JP2019140230A - 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019140230A
JP2019140230A JP2018021922A JP2018021922A JP2019140230A JP 2019140230 A JP2019140230 A JP 2019140230A JP 2018021922 A JP2018021922 A JP 2018021922A JP 2018021922 A JP2018021922 A JP 2018021922A JP 2019140230 A JP2019140230 A JP 2019140230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
surface layer
solid
light
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018021922A
Other languages
English (en)
Inventor
戸田 淳
Atsushi Toda
淳 戸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2018021922A priority Critical patent/JP2019140230A/ja
Priority to PCT/JP2018/042049 priority patent/WO2019155709A1/ja
Priority to US16/964,864 priority patent/US11961858B2/en
Publication of JP2019140230A publication Critical patent/JP2019140230A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/008Surface plasmon devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/26Reflecting filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/284Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0012Biomedical image inspection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10Image acquisition
    • G06V10/12Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/143Sensing or illuminating at different wavelengths
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10Image acquisition
    • G06V10/12Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/147Details of sensors, e.g. sensor lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636Interconnect structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464Back illuminated imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10Image acquisition modality
    • G06T2207/10032Satellite or aerial image; Remote sensing
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30181Earth observation
    • G06T2207/30188Vegetation; Agriculture
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V20/00Scenes; Scene-specific elements
    • G06V20/10Terrestrial scenes
    • G06V20/188Vegetation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V2201/00Indexing scheme relating to image or video recognition or understanding
    • G06V2201/03Recognition of patterns in medical or anatomical images
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

【課題】分光スペクトルを求める固体撮像素子において、リップルを抑制する。【解決手段】固体撮像素子は、表面層、フィルタ層、および、光電変換層を具備する。この固体撮像素子において、表面層の厚さは、入射光のコヒーレンス長の半分を越える。また、固体撮像素子においてフィルタ層は、表面層を透過した入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射する。また、固体撮像素子において光電変換層は、フィルタ層を透過した所定の対象光を光電変換する。【選択図】図4

Description

本技術は、固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法に関する。詳しくは、光学フィルタを用いて分光を行う固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法に関する。
従来より、光を複数の色に分解(すなわち、分光)する際に、所望の波長を通過させる光学フィルタが用いられている。例えば、有機光電変換層、カラーフィルタおよび無機光電変換層を配置した固体撮像素子が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この固体撮像素子において、有機光電変換層は入射光を光電変換して、ある波長の受光データを生成する。その有機光電変換層を透過した光のうち所望の波長の光をカラーフィルタが透過し、無機光電変換層が、その透過光を光電変換して、有機光電変換層とは別の波長の受光データを生成する。そして、それらの受光データから、波長ごとの強度(スペクトル)の分布である分光スペクトルが求められる。この分光スペクトルにおいて、スペクトルの軌跡が波打つ(言い換えれば、振動する)ことがあり、その振動はリップルと呼ばれる。
特開2011−238658号公報
上述の従来技術では、分光スペクトルを解析することにより、生体認証や植生調査などの様々な処理を行うことができる。しかしながら、上述の構成では、固体撮像素子の受光面で反射した光とカラーフィルタで反射した光とが干渉することにより、リップルが大きくなるおそれがある。リップルが大きいと、生体認証などの処理において精度が低下するため、リップルを抑制することが望ましい。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、分光スペクトルを求める固体撮像素子において、リップルを抑制することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、上記表面層を透過した上記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを上記表面層へ反射するフィルタ層と、上記フィルタ層を透過した上記所定の対象光を光電変換する光電変換層とを具備する固体撮像素子である。これにより、表面層の受光面で反射した反射光と、表面層およびフィルタ層の界面で反射した反射光との光路差がコヒーレンス長未満になるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記表面層は、反射防止膜を備えてもよい。これにより、表面層の反射率が低減するという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記表面層は、二酸化ケイ素の層をさらに備えてもよい。これにより、二酸化ケイ素層の受光面で反射した反射光と、二酸化ケイ素層およびフィルタ層の界面で反射した反射光との光路差がコヒーレンス長未満になるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記表面層は、透明樹脂の層をさらに備えてもよい。これにより、シリコンウェハの反りが抑制されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記表面層は、応力緩和樹脂の層をさらに備えてもよい。これにより、透明樹脂層の剥離が防止されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記フィルタ層は、表面プラズモン共鳴フィルタを備えてもよい。これにより、所望の波長の光がフィルタ層を透過するという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記フィルタ層は、ファブリぺロ共振器を備えてもよい。これにより、所望の波長の光がフィルタ層を透過するという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記入射光は、自然光を含み、上記表面層の厚さは、2.0マイクロメートルを下回らない構成とすることもできる。これにより、リップルが低減するという作用をもたらす。
また、本技術の第2の側面は、入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、上記表面層を透過した上記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを上記表面層へ反射するフィルタ層と、上記フィルタ層を透過した上記所定の対象光を光電変換して画素信号を生成する光電変換層と、上記画素信号に対して所定の信号処理を実行する信号処理部とを具備する電子装置、および、その製造方法である。これにより、リップルの低減した分光スペクトルが求められるという作用をもたらす。
また、この第2の側面において、カバーガラスをさらに具備し、上記入射光は、上記カバーガラスと所定の気体とを介して上記表面層に入射されてもよい。これにより、オンチップレンズ無しの固体撮像素子において分光が行われるという作用をもたらす。
また、この第2の側面において、上記信号処理において正規化植生指数を求めてもよい。これにより、植生が調査されるという作用をもたらす。
また、この第2の側面において、上記信号処理部は、上記信号処理において生体認証を行うこともできる。これにより、セキュリティが向上するという作用をもたらす。
