JP2019161225A - Shunt structure, current detection device, method of manufacturing the same, and method of mounting the same - Google Patents

Shunt structure, current detection device, method of manufacturing the same, and method of mounting the same Download PDF

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Abstract

To provide a shunt structure capable of suppressing electrode corrosion caused by contact with a different metal.SOLUTION: The shunt structure includes: a shunt resistor 16; and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16, respectively. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure aluminum or an aluminum alloy.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、シャント構造体、電流検出装置、電流検出装置の製造方法及び電流検出装置の取付方法に関する。   The present invention relates to a shunt structure, a current detection device, a method for manufacturing the current detection device, and a method for mounting the current detection device.

従来、シャント抵抗の両端のそれぞれに第1バスバ及び第2バスバが接続されたシャント構造体が提案されている(例えば特許文献1参照。)。特許文献1に記載のシャント構造体では、シャント抵抗や第1バスバ、第2バスバの材料として銅合金が用いられている。
また、近年、軽量化や低コスト化の点から、シャント構造体の第1バスバや第2バスバの接続相手となる他のバスバとしては、アルミ合金からなるバスバが普及しつつある。
Conventionally, a shunt structure in which a first bus bar and a second bus bar are connected to both ends of a shunt resistor has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In the shunt structure described in Patent Document 1, a copper alloy is used as a material for the shunt resistor and the first bus bar and the second bus bar.
In recent years, from the viewpoint of weight reduction and cost reduction, bus bars made of aluminum alloy are becoming popular as other bus bars to which the first bus bar and the second bus bar of the shunt structure are connected.

特開2016−217829号公報JP, 2006-217829, A

しかし、特許文献1に記載のシャント構造体では、シャント構造体のバスバをアルミ合金からなる他のバスバに接続すると、異種金属接触による電気腐食が発生する可能性がある。それゆえ、電流値の検出精度が低下し、検出結果の信頼性が低下する可能性がある。
本発明は、上記のような課題に着目したもので、異種金属接触による電極腐食を防止可能なシャント構造体、電流検出装置、電流検出装置の製造方法及び電流検出装置の取付方法を提供することを目的とする。
However, in the shunt structure described in Patent Document 1, when the bus bar of the shunt structure is connected to another bus bar made of an aluminum alloy, there is a possibility that electric corrosion due to contact with different metals occurs. Therefore, the detection accuracy of the current value is lowered, and the reliability of the detection result may be lowered.
The present invention focuses on the above-described problems, and provides a shunt structure, a current detection device, a method for manufacturing the current detection device, and a method for mounting the current detection device that can prevent electrode corrosion due to contact with different metals. With the goal.

上記課題を解決するために、本発明の一態様は、(a)シャント抵抗と、(b)シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第1バスバ及び第2バスバとを備え、(c)第1バスバ及び第2バスバは、純アルミ又はアルミ合金からなるシャント構造体であることを要旨とする。   In order to solve the above problems, an aspect of the present invention includes (a) a shunt resistor, (b) a first bus bar and a second bus bar connected to both ends of the shunt resistor, and (c) a first bus bar. The gist of the first bus bar and the second bus bar is a shunt structure made of pure aluminum or an aluminum alloy.

本発明の他の態様は、(a)シャント抵抗、シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第1バスバ及び第2バスバ、第1バスバ又はシャント抵抗に接続された第1電極端子、及び第2バスバ又はシャント抵抗に接続された第2電極端子を有するシャント構造体と、(b)第1電極端子及び第2電極端子に接続され、シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路と、(c)シャント構造体及び検出回路を収容する筐体とを備え、(d)第1バスバ及び第2バスバは、純アルミ又はアルミ合金からなる電流検出装置であることを要旨とする。   In another aspect of the present invention, (a) a shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and a second bus bar, respectively. A shunt structure having a second electrode terminal connected to the bus bar or the shunt resistor; and (b) a detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor. (C) a shunt structure and a housing that houses the detection circuit, and (d) the first bus bar and the second bus bar are current detection devices made of pure aluminum or aluminum alloy.

本発明の他の態様は、(a)シャント抵抗、及びシャント抵抗の両端のそれぞれに接続された純アルミ又はアルミ合金からなる第1バスバ及び第2バスバを有するシャント構造体に、シャント抵抗と第1バスバとの第1接続部の周囲及びシャント抵抗と第2バスバとの第2接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることと、(b)第1バスバ又はシャント抵抗に第1電極端子を接続するとともに、第2バスバ又はシャント抵抗に第2電極端子を接続することと、(c)第1電極端子及び第2電極端子のそれぞれに、シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路を接続することとを含む電流検出装置の製造方法であることを要旨とする。   In another aspect of the present invention, (a) a shunt resistor and a shunt structure having a first bus bar and a second bus bar made of pure aluminum or an aluminum alloy connected to both ends of the shunt resistor are provided. Coating the periphery of the first connection portion with one bus bar and the periphery of the second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar with an insulating resin; and (b) connecting the first electrode terminal to the first bus bar or the shunt resistor. And connecting the second electrode terminal to the second bus bar or the shunt resistor, and (c) a detection circuit for detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor in each of the first electrode terminal and the second electrode terminal. The present invention is summarized as a method for manufacturing a current detecting device including connecting the two.

本発明の他の態様は、(a)上記した電流検出装置の取付方法であって、(b)第1バスバ及び第2バスバをアルミ合金からなる他のバスバに面接触させて溶接又はボルト締めすることを含む電流検出装置の取付方法であることを要旨とする。   According to another aspect of the present invention, there is provided (a) a mounting method of the above-described current detection device, wherein (b) the first bus bar and the second bus bar are brought into surface contact with another bus bar made of an aluminum alloy and welded or bolted. The gist of the present invention is the method of mounting the current detection device including the following.

本発明によれば、シャント構造体の第1バスバ及び第2バスバをアルミ合金からなる他のバスバに接続しても、同種の金属が接触するだけである。それゆえ、異種金属接触による電気腐食を防止可能なシャント構造体、電流検出装置、電流検出装置の製造方法及び電流検出装置の取付方法を提供することができる。   According to the present invention, even if the first bus bar and the second bus bar of the shunt structure are connected to another bus bar made of an aluminum alloy, only the same kind of metal contacts. Therefore, it is possible to provide a shunt structure, a current detection device, a manufacturing method of the current detection device, and a mounting method of the current detection device that can prevent electric corrosion due to contact with different metals.

本発明の実施形態に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shunt structure which concerns on embodiment of this invention. 電流検出装置の内部構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the internal structure of a current detection apparatus. 電流検出装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of an electric current detection apparatus. 第1電極端子カバー及び第2電極端子カバーを示す平面図である。It is a top view which shows a 1st electrode terminal cover and a 2nd electrode terminal cover. シャント抵抗とバスバとの接続状態を示す図であり、(a)は、端部同士を上下に重ね合わせた接続状態を示す側断面図であり、(b)は端面同士を突き合わせた接続状態を示す側断面図である。It is a figure which shows the connection state of shunt resistance and a bus bar, (a) is a sectional side view which shows the connection state which piled up edge parts up and down, (b) is the connection state which faced end surfaces. It is a sectional side view shown. メッキ層を示す側断面図である。It is side sectional drawing which shows a plating layer. 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of an electric current detection apparatus. 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of an electric current detection apparatus. 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of an electric current detection apparatus. 変形例に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体の要部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the principal part of the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体の要部を拡大して示す側断面図である。It is a sectional side view which expands and shows the principal part of the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るバリア層を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the barrier layer which concerns on a modification.

以下、本発明の実施形態に係るシャント構造体、電流検出装置、電流検出装置の製造方法及び電流検出装置の取付方法について、図面を参照しつつ説明する。
なお、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための方法や装置を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
Hereinafter, a shunt structure, a current detection device, a current detection device manufacturing method, and a current detection device mounting method according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The following embodiments exemplify methods and apparatuses for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention includes the shape, structure, arrangement, etc. of the component parts. It is not specified to the following. The technical idea of the present invention can be variously modified within the technical scope defined by the claims described in the claims.

本発明の実施形態に係るシャント構造体3は、図1に示すように、シャント抵抗16と、シャント抵抗16の両端のそれぞれに接続された第1バスバ15及び第2バスバ18とを備え、第1バスバ15及び第2バスバ18は純アルミ又はアルミ合金から構成される。
また、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17、及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19は、それぞれロウ付け接続で構成されている。
言い換えると、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17、及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19は、それぞれロウ付けされている。
As shown in FIG. 1, the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention includes a shunt resistor 16 and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure aluminum or aluminum alloy.
Further, the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are each configured by brazing connection.
In other words, the first connection part 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the second connection part 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are brazed.

さらに、本発明の実施形態に係るシャント構造体3では、図6、図14に示すように、ロウ付け接続を構成するロウ41は、スズを含有し、第1バスバ15のシャント抵抗16との接続面、及び第2バスバ18のシャント抵抗16との接続面に、スズを含有するメッキ層42を有することが好ましい。その際、シャント抵抗16が、スズを含有する銅合金からなることがさらに好ましい。
また、本発明の実施形態に係るシャント構造体3では、第1バスバ15のシャント抵抗16との接続面、第2バスバ18のシャント抵抗16との接続面、シャント抵抗16の第1バスバ15との接続面及びシャント抵抗16の第2バスバ18との接続面に、ロウ41が含むスズの拡散を抑制するためのバリア層45、46、47を備えることが好ましい。
Furthermore, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 6 and 14, the brazing 41 constituting the brazing connection contains tin and is connected to the shunt resistor 16 of the first bus bar 15. It is preferable to have a plating layer 42 containing tin on the connection surface and the connection surface with the shunt resistor 16 of the second bus bar 18. At that time, it is more preferable that the shunt resistor 16 is made of a copper alloy containing tin.
In the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16, the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16, and the first bus bar 15 of the shunt resistor 16 It is preferable to provide barrier layers 45, 46, and 47 for suppressing diffusion of tin included in the solder 41 on the connection surface of the shunt resistor 16 and the connection surface of the shunt resistor 16 with the second bus bar 18.

また、本発明の実施形態に係るシャント構造体3では、第1接続部17は、図5(a)に示すように、シャント抵抗16と第1バスバ15との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成され、第2接続部19は、シャント抵抗16と第2バスバ18との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成されていることが好ましい。さらに、第1接続部17は、図5(b)に示すようにシャント抵抗16と第1バスバ15との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成され、第2接続部19は、シャント抵抗16と第2バスバ18との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成されるようにしても好ましい。   Further, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, the first connecting portion 17 is configured such that the end portions of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 overlap each other as shown in FIG. It is preferable that the second connection portion 19 is configured by brazing connection in which end portions of the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are vertically overlapped. Further, as shown in FIG. 5 (b), the first connection portion 17 is configured by brazing connection in which the end surfaces of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 are butted together, and the second connection portion 19 is configured by the shunt resistor 16. It is also preferable to be configured by brazing connection in which end faces of the second bus bar 18 are abutted with each other.

