JP7288315B2

JP7288315B2 - Shunt structure and current detection device

Info

Publication number: JP7288315B2
Application number: JP2019042920A
Authority: JP
Inventors: 江李; 正彦佐川; 邦照三原; 秀樹中里
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.; Furukawa Automotive Systems Inc
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.; Furukawa Automotive Systems Inc
Priority date: 2019-03-08
Filing date: 2019-03-08
Publication date: 2023-06-07
Anticipated expiration: 2039-03-08
Also published as: JP2020145381A

Description

本発明は、シャント構造体及び電流検出装置に関する。 The present invention relates to a shunt structure and a current sensing device.

従来、シャント抵抗の両端のそれぞれに第１バスバ及び第２バスバが接続されたシャント構造体が提案されている（例えば特許文献１参照。）。特許文献１に記載のシャント構造体では、シャント抵抗、第１バスバ及び第２バスバは、溶接によって接続されている。 Conventionally, there has been proposed a shunt structure in which a first bus bar and a second bus bar are connected to both ends of a shunt resistor (see Patent Document 1, for example). In the shunt structure described in Patent Literature 1, the shunt resistor, the first busbar and the second busbar are connected by welding.

特開２０１６－２１７８２９号公報JP 2016-217829 A

しかしながら、特許文献１に記載のシャント構造体では、溶接の熱により、シャント抵抗と第１バスバとの接続部、及びシャント抵抗と第２バスバとの接続部が合金化する可能性があり、また、溶接熱影響部（ＨＡＺ）を生じる可能性がある。それゆえ、シャント構造体の品質が不安定となり、製品間の品質のバラツキが大きくなる可能性がある。
本発明は、上記のような課題に着目したもので、製品間の品質のバラツキを低減可能なシャント構造体及び電流検出装置を提供することを目的とする。 However, in the shunt structure described in Patent Literature 1, there is a possibility that the heat of welding alloys the connecting portion between the shunt resistor and the first bus bar and the connecting portion between the shunt resistor and the second bus bar. , can result in a weld heat affected zone (HAZ). Therefore, the quality of the shunt structure becomes unstable, and there is a possibility that the quality variation between products increases.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention focuses on the above problems, and aims to provide a shunt structure and a current detection device capable of reducing variations in quality between products.

上記課題を解決するために、本発明の一態様は、（ａ）シャント抵抗と、（ｂ）シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第１バスバ及び第２バスバとを備え、（ｃ）第１バスバ及び第２バスバは、純銅又は銅合金からなり、（ｄ）シャント抵抗及び第１バスバ、並びに第２バスバ及びシャント抵抗のそれぞれは、ロウ付けで接続されているシャント構造体であることを要旨とする。 In order to solve the above problems, one aspect of the present invention includes (a) a shunt resistor, (b) a first bus bar and a second bus bar connected to both ends of the shunt resistor, and (c) a second bus bar. The first bus bar and the second bus bar are made of pure copper or a copper alloy; This is the gist.

本発明の他の態様は、（ａ）シャント抵抗と、（ｂ）シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第１バスバ及び第２バスバとを備え、（ｃ）第１バスバ及び第２バスバは、純銅又は銅合金からなり、（ｄ）シャント抵抗と第１バスバとの第１接続部、及びシャント抵抗と第２バスバとの第２接続部は、それぞれロウ付けされているシャント構造体であることを要旨とする。 Another aspect of the present invention includes (a) a shunt resistor, (b) a first bus bar and a second bus bar respectively connected to both ends of the shunt resistor, and (c) the first bus bar and the second bus bar are , made of pure copper or copper alloy; This is the gist of it.

本発明の他の態様は、（ａ）シャント抵抗、シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第１バスバ及び第２バスバ、第１バスバ又はシャント抵抗に接続された第１電極端子、及び第２バスバ又はシャント抵抗に接続された第２電極端子を有するシャント構造体と、（ｂ）第１電極端子及び第２電極端子に接続され、シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路と、（ｃ）シャント構造体及び検出回路を収容する筐体とを備え、（ｄ）第１バスバ及び第２バスバは、純銅又は銅合金からなり、（ｅ）シャント抵抗及び第１バスバ、並びに第２バスバ及びシャント抵抗のそれぞれは、ロウ付けで接続されている電流検出装置であることを要旨とする。 Another aspect of the present invention includes (a) a shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar respectively connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and a second a shunt structure having a second electrode terminal connected to the bus bar or the shunt resistor; and (b) a detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and configured to detect the magnitude of the current flowing through the shunt resistor. , (c) a housing that accommodates the shunt structure and the detection circuit, (d) the first bus bar and the second bus bar are made of pure copper or a copper alloy, (e) the shunt resistor and the first bus bar, and the first The gist is that each of the two bus bars and the shunt resistor is a current detection device connected by brazing.

本発明の他の態様は、（ａ）シャント抵抗、シャント抵抗の両端のそれぞれに接続された第１バスバ及び第２バスバ、第１バスバ又はシャント抵抗に接続された第１電極端子、及び第２バスバ又はシャント抵抗に接続された第２電極端子を有するシャント構造体と、（ｂ）第１電極端子及び第２電極端子に接続され、シャント抵抗に流れた電流の大きさを検出する検出回路と、（ｃ）シャント構造体及び検出回路を収容する筐体とを備え、（ｄ）第１バスバ及び第２バスバは、純銅又は銅合金からなり、（ｅ）シャント抵抗と第１バスバとの第１接続部、及びシャント抵抗と第２バスバとの第２接続部は、それぞれロウ付けされている電流検出装置であることを要旨とする。 Another aspect of the present invention includes (a) a shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar respectively connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and a second a shunt structure having a second electrode terminal connected to the bus bar or the shunt resistor; and (b) a detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and configured to detect the magnitude of the current flowing through the shunt resistor. , (c) a housing that accommodates the shunt structure and the detection circuit, (d) the first bus bar and the second bus bar are made of pure copper or a copper alloy, and (e) the first bus bar between the shunt resistor and the first bus bar. The first connecting portion and the second connecting portion between the shunt resistor and the second bus bar are brazed current detection devices.

本発明によれば、例えば、シャント抵抗、第１バスバ及び第２バスバを溶接で接続させる方法と異なり、シャント抵抗と第１バスバとの接続部、及びシャント抵抗と第２バスバとの接続部で合金化せずに済み、また、溶接熱影響部（ＨＡＺ）を生じないため、品質の高いシャント構造体を安定的に形成できる。それゆえ、製品間の品質のバラツキを低減可能なシャント構造体及び電流検出装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, unlike the method of connecting the shunt resistor, the first bus bar, and the second bus bar by welding, the connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and the connection portion between the shunt resistor and the second bus bar A high-quality shunt structure can be stably formed because no alloying is required and no welding heat affected zone (HAZ) occurs. Therefore, it is possible to provide a shunt structure and a current detection device capable of reducing variations in quality between products.

本発明の実施形態に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view showing a shunt structure concerning an embodiment of the present invention. 電流検出装置の内部構成を示す断面図である。It is a cross-sectional view showing the internal configuration of the current detection device. 電流検出装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of a current detection apparatus. 第１電極端子カバー及び第２電極端子カバーを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a first electrode terminal cover and a second electrode terminal cover; シャント抵抗とバスバとの接続状態を示す図であり、（ａ）は、端部同士を上下に重ね合わせた接続状態を示す側断面図であり、（ｂ）は端面同士を突き合わせた接続状態を示す側断面図である。FIG. 2 is a diagram showing a connection state between a shunt resistor and a busbar, where (a) is a side cross-sectional view showing a connection state in which the ends are overlapped vertically, and (b) is a connection state in which the end faces are butted against each other; is a side cross-sectional view showing. メッキ層を示す側断面図である。FIG. 4 is a side cross-sectional view showing a plated layer; 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of a current detection apparatus. 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of a current detection apparatus. 電流検出装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of a current detection apparatus. 変形例に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体の要部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the principal part of the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るシャント構造体の要部を拡大して示す側断面図である。It is a sectional side view which expands and shows the principal part of the shunt structure which concerns on a modification. 変形例に係るバリア層を示す側断面図である。FIG. 11 is a side cross-sectional view showing a barrier layer according to a modification;

以下、本発明の実施形態に係るシャント構造体及び電流検出装置について、図面を参照しつつ説明する。
なお、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための方法や装置を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。 A shunt structure and a current detection device according to embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
The embodiments shown below are examples of methods and apparatuses for embodying the technical idea of the present invention. It is not specific to the following. Various modifications can be made to the technical idea of the present invention within the technical scope defined by the claims.

本発明の実施形態に係るシャント構造体３は、図１に示すように、シャント抵抗１６と、シャント抵抗１６の両端のそれぞれに接続された第１バスバ１５及び第２バスバ１８とを備え、第１バスバ１５及び第２バスバ１８は純銅又は銅合金から構成されている。そして、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９は、それぞれのロウ付け接続で構成されている。
言い換えると、本発明の実施形態に係るシャント構造体３は、シャント抵抗１６と、シャント抵抗１６の両端のそれぞれに接続された第１バスバ１５及び第２バスバ１８とを備え、第１バスバ１５及び第２バスバ１８は純銅又は銅合金から構成されている。そして、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９は、それぞれのロウ付けされている。 The shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure copper or copper alloy. A first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15, and a second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are formed by brazing.
In other words, the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention includes a shunt resistor 16, and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16, respectively. The second bus bar 18 is made of pure copper or copper alloy. A first connecting portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and a second connecting portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are brazed.

