JP2019186647A - 水晶デバイス及びその水晶デバイスを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】水晶素子にかかる応力を低減し、ヒステリシスを小さくすることが可能な水晶デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】水晶デバイスは、矩形状の基板１１０ａと、基板１１０ａの下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部Ｋ２を形成するための実装枠体１１０ｃと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、実装枠体１１０ｃ内の基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１７と、電極パッド１１１に実装された水晶素子１２０と、接続パッド１１７に実装された感温素子１５０と、水晶素子１２０を気密封止するための蓋体１３０と、を備え、平面透視した際に、電極パッド１１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられている。【選択図】図２
Description
本開示は、電子機器等に用いられる水晶デバイス及びその水晶デバイスを用いた電子機器に関するものである。
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と、第一凹部を設けるために基板の上面に設けられた第一枠体と、第二凹部を設けるために基板の下面に設けられた第二枠体とを有しているパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに実装された水晶素子と、基板の下面に設けられた接続パッドに実装された感温素子と、を備えた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
上述した水晶デバイスは、水晶デバイスの周波数特性の変動であるヒステリシスは、パッケージの外から伝わる熱以外にも、水晶デバイスの周囲温度変化に起因して水晶素子にかかる応力によっても変化する。そのため、水晶デバイスの周囲温度変化に起因して水晶素子にかかる応力によって、水晶デバイスの特性変動、例えば、ヒステリシスが大きくなってしまう虞があった。
本開示は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子にかかる応力を低減し、ヒステリシスを小さくすることが可能な水晶デバイスを提供することを課題とする。
本開示の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部を形成するための実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドと、実装枠体内の基板の下面に設けられた接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、接続パッドに実装された感温素子と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備え、平面透視した際に、電極パッドと凹部が重ならない位置に設けられている。
本開示の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板の下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部を形成するための実装枠体と、基板の上面に設けられた電極パッドと、実装枠体内の基板の下面に設けられた接続パッドと、電極パッドに実装された水晶素子と、接続パッドに実装された感温素子と、水晶素子を気密封止するための蓋体と、備え、平面透視した際に、電極パッドと凹部が重ならない位置に設けられている。このように電極パッドと凹部が重ならない位置に設けられていることで、電極パッドが設けられている位置である基板と実装枠体とを足した上下方向の厚みが確保されているため、水晶デバイスの周囲温度の変化にともなう基板の伸びまたは縮みによって発生する応力を低減することができる。よって、水晶素子に伝わる応力を低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となる。
本実施形態における水晶デバイスは、図１〜図４に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の上面に接合された水晶素子１２０と、パッケージ１１０の下面に接合された複数の感温素子１５０とを含んでいる。パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた収容部Ｋ１が形成されている。また、基板１１０ａの下面と実装枠体１１０ｃの内側面によって囲まれた凹部Ｋ２が形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。なお図３及び図４の透視平面図では、直接目視できない構成の一部が実線で描かれている。またそれらの構成のうち、他部材に覆われる一部は、点線で描かれている。後述の図７〜図９も同様である。
基板１１０ａは、矩形状であり、上面に実装された水晶素子１２０及び下面に実装された感温素子１５０を実装するための実装部材として機能するものである。基板１１０ａは、上面に、水晶素子１２０を実装するための電極パッド１１１が設けられており、下面に、感温素子１５０を実装するための接続パッド１１７が設けられている。また、基板１１０ａの一辺に沿って、水晶素子１２０を接合するための第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂが設けられている。
基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層を含んでいる。基板１１０ａは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と、実装枠体１１０ｃの下面に設けられた外部端子１１２とを電気的に接続するための配線パターン１１３及びビア導体１１４が設けられている。また、基板１１０ａの表面には、下面に設けられた接続パッド１１７と、実装枠体１１０ｃの下面に設けられた外部端子１１２とを電気的に接続するためのビア導体１１４及び接続パターン１１８が設けられている。
枠体１１０ｂは、基板１１０ａの上面の外周縁に沿って配置され、基板１１０ａの上面