また、本発明の実施形態に係るシャント構造体3では、図2に示すように、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17の周囲、及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。さらに、図12、図13に示すように、第1バスバ15の幅及び第2バスバ18の幅は、シャント抵抗16の幅よりも大きいことが好ましい。また、第1バスバ15の厚み及び第2バスバ18の厚みは、シャント抵抗16の厚みよりも大きいことが好ましい。   Further, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, the periphery of the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15, and the shunt resistor 16 and the second bus bar 18. It is preferable that the periphery of the second connection portion 19 is coated with an insulating resin or a metal. Furthermore, as shown in FIGS. 12 and 13, the width of the first bus bar 15 and the width of the second bus bar 18 are preferably larger than the width of the shunt resistor 16. Further, the thickness of the first bus bar 15 and the thickness of the second bus bar 18 are preferably larger than the thickness of the shunt resistor 16.

一方、本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、図2に示すように、シャント抵抗16、シャント抵抗16の両端のそれぞれに接続された第1バスバ15及び第2バスバ18、第1バスバ15に接続された第1電極端子11、及び第2バスバ18に接続された第2電極端子13を有するシャント構造体3を備えるようにした。また、第1電極端子11及び第2電極端子13に接続され、シャント抵抗16に流れた電流の大きさを検出する検出回路4と、シャント構造体3及び検出回路4を収容する筐体2とを備える。そして、第1バスバ15及び第2バスバ18は、純アルミ又はアルミ合金からなる構成とした。   On the other hand, as illustrated in FIG. 2, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a shunt resistor 16, a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16, and a first bus bar. The shunt structure 3 having the first electrode terminal 11 connected to 15 and the second electrode terminal 13 connected to the second bus bar 18 is provided. Also, a detection circuit 4 connected to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 and detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16, and a housing 2 housing the shunt structure 3 and the detection circuit 4 Is provided. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure aluminum or aluminum alloy.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1では、電流検出装置1は、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17の周囲及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。なお、図2では、第1電極端子11が第1バスバ15に接続され、第2電極端子13が第2バスバ18に接続される例を示したが、例えば、図11に示すように、第1電極端子11及び第2電極端子13の両方がシャント抵抗16に接続される構成としてもよい。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体2を構成する絶縁樹脂と一体であることが好ましい。
さらに、本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、第1バスバ15と第1電極端子11との第3接続部35の周囲、及び第2バスバ18と第2電極端子13との第4接続部37の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。
Further, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the current detection device 1 includes the periphery of the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the first connection between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18. It is preferable that the periphery of the two connection portions 19 is coated with an insulating resin or metal. 2 shows an example in which the first electrode terminal 11 is connected to the first bus bar 15 and the second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18, but for example, as shown in FIG. Both the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 may be connected to the shunt resistor 16.
Further, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the insulating resin coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 is integrated with the insulating resin constituting the housing 2. Preferably there is.
Furthermore, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and a fourth connection between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13. It is preferable that the periphery of the connection portion 37 is coated with an insulating resin or a metal.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、筐体2が、シャント構造体3を収容するための下部空間7、検出回路4を収容するための上部空間8、及び下部空間7と上部空間8とを区画する内部隔壁9を有し、内部隔壁9が、第1電極端子11及び第2電極端子13を通す第1貫通孔12及び第2貫通孔14を有し、第1電極端子11及び第2電極端子13と第1貫通孔12及び第2貫通孔14の内周面とが離間しており、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体2を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂であることが好ましい。より具体的には、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体2を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂であることが好ましい。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、第1バスバ15及び第2バスバ18が、アルミ合金からなる他のバスバ20、24に面接触して溶接又はボルト締めされていることが好ましい。
Further, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the housing 2 includes a lower space 7 for accommodating the shunt structure 3, an upper space 8 for accommodating the detection circuit 4, and the lower space 7. It has an internal partition wall 9 that partitions the upper space 8, and the internal partition wall 9 has a first through hole 12 and a second through hole 14 through which the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 pass, and the first electrode The terminal 11 and the second electrode terminal 13 are separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14, and the periphery of the third connection part 35 and the periphery of the fourth connection part 37 are coated. The insulating resin is preferably an insulating resin different from the insulating resin constituting the housing 2. More specifically, the insulating resin coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 may be an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin constituting the housing 2. preferable.
In the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are welded or bolted in surface contact with the other bus bars 20 and 24 made of an aluminum alloy. preferable.

本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、シャント抵抗16、及びシャント抵抗16の両端のそれぞれに接続された純アルミ又はアルミ合金からなる第1バスバ15及び第2バスバ18を有するシャント構造体3に、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17の周囲及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19の周囲を絶縁樹脂製でコーティングすることと、第1バスバ15又はシャント抵抗16に第1電極端子11を接続するとともに、第2バスバ18又はシャント抵抗16に第2電極端子13を接続することと、第1電極端子11及び第2電極端子13のそれぞれに、シャント抵抗16に流れた電流の大きさを検出する検出回路4を接続することとを含んでいる。   The manufacturing method of the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a shunt resistor 16 and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 made of pure aluminum or aluminum alloy connected to both ends of the shunt resistor 16. Coating the shunt structure 3 with an insulating resin around the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and around the second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18; The first electrode terminal 11 is connected to the first bus bar 15 or the shunt resistor 16, and the second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18 or the shunt resistor 16, and the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 includes connecting a detection circuit 4 for detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、電流検出装置1の筐体2の一部(カバー26)がシャント構造体3に密着して第1接続部17及び第2接続部19の周囲を覆うようにシャント構造体3に筐体2を一体に形成することが好ましい。
さらに、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、第1電極端子11及び第2電極端子13を接続することにおいて、第1バスバ15に第1電極端子11を接続するとともに、第2バスバ18に第2電極端子13を接続し、第1バスバ15と第1電極端子11との第3接続部35の周囲、及び第2バスバ18と第2電極端子13との第4接続部37の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることが好ましい。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲を絶縁樹脂でコーティングする際に、その絶縁樹脂で、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のコーティングも同時に行うことが好ましい。
Further, in the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the casing 2 of the current detection device 1 is formed by coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 with an insulating resin. It is preferable that the housing 2 is formed integrally with the shunt structure 3 so that a part of the cover (cover 26) is in close contact with the shunt structure 3 and covers the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19.
Furthermore, the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention connects the first electrode terminal 11 to the first bus bar 15 in connecting the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13, and The second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18, the fourth connection between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13, and the periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11. It is preferable to coat the periphery of the portion 37 with an insulating resin.
Further, in the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, when the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 are coated with the insulating resin, the third connection is performed with the insulating resin. It is preferable that coating around the portion 35 and around the fourth connection portion 37 is performed at the same time.

さらに、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、シャント構造体3を収容するための下部空間7、検出回路4を収容するための上部空間8及び下部空間7と上部空間8とを区画し且つ第1電極端子11及び第2電極端子13を通すための第1貫通孔12及び第2貫通孔14が形成された内部隔壁9を有する絶縁樹脂製の樹脂成形体を、筐体2として形成し、第1電極端子11及び第2電極端子13を接続することにおいて、第1電極端子11と第1貫通孔12及び第2貫通孔14の内周面とが離間し、第2電極端子13と第1貫通孔12及び第2貫通孔14の内周面とが離間するように第1電極端子11及び第2電極端子13の接続位置を決定し、第3接続部35及び第4接続部37の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、筐体2を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂で第3接続部35及び第4接続部37の周囲のコーティングを行うことが好ましい。   Furthermore, in the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the shunt structure 3 is accommodated by coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 with an insulating resin. A first through hole 12 for partitioning the lower space 7, the upper space 8 for accommodating the detection circuit 4, the lower space 7 and the upper space 8, and allowing the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 to pass through. A resin molded body made of an insulating resin having an internal partition wall 9 in which the second through-hole 14 is formed is formed as the housing 2, and the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 are connected to each other. The terminal 11 is separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14, and the second electrode terminal 13 is separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14. Contact between the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 In determining the position and coating the periphery of the third connecting portion 35 and the fourth connecting portion 37 with an insulating resin, the third connecting portion 35 and the fourth connecting portion are made of an insulating resin different from the insulating resin constituting the housing 2. It is preferred to perform a coating around 37.

なお、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のコーティングを、筐体2を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂で行う例を示したが、例えば、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲を絶縁樹脂でコーティングする際に、その絶縁樹脂で、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のコーティングも行うようにしてもよい。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法は、第3接続部35の周囲、及び第4接続部37の周囲をコーティングする絶縁樹脂が、筐体2を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂であることが好ましい。
本発明の実施形態に係る電流検出装置1の取付方法は、第1バスバ15及び第2バスバ18をアルミ合金からなる他のバスバ20、24に面接触させて、溶接又はボルト締めすることを含んでいる。
In addition, although the example which coats the circumference | surroundings of the 3rd connection part 35 and the circumference | surroundings of the 4th connection part 37 with insulating resin different from the insulation resin which comprises the housing | casing 2 was shown, for example, the circumference | surroundings of the 1st connection part 17 When the periphery of the second connection portion 19 is coated with an insulating resin, the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 may be coated with the insulating resin.
In addition, in the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the insulating resin that coats the periphery of the third connecting portion 35 and the periphery of the fourth connecting portion 37 is more than the insulating resin that constitutes the housing 2. Is preferably an insulating resin having a low elastic modulus.
The mounting method of the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes bringing the first bus bar 15 and the second bus bar 18 into surface contact with other bus bars 20 and 24 made of an aluminum alloy, and welding or bolting. It is out.

(構造)
次に、本発明の実施形態に係る電流検出装置1について、より詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る電流検出装置1は、図3に示すように、箱状の筐体2と、幅が狭い板状のシャント構造体3と、図2に示すように、板状の検出回路4とを備えている。
(Construction)
Next, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention will be described in more detail.
As shown in FIG. 3, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a box-shaped housing 2, a narrow plate-shaped shunt structure 3, and a plate-shaped housing 2 as illustrated in FIG. 2. And a detection circuit 4.

(筐体)
筐体2は、上面が開放された箱状に形成された箱体5と、箱体5の開放された上面を塞ぐ蓋体6とを備えている。箱体5及び蓋体6の材料としては、絶縁樹脂が用いられている。箱体5内には、図2に示すように、箱体5内の空間を、シャント構造体3を収容する下部空間7(広義には、「第1空間」)と、検出回路4を収容する上部空間8(広義には、「第2空間」)との2つの空間に区画する内部隔壁9が箱体5と一体に設けられている。
(Casing)
The housing 2 includes a box 5 formed in a box shape with an open upper surface, and a lid 6 that closes the opened upper surface of the box 5. Insulating resin is used as the material of the box 5 and the lid 6. In the box 5, as shown in FIG. 2, a space in the box 5 is accommodated in a lower space 7 (“first space” in a broad sense) that houses the shunt structure 3 and a detection circuit 4. An internal partition wall 9 that is divided into two spaces, an upper space 8 (in a broad sense, “second space”), is provided integrally with the box 5.

