JP2019165435A - Composite multiplexer - Google Patents

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高峰 裕一
Yuichi Takamine
裕一 高峰
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

To provide a composite multiplexer having excellent isolation characteristics even when it is configured to cope with a high frequency.SOLUTION: A composite multiplexer 1 includes a first multiplexer 11, a second multiplexer 21, and a second LC circuit 16. The first multiplexer 11 includes a plurality of band pass filter circuits 12 and 13 and a plurality of first LC circuits 14 and 15 respectively connected to end portions opposite to a first terminal 3 of the band pass filter circuits 12 and 13. The second multiplexer 21 includes a plurality of band pass filter circuits 22 and 23. The second LC circuit 16 is connected between the first terminal 3 and the second multiplexer 21.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、移動体通信機器などに用いられる複合マルチプレクサに関する。   The present invention relates to a composite multiplexer used for mobile communication equipment and the like.

次世代通信規格である5Gでは、3GHz〜6GHzの周波数帯が用いられる。そのため、帯域通過型フィルタとしても、この周波数帯で利用し得るものが求められる。特許文献1には、このような周波数帯で用いられるLCフィルタが開示されている。   In 5G, which is the next generation communication standard, a frequency band of 3 GHz to 6 GHz is used. Therefore, a band-pass filter that can be used in this frequency band is also required. Patent Document 1 discloses an LC filter used in such a frequency band.

もっとも、LCフィルタでは、急峻性が十分でない。そのため、LCフィルタは、5Gの通信規格におけるキャリアアグリゲーション用のマルチプレクサには不適当である。   However, steepness is not sufficient in the LC filter. Therefore, the LC filter is unsuitable for a carrier aggregation multiplexer in the 5G communication standard.

他方、弾性波フィルタは、フィルタ特性の急峻性に優れている。中でも、板波のS0モードを利用した弾性波フィルタの場合は、高周波化が容易である。例えば、特許文献2に記載の弾性波フィルタでは、支持基板上に、音響多層膜及び圧電膜が積層されている。この圧電膜を伝搬する板波のS0モードは、音速が約6000m/秒と高速である。そのため、3GHz〜6GHz帯で用いた場合であっても、電極指の線幅や電極指間のギャップをさほど狭くする必要がない。従って、高周波数帯でも、生産時のばらつきや耐電力性の低下などの問題が生じない。   On the other hand, the elastic wave filter is excellent in the steepness of the filter characteristics. In particular, in the case of an elastic wave filter using a plate wave S0 mode, it is easy to increase the frequency. For example, in the acoustic wave filter described in Patent Document 2, an acoustic multilayer film and a piezoelectric film are laminated on a support substrate. The S0 mode of the plate wave propagating through the piezoelectric film has a high sound speed of about 6000 m / sec. Therefore, even when used in the 3 GHz to 6 GHz band, the line width of the electrode fingers and the gap between the electrode fingers need not be so narrow. Accordingly, problems such as variations in production and a decrease in power durability do not occur even in a high frequency band.

特開2017−092546号公報JP 2017-092546 A WO2017/068827WO2017 / 068888

しかしながら、3GHz〜6GHz帯の通過帯域を有するフィルタを用いてマルチプレクサを構成すると、フィルタ間のアイソレーション特性が十分でないという新たな問題が生じることがわかった。これは、周波数が高くなると、残留インダクタや寄生容量による影響が、周波数が低い場合に比べて大きくなるためと考えられる。   However, it has been found that when a multiplexer is configured using a filter having a pass band of 3 GHz to 6 GHz, a new problem arises that the isolation characteristics between the filters are not sufficient. This is presumably because the effect of residual inductors and parasitic capacitance becomes greater when the frequency is higher than when the frequency is low.

本発明の目的は、高周波化を図った場合であっても、アイソレーション特性が良好な複合マルチプレクサを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a composite multiplexer having good isolation characteristics even when the frequency is increased.

本発明に係る複合マルチプレクサは、アンテナ端子に接続される第1の端子と、入出力端子である複数の第2の端子とを有する複合マルチプレクサであって、前記第1の端子に一端が接続されている複数の帯域通過型フィルタ回路と、前記複数の帯域通過型フィルタ回路にそれぞれ接続されている複数の第1のLC回路とを有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第1の端子と反対側の端部が前記各第1のLC回路を介して前記複数の第2の端子にそれぞれ接続されている、第1のマルチプレクサと、前記第1の端子に一端が接続されている、複数の帯域通過型フィルタ回路を有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第1の端子と反対側の端部が、前記複数の第2の端子にそれぞれ接続されている第2のマルチプレクサと、前記第1の端子と、前記第2のマルチプレクサの間に接続されている第2のLC回路とを備える。   A composite multiplexer according to the present invention is a composite multiplexer having a first terminal connected to an antenna terminal and a plurality of second terminals which are input / output terminals, one end of which is connected to the first terminal. A plurality of band-pass filter circuits and a plurality of first LC circuits connected to the plurality of band-pass filter circuits, respectively, and the first terminal of each of the band-pass filter circuits A first multiplexer connected to the plurality of second terminals via the first LC circuits, and one end connected to the first terminal, A second multiplexer having a plurality of band-pass filter circuits, each end of the band-pass filter circuit opposite to the first terminal being connected to the plurality of second terminals; The first Comprising terminal and, a second LC circuit coupled between said second multiplexer.

本発明に係る複合マルチプレクサでは、好ましくは、前記複数の第1のLC回路は、前記帯域通過型フィルタ回路の通過帯域を構成するための減衰極を形成している。この場合には、第1のマルチプレクサにおけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。   In the composite multiplexer according to the present invention, preferably, the plurality of first LC circuits form attenuation poles for constituting a pass band of the band pass filter circuit. In this case, the steepness of the filter characteristic in the first multiplexer can be effectively enhanced.

本発明に係る複合マルチプレクサでは、前記第2のLC回路は、伝搬される信号の位相を90度遅延させる90度遅延回路である。この場合には、第1のマルチプレクサと第2のマルチプレクサとを伝搬する信号間において、位相を90度異ならせることができる。   In the composite multiplexer according to the present invention, the second LC circuit is a 90-degree delay circuit that delays the phase of the propagated signal by 90 degrees. In this case, the phase can be varied by 90 degrees between the signals propagated through the first multiplexer and the second multiplexer.