に収容部Ｋ１を形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料を含み、基板１１０ａと一体的に形成されている。
に収容部Ｋ１を形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料を含み、基板１１０ａと一体的に形成されている。
実装枠体１１０ｃは、基板１１０ａの下面の外周縁に沿って配置され、基板１１０ａの下面に凹部Ｋ２を形成するためのものである。実装枠体１１０ｃは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａ及び枠体１１０ｂと一体的に形成されている。実装枠体１１０ｃの下面の四隅には、外部端子１１２が設けられている。また、四つの外部端子１１２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されており、四つの外部端子１１２の内の残りの二つが、感温素子１５０と電気的に接続されている。
基板１１０ａの短辺の中心を通り、長辺と平行な線を軸線Ｌ１とし、基板１１０ａの長辺の中心を通り、短辺と平行な線を軸線Ｌ２する。この軸線Ｌ１と軸線Ｌ２との交点を第一中心点Ｐ１とする。また、凹部Ｋ２の長辺の中心を通り、基板１１０ａの長辺と平行な線を軸線Ｌ１とし、凹部Ｋ２の短辺の中心を通り、基板１１０ａの短辺と平行な線を軸線Ｌ３とする。この軸線Ｌ１と軸線Ｌ２との交点を第二中心点Ｐ２とする。
また、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子１１２ａ及び第二外部端子１１２ｂは、図４に示されているように、実装枠体１１０ｃの下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子１５０と電気的に接続されている第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄは、水晶素子１２０と接続された第一外部端子１１２ａ及び第二外部端子１１２ｂが設けられた実装枠体１１０ｃとは異なる位置に配置するように設けられている。
電極パッド１１１は、水晶素子１２０を実装するためのものである。電極パッド１１１は、基板１１０ａの上面に一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、図３及び図４に示されているように基板１１０ａの上面に設けられた配線パターン１１３とビア導体１１４を介して、実装枠体１６０の下面に設けられた外部端子１１２と電気的に接続されている。
電極パッド１１１は、図３に示すように、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂによって構成されている。また、外部端子１１２は、図４に示すように第一外部端子１１２ａ、第二外部端子１１２ｂ、第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄによって構成されている。ビア導体１１４は、第一ビア導体１１４ａ、第二ビア導体１１４ｂ、第三ビア導体１１４ｃ及び第四ビア導体１１４ｄによって構成されている。
また、配線パターン１１３は、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。第一電極パッド１１１ａは、基板１１０ａに設けられた第一配線パターン１１３ａの一端と電気的に接続されている。また、第一配線パターン１１３ａの他端は、第一ビア導体１１４ａを介して、第一外部端子１１２ａと電気的に接続されている。よって、第一電極パッド１１１ａは、第一外部端子１１２ａと電気的に接続されることになる。第二電極パッド１１１ｂは、基板１１０ａに設けられた第二配線パターン１１３ｂの一端と電気的に接続されている。また、第二配線パターン１１３ｂの他端は、第二ビア導体１１４ｂを介して、第二外部端子１１２ｂと電気的に接続されている。
外部端子１１２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子１１２は、実装枠体１１０ｃの下面に設けられている。外部端子１１２の内の二つの端子は、基板１１０ａの上面に設けられた一対の電極パッド１１１とそれぞれ電気的に接続されている。外部端子１１２の内の残りの二つの端子は、基板１１０ａの下面に設けられた二つ
の接続パッド１１７と電気的に接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン１１９に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第三外部端子１１２ｃに接続される。よって、蓋体１３０による収容部Ｋ１内のシールド性が向上する。
の接続パッド１１７と電気的に接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン１１９に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第三外部端子１１２ｃに接続される。よって、蓋体１３０による収容部Ｋ１内のシールド性が向上する。
配線パターン１１３は、基板１１０ａの上面に設けられ、電極パッド１１１から近傍のビア導体１１４に向けて引き出されている。また、配線パターン１１３は、図３に示すように、第一配線パターン１１３ａ及び第二配線パターン１１３ｂによって構成されている。
ビア導体１１４は、基板１１０ａの内部に設けられ、その両端は、配線パターン１１３、接続パターン１１８又は封止用導体パターン１１９と電気的に接続されている。ビア導体１１４は、基板１１０ａに設けられた貫通孔の内部に導体を充填することで設けられている。また、ビア導体１１４は、図３及び図４に示すように、第一ビア導体１１４ａ、第二ビア導体１１４ｂ、第三ビア導体１１４ｃ及び第四ビア導体１１４ｄによって構成されている。
凸部１１５は、基板１１０ａの一辺と平行となる直線に対して同一直線上に並ぶようにして、一対の電極パッド１１１の上にそれぞれ設けられている。このようにすることによって、水晶素子１２０の引き出し電極１２３を一対の凸部１１５に接触させながら電極パッド１１１に実装する際に、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。
突起部１１６は、基板１１０ａの長辺方向に延出するようにして外部端子１１２の一つに設けられている。突起部１１６は、外部端子１１２の目印として機能するため、各外部端子１１２の方向と種別を判別することができ、電子機器等のマザーボード上への実装する際に用いるものである。