本技術によれば、分光スペクトルを求める固体撮像素子において、リップルを抑制することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術の第1の実施の形態における電子装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるカメラモジュールの断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における画素の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における表面プラズモン共鳴フィルタの平面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における画素毎の直径および周期の一例を示す図である。 比較例における厚さを0.1マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 比較例における厚さを1.0マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 比較例における厚さを1.5マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第1の実施の形態における厚さを2.0マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第1の実施の形態における厚さを2.5マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第1の実施の形態における分光振幅の測定結果を示すグラフである。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子を形成した電子装置の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態におけるレジストを塗布した電子装置の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における最初のエッチングを行った電子装置の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態におけるエッチング後にレジストを塗布した電子装置の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における2回目のエッチングを行った電子装置の断面図の一例である。 本技術の第1の実施の形態における電子装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本技術の第2の実施の形態における画素の断面図の一例である。 本技術の第2の実施の形態における分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第2の実施の形態における周期および直径を変更した際の分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第3の実施の形態における画素の断面図の一例である。 本技術の第3の実施の形態における分光感度特性の一例を示すグラフである。 本技術の第4の実施の形態における画素の断面図の一例である。 本技術の第4の実施の形態におけるファブリぺロ共振器の断面図の一例である。 本技術の第5の実施の形態における電子装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第5の実施の形態における波長ごとの反射率の一例を示すグラフである。 本技術の第6の実施の形態における電子装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第6の実施の形態における波長ごとの反射率の一例を示すグラフである。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 図30に示すカメラヘッド及びCCUの機能構成の一例を示すブロック図である。
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.第1の実施の形態(表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくする例)
2.第2の実施の形態(透明樹脂を含む表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくする例)
3.第3の実施の形態(応力緩和樹脂層を含む表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくする例)
4.第4の実施の形態(表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくし、その下方にファブリぺロ共振器を配置する例)
5.第5の実施の形態(表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくして植生調査を行う例)
6.第6の実施の形態(表面層の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくして生体認証を行う例)
7.内視鏡手術システムへの応用例
<1.第1の実施の形態>
[電子装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における電子装置100の一構成例を示すブロック図である。この電子装置100は、光を分光するための装置であり、カメラモジュール110、信号処理部120および表示部130を備える。電子装置100としては、生体認証機能を持つスマートフォンや、ドローンに搭載されるカメラなどが想定される。
カメラモジュール110は、垂直走査信号などに同期して画像データを撮像するものである。このカメラモジュール110は、画像データを信号処理部120に信号線119を介して供給する。
信号処理部120は、画像データに対して所定の信号処理を実行するものである。この信号処理部120は、信号処理において、分光スペクトルを求める。この分光スペクトルは、生体認証などに用いられる。信号処理部120は、処理結果を表示部130に信号線129を介して供給する。表示部130は、処理結果を表示するものである。
[カメラモジュールの構成例]
図2は、本技術の第1の実施の形態におけるカメラモジュール110の断面図の一例である。このカメラモジュール110は、カバーガラス111、固体撮像素子200および支持基板113を備える。
ここで、カバーガラス111や固体撮像素子200の受光面に平行な所定方向をX方向とし、受光面に垂直な方向をZ方向とする。また、X方向およびZ方向に垂直な方向をY方向とする。同図の断面図は、Y方向から見た図である。
カバーガラス111は、固体撮像素子200の受光面を保護するものである。カバーガラス111と固体撮像素子200との間には、空気や乾燥窒素ガスなどの所定の気体が充填されている。また、固体撮像素子200は、ワイヤ112を介して支持基板113に接続されている。
[固体撮像素子の構成例]
図3は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の一構成例を示すブロック図である。この固体撮像素子200は、垂直駆動部210、画素アレイ部220、タイミング制御部230、カラム信号処理部240および水平駆動部250を備える。
画素アレイ部220には、二次元格子状に複数の画素300が配列される。以下、水平方向に配列された画素300の集合を「行」と称し、行に垂直な方向に配列された画素300の集合を「列」と称する。
また、画素アレイ部220は、それぞれが所定数の画素300からなる複数の画素ブロック221に分割される。例えば、画素ブロック221のそれぞれは、4行×4列の16個の画素300から構成される。画素ブロック221内の画素300のそれぞれは、互いに異なる波長の光を受光して画素信号を生成し、カラム信号処理部240に供給する。
タイミング制御部230は、垂直同期信号VSYNCに同期して垂直駆動部210、カラム信号処理部240および水平駆動部250のそれぞれの動作タイミングを制御するものである。垂直駆動部210は、行を順に駆動して画素信号を出力させるものである。
カラム信号処理部240は、画素アレイ部220からの画素信号に対して、列ごとに、AD(Analog to Digital)変換処理や、CDS(Correlated Double Sampling)処理などを実行するものである。このカラム信号処理部240は、処理後の画素信号を垂直駆動部210の制御に従って信号処理部120に出力する。水平駆動部250は、列を順に選択して、その列の画素信号を出力させるものである。
[画素の構成例]
図4は、本技術の第1の実施の形態における画素300の断面図の一例である。支持基板113からカバーガラス111(言い換えれば、受光側)への方向を上方向として、画素300の最上層には、表面層310が配置される。
表面層310は、屈折率が1の空気を介して光が入射される最初の層であり、固体撮像素子200の表面を保護するために設けられる。この表面層310の屈折率は例えば、1より大きい。表面層310として、例えば、二酸化ケイ素(SiO)層311が用いられる。また、表面層の310の下層にフィルタ層320が配置される。
なお、表面層310に二酸化ケイ素層311のみを配置しているが、後述するように、さらに反射防止膜を配置して表面層310を2層構造としてもよい。
フィルタ層320は、表面層310を透過した入射光のうち所定の対象光を透過し、残りを表面層310へ反射するものである。このフィルタ層320は、上から順に酸窒化ケイ素(SiON)層321、窒化ケイ素(Si)層322、酸窒化ケイ素層323、二酸化ケイ素層324および表面プラズモン共鳴フィルタ340を備える。
酸窒化ケイ素層321、窒化ケイ素層322および酸窒化ケイ素層323のそれぞれの屈折率は異なり、それらの層の厚さを変更することにより、フィルタ層320の反射率を調整することができる。また、窒化ケイ素層322は、表面プラズモン共鳴フィルタ340に用いられるアルミの酸化を防止するパッシベーション層として機能する。
表面プラズモン共鳴フィルタ340は、表面プラズモンと光とが共鳴する表面プラズモン共鳴現象を利用して所定の波長の光を透過するものである。ここで、プラズモンとは、金属微粒子に光が当たって、その内部の電子が揺さぶられて電場に変化が生じ、自由電子が偏った状態を意味し、表面プラズモンとは、金属表面で生じたプラズモンを指す。この表面プラズモン共鳴フィルタ340の構造の詳細については後述する。
フィルタ層320の下方には二酸化ケイ素層331が配置される。この二酸化ケイ素層331の外周の近傍には、遮光膜332が配置される。遮光膜332は、隣接する画素からの光を遮光するものであり、混色を防止するために設けられる。
二酸化ケイ素層331の下方には、反射防止膜333が配置され、その反射防止膜333の下方には光電変換層334が配置される。
光電変換層334は、フィルタ層320を透過した対象光を光電変換して画素信号を生成するものである。光電変換層334として、例えば、pn接合のフォトダイオードが形成されたシリコン基板が用いられる。光電変換層334の下方には、配線層がさらに配置されているが、記載の便宜上、配線層は省略されている。
ここで、リップルの発生要因について述べる。空気と表面層310とのそれぞれの屈折率が異なるため、表面層310に入射光が入射されると、表面層310の受光面p1において入射光の一部が透過し、残りが反射する。図4における太い実線は、入射光と、その一部が反射した反射光r1とを示す。
また、表面層310とフィルタ層320とのそれぞれの屈折率が異なるため、受光面p1を透過した透過光は、表面層310およびフィルタ層320の界面p2において透過光の一部が透過し、残りが反射する。図4における一点鎖線は、受光面p1を透過した透過光と、その一部が反射した反射光r2とを示す。
これらの反射光r1と反射光r2との重ね合わせにより干渉が生じる。このときに、反射光r1およびr2のそれぞれの光路長の差と、反射による位相反転の有無とにより、それらの光の位相差が決定される。位相差が波長の整数倍の場合には強めあい、半波長ずれる場合には弱めあうことになる。この干渉により、画素300の反射率が変動する。同様に透過率も変動する。
