JP2019178198A - Thermosetting resin composition, coreless substrate, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

Thermosetting resin composition, coreless substrate, printed wiring board, and semiconductor device Download PDF

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JP2019178198A JP2018067023A JP2018067023A JP2019178198A JP 2019178198 A JP2019178198 A JP 2019178198A JP 2018067023 A JP2018067023 A JP 2018067023A JP 2018067023 A JP2018067023 A JP 2018067023A JP 2019178198 A JP2019178198 A JP 2019178198A
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一史 佐藤
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一史 佐藤
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Abstract

To provide a thermosetting resin composition that can be suitably used for materials of an insulating layer of a coreless substrate having reduced occurrence of warpage.SOLUTION: A thermosetting resin composition is used for forming an insulating layer constituting a build-up layer of a printed wiring board. The thermosetting resin composition has a thermosetting resin and an inorganic filler. The ratio of shrinkage amounts X1/X2, measured under specific measurement conditions, using a thermomechanical analyzer, is 0.5 or more and 4.0 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物、コアレス基板、プリント配線板、および半導体装置に関する。より詳細には、プリント配線基板のビルドアップ層を構成する絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物を絶縁層として備えるコアレス基板、当該コアレス基板を備えるプリント配線板、および当該プリント配線板を備える半導体装置に関する。   The present invention relates to a thermosetting resin composition, a coreless substrate, a printed wiring board, and a semiconductor device. More specifically, a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer constituting a build-up layer of a printed wiring board, a coreless substrate provided with a cured product of the thermosetting resin composition as an insulating layer, The present invention relates to a printed wiring board including a coreless substrate and a semiconductor device including the printed wiring board.

金属板等の剛性機能の優れたコア基板を有さないコアレス基板の分野では、様々な技術が開発されている。例えば、特許文献1には、基板上に、カバーフィルム、銅めっきなどの導体、第1繊維層を有する第1絶縁体、導体、第2繊維層を有する第2絶縁体をこの順で形成し、基板とカバーフィルムとを分離することで得られるコアレス基板が記載されている。特許文献1では、平面視で第1方向の繊維束と、平面視で第1方向とは異なる第2方向の繊維束を編み込み、厚み方向に加熱プレスすることにより繊維層を形成している。特許文献1では、繊維束の配向と繊維束の剛性を利用して、各絶縁体の熱収縮性を調整している。   Various technologies have been developed in the field of a coreless substrate that does not have a core substrate having an excellent rigidity function such as a metal plate. For example, in Patent Document 1, a cover film, a conductor such as copper plating, a first insulator having a first fiber layer, a conductor, and a second insulator having a second fiber layer are formed in this order on a substrate. A coreless substrate obtained by separating a substrate and a cover film is described. In Patent Document 1, a fiber layer is formed by weaving a fiber bundle in a first direction in a plan view and a fiber bundle in a second direction different from the first direction in a plan view, and performing heat pressing in the thickness direction. In Patent Document 1, the heat shrinkability of each insulator is adjusted using the orientation of the fiber bundle and the rigidity of the fiber bundle.

特開2008−085107号公報JP 2008-085107 A

本発明者らは、特許文献1に記載されるコアレス基板であってもなお、犠牲基板の上に形成される複数のビルドアップ層に内部応力が蓄積され、犠牲基板およびビルドアップ層を剥離する際にこの内部応力が解放されてビルドアップ層が反ってしまい、コアレス基板に反りが発生することを見出した。   In the coreless substrate described in Patent Document 1, the present inventors still accumulate internal stress in a plurality of buildup layers formed on the sacrificial substrate, and peel off the sacrificial substrate and the buildup layer. At this time, it was found that the internal stress is released and the build-up layer is warped, and the coreless substrate is warped.

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、反りの発生が低減されたコアレス基板の絶縁層の材料として好適に使用できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。   This invention is made | formed in view of the said situation, and provides the thermosetting resin composition which can be used conveniently as a material of the insulating layer of the coreless board | substrate with which generation | occurrence | production of curvature was reduced.

本発明によれば、プリント配線基板のビルドアップ層を構成する絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化性樹脂及び無機充填材を含み、
熱機械分析装置を用いて、下記測定条件で測定した、収縮量の比X1/X2が、0.5以上4以下である、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
(測定条件)
・収縮量の測定条件:当該熱硬化性樹脂を、ガラスクロスに含浸、乾燥させた後、はさみで切り出すことで、流れ方向20mm、幅4mmのプリプレグを得る。当該プリプレグの長手方向の両端における、その両端の表裏合計4箇所に、長さ7mm×幅4mm×厚さ12umの小さな銅箔を貼ることで、銅箔付きプリプレグを得る。当該銅箔付き切り出したプリプレグの銅が貼られた両端をチャックで固定し、熱機械分析装置(TMA)を用いて、下記の熱処理条件で測定を行う。第1の昇温過程後に対する、第1の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX1[ppm]とし、第2の昇温過程後に対する、第2の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX2[ppm]とする。これにより、収縮量の比X1/X2を算出する。
・熱処理条件:まず、第1の昇温過程として、前記銅箔付きプリプレグを温度30℃から180℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第1の熱処理過程として、温度180℃で90分間保持する。次いで、第1の冷却過程として温度180℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。次いで、第2の昇温過程として、温度30℃から220℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第2の熱処理過程として、温度220℃で90分間保持する。次いで、第2の冷却過程として、温度220℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。
According to the present invention, a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer constituting a build-up layer of a printed wiring board,
The thermosetting resin composition includes a thermosetting resin and an inorganic filler,
A thermosetting resin composition having a shrinkage ratio X1 / X2 of 0.5 or more and 4 or less, measured under the following measurement conditions using a thermomechanical analyzer, is provided.
(Measurement condition)
-Shrinkage measurement conditions: After impregnating and drying the thermosetting resin in a glass cloth, the prepreg having a flow direction of 20 mm and a width of 4 mm is obtained by cutting with scissors. A prepreg with a copper foil is obtained by sticking a small copper foil having a length of 7 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 12 um at a total of four positions on both ends of the prepreg in the longitudinal direction. Both ends of the prepreg copper cut out with the copper foil are fixed with a chuck, and measurement is performed under the following heat treatment conditions using a thermomechanical analyzer (TMA). The amount of shrinkage of the prepreg with copper foil after the first heat treatment process after the first temperature raising process is X1 [ppm], and the copper foil after the second heat treatment process after the second temperature raising process. The shrinkage amount of the attached prepreg is set to X2 [ppm]. Thereby, the ratio X1 / X2 of the contraction amount is calculated.
Heat treatment conditions: First, as the first temperature raising process, the prepreg with copper foil is heated from a temperature of 30 ° C. to 180 ° C. at a temperature rising rate of 3 ° C./min. Next, as a first heat treatment process, the temperature is maintained at 180 ° C. for 90 minutes. Next, as a first cooling process, the temperature is lowered from a temperature of 180 ° C. to 30 ° C. at a temperature lowering rate of 5 ° C./min. Next, as a second temperature raising process, the temperature is raised from 30 ° C. to 220 ° C. at a temperature raising rate of 3 ° C./min. Next, as a second heat treatment process, the temperature is maintained at 220 ° C. for 90 minutes. Next, as a second cooling process, the temperature is decreased from 220 ° C. to 30 ° C. at a temperature decrease rate of 5 ° C./min.

また、本発明によれば、上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物によって構成される絶縁層と、回路層と、を含むビルドアップ層を備える、コアレス基板が提供される。   Moreover, according to this invention, a coreless board | substrate provided with the buildup layer containing the insulating layer comprised by the hardened | cured material of the said thermosetting resin composition and a circuit layer is provided.

また、本発明によれば、上記コアレス基板を備えるプリント配線基板が提供される。   Moreover, according to this invention, a printed wiring board provided with the said coreless board | substrate is provided.

また、本発明によれば、上記プリント配線基板と、前記プリント配線基板の前記回路層上に搭載された、または、前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。   In addition, according to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: the printed wiring board; and a semiconductor element mounted on the circuit layer of the printed wiring board or built in the printed wiring board. The

本発明によれば、反りの発生が低減されたコアレス基板の絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いたコアレス基板、プリント配線板および半導体装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thermosetting resin composition used in order to form the insulating layer of the coreless board | substrate with which generation | occurrence | production of curvature was reduced, and a coreless board | substrate, a printed wiring board, and a semiconductor device using the same are provided. .