接続パッド１１７は、矩形状であり、後述する感温素子１５０を実装するために用いられている。また、接続パッド１１７は、図４に示すように、第一接続パッド１１７ａ及び第二接続パッド１１７ｂによって構成されている。また、導電性接合材１７０は、接続パッド１１７の下面と感温素子１５０の接続端子１５１との間にも設けられている。
ここで基板１１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、接続パッド１１７の大きさを説明する。接続パッド１１７の基板１１０ａの短辺と平行な辺の長さは、０．８〜２．０ｍｍであり、基板１１０ａの長辺と平行な辺の長さは、０．２５〜０．５５ｍｍとなっている。また、第一接続パッド１１７ａと第二接続パッド１１７ｂとの間の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。
第二接続パッド１１７ｂと第三外部端子１１２ｃとは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１８ｂ及び第三ビア導体１１４ｃにより接続されている。また、第一接続パッド１１７ａと第四外部端子１１２ｄとは、基板１１０ａの下面に設けられた第一接続パターン１１８ａ及び第四ビア導体１１４ｄにより接続されている。
接続パターン１１８は、基板１１０ａの下面に設けられ、接続パッド１１７からビア導体１１４を介して所定の外部端子１１２に向けて引き出されている。また、接続パターン１１８は、図４に示すように、第一接続パターン１１８ａ及び第二接続パターン１１８ｂによって構成されている。
接続パターン１１８は、隣接する接続パッド１１７を電気的に接続し、ビア導体１１４に接続するためのものである。接続パターン１１８は、第一接続パターン１１８ａ及び第二接続パターン１１８ｂによって構成されている。第一接続パターン１１８ａは、第一接続パッド１１７ａと電気的に接続し、第二接続パターン１１８ｂは、第二接続パッド１１７ｂと電気的に接続している。
また、第一接続パターン１１８ａは、図３及び図４に示すように、平面透視して、一対の電極パッド１１１の間に位置するようにして設けられている。また、このようにすることによって、水晶素子１２０から伝わる熱が、電極パッド１１１から直下にある基板１１０ａを介して、第一接続パターン１１８ａから第一接続パッド１１７ａに伝わることになる。よって、このような水晶デバイスは、熱伝導経路をさらに短くすることができるので、水晶素子１２０の温度と感温素子１５０の温度とが近似することになり、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異をさらに低減することが可能となる。
封止用導体パターン１１９は、蓋体１３０と接合部材１３１を介して接合する際に、接合部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。封止用導体パターン１１９は、図３及び図４に示すように、第三ビア導体１１４ｃを介して、第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。封止用導体パターン１１９は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る接続パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。
凹部Ｋ２は、平面透視した際に電極パッド１１１と重ならない位置に設けられている。このように電極パッド１１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられていることで、電極パッド１１１が設けられている位置である基板１１０ａと実装枠体１１０ｃとを足した上下方向の厚みが確保されているため、水晶デバイスの周囲温度の変化に伴う基板１１０ａの伸びまたは縮みによって発生する応力を低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力を低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となる。
また、凹部Ｋ２の第二中心点Ｐ２が、平面透視した際に、基板１１０ａの第一中心点Ｐ１から電極パッド１１１が設けられている方向と反対の方向に設けられている。つまり、基板の第一中心点Ｐ１と凹部Ｋ２の第二中心点Ｐ２とが平面視した際に、重ならない位置に設けられている。このようにすることで、平面透視した際に、電極パッド１１１と凹部Ｋ２とがさらに重なりにくくなるため、電極パッド１１１が設けられている位置である基板１１０ａと実装枠体１１０ｃとを足した上下方向の厚みが十分に確保されることになり、水晶デバイスの周囲温度の変化に伴う基板１１０ａの伸びまたは縮みによって発生する応力をさらに低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力をさらに低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスをさらに低減することが可能となる。
凹部Ｋ２の開口部の形状は、平面視して、矩形状となっている。ここで基板１１０ａを平面視したときの長辺の寸法が、１．２〜２．５ｍｍであり、短辺の寸法が、１．０〜２．０ｍｍである場合を例にして、凹部Ｋ２の開口部の大きさを説明する。凹部Ｋ２の長辺の長さは、０．６〜１．２ｍｍであり、短辺の長さは、０．３〜１．０ｍｍとなっている。
ここで、基板１１０ａの作製方法について説明する。基板１１０ａがアルミナセラミッ
クスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、接続パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、外部端子１１２、配線パターン１１３、ビア導体１１４、接続パッド１１７、接続パターン１１８及び封止用導体パターン１１９となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
クスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、接続パターンの所定部位、具体的には、電極パッド１１１、外部端子１１２、配線パターン１１３、ビア導体１１４、接続パッド１１７、接続パターン１１８及び封止用導体パターン１１９となる部位にニッケルメッキ又、金メッキ、銀パラジウム等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