また、干渉においては、m(mは整数)次と、m+1次とが強めあう際の波長間隔Δλは、次の式により表される。
Δλ=λ/(4n)×(4Δn+λ/d) ・・・式1
上式において、λは、入射光(自然光など)の波長を示し、単位は、例えば、マイクロメートル(μm)である。nは、表面層310の屈折率を示す。Δnは、表面層310の波長に対する屈折率の差であり、屈折率波長分散を示す。dは、表面層310の厚さを示し、単位は、例えば、マイクロメートル(μm)である。
式1より、厚さdが大きくなるほど、また、屈折率分散Δnが小さくなるほど、スペクトルの振動(リップル)の周期を表す波長間隔Δλが短くなる。このように、リップルは、反射光r1およびr2の干渉により生じる。したがって、リップルを小さくするには、干渉を弱めればよい。
ここで、干渉現象は、反射光r1およびr2の光路差である2dがコヒーレンス長以下のときに生じる。すなわち、次の式が成立する際に干渉が生じる。
2d≦Lc ・・・式2
上式においてLcは入射光のコヒーレンス長であり、次の式により表される。
Lc≒λ/δλ
上式において、δλは、スペクトル半値幅であり、単位は、例えば、マイクロメートル(μm)である。自然光では、コヒーレンス長Lcは、数マイクロメートル(μm)程度である。
したがって、式2より、表面層310の厚さdを、次の式を満たす値とすれば、可干渉性を喪失させることができる。すなわち、表面層310の厚さdをコヒーレンス長Lcの半分より大きくすることにより、リップルを低減することができる。
d>Lc/2 ・・・式3
なお、画素300ごとにOCL(On-Chip micro-Lenses)を設ける構成としても、リップルを緩和することができるが、この構成は好ましくない。OCLを設けると、そのレンズの中心付近で垂直入射した光は、そのまま表面層310に垂直入射するが、中心からずれた位置に入射した光は、表面層310において斜め方向に入射することになる。このときに、斜め方向に入射した光は、垂直入射した光に対して、光路長が変化するため、リップルが波長シフトを起こす。したがって、1つの光電変換層334に異なる光が同時に入射されるために積算されてリップルが緩和されたように見えるのであり、干渉効果自体は緩和されていない。そして、その斜め入射の成分により、ピーク波長が長波長シフトを起こしてブロードな分光に変化してしまうというデメリットが生じる。
これに対して固体撮像素子200では、図2に例示したようにOCLレスの構造である。このため、OCLを設けた場合と比較して信号処理のナロー化が可能となる。ここで、OCLレスは、最上層の表面層310にOCLが無く、平坦であることを意味する。なお、「平坦」とは、光の波長より大きな凹凸が無く、光学的に平坦と見なせる状態を意味する。
[フィルタの構成例]
図5は、本技術の第1の実施の形態における表面プラズモン共鳴フィルタ340の平面図の一例である。この表面プラズモン共鳴フィルタ340は、アルミ(Al)などの薄膜に複数の孔341を一定間隔で空けたものである。隣接する孔341の間隔は、「周期」と呼ばれる。孔341の直径Dと、周期Pとを変更することにより、透過分光スペクトルと、そのピーク波長とを調整することができる。なお、アルミの代わりに、金(Au)や銀(Ag)の薄膜を用いることもできる。また、表面プラズモン共鳴フィルタ340の上層や下層、あるいは孔341の中に、酸化膜等の誘電体を配置してもよい。
図6は、本技術の第1の実施の形態における画素毎の直径および周期の一例を示す図である。画素ブロック221内の画素300ごとに、その画素の表面プラズモン共鳴フィルタ340の直径および周期の少なくとも一方が異なる。
画素ブロック221には4行×4列に16個の画素300が配列されるため、例えば、xを「0」乃至「3」とし、yを「0」乃至「3」として、画素ブロック221内の画素300の相対座標は(x,y)により表される。
例えば、x座標「0」の画素300の周期にはP0が設定され、x座標「1」の画素300の周期にはP1が設定される。また、x座標「2」の画素300の周期にはP2が設定され、x座標「3」の画素300の周期にはP3が設定される。そして、y座標「0」の画素300の直径にはD0が設定され、y座標「1」の画素300の直径にはD1が設定される。また、y座標「2」の画素300の直径にはD2が設定され、y座標「3」の画素300の直径にはD3が設定される。
上述したように、画素ブロック221ごとに、16通りの直径および周期の組合せを設定することにより、入射光を16波長に分光することができる。これらの波長ごとの信号レベルをプロットすることにより、分光スペクトルが得られる。この分光スペクトルは、生体認証や植生調査などの様々なアプリケーションにおいて利用することができる。分光スペクトルにおいてリップルが生じると、アプリケーションの性能が低下するおそれがあるが、式3を満たす厚さdとすることにより、リップルを低減して性能低下を抑制することができる。
なお、画素ブロック221内の画素数は、16個に限定されず、例えば、3×3の9個や5×5の25個であってもよい。画素ブロック221内の画素数をn(nは、整数)個とすると、n個の波長成分に分光することができる。
リップル低減の効果を検証するために、様々な厚さdを設定した場合の分光感度特性を3次元のFDTD(Finite-Difference Time-Domain)法を用いて見積もった。
図7は、厚さdを0.1マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。
図8は、厚さdを1.0マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。
図9は、厚さdを1.5マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。
図10は、厚さdを2.0マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。
図11は、厚さdを2.5マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性の一例を示すグラフである。図7乃至図11において、縦軸は、分光感度を示し、横軸は波長を示す。
図12は、本技術の第1の実施の形態における分光振幅の測定結果を示すグラフである。同図において、縦軸は、図7乃至図11から得られた分光振幅を示し、横軸は、厚さdを示す。この分光振幅は、リップルの大きさを表す。
厚さdが2.0マイクロメートル(μm)未満の場合には、厚さdを小さくするほど分光振幅(リップル)が小さくなり、低減効果が大きい。一方、厚さdが2.0マイクロメートル(μm)以上の場合には、分光振幅が飽和する。このため、入射光を自然光とする場合、dは2.0マイクロメートル(μm)以上であることが望ましい。
[電子装置の製造方法]
次に、電子装置100の製造方法について説明する。電子装置100の製造システムにより、まず、支持基板113上に、固体撮像素子200が形成される。
図13は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200を形成した電子装置100の断面図の一例である。固体撮像素子200には、前述したように、上から順に、表面層310から光電変換層334までが設けられ、光電変換層334の下方に配線層410が設けられる。この配線層410には、パッド411が設けられる。次いで、固体撮像素子200の表面層310において、一部を開口させたレジストが塗布される。
図14は、本技術の第1の実施の形態におけるレジストを塗布した電子装置100の断面図の一例である。パッド411の接続箇所においてレジスト501が開口している。次に、リソグラフィ技術を用いて最初のエッチングが実行される。リソグラフィにおいては、マスク露光および現像が順に実行される。そして、レジスト501が取り除かれる。なお、エッチングはドライエッチングおよびウェットエッチングのいずれであってもよい。
図15は、本技術の第1の実施の形態における最初のエッチングを行った電子装置100の断面図の一例である。最初のエッチングにより、表面層310およびフィルタ層320の一部が開口し、その部分の光電変換層334が露出している。この固体撮像素子200に再度レジストが塗布される。
図16は、本技術の第1の実施の形態におけるエッチング後にレジスト502を塗布した電子装置100の断面図の一例である。同図に例示するように、レジスト502の一部が開口しており、その部分の面積は、最初のエッチングのレジスト501の開口部分よりも狭い。これにより、2回目のエッチングの際の固体撮像素子200へのダメージを軽減することができる。次に、リソグラフィ技術を用いて2回目のエッチングが実行される。そして、レジスト502が取り除かれる。
図17は、本技術の第1の実施の形態における2回目のエッチングを行った電子装置100の断面図の一例である。2回目のエッチングにより、光電変換層334および配線層410の一部が開口し、パッド411の接続箇所が露出している。この接続箇所は、ワイヤボンディングにより、支持基板113の電極と接続される。これにより、固体撮像素子200と支持基板113とが電気的に接続される。その他、各種の処理が実行されて電子装置100が完成する。
図18は、本技術の第1の実施の形態における電子装置100の製造方法の一例を示すフローチャートである。製造システムは、支持基板113上に固体撮像素子200を製造し(ステップS901)、最初のエッチングを行う(ステップS902)。そして、製造システムは、2回目のエッチングを行い(ステップS903)、ワイヤボンディングにより固体撮像素子200と支持基板113とを電気的に接続する(ステップS904)。ステップS904の後に製造システムは、各種の処理が実行して電子装置100の製造を終了する。
このように、本技術の第1の実施の形態によれば、表面層310の厚さをコヒーレンス長の半分より大きくしたため、表面層310の受光面で反射した反射光と、その下方の界面で反射した反射光との干渉を抑制することができる。これにより、分光スペクトルにおけるリップルを低減することができる。
<2.第2の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、表面層310として二酸化ケイ素層311を用いていた。しかし、フィルタ層320などを形成するシリコンウェハに二酸化ケイ素層311を形成すると、それらの熱膨張率の差異に起因して熱処理時においてシリコンウェハに反りが生じることがある。特に、二酸化ケイ素層311を厚くするほど、シリコンウェハの反りが大きくなるおそれがある。この第2の実施の形態の固体撮像素子200は、二酸化ケイ素層311の代わりに、透明樹脂層を設けた点において第1の実施の形態と異なる。
図19は、本技術の第2の実施の形態における画素300の断面図の一例である。この第2の実施の形態の画素300は、表面層310において、二酸化ケイ素層311の代わりに、上から順に反射防止膜312および透明樹脂層313を配置した点において第1の実施の形態と異なる。表面層310の厚さdは、第1の実施の形態と同様に式3を満たすものとする。
反射防止膜312は、表面層310の反射率を低下させるための膜であり、二酸化ケイ素(SiO)などが用いられる。この反射防止膜312は、透明樹脂層313よりも遥かに薄いものとする。なお、反射防止膜312を形成しない構成としてもよい。
透明樹脂層313として、例えば、シリコンウェハとの熱膨張率の差が二酸化ケイ素よりも小さい樹脂が用いられる。このような樹脂を用いることにより、熱処理によるシリコンウェハの反りを抑制することができる。また、この透明樹脂層313は、例えば、スピンコート法により形成される。スピンコート法を用いることにより、二酸化ケイ素層311を形成する場合よりも高速に表面層310を形成することができる。
