部より静電チャック３６とウェハＷとの間に伝熱ガスを供給する。加えて、スイッチ４２をオンにして直流電源４０からの直流電圧を、静電チャック３６の電極３６ａに印加し、静電吸着力によりウェハＷを静電チャック３６に吸着保持させるとともに、伝熱ガスをウェハＷと静電チャック３６の間に閉じ込める。
＜第１実施形態＞
［３分割エッジリング］
ウェハＷのエッジ部のエッチングレートは、エッジリング３８の高さに依存して変化する。このため、エッジリング３８の消耗によりその高さが変動すると、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートが変動し、ウェハＷのエッジ部の制御が困難になる。
そこで、第１実施形態に係るエッジリング３８は３分割され、内側エッジリング３８ｉと中央エッジリング３８ｍと外側エッジリング３８ｏとを有する。エッジリング３８は、移動機構２００により中央エッジリング３８ｍを上下に移動させ、ウェハＷのエッジ部のエッチング状態を制御する。移動機構２００は、プッシャーピン１０２を有する。プッシャーピン１０２は、ピエゾアクチュエータ１０１による動力によって部材１０４ａ及び軸受部１０５を介して上下に移動する。これにより、連結部１０３が上下に移動し、これに応じて連結部１０３に連結されている中央エッジリング３８ｍが上下に移動する。なお、第１実施形態および後述する第２実施形態において、ウェハＷのエッジ部は、ウェハＷの中心から半径方向に約１４０ｍｍ〜約１４８ｍｍのリング状の部分をいう。
（エッジリングの構成）
次に、エッジリング３８及びその周辺の構成について、図２を参照しながら詳述する。また、中央エッジリング３８ｍの上下動について、図３を参照しながら説明する。図２は、一実施形態に係るエッジリング３８及びその周辺を拡大した縦断面の一例を示す図である。図３は、一実施形態に係るエッジリングの上下動を説明するための図である。
図２には、本実施形態に係るエッジリング３８、移動機構２００及びピエゾアクチュエータ１０１が示されている。内側エッジリング３８ｉは、ウェハＷの最外周の近傍にてウェハＷを下から囲むように設けられた部材であって、エッジリング３８の最も内側の部材である。中央エッジリング３８ｍは、ウェハＷ及び内側エッジリング３８ｉの外側にてこれらを囲むように設けられた部材である。外側エッジリング３８ｏは、中央エッジリング３８ｍの外側に設けられた部材であって、エッジリング３８の最も外側の部材である。第１実施形態では、内側エッジリング３８ｉ及び外側エッジリング３８ｏは、静電チャック３６の上面に固定されている。中央エッジリング３８ｍは、移動機構２００により上又は下に移動が可能である。
中央エッジリング３８ｍは、ウェハＷの周縁部を囲む環状部３８ｍ１と、３つの爪部３８ｍ２とを有する。爪部３８ｍ２は、環状部３８ｍ１の外周側に等間隔に配置され、環状部３８ｍ１から外側に突出した矩形状の部材である。環状部３８ｍ１の縦断面はＬ字状である。環状部３８ｍ１のＬ字状の段差部は、縦断面がＬ字状の内側エッジリング３８ｉの段差部に接触した状態から、中央エッジリング３８ｍが上に持ち上げられると、離れた状態になる。
（移動機構及び駆動部）
中央エッジリング３８ｍの爪部３８ｍ２は、環状の連結部１０３に接続されている。連結部１０３は、筒状支持部１６に設けられた空間１６ａを上下に移動する。
ハウジング１００は、アルミナなどの絶縁物から形成されている。ハウジング１００は、筒状支持部１６の内部にて側部及び底部が筒状支持部１６に隣接して設けられている。ハウジング１００の内部の凹部１００ａには移動機構２００が設けられている。
移動機構２００は、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させるための機構であり、プッシャーピン１０２と軸受部１０５を含む。移動機構２００は、載置台１２の下面の外周に配置されたハウジング１００に取り付けられ、ピエゾアクチュエータ１０１の動力により上下に移動するようになっている。プッシャーピン１０２は、サファイアから形成されてもよい。
プッシャーピン１０２は、ハウジング１００及び載置台１２を貫通し、連結部１０３の下面に接触している。軸受部１０５は、ハウジング１００の内部に設けられた部材１０４ａに嵌合している。プッシャーピン１０２のピン孔には、真空空間と大気空間とを遮断するためのＯリング１１１が設けられている。
軸受部１０５の先端の凹部１０５ａには、プッシャーピン１０２の下端が上から嵌め込まれている。ピエゾアクチュエータ１０１による位置決めによって部材１０４ａを介して軸受部１０５が上下に移動すると、プッシャーピン１０２が上下に移動し、連結部１０３の下面を押し上げたり、押し下げたりする。これにより、連結部１０３を介して中央エッジリング３８ｍが上下に移動する。
ピエゾアクチュエータ１０１は、ピエゾ圧電効果を応用した位置決め素子で、０．００６ｍｍ（６μｍ）の分解能で位置決めを行うことができる。ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量に応じてプッシャーピン１０２が上下へ移動する。これにより、中央エッジリング３８ｍが、０．００６ｍｍを最小単位として所定の高さだけ移動する。
プッシャーピン１０２は、中央エッジリング３８ｍの円周方向に等間隔に３箇所設けられた爪部３８ｍ２に対応して設けられている。ピエゾアクチュエータ１０１は、プッシャーピン１０２と一対一に設けられている。部材１０４ａ、１０４ｂは環状部材であり、３つのピエゾアクチュエータ１０１は、ネジ１０４ｃ、１０４ｄにより上下でネジ止めされた部材１０４ａ、１０４ｂの間に配置され、ハウジング１００に固定されている。かかる構成により、プッシャーピン１０２は、環状の連結部１０３を介して３箇所から中央エッジリング３８ｍを押し上げ、所定の高さに持ち上げるようになっている。なお、本実施形態に係るピエゾアクチュエータ１０１は、駆動部の一例である。
外側エッジリング３８ｏの下面には、爪部３８ｍ２に対応する位置に凹部が形成されている。プッシャーピン１０２の押し上げにより、中央エッジリング３８ｍが上に移動すると、爪部３８ｍ２が、凹部の内部に納まる。これにより、外側エッジリング３８ｏを固定させたまま、中央エッジリング３８ｍを上へ持ち上げることができる。
以上に説明したように、かかる構成では、ハウジング１００に載置台１２及び静電チャック３６が支持され、ハウジング１００に移動機構２００及び駆動部が取り付けられる。これにより、静電チャック３６の設計変更を必要とせず、既存の静電チャック３６を使用して中央エッジリング３８ｍのみを上下に移動させることができる。
また、図２に示すように、本実施形態では、静電チャック３６の上面と中央エッジリング３８ｍの下面の間には所定の空間が設けられ、中央エッジリング３８ｍを上方向だけでなく、下方向へも移動可能な構造となっている。これにより、中央エッジリング３８ｍは、上方向だけでなく、所定の空間内を下方向に所定の高さだけ移動することができる。中央エッジリング３８ｍを上方向だけでなく下方向へも移動させることで、シースの制御範囲を広げることができる。