また、本発明の実施形態に係るシャント構造体３では、図６、図１４に示すように、ロウ付け接続を構成するロウ４１は、スズを含有し、第１バスバ１５のシャント抵抗１６との接続面、及び第２バスバ１８のシャント抵抗１６との接続面に、スズを含有するメッキ層４２を有することが好ましい。その際、シャント抵抗１６が、スズを含有する銅合金からなることがさらに好ましい。
また、本発明の実施形態に係るシャント構造体３では、第１バスバ１５のシャント抵抗１６との接続面、第２バスバ１８のシャント抵抗１６との接続面、シャント抵抗１６の第１バスバ１５との接続面及びシャント抵抗１６の第２バスバ１８との接続面に、ロウ４１が含むスズの拡散を抑制するためのバリア層４５、４６、４７を備えることが好ましい。 Moreover, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIGS. It is preferable to have a plating layer 42 containing tin on the connection surface and the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16 . At that time, it is more preferable that the shunt resistor 16 is made of a tin-containing copper alloy.
Further, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16, the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16, the connection surface of the shunt resistor 16 with the first bus bar 15, and the connection surface of the shunt resistor 16 with the second bus bar 18 are preferably provided with barrier layers 45 , 46 , 47 for suppressing diffusion of tin contained in the row 41 .

また、本発明の実施形態に係るシャント構造体３では、第１接続部１７は、図５（ａ）に示すように、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成され、第２接続部１９は、シャント抵抗１６と第２バスバ１８との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成されていることが好ましい。さらに、第１接続部１７は、図５（ｂ）に示すように、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成され、第２接続部１９は、シャント抵抗１６と第２バスバ１８との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成されるようにしても好ましい。 Further, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. It is preferable that the second connection portion 19 is configured by a braze connection in which the ends of the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are overlapped vertically. Further, as shown in FIG. 5(b), the first connection portion 17 is configured by a brazing connection in which the end faces of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 are butted against each other, and the second connection portion 19 is the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 may preferably be configured by a brazing connection in which the end surfaces of the bus bar 16 and the second bus bar 18 are butted against each other.

また、本発明の実施形態に係るシャント構造体３では、図２に示すように、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７の周囲、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。さらに、図１２、図１３に示すように、第１バスバ１５の幅及び第２バスバ１８の幅は、シャント抵抗１６の幅よりも大きいことが好ましい。また、第１バスバ１５の厚み及び第２バスバ１８の厚みは、シャント抵抗１６の厚みよりも大きいことが好ましい。 Moreover, in the shunt structure 3 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. is preferably coated with insulating resin or metal. Furthermore, as shown in FIGS. 12 and 13 , the width of the first busbar 15 and the width of the second busbar 18 are preferably larger than the width of the shunt resistor 16 . Moreover, the thickness of the first bus bar 15 and the thickness of the second bus bar 18 are preferably larger than the thickness of the shunt resistor 16 .

一方、本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、図２に示すように、シャント抵抗１６、シャント抵抗１６の両端のそれぞれに接続された第１バスバ１５及び第２バスバ１８、第１バスバ１５に接続された第１電極端子１１、及び第２バスバ１８に接続された第２電極端子１３を有するシャント構造体３を備える。また、第１電極端子１１及び第２電極端子１３に接続され、シャント抵抗１６に流れた電流の大きさを検出する検出回路４と、シャント構造体３及び検出回路４を収容する筐体２とを備える。そして、第１バスバ１５及び第２バスバ１８は、純銅又は銅合金からなり、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９は、それぞれロウ付け接続で構成されている。 On the other hand, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. It comprises a shunt structure 3 having a first electrode terminal 11 connected to 15 and a second electrode terminal 13 connected to a second bus bar 18 . A detection circuit 4 connected to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 and detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16; Prepare. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure copper or a copper alloy. Each of the portions 19 is configured by brazing connection.

言い換えると、本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、シャント抵抗１６、シャント抵抗１６の両端のそれぞれに接続された第１バスバ１５及び第２バスバ１８、第１バスバ１５に接続された第１電極端子１１、及び第２バスバ１８に接続された第２電極端子１３を有するシャント構造体３を備える。また、第１電極端子１１及び第２電極端子１３に接続され、シャント抵抗１６に流れた電流の大きさを検出する検出回路４と、シャント構造体３及び検出回路４を収容する筐体２とを備える。そして、第１バスバ１５及び第２バスバ１８は、純銅又は銅合金からなり、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９は、それぞれロウ付けされている。 In other words, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a shunt resistor 16 , a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16 , and a first bus bar 18 connected to the first bus bar 15 . A shunt structure 3 having one electrode terminal 11 and a second electrode terminal 13 connected to a second bus bar 18 is provided. A detection circuit 4 connected to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 and detecting the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16; Prepare. The first bus bar 15 and the second bus bar 18 are made of pure copper or a copper alloy. The portions 19 are each brazed.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置１では、電流検出装置１は、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７の周囲及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。なお、図２では、第１電極端子１１が第１バスバ１５に接続され、第２電極端子１３が第２バスバ１８に接続される例を示したが、例えば、図１１に示すように、第１電極端子１１及び第２電極端子１３の両方がシャント抵抗１６に接続される構成としてもよい。
また、本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、第１接続部１７の周囲及び第２接続部１９の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体２を構成する絶縁樹脂と一体であることが好ましい。
さらに、本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、第１バスバ１５と第１電極端子１１との第３接続部３５の周囲、及び第２バスバ１８と第２電極端子１３との第４接続部３７の周囲が絶縁樹脂又は金属でコーティングされていることが好ましい。 In addition, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the current detection device 1 is configured so that the surroundings of the first connecting portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the first connecting portion 17 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are connected. It is preferable that the periphery of the 2-connecting portion 19 is coated with an insulating resin or metal. Although FIG. 2 shows an example in which the first electrode terminal 11 is connected to the first bus bar 15 and the second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18, for example, as shown in FIG. Both the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 may be connected to the shunt resistor 16 .
Further, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the insulating resin coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 is integrated with the insulating resin forming the housing 2 . Preferably.
Furthermore, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes the periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and the fourth connection portion between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13 . It is preferable that the periphery of the connecting portion 37 is coated with an insulating resin or metal.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、筐体２が、シャント構造体３を収容するための下部空間７、検出回路４を収容するための上部空間８、及び下部空間７と上部空間８とを区画する内部隔壁９を有し、内部隔壁９が、第１電極端子１１及び第２電極端子１３を通す第１貫通孔１２及び第２貫通孔１４を有し、第１電極端子１１及び第２電極端子１３と第１貫通孔１２及び第２貫通孔１４の内周面とが離間しており、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体２を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂であることが好ましい。より具体的には、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングしている絶縁樹脂が、筐体２を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂であることが好ましい。 Further, in the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the housing 2 includes a lower space 7 for accommodating the shunt structure 3, an upper space 8 for accommodating the detection circuit 4, and a lower space 7. The internal partition wall 9 has a first through hole 12 and a second through hole 14 through which the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 pass, and the first electrode The terminal 11 and the second electrode terminal 13 are separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14, and the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 are coated. It is preferable that the insulating resin used is different from the insulating resin forming the housing 2 . More specifically, the insulating resin coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin forming the housing 2 . preferable.

（構造）
次に、本発明の実施形態に係る電流検出装置１について、より詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る電流検出装置１は、図３に示すように、箱状の筐体２と、幅が狭い板状のシャント構造体３と、図２に示すように、板状の検出回路４とを備えている。 (structure)
Next, the current detection device 1 according to the embodiment of the invention will be described in more detail.
As shown in FIG. 3, the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention includes a box-shaped housing 2, a narrow plate-shaped shunt structure 3, and a plate-shaped and a detection circuit 4 .

（筐体）
筐体２は、上面が開放された箱状に形成された箱体５と、箱体５の開放された上面を塞ぐ蓋体６とを備えている。箱体５及び蓋体６の材料としては、絶縁樹脂が用いられている。箱体５内には、図２に示すように、箱体５内の空間を、シャント構造体３を収容する下部空間７（広義には、「第１空間」）と、検出回路４を収容する上部空間８（広義には、「第２空間」）との２つの空間に区画する内部隔壁９が箱体５と一体に設けられている。 (Case)
The housing 2 includes a box-like box 5 with an open top and a lid 6 for closing the open top of the box 5 . Insulating resin is used as the material of the box 5 and the lid 6 . Inside the box 5, as shown in FIG. 2, the space inside the box 5 is divided into a lower space 7 (broadly speaking, a “first space”) for housing the shunt structure 3 and a detection circuit 4. An internal partition wall 9 is provided integrally with the box body 5 to divide the upper space 8 (in a broad sense, a “second space”) into two spaces.

下部空間７は、シャント構造体３を収容するために、箱体５の長手方向の一方の側面に開口部１０を有し、他方の側面方向に伸びている凹状となっている。下部空間７の断面形状は、上下方向に狭く、左右方向に広いスリット状となっている。また、下部空間７の開口部１０から凹状の底面までの長さは、第１バスバ１５とシャント抵抗１６と第２バスバ１８の一部とを収容可能な長さとなっている。即ち、下部空間７にシャント構造体３を収容した状態で、開口部１０から第２バスバ１８の端部が突き出る長さになっている。また上部空間８は、検出回路４を収容可能となるように上面が開放された箱状となっている。 In order to accommodate the shunt structure 3, the lower space 7 has an opening 10 on one longitudinal side of the box 5 and has a concave shape extending in the other longitudinal direction. The cross-sectional shape of the lower space 7 is a slit shape narrow in the vertical direction and wide in the horizontal direction. Also, the length from the opening 10 of the lower space 7 to the bottom of the concave shape is such that the first bus bar 15 , the shunt resistor 16 and part of the second bus bar 18 can be accommodated. That is, the length is such that the end of the second bus bar 18 protrudes from the opening 10 with the shunt structure 3 accommodated in the lower space 7 . The upper space 8 has a box-like shape with an open top so as to accommodate the detection circuit 4 .