また、水晶素子１２０は、図１及び図２に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２及び引き出し電極１２３を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。励振用電極１２２は、上面に第一励振用電極１２２ａと、下面に第二励振用電極１２２ｂを備えている。引き出し電極１２３は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の一辺に向かってそれぞれ延出されている。
引き出し電極１２３は、第一引き出し電極１２３ａ及び第二引き出し電極１２３ｂを備えている。第一引き出し電極１２３ａは、第一励振用電極１２２ａから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。第二引き出し電極１２３ｂは、第二励振用電極１２２ｂから引き出されており、水晶素板１２１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極１２３は、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂと接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。
ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。
水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって第一電極パッド１１１ａ及び第二電極パッド１１１ｂ上に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、電極パッド１１１に接合される。つまり、水晶素子１２０の第一引き出し電極１２３ａは、第一電極パッド１１１ａと接合され、第二引き出し電極１２３ｂは、第二電極パッド１１１ｂと接合される。これによって、水晶素子１２０
が実装枠体１１０ｃの第一外部端子１１２ａ及び第二外部端子１１２ｂと電気的に接続される。
が実装枠体１１０ｃの第一外部端子１１２ａ及び第二外部端子１１２ｂと電気的に接続される。
導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
感温素子１５０は、凹部Ｋ２内に設けられた接続パッド１１７に実装されている。感温素子１５０の長辺が、基板１１０ａの長辺と直交する方向に配置されている。このようにすることにより、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子１１２ａは、第一接続パッド１１７ａとの間隔を長くすることができ、水晶素子１２０と電気的に接続されている第二外部端子１１２ｂは、第二接続パッド１１７ｂとの間隔を長くすることができるので、感温素子１５０を接合している導電性接合材１７０が溢れ出たとしても、導電性接合材１７０が付着することを抑えることができる。よって、感温素子１５０と水晶素子１２０と電気的に接続されている外部端子１１２との短絡を低減することができる。
感温素子１５０は、サーミスタ、白金測温抵抗体又はダイオード等が用いられている。サーミスタ素子の場合、感温素子１５０は、直方体形状であり、両端に接続端子１５１が設けられている。感温素子１５０は、温度変化によって電気抵抗が顕著な変化を示すものであり、この抵抗値の変化から電圧が変化するため、抵抗値と電圧との関係及び電圧と温度との関係により、出力された電圧から温度情報を得ることができる。感温素子１５０は、後述する接続端子１５１間の電圧が、実装枠体１１０ｃの第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄを介して水晶デバイスの外へ出力されることにより、例えば、電子機器等のメインＩＣ（図示せず）で出力された電圧を温度に換算することで温度情報を得ることができる。このような感温素子１５０を水晶デバイスの近くに配置して、これによって得られた水晶デバイスの温度情報に応じて、メインＩＣにより水晶デバイスを駆動する電圧を制御し、いわゆる温度補償をすることができる。
また、白金測温抵抗体が用いられている場合、感温素子１５０は、直方体形状のセラミック板上の中央に白金を蒸着し、白金電極が設けられている。また、セラミック板の両端には接続端子１５１が設けられている。白金電極と接続端子とは、セラミック板上面に設けられた引き出し電極により接続されている。白金電極の上面を被覆するようにして絶縁性樹脂が設けられている。
また、ダイオードが用いられている場合、感温素子１５０は、半導体素子を半導体素子用基板の上面に実装し、その半導体素子及び半導体素子用基板の上面を絶縁性樹脂で被覆された構造である。半導体素子用基板の下面から側面には、アノード端子及びカソード端子となる接続端子１５１が設けられている。感温素子１５０は、アノード端子からカソード端子へは電流を流すが、カソード端子からアノード端子へはほとんど電流を流さない順方向特性を有している。感温素子の順方向特性は、温度によって大きく変化する。感温素子に一定電流を流しておいて順方向電圧を測定することによって、電圧情報を得ることができる。その電圧情報から換算することで水晶素子の温度情報を得ることができる。ダイオードは、電圧と温度との関係が直線を示している。接続端子１５１のカソード端子及びアノード端子間の電圧が、第三外部端子１１２ｃ及び第四外部端子１１２ｄを介して水晶デバイスの外へ出力される。
感温素子１５０は、図２及び図４に示すように、基板１１０ａの下面に設けられた接続
パッド１１７に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、感温素子１５０の第一接続端子１５１ａは、第一接続パッド１１７ａに接続されている。また、感温素子１５０の第二接続端子１５１ｂは、第二接続パッド１１７ｂに接続されている。第二接続パッド１１７ｂは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１８ｂを介して第三外部端子１１２ｃと接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、感温素子１５０の第一接続端子１５１ａは、基準電位であるグランドに接続されることになる。