本実施形態に係るコアレス基板の製造方法の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the manufacturing method of the coreless board | substrate which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るプリント配線基板の一例の模式図である。It is a schematic diagram of an example of the printed wiring board which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る半導体装置の一例の模式図である。It is a mimetic diagram of an example of a semiconductor device concerning this embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

本実施形態によれば、プリント配線基板のビルドアップ層を構成する絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化性樹脂及び無機充填材を含み、
熱機械分析装置を用いて、下記測定条件で測定した、収縮量の比X1/X2が、0.5以上4.0以下である、熱硬化性樹脂組成物が提供される。
(測定条件)
・収縮量の測定条件:当該熱硬化性樹脂を、ガラスクロスに含浸、乾燥させた後、はさみで切り出すことで、流れ方向20mm、幅4mmのプリプレグを得る。当該プリプレグの長手方向の両端における、その両端の表裏合計4箇所に、長さ7mm×幅4mm×厚さ12umの小さな銅箔を貼ることで、銅箔付きプリプレグを得る。当該銅箔付きプリプレグの銅が貼られた両端をチャックで固定し、熱機械分析装置(TMA)を用いて、下記の熱処理条件で測定を行う。第1の昇温過程後に対する、第1の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX1[ppm]とし、第2の昇温過程後に対する、第2の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX2[ppm]とする。これにより、収縮量の比X1/X2を算出する。
・熱処理条件:まず、第1の昇温過程として、前記銅箔付きプリプレグを温度30℃から180℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第1の熱処理過程として、温度180℃で90分間保持する。次いで、第1の冷却過程として温度180℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。次いで、第2の昇温過程として、温度30℃から220℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第2の熱処理過程として、温度220℃で90分間保持する。次いで、第2の冷却過程として、温度220℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。
According to this embodiment, a thermosetting resin composition used for forming an insulating layer constituting a build-up layer of a printed wiring board,
The thermosetting resin composition includes a thermosetting resin and an inorganic filler,
A thermosetting resin composition having a shrinkage ratio X1 / X2 of 0.5 or more and 4.0 or less, measured under the following measurement conditions using a thermomechanical analyzer, is provided.
(Measurement condition)
-Shrinkage measurement conditions: After impregnating and drying the thermosetting resin in a glass cloth, the prepreg having a flow direction of 20 mm and a width of 4 mm is obtained by cutting with scissors. A prepreg with a copper foil is obtained by sticking a small copper foil having a length of 7 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 12 um at a total of four positions on both ends of the prepreg in the longitudinal direction. Both ends of the prepreg with copper foil attached with copper are fixed with a chuck, and measurement is performed under the following heat treatment conditions using a thermomechanical analyzer (TMA). The amount of shrinkage of the prepreg with copper foil after the first heat treatment process after the first temperature raising process is X1 [ppm], and the copper foil after the second heat treatment process after the second temperature raising process. The shrinkage amount of the attached prepreg is set to X2 [ppm]. Thereby, the ratio X1 / X2 of the contraction amount is calculated.
Heat treatment conditions: First, as the first temperature raising process, the prepreg with copper foil is heated from a temperature of 30 ° C. to 180 ° C. at a temperature rising rate of 3 ° C./min. Next, as a first heat treatment process, the temperature is maintained at 180 ° C. for 90 minutes. Next, as a first cooling process, the temperature is lowered from a temperature of 180 ° C. to 30 ° C. at a temperature lowering rate of 5 ° C./min. Next, as a second temperature raising process, the temperature is raised from 30 ° C. to 220 ° C. at a temperature raising rate of 3 ° C./min. Next, as a second heat treatment process, the temperature is maintained at 220 ° C. for 90 minutes. Next, as a second cooling process, the temperature is decreased from 220 ° C. to 30 ° C. at a temperature decrease rate of 5 ° C./min.

本発明者は、例えば、犠牲基板の少なくとも一方面上に本実施形態の熱硬化性樹脂組成物からなる第1の熱硬化性樹脂層を形成する第1の積層工程と、180℃で加熱することで、上記第1の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第1の硬化工程と、プレキュアした上記第1の熱硬化性樹脂層の上に、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物からなる第2の熱硬化性樹脂層を形成する第2の積層工程と220℃で加熱することで、上記第2の熱硬化性樹脂層をフルキュアする第2の硬化工程とを含むコアレス基板のような積層体の製造方法において、熱硬化性樹脂組成物の上記収縮量の比X1/X2が0.5以上4.0以下であることにより、得られる積層体の反りが低減されることを見出した。   The inventor, for example, heats at 180 ° C. a first laminating step of forming a first thermosetting resin layer made of the thermosetting resin composition of the present embodiment on at least one surface of the sacrificial substrate. Thus, the first curing step of precuring the first thermosetting resin layer, and the first thermosetting resin layer of the present embodiment on the precured first thermosetting resin layer. A coreless substrate, including a second laminating step for forming the second thermosetting resin layer and a second curing step for fully curing the second thermosetting resin layer by heating at 220 ° C. In the manufacturing method of a body, when the ratio X1 / X2 of the said shrinkage | contraction amount of a thermosetting resin composition is 0.5 or more and 4.0 or less, it discovered that the curvature of the laminated body obtained was reduced.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む。熱硬化性樹脂組成物の収縮量の比X1/X2は、熱硬化性樹脂および無機充填材の種類および配合量を変えることにより調整することができる。   The thermosetting resin composition of the present embodiment includes a thermosetting resin and an inorganic filler. The ratio X1 / X2 of the shrinkage amount of the thermosetting resin composition can be adjusted by changing the types and blending amounts of the thermosetting resin and the inorganic filler.

<熱硬化性樹脂>
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に用いられる熱硬化性樹脂としては、ガラス転移温度が180℃〜240℃の樹脂を用いることが好ましい。このような樹脂を用いることにより、得られる熱硬化性樹脂組成物の収縮量の比X1/X2を0.5以上4.0以下に調整することができる。
<Thermosetting resin>
As the thermosetting resin used in the thermosetting resin composition of the present embodiment, it is preferable to use a resin having a glass transition temperature of 180 ° C to 240 ° C. By using such a resin, the shrinkage ratio X1 / X2 of the resulting thermosetting resin composition can be adjusted to 0.5 or more and 4.0 or less.

用いることができる熱硬化性樹脂としては、マレイミド化合物、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化性樹脂としては、上記具体例のうち例えば、マレイミド化合物を用いることが好ましい。   Examples of thermosetting resins that can be used include maleimide compounds, epoxy resins, acrylic resins, melamine resins, polyurethane resins, diallyl phthalate resins, and silicone resins. As a thermosetting resin, it can use 1 type or in combination of 2 or more types. As the thermosetting resin, for example, a maleimide compound is preferably used among the above specific examples.

本実施形態において、上記マレイミド化合物のマレイミド基は、5員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物等と強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、熱硬化性樹脂組成物は、マレイミド化合物を含むことにより、得られる絶縁層の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができる。したがって、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてマレイミド樹脂を含むことによって内部応力を低減し、さらにコアレス基板の反り量を低減することができる。   In the present embodiment, the maleimide group of the maleimide compound has a five-membered planar structure, and the double bond of the maleimide group is likely to interact between molecules and has high polarity. It shows strong intermolecular interaction with a compound having a planar structure, etc., and can suppress molecular motion. Therefore, the thermosetting resin composition can reduce the linear expansion coefficient of the obtained insulating layer and improve the glass transition temperature by including a maleimide compound. Therefore, the thermosetting resin composition according to this embodiment can reduce internal stress by including a maleimide resin as the thermosetting resin, and can further reduce the amount of warping of the coreless substrate.

なお、上述したコアレス基板の反り量を低減できる観点から、マレイミド化合物としては、例えば、マレイミド化合物としては、分子内に2つ以上のマレイミド基を有するマレイミド化合物が好ましい。   From the viewpoint of reducing the amount of warping of the coreless substrate described above, as the maleimide compound, for example, a maleimide compound having two or more maleimide groups in the molecule is preferable.

