JP2019166550A - Thermosetting flux composition and method for manufacturing electronic substrate - Google Patents

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Abstract

To provide a thermosetting flux composition having a high reinforcing effect by a cured product, excellent insulation properties of the cured product, and excellent solderability.SOLUTION: A thermosetting flux composition of the present invention is used when an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 130°C or higher and 240°C or lower is bonded to an electronic substrate by reflow soldering or thermocompression bonding, and contains (A) an oxetane compound, (B) an activator, and (C) an inorganic filler, wherein the component (A) contains (A1) a bifunctional oxetane compound having two oxetane rings in one molecule, and wherein the component (B) contains (B1) an organic acid. When the temperature of the thermosetting flux composition is increased from 25°C at a rate of temperature rise of 5°C/min, the thermosetting flux composition exhibits a viscosity of 5 Pa s or less at 200°C, and a viscosity of 50 Pa s or more at 250°C.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a thermosetting flux composition and an electronic substrate manufacturing method.

電子機器の小型化および薄型化に伴い、はんだボールを有するパッケージ部品(例えばボールグリッドアレイパッケージ:BGAパッケージ)が用いられている。そして、このようなBGAパッケージにおいてもファインピッチのものが要求されているが、ファインピッチのBGAパッケージを実装基板に接合する場合には、はんだボールのみでは接合部分の強度が弱いという問題がある。そのため、通常は、アンダーフィル材をBGAパッケージと実装基板との間に充填し硬化させることで接合部分を補強している。しかしながら、アンダーフィル材を充填し硬化させるためには手間がかかるため、生産コストの点で問題がある。
一方、実装基板上にフラックス剤を含有する接着剤を予め印刷しておき、印刷部分にパッケージ部品を実装する方法が提案されている(特許文献1参照)。
As electronic devices become smaller and thinner, package parts having solder balls (for example, a ball grid array package: BGA package) are used. Further, such a BGA package is also required to have a fine pitch. However, when a fine pitch BGA package is joined to a mounting substrate, there is a problem that the strength of the joint portion is weak only with solder balls. For this reason, usually, the joint portion is reinforced by filling and curing an underfill material between the BGA package and the mounting substrate. However, since it takes time to fill and cure the underfill material, there is a problem in terms of production cost.
On the other hand, a method has been proposed in which an adhesive containing a flux agent is printed in advance on a mounting substrate, and a package component is mounted on a printed portion (see Patent Document 1).

特開平4−280443号公報JP-A-4-280443

近年のはんだの鉛フリー化に伴い、高融点(例えば融点が200℃以上)のはんだ合金が用いられるようになってきている。しかしながら、特許文献1に記載の接着剤を用いる方法により、高融点のはんだ合金からなるはんだバンプのはんだ付けを行う場合には、接着剤の硬化が進み過ぎることで溶融はんだの流動を阻害するために、はんだ付け性を損なうという問題がある。
また、特許文献1に記載の接着剤を用いる方法においては、接着剤の硬化物が実装基板に残ることになる。そのため、この接着剤の硬化物にも、実装基板に用いられる材料(ソルダーレジストなど)と同様に絶縁性が求められる。そして、例えば接着剤の硬化率を下げるような方法で、はんだ付け性の向上を図ろうとしても、接着剤の硬化物における絶縁性が問題となる。
このように、硬化物の絶縁性と、はんだ付け性とは、トレードオフの関係にあり、これらを共に向上させるのは困難であった。
また、接合部分を補強するという観点でも、更なる向上が求められており、パッケージ部品の接合部分の強度の更なる向上が求められている。
With the recent lead-free soldering, solder alloys having a high melting point (for example, a melting point of 200 ° C. or higher) have been used. However, when soldering a solder bump made of a high-melting-point solder alloy by the method using the adhesive described in Patent Document 1, the adhesive cures too much to inhibit the flow of molten solder. In addition, there is a problem that the solderability is impaired.
Moreover, in the method using the adhesive described in Patent Document 1, a cured product of the adhesive remains on the mounting substrate. For this reason, the cured product of the adhesive is also required to have insulating properties, as is the case with materials (such as solder resists) used for mounting substrates. Even if the solderability is improved by, for example, a method of reducing the curing rate of the adhesive, the insulation of the cured adhesive becomes a problem.
As described above, the insulation and solderability of the cured product are in a trade-off relationship, and it has been difficult to improve them together.
Further, from the viewpoint of reinforcing the joint portion, further improvement is required, and further improvement in the strength of the joint portion of the package component is required.

そこで、本発明は、硬化物による補強効果が高く、硬化物の絶縁性に優れ、かつはんだ付け性に優れる熱硬化性フラックス組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a thermosetting flux composition having a high reinforcing effect by a cured product, excellent insulation of the cured product, and excellent solderability, and a method for producing an electronic substrate using the same. Objective.

前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けまたは熱圧着により、融点が130℃以上240℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、(A)オキセタン化合物と、(B)活性剤と、(C)無機フィラーと、を含有し、前記(A)成分が、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有し、
前記(B)成分が、(B1)有機酸を含有し、温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることを特徴とするものである。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following thermosetting flux composition and method for producing an electronic substrate.
That is, the thermosetting flux composition of the present invention is a heat used when an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 130 ° C. or higher and 240 ° C. or lower is joined to an electronic substrate by reflow soldering or thermocompression bonding. A curable flux composition comprising (A) an oxetane compound, (B) an activator, and (C) an inorganic filler, wherein the component (A) comprises (A1) two molecules in one molecule. Containing a bifunctional oxetane compound having an oxetane ring,
When the component (B) contains (B1) an organic acid and is heated at a temperature increase rate of 25 ° C./min from a temperature of 25 ° C., the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less, and The viscosity at a temperature of 250 ° C. is 50 Pa · s or more.

本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、(D)エポキシ樹脂を、さらに含有してもよい。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、前記(C)成分が、シリカフィラーおよびアルミナフィラーからなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、前記(C)成分が、表面処理されていることが好ましい。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、前記(C)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、20質量%以上70質量%以下であることが好ましい。
The thermosetting flux composition of the present invention may further contain (D) an epoxy resin.
In the thermosetting flux composition of the present invention, the component (C) is preferably at least one selected from the group consisting of a silica filler and an alumina filler.
In the thermosetting flux composition of the present invention, the component (C) is preferably surface-treated.
In the thermosetting flux composition of this invention, it is preferable that the compounding quantity of the said (C) component is 20 mass% or more and 70 mass% or less with respect to 100 mass% of said thermosetting flux compositions.

本発明の第一の電子基板の製造方法は、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える方法である。
本発明の第二の電子基板の製造方法は、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、前記電子部品を前記配線基板に熱圧着する熱圧着工程と、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備えることを特徴とする方法である。
本発明の電子基板の製造方法においては、前記接合用ランドには、予め、はんだプリコートが形成されていることが好ましい。
In the first method for producing an electronic substrate of the present invention, an application step of applying the thermosetting flux composition and an electronic component having solder bumps are mounted on a bonding land of the wiring substrate on the wiring substrate. A mounting step, a reflow step in which the solder bump is melted by heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted, and the solder bump is bonded to the bonding land; and the thermosetting flux composition is heated. And a thermosetting step of curing.
According to a second method for producing an electronic substrate of the present invention, an application step of applying the thermosetting flux composition on a wiring substrate and an electronic component having solder bumps are mounted on a bonding land of the wiring substrate. It is a method comprising a mounting step, a thermocompression step for thermocompression bonding the electronic component to the wiring board, and a thermosetting step for heating and curing the thermosetting flux composition.
In the method for manufacturing an electronic substrate according to the present invention, it is preferable that a solder precoat is formed in advance on the bonding land.