本発明に係る複合マルチプレクサでは、より好ましくは、前記第1のLC回路は、伝搬される信号の位相を90度遅延させる90度遅延回路である。この場合には、アイソレーション特性をより一層改善することができる。   In the composite multiplexer according to the present invention, more preferably, the first LC circuit is a 90-degree delay circuit that delays the phase of the propagated signal by 90 degrees. In this case, the isolation characteristics can be further improved.

本発明に係る複合マルチプレクサのある特定の局面では、前記帯域通過型フィルタ回路が、弾性波フィルタにより構成されている。この場合には、高周波化を容易に実現することができる。   In a specific aspect of the composite multiplexer according to the present invention, the band-pass filter circuit is configured by an elastic wave filter. In this case, high frequency can be easily realized.

本発明に係る複合マルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第1のマルチプレクサ及び前記第2のマルチプレクサが、それぞれ、第1及び第2のデュプレクサである。   In still another specific aspect of the composite multiplexer according to the present invention, the first multiplexer and the second multiplexer are first and second duplexers, respectively.

本発明に係る複合マルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第1のマルチプレクサの1つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第2のマルチプレクサの1つの前記帯域通過型フィルタ回路が、同一のBandの帯域通過型フィルタ回路であり、前記第1のマルチプレクサの他の1つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第2のマルチプレクサの他の1つの前記帯域通過型フィルタ回路が、他の同一のBandの帯域通過型フィルタ回路である。   In still another specific aspect of the composite multiplexer according to the present invention, one of the band-pass filter circuits of the first multiplexer and one of the band-pass filter circuits of the second multiplexer have the same Band A band-pass filter circuit, wherein one other band-pass filter circuit of the first multiplexer and one other band-pass filter circuit of the second multiplexer are in the same band band. It is a pass filter circuit.

本発明によれば、高周波化を進めた場合であっても、アイソレーション特性が良好な複合マルチプレクサを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a composite multiplexer having good isolation characteristics even when the frequency is increased.

本発明の第1の実施形態の複合マルチプレクサの回路図である。It is a circuit diagram of the composite multiplexer of the 1st Embodiment of this invention. 図1に示した複合マルチプレクサにおける第1のデュプレクサの帯域通過型フィルタ回路の構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a band-pass filter circuit of a first duplexer in the composite multiplexer shown in FIG. 1. 第1の実施形態の複合マルチプレクサで用いられる弾性波フィルタを構成している弾性波共振子を説明するための正面断面図である。It is front sectional drawing for demonstrating the elastic wave resonator which comprises the elastic wave filter used with the composite multiplexer of 1st Embodiment. (a)は、第1,第2のLC回路の一例を示す回路図であり、(b)は、第1,第2のLC回路の他の例を示す回路図である。(A) is a circuit diagram showing an example of the first and second LC circuits, and (b) is a circuit diagram showing another example of the first and second LC circuits. (a)は、第1,第2のLC回路のさらに他の例を示す回路図であり、(b)は、第1,第2のLC回路の別の例を示す回路図である。(A) is a circuit diagram which shows the further another example of the 1st, 2nd LC circuit, (b) is a circuit diagram which shows another example of the 1st, 2nd LC circuit. 比較例及び実施例のBand77の通過特性を示す図である。It is a figure which shows the passage characteristic of Band77 of a comparative example and an Example. 比較例及び実施例のBand79の通過特性を示す図である。It is a figure which shows the passage characteristic of Band79 of a comparative example and an Example. 比較例及び実施例の複合マルチプレクサにおけるBand77からBand79へのアイソレーション特性を示す図である。It is a figure which shows the isolation characteristic from Band77 to Band79 in the composite multiplexer of a comparative example and an Example. 比較例及び実施例におけるアンテナ端子におけるVSWR特性を示す図である。It is a figure which shows the VSWR characteristic in the antenna terminal in a comparative example and an Example. 比較例及び実施例におけるBand77側の端子におけるVSWR特性を示す図である。It is a figure which shows the VSWR characteristic in the terminal by the side of Band77 in a comparative example and an Example. 比較例及び実施例におけるBand79側の端子におけるVSWR特性を示す図である。It is a figure which shows the VSWR characteristic in the terminal by the side of Band79 in a comparative example and an Example. 第1の実施形態の複合マルチプレクサにおけるBand77の送信信号の伝送状態を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the transmission state of the transmission signal of Band77 in the composite multiplexer of 1st Embodiment. 第1の実施形態の複合マルチプレクサにおけるBand79の受信信号の伝送状態を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the transmission state of the received signal of Band79 in the composite multiplexer of 1st Embodiment. 第1の実施形態の複合マルチプレクサにおけるアイソレーション信号の伝送状態を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the transmission state of the isolation signal in the composite multiplexer of 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る複合マルチプレクサの回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a composite multiplexer according to a second embodiment.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。   It should be pointed out that each embodiment described in this specification is an exemplification, and a partial replacement or combination of configurations is possible between different embodiments.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る複合マルチプレクサの回路図である。複合マルチプレクサ1は、アンテナ端子2に接続される第1の端子3を有する。また、複合マルチプレクサ1は、複数の第2の端子4,5を有する。第2の端子4,5は入出力端子として用いられる。第1の端子3に第1のマルチプレクサとしての第1のデュプレクサ11が接続されている。第1の端子3には、第2のマルチプレクサとしての第2のデュプレクサ21が、第2のLC回路16を介して接続されている。   FIG. 1 is a circuit diagram of a composite multiplexer according to the first embodiment of the present invention. The composite multiplexer 1 has a first terminal 3 connected to the antenna terminal 2. The composite multiplexer 1 has a plurality of second terminals 4 and 5. The second terminals 4 and 5 are used as input / output terminals. A first duplexer 11 as a first multiplexer is connected to the first terminal 3. A second duplexer 21 as a second multiplexer is connected to the first terminal 3 via a second LC circuit 16.