パッド１１７に半田等の導電性接合材１７０を介して実装されている。また、感温素子１５０の第一接続端子１５１ａは、第一接続パッド１１７ａに接続されている。また、感温素子１５０の第二接続端子１５１ｂは、第二接続パッド１１７ｂに接続されている。第二接続パッド１１７ｂは、基板１１０ａの下面に設けられた第二接続パターン１１８ｂを介して第三外部端子１１２ｃと接続されている。また、第三外部端子１１２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。よって、感温素子１５０の第一接続端子１５１ａは、基準電位であるグランドに接続されることになる。
感温素子１５０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接合材１７０は、例えばディスペンサによって接続パッド１１７に塗布される。感温素子１５０は、導電性接合材１７０上に載置される。そして導電性接合材１７０は、加熱させることによって溶融接合される。よって、感温素子１５０は、接続パッド１１７にそれぞれ接合される。
また、感温素子１５０がサーミスタ素子の場合には、図１及び図２に示すように、直方体形状の両端にそれぞれ一つずつ接続端子１５１が設けられている。第一接続端子１５１ａは、感温素子１５０の右側側面及びその右側側面と接続された面に設けられている。また、第二接続端子１５１ｂは、感温素子１５０の左側側面及びその左側側面と接続された面に設けられている。このような感温素子１５０の長辺の長さは、０．４〜０．６ｍｍであり、短辺の長さは、０．２〜０．３ｍｍとなっている。感温素子１５０の厚み方向の長さは、０．１〜０．３ｍｍとなっている。
導電性接合材１７０は、例えば、銀ペースト又は鉛フリー半田により構成されている。また、導電性接合材１７０には、塗布し易い粘度に調整するための添加した溶剤が含有されている。鉛フリー半田の成分比率は、錫が９５〜９７．５％、銀が２〜４％、銅が０．５〜１．０％のものが使用されている。
絶縁性樹脂１８０は、電子機器等の実装基板上に実装する際に用いる半田等が、感温素子１５０に被着することを抑えつつ、感温素子１５０の接続端子１５１と実装枠体１６０の外部端子１１２との間で短絡することを低減するためのものである。また、このような水晶デバイスをモジュール部品の実装基板上に実装してモールド樹脂を形成した際に、モールド樹脂が凹部Ｋ２内に入り込んでモールド樹脂にボイドが形成された状態で感温素子１５０が覆われてしまうと、この水晶デバイスに熱が印加することで、ボイド内の空気が膨張し、感温素子１５０の剥がれなどが発生する場合がある。よって、感温素子１５０を絶縁性樹脂１８０で覆っておくことにより、モールド樹脂が感温素子１５０を覆うことを防ぐことができるため、感温素子１５０が接続パッド１１７から剥がれてしまうことを抑えることが可能となる。
次に、絶縁性樹脂１８０の塗布方法は、未硬化状態の絶縁性樹脂１８０が凹部Ｋ２の開口部を介して、感温素子１５０の表面並びに感温素子１５０と基板１１０ａとの間に充填される。充填は、例えば、ディスペンサによって行われる。また、感温素子１５０を接合している導電性接合材１７０の周囲にも絶縁性樹脂１８０が設けられているので、半田の付着等により電子機器等に実装されている他の電子部品との短絡を低減することができる。
蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある収容部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された収容部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置され、枠体１１０ｂの封止用導体パ
ターン１１９と蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１９及び第三ビア導体１１４ｃを介して実装枠体１１０ｃの下面の第三外部端子１１２ｃに電気的に接続されている。よって、蓋体１３０は、パッケージ１１０の第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。
ターン１１９と蓋体１３０の接合部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体１１０ｂに接合される。また、蓋体１３０は、封止用導体パターン１１９及び第三ビア導体１１４ｃを介して実装枠体１１０ｃの下面の第三外部端子１１２ｃに電気的に接続されている。よって、蓋体１３０は、パッケージ１１０の第三外部端子１１２ｃと電気的に接続されている。
接合部材１３１は、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１９に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。接合部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。
本実施形態における水晶デバイスは、矩形状の基板１１０ａと、基板１１０ａの下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部Ｋ２を形成するための実装枠体１１０ｃと、基板１１０ａの上面に設けられた電極パッド１１１と、実装枠体１１０ｃ内の基板１１０ａの下面に設けられた接続パッド１１７と、電極パッド１１１に実装された水晶素子１２０と、接続パッド１１７に実装された感温素子１５０と、水晶素子１２０を気密封止するための蓋体１３０と、を備え、平面透視した際に、電極パッド１１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられている。
このような水晶デバイスは、電極パッド１１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられていることで、電極パッド１１１が設けられている位置である基板１１０ａと実装枠体１１０ｃとを足した上下方向の厚みが確保されているため、水晶デバイスの周囲温度の変化にともなう基板１１０ａの伸びまたは縮みによって発生する応力を低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力を低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となる。
