JP6530734B2 - Thermosetting flux composition and method of manufacturing electronic substrate - Google Patents

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Description

本発明は、熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a thermosetting flux composition and a method of manufacturing an electronic substrate.

電子機器の小型化および薄型化に伴い、はんだボールを有するパッケージ部品(例えばボールグリッドアレイパッケージ:BGAパッケージ)が用いられている。そして、このようなBGAパッケージにおいてもファインピッチのものが要求されているが、ファインピッチのBGAパッケージを実装基板に接合する場合には、はんだボールのみでは接合部分の強度が弱いという問題がある。そのため、通常は、アンダーフィル材をBGAパッケージと実装基板との間に充填し硬化させることで接合部分を補強している。しかしながら、アンダーフィル材を充填し硬化させるためには手間がかかるため、生産コストの点で問題がある。
一方、実装基板上にフラックス剤を含有する接着剤を予め印刷しておき、印刷部分にパッケージ部品を実装する方法が提案されている(特許文献1参照)。
As electronic devices have become smaller and thinner, package parts having solder balls (for example, ball grid array package: BGA package) have been used. Although fine-pitched BGA packages are also required for such BGA packages, there is a problem that when joining fine-pitched BGA packages to a mounting substrate, the strength of the bonding portion is weak only with solder balls. Therefore, usually, the bonding portion is reinforced by filling and curing the underfill material between the BGA package and the mounting substrate. However, since it takes time to fill and cure the underfill material, there is a problem in terms of production cost.
On the other hand, a method has been proposed in which an adhesive containing a flux agent is printed in advance on a mounting substrate, and a package component is mounted on a printed portion (see Patent Document 1).

特開平4−280443号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 4-280443

特許文献1に記載の接着剤を用いる方法においては、接着剤の硬化物が実装基板に残ることになる。そのため、この接着剤の硬化物にも、実装基板に用いられる材料(ソルダーレジストなど)と同様の耐久性試験(例えば、冷熱サイクル試験)に合格することが求められる。しかしながら、特許文献1に記載の接着剤の硬化物は、ガラス転移点が低いために、冷熱サイクル試験が不合格となる。   In the method using the adhesive described in Patent Document 1, a cured product of the adhesive remains on the mounting substrate. Therefore, the cured product of the adhesive is also required to pass the same durability test (for example, thermal cycle test) as the material (such as solder resist) used for the mounting substrate. However, the cured product of the adhesive described in Patent Document 1 fails the thermal cycle test because of the low glass transition point.

一方で、硬化物のガラス転移点を高くするためには、エポキシ樹脂の骨格を剛直にする方法や、エポキシ樹脂の硬化率を上げる方法がある。しかしながら、このような方法による場合には、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性を損なうという問題がある。また、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性を向上させる手法としては、エポキシ樹脂の骨格を柔軟にする方法や、エポキシ樹脂の硬化率を下げる方法がある。しかしながら、このような方法による場合には、硬化物のガラス転移点が下がってしまう。このように、硬化物のガラス転移点と、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性とは、二律背反の関係にあり、これらを共に向上させるのは困難であった。   On the other hand, in order to increase the glass transition temperature of the cured product, there are a method of making the skeleton of the epoxy resin rigid and a method of increasing the curing rate of the epoxy resin. However, in the case of such a method, there is a problem that the solderability in reflow and the self-alignment are impaired. Further, as a method of improving the solderability and the self alignment property in the reflow, there are a method of making the skeleton of the epoxy resin flexible and a method of lowering the curing rate of the epoxy resin. However, in such a method, the glass transition temperature of the cured product is lowered. As described above, the glass transition point of the cured product, the solderability in reflow, and the self alignment property are in a trade-off relationship, and it has been difficult to improve both of them.

また、近年の高速データ通信の発達に伴い、デバイスの高周波数帯での利用が増えてきている。そして、従来のエポキシ樹脂は、誘電正接が高く、信号の遅延やノイズの原因となるという問題もあった。そのため、接着剤の硬化物には、比誘電率および誘電正接が低いことも求められる。   Moreover, with the development of high-speed data communication in recent years, the use of devices in high frequency bands is increasing. And the conventional epoxy resin has a high dielectric loss tangent, and there also existed a problem of causing a delay of a signal, and a noise. Therefore, the cured product of the adhesive is also required to have low dielectric constant and dielectric loss tangent.

そこで、本発明は、硬化物のガラス転移点が十分に高く、硬化物の比誘電率および誘電正接が十分に低く、かつ、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性に優れる熱硬化性フラックス組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, in the present invention, a thermosetting flux composition in which the glass transition point of the cured product is sufficiently high, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the cured product are sufficiently low, and the solderability and self alignment properties in reflow are excellent. It is an object of the present invention to provide an article and a method of manufacturing an electronic substrate using the article.

前記課題を解決すべく、本発明は、以下のような熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けにより、はんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる、導電性微粒子を含有しない熱硬化性フラックス組成物であり、かつ、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える電子基板の製造方法に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、(A)熱硬化性樹脂と、(B)硬化剤と、(C)活性剤とを含有し、前記(A)成分が、(A1)エポキシ樹脂および(A2)活性エステル樹脂を含有し、前記(A1)成分が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であり、前記(B)成分が、(B2)イミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも1種、並びに、(B3)ピリジン系硬化剤を含有し、前記(B2)成分が、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、および2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンからなる群から選択される少なくとも1種であり、前記(B3)成分が、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン、N,N−ジエチル−4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、4−アミノピリジン、および2,6−ジアミノピリジンからなる群から選択される少なくとも1種であり、前記(C)成分が、有機酸および該有機酸のアミン塩を含有し、前記有機酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、およびジグリコール酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、前記(A1)成分および前記(A2)成分の質量比率(A1/A2)が、1/1以上2/1以下であり、前記(A)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、70質量%以上であり、当該熱硬化性フラックス組成物の硬化物が下記条件(i)〜(iii)の全てを満たすことを特徴とするものである。
条件(i):ガラス転移点が100℃以上である。
条件(ii):1GHzにおける比誘電率が2.5以下である。
条件(iii):1GHzにおける誘電正接が0.005以下である。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following thermosetting flux composition and method of manufacturing an electronic substrate.
That is, the thermosetting flux composition of the present invention is a thermosetting flux composition which does not contain conductive fine particles and is used when joining an electronic component having a solder bump to an electronic substrate by reflow soldering, and Mounting an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 200 ° C. or more and 230 ° C. or less on a bonding land of the wiring substrate; Mounting step, a reflow step of melting the solder bumps by heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted, and bonding the solder bumps to the bonding land, and the thermosetting flux composition A thermosetting flux composition for use in a method of manufacturing an electronic substrate, comprising: A) A thermosetting resin, (B) a curing agent, and (C) an activator, wherein the (A) component contains (A1) an epoxy resin and (A2) an active ester resin, and the above (A1) Component) is at least one selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resins and naphthalene type epoxy resins, and the component (B) is at least one selected from the group consisting of (B2) imidazole-based curing agents And a (B3) pyridine-based curing agent, wherein the (B2) component is 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2, 4-Diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazole -(1 ')-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 1-cyanoethyl-2- Phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, and 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl At least one member selected from the group consisting of -s-triazines, wherein the component (B3) is N, N-dimethyl-4-aminopyridine, N, N-diethyl-4-aminopyridine, 2-aminopyridine At least one member selected from the group consisting of 4-aminopyridine and 2,6-diaminopyridine, and the component (C) is an organic acid And the amine salt of the organic acid, wherein the organic acid is oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, and At least one selected from the group consisting of diglycolic acid, and the mass ratio (A1 / A2) of the component (A1) to the component (A2) is 1/1 or more and 2/1 or less; The blending amount of the component A) is 70% by mass or more based on 100% by mass of the thermosetting flux composition, and the cured product of the thermosetting flux composition has the following conditions (i) to (iii): It is characterized by satisfying all.
Condition (i): The glass transition point is 100 ° C. or more.
Condition (ii): The relative dielectric constant at 1 GHz is 2.5 or less.
Condition (iii): The dielectric loss tangent at 1 GHz is 0.005 or less.