複合マルチプレクサ1は、5Gで使用されるBand77及びBand79で使用される。Band77の通信帯域は、3300MHz〜4200MHzであり、Band79の通信帯域は、4400MHz〜5000MHzである。複合マルチプレクサ1は、キャリアアグリゲーションで使用されるものであるため、第1,第2のデュプレクサ11,21の各一端が第1の端子3に共通接続されている。また、第2の端子4が、Band77の入出力端子として用いられる。第2の端子5が、Band79の入出力端子として用いられる。   The composite multiplexer 1 is used in Band 77 and Band 79 used in 5G. The communication band of Band 77 is 3300 MHz to 4200 MHz, and the communication band of Band 79 is 4400 MHz to 5000 MHz. Since the composite multiplexer 1 is used in carrier aggregation, each end of the first and second duplexers 11 and 21 is commonly connected to the first terminal 3. Further, the second terminal 4 is used as an input / output terminal of the Band 77. The second terminal 5 is used as an input / output terminal of Band 79.

なお、本発明の複合マルチプレクサは、Band77及びBand79の組み合わせに限らず、様々なBand同士の組み合わせに適用することができる。   The composite multiplexer of the present invention is not limited to the combination of Band 77 and Band 79, and can be applied to various combinations of Bands.

第1のデュプレクサ11は、複数の帯域通過型フィルタ回路12,13を有する。帯域通過型フィルタ回路12は、Band77用の帯域通過型フィルタ回路であり、帯域通過型フィルタ回路13は、Band79用の帯域通過型フィルタ回路である。複数の帯域通過型フィルタ回路12,13の一端同士が第1の端子3に共通接続されている。第1のデュプレクサ11では、帯域通過型フィルタ回路12と第2の端子4との間に、第1のLC回路14が接続されている。第1のLC回路14は、帯域通過型フィルタ回路12とともに、Band77の通過帯域を形成している。特に、第1のLC回路14により、減衰極が形成され、Band77の通過帯域の急峻性が高められている。   The first duplexer 11 has a plurality of band-pass filter circuits 12 and 13. The band-pass filter circuit 12 is a band-pass filter circuit for Band 77, and the band-pass filter circuit 13 is a band-pass filter circuit for Band 79. One ends of the plurality of band-pass filter circuits 12 and 13 are commonly connected to the first terminal 3. In the first duplexer 11, the first LC circuit 14 is connected between the band-pass filter circuit 12 and the second terminal 4. The first LC circuit 14 forms a band 77 band together with the band-pass filter circuit 12. In particular, the first LC circuit 14 forms an attenuation pole and enhances the steepness of the band 77 pass band.

同様に、帯域通過型フィルタ回路13と第2の端子5との間に、第1のLC回路15が接続されている。第1のLC回路15は減衰極を形成している。従って、帯域通過型フィルタ回路13と第1のLC回路15とにより、Band79における通過帯域の急峻性が高められている。   Similarly, a first LC circuit 15 is connected between the band-pass filter circuit 13 and the second terminal 5. The first LC circuit 15 forms an attenuation pole. Therefore, the steepness of the pass band in Band 79 is enhanced by the band pass filter circuit 13 and the first LC circuit 15.

上記のように、第1のデュプレクサ11では、複数の帯域通過型フィルタ回路12,13の第1の端子3と接続されている側とは反対側の端部が、それぞれ第1のLC回路14,15を介して、複数の第2の端子4,5にそれぞれ接続されている。   As described above, in the first duplexer 11, the ends of the plurality of bandpass filter circuits 12, 13 opposite to the side connected to the first terminal 3 are respectively the first LC circuit 14. , 15 to the plurality of second terminals 4, 5, respectively.

また、本実施形態では、第1のLC回路14は、位相を90度遅延させる機能も有している。第1のLC回路15も同様に、伝搬される信号の位相を90度遅延させる。   In the present embodiment, the first LC circuit 14 also has a function of delaying the phase by 90 degrees. Similarly, the first LC circuit 15 delays the phase of the propagated signal by 90 degrees.

第2のデュプレクサ21は、複数の帯域通過型フィルタ回路22,23を有する。帯域通過型フィルタ回路22は、Band77用の帯域通過型フィルタ回路である。帯域通過型フィルタ回路23は、Band79用の帯域通過型フィルタ回路である。帯域通過型フィルタ回路22及び帯域通過型フィルタ回路23の一端同士が第2のLC回路16を介して第1の端子3に共通接続されている。帯域通過型フィルタ回路22の第1の端子3に接続される側とは反対側の端部は、Band77用の第2の端子4に接続されている。帯域通過型フィルタ回路23の第1の端子3に接続されている側とは反対側の端部は、Band79用の送受信端子である第2の端子5に接続されている。   The second duplexer 21 has a plurality of bandpass filter circuits 22 and 23. The band-pass filter circuit 22 is a band-pass filter circuit for Band 77. The band-pass filter circuit 23 is a band-pass filter circuit for Band 79. One ends of the band-pass filter circuit 22 and the band-pass filter circuit 23 are commonly connected to the first terminal 3 via the second LC circuit 16. The end of the band-pass filter circuit 22 opposite to the side connected to the first terminal 3 is connected to the second terminal 4 for Band 77. The end of the band-pass filter circuit 23 opposite to the side connected to the first terminal 3 is connected to the second terminal 5 which is a transmission / reception terminal for Band 79.

第2のLC回路16は、伝搬される信号の位相を90度遅延するように構成されている。すなわち、第2のLC回路16は、第1のLC回路14,15と同様に、90度遅延回路である。   The second LC circuit 16 is configured to delay the phase of the propagated signal by 90 degrees. That is, the second LC circuit 16 is a 90-degree delay circuit, like the first LC circuits 14 and 15.

複合マルチプレクサ1では、上記のように構成されているため、Band77と、Band79との間のアイソレーション特性を効果的に高めることができる。この効果については、実施例を挙げ、後程より詳細に説明する。   Since the composite multiplexer 1 is configured as described above, the isolation characteristic between the Band 77 and the Band 79 can be effectively enhanced. This effect will be described in more detail later with examples.