下部空間7は、シャント構造体3を収容するために、箱体5の長手方向の一方の側面に開口部10を有し、他方の側面方向に伸びている凹状となっている。下部空間7の断面形状は、上下方向に狭く、左右方向に広いスリット状となっている。また、下部空間7の開口部10から凹状の底面までの長さは、第1バスバ15とシャント抵抗16と第2バスバ18の一部とを収容可能な長さとなっている。即ち、下部空間7にシャント構造体3を収容した状態で、開口部10から第2バスバ18の端部が突き出る長さになっている。また上部空間8は、検出回路4を収容可能となるように上面が開放された箱状となっている。   In order to accommodate the shunt structure 3, the lower space 7 has an opening 10 on one side surface in the longitudinal direction of the box 5 and has a concave shape extending in the other side surface direction. The cross-sectional shape of the lower space 7 is a slit shape that is narrow in the vertical direction and wide in the horizontal direction. The length from the opening 10 of the lower space 7 to the concave bottom surface is a length that can accommodate the first bus bar 15, the shunt resistor 16, and a part of the second bus bar 18. That is, the end of the second bus bar 18 protrudes from the opening 10 in a state where the shunt structure 3 is accommodated in the lower space 7. The upper space 8 has a box shape with an upper surface opened so that the detection circuit 4 can be accommodated.

内部隔壁9には、図4に示すように、収容されたシャント構造体3の第1電極端子11を通す第1貫通孔12と、シャント構造体3の第2電極端子13を通す第2貫通孔14とが形成されている。第1電極端子11及び第2電極端子13は、シャント構造体3と検出回路4とを接続するための電極端子である。第1貫通孔12の断面形状は、第1貫通孔12の内周面が第1電極端子11と接触せず、且つ、内部隔壁9が第1バスバ15とシャント抵抗16との第1接続部17の周囲を覆うように、第1接続部17と重なる部分が欠けた円状になっている。第2貫通孔14の断面形状は、第2貫通孔14の内周面が第2電極端子13と接触せず、且つ、内部隔壁9が第2バスバ18とシャント抵抗16との第2接続部19の周囲を覆うように、第2接続部19と重なる部分が欠けた円状になっている。   As shown in FIG. 4, the inner partition wall 9 has a first through hole 12 through which the first electrode terminal 11 of the housed shunt structure 3 passes and a second through hole through which the second electrode terminal 13 of the shunt structure 3 passes. A hole 14 is formed. The first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 are electrode terminals for connecting the shunt structure 3 and the detection circuit 4. The cross-sectional shape of the first through-hole 12 is such that the inner peripheral surface of the first through-hole 12 is not in contact with the first electrode terminal 11 and the internal partition wall 9 is the first connection portion between the first bus bar 15 and the shunt resistor 16. A portion overlapping with the first connection portion 17 is formed in a circular shape so as to cover the periphery of the portion 17. The cross-sectional shape of the second through hole 14 is such that the inner peripheral surface of the second through hole 14 is not in contact with the second electrode terminal 13, and the internal partition wall 9 is the second connection portion between the second bus bar 18 and the shunt resistor 16. A portion overlapping the second connecting portion 19 is formed in a circular shape so as to cover the periphery of the portion 19.

また、箱体5の下部空間7よりも下側には、図5に示すように、バッテリポスト端子20を収容するために、箱体5の短手方向の一方の側面に開口部を有し、他方の側面方向に伸びている凹部21が設けられている。バッテリポスト端子20は、電動車両の車載バッテリのバッテリポストに接続される電極端子である。電動車両の車載バッテリは、一般に48[V]等の高圧、1[A]等の大電流を発生する。バッテリポスト端子20の材料としては、軽量化や低コスト化の点から、アルミ合金が用いられる。凹部21の断面形状は、上下方向に狭く、左右方向に広いスリット状となっている。また、凹部21は、バッテリポスト端子20と第1バスバ15とが接続されるように、下部空間7と繋がっている。   Further, as shown in FIG. 5, an opening is provided on one side surface in the short direction of the box 5 below the lower space 7 of the box 5 in order to accommodate the battery post terminal 20. A recess 21 extending in the other side surface direction is provided. The battery post terminal 20 is an electrode terminal connected to the battery post of the on-vehicle battery of the electric vehicle. A battery mounted on an electric vehicle generally generates a high voltage such as 48 [V] and a large current such as 1 [A]. As a material of the battery post terminal 20, an aluminum alloy is used from the viewpoint of weight reduction and cost reduction. The cross-sectional shape of the recess 21 is a slit shape that is narrow in the vertical direction and wide in the left-right direction. Further, the recess 21 is connected to the lower space 7 so that the battery post terminal 20 and the first bus bar 15 are connected.

また、箱体5の長手方向の側面のうち、開口部10が設けられている側面と反対側の側面には、円筒状のコネクタ22が形成されている。コネクタ22内部には、上部空間8から伸びている出力端子23が設けられている。出力端子23は、検出回路4と外部の装置とを接続するための端子である。外部の装置としては、ECU等(engine control unit)のコンピュータが挙げられる。出力端子23の材料としては銅合金が用いられている。   A cylindrical connector 22 is formed on the side surface of the box 5 in the longitudinal direction on the side surface opposite to the side surface on which the opening 10 is provided. An output terminal 23 extending from the upper space 8 is provided inside the connector 22. The output terminal 23 is a terminal for connecting the detection circuit 4 and an external device. An example of the external device is a computer such as an ECU (engine control unit). A copper alloy is used as the material of the output terminal 23.

(シャント構造体)
シャント構造体3は、図1に示すように、シャント抵抗16と、シャント抵抗16の両端のそれぞれに接続された第1バスバ15及び第2バスバ18とを備えている。シャント構造体3全体は、第1バスバ15、シャント抵抗16及び板状の第2バスバ18が並んでいる方向に細長く形成されている。シャント構造体3は、図2に示すように、下部空間7の開口部10から第2バスバ18の端部が突き出すように、下部空間7に第1バスバ15とシャント抵抗16と第2バスバ18の一部とが収容される。収容された第1バスバ15は、バッテリポスト端子20(以下、「他のバスバ20」とも呼ぶ)に接続される。また、突き出ている第2バスバ18は、電流検出装置1を車両搭載する際に、図示を省略した接地ライン等に接続されている他のバスバ24に接続される。他のバスバ24の材料としては、他のバスバ20と同様に、軽量化や低コスト化の点からアルミ合金が用いられる。
(Shunt structure)
As shown in FIG. 1, the shunt structure 3 includes a shunt resistor 16 and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16. The entire shunt structure 3 is elongated in the direction in which the first bus bar 15, the shunt resistor 16 and the plate-like second bus bar 18 are arranged. As shown in FIG. 2, the shunt structure 3 includes a first bus bar 15, a shunt resistor 16, and a second bus bar 18 in the lower space 7 so that the end of the second bus bar 18 protrudes from the opening 10 of the lower space 7. Part of the house. The accommodated first bus bar 15 is connected to a battery post terminal 20 (hereinafter also referred to as “another bus bar 20”). The protruding second bus bar 18 is connected to another bus bar 24 connected to a ground line or the like (not shown) when the current detection device 1 is mounted on the vehicle. As the material of the other bus bar 24, an aluminum alloy is used from the viewpoint of weight reduction and cost reduction as with the other bus bar 20.

シャント抵抗16の材料としては、銅(Cu)、マンガン(Mn)及びスズ(Sn)等を含む銅合金が用いられる。また、第1バスバ15及び第2バスバ18の材料としては、純アルミ又はアルミ合金が用いられる。純アルミ又はアルミ合金を用いることにより、第1バスバ15及び第2バスバ18をアルミ合金からなる他のバスバ20、24に接続しても、同種の金属が接触するだけであるため、異種金属接触による電気腐食を防止可能となっている。アルミ合金としては、1000系、3000系等、様々なアルミ合金を採用できる。   As a material of the shunt resistor 16, a copper alloy containing copper (Cu), manganese (Mn), tin (Sn), or the like is used. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure aluminum or aluminum alloy. By using pure aluminum or an aluminum alloy, even if the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are connected to other bus bars 20 and 24 made of an aluminum alloy, only the same kind of metal comes into contact. It is possible to prevent electrical corrosion due to. Various aluminum alloys such as 1000 series and 3000 series can be adopted as the aluminum alloy.

シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17、及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19は、例えば、図5(a)に示すように、端部同士を上下に重ね合わせ、端部同士を面接触させた溶接接続又はロウ付け接続で構成する方法、図5(b)に示すように、端面同士を突き合わせた溶接接続又はロウ付け接続で構成する方法を採用できる。図5(a)、図5(b)では、一例として、ロウ付け接続で構成する方法を示している。ロウ付け接続とは、接続対象の部材(シャント抵抗16、第1バスバ15、第2バスバ18)よりも融点の低いロウ41を溶融させて接着剤として用いることにより、部材を溶融させずに、部材同士を接続させる「ロウ付け」で接続されて構成されるものである。ロウ41としては、例えば、スズ(Sn)が含有されたものや、スズ(Sn)及び亜鉛(Zn)が含有されたものが好ましい。スズが含有されたロウ41、又はスズ及び亜鉛が含有されたロウ41を用いる場合、図6に示すように、第1バスバ15のシャント抵抗16との接続面、及び第2バスバ18の前記シャント抵抗との接続面に、スズが含有されたメッキ層42を設けることが好ましい。メッキ層42を設けることにより、第1バスバ15及び第2バスバ18にロウ41が馴染みやすくロウ付け接続を容易に実現できる。   As shown in FIG. 5A, for example, the first connection part 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the second connection part 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are connected to each other. A method of configuring by welding connection or brazing connection in which the end surfaces are brought into surface contact with each other, as shown in FIG. 5B, a method of configuring by welding connection or brazing connection in which the end surfaces are butted together. Can be adopted. FIGS. 5A and 5B show a method of configuring by brazing connection as an example. Brazing connection means melting a solder 41 having a melting point lower than that of a member to be connected (shunt resistor 16, first bus bar 15, second bus bar 18) and using it as an adhesive without melting the member. It is configured to be connected by “brazing” for connecting members. As the wax 41, for example, one containing tin (Sn) or one containing tin (Sn) and zinc (Zn) is preferable. When using the solder 41 containing tin or the solder 41 containing tin and zinc, as shown in FIG. 6, the connection surface with the shunt resistor 16 of the first bus bar 15 and the shunt of the second bus bar 18. It is preferable to provide a plating layer 42 containing tin on the connection surface with the resistor. By providing the plating layer 42, the brazing 41 is easily adapted to the first bus bar 15 and the second bus bar 18, and the brazing connection can be easily realized.

第1バスバ15の接続面、第2バスバ18の接続面としては、端部同士が上下に重ね合わせられて面接触する場合にはシャント抵抗16と接触する端部の上面又は下面が挙げられ、端面同士が突き合わされる場合にはシャント抵抗16と接触する端面が挙げられる。
メッキ層42は、第1バスバ15及び第2バスバ18の表面に、下地層43及び最外層44がこの順に積層されて形成されている。下地層43の材料としては、例えば、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)の1つ又は複数を含む合金又は化合物を用いることができる。最外層44の材料としては、例えば、スズを用いることができる。メッキ層42の厚みとしては、例えば100nm以上10μm以下が好ましい。
The connection surface of the first bus bar 15 and the connection surface of the second bus bar 18 include the upper surface or the lower surface of the end portion that comes into contact with the shunt resistor 16 when the end portions overlap each other and make surface contact. When the end faces are abutted with each other, an end face that comes into contact with the shunt resistor 16 is exemplified.
The plating layer 42 is formed by laminating a base layer 43 and an outermost layer 44 in this order on the surfaces of the first bus bar 15 and the second bus bar 18. Examples of the material of the base layer 43 include nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), An alloy or compound containing one or more of molybdenum (Mo) and niobium (Nb) can be used. As a material of the outermost layer 44, for example, tin can be used. The thickness of the plating layer 42 is preferably, for example, 100 nm or more and 10 μm or less.