また、本実施形態に係る水晶デバイスは、感温素子１５０が基板１１０ａの長辺と直交する方向に配置されている。このようにすることにより、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子１１２ａは、第一接続パッド１１７ａとの間隔を長くすることができ、水晶素子１２０と電気的に接続されている第二外部端子１１２ｂは、第二接続パッド１１７ｂとの間隔を長くすることができるので、感温素子１５０を接合している導電性接合材１７０が溢れ出たとしても、導電性接合材１７０が付着することを抑えることができる。よって、感温素子１５０と水晶素子１２０と電気的に接続されている外部端子１１２との短絡を低減することができる。
また、本実施形態における水晶デバイスは、凹部Ｋ２の第二中心点Ｐ２が、平面透視した際に、基板１１０ａの第一中心点Ｐ１から電極パッド１１１が設けられている方向と反対の方向に設けられている。このようにすることで、平面透視した際に、電極パッド１１１と凹部Ｋ２とがさらに重なりにくくなるため、電極パッド１１１が設けられている位置である基板１１０ａと実装枠体１１０ｃとを足した上下方向の厚みが十分に確保されることになり、水晶デバイスの周囲温度の変化に伴う基板１１０ａの伸びまたは縮みによって発生する応力をさらに低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力をさらに低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスをさらに低減することが可能となる。
また、本実施形態の水晶デバイスは、感温素子１５０を被覆するようにして設けられた絶縁性樹脂１８０を備えている。このような水晶デバイスは、感温素子１５０が絶縁性樹脂１８０にて保護されているため、感温素子１５０に金属屑が付着して接続端子１５１間
が短絡してしまうことを抑えることができる。
が短絡してしまうことを抑えることができる。
（第一変形例）
以下、本実施形態の変形例における水晶振動子について説明する。なお、本実施形態の変形例における水晶振動子のうち、上述した水晶振動子と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスは、図５〜図９に示すように、実装枠体２６０が、パッケージ２１０とは別に形成されている点で異なっている。
以下、本実施形態の変形例における水晶振動子について説明する。なお、本実施形態の変形例における水晶振動子のうち、上述した水晶振動子と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスは、図５〜図９に示すように、実装枠体２６０が、パッケージ２１０とは別に形成されている点で異なっている。
実装枠体２６０は、基板２１０ａの下面の外周縁に沿って接合され、基板２１０ａの下面に凹部Ｋ２を形成するためのものである。実装枠体２６０は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁性基板からなり、基板２１０ａの下面と導電性接合材１７０を介して接合される。実装枠体２６０の内部には、図９に示すように、上面に設けられた接合パッド２６１と、実装枠体２６０の下面に設けられた外部端子２６２とを電気的に接続するための導体部２６３が設けられている。
実装枠体２６０の上面には、接合パッド２６１が設けられ、下面の両端には、外部端子２６２が設けられている。また、四つの外部端子２６２の内の二つが、水晶素子１２０と電気的に接続されて、水晶素子１２０の入出力端子として用いられる。また、四つの外部端子２６２の内の二つが、感温素子１５０と電気的に接続されている。また、水晶素子１２０と電気的に接続されている第一外部端子２６２ａ及び第二外部端子２６２ｂは、実装枠体２６０の下面の対角に位置するように設けられている。また、感温素子１５０と電気的に接続されている第三外部端子２６２ｃ及び第四外部端子２６２ｄは、水晶素子１２０と接続されている第一外部端子２６２ａ及び第二外部端子２６２ｂが設けられている対角とは異なる実装枠体２６０の対角に位置するように設けられている。
接合パッド２６１は、基板２１０ａの接合端子２１２と導電性接合材１７０を介して電気的に接合するためのものである。接合パッド２６１は、図９に示すように、第一接合パッド２６１ａ、第二接合パッド２６１ｂ、第三接合パッド２６１ｃ及び第四接合パッド２６１ｄによって構成されている。
外部端子２６２は、電子機器等の実装基板に実装するためのものである。外部端子２６２は、実装枠体２６０の下面に設けられている。外部端子２６２の内の二つの端子は、基板２１０ａの上面に設けられた一対の電極パッド２１１とそれぞれ電気的に接続されている。外部端子２６２の内の残りの二つの端子は、基板２１０ａの下面に設けられた接続パッド２１５と電気的に接続されている。また、第三外部端子２６２ｃは、電子機器等の実装基板上の基準電位であるグランド電位と接続されている実装パッドと接続されている。これにより、封止用導体パターン２１９に接合された蓋体１３０がグランド電位となっている第三外部端子２６２ｃに接続される。よって、蓋体１３０による収容部Ｋ１内のシールド性が向上する。
また、外部端子２６２は、図９に示すように、第一外部端子２６２ａ、第二外部端子２６２ｂ、第三外部端子２６２ｃ及び第四外部端子２６２ｄによって構成されている。導体部２６３は、第一導体部２６３ａ、第二導体部２６３ｂ、第三導体部２６３ｃ及び第四導体部２６３ｄによって構成されている。第一接合パッド２６１ａは、第一導体部２６３ａを介して、第一外部端子２６２ａと電気的に接続され、第二接合パッド２６２ｂは、第二導体部２６３ｂを介して、第二外部端子２６２ｂと電気的に接続されている。第三接合パッド２６１ｃは、第三導体部２６３ｃを介して、第三外部端子２６２ｃと電気的に接続され、第四接合パッド２６１ｄは、第四導体部２６３ｄを介して、第四外部端子２６２ｄと電気的に接続されている。
導体部２６３は、実装枠体２６０の上面の接合パッド２６１と、下面の外部端子２６２を電気的に接続するためのものである。導体部２６３は、実装枠体２６０の四隅に貫通孔を設け、貫通孔の内壁面に導電部材を形成し、その上面を接合パッド２６１で塞ぎ、その下面を外部端子２６２で塞ぐことにより形成されている。
接続パッド２１７は、平面透視した際に、基板２１０ａの第一中心点Ｐ１に対して電極パッド２１１が設けられている方向と反対の方向にずれるようにして設けられている。接続パッド２１７は、第一接続パッド２１７ａ及び第二接続パッド２１７ｂによって構成されている。
