JP2019169520A - Light receiving module and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

To provide a light receiving module and a manufacturing method thereof capable of arranging photodiodes at appropriate positions on the main surface of a stem.SOLUTION: A manufacturing method of a light receiving module includes a first step of mounting an integrated circuit chip 26 provided with a first electrode and a second electrode on the main surface of a stem 24, and an electronic component, a second step of wire-bonding a first terminal portion and the electronic component, a third step of mounting a carrier 25 mounted with a light receiving element 21 on the integrated circuit chip via an adhesive, and a fourth step of wire-bonding a second terminal portion and a third terminal portion provided on the carrier 25 in this order.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、受光モジュール及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light receiving module and a manufacturing method thereof.

特許文献１には、光ファイバに取り付けられる同軸タイプの受光モジュールが開示されている。この受光モジュールは、パッケージと、パッケージ上面に設けられたフォトダイオードと、パッケージ上面に設けられたプリアンプＩＣと、を備える。フォトダイオードおよびプリアンプＩＣは、パッケージに固定された電源端子および信号出力端子と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。   Patent Document 1 discloses a coaxial type light receiving module attached to an optical fiber. The light receiving module includes a package, a photodiode provided on the upper surface of the package, and a preamplifier IC provided on the upper surface of the package. The photodiode and the preamplifier IC are electrically connected to a power supply terminal and a signal output terminal fixed to the package via bonding wires.

特許第３６２３１４４号公報Japanese Patent No. 3623144

光ファイバの光軸と交差するステムの主面上にフォトダイオードを搭載する同軸タイプの受光モジュールが知られている（例えば特許文献１を参照）。このような受光モジュールにおいては、ステムの主面の面積の制限により、プリアンプなどの集積回路チップ及びフォトダイオードを自在に配置できない場合がある。特に、集積回路チップの寸法が高機能化等により大きくなると、このような問題が顕著となる。このような場合、フォトダイオードの位置が入射光の中心軸から大きく外れると、受光感度が低下してしまう。逆に、フォトダイオードの位置が入射光の中心軸に近すぎると、フォトダイオードの受光面の反射による戻り光が増し、光反射減衰量（OpticalReturn Loss；ＯＲＬ）が増大してしまう。   A coaxial type light receiving module is known in which a photodiode is mounted on a main surface of a stem that intersects the optical axis of an optical fiber (see, for example, Patent Document 1). In such a light receiving module, there are cases where an integrated circuit chip such as a preamplifier and a photodiode cannot be freely arranged due to the limitation of the area of the main surface of the stem. In particular, such a problem becomes conspicuous when the dimensions of the integrated circuit chip are increased due to higher functions or the like. In such a case, if the position of the photodiode greatly deviates from the central axis of the incident light, the light receiving sensitivity is lowered. On the contrary, if the position of the photodiode is too close to the central axis of the incident light, the return light due to the reflection of the light receiving surface of the photodiode increases, and the optical return loss (ORL) increases.

本発明は、ステムの主面上の適切な位置にフォトダイオードを配置することができる受光モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the light reception module which can arrange | position a photodiode in the appropriate position on the main surface of a stem, and its manufacturing method.

一実施形態に係る受光モジュールの製造方法は、ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、第１電極及び電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、第２電極、及びキャリア上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、をこの順に備える。   A method for manufacturing a light receiving module according to an embodiment includes a first step of mounting an integrated circuit chip provided with a first electrode and a second electrode and an electronic component on a main surface of a stem, and the first electrode and the electronic A second step of wire bonding the components, a third step of mounting a carrier on which the light receiving element is mounted on the integrated circuit chip via an adhesive, a second electrode and a carrier provided on the carrier and And a fourth step of wire bonding the wiring patterns to be connected.

別の一実施形態に係る受光モジュールは、受光素子と、第１面及び第１面とは反対側の第２面を有し、第１面に前記受光素子を搭載するキャリアと、第２面に対向する第３面及び第３面とは反対側の第４面を有し、接着剤を介して第３面に前記キャリアを搭載する集積回路チップと、主面上に集積回路チップを搭載するステムと、受光素子と集積回路チップとを電気的に接続するワイヤと、を備え、集積回路チップの第３面上には、受光素子に電気的に接続される電極が設けられ、電極は、第３面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有し、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている。   A light receiving module according to another embodiment includes a light receiving element, a first surface and a second surface opposite to the first surface, a carrier on which the light receiving element is mounted on the first surface, and a second surface An integrated circuit chip on which the carrier is mounted on the third surface via an adhesive, and an integrated circuit chip is mounted on the main surface. And a wire for electrically connecting the light receiving element and the integrated circuit chip, and an electrode electrically connected to the light receiving element is provided on the third surface of the integrated circuit chip. And an electrode pad provided on the third surface, and a conductive member provided on the electrode pad, at least a top surface of which is exposed from the adhesive, and the wire is provided on the conductive member and the first surface of the carrier. Bonded to the wiring pattern that is provided and connected to the light receiving element That.

本発明による受光モジュール及びその製造方法によれば、ステムの主面上の適切な位置にフォトダイオードを配置することができる。   According to the light receiving module and the manufacturing method thereof according to the present invention, the photodiode can be arranged at an appropriate position on the main surface of the stem.

図１は、本発明の一実施形態による受光モジュールの構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light receiving module according to an embodiment of the present invention. 図２は、受光部のフォトダイオード付近の構成を拡大して示す側面図である。FIG. 2 is an enlarged side view showing a configuration near the photodiode of the light receiving unit. 図３は、パッケージおよびレンズを取り除いた受光部の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the light receiving unit with the package and lens removed. 図４は、集積回路チップの第２面の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the second surface of the integrated circuit chip. 図５は、キャリアの第４面の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the fourth surface of the carrier. 図６は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。FIG. 6 is a view for explaining the method of manufacturing the light receiving module according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。FIG. 7 is a view for explaining the method of manufacturing the light receiving module according to the embodiment. 図８は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。FIG. 8 is a view for explaining the method of manufacturing the light receiving module according to the embodiment. 図９（ａ）は、図８のＩＸａ−ＩＸａ線に沿った断面図であり、図９（ｂ）は、図８のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿った断面図である。9A is a cross-sectional view taken along the line IXa-IXa in FIG. 8, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line IXb-IXb in FIG. 図１０は、実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a method of manufacturing the light receiving module according to the embodiment. 図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 図１２は、実施形態の第１変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a first modification of the embodiment. 図１３は、実施形態の第２変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a second modification of the embodiment. 図１４（ａ）は、実施形態の第３変形例に係る受光部の要部拡大断面図であり、図１４（ｂ）は、第３変形例の導電部材を示す概略斜視図であり、図１４（ｃ）は、第３変形例の導電部材を示す概略平面図である。FIG. 14A is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a third modification of the embodiment, and FIG. 14B is a schematic perspective view showing a conductive member of the third modification. 14 (c) is a schematic plan view showing a conductive member of a third modified example. 図１５（ａ）は、実施形態の第４変形例に係る受光部の要部拡大断面図であり、図１５（ｂ）は、第４変形例の導電部材を示す概略斜視図である。FIG. 15A is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a fourth modification of the embodiment, and FIG. 15B is a schematic perspective view showing a conductive member of the fourth modification.

［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態は、ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、第１電極及び電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、第２電極、及びキャリア上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、をこの順に備える受光モジュールの製造方法である。 [Description of Embodiment of the Present Invention]
First, the contents of the embodiment of the present invention will be listed and described. One embodiment of the present invention includes a first step of mounting an integrated circuit chip provided with a first electrode and a second electrode on a main surface of a stem, and an electronic component, and wire bonding of the first electrode and the electronic component. A second step, a third step of mounting the carrier on which the light receiving element is mounted on the integrated circuit chip via an adhesive, a second electrode, and a wiring provided on the carrier and connected to the light receiving element A light receiving module manufacturing method comprising: a fourth step of wire bonding a pattern; and in this order.

この受光モジュールの製造方法では、集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを搭載する。これにより、集積回路チップの寸法が大きい場合であっても、受光素子の配置の自由度を高めることができるので、ステムの主面上の適切な位置に受光素子を配置することができる。加えて、上記製造方法では、集積回路チップ上に接着剤を介してキャリアを搭載する前に、ステム上の電子部品と、集積回路チップの第１電極とをワイヤボンディングする。これにより、キャリアと集積回路チップとの間から押し出されて流動する接着剤によって第１電極が覆われることを回避できる。したがって、電子部品と第１電極とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   In this light receiving module manufacturing method, a carrier on which a light receiving element is mounted is mounted on an integrated circuit chip. Thereby, even if the dimensions of the integrated circuit chip are large, the degree of freedom of arrangement of the light receiving elements can be increased, so that the light receiving elements can be arranged at appropriate positions on the main surface of the stem. In addition, in the manufacturing method described above, the electronic component on the stem and the first electrode of the integrated circuit chip are wire-bonded before the carrier is mounted on the integrated circuit chip via the adhesive. Thereby, it can avoid that a 1st electrode is covered with the adhesive agent which is extruded from between a carrier and an integrated circuit chip | tip, and flows. Therefore, it can suppress that a defect generate | occur | produces in the wire bonding of an electronic component and a 1st electrode.

集積回路チップの長手方向に沿って第１電極が設けられると共に、集積回路チップの短手方向に沿って第２電極が設けられ、平面視にて、キャリアと第２電極との間隔は、キャリアと第１電極との間隔よりも大きてもよい。この場合、集積回路チップ上に接着剤を介してキャリアを搭載したとき、第１電極と比較して、当該接着剤が第２電極まで到達しにくくなる。このため、第２電極が接着剤によって覆われることを回避できる。したがって、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   The first electrode is provided along the longitudinal direction of the integrated circuit chip, and the second electrode is provided along the short direction of the integrated circuit chip. In plan view, the distance between the carrier and the second electrode is the carrier And may be larger than the distance between the first electrode and the first electrode. In this case, when the carrier is mounted on the integrated circuit chip via the adhesive, the adhesive does not easily reach the second electrode as compared with the first electrode. For this reason, it can avoid that a 2nd electrode is covered with an adhesive agent. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects in wire bonding between the second electrode and the wiring pattern.

キャリアにおいて第２電極に対向する側面は、傾斜面であり、傾斜面と、キャリアにおいて集積回路チップと対向する面とがなす角度は、鈍角であってもよい。この場合、上記側面と集積回路チップにおいて接着剤が設けられる面とがなす角度は、鋭角になる。このため、表面張力の影響によって、上記側面が垂直面であるときと比較して、接着剤が上記側面から離れにくくなる。したがって、流動する接着剤が第２電極まで到達しにくくなるので、第２電極が接着剤によって覆われることを回避できる。   The side surface facing the second electrode in the carrier is an inclined surface, and the angle formed by the inclined surface and the surface facing the integrated circuit chip in the carrier may be an obtuse angle. In this case, the angle formed by the side surface and the surface on which the adhesive is provided in the integrated circuit chip is an acute angle. For this reason, due to the influence of surface tension, the adhesive is less likely to be separated from the side surface than when the side surface is a vertical surface. Therefore, since the flowing adhesive does not easily reach the second electrode, it can be avoided that the second electrode is covered with the adhesive.

第２電極は、集積回路チップにおいてキャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられるバンプとを有し、第４工程では、バンプと配線パターンとをワイヤボンディングしてもよい。この場合、第２電極においては、電極パッドが接着剤に覆われたとしてもバンプの頂面は接着剤に覆われにくくなっている。このため、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   The second electrode has an electrode pad provided on the surface on which the carrier is mounted in the integrated circuit chip and a bump provided on the electrode pad. In the fourth step, the bump and the wiring pattern are bonded by wire bonding. Also good. In this case, in the second electrode, even if the electrode pad is covered with the adhesive, the top surface of the bump is not easily covered with the adhesive. For this reason, it can suppress that a defect generate | occur | produces in the wire bonding of a 2nd electrode and a wiring pattern.

