JP2019186265A - Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium - Google Patents

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Abstract

To improve in-plane uniformity of a thickness of a to-be-processed substrate after processing by performing substrate processing efficiently in processing the to-be-processed substrate and a support substrate to be bonded.SOLUTION: The substrate processing system for processing a to-be-processed substrate W and a support substrate S to be bonded through an adhesive member G includes: a substrate forming portion 160, abutting on a non-bonded surface Wn of the to-be-processed substrate W bonded to the support substrate S through the adhesive member G, for forming the to-be-processed substrate W; and an energy supply portion 161 for supplying energy to the adhesive member G in a state where the non- bonded surface Wn of the to-be-processed substrate W is in contact with the substrate forming portion 160.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing system, a substrate processing method, a program, and a computer storage medium.

近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削あるいは研磨して、ウェハを薄化することが行われている。そして、この薄化されたウェハをそのまま搬送したり、後続の処理を行ったりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板にウェハを貼り付けることが行われている。   In recent years, in a semiconductor device manufacturing process, a wafer is thinned by grinding or polishing the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) having a plurality of devices such as electronic circuits formed on the surface. Things have been done. If the thinned wafer is transported as it is or if subsequent processing is performed, the wafer may be warped or cracked. For this reason, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer is attached to a support substrate.

例えば特許文献１には、複合基板の製造方法が開示されている。この製造方法では、先ず、支持基板の一方の面を研磨することにより当該一方の面を他方の面に対して傾斜した傾斜面を形成した後、支持基板の傾斜面に圧電基板を接合する。その後、圧電基板の露出面が支持基板の他方の面と平行になるように、当該圧電基板を加工した後、さらに圧電基板を研磨して複合基板を得る。そして、複合基板において、圧電基板の厚みを均一にすることが図られている。   For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a composite substrate. In this manufacturing method, first, one surface of the support substrate is polished to form an inclined surface that is inclined with respect to the other surface, and then the piezoelectric substrate is bonded to the inclined surface of the support substrate. Thereafter, the piezoelectric substrate is processed so that the exposed surface of the piezoelectric substrate is parallel to the other surface of the support substrate, and then the piezoelectric substrate is further polished to obtain a composite substrate. In the composite substrate, the thickness of the piezoelectric substrate is made uniform.

特開２０１５−１５９４９９号公報JP2015-159499A

しかしながら、特許文献１に記載された方法では、圧電基板を研磨して薄化するに際し、当該圧電基板の厚みを均一にするため、支持基板の一方の面の研磨と、圧電基板の露出面の加工とが別途行われている。このため、基板処理が煩雑になり、また処理時間もかかる。したがって、従来の基板処理には改善の余地がある。   However, in the method described in Patent Document 1, when the piezoelectric substrate is polished and thinned, in order to make the thickness of the piezoelectric substrate uniform, polishing of one surface of the support substrate and the exposed surface of the piezoelectric substrate are performed. Processing is performed separately. For this reason, substrate processing becomes complicated and processing time is also required. Therefore, there is room for improvement in the conventional substrate processing.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、接合される被処理基板と支持基板を処理するにあたり、基板処理を効率よく行い、処理後の被処理基板の厚みの面内均一性を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and in processing the substrate to be processed and the supporting substrate to be bonded, the substrate processing is efficiently performed, and the in-plane uniformity of the thickness of the substrate to be processed after processing is achieved. The purpose is to improve.

上記課題を解決する本発明は、接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理システムであって、前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に当接し、当該被処理基板を成形する基板成形部と、前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給するエネルギー供給部と、を有する。   The present invention for solving the above-mentioned problems is a substrate processing system for processing a substrate to be processed and a support substrate bonded via an adhesive member, and the substrate to be processed bonded to the support substrate via the adhesive member An energy supply for supplying energy to the adhesive member in a state where the non-bonding surface of the substrate to be processed is in contact with the substrate forming portion; Part.

別な観点による本発明の一態様は、接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理方法であって、前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に基板成形部を当接させて、当該被処理基板を成形する基板成形工程と、前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給し、当該接着部材を硬化させるエネルギー供給工程と、を有する。   Another embodiment of the present invention according to another aspect is a substrate processing method for processing a substrate to be processed and a support substrate that are bonded via an adhesive member, the substrate being bonded to the support substrate via the adhesive member. A substrate molding step in which a substrate molding portion is brought into contact with the non-bonding surface of the processing substrate to mold the substrate to be processed, and the bonding is performed in a state where the non-bonding surface of the substrate to be processed is in contact with the substrate molding portion. An energy supply step of supplying energy to the member and curing the adhesive member.

また別な観点による本発明の一態様によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing system so that the substrate processing method is executed by the substrate processing system.

さらに別な観点による本発明の一態様によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、接合される被処理基板と支持基板を処理するにあたり、基板処理を効率よく行い、処理後の被処理基板の厚みの面内均一性を向上させることができる。   According to the present invention, in processing the substrate to be processed and the support substrate to be bonded, the substrate processing can be efficiently performed, and the in-plane uniformity of the thickness of the substrate to be processed after processing can be improved.

本実施形態にかかる基板処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。It is a top view showing typically the outline of the composition of the substrate processing system concerning this embodiment. 重合基板の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a superposition | polymerization board | substrate. 本実施形態にかかる接合装置の接合ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the joining unit of the joining apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる紫外線処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the ultraviolet-ray processing apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる加工装置の研削ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the grinding unit of the processing apparatus concerning this embodiment. 本実施形態にかかる紫外線処理装置が動作する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the ultraviolet-ray processing apparatus concerning this embodiment operate | moves. 他の実施形態にかかる処理装置の接合ユニットの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the joining unit of the processing apparatus concerning other embodiment. 他の実施形態にかかる処理装置の接合ユニットが動作する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the joining unit of the processing apparatus concerning other embodiment operate | moves. 他の実施形態にかかる紫外線処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the ultraviolet-ray processing apparatus concerning other embodiment. 他の実施形態にかかる紫外線処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the ultraviolet-ray processing apparatus concerning other embodiment. 他の実施形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus concerning other embodiment.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図１は、基板処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。   First, the configuration of the substrate processing system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the substrate processing system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.

基板処理システム１では、図２に示すように例えば接着部材としての接着剤Ｇを介して、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合して重合基板Ｔを形成し、さらに被処理基板Ｗを薄化する。以下、被処理基板Ｗにおいて、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合された面を「接合面Ｗｊ」といい、当該接合面Ｗｊと反対側の面を「非接合面Ｗｎ」という。同様に、支持基板Ｓにおいて、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合された面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊと反対側の面を「非接合面Ｓｎ」という。   In the substrate processing system 1, as shown in FIG. 2, for example, the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded via an adhesive G as an adhesive member to form a superposed substrate T, and the substrate to be processed W is further thinned. Turn into. Hereinafter, in the substrate W to be processed, a surface bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as a “bonding surface Wj”, and a surface opposite to the bonding surface Wj is referred to as a “non-bonding surface Wn”. Similarly, in the support substrate S, a surface bonded to the processing target substrate W via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and a surface opposite to the bonding surface Sj is referred to as “non-bonding surface Sn”.

接着剤Ｇには、紫外線によって硬化する材料が用いられる。
被処理基板Ｗは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハであって、接合面Ｗｊに複数のデバイスが形成されている。
支持基板Ｓは、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、例えばガラス基板などを用いることができる。なお、支持基板Ｓは、紫外線を透過する材料からなるものであれば特に限定されず、例えば石英板やサファイヤ板などを用いてもよい。 For the adhesive G, a material that is cured by ultraviolet rays is used.
The substrate W to be processed is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, for example, and a plurality of devices are formed on the bonding surface Wj.
The support substrate S supports the substrate W to be processed. As the support substrate S, for example, a glass substrate or the like can be used. The support substrate S is not particularly limited as long as it is made of a material that transmits ultraviolet rays. For example, a quartz plate or a sapphire plate may be used.

図１に示すように基板処理システム１は、例えば外部との間で複数の被処理基板Ｗ、複数の支持基板Ｓ、複数の重合基板Ｔをそれぞれ収容可能なカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。   As shown in FIG. 1, in the substrate processing system 1, for example, cassettes Cw, Cs, and Ct that can accommodate a plurality of substrates to be processed W, a plurality of support substrates S, and a plurality of superposed substrates T are carried in and out, for example. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the target substrate W, the support substrate S, and the superposed substrate T are integrally connected.