マレイミド化合物としては、具体的には、4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、m−フェニレンビスマレイミド、p−フェニレンビスマレイミド、2,2−ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス−(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、4−メチル−1,3−フェニレンビスマレイミド、N,N’−エチレンジマレイミド、N,N’−ヘキサメチレンジマレイミド、ビス(4−マレイミドフェニル)エーテル、ビス(4−マレイミドフェニル)スルホン、3,3−ジメチル−5,5−ジエチル−4,4−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド等の分子内に2つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミド等の分子内に3つ以上のマレイミド基を有する化合物等が挙げられる。
マレイミド化合物としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the maleimide compound include 4,4′-diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane, bis -(3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, 4-methyl-1,3-phenylenebismaleimide, N, N'-ethylenedimaleimide, N, N'-hexamethylenedimaleimide, bis ( Two maleimide groups in the molecule such as 4-maleimidophenyl) ether, bis (4-maleimidophenyl) sulfone, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide Such as polyphenylmethane maleimide Compounds and the like having three or more maleimide groups within.
As a maleimide compound, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.

上記エポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂(4,4’−(1,3−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールP型エポキシ樹脂(4,4’−(1,4−フェニレンジイソプリジエン)ビスフェノール型エポキシ樹脂)、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂(4,4’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂)等のビスフェノール型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビフェニル型エポキシ樹脂;キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂;ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、2官能ないし4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂;アントラセン型エポキシ樹脂;フェノキシ型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂;ノルボルネン型エポキシ樹脂;アダマンタン型エポキシ樹脂;フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4 ′-(1,3 -Phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 '-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy resin (4,4 Bisphenol type epoxy resins such as' -cyclohexyldiene bisphenol type epoxy resins); phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, tetraphenol group ethane type novolac type epoxy resins, condensed ring aromatic hydrocarbon structures Novolak-type epoxy resins such as volac-type epoxy resins; biphenyl-type epoxy resins; aralkyl-type epoxy resins such as xylylene-type epoxy resins and biphenyl-aralkyl-type epoxy resins; naphthylene ether-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, naphthalenediol-type epoxy resins Naphthalene type epoxy resins such as bifunctional to tetrafunctional naphthalene type epoxy resins, binaphthyl type epoxy resins, naphthalene aralkyl type epoxy resins; anthracene type epoxy resins; phenoxy type epoxy resins; dicyclopentadiene type epoxy resins; norbornene type epoxy resins; Examples thereof include adamantane type epoxy resins and fluorene type epoxy resins.
As an epoxy resin, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.

<無機充填材>
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に用いられる無機充填材としては、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、硫酸バリウム、タルク、窒化ホウ素および窒化アルミからなる群から選択される1種類または2種類以上の無機充填材を含むことができる。中でも、シリカを用いることが、収縮量の比X1/X2を0.5以上4.0以下にできる点で好ましい。
<Inorganic filler>
Examples of the inorganic filler used in the thermosetting resin composition of the present embodiment include silica such as fused silica and crystalline silica, alumina, aluminum hydroxide, silicon nitride, barium sulfate, talc, boron nitride, and aluminum nitride. One type or two or more types of inorganic fillers selected from the group consisting of: Among them, it is preferable to use silica in that the shrinkage ratio X1 / X2 can be set to 0.5 or more and 4.0 or less.

無機充填材は、熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して、50質量部以上80質量部以下の量であることが好ましい。   The inorganic filler is preferably 50 parts by mass or more and 80 parts by mass or less with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition.

<溶媒>
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、原料成分を溶媒に溶解、分散させることで、ワニス状として用いることができる。
溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN−メチルピロリドンなどが挙げられる。溶媒としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
<Solvent>
The thermosetting resin composition of this embodiment can be used as a varnish by dissolving and dispersing raw material components in a solvent.
Specific examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, and carbitol. , Anisole, and N-methylpyrrolidone. As the solvent, among the above specific examples, one kind or a combination of two or more kinds can be used.

<その他の成分>
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、などをさらに含有してもよい。
以下、代表成分について記載する。
<Other ingredients>
The thermosetting resin composition according to the present embodiment may further contain a curing agent, a curing accelerator, and the like as necessary.
Hereinafter, representative components will be described.

<硬化剤>
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、上述した熱硬化性樹脂に応じて、例えば、硬化剤を含んでもよい。硬化剤としては、具体的には、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、活性エステル樹脂などを用いることができる。
<Curing agent>
The thermosetting resin composition according to the present embodiment may include a curing agent, for example, according to the above-described thermosetting resin. Specifically, a phenol resin, a cyanate resin, a benzoxazine resin, an active ester resin, or the like can be used as the curing agent.

上記フェノール樹脂としては、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を限定するものではない。フェノール樹脂としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂;トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂;フェニレン骨格および/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールFなどのビスフェノール化合物などが挙げられる。フェノール樹脂としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、フェノール樹脂としては、室温25℃で液状である液状フェノール樹脂を含むことが好ましい。
Examples of the phenol resin include monomers, oligomers, and polymers in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and the molecular weight and molecular structure thereof are not limited. Specific examples of the phenol resin include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, and naphthol novolak resin; polyfunctional phenol resins such as triphenolmethane type phenol resin; terpene modified phenol resin, dicyclopentadiene Modified phenol resins such as modified phenol resins; Aralkyl type resins such as phenol aralkyl resins having a phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton, naphthol aralkyl resins having phenylene and / or biphenylene skeletons; and bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol F Can be mentioned. As a phenol resin, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
In addition, as a phenol resin, it is preferable to contain the liquid phenol resin which is liquid at room temperature 25 degreeC.

上記ベンゾオキサジン樹脂としては、具体的には、o−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、m−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、p−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−メチルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−シクロヘキシルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−m−トルイジン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−3,5−ジメチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールA−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールA−アミン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールF−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールS−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルスルホン−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルエーテル−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ベンゾフェノン型ベンゾオキサジン樹脂、ビフェニル型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールAF−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールA−メチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−ジアミノジフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、トリフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、およびフェノールフタレイン型ベンゾオキサジン樹脂などが挙げられる。
また、ベンゾオキサジン樹脂の市販品としては、例えば、BF−BXZ、BS−BXZ、BA−BXZ(以上、小西化学工業(株)製)などを用いることができる。
Specific examples of the benzoxazine resin include o-cresol aniline type benzoxazine resin, m-cresol aniline type benzoxazine resin, p-cresol aniline type benzoxazine resin, phenol-aniline type benzoxazine resin, phenol-methyl. Amine type benzoxazine resin, phenol-cyclohexylamine type benzoxazine resin, phenol-m-toluidine type benzoxazine resin, phenol-3,5-dimethylaniline type benzoxazine resin, bisphenol A-aniline type benzoxazine resin, bisphenol A- Amine type benzoxazine resin, bisphenol F-aniline type benzoxazine resin, bisphenol S-aniline type benzoxazine resin, dihydroxydiphenylsulfate -Aniline type benzoxazine resin, dihydroxydiphenyl ether-aniline type benzoxazine resin, benzophenone type benzoxazine resin, biphenyl type benzoxazine resin, bisphenol AF-aniline type benzoxazine resin, bisphenol A-methylaniline type benzoxazine resin, phenol- Examples thereof include diaminodiphenylmethane type benzoxazine resin, triphenylmethane type benzoxazine resin, and phenolphthalein type benzoxazine resin.
Moreover, as a commercial item of a benzoxazine resin, BF-BXZ, BS-BXZ, BA-BXZ (above, Konishi Chemical Industry Co., Ltd. product) etc. can be used, for example.

上記シアネート樹脂としては、シアネートエステル樹脂を用いることができる。
シアネートエステル樹脂としては、具体的には、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート(オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアネートフェニル)エーテルなどの2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂などから誘導される多官能シアネート樹脂;上記例示したシアネートエステル樹脂の一部がトリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
ここで、シアネートエステル樹脂の市販品としては、例えば、ロンザジャパン社製のPT30、BA230、DT−4000、DT−7000などを用いることができる。
As the cyanate resin, a cyanate ester resin can be used.
Specific examples of the cyanate ester resin include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4, 4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5- Bifunctional cyanate resins such as dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, bis (4-cyanatephenyl) ether; phenol Novolac and Cresor Novolak, multifunctional cyanate resin derived from dicyclopentadiene structure-containing phenol resins; and prepolymer portion of the illustrated cyanate ester resin is a triazine of the like.
Here, as a commercial item of cyanate ester resin, for example, PT30, BA230, DT-4000, DT-7000 manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. can be used.