第２電極は、集積回路チップにおいてキャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられる中継基板とを有し、第４工程では、中継基板の頂面に設けられると共に電極パッドに電気的に接続される導電部と、配線パターンとをワイヤボンディングしてもよい。この場合、第２電極においては、電極パッドが接着剤に覆われたとしても導電部は接着剤に覆われにくくなっている。このため、第２電極と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   The second electrode has an electrode pad provided on the surface on which the carrier is mounted in the integrated circuit chip and a relay substrate provided on the electrode pad. In the fourth step, the second electrode is provided on the top surface of the relay substrate. The conductive portion electrically connected to the electrode pad and the wiring pattern may be wire bonded. In this case, in the second electrode, even if the electrode pad is covered with the adhesive, the conductive portion is hardly covered with the adhesive. For this reason, it can suppress that a defect generate | occur | produces in the wire bonding of a 2nd electrode and a wiring pattern.

電極パッドと導電部とは、中継基板内に設けられるビア配線を介して電気的に接続されてもよい。この場合、ビア配線を中継基板によって保護できるので、電極パッドと導電部との導電状態を良好に保持できる。   The electrode pad and the conductive portion may be electrically connected via via wiring provided in the relay substrate. In this case, since the via wiring can be protected by the relay substrate, the conductive state between the electrode pad and the conductive portion can be favorably maintained.

電極パッドと導電部とは、中継基板の表面に設けられる中継配線を介して電気的に接続されてもよい。この場合、中継基板にビア配線が形成されるときと比較して、中継基板に中継配線を容易に形成できる。   The electrode pad and the conductive portion may be electrically connected via a relay wiring provided on the surface of the relay substrate. In this case, the relay wiring can be easily formed on the relay board as compared with the case where the via wiring is formed on the relay board.

本発明の他の一実施形態は、受光素子と、第１面及び第１面とは反対側の第２面を有し、第１面に前記受光素子を搭載するキャリアと、第２面に対向する第３面及び第３面とは反対側の第４面を有し、接着剤を介して第３面に前記キャリアを搭載する集積回路チップと、主面上に集積回路チップを搭載するステムと、受光素子と集積回路チップとを電気的に接続するワイヤと、を備え、集積回路チップの第３面上には、受光素子に電気的に接続される電極が設けられ、電極は、第３面上に設けられる電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有し、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている、受光モジュールである。   Another embodiment of the present invention includes a light receiving element, a first surface and a second surface opposite to the first surface, a carrier on which the light receiving element is mounted on the first surface, and a second surface. An integrated circuit chip having an opposing third surface and a fourth surface opposite to the third surface and mounting the carrier on the third surface via an adhesive, and mounting the integrated circuit chip on the main surface A stem, a wire for electrically connecting the light receiving element and the integrated circuit chip, and an electrode electrically connected to the light receiving element is provided on the third surface of the integrated circuit chip. An electrode pad provided on the third surface; and a conductive member provided on the electrode pad, at least a top surface of which is exposed from the adhesive. The wire is provided on the conductive member and the first surface of the carrier. And is bonded to the wiring pattern connected to the light receiving element. Is Yuru.

この受光モジュールでは、受光素子を搭載するキャリアが集積回路チップ上に搭載されている。これにより、集積回路チップの寸法が大きい場合であっても、受光素子の配置の自由度を高めることができるので、ステムの主面上の適切な位置に受光素子を配置することができる。また、集積回路チップの電極は、第３面上から露出する電極パッドと、電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が接着剤から露出する導電部材とを有する。加えて、ワイヤは、導電部材と、キャリアの第１面上に設けられると共に受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている。これにより、電極パッドが接着剤によって覆われたとしても、導電部材の頂面は接着剤から露出している。したがって、導電部材と配線パターンとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   In this light receiving module, a carrier on which a light receiving element is mounted is mounted on an integrated circuit chip. Thereby, even if the dimensions of the integrated circuit chip are large, the degree of freedom of arrangement of the light receiving elements can be increased, so that the light receiving elements can be arranged at appropriate positions on the main surface of the stem. The electrode of the integrated circuit chip includes an electrode pad exposed from the third surface and a conductive member provided on the electrode pad and having at least a top surface exposed from the adhesive. In addition, the wire is bonded to the conductive member and a wiring pattern provided on the first surface of the carrier and connected to the light receiving element. Thereby, even if the electrode pad is covered with the adhesive, the top surface of the conductive member is exposed from the adhesive. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects in wire bonding between the conductive member and the wiring pattern.

［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る受光モジュール及びその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 [Details of the embodiment of the present invention]
Specific examples of the light receiving module and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited to these illustrations, is shown by the claim, and intends that all the changes within the meaning and range equivalent to the claim are included. In the following description, the same reference numerals are given to the same elements in the description of the drawings, and redundant descriptions are omitted.

図１は、本発明の一実施形態による受光モジュール１Ａの構成を示す断面図であって、入射光の光軸に沿った断面を示している。図１に示されるように、本実施形態の受光モジュール１Ａは、光ファイバに接続される光レセプタクル１０と、光レセプタクル１０に固定された受光部２０とを備える。また、光レセプタクル１０は、ファイバスタブ（スタブフェルール）１２と、金属部材１４と、スリーブ１６と、外郭部材（シェル）１８とを有する。ファイバスタブ１２は、フェルール１１と、光ファイバ１３とを有する。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light receiving module 1A according to an embodiment of the present invention, and shows a cross section along the optical axis of incident light. As shown in FIG. 1, the light receiving module 1 </ b> A of the present embodiment includes an optical receptacle 10 connected to an optical fiber, and a light receiving unit 20 fixed to the optical receptacle 10. The optical receptacle 10 includes a fiber stub (stub ferrule) 12, a metal member 14, a sleeve 16, and an outer member (shell) 18. The fiber stub 12 includes a ferrule 11 and an optical fiber 13.

フェルール１１は、円筒形状（または円柱形状）を有する部材である。フェルール１１の中心軸線は方向Ａ１に沿って延びており、フェルール１１の該中心軸線に垂直な断面は円形である。フェルール１１は、方向Ａ１において並ぶ基端面１１ａ及び先端面１１ｂを有する。先端面１１ｂは、光レセプタクル１０に接続される光コネクタのフェルールとフィジカルコンタクトを行う面であって、例えば球面状に研磨されている。基端面１１ａは、先端面１１ｂとは反対側の面であって、この光レセプタクル１０に取り付けられる受光部２０と対向する。基端面１１ａは、フェルール１１の中心軸線に垂直な面に対して僅かに（例えば８°程度）傾斜している。フェルール１１は、円柱面である外周面１１ｃを更に有する。   The ferrule 11 is a member having a cylindrical shape (or a columnar shape). The central axis of the ferrule 11 extends along the direction A1, and the cross section perpendicular to the central axis of the ferrule 11 is circular. The ferrule 11 has a proximal end surface 11a and a distal end surface 11b arranged in the direction A1. The front end surface 11b is a surface that performs physical contact with the ferrule of the optical connector connected to the optical receptacle 10, and is polished into, for example, a spherical shape. The base end surface 11 a is a surface opposite to the front end surface 11 b and faces the light receiving unit 20 attached to the optical receptacle 10. The base end face 11 a is slightly inclined (for example, about 8 °) with respect to a plane perpendicular to the central axis of the ferrule 11. The ferrule 11 further has an outer peripheral surface 11c that is a cylindrical surface.

フェルール１１は、ファイバ保持孔１１ｄを更に有する。ファイバ保持孔１１ｄは、方向Ａ１に沿って延びており、フェルール１１の中心軸上に形成されている。ファイバ保持孔１１ｄの断面は円形状であり、その内径は光ファイバ１３の外径よりも僅かに大きい。ファイバ保持孔１１ｄの一方の開口は先端面１１ｂに含まれ、ファイバ保持孔１１ｄの他方の開口は基端面１１ａに含まれる。すなわち、ファイバ保持孔１１ｄは、フェルール１１の基端面１１ａと先端面１１ｂとの間を方向Ａ１に沿って貫通している。フェルール１１は、例えばジルコニア（ＺｒＯ2）製である。靱性及びヤング率が高いジルコニアによってフェルール１１が構成されることにより、先端面１１ｂにおいてフィジカルコンタクトを好適に行うことができる。 The ferrule 11 further has a fiber holding hole 11d. The fiber holding hole 11 d extends along the direction A <b> 1 and is formed on the central axis of the ferrule 11. The cross section of the fiber holding hole 11 d is circular, and its inner diameter is slightly larger than the outer diameter of the optical fiber 13. One opening of the fiber holding hole 11d is included in the distal end surface 11b, and the other opening of the fiber holding hole 11d is included in the proximal end surface 11a. That is, the fiber holding hole 11d penetrates between the proximal end surface 11a and the distal end surface 11b of the ferrule 11 along the direction A1. The ferrule 11 is made of, for example, zirconia (ZrO 2 ). By forming the ferrule 11 with zirconia having high toughness and Young's modulus, physical contact can be suitably performed on the tip surface 11b.

光ファイバ１３は、例えばシングルモードファイバであって、樹脂被覆が除去された裸ファイバである。光ファイバ１３は、例えば石英製である。光ファイバ１３は、方向Ａ１を長手方向（光軸方向）として延びており、一端１３ａ及び他端１３ｂを有する。光ファイバ１３は、ファイバ保持孔１１ｄに挿入される。そして、先端面１１ｂ側のファイバ保持孔１１ｄの開口から一端１３ａが露出し、基端面１１ａ側のファイバ保持孔１１ｄの開口から他端１３ｂが露出する。一端１３ａは、光レセプタクル１０に接続される光コネクタ側の光ファイバの一端と接触する。他端１３ｂは、受光部２０のフォトダイオード２１（後述）と光学的に結合される。光ファイバ１３の外径は、例えば１２５μｍである。   The optical fiber 13 is a single mode fiber, for example, and is a bare fiber from which the resin coating is removed. The optical fiber 13 is made of, for example, quartz. The optical fiber 13 extends with the direction A1 as a longitudinal direction (optical axis direction), and has one end 13a and the other end 13b. The optical fiber 13 is inserted into the fiber holding hole 11d. Then, one end 13a is exposed from the opening of the fiber holding hole 11d on the distal end surface 11b side, and the other end 13b is exposed from the opening of the fiber holding hole 11d on the proximal end surface 11a side. The one end 13 a comes into contact with one end of the optical fiber on the optical connector side connected to the optical receptacle 10. The other end 13 b is optically coupled to a photodiode 21 (described later) of the light receiving unit 20. The outer diameter of the optical fiber 13 is, for example, 125 μm.