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣｗ、Ｃｓ、ＣｔをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。   The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. In the illustrated example, a plurality of, for example, four cassettes Cw, Cs, and Ct can be placed on the cassette mounting table 10 in a line in the X-axis direction. Note that the number of cassettes Cw, Cs, and Ct mounted on the cassette mounting table 10 is not limited to this embodiment and can be arbitrarily determined.

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合基板Ｔを保持して搬送する、例えば２本の搬送アーム２３、２３を有している。各搬送アーム２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。   In the loading / unloading station 2, a wafer transfer area 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10. The wafer transfer area 20 is provided with a wafer transfer device 22 that is movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction. The wafer transfer device 22 has, for example, two transfer arms 23 and 23 that hold and transfer the superposed substrate T. Each transfer arm 23 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis. In addition, the structure of the conveyance arm 23 is not limited to this embodiment, Arbitrary structures can be taken.

処理ステーション３には、ウェハ搬送領域２０のＹ軸正方向側に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合する接合装置３０、重合基板Ｔ（接着剤Ｇ）に紫外線を照射する紫外線処理装置３１、及び被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを研削して加工する加工装置３２がＸ軸負方向から正方向側に向けて並べて配置されている。なお、これら接合装置３０、紫外線処理装置３１、加工装置３２の数や配置は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。   In the processing station 3, on the Y axis positive direction side of the wafer transfer region 20, a bonding apparatus 30 for bonding the target substrate W and the support substrate S, and an ultraviolet ray processing apparatus 31 for irradiating the superposed substrate T (adhesive G) with ultraviolet rays. , And a processing apparatus 32 that grinds and processes the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed is arranged side by side from the X-axis negative direction toward the positive direction. In addition, the number and arrangement | positioning of these joining apparatus 30, the ultraviolet-ray processing apparatus 31, and the processing apparatus 32 are not limited to this embodiment, It can determine arbitrarily.

以上の基板処理システム１には、制御装置４０が設けられている。制御装置４０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１における被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置４０にインストールされたものであってもよい。   The above substrate processing system 1 is provided with a control device 40. The control device 40 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the target substrate W, the support substrate S, and the superposed substrate T in the substrate processing system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transfer apparatuses to realize the later-described substrate processing in the substrate processing system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control device 40 from the storage medium H.

次に、接合装置３０、紫外線処理装置３１、及び加工装置３２について説明する。   Next, the joining device 30, the ultraviolet treatment device 31, and the processing device 32 will be described.

接合装置３０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合する。具体的に接合装置３０は、例えば支持基板Ｓに接着剤Ｇを塗布する塗布ユニット１００、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと支持基板Ｓを押圧して接合する接合部としての接合ユニット１０１などを備えている。   The bonding apparatus 30 bonds the target substrate W and the support substrate S. Specifically, the bonding apparatus 30 includes, for example, a coating unit 100 that applies the adhesive G to the support substrate S, and a bonding unit 101 as a bonding portion that presses and bonds the target substrate W and the support substrate S via the adhesive G. Etc.

塗布ユニット１００では、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇをスピン塗布する。具体的には、スピンチャック（図示せず）に保持された支持基板Ｓを回転させながら、ノズル（図示せず）から支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇを供給する。なお、塗布ユニット１００の構成は任意であり、公知の装置を用いることができる。   In the coating unit 100, the adhesive G is spin-coated on the bonding surface Sj of the support substrate S. Specifically, the adhesive G is supplied from the nozzle (not shown) to the bonding surface Sj of the support substrate S while rotating the support substrate S held by the spin chuck (not shown). The configuration of the coating unit 100 is arbitrary, and a known device can be used.

図３に示すように接合ユニット１０１は、支持基板Ｓを上面で載置して保持する下チャック１１０と、被処理基板Ｗを下面で吸着保持する上チャック１１１とを有している。下チャック１１０は、上チャック１１１の下方に設けられ、上チャック１１１と対向するように配置されている。すなわち、下チャック１１０に保持された支持基板Ｓと上チャック１１１に保持された被処理基板Ｗは対向して配置されている。   As shown in FIG. 3, the bonding unit 101 includes a lower chuck 110 for placing and holding the support substrate S on the upper surface, and an upper chuck 111 for attracting and holding the substrate W to be processed on the lower surface. The lower chuck 110 is provided below the upper chuck 111 and is disposed to face the upper chuck 111. That is, the support substrate S held by the lower chuck 110 and the substrate to be processed W held by the upper chuck 111 are arranged to face each other.

下チャック１１０には、例えば支持基板Ｓを静電吸着するための静電チャックが用いられる。下チャック１１０の内部には、支持基板Ｓを加熱する加熱機構１１２が設けられている。加熱機構１１２には、例えばヒータが用いられる。   As the lower chuck 110, for example, an electrostatic chuck for electrostatically attracting the support substrate S is used. A heating mechanism 112 that heats the support substrate S is provided inside the lower chuck 110. For the heating mechanism 112, for example, a heater is used.

上チャック１１１にも、例えば被処理基板Ｗを静電吸着するための静電チャックが用いられる。上チャック１１１の内部には、被処理基板Ｗを加熱する加熱機構１１３が設けられている。加熱機構１１３には、例えばヒータが用いられる。   As the upper chuck 111, for example, an electrostatic chuck for electrostatically attracting the substrate W to be processed is used. Inside the upper chuck 111, a heating mechanism 113 for heating the substrate to be processed W is provided. For the heating mechanism 113, for example, a heater is used.

上チャック１１１の上面側には、上チャック１１１を鉛直下方に押圧する加圧機構１２０が設けられている。加圧機構１２０は、上チャック１１１を鉛直下方に移動させることにより、被処理基板Ｗを支持基板Ｓに接触させて加圧する。かかる加圧機構１２０は、上下一対の支持板１２１、１２２（下側の支持板を１２１とし、上側の支持板を１２２とする。）と、支持板１２１、１２２の間において被処理基板Ｗと支持基板Ｓを覆うように設けられた圧力容器１２３と、圧力容器１２３の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管１２４と、内部に流体を貯留し、流体供給管１２４を介して圧力容器１２３に流体を供給する流体を流体供給源１２５とを有している。   A pressure mechanism 120 that presses the upper chuck 111 vertically downward is provided on the upper surface side of the upper chuck 111. The pressurizing mechanism 120 presses the substrate to be processed W in contact with the support substrate S by moving the upper chuck 111 vertically downward. The pressurizing mechanism 120 includes a pair of upper and lower support plates 121 and 122 (the lower support plate is 121 and the upper support plate is 122) and the substrate W to be processed between the support plates 121 and 122. A pressure vessel 123 provided so as to cover the support substrate S, a fluid supply pipe 124 that supplies a fluid, for example, compressed air, to the inside of the pressure vessel 123, a fluid is stored inside, and the pressure is supplied via the fluid supply pipe 124. A fluid supply source 125 is provided for supplying fluid to the container 123.

圧力容器１２３は、例えば鉛直方向に伸縮自在の例えばベローズにより構成されている。そして、圧力容器１２３に流体供給管１２４から流体を供給することで、圧力容器１２３が下方向に伸長し、当該圧力容器１２３の下面側に設けられた上チャック１１１を下方に押圧することができる。これにより、被処理基板Ｗは支持基板Ｓと接触して加圧される。   The pressure vessel 123 is configured by, for example, a bellows that can be expanded and contracted in the vertical direction. Then, by supplying fluid from the fluid supply pipe 124 to the pressure vessel 123, the pressure vessel 123 extends downward, and the upper chuck 111 provided on the lower surface side of the pressure vessel 123 can be pressed downward. . Thereby, the to-be-processed substrate W contacts with the support substrate S, and is pressurized.

接合ユニット１０１は、内部を密閉可能なチャンバ１３０を有している。チャンバ１３０は、上述した下チャック１１０、上チャック１１１、及び加圧機構１２０を内部に収容する。   The joining unit 101 has a chamber 130 that can be sealed inside. The chamber 130 accommodates the lower chuck 110, the upper chuck 111, and the pressure mechanism 120 described above.