ただし、駆動部は、ピエゾアクチュエータ１０１に限定されず、０．００６ｍｍの分解能で位置決めの制御が可能なモータを使用してもよい。また、駆動部は、１つ又は複数であり得る。更に、駆動部は、ウェハＷを持ち上げるプッシャーピンを上下に移動させるモータを共用してもよい。この場合、ギア及び動力切替部を用いてモータの動力を、ウェハＷ用のプッシャーピンと中央エッジリング３８ｍ用のプッシャーピン１０２とで切り替えて伝達する機構と、０．００６ｍｍの分解能でプッシャーピン１０２の上下動を制御する機構が必要になる。ただし、３００ｍｍのウェハＷの外周に配置される中央エッジリング３８ｍの直径は３１０ｍｍ程度と大きいため、本実施形態のようにプッシャーピン１０２毎に別々の駆動部を設けることが好ましい。
制御部７４は、ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量が、中央エッジリング３８ｍの消耗量に応じた量になるように、ピエゾアクチュエータ１０１の位置決めを制御してもよい。ただし、制御部７４は、ピエゾアクチュエータ１０１の上下方向の変位量を、中央エッジリング３８ｍの消耗量と関係せず、所望のエッチングレートが得られる高さに中央エッジリング３８ｍを上又は下に移動させるように制御してもよい。
ウェハＷとエッジリング３８の上面の高さが同じであると、エッチング処理中のウェハＷ上のシース（Ｓｈｅａｔｈ）とエッジリング３８上のシースの高さを同一にできる。そして、シースの高さを同一にすることによりウェハＷの面内全体のエッチングレートの均一性を向上させることができる。
エッジリング３８が新品の場合、エッチング処理中のウェハＷ上のシースとエッジリング３８上のシースの高さは同一（フラット）になるため、ウェハＷの面内全体のエッチングレートは均一になる。このとき、図３（ａ−１）に示すように、中央エッジリング３８ｍは、プッシャーピン１０２により持ち上げられていない（０ｍｍ）。
ところが、エッチング等のプラズマ処理によってエッジリング３８が消耗すると、ウェハＷのシースの高さよりもエッジリング３８のシースの高さが低くなる。そうすると、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートが跳ね上がったり、エッチング形状のチルティング（tilting）が生じたりする。エッチング形状のチルティングとは、エッジリングの消耗によりシースがウェハＷのエッジ部において斜めになることで、イオンが斜め方向からウェハＷへ引き込まれ、これによりエッチング形状が垂直にならずに斜めになることをいう。
そこで、本実施形態では、エッジリング３８が消耗量に応じて中央エッジリング３８ｍを持ち上げてもよい。これにより、ウェハＷとエッジリング３８の上のシースの高さを揃えることができる。これにより、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートが跳ね上がったり、エッチング形状のチルティング（tilting）が生じたりすることを防止できる。
例えば、中央エッジリング３８ｍの消耗量に対して１倍に制御する場合には、エッジリング３８の消耗量が１．０ｍｍであれば、中央エッジリング３８ｍの消耗量に応じた高さは、１．０ｍｍとなる。よって、この場合、制御部７４は、中央エッジリング３８ｍが１．０ｍｍだけ上に移動するようにピエゾアクチュエータ１０１を位置決めする。この結果、図３（ａ−２）及び（ｂ−２）に示すように、中央エッジリング３８ｍは１．０ｍｍだけ上に移動する。
次に、図４を参照して、エッジリング３８の動作とプラズマ生成について説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は比較例１，２に係るエッジリングＦＲ１、ＦＲ２を用いた場合、図４（ｃ）は本実施形態に係るエッジリング３８を用いた場合のプラズマ生成のメカニズムを模式的に示す。
図４の上段の「プラズマ」は比較例１、２及び本実施形態におけるプラズマの状態を示す。図４の中段の「シース」は比較例１、２及び本実施形態におけるシースの状態を示す。図４の下段の「ＲＦ Ｐａｔｈ」は、静電チャック３６と比較例１、２のＦＲ１，ＦＲ２及び本実施形態のエッジリング３８における高周波ＲＦの電力の流れを示す。
図４（ａ）に示すように、比較例１に係る分割されていないエッジリングＦＲ１を用いた場合、消耗がなければシースはフラットになる。このとき、第１の高周波電源５７から出力されるプラズマ生成用の高周波ＨＦの電力により、中央の静電チャック３６側及び外側のエッジリングＦＲ１側においてほぼ同程度の電流が流れる。そして、プラズマ生成空間Ｓにて生成されるプラズマの密度は概ね均一になる。エッジリングＦＲ１の消耗とともにウェハＷのエッジ部においてエッチングレートの跳ね上がりが生じる。
次に、比較例２に係る２分割されたエッジリングＦＲ２を用いて、外側エッジリングを上に移動させた場合について説明する。この場合、図４（ｂ）に示すように、シースがフラットのとき、主にプラズマ生成用の高周波ＨＦの電力により静電チャック３６側に流れる電流は、エッジリングＦＲ２側に流れる電流よりも多くなる。その理由について以下に説明する。
持ち上げた外側エッジリングの下側には空間Ｕ１ができる。高周波ＲＦの電力の印加により空間Ｕ１には静電容量が生じる。空間Ｕ１に生じた静電容量は、エッジリングＦＲ２側の電流の流れを抑制する。このため、電流は、エッジリングＦＲ２側よりも静電チャック３６側にて流れ易くなる。このため、図４（ｂ）の場合、図４（ａ）に示す場合より多くの電流が静電チャック３６側に流れ、プラズマ生成空間Ｓにおいて生成されるプラズマは、中央にてプラズマ密度が高くなる。これにより、エッジリングＦＲ２では、外側エッジリングを高くする程、ウェハＷの面内全体においてエッチングレートがシフトし、高くなる。
他方、図４（ｃ）に示すように、本実施形態に係る３分割されたエッジリング３８では、エッジリング３８と静電チャック３６のシースの高さがフラットなとき、高周波ＨＦの電力により静電チャック３６とエッジリング３８とに流れる電流はほぼ同じになる。
これは、本実施形態に係るエッジリング３８では、ウェハＷのエッジ部の近傍で、中央エッジリング３８ｍを持ち上げたときに最小限の空間Ｕ２が形成されるようにエッジリング３８を３分割し、中央エッジリング３８ｍのみを上下動するようにしたためである。これにより、空間Ｕ２に生じる静電容量を最小限にし、静電チャック３６側とエッジリング３８側に流れる電流を同程度にすることができる。これにより、本実施形態では、プラズマ生成空間Ｓにて生成されるプラズマの密度は概ね均一になる。この結果、ウェハＷの面内における全体のエッチングレートをシフトさせずに、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートを制御できる。
[エッジリングの厚さとエッチング特性]
次に、図５を参照して、エッジリングの厚さとエッチング特性との関係について説明する。図５は、一実施形態に係るエッジリングの厚さとエッチング特性の関係の実験結果の一例を示す図である。図５（ａ）は、横軸のエッジリング３８の厚さの基準からの差分に対する縦軸のエッチングレートの均一性を示すグラフである。図５（ｂ）は、横軸のエッジリング３８の厚さの基準からの差分に対する縦軸のチルティングについて示す。