図2は、複合マルチプレクサ1における第1のデュプレクサ11の帯域通過型フィルタ回路12,13の回路構成を説明するための回路図である。第2のデュプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路22,23も同様の回路構成を有する。   FIG. 2 is a circuit diagram for explaining the circuit configuration of the band-pass filter circuits 12 and 13 of the first duplexer 11 in the composite multiplexer 1. The band-pass filter circuits 22 and 23 in the second duplexer also have a similar circuit configuration.

なお、図2では、第1のデュプレクサ11における第1のLC回路14,15よりも第1の端子3側の部分が図示されており、第1のLC回路14,15は図示されていない。   In FIG. 2, portions of the first duplexer 11 closer to the first terminal 3 than the first LC circuits 14 and 15 are shown, and the first LC circuits 14 and 15 are not shown.

図2に示すように、第1の端子3に帯域通過型フィルタ回路12及び帯域通過型フィルタ回路13の一端同士が共通接続されている。第1の端子3とグラウンド電位との間に、インピーダンス整合用のインダクタL1が接続されている。   As shown in FIG. 2, one end of the band pass filter circuit 12 and the band pass filter circuit 13 is commonly connected to the first terminal 3. An impedance matching inductor L1 is connected between the first terminal 3 and the ground potential.

帯域通過型フィルタ回路12及び帯域通過型フィルタ回路13は、ラダー型フィルタである。帯域通過型フィルタ回路12では、複数の直列腕共振子S1〜S3と、複数の並列腕共振子P1〜P3とが、ラダー型回路を構成するように接続されている。   The band pass filter circuit 12 and the band pass filter circuit 13 are ladder type filters. In the band-pass filter circuit 12, a plurality of series arm resonators S1 to S3 and a plurality of parallel arm resonators P1 to P3 are connected to form a ladder type circuit.

並列腕共振子P1とグラウンド電位との間にインダクタL4が接続されている。並列腕共振子P1とインダクタL4との間の接続点と、直列腕との間にインダクタL2が接続されている。   An inductor L4 is connected between the parallel arm resonator P1 and the ground potential. An inductor L2 is connected between the connection point between the parallel arm resonator P1 and the inductor L4 and the series arm.

また、直列腕共振子S2,S3間の接続点とグラウンド電位との間に、インダクタL3が接続されている。並列腕共振子P2,P3の各一端は共通接続されており、インダクタL5を介してグラウンド電位に接続されている。   An inductor L3 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3 and the ground potential. One end of each of the parallel arm resonators P2 and P3 is commonly connected, and is connected to the ground potential via the inductor L5.

帯域通過型フィルタ回路13では、複数の直列腕共振子S11〜S14と、複数の並列腕共振子P11〜P14がラダー型回路を構成するように接続されている。並列腕共振子P11,P12の一端同士が共通接続されて、グラウンド電位に接続されている。並列腕共振子P13,P14の一端同士も共通接続され、グラウンド電位に接続されている。また、直列腕共振子S11の第1の端子3とは反対側に、インダクタL6が接続されている。並列腕共振子P11,P12の共通接続されている部分と、グラウンド電位との間にインダクタL7が接続されている。   In the band-pass filter circuit 13, a plurality of series arm resonators S11 to S14 and a plurality of parallel arm resonators P11 to P14 are connected so as to constitute a ladder type circuit. One ends of the parallel arm resonators P11 and P12 are connected in common and connected to the ground potential. One ends of the parallel arm resonators P13 and P14 are also connected in common and connected to the ground potential. Further, an inductor L6 is connected to the side opposite to the first terminal 3 of the series arm resonator S11. An inductor L7 is connected between the commonly connected portion of the parallel arm resonators P11 and P12 and the ground potential.

帯域通過型フィルタ回路12において、インダクタL2及びインダクタL3は、通過帯域外に減衰極を形成するために接続されている。インダクタL4及びインダクタL5は、並列腕共振子の共振周波数と反共振周波数との間の周波数間隔を広げるために接続されている。   In the bandpass filter circuit 12, the inductor L2 and the inductor L3 are connected to form an attenuation pole outside the passband. The inductor L4 and the inductor L5 are connected to widen the frequency interval between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the parallel arm resonator.

帯域通過型フィルタ回路13において、インダクタL6は、図1に示した第2の端子5とのインピーダンスマッチングを図るために接続されている。インダクタL7は、通過帯域外に減衰極を形成するために接続されている。   In the band-pass filter circuit 13, the inductor L6 is connected to achieve impedance matching with the second terminal 5 shown in FIG. The inductor L7 is connected to form an attenuation pole outside the passband.

なお、第2のデュプレクサ21の帯域通過型フィルタ回路22及び帯域通過型フィルタ回路23も上記帯域通過型フィルタ回路12及び帯域通過型フィルタ回路13と同様に構成されている。   The band-pass filter circuit 22 and the band-pass filter circuit 23 of the second duplexer 21 are configured in the same manner as the band-pass filter circuit 12 and the band-pass filter circuit 13.

図1に戻り、複合マルチプレクサでは、帯域外に減衰極をさらに形成するために、帯域通過型フィルタ回路12に第1のLC回路14が接続されており、帯域通過型フィルタ回路13に第1のLC回路15が接続されている。それによって、フィルタ特性の急峻性がより一層高められている。   Returning to FIG. 1, in the composite multiplexer, a first LC circuit 14 is connected to the band-pass filter circuit 12 in order to further form an attenuation pole outside the band, and the first LC circuit 14 is connected to the band-pass filter circuit 13. An LC circuit 15 is connected. Thereby, the steepness of the filter characteristic is further enhanced.

図2に示した直列腕共振子S1〜S3、並列腕共振子P1〜P3、直列腕共振子S11〜S14及び並列腕共振子P11〜P14は、いずれも弾性波共振子からなる。従って、帯域通過型フィルタ回路12及び帯域通過型フィルタ回路13や、帯域通過型フィルタ回路22及び帯域通過型フィルタ回路23は、いずれもラダー型の弾性波フィルタ回路である。   All of the series arm resonators S1 to S3, the parallel arm resonators P1 to P3, the series arm resonators S11 to S14, and the parallel arm resonators P11 to P14 shown in FIG. Accordingly, the band-pass filter circuit 12 and the band-pass filter circuit 13, and the band-pass filter circuit 22 and the band-pass filter circuit 23 are all ladder-type elastic wave filter circuits.