図20は、本技術の第2の実施の形態における分光感度特性の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、分光感度を示し、横軸は波長を示す。厚さdを、式3を満たす値である3.0マイクロメートル(μm)とし、FDTD法を用いてシミュレーションにより求めた。なお、3.0マイクロメートル(μm)はスピンコート法により1回の塗布で生成することができる程度の厚さである。同図における実線は、厚さdを3.0マイクロメートル(μm)とした際の分光感度特性を示す。
また、比較のために、厚さdを式3を満たさない値である0.4マイクロメートルとし、同様のシミュレーションを行った。同図における点線は、比較例の分光感度特性を示す。同図に例示するように、式3を満たす厚さとすることにより、式3を満たさない比較例よりも振幅(リップル)を小さくすることができる。
図21は、本技術の第2の実施の形態における周期および直径を変更した際の分光感度特性の一例を示すグラフである。同図における縦軸は分光感度を示し、横軸は波長を示す。また、実線は、表面プラズモン共鳴フィルタ340の周期を250ナノメートル(nm)、直径を140ナノメートル(nm)とした画素の分光感度特性を示す。一点鎖線は、表面プラズモン共鳴フィルタ340の周期を350ナノメートル(nm)、直径を210ナノメートル(nm)とした画素の分光感度特性を示す。点線は、表面プラズモン共鳴フィルタ340の周期を450ナノメートル(nm)、直径を270ナノメートル(nm)とした画素の分光感度特性を示す。同図に例示するように、周期および直径の少なくとも一方を変更することにより、異なる分光感度特性が得られる。
このように、本技術の第2の実施の形態によれば、コヒーレンス長の半分より大きな厚さの表面層として、シリコンウェハとの熱膨張率の差が二酸化ケイ素より小さい透明樹脂層313を配置したため、熱処理によるシリコンウェハの反りを抑制することができる。
<3.第3の実施の形態>
上述の第2の実施の形態では、酸窒化ケイ素層321上に透明樹脂層313を形成していたが、この構成では、ダイシングを行う際に透明樹脂層313が剥がれてしまうおそれがある。この第3の実施の形態の固体撮像素子200は、透明樹脂層313の密着性を向上させるために、応力緩和樹脂層を形成した点において第2の実施の形態と異なる。
図22は、本技術の第3の実施の形態における画素300の断面図の一例である。この第3の実施の形態の画素300は、表面層310において、透明樹脂層313の下方に応力緩和樹脂層314がさらに形成される点において第2の実施の形態と異なる。
応力緩和樹脂層314は、透明樹脂層313にかかる応力を緩和する層である。また、応力緩和樹脂層314を含む表面層310の厚さは、第1の実施の形態と同様に式3を満たす。
図23は、本技術の第3の実施の形態における分光感度特性の一例を示すグラフである。同図における縦軸は分光感度を示し、横軸は波長を示す。また、同図における実線は、応力緩和樹脂層314のある第3の実施の形態の画素300の分光感度特性を示す。一方、同図における点線は、応力緩和樹脂層314を有さない第2の実施の形態の画素300の分光感度特性を示す。光学的には応力緩和樹脂層314の無いほうが界面の数が少ないため、リップルが小さくなると考えられるが、同図に例示するように、実際のところは、応力緩和樹脂層314の有無により分光感度特性に大きな差は生じない。したがって、応力緩和樹脂層314の形成により、却ってリップルが大きくなることは無い。
このように、本技術の第3の実施の形態によれば、応力緩和樹脂層314をさらに形成したため、透明樹脂層313にかかる応力を緩和して、透明樹脂層313の剥離を防止することができる。
<4.第4の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、微細な孔341を空けた表面プラズモン共鳴フィルタ340により所望の波長を透過させていたが、孔341を空ける微細加工が困難となるおそれがある。この第4の実施の形態の固体撮像素子200は、表面プラズモン共鳴フィルタ340の代わりに、孔を空ける必要のないファブリぺロ共振器を用いた点において第1の実施の形態と異なる。
図24は、本技術の第4の実施の形態における画素300の断面図の一例である。この第4の実施の形態の画素300は、フィルタ層320において、酸窒化ケイ素層321から表面プラズモン共鳴フィルタ340までの各層の代わりに、ファブリぺロ共振器350を配置した点において第1の実施の形態と異なる。このファブリぺロ共振器350とは、2枚のハーフミラーを対向させて、それらのハーフミラーの間で多重に反射された光同士の共振を利用して所定の波長の光を透過するものである。これらのハーフミラーには孔が空いておらず、表面プラズモン共鳴フィルタのような微細加工は不要である。
図25は、本技術の第4の実施の形態におけるファブリぺロ共振器350の断面図の一例である。このファブリぺロ共振器350は、上から順に、ハーフミラー351、共振器354およびハーフミラー355を備える。ハーフミラー351は、入射光の一部を透過し、残りを反射するものであり、酸化チタン(TiO)層352と二酸化ケイ素層353とを交互に配置した多層膜により構成される。ハーフミラー355についても同様である。なお、多層膜をハーフミラー351および355として用いているが、一部を反射することができるのであれば、金属薄膜など、多層膜以外をハーフミラーとして用いることができる。
共振器354は、例えば、二酸化ケイ素の層により構成される。この共振器354の厚さを変更することにより、透過させる波長を調整することができる。画素ブロック221において、16個の画素300のそれぞれの共振器354の厚さは異なるものとする。これにより、入射光を16波長に分光することができる。
なお、第4の実施の形態において、第2の実施の形態のように表面層310として透明樹脂層313を配置してもよい。また、第3の実施の形態のように応力緩和樹脂層314をさらに配置してもよい。
このように、本技術の第4の実施の形態では、ファブリぺロ共振器350をフィルタ層320として配置したため、表面プラズモン共鳴フィルタ340を配置する構成と比較して、微細加工が不要となり、製造が容易になる。
<5.第5の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、電子装置100は、入射光の分光のみを行っていた。しかしながら、植物の育成状態(すなわち、植生)の調査を行う際には、分光後に正規化植生指数(NDVI:Normalized Difference Vegetation Index)を算出することが望ましい。ここで、NDVIは、植生の状態を示す数値であり、NDVIが正の大きな値であるほど、植生が濃いことを表す。この第5の実施の形態の固体撮像素子200は、NDVIを算出する点において第1の実施の形態と異なる。
図26は、本技術の第5の実施の形態における電子装置100の一構成例を示すブロック図である。この第5の実施の形態の電子装置100は、固体撮像素子201をさらに備え、信号処理部120の代わりに信号処理部121を備える点において第1の実施の形態と異なる。第5の実施の形態の電子装置100として、例えば、ドローン(小型無人ヘリコプターなど)に搭載されるカメラが想定される。
固体撮像素子200は、可視光を分光して画像データを信号処理部121に供給する。一方、固体撮像素子201は、赤外光などの不可視光を分光して画像データを信号処理部121に供給する。
信号処理部121は、固体撮像素子200の画像データから、赤色の可視光に対する被写体の反射率を反射率Rとして求め、固体撮像素子201の画像データから、近赤外光に対する被写体の反射率を反射率IRとして求める。そして、信号処理部121は、次の式によりNDVIを算出して表示部130に供給する。
NDVI=(IR−R)/(IR+R)
図27は、本技術の第5の実施の形態における波長ごとの反射率の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、被写体(植物など)の反射率を示し、横軸は、波長を示す。実線は、健康な植物の反射率特性を示し、一点鎖線は、弱った植物の反射率特性を示す。また、点線は枯れた植物の反射率特性を示す。同図に例示するように、0.6乃至0.8マイクロメートル(μm)の可視光域において、植物の状態ごとの反射率の相違が大きくなる。また、0.8マイクロメートル(μm)より長い赤外光域では差異がさらに大きくなる。このため、固体撮像素子200および201により、可視光域と赤外光域との信号レベルを検出することによって植生の状態を判断することができる。そして、このような電子装置100をドローンに乗せて上空から農作物の育成状態(植生)を観測することにより、ユーザは、作物を効率的に育成することができる。
なお、互いに光電変換する波長域の異なる固体撮像素子を3つ以上配置して、3つ以上の波長域から信号レベルを検出してNDVIを算出することもできる。
また、第5の実施の形態において、第2の実施の形態のように表面層310として透明樹脂層313を配置してもよい。また、第3の実施の形態のように応力緩和樹脂314をさらに配置してもよい。また、第4の実施の形態のようにファブリぺロ共振器350を配置してもよい。
このように、本技術の第5の実施の形態によれば、可視光に対する被写体の反射率と不可視光に対する被写体の反射率とを求めることにより、電子装置100は、正規化植生指数(NDVI)を算出することができる。
<6.第6の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、電子装置100は、入射光の分光のみを行っていた。しかしながら、生体認証に電子装置100を利用する際には、分光スペクトルを解析して人肌か否かの判断をさらに行うことが望ましい。この第6の実施の形態の電子装置100は、分光スペクトルを用いて生体認証を行う点において第1の実施の形態と異なる。
図28は、本技術の第6の実施の形態における電子装置100の一構成例を示すブロック図である。この第6の実施の形態の電子装置100は、信号処理部120の代わりに信号処理部122を備える点において第1の実施の形態と異なる。第6の実施の形態の電子装置100として、例えば、生体認証機能を持つ装置や機器(スマートフォンなど)が想定される。
信号処理部122は、生体認証を行う。生体認証において信号処理部122は、分光スペクトルを解析し、被写体が人肌か否かを判断する。そして、被写体が人肌である場合には、被写体の生体パターン(顔、指紋や虹彩など)と予め登録された登録パターンとのマッチングを行い、その結果を表示部130に供給する。このように、分光スペクトルを用いて被写体が人肌か否かを判断することにより、この判断を行わない場合と比較して認証精度を向上させることができる。
図29は、本技術の第6の実施の形態における波長ごとの反射率の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、被写体の反射率であり、横軸は波長である。同図における実線は、モンゴロイドの肌の反射率特性を示し、点線は、コーカソイドの肌の反射率特性を示す。一点鎖線は、ネグロイドの肌の反射率特性を示す。いずれにおいても450乃至650ナノメートル(nm)の波長域で反射率が大きく変化する。このため、例えば、この波長域の分光スペクトルを解析することにより、信号処理部122は、被写体が人肌か否かを判断することができる。
なお、第6の実施の形態において、第2の実施の形態のように表面層310として透明樹脂層313を配置してもよい。また、第3の実施の形態のように応力緩和樹脂314をさらに配置してもよい。また、第4の実施の形態のようにファブリぺロ共振器350を配置してもよい。
このように本技術の第6の実施の形態によれば、電子装置100は、生体認証において分光スペクトルを用いて人肌か否かを判断するため、その判断を行わない場合と比較して生体認証の精度を向上させることができる。