金属部材１４は、方向Ａ１に延びる貫通孔１４ａを有し、貫通孔１４ａ内にファイバスタブ１２を保持する部材である。金属部材１４は、例えばステンレスといった金属材料からなる。金属部材１４は方向Ａ１に沿って延びる円筒形状を有する。金属部材１４は、基端面１４ｂ及び先端面１４ｃ、並びに外周面１４ｄを有する。基端面１４ｂ及び先端面１４ｃは方向Ａ１において並んでおり、貫通孔１４ａは基端面１４ｂと先端面１４ｃとの間を貫通している。方向Ａ１に垂直な貫通孔１４ａの断面は円形である。基端面１４ｂは、受光部２０のパッケージ２２（後述）と対向する。ファイバスタブ１２は、方向Ａ１に沿って、金属部材１４の貫通孔１４ａに圧入されている。すなわち、フェルール１１の外周面１１ｃは、貫通孔１４ａの内面と接しており、これによりファイバスタブ１２が金属部材１４に固定されている。   The metal member 14 has a through hole 14a extending in the direction A1, and is a member that holds the fiber stub 12 in the through hole 14a. The metal member 14 is made of a metal material such as stainless steel. The metal member 14 has a cylindrical shape extending along the direction A1. The metal member 14 has a proximal end surface 14b, a distal end surface 14c, and an outer peripheral surface 14d. The proximal end surface 14b and the distal end surface 14c are arranged in the direction A1, and the through hole 14a penetrates between the proximal end surface 14b and the distal end surface 14c. The cross section of the through hole 14a perpendicular to the direction A1 is circular. The base end face 14 b faces a package 22 (described later) of the light receiving unit 20. The fiber stub 12 is press-fitted into the through hole 14a of the metal member 14 along the direction A1. That is, the outer peripheral surface 11 c of the ferrule 11 is in contact with the inner surface of the through hole 14 a, whereby the fiber stub 12 is fixed to the metal member 14.

スリーブ１６は、方向Ａ１に沿って延びる円筒状の部材であり、例えばセラミック製である。一例では、スリーブ１６はフェルール１１と同じ材料（例えばジルコニア）からなる。スリーブ１６の内径は、ファイバスタブ１２の外径とほぼ等しい。スリーブ１６は、方向Ａ１において並ぶ基端１６ａ及び先端１６ｂを有する。また、スリーブ１６は、外周面１６ｃ及び内周面１６ｄを有する。スリーブ１６の基端１６ａ側の開口からは、ファイバスタブ１２が挿入されている。言い換えれば、スリーブ１６の基端１６ａ側の一部は、フェルール１１の外周面１１ｃと金属部材１４との隙間に挿入されている。従って、スリーブ１６の外周面１６ｃは金属部材１４と接しており、スリーブ１６の内周面１６ｄはフェルール１１の外周面１１ｃと接している。スリーブ１６の先端１６ｂ側の開口からは、光コネクタフェルールが挿入される。フェルール１１の先端面１１ｂと光コネクタフェルールの先端面とは、スリーブ１６内において互いに接触する。これにより、フェルール１１が保持する光ファイバ１３と、光コネクタフェルールが保持する光ファイバとが、高い結合効率でもって互いに光結合される。   The sleeve 16 is a cylindrical member extending along the direction A1, and is made of, for example, ceramic. In one example, the sleeve 16 is made of the same material as the ferrule 11 (for example, zirconia). The inner diameter of the sleeve 16 is substantially equal to the outer diameter of the fiber stub 12. The sleeve 16 has a proximal end 16a and a distal end 16b aligned in the direction A1. The sleeve 16 has an outer peripheral surface 16c and an inner peripheral surface 16d. A fiber stub 12 is inserted from the opening on the base end 16 a side of the sleeve 16. In other words, a part of the sleeve 16 on the base end 16 a side is inserted into the gap between the outer peripheral surface 11 c of the ferrule 11 and the metal member 14. Therefore, the outer peripheral surface 16 c of the sleeve 16 is in contact with the metal member 14, and the inner peripheral surface 16 d of the sleeve 16 is in contact with the outer peripheral surface 11 c of the ferrule 11. An optical connector ferrule is inserted from the opening on the tip 16b side of the sleeve 16. The front end surface 11 b of the ferrule 11 and the front end surface of the optical connector ferrule are in contact with each other in the sleeve 16. Thereby, the optical fiber 13 held by the ferrule 11 and the optical fiber held by the optical connector ferrule are optically coupled to each other with high coupling efficiency.

外郭部材１８は、金属部材１４に固定されるとともに光コネクタと接続される部材である。外郭部材１８は、方向Ａ１に沿って延びる円筒状の部材であり、例えば金属製またはステンレス等の合金製である。外郭部材１８は、フランジ部１８ａと、方向Ａ１に沿って延びる貫通孔１８ｄとを有する。また、外郭部材１８は、方向Ａ１において並ぶ基端面１８ｂ及び先端部１８ｃを有する。フランジ部１８ａは、外郭部材１８の外側に向けて突出した円盤状の部分である。フランジ部１８ａは、外郭部材１８の基端面１８ｂ側に設けられており、本実施形態ではフランジ部１８ａの一方の面が基端面１８ｂを構成する。貫通孔１８ｄは、基端面１８ｂと先端部１８ｃとの間を貫通している。方向Ａ１に垂直な貫通孔１８ｄの断面は円形であり、その中心軸線は、ファイバスタブ１２及び金属部材１４の中心軸線と重なる。外郭部材１８は、貫通孔１８ｄの一部として、基端面１８ｂ側の第１の部分１８ｅと、先端部１８ｃ側の第２の部分１８ｆとを含む。第１の部分１８ｅは、基端面１８ｂから方向Ａ１に沿って第２の部分１８ｆまで延びている。第２の部分１８ｆは、先端部１８ｃから方向Ａ１に沿って第１の部分１８ｅまで延びている。そして、第１の部分１８ｅ及び第２の部分１８ｆは、スリーブ１６の先端１６ｂと先端部１８ｃとの間において相互に連結（連通）している。第１の部分１８ｅの内径は、スリーブ１６の外周面１６ｃの外径とほぼ等しいか、僅かに大きい。第２の部分１８ｆの内径は、スリーブ１６の内周面１６ｄの内径よりも僅かに大きい。このように、第１の部分１８ｅの内径は第２の部分１８ｆの内径よりも大きいので、第１の部分１８ｅと第２の部分１８ｆとの間には段差面１８ｇが形成されている。段差面１８ｇは、スリーブ１６の先端１６ｂと対向している。   The outer member 18 is a member that is fixed to the metal member 14 and connected to the optical connector. The outer member 18 is a cylindrical member extending along the direction A1, and is made of, for example, a metal or an alloy such as stainless steel. The outer member 18 has a flange portion 18a and a through hole 18d extending along the direction A1. Further, the outer member 18 has a proximal end surface 18b and a distal end portion 18c arranged in the direction A1. The flange portion 18 a is a disk-shaped portion that protrudes toward the outside of the outer member 18. The flange portion 18a is provided on the base end surface 18b side of the outer member 18, and in this embodiment, one surface of the flange portion 18a constitutes the base end surface 18b. The through hole 18d penetrates between the base end face 18b and the distal end portion 18c. The cross section of the through hole 18d perpendicular to the direction A1 is circular, and the central axis thereof overlaps the central axes of the fiber stub 12 and the metal member 14. The outer member 18 includes a first portion 18e on the proximal end surface 18b side and a second portion 18f on the distal end portion 18c side as a part of the through hole 18d. The first portion 18e extends from the base end surface 18b to the second portion 18f along the direction A1. The second portion 18f extends from the tip end portion 18c to the first portion 18e along the direction A1. The first portion 18e and the second portion 18f are connected (communicated) to each other between the tip 16b and the tip 18c of the sleeve 16. The inner diameter of the first portion 18 e is substantially equal to or slightly larger than the outer diameter of the outer peripheral surface 16 c of the sleeve 16. The inner diameter of the second portion 18 f is slightly larger than the inner diameter of the inner peripheral surface 16 d of the sleeve 16. Thus, since the inner diameter of the first portion 18e is larger than the inner diameter of the second portion 18f, a step surface 18g is formed between the first portion 18e and the second portion 18f. The step surface 18 g faces the tip 16 b of the sleeve 16.

受光部２０は、フォトダイオード２１（受光素子）、パッケージ２２、レンズ２３、ステム２４、キャリア２５、集積回路チップ２６、及び複数のリードピン２７を有する。   The light receiving unit 20 includes a photodiode 21 (light receiving element), a package 22, a lens 23, a stem 24, a carrier 25, an integrated circuit chip 26, and a plurality of lead pins 27.

ステム２４は、略円形の平板状の絶縁性部材であり、平坦な主面２４ａを有する。主面２４ａは、光レセプタクル１０に接続される光ファイバの光軸（すなわち光ファイバ１３の光軸）と交差する。一例では、主面２４ａは、光レセプタクル１０に接続される光ファイバの光軸（光ファイバ１３の光軸）に対して垂直である。ステム２４は、例えばセラミックといった材料からなる。   The stem 24 is a substantially circular flat plate-like insulating member and has a flat main surface 24a. The main surface 24a intersects the optical axis of the optical fiber connected to the optical receptacle 10 (that is, the optical axis of the optical fiber 13). In one example, the major surface 24a is perpendicular to the optical axis of the optical fiber connected to the optical receptacle 10 (the optical axis of the optical fiber 13). The stem 24 is made of a material such as ceramic.

パッケージ２２は、略円筒状の金属部材であり、その中心軸は光ファイバ１３の光軸に沿っている。光ファイバ１３の光軸方向におけるパッケージ２２の基端側の一端２２ａは、円環状の部材２９を介してステム２４の主面２４ａに固定されている。具体的には、円環状の部材２９は該光軸方向における一端面２９ａおよび他端面２９ｂを有する。パッケージ２２の基端側の一端２２ａは部材２９の一端面２９ａに固着されており、ステム２４の主面２４ａは部材２９の他端面２９ｂに固着されている。また、光ファイバ１３の光軸方向におけるパッケージ２２の先端側の一端２２ｂは、円筒状の部材１９を介して金属部材１４に固定されている。具体的には、部材１９の先端側の一端から金属部材１４が挿入され、金属部材１４の外周面と部材１９の内周面とが互いに固着されている。また、パッケージ２２の先端側の一端２２ｂが部材１９の基端側の面に固着されている。パッケージ２２は、例えば鉄ニッケル合金といった材料からなる。   The package 22 is a substantially cylindrical metal member, and the central axis thereof is along the optical axis of the optical fiber 13. One end 22 a on the base end side of the package 22 in the optical axis direction of the optical fiber 13 is fixed to the main surface 24 a of the stem 24 via an annular member 29. Specifically, the annular member 29 has one end surface 29a and the other end surface 29b in the optical axis direction. One end 22 a on the base end side of the package 22 is fixed to one end surface 29 a of the member 29, and the main surface 24 a of the stem 24 is fixed to the other end surface 29 b of the member 29. Further, one end 22 b on the distal end side of the package 22 in the optical axis direction of the optical fiber 13 is fixed to the metal member 14 via a cylindrical member 19. Specifically, the metal member 14 is inserted from one end on the front end side of the member 19, and the outer peripheral surface of the metal member 14 and the inner peripheral surface of the member 19 are fixed to each other. Further, one end 22 b on the front end side of the package 22 is fixed to the base end side surface of the member 19. The package 22 is made of a material such as an iron-nickel alloy.

複数のリードピン２７は、ステム２４の主面２４ａと交差する方向に延びる棒状の金属部材である。複数のリードピン２７は、ステム２４を貫通して設けられ、ステム２４に固定されている。複数のリードピン２７は、パッケージ２２およびステム２４によって画成される空間内に配置されるフォトダイオード２１及び集積回路チップ２６に対して電気信号および電源電力の授受を行う。   The plurality of lead pins 27 are bar-shaped metal members extending in a direction intersecting the main surface 24 a of the stem 24. The plurality of lead pins 27 are provided through the stem 24 and are fixed to the stem 24. The plurality of lead pins 27 transmit and receive electrical signals and power supply power to the photodiode 21 and the integrated circuit chip 26 disposed in the space defined by the package 22 and the stem 24.

