JP2019134337A - Non-reciprocal circuit device and high-frequency front-end circuit module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。また、本発明は、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波フロントエンド回路モジュールに関する。 The present invention relates to non-reciprocal circuit elements such as isolators and circulators. The present invention also relates to a high frequency front end circuit module including the nonreciprocal circuit device of the present invention.
携帯電話やスマートフォンなどの電子機器に、信号を伝送方向のみに通過させ、逆方向への伝送を阻止する、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子が広く使用されている。 Nonreciprocal circuit elements such as isolators and circulators that allow signals to pass only in the transmission direction and prevent transmission in the reverse direction are widely used in electronic devices such as mobile phones and smartphones.
特許文献1(実開平1-147504号公報)に、そのような非可逆回路素子が開示されている。図19(A)、(B)に、特許文献1に開示された非可逆回路素子(サーキュレータ)1000を示す。ただし、図19(A)は、非可逆回路素子1000の正面図である。図19(B)は、絶縁体106と磁石107とを取り除いて示した非可逆回路素子1000の要部平面図である。
Patent Document 1 (Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-1747504) discloses such a nonreciprocal circuit device. 19A and 19B show a nonreciprocal circuit element (circulator) 1000 disclosed in Patent Document 1. FIG. However, FIG. 19A is a front view of the
非可逆回路素子1000は、フェライト板(フェライト基板)101を備えている。
The
フェライト板101の下側主面に、グランド導体(接地導体)102が形成されている。
A ground conductor (ground conductor) 102 is formed on the lower main surface of the
フェライト板101の上側主面に、円形形状の中心電極(ジャンクション部)103が形成されている。中心電極103から外方に突出して3つの補正用容量電極(変成器)104が形成されている。補正用容量電極104からそれぞれ外方に突出して伝送線路105が形成されている。
A circular center electrode (junction portion) 103 is formed on the upper main surface of the
中心電極103上に、絶縁体106が配置されている。絶縁体106上に、磁石(マグネット)107が配置されている。
An
非可逆回路素子1000は、磁石107が発生させた直流磁界をフェライト板101に印加することによって、3つの伝送線路105を入出力ポートにして非可逆回路素子として機能する。
The
非可逆回路素子1000の中心周波数(動作周波数)は、中心電極103の寸法の大きさに依存する。具体的には、中心周波数を高くするためには中心電極103の寸法を小さくする必要があり、中心周波数を低くするためには中心電極103の寸法を大きくする必要がある。
The center frequency (operating frequency) of the
そのため、非可逆回路素子1000には、低い周波数帯で動作させる場合に、寸法が大きくなってしまう場合があった。すなわち、中心電極103の寸法を大きくするためにフェライト板101の寸法を大きくしなければならず、フェライト板101の寸法を大きくしたことによって非可逆回路素子1000の寸法が平面方向に大きくなってしまう場合があった。
Therefore, the
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の非可逆回路素子は、フェライト板と、フェライト板上に設けられた円形形状の中心電極と、中心電極から外方に突出してフェライト板上に設けられた3つの補正用容量電極と、3つの補正用容量電極からそれぞれ外方に突出してフェライト板上に設けられた伝送線路と、中心電極上に設けられた磁石と、を備え、3つの補正用容量電極のそれぞれは、伝送線路よりも幅の広い矩形部分を含み、かつ、3つの補正用容量電極のうち少なくとも1つは、中心電極に向けて弧状に広がる弧状部分をさらに含む非可逆回路素子とする。この場合には、中心電極の寸法を大きくせずに、中心周波数を低くすることができる。 The present invention has been made to solve the above-described conventional problems. As the means, the non-reciprocal circuit device of the present invention includes a ferrite plate, a circular center electrode provided on the ferrite plate, and three correction electrodes provided on the ferrite plate protruding outward from the center electrode. Each of the three correction capacitance electrodes includes a capacitance electrode, a transmission line that protrudes outward from each of the three correction capacitance electrodes, and is provided on the ferrite plate, and a magnet that is provided on the center electrode. The non-reciprocal circuit element includes a rectangular portion that is wider than the transmission line, and at least one of the three correction capacitor electrodes further includes an arc-shaped portion that extends in an arc shape toward the center electrode. In this case, the center frequency can be lowered without increasing the size of the center electrode.
矩形部分と中心電極との境界は、中心電極の外形をなす円周上の円弧からなり、円弧の両端を矩形部分と中心電極との接続点と規定したとき、3つの矩形部分と中心電極との境界に位置する6つの接続点のうち、少なくとも1つの接続点に弧状部分が付加され、弧状部分における補正用容量電極の外形は、その弧状部分が付加された接続点の方向に凹んだ弧とされることも好ましい。 The boundary between the rectangular portion and the center electrode is formed by a circular arc on the circumference of the outer shape of the central electrode. When both ends of the circular arc are defined as connection points between the rectangular portion and the central electrode, the three rectangular portions and the central electrode An arc-shaped portion is added to at least one of the six connection points located at the boundary, and the outer shape of the correction capacitor electrode in the arc-shaped portion is an arc recessed in the direction of the connection point to which the arc-shaped portion is added. It is also preferable that
6つの接続点のうち、少なくとも、隣り合う2つの補正用容量電極に含まれる2つの矩形部分の間に位置する2つの接続点に、それぞれ弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、これらの部分を通過する信号の中心周波数を低周波側に移動させることができる。 Of the six connection points, it is also preferable that arc-shaped portions are respectively added to at least two connection points located between two rectangular portions included in two adjacent correction capacitor electrodes. In this case, the center frequency of the signal passing through these portions can be moved to the low frequency side.