本発明の熱硬化性フラックス組成物が、硬化物による補強効果が高く、硬化物の絶縁性に優れ、かつはんだ付け性に優れる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程では、熱硬化性フラックス組成物の硬化がそれほど進まないような(A)オキセタン化合物を用いている。そのため、溶融はんだの流動性が熱硬化性フラックス組成物の硬化物により妨げられることがないために、はんだ付け性を維持できる。一方で、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程後の熱硬化工程で、十分に硬化させることができるので、硬化物の絶縁性を確保できる。さらに、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、(C)無機フィラーを含有しているため、熱硬化性フラックス組成物の硬化物と電子部品との線熱膨張係数との差を小さくでき、また、熱硬化性フラックス組成物の硬化物の弾性率を高めることができ、補強効果を高めることができる。一方で、(C)無機フィラーを配合しても、熱硬化性フラックス組成物の温度200℃における粘度が5Pa・s以下であれば、はんだ付け性を維持できる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
The reason why the thermosetting flux composition of the present invention has a high reinforcing effect by the cured product, excellent insulation of the cured product, and excellent solderability is not necessarily clear, but the present inventors have as follows. I guess.
That is, the thermosetting flux composition of the present invention uses (A) an oxetane compound that does not allow the thermosetting flux composition to cure so much in the reflow process. Therefore, since the fluidity of the molten solder is not hindered by the cured product of the thermosetting flux composition, the solderability can be maintained. On the other hand, since the thermosetting flux composition of the present invention can be sufficiently cured in the thermosetting process after the reflow process, the insulation of the cured product can be secured. Furthermore, since the thermosetting flux composition of the present invention contains (C) an inorganic filler, the difference between the linear thermal expansion coefficient between the cured product of the thermosetting flux composition and the electronic component can be reduced, Moreover, the elasticity modulus of the hardened | cured material of a thermosetting flux composition can be raised, and the reinforcement effect can be heightened. On the other hand, even if the (C) inorganic filler is blended, the solderability can be maintained if the thermosetting flux composition has a viscosity at a temperature of 200 ° C. of 5 Pa · s or less. As described above, the present inventors speculate that the effects of the present invention are achieved.

本発明によれば、硬化物による補強効果が高く、硬化物の絶縁性に優れ、かつはんだ付け性に優れる熱硬化性フラックス組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the reinforcement effect by hardened | cured material is high, can provide the thermosetting flux composition which is excellent in the insulation of hardened | cured material, and is excellent in solderability, and the manufacturing method of an electronic substrate using the same.

[熱硬化性フラックス組成物]
まず、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物について説明する。
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けまたは熱圧着により、はんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、以下説明する(A)オキセタン化合物、(B)有機酸および(C)無機フィラーを含有するものである。
[Thermosetting flux composition]
First, the thermosetting flux composition of this embodiment will be described.
The thermosetting flux composition of the present embodiment is a thermosetting flux composition used when an electronic component having solder bumps is joined to an electronic substrate by reflow soldering or thermocompression bonding, and will be described below (A ) An oxetane compound, (B) an organic acid, and (C) an inorganic filler.

本実施形態の熱硬化性フラックス組成物においては、温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることが必要である。温度200℃における粘度が5Pa・sを超える場合には、熱硬化性フラックス組成物の硬化が進み過ぎて、溶融はんだの流動性が妨げられるために、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性が低下する。他方、温度250℃における粘度が50Pa・s未満の場合には、熱硬化性フラックス組成物の硬化性が不十分なために、硬化物の絶縁性が不十分となる。
ここで、粘度は、レオメーターにより測定することができる。具体的には、レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、所定の条件により粘度を測定することができる。
In the thermosetting flux composition of the present embodiment, the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less and the temperature is 250 ° C. when the temperature is increased from a temperature of 25 ° C. to a temperature increase rate of 5 ° C./min. It is necessary that the viscosity at is 50 Pa · s or more. When the viscosity at a temperature of 200 ° C. exceeds 5 Pa · s, the curing of the thermosetting flux composition proceeds too much, and the fluidity of the molten solder is hindered. descend. On the other hand, when the viscosity at a temperature of 250 ° C. is less than 50 Pa · s, since the thermosetting flux composition has insufficient curability, the insulation of the cured product becomes insufficient.
Here, the viscosity can be measured by a rheometer. Specifically, the viscosity can be measured under predetermined conditions using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name “MARS-III”).

なお、熱硬化性フラックス組成物およびはんだ組成物の200℃および250℃における粘度を上述した範囲に調整する方法としては、以下のような方法が挙げられる。
熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度は、例えば、以下のような方法により調整できる。
(i)オキセタン化合物、有機酸および無機フィラーなどの種類を変更すること。
(ii)オキセタン化合物とエポキシ樹脂とを併用すること。
(iii)硬化剤を使用すること。
(iv)無機フィラーの配合量を変更すること。
In addition, the following methods are mentioned as a method of adjusting the viscosity in 200 degreeC and 250 degreeC of a thermosetting flux composition and a solder composition in the range mentioned above.
The viscosity at 200 ° C. and 250 ° C. of the thermosetting flux composition can be adjusted, for example, by the following method.
(I) Changing the type of oxetane compound, organic acid, inorganic filler and the like.
(Ii) A combination of an oxetane compound and an epoxy resin.
(Iii) Use a curing agent.
(Iv) Changing the blending amount of the inorganic filler.

[(A)成分]
本実施形態に用いる(A)オキセタン化合物としては、公知のオキセタン化合物を適宜用いることができる。また、この(A)成分は、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有することが必要である。
また、この(A)成分は、(A2)1分子中に1つのオキセタン環を有する単官能オキセタン化合物を含有していてもよい。この(A2)成分を含有することにより、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を高めることができ、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。
[(A) component]
As the (A) oxetane compound used in the present embodiment, a known oxetane compound can be appropriately used. Moreover, this (A) component needs to contain the bifunctional oxetane compound which has two oxetane rings in 1 molecule (A1).
Moreover, this (A) component may contain the monofunctional oxetane compound which has one oxetane ring in 1 molecule (A2). By containing this component (A2), the curing temperature of the thermosetting flux composition can be increased, and the curing temperature of the thermosetting flux composition can be adjusted.

(A1)成分としては、キシリレンビスオキセタン(東亞合成社製の「OXT−121」)、3−エチル−3{[(3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ]メチル}オキセタン(東亞合成社製の「OXT−221」)、および、ビフェニル骨格を有する二官能オキセタン化合物(宇部興産社製の「ETERNACOLL OXBP」)などが挙げられる。
前記(A2)成分としては、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン(東亞合成社製の「OXT−101」)、2−エチルヘキシルオキセタン(東亞合成社製の「OXT−212」)、および、3−エチル−3−(メタクリロイルオキシ)メチルオキセタン(宇部興産社製の「ETERNACOLL OXMA」)などが挙げられる。
As the component (A1), xylylene bisoxetane (“OXT-121” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 3-ethyl-3 {[(3-ethyloxetane-3-yl) methoxy] methyl} oxetane (Toagosei Co., Ltd.) "OXT-221" manufactured by the same company), and bifunctional oxetane compounds having a biphenyl skeleton ("ETERRNACOLL OXBP" manufactured by Ube Industries, Ltd.).
Examples of the component (A2) include 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane (“OXT-101” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 2-ethylhexyloxetane (“OXT-212” manufactured by Toagosei Co., Ltd.), and 3 -Ethyl-3- (methacryloyloxy) methyloxetane ("ETERNACOLL OXMA" manufactured by Ube Industries) is included.