<7.内視鏡手術システムへの応用例>
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
図30は、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システム5000の概略的な構成の一例を示す図である。図30では、術者(医師)5067が、内視鏡手術システム5000を用いて、患者ベッド5069上の患者5071に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム5000は、内視鏡5001と、その他の術具5017と、内視鏡5001を支持する支持アーム装置5027と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート5037と、から構成される。
内視鏡手術では、腹壁を切って開腹する代わりに、トロッカ5025a〜5025dと呼ばれる筒状の開孔器具が腹壁に複数穿刺される。そして、トロッカ5025a〜5025dから、内視鏡5001の鏡筒5003や、その他の術具5017が患者5071の体腔内に挿入される。図示する例では、その他の術具5017として、気腹チューブ5019、エネルギー処置具5021及び鉗子5023が、患者5071の体腔内に挿入されている。また、エネルギー処置具5021は、高周波電流や超音波振動により、組織の切開及び剥離、又は血管の封止等を行う処置具である。ただし、図示する術具5017はあくまで一例であり、術具5017としては、例えば攝子、レトラクタ等、一般的に内視鏡下手術において用いられる各種の術具が用いられてよい。
内視鏡5001によって撮影された患者5071の体腔内の術部の画像が、表示装置5041に表示される。術者5067は、表示装置5041に表示された術部の画像をリアルタイムで見ながら、エネルギー処置具5021や鉗子5023を用いて、例えば患部を切除する等の処置を行う。なお、図示は省略しているが、気腹チューブ5019、エネルギー処置具5021及び鉗子5023は、手術中に、術者5067又は助手等によって支持される。
(支持アーム装置)
支持アーム装置5027は、ベース部5029から延伸するアーム部5031を備える。図示する例では、アーム部5031は、関節部5033a、5033b、5033c、及びリンク5035a、5035bから構成されており、アーム制御装置5045からの制御により駆動される。アーム部5031によって内視鏡5001が支持され、その位置及び姿勢が制御される。これにより、内視鏡5001の安定的な位置の固定が実現され得る。
(内視鏡)
内視鏡5001は、先端から所定の長さの領域が患者5071の体腔内に挿入される鏡筒5003と、鏡筒5003の基端に接続されるカメラヘッド5005と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒5003を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡5001を図示しているが、内視鏡5001は、軟性の鏡筒5003を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
鏡筒5003の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡5001には光源装置5043が接続されており、当該光源装置5043によって生成された光が、鏡筒5003の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者5071の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡5001は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
カメラヘッド5005の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光(観察光)は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、RAWデータとしてカメラコントロールユニット(CCU:Camera Control Unit)5039に送信される。なお、カメラヘッド5005には、その光学系を適宜駆動させることにより、倍率及び焦点距離を調整する機能が搭載される。
なお、例えば立体視(3D表示)等に対応するために、カメラヘッド5005には撮像素子が複数設けられてもよい。この場合、鏡筒5003の内部には、当該複数の撮像素子のそれぞれに観察光を導光するために、リレー光学系が複数系統設けられる。
(カートに搭載される各種の装置)
CCU5039は、CPU(Central Processing Unit)やGPU(Graphics Processing Unit)等によって構成され、内視鏡5001及び表示装置5041の動作を統括的に制御する。具体的には、CCU5039は、カメラヘッド5005から受け取った画像信号に対して、例えば現像処理(デモザイク処理)等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。CCU5039は、当該画像処理を施した画像信号を表示装置5041に提供する。また、CCU5039は、カメラヘッド5005に対して制御信号を送信し、その駆動を制御する。当該制御信号には、倍率や焦点距離等、撮像条件に関する情報が含まれ得る。
表示装置5041は、CCU5039からの制御により、当該CCU5039によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。内視鏡5001が例えば4K(水平画素数3840×垂直画素数2160)又は8K(水平画素数7680×垂直画素数4320)等の高解像度の撮影に対応したものである場合、及び/又は3D表示に対応したものである場合には、表示装置5041としては、それぞれに対応して、高解像度の表示が可能なもの、及び/又は3D表示可能なものが用いられ得る。4K又は8K等の高解像度の撮影に対応したものである場合、表示装置5041として55インチ以上のサイズのものを用いることで一層の没入感が得られる。また、用途に応じて、解像度、サイズが異なる複数の表示装置5041が設けられてもよい。
光源装置5043は、例えばLED(light emitting diode)等の光源から構成され、術部を撮影する際の照射光を内視鏡5001に供給する。
アーム制御装置5045は、例えばCPU等のプロセッサによって構成され、所定のプログラムに従って動作することにより、所定の制御方式に従って支持アーム装置5027のアーム部5031の駆動を制御する。
入力装置5047は、内視鏡手術システム5000に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置5047を介して、内視鏡手術システム5000に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、入力装置5047を介して、患者の身体情報や、手術の術式についての情報等、手術に関する各種の情報を入力する。また、例えば、ユーザは、入力装置5047を介して、アーム部5031を駆動させる旨の指示や、内視鏡5001による撮像条件(照射光の種類、倍率及び焦点距離等)を変更する旨の指示、エネルギー処置具5021を駆動させる旨の指示等を入力する。
入力装置5047の種類は限定されず、入力装置5047は各種の公知の入力装置であってよい。入力装置5047としては、例えば、マウス、キーボード、タッチパネル、スイッチ、フットスイッチ5057及び/又はレバー等が適用され得る。入力装置5047としてタッチパネルが用いられる場合には、当該タッチパネルは表示装置5041の表示面上に設けられてもよい。
あるいは、入力装置5047は、例えばメガネ型のウェアラブルデバイスやHMD(Head Mounted Display)等の、ユーザによって装着されるデバイスであり、これらのデバイスによって検出されるユーザのジェスチャや視線に応じて各種の入力が行われる。また、入力装置5047は、ユーザの動きを検出可能なカメラを含み、当該カメラによって撮像された映像から検出されるユーザのジェスチャや視線に応じて各種の入力が行われる。更に、入力装置5047は、ユーザの声を収音可能なマイクロフォンを含み、当該マイクロフォンを介して音声によって各種の入力が行われる。このように、入力装置5047が非接触で各種の情報を入力可能に構成されることにより、特に清潔域に属するユーザ(例えば術者5067)が、不潔域に属する機器を非接触で操作することが可能となる。また、ユーザは、所持している術具から手を離すことなく機器を操作することが可能となるため、ユーザの利便性が向上する。
処置具制御装置5049は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具5021の駆動を制御する。気腹装置5051は、内視鏡5001による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者5071の体腔を膨らめるために、気腹チューブ5019を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ5053は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ5055は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
以下、内視鏡手術システム5000において特に特徴的な構成について、更に詳細に説明する。
(支持アーム装置)
支持アーム装置5027は、基台であるベース部5029と、ベース部5029から延伸するアーム部5031と、を備える。図示する例では、アーム部5031は、複数の関節部5033a、5033b、5033cと、関節部5033bによって連結される複数のリンク5035a、5035bと、から構成されているが、図30では、簡単のため、アーム部5031の構成を簡略化して図示している。実際には、アーム部5031が所望の自由度を有するように、関節部5033a〜5033c及びリンク5035a、5035bの形状、数及び配置、並びに関節部5033a〜5033cの回転軸の方向等が適宜設定され得る。例えば、アーム部5031は、好適に、6自由度以上の自由度を有するように構成され得る。これにより、アーム部5031の可動範囲内において内視鏡5001を自由に移動させることが可能になるため、所望の方向から内視鏡5001の鏡筒5003を患者5071の体腔内に挿入することが可能になる。
関節部5033a〜5033cにはアクチュエータが設けられており、関節部5033a〜5033cは当該アクチュエータの駆動により所定の回転軸まわりに回転可能に構成されている。当該アクチュエータの駆動がアーム制御装置5045によって制御されることにより、各関節部5033a〜5033cの回転角度が制御され、アーム部5031の駆動が制御される。これにより、内視鏡5001の位置及び姿勢の制御が実現され得る。この際、アーム制御装置5045は、力制御又は位置制御等、各種の公知の制御方式によってアーム部5031の駆動を制御することができる。
例えば、術者5067が、入力装置5047(フットスイッチ5057を含む)を介して適宜操作入力を行うことにより、当該操作入力に応じてアーム制御装置5045によってアーム部5031の駆動が適宜制御され、内視鏡5001の位置及び姿勢が制御されてよい。当該制御により、アーム部5031の先端の内視鏡5001を任意の位置から任意の位置まで移動させた後、その移動後の位置で固定的に支持することができる。なお、アーム部5031は、いわゆるマスタースレイブ方式で操作されてもよい。この場合、アーム部5031は、手術室から離れた場所に設置される入力装置5047を介してユーザによって遠隔操作され得る。