上記活性エステル樹脂としては、具体的には、フェノールエステル化合物、チオフェノールエステル化合物、N−ヒドロキシアミンエステル化合物、複素環ヒドロキシ基がエステル化された化合物等の反応活性の高いエステル基を有し、エポキシ樹脂の硬化作用を有するものを用いることができる。
活性エステル樹脂としては、上記具体例のうち、例えば、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られるものを用いることが好ましい。ここで、ヒドロキシ化合物としては、具体的には、フェノール化合物、ナフトール化合物などが挙げられる。
上記カルボン酸化合物としては、具体的には、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸などが挙げられる。
また、上記フェノール化合物としては、具体的には、ヒドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックなどが挙げられる。
また、上記ナフトール化合物としては、具体的には、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレンなどが挙げられる。
Specifically, the active ester resin has an ester group with high reaction activity such as a phenol ester compound, a thiophenol ester compound, an N-hydroxyamine ester compound, a compound in which a heterocyclic hydroxy group is esterified, and the like. What has the hardening effect | action of an epoxy resin can be used.
As an active ester resin, it is preferable to use what is obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound among the said specific examples, for example. Here, specific examples of the hydroxy compound include phenol compounds and naphthol compounds.
Specific examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.
Specific examples of the phenol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, and o-cresol. M-cresol, p-cresol, catechol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadienyl diphenol, phenol novolac and the like.
Specific examples of the naphthol compound include α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, and the like.

<硬化促進剤>
上述した硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂と、硬化剤との反応を促進させるものを用いることができる。硬化促進剤としては、具体的には、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタンなどの3級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(TPP−K)、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス(4−メチルフェニル)ボレート(TPP−MK)、テトラフェニルホスホニウムのビス(ナフタレン−2,3−ジオキシ)フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物などが挙げられる。
<Curing accelerator>
As the curing accelerator described above, one that promotes the reaction between the thermosetting resin and the curing agent can be used. Specific examples of the curing accelerator include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III) and the like. Organic metal salts, tertiary amines such as triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2,2,2] octane, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate (TPP-K), tetraphenylphosphonium / tetrakis (4-methylphenyl) borate (TPP-MK), quaternary phosphonium compounds such as bis (naphthalene-2,3-dioxy) phenylsilicate adduct of tetraphenylphosphonium, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole 2 Imidazoles such as phenyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, nonylphenol, acetic acid, benzoic acid , Organic acids such as salicylic acid and p-toluenesulfonic acid, and onium salt compounds.

本実施形態の熱硬化性樹脂は、上記成分を溶媒に溶解、分散させることにより、ワニス状の樹脂組成物として提供される。   The thermosetting resin of this embodiment is provided as a varnish-like resin composition by dissolving and dispersing the above components in a solvent.

(コアレス基板の製造方法)
次いで、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を用いてコアレス基板を製造する方法について説明する。
本実施形態のコアレス基板は、例えば、犠牲基板の少なくとも一方面上に、上記熱硬化性樹脂組成物からなる第1の熱硬化性樹脂層を形成する第1の積層工程と、180℃で加熱することで、第1の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第1の硬化工程と、プレキュアした前記第1の熱硬化性樹脂層の上に、本実施形態の熱硬化性樹脂層からなる第2の熱硬化性樹脂層を形成する第2の積層工程と、220℃で加熱することで、プレキュアした前記第1の熱硬化性樹脂層および第2の熱硬化性樹脂層をフルキュアして、それぞれ、第1のビルドアップ層および第2のビルドアップ層とする第2の硬化工程と、第1のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する剥離工程とにより作製される。
以下、各工程の詳細について、コアレス基板の製造方法の一例の模式図である図1に基づいて説明する。
(Manufacturing method of coreless substrate)
Next, a method for producing a coreless substrate using the thermosetting resin composition of the present embodiment will be described.
For example, the coreless substrate of the present embodiment is heated at 180 ° C. in a first lamination step of forming a first thermosetting resin layer made of the thermosetting resin composition on at least one surface of a sacrificial substrate. Thus, a first curing step of precuring the first thermosetting resin layer, and a second curing layer comprising the thermosetting resin layer of the present embodiment on the precured first thermosetting resin layer. And the second thermosetting resin layer and the second thermosetting resin layer that have been precured by heating at 220 ° C. are fully cured, respectively. The first buildup layer and the second buildup layer are produced by a second curing step and a peeling step of peeling the sacrificial substrate from the first buildup layer.
Hereinafter, details of each process will be described based on FIG. 1 which is a schematic diagram of an example of a method of manufacturing a coreless substrate.

本実施形態のコアレス基板が備える第1のビルドアップ層に注目すると、第1のビルドアップ層の収縮量の比X1/X2、換言すると、180℃でプレキュアされた熱硬化性樹脂層の収縮量X1と、220℃でフルキュアされた硬化性樹脂層の収縮量X2の比が比較的小さいため、得られるコアレス基板の反りが低減される。   Focusing on the first buildup layer provided in the coreless substrate of the present embodiment, the shrinkage ratio X1 / X2 of the first buildup layer, in other words, the shrinkage of the thermosetting resin layer precured at 180 ° C. Since the ratio between X1 and the shrinkage amount X2 of the curable resin layer that is fully cured at 220 ° C. is relatively small, warpage of the obtained coreless substrate is reduced.

以下、各工程について図面を参照して説明する。
(第1の積層工程)
第1の積層工程では、図1(a)に示すように、犠牲基板20の少なくとも一方面上に、上記熱硬化性樹脂組成物からなる第1の熱硬化性樹脂層40を形成する。第1の熱硬化性樹脂層40は、犠牲基板の少なくとも一方面上に形成されればよく、例えば、犠牲基板の両面に形成されることが好ましい。これにより、反りを低減したコアレス基板の生産性を向上できる。
また、図1(a)に示すように、第1の熱硬化性樹脂層は、その内部に、導体回路パターン30、または、図示しない電極パッドを備えていてもよい。ここで、導体回路パターン30は、犠牲基板の上に銅箔を積層し、該銅箔をフォトリソグラフィーまたはエッチングすることによって形成してもよく、セミアディティブプロセス法により導体回路パターンを直接形成してもよい。
Hereinafter, each step will be described with reference to the drawings.
(First lamination step)
In the first laminating step, as shown in FIG. 1A, a first thermosetting resin layer 40 made of the thermosetting resin composition is formed on at least one surface of the sacrificial substrate 20. The first thermosetting resin layer 40 may be formed on at least one surface of the sacrificial substrate, and is preferably formed on both surfaces of the sacrificial substrate, for example. Thereby, the productivity of the coreless board | substrate which reduced the curvature can be improved.
Moreover, as shown to Fig.1 (a), the 1st thermosetting resin layer may be provided with the conductor circuit pattern 30 or the electrode pad which is not illustrated in the inside. Here, the conductor circuit pattern 30 may be formed by laminating a copper foil on a sacrificial substrate and photolithography or etching the copper foil, or by directly forming the conductor circuit pattern by a semi-additive process method. Also good.

熱硬化性樹脂組成物からなる第1の熱硬化性樹脂層40を形成する方法としては、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を犠牲基板20の上に塗工する方法、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を乾燥させて樹脂膜である熱硬化性樹脂層40を作製し、犠牲基板20の上に積層する方法などが挙げられる。
あるいは、熱硬化性樹脂層40は、例えば、熱硬化性樹脂組成物をガラスクロス、紙基材といった繊維基材に含浸させ、樹脂膜とすることで形成してもよい。
なお、樹脂膜である第1の熱硬化性樹脂層40を犠牲基板20の上に積層する方法としては、具体的には、真空加熱加圧成形する方法などがあげられる。
As a method of forming the first thermosetting resin layer 40 made of the thermosetting resin composition, a method of coating the varnish-like thermosetting resin composition on the sacrificial substrate 20, a varnish-like thermosetting For example, the thermosetting resin layer 40 that is a resin film is produced by drying the curable resin composition and laminated on the sacrificial substrate 20.
Alternatively, the thermosetting resin layer 40 may be formed, for example, by impregnating a thermosetting resin composition into a fiber substrate such as a glass cloth or a paper substrate to form a resin film.
In addition, as a method of laminating the first thermosetting resin layer 40 which is a resin film on the sacrificial substrate 20, a method of vacuum heating and pressure molding or the like can be specifically mentioned.