(A1)成分および(A2)成分を併用する場合、(A1)成分の(A2)成分に対する質量比((A1)/(A2))は、1以上50以下であることが好ましく、3/2以上30以下であることがより好ましく、2以上20以下であることが特に好ましい。質量比が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化物の絶縁性を維持しつつ、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。   When the components (A1) and (A2) are used in combination, the mass ratio ((A1) / (A2)) of the component (A1) to the component (A2) is preferably 1 or more and 50 or less. It is more preferably 30 or less and particularly preferably 2 or more and 20 or less. If mass ratio is in the said range, the curing temperature of a thermosetting flux composition can be adjusted, maintaining the insulation of the hardened | cured material of a thermosetting flux composition.

(A)成分の配合量は、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、20質量%以上75質量%以下であることが好ましく、22質量%以上70質量%以下であることがより好ましく、25質量%以上60質量%以下であることが特に好ましい。(A)成分の配合量が前記範囲内であれば、十分な硬化性を確保でき、電子部品と電子基板とのはんだ接合を十分に補強できる。   The blending amount of the component (A) is preferably 20% by mass or more and 75% by mass or less, and 22% by mass or more and 70% by mass or less, in terms of solid content, with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition. More preferably, it is more preferably 25% by mass or more and 60% by mass or less. If the blending amount of the component (A) is within the above range, sufficient curability can be ensured and the solder joint between the electronic component and the electronic substrate can be sufficiently reinforced.

[(B)成分]
本実施形態に用いる(B)活性剤は、有機酸、有機酸アミン塩、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、この(B)成分は、(B1)有機酸を含有することが必要である。リフロー工程では、有機酸とオキセタン化合物との硬化反応がそれほど進まないため、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を適切な範囲に調整できる。
[Component (B)]
Examples of the (B) activator used in this embodiment include organic acids, organic acid amine salts, non-dissociative activators composed of non-dissociable halogenated compounds, and amine-based activators. These activators may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Moreover, this (B) component needs to contain (B1) organic acid. In the reflow process, since the curing reaction between the organic acid and the oxetane compound does not proceed so much, the curing temperature of the thermosetting flux composition can be adjusted to an appropriate range.

(B1)成分としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。これらの中でも、熱硬化性フラックス組成物の硬化物の物性の観点から、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸が好ましい。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
Examples of the component (B1) include other organic acids in addition to monocarboxylic acid and dicarboxylic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
Monocarboxylic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tuberculostearic acid Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of the dicarboxylic acid include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, and diglycolic acid. Among these, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, and suberic acid are preferable from the viewpoint of physical properties of the cured product of the thermosetting flux composition.
Examples of other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, and picolinic acid.

(B1)成分の配合量としては、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上35質量%以下であることが好ましく、2質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上15質量%以下であることが特に好ましい。(B1)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ接合の不良をより確実に防止できる。また、(B1)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の絶縁性を確保できる。   The blending amount of the component (B1) is preferably 1% by mass or more and 35% by mass or less, preferably 2% by mass or more and 25% by mass or less, in terms of solid content, with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition. It is more preferable that it is 3 mass% or more and 15 mass% or less. If the blending amount of the component (B1) is equal to or greater than the lower limit, it is possible to more reliably prevent solder bonding defects. Moreover, if the compounding quantity of (B1) component is below the said upper limit, the insulation of a thermosetting flux composition is securable.

(B)成分は、必要に応じて、前記(B1)成分以外の活性剤((B2)成分)を含有してもよい。(B2)成分としては、有機酸アミン塩、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。
有機酸アミン塩は、前記(B1)成分のアミン塩である。アミンとしては、適宜公知のアミンを用いることができる。このようなアミンは、芳香族アミンであってもよく、脂肪族アミンであってもよい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。このようなアミンとしては、有機酸アミン塩の安定性などの観点から、炭素数が3以上13以下のアミンを用いることが好ましく、炭素数が4以上7以下の1級アミンを用いることがより好ましい。
芳香族アミンとしては、ベンジルアミン、アニリン、1,3−ジフェニルグアニジンなどが挙げられる。これらの中でも、ベンジルアミンが特に好ましい。
脂肪族アミンとしては、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。
The component (B) may contain an activator other than the component (B1) (component (B2)) as necessary. Examples of the component (B2) include organic acid amine salts, non-dissociative activators composed of non-dissociable halogenated compounds, and amine-based activators.
The organic acid amine salt is an amine salt of the component (B1). As the amine, a known amine can be appropriately used. Such an amine may be an aromatic amine or an aliphatic amine. These may be used alone or in combination of two or more. As such an amine, from the viewpoint of the stability of the organic acid amine salt, it is preferable to use an amine having 3 to 13 carbon atoms, and it is more preferable to use a primary amine having 4 to 7 carbon atoms. preferable.
Aromatic amines include benzylamine, aniline, 1,3-diphenylguanidine and the like. Of these, benzylamine is particularly preferred.
Examples of the aliphatic amine include propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, cyclohexylamine, and triethanolamine.

非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の2つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシルのように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば2,3−ジブロモプロパノール、2,3−ジブロモブタンジオール、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、および1,4−ジクロロ−2−ブタノールなどの塩素化アルコール、3−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、並びに、これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシルとしては、2−ヨード安息香酸、3−ヨード安息香酸、2−ヨードプロピオン酸、5−ヨードサリチル酸、および5−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル、2−クロロ安息香酸、および3−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル、2,3−ジブロモプロピオン酸、2,3−ジブロモコハク酸、および2−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル、並びに、これらに類する化合物が挙げられる。   Examples of the non-dissociable activator comprising a non-dissociable halogenated compound include non-salt organic compounds in which halogen atoms are bonded by a covalent bond. The halogenated compound may be a compound formed by covalent bonding of chlorine, bromine and fluorine, such as chlorinated, brominated and fluoride, but any two or all of chlorine, bromine and fluorine may be used. The compound which has the following covalent bond may be sufficient. In order to improve the solubility in an aqueous solvent, these compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl. Examples of the halogenated alcohol include 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, And brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohol, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol, and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and The compound similar to these is mentioned. Examples of the halogenated carboxyl include 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5-iodoanthranilic acid, and the like, 2-chlorobenzoic acid, and 3- Examples thereof include carboxyl chloride such as chloropropionic acid, brominated carboxyl such as 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid, and 2-bromobenzoic acid, and similar compounds.

アミン系活性剤としては、アミン類(エチレンジアミンなどのポリアミンなど)、アミン塩類(エチルアミン、ジエチルアミン、トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩(塩酸、硫酸、臭化水素酸など))、アミノ酸類(グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど)、および、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩(塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など)、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、および、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。   Examples of amine activators include amines (such as polyamines such as ethylenediamine), amine salts (such as ethylamine, diethylamine, trimethylolamine, cyclohexylamine, and amines such as diethylamine and organic acid salts such as amino alcohols and inorganic acid salts (hydrochloric acid). , Sulfuric acid, hydrobromic acid, etc.)), amino acids (glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, valine, etc.), amide compounds, and the like. Specifically, ethylamine hydrobromide, diphenylguanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salts (such as hydrochloride, succinate, adipate, and sebacate), tris Examples include ethanolamine, monoethanolamine, and hydrobromides of these amines.