図５（ａ）のエッチングレートは、図５（ｃ）のグラフに示すように、ウェハＷの半径方向のエッチングレートのうち、エッジ部ＶＥ（１４０ｍｍ〜１４８ｍｍ：最外周部）のエッチングレートの平均値を用いて基準０．０からのずれ量を示す。図５（ｂ）のチルティングは、ウェハＷの半径方向の１４８ｍｍの位置におけるエッチング形状の、基準値９０°（垂直）に対する角度のずれを示す。なお、図５（ｃ）のグラフは、反射防止膜２０３又はシリコン酸化膜２０１をエッチングしたときのエッチングレートの一例を示す。
図５（ａ）及び（ｂ）の実験に用いた積層膜について説明する。図５（ｃ）の積層膜は、本実験でエッチング処理に使用した膜の積層構造の一例を示す。膜の積層構造は、下層から順にシリコン酸化膜（Ｏｘ）２０１、カーボンハードマスク（ＣＨＭ）２０２、反射防止膜（ＳＡ）２０３が形成されている。反射防止膜２０３の上には、マスクとして機能するフォトレジスト（ＰＲ）２０４のパターンが形成されている。本実験では、シリコン酸化膜２０１の替わりにシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成された膜構造であって、シリコン窒化膜をエッチング処理する場合がある。
図５（ａ）のグラフでは、計測したウェハＷのエッジ部ＶＥのエッチングレートの平均値が基準値０．０からどの程度離れているかにより、エッチングレートの均一又は不均一の状態を示す。図５（ｂ）のグラフでは、計測したウェハＷのエッジ部ＶＥの１４８ｍｍの位置のチルティングが基準値９０°（垂直）からどの程度傾いているかにより、チルティングの状態を示す。
図５（ａ）及び（ｂ）の横軸の基準値０．０は、図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すエッジリング３８の高さのうち、図６（ｂ）に示す中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏの高さを示す（差分＝０．０ｍｍ）。図５（ａ）及び（ｂ）の横軸の差分−０．６は、図６（ａ）に示すように、中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏの高さが、図６（ｂ）に示す同パーツの高さよりも−０．６ｍｍ低いときを示す（差分＝−０．６ｍｍ）。図５（ａ）及び（ｂ）の横軸の差分０．６は、図６（ｃ）に示すように、中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏの高さが、図６（ｂ）に示す同パーツの高さよりも０．６ｍｍ低いときを示す（差分＝０．６ｍｍ）。
図５（ａ）の曲線Ａ〜Ｄを得るためのプロセス条件は次の通りである。
(曲線Ａ)
曲線Ａは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーをそれぞれ５００Ｗ及び２００Ｗに制御し、ＣＦ４ガスを供給してシリコン酸化膜２０１をエッチングしたときの実験結果の一例である。
(曲線Ｂ)
曲線Ｂは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーをそれぞれ５００Ｗ及び４００Ｗに制御し、Ｈ２ガス及びＮ２ガスを供給してフォトレジスト２０４をエッチングしたときの実験結果の一例である。
(曲線Ｃ)
曲線Ｃは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーをそれぞれ１００Ｗ及び３５０Ｗに制御し、Ｃ４Ｆ６ガス、Ａｒガス及びＯ２ガスを供給してシリコン酸化膜２０１をエッチングしたときの実験結果の一例である。
(曲線Ｄ)
曲線Ｄは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーをそれぞれ１００Ｗ及び４００Ｗに制御し、ＣＨ３Ｆガス、Ａｒガス及びＯ２ガスを供給してシリコン窒化膜をエッチングしたときの実験結果の一例である。
曲線Ａ〜Ｄによれば、ウェハＷのエッジ部においてエッチングレートが均一になる、すなわち、基準値０．０に近くなるエッジリング３８の厚さは、エッチング対象膜の膜種やガス種等のプロセス条件で異なることがわかる。
図５（ｂ）の曲線Ｅ〜Ｇを得るためのプロセス条件は次の通りである。
(曲線Ｅ)
曲線Ｅは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーをそれぞれ５００Ｗ及び４００Ｗに制御し、Ｈ２ガス及びＮ２ガスを供給してカーボンハードマスク２０２をエッチングしたときの実験結果の一例である。
曲線Ｆは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーを１００Ｗ及び３５０Ｗに制御し、Ｃ４Ｆ６ガス、Ａｒガス及びＯ２ガスを供給してシリコン酸化膜２０１をエッチングしたときの実験結果の一例である。
曲線Ｇは、高周波ＨＦ及びＬＦのパワーを１００Ｗ及び４００Ｗに制御し、ＣＨ３Ｆガス、Ａｒガス及びＯ２ガスを供給してシリコン窒化膜をエッチングしたときの実験結果の一例である。
曲線Ｅ〜Ｇによれば、ウェハＷのエッジ部の位置（１４８ｍｍ）においエッチング形状が垂直になる、すなわち、基準値９０°になるエッジリング３８の厚さは、エッチング対象膜の膜種やガス種等のプロセス条件で異なることがわかる。
これらの結果は、ウェハＷ上とエッジリング３８上のシースの厚さが、エッチング対象膜の膜種やガス種等のプロセス条件により変わるために生じる。そこで、本実施形態に係るプラズマエッチング方法は、マルチステップエッチングにおけるステップ間において中央エッジリング３８ｍを上下動させ、これにより、エッチング対象膜の膜種及びプロセス条件に合わせてエッジリング３８上のシースの厚さを制御する。これにより、エッチング対象膜とプロセス条件に応じて適切なエッチングレートとチルティングの制御を可能とする。
なお、本実施形態に係るプラズマエッチング方法は、マルチステップエッチングにおける同一ウェハＷの第１のエッチング工程及び第２のエッチング工程の間に中央エッジリング３８ｍを上下動させてもよい。
また、異なるウェハＷについて、前に処理されるウェハＷのエッチングである第１のエッチング工程及び次に処理されるウェハＷのエッチングである第２のエッチング工程の間に中央エッジリング３８ｍを上下動させてもよい。
[エッジリングの上下動の制御とエッチング特性]
図７は、一実施形態に係る中央エッジリング３８ｍの上下動とエッチング特性の関係の実験結果の一例を示す図である。本実験では、図５（ｃ）に示す膜の積層構造の反射防止膜２０３をエッチングする際には、図７（ａ）に示すように中央エッジリング３８ｍは上下動させていない（０ｍｍ）。
一方、反射防止膜２０３のエッチング後のステップに、カーボンハードマスク２０２をエッチングする際には、図７（ｂ）に示すように中央エッジリング３８ｍを静電チャック３６の上面から０．３ｍｍ上の位置に移動させる。更に、カーボンハードマスク２０２のエッチング後のステップに、シリコン酸化膜２０１をエッチングする際には、図７（ｃ）に示すように中央エッジリング３８ｍを静電チャック３６の上面から０．４ｍｍ上の位置に移動させる。なお、本実施形態では、図７（ａ）〜（ｃ）のすべてにおいて、内側エッジリング３８ｉ及び外側エッジリング３８ｏは固定され、上下動に移動しない。
