JP2019178138A - 化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
nescence)を利用した発光素子(EL素子ともいう)、発光装置、電子機器、及
び照明装置に関する。
一態様は、物、方法、又は製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、マ
ニュファクチャ、又は組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。そのため、よ
り具体的に本明細書で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置
、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、それらの駆動方法、又はそれら
の製造方法、を一例として挙げることができる。
んに行われている。該発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む層を挟
んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を得ること
ができる。
ライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適である
と考えられている。また、該発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である
。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
って、大面積の素子を容易に形成することができる。このことは、白熱電球やLEDに代
表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等
に応用できる面光源としての利用価値も高い。
場合、該素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔(ホール)が
それぞれ該有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正
孔が該有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された該有機化合物から発光を得るもので
ある。
であり、一重項励起状態(S*)からの発光が蛍光、三重項励起状態(T*)からの発光
が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、S*:T*=
1:3であると考えられている。
、三重項励起状態からの発光(燐光)は観測されず、一重項励起状態からの発光(蛍光)
のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率(
注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、S*:T*=1:
3であることを根拠に25%とされている。
、三重項励起状態からの発光(燐光)が観測される。また、燐光性化合物は項間交差(一
重項励起状態から三重項励起状態へ移ること)が起こりやすいため、内部量子効率は10
0%まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物に比べて高い発光効率が可能となる
。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光
素子の開発が近年盛んに行われている。
光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中
に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。この時、マトリクスとなる
化合物はホスト材料、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト材
料と呼ばれる。
物よりも大きな三重項励起エネルギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)を
有することである。
起エネルギーよりも大きいため、大きな三重項励起エネルギーを有する物質は大きな一重
項励起エネルギーをも有する。したがって、上述したような大きな三重項励起エネルギー
を有する物質は、蛍光性化合物を発光物質として用いた発光素子においても有益である。
ノキサリン環を有する化合物の研究がなされている(例えば、特許文献1〜2)。
らを克服するために、素子構造の改良や物質開発等が行われている。発光素子の開発は、
発光効率、信頼性、コスト等の面で未だ改善の余地が残されている。
められている。
発明の一態様は、発光素子において、発光物質を分散させるホスト材料として用いること
のできる新規な化合物を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、三
重項励起エネルギーの高い化合物を提供することを目的の一とする。または、本発明の一
態様は、溶解性の高い化合物を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様
は、耐熱性の高い化合物を提供することを目的の一とする。
または、本発明の一態様は、駆動電圧の低い発光素子を提供することを目的の一とする。
または、本発明の一態様は、長寿命の発光素子を提供することを目的の一とする。または
、本発明の一態様は、耐熱性の高い発光素子を提供することを目的の一とする。または、
本発明の一態様は、新規な発光素子を提供することを目的の一とする。
は照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、該発光素子を
用いた、消費電力の低い発光装置、電子機器、又は照明装置を提供することを目的の一と
する。
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニ
ル基を表し、Eは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、
Arは、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニ
ル基を表し、R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又
は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置換もしくは無置
換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
素、炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基
を表し、R21〜R27のうち少なくともいずれか一が、置換もしくは無置換のフルオレ
ニル基を表し、その他はそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は置換も
しくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素
数6〜30のアリーレン基を表す。
ル基を表し、R11〜R19及びR21〜R26は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜
6のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは
、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
R31〜R37は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は置換もしく
は無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立に、
水素、又は、炭素数1〜6のアルキル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6
〜30のアリーレン基を表す。
あることが好ましい。
無置換のビフェニルジイル基であることが好ましい。
の有機化合物を含む層は、上記各構成の化合物のいずれかを含む発光素子である。
の有機化合物を含む層は、発光物質と、上記各構成の化合物のいずれかと、を含む発光素
子である。
明の一態様の発光装置は、上記発光素子と、トランジスタ又は基板と、を有していてもよ
い。また、本発明の一態様は、該発光装置を表示部に備える電子機器である。例えば、本
発明の一態様の電子機器は、上記発光装置と、マイク、スピーカ、又は外部接続端子と、
を有していてもよい。また、本発明の一態様は、該発光装置を発光部に備える照明装置で
ある。例えば、本発明の一態様の照明装置は、上記発光装置と、支柱、筐体、又はカバー
と、を有していてもよい。
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはTCP(Tape Carri
er Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にCOG(Chip On Glass)方式により
IC(集積回路)が直接実装されたモジュールは発光装置を有する場合がある。さらに、
照明器具等も発光装置を含む場合がある。
により、発光素子において、発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる
新規な化合物を提供することができる。または、本発明の一態様により、三重項励起エネ
ルギーの高い化合物を提供することができる。または、本発明の一態様により、溶解性の
高い化合物を提供することができる。または、本発明の一態様により、耐熱性の高い化合
物を提供することができる。
は、本発明の一態様により、駆動電圧の低い発光素子を提供することができる。または、
本発明の一態様により、長寿命の発光素子を提供することができる。または、本発明の一
態様により、耐熱性の高い発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様に
より、新規な発光素子を提供することができる。
、又は照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、該発光素子を
用いた、消費電力の低い発光装置、電子機器、又は照明装置を提供することができる。
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
本実施の形態では、本発明の一態様の化合物について説明する。
はジベンゾフラン骨格と、がアリーレン骨格を介して結合した化合物である。該ジベンゾ
チオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格は、置換基としてフルオレニル基を有する。
は結晶化しやすい。結晶化しやすい有機化合物を用いた発光素子は寿命が短い。しかし、
本発明の一態様の化合物は、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格にアリーレン骨格を介
してジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格が結合しているため、立体的に嵩高
い構造である。本発明の一態様の化合物は結晶化しにくいため、発光素子の寿命の低下を
抑制することができる。また、本発明の一態様の化合物は、ジベンゾチオフェン骨格又は
ジベンゾフラン骨格に置換基としてフルオレニル基を有するため、耐熱性が非常に高く、
発光素子に用いることで、高耐熱性、かつ長寿命な素子を実現できる。
と、ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格とを組み合わせた化合物は元来、溶
媒への溶解性に乏しい。しかし、本発明の一態様のように、ジベンゾチオフェン骨格又は
ジベンゾフラン骨格にフルオレニル基(例えば、9,9−ジアルキルフルオレニル基)を
導入することで、極度に溶解性が増すことを本発明者らは見出した。溶解性の高い化合物
は、精製しやすく不純物を除去しやすい。したがって、本発明の一態様の化合物を発光素
子に用いることで、初期劣化が抑制された、信頼性の高い素子を実現できる。
ると、電子と正孔の再結合領域が発光層と他の層との界面に集中し、発光素子の寿命の低
下を招く。ここで、本発明の一態様の化合物は、電子輸送骨格であるジベンゾ[f,h]
キノキサリン骨格と、正孔輸送骨格であるジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨
格と、を有するため、電子及び正孔を容易に受け取ることができる。したがって、本発明
の一態様の化合物を発光層のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合が発光層内
の広い領域で行われると考えられるため、発光素子の寿命の低下を抑制することができる
。
に比べ、これら2つの骨格がアリーレン基を介して結合している本発明の一態様の化合物
の方が、共役系の広がりを抑制でき、バンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの
低下を防ぐことができる。さらに、本発明の一態様の化合物の方が、高い耐熱性を示し、
また、膜質が良好であるという利点もある。
層の発光物質を分散させるホスト材料として好適に用いることができる。特に、赤色〜緑
色の範囲に含まれる光を発する燐光性化合物を分散させるホスト材料として好適である。
電子輸送層の材料として好適に用いることができる。
バイスの材料として好適に用いることができる。
はジベンゾフラン骨格が、置換基としてフルオレニル基を有することで、該置換基を有し
ていない場合に比べて、耐熱性及び溶解性を高くすることができる。
もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニ
ル基を表し、Eは、置換もしくは無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリニル基を表し、
Arは、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
にArが結合していると、合成が容易である、高純度化しやすい、T1準位が高い、等の
理由により、好ましい。該2位にArが結合していると、該6位や該7位にArが結合し
ている場合に比べて、合成が容易であり、高純度化しやすいため、低コストで提供でき好
ましい。該6位にArが結合していると、該2位又は該7位にArが結合している場合に
比べて、T1準位が高く好ましい。また、該7位にArが結合していると、該2位にAr
が結合している場合に比べて、T1準位が高く好ましい。
もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニ
ル基を表し、R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又
は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置換もしくは無置
換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
又はジベンゾフラニレン基の4位にArが結合していると、合成が容易であるため好まし
い。
素、炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜13の置換もしくは無置換のアリール基
を表し、R21〜R27のうち少なくともいずれか一が、置換もしくは無置換のフルオレ
ニル基を表し、その他はそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は置換も
しくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素
数6〜30のアリーレン基を表す。
基を有する4,6−ジベンゾチオフェンジイル基又は4,6−ジベンゾフランジイル基は
、合成が容易であるため好ましい。
ル基を表し、R11〜R19及びR21〜R26は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜
6のアルキル基、又は炭素数6〜13の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Arは
、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
ジベンゾチオフェニレン基又はジベンゾフラニレン基が結合していると、合成が容易であ
るため好ましい。
31〜R37は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜1
3の置換もしくは無置換のアリール基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立に、水
素、又は、炭素数1〜6のアルキル基を表し、Arは、置換もしくは無置換の炭素数6〜
30のアリーレン基を表す。
rは、炭素数6〜13のアリーレン基を表すことが好ましい。このとき、該アリーレン基
は1以上の置換基を有していてもよく、該置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
示すArは、アントリレン基やピレニレン基ではないことが好ましい。
式(1−24)に示す置換基が挙げられる。三重項励起エネルギーの準位(T1準位)を
高くする観点、耐熱性を向上する観点、容易に合成する観点などから、特に、Arは、置
換もしくは無置換のフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であ
ることが好ましい。なお、Arは、さらに炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数6〜1
3のアリール基を置換基として有していてもよい。該炭素数6〜13のアリール基として
は、例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基等が挙げられる。
な構造としては、例えば、構造式(2−1)〜構造式(2−22)に示す置換基が挙げら
れる。R11〜R19、R21〜R27、及びR31〜R37は、それぞれアリール基で