(B)成分の配合量としては、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上35質量%以下であることが好ましく、2質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上15質量%以下であることが特に好ましい。(B)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ接合の不良をより確実に防止できる。また、(B)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の絶縁性を確保できる。   (B) As a compounding quantity of a component, it is preferable that they are 1 mass% or more and 35 mass% or less with respect to 100 mass% of thermosetting flux compositions in conversion of solid content, and 2 mass% or more and 25 mass% or less. It is more preferable that it is 3 mass% or more and 15 mass% or less. If the blending amount of the component (B) is equal to or greater than the lower limit, it is possible to more reliably prevent solder bonding defects. Moreover, if the compounding quantity of (B) component is below the said upper limit, the insulation of a thermosetting flux composition is securable.

[(C)成分]
本実施形態に用いる(C)無機フィラーとしては、公知の無機フィラーを適宜用いることができる。この(C)成分は、熱硬化性フラックス組成物中の配合量を多くできるという観点から、表面処理されていることが好ましい。(C)成分としては、シリカフィラーおよびアルミナフィラーなどが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
(C)成分の平均粒子径は、熱硬化性フラックス組成物への配合のしやすさの観点から、0.01μm以上15μm以下であることが好ましく、0.1μm以上10μm以下であることがより好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。
[Component (C)]
As the inorganic filler (C) used in the present embodiment, a known inorganic filler can be used as appropriate. The component (C) is preferably subjected to a surface treatment from the viewpoint that the blending amount in the thermosetting flux composition can be increased. (C) As a component, a silica filler, an alumina filler, etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
The average particle size of the component (C) is preferably 0.01 μm or more and 15 μm or less, more preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less, from the viewpoint of ease of blending into the thermosetting flux composition. preferable. The average particle size can be measured with a dynamic light scattering type particle size measuring device.

(C)成分の配合量としては、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、20質量%以上70質量%以下であることが好ましく、22質量%以上60質量%以下であることがより好ましく、25質量%以上55質量%以下であることが特に好ましい。(C)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ接合の補強効果を更に向上できる。また、(C)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の粘度をより低くできる。   (C) As a compounding quantity of a component, it is preferable that it is 20 mass% or more and 70 mass% or less with respect to 100 mass% of thermosetting flux compositions in conversion of solid content, and 22 mass% or more and 60 mass% or less. It is more preferable that it is 25 mass% or more and 55 mass% or less. If the blending amount of the component (C) is equal to or greater than the lower limit, the solder joint reinforcing effect can be further improved. Moreover, if the compounding quantity of (C) component is below the said upper limit, the viscosity of a thermosetting flux composition can be made lower.

本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、必要に応じて、前記(A)成分〜前記(C)成分の他に、(D)エポキシ樹脂および(E)硬化剤からなる群から選択される少なくとも1種をさらに含有してもよい。   The thermosetting flux composition of the present embodiment is selected from the group consisting of (D) an epoxy resin and (E) a curing agent in addition to the component (A) to the component (C) as necessary. You may further contain at least 1 sort.

[(D)成分]
本実施形態に用いる(D)エポキシ樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を適宜用いることができる。この(D)成分により、硬化物のガラス転移点を高めたり、耐衝撃性を高めたりすることができる。また、この(D)成分により、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビフェニル型、ナフタレン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型などのエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのエポキシ樹脂は、硬化物の耐衝撃性の観点から、ゴム変性されたものであることが好ましい。さらに、これらのエポキシ樹脂は、常温で液状のものを含有することが好ましく、常温で固形のものを用いる場合には、常温で液状のものと併用することが好ましい。
また、前記(D)成分は、硬化物のガラス転移点を高め、耐衝撃性を高めるという観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。
[(D) component]
As (D) epoxy resin used for this embodiment, a well-known epoxy resin can be used suitably. By this (D) component, the glass transition point of hardened | cured material can be raised or impact resistance can be improved. Moreover, the curing temperature of a thermosetting flux composition can be adjusted with this (D) component.
Examples of such epoxy resins include bisphenol A type, bisphenol F type, biphenyl type, naphthalene type, cresol novolak type, phenol novolak type and the like. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types. Moreover, it is preferable that these epoxy resins are rubber-modified from the viewpoint of impact resistance of the cured product. Further, these epoxy resins preferably contain a liquid at normal temperature, and when a solid is used at normal temperature, it is preferably used in combination with a liquid at normal temperature.
The component (D) is more preferably a bisphenol A type epoxy resin or a naphthalene type epoxy resin from the viewpoint of increasing the glass transition point of the cured product and increasing the impact resistance.

(D)成分を用いる場合、その配合量は、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上30質量%以下であることが好ましく、2質量%以上25質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上20質量%以下であることが特に好ましい。(D)成分の配合量が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を低くし過ぎることがなく、熱硬化性フラックス組成物の硬化物の強度を向上できる。   When the component (D) is used, the blending amount is preferably 1% by mass or more and 30% by mass or less, and preferably 2% by mass or more and 25% by mass or less in terms of solid content with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition. The content is more preferably at most 3 mass%, particularly preferably at least 3 mass% but at most 20 mass%. If the compounding quantity of (D) component is in the said range, the intensity | strength of the hardened | cured material of a thermosetting flux composition can be improved, without making the hardening temperature of a thermosetting flux composition too low.

[(E)成分]
本実施形態に用いる(E)硬化剤としては、公知の硬化剤を適宜用いることができる。この(E)成分により、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。(E)成分としては、例えば、カチオン重合開始剤などを用いることができる。カチオン重合開始剤とは、熱や光により酸を発生するものである。本実施形態においては、熱により酸を発生する熱カチオン重合開始剤を用いることが好ましい。
熱カチオン重合開始剤としては、アリールジアゾニウム塩、アリールヨードニウム塩、アリールスルホニウム塩、アレン−イオン錯体、第4級アンモニウム塩、アルミニウムキレート、および三フッ化ホウ素アミン錯体などが挙げられる。これらの中でも、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を適切な範囲に調整するという観点から、アリールスルホニウム塩が好ましい。
[(E) component]
As the (E) curing agent used in the present embodiment, a known curing agent can be used as appropriate. With this component (E), the curing temperature of the thermosetting flux composition can be adjusted. As the component (E), for example, a cationic polymerization initiator can be used. The cationic polymerization initiator is one that generates an acid by heat or light. In this embodiment, it is preferable to use a thermal cationic polymerization initiator that generates an acid by heat.
Examples of the thermal cationic polymerization initiator include aryl diazonium salts, aryl iodonium salts, aryl sulfonium salts, allene-ion complexes, quaternary ammonium salts, aluminum chelates, and boron trifluoride amine complexes. Among these, arylsulfonium salts are preferable from the viewpoint of adjusting the curing temperature of the thermosetting flux composition to an appropriate range.

(E)成分を用いる場合、その配合量は、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、0.01質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.02質量%以上5質量%以下であることがより好ましく、0.05質量%以上3質量%以下であることが特に好ましい。(E)成分の配合量が前記下限以上であれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化性を向上できる。他方、(E)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の保存安定性を確保できる。   When the component (E) is used, the blending amount is preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition in terms of solid content. It is more preferably from 5% by mass to 5% by mass, and particularly preferably from 0.05% by mass to 3% by mass. If the compounding quantity of (E) component is more than the said minimum, the sclerosis | hardenability of a thermosetting flux composition can be improved. On the other hand, if the amount of component (E) is not more than the above upper limit, the storage stability of the thermosetting flux composition can be ensured.