また、基板２１０ａの接合端子２１２と実装枠体２６０の接合パッド２６１とを導電性接合材１７０を介して接合されることで、図６及び図８に示すように、基板２１０ａと実装枠体２６０との間に導電性接合材１７０の厚みと、接合端子２１２と接合パッド２６１の厚みとを足した分の間隙部Ｇが設けられ、その間隙部Ｇに感温素子１５０を被覆する絶縁性樹脂１８０が設けられている。これにより、例えば、本実施形態の水晶振動子が電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が凹部Ｋ２内の絶縁性樹脂１８０に伝わり、間隙部Ｇに設けられた絶縁性樹脂１８０が外部に露出しているので、熱が外部に放出される。このようにすることで、凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。
このような間隙部Ｇに絶縁性樹脂１８０が設けられているので、感温素子１５０が絶縁性樹脂１８０により、確実に固定されることになるので、感温素子１５０が基板２１０ａから剥がれることを低減することができる。
ここで、実装枠体２６０の作製方法について説明する。実装枠体２６０がガラスエポキシ樹脂である場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。また、導体パターンの所定部位、具体的には、接合パッド２６１及び外部端子２６２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に、所定の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、導体部２６３は、導体ペーストの印刷又はめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に金属を被着形成するか、貫通孔内に金属を充填して形成する。このような導体部２６３は、例えば金属箔又は金属柱を樹脂成形によって一体化させたり、スパッタリング法，蒸着法等を用いて被着させたりすることで形成される。
本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスは、実装枠体２６０と基板２１０ａとの間に間隙部Ｇが設けられている。これにより、本実施形態の水晶デバイスが電子機器等の実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が凹部Ｋ２内に伝わり、間隙部Ｇにより熱が外部に放出される。このようにすることで、凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響を緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。
本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスは、間隙部Ｇには、絶縁性樹脂１８０が設けられている。これにより、本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスが電子機器等の
実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が凹部Ｋ２内の絶縁性樹脂１８０に伝わり、間隙部Ｇに設けられた絶縁性樹脂１８０が外部に露出しているので、熱が外部に放出される。このようにすることで、凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響をさらに緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。
実装基板に実装されている場合に、この実装基板に実装されている他のパワーアンプ等の電子部品が発熱し、その熱が実装基板を介して凹部Ｋ２内に伝わったとしても、その熱が凹部Ｋ２内の絶縁性樹脂１８０に伝わり、間隙部Ｇに設けられた絶縁性樹脂１８０が外部に露出しているので、熱が外部に放出される。このようにすることで、凹部Ｋ２内に実装された感温素子１５０に対して熱の影響をさらに緩和することができる。よって、このような水晶振動子は、感温素子１５０から出力された電圧を換算することで得られた温度と、実際の水晶素子１２０の周囲の温度との差異を低減することができる。
また、本実施形態の第一変形例に係る水晶デバイスは、間隙部Ｇに絶縁性樹脂１８０が設けられている。このように感温素子１５０が絶縁性樹脂１８０により、確実に固定されることになるので、感温素子１５０が基板２１０ａから剥がれることを低減することができる。
（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶振動子と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例に係る水晶デバイスは、図１０に示すように、パッケージに収容部が設けられておらず、蓋体２３０に収容部Ｋ１が設けられている点で異なっている。
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶振動子と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第二変形例に係る水晶デバイスは、図１０に示すように、パッケージに収容部が設けられておらず、蓋体２３０に収容部Ｋ１が設けられている点で異なっている。
蓋体２３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。蓋体２３０の外形形状は、収容部Ｋ１を備えた箱状部材を逆さまにした形状で、基板３１０ａに形成される封止用導体パターン３１９との接触部分がＬ字状のフランジとなっている。蓋体２３０は、基板３１０ａの外周内側に形成された封止用導体パターン３１９の帯状領域にフランジ部を接触させると共に、収容部Ｋ１内に水晶素子１２０が収納されるようにして基板３１０ａの上面に載置される。このような蓋体２３０は、真空状態にある収容部Ｋ１又は窒素ガスなどが充填された収容部Ｋ１を気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体２３０は、所定雰囲気で、基板３１０ａの上面に載置され、基板３１０ａの封止用導体パターン３１９と蓋体２３０のフランジ部分に設けられた封止部材２３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、基板３１０ａに接合される。また、蓋体２３０は、封止用導体パターン３１９及びビア導体を介して実装枠体１６０の下面の第三外部端子に電気的に接続されている。