内部隔壁９には、図４に示すように、収容されたシャント構造体３の第１電極端子１１を通す第１貫通孔１２と、シャント構造体３の第２電極端子１３を通す第２貫通孔１４とが形成されている。第１電極端子１１及び第２電極端子１３は、シャント構造体３と検出回路４とを接続するための電極端子である。第１貫通孔１２の断面形状は、第１貫通孔１２の内周面が第１電極端子１１と接触せず、且つ、内部隔壁９が第１バスバ１５とシャント抵抗１６との第１接続部１７の周囲を覆うように、第１接続部１７と重なる部分が欠けた円状になっている。第２貫通孔１４の断面形状は、第２貫通孔１４の内周面が第２電極端子１３と接触せず、且つ、内部隔壁９が第２バスバ１８とシャント抵抗１６との第２接続部１９の周囲を覆うように、第２接続部１９と重なる部分が欠けた円状になっている。 As shown in FIG. 4, the internal partition wall 9 has a first through hole 12 through which the first electrode terminal 11 of the shunt structure 3 accommodated passes, and a second through hole through which the second electrode terminal 13 of the shunt structure 3 passes. A hole 14 is formed. The first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 are electrode terminals for connecting the shunt structure 3 and the detection circuit 4 . The cross-sectional shape of the first through hole 12 is such that the inner peripheral surface of the first through hole 12 does not contact the first electrode terminal 11 and the internal partition wall 9 is the first connecting portion between the first bus bar 15 and the shunt resistor 16 . It has a circular shape with a missing portion that overlaps with the first connection portion 17 so as to cover the periphery of the first connection portion 17 . The cross-sectional shape of the second through hole 14 is such that the inner peripheral surface of the second through hole 14 does not contact the second electrode terminal 13 and the internal partition wall 9 is the second connection portion between the second bus bar 18 and the shunt resistor 16 . It has a circular shape in which the part overlapping the second connection part 19 is missing so as to cover the circumference of the second connection part 19 .

また、箱体５の下部空間７よりも下側には、図７に示すように、バッテリポスト端子２０を収容するために、箱体５の短手方向の一方の側面に開口部を有し、他方の側面方向に伸びている凹部２１が設けられている。バッテリポスト端子２０は、車載バッテリのバッテリポストに接続される電極端子である。車載バッテリは、一般に１２［Ｖ］、４８［Ｖ］、６０［Ｖ］等の高圧、１［Ａ］等の大電流を発生する。バッテリポスト端子２０の材料としては、軽量化や低コスト化の点からアルミ合金が用いられる。凹部２１の断面形状は、上下方向に狭く、左右方向に広いスリット状となっている。また、凹部２１は、バッテリポスト端子２０と第１バスバ１５とが接続されるように、下部空間７と繋がっている。 Further, below the lower space 7 of the box 5, as shown in FIG. 7, an opening is provided on one lateral side of the box 5 to accommodate the battery post terminal 20. , and a recess 21 extending in the direction of the other side. The battery post terminal 20 is an electrode terminal connected to a battery post of an onboard battery. Vehicle-mounted batteries generally generate high voltages such as 12 [V], 48 [V] and 60 [V] and large currents such as 1 [A]. As a material for the battery post terminal 20, an aluminum alloy is used in terms of weight reduction and cost reduction. The cross-sectional shape of the concave portion 21 is a slit shape narrow in the vertical direction and wide in the horizontal direction. Moreover, the recess 21 is connected to the lower space 7 so that the battery post terminal 20 and the first bus bar 15 are connected.

また、箱体５の長手方向の側面のうち、開口部１０が設けられている側面と反対側の側面には、円筒状のコネクタ２２が形成されている。コネクタ２２内部には、上部空間８から伸びている出力端子２３が設けられている。出力端子２３は、検出回路４と外部の装置とを接続するための端子である。外部の装置としては、ＥＣＵ等（engine control unit）のコンピュータが挙げられる。出力端子２３の材料としては銅合金が用いられている。 A cylindrical connector 22 is formed on the side surface of the box 5 in the longitudinal direction opposite to the side surface provided with the opening 10 . An output terminal 23 extending from the upper space 8 is provided inside the connector 22 . The output terminal 23 is a terminal for connecting the detection circuit 4 and an external device. The external device includes a computer such as an ECU (engine control unit). A copper alloy is used as the material of the output terminal 23 .

（シャント構造体）
シャント構造体３は、図１に示すように、シャント抵抗１６と、シャント抵抗１６の両端のそれぞれに接続された第１バスバ１５及び第２バスバ１８とを備えている。シャント構造体３全体は、第１バスバ１５、シャント抵抗１６及び板状の第２バスバ１８が並んでいる方向に細長く形成されている。シャント構造体３は、図２に示すように、下部空間７の開口部１０から第２バスバ１８の端部が突き出すように、下部空間７に第１バスバ１５とシャント抵抗１６と第２バスバ１８の一部とが収容される。収容された第１バスバ１５は、バッテリポスト端子２０（以下、「他のバスバ２０」とも呼ぶ）に接続される。また、突き出ている第２バスバ１８は、電流検出装置１を車両搭載する際に、図示を省略した接地ライン等に接続されている他のバスバ２４に接続される。他のバスバ２４の材料としては、他のバスバ２０と同様に、軽量化や低コスト化の点からアルミ合金が用いられる。 (shunt structure)
The shunt structure 3 includes a shunt resistor 16 and a first bus bar 15 and a second bus bar 18 connected to both ends of the shunt resistor 16, respectively, as shown in FIG. The entire shunt structure 3 is elongated in the direction in which the first bus bar 15, the shunt resistor 16, and the plate-shaped second bus bar 18 are arranged. As shown in FIG. 2, the shunt structure 3 includes a first bus bar 15, a shunt resistor 16, and a second bus bar 18 in the lower space 7 such that the end of the second bus bar 18 protrudes from the opening 10 of the lower space 7. and part of the The accommodated first bus bar 15 is connected to a battery post terminal 20 (hereinafter also referred to as "another bus bar 20"). Further, the protruding second bus bar 18 is connected to another bus bar 24 connected to a ground line or the like (not shown) when the current detection device 1 is mounted on the vehicle. As the material of the other busbars 24, an aluminum alloy is used in the same way as the other busbars 20 in terms of weight reduction and cost reduction.

シャント抵抗１６の材料としては、銅（Cu）、マンガン（Mn）及びスズ（Sn）等を含む銅合金が用いられる。また、第１バスバ１５及び第２バスバ１８の材料としては、純銅又は銅合金が用いられる。純銅又は銅合金を用いることにより、第１バスバ１５及び第２バスバ１８を銅合金からなるシャント抵抗１６に接続しても、同種の金属が接触するだけであるため、異種金属接触による電気腐食を防止可能となっている。 As a material for the shunt resistor 16, a copper alloy containing copper (Cu), manganese (Mn), tin (Sn) and the like is used. Pure copper or a copper alloy is used as the material of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 . By using pure copper or a copper alloy, even if the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are connected to the shunt resistor 16 made of a copper alloy, only metals of the same kind come into contact with each other. It is preventable.

シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９は、例えば、図５（ａ）に示すように、端部同士を上下に重ね合わせ、面接触させたロウ付け接続で構成する方法、図５（ｂ）に示すように、端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成する方法を採用することができる。ロウ付け接続とは、接続対象の部材（シャント抵抗１６、第１バスバ１５、第２バスバ１８）よりも融点の低いロウ４１を用いることにより、部材を溶融させずに、部材同士を接続させる「ロウ付け」で接続されて構成されるものである。ロウ４１としては、例えば、スズの他、銀（Ag）、銅（Cu）、鉛（Pb）の１つ又は複数を含む合金が好ましい。スズが含有されたロウ４１を用いる場合、図６に示すように、第１バスバ１５のシャント抵抗１６との接続面、及び第２バスバ１８の前記シャント抵抗との接続面にスズが含有されたメッキ層４２を設けることが好ましい。スズが含有されたメッキ層４２を設けることにより、第１バスバ１５及び第２バスバ１８にロウ４１が馴染みやすく、ロウ付け接続を容易に実現できる。第１バスバ１５の接続面、第２バスバ１８の接続面としては、端部同士が上下に重ね合わせられて面接触する場合には、シャント抵抗１６と接触する端部の上面又は下面が挙げられ、端面同士が突き合わされる場合には、シャント抵抗１６と接触する端面が挙げられる。 A first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and a second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are connected to each other as shown in FIG. It is possible to adopt a method of forming a brazing connection by superimposing them vertically and making surface contact, or a method of forming a brazing connection by butting the end faces together as shown in FIG. 5(b). The brazing connection is to connect members to each other without melting them by using solder 41 having a lower melting point than the members to be connected (the shunt resistor 16, the first bus bar 15, and the second bus bar 18). It is configured by being connected by brazing. As the solder 41, an alloy containing, for example, tin and one or more of silver (Ag), copper (Cu), and lead (Pb) is preferable. When the solder 41 containing tin is used, as shown in FIG. 6, the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16 and the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor contain tin. A plated layer 42 is preferably provided. By providing the plated layer 42 containing tin, the solder 41 can easily fit into the first bus bar 15 and the second bus bar 18, and brazing connection can be easily realized. The connection surface of the first bus bar 15 and the connection surface of the second bus bar 18 may be the upper surface or the lower surface of the ends that come into contact with the shunt resistor 16 when the ends are overlapped vertically and are in surface contact. , the end faces in contact with the shunt resistor 16 when the end faces are abutted.