図７（ｂ）及び（ｃ）に示すように、曲線Ｈ，Ｊは、中央エッジリング３８ｍを上下動させた場合に計測したエッジ部のＣＤ（Critical Dimension）値を示す。また、曲線Ｉ，Ｋは、中央エッジリング３８ｍを上下動させなかった場合（０ｍｍ）に計測したエッジ部のＣＤ値を示す。ＣＤ値の測定結果は、エッチング特性の一例である。
この結果、中央エッジリング３８ｍを適正な位置に上下に移動させることで、曲線Ｈ，Ｊが示すＣＤ値は、曲線Ｉ，Ｋが示すＣＤ値よりもエッジ部における跳ね上がりが少なくなり、エッジ部において全体的に均一な値に制御されることがわかる。特に、曲線Ｊの領域Ａに示すように、ウェハＷの中心から半径方向に１４８ｍｍ前後の円周方向の領域において、ＣＤ値の跳ね上がりが抑制され、ＣＤ値の均一性が高くなっている。
ＣＤ値とエッチングレートとには相関関係がある。よって、曲線Ｈ，Ｊが示すＣＤ値の結果から中央エッジリング３８ｍを適正に上下に移動させることで、エッチングレートの均一性を向上させることができることがわかった。
同様に、ＣＤ値とチルティングとには相関関係がある。よって、曲線Ｈ，Ｊが示すＣＤ値の結果から中央エッジリング３８ｍを適正に上下に移動させることで、チルティングの制御が可能となり、エッチング形状を垂直に制御することができることがわかった。
つまり、マルチステップのエッチングにおいて、前後のエッチング工程の間のステップにてエッジリング３８の上下動を制御することで、ウェハＷのエッジ部のエッチングレート及びエッチングの形状を適正に制御することができることがわかった。
なお、本制御はエッジリングの消耗度合いに応じて中央エッジリング３８ｍを上下動させることでエッチング形状とエッチングレートの調整が可能になる。また、本制御はエッジリングの消耗度合いに関わらず行うこともでき、中央エッジリング３８ｍを上下動させることでエッチング形状とエッチングレートの制御が可能になる。
また、本実施形態に係るプラズマエッチング方法は、中央エッジリング３８ｍの上下動を制御することにより、ウェハＷのエッジ部だけでなく、ウェハＷ全体のエッチングレートをシフトさせることができる。
図８は、一実施形態に係る中央エッジリング３８ｍの上下動とエッチング特性の相関情報の一例を示す図である。図８には、エッチング特性の一例としてエッチングレートが示されている。図８（ａ）には、ウェハＷの中心から半径方向に１２０ｍｍ〜１５０ｍｍの領域における、中央エッジリング３８ｍの上下動（０．０ｍｍ、０．４ｍｍｕｐ、０．９ｍｍｕｐ）に対するエッチングレートのシフトの割合が示されている。図８（ｂ）には、ウェハＷの中心から半径方向に０ｍｍ〜１５０ｍｍの領域における、中央エッジリング３８ｍの上下動（０．０ｍｍ、０．９ｍｍｕｐ）に対するエッチングレートが示されている。
図８（ａ）の結果から、中央エッジリング３８ｍを０．４ｍｍ又は０．９ｍｍ上に移動させることで、中央エッジリング３８ｍを移動させない場合（０ｍｍ）と比べて、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートを調整できることがわかった。
加えて、図８（ｂ）の結果から、中央エッジリング３８ｍを、０．９ｍｍ上に移動させることで、中央エッジリング３８ｍを移動させない場合（０ｍｍ）と比べて、ウェハＷ全体のエッチングレートをシフトできることがわかった。
以上から、本プラズマエッチング方法によれば、中央エッジリング３８ｍの上下動を微調整することで、ウェハＷ全体のエッチングレートを微調整することができ、これにより、プラズマ処理装置５の機差の調整を行うことにも有用であることがわかった。
[相関情報収集処理]
次に、一実施形態に係る中央エッジリング３８ｍの上下動とエッチング特性の相関情報の収集処理について、図９及び図１０を参照しながら説明する。図９は、一実施形態に係る中央エッジリングの上下動とエッチング特性の相関情報収集処理の一例を示すフローチャートである。図１０は、一実施形態に係る収集した相関情報の一例を示す図である。なお、図１０の相関情報を得るための実験におけるプロセス条件は以下である。
(プロセス条件)
圧力 ５０ｍＴ（６．６６６Ｐａ）
パワー ＨＦ(上部電極に印加) ５００Ｗ、ＬＦ（下部電極に印加） １５０Ｗ
ガス種 ＣＦ４ガス
エッチング対象膜 ＳｉＯ２
図９の相関情報の収集処理は、制御部７４により実行される。本処理が開始されると、制御部７４は、プラズマ処理装置５の中央エッジリング３８ｍの上又は下への移動距離を設定する(ステップＳ１０)。次に、制御部７４は、プラズマ処理装置５により実行するプロセス条件を設定する(ステップＳ１２)。次に、制御部７４は、プラズマ処理装置５を使用してプラズマエッチング処理を実行する(ステップＳ１４)。
次に、制御部７４は、ウェハの直径方向のエッチングレートの測定を制御する（ステップＳ１６）。次に、制御部７４は、測定結果に基づき中央エッジリング３８ｍの移動距離とウェハの直径方向のエッチングレートとの相関情報を収集し、ＲＡＭ７４ｃ内のライブラリ７４ｅに記憶した後（ステップＳ１８）、本処理を終了する。
これによれば、図１０（ａ）に一例を示すように、中央エッジリング３８ｍの上又は下への移動距離とウェハの直径（半径）方向のエッチングレートとの相関情報を収集できる。
［エッチング処理］
次に、一実施形態に係るエッチング処理について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、一実施形態に係るエッチング処理の一例を示すフローチャートである。
本処理は、制御部７４により実行される。本処理が開始されると、制御部７４は、第１のプロセス条件に基づきプラズマエッチング処理を実行する（ステップＳ２０）。次に、制御部７４は、ライブラリ７４ｅから第２のプロセス条件に応じた中央エッジリング３８ｍの移動距離とウェハの直径方向のエッチングレートとの相関情報を取得する（ステップＳ２２）。
次に、制御部７４は、相関情報に基づき、制御したいエッチングレートに対応する中央エッジリング３８ｍの移動距離を抽出する（ステップＳ２４）。次に、制御部７４は、抽出した中央エッジリング３８ｍの移動距離に中央エッジリング３８ｍを上又は下に移動させる（ステップＳ２６）。次に、制御部７４は、第２のプロセス条件に基づきプラズマエッチング処理を実行し（ステップＳ２８）、本処理を終了する。
本実施形態にかかるエッチング処理方法によれば、中央エッジリング３８ｍを上又は下に移動させることで、プラズマエッチング処理においてエッチング状態を制御することができる。膜種及びプロセス条件において、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートを均一にできる中央エッジリング３８ｍの高さは異なる。これは、ウェハＷとエッジリング３８の上のシースの厚さがプロセス条件等により異なるためである。
そこで、本実施形態に係るプラズマエッチング方法では、ライブラリ７４ｅから抽出した特定のプロセス条件について相関情報を抽出する。そして、抽出した相関情報から中央エッジリング３８ｍを上又は下に移動させる際の適正値を求め、中央エッジリング３８ｍの移動を制御することで所望のエッチングレートに制御することができる。これにより、ウェハＷのエッジ部のエッチングレートの跳ね上がりを抑制したり、均一なエッチングレートにしたりすることができる。