本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることが好ましい In the thermosetting flux composition of the present invention, when the temperature is raised at a temperature rising rate of 25 ° C. to 5 ° C./min, the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less and the temperature at 250 ° C. The viscosity is preferably 50 Pa · s or more .

本発明の電子基板の製造方法は、前記熱硬化性フラックス組成物を用いる電子基板の製造方法であって、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備えることを特徴とする方法である。 The method of manufacturing an electronic substrate of the present invention is a manufacturing method for an electronic substrate using the thermosetting flux composition onto a wiring substrate, a coating step of applying the thermosetting flux composition, melting point 200 A mounting step of mounting an electronic component having a solder bump formed of a solder alloy of at least 230 ° C. on a bonding land of the wiring substrate, and heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted; And a thermosetting step of heating and curing the thermosetting flux composition to bond the solder bumps to the bonding lands.

本発明の熱硬化性フラックス組成物によれば、硬化物のガラス転移点が十分に高く、硬化物の比誘電率および誘電正接が十分に低く、かつ、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性が優れる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程では、熱硬化性フラックス組成物の硬化がそれほど進まないような(B)硬化剤を用いている。そのため、溶融はんだの流動性が熱硬化性フラックス組成物の硬化物により妨げられることがないために、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性を維持できる。一方で、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程後の熱硬化工程で、十分に硬化させることができるので、硬化物のガラス転移点が十分に高くできる。さらに、(A2)活性エステル樹脂は、上記のような硬化条件を満たすことができ、しかも(A1)エポキシ樹脂単独の硬化物よりも、比誘電率および誘電正接を低くすることができる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
According to the thermosetting flux composition of the present invention, the glass transition point of the cured product is sufficiently high, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the cured product are sufficiently low, and the solderability and self-alignment property in reflow are obtained. Although the reason for being excellent is not necessarily clear, the present inventors speculate as follows.
That is, the thermosetting flux composition of the present invention uses a curing agent (B) such that curing of the thermosetting flux composition does not progress so much in the reflow step. Therefore, the flowability of the molten solder is not hindered by the cured product of the thermosetting flux composition, so that the solderability and the self alignment property in the reflow can be maintained. On the other hand, since the thermosetting flux composition of the present invention can be sufficiently cured in the thermosetting process after the reflow process, the glass transition point of the cured product can be sufficiently high. Furthermore, the (A2) active ester resin can satisfy the curing conditions as described above, and can lower the dielectric constant and the dielectric loss tangent more than the cured product of the (A1) epoxy resin alone. The inventors speculate that the effects of the present invention can be achieved as described above.

本発明によれば、硬化物のガラス転移点が十分に高く、硬化物の比誘電率および誘電正接が十分に低く、かつ、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性に優れる熱硬化性フラックス組成物、並びにそれを用いた電子基板の製造方法を提供できる。   According to the present invention, a thermosetting flux composition in which the glass transition point of the cured product is sufficiently high, the dielectric constant and dielectric loss tangent of the cured product are sufficiently low, and the solderability and self alignment performance in reflow are excellent. It is possible to provide an article and a method of manufacturing an electronic substrate using the article.

[熱硬化性フラックス組成物]
まず、本発明の熱硬化性フラックス組成物について説明する。
本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けにより、はんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、以下説明する(A)熱硬化性樹脂、(B)硬化剤および(C)活性剤を含有するものである。
[Thermosetting flux composition]
First, the thermosetting flux composition of the present invention will be described.
The thermosetting flux composition of the present invention is a thermosetting flux composition used when joining an electronic component having a solder bump to an electronic substrate by reflow soldering, and is described below (A) thermosetting It contains a resin, (B) a curing agent and (C) an activator.

本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることが好ましい。温度200℃における粘度が5Pa・sを超える場合には、熱硬化性フラックス組成物の硬化が進み過ぎて、溶融はんだの流動性が妨げられるために、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性が低下する傾向にある。他方、温度250℃における粘度が50Pa・s未満の場合には、熱硬化性フラックス組成物の硬化性が不十分なために、硬化物のガラス転移点が低くなる傾向にある。
ここで、粘度は、レオメーターにより測定することができる。具体的には、レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、所定の条件により粘度を測定することができる。
In the thermosetting flux composition of the present invention, when the temperature is raised at a temperature rising rate of 25 ° C. to 5 ° C./min, the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less and the temperature at 250 ° C. The viscosity is preferably 50 Pa · s or more. When the viscosity at a temperature of 200 ° C. exceeds 5 Pa · s, the curing of the thermosetting flux composition proceeds too much, and the fluidity of the molten solder is impeded, so that the solderability and reflowability in the reflow process are improved. It tends to decline. On the other hand, when the viscosity at a temperature of 250 ° C. is less than 50 Pa · s, the curing property of the thermosetting flux composition is insufficient, and the glass transition temperature of the cured product tends to be lowered.
Here, the viscosity can be measured by a rheometer. Specifically, the viscosity can be measured under predetermined conditions using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name "MARS-III").

また、本発明の熱硬化性フラックス組成物の硬化物のガラス転移点は、100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましく、130℃以上であることが特に好ましい。ガラス転移点が前記下限以上であれば、冷熱サイクル試験でのはんだの亀裂などを十分に抑制できる。
ここで、ガラス転移点は、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定できる。具体的にはセイコーインスツル社製の動的粘弾性測定装置「DMS6100」を用い、熱硬化性フラックス組成物の硬化物(厚み:100μm、長さ:20mm、幅:4mm)を試料として、昇温速度5℃/minの条件にて測定を行い、tanδのピーク値をガラス転移点として測定できる。なお、試料の大きさについては、前記条件よりも大きいものであれば測定できる。
Further, the glass transition point of the cured product of the thermosetting flux composition of the present invention is preferably 100 ° C. or more, more preferably 120 ° C. or more, and particularly preferably 130 ° C. or more. When the glass transition point is at least the lower limit, cracking and the like of the solder in the thermal cycle test can be sufficiently suppressed.
Here, the glass transition point can be measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). Specifically, using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus “DMS 6100” manufactured by Seiko Instruments Inc., as a sample, a cured product (thickness: 100 μm, length: 20 mm, width: 4 mm) of a thermosetting flux composition is raised. The measurement can be performed under the condition of the temperature rate of 5 ° C./min, and the peak value of tan δ can be measured as the glass transition point. In addition, about the magnitude | size of a sample, if it is larger than the said conditions, it can measure.