ここで、メッキ層42の有無を検知する方法としては、例えば、ロウ付けされたシャント抵抗16とバスバ(第1バスバ15、第2バスバ18)との間におけるスズの含有濃度の濃度勾配等を検出し、検出した濃度勾配等基に検知する方法を採用することができる。
また、スズが含有されたロウ41を用いる場合、シャント抵抗16の材料として、スズが含有された銅合金を用いることが好ましい。例えば、シャント抵抗16の全質量に対して、銅(Cu)を約90質量%、マンガン(Mn)を約6〜8質量%、スズ(Sn)を約2〜3質量%含むものを用いる。シャント抵抗16の材料としてスズが含有された銅合金を用いることにより、シャント抵抗16にロウ41が馴染みやすく、ロウ付けを容易に実行できる。
Here, as a method for detecting the presence or absence of the plated layer 42, for example, a concentration gradient of tin content between the brazed shunt resistor 16 and the bus bar (first bus bar 15 and second bus bar 18) is used. A method of detecting and detecting based on the detected concentration gradient or the like can be employed.
Further, when using the solder 41 containing tin, it is preferable to use a copper alloy containing tin as the material of the shunt resistor 16. For example, a material containing about 90% by mass of copper (Cu), about 6-8% by mass of manganese (Mn), and about 2-3% by mass of tin (Sn) with respect to the total mass of the shunt resistor 16 is used. By using a copper alloy containing tin as the material of the shunt resistor 16, the solder 41 can be easily adapted to the shunt resistor 16, and brazing can be easily performed.

さらに、シャント抵抗16とバスバ(第1バスバ15、第2バスバ18)とをロウ付けで接続させることにより、溶接で接続させる方法と異なり、シャント抵抗16とバスバ(第1バスバ15、第2バスバ18)とが接続部で合金化せずに済み、また、溶接熱影響部(HAZ)を生じないため、安定的に品質の高いシャント構造体3を形成できる。
また、溶接の方法としては、電子ビーム溶接、レーザービーム溶接等が挙げられる。また、シャント抵抗16、第1バスバ15及び第2バスバ18間を溶接で接続する場合にも、シャント抵抗16の材料としてスズが含有された銅合金を用いることで、スズが含有されていない銅合金を用いる場合に比べ、溶接熱影響部(HAZ)の領域が少なくて済む。
Further, unlike the method of connecting the shunt resistor 16 and the bus bar (first bus bar 15 and second bus bar 18) by brazing, the shunt resistor 16 and the bus bar (first bus bar 15 and second bus bar 18) are connected. 18) does not need to be alloyed at the connecting portion, and does not produce a weld heat affected zone (HAZ), so that the high-quality shunt structure 3 can be stably formed.
Examples of the welding method include electron beam welding and laser beam welding. Further, when the shunt resistor 16, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are connected by welding, a copper alloy containing tin is used as the material of the shunt resistor 16, so that copper containing no tin is used. Compared to the case where an alloy is used, the area of the weld heat affected zone (HAZ) can be reduced.

また、第1バスバ15と他のバスバ20との接続方法、及び第2バスバ18と他のバスバ24との接続方法としては、例えば、端面同士を突き合わせたり、端部同士を上下に重ねたりして、端部同士を面接触させて溶接する方法が用いられる。端部同士を面接触させて溶接することにより、ボルト締結する方法と異なり、第1バスバ15、第2バスバ18及び他のバスバ20、24、つまり純アルミ又はアルミ合金製のバスバを締め付ける力を生じない。それゆえ、純アルミ又はアルミ合金製のバスバの破損を防止可能となっている。
なお、本実施形態では、第1バスバ15と他のバスバ20との接続方法、及び第2バスバ18と他のバスバ24との接続方法として、端部同士を面接触させて溶接する方法を用いる例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、端部同士を上下に重ねてボルト締結する方法を用いることができる。端部同士を上下に重ねてボルト締結する方法によれば、溶接する方法と異なり、溶接用の特殊な機材が必要なく、接続に要する手間を軽減できる。
Moreover, as a connection method between the first bus bar 15 and the other bus bar 20 and a connection method between the second bus bar 18 and the other bus bar 24, for example, the end surfaces are abutted with each other or the end portions are overlapped with each other. Then, a method is used in which the end portions are brought into surface contact and welded. Unlike the method of fastening bolts by bringing the ends into surface contact and welding, the force for fastening the first bus bar 15, the second bus bar 18, and the other bus bars 20, 24, that is, a pure aluminum or aluminum alloy bus bar. Does not occur. Therefore, it is possible to prevent damage to the bus bar made of pure aluminum or aluminum alloy.
In the present embodiment, as a method for connecting the first bus bar 15 and the other bus bar 20 and a method for connecting the second bus bar 18 and the other bus bar 24, a method of welding the end portions in surface contact is used. Although an example is shown, other configurations may be employed. For example, it is possible to use a method in which the ends are overlapped with each other and bolted together. According to the method in which the ends are overlapped with each other and bolted, unlike the welding method, no special equipment for welding is required, and the labor required for connection can be reduced.

また、第1接続部17及び第2接続部19の表面は、図2に示すように、内部隔壁9のうちの第1貫通孔12と第2貫通孔14との間の隔壁残部25と、箱体5の底面及び側面とで密着して覆われている。即ち、隔壁残部25、箱体5の底面及び側面が、第1接続部17及び第2接続部19の周囲を覆う絶縁樹脂製のカバー26を形成している。カバー26では、後述する電流検出装置1の製造方法に示すように、第1接続部17及び第2接続部19の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている。第1接続部17及び第2接続部19の周囲をカバー26でコーティングして覆うことにより、結露等で生じた水が第1接続部17及び第2接続部19の周囲に接触することを防止できる。それゆえ、第1接続部17及び第2接続部19で、アルミ合金及び銅合金の異種金属が接触したとしても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制可能となっている。   Further, as shown in FIG. 2, the surfaces of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 have a partition wall remaining portion 25 between the first through hole 12 and the second through hole 14 in the internal partition wall 9, and The box 5 is covered and covered with the bottom and side surfaces. That is, the remaining partition wall 25 and the bottom and side surfaces of the box 5 form an insulating resin cover 26 that covers the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. In the cover 26, as shown in a method for manufacturing the current detection device 1 described later, the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 is coated with an insulating resin. By covering the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 with the cover 26, water generated by condensation or the like is prevented from coming into contact with the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. it can. Therefore, even if different metals such as an aluminum alloy and a copper alloy come into contact with each other at the first connection portion 17 and the second connection portion 19, since ionization by water is prevented, it is possible to suppress electric corrosion due to the contact with different metals. ing.

第1バスバ15の上面のうちの第1貫通孔12と対向する第1領域27には、図4に示すように、U字状の第1電極端子11の互いに平行な2本の直線部28、29が上方に向けられ、U字状の第1電極端子11の中間部30の底面が接続されている。第1電極端子11は、第1貫通孔12の内周面から離間され、第1電極端子11が第1貫通孔12の内周面と接触しない位置に接続されている。また、第2バスバ18の上面のうちの第2貫通孔14と対向する第2領域31には、U字状の第2電極端子13の互いに平行な2本の直線部32、33が上方に向けられ、U字状の第2電極端子13の中間部34の底面が接続されている。第2電極端子13は、第2貫通孔14の内周面から離間され、第2電極端子13が第2貫通孔14の内周面と接触しない位置に接続されている。これにより、外力等でシャント構造体3と筐体2とが相対移動しても、第1貫通孔12の内周面と第1電極端子11との直接衝突や、第2貫通孔14の内周面と第2電極端子13との直接衝突を防止できる。そして第1電極端子11及び第2電極端子13の破損を抑制可能となっている。
第1電極端子11と第1バスバ15との接続方法、及び第2電極端子13と第2バスバ18との接続方法としては、例えば、上下に重ね合わせて溶接する方法を採用できる。
In the first region 27 facing the first through hole 12 on the upper surface of the first bus bar 15, as shown in FIG. 4, two linear portions 28 of the U-shaped first electrode terminal 11 that are parallel to each other. 29 are directed upward and the bottom surface of the intermediate portion 30 of the U-shaped first electrode terminal 11 is connected. The first electrode terminal 11 is separated from the inner peripheral surface of the first through hole 12, and is connected to a position where the first electrode terminal 11 does not contact the inner peripheral surface of the first through hole 12. In addition, in the second region 31 facing the second through hole 14 on the upper surface of the second bus bar 18, the two straight portions 32 and 33 parallel to each other of the U-shaped second electrode terminal 13 are upward. The bottom surface of the intermediate part 34 of the U-shaped second electrode terminal 13 is connected. The second electrode terminal 13 is separated from the inner peripheral surface of the second through hole 14, and is connected to a position where the second electrode terminal 13 is not in contact with the inner peripheral surface of the second through hole 14. Thereby, even if the shunt structure 3 and the housing 2 are relatively moved by an external force or the like, a direct collision between the inner peripheral surface of the first through-hole 12 and the first electrode terminal 11, A direct collision between the peripheral surface and the second electrode terminal 13 can be prevented. And damage to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 can be suppressed.
As a method for connecting the first electrode terminal 11 and the first bus bar 15 and a method for connecting the second electrode terminal 13 and the second bus bar 18, for example, a method of superimposing them vertically and welding them can be adopted.

また、第1バスバ15の上面の第1領域27には、第1バスバ15と第1電極端子11との第3接続部35の周囲を密着して覆うように、絶縁樹脂製の第1端子カバー36が形成されている。また第2バスバ18の上面の第2領域31には、第2バスバ18と第2電極端子13との第4接続部37の周囲を密着して覆うように、絶縁樹脂製の第2端子カバー38が形成されている。第1端子カバー36及び第2端子カバー38の形成方法としては、第3接続部35及び第4接続部37の周囲を絶縁樹脂でコーティングする方法が用いられる。第3接続部35及び第4接続部37の周囲を第1端子カバー36及び第2端子カバー38でコーティングすることにより、結露等で生じた水が第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲に接触することを防止できる。それゆえ、第3接続部35及び第4接続部37のそれぞれで、アルミ合金及び銅合金の異種金属が接触したとしても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制可能となっている。   In addition, the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15 has a first terminal made of insulating resin so as to closely cover the periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11. A cover 36 is formed. Further, a second terminal cover made of insulating resin is provided in the second region 31 on the upper surface of the second bus bar 18 so as to closely cover the periphery of the fourth connecting portion 37 between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13. 38 is formed. As a method of forming the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, a method of coating the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 with an insulating resin is used. By coating the periphery of the third connection part 35 and the fourth connection part 37 with the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, water generated by dew condensation or the like is generated around the third connection part 35 and the fourth connection part. 37 can be prevented from contacting the periphery. Therefore, even if different metals such as aluminum alloy and copper alloy contact with each other at the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37, ionization by water is prevented, so that electric corrosion due to contact with different metals can be suppressed. It has become.