なお、図９及び図１１では、中央エッジリング３８ｍの上下の移動を制御する場合のみについて説明したが、外側エッジリング３８ｏを上下に移動させてもよい。例えば、図１０（ｂ）に示すように、外側エッジリング３８ｏの移動距離とウェハの直径方向のエッチングレートとの相関情報を測定し、収集してもよい。これらの相関情報はすべて、制御部７４のＲＡＭ７４ｃ内のライブラリ７４ｅに記憶される。
同様にして、図１０（ｃ）に示すように、中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏの少なくともいずれかを上下に移動させてもよい。更に、内側エッジリング３８ｉ、中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏの少なくともいずれかを上下に移動させてもよい。
図１２は、一実施形態に係るエッジリング３８の各パーツの上下動のバリエーションの一例を示す図である。例えば、図１２（ａ）は、第１のエッチング工程では、エッジリング３８の全パーツを動作させず、第１〜第４のエッチング工程の各工程間のステップにおいて、外側エッジリング３８ｏを上又は下に移動させる一例を示す。この例では、中央エッジリング３８ｍ及び内側エッジリング３８ｉは移動させていないが、必要に応じて中央エッジリング３８ｍ及び内側エッジリング３８ｉの少なくともいずれかを移動させてもよい。
図１２（ｂ）は、第１のエッチング工程では、外側エッジリング３８ｏを移動させ、第１及び第２のエッチング工程の間のステップにおいて、中央エッジリング３８ｍ及び外側エッジリング３８ｏを上又は下に移動させる一例を示す。このとき、内側エッジリング３８ｉは移動させていないが、必要に応じて内側エッジリング３８ｉを移動させてもよい。
図１２（ｃ）は、第１のエッチング工程では、中央エッジリング３８ｍ及び内側エッジリング３８ｉを移動させ、第１及び第２のエッチング工程の間のステップにおいて、外側エッジリング３８ｏを上又は下に移動させる一例を示す。
このようにして、中央エッジリング３８ｍを上下に移動させることで、主にウェハＷのエッジ部を制御し、外側エッジリング３８ｏを上下に移動させることで、主にウェハＷ全体のエッチングレートをシフトさせることができる。これにより、エッチング状態を制御することができる。
または、中央エッジリング３８ｍ、外側エッジリング３８ｏの移動に加えて内側エッジリング３８ｉを動作させ、これらのパーツの組み合わせにより、エッチング状態を制御してもよい。この場合にも、内側エッジリング３８ｉの移動距離とエッチングレートとの相関情報をライブラリ７４ｅに収集し、プロセス条件が一致する適切な相関情報に基づき、エッジリング３８の各パーツの上下の移動を制御する。
（変形例）
上記実施形態では、ライブラリ７４ｅに記憶された、計測した製品ウェハＷのエッチングレートとエッジリング３８の少なくともいずれかのパーツの移動距離との相関情報に基づき、エッジリング３８の少なくともいずれかのパーツの上下動を制御した。しかしながら、これに限られず、例えば、製品ウェハではないダミーウェハへのエッチングで得られたエッチングレートとエッジリング３８の移動距離との相関情報に基づき、エッジリング３８の少なくともいずれかのパーツの上下動を制御して製品ウェハをエッチングしてもよい。
また、ウェハＷ上のシース厚とエッジリング３８上のシース厚とをモニタするか、ウェハＷ上のシース厚とエッジリング３８上のシース厚との差分をモニタし、モニタの結果に応じてエッジリング３８の少なくともいずれかのパーツの上下動を制御してもよい。
また、ウェハＷを第１及び第２のエッチング工程の間のステップにおいてエッジリング３８の少なくともいずれかのパーツの上下動を制御することに限られない。例えば、プリコーティング運用等、エッジリング３８上にエッチング処理時に生成された副生成物が堆積し、経時的にエッジリングの高さが異なってくることが考えられる。
このようにエッチング処理中にその高さが変動する場合、同一のエッチング工程中であっても、エッジリング３８のいずれかのパーツを上下動させる制御を経時的に行ってもよい。これによれば、エッジリング３８のいずれかのパーツを上下動させることで、エッジリング上のシース厚を常に適正な厚さに制御し、これにより、プロセス条件に合致したより適正なエッチング処理を行うことができる。
今回開示された一実施形態に係るプラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示のプラズマ処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
また、エッジリング３８の移動制御については、例えば、中央エッジリング３８ｍの移動距離の下限値は、駆動部の分解能であり、駆動部の分解能は、０．００６ｍｍである。中央エッジリング３８ｍの移動距離の上限値は、中央エッジリング３８ｍの厚さよりも小さい値である。
また、例えば、外側エッジリング３８ｏの移動距離の下限値は、駆動部の分解能であり、駆動部の分解能は、０．００６ｍｍである。外側エッジリング３８ｏの移動距離の上限値は、外側エッジリング３８ｏの厚さよりも小さい値である。
さい値である。
また、例えば、内側エッジリング３８ｉの移動距離の下限値は、駆動部の分解能であり、駆動部の分解能は、０．００６ｍｍである。内側エッジリング３８ｉの移動距離の上限値は、内側エッジリング３８ｉの厚さよりも小さい値である。
また、例えば、本開示のプラズマ処理装置は、ＨＦ高周波の電力を載置台１２に印加してもよい。
本明細書では、基板の一例としてウェハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
５ ：プラズマ処理装置
１０ ：処理容器
１２ ：載置台
２６ ：排気装置
３０ ：第２の高周波電源
３６ ：静電チャック
３８ ：エッジリング
３８ｉ：内側エッジリング
３８ｍ：中央エッジリング
３８ｏ：外側エッジリング
４０ ：直流電源
４４ ：冷媒流路
５１ ：ガスシャワーヘッド
５７ ：第１の高周波電源
６６ ：ガス供給源
７４ ：制御部
１００：ハウジング
１０１：ピエゾアクチュエータ
１０２：プッシャーピン
２００：移動機構

Claims (11)

  1. 載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングと、を含むエッジリングを有するプラズマ処理装置を使用したプラズマエッチング方法であって、
    第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、
    前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、
    前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリングを移動させる工程と、
    を有するプラズマエッチング方法。