チャンバ１３０は、下チャック１１０を支持する下チャンバ１３１と、上チャック１１１を支持する上チャンバ１３２とを有している。上チャンバ１３２は、昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。下チャンバ１３１における上チャンバ１３２との接合面には、チャンバ１３０の内部の気密性を保持するためのシール材１３３が設けられている。シール材１３３には、例えばＯリングが用いられる。   The chamber 130 includes a lower chamber 131 that supports the lower chuck 110 and an upper chamber 132 that supports the upper chuck 111. The upper chamber 132 is configured to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown). A sealing material 133 for maintaining the airtightness of the inside of the chamber 130 is provided on a joint surface of the lower chamber 131 with the upper chamber 132. For example, an O-ring is used as the sealing material 133.

下チャンバ１３１には、チャンバ１３０内の雰囲気を減圧する減圧機構１４０が設けられている。減圧機構１４０は、チャンバ１３０内の雰囲気を吸気するための吸気管１４１と、吸気管１４１に接続された例えば真空ポンプ等の吸気装置１４２とを有している。   The lower chamber 131 is provided with a decompression mechanism 140 that decompresses the atmosphere in the chamber 130. The decompression mechanism 140 has an intake pipe 141 for taking in the atmosphere in the chamber 130 and an intake device 142 such as a vacuum pump connected to the intake pipe 141.

紫外線処理装置３１は、重合基板Ｔ（接着剤Ｇ）に紫外線を照射し、接着剤Ｇを硬化させる。具体的に図１に示すように紫外線処理装置３１は、例えば重合基板Ｔの表裏面を反転させる反転ユニット１５０、重合基板Ｔ（接着剤Ｇ）に紫外線を照射する紫外線照射ユニット１５１などを備えている。   The ultraviolet treatment device 31 irradiates the polymerization substrate T (adhesive G) with ultraviolet rays to cure the adhesive G. Specifically, as shown in FIG. 1, the ultraviolet treatment apparatus 31 includes, for example, a reversing unit 150 that reverses the front and back surfaces of the polymerization substrate T, an ultraviolet irradiation unit 151 that irradiates the polymerization substrate T (adhesive G) with ultraviolet rays, and the like. Yes.

反転ユニット１５０は、重合基板Ｔの表裏面を反転させる。反転ユニット１５０の構成は任意であり、公知の装置を用いることができる。   The reversing unit 150 reverses the front and back surfaces of the superposed substrate T. The configuration of the reversing unit 150 is arbitrary, and a known device can be used.

図４に示すように紫外線照射ユニット１５１は、被処理基板Ｗが下側であって支持基板Ｓが上側に配置された状態で、重合基板Ｔを保持するチャック１６０を有している。チャック１６０は、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸着保持する。チャック１６０の吸着方法は特に限定されず、例えば被処理基板Ｗを真空吸着してもよいし、静電吸着してもよい。なお、チャック１６０は、昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。   As shown in FIG. 4, the ultraviolet irradiation unit 151 includes a chuck 160 that holds the superposed substrate T in a state where the substrate W to be processed is on the lower side and the support substrate S is disposed on the upper side. The chuck 160 sucks and holds the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed. The chucking method of the chuck 160 is not particularly limited. For example, the substrate W to be processed may be vacuum chucked or electrostatic chucked. The chuck 160 is configured to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown).

チャック１６０の保持面１６０ａは、その中心部が外周部に比べて窪んだ凹形状を有している。そして、チャック１６０で被処理基板Ｗを吸着保持した際、当該被処理基板Ｗは保持面１６０ａの形状に倣って変形する。すなわち、被処理基板Ｗは、その中心部を外周部に比べて支持基板Ｓと反対側に突出させた凸形状に成形される。なお、本実施形態では、チャック１６０が基板成形部を構成している。   The holding surface 160a of the chuck 160 has a concave shape whose central portion is recessed compared to the outer peripheral portion. When the substrate to be processed W is sucked and held by the chuck 160, the substrate to be processed W is deformed following the shape of the holding surface 160a. That is, the substrate W to be processed is formed into a convex shape with its central portion protruding to the opposite side of the support substrate S compared to the outer peripheral portion. In the present embodiment, the chuck 160 constitutes a substrate forming unit.

チャック１６０の上方には、重合基板Ｔ（接着剤Ｇ）に紫外線を照射する紫外線照射部１６１が設けられている。紫外線照射部１６１は、ケーシング１６２の内部に収容されている。紫外線照射部１６１には、例えば紫外線を発するＬＥＤ（図示せず）が複数並べて配置されている。これら複数のＬＥＤの配置や数は任意である。そして、紫外線照射部１６１からの紫外線は、少なくともチャック１６０に保持された重合基板Ｔの全面に照射される。より詳細には、紫外線照射部１６１からの紫外線は、後述するカバー１６３を透過し、さらに支持基板Ｓも透過して、接着剤Ｇの全面に照射される。なお、本実施形態では、紫外線照射部１６１がエネルギー供給部を構成し、すなわち接着剤Ｇに供給されるエネルギーは紫外線である。   Above the chuck 160, an ultraviolet irradiation unit 161 for irradiating the polymerization substrate T (adhesive G) with ultraviolet rays is provided. The ultraviolet irradiation unit 161 is accommodated in the casing 162. In the ultraviolet irradiation unit 161, for example, a plurality of LEDs (not shown) emitting ultraviolet rays are arranged side by side. The arrangement and number of these LEDs are arbitrary. Then, the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 161 are applied to at least the entire surface of the superposed substrate T held by the chuck 160. More specifically, the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 161 are transmitted through a cover 163 (described later) and further through the support substrate S, and are irradiated on the entire surface of the adhesive G. In the present embodiment, the ultraviolet irradiation unit 161 constitutes an energy supply unit, that is, the energy supplied to the adhesive G is ultraviolet rays.

ケーシング１６２の下面には、紫外線処理中に支持基板Ｓの非接合面Ｓｎに当接するカバー１６３が設けられている。カバー１６３の当接面１６３ａは平坦形状を有している。このため、紫外線処理中、チャック１６０に保持された被処理基板Ｗが凸形状に変形しても、カバー１６３に当接する支持基板Ｓは変形せず平坦のままである。カバー１６３は、紫外線照射部１６１から発せられた紫外線を透過する材料からなり、例えばガラス基板を用いることができる。   A cover 163 that contacts the non-joint surface Sn of the support substrate S during ultraviolet processing is provided on the lower surface of the casing 162. The contact surface 163a of the cover 163 has a flat shape. For this reason, even if the to-be-processed substrate W hold | maintained at the chuck | zipper 160 deform | transforms into a convex shape during ultraviolet processing, the support substrate S which contact | abuts the cover 163 does not deform | transform and remains flat. The cover 163 is made of a material that transmits ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation unit 161, and for example, a glass substrate can be used.

加工装置３２は、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを研削して加工する。具体的に加工装置３２は、例えば非接合面Ｗｎを研削する研削部としての研削ユニット、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎや支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを洗浄する洗浄ユニットなどを備えている。   The processing apparatus 32 grinds and processes the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed. Specifically, the processing apparatus 32 includes, for example, a grinding unit as a grinding unit that grinds the non-joint surface Wn, a cleaning unit that cleans the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the non-joint surface Sn of the support substrate S, and the like. Yes.