第1端子カバー36及び第2端子カバー38の絶縁樹脂、つまり第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングしている絶縁樹脂としては、箱体5を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂が用いられている。特に、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングしている絶縁樹脂としては、カバー26を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い(軟らかい)樹脂が好ましい。弾性率が低い絶縁樹脂とすることにより、シャント構造体3と筐体2とが相対移動し、第1貫通孔12の内周面で第1端子カバー36が押され、第2貫通孔14の内周面で第2電極端子13が押されても、押圧力を第1端子カバー36や第2端子カバー38で吸収できる。そして、第1端子カバー36から第1電極端子11への力の伝達や、第2端子カバー38から第2電極端子13への力の伝達を抑制でき、第1電極端子11及び第2電極端子13の破損を防止可能となっている。   As the insulating resin of the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, that is, the insulating resin coating the periphery of the third connecting portion 35 and the periphery of the fourth connecting portion 37, the insulating resin constituting the box 5 Different insulating resins are used. In particular, as the insulating resin coating the periphery of the third connecting portion 35 and the periphery of the fourth connecting portion 37, a resin having a lower elastic modulus (softer) than the insulating resin constituting the cover 26 is preferable. By using an insulating resin having a low elastic modulus, the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other, the first terminal cover 36 is pushed on the inner peripheral surface of the first through hole 12, and the second through hole 14 Even if the second electrode terminal 13 is pressed on the inner peripheral surface, the pressing force can be absorbed by the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38. The transmission of force from the first terminal cover 36 to the first electrode terminal 11 and the transmission of force from the second terminal cover 38 to the second electrode terminal 13 can be suppressed, and the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal can be suppressed. 13 can be prevented from being damaged.

(検出回路)
検出回路4は、図2に示すように、一方の面を上方に向け、他方の面を下方に向けて上部空間8に収容され、シャント構造体3の第1電極端子11及び第2電極端子13、並びに、コネクタ22の出力端子23に接続されている。そして、検出回路4は、第1電極端子11及び第2電極端子13を介してパルス放電を行い、パルス放電によってシャント抵抗16に流れた電流の大きさ等を第1電極端子11及び第2電極端子13を介して検出する。また、検出回路4は、検出結果を出力端子23を介して外部の装置に出力する。
(Detection circuit)
As shown in FIG. 2, the detection circuit 4 is accommodated in the upper space 8 with one surface facing upward and the other surface facing downward, and the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal of the shunt structure 3. 13 and the output terminal 23 of the connector 22. Then, the detection circuit 4 performs pulse discharge through the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13, and determines the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16 by the pulse discharge, and the like. Detection is performed via the terminal 13. The detection circuit 4 outputs the detection result to an external device via the output terminal 23.

(製造方法)
次に、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法について説明する。
まず、シャント構造体3に対して、筐体2を一体に形成する。筐体2の形成方法としては、例えば、インサート成形法を採用できる。インサート成形法では、まず、第1バスバ15をバッテリポスト端子20に面接触させて溶接する。続いて、箱体5の成形金型にシャント構造体3、バッテリポスト端子20及び出力端子23を装填する。続いて、箱体5の成形金型内に絶縁樹脂を注入し、注入した絶縁樹脂を硬化させ、図7に示すように、シャント構造体3、バッテリポスト端子20及び出力端子23に箱体5を一体に形成する。
(Production method)
Next, a manufacturing method of the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention will be described.
First, the housing 2 is formed integrally with the shunt structure 3. As a method for forming the housing 2, for example, an insert molding method can be employed. In the insert molding method, first, the first bus bar 15 is brought into surface contact with the battery post terminal 20 and welded. Subsequently, the shunt structure 3, the battery post terminal 20, and the output terminal 23 are loaded into the molding die of the box 5. Subsequently, an insulating resin is injected into the molding die of the box 5, the injected insulating resin is cured, and the box 5 is attached to the shunt structure 3, the battery post terminal 20, and the output terminal 23 as shown in FIG. 7. Are integrally formed.

即ち、箱体5として、下部空間7、上部空間8、及び内部隔壁9を有する絶縁樹脂製の樹脂成形体を、下部空間7にシャント構造体3が収容され、凹部21にバッテリポスト端子20が収容され、コネクタ22に出力端子23が収容された状態で形成する。これにより、電流検出装置1の筐体2の一部、つまり、隔壁残部25、箱体5の底面及び側面が、シャント構造体3に密着して第1接続部17及び第2接続部19の周囲を覆って、第1接続部17及び第2接続部19の周囲が絶縁樹脂でコーティングされる。そして、第1接続部17及び第2接続部19の周囲を密着して覆う絶縁樹脂製のカバー26が形成される。   That is, as a box 5, a resin molded body made of an insulating resin having a lower space 7, an upper space 8, and an internal partition wall 9, a shunt structure 3 is accommodated in the lower space 7, and a battery post terminal 20 is placed in the recess 21. The connector 22 is formed in a state where the output terminal 23 is accommodated in the connector 22. Thereby, a part of the housing 2 of the current detection device 1, that is, the partition wall remaining portion 25, the bottom surface and the side surface of the box 5 are in close contact with the shunt structure 3, and the first connection portion 17 and the second connection portion 19. The periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 is coated with an insulating resin so as to cover the periphery. Then, a cover 26 made of insulating resin is formed to cover the first connection portion 17 and the second connection portion 19 in close contact with each other.

続いて、図8に示すように、第1バスバ15の上面の第1領域27に第1電極端子11を接続する。同様に、第2バスバ18の上面の第2領域31に第2電極端子13を接続する。その際、第1電極端子11と第1貫通孔12の内周面とが離間し、第2電極端子13と第2貫通孔14の内周面とが離間するように、第1電極端子11及び第2電極端子13の接続位置を決定する。第1バスバ15と第1電極端子11との接続方法、及び第2バスバ18と第2電極端子13との接続方法としては、上下に重ねて溶接する方法を採用できる。   Subsequently, as shown in FIG. 8, the first electrode terminal 11 is connected to the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15. Similarly, the second electrode terminal 13 is connected to the second region 31 on the upper surface of the second bus bar 18. At that time, the first electrode terminal 11 and the inner peripheral surface of the first through hole 12 are separated from each other, and the second electrode terminal 13 and the inner peripheral surface of the second through hole 14 are separated from each other. And the connection position of the 2nd electrode terminal 13 is determined. As a connection method between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and a connection method between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13, a method of overlapping and welding can be employed.

続いて、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のそれぞれを絶縁樹脂でコーティングして、第3接続部35及び第4接続部37の周囲を密着して覆う絶縁樹脂製の第1端子カバー36及び第2端子カバー38を形成する。具体的には、まず、第1バスバ15の上面の第1領域27と第1貫通孔12の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填する。続いて、充填した絶縁樹脂を硬化させ、図9に示すように、第3接続部35の周囲をコーティングすることで、第1端子カバー36を形成する。同様に、第2バスバ18の上面の第2領域31と第2貫通孔14の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填する。続いて、充填した絶縁樹脂を硬化させ、第4接続部37の周囲をコーティングすることで、第2端子カバー38を形成する。第1端子カバー36及び第2端子カバー38の形成用の絶縁樹脂、つまり、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングする絶縁樹脂としては、筐体2を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂を採用できる。特に、カバー26を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂が好適である。   Subsequently, each of the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 is coated with an insulating resin, and the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 is adhered and covered. A first terminal cover 36 and a second terminal cover 38 are formed. Specifically, first, a liquid insulating resin is filled in a space surrounded by the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15 and the inner peripheral surface of the first through hole 12. Subsequently, the filled insulating resin is cured, and the first terminal cover 36 is formed by coating the periphery of the third connection portion 35 as shown in FIG. Similarly, a liquid insulating resin is filled in a space surrounded by the second region 31 on the upper surface of the second bus bar 18 and the inner peripheral surface of the second through hole 14. Subsequently, the filled insulating resin is cured, and the periphery of the fourth connection portion 37 is coated, thereby forming the second terminal cover 38. As the insulating resin for forming the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, that is, the insulating resin that coats the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37, the insulation constituting the housing 2 is used. An insulating resin different from the resin can be used. In particular, an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin constituting the cover 26 is suitable.

続いて、図2に示すように、箱体5の上部空間8に検出回路4を収容し、収容した検出回路4に第1電極端子11、第2電極端子13、及び出力端子23を接続する。続いて、箱体5の開放された上面を蓋体6で塞ぐ。これにより、電流検出装置1が形成される。
電流検出装置1を形成した後、シャント構造体3の第2バスバ18を、接地ライン等に接続されている他のバスバ24に面接触させて溶接する。また、出力端子23をECU等の外部の装置に接続する。これにより、電動車両に電流検出装置1を搭載させる。
なお、第2バスバ18と他のバスバ24との接続方法としては、ボルト締結する方法を用いてもよい。また、第1バスバ15と他のバスバ20との接続方法も同様である。
Subsequently, as shown in FIG. 2, the detection circuit 4 is accommodated in the upper space 8 of the box 5, and the first electrode terminal 11, the second electrode terminal 13, and the output terminal 23 are connected to the accommodated detection circuit 4. . Subsequently, the opened upper surface of the box 5 is closed with the lid 6. Thereby, the electric current detection apparatus 1 is formed.
After forming the current detection device 1, the second bus bar 18 of the shunt structure 3 is brought into surface contact with another bus bar 24 connected to a ground line or the like and welded. Further, the output terminal 23 is connected to an external device such as an ECU. Thereby, the electric current detection apparatus 1 is mounted in an electric vehicle.
In addition, as a connection method between the second bus bar 18 and the other bus bar 24, a bolt fastening method may be used. The connection method between the first bus bar 15 and the other bus bars 20 is also the same.

以上のように、本発明の実施形態に係るシャント構造体3及び電流検出装置1では、第1バスバ15及び第2バスバ18が、純アルミ又はアルミ合金からなるものとした。それゆえ、シャント構造体3の第1バスバ15及び第2バスバ18をアルミ合金からなる他のバスバ20、24に接続しても、同種の金属が接触するだけである。それゆえ、異種金属接触による電気腐食を防止可能なシャント構造体3及び電流検出装置1を提供できる。
また、シャント抵抗16及び第1バスバ15、並びにシャント抵抗16及び第2バスバ18のそれぞれは、ロウ付けで接続されている構成とした。それゆえ、例えば、シャント抵抗16とバスバ(第1バスバ15、第2バスバ18)とを溶接で接続させる方法と異なり、シャント抵抗16とバスバが接続部で合金化せずに済み、また、溶接熱影響部(HAZ)を生じないため、品質の高いシャント構造体3を安定的に形成することができる。
As described above, in the shunt structure 3 and the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure aluminum or an aluminum alloy. Therefore, even if the first bus bar 15 and the second bus bar 18 of the shunt structure 3 are connected to other bus bars 20 and 24 made of an aluminum alloy, only the same kind of metal comes into contact therewith. Therefore, it is possible to provide the shunt structure 3 and the current detection device 1 that can prevent the electric corrosion due to the contact with different metals.
The shunt resistor 16 and the first bus bar 15, and the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are connected by brazing. Therefore, for example, unlike the method in which the shunt resistor 16 and the bus bar (the first bus bar 15 and the second bus bar 18) are connected by welding, the shunt resistor 16 and the bus bar need not be alloyed at the connection portion, and welding is also possible. Since no heat affected zone (HAZ) is generated, the high-quality shunt structure 3 can be stably formed.