ある場合には、さらに炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数6〜13のアリール基を置
換基として有していてもよい。該炭素数6〜13のアリール基としては、例えば、フェニ
ル基、ナフチル基、フルオレニル基等が挙げられる。具体的には、構造式(2−13)〜
構造式(2−22)が、アリール基が置換基を有している場合の構造である。なお、R1
1〜R19、R21〜R27、及びR31〜R37が置換基を有している構造は、これら
に限られるものではない。
上記の構造式(2−1)〜構造式(2−9)に示す置換基が挙げられる。特に、容易に合
成する観点やコストの観点から、R41及びR42は、メチル基であることが好ましい。
れる化合物を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。
、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式(G1)で表される本発明の一態様の
化合物を合成することができる。なお、本発明の一態様である化合物の合成方法は、以下
の合成方法に限定されない。
一般式(G1)で表される化合物は、合成スキーム(A−1)のようにして合成すること
ができる。すなわち、ジベンゾ[f,h]キノキサリン誘導体の、ハロゲン化合物又はト
リフラート基を有する化合物(a1)と、フルオレニル基が結合したジベンゾチオフェニ
レン基もしくはジベンゾフラニレン基を有するアリール誘導体の、ボロン酸又は有機ホウ
素化合物(a2)とを、パラジウム触媒を用いた鈴木・宮浦反応によりカップリングする
ことで、一般式(G1)で表される化合物を得ることができる。
基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置
換のフルオレニル基を表し、R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6の
アルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置
換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
がハロゲンの場合、特に塩素、臭素、又はヨウ素が好ましい。
R44は水素を表す。また、化合物(a2)は有機ホウ素化合物であってもよく、例えば
、ボロン酸がエチレングリコール等により保護されていてもよい。化合物(a2)が有機
ホウ素化合物の場合、R43及びR44は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基
を表す。このとき、R43及びR44は同じであっても異なっていてもよく、互いに結合
して環を形成していてもよい。
ラジウム(II)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等が挙げら
れる。また、合成スキーム(A−1)において、用いることができるパラジウム触媒の配
位子としては、トリ(オルト−トリル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシク
ロヘキシルホスフィン等が挙げられる。また、用いることができる塩基としては、ナトリ
ウム tert−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩
基等が挙げられる。また、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、エタ
ノール等のアルコール、トルエンとエタノール等のアルコールとの混合溶媒、キシレンと
エタノール等のアルコールとの混合溶媒、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノー
ル等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等の
アルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコ
ールと水の混合溶媒、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙
げられる。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒がより好まし
い。なお、当該反応で用いることができる試薬類は、これらの試薬類に限られるものでは
ない。
体的には、化合物(a1)におけるYが、有機ホウ素基又はボロン酸基である)と、フル
オレニル基が結合したジベンゾチオフェニレン基もしくはジベンゾフラニレン基を有する
アリール誘導体の、ハロゲン化合物又はトリフラート基を有する化合物(具体的には、化
合物(a2)におけるArと結合する基が、有機ホウ素基又はボロン酸基でなく、ハロゲ
ン又はトリフラート基である)との組み合わせを、鈴木・宮浦反応によりカップリングさ
せてもよい。
一般式(G1)で表される化合物は、合成スキーム(A−2)のようにして合成すること
もできる。すなわち、ジベンゾ[f,h]キノキサリニル基が結合したアリール誘導体の
、ハロゲン化合物又はトリフラート基を持つ化合物(a3)と、フルオレニル基が結合し
たジベンゾチオフェン誘導体もしくはジベンゾフラン誘導体の、ボロン酸又は有機ホウ素
化合物(a4)とを、パラジウム触媒を用いた鈴木・宮浦反応によりカップリングするこ
とでも、一般式(G1)で表される化合物を得ることができる。
基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表し、Xは、置換もしくは無置
換のフルオレニル基を表し、R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6の
アルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表し、Arは、置
換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。
ハロゲンの場合、特に塩素、臭素、又はヨウ素が好ましい。
R44は水素を表す。また、化合物(a4)は有機ホウ素化合物であってもよく、例えば
、ボロン酸がエチレングリコール等により保護されていてもよい。化合物(a4)が有機
ホウ素化合物の場合、R43及びR44は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基
を表す。このとき、R43及びR44は同じであっても異なっていてもよく、互いに結合
して環を形成していてもよい。
ラジウム(II)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)等が挙げら
れる。また、合成スキーム(A−2)において、用いることができるパラジウム触媒の配
位子としては、トリ(オルト−トリル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシク
ロヘキシルホスフィン等が挙げられる。また、用いることができる塩基としては、ナトリ
ウム tert−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩
基等が挙げられる。また、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、エタ
ノール等のアルコール、トルエンとエタノール等のアルコールとの混合溶媒、キシレンと
エタノール等のアルコールとの混合溶媒、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノー
ル等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等の
アルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコ
ールと水の混合溶媒、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙
げられる。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒がより好まし
い。なお、当該反応で用いることができる試薬類は、これらの試薬類に限られるものでは
ない。
化合物又はボロン酸(具体的には、化合物(a3)におけるYが、有機ホウ素基又はボロ
ン酸基である)と、フルオレニル基が結合したジベンゾチオフェン誘導体もしくはジベン
ゾフラン誘導体の、ハロゲン化合物又はトリフラート基を有する化合物(具体的には、化
合物(a4)におけるArと結合する基が、有機ホウ素基又はボロン酸基でなく、ハロゲ
ン又はトリフラート基である)との組み合わせを、鈴木・宮浦反応によりカップリングさ
せてもよい。
や電子輸送層の材料として好適である。本実施の形態の化合物を用いることで、長寿命の
発光素子を得ることができる。また、本実施の形態の化合物を用いることで、信頼性の高
い発光素子を得ることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について図1を用いて説明する。
する。
物は耐熱性が高い。したがって、該化合物を用いることで、長寿命の発光素子を実現でき
る。また、該化合物は溶解性が高い。不純物が十分に除去された本発明の一態様の化合物
を発光素子に用いることで、初期劣化が抑制された、信頼性の高い素子を実現できる。
送骨格であるジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有するため、電子及び正
孔を受け取ることができる。したがって、該化合物を発光層のホスト材料に用いることで
、電子と正孔の再結合が発光層内で行われ、発光素子の寿命の低下を抑制することができ
る。つまり、本発明の好ましい一態様は、一対の電極間に発光層を有し、該発光層は、発
光物質(ゲスト材料)と、該発光物質を分散するホスト材料と、を有し、該ホスト材料が
、該化合物である発光素子である。
化合物を含む層(EL層)を有する。第1の電極又は第2の電極の一方は陽極として機能
し、他方は陰極として機能する。本実施の形態では、EL層が、実施の形態1で説明した
本発明の一態様の化合物を含む。
図1(A)に示す発光素子は、第1の電極201及び第2の電極205の間にEL層20
3を有する。本実施の形態では、第1の電極201が陽極として機能し、第2の電極20
5が陰極として機能する。
ると、EL層203に第1の電極201側から正孔が注入され、第2の電極205側から
電子が注入される。注入された電子と正孔はEL層203において再結合し、EL層20
3に含まれる発光物質が発光する。
発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を2つ有する
発光素子において、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるよ
うにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。な
お、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある
色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発
光層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子
輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等を含む層をさらに有していてもよい。EL層203
には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含ん
でいてもよい。
3を有し、該EL層203では、正孔注入層301、正孔輸送層302、発光層303、
電子輸送層304及び電子注入層305が、第1の電極201側からこの順に積層されて
いる。
る。本実施の形態では、本発明の一態様の化合物を発光層303のホスト材料として用い
る場合を例に挙げて説明する。
に複数のEL層が積層されていてもよい。この場合、積層されたEL層の間には、中間層
207を設けることが好ましい。中間層207は、電荷発生領域を少なくとも有する。
の間に、中間層207を有する。また、図1(D)に示す発光素子は、EL層をn層(n
は2以上の自然数)有し、各EL層の間には、中間層207を有する。
子と正孔の挙動について説明する。第1の電極201と第2の電極205の間に、発光素
子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層207において正孔と電子が発生し、正
孔は第2の電極205側に設けられたEL層203(m+1)へ移動し、電子は第1の電
極201側に設けられたEL層203(m)へ移動する。EL層203(m+1)に注入
された正孔は、第2の電極205側から注入された電子と再結合し、当該EL層203(
m+1)に含まれる発光物質が発光する。また、EL層203(m)に注入された電子は
、第1の電極201側から注入された正孔と再結合し、当該EL層203(m)に含まれ
る発光物質が発光する。よって、中間層207において発生した正孔と電子は、それぞれ
異なるEL層において発光に至る。
は、中間層を介さずにEL層同士を接して設けることができる。例えば、EL層の一方の
面に電荷発生領域が形成されている場合、その面に接してEL層を設けることができる。
の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1
のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素
子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を
有する発光素子の場合でも同様である。
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限ら
れず、二層以上積層してもよい。
陽極として機能する電極(本実施の形態では第1の電極201)は、導電性を有する金属
、合金、導電性化合物等を1種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関数
の大きい(4.0eV以上)材料を用いることが好ましい。例えば、インジウムスズ酸化
物(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素もしくは酸化珪素を含有したイ
ンジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した
酸化インジウム、グラフェン、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン
)等が挙げられる。
性材料を用いることができ、例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金等も用
いることができる。
陰極として機能する電極(本実施の形態では第2の電極205)は、導電性を有する金属
、合金、導電性化合物などを1種又は複数種用いて形成することができる。特に、仕事関
数が小さい(3.8eV以下)材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1
族又は第2族に属する元素(例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム
、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等)、これら元素を含む合金(例
えば、Mg−Ag、Al−Li)、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これ
ら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀等を用いることができる。
性材料を用いることができる。例えば、ITO、珪素又は酸化珪素を含有したインジウム
スズ酸化物等も用いることができる。
ースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法を用いればよい。
発光層303は、発光物質を含む層である。本実施の形態では、発光層303が、ゲスト
材料と、ゲスト材料を分散するホスト材料とを含み、該ホスト材料として本発明の一態様
の化合物を用いる場合を例に挙げて説明する。本発明の一態様の化合物は、発光物質が蛍
光性化合物や、赤色〜緑色の範囲に含まれる光を発する燐光性化合物である場合の発光層
のホスト材料として好適である。
結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑
制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。
発明の一態様の発光素子は、本発明の一態様の化合物を含む発光層とは別に、さらに発光
層を有していてもよい。このとき、発光物質としては、蛍光性化合物や燐光性化合物、熱
活性化遅延蛍光を示す物質を用いることができ、ホスト材料としては、後述の電子を受け
取りやすい化合物や正孔を受け取りやすい化合物を用いることができる。
ゲスト材料のT1準位よりも高いことが好ましい。ホスト材料のT1準位がゲスト材料の
T1準位よりも低いと、発光に寄与するゲスト材料の三重項励起エネルギーをホスト材料
が消光(クエンチ)してしまい、発光効率の低下を招くためである。
機構として知られているフェルスター機構(双極子−双極子相互作用)及びデクスター機
構(電子交換相互作用)を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル(一重項励起状態
からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー
移動を論じる場合は燐光スペクトル)とゲスト材料の吸収スペクトル(より詳細には、最
も長波長(低エネルギー)側の吸収帯におけるスペクトル)との重なりが大きくなること
が好ましい。
ギー)側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、その
ようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長(低エ
ネルギー)側に位置するため、ホスト材料のT1準位が燐光性化合物のT1準位を下回っ
てしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を
回避するため、ホスト材料のT1準位が燐光性化合物のT1準位を上回るように設計する
と、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長(高エネルギー)側にシフトするため、
その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長(低エネルギー)側の吸収帯における吸収
スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の
最も長波長(低エネルギー)側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一
重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。
物とホスト材料(それぞれ、発光層に含まれる第1の物質、第2の物質とみなす)の他に
、第3の物質を含み、ホスト材料と第3の物質は励起錯体(エキサイプレックスともいう
)を形成する組み合わせであることが好ましい。この場合、発光層におけるキャリア(電
子及び正孔)の再結合の際にホスト材料と第3の物質は、励起錯体を形成する。これによ
り、発光層において、ホスト材料の蛍光スペクトル及び第3の物質の蛍光スペクトルは、
より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、励起錯体の発
光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、ホスト材料
と第3の物質を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めること
ができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体からのエネル
ギー移動が生じると考えられる。このような構成を適用した本発明の一態様では、励起錯
体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移
動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子
を実現することができる。
3の物質としては、励起錯体を生じる組み合わせであればよいが、電子を受け取りやすい
化合物(電子トラップ性化合物)と、正孔を受け取りやすい化合物(正孔トラップ性化合
物)とを組み合わせることが好ましい。本発明の一態様の化合物は電子トラップ性化合物
として用いることができる。
性化合物と、本発明の一態様の化合物と、正孔を受け取りやすい化合物と、を含む発光層
を一対の電極間に有する。
ば、π電子過剰型複素芳香族化合物(例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体)や
芳香族アミン化合物である。
H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−
アミン(略称:PCBBiF)、4−フェニル−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾ
ール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、4,4’−ジ(1−ナ
フチル)−4’’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニルアミ
ン(略称:PCBNBB)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾ
ール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、4,
4’,4’’−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミ
ン(略称:1’−TNATA)、2,7−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)
−N−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:DPA2SF)、N,
N’−ビス(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N,N’−ジフェニルベンゼン−
1,3−ジアミン(略称:PCA2B)、N−(9,9−ジメチル−2−ジフェニルアミ
ノ−9H−フルオレン−7−イル)ジフェニルアミン(略称:DPNF)、N,N’,N
’’−トリフェニル−N,N’,N’’−トリス(9−フェニルカルバゾール−3−イル
)ベンゼン−1,3,5−トリアミン(略称:PCA3B)、2−[N−(9−フェニル
カルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略
称:PCASF)、2−[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ
]スピロ−9,9’−ビフルオレン(略称:DPASF)、N,N’−ビス[4−(カル
バゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−ジメチルフルオレン
−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N
,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)
、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフ
ェニル(略称:DPAB)、N−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)−
N−{9,9−ジメチル−2−[N’−フェニル−N’−(9,9−ジメチル−9H−フ
ルオレン−2−イル)アミノ]−9H−フルオレン−7−イル}フェニルアミン(略称:
DFLADFL)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニル
アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(
9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フ
ェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA1)、3,6−ビス[
N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzDPA2)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェ
ニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:
DNTPD)、3,6−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−(1−ナフ
チル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzTPN2)等が挙げられる。
称:NPB又はα−NPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)
トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチ
ルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,
4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ
]ビフェニル(略称:BSPB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリ
フェニルアミン(略称:TCTA)、4−フェニル−4’−(9−フェニルフルオレン−
9−イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4,4’−ビス[N−(9,9
−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLD
PBi)などの芳香族アミン化合物や、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(
略称:CBP)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H
−カルバゾール(略称:CzPA)、9−フェニル−3−[4−(10−フェニル−9−
アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:PCzPA)などのカルバゾール
誘導体が挙げられる。また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(
4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4
−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メ
タクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル
)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化
合物が挙げられる。
明の一態様の化合物のほか、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化
合物や、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系配位子
又はチアゾール系配位子を有する金属錯体等を用いることもできる。
称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)
アルミニウム(略称:BAlq)、ビス(8−キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Zn
q)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(
BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:
Zn(BTZ)2)などの金属錯体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−
ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、3−(4−ビフェ
ニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリア
ゾール(略称:TAZ)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5
−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]−9H−カルバゾー
ル(略称:CO11)、2,2’,2’’−(1,3,5−ベンゼントリイル)トリス(
1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、2−[3−(ジベンゾ
チオフェン−4−イル)フェニル]−1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール(略称:
mDBTBIm−II)などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物、2−[3−(ジ
ベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2m
DBTPDBq−II)、2−[3’−(ジベンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−
3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq−II)、2
−[4−(3,6−ジフェニル−9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ジベンゾ[
f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq−III)、7−[3−(ジベンゾチオフ
ェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mDBTPDB
q−II)、及び6−[3−(ジベンゾチオフェン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f
,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq−II)、2−[3’−(9H−カルバ
ゾール−9−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2
mCzBPDBq)などのキノキサリン骨格又はジベンゾキノキサリン骨格を有する複素
環化合物、4,6−ビス[3−(フェナントレン−9−イル)フェニル]ピリミジン(略
称:4,6mPnP2Pm)、4,6−ビス[3−(9H−カルバゾール−9−イル)フ
ェニル]ピリミジン(略称:4,6mCzP2Pm)、4,6−ビス[3−(4−ジベン
ゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mDBTP2Pm−II)などのジア
ジン骨格(ピリミジン骨格やピラジン骨格)を有する複素環化合物、3,5−ビス[3−
(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]ピリジン(略称:3,5DCzPPy)、
1,3,5−トリ[3−(3−ピリジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmPyPB)、
3,3’,5,5’−テトラ[(m−ピリジル)−フェン−3−イル]ビフェニル(略称
:BP4mPy)などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中で
も、キノキサリン骨格又はジベンゾキノキサリン骨格を有する複素環化合物、ジアジン骨
格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好
ましい。
ル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)などのキノリン骨格又はベン
ゾキノリン骨格を有する金属錯体や、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソ
キュプロイン(略称:BCP)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エ
チルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−E
tTAZ)、4,4’−ビス(5−メチルベンゾオキサゾール−2−イル)スチルベン(
略称:BzOs)等の複素芳香族化合物が挙げられる。また、ポリ(2,5−ピリジンジ
イル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−
co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−ジオク
チルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−ジイル
)](略称:PF−BPy)等の高分子化合物が挙げられる。
く、励起錯体を形成できる組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、ゲスト材料
の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、ゲスト材料の吸収ス
ペクトルのピークよりも長波長であればよい。
物質を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具
体的には、ホスト材料:第3の物質=1:9〜9:1の範囲が好ましい。
やすい化合物を含む層と正孔を受け取りやすい化合物を含む層を積層すれば、その界面近
傍では励起錯体が形成されるが、この二層をもって本発明の一態様の発光素子における発
光層としても良い。この場合、燐光性化合物は、該界面近傍に添加されていれば良い。ま
た、二層のうち、少なくともいずれか一方、又は双方に添加されていれば良い。
発光層303に用いることができる蛍光性化合物の一例を挙げる。例えば、青色系の発光
材料として、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス[3−(9−フェ
ニル−9H−フルオレン−9−イル)フェニル]ピレン−1,6−ジアミン(略称:1,
6mMemFLPAPrn)、N,N’−ビス(ジベンゾフラン−4−イル)−N,N’
−ジフェニルピレン−1,6−ジアミン(略称:1,6FrAPrn−II)、N,N’
−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチ
ルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イ
ル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAP
A)、4−(10−フェニル−9−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバ
ゾール−3−イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)等が挙げられる。また、
緑色系の発光材料として、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジ
フェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−
ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9