本発明の熱硬化性フラックス組成物の硬化物の1GHzにおける比誘電率は、3.0以下であることが好ましく、2.7以下であることがより好ましく、2.5以下であることが特に好ましい。また、本発明の熱硬化性フラックス組成物の硬化物の1GHzにおける誘電正接は、0.02以下であることが好ましく、0.01以下であることがより好ましく、0.005以下であることが特に好ましい。比誘電率および誘電正接が前記上限以下であれば、信号の遅延やノイズの発生を十分に抑制できる。
ここで、比誘電率および誘電正接は、インピーダンスアナライザーを用いて測定できる。具体的にはHEWLETT PACKARD社製のインピーダンスアナライザー「4291B」を用い、熱硬化性フラックス組成物の硬化物(厚み:150〜200μm、長さ:50mm、幅:50mm)を試料として、測定温度25℃、周波数1GHzの条件にて測定を行い、周波数1GHzにおける比誘電率および誘電正接を測定できる。
The relative dielectric constant at 1 GHz of the cured product of the thermosetting flux composition of the present invention is preferably 3.0 or less, more preferably 2.7 or less, particularly preferably 2.5 or less preferable. The dielectric loss tangent at 1 GHz of the cured product of the thermosetting flux composition of the present invention is preferably 0.02 or less, more preferably 0.01 or less, and 0.005 or less. Particularly preferred. If the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent are below the upper limits, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of signal delay and noise.
Here, the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent can be measured using an impedance analyzer. Specifically, using the impedance analyzer “4291 B” manufactured by HEWLETT PACKARD, the cured product of the thermosetting flux composition (thickness: 150 to 200 μm, length: 50 mm, width: 50 mm) is used as a sample at a measurement temperature of 25 ° C. The measurement can be performed under the condition of a frequency of 1 GHz to measure the dielectric constant and the dielectric loss tangent at a frequency of 1 GHz.

なお、熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度、並びに、硬化物のガラス転移点、1GHzにおける比誘電率および誘電正接を上述した範囲に調整する方法としては、以下のような方法が挙げられる。
熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度は、エポキシ樹脂および硬化剤などの種類(特に、硬化剤の種類)を変更することによって調整できる。例えば、硬化剤のエポキシ樹脂との反応性を調整することにより、200℃および250℃における粘度を調整できる。
硬化物のガラス転移点は、熱硬化性樹脂および硬化剤などの種類や配合量を変更することによって調整できる。例えば、熱硬化性樹脂および硬化剤の組み合わせを調整することにより、ガラス転移点を調整できる。
硬化物の1GHzにおける比誘電率および誘電正接は、熱硬化性樹脂および硬化剤などの種類や配合量を変更することによって調整できる。例えば、熱硬化性樹脂および硬化剤の組み合わせを調整することにより、比誘電率および誘電正接を調整できる。
The viscosity of the thermosetting flux composition at 200 ° C. and 250 ° C., and the glass transition point of the cured product, the relative dielectric constant at 1 GHz, and the dielectric loss tangent may be adjusted to the above ranges by the following methods. Can be mentioned.
The viscosity at 200 ° C. and 250 ° C. of the thermosetting flux composition can be adjusted by changing the type of epoxy resin and curing agent (in particular, the type of curing agent). For example, the viscosity at 200 ° C. and 250 ° C. can be adjusted by adjusting the reactivity of the curing agent with the epoxy resin.
The glass transition point of the cured product can be adjusted by changing the kind and blending amount of the thermosetting resin and the curing agent. For example, the glass transition point can be adjusted by adjusting the combination of the thermosetting resin and the curing agent.
The relative dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 GHz of the cured product can be adjusted by changing the kind and blending amount of the thermosetting resin and the curing agent. For example, the dielectric constant and the dielectric loss tangent can be adjusted by adjusting the combination of the thermosetting resin and the curing agent.

[(A)成分]
本発明に用いる(A)熱硬化性樹脂は、(A1)エポキシ樹脂および(A2)活性エステル樹脂を含有する。
前記(A1)エポキシ樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を適宜用いることができる。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビフェニル型、ナフタレン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型などのエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのエポキシ樹脂は、硬化物の耐衝撃性の観点から、ゴム変性されたものであることが好ましい。さらに、これらのエポキシ樹脂は、常温で液状のものを含有することが好ましく、常温で固形のものを用いる場合には、常温で液状のものと併用することが好ましい。
[(A) component]
The (A) thermosetting resin used in the present invention contains (A1) an epoxy resin and (A2) an active ester resin.
A well-known epoxy resin can be used suitably as said (A1) epoxy resin. Examples of such an epoxy resin include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, biphenyl type, naphthalene type, cresol novolac type, and phenol novolac type. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that these epoxy resins are rubber-modified from a viewpoint of the impact resistance of hardened | cured material. Furthermore, it is preferable that these epoxy resins contain a liquid thing at normal temperature, and when using a solid thing at normal temperature, it is preferable to use together with a liquid thing at normal temperature.

また、前記(A1)成分は、硬化物のガラス転移点を高めたり、耐衝撃性を高めるという観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される1種であることが好ましい。   Further, the component (A1) is one selected from the group consisting of bisphenol A epoxy resin and naphthalene type epoxy resin from the viewpoint of enhancing the glass transition temperature of the cured product and enhancing the impact resistance. Is preferred.

前記(A2)活性エステル樹脂は、前記(A1)エポキシ樹脂と反応するエステル樹脂であり、例えば、下記一般式(1)で表されるエステル樹脂である。   The (A2) active ester resin is an ester resin that reacts with the (A1) epoxy resin, and is, for example, an ester resin represented by the following general formula (1).

Figure 0006530734
Figure 0006530734

前記一般式(1)において、RおよびRは、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、置換もしくは無置換の炭化水素基を示す。
前記(A2)成分の市販品としては、EPICLON HPC−8000−65Tなど(DIC社製)が挙げられる。
また、前記(A1)成分と前記(A2)成分との反応機構は、下記反応式に示す通りである。
In the general formula (1), R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
As a commercial item of the said (A2) component, EPICLON HPC-8000-65T etc. (made by DIC) are mentioned.
Moreover, the reaction mechanism of the said (A1) component and the said (A2) component is as showing to the following reaction formula.

Figure 0006530734
Figure 0006530734

前記(A1)成分および前記(A2)成分の質量比率(A1/A2)は、硬化物のガラス転移点、比誘電率および誘電正接の観点から、1/2以上4/1以下であることが好ましく、1/1以上2/1以下であることがより好ましい。   The mass ratio (A1 / A2) of the component (A1) and the component (A2) is 1⁄2 or more and 4/1 or less from the viewpoint of the glass transition point of the cured product, the relative dielectric constant, and the dielectric loss tangent. Preferably, it is more preferably 1/1 or more and 2/1 or less.