本実施形態に係る第1の熱硬化性樹脂層40は、例えば、図1(b)に示すように、ビアホール32を備えていてもよい。ビアホール32は、層間を電気的に接続するための孔であればよく、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。ビアホール32は、例えば、金属を埋設して形成されてもよい。この埋設した金属は、無電解金属めっき膜で覆われた構造を有していてもよい。   For example, the first thermosetting resin layer 40 according to the present embodiment may include a via hole 32 as illustrated in FIG. The via hole 32 may be a hole for electrically connecting layers, and may be either a through hole or a non-through hole. The via hole 32 may be formed by burying a metal, for example. The buried metal may have a structure covered with an electroless metal plating film.

犠牲基板20としては、たとえば、金属層24/キャリア層/プリプレグ/キャリア層/金属層24がこの順で積層されたコア材等が挙げられる。なお、犠牲基板20には、例えば、金属層24表面の非回路部分にあらかじめレジストを形成した状態で、電解金属めっきを行うことにより、導体回路パターン30を設けてもよい。または、金属層24表面に電解金属めっき処理を行った後、この電解金属めっき層に対しフォトリソグラフィーまたはエッチングすることで、導体回路パターン30を設けてもよい。これらの方法で形成した導体回路は、犠牲基板から剥離した後、金属層24を金属エッチング処理で除くことで、プリプレグに埋め込まれた導体回路とすることができる。   Examples of the sacrificial substrate 20 include a core material in which a metal layer 24 / carrier layer / prepreg / carrier layer / metal layer 24 are laminated in this order. For example, the conductor circuit pattern 30 may be provided on the sacrificial substrate 20 by performing electrolytic metal plating in a state where a resist is previously formed on a non-circuit portion on the surface of the metal layer 24. Alternatively, the conductive circuit pattern 30 may be provided by performing electrolytic metal plating on the surface of the metal layer 24 and then photolithography or etching the electrolytic metal plating layer. The conductor circuit formed by these methods can be made into a conductor circuit embedded in a prepreg by removing the metal layer 24 by metal etching after peeling from the sacrificial substrate.

(第1の硬化工程)
第1の硬化工程では、第1の積層工程で形成した第1の熱硬化性樹脂層40を180で加熱することでプレキュアする。
(First curing step)
In the first curing step, the first thermosetting resin layer 40 formed in the first lamination step is pre-cured by heating at 180.

(第2の積層工程)
第2の積層工程では、プレキュアした第1の熱硬化性樹脂層の上に第2の熱硬化性樹脂層50を形成する。
ここで、図1(c)に示すように、第2の熱硬化性樹脂層50は、例えば、その内部に、導体回路パターン34または図示しない電極パッドを備えることが好ましい。ここで、導体回路パターン34は、例えば、上述した導体回路パターン30と同様の方法で形成することができる。
(Second lamination step)
In the second lamination step, the second thermosetting resin layer 50 is formed on the precured first thermosetting resin layer.
Here, as shown in FIG.1 (c), it is preferable that the 2nd thermosetting resin layer 50 equips the inside with the conductor circuit pattern 34 or the electrode pad which is not shown in figure, for example. Here, the conductor circuit pattern 34 can be formed by the same method as the conductor circuit pattern 30 mentioned above, for example.

第2の熱硬化性樹脂層50は、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物によって構成される。また、第2の熱硬化性樹脂層50を形成する方法は、上述した第1の熱硬化性樹脂層40を形成する方法と同様とすることができる。   The 2nd thermosetting resin layer 50 is comprised by the thermosetting resin composition of this embodiment. The method for forming the second thermosetting resin layer 50 can be the same as the method for forming the first thermosetting resin layer 40 described above.

また、本実施形態に係る第2の熱硬化性樹脂層50は、例えば、図1(d)に示すように、ビアホール38を備えていてもよい。ビアホール38は、層間を電気的に接続するための孔であればよく、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。ビアホール38は、例えば、金属を埋設して形成されてもよい。この埋設した金属は、無電解金属めっき膜で覆われた構造を有していてもよい。   Moreover, the 2nd thermosetting resin layer 50 which concerns on this embodiment may be provided with the via hole 38, for example, as shown in FIG.1 (d). The via hole 38 may be a hole for electrically connecting layers, and may be either a through hole or a non-through hole. The via hole 38 may be formed by burying a metal, for example. The buried metal may have a structure covered with an electroless metal plating film.

また、本実施形態に係る第2の熱硬化性樹脂層50は、例えば、図1(d)に示すように、ビアホール38と接続する導体回路パターン39を表面に備えていてもよい。ここで、導体回路パターン39は、上述した導体回路パターン30と同様の方法で形成することができる。   Moreover, the 2nd thermosetting resin layer 50 which concerns on this embodiment may be provided with the conductor circuit pattern 39 connected with the via hole 38 on the surface, for example, as shown in FIG.1 (d). Here, the conductor circuit pattern 39 can be formed by the same method as the conductor circuit pattern 30 described above.

(第2の硬化工程)
第2の硬化工程では、第2の積層工程で形成した第2の熱硬化性樹脂層50を220で加熱することでフルキュアする。これにより、第1の熱硬化性樹脂層40および第2の熱硬化性樹脂層50をフルキュアして、それぞれ、第1のビルドアップ層42および第2のビルドアップ層52を形成する。これらのビルドアップ層を形成する本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、収縮量の比X1/X2が0.5以上4.0以下と小さいため、ビルドアップ層間の熱収縮による変位の差に起因する内部応力が生じることを抑制できる。したがって、得られるコアレス基板の反り量を低減できる。
(Second curing step)
In the second curing step, the second thermosetting resin layer 50 formed in the second lamination step is fully cured by heating at 220. Thereby, the first thermosetting resin layer 40 and the second thermosetting resin layer 50 are fully cured to form the first buildup layer 42 and the second buildup layer 52, respectively. The thermosetting resin composition of the present embodiment for forming these build-up layers has a shrinkage ratio X1 / X2 as small as 0.5 or more and 4.0 or less, so the difference in displacement due to heat shrinkage between the build-up layers. It can suppress that the internal stress resulting from is produced. Therefore, the amount of warpage of the obtained coreless substrate can be reduced.

(剥離工程)
一実施形態において、コアレス基板の製造方法は、第1のビルドアップ層から犠牲基板20を剥離する工程を含んでもよい。この剥離工程により、図1(e)に示すように、コアレス基板100を得ることができる。本実施形態に係るコアレス基板は、例えば、金属層、第1のビルドアップ層、第2のビルドアップ層がこの順で積層した積層構造を備え、第2のビルドアップ層の表面に導体回路パターン39を備える。
(Peeling process)
In one embodiment, the method of manufacturing a coreless substrate may include a step of peeling the sacrificial substrate 20 from the first buildup layer. By this peeling step, the coreless substrate 100 can be obtained as shown in FIG. The coreless substrate according to the present embodiment has a laminated structure in which, for example, a metal layer, a first buildup layer, and a second buildup layer are laminated in this order, and a conductor circuit pattern is formed on the surface of the second buildup layer. 39.

(エッチング工程)
ここで、上述した第1の積層工程において、第1のビルドアップ層42と、犠牲基板20との間に金属層24が存在する、すなわち、犠牲基板と、金属層と、第1の熱硬化性樹脂層とをこの順で積層した3層積層構造を形成されている場合、剥離工程によって、金属層は、例えば、第1のビルドアップ層42に積層したままになる。この場合、金属層をエッチングし、取り除くエッチング工程を更に含んでもよい。
エッチングする方法としては限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
(Etching process)
Here, in the first laminating step described above, the metal layer 24 exists between the first buildup layer 42 and the sacrificial substrate 20, that is, the sacrificial substrate, the metal layer, and the first thermosetting. When the three-layer laminated structure is formed by laminating the functional resin layer in this order, the metal layer remains, for example, laminated on the first buildup layer 42 by the peeling process. In this case, an etching process for etching and removing the metal layer may be further included.
It does not limit as a method to etch, A conventionally well-known method can be used.