また、力制御が適用される場合には、アーム制御装置5045は、ユーザからの外力を受け、その外力にならってスムーズにアーム部5031が移動するように、各関節部5033a〜5033cのアクチュエータを駆動させる、いわゆるパワーアシスト制御を行ってもよい。これにより、ユーザが直接アーム部5031に触れながらアーム部5031を移動させる際に、比較的軽い力で当該アーム部5031を移動させることができる。従って、より直感的に、より簡易な操作で内視鏡5001を移動させることが可能となり、ユーザの利便性を向上させることができる。
ここで、一般的に、内視鏡下手術では、スコピストと呼ばれる医師によって内視鏡5001が支持されていた。これに対して、支持アーム装置5027を用いることにより、人手によらずに内視鏡5001の位置をより確実に固定することが可能になるため、術部の画像を安定的に得ることができ、手術を円滑に行うことが可能になる。
なお、アーム制御装置5045は必ずしもカート5037に設けられなくてもよい。また、アーム制御装置5045は必ずしも1つの装置でなくてもよい。例えば、アーム制御装置5045は、支持アーム装置5027のアーム部5031の各関節部5033a〜5033cにそれぞれ設けられてもよく、複数のアーム制御装置5045が互いに協働することにより、アーム部5031の駆動制御が実現されてもよい。
(光源装置)
光源装置5043は、内視鏡5001に術部を撮影する際の照射光を供給する。光源装置5043は、例えばLED、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成される。このとき、RGBレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色(各波長)の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置5043において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、RGBレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド5005の撮像素子の駆動を制御することにより、RGBそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
また、光源装置5043は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド5005の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
また、光源装置5043は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光(すなわち、白色光)に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察(Narrow Band Imaging)が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察するもの(自家蛍光観察)、又はインドシアニングリーン(ICG)等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得るもの等が行われ得る。光源装置5043は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び/又は励起光を供給可能に構成され得る。
(カメラヘッド及びCCU)
図31を参照して、内視鏡5001のカメラヘッド5005及びCCU5039の機能についてより詳細に説明する。図31は、図30に示すカメラヘッド5005及びCCU5039の機能構成の一例を示すブロック図である。
図31を参照すると、カメラヘッド5005は、その機能として、レンズユニット5007と、撮像部5009と、駆動部5011と、通信部5013と、カメラヘッド制御部5015と、を有する。また、CCU5039は、その機能として、通信部5059と、画像処理部5061と、制御部5063と、を有する。カメラヘッド5005とCCU5039とは、伝送ケーブル5065によって双方向に通信可能に接続されている。
まず、カメラヘッド5005の機能構成について説明する。レンズユニット5007は、鏡筒5003との接続部に設けられる光学系である。鏡筒5003の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド5005まで導光され、当該レンズユニット5007に入射する。レンズユニット5007は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。レンズユニット5007は、撮像部5009の撮像素子の受光面上に観察光を集光するように、その光学特性が調整されている。また、ズームレンズ及びフォーカスレンズは、撮像画像の倍率及び焦点の調整のため、その光軸上の位置が移動可能に構成される。
撮像部5009は撮像素子によって構成され、レンズユニット5007の後段に配置される。レンズユニット5007を通過した観察光は、当該撮像素子の受光面に集光され、光電変換によって、観察像に対応した画像信号が生成される。撮像部5009によって生成された画像信号は、通信部5013に提供される。
撮像部5009を構成する撮像素子としては、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)タイプのイメージセンサであり、Bayer配列を有するカラー撮影可能なものが用いられる。なお、当該撮像素子としては、例えば4K以上の高解像度の画像の撮影に対応可能なものが用いられてもよい。術部の画像が高解像度で得られることにより、術者5067は、当該術部の様子をより詳細に把握することができ、手術をより円滑に進行することが可能となる。
また、撮像部5009を構成する撮像素子は、3D表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための1対の撮像素子を有するように構成される。3D表示が行われることにより、術者5067は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部5009が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット5007も複数系統設けられる。
また、撮像部5009は、必ずしもカメラヘッド5005に設けられなくてもよい。例えば、撮像部5009は、鏡筒5003の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
駆動部5011は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部5015からの制御により、レンズユニット5007のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部5009による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
通信部5013は、CCU5039との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部5013は、撮像部5009から得た画像信号をRAWデータとして伝送ケーブル5065を介してCCU5039に送信する。この際、術部の撮像画像を低レイテンシで表示するために、当該画像信号は光通信によって送信されることが好ましい。手術の際には、術者5067が撮像画像によって患部の状態を観察しながら手術を行うため、より安全で確実な手術のためには、術部の動画像が可能な限りリアルタイムに表示されることが求められるからである。光通信が行われる場合には、通信部5013には、電気信号を光信号に変換する光電変換モジュールが設けられる。画像信号は当該光電変換モジュールによって光信号に変換された後、伝送ケーブル5065を介してCCU5039に送信される。
また、通信部5013は、CCU5039から、カメラヘッド5005の駆動を制御するための制御信号を受信する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに/又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。通信部5013は、受信した制御信号をカメラヘッド制御部5015に提供する。なお、CCU5039からの制御信号も、光通信によって伝送されてもよい。この場合、通信部5013には、光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールが設けられ、制御信号は当該光電変換モジュールによって電気信号に変換された後、カメラヘッド制御部5015に提供される。
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、取得された画像信号に基づいてCCU5039の制御部5063によって自動的に設定される。つまり、いわゆるAE(Auto Exposure)機能、AF(Auto Focus)機能及びAWB(Auto White Balance)機能が内視鏡5001に搭載される。
カメラヘッド制御部5015は、通信部5013を介して受信したCCU5039からの制御信号に基づいて、カメラヘッド5005の駆動を制御する。例えば、カメラヘッド制御部5015は、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報及び/又は撮像時の露光を指定する旨の情報に基づいて、撮像部5009の撮像素子の駆動を制御する。また、例えば、カメラヘッド制御部5015は、撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報に基づいて、駆動部5011を介してレンズユニット5007のズームレンズ及びフォーカスレンズを適宜移動させる。カメラヘッド制御部5015は、更に、鏡筒5003やカメラヘッド5005を識別するための情報を記憶する機能を備えてもよい。
なお、レンズユニット5007や撮像部5009等の構成を、気密性及び防水性が高い密閉構造内に配置することで、カメラヘッド5005について、オートクレーブ滅菌処理に対する耐性を持たせることができる。
次に、CCU5039の機能構成について説明する。通信部5059は、カメラヘッド5005との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部5059は、カメラヘッド5005から、伝送ケーブル5065を介して送信される画像信号を受信する。この際、上記のように、当該画像信号は好適に光通信によって送信され得る。この場合、光通信に対応して、通信部5059には、光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールが設けられる。通信部5059は、電気信号に変換した画像信号を画像処理部5061に提供する。
また、通信部5059は、カメラヘッド5005に対して、カメラヘッド5005の駆動を制御するための制御信号を送信する。当該制御信号も光通信によって送信されてよい。
画像処理部5061は、カメラヘッド5005から送信されたRAWデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。当該画像処理としては、例えば現像処理、高画質化処理(帯域強調処理、超解像処理、NR(Noise reduction)処理及び/又は手ブレ補正処理等)、並びに/又は拡大処理(電子ズーム処理)等、各種の公知の信号処理が含まれる。また、画像処理部5061は、AE、AF及びAWBを行うための、画像信号に対する検波処理を行う。