メッキ層４２は、第１バスバ１５及び第２バスバ１８の表面に、下地層４３及び最外層４４がこの順に積層されて形成されている。下地層４３の材料としては、例えば、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、クロム（Cr）、亜鉛（Zn）、チタン（Ti）、マンガン（Mn）、タングステン（W）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）の１つ又は複数を含む合金又は化合物を用いることができる。最外層４４の材料としては、例えば、スズを用いることができる。メッキ層４２の厚みとしては、例えば１００ｎｍ以上１０μｍ以下が好ましい。
ここで、メッキ層４２の有無を検知する方法としては、例えば、ロウ付けされたシャント抵抗１６とバスバ（第１バスバ１５、第２バスバ１８）との間におけるスズの含有濃度の濃度勾配等を検出し、検出した濃度勾配等基に検知する方法を採用することができる。 The plated layer 42 is formed by laminating a base layer 43 and an outermost layer 44 in this order on the surfaces of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 . Materials for the underlying layer 43 include, for example, nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), Alloys or compounds containing one or more of molybdenum (Mo), niobium (Nb) can be used. For example, tin can be used as the material of the outermost layer 44 . The thickness of the plated layer 42 is preferably 100 nm or more and 10 μm or less, for example.
Here, as a method of detecting the presence or absence of the plated layer 42, for example, the concentration gradient of the tin content concentration between the brazed shunt resistor 16 and the bus bar (first bus bar 15, second bus bar 18) is detected. A method of detecting and detecting based on the detected concentration gradient or the like can be adopted.

また、スズが含有されたロウ４１を用いる場合、シャント抵抗１６の材料として、スズが含有された銅合金を用いることが好ましい。例えば、シャント抵抗１６の全質量に対し、銅（Cu）を約９０質量％、マンガン（Mn）を約６～８質量％、スズ（Sn）を約２～３質量％含むものを用いる。シャント抵抗１６の材料としてスズが含有された銅合金を用いることにより、シャント抵抗１６にロウ４１が馴染みやすく、ロウ付けを容易に実行できる。
さらに、シャント抵抗１６とバスバ（第１バスバ１５、第２バスバ１８）とをロウ付けで接続させることにより、溶接で接続させる方法と異なり、シャント抵抗１６とバスバ（第１バスバ１５、第２バスバ１８）とが接続部で合金化せずに済み、また、溶接熱影響部（ＨＡＺ）を生じないため、品質の高いシャント構造体３を安定的に形成できる。 Further, when the solder 41 containing tin is used, it is preferable to use a copper alloy containing tin as the material of the shunt resistor 16 . For example, the shunt resistor 16 contains approximately 90% by mass of copper (Cu), approximately 6-8% by mass of manganese (Mn), and approximately 2-3% by mass of tin (Sn). By using a copper alloy containing tin as the material of the shunt resistor 16, the brazing wire 41 easily fits into the shunt resistor 16, and brazing can be easily performed.
Furthermore, by connecting the shunt resistor 16 and the busbars (the first busbar 15 and the second busbar 18) by brazing, unlike the method of connecting by welding, the shunt resistor 16 and the busbars (the first busbar 15 and the second busbar 18) are connected by brazing. 18) does not need to be alloyed at the connecting portion and does not generate a weld heat affected zone (HAZ), so a high-quality shunt structure 3 can be stably formed.

また、第１バスバ１５と他のバスバ２０との接続方法、及び第２バスバ１８と他のバスバ２４との接続方法としては、例えば、端面同士を突き合わせたり、端部同士を上下に重ねたりして、端部同士を面接触させて溶接する方法が用いられる。端部同士を面接触させて溶接することにより、ボルト締結する方法と異なり、第１バスバ１５、第２バスバ１８及び他のバスバ２０、２４を締め付ける力を生じないため、バスバの破損を防止できる。
なお、本実施形態では、第１バスバ１５と他のバスバ２０との接続方法、及び第２バスバ１８と他のバスバ２４との接続方法として、端部同士を面接触させて溶接する方法を用いる例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、端部同士を上下に重ねてボルト締結する方法を用いることができる。端部同士を上下に重ねてボルト締結する方法によれば、溶接する方法と異なり、溶接用の特殊な機材が必要なく、接続に要する手間を軽減できる。 The method of connecting the first bus bar 15 and the other bus bar 20 and the method of connecting the second bus bar 18 and the other bus bar 24 may be, for example, such that the end surfaces are butted against each other or the end portions are overlapped vertically. Therefore, a method is used in which the ends are brought into surface contact with each other and welded. By bringing the ends into surface contact and welding, unlike the bolt fastening method, no force is generated to tighten the first bus bar 15, the second bus bar 18, and the other bus bars 20, 24, thereby preventing damage to the bus bars. .
In the present embodiment, as a method of connecting the first bus bar 15 and the other bus bar 20 and a method of connecting the second bus bar 18 and the other bus bar 24, a method of surface-to-surface contact and welding of the ends is used. Although examples have been given, other configurations may be employed. For example, it is possible to use a method in which the ends are overlapped vertically and bolted. Unlike the welding method, the method of overlapping the ends and fastening with bolts does not require special equipment for welding, and can reduce the labor required for connection.

また、第１接続部１７及び第２接続部１９の表面は、図２に示すように、内部隔壁９のうちの第１貫通孔１２と第２貫通孔１４との間の隔壁残部２５と、箱体５の底面及び側面とで密着して覆われている。即ち、隔壁残部２５、箱体５の底面及び側面が、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲を覆う絶縁樹脂製のカバー２６を形成している。カバー２６では、後述する電流検出装置１の製造方法に示すように、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている。第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲をカバー２６でコーティングして覆うことにより、結露等で生じた水が第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲に接触することを防止できる。それゆえ、第１接続部１７及び第２接続部１９で、成分の異なる銅合金による異種金属の接触が生じても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制可能となっている。 Further, as shown in FIG. 2, the surfaces of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 are divided into partition wall remaining portions 25 between the first through holes 12 and the second through holes 14 of the internal partition wall 9, The bottom and side surfaces of the box 5 are tightly covered. That is, the remaining partition wall 25 and the bottom and side surfaces of the box 5 form an insulating resin cover 26 that covers the first connection portion 17 and the second connection portion 19 . In the cover 26, the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 is coated with an insulating resin, as shown in the manufacturing method of the current detection device 1, which will be described later. By coating and covering the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 with the cover 26, water generated by dew condensation etc. is prevented from contacting the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. can. Therefore, even if dissimilar metals made of copper alloys with different components come into contact with each other in the first connection portion 17 and the second connection portion 19, ionization by water is prevented, so that electrical corrosion due to contact of dissimilar metals can be suppressed. It's becoming

第１バスバ１５の上面のうちの第１貫通孔１２と対向する第１領域２７には、図４に示すように、Ｕ字状の第１電極端子１１の互いに平行な２本の直線部２８、２９が上方に向けられ、Ｕ字状の第１電極端子１１の中間部３０の底面が接続されている。第１電極端子１１は、第１貫通孔１２の内周面から離間され、第１電極端子１１が第１貫通孔１２の内周面と接触しない位置に接続されている。また、第２バスバ１８の上面のうちの第２貫通孔１４と対向する第２領域３１には、Ｕ字状の第２電極端子１３の互いに平行な２本の直線部３２、３３が上方に向けられ、Ｕ字状の第２電極端子１３の中間部３４の底面が接続されている。第２電極端子１３は、第２貫通孔１４の内周面から離間され、第２電極端子１３が第２貫通孔１４の内周面と接触しない位置に接続されている。これにより、外力等でシャント構造体３と筐体２とが相対移動しても、第１貫通孔１２の内周面と第１電極端子１１との直接衝突や、第２貫通孔１４の内周面と第２電極端子１３との直接衝突を防止できる。そして第１電極端子１１及び第２電極端子１３の破損を抑制可能となっている。
第１電極端子１１と第１バスバ１５との接続方法、及び第２電極端子１３と第２バスバ１８との接続方法としては、例えば、上下に重ね合わせて溶接する方法を採用できる。 As shown in FIG. 4 , two parallel linear portions 28 of the U-shaped first electrode terminal 11 are provided in the first region 27 of the upper surface of the first bus bar 15 facing the first through hole 12 . , 29 are directed upward, and the bottom surface of the intermediate portion 30 of the U-shaped first electrode terminal 11 is connected. The first electrode terminal 11 is separated from the inner peripheral surface of the first through hole 12 and connected to a position where the first electrode terminal 11 does not contact the inner peripheral surface of the first through hole 12 . Two parallel linear portions 32 and 33 of the U-shaped second electrode terminal 13 extend upward in a second region 31 facing the second through hole 14 on the upper surface of the second bus bar 18 . The bottom surface of the intermediate portion 34 of the U-shaped second electrode terminal 13 is connected. The second electrode terminal 13 is separated from the inner peripheral surface of the second through hole 14 and connected to a position where the second electrode terminal 13 does not contact the inner peripheral surface of the second through hole 14 . As a result, even if the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other due to an external force or the like, direct collision between the inner peripheral surface of the first through-hole 12 and the first electrode terminal 11 and the inner surface of the second through-hole 14 A direct collision between the peripheral surface and the second electrode terminal 13 can be prevented. Further, damage to the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 can be suppressed.
As a method of connecting the first electrode terminal 11 and the first bus bar 15 and a method of connecting the second electrode terminal 13 and the second bus bar 18, for example, a method of overlapping and welding can be adopted.