レンズ２３は、パッケージ２２の内側に保持され、パッケージ２２の内周面に対し樹脂２３ａを介して固定されている。レンズ２３は、光透過部材からなる集光レンズであり、光ファイバ１３の光軸上に配置されている。レンズ２３は、光ファイバ１３の他端１３ｂから出射された光をフォトダイオード２１付近に向けて集光する。フォトダイオード２１からの戻り光を防ぐ為、レンズ２３の光軸は、光ファイバ１３の光軸に対して僅かにオフセットされている。   The lens 23 is held inside the package 22 and is fixed to the inner peripheral surface of the package 22 via a resin 23a. The lens 23 is a condensing lens made of a light transmitting member, and is disposed on the optical axis of the optical fiber 13. The lens 23 condenses the light emitted from the other end 13 b of the optical fiber 13 toward the vicinity of the photodiode 21. In order to prevent return light from the photodiode 21, the optical axis of the lens 23 is slightly offset with respect to the optical axis of the optical fiber 13.

フォトダイオード２１は、レンズ２３を介して光ファイバ１３の他端１３ｂと光学的に結合されており、光レセプタクル１０に接続される光ファイバからの光を受けて該光の強度に応じた大きさの電流信号を出力する。フォトダイオード２１は、絶縁性のキャリア２５上に搭載され、キャリア２５は集積回路チップ２６上に配置されている。すなわち、フォトダイオード２１は、キャリア２５を介して集積回路チップ２６上に搭載されている。集積回路チップ２６は、フォトダイオード２１からの電流信号を受けて、該電流信号を電圧信号に変換する半導体ＩＣである。   The photodiode 21 is optically coupled to the other end 13b of the optical fiber 13 through the lens 23, and receives light from the optical fiber connected to the optical receptacle 10 and has a size corresponding to the intensity of the light. Current signal is output. The photodiode 21 is mounted on an insulating carrier 25, and the carrier 25 is disposed on the integrated circuit chip 26. That is, the photodiode 21 is mounted on the integrated circuit chip 26 via the carrier 25. The integrated circuit chip 26 is a semiconductor IC that receives a current signal from the photodiode 21 and converts the current signal into a voltage signal.

ここで、図２は、受光部２０のフォトダイオード２１付近の構成を拡大して示す側面図である。図２に示されるように、集積回路チップ２６は、第３面２６ｂ及び第３面２６ｂとは反対側の第４面２６ａを有する。第４面２６ａ及び第３面２６ｂは、光ファイバ１３の光軸方向に並んでおり、該光軸方向と交差する（例えば直交する）平面に沿って延びている。集積回路チップ２６は、第４面２６ａにおいてステム２４の主面２４ａと対向する。キャリア２５は、第１面２５ｂ及び第１面２５ｂとは反対側の第２面２５ａを有する。キャリア２５は、第２面２５ａにおいて集積回路チップ２６の第３面２６ｂと対向する。また、フォトダイオード２１は、主面２１ａ及び主面２１ａとは反対側の反対面２１ｂを有し、主面２１ａから光を受ける。キャリア２５は、第１面２５ｂとフォトダイオード２１の反対面２１ｂとが対向するように、第１面２５ｂ上にフォトダイオード２１を搭載する。   Here, FIG. 2 is an enlarged side view showing a configuration in the vicinity of the photodiode 21 of the light receiving unit 20. As shown in FIG. 2, the integrated circuit chip 26 has a third surface 26b and a fourth surface 26a opposite to the third surface 26b. The 4th surface 26a and the 3rd surface 26b are located in a line with the optical axis direction of the optical fiber 13, and are extended along the plane which cross | intersects this optical axis direction (for example, orthogonal). The integrated circuit chip 26 faces the main surface 24a of the stem 24 on the fourth surface 26a. The carrier 25 has a first surface 25b and a second surface 25a opposite to the first surface 25b. The carrier 25 faces the third surface 26b of the integrated circuit chip 26 on the second surface 25a. The photodiode 21 has a main surface 21a and an opposite surface 21b opposite to the main surface 21a, and receives light from the main surface 21a. The carrier 25 mounts the photodiode 21 on the first surface 25b so that the first surface 25b and the opposite surface 21b of the photodiode 21 face each other.

図３は、パッケージ２２およびレンズ２３を取り除いた受光部２０の平面図である。図４は、集積回路チップ２６の第３面２６ｂの平面図である。図５は、キャリア２５の第１面２５ｂの平面図である。図３に示されるように、ステム２４の主面２４ａ上には、基準電位（グランド電位）に規定されるＧＮＤパターン２４ｂが設けられている。ＧＮＤパターン２４ｂは、例えばビアホール（図示せず）を介してステム本体と接続されている。また、ステム２４の周縁部には、複数のリードピン２７ａ〜２７ｆが設けられている。   FIG. 3 is a plan view of the light receiving unit 20 with the package 22 and the lens 23 removed. FIG. 4 is a plan view of the third surface 26 b of the integrated circuit chip 26. FIG. 5 is a plan view of the first surface 25 b of the carrier 25. As shown in FIG. 3, a GND pattern 24 b defined by a reference potential (ground potential) is provided on the main surface 24 a of the stem 24. The GND pattern 24b is connected to the stem body through, for example, a via hole (not shown). A plurality of lead pins 27 a to 27 f are provided on the peripheral edge of the stem 24.

図４に示されるように、集積回路チップ２６の第３面２６ｂは、短手方向に沿って延びる一対の辺２６ｃ，２６ｄと、長手方向に沿って延びる一対の辺２６ｅ，２６ｆとを有する長方形状を呈している。集積回路チップ２６は、複数の電極２８を第３面２６ｂ上に有する。本実施形態では、各電極２８は電極パッドである。複数の電極２８のうち、第３面２６ｂの辺２６ｃ（すなわち、集積回路チップ２６の短手方向）に沿って並ぶ３つの電極２８ａ〜２８ｃは、フォトダイオード２１と電気的に接続される。具体的には、２つの電極２８ａ，２８ｃはフォトダイオード２１のカソード電極に接続され、バイアス電圧をフォトダイオード２１に印加する。電極２８ｂはフォトダイオード２１のアノード電極に接続され、フォトダイオード２１から出力された電流信号を受ける。   As shown in FIG. 4, the third surface 26b of the integrated circuit chip 26 has a rectangular shape having a pair of sides 26c and 26d extending along the short side direction and a pair of sides 26e and 26f extending along the longitudinal direction. It has a shape. The integrated circuit chip 26 has a plurality of electrodes 28 on the third surface 26b. In the present embodiment, each electrode 28 is an electrode pad. Of the plurality of electrodes 28, three electrodes 28 a to 28 c arranged along the side 26 c of the third surface 26 b (that is, the short direction of the integrated circuit chip 26) are electrically connected to the photodiode 21. Specifically, the two electrodes 28 a and 28 c are connected to the cathode electrode of the photodiode 21 and apply a bias voltage to the photodiode 21. The electrode 28 b is connected to the anode electrode of the photodiode 21 and receives a current signal output from the photodiode 21.

また、第３面２６ｂの辺２６ｅ寄りに位置する電極２８ｄは、フォトダイオード２１へのバイアス電圧を受光モジュール１Ａの外部から入力する。図３に示されるように、電極２８ｄは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装された電子部品であるキャパシタ（チップコンデンサ）４１の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４１の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｄと電気的に接続されている。キャパシタ４１の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤（例えばはんだ等）を介して電気的に接続されている。   The electrode 28d located near the side 26e of the third surface 26b inputs a bias voltage to the photodiode 21 from the outside of the light receiving module 1A. As shown in FIG. 3, the electrode 28d is electrically connected to one electrode of a capacitor (chip capacitor) 41, which is an electronic component mounted on the GND pattern 24b, via a bonding wire. The one electrode of the capacitor 41 is electrically connected to the lead pin 27d through a bonding wire. The other electrode of the capacitor 41 is electrically connected to the GND pattern 24b via a conductive adhesive (for example, solder).

また、第３面２６ｂの辺２６ｆに沿って並ぶ電極２８ｅ，２８ｆは、集積回路チップ２６への電源電圧を受光モジュール１Ａの外部から入力する。図３に示されるように、電極２８ｅ，２８ｆは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４２の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４２の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ａと電気的に接続されている。キャパシタ４２の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。   The electrodes 28e and 28f arranged along the side 26f of the third surface 26b input the power supply voltage to the integrated circuit chip 26 from the outside of the light receiving module 1A. As shown in FIG. 3, the electrodes 28e and 28f are electrically connected to one electrode of a capacitor (chip capacitor) 42 mounted on the GND pattern 24b via a bonding wire. The one electrode of the capacitor 42 is electrically connected to the lead pin 27a via a bonding wire. The other electrode of the capacitor 42 is electrically connected to the GND pattern 24b via a conductive adhesive.

また、第３面２６ｂの辺２６ｅ寄りに位置する電極２８ｇは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４４の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４４の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｂと電気的に接続されている。キャパシタ４４の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。   The electrode 28g located near the side 26e of the third surface 26b is electrically connected to one electrode of a capacitor (chip capacitor) 44 mounted on the GND pattern 24b via a bonding wire. The one electrode of the capacitor 44 is electrically connected to the lead pin 27b via a bonding wire. The other electrode of the capacitor 44 is electrically connected to the GND pattern 24b via a conductive adhesive.

また、電極２８ｅ，２８ｆの間に位置し、電極２８ｅ，２８ｆと共に第３面２６ｂの辺２６ｆに沿って並ぶ電極２８ｈは、ＧＮＤパターン２４ｂ上に実装されたキャパシタ（チップコンデンサ）４５の一方の電極と、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。キャパシタ４５の該一方の電極は、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｃと電気的に接続されている。キャパシタ４５の他方の電極は、ＧＮＤパターン２４ｂに導電性接着剤を介して電気的に接続されている。   The electrode 28h positioned between the electrodes 28e and 28f and arranged along the side 26f of the third surface 26b together with the electrodes 28e and 28f is one electrode of a capacitor (chip capacitor) 45 mounted on the GND pattern 24b. And electrically connected via a bonding wire. The one electrode of the capacitor 45 is electrically connected to the lead pin 27c through a bonding wire. The other electrode of the capacitor 45 is electrically connected to the GND pattern 24b via a conductive adhesive.

また、第３面２６ｂの辺２６ｄに沿って並ぶ電極２８ｉ，２８ｊは、フォトダイオード２１からの電流信号に基づいて生成された電圧信号を受光モジュール１Ａの外部へ出力する。図３に示されるように、一方の電極２８ｉは、ボンディングワイヤを介してリードピン２７ｅと電気的に接続されている。また、他方の電極２８ｊは、ボンディングワイヤを介して別のリードピン２７ｆと電気的に接続されている。   The electrodes 28i and 28j arranged along the side 26d of the third surface 26b output a voltage signal generated based on the current signal from the photodiode 21 to the outside of the light receiving module 1A. As shown in FIG. 3, one electrode 28i is electrically connected to the lead pin 27e via a bonding wire. The other electrode 28j is electrically connected to another lead pin 27f via a bonding wire.

なお、複数の電極２８には、集積回路チップ２６の基準電位（グランド電位）を規定する複数の電極２８ｋ〜２８ｏが含まれている。これらの電極２８ｋ〜２８ｏは、ボンディングワイヤ及び導電性のＧＮＤブロック４３（図３参照）を介してＧＮＤパターン２４ｂと電気的に接続される。また、他の電極２８には、電流モニタ用の電極パッド、及びゲイン調整用の電極パッド等が含まれている。   The plurality of electrodes 28 include a plurality of electrodes 28k to 28o that define the reference potential (ground potential) of the integrated circuit chip 26. These electrodes 28k to 28o are electrically connected to the GND pattern 24b through bonding wires and a conductive GND block 43 (see FIG. 3). Further, the other electrode 28 includes an electrode pad for current monitoring, an electrode pad for gain adjustment, and the like.