画像処理部5061は、CPUやGPU等のプロセッサによって構成され、当該プロセッサが所定のプログラムに従って動作することにより、上述した画像処理や検波処理が行われ得る。なお、画像処理部5061が複数のGPUによって構成される場合には、画像処理部5061は、画像信号に係る情報を適宜分割し、これら複数のGPUによって並列的に画像処理を行う。
制御部5063は、内視鏡5001による術部の撮像、及びその撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部5063は、カメラヘッド5005の駆動を制御するための制御信号を生成する。この際、撮像条件がユーザによって入力されている場合には、制御部5063は、当該ユーザによる入力に基づいて制御信号を生成する。あるいは、内視鏡5001にAE機能、AF機能及びAWB機能が搭載されている場合には、制御部5063は、画像処理部5061による検波処理の結果に応じて、最適な露出値、焦点距離及びホワイトバランスを適宜算出し、制御信号を生成する。
また、制御部5063は、画像処理部5061によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部の画像を表示装置5041に表示させる。この際、制御部5063は、各種の画像認識技術を用いて術部画像内における各種の物体を認識する。例えば、制御部5063は、術部画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具5021使用時のミスト等を認識することができる。制御部5063は、表示装置5041に術部の画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させる。手術支援情報が重畳表示され、術者5067に提示されることにより、より安全かつ確実に手術を進めることが可能になる。
カメラヘッド5005及びCCU5039を接続する伝送ケーブル5065は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
ここで、図示する例では、伝送ケーブル5065を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド5005とCCU5039との間の通信は無線で行われてもよい。両者の間の通信が無線で行われる場合には、伝送ケーブル5065を手術室内に敷設する必要がなくなるため、手術室内における医療スタッフの移動が当該伝送ケーブル5065によって妨げられる事態が解消され得る。
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システム5000の一例について説明した。なお、ここでは、一例として内視鏡手術システム5000について説明したが、本開示に係る技術が適用され得るシステムはかかる例に限定されない。例えば、本開示に係る技術は、検査用軟性内視鏡システムや顕微鏡手術システムに適用されてもよい。
本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部5009および画像処理部5061に好適に適用され得る。具体的には、図2の固体撮像素子200を撮像部5009に適用し、図1の信号処理部120を画像処理部5061に適用することができる。撮像部5009および画像処理部5061本開示に係る技術を適用することにより、分光スペクトルを用いて生体の認識精度を向上させることができるため、より安全かつ確実に手術を進めることが可能になる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、
前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、
前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換する光電変換層と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記表面層は、反射防止膜を備える
前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記表面層は、二酸化ケイ素の層をさらに備える
前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)前記表面層は、透明樹脂の層をさらに備える
前記(2)記載の固体撮像素子。
(5)前記表面層は、応力緩和樹脂の層をさらに備える
前記(4)記載の固体撮像素子。
(6)前記フィルタ層は、表面プラズモン共鳴フィルタを備える
前記(1)から(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)前記フィルタ層は、ファブリぺロ共振器を備える
前記(1)から(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)前記入射光は、自然光を含み、
前記表面層の厚さは、2.0マイクロメートルを下回らない
前記(1)から(7)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(9)入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、
前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、
前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換して画素信号を生成する光電変換層と、
前記画素信号に対して所定の信号処理を実行する信号処理部と
を具備する電子装置。
(10)カバーガラスをさらに具備し、
前記入射光は、前記カバーガラスと所定の気体とを介して前記表面層に入射される
前記(9)記載の電子装置。
(11)前記信号処理部は、前記信号処理において正規化植生指数を求める
前記(9)または(10)に記載の電子装置。
(12)前記信号処理部は、前記信号処理において生体認証を行う
前記(9)または(10)に記載の電子装置。
(13)入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換する光電変換層と、パッドとを備える固体撮像素子に対するエッチングにより前記光電変換層の一部を露出させる第1のエッチング手順と、
エッチングにより前記一部を開口させて前記パッドを露出させる第2のエッチング手順と、
前記露出したパッドと支持基板とをワイヤにより接続する接続手順と
を具備する電子装置の製造方法。
100 電子装置
110 カメラモジュール
111 カバーガラス
113 支持基板
120、121、122 信号処理部
130 表示部
200、201 固体撮像素子
210 垂直駆動部
220 画素アレイ部
221 画素ブロック
230 タイミング制御部
240 カラム信号処理部
250 水平駆動部
300 画素
310 表面層
311、324、331、353 二酸化ケイ素層
312、333 反射防止膜
313 透明樹脂層
314 応力緩和樹脂層
320 フィルタ層
321、323 酸窒化ケイ素層
322 窒化ケイ素層
332 遮光膜
334 光電変換層
340 表面プラズモン共鳴フィルタ
350 ファブリぺロ共振器
351、355 ハーフミラー
352 酸化チタン層
354 共振器
410 配線層
5009 撮像部
5061 画像処理部

Claims (13)

  1. 入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、
    前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、
    前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換する光電変換層と
    を具備する固体撮像素子。
  2. 前記表面層は、反射防止膜を備える
    請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 前記表面層は、二酸化ケイ素の層をさらに備える
    請求項2記載の固体撮像素子。
  4. 前記表面層は、透明樹脂の層をさらに備える
    請求項2記載の固体撮像素子。
  5. 前記表面層は、応力緩和樹脂の層をさらに備える
    請求項4記載の固体撮像素子。
  6. 前記フィルタ層は、表面プラズモン共鳴フィルタを備える
    請求項1記載の固体撮像素子。
  7. 前記フィルタ層は、ファブリぺロ共振器を備える
    請求項1記載の固体撮像素子。
  8. 前記入射光は、自然光を含み、
    前記表面層の厚さは、2.0マイクロメートルを下回らない
    請求項1記載の固体撮像素子。
  9. 入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、
    前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、
    前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換して画素信号を生成する光電変換層と、
    前記画素信号に対して所定の信号処理を実行する信号処理部と
    を具備する電子装置。
  10. カバーガラスをさらに具備し、
    前記入射光は、前記カバーガラスと所定の気体とを介して前記表面層に入射される
    請求項9記載の電子装置。
  11. 前記信号処理部は、前記信号処理において正規化植生指数を求める
    請求項9記載の電子装置。
  12. 前記信号処理部は、前記信号処理において生体認証を行う
    請求項9記載の電子装置。
  13. 入射光のコヒーレンス長の半分を越える厚さの表面層と、前記表面層を透過した前記入射光のうち所定の対象光を透過して残りを前記表面層へ反射するフィルタ層と、前記フィルタ層を透過した前記所定の対象光を光電変換する光電変換層と、パッドとを備える固体撮像素子に対するエッチングにより前記光電変換層の一部を露出させる第1のエッチング手順と、
    エッチングにより前記一部を開口させて前記パッドを露出させる第2のエッチング手順と、
    前記露出したパッドと支持基板とをワイヤにより接続する接続手順と
    を具備する電子装置の製造方法。
JP2018021922A 2018-02-09 2018-02-09 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法 Pending JP2019140230A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018021922A JP2019140230A (ja) 2018-02-09 2018-02-09 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法
PCT/JP2018/042049 WO2019155709A1 (ja) 2018-02-09 2018-11-14 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法
US16/964,864 US11961858B2 (en) 2018-02-09 2018-11-14 Solid-state imaging element, electronic device, and method of manufacturing electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018021922A JP2019140230A (ja) 2018-02-09 2018-02-09 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019140230A true JP2019140230A (ja) 2019-08-22