図５に示すように研削ユニット１７０は、被処理基板Ｗが上側であって支持基板Ｓが下側に配置された状態で、重合基板Ｔを保持するチャック１８０を有している。チャック１８０は、回転機構（図示せず）よって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。また、チャック１８０は、傾斜機構１８１によって水平方向からの傾きを調整可能に構成されている。傾斜機構１８１は、チャック１８０の下面に設けられた固定部１８２と複数の昇降部１８３を有している。各昇降部１８３はチャック１８０を昇降させる。この傾斜機構１８１によって、チャック１８０の外周部の一端部（固定部１８２に対応する位置）を基点に、他端部を昇降部１８３によって鉛直方向に昇降させることで、チャック１８０を傾斜させることができる。そしてこのようにチャック１８０の傾きを調整して、チャック１８０と後述する研削砥石１８４との相対的な傾きが調整される。   As shown in FIG. 5, the grinding unit 170 includes a chuck 180 that holds the superposed substrate T in a state where the substrate W to be processed is on the upper side and the support substrate S is disposed on the lower side. The chuck 180 is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotation mechanism (not shown). Further, the chuck 180 is configured to be able to adjust the tilt from the horizontal direction by the tilt mechanism 181. The tilt mechanism 181 includes a fixing portion 182 and a plurality of lifting portions 183 provided on the lower surface of the chuck 180. Each elevating unit 183 raises and lowers the chuck 180. By this tilting mechanism 181, the chuck 180 can be tilted by lifting and lowering the other end portion in the vertical direction by the lifting and lowering portion 183 with the one end portion (position corresponding to the fixed portion 182) of the outer periphery of the chuck 180 as a base point. it can. In this way, the inclination of the chuck 180 is adjusted to adjust the relative inclination between the chuck 180 and a grinding wheel 184 described later.

チャック１８０の上方には、環状形状の研削砥石１８４が設けられている。研削砥石１８４にはスピンドル１８５を介して駆動部１８６が設けられている。駆動部１８６は例えばモータ（図示せず）を内蔵し、研削砥石１８４を回転させると共に、鉛直方向及び水平方向に移動させる。   An annular grinding wheel 184 is provided above the chuck 180. The grinding wheel 184 is provided with a drive unit 186 via a spindle 185. The drive unit 186 incorporates a motor (not shown), for example, and rotates the grinding wheel 184 and moves it in the vertical direction and the horizontal direction.

そして、研削ユニット１７０では、チャック１８０に保持された被処理基板Ｗと研削砥石１８４の円弧の一部を当接させた状態で、チャック１８０と研削砥石１８４をそれぞれ回転させることによって、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを研削する。   In the grinding unit 170, the substrate to be processed is rotated by rotating the chuck 180 and the grinding wheel 184 in a state where the substrate W to be processed held by the chuck 180 and a part of the arc of the grinding wheel 184 are in contact with each other. The non-bonding surface Wn of W is ground.

次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われる基板処理について説明する。   Next, substrate processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described.

先ず、複数の被処理基板Ｗを収納したカセットＣｗ、複数の支持基板Ｓを収納したカセットＣｓが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。   First, a cassette Cw storing a plurality of substrates W to be processed and a cassette Cs storing a plurality of support substrates S are placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.

次に、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣｓ内の支持基板Ｓが取り出され、接合装置３０に搬送される。接合装置３０では、先ず、塗布ユニット１００において支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇが塗布される。その後、接合ユニット１０１において、支持基板Ｓは下チャック１１０に保持される。この際、下チャック１１０では、接合面Ｓｊが上方を向いた状態、すなわち接着剤Ｇが上方を向いた状態で支持基板Ｓが保持される。   Next, the support substrate S in the cassette Cs is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the bonding device 30. In the bonding apparatus 30, first, the adhesive G is applied to the bonding surface Sj of the support substrate S in the coating unit 100. Thereafter, in the bonding unit 101, the support substrate S is held by the lower chuck 110. At this time, in the lower chuck 110, the support substrate S is held with the bonding surface Sj facing upward, that is, with the adhesive G facing upward.

続けて、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣｗ内の被処理基板Ｗも取り出され、接合装置３０に搬送される。接合装置３０において被処理基板Ｗは、接合ユニット１０１の上チャック１１１に保持される。この際、上チャック１１１では、接合面Ｗｊが下方を向いた状態で被処理基板Ｗが保持される。   Subsequently, the substrate W to be processed in the cassette Cw is also taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the bonding device 30. In the bonding apparatus 30, the target substrate W is held by the upper chuck 111 of the bonding unit 101. At this time, the upper substrate 111 holds the substrate W to be processed with the bonding surface Wj facing downward.

接合ユニット１０１では、下チャンバ１３１と上チャンバ１３２を当接させて、チャンバ１３０の内部に密閉空間を形成した後、減圧機構１４０によって当該密閉空間を所定の真空度まで減圧する。その後、加圧機構１２０によって被処理基板Ｗの全面と支持基板Ｓの全面を押圧し、当該被処理基板Ｗと支持基板Ｓが接合されて重合基板Ｔが形成される。なお、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを押圧する際、加熱機構１１３、１１２によって被処理基板Ｗと支持基板Ｓをそれぞれ所定の温度で加熱する。この加熱により、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと支持基板Ｓが接着される。但し、接着剤Ｇは完全には固化しておらず、ある程度の流動性を有した状態となっている。   In the bonding unit 101, the lower chamber 131 and the upper chamber 132 are brought into contact with each other to form a sealed space in the chamber 130, and then the sealed space is decompressed to a predetermined degree of vacuum by the decompression mechanism 140. Thereafter, the entire surface of the substrate to be processed W and the entire surface of the support substrate S are pressed by the pressurizing mechanism 120, and the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded to form the superposed substrate T. In addition, when pressing the to-be-processed substrate W and the support substrate S, the to-be-processed substrate W and the support substrate S are each heated by predetermined | prescribed temperature with the heating mechanism 113,112. By this heating, the substrate W and the support substrate S are bonded via the adhesive G. However, the adhesive G is not completely solidified and has a certain degree of fluidity.

次に、重合基板Ｔはウェハ搬送装置２２により紫外線処理装置３１に搬送される。紫外線処理装置３１では、先ず、反転ユニット１５０において重合基板Ｔの表裏面が反転され、すなわち被処理基板Ｗが下側であって支持基板Ｓが上側に向けられる。その後、紫外線照射ユニット１５１において重合基板Ｔは、図６（ａ）に示すようにチャック１６０に保持される。チャック１６０は被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを吸着保持し、当該被処理基板Ｗは保持面１６０ａの形状に倣って変形する。すなわち、被処理基板Ｗは、その中心部を外周部に比べて支持基板Ｓと反対側に突出させた凸形状に成形される。この際、接着剤Ｇは流動し、支持基板Ｓが変形することはない。   Next, the superposed substrate T is transferred to the ultraviolet processing apparatus 31 by the wafer transfer device 22. In the ultraviolet processing apparatus 31, first, the front and back surfaces of the superposed substrate T are reversed in the reversing unit 150, that is, the substrate W to be processed is on the lower side and the support substrate S is directed on the upper side. Thereafter, in the ultraviolet irradiation unit 151, the superposed substrate T is held on the chuck 160 as shown in FIG. The chuck 160 sucks and holds the non-joint surface Wn of the substrate to be processed W, and the substrate to be processed W is deformed following the shape of the holding surface 160a. That is, the substrate W to be processed is formed into a convex shape with its central portion protruding to the opposite side of the support substrate S compared to the outer peripheral portion. At this time, the adhesive G flows and the support substrate S is not deformed.

その後、図６（ｂ）に示すようにチャック１６０を上昇させ、支持基板Ｓの支持基板Ｓの非接合面Ｓｎがカバー１６３の当接面１６３ａに当接する。そして、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを所定の圧力を押圧して、被処理基板Ｗの形状と支持基板Ｓの形状をそれぞれ適切に維持する。   Thereafter, as shown in FIG. 6B, the chuck 160 is raised, and the non-joint surface Sn of the support substrate S of the support substrate S contacts the contact surface 163 a of the cover 163. Then, a predetermined pressure is applied to the target substrate W and the support substrate S to appropriately maintain the shape of the target substrate W and the shape of the support substrate S.

その後、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを押圧した状態で、図６（ｃ）に示すように紫外線照射部１６１から重合基板Ｔに紫外線を照射する。より詳細には、紫外線照射部１６１から発せられた紫外線は、カバー１６３を透過し、さらに支持基板Ｓも透過して、接着剤Ｇの全面に照射される。そして、紫外線によって接着剤Ｇが硬化し、被処理基板Ｗが凸形状に維持され、支持基板Ｓが平坦形状に維持される。   Thereafter, in a state where the substrate to be processed W and the support substrate S are pressed, ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation unit 161 to the superposed substrate T as shown in FIG. More specifically, the ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation unit 161 are transmitted through the cover 163 and further through the support substrate S, and are irradiated on the entire surface of the adhesive G. Then, the adhesive G is cured by the ultraviolet rays, the substrate W to be processed is maintained in a convex shape, and the support substrate S is maintained in a flat shape.