前記(A)成分の配合量は、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、40質量%以上95質量%以下であることが好ましく、60質量%以上92質量%以下であることがより好ましく、70質量%以上90質量%以下であることが特に好ましい。(A)成分の配合量が前記範囲内であれば、十分な硬化性を確保でき、電子部品と電子基板とのはんだ接合を十分に補強できる。   It is preferable that it is 40 to 95 mass% with respect to 100 mass% of thermosetting flux compositions, and, as for the compounding quantity of the said (A) component, it is more than 60 to 92 mass%. Preferably, 70% by mass or more and 90% by mass or less is particularly preferable. If the compounding quantity of (A) component is in the said range, sufficient hardenability can be ensured and the solder joint of an electronic component and an electronic substrate can fully be reinforced.

[(B)成分]
本発明に用いる(B)硬化剤は、(B1)融点が150℃以上のポリアミン系硬化剤および(B2)イミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも1種、並びに、(B3)ピリジン系硬化剤を含有する。これらの(B1)成分、(B2)成分および(B3)成分を用いる場合には、リフロー工程では、熱硬化性フラックス組成物の硬化がそれほど進まないようにでき、かつ、リフロー工程後の熱硬化工程で、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができる。
また、この(B)成分としては、(B1)成分、(B2)成分および(B3)成分以外の公知のエポキシ樹脂硬化剤を、本発明の効果を阻害しない範囲で使用してもよい。ただし、ジシアンジアミド(DICY)およびその誘導体、または、メラミンおよびその誘導体などは、リフロー工程において、熱硬化性フラックス組成物の硬化が進み過ぎるために、使用しないことが好ましい。また、(B1)成分、(B2)成分および(B3)成分以外の公知のエポキシ樹脂硬化剤を使用する場合、その配合量は、(B)成分100質量%に対して、10質量%以下であることが好ましく、5質量%以下であることがより好ましい。
[(B) component]
The curing agent (B) used in the present invention is at least one selected from the group consisting of (B1) polyamine-based curing agents having a melting point of 150 ° C. or higher and (B2) imidazole-based curing agents, and (B3) pyridine-based Contains a curing agent. When these components (B1), (B2) and (B3) are used, the curing of the thermosetting flux composition can be prevented from progressing so much in the reflow step, and the heat curing after the reflow step In the process, the thermosetting flux composition can be sufficiently cured.
In addition, as the component (B), known epoxy resin curing agents other than the components (B1), (B2) and (B3) may be used as long as the effects of the present invention are not impaired. However, dicyandiamide (DICY) and its derivatives, or melamine and its derivatives, etc. are preferably not used because the curing of the thermosetting flux composition proceeds too much in the reflow step. When a known epoxy resin curing agent other than the (B1) component, the (B2) component and the (B3) component is used, the content thereof is 10% by mass or less based on 100% by mass of the (B) component. It is preferable that the content be 5% by mass or less.

前記(B1)成分としては、ポリアミン系のエポキシ硬化剤として市販されているものの中から、融点が150℃以上(より好ましくは160℃以上)のものを選択して使用できる。
前記(B1)成分の市販品としては、アデカハードナーEHシリーズの変性脂肪族ポリアミン系硬化剤など(ADEKA社製)が挙げられる。
As the component (B1), among those commercially available as polyamine-based epoxy curing agents, those having a melting point of 150 ° C. or more (more preferably 160 ° C. or more) can be selected and used.
As a commercial item of the said (B1) component, the modified | denatured aliphatic polyamine type hardening | curing agent of Adeka Hardener EH series etc. (made by ADEKA) etc. are mentioned.

前記(B2)成分としては、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、および2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンが挙げられる。これらの中でも、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、および1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイトなどを用いることが好ましい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
前記(B2)成分の市販品としては、2P4MHZ、2PHZ−PW、2E4MZ−A、2MZ−A、2MA−OK、2PZ−CN、2PZCNS−PW、C11Z−CN、およびC11Z−A(四国化成工業社製など、商品名)が挙げられる。
Examples of the component (B2) include 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4 ′. -Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-undecylimidazole and 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine It is below. Among these, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, and It is preferable to use 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate or the like. One of these may be used alone, or two or more may be mixed and used.
Commercial products of the component (B2) include 2P4 MHZ, 2PHZ-PW, 2E4MZ-A, 2MZ-A, 2MA-OK, 2PZ-CN, 2PZCNS-PW, C11Z-CN, and C11Z-A Product names).

前記(B3)成分としては、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン、N,N−ジエチル−4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、4−アミノピリジン、および2,6−ジアミノピリジンなどが挙げられる。これらの中でも、N,N−ジメチル−4−アミノピリジンを用いることが好ましい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。   Examples of the component (B3) include N, N-dimethyl-4-aminopyridine, N, N-diethyl-4-aminopyridine, 2-aminopyridine, 4-aminopyridine, and 2,6-diaminopyridine. Be Among these, it is preferable to use N, N-dimethyl-4-aminopyridine. One of these may be used alone, or two or more may be mixed and used.

本発明においては、熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度、および硬化物のガラス転移点などを上述した範囲に調整するために、(B)成分として、(B1)成分および(B2)成分からなる群から選択される少なくとも1種のみと、(B3)成分との組み合わせで用いることが好ましい。
前記(B1)成分および前記(B2)成分の合計量と、前記(B3)成分との質量比率((B1+B2)/B3)は、硬化物のガラス転移点、比誘電率および誘電正接の観点から、2/1以上30/1以下であることが好ましく、5/1以上15/1以下であることがより好ましい。
In the present invention, in order to adjust the viscosity at 200 ° C. and 250 ° C. of the thermosetting flux composition, the glass transition point of the cured product, etc. to the above-mentioned range, the component (B1) and It is preferable to use it in combination of at least 1 sort (s) selected from the group which consists of B2 components, and (B3) components.
The mass ratio of the total amount of the component (B1) and the component (B2) to the component (B3) ((B1 + B2) / B3) is from the viewpoint of the glass transition point of the cured product, the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent. And 2/1 or more and 30/1 or less, and more preferably 5/1 or more and 15/1 or less.

前記(B)成分の配合量は、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.2質量%以上5質量%以下であることがより好ましく、0.5質量%以上3質量%以下であることが特に好ましい。(B)成分の配合量が前記下限以上であれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化性を確保できる。他方、(B)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の保存安定性を確保できる。   The compounding amount of the component (B) is preferably 0.1% by mass to 10% by mass with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition, and 0.2% by mass to 5% by mass And more preferably 0.5% by mass or more and 3% by mass or less. If the compounding quantity of (B) component is more than the said minimum, the curability of a thermosetting flux composition is securable. On the other hand, if the compounding quantity of (B) component is below the said upper limit, the storage stability of a thermosetting flux composition is securable.

[(C)成分]
本発明に用いる(C)活性剤としては、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、アミン系活性剤などが挙げられる。
[(C) ingredient]
Examples of the (C) activator used in the present invention include organic acids, non-dissociating activators composed of non-dissociable halogenated compounds, and amine surfactants.