[他の成分]
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、必要に応じて、前記(A)成分〜前記(E)成分の他に、チクソ剤、界面活性剤、カップリング剤、消泡剤、粉末表面処理剤、反応抑制剤、沈降防止剤、およびフィラーなどの添加剤を含有していてもよい。これらの添加剤の配合量としては、固形分換算で、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、0.01質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.05質量%以上5質量%以下であることがより好ましい。また、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、塗布性の調整などの観点から、溶剤を含有していてもよい。溶剤を用いる場合、その配合量は特に制限されない。
[Other ingredients]
The thermosetting flux composition of the present embodiment, if necessary, in addition to the component (A) to the component (E), a thixotropic agent, a surfactant, a coupling agent, an antifoaming agent, and a powder surface treatment An additive such as an agent, a reaction inhibitor, an anti-settling agent, and a filler may be contained. As a compounding quantity of these additives, it is preferable that it is 0.01 mass% or more and 10 mass% or less with respect to 100 mass% of thermosetting flux compositions in conversion of solid content, 0.05 mass% or more More preferably, it is 5 mass% or less. Moreover, the thermosetting flux composition of the present embodiment may contain a solvent from the viewpoint of adjustment of applicability. When using a solvent, the compounding quantity is not particularly limited.

[熱硬化性フラックス組成物の製造方法]
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、前記(A)成分〜前記(C)成分などを前記の所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
[Method for producing thermosetting flux composition]
The thermosetting flux composition of the present embodiment can be produced by blending the component (A) to the component (C) at the predetermined ratio and stirring and mixing.

[電子基板の製造方法]
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について説明する。なお、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物の使用方法が、本実施形態の電子基板の製造方法に限定されるわけではない。
本実施形態の第一の電子基板の製造方法は、前述した本実施形態の熱硬化性フラックス組成物を用いる方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程、リフロー工程および熱硬化工程を備える。
[Electronic substrate manufacturing method]
Next, the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment is demonstrated. In addition, the usage method of the thermosetting flux composition of this embodiment is not necessarily limited to the manufacturing method of the electronic substrate of this embodiment.
The manufacturing method of the 1st electronic substrate of this embodiment is a method using the thermosetting flux composition of this embodiment mentioned above, Comprising: The coating process, mounting process, reflow process, and thermosetting process which are demonstrated below are provided. .

塗布工程においては、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する。
配線基板としては、プリント配線基板、配線が設けられたシリコン基板などが挙げられる。
塗布装置としては、スピンコータ、スプレーコータ、バーコータ、アプリケータ、ディスペンサ、およびスクリーン印刷機などが挙げられる。なお、塗布装置として、スピンコータ、スプレーコータなどを用いる場合には、熱硬化性フラックス組成物を溶剤にて希釈して用いることが好ましい。
溶剤としては、ケトン類(メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンなど)、芳香族炭化水素類(トルエンおよびキシレンなど)、アルコール類(メタノール、イソプロパノールおよびシクロヘキサノールなど)、脂環式炭化水素類(シクロヘキサンおよびメチルシクロヘキサンなど)、石油系溶剤類(石油エーテルおよび石油ナフサなど)、セロソルブ類(セロソルブおよびブチルセロソルブなど)、カルビトール類(カルビトールおよびブチルカルビトールなど)、および、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、およびジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなど)などが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
塗布膜の厚み(塗布膜厚)は、適宜設定できる。
In the coating step, the thermosetting flux composition is coated on the wiring board.
Examples of the wiring board include a printed wiring board and a silicon substrate provided with wiring.
Examples of the coating apparatus include a spin coater, a spray coater, a bar coater, an applicator, a dispenser, and a screen printer. In addition, when using a spin coater, a spray coater, etc. as a coating device, it is preferable to dilute and use a thermosetting flux composition with a solvent.
Solvents include ketones (such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone), aromatic hydrocarbons (such as toluene and xylene), alcohols (such as methanol, isopropanol and cyclohexanol), and alicyclic hydrocarbons (such as cyclohexane and methylcyclohexane). Petroleum solvents (such as petroleum ether and petroleum naphtha), cellosolves (such as cellosolve and butylcellosolve), carbitols (such as carbitol and butylcarbitol), and esters (eg, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve) Acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, ethyl diglycol acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, and Ethylene glycol monoethyl ether acetate) and the like. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.
The thickness of the coating film (coating film thickness) can be set as appropriate.

搭載工程においては、はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する。
はんだバンプを有する電子部品としては、例えば、BGAパッケージ、およびチップサイズパッケージなどが挙げられる。
はんだバンプは、融点が130℃以上240℃以下のはんだ合金からなる。なお、はんだバンプは、その表面にはんだ合金によるメッキがされているものであってもよい。融点が130℃以上150℃以下のはんだ合金としては、Sn−Bi系などのはんだ合金が挙げられる。また、融点が200℃以上240℃以下のはんだ合金としては、Sn−Ag−Cu系、およびSn−Ag系などのはんだ合金が挙げられる。
搭載工程で用いる装置としては、公知のチップマウント装置を適宜用いることができる。
また、接合用ランドの材質としては、公知の導電性材料(銅、銀など)を適宜用いることができる。なお、接合用ランドには、予め、はんだプリコートが形成されていることが好ましい。はんだプリコートとは、例えば、接合用ランドの銅などの酸化を防止するといった目的のために、接合用ランド上に設けられるはんだ薄膜のことである。このはんだプリコートにより、接合部における接合強度を更に向上できる。はんだプリコートを形成する方法としては、(i)はんだ組成物を接合用ランド上に印刷し、リフロー処理を施す方法、(ii)はんだメッキによる方法、および(iii)ホットエアレベラーによる方法などが挙げられる。
In the mounting step, an electronic component having solder bumps is mounted on the bonding land of the wiring board.
Examples of electronic components having solder bumps include BGA packages and chip size packages.
The solder bump is made of a solder alloy having a melting point of 130 ° C. or higher and 240 ° C. or lower. The solder bump may have a surface plated with a solder alloy. Examples of the solder alloy having a melting point of 130 ° C. or higher and 150 ° C. or lower include Sn—Bi solder alloys. Moreover, as a solder alloy whose melting | fusing point is 200 degreeC or more and 240 degrees C or less, solder alloys, such as Sn-Ag-Cu type and Sn-Ag type, are mentioned.
As a device used in the mounting process, a known chip mount device can be used as appropriate.
As a material for the bonding land, a known conductive material (copper, silver, etc.) can be used as appropriate. Note that a solder precoat is preferably formed in advance on the bonding lands. The solder precoat is a solder thin film provided on the bonding land for the purpose of preventing oxidation of copper or the like of the bonding land, for example. By this solder pre-coating, the joint strength at the joint can be further improved. Examples of the method for forming the solder precoat include (i) a method in which a solder composition is printed on a bonding land and a reflow treatment is performed, (ii) a method by solder plating, and (iii) a method by hot air leveler. .

リフロー工程においては、前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合する。
ここで用いる装置としては、公知のリフロー炉を適宜用いることができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度150〜180℃で60〜120秒行い、ピーク温度を220〜260℃に設定すればよい。
In the reflow process, the wiring board on which the electronic component is mounted is heated to melt the solder bump, and the solder bump is joined to the joining land.
As an apparatus used here, a well-known reflow furnace can be used suitably.
What is necessary is just to set reflow conditions suitably according to melting | fusing point of solder. For example, when using a Sn—Ag—Cu-based solder alloy, preheating may be performed at a temperature of 150 to 180 ° C. for 60 to 120 seconds, and a peak temperature may be set to 220 to 260 ° C.