また、第１バスバ１５の上面の第１領域２７には、第１バスバ１５と第１電極端子１１との第３接続部３５の周囲を密着して覆うように、絶縁樹脂製の第１端子カバー３６が形成されている。また第２バスバ１８の上面の第２領域３１には、第２バスバ１８と第２電極端子１３との第４接続部３７の周囲を密着して覆うように、絶縁樹脂製の第２端子カバー３８が形成されている。第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８の形成方法としては、第３接続部３５及び第４接続部３７の周囲を絶縁樹脂でコーティングする方法が用いられる。第３接続部３５及び第４接続部３７の周囲を第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８でコーティングすることにより、結露等で生じた水が第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲に接触することを防止できる。それゆえ、第３接続部３５及び第４接続部３７のそれぞれで、成分の異なる銅合金による異種金属の接触が生じても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制可能となっている。 In addition, in the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15, a first terminal made of insulating resin is provided so as to cover the periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 in close contact. A cover 36 is formed. A second terminal cover made of insulating resin is provided on the second region 31 of the upper surface of the second bus bar 18 so as to tightly cover the periphery of the fourth connection portion 37 between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13 . 38 are formed. As a method of forming the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, a method of coating the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 with an insulating resin is used. By coating the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 with the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, water generated by dew condensation etc. can 37 can be prevented from being touched. Therefore, even if dissimilar metals made of copper alloys with different components come into contact with each other in the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37, ionization by water is prevented, so that electrical corrosion due to contact of dissimilar metals is suppressed. It is possible.

第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８の絶縁樹脂、つまり第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングしている絶縁樹脂としては、箱体５を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂が用いられている。特に、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングしている絶縁樹脂としては、カバー２６を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い（軟らかい）樹脂が好ましい。弾性率が低い絶縁樹脂とすることにより、シャント構造体３と筐体２とが相対移動し、第１貫通孔１２の内周面で第１端子カバー３６が押され、第２貫通孔１４の内周面で第２電極端子１３が押されても、押圧力を第１端子カバー３６や第２端子カバー３８で吸収できる。そして、第１端子カバー３６から第１電極端子１１への力の伝達や、第２端子カバー３８から第２電極端子１３への力の伝達を抑制でき、第１電極端子１１及び第２電極端子１３の破損を防止可能となっている。 As the insulating resin coating the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, that is, the insulating resin coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37, Different insulating resins are used. In particular, as the insulating resin coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37, a resin having a lower elastic modulus (softer) than the insulating resin forming the cover 26 is preferable. By using an insulating resin with a low elastic modulus, the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other, the first terminal cover 36 is pushed by the inner peripheral surface of the first through hole 12, and the second through hole 14 is closed. Even if the second electrode terminal 13 is pressed by the inner peripheral surface, the pressing force can be absorbed by the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38 . Further, transmission of force from the first terminal cover 36 to the first electrode terminal 11 and transmission of force from the second terminal cover 38 to the second electrode terminal 13 can be suppressed. 13 damage can be prevented.

（検出回路）
検出回路４は、図２に示すように、一方の面を上方に向け、他方の面を下方に向けて上部空間８に収容され、シャント構造体３の第１電極端子１１及び第２電極端子１３、並びに、コネクタ２２の出力端子２３に接続されている。そして、検出回路４は、第１電極端子１１及び第２電極端子１３を介してパルス放電を行い、パルス放電によってシャント抵抗１６に流れた電流の大きさ等を第１電極端子１１及び第２電極端子１３を介して検出する。また、検出回路４は、検出結果を出力端子２３を介して外部の装置に出力する。 (detection circuit)
As shown in FIG. 2, the detection circuit 4 is accommodated in the upper space 8 with one surface facing upward and the other surface facing downward. 13 and the output terminal 23 of the connector 22 . Then, the detection circuit 4 performs pulse discharge via the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13, and detects the magnitude of the current flowing through the shunt resistor 16 due to the pulse discharge. Detected via terminal 13 . The detection circuit 4 also outputs the detection result to an external device via the output terminal 23 .

（製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る電流検出装置１の製造方法について説明する。
まず、シャント構造体３に対して、筐体２を一体に形成する。筐体２の形成方法としては、例えば、インサート成形法を採用できる。インサート成形法では、まず、第１バスバ１５をバッテリポスト端子２０に面接触させて溶接する。続いて、箱体５の成形金型にシャント構造体３、バッテリポスト端子２０及び出力端子２３を装填する。続いて、箱体５の成形金型内に絶縁樹脂を注入し、注入した絶縁樹脂を硬化させ、図７に示すように、シャント構造体３、バッテリポスト端子２０及び出力端子２３に箱体５を一体に形成する。 (Production method)
Next, a method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention will be described.
First, the housing 2 is integrally formed with the shunt structure 3 . As a method for forming the housing 2, for example, an insert molding method can be adopted. In the insert molding method, first, the first bus bar 15 is brought into surface contact with the battery post terminal 20 and welded. Subsequently, the shunt structure 3, the battery post terminal 20 and the output terminal 23 are loaded into the molding die for the box 5. As shown in FIG. Subsequently, an insulating resin is injected into the molding die of the box 5, the injected insulating resin is cured, and as shown in FIG. integrally formed.

即ち、箱体５として、下部空間７、上部空間８、及び内部隔壁９を有する絶縁樹脂製の樹脂成形体を、下部空間７にシャント構造体３が収容され、凹部２１にバッテリポスト端子２０が収容され、コネクタ２２に出力端子２３が収容された状態で形成する。これにより、電流検出装置１の筐体２の一部、つまり、隔壁残部２５、箱体５の底面及び側面が、シャント構造体３に密着して第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲を覆って、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲が絶縁樹脂でコーティングされる。そして、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲を密着して覆う絶縁樹脂製のカバー２６が形成される。 That is, as the box 5, a resin molded body made of an insulating resin having a lower space 7, an upper space 8, and an internal partition wall 9 is accommodated. The output terminal 23 is formed in a state in which the output terminal 23 is accommodated in the connector 22 . As a result, a part of the housing 2 of the current detection device 1 , that is, the remaining partition wall 25 and the bottom and side surfaces of the box 5 are brought into close contact with the shunt structure 3 to connect the first connection portion 17 and the second connection portion 19 . The surroundings of the first connecting portion 17 and the second connecting portion 19 are coated with an insulating resin to cover the surroundings. Then, a cover 26 made of insulating resin is formed to tightly cover the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 .

続いて、図８に示すように、第１バスバ１５の上面の第１領域２７に第１電極端子１１を接続する。同様に、第２バスバ１８の上面の第２領域３１に第２電極端子１３を接続する。その際、第１電極端子１１と第１貫通孔１２の内周面とが離間し、第２電極端子１３と第２貫通孔１４の内周面とが離間するように、第１電極端子１１及び第２電極端子１３の接続位置を決定する。第１バスバ１５と第１電極端子１１との接続方法、及び第２バスバ１８と第２電極端子１３との接続方法としては、上下に重ねて溶接する方法を採用できる。 Subsequently, as shown in FIG. 8, the first electrode terminal 11 is connected to the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15 . Similarly, the second electrode terminal 13 is connected to the second region 31 on the upper surface of the second bus bar 18 . At that time, the first electrode terminal 11 is separated from the inner peripheral surface of the first through hole 12 and the second electrode terminal 13 is separated from the inner peripheral surface of the second through hole 14 . and the connection positions of the second electrode terminals 13 are determined. As a method of connecting the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and a method of connecting the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13, a method of overlapping and welding can be adopted.

続いて、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲のそれぞれを絶縁樹脂でコーティングして、第３接続部３５及び第４接続部３７の周囲を密着して覆う絶縁樹脂製の第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８を形成する。具体的には、まず、第１バスバ１５の上面の第１領域２７と第１貫通孔１２の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填する。続いて、充填した絶縁樹脂を硬化させ、図９に示すように、第３接続部３５の周囲をコーティングすることで、第１端子カバー３６を形成する。同様に、第２バスバ１８の上面の第２領域３１と第２貫通孔１４の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填する。続いて、充填した絶縁樹脂を硬化させ、第４接続部３７の周囲をコーティングすることで、第２端子カバー３８を形成する。第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８の形成用の絶縁樹脂、つまり、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングする絶縁樹脂としては、筐体２を構成する絶縁樹脂と異なる絶縁樹脂を採用できる。特に、カバー２６を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂が好適である。 Subsequently, each of the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 is coated with an insulating resin, and the insulating resin-made insulating resin covering the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 is closely attached. A first terminal cover 36 and a second terminal cover 38 are formed. Specifically, first, the space surrounded by the first region 27 on the upper surface of the first bus bar 15 and the inner peripheral surface of the first through hole 12 is filled with a liquid insulating resin. Subsequently, the filled insulating resin is cured, and as shown in FIG. 9, the periphery of the third connecting portion 35 is coated to form the first terminal cover 36 . Similarly, the space surrounded by the second region 31 on the upper surface of the second bus bar 18 and the inner peripheral surface of the second through hole 14 is filled with a liquid insulating resin. Subsequently, the filled insulating resin is cured to coat the periphery of the fourth connecting portion 37, thereby forming the second terminal cover 38. As shown in FIG. The insulating resin for forming the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38 , that is, the insulating resin for coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 includes the insulating resin forming the housing 2 . An insulating resin different from the resin can be adopted. In particular, an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin forming the cover 26 is suitable.