その後、図６（ｄ）に示すようにチャック１６０を下降させて、紫外線処理が終了する。その後、反転ユニット１５０において重合基板Ｔの表裏面が反転され、すなわち被処理基板Ｗが上側であって支持基板Ｓが下側に向けられる。   Thereafter, the chuck 160 is lowered as shown in FIG. Thereafter, the front and back surfaces of the superposed substrate T are reversed in the reversing unit 150, that is, the substrate W to be processed is on the upper side and the support substrate S is directed on the lower side.

次に、重合基板Ｔはウェハ搬送装置２２により加工装置３２に搬送される。加工装置３２に搬送された重合基板Ｔは、チャック１８０に受け渡され保持される。チャック１８０は、支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを保持する。この際、非接合面Ｓｎが平坦になっているので、支持基板Ｓを適切に保持することができる。また、チャック１８０では、被処理基板Ｗの凸形状に合わせて、傾斜機構１８１によってチャック１８０の傾きが調整される。すなわち、研削砥石１８４に対して被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが適切に当接するようにチャック１８０の傾きが調整される。そして、このように被処理基板Ｗ（重合基板Ｔ）の保持状態を調整した後、被処理基板Ｗと研削砥石１８４の円弧の一部を当接させた状態で、研削砥石１８４を下降させつつ、チャック１８０と研削砥石１８４をそれぞれ回転させることによって、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎを研削する。   Next, the superposed substrate T is transferred to the processing device 32 by the wafer transfer device 22. The superposed substrate T conveyed to the processing device 32 is delivered to and held by the chuck 180. The chuck 180 holds the non-joint surface Sn of the support substrate S. At this time, since the non-joint surface Sn is flat, the support substrate S can be appropriately held. In the chuck 180, the tilt of the chuck 180 is adjusted by the tilt mechanism 181 according to the convex shape of the substrate W to be processed. That is, the inclination of the chuck 180 is adjusted so that the non-bonding surface Wn of the substrate W to be processed comes into contact with the grinding wheel 184 appropriately. And after adjusting the holding state of the to-be-processed substrate W (overlapping substrate T) in this way, the grinding wheel 184 is lowered while the processed substrate W and a part of the arc of the grinding wheel 184 are in contact with each other. Then, the non-joint surface Wn of the substrate to be processed W is ground by rotating the chuck 180 and the grinding wheel 184, respectively.

ここで、従来、例えば被処理基板の半径分に対して研削砥石を当接させると、被処理基板の中心部が外周部に比べて多く研削されることになり、その結果、研削量が基板面内でばらつき、研削後の被処理基板の厚みが基板面内でばらつく。この点、本実施形態では、予め研削量の面内ばらつきを考慮し、被処理基板Ｗが凸形状を有している。つまり、研削量の面内ばらつきを相殺するように、被処理基板Ｗが凸形状に形成されている。しかも、上述したようにチャック１８０の傾きを調整して、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎに研削砥石１８４が適切に当接する。したがって、研削を均一に行うことができ、研削後の被処理基板Ｗの厚みを基板面内で均一にすることができる。   Here, conventionally, for example, when a grinding wheel is brought into contact with the radius of the substrate to be processed, the central portion of the substrate to be processed is ground more than the outer peripheral portion, and as a result, the amount of grinding is reduced to the substrate. It varies in the plane and the thickness of the substrate to be processed after grinding varies in the plane of the substrate. In this regard, in the present embodiment, the substrate W to be processed has a convex shape in consideration of in-plane variation of the grinding amount in advance. That is, the to-be-processed substrate W is formed in a convex shape so as to cancel out in-plane variations in the grinding amount. In addition, as described above, the inclination of the chuck 180 is adjusted so that the grinding stone 184 properly contacts the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed. Therefore, grinding can be performed uniformly, and the thickness of the substrate W to be processed after grinding can be made uniform in the substrate surface.

その後、すべての処理が施された重合基板Ｔは、ウェハ搬送装置２２によりカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。こうして、基板処理システム１における一連の基板処理が終了する。   Thereafter, the superposed substrate T that has been subjected to all the processes is transferred to the cassette Ct of the cassette mounting table 10 by the wafer transfer device 22. Thus, a series of substrate processing in the substrate processing system 1 is completed.

以上の実施形態によれば、紫外線処理装置３１において重合基板Ｔに対し、接着剤Ｇに紫外線を照射して硬化させ、チャック１６０に保持された被処理基板Ｗを凸形状に変形させる。そうするとその後、加工装置３２において、研削砥石１８４による研削のばらつきを抑制することができる。したがって、研削後の被処理基板Ｗの厚みを基板面内で均一にすることができる。   According to the embodiment described above, in the ultraviolet processing apparatus 31, the polymerization substrate T is irradiated with ultraviolet rays to the adhesive G to be cured, and the target substrate W held on the chuck 160 is deformed into a convex shape. If it does so, in the processing apparatus 32, the dispersion | variation in the grinding by the grinding wheel 184 can be suppressed thereafter. Therefore, the thickness of the substrate to be processed W after grinding can be made uniform within the substrate surface.

また、加工装置３２では、チャック１８０の傾きを調整することで、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎに研削砥石１８４を適切に当接させることができる。その結果、被処理基板Ｗの厚みの面内均一性をさらに向上させることができる。   Further, in the processing apparatus 32, the grinding wheel 184 can be appropriately brought into contact with the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed by adjusting the inclination of the chuck 180. As a result, the in-plane uniformity of the thickness of the substrate W to be processed can be further improved.

しかも、本実施形態によれば、被処理基板Ｗの厚みの面内均一性を向上させるにあたり、上述した従来の特許文献１に記載された方法のように、支持基板を研磨（研削）する必要がない。したがって、基板処理を簡易化することができ、基板処理のスループットも向上する。   Moreover, according to the present embodiment, in order to improve the in-plane uniformity of the thickness of the substrate W to be processed, it is necessary to polish (grind) the support substrate as in the method described in the above-described conventional Patent Document 1. There is no. Therefore, the substrate processing can be simplified and the throughput of the substrate processing is improved.

なお、以上の実施形態では、接合装置３０の接合ユニット１０１において、下チャック１１０で支持基板Ｓを保持し、上チャック１１１で被処理基板Ｗを保持していたが、反対に下チャック１１０で被処理基板Ｗを保持し、上チャック１１１で支持基板Ｓを保持してもよい。かかる場合、塗布ユニット１００では、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇが塗布される。また、接合装置３０で接合され、紫外線処理装置３１に搬送された重合基板Ｔは、反転ユニット１５０で表裏面が反転されることなく、紫外線照射ユニット１５１に直接搬送される。   In the above embodiment, in the bonding unit 101 of the bonding apparatus 30, the support substrate S is held by the lower chuck 110 and the substrate W to be processed is held by the upper chuck 111. The processing substrate W may be held and the support substrate S may be held by the upper chuck 111. In such a case, in the application unit 100, the adhesive G is applied to the bonding surface Wj of the substrate W to be processed. Further, the superposed substrate T joined by the joining device 30 and transported to the ultraviolet processing device 31 is directly transported to the ultraviolet irradiation unit 151 without being reversed by the reversing unit 150.

また、以上の実施形態では、反転ユニット１５０において重合基板Ｔの表裏面を反転していたが、ウェハ搬送装置２２によって重合基板Ｔの表裏面を反転してもよい。   In the above embodiment, the front and back surfaces of the superposed substrate T are reversed in the reversing unit 150, but the front and back surfaces of the superposed substrate T may be reversed by the wafer transfer device 22.

次に、本発明の他の実施形態について説明する。   Next, another embodiment of the present invention will be described.