  2. 中央エッジリングの移動距離と基板のエッチング特性を示す値の相関情報をプロセス条件に対応させて記憶した記憶部に基づき、前記第２のプロセス条件に対応する相関情報を取得する工程を有し、
    取得した前記相関情報に基づき前記中央エッジリングを移動させる、
    請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
  3. 載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられ、を使用した上下に移動が可能な外側エッジリングと、を含むエッジリングを有するプラズマ処理装置において行うプラズマエッチング方法であって、
    第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、
    前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、
    前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリング及び前記外側エッジリングの少なくともいずれかを移動させる工程と、
    を有するプラズマエッチング方法。
  4. 中央エッジリング及び外側エッジリングの少なくともいずれかの移動距離と基板のエッチング特性を示す値の相関情報をプロセス条件に対応させて記憶した記憶部に基づき、前記第２のプロセス条件に対応する相関情報を取得する工程を有し、
    取得した前記相関情報に基づき前記中央エッジリング及び前記外側エッジリングの少なくともいずれかを移動させる、
    請求項３に記載のプラズマエッチング方法。
  5. 前記移動機構を上下に駆動する駆動部を有し、前記駆動部の分解能は、０．００６ｍｍである、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
  6. 前記中央エッジリングの移動距離の下限値は、前記駆動部の分解能であり、
    前記中央エッジリングの移動距離の上限値は、前記中央エッジリングの厚さよりも小さい値である、
    請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
  7. 前記外側エッジリングの移動距離の下限値は、前記駆動部の分解能であり、
    前記外側エッジリングの移動距離の上限値は、前記外側エッジリングの厚さよりも小さい値である、
    請求項５又は６に記載のプラズマエッチング方法。
  8. 前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程は、同じ基板に対するエッチング工程である、
    請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
  9. 前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程は、異なる基板に対するエッチング工程である、
    請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
  10. 載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられる外側エッジリングとを含むエッジリングと、プロセス条件を切り替えて基板に行うエッチングを制御する制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
    前記制御部は、
    第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、
    前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、
    前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリングを移動させる工程と、
    を制御するプラズマ処理装置。
  11. 載置台に載置された基板の近傍に設けられる内側エッジリングと、前記内側エッジリングの外側に設けられ、移動機構により上下に移動が可能な中央エッジリングと、前記中央エッジリングの外側に設けられ、前記移動機構により上下に移動が可能な外側エッジリングとを含むエッジリングと、プロセス条件を切り替えて基板に行うエッチングを制御する制御部とを有するプラズマ処理装置であって、
    前記制御部は、
    第１のプロセス条件に基づきエッチングを行う第１のエッチング工程と、
    前記第１のプロセス条件と異なる第２のプロセス条件に基づきエッチングを行う第２のエッチング工程と、
    前記第１のエッチング工程と前記第２のエッチング工程の間において、前記移動機構により前記中央エッジリング及び前記外側エッジリングの少なくともいずれかを移動させる工程と、
    を制御するプラズマ処理装置。
JP2018082443A 2018-04-23 2018-04-23 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置 Active JP7061918B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018082443A JP7061918B2 (ja) 2018-04-23 2018-04-23 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
US16/381,218 US20190326092A1 (en) 2018-04-23 2019-04-11 Plasma etching method and plasma processing apparatus
KR1020190042352A KR20190123208A (ko) 2018-04-23 2019-04-11 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치
TW108113295A TW201946152A (zh) 2018-04-23 2019-04-17 電漿蝕刻方法及電漿處理裝置
US17/353,960 US20210313148A1 (en) 2018-04-23 2021-06-22 Plasma etching method and plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018082443A JP7061918B2 (ja) 2018-04-23 2018-04-23 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019192734A true JP2019192734A (ja) 2019-10-31
JP7061918B2 JP7061918B2 (ja) 2022-05-02

Family

ID=68238302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018082443A Active JP7061918B2 (ja) 2018-04-23 2018-04-23 プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20190326092A1 (ja)
