JP2019168584A5 - - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
Claims (12)
- クロム系材料で構成される位相シフト膜を透明基板上に備える位相シフトマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、露光光に含まれる代表波長の光に対して透過率が１〜３０％、位相差が１６０°〜２００°の光学特性を有し、該位相シフト膜は、下層を構成する第１の機能層と、その上層を構成する第２の機能層と、前記第１の機能層と前記第２の機能層との間に配置される中間層とを有する積層膜であって、
前記第１の機能層および前記第２の機能層は、クロムと酸素と窒素とを含有するクロム系材料で構成され、
前記第１の機能層および前記第２の機能層は、クロムと酸素とを含有し、クロムが３０〜７０原子％、酸素が３０〜７０原子％であり、
前記中間層は、クロムと炭素とを含有し、前記中間層におけるクロムと炭素との含有量の比率は、１：０．４以上であって１：０．７以下である、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 前記中間層は、さらに酸素を含有するクロム系材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記中間層に含まれる酸素の含有量は、０．２〜１５原子％であることを特徴とする請求項２記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記第１の機能層および前記第２の機能層は、窒素を含有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記第１の機能層および前記第２の機能層に含まれる窒素の含有量は、０．４〜３０原子％であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記第１の機能層は、露光光に対する透過率と位相差とを主に調整する機能を有し、前記第２の機能層は、前記位相シフト膜側より入射される光に対する反射率を低減される機能を有するものであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記位相シフト膜側より入射される光に対する前記位相シフト膜の表面反射率が３５０〜４３６ｎｍの波長域において１５％以下であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
- 前記透明基板側より入射される光に対する前記位相シフト膜の表面反射率が３１３〜４３６ｎｍの波長域において２２．５％以下であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランク。
- 請求項１乃至８の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランクにおける前記透明基板と前記位相シフト膜との間に、遮光性膜パターンを備えることを特徴とする位相シフトマスク中間体。
- 請求項１乃至８の何れか一項に記載の位相シフトマスクブランクの前記位相シフト膜上、または請求項９記載の位相シフトマスク中間体の前記位相シフト膜上には、レジスト膜が形成されており、該レジスト膜に対して３５０ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択されるいずれかの波長を有するレーザー光を用いた描画処理、および現像処理により、レジスト膜パターンを形成する工程と、
該レジスト膜パターンをマスクにして前記位相シフト膜をエッチングして、前記透明基板上に位相シフト膜パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項１０に記載の位相シフトマスクの製造方法によって製造された位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置基板上に形成されたレジスト膜に前記位相シフト膜パターンを転写する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記露光光は、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長域から選択される複数の波長の光を含む複合光であることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018055897A JP6999460B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク中間体及びこれらを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2018055897A JP6999460B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク中間体及びこれらを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019168584A JP2019168584A (ja) | 2019-10-03 |
| JP2019168584A5 true JP2019168584A5 (ja) | 2021-04-22 |
| JP6999460B2 JP6999460B2 (ja) | 2022-01-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2018055897A Active JP6999460B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク中間体及びこれらを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6999460B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102598440B1 (ko) * | 2019-12-20 | 2023-11-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3262302B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2002-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法 |
| US5604060A (en) * | 1993-08-31 | 1997-02-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask comprising a single layer of halftone light blocking and phase shifting |
| US5415953A (en) * | 1994-02-14 | 1995-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photomask blanks comprising transmissive embedded phase shifter |
| KR101282040B1 (ko) | 2012-07-26 | 2013-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
| KR101760337B1 (ko) | 2013-04-17 | 2017-07-21 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크 |
| JP6661262B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-03-11 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JP6352224B2 (ja) | 2015-07-17 | 2018-07-04 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP6618843B2 (ja) | 2016-03-24 | 2019-12-11 | Hoya株式会社 | フォトマスク用基板のリサイクル方法、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
-
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