本実施形態のコアレス基板は、必要に応じて、第3のビルドアップ層、第4のビルドアップ層等の任意の数のさらなるビルドアップ層を含んでもよく、これらの製造方法は、上記と同様である。   The coreless substrate of the present embodiment may include any number of additional buildup layers such as a third buildup layer and a fourth buildup layer as necessary, and these manufacturing methods are the same as described above. It is.

(用途)
本実施形態係るコアレス基板は、例えば、パネルレベルパッケージ、プリント配線基板などに用いられる基板として用いることができる。本実施形態に係るコアレス基板は、反り量が小さく、従来のコアを備える基板よりも薄いため、上述した用途に好適に用いることができる。
以下に、本実施形態に係るコアレス基板を、プリント配線基板300に用いた例について、図2に基づいて説明する。
(Use)
The coreless substrate according to the present embodiment can be used as a substrate used for a panel level package, a printed wiring board, and the like. Since the coreless substrate according to the present embodiment has a small amount of warpage and is thinner than a substrate having a conventional core, it can be suitably used for the above-described applications.
Hereinafter, an example in which the coreless substrate according to the present embodiment is used for the printed wiring board 300 will be described with reference to FIG.

(プリント配線基板)
本実施形態に係るプリント配線基板300は、例えば、絶縁層301(コアレス基板)と、絶縁層401(ソルダーレジスト層)とを備える構造でもよい。本実施形態に係るコアレス基板を用いることによって、多層プリント配線基板を作製することができる。
(Printed wiring board)
The printed wiring board 300 according to the present embodiment may have a structure including, for example, an insulating layer 301 (coreless substrate) and an insulating layer 401 (solder resist layer). By using the coreless substrate according to the present embodiment, a multilayer printed wiring board can be produced.

また、本実施形態に係るコアレス基板を用いたパネルレベルパッケージ、プリント配線基板は、例えば、半導体装置に用いることができる。
以下に、図3を一例として、本実施形態に係る半導体装置について説明する。
Further, the panel level package and the printed wiring board using the coreless substrate according to the present embodiment can be used for a semiconductor device, for example.
The semiconductor device according to the present embodiment will be described below using FIG. 3 as an example.

(半導体装置)
本実施形態に係る半導体装置400は、例えば、プリント配線基板300と、プリント配線基板300の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板300に内蔵された半導体素子407と、を備えることができる。
(Semiconductor device)
The semiconductor device 400 according to the present embodiment can include, for example, a printed wiring board 300 and a semiconductor element 407 mounted on the circuit layer of the printed wiring board 300 or built in the printed wiring board 300. .

例えば、図3に示される半導体装置400は、図2に示されるプリント配線基板300の上に、半導体素子407が搭載された構造を有する。半導体素子407は、封止材層413に覆われている。このような半導体パッケージは、半田バンプ410および金属層303を介して、半導体素子407が、プリント配線基板300と電気的に接続するフリップチップ構造であってもよい。   For example, the semiconductor device 400 shown in FIG. 3 has a structure in which a semiconductor element 407 is mounted on the printed wiring board 300 shown in FIG. The semiconductor element 407 is covered with a sealing material layer 413. Such a semiconductor package may have a flip chip structure in which the semiconductor element 407 is electrically connected to the printed wiring board 300 via the solder bump 410 and the metal layer 303.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、実施例、比較例で用いた原料成分について説明する。
Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to these.
First, raw material components used in Examples and Comparative Examples will be described.

(熱硬化性樹脂)
・熱硬化性樹脂1:エポキシ樹脂(DIC社製、HP−7200)
・熱硬化性樹脂2:シアネート樹脂(ロンザ社製、PT−30)
・熱硬化性樹脂3:ベンゾオキサジン樹脂(四国化成工業社製、P−d型ベンゾオキサジン)
・熱硬化性樹脂4:ビスマレイミド樹脂(大和化成工業社製、BMI−1000)
・熱硬化性樹脂5:アリルフェノール樹脂(大和化成工業社製、DABPA)
(Thermosetting resin)
-Thermosetting resin 1: Epoxy resin (manufactured by DIC, HP-7200)
-Thermosetting resin 2: Cyanate resin (Lonza, PT-30)
Thermosetting resin 3: benzoxazine resin (Pd type benzoxazine, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
Thermosetting resin 4: Bismaleimide resin (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd., BMI-1000)
・ Thermosetting resin 5: Allylphenol resin (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo, DABPA)

(その他物質)
・無機充填材1:シリカ(アドマテックス社製、SO−C4)
・硬化促進剤1:イミダゾール(四国化成工業社製、キュアゾール2PZ−PW)
・カップリング剤1:エポキシシランカップリング剤(信越化学工業社製、KBM−403)
(Other substances)
Inorganic filler 1: Silica (manufactured by Admatechs, SO-C4)
Curing accelerator 1: Imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., Curesol 2PZ-PW)
Coupling agent 1: Epoxysilane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403)

(実施例1〜2、比較例1)
実施例1〜2、比較例1の熱硬化性樹脂組成物の作製方法について説明する。
まず、表1に示す配合量の各原料成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分70質量%となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニスを調製した。なお、各原料成分の配合量の単位は質量部である。
(Examples 1-2, Comparative Example 1)
The production methods of the thermosetting resin compositions of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 will be described.
First, each raw material component of the compounding amount shown in Table 1 was dissolved or dispersed, adjusted with methyl ethyl ketone to have a nonvolatile content of 70% by mass, and stirred using a high-speed stirring device to prepare a resin varnish. In addition, the unit of the compounding quantity of each raw material component is a mass part.

(プリプレグの作製)
各実施例、各比較例の熱硬化性樹脂組成物のワニスを、繊維基材(ユニチカ製、#1017Eガラスクロス)に塗布し、次いで、温度170℃で2分間乾燥することによって溶媒を除去し、厚さ30μmのプリプレグを作製した。
(Preparation of prepreg)
The varnish of the thermosetting resin composition of each example and each comparative example was applied to a fiber base (Unitika, # 1017E glass cloth), and then the solvent was removed by drying at a temperature of 170 ° C. for 2 minutes. A prepreg having a thickness of 30 μm was prepared.

(ガラス転移温度)
各実施例、各比較例の熱硬化性樹脂組成物を用いて作製したプリプレグを用いて、プリプレグのガラス転移温度を測定した。以下に詳細を説明する。
まず、プリプレグを恒温器(エスペック社製、PHH−101M)内で吊るした状態で220℃、2時間の条件で加熱処理し、樹脂を硬化させた。次に、処理したプリプレグを、はさみを用いて流れ方向35mm×幅8mmのサイズに切り出し、ガラス転移温度の測定用サンプルを作製した。
測定は、動的粘弾性測定を用いて行った。測定温度30℃以上450℃以下、昇温速度5℃/min、周波数1rad/secで変形モードを引張モードとして行い、tanδのピークにおける温度をガラス転移温度として評価した。評価結果を下記表1に示す。なお、単位は℃である。
(Glass-transition temperature)
The glass transition temperature of the prepreg was measured using the prepreg produced using the thermosetting resin composition of each example and each comparative example. Details will be described below.
First, in a state where the prepreg was suspended in a thermostat (PHH-101M, manufactured by Espec Corp.), the resin was cured by heat treatment at 220 ° C. for 2 hours. Next, the treated prepreg was cut into a size of 35 mm in the flow direction and 8 mm in width using scissors to prepare a sample for measuring the glass transition temperature.
The measurement was performed using dynamic viscoelasticity measurement. The deformation mode was the tensile mode at a measurement temperature of 30 ° C. to 450 ° C., a temperature increase rate of 5 ° C./min, and a frequency of 1 rad / sec, and the temperature at the peak of tan δ was evaluated as the glass transition temperature. The evaluation results are shown in Table 1 below. The unit is ° C.