JP (1) JP7061918B2 (ja)
KR (1) KR20190123208A (ja)
TW (1) TW201946152A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022510259A (ja) * 2018-11-29 2022-01-26 ラム リサーチ コーポレーション エッジリングリフトを用いた動的シース制御
US11862437B2 (en) 2020-03-18 2024-01-02 Kioxia Corporation Edge ring and plasma processing apparatus
JP7466686B2 (ja) 2020-03-23 2024-04-12 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける中間リング腐食補償

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112012029160A8 (pt) 2010-05-18 2017-06-06 Unilever Nv Composições para clarear a pele, processo para preparar um extrato, uso de um extrato e método cosmético para clarear a pele
US10978955B2 (en) 2014-02-28 2021-04-13 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US9960763B2 (en) 2013-11-14 2018-05-01 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser
US11539352B2 (en) 2013-11-14 2022-12-27 Eagle Harbor Technologies, Inc. Transformer resonant converter
US10020800B2 (en) 2013-11-14 2018-07-10 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage nanosecond pulser with variable pulse width and pulse repetition frequency
US10892140B2 (en) 2018-07-27 2021-01-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US10483089B2 (en) 2014-02-28 2019-11-19 Eagle Harbor Technologies, Inc. High voltage resistive output stage circuit
US11004660B2 (en) 2018-11-30 2021-05-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Variable output impedance RF generator
US11430635B2 (en) 2018-07-27 2022-08-30 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
CN115378264A (zh) 2017-02-07 2022-11-22 鹰港科技有限公司 变压器谐振转换器
US11404249B2 (en) 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
KR102208429B1 (ko) 2017-08-25 2021-01-29 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 나노초 펄스를 이용한 임의의 파형 발생
JP6995008B2 (ja) * 2018-04-27 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11222767B2 (en) 2018-07-27 2022-01-11 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser bias compensation
US11302518B2 (en) 2018-07-27 2022-04-12 Eagle Harbor Technologies, Inc. Efficient energy recovery in a nanosecond pulser circuit
US11532457B2 (en) 2018-07-27 2022-12-20 Eagle Harbor Technologies, Inc. Precise plasma control system
KR20230025034A (ko) 2018-08-10 2023-02-21 이글 하버 테크놀로지스, 인코포레이티드 RF 플라즈마 반응기용 플라즈마 시스(sheath) 제어
TW202308306A (zh) 2019-01-08 2023-02-16 美商鷹港科技股份有限公司 產生高壓脈波之方法
JP7296829B2 (ja) * 2019-09-05 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、処理方法、上部電極構造
KR20210042749A (ko) * 2019-10-10 2021-04-20 삼성전자주식회사 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치
CN112713075B (zh) * 2019-10-25 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体隔离环、等离子体处理装置与基片处理方法
TWI778449B (zh) 2019-11-15 2022-09-21 美商鷹港科技股份有限公司 高電壓脈衝電路
WO2021134000A1 (en) 2019-12-24 2021-07-01 Eagle Harbor Technologies, Inc. Nanosecond pulser rf isolation for plasma systems
CN113130284B (zh) * 2019-12-31 2023-01-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
US11848176B2 (en) * 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11721569B2 (en) * 2021-06-18 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining a position of a ring within a process kit