ちなみに、例えば、シャント抵抗16とバスバ(第1バスバ15、第2バスバ18)とが溶接で接続されている構成とした場合、シャント抵抗16とバスバとが接続部で合金化し、また、溶接熱影響部(HAZ)を生じるために、シャント構造体3の品質が不安定となり、製品間の品質のバラツキが大きくなる。また、抵抗性能の経年安定性が低下する。
さらに、ロウ付け接続を構成するロウ41がスズを含有し、第1バスバ15のシャント抵抗16との接続面、及び第2バスバ18のシャント抵抗16との接続面に、スズを含有するメッキ層42を有する構成とした。それゆえ、第1バスバ15及び第2バスバ18にロウ41が馴染みやすく、ロウ付け接続を容易に実現することができる。
For example, when the shunt resistor 16 and the bus bar (the first bus bar 15 and the second bus bar 18) are connected by welding, the shunt resistor 16 and the bus bar are alloyed at the connection portion, Since the influence part (HAZ) is generated, the quality of the shunt structure 3 becomes unstable, and the quality variation between products increases. In addition, the aging stability of the resistance performance decreases.
Further, the solder 41 constituting the brazing connection contains tin, and a plating layer containing tin is formed on the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16 and the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16. 42. Therefore, the row 41 is easy to become familiar with the first bus bar 15 and the second bus bar 18, and the brazed connection can be easily realized.

また、シャント抵抗16が、スズを含有する銅合金からなる構成とした。それゆえ、シャント抵抗16にロウ41が馴染みやすく、ロウ付け接続を容易に実現することができる。また、スズを含有するため、シャント構造体3の温度係数(TCR)の絶対値を低くすることができ、例えば、±50ppm以下とすることができる。さらに、シャント構造体3の体積抵抗率(ρ)を低くすることができ、例えば、0.35μΩ・m以下とすることができる。ちなみに、例えば、シャント抵抗16の材料として、スズを含まず、銅、マンガン及びニッケルを含む銅合金が用いられている場合には、シャント構造体3の体積抵抗率(ρ)が大きく、0.4μΩ・m以上となり、またシャント構造体3の体積が大きくなる。   The shunt resistor 16 is made of a copper alloy containing tin. Therefore, the solder 41 can be easily adapted to the shunt resistor 16, and the brazing connection can be easily realized. Moreover, since tin is contained, the absolute value of the temperature coefficient (TCR) of the shunt structure 3 can be lowered, for example, ± 50 ppm or less. Furthermore, the volume resistivity (ρ) of the shunt structure 3 can be lowered, for example, 0.35 μΩ · m or less. Incidentally, for example, when a copper alloy containing copper, manganese, and nickel is used as the material of the shunt resistor 16, the volume resistivity (ρ) of the shunt structure 3 is large. 4 μΩ · m or more, and the volume of the shunt structure 3 is increased.

さらに、第1接続部17が、シャント抵抗16と第1バスバ15との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成され、第2接続部19が、シャント抵抗16と第2バスバ18との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成されるものとした。それゆえ、第1バスバ15、シャント抵抗16及び第2バスバ18を一枚の板状に形成することができる。
また第1接続部17が、シャント抵抗16と第1バスバ15との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成され、第2接続部19が、シャント抵抗16と第2バスバ18との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成されるものとした。それゆえ、第1バスバ15とシャント抵抗16との接触面積、第2バスバ18とシャント抵抗16との接触面積を増大でき、シャント抵抗16、第1バスバ15及び第2バスバ18を強固に接合できる。
Further, the first connection portion 17 is configured by brazing connection in which the end portions of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 are vertically overlapped, and the second connection portion 19 is formed by the shunt resistor 16 and the second bus bar 18. It is assumed that it is configured by brazing connection in which the end portions of the two are vertically overlapped. Therefore, the first bus bar 15, the shunt resistor 16, and the second bus bar 18 can be formed in a single plate shape.
Further, the first connection portion 17 is configured by brazing connection in which end surfaces of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 are abutted, and the second connection portion 19 connects end surfaces of the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 to each other. It was assumed to be composed of butted brazing connections. Therefore, the contact area between the first bus bar 15 and the shunt resistor 16 and the contact area between the second bus bar 18 and the shunt resistor 16 can be increased, and the shunt resistor 16, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 can be firmly joined. .

また、図2に示すように、シャント抵抗16と第1バスバ15との第1接続部17の周囲、及びシャント抵抗16と第2バスバ18との第2接続部19の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている構成とした。それゆえ、結露等で生じた水が第1接続部17及び第2接続部19の周囲に接触することを防止することができる。そのため、第1接続部17及び第2接続部19の周囲のそれぞれで、アルミ合金及び銅合金の異種金属が接触していても、水によるイオン化が防止され、異種金属接触による電気腐食を抑制できる。
さらに、第1接続部17の周囲、及び第2接続部19の周囲をコーティングしている絶縁樹脂を、筐体2の箱体5を構成する絶縁樹脂と一体とした。それゆえ、箱体5の形成時に、コーティングも一緒に行うことができ、コーティングに要する手間を軽減できる。
Further, as shown in FIG. 2, the periphery of the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the periphery of the second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are coated with an insulating resin. It was set as the structure. Therefore, it is possible to prevent water generated by condensation or the like from coming into contact with the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. Therefore, even if the dissimilar metals of the aluminum alloy and the copper alloy are in contact with each other around the first connecting part 17 and the second connecting part 19, ionization by water is prevented, and electric corrosion due to the dissimilar metal contact can be suppressed. .
Further, the insulating resin coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 is integrated with the insulating resin constituting the box 5 of the housing 2. Therefore, at the time of forming the box 5, coating can be performed together, and the labor required for coating can be reduced.

また、第1バスバ15と第1電極端子11との第3接続部35の周囲、及び第2バスバ18と第2電極端子13との第4接続部37の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている構成とした。それゆえ、結露等で生じた水が第3接続部35及び第4接続部37の周囲に接触することを防止できる。そのため、第3接続部35及び第4接続部37のそれぞれで、アルミ合金及び銅合金の異種金属が接触していたとしても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制できる。
さらに、第1電極端子11及び第2電極端子13と、第1貫通孔12及び第2貫通孔14の内周面とを離間させる構成とした。それゆえ、外力等でシャント構造体3と筐体2とが相対移動しても、第1貫通孔12の内周面と第1電極端子11との直接衝突や、第2貫通孔14の内周面と第2電極端子13との直接衝突を防止できる。そのため、第1電極端子11及び第2電極端子13の破損を抑制できる。
The periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and the periphery of the fourth connection portion 37 between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13 are coated with an insulating resin. The configuration. Therefore, it is possible to prevent water generated by condensation or the like from coming into contact with the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37. Therefore, even if different metals of the aluminum alloy and the copper alloy are in contact with each of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37, ionization by water is prevented, so that electric corrosion due to the contact of different metals is suppressed. it can.
Further, the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 are separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14. Therefore, even if the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other due to an external force or the like, a direct collision between the inner peripheral surface of the first through hole 12 and the first electrode terminal 11, A direct collision between the peripheral surface and the second electrode terminal 13 can be prevented. Therefore, damage to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 can be suppressed.

なお、上記実施形態では、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲のコーティングを行った後に、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のコーティングを行う例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲を絶縁樹脂でコーティングする際に、コーティングに用いた絶縁樹脂で、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲のコーティングも行うようにしてもよく、コーティングに要する手間を軽減できる。
また、第3接続部35の周囲及び第4接続部37の周囲をコーティングしている絶縁樹脂を、箱体5を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂とした。それゆえ、外力等でシャント構造体3と筐体2とが相対移動し、第1貫通孔12の内周面で第1端子カバー36が押され、第2貫通孔14の内周面で第2電極端子13が押されても、押圧力を第1端子カバー36や第2端子カバー38で吸収することができる。そのため第1端子カバー36から第1電極端子11への力の伝達や第2端子カバー38から第2電極端子13への力の伝達を抑制でき、第1電極端子11及び第2電極端子13の破損を防止できる。
In the above-described embodiment, an example of coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 after coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 is performed. Although shown, other methods can be employed. For example, when the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 are coated with an insulating resin, the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 are made of the insulating resin used for coating. Coating may also be performed, and the labor required for coating can be reduced.
The insulating resin coating the periphery of the third connecting portion 35 and the periphery of the fourth connecting portion 37 is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin constituting the box 5. Therefore, the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other by an external force, the first terminal cover 36 is pushed by the inner peripheral surface of the first through hole 12, and the first inner surface of the second through hole 14 Even if the two-electrode terminal 13 is pressed, the pressing force can be absorbed by the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38. Therefore, transmission of force from the first terminal cover 36 to the first electrode terminal 11 and transmission of force from the second terminal cover 38 to the second electrode terminal 13 can be suppressed, and the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 can be suppressed. Damage can be prevented.

さらに、第1バスバ15及び第2バスバ18が、アルミ合金からなる他のバスバ20、24に面接触して溶接又はボルト締めされている構成とした。それゆえ、第1バスバ15及び第2バスバ18と他のバスバ20、24とをより適切に接続することができる。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置1の製造方法では、箱体5のカバー26が、シャント構造体3に密着して第1接続部17及び第2接続部19の周囲を覆うように、シャント構造体3に箱体5を一体に形成するようにした。それゆえ、箱体5の形成時に、第1接続部17及び第2接続部19の周囲のコーティングも一緒に行うことができ、第1接続部17及び第2接続部19の周囲のコーティングに要する手間を軽減できる。
Furthermore, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are configured to be welded or bolted in surface contact with other bus bars 20 and 24 made of an aluminum alloy. Therefore, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 and the other bus bars 20 and 24 can be more appropriately connected.
In the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the cover 26 of the box 5 is in close contact with the shunt structure 3 so as to cover the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. In addition, the box 5 is formed integrally with the shunt structure 3. Therefore, at the time of forming the box 5, the coating around the first connection portion 17 and the second connection portion 19 can be performed together, which is necessary for the coating around the first connection portion 17 and the second connection portion 19. Can save time and effort.

(変形例)
(1)なお、上記実施形態では、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲の両方を1つの大型のカバー26で覆う例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図10に示すように、第1接続部17の周囲及び第2接続部19の周囲のそれぞれを小型のカバー39、40で個別に覆う構成としてもよい。カバー39、40は、第1接続部17及び第2接続部19の周囲及びその周辺に絶縁樹脂を塗布して形成してもよい。また、カバー39、40は、第1接続部17の周囲及びその周辺、並びに第2接続部19の周囲及びその周辺に金属をコーティングして形成するようにしてもよい。コーティングとしては、例えば、金属の薄膜を被覆するメッキ処理を採用することができる。金属としては、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)の1つ又は複数を含む合金又は化合物や、スズ(Sn)を用いることができる。
(Modification)
(1) In the above embodiment, an example in which both the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 are covered with one large cover 26 is shown, but other configurations may be adopted. it can. For example, as shown in FIG. 10, the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 may be individually covered with small covers 39 and 40. The covers 39 and 40 may be formed by applying an insulating resin around and around the first connection portion 17 and the second connection portion 19. The covers 39 and 40 may be formed by coating a metal around and around the first connecting portion 17 and around the second connecting portion 19. As the coating, for example, a plating process for coating a metal thin film can be employed. Metals include nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium An alloy or compound containing one or more of (Nb) or tin (Sn) can be used.