図3は、上記弾性波共振子の一例を示す正面断面図である。弾性波共振子31は、支持基板32を有する。支持基板32上に音響多層膜33が積層されている。音響多層膜33上に圧電板34が積層されている。圧電板34上に、IDT電極35が設けられている。IDT電極35の弾性波伝搬方向両側に、反射器が配置されている。なお、この反射器の図示は省略してある。   FIG. 3 is a front sectional view showing an example of the acoustic wave resonator. The acoustic wave resonator 31 has a support substrate 32. An acoustic multilayer film 33 is laminated on the support substrate 32. A piezoelectric plate 34 is laminated on the acoustic multilayer film 33. An IDT electrode 35 is provided on the piezoelectric plate 34. Reflectors are arranged on both sides of the IDT electrode 35 in the elastic wave propagation direction. In addition, illustration of this reflector is abbreviate | omitted.

支持基板32は、シリコンなどの半導体材料、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素またはアルミナなどの圧電性材料などの適宜の材料からなる。   The support substrate 32 is made of an appropriate material such as a semiconductor material such as silicon, or a piezoelectric material such as silicon oxynitride, silicon nitride, or alumina.

音響多層膜33は、低音響インピーダンス層33a,33c,33eと、高音響インピーダンス層33b,33d,33fとを有する。低音響インピーダンス層33a,33c,33eと、高音響インピーダンス層33b,33d,33fとが交互に積層されている。低音響インピーダンス層33a,33c,33eの音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層33b,33d,33fの音響インピーダンスよりも低い。上記音響インピーダンスの高低の関係を満たす限り、低音響インピーダンス層33a,33c,33e及び高音響インピーダンス層33b,33d,33fの材料として適宜の材料を用いることができる。このような材料の例としては、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの絶縁性材料、シリコンなどの半導体材料またはAl、Pt、AlCu合金などの金属を挙げることができる。   The acoustic multilayer film 33 includes low acoustic impedance layers 33a, 33c, and 33e and high acoustic impedance layers 33b, 33d, and 33f. Low acoustic impedance layers 33a, 33c, and 33e and high acoustic impedance layers 33b, 33d, and 33f are alternately stacked. The acoustic impedance of the low acoustic impedance layers 33a, 33c, and 33e is lower than the acoustic impedance of the high acoustic impedance layers 33b, 33d, and 33f. Any suitable material can be used as the material of the low acoustic impedance layers 33a, 33c, and 33e and the high acoustic impedance layers 33b, 33d, and 33f as long as the relationship of the acoustic impedance is satisfied. Examples of such materials include insulating materials such as silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride, and alumina, semiconductor materials such as silicon, and metals such as Al, Pt, and AlCu alloys.

圧電板34は、LiTaOやLiNbOなどの適宜の圧電材料からなる。IDT電極35についても、適宜の金属もしくは合金からなる。また、積層金属膜によりIDT電極35が形成されていてもよい。 The piezoelectric plate 34 is made of an appropriate piezoelectric material such as LiTaO 3 or LiNbO 3 . The IDT electrode 35 is also made of an appropriate metal or alloy. Further, the IDT electrode 35 may be formed of a laminated metal film.

複合マルチプレクサ1では、複数の弾性波共振子31を用いて、帯域通過型フィルタ回路12,13及び帯域通過型フィルタ回路22,23が構成されている。従って、板波S
0モードなどを利用することにより、高周波化を容易に図ることができる。
In the composite multiplexer 1, bandpass filter circuits 12 and 13 and bandpass filter circuits 22 and 23 are configured using a plurality of acoustic wave resonators 31. Therefore, the plate wave S
By using the 0 mode or the like, high frequency can be easily achieved.

図1に戻り、第1のLC回路14,15及び第2のLC回路16は、インダクタLとキャパシタCを接続した回路構成を有する。図4(a)は、このような、LC回路の一例の回路図であり、図5(a)は他の例を示す回路図である。   Returning to FIG. 1, the first LC circuits 14 and 15 and the second LC circuit 16 have a circuit configuration in which an inductor L and a capacitor C are connected. FIG. 4A is a circuit diagram illustrating an example of such an LC circuit, and FIG. 5A is a circuit diagram illustrating another example.

図4(a)に示すLC回路41では、出力端が接続された伝送経路にインダクタL11,L11が接続されており、すなわちラダー型フィルタの直列腕に直列にインダクタL11,L11が接続されており、この伝送経路とグラウンド電位との間にキャパシタC11が接続されている。   In the LC circuit 41 shown in FIG. 4A, the inductors L11 and L11 are connected to the transmission path to which the output ends are connected. That is, the inductors L11 and L11 are connected in series to the series arm of the ladder filter. A capacitor C11 is connected between the transmission path and the ground potential.

なお、図4(a)に示すLC回路41に代えて、図4(b)に示すLC回路41Aを用いてもよい。   Note that an LC circuit 41A shown in FIG. 4B may be used instead of the LC circuit 41 shown in FIG.

逆に、図5(a)に示すLC回路42では、信号が伝送される経路にキャパシタC12,C12が接続されている。この信号が伝送される経路とグラウンド電位との間にインダクタL12が接続されている。   Conversely, in the LC circuit 42 shown in FIG. 5A, capacitors C12 and C12 are connected to a path through which a signal is transmitted. An inductor L12 is connected between the path through which this signal is transmitted and the ground potential.

なお、図5(a)に示すLC回路42に代えて、図5(b)に示すLC回路42Aを用いてもよい。   Instead of the LC circuit 42 shown in FIG. 5A, an LC circuit 42A shown in FIG. 5B may be used.

LC回路41またはLC回路42により、前述した第1,第2のLC回路14,15,16が構成されている。   The LC circuit 41 or the LC circuit 42 constitutes the first and second LC circuits 14, 15 and 16 described above.