前記有機酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、グリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸などが挙げられる。
Examples of the organic acid include, in addition to monocarboxylic acids and dicarboxylic acids, other organic acids.
As monocarboxylic acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthate, capric acid, caprylic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecyl acid, palmitic acid, margaric acid, stearic acid, tubercurostearic acid , Arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, glycolic acid and the like.
Examples of dicarboxylic acids include oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, tartaric acid, diglycolic acid and the like.
Other organic acids include dimer acid, levulinic acid, lactic acid, acrylic acid, benzoic acid, salicylic acid, anisic acid, citric acid, picolinic acid and the like.

前記非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の2つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシル化合物のように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。ハロゲン化アルコールとしては、例えば2,3−ジブロモプロパノール、2,3−ジブロモブタンジオール、トランス−2,3−ジブロモ−2−ブテン−1,4−ジオール、1,4−ジブロモ−2−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、1,3−ジクロロ−2−プロパノール、1,4−ジクロロ−2−ブタノールなどの塩素化アルコール、3−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコール、その他これらに類する化合物が挙げられる。ハロゲン化カルボキシル化合物としては、2−ヨード安息香酸、3−ヨード安息香酸、2−ヨードプロピオン酸、5−ヨードサリチル酸、5−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物、2−クロロ安息香酸、3−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物、2,3−ジブロモプロピオン酸、2,3−ジブロモコハク酸、2−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物、その他これらに類する化合物が挙げられる。   Examples of the non-dissociating active agent include non-salt organic compounds in which a halogen atom is covalently bonded. The halogenated compound may be a compound having a single bond of chlorine, bromine or fluorine alone, such as chlorine, bromine or fluoride, but any two or all of chlorine, bromine and fluorine may be used. It may be a compound having a covalent bond of These compounds preferably have a polar group such as a hydroxyl group or a carboxyl group, such as a halogenated alcohol or a halogenated carboxyl compound, in order to improve the solubility in an aqueous solvent. As the halogenated alcohol, for example, 2,3-dibromopropanol, 2,3-dibromobutanediol, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, 1,4-dibromo-2-butanol, Brominated alcohols such as tribromoneopentyl alcohol, chlorinated alcohols such as 1,3-dichloro-2-propanol and 1,4-dichloro-2-butanol, fluorinated alcohols such as 3-fluorocatechol, and the like Compounds are mentioned. Examples of halogenated carboxyl compounds include 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, iodinated carboxyl compounds such as 5-iodoanthranilic acid, 2-chlorobenzoic acid, 3- Examples thereof include carboxyl chloride compounds such as chloropropionic acid, 2,3-dibromopropionic acid, brominated carboxyl compounds such as 2,3-dibromosuccinic acid and 2-bromobenzoic acid, and the like.

前記アミン系活性剤としては、アミン類(エチレンジアミンなどのポリアミンなど)、アミン塩類(トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、ジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩(塩酸、硫酸、臭化水素酸など))、アミノ酸類(グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、バリンなど)、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩(塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、セバシン酸塩など)、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。   Examples of the amine-based active agent include amines (polyamines such as ethylene diamine), amine salts (amines such as trimethylolamine, cyclohexylamine and diethylamine) and organic acid salts such as amino alcohol and inorganic acid salts (hydrochloric acid, sulfuric acid, odor Hydrochloric acid etc.), amino acids (glycine, alanine, aspartic acid, glutamic acid, valine etc.), amide compounds and the like. Specifically, diphenyl guanidine hydrobromide, cyclohexylamine hydrobromide, diethylamine salt (hydrochloride, succinate, adipate, sebacate etc.), triethanolamine, monoethanolamine, etc. The hydrobromide of amine of

前記(C)成分の配合量としては、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、1質量%以上25質量%以下であることが好ましく、2質量%以上20質量%以下であることがより好ましく、3質量%以上15質量%以下であることが特に好ましい。(C)成分の配合量が前記下限以上であれば、はんだ接合の不良をより確実に防止できる。また、(C)成分の配合量が前記上限以下であれば、熱硬化性フラックス組成物の絶縁性を確保できる。   The compounding amount of the component (C) is preferably 1% by mass or more and 25% by mass or less, and 2% by mass or more and 20% by mass or less based on 100% by mass of the thermosetting flux composition. More preferably, it is particularly preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less. If the compounding quantity of (C) component is more than the said minimum, the defect of a solder joint can be prevented more reliably. Moreover, if the compounding quantity of (C) component is below the said upper limit, the insulation of a thermosetting flux composition is securable.

また、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、前記(A)成分、前記(B)成分および前記(C)成分の他に、(D)チクソ剤をさらに含有してもよい。   The thermosetting flux composition of the present invention may further contain (D) a thixo agent in addition to the (A) component, the (B) component and the (C) component.

[(D)成分]
本発明に用いる(D)チクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、ガラスフリットなどが挙げられる。これらのチクソ剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
[(D) component]
Examples of the (D) thixotropic agent used in the present invention include hardened castor oil, amides, kaolin, colloidal silica, organic bentonite, glass frit and the like. One of these thixotropic agents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used.

前記(D)成分を用いる場合、その配合量は、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、0.1質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上2質量%以下であることがより好ましい。(D)成分の配合量が前記下限以上であれば、十分なチクソ性が得られ、ダレを十分に抑制できる。また、(D)成分の配合量が前記上限以下であれば、チクソ性が高すぎて、印刷不良となることはない。   When using the said (D) component, it is preferable that the compounding quantity is 0.1 to 5 mass% with respect to 100 mass% of thermosetting flux compositions, and 0.5 to 2 mass%. It is more preferable that the content is at most mass%. If the compounding quantity of (D) component is more than the said minimum, sufficient thixotropy will be obtained and it can fully suppress dripping. Moreover, if the compounding quantity of (D) component is below the said upper limit, thixotropy will be too high and it will not become a printing defect.

[他の成分]
本発明の熱硬化性フラックス組成物は、必要に応じて、前記(A)成分〜前記(D)成分の他に、界面活性剤、カップリング剤、消泡剤、粉末表面処理剤、反応抑制剤、沈降防止剤、フィラーなどの添加剤を含有していてもよい。これらの添加剤の配合量としては、熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、0.01質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.05質量%以上5質量%以下であることがより好ましい。
[Other ingredients]
The thermosetting flux composition of the present invention may optionally contain, in addition to the components (A) to (D), a surfactant, a coupling agent, an antifoamer, a powder surface treatment agent, and a reaction suppression. You may contain additives, such as an agent, an anti-settling agent, and a filler. The blending amount of these additives is preferably 0.01% by mass to 10% by mass, and more preferably 0.05% by mass to 5% by mass, with respect to 100% by mass of the thermosetting flux composition. It is more preferable that

[熱硬化性フラックス組成物の製造方法]
本発明の熱硬化性フラックス組成物は、前記(A)成分〜前記(D)成分などを前記の所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
[Method of producing thermosetting flux composition]
The thermosetting flux composition of the present invention can be produced by blending the component (A) to the component (D) and the like at the predetermined ratio and stirring and mixing.