Family

ID=67549581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018021922A Pending JP2019140230A (ja) 2018-02-09 2018-02-09 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11961858B2 (ja)
JP (1) JP2019140230A (ja)
WO (1) WO2019155709A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12009379B2 (en) * 2017-05-01 2024-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US11302836B2 (en) * 2020-01-14 2022-04-12 Hoon Kim Plasmonic field-enhanced photodetector and image sensor using light absorbing layer having split conduction band and valence band
WO2021193649A1 (ja) * 2020-03-25 2021-09-30 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 画像処理装置およびサーバ
CN113449684A (zh) * 2021-07-16 2021-09-28 维沃移动通信有限公司 光学指纹识别装置、光学指纹识别方法以及电子设备

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252183A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US7426040B2 (en) * 2004-08-19 2008-09-16 University Of Pittsburgh Chip-scale optical spectrum analyzers with enhanced resolution
US7701024B2 (en) 2006-12-13 2010-04-20 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera
JP2008177362A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびカメラ
DE102007036973A1 (de) 2007-02-24 2008-09-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Pixelzelle, Verfahren zum Betreiben einer Pixelzelle, Verfahren zum Bestimmen einer Position eines Maximums einer Hüllkurve eines analogen amplituden-modulierten Signals, Vorrichtung zum Bestimmen einer Ladungsmenge, Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Ladungsmenge auf einem kapazitiven Element, Vorrichtung und Verfahren und Setzen eines Schaltungsknotens auf eine vorbestimmte Spannung, Vorrichtung und Verfahren zum ladungsbasierten analog-/digital-Wandeln und Vorrichtung und Verfahren zur ladungsbasierten Signalverarbeitung
EP1962493B1 (de) 2007-02-24 2017-04-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Pixelzelle, Verfahren zum Betreiben einer Pixelzelle, Verfahren zum Bestimmen einer Position eines Maximums einer Hüllkurve eines analogen amplitudenmodulierten Signals, Vorrichtung zum Bestimmen einer Ladungsmenge, Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Ladungsmenge auf einem kapazitiven Element, Vorrichtung und Verfahren zum Setzen eines Schaltungsknotens auf eine vorbestimmte Spannung, Vorrichtung und Verfahren zum ladungsbasierten Analog-/Digital-Wandeln und Vorrichtung und Verfahren zur ladungsbasierten Signalverarbeitung
JP2008300788A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Sony Corp 固体撮像素子、撮像装置、およびカメラシステム
GB2455991B (en) * 2007-12-28 2010-12-01 Hauzer Techno Coating Bv A method of giving an article a coloured appearance and an article having a coloured appearance
JP4655137B2 (ja) 2008-10-30 2011-03-23 ソニー株式会社 半導体装置
JP5326792B2 (ja) 2009-05-14 2013-10-30 ソニー株式会社 静脈撮像装置、位置ズレ補間方法およびプログラム
JP5534927B2 (ja) 2010-05-06 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2012023251A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Sony Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器
JP5760811B2 (ja) * 2011-07-28 2015-08-12 ソニー株式会社 固体撮像素子および撮像システム
JP5710526B2 (ja) 2012-03-14 2015-04-30 株式会社東芝 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
CN106537906B (zh) 2014-07-15 2019-03-29 夏普株式会社 摄像装置和分析装置
US10568316B2 (en) * 2014-08-15 2020-02-25 Monsanto Technology Llc Apparatus and methods for in-field data collection and sampling
CN107078137B (zh) * 2014-10-01 2021-09-17 索尼半导体解决方案公司 固态成像元件、制造方法以及电子设备
JP6729381B2 (ja) 2014-10-06 2020-07-22 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び、電子機器
JP2017208468A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 キヤノン株式会社 電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US11961858B2 (en) 2024-04-16
US20210066373A1 (en) 2021-03-04
WO2019155709A1 (ja) 2019-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11788966B2 (en) Imaging system
WO2019155709A1 (ja) 固体撮像素子、電子装置、および、電子装置の製造方法
WO2019159710A1 (ja) センサ装置および電子機器
US11540700B2 (en) Medical supporting arm and medical system
CN112584743A (zh) 医疗系统、信息处理装置和信息处理方法
US11109927B2 (en) Joint driving actuator and medical system
JP6915615B2 (ja) 撮像素子、撮像装置、電子機器
JP2023164610A (ja) 画像処理装置、画像処理方法および画像処理システム
WO2019181242A1 (ja) 内視鏡及びアームシステム
JP7092111B2 (ja) 撮像装置、映像信号処理装置および映像信号処理方法
EP3598732B1 (en) Imaging device and video signal processing method
WO2020203164A1 (ja) 医療システム、情報処理装置及び情報処理方法
JP7456385B2 (ja) 画像処理装置、および画像処理方法、並びにプログラム
WO2020116067A1 (ja) 医療システム、情報処理装置及び情報処理方法
US20210235968A1 (en) Medical system, information processing apparatus, and information processing method
US11357388B2 (en) Medical imaging system, method and computer program
WO2023176133A1 (ja) 内視鏡用保持装置、内視鏡手術システム、及び制御方法
WO2022004250A1 (ja) 医療システム、情報処理装置及び情報処理方法
WO2022201933A1 (ja) 生体内観察システム、観察システム、生体内観察方法及び生体内観察装置
WO2022239339A1 (ja) 医療用情報処理装置、医療用観察システム及び医療用情報処理方法
US20240285157A1 (en) Medical observation system, information processing apparatus, and information processing method
WO2021044900A1 (ja) 施術システム、画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム
WO2020084917A1 (ja) 医療システム及び情報処理方法
JPWO2020050187A1 (ja) 医療システム、情報処理装置及び情報処理方法