複合マルチプレクサ1では、Band77の送信信号及びBand79の受信信号が伝送される。この場合、上記第1,第2のLC回路14〜16が設けられているため、アイソレーション特性を効果的に改善することができる。これを、以下の実施例及び比較例を説明することにより明らかにする。   The composite multiplexer 1 transmits a Band 77 transmission signal and a Band 79 reception signal. In this case, since the first and second LC circuits 14 to 16 are provided, the isolation characteristics can be effectively improved. This will be clarified by describing the following examples and comparative examples.

以下の設計パラメータにしたがって、第1の実施形態の実施例における第1のデュプレクサ11の帯域通過型フィルタ回路12を作成した。   The band-pass filter circuit 12 of the first duplexer 11 in the example of the first embodiment was created according to the following design parameters.

Figure 2019165435
Figure 2019165435

また、帯域通過型フィルタ回路13を、以下の表2に示す設計パラメータにしたがって、構成した。   Further, the band-pass filter circuit 13 was configured according to the design parameters shown in Table 2 below.

Figure 2019165435
Figure 2019165435

また、インダクタL1〜L7のインダクタンス値は、下記の表3に示すとおりとした。   The inductance values of the inductors L1 to L7 were as shown in Table 3 below.

Figure 2019165435
Figure 2019165435

第1,第2のLC回路における回路構成としては、図4(a)に示したLC回路41を用いた。インダクタL11のインダクタンス値は1.9nH、キャパシタC11の容量は0.8pFとした。   As a circuit configuration in the first and second LC circuits, the LC circuit 41 shown in FIG. The inductance value of the inductor L11 was 1.9 nH, and the capacitance of the capacitor C11 was 0.8 pF.

なお、第2のデュプレクサ21における帯域通過型フィルタ回路22,23の設計パラメータも同様とした。   The design parameters of the band-pass filter circuits 22 and 23 in the second duplexer 21 are the same.

比較のために、第1,第2のLC回路14〜16を用いずに、かつ第1のデュプレクサと第2のデュプレクサの一端同士を共通接続していないことを除いては、上記実施形態と同様にして、マルチプレクサ回路を構成した。   For comparison, the first and second LC circuits 14 to 16 are not used, and one end of the first duplexer and the second duplexer are not commonly connected to each other. Similarly, a multiplexer circuit was configured.

なお、比較例では、第1,第2のデュプレクサが並列接続されていないため、実施例に比べ、共振子の静電容量は全て2倍とし、インダクタンス値は全て1/2倍とした。   In the comparative example, since the first and second duplexers are not connected in parallel, the capacitances of the resonators are all doubled and the inductance values are all halved compared to the example.

図6は、Band77における送信信号の通過特性を示す。図7は、Band79の受信信号の通過特性を示す。また、図8は、Band77からBand79側へのアイソレーション特性を示す図である。図9は、アンテナ端子におけるVSWR特性を示し、図10はBand77側の端子におけるVSWR特性を示し、図11は、Band79側の端子におけるVSWR特性を示す図である。   FIG. 6 shows transmission characteristics of transmission signals in Band 77. FIG. 7 shows the pass characteristic of the received signal of Band 79. FIG. 8 is a diagram showing isolation characteristics from Band 77 to Band 79 side. 9 shows the VSWR characteristics at the antenna terminal, FIG. 10 shows the VSWR characteristics at the Band 77 side terminal, and FIG. 11 shows the VSWR characteristics at the Band 79 side terminal.

図6〜図11において、実線を実施例の結果を、破線が比較例の結果を示す。   6 to 11, the solid line indicates the result of the example, and the broken line indicates the result of the comparative example.

図8に示すように、比較例に対し、実施例によれば、アイソレーション特性が効果的に改善されていることがわかる。すなわち、Band77帯におけるアイソレーションが、比較例では48.6dBに対し、実施例では52.2dBと改善している。Band79帯では、比較例では52.4dBに対し、実施例では54.2dBと改善されている。   As shown in FIG. 8, it can be seen that the isolation characteristic is effectively improved according to the example compared to the comparative example. That is, the isolation in the Band 77 band is improved to 42.2 dB in the comparative example and 52.2 dB in the example. In the Band 79 band, the comparative example is improved to 54.2 dB compared to 52.4 dB.

また、図6及び図7から明らかなように、Band77及びBand79のいずれの帯域においても、通過特性についても、比較例に対し、実施例によれば改善されていることがわかる。さらに、図9〜図11に示すように、VSWR特性も、比較例に対し、実施例によれば、改善されていることがわかる。   Further, as is apparent from FIGS. 6 and 7, it can be seen that the pass characteristics are improved according to the embodiment with respect to the comparative example in any band of Band 77 and Band 79. Furthermore, as shown in FIGS. 9 to 11, it can be seen that the VSWR characteristics are also improved according to the example with respect to the comparative example.

上記のように、実施例において比較例に対してアイソレーション特性が改善されている理由は、以下の通りと考えられる。   As described above, the reason why the isolation characteristics are improved with respect to the comparative example in the example is considered as follows.

図12は、Band77側端子である第2の端子4から第1の端子3側にBand77の送信信号が伝送される状態を示す図である。矢印A1で示すように、第1のデュプレクサ11側では、第1のLC回路14及び帯域通過型フィルタ回路12を介して送信信号が第1の端子3に伝送される。この場合、第1のLC回路14により、送信信号の位相が90度遅延される。   FIG. 12 is a diagram illustrating a state in which a Band 77 transmission signal is transmitted from the second terminal 4 which is the Band 77 side terminal to the first terminal 3 side. As indicated by an arrow A 1, on the first duplexer 11 side, a transmission signal is transmitted to the first terminal 3 via the first LC circuit 14 and the band-pass filter circuit 12. In this case, the first LC circuit 14 delays the phase of the transmission signal by 90 degrees.

他方、矢印A2で示すように、Band77の送信信号は、第2のデュプレクサ21の帯域通過型フィルタ回路22及び第2のLC回路16を介して第1の端子3に伝送される。この場合、伝送される信号の位相が、第2のLC回路16で90度遅延される。従って、第1の端子3では、矢印A1及び矢印A2で示す双方の送信信号の位相が揃うことになる。従って、両伝送経路を伝搬してきた信号が打ち消し合うことなく合成され、第1の端子3かつアンテナ端子2に出力される。   On the other hand, the transmission signal of Band 77 is transmitted to the first terminal 3 via the band-pass filter circuit 22 and the second LC circuit 16 of the second duplexer 21 as indicated by the arrow A2. In this case, the phase of the transmitted signal is delayed by 90 degrees in the second LC circuit 16. Therefore, at the first terminal 3, the phases of both transmission signals indicated by the arrows A1 and A2 are aligned. Therefore, the signals propagated through both transmission paths are combined without canceling each other and output to the first terminal 3 and the antenna terminal 2.