熱硬化工程においては、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる。
加熱条件としては、加熱温度が、150℃以上220℃以下であることが好ましく、180℃以上200℃以下であることがより好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、10分間以上3時間以下であることが好ましく、20分間以上90分間以下であることがより好ましく、30分間以上60分間以下であることが特に好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
In the thermosetting step, the thermosetting flux composition is heated and cured.
As heating conditions, the heating temperature is preferably 150 ° C. or higher and 220 ° C. or lower, and more preferably 180 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. When the heating temperature is within the above range, the thermosetting flux composition can be sufficiently cured, and there is little adverse effect on the electronic components mounted on the electronic substrate.
The heating time is preferably from 10 minutes to 3 hours, more preferably from 20 minutes to 90 minutes, and particularly preferably from 30 minutes to 60 minutes. When the heating time is within the above range, the thermosetting flux composition can be sufficiently cured, and there is little adverse effect on the electronic component mounted on the electronic substrate.

以上のような第一の電子基板の製造方法によれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化物により、はんだバンプによる接合部を補強できる。   According to the manufacturing method of the 1st electronic board as mentioned above, the junction part by a solder bump can be reinforced with the hardened | cured material of a thermosetting flux composition.

次に、本実施形態の第二の電子基板の製造方法について説明する。ただし、第二の電子基板の製造方法は、リフロー工程を熱圧着工程に変更した以外は、前述した第一の電子基板の製造方法と同様なので、熱圧着工程以外の説明は省略する。   Next, the manufacturing method of the 2nd electronic substrate of this embodiment is demonstrated. However, since the manufacturing method of the second electronic substrate is the same as the manufacturing method of the first electronic substrate described above except that the reflow process is changed to the thermocompression bonding process, the description other than the thermocompression bonding process is omitted.

熱圧着工程においては、前記電子部品を前記配線基板に熱圧着する。
熱圧着時の温度は、はんだの融点よりも高い温度(より好ましくは10℃以上高い温度)とすることが好ましい。熱圧着時の温度が、はんだの融点よりも高い温度とすれば、はんだを十分に溶融させることができる。
例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、熱圧着時の温度は、200℃以上250℃以下とすることが好ましい。
熱圧着時の圧力は、特に限定されないが、はんだ付け性と基板へのストレスとのバランスの観点から、0.05MPa以上4MPa以下とすることが好ましく、0.1MPa以上2MPa以下とすることがより好ましく、0.3MPa以上1MPa以下とすることが特に好ましい。
熱圧着時の時間は、特に限定されないが、1秒間以上60秒間以下であることが好ましく、2秒間以上20秒間以下であることがより好ましく、3秒間以上15秒間以下であることが特に好ましい。
In the thermocompression bonding step, the electronic component is thermocompression bonded to the wiring board.
The temperature at the time of thermocompression bonding is preferably a temperature higher than the melting point of the solder (more preferably a temperature higher by 10 ° C. or more). If the temperature during thermocompression bonding is higher than the melting point of the solder, the solder can be sufficiently melted.
For example, when using a Sn—Ag—Cu-based solder alloy, the temperature during thermocompression bonding is preferably 200 ° C. or higher and 250 ° C. or lower.
Although the pressure at the time of thermocompression bonding is not particularly limited, it is preferably 0.05 MPa or more and 4 MPa or less, more preferably 0.1 MPa or more and 2 MPa or less from the viewpoint of the balance between solderability and stress on the substrate. Preferably, it is particularly preferably 0.3 MPa or more and 1 MPa or less.
The time for thermocompression bonding is not particularly limited, but is preferably 1 second or longer and 60 seconds or shorter, more preferably 2 seconds or longer and 20 seconds or shorter, and particularly preferably 3 seconds or longer and 15 seconds or shorter.

以上のような第二の電子基板の製造方法によれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化物により、はんだバンプによる接合部を補強できる。
なお、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物、および電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
According to the manufacturing method of the second electronic substrate as described above, the joint portion by the solder bump can be reinforced by the cured product of the thermosetting flux composition.
Note that the thermosetting flux composition of this embodiment and the method for producing an electronic substrate are not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, etc. within a range that can achieve the object of the present invention are included in the present invention. It is included.

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
((A1)成分)
二官能オキセタン化合物:商品名「ETERNACOLL OXBP」、宇部興産社製
((B1)成分)
活性剤:アジピン酸
((C)成分)
無機フィラーA:シリカフィラー(表面処理はビニル処理、平均粒子径は7μm)、商品名「5μmSV−E6」、アドマテックス社製
無機フィラーB:シリカフィラー(表面処理はビニル処理、平均粒子径は0.5μm)、商品名「SC2500−SVJ」、アドマテックス社製
無機フィラーC:シリカフィラー(表面処理はビニル処理、平均粒子径は0.3μm)、商品名「0.3μmSV−C5」、アドマテックス社製
無機フィラーD:シリカフィラー(表面処理はトリメチル処理、平均粒子径は0.5μm)、商品名「0.5μmST−E2」、アドマテックス社製
無機フィラーE:アルミナフィラー(表面処理はフェニルアミノ処理、平均粒子径は0.6μm)、商品名「AC2500−SXQ」、アドマテックス社製
無機フィラーF:シリカフィラー(表面処理なし、平均粒子径は0.6μm)、商品名「SPH507−05」、マイクロン社製
((D)成分)
エポキシ樹脂A:耐熱性エポキシ樹脂、商品名「NC−7000L」、日本化薬社製
エポキシ樹脂B:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON EXA−850CRP」、DIC社製
エポキシ樹脂C:ナフタレン型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON HP−4032D」、DIC社製
((E)成分)
硬化剤A:カチオン重合開始剤、商品名「SAN−AID SI−B4」、三新化学工業社製
硬化剤B:2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、商品名「2P4MHZ」、四国化成工業社製
EXAMPLES Next, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples. In addition, the material used in the Example and the comparative example is shown below.
((A1) component)
Bifunctional oxetane compound: Trade name “ETERRNACOLL OXBP”, manufactured by Ube Industries, Ltd. (component (B1))
Activator: Adipic acid (component (C))
Inorganic filler A: Silica filler (surface treatment is vinyl treatment, average particle size is 7 μm), trade name “5 μm SV-E6”, manufactured by Admatex, Inc. Inorganic filler B: Silica filler (surface treatment is vinyl treatment, average particle size is 0) 0.5 μm), trade name “SC2500-SVJ”, inorganic filler C manufactured by Admatechs: silica filler (surface treatment is vinyl treatment, average particle size is 0.3 μm), trade name “0.3 μm SV-C5”, Admatechs Inorganic filler D: silica filler (surface treatment is trimethyl treatment, average particle size is 0.5 μm), trade name “0.5 μm ST-E2”, Admatex inorganic filler E: alumina filler (surface treatment is phenylamino Treatment, average particle diameter is 0.6 μm), trade name “AC2500-SXQ”, Admatechs inorganic filler F: Silica filler (no surface treatment, average particle size is 0.6 μm), trade name “SPH507-05”, manufactured by Micron (component (D))
Epoxy resin A: heat-resistant epoxy resin, trade name “NC-7000L”, Nippon Kayaku's epoxy resin B: bisphenol A type epoxy resin, trade name “EPICLON EXA-850CRP”, DIC's epoxy resin C: naphthalene type Epoxy resin, trade name “EPICLON HP-4032D”, manufactured by DIC (component (E))
Curing agent A: Cationic polymerization initiator, trade name “SAN-AID SI-B4”, Sanshin Chemical Co., Ltd. hardener B: 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, trade name “2P4MHZ”, Made by Shikoku Chemicals