以上の実施形態では、接合装置３０における接合処理と紫外線処理装置３１における紫外線処理は個別に行われていたが、これら接合処理と紫外線処理を一の処理装置で行うようにしてもよい。かかる場合、図７に示すように処理装置２００は、上記実施形態の接合装置３０において、図３に示した接合ユニット１０１の下チャック１１０に代えて下チャック２０１が設けられ、さらに例えば上チャック１１１と支持板１２１との間に紫外線照射部２０２が設けられた構成を有している。なお、本実施形態の処理装置２００における他の構成は、上記実施形態の接合装置３０における構成と同様であるので説明を省略する。   In the above embodiment, the joining process in the joining apparatus 30 and the ultraviolet treatment in the ultraviolet treatment apparatus 31 are performed separately. However, the joining process and the ultraviolet treatment may be performed in one processing apparatus. In such a case, as shown in FIG. 7, the processing apparatus 200 is provided with a lower chuck 201 in place of the lower chuck 110 in the joining unit 101 shown in FIG. And the support plate 121 are provided with an ultraviolet irradiation unit 202. In addition, since the other structure in the processing apparatus 200 of this embodiment is the same as the structure in the joining apparatus 30 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

下チャック２０１は、上記実施形態の紫外線処理装置３１におけるチャック１６０と同様の構成を有している。すなわち、下チャック２０１の保持面２０１ａは、その中心部が外周部に比べて窪んだ凹形状を有している。また、下チャック２０１は、被処理基板Ｗを静電吸着する。そして、下チャック２０１で被処理基板Ｗを吸着保持した際、当該被処理基板Ｗは保持面２０１ａの形状に倣って変形する。なお、本実施形態では、下チャック２０１が基板成形部を構成している。また、下チャック２０１には、被処理基板Ｗを加熱する加熱機構２０３が設けられている。加熱機構２０３には、例えばヒータが用いられる。   The lower chuck 201 has the same configuration as the chuck 160 in the ultraviolet processing apparatus 31 of the above embodiment. That is, the holding surface 201a of the lower chuck 201 has a concave shape whose central portion is recessed compared to the outer peripheral portion. The lower chuck 201 electrostatically attracts the substrate W to be processed. When the target substrate W is sucked and held by the lower chuck 201, the target substrate W is deformed following the shape of the holding surface 201a. In the present embodiment, the lower chuck 201 constitutes a substrate forming unit. The lower chuck 201 is provided with a heating mechanism 203 that heats the substrate W to be processed. For the heating mechanism 203, for example, a heater is used.

紫外線照射部２０２は、上記実施形態の紫外線処理装置３１における紫外線照射部１６１と同様の構成を有している。すなわち、紫外線照射部２０２には、例えば紫外線を発するＬＥＤ（図示せず）が複数並べて配置されている。また、上チャック１１１は紫外線を透過する材料からなる。そして、紫外線照射部２０２からの紫外線は、上チャック１１１を透過し、さらに支持基板Ｓも透過して、接着剤Ｇの全面に照射される。なお、本実施形態では、紫外線照射部２０２がエネルギー供給部を構成する。   The ultraviolet irradiation unit 202 has the same configuration as the ultraviolet irradiation unit 161 in the ultraviolet processing apparatus 31 of the above embodiment. That is, in the ultraviolet irradiation unit 202, for example, a plurality of LEDs (not shown) that emit ultraviolet rays are arranged side by side. The upper chuck 111 is made of a material that transmits ultraviolet rays. Then, the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 202 are transmitted through the upper chuck 111 and further through the support substrate S, and are irradiated onto the entire surface of the adhesive G. In the present embodiment, the ultraviolet irradiation unit 202 constitutes an energy supply unit.

かかる場合、処理装置２００の接合ユニット１０１では、先ず、接着剤Ｇが塗布された被処理基板Ｗが下チャック２０１に吸着保持される。この際、被処理基板Ｗは保持面２０１ａの形状に倣って、その中心部を外周部に比べて支持基板Ｓと反対側に突出させた凸形状に成形される。続けて、支持基板Ｓが上チャック１１１に保持される。   In such a case, in the bonding unit 101 of the processing apparatus 200, first, the substrate W to which the adhesive G is applied is sucked and held by the lower chuck 201. At this time, the substrate W to be processed is shaped into a convex shape that follows the shape of the holding surface 201a and has a central portion protruding to the opposite side of the support substrate S compared to the outer peripheral portion. Subsequently, the support substrate S is held by the upper chuck 111.

その後、図８に示すように下チャンバ１３１と上チャンバ１３２を当接させて、チャンバ１３０の内部に密閉空間を形成した後、減圧機構１４０によって当該密閉空間を所定の真空度まで減圧する。さらに、加圧機構１２０によって被処理基板Ｗの全面と支持基板Ｓの全面を押圧し、当該被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合する。   After that, as shown in FIG. 8, the lower chamber 131 and the upper chamber 132 are brought into contact with each other to form a sealed space in the chamber 130, and then the sealed space is decompressed to a predetermined vacuum level by the decompression mechanism 140. Further, the entire surface of the substrate to be processed W and the entire surface of the support substrate S are pressed by the pressurizing mechanism 120 to bond the substrate to be processed W and the support substrate S together.

この被処理基板Ｗと支持基板Ｓの接合中に、図８に示すように紫外線照射部２０２から上チャック１１１と支持基板Ｓを介して接着剤Ｇの全面に、紫外線が照射される。そして、紫外線によって接着剤Ｇが硬化し、被処理基板Ｗが凸形状に維持され、支持基板Ｓが平坦形状に維持される。   During the bonding of the substrate to be processed W and the support substrate S, the entire surface of the adhesive G is irradiated from the ultraviolet irradiation unit 202 through the upper chuck 111 and the support substrate S as shown in FIG. Then, the adhesive G is cured by the ultraviolet rays, the substrate W to be processed is maintained in a convex shape, and the support substrate S is maintained in a flat shape.

本実施形態においても、上記実施形態の効果と同様の効果を享受できる。しかも、本実施形態では、一の処理装置２００において、接合処理と紫外線処理が同時に行われるので、基板処理のスループットをさらに向上させることができる。   Also in this embodiment, the same effect as the effect of the said embodiment can be enjoyed. In addition, in the present embodiment, since the bonding process and the ultraviolet ray process are simultaneously performed in one processing apparatus 200, the throughput of the substrate processing can be further improved.

以上の実施形態の紫外線処理装置３１の紫外線照射ユニット１５１には、図９に示すように接着部材除去部としての接着剤除去部２１０がさらに設けられていてもよい。図６（ｂ）に示したようにチャック１６０を上昇させて被処理基板Ｗと支持基板Ｓを押圧する際、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの外側面から外方に接着剤Ｇがはみ出す場合がある。そこで、図９に示した接着剤除去部２１０を用いて、このはみ出した接着剤Ｇを除去する。接着剤除去部２１０の構成は特に限定されるものではないが、例えば接着剤Ｇに溶剤を供給して除去してもよいし、あるいはバイトを用いて接着剤Ｇを削り取っても良い。かかる場合、後続のウェハ搬送装置２２による重合基板Ｔの搬送や接合装置３０における処理において、はみ出した接着剤Ｇが装置に付着するのを抑制することができる。なお、この接着剤除去部２１０は、図７に示した処理装置２００の接合ユニット１０１にも設けられていてもよい。   The ultraviolet irradiation unit 151 of the ultraviolet treatment apparatus 31 of the above embodiment may further include an adhesive removing unit 210 as an adhesive member removing unit as shown in FIG. As shown in FIG. 6B, when the chuck 160 is raised and the substrate to be processed W and the support substrate S are pressed, the adhesive G protrudes outward from the outer surfaces of the substrate to be processed W and the support substrate S. There is. Therefore, the protruding adhesive G is removed using the adhesive removing unit 210 shown in FIG. The configuration of the adhesive removing unit 210 is not particularly limited. For example, a solvent may be supplied to the adhesive G to remove it, or the adhesive G may be scraped off using a cutting tool. In such a case, it is possible to prevent the protruding adhesive G from adhering to the apparatus in the subsequent transfer of the superposed substrate T by the wafer transfer apparatus 22 or the processing in the bonding apparatus 30. The adhesive removing unit 210 may also be provided in the joining unit 101 of the processing apparatus 200 shown in FIG.