続いて、図２に示すように、箱体５の上部空間８に検出回路４を収容し、収容した検出回路４に第１電極端子１１、第２電極端子１３、及び出力端子２３を接続する。続いて、箱体５の開放された上面を蓋体６で塞ぐ。これにより、電流検出装置１が形成される。
電流検出装置１を形成した後、シャント構造体３の第２バスバ１８を、接地ライン等に接続されている他のバスバ２４に面接触させて溶接する。また、出力端子２３をＥＣＵ等の外部の装置に接続する。これにより、車両に電流検出装置１を搭載させる。
なお、第２バスバ１８と他のバスバ２４との接続方法としては、ボルト締結する方法を用いてもよい。また、第１バスバ１５と他のバスバ２０との接続方法も同様である。 Subsequently, as shown in FIG. 2, the detection circuit 4 is housed in the upper space 8 of the box 5, and the first electrode terminal 11, the second electrode terminal 13, and the output terminal 23 are connected to the housed detection circuit 4. . Subsequently, the opened upper surface of the box 5 is closed with the lid 6. - 特許庁Thus, the current detection device 1 is formed.
After forming the current detection device 1, the second bus bar 18 of the shunt structure 3 is brought into surface contact with another bus bar 24 connected to a ground line or the like and welded. Also, the output terminal 23 is connected to an external device such as an ECU. Thus, the current detection device 1 is mounted on the vehicle.
As a method of connecting the second bus bar 18 and the other bus bar 24, a bolt fastening method may be used. Also, the method of connecting the first bus bar 15 and the other bus bar 20 is the same.

以上のように、本発明の実施形態に係るシャント構造体３及び電流検出装置１では、第１バスバ１５及び第２バスバ１８が、純銅又は銅合金からなるものとした。また、シャント抵抗１６と第１バスバ１５と第１接続部１７、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９が、それぞれロウ付け接続で構成されるものとした。それゆえ、例えば、シャント抵抗１６、第１バスバ１５及び第２バスバ１８を溶接で接続させる方法と異なり、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との接続部、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との接続部で合金化せずに済み、また、溶接熱影響部（ＨＡＺ）を生じないため、品質の高いシャント構造体３を安定的に形成することができる。それゆえ、製品間の品質のバラツキを低減可能なシャント構造体３及び電流検出装置１を提供することができる。 As described above, in the shunt structure 3 and the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the first busbar 15 and the second busbar 18 are made of pure copper or copper alloy. Also, the shunt resistor 16, the first bus bar 15 and the first connection portion 17, and the second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are each constructed by brazing connection. Therefore, for example, unlike the method of connecting the shunt resistor 16, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 by welding, the connection portion between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the connection between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 It is possible to stably form a high-quality shunt structure 3 because no alloying is required at the connecting portion and no welding heat affected zone (HAZ) occurs. Therefore, it is possible to provide the shunt structure 3 and the current detection device 1 capable of reducing variations in quality between products.

ちなみに、例えば、シャント抵抗１６とバスバ（第１バスバ１５、第２バスバ１８）とが溶接で接続されている構成とした場合、シャント抵抗１６とバスバとが接続部で合金化し、また、溶接熱影響部（ＨＡＺ）を生じるために、シャント構造体３の品質が不安定となり、製品間の品質のバラツキが大きくなる。また、抵抗性能の経年安定性が低下する。
さらに、ロウ付け接続を構成するロウ４１がスズを含有し、第１バスバ１５のシャント抵抗１６との接続面、及び第２バスバ１８のシャント抵抗１６との接続面に、スズを含有するメッキ層４２を有する構成とした。それゆえ、第１バスバ１５及び第２バスバ１８にロウ４１が馴染みやすく、ロウ付け接続を容易に実現することができる。 Incidentally, for example, when the shunt resistor 16 and the busbar (the first busbar 15 and the second busbar 18) are connected by welding, the shunt resistor 16 and the busbar are alloyed at the connecting portion, and the welding heat Due to the occurrence of the affected zone (HAZ), the quality of the shunt structure 3 becomes unstable, and the quality variation between products increases. In addition, the aging stability of the resistance performance deteriorates.
Further, the solder 41 constituting the brazing connection contains tin, and the plating layer containing tin is formed on the connection surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16 and the connection surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16. 42. Therefore, the brazing connection can be easily realized because the brazing wire 41 easily fits into the first bus bar 15 and the second bus bar 18 .

また、シャント抵抗１６が、スズを含有する銅合金からなる構成とした。それゆえ、シャント抵抗１６にロウ４１が馴染みやすく、ロウ付け接続を容易に実現することができる。また、スズを含有するため、シャント構造体３の温度係数（ＴＣＲ）の絶対値を低くすることができ、例えば、±５０ｐｐｍ以下とすることができる。さらに、シャント構造体３の体積抵抗率（ρ）を低くすることができ、例えば、０．３５μΩ・ｍ以下とすることができる。ちなみに、例えば、シャント抵抗１６の材料として、スズを含まず、銅、マンガン及びニッケルを含む銅合金が用いられている場合には、シャント構造体３の体積抵抗率（ρ）が大きく、０．４μΩ・ｍ以上となり、またシャント構造体３の体積が大きくなる。 Also, the shunt resistor 16 is made of a copper alloy containing tin. Therefore, the brazing wire 41 fits easily into the shunt resistor 16, and the brazing connection can be easily realized. Further, since tin is contained, the absolute value of the temperature coefficient (TCR) of the shunt structure 3 can be lowered, for example, ±50 ppm or less. Furthermore, the volume resistivity (ρ) of the shunt structure 3 can be lowered, for example, 0.35 μΩ·m or less. Incidentally, for example, when a copper alloy containing copper, manganese and nickel but not containing tin is used as the material of the shunt resistor 16, the volume resistivity (.rho.) of the shunt structure 3 is large and is 0.0. 4 μΩ·m or more, and the volume of the shunt structure 3 increases.

さらに、第１接続部１７が、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成され、第２接続部１９が、シャント抵抗１６と第２バスバ１８との端部同士を上下に重ね合わせたロウ付け接続で構成されるものとした。それゆえ、第１バスバ１５、シャント抵抗１６及び第２バスバ１８を一枚の板状に形成することができる。
また第１接続部１７が、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成され、第２接続部１９が、シャント抵抗１６と第２バスバ１８との端面同士を突き合わせたロウ付け接続で構成されるものとした。それゆえ、第１バスバ１５とシャント抵抗１６との接触面積、第２バスバ１８とシャント抵抗１６との接触面積を増大でき、シャント抵抗１６、第１バスバ１５及び第２バスバ１８を強固に接合できる。 Further, the first connecting portion 17 is configured by brazing connection in which the ends of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 are vertically overlapped, and the second connecting portion 19 is configured by connecting the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 together. and brazing connection in which the ends of the two are superimposed one on top of the other. Therefore, the first busbar 15, the shunt resistor 16 and the second busbar 18 can be formed in a single plate.
The first connecting portion 17 is formed by brazing the end surfaces of the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 butting against each other, and the second connecting portion 19 connects the end surfaces of the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 together. It was assumed to consist of butt brazed connections. Therefore, the contact area between the first bus bar 15 and the shunt resistor 16 and the contact area between the second bus bar 18 and the shunt resistor 16 can be increased, and the shunt resistor 16, the first bus bar 15 and the second bus bar 18 can be firmly joined. .

また、図２に示すように、シャント抵抗１６と第１バスバ１５との第１接続部１７の周囲、及びシャント抵抗１６と第２バスバ１８との第２接続部１９の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている構成とした。それゆえ、結露等で生じた水が第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲に接触することを防止することができる。そのため、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲のそれぞれで、成分の異なる銅合金による異種金属の接触が生じても、水によるイオン化が防止され、異種金属接触による電気腐食を抑制できる。
さらに、第１接続部１７の周囲、及び第２接続部１９の周囲をコーティングしている絶縁樹脂を、筐体２の箱体５を構成する絶縁樹脂と一体とした。それゆえ、箱体５の形成時に、コーティングも一緒に行うことができ、コーティングに要する手間を軽減できる。 Further, as shown in FIG. 2, the periphery of the first connection portion 17 between the shunt resistor 16 and the first bus bar 15 and the periphery of the second connection portion 19 between the shunt resistor 16 and the second bus bar 18 are coated with an insulating resin. It was configured as Therefore, it is possible to prevent water generated by condensation or the like from contacting the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19 . Therefore, even if dissimilar metals made of copper alloys with different components come into contact with each other around the first connection portion 17 and the second connection portion 19, ionization by water is prevented, and electric corrosion due to contact of dissimilar metals can be suppressed. .
Furthermore, the insulating resin coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 is integrated with the insulating resin forming the box body 5 of the housing 2 . Therefore, when the box 5 is formed, coating can be performed together, and the labor required for coating can be reduced.