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774155A (ja) * 1993-08-31 1995-03-17 Nec Corp ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JPH0786252A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置とドライエッチング方法
JP2009044075A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法
JP2012222235A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7758764B2 (en) * 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
CN101478857A (zh) * 2008-01-04 2009-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置
SG178287A1 (en) * 2009-08-31 2012-03-29 Lam Res Corp A local plasma confinement and pressure control arrangement and methods thereof
US10099245B2 (en) * 2013-03-14 2018-10-16 Applied Materials, Inc. Process kit for deposition and etching
US11404249B2 (en) * 2017-03-22 2022-08-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0774155A (ja) * 1993-08-31 1995-03-17 Nec Corp ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
JPH0786252A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 Fujitsu Ltd ドライエッチング装置とドライエッチング方法
JP2009044075A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Toshiba Corp プラズマ処理装置およびプラズマエッチング方法
JP2012222235A (ja) * 2011-04-12 2012-11-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022510259A (ja) * 2018-11-29 2022-01-26 ラム リサーチ コーポレーション エッジリングリフトを用いた動的シース制御
JP7441221B2 (ja) 2018-11-29 2024-02-29 ラム リサーチ コーポレーション エッジリングリフトを用いた動的シース制御
US11862437B2 (en) 2020-03-18 2024-01-02 Kioxia Corporation Edge ring and plasma processing apparatus
JP7466686B2 (ja) 2020-03-23 2024-04-12 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける中間リング腐食補償

Also Published As

Publication number Publication date
JP7061918B2 (ja) 2022-05-02
TW201946152A (zh) 2019-12-01
US20190326092A1 (en) 2019-10-24
US20210313148A1 (en) 2021-10-07
KR20190123208A (ko) 2019-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7061918B2 (ja) プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置
CN108630514B (zh) 基板处理装置
JP6995008B2 (ja) 基板処理装置
TWI781988B (zh) 基板處理裝置
JP5496568B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8980048B2 (en) Plasma etching apparatus
US7767055B2 (en) Capacitive coupling plasma processing apparatus
JP2019201047A (ja) クリーニング方法及び基板処理装置
US11942357B2 (en) Workpiece placement apparatus and processing apparatus
WO2019244631A1 (ja) 載置台及び基板処理装置
KR101898079B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US20180122620A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2017212051A (ja) プラズマ処理方法
KR102661835B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치
JP2019201086A (ja) 処理装置、部材及び温度制御方法
KR20220005994A (ko) 엣지 링 및 에칭 장치
US11587820B2 (en) Mounting table, substrate processing apparatus, and control method
JP7204564B2 (ja) プラズマ処理装置
US11984301B2 (en) Edge ring, substrate support, substrate processing apparatus and method
KR20220115511A (ko) 기판 지지기, 플라즈마 처리 시스템 및 플라즈마 에칭 방법
KR20220063520A (ko) 기판 처리 장치
KR20210002923A (ko) 기판 처리 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20211115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7061918

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150