図５に示されるように、キャリア２５の第１面２５ｂは、短手方向に沿って延びる一対の辺２５ｃ，２５ｄと、長手方向に沿って延びる一対の辺２５ｅ，２５ｆとを有する長方形状を呈している。図３に示されるように、キャリア２５の長手方向は、集積回路チップ２６の長手方向と一致する。キャリア２５の第１面２５ｂの面積は、集積回路チップ２６の第３面２６ｂの面積の半分以上である。なお、図５に示される正方形の枠Ｃ１は、フォトダイオード２１の搭載領域を示している。   As shown in FIG. 5, the first surface 25b of the carrier 25 has a rectangular shape having a pair of sides 25c and 25d extending along the short direction and a pair of sides 25e and 25f extending along the longitudinal direction. Presents. As shown in FIG. 3, the longitudinal direction of the carrier 25 coincides with the longitudinal direction of the integrated circuit chip 26. The area of the first surface 25 b of the carrier 25 is more than half of the area of the third surface 26 b of the integrated circuit chip 26. A square frame C1 shown in FIG. 5 indicates a mounting region of the photodiode 21.

キャリア２５は、フォトダイオード２１と電気的に接続される配線パターン３１〜３３を第１面２５ｂ上に有する。配線パターン３１〜３３は、第１面２５ｂの長手方向に沿って延びており、短手方向においてこの順に並んでいる。配線パターン３１〜３３は、それらの延在方向の一端に、パッド３１ｂ〜３３ｂをそれぞれ含む。配線パターン３２のパッド３２ｂは、フォトダイオード２１の反対面２１ｂに設けられた一方の電極パッドに、配線パターン３１及び３３のパッド３１ｂ，３３ｂは、フォトダイオード２１の反対面２１ｂに設けられた他方の電極パッドに、それぞれ導電性接着剤を介して電気的に接続される。また、配線パターン３１〜３３は、それらの延在方向の他端に、ボンディングパッド３１ａ〜３３ａをそれぞれ含む。ボンディングパッド３１ａ〜３３ａは、第１面２５ｂの辺２５ｃに沿って並んでいる。ボンディングパッド３１ａ〜３３ａの間隔は、例えば５０μｍである。図３に示されるように、ボンディングパッド３１ａ〜３３ａは、個別のボンディングワイヤを介して電極２８ａ〜２８ｃにそれぞれ接続される。こうして、配線パターン３１〜３３は、電極２８ｂとフォトダイオード２１の一方の電極とを電気的に接続し、電極２８ａ，２８ｃとフォトダイオード２１の他方の電極とを電気的に接続する。   The carrier 25 has wiring patterns 31 to 33 electrically connected to the photodiode 21 on the first surface 25b. The wiring patterns 31 to 33 extend along the longitudinal direction of the first surface 25b, and are arranged in this order in the short side direction. The wiring patterns 31 to 33 include pads 31b to 33b, respectively, at one end in the extending direction thereof. The pad 32b of the wiring pattern 32 is on one electrode pad provided on the opposite surface 21b of the photodiode 21, and the pads 31b and 33b of the wiring patterns 31 and 33 are the other provided on the opposite surface 21b of the photodiode 21. Each is electrically connected to the electrode pad via a conductive adhesive. Further, the wiring patterns 31 to 33 include bonding pads 31a to 33a at the other end in the extending direction, respectively. The bonding pads 31a to 33a are arranged along the side 25c of the first surface 25b. The interval between the bonding pads 31a to 33a is, for example, 50 μm. As shown in FIG. 3, bonding pads 31a-33a are connected to electrodes 28a-28c via individual bonding wires, respectively. Thus, the wiring patterns 31 to 33 electrically connect the electrode 28 b and one electrode of the photodiode 21, and electrically connect the electrodes 28 a and 28 c and the other electrode of the photodiode 21.

キャリア２５の第１面２５ｂ上には、配線パターン３４が更に設けられている。配線パターン３４は、配線パターン３１〜３３と辺２５ｄとの間に配置されている。配線パターン３４は、導電性接着剤の流れ止め領域３５を介して配線パターン３１，３３と電気的に接続されている。流れ止め領域３５の一部は、フォトダイオード２１と重なる。配線パターン３４上には、キャパシタ（チップコンデンサ）が実装される。なお、図５に示される正方形の枠Ｃ２は、キャパシタの搭載領域を示している。このキャパシタの一方の電極は配線パターン３４と電気的に接続され、他方の電極はボンディングワイヤを介して集積回路チップ２６の電極２８ｋ〜２８ｏのいずれかと電気的に接続される。   A wiring pattern 34 is further provided on the first surface 25 b of the carrier 25. The wiring pattern 34 is disposed between the wiring patterns 31 to 33 and the side 25d. The wiring pattern 34 is electrically connected to the wiring patterns 31 and 33 via the flow stop region 35 of the conductive adhesive. A part of the flow stop region 35 overlaps the photodiode 21. A capacitor (chip capacitor) is mounted on the wiring pattern 34. A square frame C2 shown in FIG. 5 indicates a capacitor mounting area. One electrode of the capacitor is electrically connected to the wiring pattern 34, and the other electrode is electrically connected to one of the electrodes 28k to 28o of the integrated circuit chip 26 through a bonding wire.

ここで、図５には、入射光の中心軸ＡＸが示されている。この中心軸ＡＸは、パッケージ２２およびステム２４の中心軸線に対して僅かにオフセットされている。そして、本実施形態では、電極２８ａ〜２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ〜３３ａが、中心軸ＡＸを挟んでフォトダイオード２１の中心Ｏとは反対側に配置されている。言い換えると、中心軸ＡＸは、電極２８ａ〜２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ〜３３ａと、フォトダイオード２１の中心Ｏとの間に位置する。したがって、フォトダイオード２１の中心Ｏは、中心軸ＡＸと一致しておらず、中心軸ＡＸから外れている。第１面２５ｂの長手方向におけるフォトダイオード２１の受光面の中心Ｏと中心軸ＡＸとの距離Ｄ１は、例えば２００μｍである。パッド３１ｂ〜３３ｂとボンディングパッド３１ａ〜３３ａとを結ぶ方向（すなわち第１面２５ｂの長手方向）における配線パターン３１〜３３の長さＬ１は、同方向における第１面２５ｂの長さＬ２の１／４以上であり、より好適には１／２以上である。   Here, FIG. 5 shows a central axis AX of incident light. The central axis AX is slightly offset with respect to the central axes of the package 22 and the stem 24. In this embodiment, the electrodes 28a to 28c and the bonding pads 31a to 33a are arranged on the opposite side of the center O of the photodiode 21 with the central axis AX interposed therebetween. In other words, the central axis AX is located between the electrodes 28 a to 28 c and the bonding pads 31 a to 33 a and the center O of the photodiode 21. Therefore, the center O of the photodiode 21 does not coincide with the central axis AX, and deviates from the central axis AX. A distance D1 between the center O of the light receiving surface of the photodiode 21 and the central axis AX in the longitudinal direction of the first surface 25b is, for example, 200 μm. The length L1 of the wiring patterns 31 to 33 in the direction connecting the pads 31b to 33b and the bonding pads 31a to 33a (that is, the longitudinal direction of the first surface 25b) is 1/2 of the length L2 of the first surface 25b in the same direction. It is 4 or more, more preferably 1/2 or more.

次に、本実施形態に係る受光モジュール１Ａの製造方法の一例について説明する。以下では、図６〜図１１を参照しながら、ステム２４上にフォトダイオード２１を搭載する方法の一例を具体的に説明する。図６〜８，１０は、本実施形態に係る受光モジュール１Ａの製造方法を説明するための図である。図９（ａ）は、図８のＩＸａ−ＩＸａ線に沿った断面図であり、図９（ｂ）は、図８のＩＸｂ−ＩＸｂ線に沿った断面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。   Next, an example of a method for manufacturing the light receiving module 1A according to the present embodiment will be described. Hereinafter, an example of a method for mounting the photodiode 21 on the stem 24 will be specifically described with reference to FIGS. 6 to 8 and 10 are diagrams for explaining a method of manufacturing the light receiving module 1A according to the present embodiment. 9A is a cross-sectional view taken along the line IXa-IXa in FIG. 8, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line IXb-IXb in FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG.

まず、図６に示されるように、ステム２４の主面２４ａ上に、複数の電極２８が設けられた集積回路チップ２６と、キャパシタ４１，４２等の電子部品とを搭載する（第１工程）。第１工程では、集積回路チップ２６の第４面２６ａがステム２４の主面２４ａと対向するように、集積回路チップ２６をステム２４に搭載する。これにより、集積回路チップ２６の第３面２６ｂ及び複数の電極２８が露出する。なお第１工程では、ステム２４の主面２４ａ上には、集積回路チップ２６を搭載した後にキャパシタ４１，４２等を搭載してもよいし、キャパシタ４１，４２等を搭載した後に集積回路チップ２６を搭載してもよい。   First, as shown in FIG. 6, an integrated circuit chip 26 provided with a plurality of electrodes 28 and electronic components such as capacitors 41 and 42 are mounted on the main surface 24a of the stem 24 (first step). . In the first step, the integrated circuit chip 26 is mounted on the stem 24 so that the fourth surface 26 a of the integrated circuit chip 26 faces the main surface 24 a of the stem 24. As a result, the third surface 26b of the integrated circuit chip 26 and the plurality of electrodes 28 are exposed. In the first step, the capacitors 41, 42, etc. may be mounted on the main surface 24a of the stem 24 after the integrated circuit chip 26 is mounted, or the integrated circuit chip 26 is mounted after mounting the capacitors 41, 42, etc. May be installed.

次に、図７に示されるように、複数の電極２８の一部と、上記電子部品とをワイヤボンディングする（第２工程）。第２工程では、複数の電極２８において集積回路チップ２６の長手方向に沿って並ぶ電極（第１電極）と、上記電子部品とをワイヤボンディングする。本実施形態では、電極２８ｄとキャパシタ４１とをワイヤボンディングし、電極２８ｅ，２８ｆとキャパシタ４２とをワイヤボンディングし、電極２８ｇとキャパシタ４４とをワイヤボンディングし、電極２８ｈとキャパシタ４５とをワイヤボンディングする。例えば、電極２８ｈとキャパシタ４５とは、ワイヤＷ１を介して電気的に接続されている。また、第２工程では、電極２８ｉとリードピン２７ｅとをワイヤボンディングし、電極２８ｊとリードピン２７ｆとをワイヤボンディングする。また、電極２８ｋ〜２８ｏと、対応するＧＮＤブロック４３とをワイヤボンディングする。加えて第２工程では、キャパシタ４１とリードピン２７ｄとをワイヤボンディングし、キャパシタ４２とリードピン２７ａとをワイヤボンディングし、キャパシタ４４とリードピン２７ｂとをワイヤボンディングし、キャパシタ４５とリードピン２７ｃとをワイヤボンディングする。各ワイヤボンディングは、公知の方法にて実施される。   Next, as shown in FIG. 7, a part of the plurality of electrodes 28 and the electronic component are wire-bonded (second step). In the second step, the electrodes (first electrodes) arranged along the longitudinal direction of the integrated circuit chip 26 in the plurality of electrodes 28 are wire-bonded to the electronic component. In this embodiment, the electrode 28d and the capacitor 41 are wire-bonded, the electrodes 28e and 28f and the capacitor 42 are wire-bonded, the electrode 28g and the capacitor 44 are wire-bonded, and the electrode 28h and the capacitor 45 are wire-bonded. . For example, the electrode 28h and the capacitor 45 are electrically connected via the wire W1. In the second step, the electrode 28i and the lead pin 27e are wire-bonded, and the electrode 28j and the lead pin 27f are wire-bonded. Further, the electrodes 28k to 28o and the corresponding GND block 43 are wire-bonded. In addition, in the second step, the capacitor 41 and the lead pin 27d are wire-bonded, the capacitor 42 and the lead pin 27a are wire-bonded, the capacitor 44 and the lead pin 27b are wire-bonded, and the capacitor 45 and the lead pin 27c are wire-bonded. . Each wire bonding is performed by a known method.