図13に示すように、第1の端子3からBand79の端子である第2の端子5にBand79の受信信号が伝送される。この場合、矢印B1で示す伝送経路では、受信信号が、第1のデュプレクサ11の帯域通過型フィルタ回路13及び第1のLC回路15を通過する。従って、受信信号は、この位相が90度遅延される。他方、矢印B2で示す伝送経路では、第2のLC回路16及び帯域通過型フィルタ回路23を経由して第2の端子5に伝送される。この場合においても、第2のLC回路16により信号の位相が90度遅延される。従って、第2の端子5では、矢印B1で示す伝送経路及び矢印B2で示す伝送経路により伝送されてきた信号の位相が揃うことになる。従って、受信信号が打ち消し合うことなく、合成される。   As shown in FIG. 13, the received signal of Band 79 is transmitted from the first terminal 3 to the second terminal 5 which is a terminal of Band 79. In this case, the received signal passes through the band-pass filter circuit 13 and the first LC circuit 15 of the first duplexer 11 in the transmission path indicated by the arrow B1. Therefore, the phase of the received signal is delayed by 90 degrees. On the other hand, in the transmission path indicated by the arrow B 2, the signal is transmitted to the second terminal 5 via the second LC circuit 16 and the band pass filter circuit 23. Even in this case, the phase of the signal is delayed by 90 degrees by the second LC circuit 16. Therefore, at the second terminal 5, the phases of the signals transmitted through the transmission path indicated by the arrow B1 and the transmission path indicated by the arrow B2 are aligned. Therefore, the received signals are synthesized without canceling each other.

他方、図14に示すように、Band77側端子である第2の端子4と、Band79側の第2の端子5との間のアイソレーションについては、矢印C1,C2で示す経路により、第2の端子4から第2の端子5側に漏洩した信号は、第1のLC回路14及び第1のLC回路15を通過する。そのため、位相が180度遅延されることになる。これに対して、矢印D1,D2で示す伝送経路により漏洩してきた信号は、その信号の位相が遅延されない。従って、第2の端子5において、矢印C1,C2に示す経路で伝送されてきた信号の位相と、矢印D1,D2で示す伝送経路で伝送されてきた信号の位相とが180度異なることになる。よって、両者の信号が打ち消し合い、アイソレーション特性が改善されることになる。   On the other hand, as shown in FIG. 14, the isolation between the second terminal 4 that is the Band 77 side terminal and the second terminal 5 on the Band 79 side is the second indicated by the path indicated by the arrows C1 and C2. The signal leaked from the terminal 4 to the second terminal 5 side passes through the first LC circuit 14 and the first LC circuit 15. Therefore, the phase is delayed by 180 degrees. On the other hand, the phase of the signal leaked through the transmission path indicated by the arrows D1 and D2 is not delayed. Therefore, at the second terminal 5, the phase of the signal transmitted through the paths indicated by the arrows C1 and C2 is different from the phase of the signal transmitted through the transmission paths indicated by the arrows D1 and D2 by 180 degrees. . Therefore, both signals cancel each other, and the isolation characteristics are improved.

以上の理由により、上記実施例では、第2の端子4と第1の端子3との間の伝送特性及び第2の端子5と第1の端子3との間の伝送特性を劣化させることなく、Band77用の第2の端子4と、Band79用の第2の端子5との間のアイソレーション特性を効果的に改善することができる。   For the above reasons, in the above embodiment, the transmission characteristics between the second terminal 4 and the first terminal 3 and the transmission characteristics between the second terminal 5 and the first terminal 3 are not deteriorated. The isolation characteristic between the second terminal 4 for Band 77 and the second terminal 5 for Band 79 can be effectively improved.

なお、第1の実施形態の複合マルチプレクサ1では、第1,第2のデュプレクサ11,21が第1の端子3に共通接続されていたが、図15に示す第2の実施形態の複合マルチプレクサ51のように、第1のマルチプレクサ61及び第2のマルチプレクサ62がそれぞれ、4つの帯域通過型フィルタ回路61a〜61d,62a〜62dを有するクワドプレクサであってもよい。この場合、第1のマルチプレクサ61において、帯域通過型フィルタ回路61a〜61dの第1の端子3とは反対側の端部にそれぞれ、第1のLC回路63a〜63dが接続される。また、第2のLC回路16が、第2のマルチプレクサ62と第1の端子3との間に接続される。第2のマルチプレクサ62も、上記のとおりクワドプレクサである。   In the composite multiplexer 1 of the first embodiment, the first and second duplexers 11 and 21 are commonly connected to the first terminal 3, but the composite multiplexer 51 of the second embodiment shown in FIG. As described above, each of the first multiplexer 61 and the second multiplexer 62 may be a quadplexer having four band-pass filter circuits 61a to 61d and 62a to 62d. In this case, in the first multiplexer 61, the first LC circuits 63a to 63d are connected to the ends of the band-pass filter circuits 61a to 61d on the opposite side to the first terminal 3, respectively. The second LC circuit 16 is connected between the second multiplexer 62 and the first terminal 3. The second multiplexer 62 is also a quadplexer as described above.

このように、本発明においては、第1,第2のマルチプレクサは、デュプレクサに限らず、トリプレクサ、クワドプレクサあるいは5以上の帯域通過型フィルタ回路を有するマルチプレクサであってもよい。また、マルチプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路の数をNとした場合、第1のマルチプレクサにおいて、N個のフィルタにそれぞれ、第1のLC回路が接続され、さらに第2のLC回路16が第1の端子3と第2のマルチプレクサとの間に接続されることになる。従って、第1及び第2のマルチプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路の数がNである場合、全体としてN+1個のLC回路が用いられることになる。   Thus, in the present invention, the first and second multiplexers are not limited to duplexers, but may be triplexers, quadplexers, or multiplexers having five or more band-pass filter circuits. When the number of band-pass filter circuits in the multiplexer is N, the first LC circuit is connected to each of the N filters in the first multiplexer, and the second LC circuit 16 is further connected to the first LC circuit 16. It is connected between the terminal 3 and the second multiplexer. Accordingly, when the number of band-pass filter circuits in the first and second multiplexers is N, N + 1 LC circuits are used as a whole.