また、第１バスバ１５と第１電極端子１１との第３接続部３５の周囲、及び第２バスバ１８と第２電極端子１３との第４接続部３７の周囲が絶縁樹脂でコーティングされている構成とした。それゆえ、結露等で生じた水が第３接続部３５及び第４接続部３７の周囲に接触することを防止できる。そのため、第３接続部３５及び第４接続部３７のそれぞれで、成分の異なる銅合金による異種金属の接触が生じても、水によるイオン化が防止されるため、異種金属接触による電気腐食を抑制できる。
さらに、第１電極端子１１及び第２電極端子１３と、第１貫通孔１２及び第２貫通孔１４の内周面とを離間させる構成とした。それゆえ、外力等でシャント構造体３と筐体２とが相対移動しても、第１貫通孔１２の内周面と第１電極端子１１との直接衝突や、第２貫通孔１４の内周面と第２電極端子１３との直接衝突を防止できる。そのため、第１電極端子１１及び第２電極端子１３の破損を抑制できる。 In addition, the periphery of the third connection portion 35 between the first bus bar 15 and the first electrode terminal 11 and the periphery of the fourth connection portion 37 between the second bus bar 18 and the second electrode terminal 13 are coated with an insulating resin. It was configured. Therefore, it is possible to prevent water generated by condensation or the like from contacting the periphery of the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37 . Therefore, even if dissimilar metals made of copper alloys having different components come into contact with each other in the third connection portion 35 and the fourth connection portion 37, ionization by water is prevented, so that electrical corrosion due to contact of dissimilar metals can be suppressed. .
Further, the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 are separated from the inner peripheral surfaces of the first through hole 12 and the second through hole 14 . Therefore, even if the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other due to an external force or the like, direct collision between the inner peripheral surface of the first through-hole 12 and the first electrode terminal 11 and the inner surface of the second through-hole 14 may occur. A direct collision between the peripheral surface and the second electrode terminal 13 can be prevented. Therefore, breakage of the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 can be suppressed.

なお、上記実施形態では、第１接続部１７の周囲及び第２接続部１９の周囲のコーティングを行った後に、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲のコーティングを行う例を示したが、他の方法を採用することもできる。例えば、第１接続部１７の周囲及び第２接続部１９の周囲を絶縁樹脂でコーティングする際に、コーティングに用いた絶縁樹脂で、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲のコーティングも行うようにしてもよく、コーティングに要する手間を軽減できる。 In the above-described embodiment, the coating around the third connection portion 35 and the circumference of the fourth connection portion 37 is performed after coating the circumference of the first connection portion 17 and the circumference of the second connection portion 19. Although shown, other methods may be employed. For example, when coating the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 with an insulating resin, the insulating resin used for the coating may be used to coat the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37. Coating may also be performed, and the labor required for coating can be reduced.

また、第３接続部３５の周囲及び第４接続部３７の周囲をコーティングしている絶縁樹脂を、箱体５を構成する絶縁樹脂よりも弾性率が低い絶縁樹脂とした。それゆえ、外力等でシャント構造体３と筐体２とが相対移動し、第１貫通孔１２の内周面で第１端子カバー３６が押され、第２貫通孔１４の内周面で第２電極端子１３が押されても、押圧力を第１端子カバー３６や第２端子カバー３８で吸収することができる。そのため第１端子カバー３６から第１電極端子１１への力の伝達や第２端子カバー３８から第２電極端子１３への力の伝達を抑制でき、第１電極端子１１及び第２電極端子１３の破損を防止できる。 The insulating resin coating the periphery of the third connection portion 35 and the periphery of the fourth connection portion 37 is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin forming the box 5 . Therefore, the shunt structure 3 and the housing 2 move relative to each other due to an external force or the like, the first terminal cover 36 is pushed by the inner peripheral surface of the first through hole 12 , and the inner peripheral surface of the second through hole 14 pushes the second terminal cover 36 . Even if the two-electrode terminal 13 is pressed, the pressing force can be absorbed by the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38 . Therefore, transmission of force from the first terminal cover 36 to the first electrode terminal 11 and transmission of force from the second terminal cover 38 to the second electrode terminal 13 can be suppressed. Damage can be prevented.

また、本発明の実施形態に係る電流検出装置１の製造方法では、箱体５のカバー２６が、シャント構造体３に密着して第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲を覆うように、シャント構造体３に箱体５を一体に形成するようにした。それゆえ、箱体５の形成時に、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲のコーティングも一緒に行うことができ、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲のコーティングに要する手間を軽減できる。 Further, in the method for manufacturing the current detection device 1 according to the embodiment of the present invention, the cover 26 of the box 5 is in close contact with the shunt structure 3 so as to cover the periphery of the first connection portion 17 and the second connection portion 19. Second, the box body 5 is integrally formed with the shunt structure 3. Therefore, when forming the box 5, the coating around the first connecting portion 17 and the second connecting portion 19 can also be performed together, and the coating around the first connecting portion 17 and the second connecting portion 19 requires It can save you time.

（変形例）
（１）なお、上記実施形態では、第１接続部１７の周囲及び第２接続部１９の周囲の両方を１つの大型のカバー２６で覆う例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１０に示すように、第１接続部１７の周囲及び第２接続部１９の周囲のそれぞれを小型のカバー３９、４０で個別に覆う構成としてもよい。カバー３９、４０は、第１接続部１７及び第２接続部１９の周囲及びその周辺に絶縁樹脂を塗布して形成してもよい。また、カバー３９、４０は、第１接続部１７の周囲及びその周辺、並びに第２接続部１９の周囲及びその周辺に金属をコーティングして形成するようにしてもよい。コーティングとしては、例えば、金属の薄膜を被覆するメッキ処理を採用することができる。金属としては、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、クロム（Cr）、亜鉛（Zn）、チタン（Ti）、マンガン（Mn）、タングステン（W）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）の１つ又は複数を含む合金又は化合物や、スズ（Sn）を用いることができる。 (Modification)
(1) In the above-described embodiment, an example of covering both the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19 with one large cover 26 is shown, but other configurations may be adopted. can. For example, as shown in FIG. 10, a configuration may be adopted in which small covers 39 and 40 individually cover the periphery of the first connection portion 17 and the periphery of the second connection portion 19, respectively. The covers 39 and 40 may be formed by applying an insulating resin around and around the first connection portion 17 and the second connection portion 19 . Also, the covers 39 and 40 may be formed by coating metal around and around the first connecting portion 17 and around and around the second connecting portion 19 . As the coating, for example, a plating process for coating a metal thin film can be adopted. Metals include nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium Alloys or compounds containing one or more of (Nb) and tin (Sn) can be used.

（２）また、上記実施形態では、第３接続部３５の周囲を覆う第１端子カバー３６を、第１バスバ１５の上面の第１領域２７と第１貫通孔１２の内周面とで囲まれた空間に液状の絶縁樹脂を充填して形成する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１０に示すように、第３接続部３５の周囲及びその周辺にのみ絶縁樹脂を塗布して形成するようにしてもよい。第２端子カバー３８についても同様である。なお、図１０では、第１電極端子１１及び第２電極端子１３として、棒状の電極端子を用いた例を示している。また、第１端子カバー３６、第２端子カバー３８は、第３接続部３５の周囲、第４接続部３７の周囲及びそれらの周辺にスズ及び亜鉛が含有された金属をコーティングして形成するようにしてもよい。また、カバー３９、４０は、第１接続部１７の周囲、第２接続部１９の周囲及びそれらの周辺に金属をコーティングして形成するようにしてもよい。金属としては、ニッケル（Ni）、スズ（Sn）、クロム（Cr）、亜鉛（Zn）、チタン（Ti）、マンガン（Mn）、タングステン（W）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）の１つ又は複数を含む合金又は化合物や、スズ（Sn）を用いることができる。 (2) In the above embodiment, the first terminal cover 36 that covers the third connecting portion 35 is surrounded by the first area 27 on the upper surface of the first bus bar 15 and the inner peripheral surface of the first through hole 12 . Although an example in which the recessed space is filled with a liquid insulating resin has been shown, other configurations can also be adopted. For example, as shown in FIG. 10, the insulating resin may be applied only around the third connecting portion 35 and its periphery. The same applies to the second terminal cover 38 as well. Note that FIG. 10 shows an example in which rod-shaped electrode terminals are used as the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 . In addition, the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38 are formed by coating the periphery of the third connection part 35, the periphery of the fourth connection part 37, and their surroundings with a metal containing tin and zinc. can be Also, the covers 39 and 40 may be formed by coating the periphery of the first connection portion 17, the periphery of the second connection portion 19, and their periphery with metal. Metals include nickel (Ni), tin (Sn), chromium (Cr), zinc (Zn), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), niobium Alloys or compounds containing one or more of (Nb) and tin (Sn) can be used.

（３）さらに、上記実施形態では、第１電極端子１１を第１バスバ１５に接続し、第２電極端子１３を第２バスバ１８に接続する例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１１に示すように、第１電極端子１１及び第２電極端子１３をシャント抵抗１６に接続する構成としてもよい。シャント抵抗１６に接続することにより、例えば、第１バスバ１５や第２バスバ１８に接続する場合よりも、電流検出装置１の検出精度を向上することができる。なお、図１１では、図１０と同様の第１端子カバー３６及び第２端子カバー３８、第１電極端子１１及び第２電極端子１３を用いた例を示している。 (3) Furthermore, in the above embodiment, an example in which the first electrode terminal 11 is connected to the first bus bar 15 and the second electrode terminal 13 is connected to the second bus bar 18 is shown, but other configurations may be adopted. can also For example, as shown in FIG. 11, the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13 may be connected to the shunt resistor 16 . By connecting to the shunt resistor 16 , the detection accuracy of the current detection device 1 can be improved more than, for example, when connecting to the first bus bar 15 or the second bus bar 18 . 11 shows an example using the first terminal cover 36 and the second terminal cover 38, the first electrode terminal 11 and the second electrode terminal 13, which are similar to those in FIG.