また、以上の実施形態の紫外線処理装置３１の紫外線照射ユニット１５１では、チャック１６０の保持面１６０ａは、その中心部が外周部に比べて窪んだ凹形状を有していたが、凹凸形状はこれと反対であってもよい。すなわち、図１０に示すようにチャック１６０の保持面１６０ａは、その中心部が外周部に比べて突出した凸形状を有していてもよい。かかる場合、チャック１６０で被処理基板Ｗを吸着保持した際、当該被処理基板Ｗは、その中心部を外周部に比べて支持基板Ｓ側に窪ませた凹形状に成形される。   Further, in the ultraviolet irradiation unit 151 of the ultraviolet processing apparatus 31 of the above embodiment, the holding surface 160a of the chuck 160 has a concave shape whose central portion is recessed compared to the outer peripheral portion. And may be the opposite. That is, as shown in FIG. 10, the holding surface 160 a of the chuck 160 may have a convex shape whose central portion protrudes compared to the outer peripheral portion. In such a case, when the substrate W to be processed is sucked and held by the chuck 160, the substrate W to be processed is formed into a concave shape in which the central portion is recessed toward the support substrate S compared to the outer peripheral portion.

かかる場合であっても、被処理基板Ｗが凹形状を有しているので、加工装置３２において研削砥石１８４による研削量の面内ばらつきを相殺し、研削後の被処理基板Ｗの厚みを基板面内で均一にすることができる。また、加工装置３２では、被処理基板Ｗの凹形状に合わせてチャック１８０の傾きを調整し、これにより被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎに研削砥石１８４を適切に当接させることができる。その結果、被処理基板Ｗの厚みの面内均一性をさらに向上させることができる。換言すれば、被処理基板Ｗが凸形状又は凹形状のいずれであっても、被処理基板Ｗの中心から対称な形状（シンメトリな形状）であれば、本実施形態と同様の効果を享受することができる。また、チャック１６０の保持面１６０ａを一端から他端に向けて傾斜させ、当該チャック１６０に保持される被処理基板Ｗを、支持基板Ｓに対して一端から他端に傾斜させるように形成してもよく、かかる場合でも、本実施形態と同様の効果を享受することができる。なお、図７に示した処理装置２００の接合ユニット１０１の下チャック２０１についても、凹凸形状は反対であってもよし、あるいは一端から他端に傾斜する形状であってもよい。   Even in such a case, since the substrate to be processed W has a concave shape, the processing apparatus 32 cancels in-plane variation in the amount of grinding by the grinding wheel 184, and the thickness of the substrate to be processed W after grinding is determined as the substrate. It can be made uniform in the plane. Further, in the processing apparatus 32, the inclination of the chuck 180 is adjusted in accordance with the concave shape of the substrate W to be processed, whereby the grinding wheel 184 can be appropriately brought into contact with the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed. As a result, the in-plane uniformity of the thickness of the substrate W to be processed can be further improved. In other words, whether the substrate to be processed W has a convex shape or a concave shape, the same effect as that of the present embodiment can be obtained as long as the shape is symmetrical from the center of the substrate to be processed W. be able to. Further, the holding surface 160a of the chuck 160 is inclined from one end to the other end, and the substrate W to be processed held by the chuck 160 is formed to be inclined from one end to the other end with respect to the support substrate S. Even in such a case, the same effect as that of the present embodiment can be obtained. Note that the lower chuck 201 of the joining unit 101 of the processing apparatus 200 shown in FIG. 7 may also have an uneven shape, or a shape inclined from one end to the other end.

以上の実施形態では、紫外線処理装置３１において接着剤Ｇに紫外線を供給したが、接着剤Ｇに供給するエネルギーはこれに限定されない。例えば接着剤Ｇが熱によって硬化する材料からなる場合、エネルギー供給部として接着剤Ｇを加熱してもよい。   In the above embodiment, the ultraviolet ray is supplied to the adhesive G in the ultraviolet processing apparatus 31, but the energy supplied to the adhesive G is not limited to this. For example, when the adhesive G is made of a material that is cured by heat, the adhesive G may be heated as an energy supply unit.

かかる場合、図１１に示すように熱処理装置２２０は、チャック１６０と熱板２２１とを有している。チャック１６０は、紫外線処理装置３１におけるチャック１６０と同様の構成である。また、チャック１６０は、昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。   In this case, as shown in FIG. 11, the heat treatment apparatus 220 includes a chuck 160 and a hot plate 221. The chuck 160 has the same configuration as the chuck 160 in the ultraviolet processing apparatus 31. The chuck 160 is configured to be vertically movable by an elevating mechanism (not shown).

熱板２２１において、熱処理処理中に支持基板Ｓの非接合面Ｓｎに当接する当接面２２１ａは平坦形状を有している。このため、熱処理中、チャック１６０に保持された被処理基板Ｗが凸形状に変形しても、熱板２２１に当接する支持基板Ｓは変形せず平坦のままである。また、熱板２２１の内部には、接着剤Ｇを加熱する加熱機構２２２が設けられている。加熱機構２２２には、例えばヒータが用いられる。   In the hot plate 221, the contact surface 221a that contacts the non-joint surface Sn of the support substrate S during the heat treatment has a flat shape. For this reason, even if the to-be-processed substrate W hold | maintained at the chuck | zipper 160 deform | transforms into a convex shape during heat processing, the support substrate S contact | abutted to the hot plate 221 does not deform | transform and remains flat. A heating mechanism 222 for heating the adhesive G is provided inside the hot plate 221. For the heating mechanism 222, for example, a heater is used.

かかる熱処理装置２２０では、チャック１６０に保持された被処理基板Ｗを凸形状に成形した後、チャック１６０を上昇させて被処理基板Ｗと支持基板Ｓを押圧した状態で、加熱機構２２２によって接着剤Ｇを加熱する。そうすると、接着剤Ｇが硬化し、被処理基板Ｗが凸形状に維持され、支持基板Ｓが平坦形状に維持される。このようにエネルギーとして熱を用いた場合でも、紫外線を用いた場合と同様の効果を享受できる。   In the heat treatment apparatus 220, the substrate W to be processed held by the chuck 160 is formed into a convex shape, and then the chuck 160 is lifted to press the substrate to be processed W and the support substrate S, and the adhesive is heated by the heating mechanism 222. G is heated. Then, the adhesive G is cured, the substrate W to be processed is maintained in a convex shape, and the support substrate S is maintained in a flat shape. Thus, even when heat is used as energy, the same effect as when ultraviolet rays are used can be enjoyed.

なお、熱処理装置２２０で接着剤Ｇを加熱する場合、支持基板Ｓは紫外線を透過させる必要がなく、ガラス基板以外にもウェハを用いてもよい。また、熱処理装置２２０で接着剤Ｇを加熱する方法は、図１１に示した例に限定されない。例えばチャック１６０の内部に加熱機構（図示せず）を設けて、接着剤Ｇを加熱してもよいし、あるいは別途設けた赤外線等のヒータを用いて、接着剤Ｇを加熱してもよい。   When the adhesive G is heated by the heat treatment apparatus 220, the support substrate S does not need to transmit ultraviolet rays, and a wafer other than the glass substrate may be used. Further, the method of heating the adhesive G with the heat treatment apparatus 220 is not limited to the example shown in FIG. For example, a heating mechanism (not shown) may be provided inside the chuck 160 to heat the adhesive G, or the adhesive G may be heated using a heater such as an infrared provided separately.

以上の実施形態では、紫外線処理装置３１のチャック１６０、処理装置２００の下チャック２０１、あるいは熱処理装置２２０のチャック１６０によって、被処理基板Ｗを変形させていたが、基板成形部はこれらのチャックに限定ない。例えば紫外線処理装置３１のカバー１６３、処理装置２００の上チャック１１１、あるいは熱処理装置２２０の熱板２２１によって、被処理基板Ｗを凸形状や凹形状、傾斜形状などの所定の形状に成形してもよい。   In the above embodiment, the substrate W to be processed is deformed by the chuck 160 of the ultraviolet processing apparatus 31, the lower chuck 201 of the processing apparatus 200, or the chuck 160 of the heat treatment apparatus 220. There is no limitation. For example, the substrate W to be processed may be formed into a predetermined shape such as a convex shape, a concave shape, or an inclined shape by the cover 163 of the ultraviolet ray processing apparatus 31, the upper chuck 111 of the processing apparatus 200, or the hot plate 221 of the heat treatment apparatus 220. Good.