次に、図８に示されるように、集積回路チップ２６上に、フォトダイオード２１が搭載されたキャリア２５を搭載する（第３工程）。第３工程では、キャリア２５の第２面２５ａが集積回路チップ２６の第３面２６ｂと対向するように、キャリア２５を集積回路チップ２６に搭載する。このとき、各電極２８は、キャリア２５から露出している。平面視にてキャリア２５と各電極２８との間隔は、異なっている。例えば、電極２８において後にフォトダイオード２１にワイヤボンディングされる電極２８ａ〜２８ｃ（第２電極）とキャリア２５との間隔は、ステム２４に搭載された電子部品にワイヤボンディングされる電極２８ｄ〜２８ｈ（第１電極）とキャリア２５との間隔よりも大きくなっている。具体例としては、図９（ａ），（ｂ）に示されるように、キャリア２５において電極２８ｈに対向する側面２５ｇと、電極２８ｈとの間隔Ｓ１は、キャリア２５において電極２８ａに対向する側面２５ｈと、電極２８ａとの間隔Ｓ２よりも小さくなっている。間隔Ｓ２は、例えば間隔Ｓ１の２倍以上である。本実施形態では、間隔Ｓ１は５０μｍ以上９０μｍ以下であり、間隔Ｓ２は２００μｍ以上２４０μｍ以下である。なお、側面２５ｇは、キャリア２５において辺２５ｆを含み且つ第１面２５ｂと異なる面であり、側面２５ｈは、キャリア２５において第１面２５ｂの辺２５ｃを含み且つ第１面２５ｂと異なる面である。   Next, as shown in FIG. 8, the carrier 25 on which the photodiode 21 is mounted is mounted on the integrated circuit chip 26 (third step). In the third step, the carrier 25 is mounted on the integrated circuit chip 26 so that the second surface 25 a of the carrier 25 faces the third surface 26 b of the integrated circuit chip 26. At this time, each electrode 28 is exposed from the carrier 25. The space | interval of the carrier 25 and each electrode 28 differs in planar view. For example, the distance between the electrode 28 a to 28 c (second electrode) that is later wire-bonded to the photodiode 21 in the electrode 28 and the carrier 25 is determined by the electrodes 28 d to 28 h (first electrode) that are wire-bonded to the electronic component mounted on the stem 24. 1 electrode) and the carrier 25 are larger than the interval. As a specific example, as shown in FIGS. 9A and 9B, the distance S1 between the side surface 25g facing the electrode 28h in the carrier 25 and the electrode 28h is equal to the side surface 25h facing the electrode 28a in the carrier 25. And the distance S2 from the electrode 28a. The interval S2 is, for example, twice or more the interval S1. In the present embodiment, the interval S1 is not less than 50 μm and not more than 90 μm, and the interval S2 is not less than 200 μm and not more than 240 μm. The side surface 25g includes a side 25f in the carrier 25 and is a surface different from the first surface 25b, and the side surface 25h includes a side 25c of the first surface 25b in the carrier 25 and a surface different from the first surface 25b. .

図９（ａ），（ｂ）に示されるように、第３工程では、キャリア２５を接着剤５１を介して集積回路チップ２６上に搭載している。接着剤５１は、例えば紫外線硬化性樹脂等を含んでおり、その硬化前には流動性を示す。このため、例えばキャリア２５の第２面２５ａに接着剤５１を付着させた後、接着剤５１を介して集積回路チップ２６にキャリア２５を搭載したとき、接着剤５１の一部がキャリア２５と集積回路チップ２６との間から押し出されて流動する。本実施形態では、上述した間隔Ｓ１，Ｓ２の関係から、流動した接着剤５１は、電極２８ｈには到達しやすくなっているが、電極２８ａには到達しにくくなっている。このため、電極２８ａの表面は、電極２８ｈよりも接着剤５１によって覆われにくくなっている。   As shown in FIGS. 9A and 9B, in the third step, the carrier 25 is mounted on the integrated circuit chip 26 via the adhesive 51. The adhesive 51 contains, for example, an ultraviolet curable resin and exhibits fluidity before being cured. For this reason, for example, when the carrier 51 is mounted on the integrated circuit chip 26 via the adhesive 51 after the adhesive 51 is attached to the second surface 25 a of the carrier 25, a part of the adhesive 51 is integrated with the carrier 25. It is pushed out from between the circuit chip 26 and flows. In the present embodiment, the fluidized adhesive 51 is easy to reach the electrode 28h but is difficult to reach the electrode 28a because of the relationship between the intervals S1 and S2 described above. For this reason, the surface of the electrode 28a is less likely to be covered with the adhesive 51 than the electrode 28h.

次に、図１０に示されるように、電極２８ａ〜２８ｃと、キャリア２５上に設けられると共にフォトダイオード２１に接続される配線パターン３１〜３３をそれぞれワイヤボンディングする（第４工程）。第４工程では、例えば図１１に示されるように、電極２８ａと配線パターン３１とにワイヤＷ２をボンディングする。同様に、電極２８ｂ，２８ｃと配線パターン３２，３３とをそれぞれ異なるワイヤにて電気的に接続する。以上の第１工程〜第４工程を順に実施することによって、ステム２４上にフォトダイオード２１を搭載する。続いて、ステム２４にパッケージ２２及びレンズ２３を取り付けて受光部２０を形成する。この受光部２０を光レセプタクル１０に固定することによって、受光モジュール１Ａを製造する。   Next, as shown in FIG. 10, the electrodes 28a to 28c and the wiring patterns 31 to 33 provided on the carrier 25 and connected to the photodiode 21 are wire-bonded (fourth step). In the fourth step, for example, as shown in FIG. 11, the wire W <b> 2 is bonded to the electrode 28 a and the wiring pattern 31. Similarly, the electrodes 28b and 28c and the wiring patterns 32 and 33 are electrically connected by different wires. The photodiode 21 is mounted on the stem 24 by sequentially performing the first to fourth steps. Subsequently, the package 22 and the lens 23 are attached to the stem 24 to form the light receiving unit 20. The light receiving module 1 </ b> A is manufactured by fixing the light receiving unit 20 to the optical receptacle 10.

以上に説明した、本実施形態に係る製造方法によって製造された受光モジュール１Ａによれば、フォトダイオード２１を搭載するキャリア２５の第２面２５ａと、集積回路チップ２６の第３面２６ｂとは、対向している。すなわち、フォトダイオード２１を搭載するキャリア２５が、集積回路チップ２６上に搭載されている。これにより、集積回路チップ２６の寸法が大きい場合であっても、フォトダイオード２１の配置の自由度を高めることができるので、フォトダイオード２１を入射光の中心軸の近くに配置することができ、受光感度の低下を抑制できる。加えて、本実施形態に係る製造方法では、集積回路チップ２６上に接着剤５１を介してキャリア２５を搭載する前に、ステム２４上のキャパシタ４１等の電子部品と、集積回路チップ２６の電極２８ｄ〜２８ｈとをワイヤボンディングする。これにより、キャリア２５と集積回路チップ２６との間から押し出されて流動する接着剤５１によって電極２８ｄ〜２８ｈが覆われることを回避できる。したがって、上記電子部品と電極２８ｄ〜２８ｈとのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   According to the light receiving module 1A manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment described above, the second surface 25a of the carrier 25 on which the photodiode 21 is mounted and the third surface 26b of the integrated circuit chip 26 are: Opposite. That is, the carrier 25 on which the photodiode 21 is mounted is mounted on the integrated circuit chip 26. Thereby, even when the dimensions of the integrated circuit chip 26 are large, the degree of freedom of the arrangement of the photodiode 21 can be increased, so that the photodiode 21 can be arranged near the central axis of the incident light, A decrease in light receiving sensitivity can be suppressed. In addition, in the manufacturing method according to the present embodiment, before the carrier 25 is mounted on the integrated circuit chip 26 via the adhesive 51, the electronic components such as the capacitor 41 on the stem 24 and the electrodes of the integrated circuit chip 26 are provided. Wire bonding is performed to 28d to 28h. Thereby, it can avoid that the electrodes 28d-28h are covered with the adhesive agent 51 which is pushed out and flows from between the carrier 25 and the integrated circuit chip 26. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects in wire bonding between the electronic component and the electrodes 28d to 28h.

更には、本実施形態の受光モジュール１Ａでは、長く延びる配線パターン３１〜３３がキャリア２５の第１面２５ｂに設けられている。これにより、集積回路チップ２６の電極２８ａ〜２８ｃとフォトダイオード２１との距離を長くすることが可能となり、電極２８ａ〜２８ｃの位置によらずフォトダイオード２１を自在に配置することができる。さらに、この受光モジュール１Ａでは、電極２８ａ〜２８ｃ及びボンディングパッド３１ａ〜３３ａが、入射光の中心軸ＡＸを挟んでフォトダイオード２１の中心Ｏとは反対側に配置される。これにより、ステム２４の主面２４ａに占める集積回路チップ２６の割合が大きい場合でも、フォトダイオード２１を入射光の中心軸ＡＸから適度に離間させてＯＲＬを低減することができる。   Further, in the light receiving module 1 </ b> A of the present embodiment, long wiring patterns 31 to 33 are provided on the first surface 25 b of the carrier 25. As a result, the distance between the electrodes 28a to 28c of the integrated circuit chip 26 and the photodiode 21 can be increased, and the photodiode 21 can be freely arranged regardless of the positions of the electrodes 28a to 28c. Further, in the light receiving module 1A, the electrodes 28a to 28c and the bonding pads 31a to 33a are arranged on the opposite side to the center O of the photodiode 21 with the central axis AX of the incident light interposed therebetween. Thereby, even when the ratio of the integrated circuit chip 26 to the main surface 24a of the stem 24 is large, the ORL can be reduced by appropriately separating the photodiode 21 from the central axis AX of the incident light.

本実施形態では、平面視にて、キャリア２５と集積回路チップ２６の短手方向に沿って設けられる電極２８ａとの間隔Ｓ２は、キャリア２５と集積回路チップ２６の長手方向に沿って設けられる電極２８ｈとの間隔Ｓ１よりも大きい。このため、集積回路チップ２６上に接着剤５１を介してキャリア２５を搭載したとき、電極２８ｈと比較して、接着剤５１が電極２８ａまで到達しにくくなる。このため、電極２８ａが接着剤５１によって覆われることを回避できる。したがって、電極２８ａと配線パターン３１とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。   In this embodiment, the distance S2 between the carrier 25 and the electrode 28a provided along the short direction of the integrated circuit chip 26 in plan view is an electrode provided along the longitudinal direction of the carrier 25 and the integrated circuit chip 26. It is larger than the interval S1 with 28h. For this reason, when the carrier 25 is mounted on the integrated circuit chip 26 via the adhesive 51, the adhesive 51 is less likely to reach the electrode 28a than the electrode 28h. For this reason, it can be avoided that the electrode 28 a is covered with the adhesive 51. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects in the wire bonding between the electrode 28a and the wiring pattern 31.