[実施例1]
二官能オキセタン化合物25質量%、活性剤15質量%および無機フィラーA60質量%を容器に投入し、粉砕混合機(三本ロール)にて、粉砕し混合し分散させて熱硬化性フラックス組成物を得た。
次に、チップ部品を搭載できる基板(パッド数:30個、パッド直径:130μm、パッドピッチ:180μm)を準備し、この基板の電極上に、スクリーン印刷法によりソルダペースト(タムラ製作所社製、SAC系ソルダペースト)を塗布し、リフロー処理をして、はんだプリコートを形成し、その後、洗浄した。
そして、得られた基板上に、メタルマスク(開口:2mm×2mm、厚み:0.5mm)を用いて、熱硬化性フラックス組成物を印刷した。次に、はんだバンプを有するチップ部品(シリコンチップ、はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、はんだの融点:217℃〜220℃)を、塗膜形成後の基板の接合用ランド上に搭載し、高温観察装置(SMTスコープSK5000、山陽精工社製)により、リフロー条件を観察しつつ加熱した。ここでのリフロー条件は、プリヒート温度が150〜180℃(60秒間)で、温度220℃以上の時間が50秒間で、ピーク温度が250℃である。その後、リフロー後の基板を、加熱炉に投入し、温度200℃にて3時間の加熱処理を施して、評価用基板を作製した。
[Example 1]
25% by mass of a bifunctional oxetane compound, 15% by mass of an activator and 60% by mass of inorganic filler A are charged into a container, and are pulverized, mixed and dispersed in a pulverizer / mixer (three rolls) to obtain a thermosetting flux composition. Obtained.
Next, a substrate (number of pads: 30, pad diameter: 130 μm, pad pitch: 180 μm) on which chip components can be mounted is prepared, and solder paste (SAC, manufactured by Tamura Seisakusho Co., Ltd.) is formed on the electrodes of this substrate by screen printing. System solder paste) was applied, reflowed to form a solder precoat, and then washed.
And the thermosetting flux composition was printed on the obtained board | substrate using the metal mask (opening: 2 mm x 2 mm, thickness: 0.5 mm). Next, a chip component (silicon chip, solder alloy: Sn-Ag3.0-Cu0.5, solder melting point: 217 ° C. to 220 ° C.) having solder bumps is placed on the bonding lands of the substrates after the coating film is formed. It was mounted and heated while observing the reflow conditions with a high temperature observation device (SMT scope SK5000, manufactured by Sanyo Seiko Co., Ltd.). The reflow conditions here are a preheat temperature of 150 to 180 ° C. (60 seconds), a temperature of 220 ° C. or higher for 50 seconds, and a peak temperature of 250 ° C. Thereafter, the substrate after reflowing was put into a heating furnace and subjected to a heat treatment at a temperature of 200 ° C. for 3 hours to produce an evaluation substrate.

[実施例2〜9および比較例1〜3]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、熱硬化性フラックス組成物および評価用基板を得た。
[Examples 2 to 9 and Comparative Examples 1 to 3]
A thermosetting flux composition and an evaluation substrate were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.

<熱硬化性フラックス組成物の評価>
熱硬化性フラックス組成物の評価(熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度、リフロー接合性、せん断強度、耐衝撃性、絶縁性)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)熱硬化性フラックス組成物の粘度
レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、温度25℃からはんだの融点まで5℃/minの昇温速度で昇温しつつ、熱硬化性フラックス組成物の粘度を測定した。得られた結果から、(i)温度200℃における粘度、および、(ii)温度250℃における粘度を求めた。そして、粘度については、下記の基準に従って、区分けした。
A:粘度が5Pa・s以下である。
B:粘度が5Pa・s超50Pa・s未満である。
C:粘度が50Pa・s以上である。
(2)リフロー接合性
評価用基板について、電極間の抵抗値を、デジタルマルチメーター(Agilent社製の「34401A」、測定電圧:15V)を用いて測定し、導通の有無を確認した。また、X線検査装置(Nordson DAGE社製)により、はんだ接合部分を観察し、はんだ接合の有無を確認した。そして、下記の基準に従って、リフロー接合性を評価した。
○:導通がとれ、かつ、はんだ接合が確認された。
△:導通がとれたが、一部形状の悪いはんだ接合が確認された。
×:導通がとれない。
(3)せん断強度
評価用基板上のシリコンチップをボンドテスター(ノードソン・アドバンスト・テクノロジー社製)で剥離し、その際のせん断強度(単位:N)を測定した。そして、下記の基準に従って、せん断強度を評価した。なお、比較例2および3については、リフロー接合性の評価が「×」であったので、せん断強度を評価しなかった。
○:せん断強度が、20N以上である。
△:せん断強度が、10N以上20N未満である。
×:せん断強度が、10N未満である。
(4)耐衝撃性
評価用基板を100cmの高さから落下させ、評価用基板にはんだ接合の破壊が生じたか否かを判定した。はんだ接合されている電極間の抵抗値を、デジタルマルチメーター(Agilent社製の「34401A」、測定電圧:15V)を用いて測定し、落下衝撃により抵抗値が1000Ω以上となった場合に、はんだボールの破壊と判定した。そして、はんだボールの破壊が生じるまでの落下回数を測定し、下記の基準に従って、耐衝撃性を評価した。なお、比較例2および3については、リフロー接合性の評価が「×」であったので、耐衝撃性を評価しなかった。
○:落下回数が10回以上である。
△:落下回数が5回以上10回未満である。
×:落下回数が5回未満である。
(5)絶縁性
熱硬化性フラックス組成物50質量%と、はんだ粉末(はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、平均粒子径:20μm、粒子径分布:10〜40μm)50質量%とを混合して、はんだ組成物を得た。
得られたはんだ組成物について、JIS Z3284−1およびJIS Z3197の8.5.3に記載の絶縁抵抗試験に準拠して、絶縁抵抗値を測定した。すなわち、串形電極基板(導体幅:0.318mm、導体間隔:0.318mm、大きさ:30mm×30mm)に、メタルマスク(串形電極パターンに合わせてスリット状に加工したもの、厚み:100μm)を用いてはんだ組成物を印刷した。その後、プリヒート150℃を60秒間、温度250℃で溶融時間を30秒間の条件でリフローを行い、試験基板を作製した。この試験基板を、温度85℃、相対湿度95%に設定した高温高湿試験機に投入し、500時間後の絶縁抵抗値を測定した。そして、下記の基準に従って、絶縁性を評価した。
○:絶縁抵抗値が、1.0×10以上である。
×:絶縁抵抗値が、1.0×10未満である。
<Evaluation of thermosetting flux composition>
Evaluation of the thermosetting flux composition (viscosity at 200 ° C. and 250 ° C., reflow bondability, shear strength, impact resistance, insulation of the thermosetting flux composition) was performed by the following methods. The obtained results are shown in Table 1.
(1) Viscosity of thermosetting flux composition Using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name “MARS-III”), the temperature is raised from a temperature of 25 ° C. to the melting point of the solder at a rate of 5 ° C./min. While measuring the viscosity of the thermosetting flux composition. From the obtained results, (i) viscosity at a temperature of 200 ° C. and (ii) viscosity at a temperature of 250 ° C. were determined. And about the viscosity, it divided according to the following reference | standard.
A: The viscosity is 5 Pa · s or less.
B: The viscosity is more than 5 Pa · s and less than 50 Pa · s.
C: The viscosity is 50 Pa · s or more.
(2) Reflow Bondability For the evaluation substrate, the resistance value between the electrodes was measured using a digital multimeter (“34401A” manufactured by Agilent, measurement voltage: 15 V), and the presence or absence of conduction was confirmed. Moreover, the X-ray inspection apparatus (made by Nordson DAGE) observed the solder joint part, and confirmed the presence or absence of solder joint. The reflow bondability was evaluated according to the following criteria.
○: Conductivity was obtained and solder joint was confirmed.
(Triangle | delta): Although conduction | electrical_connection was taken, the solder joint with a bad shape was confirmed partially.
X: Conductivity cannot be obtained.
(3) Shear strength The silicon chip on the evaluation substrate was peeled off with a bond tester (manufactured by Nordson Advanced Technology), and the shear strength (unit: N) at that time was measured. And shear strength was evaluated according to the following reference | standard. In Comparative Examples 2 and 3, since the evaluation of the reflow bondability was “x”, the shear strength was not evaluated.
○: The shear strength is 20 N or more.
(Triangle | delta): Shear strength is 10N or more and less than 20N.
X: Shear strength is less than 10N.
(4) Impact resistance The evaluation substrate was dropped from a height of 100 cm, and it was determined whether or not the soldering breakage occurred on the evaluation substrate. When the resistance value between the soldered electrodes is measured using a digital multimeter (“34401A” manufactured by Agilent, measurement voltage: 15 V), and the resistance value becomes 1000Ω or more due to a drop impact, the solder It was determined that the ball was destroyed. Then, the number of drops until the solder ball was broken was measured, and the impact resistance was evaluated according to the following criteria. In Comparative Examples 2 and 3, since the evaluation of the reflow bondability was “x”, the impact resistance was not evaluated.
○: The number of drops is 10 or more.
(Triangle | delta): The frequency | count of dropping is 5 times or more and less than 10 times.
X: The number of drops is less than 5.
(5) Insulation 50% by mass of thermosetting flux composition and 50% by mass of solder powder (solder alloy: Sn-Ag3.0-Cu0.5, average particle size: 20 μm, particle size distribution: 10-40 μm) Were mixed to obtain a solder composition.
About the obtained solder composition, the insulation resistance value was measured based on the insulation resistance test of 8.5.3 of JIS Z3284-1 and JIS Z3197. That is, a skewer electrode substrate (conductor width: 0.318 mm, conductor interval: 0.318 mm, size: 30 mm × 30 mm), metal mask (processed into a slit shape in accordance with the skewer electrode pattern, thickness: 100 μm ) Was used to print the solder composition. Then, reflow was performed under conditions of preheating 150 ° C. for 60 seconds, temperature 250 ° C. and melting time 30 seconds, and a test substrate was produced. This test substrate was put into a high-temperature and high-humidity tester set at a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 95%, and the insulation resistance value after 500 hours was measured. And insulation was evaluated according to the following reference | standard.
A: The insulation resistance value is 1.0 × 10 9 or more.
X: The insulation resistance value is less than 1.0 × 10 9 .