以上の実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合する接着部材として、接着剤Ｇを用いたが、接着部材はこれに限定されない。例えば接着テープによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓを接合してもよい。かかる場合、接着テープの両面には、紫外線や熱によって硬化する材料が設けられる。   In the above embodiment, the adhesive G is used as the adhesive member that joins the target substrate W and the support substrate S, but the adhesive member is not limited to this. For example, the substrate W to be processed and the support substrate S may be bonded with an adhesive tape. In such a case, materials that are cured by ultraviolet rays or heat are provided on both sides of the adhesive tape.

以上の実施形態の基板処理システム１には加工装置３２が設けられていたが、この加工装置３２は基板処理システム１の外部に設けられていてもよい。   Although the substrate processing system 1 of the above embodiment is provided with the processing apparatus 32, the processing apparatus 32 may be provided outside the substrate processing system 1.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this example. It is obvious for those skilled in the art that various changes or modifications can be conceived within the scope of the technical idea described in the claims. It is understood that it belongs to.

１ 基板処理システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
２２ ウェハ搬送装置
３０ 接合装置
３１ 紫外線処理装置
３２ 加工装置
４０ 制御装置
１０１ 接合ユニット
１５１ 紫外線照射ユニット
１６０ チャック
１６１ 紫外線照射部
１７０ 研削ユニット
２００ 処理装置
２０１ チャック
２０２ 紫外線照射部
２１０ 接着剤除去部
２２０ 熱処理装置
２２１ 熱板
２２２ 加熱機構
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｗ 被処理基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 2 Loading / unloading station 3 Processing station 22 Wafer transfer apparatus 30 Bonding apparatus 31 Ultraviolet processing apparatus 32 Processing apparatus 40 Control apparatus 101 Bonding unit 151 Ultraviolet irradiation unit 160 Chuck 161 Ultraviolet irradiation part 170 Grinding unit 200 Processing apparatus 201 Chuck 202 Ultraviolet irradiation unit 210 Adhesive removing unit 220 Heat treatment apparatus 221 Heat plate 222 Heating mechanism S Support substrate T Polymerized substrate W Substrate

Claims (16)

接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理システムであって、
前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に当接し、当該被処理基板を成形する基板成形部と、
前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給するエネルギー供給部と、を有することを特徴とする、基板処理システム。 A substrate processing system for processing a substrate to be processed and a support substrate bonded through an adhesive member,
A substrate molding portion that abuts on a non-bonding surface of the substrate to be processed that is bonded to the support substrate via the adhesive member, and molds the substrate to be processed;
An energy supply unit that supplies energy to the adhesive member in a state in which a non-joint surface of the substrate to be processed is in contact with the substrate forming unit. 前記エネルギー供給部は、前記支持基板を介して前記接着部材に紫外線を照射し、
前記支持基板は紫外線を透過する材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。 The energy supply unit irradiates the adhesive member with ultraviolet rays through the support substrate,
The substrate processing system according to claim 1, wherein the support substrate is made of a material that transmits ultraviolet rays. 前記エネルギー供給部は、前記接着部材を加熱することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein the energy supply unit heats the adhesive member. 前記基板成形部は、中心部を外周部に比べて前記支持基板と反対側に突出させた凸形状、又は中心部を外周部に比べて前記支持基板側に窪ませた凹形状に、前記被処理基板を成形することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate molding portion has a convex shape in which a central portion protrudes on the opposite side of the support substrate compared to the outer peripheral portion, or a concave shape in which the central portion is recessed toward the support substrate side compared to the outer peripheral portion. The substrate processing system according to claim 1, wherein a processing substrate is formed. 前記接着部材を介して前記被処理基板と前記支持基板を接合処理する接合部を有し、
前記接合部における接合処理中に、前記基板成形部による前記被処理基板の成形と前記エネルギー供給部による前記接着部材へのエネルギー供給とが、それぞれ行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。 A bonding portion for bonding the substrate to be processed and the support substrate through the adhesive member;
5. The molding of the substrate to be processed by the substrate molding unit and the energy supply to the adhesive member by the energy supply unit are performed during the bonding process in the bonding unit, respectively. The substrate processing system according to any one of the above. 前記基板成形部で成形された前記被処理基板の非接合面を研削する研削部を有し、
前記研削部は、前記被処理基板の形状に合わせて当該被処理基板の保持状態を調整して、前記非接合面を研削することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理システム。 A grinding part for grinding a non-joint surface of the substrate to be processed formed by the substrate forming part;
The said grinding part adjusts the holding state of the said to-be-processed substrate according to the shape of the to-be-processed substrate, and grinds the said non-joint surface, It is any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. The substrate processing system as described. 前記基板成形部で前記被処理基板を成形した際、前記被処理基板と前記支持基板の外側面から外方にはみ出した前記接着部材を除去する接着部材除去部を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。 An adhesive member removing unit that removes the adhesive member protruding outward from the outer surface of the substrate to be processed and the support substrate when the substrate to be processed is molded by the substrate molding unit. Item 7. The substrate processing system according to any one of Items 1 to 6. 接着部材を介して接合される被処理基板と支持基板を処理する基板処理方法であって、
前記接着部材を介して前記支持基板に接合される前記被処理基板の非接合面に基板成形部を当接させて、当該被処理基板を成形する基板成形工程と、
前記基板成形部に前記被処理基板の非接合面が当接した状態で、前記接着部材にエネルギーを供給し、当該接着部材を硬化させるエネルギー供給工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate to be processed and a support substrate bonded through an adhesive member,
A substrate molding step of molding the substrate to be processed by bringing a substrate molding portion into contact with a non-joint surface of the substrate to be processed that is bonded to the support substrate via the adhesive member;
An energy supply step of supplying energy to the adhesive member and curing the adhesive member in a state where the non-joint surface of the substrate to be processed is in contact with the substrate forming portion. Method. 前記エネルギー供給工程において、前記支持基板を介して前記接着部材に紫外線を照射し、
前記支持基板は紫外線を透過する材料からなることを特徴とする、請求項８に記載の基板処理方法。 In the energy supply step, the adhesive member is irradiated with ultraviolet rays through the support substrate,
The substrate processing method according to claim 8, wherein the support substrate is made of a material that transmits ultraviolet rays. 前記エネルギー供給工程において、前記接着部材を加熱することを特徴とする、請求項８に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8, wherein in the energy supply step, the adhesive member is heated. 前記基板成形工程において、前記基板成形部は、中心部を外周部に比べて前記支持基板と反対側に突出させた凸形状、又は中心部を外周部に比べて前記支持基板側に窪ませた凹形状に、前記被処理基板を成形することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。 In the substrate molding step, the substrate molding portion has a convex shape in which the center portion projects to the opposite side of the support substrate compared to the outer peripheral portion, or the center portion is recessed toward the support substrate side compared to the outer periphery portion. The substrate processing method according to claim 8, wherein the substrate to be processed is formed into a concave shape. 前記接着部材を介して前記被処理基板と前記支持基板を接合処理する接合工程を有し、
前記接合工程における接合処理中に、前記基板成形工程と前記エネルギー供給工程とがそれぞれ行われることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。 A bonding step of bonding the substrate to be processed and the support substrate through the adhesive member;
The substrate processing method according to any one of claims 8 to 11, wherein the substrate forming step and the energy supply step are respectively performed during the bonding process in the bonding step. 前記基板成形工程で成形された前記被処理基板の非接合面を研削する研削工程を有し、
前記研削工程において、前記被処理基板の形状に合わせて当該被処理基板の保持状態を調整して、前記非接合面を研削することを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。 A grinding step of grinding a non-joint surface of the substrate to be processed formed in the substrate forming step;
13. The grinding process according to claim 8, wherein, in the grinding step, the non-joint surface is ground by adjusting a holding state of the substrate to be processed in accordance with a shape of the substrate to be processed. The substrate processing method as described. 前記基板成形工程において、前記被処理基板と前記支持基板の外側面から外方にはみ出した前記接着部材を除去することを特徴とする、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 The substrate processing according to any one of claims 8 to 13, wherein in the substrate forming step, the adhesive member protruding outward from the outer surface of the substrate to be processed and the support substrate is removed. Method. 請求項８〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the substrate processing system so that the substrate processing method according to any one of claims 8 to 14 is executed by the substrate processing system. 請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 15.
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