以下では、上記実施形態の第１〜第４変形例について説明する。各変形例においては、重複した説明は省略される。   Below, the 1st-4th modification of the said embodiment is demonstrated. In each modified example, a duplicate description is omitted.

（第１変形例）
図１２は、上記実施形態の第１変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１２に示されるように、キャリア２５Ａにおいて電極２８ａに対向する側面２５ｈは、傾斜面になっている。また、側面２５ｈと第１面２５ｂとがなす角度θ１は鋭角になっており、側面２５ｈと第２面２５ａとがなす角度θ２は鈍角になっている。このため、側面２５ｈは、方向Ａ１において第１面２５ｂに近づくにつれて、外側に位置するように傾斜している。側面２５ｈにおいて第１面２５ｂと共有する辺２５ｉは、平面視にて電極２８ａから最も離れている。辺２５ｉと電極２８ａとの間隔Ｓ３は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。このような第１変形例では、上記実施形態のように側面２５ｈが垂直面であるときと比較して、接着剤５１の表面張力の影響によって、接着剤５１が側面２５ｈから離れにくくなる。したがって、上述したように間隔Ｓ３が設定された場合であっても、接着剤５１が電極２８ａまで到達しにくくなる。このため、第１変形例においても、電極２８ａと配線パターン３１とのワイヤボンディングに不良が発生することを抑制できる。 (First modification)
FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a first modification of the embodiment. As shown in FIG. 12, the side surface 25h facing the electrode 28a in the carrier 25A is an inclined surface. The angle θ1 formed between the side surface 25h and the first surface 25b is an acute angle, and the angle θ2 formed between the side surface 25h and the second surface 25a is an obtuse angle. For this reason, the side surface 25h is inclined so as to be positioned on the outer side as it approaches the first surface 25b in the direction A1. The side 25i shared with the first surface 25b on the side surface 25h is farthest from the electrode 28a in plan view. The interval S3 between the side 25i and the electrode 28a may be equal to or greater than the interval S1, or may be less than the interval S1. In such a 1st modification, compared with the case where the side surface 25h is a vertical surface like the said embodiment, the adhesive agent 51 becomes difficult to leave | separate from the side surface 25h by the influence of the surface tension of the adhesive agent 51. Therefore, even when the interval S3 is set as described above, the adhesive 51 is unlikely to reach the electrode 28a. For this reason, also in the first modification, it is possible to suppress the occurrence of defects in wire bonding between the electrode 28a and the wiring pattern 31.

（第２変形例）
図１３は、上記実施形態の第２変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１３に示されるように、電極２８ａは、第３面２６ｂ上に設けられる電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２とを有する。第２変形例における導電部材６２は、方向Ａ１に沿って電極パッド６１から突出する導電性のバンプ（突起）である。導電部材６２は、例えばボールボンダーを用いて形成する。導電部材６２の方向Ａ１に沿った長さ（高さ）は、例えば２０μｍ以上５０μｍ以下である。導電部材６２は、例えば、集積回路チップ２６がステム２４の主面２４ａ上に搭載される前に、電極パッド６１上に設けられる。第２変形例では、少なくとも電極２８ｂ，２８ｃが、電極２８ａと同様に導電部材であるバンプを有している。少なくとも導電部材６２の頂面６２ａは、接着剤５１から露出している。第２変形例では、上記第４工程にて頂面６２ａと配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、ワイヤＷ２は、頂面６２ａと配線パターン３１とにボンディングされる。以上に説明した第２変形例では、例えば電極２８ａの電極パッド６１が接着剤５１に覆われたとしても、導電部材６２であるバンプの頂面６２ａは接着剤５１に覆われにくくなっている。このため第２変形例では、上記実施形態及び上記第１変形例と同様の作用効果が奏される。なお、平面視におけるキャリア２５と電極２８ａとの最短距離は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。 (Second modification)
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a second modification of the embodiment. As shown in FIG. 13, the electrode 28 a includes an electrode pad 61 provided on the third surface 26 b and a conductive member 62 provided on the electrode pad 61. The conductive member 62 in the second modification is a conductive bump (protrusion) protruding from the electrode pad 61 along the direction A1. The conductive member 62 is formed using, for example, a ball bonder. The length (height) along the direction A1 of the conductive member 62 is, for example, not less than 20 μm and not more than 50 μm. The conductive member 62 is provided on the electrode pad 61 before the integrated circuit chip 26 is mounted on the main surface 24a of the stem 24, for example. In the second modified example, at least the electrodes 28b and 28c have bumps which are conductive members like the electrode 28a. At least the top surface 62 a of the conductive member 62 is exposed from the adhesive 51. In the second modification, the top surface 62a and the wiring pattern 31 are wire-bonded in the fourth step. Therefore, the wire W2 is bonded to the top surface 62a and the wiring pattern 31. In the second modification described above, for example, even if the electrode pad 61 of the electrode 28 a is covered with the adhesive 51, the top surface 62 a of the bump that is the conductive member 62 is not easily covered with the adhesive 51. For this reason, in the 2nd modification, the same operation effect as the above-mentioned embodiment and the 1st modification is produced. Note that the shortest distance between the carrier 25 and the electrode 28a in a plan view may be greater than or equal to the interval S1, or less than the interval S1.

（第３変形例）
図１４（ａ）は、上記実施形態の第３変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１４（ａ）に示されるように、電極２８ａは、電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２Ａとを有する。第３変形例における導電部材６２Ａは、中継基板であり、例えばフリップチップボンディングによって電極パッド６１上に実装される。導電部材６２Ａは、略直方体形状を呈する基材７１と、基材７１内に設けられるビア配線７２と、基材７１の頂面７１ａに設けられると共にビア配線７２を介して電極パッド６１に電気的に接続される導電部７３とを有する。ビア配線７２の両端は基材７１から露出しており、その一端は電極パッド６１に接触しており、その他端は導電部７３に接触している。導電部７３は、導電部材６２Ａにおける端子として機能し、平面視にて略矩形状を呈する。第３変形例では、上記第４工程にて、導電部７３と配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、ワイヤＷ２は、導電部７３と配線パターン３１とにボンディングされている。以上に説明した第３変形例においても、上記第２変形例と同様の作用効果が奏される。加えて、ビア配線７２を中継基板である導電部材６２Ａの基材７１によって保護できるので、電極パッド６１と導電部７３との導電状態を良好に保持できる。なお、平面視におけるキャリア２５と電極２８ａとの最短距離は、間隔Ｓ１以上であってもよいし、間隔Ｓ１未満であってもよい。 (Third Modification)
FIG. 14A is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a third modification of the embodiment. As shown in FIG. 14A, the electrode 28a includes an electrode pad 61 and a conductive member 62A provided on the electrode pad 61. The conductive member 62A in the third modification is a relay substrate and is mounted on the electrode pad 61 by, for example, flip chip bonding. The conductive member 62 </ b> A is provided on the base 71 having a substantially rectangular parallelepiped shape, the via wiring 72 provided in the base 71, the top surface 71 a of the base 71, and electrically connected to the electrode pad 61 via the via wiring 72. And a conductive portion 73 connected to the. Both ends of the via wiring 72 are exposed from the substrate 71, one end thereof is in contact with the electrode pad 61, and the other end is in contact with the conductive portion 73. The conductive portion 73 functions as a terminal in the conductive member 62A and has a substantially rectangular shape in plan view. In the third modification, the conductive portion 73 and the wiring pattern 31 are wire-bonded in the fourth step. For this reason, the wire W <b> 2 is bonded to the conductive portion 73 and the wiring pattern 31. In the third modified example described above, the same function and effect as the second modified example are achieved. In addition, since the via wiring 72 can be protected by the base material 71 of the conductive member 62 </ b> A that is a relay substrate, the conductive state between the electrode pad 61 and the conductive portion 73 can be favorably maintained. Note that the shortest distance between the carrier 25 and the electrode 28a in a plan view may be greater than or equal to the interval S1, or less than the interval S1.

図１４（ｂ）は、中継基板を示す概略斜視図であり、図１４（ｃ）は、中継基板の概略平面図である。図１４（ｂ），（ｃ）に示されるように、基材７１には、ビア配線７２及び導電部７３は、それぞれ複数設けられている。第３変形例では、各ビア配線７２は、電極２８ａ〜２８ｃの電極パッド６１にそれぞれ接触する。このため、電極２８ａ〜２８ｃは、共通する導電部材６２Ａを備える。なお第３変形例では、基材７１の方向Ａ１に沿った長さ（高さ）は０．２ｍｍであり、頂面７１ａの短辺の長さは０．３ｍｍであり、頂面７１ａの長辺の長さは０．７ｍｍであってもよい。また、平面視におけるビア配線７２は円形状を呈しており、その直径は０．１ｍｍであってもよい。平面視におけるビア配線７２同士の距離は０．１ｍｍであってもよい。平面視における導電部７３は矩形形状を呈しており、その一辺は０．１５ｍｍであってもよい。   FIG. 14B is a schematic perspective view showing the relay board, and FIG. 14C is a schematic plan view of the relay board. As shown in FIGS. 14B and 14C, the base material 71 is provided with a plurality of via wirings 72 and conductive portions 73. In the third modification, each via wiring 72 is in contact with the electrode pad 61 of each of the electrodes 28a to 28c. For this reason, the electrodes 28a to 28c include a common conductive member 62A. In the third modification, the length (height) along the direction A1 of the base material 71 is 0.2 mm, the length of the short side of the top surface 71a is 0.3 mm, and the length of the top surface 71a. The side length may be 0.7 mm. Further, the via wiring 72 in a plan view has a circular shape, and the diameter thereof may be 0.1 mm. The distance between the via wirings 72 in plan view may be 0.1 mm. The conductive portion 73 in plan view has a rectangular shape, and one side thereof may be 0.15 mm.

上記第３変形例において、電極２８ａは、基材７１を有しているので、上記実施形態及び上記第１変形例の電極２８よりも高い。このため、ワイヤＷ２の長さを上記実施形態及び上記第１変形例よりも短くできるので、ワイヤＷ２による信号損失を低減できる。基材７１の高さがキャリア２５と同程度である場合、ワイヤＷ２の長さをさらに短くできる。   In the third modified example, since the electrode 28a has the base material 71, it is higher than the electrode 28 of the embodiment and the first modified example. For this reason, since the length of the wire W2 can be made shorter than that in the embodiment and the first modification, signal loss due to the wire W2 can be reduced. When the height of the base material 71 is approximately the same as that of the carrier 25, the length of the wire W2 can be further shortened.