H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニ
ル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(
略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2
−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:
2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N−[4−
(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン
(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略
称:DPhAPhA)等が挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,
12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニルテトラセン(略
称:BPT)等が挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’−テ
トラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhT
D)、7,14−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)
アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAF
D)等が挙げられる。
520nmに発光のピークを有する燐光性化合物としては、トリス{2−[5−(2−メ
チルフェニル)−4−(2,6−ジメチルフェニル)−4H−1,2,4−トリアゾール
−3−イル−κN2]フェニル−κC}イリジウム(III)(略称:[Ir(mppt
z−dmp)3])、トリス(5−メチル−3,4−ジフェニル−4H−1,2,4−ト
リアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(Mptz)3])、トリス[4−(
3−ビフェニル)−5−イソプロピル−3−フェニル−4H−1,2,4−トリアゾラト
]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrptz−3b)3])のような4H−ト
リアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス[3−メチル−1−(2−メ
チルフェニル)−5−フェニル−1H−1,2,4−トリアゾラト]イリジウム(III
)(略称:[Ir(Mptz1−mp)3])、トリス(1−メチル−5−フェニル−3
−プロピル−1H−1,2,4−トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(
Prptz1−Me)3])のような1H−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウ
ム錯体や、fac−トリス[1−(2,6−ジイソプロピルフェニル)−2−フェニル−
1H−イミダゾール]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrpmi)3])、ト
リス[3−(2,6−ジメチルフェニル)−7−メチルイミダゾ[1,2−f]フェナン
トリジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(dmpimpt−Me)3])のよ
うなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス[2−(4’,6’−ジ
フルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピ
ラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル
)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)
、ビス{2−[3’,5’−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C
2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:[Ir(CF3ppy)2(pic)
])、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジ
ウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))のような電子吸引基
を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。
上述した中でも、4H−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や
発光効率が優れるため、特に好ましい。
(4−メチル−6−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mp
pm)3])、トリス(4−t−ブチル−6−フェニルピリミジナト)イリジウム(II
I)(略称:[Ir(tBuppm)3])、(アセチルアセトナト)ビス(6−メチル
−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppm)2(a
cac)])、(アセチルアセトナト)ビス(6−tert−ブチル−4−フェニルピリ
ミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)2(acac)])、
(アセチルアセトナト)ビス[4−(2−ノルボルニル)−6−フェニルピリミジナト]
イリジウム(III)(略称:[Ir(nbppm)2(acac)])、(アセチルア
セトナト)ビス[5−メチル−6−(2−メチルフェニル)−4−フェニルピリミジナト
]イリジウム(III)(略称:[Ir(mpmppm)2(acac)])、(アセチ
ルアセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:
[Ir(dppm)2(acac)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジ
ウム錯体や、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジメチル−2−フェニルピラジナト
)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−Me)2(acac)])、(アセ
チルアセトナト)ビス(5−イソプロピル−3−メチル−2−フェニルピラジナト)イリ
ジウム(III)(略称:[Ir(mppr−iPr)2(acac)])のようなピラ
ジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C
2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppy)3])、ビス(2−フェニルピリ
ジナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(pp
y)2(acac)])、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチ
ルアセトナート(略称:[Ir(bzq)2(acac)])、トリス(ベンゾ[h]キ
ノリナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(bzq)3])、トリス(2−フェニ
ルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(pq)3])、ビス
(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(
略称:[Ir(pq)2(acac)])のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジ
ウム錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(I
II)(略称:[Tb(acac)3(Phen)])のような希土類金属錯体が挙げら
れる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発
光効率が際だって優れるため、特に好ましい。
(ジイソブチリルメタナト)ビス[4,6−ビス(3−メチルフェニル)ピリミジナト]
イリジウム(III)(略称:[Ir(5mdppm)2(dibm)])、ビス[4,
6−ビス(3−メチルフェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(
III)(略称:[Ir(5mdppm)2(dpm)])、ビス[4,6−ジ(ナフタ
レン−1−イル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称
:[Ir(d1npm)2(dpm)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリ
ジウム錯体や、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イ
リジウム(III)(略称:[Ir(tppr)2(acac)])、ビス(2,3,5
−トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[
Ir(tppr)2(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−
フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Fdpq)
2(acac)])のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス(
1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(pi
q)3])、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)ア
セチルアセトナート(略称:[Ir(piq)2(acac)])のようなピリジン骨格
を有する有機金属イリジウム錯体の他、2,3,7,8,12,13,17,18−オク
タエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)のような白
金錯体や、トリス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナント
ロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(DBM)3(Phen)])、トリス
[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリ
ン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(TTA)3(Phen)])のような希土
類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性や発光効率が際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を
有する有機金属イリジウム錯体は、色度のよい赤色発光が得られる。
料として、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)(略称:POF)、
ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,5−ジメトキ
シベンゼン−1,4−ジイル)](略称:PF−DMOP)、ポリ{(9,9−ジオクチ
ルフルオレン−2,7−ジイル)−co−[N,N’−ジ−(p−ブチルフェニル)−1
,4−ジアミノベンゼン]}(略称:TAB−PFH)等が挙げられる。また、緑色系の
発光材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(略称:PPV)、ポリ[(9,9−
ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイル)−alt−co−(ベンゾ[2,1,3]チア
ジアゾール−4,7−ジイル)](略称:PFBT)、ポリ[(9,9−ジオクチル−2
,7−ジビニレンフルオレニレン)−alt−co−(2−メトキシ−5−(2−エチル
ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]等が挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光
材料として、ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキソキシ)−1,4−フェニレン
ビニレン](略称:MEH−PPV)、ポリ(3−ブチルチオフェン−2,5−ジイル)
、ポリ{[9,9−ジヘキシル−2,7−ビス(1−シアノビニレン)フルオレニレン]
−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニルアミノ)−1,4−フェニレン
]}、ポリ{[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−ビス(1−
シアノビニレンフェニレン)]−alt−co−[2,5−ビス(N,N’−ジフェニル
アミノ)−1,4−フェニレン]}(略称:CN−PPV−DPD)等が挙げられる。
正孔輸送層302は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。
正孔を受け取りやすい化合物を適用することができる。
BuDNA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10
−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)等の芳香族炭化水素化合物も用いるこ
とができる。
電子輸送層304は、電子輸送性の高い物質を含む層である。
、特に、10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。
電子を受け取りやすい化合物を適用することができる。
正孔注入層301は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフ
ニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金
属酸化物等を用いることができる。
)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベン
ゼン(略称:DPA3B)、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1等の芳香
族アミン化合物を用いることができる。
3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/P
SS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加
した高分子化合物を用いることができる。
が電荷発生領域であると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を該陽極に用いること
ができる。電荷発生領域を構成する材料については後述する。
電子注入層305は、電子注入性の高い物質を含む層である。
ム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム
、フッ化エルビウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属又はこれら
の化合物(酸化物、炭酸塩、ハロゲン化物など)を用いることができる。また、エレクト
ライドを用いることもできる。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニ
ウムを含む酸化物に電子を高濃度で添加した物質が挙げられる。
が電荷発生領域であると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を該陰極に用いること
ができる。電荷発生領域を構成する材料については後述する。
電荷発生領域は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体(アクセプター)が添加され
た構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体(ドナー)が添加された構
成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていてもよい。
材料が挙げられ、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、上述の電子輸送層に用
いることができる材料が挙げられる。
ルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。ま
た、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に
属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、
酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レ
ニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定
であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
期表における第2、13族に属する金属及びその酸化物、炭酸塩を用いることができる。
具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジ
ウム、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフ
タセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
蒸着法を含む)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することが
できる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図2及び図3を用いて説明する。
、長寿命であるため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
化合物を含んでいなくてもよい。
)を一点鎖線A−Bで切断した断面図である。
た空間415内に、発光素子403を備える。発光素子403は、ボトムエミッション構
造の有機EL素子であり、具体的には、支持基板401上に可視光を透過する第1の電極
421を有し、第1の電極421上にEL層423を有し、EL層423上に可視光を反
射する第2の電極425を有する。EL層423は、実施の形態1で示した本発明の一態
様の化合物を含む。
の電極421上には、補助配線417と重なる領域に、絶縁層419が設けられている。
第1の端子409aと第2の電極425は、絶縁層419によって電気的に絶縁されてい
る。第2の端子409bは、第2の電極425と電気的に接続する。なお、本実施の形態
では、補助配線417上に第1の電極421が形成されている構成を示すが、第1の電極
421上に補助配線417を形成してもよい。
と支持基板401の界面に光取り出し構造411aを設けることで、全反射の影響で大気
に取り出せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
が好ましい。光取り出し構造411bが凹凸を有する場合、光取り出し構造411bと第
1の電極421の間に、平坦化層413を設けることが好ましい。これによって、第1の
電極421を平坦な膜とすることができ、EL層423における第1の電極421の凹凸
に起因するリーク電流の発生を抑制することができる。また、平坦化層413と支持基板
401との界面に、光取り出し構造411bを有するため、全反射の影響で大気に取り出
せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
いることができる。また、光取り出し構造411a及び光取り出し構造411bとして、
半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等
を用いることもできる。例えば、支持基板401上に上記レンズやフィルムを、支持基板
401又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着す
ることで、光取り出し構造411a及び光取り出し構造411bを形成することができる
。
る面のほうが平坦である。平坦化層413の材料としては、透光性を有し、高屈折率であ
るガラス、液体、樹脂等を用いることができる。
)を一点鎖線C−Dで切断した断面図であり、図3(C)は発光部の変形例を示す断面図
である。
551(断面は図3(B)の発光部551a又は図3(C)の発光部551bである)、
駆動回路部552(ゲート側駆動回路部)、駆動回路部553(ソース側駆動回路部)及
び封止材507を有する。発光部551及び駆動回路部552、553は、支持基板50
1、封止基板505及び封止材507で形成された空間515に封止されている。
れを適用してもよい。図3(B)にはカラーフィルタ方式を適用して作製した場合の発光
部551aを示し、図3(C)には塗り分け方式を適用して作製した場合の発光部551
bを示す。
aと、電流制御用のトランジスタ541bと、トランジスタ541bの配線(ソース電極
又はドレイン電極)に電気的に接続された第2の電極525とを含む複数の発光ユニット
により形成されている。
過する第1の電極521と、EL層523と、第2の電極525とで構成されている。ま
た、第1の電極521の端部を覆って隔壁519が形成されている。
561と、EL層563と、可視光を透過する第2の電極565とで構成されている。ま
た、第1の電極561の端部を覆って隔壁519が形成されている。EL層563におい
て、少なくとも発光素子によって異なる材料からなる層(例えば発光層)は塗り分けられ
ている。
ック信号、スタート信号、又はリセット信号等)や電位を伝達する外部入力端子を接続す
るための引き出し配線517が設けられる。ここでは、外部入力端子としてFPC509
(Flexible Printed Circuit)を設ける例を示している。
552が有するトランジスタのうち、2つのトランジスタ(トランジスタ542及びトラ
ンジスタ543)を示している。
線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。本実施の形態では、引き出し配
線517を、発光部551及び駆動回路部552に含まれるトランジスタのソース電極及
びドレイン電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
している。封止材507は金属との密着性が低い場合がある。したがって、封止材507
は、引き出し配線517上に設けられた無機絶縁膜と接することが好ましい。このような
構成とすることで、封止性及び密着性が高く、信頼性の高い発光装置を実現することがで
きる。無機絶縁膜としては、金属や半導体の酸化物膜、金属や半導体の窒化物膜、金属や
半導体の酸窒化物膜が挙げられ、具体的には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜等が挙げられる
。
る効果を奏する。また、第2の絶縁層513は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減する
ために平坦化機能を有する絶縁膜を選択することが好適である。
プゲート型のトランジスタを用いてもよいし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトラン
ジスタを用いてもよい。また、チャネルエッチ型やチャネル保護型としてもよい。また、
nチャネル型トランジスタを用いても、pチャネル型トランジスタを用いてもよい。
In−Ga−Zn系金属酸化物である酸化物半導体を用い、オフ電流の低いトランジスタ
とすることで、発光素子のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
着色層であるカラーフィルタ533が設けられており、隔壁519と重なる位置に、ブラ
ックマトリクス531が設けられている。さらに、カラーフィルタ533及びブラックマ
トリクス531を覆うオーバーコート層535が設けられている。また、図3(C)に示
す封止基板505には、乾燥剤506が設けられている。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置の一例について、図4及び図
6を用いて説明する。
の形態の照明装置は、発光部(照明部)に本発明の一態様の発光装置を備える。本発明の
一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い電子機器や照明装置を実現できる。
よい。
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。これらの電子機器及び照明装置の具体例を図4及び図6に示す。
該照明装置は、家屋やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面
に沿って組み込むことも可能である。
体7101に表示部7102が組み込まれている。表示部7102では、映像を表示する
ことが可能である。本発明の一態様の発光装置は、表示部7102に用いることができる
。また、ここでは、スタンド7103により筐体7101を支持した構成を示している。
コン操作機7111により行うことができる。リモコン操作機7111が備える操作キー
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7102に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機7111に、当該リモコン操作機7111
から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線によ
る通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
1、筐体7202、表示部7203、キーボード7204、外部接続ポート7205、ポ
インティングデバイス7206等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の発光
装置をその表示部7203に用いることにより作製される。
301a及び筐体7301bの2つの筐体で構成されており、連結部7302により、開
閉可能に連結されている。筐体7301aには表示部7303aが組み込まれ、筐体73
01bには表示部7303bが組み込まれている。また、図4(C)に示す携帯型ゲーム
機は、スピーカ部7304、記録媒体挿入部7305、操作キー7306、接続端子73
07、センサ7308(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液
、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、
湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、LEDランプ、マイ
クロフォン等を備えている。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定されず
、少なくとも表示部7303a、表示部7303bの両方、又は一方に本発明の一態様の
発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる
。図4(C)に示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータ
を読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行って情報を共
有する機能を有する。なお、図4(C)に示す携帯型ゲーム機が有する機能はこれに限定
されず、様々な機能を有することができる。
組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、スピ
ーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、本発明
の一態様の発光装置を表示部7402に用いることにより作製される。
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、
表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表示
モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。
ンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断し
て、表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
02に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源
を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
ブレット型端末7500は、筐体7501a、筐体7501b、表示部7502a、表示
部7502bを有する。筐体7501aと筐体7501bは、軸部7503により接続さ
れており、該軸部7503を軸として開閉動作を行うことができる。また、筐体7501
aは、電源7504、操作キー7505、スピーカ7506等を備えている。なお、タブ
レット型端末7500は、本発明の一態様の発光装置を表示部7502a、表示部750
2bの両方、又は一方に用いることにより作製される。
とができ、表示された操作キーにふれることでデータ入力をすることができる。例えば、
表示部7502aの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部75
02bを表示画面として用いることができる。
を有していてもよい。このとき、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することがで
きると好ましい。入出力装置は、表示部及び入力部を有し、表示部には本発明の一態様の
発光装置を用いることができ、入力部には検知素子等を有する入力装置(タッチセンサと
もいう)を用いることができる。
ンポリマー電池)等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。
で信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子
機器が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
した状態の携帯情報端末310を示す。図5(B)に展開した状態又は折りたたんだ状態
の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末310を示す。図5(C)に折りた
たんだ状態の携帯情報端末310を示す。携帯情報端末310は、折りたたんだ状態では
可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れ
る。
。ヒンジ313を介して2つの筐体315間を屈曲させることにより、携帯情報端末31
0を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一
態様の発光装置(又は表示装置)を表示パネル312に用いることができる。例えば、曲
率半径1mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置を適用できる。
部322が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末320を示す。図5(E)
に、表示部322が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末320を示す。携
帯情報端末320を使用しない際に、非表示部325を外側に折りたたむことで、表示部
322の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様の発光装置(又は表示装置)を表示
部322に用いることができる。
報端末330の上面図である。図5(H)は携帯情報端末340の外形を説明する斜視図
である。
つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることがで
きる。
。例えば、3つの操作ボタン339を一の面に表示することができる(図5(F)、(H
))。また、破線の矩形で示す情報337を他の面に表示することができる(図5(G)
、(H))。なお、情報337の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング・
サービス)の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名
又は送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、
情報337が表示されている位置に、情報337の代わりに、操作ボタン339、アイコ
ンなどを表示してもよい。なお、図5(F)、(G)では、上側に情報337が表示され
る例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図5(H)に示す携
帯情報端末340のように、横側に表示されていてもよい。
示部333には、本発明の一態様の発光装置(又は表示装置)を用いることができる。
。ここでは、情報355、情報356、情報357がそれぞれ異なる面に表示されている
例を示す。携帯情報端末345の筐体351が有する表示部358には、本発明の一態様
の発光装置(又は表示装置)を用いることができる。
7603、及び面状照明装置7604は、それぞれ本発明の一態様の発光装置を用いた照
明装置の一例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の
照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用するこ
とができる。
含む。照明部7701には、本発明の一態様の発光装置が用いられている。本発明の一態
様では、発光部が曲面を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明
装置を実現することができる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置に用いる
ことで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダ
ッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。なお、本
発明の一態様の照明装置は、筐体又はカバーを有していてもよい。
本実施例では、下記構造式(100)に示される2−{3−[6−(9,9−ジメチルフ
ルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェン−4−イル]フェニル}ジベンゾ[f,h]キ
ノキサリン(略称:2mFDBtPDBq)の合成方法について説明する。
ベンゾ[f,h]キノキサリンと、3.4g(8.4mmol)の6−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェン−4−イルボロン酸と、49mg(0.1
6mmol)のトリ(オルト−トリル)ホスフィンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。
この混合物に、30mLのトルエンと、10mLのエタノールと、8.0mLの炭酸カリ
ウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱
気した。この混合物に18mg(0.080mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え
、窒素気流下、80℃で6時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し
、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムによ
り乾燥し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン:トルエン=3:1)により精製したと
ころ、淡黄色油状物を得た。得られた油状物をトルエン及びヘキサンの混合溶媒で再結晶
したところ、目的物の白色固体を3.8g、収率71%で得た。
条件は、圧力10Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、335℃
で白色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の淡黄色ガラス状固体を2.1g、回収率5
5%で得た。
あることを確認した。
1H NMR(DMSO−d6,500MHz):δ=1.27(s,6H),7.2
4−7.30(m,2H),7.36(dd,J1=6.5Hz,J2=1.0Hz,1
H),7.66−7.95(m,15H),8.50(dd,J1=8.0Hz,J1=
1.5Hz,1H),8.53(dd,J1=7.5Hz,J1=1.0Hz,1H),
8.82(d,J1=8.5Hz,1H),8.85(d,J1=8.0Hz,1H),
8.90(st,J1=2.0Hz,1H),9.13(dd,J1=8.0Hz,J1
=1.0Hz,1H),9.25(dd,J1=8.0Hz,J2=1.0Hz,1H)
,9.73(s,1H)
.00ppm〜10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。これにより、上
述の構造式(100)で表される本発明の一態様の化合物である2mFDBtPDBqが
得られたことがわかった。
atography Mass Spectrometry,略称:LC/MS分析)に
よって分析した。
evo G2 Tof MSを用いて行った。
ation、略称:ESI)によるイオン化を行った。この時のキャピラリー電圧は3.
0kV、サンプルコーン電圧は30Vとし、検出はポジティブモードで行った。以上の条
件でイオン化された成分を衝突室(コリジョンセル)内でアルゴンガスと衝突させてプロ
ダクトイオンに解離させた。アルゴンと衝突させる際のエネルギー(コリジョンエネルギ
ー)は70eVとした。なお、測定する質量範囲はm/z=100乃至1200とした。
化合物、2mFDBtPDBqは、主としてm/z=681付近、m/z=665付近、
m/z=651付近、m/z=638付近、m/z=447付近、m/z=229付近に
プロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図8に示す結果は、2mFDBt
PDBqに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる2mF
DBtPDBqを同定する上での重要なデータであるといえる。
ンゾ[f,h]キノキサリン環側に電荷が残る。m/z=229付近にプロダクトイオン
が検出されたことからは、構造式(100)で表される化合物のジベンゾ[f,h]キノ
キサリン環とフェニレン基のC−C結合が切れた状態の情報が得られていると推測され、
有用である。また、m/z=651付近及びm/z=665付近のプロダクトイオンは、
ジメチルフルオレン環からメチル基が二つ外れたものと、一つ外れたものとそれぞれ推察
できる。以上のように、本測定結果は、本発明の一態様の化合物、2mFDBtPDBq
が、ジベンゾキノキサリン環とジメチルフルオレン環を含んでいることを示唆するもので
ある。
ravimetry−Differential Thermal Analysis)
を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、
TG−DTA2410SA)を用いた。常圧、昇温速度10℃/min、窒素気流下(流
速:200mL/min)条件で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から
、2mFDBtPDBqの5%重量減少温度は495℃であった。このことから、2mF
DBtPDBqの耐熱性が良好であることが示された。
収スペクトル」という)を図9(A)に、発光スペクトルを図9(B)にそれぞれ示す。
また、2mFDBtPDBqの薄膜の吸収スペクトルを図10(A)に、発光スペクトル
を図10(B)にそれぞれ示す。薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペ
クトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用いた。ま
た、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計((株)浜松ホトニクス製 FS920)を
用いた。吸収スペクトル及び発光スペクトルのグラフにおいて横軸は波長(nm)、縦軸
は吸収強度又は発光強度(いずれも任意単位)を表す。図9(A)、(B)より、2mF
DBtPDBqのトルエン溶液は282nm、298nm、342nm、360nm、及
び375nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは385nm及び405nm
(励起波長344nm)であった。また、図10(A)、(B)より2mFDBtPDB
qの薄膜は208nm、264nm、301nm、315nm、347nm、366nm
、及び383nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは420nm(励起波長
350nm)であった。
分光法(理研計器社製、AC−3)で測定した。得られたイオン化ポテンシャルの値を、
負の値に換算した結果、2mFDBtPDBqのHOMO準位は−6.25eVであった
。図10(A)の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を仮定したTaucプロ
ットから求めた2mFDBtPDBqの吸収端は3.09eVであった。従って、2mF
DBtPDBqの固体状態の光学的エネルギーギャップは3.09eVと見積もられ、先
に得たHOMO準位と、このエネルギーギャップの値から、2mFDBtPDBqのLU
MO準位が−3.16eVと見積もることができる。このように、2mFDBtPDBq
は固体状態において3.09eVの広いエネルギーギャップを有していることがわかった
。
オフェンの合成>
ステップ1の合成スキームを(C−1)に示す。
レン−2−イル)ジベンゾチオフェンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。このフラスコ
に30mLのテトラヒドロフラン(THF)を加えて、この溶液を−80℃に冷却した。
この溶液に7.5mL(12mmol)のn−ブチルリチウム(1.6mol/Lヘキサ
ン溶液)を、シリンジにより滴下して加えた。滴下終了後、この溶液を室温に戻しながら
2時間攪拌した。攪拌後、この溶液を再び−80℃まで冷却してから、この溶液へ0.9
0mL(8.0mmol)のホウ酸トリメチルを加え、室温に戻しながら2時間攪拌した
。攪拌後、この溶液に20mLのTHFに溶解した3.6g(14mmol)のヨウ素を
滴下ロートにより滴下して加え、室温に戻しながら18時間攪拌した。攪拌後、この溶液
に100mLのチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、2時間攪拌した。攪拌後、この混合物
の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、チオ硫酸ナトリウム水溶液
と飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後、この混合物
を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、褐色油状物を得た。この油状物に約4
0mLのヘキサンを加えて超音波を照射したところ、淡褐色固体が析出した。析出した固
体を吸引ろ過により回収したところ、目的物の白色粉末を2.4g、収率45%で得た。
ステップ2の合成スキームを(C−2)に示す。
−2−[3−(ジベンゾ[f,h]キノキサリン−2−イル)フェニル]−1,3,2−
ジオキサボロランと、1.4g(2.8mmol)の6−ヨード−4−(9,9−ジメチ
ルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。この
混合物に、15mLのエチレングリコールジメチルエーテルと、3.0mLの炭酸カリウ
ム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気
した。この混合物に32mg(0.028mmol)のテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)を加え、窒素気流下で40時間、還流攪拌した。攪拌後、この混
合物に30mLのトルエンと10mLの水を加え、この混合物の水層をトルエンで抽出し
、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムによ
り乾燥し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン:トルエン=3:1)により精製したと
ころ、淡褐色油状物を得た。得られた油状物に酢酸エチルとヘキサンを加え、超音波を照
射したところ、淡褐色固体が析出した。析出した固体を吸引ろ過により回収したところ、
目的物の淡褐色固体を1.2g、収率61%で得た。
製条件は、圧力10Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、310
℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の淡黄色ガラス状固体を0.95g、回
収率79%で得た。
本実施例では、下記構造式(112)に示される2−(3−{3−[6−(9,9−ジメ
チルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェン−4−イル]フェニル}フェニル)ジベ
ンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBtBPDBq−VIII)の合成方法につ
いて説明する。
成>
ステップ1の合成スキームを(D−1)に示す。
ルオレンと、4.2g(18mmol)のジベンゾチオフェン−4−イルボロン酸と、0
.11g(0.36mmol)のトリ(オルト−トリル)ホスフィンを入れ、フラスコ内
を窒素置換した。この混合物に、65mLのトルエンと、25mLのエタノールと、18
mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を減圧しながら攪
拌することで脱気した。この混合物に40mg(0.18mmol)の酢酸パラジウム(
II)を加え、窒素気流下、80℃で3時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトル
エンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグ
ネシウムにより乾燥し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物
を約10mLのトルエンに溶解し、この溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展
開溶媒 ヘキサン)により精製したところ、油状物を得た。得られた油状物をヘキサンに
より再結晶したところ、目的物の白色固体を5.7g、収率84%で得た。
−イルボロン酸の合成>
ステップ2の合成スキームを(D−2)に示す。
オレン−2−イル)ジベンゾチオフェンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。このフラス
コに36mLのテトラヒドロフラン(THF)を加えて、この溶液を−80℃に冷却した
。この溶液に4.9mL(7.8mmol)のn−ブチルリチウム(1.6mol/Lヘ
キサン溶液)を、シリンジにより滴下して加えた。滴下終了後、この溶液を室温に戻しな
がら2時間攪拌した。攪拌後、この溶液を再び−80℃まで冷却してから、この溶液へ0
.90mL(8.0mmol)のホウ酸トリメチルを加え、室温に戻しながら2時間攪拌
した。攪拌後、この溶液に約10mLの希塩酸(1.0mol/L)を加えて、1時間攪
拌した。攪拌後、この混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて
、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムに
より乾燥し、乾燥後、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、黄色
油状物を得た。この油状物に約5mLのトルエンと約40mLのヘキサンを加えて超音波
を照射したところ、白色固体が析出した。析出した固体を吸引ろ過により回収し、得られ
た固体に約10mLの酢酸エチルと約40mLのヘキサンを加えて洗浄したところ、目的
物の白色粉末を1.4g、収率48%で得た。
イル)ジベンゾチオフェンの合成>
ステップ3の合成スキームを(D−3)に示す。
1.4g(3.3mmol)の6−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)ジベンゾ
チオフェン−4−イルボロン酸と、0.11g(0.36mmol)のトリ(オルト−ト
リル)ホスフィンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、14mLのトルエ
ンと、4.0mLのエタノールと、4.0mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L
)を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に40mg
(0.18mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、窒素気流下、80℃で2時間攪
拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、
飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物を自然ろ過
した。得られたろ液を濃縮して得た油状物を約10mLのトルエンに溶解し、この溶液を
、セライト(和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531−16855、以下に記すセ
ライトについても同様であるが繰り返しの記載は省略する)、アルミナ、フロリジール(
和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540−00135、以下に記すフロリジールに
ついても同様であるが繰り返しの記載は省略する)を通してろ過し、油状物を得た。得ら
れた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン:トルエン=1
9:1)により精製したところ、油状物を得た。得られた油状物を約15時間放置したと
ころ、白色固体が析出した。この固体をメタノールで洗浄し、吸引ろ過により回収したと
ころ、目的物の白色固体を0.90g、収率51%で得た。
ン−4−イル]フェニルボロン酸の合成>
ステップ4の合成スキームを(D−4)に示す。
−4−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェンを入れ、フラスコ
内を窒素置換した。このフラスコに57mLのテトラヒドロフラン(THF)を加えて、
この溶液を−40℃に冷却した。この溶液に3.2mL(5.0mmol)のn−ブチル
リチウム(1.6mol/Lヘキサン溶液)を、シリンジにより滴下して加えた。滴下終
了後、この溶液を同温度で2時間攪拌した。攪拌後、この溶液へ0.67mL(6.0m
mol)のホウ酸トリメチルを加え、室温に戻しながら22時間攪拌した。攪拌後、この
溶液に約10mLの希塩酸(1.0mol/L)を加えて、1時間攪拌した。攪拌後、こ
の混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液と飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、乾燥後
、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮したところ、褐色油状物を得た。この
油状物に約5mLのトルエンと約100mLのヘキサンを加えて超音波を照射したところ
、固体が析出した。析出した固体をヘキサンで洗浄したところ、淡褐色固体を得た。得ら
れた固体を吸引ろ過により回収し、酢酸エチル及びヘキサンの混合溶媒で再結晶したとこ
ろ、目的物の褐色粉末を1.3g、収率58%で得た。
ステップ5の合成スキームを(D−5)に示す。
ジベンゾ[f,h]キノキサリンと、1.1g(2.3mmol)の3−[6−(9,9
−ジメチルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェン−4−イル]フェニルボロン酸と
、0.17g(0.55mmol)のトリ(オルト−トリル)ホスフィンを入れ、フラス
コ内を窒素置換した。この混合物に、7.0mLのトルエンと、3.0mLのエタノール
と、2.5mLの炭酸カリウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を減圧
しながら攪拌することで脱気した。この混合物に25mg(0.11mmol)の酢酸パ
ラジウム(II)を加え、窒素気流下、80℃で12時間攪拌した。攪拌後、この混合物
の水層をトルエンで抽出し、抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機