(収縮量)
各実施例、各比較例の熱硬化性樹脂組成物を用いて作製したプリプレグを用いて、収縮量X1、X2を測定し、収縮量の比X1/X2を算出した。以下に詳細を説明する。
まず、プリプレグを、はさみを用いて流れ方向20mm×幅4mmに切り出した。次いで、当該プリプレグの長手方向の両端における、その両端の表裏合計4箇所に、長さ7mm×幅4mm×厚さ12umの小さな銅箔を貼ることで、銅箔付きプリプレグを得た。
上記サンプルを測定冶具に固定し、熱機械分析装置(thermomechanical analyzer:TMA)を用いて下記の熱処理条件で測定を行った。
ここで、第1の昇温過程後に対する、第1の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX1[ppm]とし、第2の昇温過程後に対する、第2の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX2[ppm]として評価した。また、得られたX1、X2より、収縮量の比X1/X2を算出した。評価結果を下記表1に示す。
(熱処理条件)
以下の第1の昇温過程、第1の熱処理過程、第1の冷却過程、第2の昇温過程、第2の熱処理過程、第2の冷却過程をこの順で連続して行った。
まず、第1の昇温過程として、前記銅箔付きプリプレグを温度30℃から180℃まで昇温速度3℃/minで昇温した。
次いで、第1の熱処理過程として、温度180℃で90分間保持した。
次いで、第1の冷却過程として温度180℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温した。
次いで、第2の昇温過程として、温度30℃から220℃まで昇温速度3℃/minで昇温した。
次いで、第2の熱処理過程として、温度220℃で90分間保持した。
次いで、第2の冷却過程として、温度220℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温した。
(Shrinkage)
The shrinkage amounts X1 and X2 were measured using prepregs prepared using the thermosetting resin compositions of the examples and comparative examples, and the shrinkage ratio X1 / X2 was calculated. Details will be described below.
First, the prepreg was cut into a flow direction 20 mm × width 4 mm using scissors. Next, a small copper foil having a length of 7 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 12 μm was pasted on the front and back in total at both ends in the longitudinal direction of the prepreg to obtain a prepreg with a copper foil.
The sample was fixed to a measurement jig, and measurement was performed under the following heat treatment conditions using a thermomechanical analyzer (TMA).
Here, the amount of shrinkage of the prepreg with copper foil after the first heat treatment process after the first heat treatment process is X1 [ppm], and after the second heat treatment process with respect to the second heat treatment process. The shrinkage amount of the prepreg with copper foil was evaluated as X2 [ppm]. Further, the shrinkage ratio X1 / X2 was calculated from the obtained X1 and X2. The evaluation results are shown in Table 1 below.
(Heat treatment conditions)
The following first temperature raising process, first heat treatment process, first cooling process, second temperature raising process, second heat treatment process, and second cooling process were successively performed in this order.
First, as the first temperature raising process, the prepreg with copper foil was heated from a temperature of 30 ° C. to 180 ° C. at a temperature raising rate of 3 ° C./min.
Next, as a first heat treatment process, the temperature was maintained at 180 ° C. for 90 minutes.
Subsequently, as a first cooling process, the temperature was decreased from 180 ° C. to 30 ° C. at a temperature decreasing rate of 5 ° C./min.
Next, as a second temperature raising process, the temperature was raised from 30 ° C. to 220 ° C. at a temperature raising rate of 3 ° C./min.
Next, as a second heat treatment process, the temperature was maintained at 220 ° C. for 90 minutes.
Next, as a second cooling process, the temperature was decreased from 220 ° C. to 30 ° C. at a temperature decrease rate of 5 ° C./min.

また、各実施例、各比較例の熱硬化性樹脂組成物を用いて、コアレス基板を作製した。以下に詳細を説明する。   Moreover, the coreless board | substrate was produced using the thermosetting resin composition of each Example and each comparative example. Details will be described below.

(犠牲基板の準備)
犠牲基板として、プリプレグの両面にピーラブル銅箔(三井金属鉱業社製、MT−Ex−5μm)を備えるコア材(住友ベークライト製、LAZ−4785GH−G、厚さ0.1mm)を準備した。
(Sacrificial substrate preparation)
As a sacrificial substrate, a core material (manufactured by Sumitomo Bakelite, LAZ-4785GH-G, thickness 0.1 mm) provided with peelable copper foil (manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd., MT-Ex-5 [mu] m) was prepared on both sides of the prepreg.

(第1の積層工程、第1の硬化工程)
次いで、犠牲基板のピーラブル銅箔を覆うように、上記のプリプレグを犠牲基板の両面に配置し、第1の熱硬化性樹脂層とした。次いで、第1の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度180℃に加熱して90分間真空ラミネートすることによって、第1の熱硬化性樹脂層をプレキュアした。次いで、銅箔をエッチングすることによりパターニングして、導体回路パターンからなる第1の回路層を形成した。
これにより、第1の回路層、プレキュアした第1の熱硬化性樹脂層、犠牲基板、プレキュアした第1の熱硬化性樹脂層、第1の回路層をこの順で積層した第1の積層体を作製した。
(First laminating step, first curing step)
Next, the prepreg was placed on both surfaces of the sacrificial substrate so as to cover the peelable copper foil of the sacrificial substrate, thereby forming a first thermosetting resin layer. Next, a copper foil was further laminated on the first thermosetting resin layer, and the first thermosetting resin layer was precured by heating to a temperature of 180 ° C. and vacuum laminating for 90 minutes. Next, the copper foil was etched and patterned to form a first circuit layer composed of a conductor circuit pattern.
Thus, the first circuit layer, the precured first thermosetting resin layer, the sacrificial substrate, the precured first thermosetting resin layer, and the first circuit layer are stacked in this order. Was made.

(第2の積層工程、第2の硬化工程)
次いで、第1の積層体が両面に備える導体回路パターンを覆うように、上記のプリプレグを犠牲基板の両面に配置し、第2の熱硬化性樹脂層とした。次いで、第2の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度220℃に加熱して90分間真空ラミネートすることによって、第2の熱硬化性樹脂層をフルキュアした。次いで、銅箔をエッチングすることによりパターニングして、導体回路パターンからなる第2の回路層を形成した。
これにより、第2の回路層、フルキュアした第2の熱硬化性樹脂層、第1の回路層、フルキュアした第1の熱硬化性樹脂層、犠牲基板、フルキュアした第1の熱硬化性樹脂層、第1の回路層、フルキュアした第2の熱硬化性樹脂層、第2の回路層をこの順で積層した第2の積層体を作製した。
(Second laminating step, second curing step)
Next, the prepreg was disposed on both surfaces of the sacrificial substrate so as to cover the conductor circuit pattern provided on both surfaces of the first laminate, thereby forming a second thermosetting resin layer. Next, a copper foil was further laminated on the second thermosetting resin layer, and the second thermosetting resin layer was fully cured by heating to 220 ° C. and vacuum laminating for 90 minutes. Next, the copper foil was etched and patterned to form a second circuit layer made of a conductor circuit pattern.
Thus, the second circuit layer, the fully cured second thermosetting resin layer, the first circuit layer, the fully cured first thermosetting resin layer, the sacrificial substrate, and the fully cured first thermosetting resin layer. Then, a second laminated body was produced in which the first circuit layer, the fully cured second thermosetting resin layer, and the second circuit layer were laminated in this order.

(剥離工程)
次いで、ピーラブル銅箔を剥離することで、犠牲基板と、第1のビルドアップ層とを剥離し、ピーラブル銅箔、第1のビルドアップ層、第2のビルドアップ層がこの順で積層するコアレス基板を作製した。
(Peeling process)
Next, by peeling the peelable copper foil, the sacrificial substrate and the first buildup layer are peeled off, and the peelable copper foil, the first buildup layer, and the second buildup layer are laminated in this order. A substrate was produced.