Figure 2019166550
Figure 2019166550

表1に示す結果からも明らかなように、本発明の熱硬化性フラックス組成物を用いた場合(実施例1〜9)には、リフロー接合性、せん断強度、耐衝撃性および絶縁性が良好であることが確認された。従って、本発明によれば、硬化物による補強効果が高く、硬化物の絶縁性に優れ、かつはんだ付け性に優れることが確認された。   As is apparent from the results shown in Table 1, when the thermosetting flux composition of the present invention is used (Examples 1 to 9), reflow bondability, shear strength, impact resistance and insulation are good. It was confirmed that. Therefore, according to this invention, it was confirmed that the reinforcement effect by hardened | cured material is high, it is excellent in the insulation of hardened | cured material, and excellent in solderability.

本発明の熱硬化性フラックス組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として特に好適に用いることができる。   The thermosetting flux composition of the present invention can be particularly suitably used as a technique for mounting an electronic component on an electronic substrate such as a printed wiring board of an electronic device.

Claims (8)

リフローはんだ付けまたは熱圧着により、融点が130℃以上240℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、
(A)オキセタン化合物と、(B)活性剤と、(C)無機フィラーと、を含有し、
前記(A)成分が、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有し、
前記(B)成分が、(B1)有機酸を含有し、
温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
A thermosetting flux composition used when an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 130 ° C. or higher and 240 ° C. or lower is bonded to an electronic substrate by reflow soldering or thermocompression bonding,
(A) an oxetane compound, (B) an activator, and (C) an inorganic filler,
The component (A) contains (A1) a bifunctional oxetane compound having two oxetane rings in one molecule;
The component (B) contains (B1) an organic acid,
When the temperature is raised from 25 ° C. at a rate of 5 ° C./min, the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less, and the viscosity at a temperature of 250 ° C. is 50 Pa · s or more. A thermosetting flux composition.
請求項1に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
(D)エポキシ樹脂を、さらに含有する
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
In the thermosetting flux composition according to claim 1,
(D) A thermosetting flux composition characterized by further containing an epoxy resin.
請求項1または請求項2に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
前記(C)成分が、シリカフィラーおよびアルミナフィラーからなる群から選択される少なくとも1種である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
In the thermosetting flux composition according to claim 1 or claim 2,
The component (C) is at least one selected from the group consisting of a silica filler and an alumina filler.
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
前記(C)成分が、表面処理されている
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
In the thermosetting flux composition according to any one of claims 1 to 3,
The thermosetting flux composition, wherein the component (C) is surface-treated.
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
前記(C)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、20質量%以上70質量%以下である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
In the thermosetting flux composition according to any one of claims 1 to 4,
The compounding quantity of the said (C) component is 20 mass% or more and 70 mass% or less with respect to 100 mass% of the said thermosetting flux compositions. The thermosetting flux composition characterized by the above-mentioned.
配線基板上に、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、
はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、
前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
An application step of applying the thermosetting flux composition according to any one of claims 1 to 5 on the wiring board;
A mounting step of mounting electronic components having solder bumps on the bonding lands of the wiring board;
A reflow step of heating the wiring board on which the electronic component is mounted to melt the solder bump and bonding the solder bump to the bonding land;
And a thermosetting step of heating and curing the thermosetting flux composition. An electronic substrate manufacturing method comprising:
配線基板上に、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、
はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品を前記配線基板に熱圧着する熱圧着工程と、
前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
An application step of applying the thermosetting flux composition according to any one of claims 1 to 5 on the wiring board;
A mounting step of mounting electronic components having solder bumps on the bonding lands of the wiring board;
A thermocompression bonding step of thermocompression bonding the electronic component to the wiring board;
And a thermosetting step of heating and curing the thermosetting flux composition. An electronic substrate manufacturing method comprising:
請求項6または請求項7に記載の電子基板の製造方法において、
前記接合用ランドには、予め、はんだプリコートが形成されている
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
In the manufacturing method of the electronic substrate of Claim 6 or Claim 7,
A solder precoat is formed in advance on the bonding lands.
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