1…複合マルチプレクサ
2…アンテナ端子
3…第1の端子
4,5…第2の端子
11…第1のデュプレクサ
12,13,22,23…帯域通過型フィルタ回路
14,15…第1のLC回路
16…第2のLC回路
21…第2のデュプレクサ
31…弾性波共振子
32…支持基板
33…音響多層膜
33a,33c,33e…低音響インピーダンス層
33b,33d,33f…高音響インピーダンス層
34…圧電板
35…IDT電極
41,41A,42,42A…LC回路
51…複合マルチプレクサ
61…第1のマルチプレクサ
61a〜61d…帯域通過型フィルタ回路
62…第2のマルチプレクサ
62a〜62d…帯域通過型フィルタ回路
63a〜63d…第1のLC回路
C11,C12…キャパシタ
L1〜L7,L11,L12…インダクタ
P1〜P3,P11〜P14…並列腕共振子
S1〜S3,S11〜S14…直列腕共振子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Composite multiplexer 2 ... Antenna terminal 3 ... 1st terminal 4, 5 ... 2nd terminal 11 ... 1st duplexer 12, 13, 22, 23 ... Band pass type filter circuit 14, 15 ... 1st LC circuit 16 ... 2nd LC circuit 21 ... 2nd duplexer 31 ... Elastic wave resonator 32 ... Support substrate 33 ... Acoustic multilayer film 33a, 33c, 33e ... Low acoustic impedance layer 33b, 33d, 33f ... High acoustic impedance layer 34 ... Piezoelectric plate 35 ... IDT electrodes 41, 41A, 42, 42A ... LC circuit 51 ... Composite multiplexer 61 ... First multiplexers 61a-61d ... Band pass filter circuit 62 ... Second multiplexers 62a-62d ... Band pass filter circuit 63a to 63d... First LC circuits C11 and C12... Capacitors L1 to L7, L11 and L12. 3, P11~P14 ... the parallel arm resonators S1~S3, S11~S14 ... series arm resonator

Claims (7)

アンテナ端子に接続される第1の端子と、入出力端子である複数の第2の端子とを有する複合マルチプレクサであって、
前記第1の端子に一端が接続されている複数の帯域通過型フィルタ回路と、前記複数の帯域通過型フィルタ回路にそれぞれ接続されている複数の第1のLC回路とを有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第1の端子と反対側の端部が前記各第1のLC回路を介して前記複数の第2の端子にそれぞれ接続されている、第1のマルチプレクサと、
前記第1の端子に一端が接続されている、複数の帯域通過型フィルタ回路を有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第1の端子と反対側の端部が、前記複数の第2の端子にそれぞれ接続されている第2のマルチプレクサと、
前記第1の端子と、前記第2のマルチプレクサの間に接続されている第2のLC回路とを備える、複合マルチプレクサ。
A composite multiplexer having a first terminal connected to an antenna terminal and a plurality of second terminals being input / output terminals,
A plurality of band-pass filter circuits having one end connected to the first terminal, and a plurality of first LC circuits respectively connected to the plurality of band-pass filter circuits, A first multiplexer in which an end of the pass-type filter circuit opposite to the first terminal is connected to the plurality of second terminals via the first LC circuits;
One end is connected to the first terminal, and a plurality of band-pass filter circuits are provided, and the end of each band-pass filter circuit opposite to the first terminal is the second plurality of band-pass filter circuits. A second multiplexer respectively connected to the terminals of
A composite multiplexer comprising: the first terminal; and a second LC circuit connected between the second multiplexer.
前記複数の第1のLC回路は、前記帯域通過型フィルタ回路の通過帯域を構成するための減衰極を形成している、請求項1に記載の複合マルチプレクサ。   2. The composite multiplexer according to claim 1, wherein the plurality of first LC circuits form attenuation poles for forming a pass band of the band pass filter circuit. 前記第2のLC回路は、伝搬される信号の位相を90度遅延させる90度遅延回路である、請求項1または2に記載の複合マルチプレクサ。   3. The composite multiplexer according to claim 1, wherein the second LC circuit is a 90-degree delay circuit that delays a phase of a propagated signal by 90 degrees. 前記第1のLC回路は、伝搬される信号の位相を90度遅延させる90度遅延回路である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の複合マルチプレクサ。   The composite multiplexer according to any one of claims 1 to 3, wherein the first LC circuit is a 90-degree delay circuit that delays a phase of a propagated signal by 90 degrees. 前記帯域通過型フィルタ回路が、弾性波フィルタにより構成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合マルチプレクサ。   The composite multiplexer according to claim 1, wherein the band-pass filter circuit is configured by an elastic wave filter. 前記第1のマルチプレクサ及び前記第2のマルチプレクサが、それぞれ、第1及び第2のデュプレクサである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の複合マルチプレクサ。   6. The composite multiplexer according to claim 1, wherein the first multiplexer and the second multiplexer are first and second duplexers, respectively. 前記第1のマルチプレクサの1つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第2のマルチプレクサの1つの前記帯域通過型フィルタ回路が、同一のBandの帯域通過型フィルタ回路であり、前記第1のマルチプレクサの他の1つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第2のマルチプレクサの他の1つの前記帯域通過型フィルタ回路が、他の同一のBandの帯域通過型フィルタ回路である、請求項6に記載の複合マルチプレクサ。   The band-pass filter circuit of one of the first multiplexers and the band-pass filter circuit of one of the second multiplexers are band-pass filter circuits of the same Band, and other than the first multiplexer 7. The composite multiplexer according to claim 6, wherein the one band-pass filter circuit and the other one of the second multiplexers are other band-pass filter circuits of the same Band. .
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