(コアレス基板の反り量)
剥離工程において、ピーラブル銅箔を剥離する際、コアレス基板に反りが生じることが確認された。
そこで、各実施例、各比較例のコアレス基板に生じる反り量を測定した。以下に詳細を説明する。
まず、得られたコアレス基板を、反ったコアレス基板の四隅が接地しないように平面上に静置した。
次いで、平面から四隅までの長さ、及び、四隅から平面までの長さをそれぞれ測定し、その平均値をコアレス基板の反り量として評価した。この評価結果を、w/ copperの評価結果として下記表1に示す。なお、単位はmmである。
また、各実施例、各比較例のコアレス基板の作製方法によって得られたコアレス基板について、銅エッチング処理をすることでピーラブル銅箔を取り除いた。この時のコアレス基板の反り量の評価結果を、w/o copperの評価結果として下記表1に示す。なお、単位はmmである。
なお、コアレス基板が、第2のビルドアップ層を内側に巻き込む様に反ったものをスマイル反りとし、反り量の符号を正とした。また、コアレス基板が、第1のビルドアップ層を内側に巻き込む様に反ったものをクライ反りとし、反り量の符号を負とした。なお、実施例1〜3、比較例1の評価結果は全て正、すなわち、スマイル反りをするコアレス基板であった。
(War amount of coreless substrate)
In the peeling process, it was confirmed that the coreless substrate is warped when the peelable copper foil is peeled off.
Therefore, the amount of warpage generated in the coreless substrate of each example and each comparative example was measured. Details will be described below.
First, the obtained coreless substrate was placed on a flat surface so that the four corners of the warped coreless substrate were not grounded.
Next, the length from the plane to the four corners and the length from the four corners to the plane were measured, and the average value was evaluated as the amount of warpage of the coreless substrate. The evaluation results are shown in Table 1 below as w / copper evaluation results. The unit is mm.
Moreover, the peelable copper foil was removed by carrying out copper etching process about the coreless board | substrate obtained by the preparation method of the coreless board | substrate of each Example and each comparative example. The evaluation result of the warpage amount of the coreless substrate at this time is shown in the following Table 1 as the evaluation result of w / o copper. The unit is mm.
The coreless substrate warped so as to wind the second buildup layer inside was defined as a smile warp, and the sign of the warp amount was positive. The coreless substrate warped so that the first buildup layer was wound inside was defined as a cry warp, and the sign of the warp amount was negative. The evaluation results of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were all positive, that is, a coreless substrate having a smile warp.

Figure 2019178198
Figure 2019178198

上記表1に示す通り、各実施例の熱硬化性樹脂組成物は、コアレス基板を作製し、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離した際、比較例の熱硬化性樹脂組成物と比べて、ビルドアップ層に生じる反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできることが確認された。   As shown in Table 1 above, when the thermosetting resin composition of each example was prepared as a coreless substrate and the sacrificial substrate and the buildup layer were peeled off, the thermosetting resin composition of the comparative example was built. It was confirmed that the warp generated in the up layer can be reduced and the warp amount of the coreless substrate can be reduced.

Claims (10)

プリント配線基板のビルドアップ層を構成する絶縁層を形成するために用いられる熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂組成物は熱硬化性樹脂及び無機充填材を含み、
熱機械分析装置を用いて、下記測定条件で測定した、収縮量の比X1/X2が、0.5以上4.0以下である、熱硬化性樹脂組成物。
(測定条件)
・収縮量の測定条件:当該熱硬化性樹脂組成物を、ガラスクロスに含浸、乾燥させた後、はさみで切り出すことで、流れ方向20mm、幅4mmのプリプレグを得る。当該プリプレグの長手方向の両端における、その両端の表裏合計4箇所に、長さ7mm×幅4mm×厚さ12umの小さな銅箔を貼ることで、銅箔付きプリプレグを得る。当該銅箔付きプリプレグの銅が貼られた両端をチャックで固定し、熱機械分析装置(TMA)を用いて、下記の熱処理条件で測定を行う。第1の昇温過程後に対する、第1の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX1[ppm]とし、第2の昇温過程後に対する、第2の熱処理過程後の当該銅箔付きプリプレグの収縮量をX2[ppm]とする。これにより、収縮量の比X1/X2を算出する。
・熱処理条件:まず、第1の昇温過程として、前記銅箔付きプリプレグを温度30℃から180℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第1の熱処理過程として、温度180℃で90分間保持する。次いで、第1の冷却過程として温度180℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。次いで、第2の昇温過程として、温度30℃から220℃まで昇温速度3℃/minで昇温する。次いで、第2の熱処理過程として、温度220℃で90分間保持する。次いで、第2の冷却過程として、温度220℃から30℃まで降温速度5℃/minで降温する。
A thermosetting resin composition used for forming an insulating layer constituting a build-up layer of a printed wiring board,
The thermosetting resin composition includes a thermosetting resin and an inorganic filler,
A thermosetting resin composition having a shrinkage ratio X1 / X2 of 0.5 or more and 4.0 or less, measured using a thermomechanical analyzer under the following measurement conditions.
(Measurement condition)
-Measurement conditions of shrinkage amount: After impregnating and drying the thermosetting resin composition into a glass cloth, the prepreg having a flow direction of 20 mm and a width of 4 mm is obtained by cutting with scissors. A prepreg with a copper foil is obtained by sticking a small copper foil having a length of 7 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 12 um at a total of four positions on both ends of the prepreg in the longitudinal direction. Both ends of the prepreg with copper foil attached with copper are fixed with a chuck, and measurement is performed under the following heat treatment conditions using a thermomechanical analyzer (TMA). The amount of shrinkage of the prepreg with copper foil after the first heat treatment process after the first temperature raising process is X1 [ppm], and the copper foil after the second heat treatment process after the second temperature raising process. The shrinkage amount of the attached prepreg is set to X2 [ppm]. Thereby, the ratio X1 / X2 of the contraction amount is calculated.
Heat treatment conditions: First, as the first temperature raising process, the prepreg with copper foil is heated from a temperature of 30 ° C. to 180 ° C. at a temperature rising rate of 3 ° C./min. Next, as a first heat treatment process, the temperature is maintained at 180 ° C. for 90 minutes. Next, as a first cooling process, the temperature is lowered from a temperature of 180 ° C. to 30 ° C. at a temperature lowering rate of 5 ° C./min. Next, as a second temperature raising process, the temperature is raised from 30 ° C. to 220 ° C. at a temperature raising rate of 3 ° C./min. Next, as a second heat treatment process, the temperature is maintained at 220 ° C. for 90 minutes. Next, as a second cooling process, the temperature is decreased from 220 ° C. to 30 ° C. at a temperature decrease rate of 5 ° C./min.
請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含む、熱硬化性樹脂組成物。
The thermosetting resin composition according to claim 1,
The said thermosetting resin is a thermosetting resin composition containing an epoxy resin.
請求項1または2に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記無機充填材は、シリカを含む、熱硬化性樹脂組成物。
The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2,
The inorganic filler is a thermosetting resin composition containing silica.
請求項1から3のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物であって、
前記無機充填材は、当該熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して、50質量部以上80質量部以下の量である、熱硬化性樹脂組成物。
The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 3,
The said inorganic filler is a thermosetting resin composition which is the quantity of 50 to 80 mass parts with respect to the total solid of the said thermosetting resin composition.
請求項1から4のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物によって構成される絶縁層と、回路層と、を含むビルドアップ層を備える、コアレス基板。   A coreless board provided with the buildup layer containing the insulating layer comprised by the hardened | cured material of the thermosetting resin composition of any one of Claim 1 to 4, and a circuit layer. 請求項5に記載のコアレス基板であって、
前記絶縁層は、ガラス繊維を含む、コアレス基板。
The coreless substrate according to claim 5,
The insulating layer is a coreless substrate including glass fiber.
請求項5または6に記載のコアレス基板であって、
当該コアレス基板は、前記ビルドアップ層を2層以上備え、
前記ビルドアップ層の少なくとも2層以上は連続して積層される、コアレス基板。
The coreless substrate according to claim 5 or 6,
The coreless substrate includes two or more buildup layers,
A coreless substrate in which at least two or more of the build-up layers are successively laminated.
請求項5から7のいずれか1項に記載のコアレス基板であって、
前記ビルドアップ層の厚みは、10μm以上100μm以下である、コアレス基板。
A coreless substrate according to any one of claims 5 to 7,
The coreless substrate, wherein the build-up layer has a thickness of 10 μm or more and 100 μm or less.
請求項5から8のいずれか1項に記載のコアレス基板を備えるプリント配線基板。   A printed wiring board comprising the coreless substrate according to claim 5. 請求項9に記載のプリント配線基板と、
前記プリント配線基板の前記回路層上に搭載された、または、前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置。
A printed wiring board according to claim 9,
A semiconductor device comprising: a semiconductor element mounted on the circuit layer of the printed wiring board or built in the printed wiring board.
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