層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮し
て得た油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン:トルエン=
9:1)により精製したところ、淡黄色固体を得た。得られた固体を酢酸エチルで再結晶
したところ、目的物の淡黄色固体を0.70g、収率44%で得た。
精製条件は、圧力10Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、33
0℃で淡黄色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の淡黄色ガラス状固体を0.56g、
回収率80%で得た。
VIIIであることを確認した。
1H NMR(DMSO−d6,500MHz):δ=1.31(s,6H),7.2
2−7.28(m,2H),7.43(dd,J1=6.0Hz,J2=2.0Hz,1
H),7.63−7.88(m,15H),7.96(d,J1=7.5Hz,2H),
8.28(s,1H),8.47−8.52(m,3H),8.78(s,1H),8.
86(dd,J1=8.5Hz,J2=3.5Hz,2H),9.14(dd,J1=8
.0Hz,J2=1.0Hz,1H),9.28(dd,J1=8.0Hz,J2=1.
0Hz,1H),9.77(s,1H)
ける7.00ppm〜10.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。これによ
り、上述の構造式(112)で表される本発明の一態様の化合物である2mDBtBPD
Bq−VIIIが得られたことがわかった。
実施例1と同様である。
様の化合物、2mDBtBPDBq−VIIIは、主としてm/z=757付近、m/z
=741付近、m/z=727付近、m/z=714付近、m/z=523付近、m/z
=229付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図12に示す結果
は、2mDBtBPDBq−VIIIに由来する特徴的な結果を示すものであることから
、混合物中に含まれる2mDBtBPDBq−VIIIを同定する上での重要なデータで
あるといえる。
ンゾ[f,h]キノキサリン環側に電荷が残る。m/z=229付近にプロダクトイオン
が検出されたことからは、構造式(112)で表される化合物のジベンゾ[f,h]キノ
キサリン環とフェニレン基のC−C結合が切れた状態の情報が得られていると推測され、
有用である。また、m/z=727付近及びm/z=741付近のプロダクトイオンは、
ジメチルフルオレン環からメチル基が二つ外れたものと、一つ外れたものとそれぞれ推察
できる。以上のように、本測定結果は、本発明の一態様の化合物、2mDBtBPDBq
−VIIIが、ジベンゾキノキサリン環とジメチルフルオレン環を含んでいることを示唆
するものである。
実施例1と同様である。熱重量測定から、2mDBtBPDBq−VIIIの5%重量減
少温度は500℃以上であった。このことから、2mDBtBPDBq−VIIIの耐熱
性が良好であることが示された。
に、発光スペクトルを図13(B)にそれぞれ示す。また、2mDBtBPDBq−VI
IIの薄膜の吸収スペクトルを図14(A)に、発光スペクトルを図14(B)にそれぞ
れ示す。測定条件は実施例1と同様である。図13(A)、(B)より、2mDBtBP
DBq−VIIIのトルエン溶液は211nm、281nm、296nm、312nm、
341nm、及び374nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは385nm
、及び407nmであった。また、図14(A)、(B)より2mDBtBPDBq−V
IIIの薄膜は207nm、263nm、300nm、316nm、348nm、366
nm、及び383nm付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは424nm(励起
波長346nm)であった。
にて光電子分光法(理研計器社製、AC−3)で測定した。得られたイオン化ポテンシャ
ルの値を、負の値に換算した結果、2mDBtBPDBq−VIIIのHOMO準位は−
6.31eVであった。図14(A)の薄膜の吸収スペクトルのデータより、直接遷移を
仮定したTaucプロットから求めた2mDBtBPDBq−VIIIの吸収端は3.1
0eVであった。従って、2mDBtBPDBq−VIIIの固体状態の光学的エネルギ
ーギャップは3.10eVと見積もられ、先に得たHOMO準位と、このエネルギーギャ
ップの値から、2mDBtBPDBq−VIIIのLUMO準位が−3.21eVと見積
もることができる。このように、2mDBtBPDBq−VIIIは固体状態において3
.10eVの広いエネルギーギャップを有していることがわかった。
サリン−2−イル)フェニル]−1,3,2−ジオキサボロランの合成>
ステップ1の合成スキームを(E−1)に示す。
ベンゾ[f,h]キノキサリンと、3.3g(13mmol)のビス(ピナコラト)ジボ
ロンと、3.8g(39mmol)の酢酸カリウムを入れ、フラスコ内を窒素置換した。
この混合物に、65mLの1,4−ジオキサンを加え、この混合物を減圧しながら攪拌す
ることで脱気した。この混合物に0.48g(0.65mmol)の[1,1’−ビス(
ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド・ジクロロメタン付
加物を加え、窒素気流下、90℃で2時間攪拌した。攪拌後、この混合物に40mLの水
を加え、室温で30分攪拌した。攪拌後、この混合物の水層を酢酸エチルで抽出し、抽出
溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥
し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た黒色固体を約30mLの熱
したトルエンに溶解し、この溶液を、セライト・アルミナ・フロリジールを通してろ過し
、褐色固体を得た。得られた固体をトルエンにより洗浄したところ、目的物の褐色粉末を
4.9g、収率87%で得た。
ステップ2の合成スキームを(E−2)に示す。
−2−[3−(ジベンゾ[f,h]キノキサリン−2−イル)フェニル]−1,3,2−
ジオキサボロランと、2.2g(4.1mmol)の6−(3−ブロモフェニル)−4−
(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)ジベンゾチオフェンと、0.30g(1.0
mmol)のトリ(オルト−トリル)ホスフィンを入れ、フラスコ内を窒素置換した。こ
の混合物に、15mLのトルエンと、5.0mLのエタノールと、4.2mLの炭酸カリ
ウム水溶液(2.0mol/L)を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱
気した。この混合物に46mg(0.20mmol)の酢酸パラジウム(II)を加え、
窒素気流下、80℃で5時間攪拌した。攪拌後、この混合物の水層をトルエンで抽出し、
抽出溶液と有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより
乾燥し、この混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た油状物をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン:トルエン=7:1)により精製したとこ
ろ、白色固体を得た。得られた固体をトルエン及びヘキサンの混合溶媒で再結晶したとこ
ろ、目的物の白色固体を2.4g、収率77%で得た。
条件は、圧力10Pa、アルゴンガスを流量5.0mL/minで流しながら、325℃
で白色固体を加熱した。昇華精製後、目的物の淡黄色ガラス状固体を2.0g、回収率8
3%で得た。
DBTBPDBq−VIII(試料2)の2種類である。該化合物の合成方法は、上記合
成例1、2を参照できる。また、本実施例で用いた比較の化合物は、2−[3’−(ジベ
ンゾチオフェン−4−イル)ビフェニル−3−イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(
略称:2mDBTBPDBq−II)(比較試料3)及び2−[3−(ジベンゾチオフェ
ン−4−イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq
−II)(比較試料4)の2種類である。各化合物の純度は99.9%であった。各化合
物の化学式を以下に示す。
である。
に取り、溶媒を1mL加えて、該化合物が室温で溶解するかを確認した。室温で該化合物
が溶けない場合は、超音波をかけ、その後ドライヤーで加熱することで該化合物が溶解す
るかを確認した。
するかを確認した。室温で該化合物が溶けない場合は、超音波をかけ、その後ドライヤー
で加熱することで該化合物が溶解するかを確認した。
とがわかった。つまり、ジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格と、ジベンゾチオフェン骨
格とを有し、該ジベンゾチオフェン骨格に9,9−ジアルキルフルオレニル基を導入した
本発明の一態様の化合物は、該2つの骨格を有し、9,9−ジアルキルフルオレニル基を
導入していない、比較の化合物に比べ、極度に溶解性が増すことが示された。
ラフィー、再結晶等)が容易であり、不純物を取り除きやすい。したがって、本発明の一
態様の化合物では、有機溶媒に溶解させて行う分離、精製にて残存する不純物の量を極め
て低減した上で昇華精製するため、高純度化が容易となる。また、高純度化するための昇
華精製の回数を減らすことができる。不純物が十分に除去された化合物を発光素子に用い
ることで、初期劣化が抑制され、発光素子の信頼性を高めることができる。以降の実施例
では、本発明の一態様の化合物を用いた発光素子を作製した結果について説明する。
学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
。本実施例の発光素子の構成は図15を参照できる。
ガラス基板1100上に、珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)膜をスパッタリン
グ法にて成膜することで、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、そ
の膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
00表面を水で洗浄し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った
。
入し、真空蒸着装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、ガ
ラス基板1100を30分程度放冷した。
成されたガラス基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10
−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、4,4’,4’’−(1,3,
5−ベンゼントリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称:DBT3P−II)と酸化
モリブデン(VI)を共蒸着することで、正孔注入層1111を形成した。その膜厚は、
20nmとし、DBT3P−IIと酸化モリブデンの比率は、重量比で4:2(=DBT
3P−II:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理
室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)を20nmの膜厚となるように成膜し
、正孔輸送層1112を形成した。
9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル]−9,9−ジメチル−9H−
フルオレン−2−アミン(略称:PCBBiF)、及び(アセチルアセトナト)ビス(6
−tert−ブチル−4−フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir
(tBuppm)2(acac)])を共蒸着し、正孔輸送層1112上に発光層111
3を形成した。ここでは、2mFDBtPDBq、PCBBiF、及び[Ir(tBup
pm)2(acac)]の重量比が、0.7:0.3:0.05(=2mFDBtPDB
q:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調整して成
膜した膜厚20nmの層と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mFDBtP
DBq:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節し
て成膜した膜厚20nmの層とを積層した。
さらに、バソフェナントロリン(略称:BPhen)を膜厚10nmとなるように成膜す
ることで、電子輸送層1114を形成した。
電子注入層1115を形成した。
厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子1を作製した。
比較発光素子2は、発光層1113及び電子輸送層1114以外は発光素子1と同様に作
製した。ここでは、発光素子1と異なる点のみ詳述する。
[Ir(tBuppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2m
DBTBPDBq−II、PCBBiF、及び[Ir(tBuppm)2(acac)]
の重量比が、0.7:0.3:0.05(=2mDBTBPDBq−II:PCBBiF
:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20n
mの層と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBTBPDBq−II:P
CBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節して成膜した
膜厚20nmの層とを積層した。
なるように成膜し、さらに、BPhenを膜厚10nmとなるように成膜することで、形
成した。
比較発光素子3は、発光層1113及び電子輸送層1114以外は発光素子1と同様に作
製した。ここでは、発光素子1と異なる点のみ詳述する。
Ir(tBuppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2mD
BTPDBq−II、PCBBiF、及び[Ir(tBuppm)2(acac)]の重
量比が、0.7:0.3:0.05(=2mDBTPDBq−II:PCBBiF:[I
r(tBuppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20nmの層
と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBTPDBq−II:PCBBi
F:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節して成膜した膜厚20
nmの層とを積層した。
るように成膜し、さらに、BPhenを膜厚10nmとなるように成膜することで、形成
した。
例5で説明する発光素子1b、比較発光素子2b、及び比較発光素子3bの素子構造につ
いても示す。
それぞれガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV
処理、80℃にて1時間熱処理)を行った。その後、発光素子の動作特性について測定を
行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
のグラフにおいて、横軸は電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を表す。また、輝度
−電流効率特性を図17に示す。各実施例で示す、輝度−電流効率特性のグラフにおいて
、横軸は輝度(cd/m2)を、縦軸は電流効率(cd/A)を表す。また、電圧−電流
特性を図18に示す。各実施例で示す、電圧−電流特性のグラフにおいて、横軸は電圧(
V)を、縦軸は電流(mA)を表す。また、各発光素子における輝度1000cd/m2
付近のときの電圧(V)、電流密度(mA/cm2)、CIE色度座標(x、y)、電流
効率(cd/A)、パワー効率(lm/W)、外部量子効率(%)を表3に示す。
.42,0.57)であり、それぞれ黄緑色の発光を示した。また、各発光素子に2.5
mA/cm2の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図19に示す。各実施例
で示す、発光スペクトルのグラフにおいて、横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意
単位)を表す。図19に示す通り、各発光素子の発光スペクトルは546nm付近にピー
クを有していた。これらの結果から、本実施例の発光素子は、それぞれ[Ir(tBup
pm)2(acac)]に由来する黄緑色発光が得られたことがわかった。
が低いことがわかった。
施例で示す信頼性試験の結果のグラフにおいて、縦軸は初期輝度を100%とした時の規
格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。信頼性試験は、室温で行い
、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で各発光素子を駆動した
。図20から、1500時間後の輝度は、発光素子1では初期輝度の80%を保っており
、比較発光素子2では初期輝度の78%を保っており、比較発光素子3では初期輝度の6
0%を保っていた。この信頼性試験の結果から、発光素子1は比較発光素子2及び比較発
光素子3に比べて長寿命であることが明らかとなった。
に用いた2mDBTBPDBq−IIや比較発光素子3に用いた2mDBTPDBq−I
Iに比べて有機溶媒への溶解性が高い。溶解性の高い化合物は、精製しやすく不純物を除
去しやすい。不純物が十分に除去された本発明の一態様の化合物を発光素子に用いること