(2)また、上記実施形態では、第3接続部35の周囲を覆う第1端子カバー36を、第1バスバ15の上面の第1領域27と第1貫通孔12の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填して形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図10に示すように、第3接続部35の周囲及びその周辺にのみ絶縁樹脂を塗布して形成するようにしてもよい。第2端子カバー38についても同様である。なお、図10では、第1電極端子11及び第2電極端子13として、棒状の電極端子を用いた例を示している。また、第1端子カバー36、第2端子カバー38は、第3接続部35の周囲、第4接続部37の周囲及びそれらの周辺にスズ及び亜鉛が含有された金属をコーティングして形成するようにしてもよい。また、カバー39、40は、第1接続部17の周囲、第2接続部19の周囲及びそれらの周辺に金属をコーティングして形成するようにしてもよい。金属としては、ニッケル(Ni)、スズ(Sn)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)の1つ又は複数を含む合金又は化合物や、スズ(Sn)を用いることができる。 (2) Moreover, in the said embodiment, the 1st terminal cover 36 which covers the circumference | surroundings of the 3rd connection part 35 is enclosed by the 1st area | region 27 of the upper surface of the 1st bus bar 15, and the internal peripheral surface of the 1st through-hole 12. Although an example in which the space is filled with a liquid insulating resin has been shown, other configurations may be employed. For example, as shown in FIG. 10, the insulating resin may be applied and formed only around and around the third connection portion 35. The same applies to the second terminal cover 38. FIG. 10 shows an example in which rod-shaped electrode terminals are used as the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13. The first terminal cover 36 and the second terminal cover 38 are formed by coating the periphery of the third connection portion 35, the periphery of the fourth connection portion 37, and the periphery thereof with a metal containing tin and zinc. It may be. Further, the covers 39 and 40 may be formed by coating the periphery of the first connection portion 17, the periphery of the second connection portion 19, and the periphery thereof with a metal. Metals include nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium An alloy or compound containing one or more of (Nb) or tin (Sn) can be used.

(3)さらに、上記実施形態では、第1電極端子11を第1バスバ15に接続し、第2電極端子13を第2バスバ18に接続する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図11に示すように、第1電極端子11及び第2電極端子13をシャント抵抗16に接続する構成としてもよい。シャント抵抗16に接続することにより、例えば、第1バスバ15や第2バスバ18に接続する場合よりも、電流検出装置1の検出精度を向上することができる。なお、図11では、図10と同様の第1端子カバー36及び第2端子カバー38、第1電極端子11及び第2電極端子13を用いた例を示している。 (3) Further, in the above-described embodiment, the example in which the first electrode terminal 11 is connected to the first bus bar 15 and the second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18 is shown, but other configurations are adopted. You can also. For example, as shown in FIG. 11, the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 may be connected to the shunt resistor 16. By connecting to the shunt resistor 16, for example, the detection accuracy of the current detection device 1 can be improved as compared with the case of connecting to the first bus bar 15 or the second bus bar 18. FIG. 11 shows an example in which the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, the first electrode terminal 11, and the second electrode terminal 13, which are the same as those in FIG. 10, are used.

(4)また、上記実施形態では、第1バスバ15及び第2バスバ18の幅や厚みを、シャント抵抗16の幅や厚みと同一とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図12に示すように、第1バスバ15の幅及び第2バスバ18の幅を、シャント抵抗16の幅よりも大きくしてもよい。また、図13に示すように、第1バスバ15の厚み及び第2バスバ18の厚みを、シャント抵抗16の厚みよりも大きくしてもよい。第1バスバ15及び第2バスバ18の幅や厚みを、シャント抵抗16の幅や厚みよりも大きくし、第1バスバ15及び第2バスバ18をヒートシンクとして用いることにより、シャント抵抗16が発する熱を、第1バスバ15及び第2バスバ18で効率的に放熱できる。 (4) In the above embodiment, the example in which the width and thickness of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are the same as the width and thickness of the shunt resistor 16 has been described. However, other configurations may be adopted. it can. For example, as shown in FIG. 12, the width of the first bus bar 15 and the width of the second bus bar 18 may be larger than the width of the shunt resistor 16. Further, as shown in FIG. 13, the thickness of the first bus bar 15 and the thickness of the second bus bar 18 may be larger than the thickness of the shunt resistor 16. By making the width and thickness of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 larger than the width and thickness of the shunt resistor 16 and using the first bus bar 15 and the second bus bar 18 as heat sinks, heat generated by the shunt resistor 16 is generated. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 can efficiently dissipate heat.

(5)さらに、上記実施形態では、第1バスバ15の表面及び第2バスバ18の表面にメッキ層42のみを設ける例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図14に示すように、第1バスバ15のシャント抵抗16との接続面、第2バスバ18のシャント抵抗16との接続面、シャント抵抗16の第1バスバ15との接続面及びシャント抵抗16の第2バスバ18との接続面に、ロウ41が含むスズの拡散を抑制するためのバリア層45、46、47を備えてもよい。図14では、一例として、第1バスバ15、第2バスバ18、シャント抵抗16の全体をバリア層45、46、47で覆っている。
この場合、第1バスバ15及び第2バスバ18のメッキ層42は、第1バスバ15のバリア層45の表面と、第2バスバ18のバリア層47の表面とのそれぞれに設ける。バリア層45、46、47を備えることにより、例えば、ロウ付け時に加えられる熱や、シャント抵抗16の使用時に発生される熱が生じたときに、ロウ41に含まれるスズが第1バスバ15内、第2バスバ18内及びシャント抵抗16内に拡散されることを抑制できる。バリア層45、46、47の材料としては、例えば、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)の1つ又は複数を含む合金又は化合物等の融点の高い金属を用いることができる。
(5) Further, in the above-described embodiment, an example in which only the plating layer 42 is provided on the surface of the first bus bar 15 and the surface of the second bus bar 18 has been described, but other configurations may be employed. For example, as shown in FIG. 14, the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16, the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16, the connection surface of the shunt resistor 16 with the first bus bar 15 and the shunt resistor. Barrier layers 45, 46, and 47 for suppressing diffusion of tin included in the wax 41 may be provided on the connection surface with the 16 second bus bars 18. In FIG. 14, as an example, the entire first bus bar 15, second bus bar 18, and shunt resistor 16 are covered with barrier layers 45, 46, and 47.
In this case, the plating layer 42 of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 is provided on each of the surface of the barrier layer 45 of the first bus bar 15 and the surface of the barrier layer 47 of the second bus bar 18. By providing the barrier layers 45, 46, 47, for example, when heat applied during brazing or heat generated during use of the shunt resistor 16 is generated, tin contained in the solder 41 is contained in the first bus bar 15. The diffusion into the second bus bar 18 and the shunt resistor 16 can be suppressed. Examples of the material of the barrier layers 45, 46, and 47 include nickel (Ni), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), and niobium (Nb). A metal having a high melting point such as an alloy or a compound containing one or a plurality thereof can be used.

1…電流検出装置、2…筐体、3…シャント構造体、4…検出回路、5…箱体、6…蓋体、7…下部空間、8…上部空間、9…内部隔壁、10…開口部、11…第1電極端子、12…第1貫通孔、13…第2電極端子、14…第2貫通孔、15…第1バスバ、16…シャント抵抗、17…第1接続部、18…第2バスバ、19…第2接続部、20…バッテリポスト端子(他のバスバ)、21…凹部、22…コネクタ、23…出力端子、24…他のバスバ、25…隔壁残部、26…カバー、27…第1領域、28、29…直線部、30…中間部、31…第2領域、32、33…直線部、34…中間部、35…第3接続部、36…第1端子カバー、37…第4接続部、38…第2端子カバー、39、40…カバー、41…ロウ、42…メッキ層、43…下地層、44…最外層、45〜47…バリア層   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Current detection apparatus, 2 ... Housing, 3 ... Shunt structure, 4 ... Detection circuit, 5 ... Box body, 6 ... Cover body, 7 ... Lower space, 8 ... Upper space, 9 ... Internal partition, 10 ... Opening 11 ... 1st electrode terminal, 12 ... 1st through-hole, 13 ... 2nd electrode terminal, 14 ... 2nd through-hole, 15 ... 1st bus bar, 16 ... Shunt resistance, 17 ... 1st connection part, 18 ... 2nd bus bar, 19 ... 2nd connection part, 20 ... Battery post terminal (other bus bar), 21 ... Recess, 22 ... Connector, 23 ... Output terminal, 24 ... Other bus bar, 25 ... Remaining partition wall, 26 ... Cover, 27 ... 1st area | region, 28, 29 ... Linear part, 30 ... Intermediate | middle part, 31 ... 2nd area | region, 32, 33 ... Linear part, 34 ... Intermediate | middle part, 35 ... 3rd connection part, 36 ... 1st terminal cover, 37 ... 4th connection part, 38 ... 2nd terminal cover, 39, 40 ... cover, 41 ... brazing, 42 ... plating layer, 3 ... the underlying layer, 44 ... the outermost layer, 45 to 47 ... barrier layer

Claims (25)