[電子基板の製造方法]
次に、本発明の電子基板の製造方法について説明する。なお、本発明の熱硬化性フラックス組成物の使用方法が、本発明の電子基板の製造方法に限定されるわけではない。
本発明の電子基板の製造方法は、前述した本発明の熱硬化性フラックス組成物を用いる方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程、リフロー工程および熱硬化工程を備える。
[Method of manufacturing electronic substrate]
Next, a method of manufacturing the electronic substrate of the present invention will be described. The method of using the thermosetting flux composition of the present invention is not limited to the method of producing an electronic substrate of the present invention.
The method for producing an electronic substrate according to the present invention is a method using the above-mentioned thermosetting flux composition according to the present invention, and comprises a coating step, a mounting step, a reflow step and a heat curing step described below.

塗布工程においては、配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する。
配線基板としては、プリント配線基板、配線が設けられたシリコン基板などが挙げられる。
塗布装置としては、スピンコータ、スプレーコータ、バーコータ、アプリケータ、ディスペンサ、およびスクリーン印刷機などが挙げられる。なお、塗布装置として、スピンコータ、スプレーコータなどを用いる場合には、熱硬化性フラックス組成物を溶剤にて希釈して用いることが好ましい。
溶剤としては、ケトン類(例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン)、芳香族炭化水素類(例えば、トルエン、キシレン)、アルコール類(例えば、メタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール)、脂環式炭化水素類(例えば、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン)、石油系溶剤類(例えば、石油エーテル、石油ナフサ)、セロソルブ類(例えば、セロソルブ、ブチルセロソルブ)、(例えば、カルビトール、ブチルカルビトール)、および、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)などが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
塗布膜の厚み(塗布膜厚)は、適宜設定できる。
In the application step, the thermosetting flux composition is applied onto the wiring substrate.
As a wiring board, a printed wiring board, a silicon substrate provided with wiring, etc. may be mentioned.
The coating devices include spin coaters, spray coaters, bar coaters, applicators, dispensers, and screen printers. In addition, when using a spin coater, a spray coater, etc. as a coating device, it is preferable to dilute and use a thermosetting flux composition with a solvent.
As the solvent, ketones (eg, methyl ethyl ketone, cyclohexanone), aromatic hydrocarbons (eg, toluene, xylene), alcohols (eg, methanol, isopropanol, cyclohexanol), alicyclic hydrocarbons (eg, cyclohexane) , Methyl cyclohexane), petroleum solvents (eg, petroleum ether, petroleum naphtha), cellosolves (eg, cellosolve, butyl cellosolve), (eg, carbitol, butyl carbitol), and esters (eg, ethyl acetate, Butyl acetate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, ethyl diglycol acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol Roh ether acetate) and the like. One of these may be used alone, or two or more may be mixed and used.
The thickness of the coating film (coating film thickness) can be set appropriately.

搭載工程においては、はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する。
はんだバンプを有する電子部品としては、例えば、BGAパッケージ、チップサイズパッケージなどが挙げられる。
はんだバンプは、融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金からなることが好ましい。なお、はんだバンプは、その表面にはんだ合金によるメッキがされているものであってもよい。融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金としては、Sn−Ag−Cu系、およびSn−Ag系などのはんだ合金が挙げられる。
搭載工程で用いる装置としては、公知のチップマウント装置を適宜用いることができる。
また、接合用ランドの材質としては、公知の導電性材料(銅、銀など)を適宜用いることができる。
In the mounting step, the electronic component having the solder bump is mounted on the bonding land of the wiring substrate.
As an electronic component which has a solder bump, a BGA package, a chip size package, etc. are mentioned, for example.
The solder bumps are preferably made of a solder alloy having a melting point of 200 ° C. or more and 230 ° C. or less. The solder bumps may be plated with a solder alloy on the surface thereof. As a solder alloy whose melting | fusing point is 200 degreeC or more and 230 degrees C or less, solder alloys, such as Sn-Ag-Cu type | system | group and Sn-Ag type | system | group, are mentioned.
As an apparatus used at a mounting process, a well-known chip mounting apparatus can be used suitably.
Further, as a material of the bonding land, a known conductive material (copper, silver or the like) can be appropriately used.

リフロー工程においては、前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合する。
ここで用いる装置としては、公知のリフロー炉を適宜用いることができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn−Au−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度150〜180℃で60〜120秒行い、ピーク温度を220〜260℃に設定すればよい。
In the reflow process, the solder bump is melted by heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted, and the solder bump is bonded to the bonding land.
As an apparatus used here, a well-known reflow furnace can be used suitably.
The reflow conditions may be appropriately set according to the melting point of the solder. For example, in the case of using a Sn-Au-Cu based solder alloy, preheating may be performed at a temperature of 150 to 180 ° C. for 60 to 120 seconds, and a peak temperature may be set to 220 to 260 ° C.

熱硬化工程においては、前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる。
加熱条件としては、加熱温度が、150℃以上220℃以下であることが好ましく、180℃以上200℃以下であることがより好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、10分間以上3時間以下であることが好ましく、30分間以上90分間以下であることがより好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
In the heat curing step, the thermosetting flux composition is heated and cured.
As heating conditions, the heating temperature is preferably 150 ° C. or more and 220 ° C. or less, and more preferably 180 ° C. or more and 200 ° C. or less. If the heating temperature is within the above range, the thermosetting flux composition can be sufficiently cured, and the adverse effect on the electronic component mounted on the electronic substrate is also small.
The heating time is preferably 10 minutes or more and 3 hours or less, and more preferably 30 minutes or more and 90 minutes or less. If the heating time is within the above range, the thermosetting flux composition can be sufficiently cured, and the adverse effect on the electronic component mounted on the electronic substrate is also small.

以上のような電子基板の製造方法によれば、熱硬化性フラックス組成物の硬化物により、はんだバンプによる接合部を補強できる。
なお、本発明の電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
According to the method of manufacturing an electronic substrate as described above, the joint of the solder bump can be reinforced by the cured product of the thermosetting flux composition.
The method of manufacturing an electronic substrate according to the present invention is not limited to the above embodiment, and modifications, improvements and the like within the range in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.