（第４変形例）
図１５（ａ）は、上記実施形態の第４変形例に係る受光部の要部拡大断面図である。図１５（ｂ）は、第４変形例の導電部材を示す概略斜視図である。図１５（ａ），（ｂ）に示されるように、電極２８ａは、電極パッド６１と、電極パッド６１上に設けられる導電部材６２Ｂとを有する。導電部材６２Ｂは、基材７１Ａと、基材７１Ａの表面に設けられる中継配線７２Ａと、基材７１Ａの頂面７１ａに設けられると共に中継配線７２Ａを介して電極パッド６１に電気的に接続される導電部７３とを有する。中継配線７２Ａの全体は基材７１Ａから露出しており、その一端は電極パッド６１に接触しており、その他端は導電部７３に接触している。中継配線７２Ａは、例えば基材７１の表面をメタライズすることによって形成される。中継配線７２Ａの幅は、例えば０．１ｍｍである。第４変形例では、上記第３変形例と同様に、上記第４工程にて導電部７３と配線パターン３１とをワイヤボンディングする。このため、導電部７３と配線パターン３１とはワイヤＷ２を介して電気的に接続されている。以上に説明した第４変形例においても、上記第２変形例及び第３変形例と同様の作用効果が奏される。加えて、第３変形例と比較すると、中継配線７２Ａを容易に形成できる。 (Fourth modification)
FIG. 15A is an enlarged cross-sectional view of a main part of a light receiving unit according to a fourth modification of the embodiment. FIG. 15B is a schematic perspective view showing a conductive member of a fourth modified example. As shown in FIGS. 15A and 15B, the electrode 28 a includes an electrode pad 61 and a conductive member 62 </ b> B provided on the electrode pad 61. The conductive member 62B is provided on the base 71A, the relay wiring 72A provided on the surface of the base 71A, the top surface 71a of the base 71A, and electrically connected to the electrode pad 61 via the relay wiring 72A. And a conductive portion 73. The entire relay wiring 72 </ b> A is exposed from the base material 71 </ b> A, one end thereof is in contact with the electrode pad 61, and the other end is in contact with the conductive portion 73. The relay wiring 72A is formed by metallizing the surface of the base material 71, for example. The width of the relay wiring 72A is, for example, 0.1 mm. In the fourth modified example, similarly to the third modified example, the conductive portion 73 and the wiring pattern 31 are wire-bonded in the fourth step. For this reason, the electroconductive part 73 and the wiring pattern 31 are electrically connected via the wire W2. In the fourth modified example described above, the same function and effect as the second modified example and the third modified example are achieved. In addition, the relay wiring 72A can be easily formed as compared with the third modification.

本発明による受光モジュール及びその製造方法は、上述した実施形態及び変形例に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態および各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。例えば、上記実施形態と上記第１変形例を組み合わせて、側面２５ｈを傾斜面にすると共に、辺２５ｃと電極２８ａとの間隔を間隔Ｓ２に合わせてもよい。この場合、接着剤５１が電極２８ａにさらに到達しにくくなる。上記第１変形例に対して、上記第２変形例〜上記第４変形例のいずれかを組み合わせてもよい。   The light receiving module and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the above-described embodiment and modification examples, and various other modifications are possible. For example, the above-described embodiments and modifications may be combined with each other according to the necessary purpose and effect. For example, by combining the above embodiment and the first modification, the side surface 25h may be an inclined surface, and the interval between the side 25c and the electrode 28a may be adjusted to the interval S2. In this case, the adhesive 51 is more difficult to reach the electrode 28a. You may combine either the said 2nd modification-the said 4th modification with respect to the said 1st modification.

１Ａ…受光モジュール、１０…光レセプタクル、１１…フェルール、１１ａ…基端面、１１ｂ…先端面、１１ｃ…外周面、１１ｄ…ファイバ保持孔、１２…ファイバスタブ、１３…光ファイバ、１３ａ…一端、１３ｂ…他端、１４…金属部材、１４ａ…貫通孔、１４ｂ…基端面、１４ｃ…先端面、１４ｄ…外周面、１６…スリーブ、１６ａ…基端、１６ｂ…先端、１６ｃ…外周面、１６ｄ…内周面、１８…外郭部材、１８ａ…フランジ部、１８ｂ…基端面、１８ｃ…先端部、１８ｄ…貫通孔、１８ｅ…第１の部分、１８ｆ…第２の部分、１８ｇ…段差面、１９…部材、２０…受光部、２１…フォトダイオード（受光素子）、２１ａ…主面、２１ｂ…反対面、２２…パッケージ、２３…レンズ、２３ａ…樹脂、２４…ステム、２４ａ…主面、２４ｂ…ＧＮＤパターン、２５，２５Ａ…キャリア、２５ａ…第２面、２５ｂ…第１面、２５ｃ〜２５ｆ…辺、２６…集積回路チップ、２６ａ…第４面、２６ｂ…第３面、２６ｃ〜２６ｆ…辺、２７ａ〜２７ｆ…リードピン、２８，２８ａ〜２８ｏ…電極、２９…部材、３１〜３４…配線パターン、３１ａ〜３３ａ…ボンディングパッド、３１ｂ〜３３ｂ…パッド、３５…流れ止め領域、４１，４２…キャパシタ、４３…ＧＮＤブロック、５１…接着剤、６１…電極パッド、６２，６２Ａ，６２Ｂ…導電部材、７１…基材、７２…ビア配線、７２Ａ…中継配線、７３…導電部、ＡＸ…入射光の中心軸。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A ... Light receiving module, 10 ... Optical receptacle, 11 ... Ferrule, 11a ... Base end surface, 11b ... Front end surface, 11c ... Outer peripheral surface, 11d ... Fiber holding hole, 12 ... Fiber stub, 13 ... Optical fiber, 13a ... One end, 13b ... the other end, 14 ... metal member, 14a ... through hole, 14b ... base end face, 14c ... tip end face, 14d ... outer peripheral face, 16 ... sleeve, 16a ... base end, 16b ... tip, 16c ... outer peripheral face, 16d ... inside Peripheral surface, 18 ... shell member, 18a ... flange portion, 18b ... proximal end surface, 18c ... distal end portion, 18d ... through hole, 18e ... first portion, 18f ... second portion, 18g ... step surface, 19 ... member , 20 ... light receiving part, 21 ... photodiode (light receiving element), 21a ... main surface, 21b ... opposite surface, 22 ... package, 23 ... lens, 23a ... resin, 24 ... stem, 24a ... main surface, 2 b ... GND pattern, 25, 25A ... carrier, 25a ... second surface, 25b ... first surface, 25c-25f ... side, 26 ... integrated circuit chip, 26a ... fourth surface, 26b ... third surface, 26c-26f ... sides, 27a to 27f ... lead pins, 28, 28a to 28o ... electrodes, 29 ... members, 31-34 ... wiring patterns, 31a-33a ... bonding pads, 31b-33b ... pads, 35 ... flow-preventing regions, 41,42 ... Capacitor, 43 ... GND block, 51 ... Adhesive, 61 ... Electrode pad, 62, 62A, 62B ... Conductive member, 71 ... Base material, 72 ... Via wiring, 72A ... Relay wiring, 73 ... Conducting part, AX ... Injection The central axis of light.

Claims (8)

ステムの主面上に、第１電極及び第２電極が設けられた集積回路チップ、並びに電子部品を搭載する第１工程と、
前記第１電極及び前記電子部品をワイヤボンディングする第２工程と、
前記集積回路チップ上に、受光素子が搭載されたキャリアを接着剤を介して搭載する第３工程と、
前記第２電極、及び前記キャリア上に設けられると共に前記受光素子に接続される配線パターンをワイヤボンディングする第４工程と、
をこの順に備える受光モジュールの製造方法。 A first step of mounting an integrated circuit chip provided with a first electrode and a second electrode on the main surface of the stem, and an electronic component;
A second step of wire bonding the first electrode and the electronic component;
A third step of mounting a carrier on which the light receiving element is mounted on the integrated circuit chip via an adhesive;
A fourth step of wire bonding a wiring pattern provided on the second electrode and the carrier and connected to the light receiving element;
The manufacturing method of the light receiving module provided with this in this order. 前記集積回路チップの長手方向に沿って前記第１電極が設けられると共に、前記集積回路チップの短手方向に沿って前記第２電極が設けられ、
平面視にて、前記キャリアと前記第２電極との間隔は、前記キャリアと前記第１電極との間隔よりも大きい、請求項１に記載の受光モジュールの製造方法。 The first electrode is provided along the longitudinal direction of the integrated circuit chip, and the second electrode is provided along the short direction of the integrated circuit chip,
The method for manufacturing a light receiving module according to claim 1, wherein a distance between the carrier and the second electrode is larger than a distance between the carrier and the first electrode in a plan view. 前記キャリアにおいて前記第２電極に対向する側面は、傾斜面であり、
前記傾斜面と、前記キャリアにおいて前記集積回路チップに対向する面とがなす角度は、鈍角である、請求項１又は２に記載の受光モジュールの製造方法。 In the carrier, a side surface facing the second electrode is an inclined surface,
The method for manufacturing a light receiving module according to claim 1, wherein an angle formed between the inclined surface and a surface of the carrier facing the integrated circuit chip is an obtuse angle. 前記第２電極は、前記集積回路チップにおいて前記キャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に設けられるバンプとを有し、
前記第４工程では、前記バンプと前記配線パターンとをワイヤボンディングする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の受光モジュールの製造方法。 The second electrode has an electrode pad provided on a surface on which the carrier is mounted in the integrated circuit chip, and a bump provided on the electrode pad,
The light receiving module manufacturing method according to claim 1, wherein in the fourth step, the bump and the wiring pattern are wire-bonded. 前記第２電極は、前記集積回路チップにおいて前記キャリアが搭載される面上に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に設けられる中継基板とを有し、
前記第４工程では、前記中継基板の頂面に設けられると共に前記電極パッドに電気的に接続される導電部と、前記配線パターンとをワイヤボンディングする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の受光モジュールの製造方法。 The second electrode has an electrode pad provided on a surface on which the carrier is mounted in the integrated circuit chip, and a relay substrate provided on the electrode pad,
4. The method according to claim 1, wherein in the fourth step, a conductive portion that is provided on a top surface of the relay substrate and is electrically connected to the electrode pad is wire-bonded to the wiring pattern. The manufacturing method of the light reception module of description. 前記電極パッドと前記導電部とは、前記中継基板内に設けられるビア配線を介して電気的に接続される、請求項５に記載の受光モジュールの製造方法。   The light receiving module manufacturing method according to claim 5, wherein the electrode pad and the conductive portion are electrically connected via via wiring provided in the relay substrate. 前記電極パッドと前記導電部とは、前記中継基板の表面に設けられる中継配線を介して電気的に接続される、請求項５に記載の受光モジュールの製造方法。   The light receiving module manufacturing method according to claim 5, wherein the electrode pad and the conductive portion are electrically connected via a relay wiring provided on a surface of the relay substrate. 受光素子と、
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、前記第１面に前記受光素子を搭載するキャリアと、
前記第２面に対向する第３面及び前記第３面とは反対側の第４面を有し、接着剤を介して前記第３面に前記キャリアを搭載する集積回路チップと、
主面上に前記集積回路チップを搭載するステムと、
前記受光素子と前記集積回路チップとを電気的に接続するワイヤと、
を備え、
前記集積回路チップの前記第３面上には、前記受光素子に電気的に接続される電極が設けられ、
前記電極は、前記第３面上に設けられる電極パッドと、前記電極パッド上に設けられ、少なくともその頂面が前記接着剤から露出する導電部材とを有し、
前記ワイヤは、前記導電部材と、前記キャリアの前記第１面上に設けられると共に前記受光素子に接続される配線パターンとにボンディングされている、
受光モジュール。 A light receiving element;
A carrier having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and mounting the light receiving element on the first surface;
An integrated circuit chip having a third surface facing the second surface and a fourth surface opposite to the third surface and mounting the carrier on the third surface via an adhesive;
A stem for mounting the integrated circuit chip on the main surface;
A wire for electrically connecting the light receiving element and the integrated circuit chip;
With
An electrode electrically connected to the light receiving element is provided on the third surface of the integrated circuit chip,
The electrode has an electrode pad provided on the third surface, and a conductive member provided on the electrode pad, at least a top surface of which is exposed from the adhesive,
The wire is bonded to the conductive member and a wiring pattern provided on the first surface of the carrier and connected to the light receiving element.
Light receiving module.
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