シャント抵抗と、
前記シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第1バスバ及び第2バスバとを備え、
前記第1バスバ及び前記第2バスバは、純アルミ又はアルミ合金からなるシャント構造体。
Shunt resistance,
A first bus bar and a second bus bar connected to both ends of the shunt resistor,
The first bus bar and the second bus bar are shunt structures made of pure aluminum or aluminum alloy.
前記シャント抵抗と前記第1バスバとの第1接続部、及び前記シャント抵抗と前記第2バスバとの第2接続部は、それぞれロウ付け接続で構成されている請求項1に記載のシャント構造体。   2. The shunt structure according to claim 1, wherein the first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and the second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar are each configured by brazing connection. . 前記シャント抵抗と前記第1バスバとの第1接続部、及び前記シャント抵抗と前記第2バスバとの第2接続部は、それぞれロウ付けされている請求項1に記載のシャント構造体。   2. The shunt structure according to claim 1, wherein a first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and a second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar are brazed. 前記ロウ付け接続を構成するロウは、スズを含有し、
前記第1バスバの前記シャント抵抗との接続面、及び前記第2バスバの前記シャント抵抗との接続面に、スズを含有するメッキ層を備える請求項1から3の何れか1項に記載のシャント構造体。
The brazing constituting the brazing connection contains tin,
The shunt according to any one of claims 1 to 3, wherein a plating layer containing tin is provided on a connection surface of the first bus bar with the shunt resistor and a connection surface of the second bus bar with the shunt resistor. Structure.
前記シャント抵抗は、スズを含有する銅合金からなる請求項4に記載のシャント構造体。   The shunt structure according to claim 4, wherein the shunt resistor is made of a copper alloy containing tin. 前記第1バスバの前記シャント抵抗との接続面、前記第2バスバの前記シャント抵抗との接続面、前記シャント抵抗の前記第1バスバとの接続面及び前記シャント抵抗の前記第2バスバとの接続面に、前記ロウが含むスズの拡散を抑制するためのバリア層を備える請求項2から5の何れか1項に記載のシャント構造体。   A connection surface of the first bus bar with the shunt resistor, a connection surface of the second bus bar with the shunt resistor, a connection surface of the shunt resistor with the first bus bar, and a connection of the shunt resistor with the second bus bar. The shunt structure according to any one of claims 2 to 5, further comprising a barrier layer on the surface for suppressing diffusion of tin contained in the wax. 前記第1接続部は、前記シャント抵抗と前記第1バスバとの端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成され、前記第2接続部は、前記シャント抵抗と前記第2バスバとの端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成されている請求項2から6の何れか1項に記載のシャント構造体。   The first connection portion is configured by brazing connection in which end portions of the shunt resistor and the first bus bar are vertically overlapped, and the second connection portion is formed by connecting the shunt resistor and the second bus bar. The shunt structure according to any one of claims 2 to 6, wherein the shunt structure is configured by brazing connection in which end portions are vertically overlapped. 前記第1接続部は、前記シャント抵抗と前記第1バスバとの端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成され、前記第2接続部は、前記シャント抵抗と前記第2バスバとの端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成されている請求項2から6の何れか1項に記載のシャント構造体。   The first connection portion is configured by brazing connection in which end surfaces of the shunt resistor and the first bus bar are butted together, and the second connection portion is in contact with end surfaces of the shunt resistor and the second bus bar. The shunt structure according to any one of claims 2 to 6, wherein the shunt structure is configured by brazing connection. 前記シャント抵抗と前記第1バスバとの第1接続部の周囲及び前記シャント抵抗と前記第2バスバとの第2接続部の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされている請求項1から8の何れか1項に記載のシャント構造体。   The periphery of the first connection part between the shunt resistor and the first bus bar and the periphery of the second connection part between the shunt resistor and the second bus bar are coated with insulating resin or metal. The shunt structure according to claim 1. 前記第1バスバの幅及び前記第2バスバの幅は、前記シャント抵抗の幅よりも大きい請求項1から9の何れか1項に記載のシャント構造体。   10. The shunt structure according to claim 1, wherein a width of the first bus bar and a width of the second bus bar are larger than a width of the shunt resistor. 前記第1バスバの厚み及び前記第2バスバの厚みは、前記シャント抵抗の厚みよりも大きい請求項1から10の何れか1項に記載のシャント構造体。   11. The shunt structure according to claim 1, wherein a thickness of the first bus bar and a thickness of the second bus bar are larger than a thickness of the shunt resistor. シャント抵抗、前記シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第1バスバ及び第2バスバ、前記第1バスバ又は前記シャント抵抗に接続された第1電極端子、及び前記第2バスバ又は前記シャント抵抗に接続された第2電極端子を有するシャント構造体と、
前記第1電極端子及び前記第2電極端子に接続され、前記シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路と、
前記シャント構造体及び前記検出回路を収容する筐体とを備え、
前記第1バスバ及び前記第2バスバは、純アルミ又はアルミ合金からなる電流検出装置。
A shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and a connection to the second bus bar or the shunt resistor A shunt structure having a second electrode terminal formed;
A detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and detecting a magnitude of a current flowing through the shunt resistor;
A housing for housing the shunt structure and the detection circuit;
The first bus bar and the second bus bar are current detection devices made of pure aluminum or aluminum alloy.
前記シャント抵抗と前記第1バスバとの第1接続部の周囲及び前記シャント抵抗と前記第2バスバとの第2接続部の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされている請求項12に記載の電流検出装置。   The current according to claim 12, wherein the periphery of the first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and the periphery of the second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar are coated with an insulating resin or metal. Detection device. 前記第1接続部の周囲及び前記第2接続部の周囲をコーティングしている絶縁樹脂は、前記筐体を構成する絶縁樹脂と一体である請求項13に記載の電流検出装置。   The current detection device according to claim 13, wherein the insulating resin coating the periphery of the first connection portion and the periphery of the second connection portion is integral with the insulating resin constituting the housing. 前記第1バスバと前記第1電極端子との第3接続部の周囲及び前記第2バスバと前記第2電極端子との第4接続部の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされている請求項12から14の何れか1項に記載の電流検出装置。   The periphery of the third connection portion between the first bus bar and the first electrode terminal and the periphery of the fourth connection portion between the second bus bar and the second electrode terminal are coated with an insulating resin or metal. The current detection device according to any one of 1 to 14. 前記筐体は、前記シャント構造体を収容するための第1空間、前記検出回路を収容するための第2空間、及び前記第1空間と前記第2空間とを区画する内部隔壁を有し、
前記内部隔壁は、前記第1電極端子及び前記第2電極端子を通す貫通孔を有し、
前記第1電極端子及び前記第2電極端子と前記貫通孔の内周面とは離間しており、
前記第3接続部の周囲及び前記第4接続部の周囲をコーティングしている絶縁樹脂は、前記筐体を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂である請求項15に記載の電流検出装置。
The housing includes a first space for housing the shunt structure, a second space for housing the detection circuit, and an internal partition partitioning the first space and the second space,
The internal partition has a through hole through which the first electrode terminal and the second electrode terminal pass,
The first electrode terminal and the second electrode terminal are spaced apart from the inner peripheral surface of the through hole;
The current detection device according to claim 15, wherein the insulating resin coating the periphery of the third connecting portion and the periphery of the fourth connecting portion is an insulating resin different from the insulating resin constituting the casing.
前記第3接続部の周囲及び前記第4接続部の周囲をコーティングしている絶縁樹脂は、前記筐体を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂である請求項16に記載の電流検出装置。   The current detection according to claim 16, wherein the insulating resin coating the periphery of the third connection portion and the periphery of the fourth connection portion is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin constituting the housing. apparatus. 前記第1バスバ及び前記第2バスバは、アルミ合金からなる他のバスバに面接触して溶接又はボルト締めされている請求項12から17の何れか1項に記載の電流検出装置。   18. The current detection device according to claim 12, wherein the first bus bar and the second bus bar are welded or bolted in surface contact with another bus bar made of an aluminum alloy. シャント抵抗、及び前記シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された純アルミ又はアルミ合金からなる第1バスバ及び第2バスバを有するシャント構造体に、前記シャント抵抗と前記第1バスバとの第1接続部の周囲及び前記シャント抵抗と前記第2バスバとの第2接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることと、
前記第1バスバ又は前記シャント抵抗に第1電極端子を接続するとともに、前記第2バスバ又は前記シャント抵抗に第2電極端子を接続することと、
前記第1電極端子及び前記第2電極端子のそれぞれに、前記シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路を接続することとを含む電流検出装置の製造方法。
A shunt resistor and a shunt structure having a first bus bar and a second bus bar made of pure aluminum or aluminum alloy connected to both ends of the shunt resistor, and a first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar. Coating the periphery of the second connecting portion between the shunt resistor and the second bus bar with an insulating resin;
Connecting a first electrode terminal to the first bus bar or the shunt resistor, and connecting a second electrode terminal to the second bus bar or the shunt resistor;
A method of manufacturing a current detection device, comprising: connecting a detection circuit for detecting a magnitude of a current flowing through the shunt resistor to each of the first electrode terminal and the second electrode terminal.
前記第1接続部の周囲及び前記第2接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、前記電流検出装置の筐体の一部が前記シャント構造体に密着して前記第1接続部及び前記第2接続部の周囲を覆うように、前記シャント構造体に前記筐体を一体に形成する請求項19に記載の電流検出装置の製造方法。   In coating the periphery of the first connection portion and the periphery of the second connection portion with an insulating resin, a part of the casing of the current detection device is in close contact with the shunt structure, and the first connection portion and the The method of manufacturing a current detection device according to claim 19, wherein the casing is integrally formed with the shunt structure so as to cover a periphery of the second connection portion. 前記第1電極端子及び前記第2電極端子を接続することにおいて、前記第1バスバに前記第1電極端子を接続するとともに、前記第2バスバに前記第2電極端子を接続し、
前記第1バスバと前記第1電極端子との第3接続部の周囲、及び前記第2バスバと前記第2電極端子との第4接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることを更に含む請求項20に記載の電流検出装置の製造方法。
In connecting the first electrode terminal and the second electrode terminal, the first electrode terminal is connected to the first bus bar, and the second electrode terminal is connected to the second bus bar,
The method further comprises coating the periphery of the third connection portion between the first bus bar and the first electrode terminal and the periphery of the fourth connection portion between the second bus bar and the second electrode terminal with an insulating resin. A method for manufacturing the current detection device according to claim 20.
前記第1接続部の周囲及び前記第2接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングする際に、当該絶縁樹脂で、前記第3接続部の周囲及び前記第4接続部の周囲のコーティングも行う請求項21に記載の電流検出装置の製造方法。   The coating of the periphery of the third connection portion and the periphery of the fourth connection portion is performed with the insulating resin when the periphery of the first connection portion and the periphery of the second connection portion are coated with the insulating resin. A method for manufacturing the current detection device according to claim 21. 前記第1接続部の周囲及び前記第2接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、前記シャント構造体を収容するための第1空間、前記検出回路を収容するための第2空間、及び前記第1空間と前記第2空間とを区画し且つ前記第1電極端子及び前記第2電極端子を通すための貫通孔が形成された内部隔壁を有する絶縁樹脂製の樹脂成形体を、前記筐体として形成し、
前記第1電極端子及び前記第2電極端子を接続することにおいて、前記第1電極端子と前記貫通孔の内周面とが離間し、前記第2電極端子と前記貫通孔の内周面とが離間するように、前記第1電極端子及び前記第2電極端子の接続位置を決定し、
前記第3接続部の周囲及び前記第4接続部の周囲を絶縁樹脂でコーティングすることにおいて、前記筐体を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂で当該コーティングを行う請求項21に記載の電流検出装置の製造方法。
In coating the periphery of the first connection part and the periphery of the second connection part with an insulating resin, a first space for accommodating the shunt structure, a second space for accommodating the detection circuit, and A resin molded body made of an insulating resin having an internal partition wall that partitions the first space and the second space and has a through hole for passing the first electrode terminal and the second electrode terminal is formed in the housing. Formed as a body,
In connecting the first electrode terminal and the second electrode terminal, the first electrode terminal and the inner peripheral surface of the through hole are separated from each other, and the second electrode terminal and the inner peripheral surface of the through hole are separated from each other. Determining a connection position of the first electrode terminal and the second electrode terminal so as to be separated from each other;
The current detection device according to claim 21, wherein in coating the periphery of the third connection portion and the periphery of the fourth connection portion with an insulating resin, the coating is performed with an insulating resin different from the insulating resin constituting the housing. Manufacturing method.
前記第3接続部の周囲及び前記第4接続部の周囲をコーティングする絶縁樹脂は、前記筐体を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂である請求項23に記載の電流検出装置の製造方法。   24. The current detecting device according to claim 23, wherein the insulating resin that coats the periphery of the third connecting portion and the periphery of the fourth connecting portion is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin that constitutes the casing. Production method. 請求項12から18の何れか1項に記載の電流検出装置の取付方法であって、
前記電流検出装置のシャント構造体が備える第1バスバ及び第2バスバをアルミ合金からなる他のバスバに面接触させて溶接又はボルト締めすることを含む電流検出装置の取付方法。
A method for mounting the current detection device according to any one of claims 12 to 18,
A mounting method for a current detection device, comprising: bringing a first bus bar and a second bus bar included in the shunt structure of the current detection device into surface contact with another bus bar made of an aluminum alloy and welding or bolting.
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