封止部材２３１は、基板３１０ａの上面に設けられた封止用導体パターン３１９に相対する蓋体２３０のフランジ部分に設けられている。封止部材２３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。
本実施形態の第二変形例に係る水晶デバイスは、矩形状の基板３１０ａと、基板３１０ａの下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部Ｋ２を形成するための実装枠体３１０ｃと、基板３１０ａの上面に設けられた電極パッド３１１と、実装枠体３１０ｃ内の基板３１０ａの下面に設けられた接続パッド３１７と、電極パッド３１１に実装された水晶素子１２０と、接続パッド３１７に実装された感温素子１５０と、水晶素子１２０を気密封止するための蓋体２３０と、を備え、平面透視した際に、電極パッド３１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられている。このように電極パッド３１１と凹部Ｋ２が重ならない位置に設けられていることで、電極パッド３１１が設けられている位置である基板３１０ａと実装枠体３１０ｃとを足した上下方向の厚みが十分に確保されているため、水晶デバイスの周囲温度の変化にともなう基板３１０ａの伸びまたは縮みによって発生する応力を
低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力を低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となる。
低減することができる。よって、水晶素子１２０に伝わる応力を低減することができ、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となる。
以上のように構成された水晶デバイスは、外部端子の底面がプリント基板にはんだ付け、Ａｕバンプ、導電性接着剤などによって固定されることにより、電子機器を構成するプリント基板の表面に実装される。そして、水晶デバイスは、例えば、パーソナルコンピュータ、時計、ゲーム機、通信機、カーナビゲーションシステム等の車載機器などの種々の電子機器で発振源として用いられる。このように実装された状態で、仮にプリント基板が変形したとしても、電極パッドの直下にある基板と実装枠体とを足した上下方向の厚みが十分に確保されているため、基板と実装枠体により応力が吸収され、水晶素子に作用する応力が低減される。よって、このような電子機器は、水晶デバイスの特性変動、例えば、周波数温度特性の変動であるヒステリシスを低減することが可能となるため、電子機器として温度安定性を確保することができる。
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。
上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。
１１０、２１０・・・パッケージ
１１０ａ、２１０ａ、３１０ａ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ、３１０ｂ・・・枠体
１１０ｃ、２６０、３１０ｃ・・・実装枠体
１１１、２１１・・・電極パッド
１１２、２６２、３１２・・・外部端子
２１２・・・接合端子
１１３、２１３・・・配線パターン
１１４、２１４、３１４・・・ビア導体
１１５、２１５、３１５・・・凸部
１１６・・・突出部
１１７、２１７、３１７・・・接続パッド
１１８、２１８・・・接続パターン
１１９、２１９、３１９・・・封止用導体パターン
２６１・・・接合パッド
２６３・・・導体部
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０、２３０・・・蓋体
１３１、２３１・・・接合部材
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・感温素子
１５１・・・接続端子
１８０・・・絶縁性樹脂
Ｋ１・・・収容部
Ｋ２・・・凹部
Ｇ・・・間隙部
１１０ａ、２１０ａ、３１０ａ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ、３１０ｂ・・・枠体
１１０ｃ、２６０、３１０ｃ・・・実装枠体
１１１、２１１・・・電極パッド
１１２、２６２、３１２・・・外部端子
２１２・・・接合端子
１１３、２１３・・・配線パターン
１１４、２１４、３１４・・・ビア導体
１１５、２１５、３１５・・・凸部
１１６・・・突出部
１１７、２１７、３１７・・・接続パッド
１１８、２１８・・・接続パターン
１１９、２１９、３１９・・・封止用導体パターン
２６１・・・接合パッド
２６３・・・導体部
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・引き出し電極
１３０、２３０・・・蓋体
１３１、２３１・・・接合部材
１４０・・・導電性接着剤
１５０・・・感温素子
１５１・・・接続端子
１８０・・・絶縁性樹脂
Ｋ１・・・収容部
Ｋ２・・・凹部
Ｇ・・・間隙部
Claims (7)
- 矩形状の基板と、
前記基板の下面の短辺側の外周縁に沿って設けられ、凹部を形成するための実装枠体と、
前記基板の上面に設けられた電極パッドと、
前記実装枠体内の前記基板の下面に設けられた接続パッドと、
前記電極パッドに実装された水晶素子と、
前記接続パッドに実装された感温素子と、
前記水晶素子を気密封止するための蓋体と、備え、
平面透視した際に、前記電極パッドと前記凹部が重ならない位置に設けられている水晶デバイス。 - 請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記感温素子が前記基板の長辺と直交する方向に配置されている水晶デバイス。 - 請求項１記載の水晶デバイスであって、
前記凹部の第二中心点が、平面透視した際に、前記基板の第一中心点から電極パッドが設けられている方向と反対の方向に設けられている水晶デバイス。 - 請求項１乃至請求項３の何れか１つの請求項に記載の水晶デバイスであって、
前記感温素子が、絶縁性樹脂により被覆されている水晶デバイス。 - 請求項１乃至請求項３の何れか１つの請求項に記載の水晶デバイスであって、
前記実装枠体と前記基板との間に間隙部が設けられている水晶デバイス。 - 請求項５記載の水晶デバイスであって、
前記間隙部には、絶縁性樹脂が設けられている水晶デバイス。 - 請求項１乃至請求項６の何れか１つの請求項に記載の水晶デバイスを有することを特徴とする電子機器。
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