（４）また、上記実施形態では、第１バスバ１５及び第２バスバ１８の幅や厚みを、シャント抵抗１６の幅や厚みと同一とする例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１２に示すように、第１バスバ１５の幅及び第２バスバ１８の幅を、シャント抵抗１６の幅よりも大きくしてもよい。また、図１３に示すように、第１バスバ１５の厚み及び第２バスバ１８の厚みを、シャント抵抗１６の厚みよりも大きくしてもよい。第１バスバ１５及び第２バスバ１８の幅や厚みを、シャント抵抗１６の幅や厚みよりも大きくし、第１バスバ１５及び第２バスバ１８をヒートシンクとして用いることにより、シャント抵抗１６が発する熱を、第１バスバ１５及び第２バスバ１８で効率的に放熱できる。 (4) In the above embodiment, the width and thickness of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are the same as the width and thickness of the shunt resistor 16, but other configurations may be adopted. can. For example, as shown in FIG. 12 , the width of the first busbar 15 and the width of the second busbar 18 may be larger than the width of the shunt resistor 16 . Also, as shown in FIG. 13 , the thickness of the first bus bar 15 and the thickness of the second bus bar 18 may be larger than the thickness of the shunt resistor 16 . By making the width and thickness of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 larger than the width and thickness of the shunt resistor 16 and using the first bus bar 15 and the second bus bar 18 as heat sinks, the heat generated by the shunt resistor 16 can be reduced. , the first bus bar 15 and the second bus bar 18 can efficiently dissipate heat.

（５）さらに、上記実施形態では、第１バスバ１５の表面及び第２バスバ１８の表面にメッキ層４２のみを設ける例を示したが、他の構成を採用することもできる。例えば、図１４に示すように、第１バスバ１５のシャント抵抗１６との接続面、第２バスバ１８のシャント抵抗１６との接続面、シャント抵抗１６の第１バスバ１５との接続面及びシャント抵抗１６の第２バスバ１８との接続面に、ロウ４１が含むスズの拡散を抑制するためのバリア層４５、４６、４７を備えてもよい。図１４では、一例として、第１バスバ１５、第２バスバ１８、シャント抵抗１６の全体をバリア層４５、４６、４７で覆っている。
この場合、第１バスバ１５及び第２バスバ１８のメッキ層４２は、第１バスバ１５のバリア層４５の表面と、第２バスバ１８のバリア層４７の表面とのそれぞれに設ける。バリア層４５、４６、４７を備えることにより、例えば、ロウ付け時に加えられる熱や、シャント抵抗１６の使用時に発生される熱が生じたときに、ロウ４１に含まれるスズが第１バスバ１５内、第２バスバ１８内及びシャント抵抗１６内に拡散されることを抑制できる。バリア層４５、４６、４７の材料としては、例えば、ニッケル（Ni）、チタン（Ti）、マンガン（Mn）、タングステン（W）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）の１つ又は複数を含む合金又は化合物等の融点の高い金属を用いることができる。 (5) Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which only the plated layer 42 is provided on the surface of the first bus bar 15 and the surface of the second bus bar 18 is shown, but other configurations can also be adopted. For example, as shown in FIG. 14, the connecting surface of the first bus bar 15 with the shunt resistor 16, the connecting surface of the second bus bar 18 with the shunt resistor 16, the connecting surface of the shunt resistor 16 with the first bus bar 15, and the shunt resistor Barrier layers 45 , 46 , 47 for suppressing diffusion of tin contained in the row 41 may be provided on the connection surface of the 16 with the second bus bar 18 . In FIG. 14, the first bus bar 15, the second bus bar 18, and the shunt resistor 16 are entirely covered with barrier layers 45, 46, and 47 as an example.
In this case, the plated layers 42 of the first bus bar 15 and the second bus bar 18 are provided on the surface of the barrier layer 45 of the first bus bar 15 and the surface of the barrier layer 47 of the second bus bar 18, respectively. By providing the barrier layers 45 , 46 , and 47 , tin contained in the brazing wire 41 is prevented from entering the first bus bar 15 when heat is applied during brazing or heat is generated when the shunt resistor 16 is used. , diffusion into the second bus bar 18 and the shunt resistor 16 can be suppressed. Materials for the barrier layers 45, 46, and 47 include, for example, nickel (Ni), titanium (Ti), manganese (Mn), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), and niobium (Nb). High melting point metals such as alloys or compounds containing one or more can be used.

１…電流検出装置、２…筐体、３…シャント構造体、４…検出回路、５…箱体、６…蓋体、７…下部空間、８…上部空間、９…内部隔壁、１０…開口部、１１…第１電極端子、１２…第１貫通孔、１３…第２電極端子、１４…第２貫通孔、１５…第１バスバ、１６…シャント抵抗、１７…第１接続部、１８…第２バスバ、１９…第２接続部、２０…バッテリポスト端子（他のバスバ）、２１…凹部、２２…コネクタ、２３…出力端子、２４…他のバスバ、２５…隔壁残部、２６…カバー、２７…第１領域、２８、２９…直線部、３０…中間部、３１…第２領域、３２、３３…直線部、３４…中間部、３５…第３接続部、３６…第１端子カバー、３７…第４接続部、３８…第２端子カバー、３９、４０…カバー、４１…ロウ、４２…メッキ層、４３…下地層、４４…最外層、４５～４７…バリア層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Current detection apparatus, 2... Housing, 3... Shunt structure, 4... Detection circuit, 5... Box, 6... Lid, 7... Lower space, 8... Upper space, 9... Internal partition, 10... Opening Part 11... First electrode terminal 12... First through hole 13... Second electrode terminal 14... Second through hole 15... First bus bar 16... Shunt resistor 17... First connection part 18... Second bus bar 19 Second connection portion 20 Battery post terminal (another bus bar) 21 Recess 22 Connector 23 Output terminal 24 Other bus bar 25 Partition wall remainder 26 Cover 27... First area 28, 29... Straight part 30... Intermediate part 31... Second area 32, 33... Straight part 34... Intermediate part 35... Third connection part 36... First terminal cover, 37... Fourth connection part 38... Second terminal cover 39, 40... Cover 41... Row 42... Plated layer 43... Base layer 44... Outermost layer 45 to 47... Barrier layer

Claims

a shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar respectively connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and connected to the second bus bar or the shunt resistor a shunt structure having a second electrode terminal;
a detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and configured to detect the magnitude of the current flowing through the shunt resistor;
A housing that accommodates the shunt structure and the detection circuit,
The first bus bar and the second bus bar are made of pure copper or a copper alloy,
a first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and a second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar are respectively configured by brazing connection,
a periphery of a third connection portion between the first bus bar and the first electrode terminal and a periphery of a fourth connection portion between the second bus bar and the second electrode terminal are coated with a specific insulating resin;
The housing has a first space for housing the shunt structure, a second space for housing the detection circuit, and an internal partition wall that separates the first space and the second space,
the internal partition has a through hole through which the first electrode terminal and the second electrode terminal pass;
The first electrode terminal and the second electrode terminal are separated from the inner peripheral surface of the through hole,
The specific insulating resin coating the periphery of the third connection portion and the periphery of the fourth connection portion is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin forming the housing,
A current detection device in which the specific insulating resin absorbs a pressing force generated when the shunt structure and the housing move relative to each other and the inner peripheral surface of the through hole presses the specific insulating resin.

a shunt resistor, a first bus bar and a second bus bar respectively connected to both ends of the shunt resistor, a first electrode terminal connected to the first bus bar or the shunt resistor, and connected to the second bus bar or the shunt resistor a shunt structure having a second electrode terminal;
a detection circuit connected to the first electrode terminal and the second electrode terminal and configured to detect the magnitude of the current flowing through the shunt resistor;
A housing that accommodates the shunt structure and the detection circuit,
The first bus bar and the second bus bar are made of pure copper or a copper alloy,
a first connection portion between the shunt resistor and the first bus bar and a second connection portion between the shunt resistor and the second bus bar are brazed ,
a periphery of a third connection portion between the first bus bar and the first electrode terminal and a periphery of a fourth connection portion between the second bus bar and the second electrode terminal are coated with a specific insulating resin;
The housing has a first space for housing the shunt structure, a second space for housing the detection circuit, and an internal partition wall that separates the first space and the second space,
the internal partition has a through hole through which the first electrode terminal and the second electrode terminal pass;
The first electrode terminal and the second electrode terminal are separated from the inner peripheral surface of the through hole,
The specific insulating resin coating the periphery of the third connection portion and the periphery of the fourth connection portion is an insulating resin having a lower elastic modulus than the insulating resin forming the housing,
A current detection device in which the specific insulating resin absorbs a pressing force generated when the shunt structure and the housing move relative to each other and the inner peripheral surface of the through hole presses the specific insulating resin.

3. The periphery of the first connecting portion between the shunt resistor and the first bus bar and the periphery of the second connecting portion between the shunt resistor and the second bus bar are coated with insulating resin or metal according to claim 1 or 2 . current sensing device.

4. The current detection device according to claim 3 , wherein the insulating resin coating the periphery of the first connection portion and the periphery of the second connection portion is integrated with the insulating resin forming the housing.