次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
((A1)成分)
エポキシ樹脂A:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON EXA−850CRP」、DIC社製
エポキシ樹脂B:ナフタレン型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON HP−4032D」、DIC社製
((A2)成分)
活性エステル樹脂:商品名「EPICLON HPC−8000−65T」、DIC社製
((B2)成分)
硬化剤A:2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、商品名「2P4MHZ」、四国化成工業社製
((B3)成分)
硬化剤B:N,N−ジメチル−4−アミノピリジン
((C)成分)
活性剤A:アジピン酸
活性剤B:ベンジルアミンアジピン酸塩
((D)成分)
チクソ剤:商品名「ゲルオールD」、新日本理化社製
(他の成分)
硬化剤C:ジシアンジアミド
硬化剤D:メラミン
EXAMPLES The present invention will next be described in more detail by way of Examples and Comparative Examples, which should not be construed as limiting the invention thereto. In addition, the material used by the Example and the comparative example is shown below.
((A1) ingredient)
Epoxy resin A: bisphenol A type epoxy resin, trade name "EPICLON EXA-850 CRP", epoxy resin B manufactured by DIC: naphthalene type epoxy resin, trade name "EPICLON HP-4032D", manufactured by DIC (component (A2))
Active ester resin: trade name "EPICLON HPC-8000-65T", manufactured by DIC ((B2) component)
Curing agent A: 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, trade name "2P4 MHZ", manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. ((B3) component)
Hardening agent B: N, N-dimethyl-4-aminopyridine ((C) component)
Activator A: Adipic Acid Activator B: Benzylamine Adipate (Component (D))
Thixotropic agent: trade name "Gerol D", manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. (other components)
Curing agent C: dicyandiamide curing agent D: melamine

[実施例1]
エポキシ樹脂A50質量部、エポキシ樹脂B37.9質量部、硬化剤A1質量部、硬化剤B0.1質量部、活性剤A5質量部、活性剤B5質量部およびチクソ剤1質量部を容器に投入し、粉砕混合機にて、粉砕し混合し分散させて熱硬化性フラックス組成物を得た。
また、得られた熱硬化性フラックス組成物100質量部に対し、溶剤(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)10質量部を加えて、スピンコータ用塗布液を調製した。
そして、基板上に、スピンコータを用いて、スピンコータ用塗布液を塗布した。塗布膜の塗布膜厚は、30μmであった。次に、チップ部品(1005チップ、はんだ合金:Sn−Au3.0−Cu0.5、はんだの融点:217℃〜220℃)を、塗膜形成後の基板の接合用ランド上に搭載し、リフロー炉(タムラ製作所社製)に通して加熱した。ここでのリフロー条件は、プリヒート温度が150〜180℃(60秒間)で、温度220℃以上の時間が50秒間で、ピーク温度が230℃である。その後、リフロー後の基板を、加熱炉に投入し、温度200℃にて1時間の加熱処理を施して、試験基板を作製した。
Example 1
50 parts by mass of epoxy resin A, 37.9 parts by mass of epoxy resin B, 1 part by mass of curing agent A, 0.1 parts by mass of curing agent B, 5 parts by mass of activator A, 5 parts by mass of activator B and 1 part by mass of thixo agent The mixture was pulverized, mixed and dispersed in a pulverizing mixer to obtain a thermosetting flux composition.
Further, 10 parts by mass of a solvent (propylene glycol monomethyl ether acetate) was added to 100 parts by mass of the obtained thermosetting flux composition to prepare a spin coater application liquid.
Then, a spin coater coating solution was applied onto the substrate using a spin coater. The applied film thickness of the applied film was 30 μm. Next, a chip part (1005 chip, solder alloy: Sn-Au 3.0-Cu 0.5, melting point of solder: 217 ° C. to 220 ° C.) is mounted on the bonding land of the substrate after forming the coating, and reflow is performed The mixture was heated through a furnace (Tamura Seisakusho Co., Ltd.). The reflow conditions here are a preheating temperature of 150 to 180 ° C. (60 seconds), a time of 220 ° C. or more for 50 seconds, and a peak temperature of 230 ° C. Thereafter, the substrate after reflow was put into a heating furnace, and subjected to heat treatment at a temperature of 200 ° C. for 1 hour to produce a test substrate.

[実施例2、比較例1および2]
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、熱硬化性フラックス組成物、スピンコータ用塗布液、および試験基板を得た。
[Example 2, Comparative Examples 1 and 2]
A thermosetting flux composition, a coating solution for spin coater, and a test substrate were obtained in the same manner as in Example 1 except that each material was blended according to the composition shown in Table 1.

<熱硬化性フラックス組成物の評価>
熱硬化性フラックス組成物の評価(熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度、硬化物のガラス転移点、はんだ溶融性、比誘電率、誘電正接)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)熱硬化性フラックス組成物の粘度
レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、温度25℃からはんだの融点まで5℃/minの昇温速度で昇温しつつ、熱硬化性フラックス組成物の粘度を測定した。得られた結果から、(i)温度200℃における粘度、および、(ii)温度250℃における粘度を求めた。そして、粘度については、下記の基準に従って、区分けした。
A:粘度が5Pa・s以下である。
B:粘度が5Pa・s超50Pa・s未満である。
C:粘度が50Pa・s以上である。
(2)硬化物のガラス転移点
セイコーインスツル社製の動的粘弾性測定装置「DMS6100」を用い、熱硬化性フラックス組成物の硬化物(硬化条件:200℃1時間、厚み:100μm、長さ:20mm、幅:4mm)を試料として、昇温速度5℃/minの条件にて測定を行った。得られたグラフから、tanδのピーク値をガラス転移点として読み取った。
(3)はんだ溶融性
熱硬化性フラックス組成物50質量%と、はんだ粉末(はんだ合金:Sn−Au3.0−Cu0.5、粒子径分布:20〜40μm)50質量%とを混合して、混合試料を得た。得られた混合試料を、基板(表面の材質:銅)上に、スクリーン印刷法により、直径1cm、厚み50μmの塗膜を形成し、温度250℃に設定したホットプレート上で30秒間加熱した。そして、はんだの溶融状態を目視にて観察し、下記の基準に従って、はんだ溶融性を評価した。
○:はんだが溶融した。
×:はんだが溶融しなかった。
(4)比誘電率および(5)誘電正接
HEWLETT PACKARD社製のインピーダンスアナライザー「4291B」を用い、熱硬化性フラックス組成物の硬化物(塗布膜厚:200μm、硬化条件:200℃1時間、厚み:150〜200μm、長さ:50mm、幅:50mm)を試料として、測定温度25℃、周波数1GHzの条件にて測定を行い、周波数1GHzにおける比誘電率および誘電正接を測定した。
<Evaluation of thermosetting flux composition>
Evaluation of thermosetting flux composition (viscosity of thermosetting flux composition at 200 ° C and 250 ° C, glass transition temperature of cured product, solderability, relative dielectric constant, dielectric loss tangent) was conducted by the following methods. The The obtained results are shown in Table 1.
(1) Viscosity of thermosetting flux composition Using a rheometer (manufactured by HAAKE, trade name "MARS-III"), the temperature is raised from a temperature of 25 ° C to the melting point of the solder at a heating rate of 5 ° C / min. While, the viscosity of the thermosetting flux composition was measured. From the obtained results, (i) viscosity at a temperature of 200 ° C. and (ii) viscosity at a temperature of 250 ° C. were determined. And about the viscosity, it divided according to the following standard.
A: The viscosity is 5 Pa · s or less.
B: The viscosity is more than 5 Pa · s and less than 50 Pa · s.
C: The viscosity is 50 Pa · s or more.
(2) Glass transition point of cured product A cured product of a thermosetting flux composition (curing conditions: 200 ° C. for 1 hour, thickness: 100 μm, length) using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus “DMS 6100” manufactured by Seiko Instruments Inc. The measurement was performed under the conditions of a temperature rising rate of 5 ° C./min, using a sample of 20 mm in width and 4 mm in width. From the obtained graph, the peak value of tan δ was read as a glass transition point.
(3) Solder meltability Mix 50% by mass of thermosetting flux composition and 50% by mass of solder powder (solder alloy: Sn-Au 3.0-Cu 0.5, particle size distribution: 20 to 40 μm), A mixed sample was obtained. The obtained mixed sample was formed on a substrate (surface material: copper) by a screen printing method to form a coating having a diameter of 1 cm and a thickness of 50 μm, and was heated for 30 seconds on a hot plate set at a temperature of 250 ° C. Then, the molten state of the solder was visually observed, and the solder melting property was evaluated according to the following criteria.
○: The solder melted.
X: The solder did not melt.
(4) Relative dielectric constant and (5) Dielectric loss tangent A cured product of a thermosetting flux composition (coated film thickness: 200 μm, curing condition: 200 ° C. for 1 hour, thickness) using an impedance analyzer “4291 B” manufactured by HEWLETT PACKARD The measurement was performed under the conditions of a measurement temperature of 25 ° C. and a frequency of 1 GHz using a sample of 150 to 200 μm, a length of 50 mm, and a width of 50 mm, and the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent at a frequency of 1 GHz were measured.