で、初期劣化が抑制された、信頼性の高い素子が実現できたと考えられる。
する。
子1bは、実施例4の発光素子1と同じ構成、作製方法を適用して作製した。同様に、比
較発光素子2bは比較発光素子2と、比較発光素子3bは比較発光素子3と、それぞれ同
じ構成、作製方法を適用して作製した。
経過した後、動作特性を測定した。なお、測定は、恒温槽から取り出した後、室温(25
℃に保たれた雰囲気)で行った。
0℃で150時間保存した後の発光素子1bの輝度−外部量子効率特性を図22に示す。
各実施例で示す、輝度−外部量子効率特性のグラフにおいて、横軸は輝度(cd/m2)
を、縦軸は外部量子効率(%)を表す。なお、図21及び図22では、発光素子1bの保
存試験前の特性、並びに、50時間及び100時間保存した後の特性も合わせて示す。
輝度−外部量子効率特性を図24に示す。なお、図23及び図24では、比較発光素子2
bの保存試験前の特性、並びに、1時間、10時間、13時間、及び16時間保存した後
の特性も合わせて示す。
度−外部量子効率特性を図26に示す。なお、図25及び図26では、比較発光素子3b
の保存試験前の特性、並びに、1時間及び2時間保存した後の特性も合わせて示す。
圧−電流特性や輝度−外部量子効率特性の変化が小さく、素子の特性がほとんど劣化して
いないことがわかる。一方で、図23〜図26より、比較発光素子2b、3bは、100
℃で保存することで、電圧−電流特性や輝度−外部量子効率特性が大きく変化し、素子の
特性が劣化していることがわかる。そして、比較発光素子2bは100℃で20時間保存
した後、比較発光素子3bは100℃で3時間保存した後には、ほとんど発光していない
ことがわかる。
グラフにおいて、縦軸は、各素子の保存試験前の1000cd/m2の輝度における電流
効率を100%とした時の規格化電流効率(%)を示し、横軸は100℃での保存時間(
h)を示す。
ず、電流効率がほとんど変化していない。一方で、比較発光素子2b、3bは、電流効率
が大きく低下しており、電流のリークが示唆される。
た発光素子1bと、9,9−ジアルキルフルオレニル基を有していない2mDBTBPD
Bq−II又は2mDBTPDBq−IIを用いた比較発光素子2b、3bとでは、高温
保存試験における挙動が極端に変わっていることがわかる。すなわち、後者では大きな特
性劣化が生じるが、前者ではほとんど特性が劣化しない。
明の一態様の化合物を用いることで、9,9−ジアルキルフルオレニル基を置換基として
有していない化合物を用いる場合に比べて、高耐熱性、かつ長寿命な発光素子を実現でき
ることがわかった。
学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
子の構成は図15を参照できる。
発光素子4は、発光層1113以外は発光素子1と同様に作製した。ここでは、発光素子
1と異なる点のみ詳述する。
アセトナト)ビス(4,6−ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[
Ir(dppm)2(acac)])を共蒸着することで形成した。ここでは、2mFD
BtPDBq、PCBBiF、及び[Ir(dppm)2(acac)]の重量比が、0
.7:0.3:0.05(=2mFDBtPDBq:PCBBiF:[Ir(dppm)
2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20nmの層と、該重量比が、0
.8:0.2:0.05(=2mFDBtPDBq:PCBBiF:[Ir(dppm)
2(acac)])となるように調節して成膜した膜厚20nmの層とを積層した。
比較発光素子5は、発光層1113及び電子輸送層1114以外は比較発光素子2と同様
に作製した。ここでは、比較発光素子2と異なる点のみ詳述する。
[Ir(dppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2mDB
TBPDBq−II、PCBBiF、及び[Ir(dppm)2(acac)]の重量比
が、0.7:0.3:0.05(=2mDBTBPDBq−II:PCBBiF:[Ir
(dppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20nmの層と、該
重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBTBPDBq−II:PCBBiF:
[Ir(dppm)2(acac)])となるように調節して成膜した膜厚20nmの層
とを積層した。
それぞれガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV
処理、80℃にて1時間熱処理)を行った。その後、発光素子の動作特性について測定を
行った。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
9に示す。また、電圧−電流特性を図30に示す。また、各発光素子における輝度100
0cd/m2付近のときの電圧(V)、電流密度(mA/cm2)、CIE色度座標(x
、y)、電流効率(cd/A)、パワー効率(lm/W)、外部量子効率(%)を表5に
示す。
5,0.45)であり、比較発光素子5は、1200cd/m2の輝度の時のCIE色度
座標が(x,y)=(0.56,0.44)であり、それぞれ橙色の発光を示した。また
、各発光素子に2.5mA/cm2の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図
31に示す。図31に示す通り、発光素子4の発光スペクトルは583nm付近にピーク
を有し、比較発光素子5の発光スペクトルは587nm付近にピークを有していた。これ
らの結果から、本実施例の発光素子は、それぞれ[Ir(dppm)2(acac)]に
由来する橙色発光が得られたことがわかった。
が低いことがわかった。
性試験は、室温で行い、初期輝度を5000cd/m2に設定し、電流密度一定の条件で
各発光素子を駆動した。図32から、3400時間後の輝度は、発光素子4では初期輝度
の86%を保っており、比較発光素子5では初期輝度の80%を保っていた。この信頼性
試験の結果から、発光素子4は比較発光素子5に比べて長寿命であることが明らかとなっ
た。
に用いた2mDBTBPDBq−IIに比べて有機溶媒への溶解性が高い。溶解性の高い
化合物は、精製しやすく不純物を除去しやすい。不純物が十分に除去された本発明の一態
様の化合物を発光素子に用いることで、初期劣化が抑制された、信頼性の高い素子が実現
できたと考えられる。
学式を以下に示す。なお、既に示した材料については省略する。
参照できる。
発光素子6は、発光層1113及び電子輸送層1114以外は発光素子1と同様に作製し
た。ここでは、発光素子1と異なる点のみ詳述する。
[Ir(tBuppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2m
DBtBPDBq−VIII、PCBBiF、及び[Ir(tBuppm)2(acac
)]の重量比が、0.7:0.3:0.05(=2mDBtBPDBq−VIII:PC
BBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜
厚20nmの層と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBtBPDBq−
VIII:PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節
して成膜した膜厚20nmの層とを積層した。
なるように成膜し、さらに、2,9−ジ(2−ナフチル)−4,7−ジフェニル−1,1
0−フェナントロリン(略称:NBphen)を膜厚10nmとなるように成膜すること
で、形成した。
例8で説明する発光素子6bの素子構造についても示す。
ガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処理、8
0℃にて1時間熱処理)を行った。その後、発光素子の動作特性について測定を行った。
なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
4に示す。また、電圧−電流特性を図35に示す。また、本実施例の発光素子における輝
度800cd/m2のときの電圧(V)、電流密度(mA/cm2)、CIE色度座標(
x、y)、電流効率(cd/A)、パワー効率(lm/W)、外部量子効率(%)を表7
に示す。
,0.57)であり、黄緑色の発光を示した。また、発光素子6に2.5mA/cm2の
電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図36に示す。図36に示す通り、発光
素子6の発光スペクトルは548nm付近にピークを有していた。これらの結果から、発
光素子6は、[Ir(tBuppm)2(acac)]に由来する黄緑色発光が得られた
ことがわかった。
わかった。
い発光素子を実現できることがわかった。
明する。
比較発光素子7bは、発光層1113及び電子輸送層1114以外は発光素子1と同様に
作製した。ここでは、発光素子1と異なる点のみ詳述する。
び[Ir(tBuppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2
mDBTBPDBq−II、PCBBiF、及び[Ir(tBuppm)2(acac)
]の重量比が、0.7:0.3:0.05(=2mDBTBPDBq−II:PCBBi
F:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20
nmの層と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBTBPDBq−II:
PCBBiF:[Ir(tBuppm)2(acac)])となるように調節して成膜し
た膜厚20nmの層とを積層した。
となるように成膜し、さらに、NBphenを膜厚10nmとなるように成膜することで
、形成した。
経過した後、動作特性を測定した。なお、測定は、恒温槽から取り出した後、室温(25
℃に保たれた雰囲気)で行った。
度−外部量子効率特性を図38に示す。なお、図37及び図38では、発光素子6bの保
存試験前の特性、並びに、100時間、150時間、200時間、及び500時間保存し
た後の特性も合わせて示す。
、輝度−外部量子効率特性を図40に示す。なお、図39及び図40では、発光素子7b
の保存試験前の特性、並びに、20時間、50時間、100時間、及び150時間保存し
た後の特性も合わせて示す。
電圧−電流特性や輝度−外部量子効率特性の変化が小さく、素子の特性がほとんど劣化し
ていないことがわかる。一方で、図39、図40より、比較発光素子7bは、100℃で
保存することで、電圧−電流特性や輝度−外部量子効率特性が大きく変化し、素子の特性
が劣化していることがわかる。比較発光素子7bは100℃で200時間保存した後には
、ほとんど発光していないことがわかる。
素子6bは、100℃で1000時間保存したにも関わらず、電流効率がほとんど変化し
ていない。一方で、比較発光素子7bは、電流効率が大きく低下しており、電流のリーク
が示唆される。
IIを用いた発光素子6bと、9,9−ジアルキルフルオレニル基を有していない2mD
BTBPDBq−IIを用いた比較発光素子7bとでは、高温保存試験における挙動が極
端に変わっていることがわかる。すなわち、後者では大きな特性劣化が生じるが、前者で
はほとんど特性が劣化しない。
明の一態様の化合物を用いることで、9,9−ジアルキルフルオレニル基を置換基として
有していない化合物を用いる場合に比べて、高耐熱性、かつ長寿命な発光素子を実現でき
ることがわかった。
既に示した材料であるため、該材料の化学式は省略する。
参照できる。
発光素子8は、発光層1113以外は発光素子6と同様に作製した。ここでは、発光素子
6と異なる点のみ詳述する。
[Ir(dppm)2(acac)]を共蒸着することで形成した。ここでは、2mDB
tBPDBq−VIII、PCBBiF、及び[Ir(dppm)2(acac)]の重
量比が、0.7:0.3:0.05(=2mDBtBPDBq−VIII:PCBBiF
:[Ir(dppm)2(acac)])となるように調整して成膜した膜厚20nmの
層と、該重量比が、0.8:0.2:0.05(=2mDBtBPDBq−VIII:P
CBBiF:[Ir(dppm)2(acac)])となるように調節して成膜した膜厚
20nmの層とを積層した。
ガラス基板により封止する作業(シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にUV処理、8
0℃にて1時間熱処理)を行った。その後、発光素子の動作特性について測定を行った。
なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。
3に示す。また、電圧−電流特性を図44に示す。また、本実施例の発光素子における輝
度1100cd/m2のときの電圧(V)、電流密度(mA/cm2)、CIE色度座標
(x、y)、電流効率(cd/A)、パワー効率(lm/W)、外部量子効率(%)を表
10に示す。
5,0.45)であり、橙色の発光を示した。また、発光素子8に2.5mA/cm2の
電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図45に示す。図45に示す通り、発光
素子8の発光スペクトルは583nm付近にピークを有していた。これらの結果から発光
素子8は、[Ir(dppm)2(acac)]に由来する橙色発光が得られたことがわ
かった。
わかった。
い発光素子を実現できることがわかった。
203 EL層
203a 第1のEL層
203b 第2のEL層
205 第2の電極
207 中間層
301 正孔注入層
302 正孔輸送層
303 発光層
304 電子輸送層
305 電子注入層
310 携帯情報端末
312 表示パネル
313 ヒンジ
315 筐体
320 携帯情報端末
322 表示部
325 非表示部
330 携帯情報端末
333 表示部
335 筐体
336 筐体
337 情報
339 操作ボタン
340 携帯情報端末
345 携帯情報端末
351 筐体
355 情報
356 情報
357 情報
358 表示部
401 支持基板
403 発光素子
405 封止基板
407 封止材
409a 第1の端子
409b 第2の端子
411a 光取り出し構造
411b 光取り出し構造
413 平坦化層
415 空間
417 補助配線
419 絶縁層
421 第1の電極
423 EL層
425 第2の電極
501 支持基板
503 発光素子
504 発光素子
505 封止基板
506 乾燥剤
507 封止材
509 FPC
511 第1の絶縁層
513 第2の絶縁層
515 空間
517 引き出し配線
519 隔壁
521 第1の電極
523 EL層
525 第2の電極
531 ブラックマトリクス
533 カラーフィルタ
535 オーバーコート層
541a トランジスタ
541b トランジスタ
542 トランジスタ
543 トランジスタ
551 発光部
551a 発光部
551b 発光部
552 駆動回路部
553 駆動回路部
561 第1の電極
563 EL層
565 第2の電極
1100 ガラス基板
1101 第1の電極
1103 第2の電極
1111 正孔注入層
1112 正孔輸送層
1113 発光層
1114 電子輸送層
1115 電子注入層
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 コンピュータ
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7300 携帯型ゲーム機
7301a 筐体
7301b 筐体
7302 連結部
7303a 表示部
7303b 表示部
7304 スピーカ部
7305 記録媒体挿入部
7306 操作キー
7307 接続端子
7308 センサ
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7500 タブレット型端末
7501a 筐体
7501b 筐体
7502a 表示部
7502b 表示部
7503 軸部
7504 電源
7505 操作キー
7506 スピーカ
7601 照明装置
7602 照明装置
7603 卓上照明装置
7604 面状照明装置
7701 照明部
7703 支柱
7705 支持台
Claims (10)
- 下記式(a2)で表される化合物。
(式中、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表す。Aは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表す。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。R43及びR44は、共に水素を表す、または、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基を表し、互いに結合して環を形成していてもよい。) - 下記式(a4)で表される化合物。
(式中、Xは、置換もしくは無置換のフルオレニル基を表す。Aは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のジベンゾフラニレン基を表す。R43及びR44は、共に水素を表す、または、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基を表し、互いに結合して環を形成していてもよい。) - 下記式(a1)で表される化合物。
(式中、Yはハロゲン又はトリフラート基を表す。R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表す。) - 下記式(a3)で表される化合物。
(式中、Yはハロゲン又はトリフラート基を表す。Arは、置換もしくは無置換の炭素数6〜30のアリーレン基を表す。R11〜R19は、それぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜13のアリール基を表す。) - 下記式で表される化合物。
- 下記式で表される化合物。
- 下記式で表される化合物。
- 下記式で表される化合物。
- 下記式で表される化合物。
- 下記式で表される化合物。
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