Figure 0006530734
Figure 0006530734

表1に示す結果からも明らかなように、本発明の熱硬化性フラックス組成物を用いた場合(実施例1〜2)には、はんだ溶融性が良好で、硬化物のガラス転移点が十分に高く、硬化物の比誘電率および誘電正接が十分に低いことが確認された。また、はんだ溶融性があることから、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性が優れることが確認された。   As apparent from the results shown in Table 1, when the thermosetting flux composition of the present invention is used (Examples 1 and 2), the solderability is good and the glass transition point of the cured product is sufficient. It was confirmed that the dielectric constant and dielectric loss tangent of the cured product were sufficiently low. Moreover, it was confirmed that the solderability and the self-alignment property in reflow are excellent because of the solder melting property.

本発明の熱硬化性フラックス組成物は、電子機器のプリント配線基板などの電子基板に電子部品を実装するための技術として特に好適に用いることができる。   The thermosetting flux composition of the present invention can be particularly suitably used as a technique for mounting an electronic component on an electronic substrate such as a printed wiring board of an electronic device.

Claims (3)

リフローはんだ付けにより、はんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる、導電性微粒子を含有しない熱硬化性フラックス組成物であり、かつ、
配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、
融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、
前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える電子基板の製造方法に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、
(A)熱硬化性樹脂と、(B)硬化剤と、(C)活性剤とを含有し、
前記(A)成分が、(A1)エポキシ樹脂および(A2)活性エステル樹脂を含有し、
前記(A1)成分が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記(B)成分が、(B2)イミダゾール系硬化剤からなる群から選択される少なくとも1種、並びに、(B3)ピリジン系硬化剤を含有し、
前記(B2)成分が、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、および2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンからなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記(B3)成分が、N,N−ジメチル−4−アミノピリジン、N,N−ジエチル−4−アミノピリジン、2−アミノピリジン、4−アミノピリジン、および2,6−ジアミノピリジンからなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記(C)成分が、有機酸および該有機酸のアミン塩を含有し、
前記有機酸が、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸
、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、およびジグリコール酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、
前記(A1)成分および前記(A2)成分の質量比率(A1/A2)が、1/1以上2/1以下であり、
前記(A)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物100質量%に対して、70質量%以上であり、
当該熱硬化性フラックス組成物の硬化物が下記条件(i)〜(iii)の全てを満たす
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
条件(i):ガラス転移点が100℃以上である。
条件(ii):1GHzにおける比誘電率が2.5以下である。
条件(iii):1GHzにおける誘電正接が0.005以下である。
A thermosetting flux composition which does not contain conductive fine particles and is used when bonding an electronic component having a solder bump to an electronic substrate by reflow soldering, and
Applying the thermosetting flux composition on a wiring substrate;
A mounting step of mounting an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 200 ° C. or more and 230 ° C. or less on the bonding land of the wiring substrate;
A reflow step of melting the solder bumps and bonding the solder bumps to the bonding lands by heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted;
And a thermosetting step of heating and curing the thermosetting flux composition, wherein the thermosetting flux composition is used in a method of manufacturing an electronic substrate,
(A) containing a thermosetting resin, (B) a curing agent, and (C) an activator,
The component (A) contains (A1) an epoxy resin and (A2) an active ester resin,
The component (A1) is at least one selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resins and naphthalene type epoxy resins,
The component (B) contains at least one member selected from the group consisting of (B2) imidazole-based curing agents, and (B3) a pyridine-based curing agent,
The component (B2) is 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′- Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2 -Undecylimidazole, and 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine It is at least one selected from,
The component (B3) is selected from the group consisting of N, N-dimethyl-4-aminopyridine, N, N-diethyl-4-aminopyridine, 2-aminopyridine, 4-aminopyridine, and 2,6-diaminopyridine At least one selected;
The component (C) contains an organic acid and an amine salt of the organic acid,
The organic acid is at least selected from the group consisting of oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, and diglycolic acid One kind,
The mass ratio (A1 / A2) of the component (A1) to the component (A2) is 1/1 or more and 2/1 or less,
The compounding quantity of the said (A) component is 70 mass% or more with respect to 100 mass% of said thermosetting flux compositions,
A thermosetting flux composition, wherein a cured product of the thermosetting flux composition satisfies all of the following conditions (i) to (iii):
Condition (i): The glass transition point is 100 ° C. or more.
Condition (ii): The relative dielectric constant at 1 GHz is 2.5 or less.
Condition (iii): The dielectric loss tangent at 1 GHz is 0.005 or less.
請求項1に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。
In the thermosetting flux composition according to claim 1,
When the temperature is raised at a temperature rising rate of 25 ° C. to 5 ° C./min, the viscosity at a temperature of 200 ° C. is 5 Pa · s or less, and the viscosity at a temperature of 250 ° C. is 50 Pa · s or more. Thermosetting flux composition.
請求項1または請求項2に記載の熱硬化性フラックス組成物を用いる電子基板の製造方法であって、
配線基板上に、前記熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、
融点が200℃以上230℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、
前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
A method of manufacturing an electronic substrate using the thermosetting flux composition according to claim 1 or 2,
Applying the thermosetting flux composition on a wiring substrate;
A mounting step of mounting an electronic component having a solder bump made of a solder alloy having a melting point of 200 ° C. or more and 230 ° C. or less on the bonding land of the wiring substrate;
A reflow step of melting the solder bumps and bonding the solder bumps to the bonding lands by heating the wiring substrate on which the electronic component is mounted;
And a thermosetting process of heating and curing the thermosetting flux composition.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238124B2 (en) * 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 Curable resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component assembly
JP2010077343A (en) * 2008-09-29 2010-04-08 Dic Corp Epoxy resin composition, cured product of the same, and buildup film insulating material
JP5995052B2 (en) * 2012-03-08 2016-09-21 Dic株式会社 Curable resin composition, cured product thereof, and printed wiring board
JP6408847B2 (en) * 2014-09-30 2018-10-17 積水化学工業株式会社 Resin composition

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