また、6つの接続点のうち、少なくとも、1つの補正用容量電極に含まれる1つの矩形部分の両側に位置する2つの接続点に、それぞれ弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、補正用容量電極の矩形部分の両側に弧状部分を付加したポートの共振モードの周波数を低周波側に移動させることができる。 It is also preferable that arc-shaped portions are added to at least two connection points located on both sides of one rectangular portion included in one correction capacitor electrode among the six connection points. In this case, the frequency of the resonance mode of the port in which the arc-shaped portion is added to both sides of the rectangular portion of the correction capacitor electrode can be moved to the low frequency side.
また、6つの接続点の全てに弧状部分が付加されることも好ましい。この場合には、中心電極の寸法を大きくしなくても、非可逆回路素子の中心周波数(動作周波数)を低周波側に移動させることができる。なお、中心電極の寸法を大きくし、かつ、6つの接続点の全てに弧状部分を付加すれば、非可逆回路素子の中心周波数をより低周波側に移動させることができる。 It is also preferred that arcuate portions are added to all six connection points. In this case, the center frequency (operating frequency) of the non-reciprocal circuit element can be moved to the low frequency side without increasing the size of the center electrode. In addition, if the dimension of a center electrode is enlarged and an arc-shaped part is added to all six connection points, the center frequency of a nonreciprocal circuit element can be moved to the lower frequency side.
また、弧状部分における補正用容量電極の外形が円弧であり、その円弧の曲率半径が中心電極の直径以下の大きさであることも好ましい。この場合には、中心電極と補正用容量電極との間のインピーダンスの不整合を抑制することができる。 It is also preferable that the outer shape of the correcting capacitor electrode in the arc-shaped portion is an arc, and the radius of curvature of the arc is not larger than the diameter of the center electrode. In this case, impedance mismatch between the center electrode and the correction capacitor electrode can be suppressed.
また、フェライト板の下に、板状の下ヨークを備えることも好ましい。この場合には、磁石が発生させた直流磁界を効率的にフェライト板に印加させることができる。 It is also preferable to provide a plate-like lower yoke under the ferrite plate. In this case, the DC magnetic field generated by the magnet can be efficiently applied to the ferrite plate.
また、フェライト板の上に、少なくとも中心電極と磁石とを覆う上ヨークを備えることも好ましい。この場合には、磁石が発生させた直流磁界を効率的にフェライト板に印加させることができる。 It is also preferable to provide an upper yoke that covers at least the center electrode and the magnet on the ferrite plate. In this case, the DC magnetic field generated by the magnet can be efficiently applied to the ferrite plate.
また、本発明の非可逆回路素子と、パワーアンプとを使って、高周波フロントエンド回路モジュールを作製することができる。 In addition, a high-frequency front-end circuit module can be manufactured using the nonreciprocal circuit device of the present invention and a power amplifier.
本発明の非可逆回路素子は、中心電極の寸法を大きくしなくても、中心周波数を低くすることが可能である。 The nonreciprocal circuit device of the present invention can reduce the center frequency without increasing the size of the center electrode.
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。 Each embodiment shows an embodiment of the present invention exemplarily, and the present invention is not limited to the content of the embodiment. Moreover, it is also possible to implement combining the content described in different embodiment, and the implementation content in that case is also included in this invention. Further, the drawings are for helping the understanding of the specification, and may be schematically drawn, and the drawn components or the ratio of dimensions between the components are described in the specification. There are cases where the ratio of these dimensions does not match. In addition, the constituent elements described in the specification may be omitted in the drawings or may be drawn with the number omitted.
[第1実施形態]
(非可逆回路素子100の構造)
図1、図2、図3(A)、(B)に、第1実施形態にかかる非可逆回路素子100を示す。ただし、図1は、非可逆回路素子100の斜視図である。図2は、非可逆回路素子100の分解斜視図である。図3(A)、(B)は、それぞれ、非可逆回路素子100の要部平面図であり、フェライト板4の上側主面を示している。なお、図3(B)は、図3(A)の一部分を拡大して示している。
[First Embodiment]
(Structure of non-reciprocal circuit device 100)
1, 2, 3 </ b> A, and 3 </ b> B show a
本実施形態の非可逆回路素子100は、サーキュレータである。ただし、本発明の非可逆回路素子は、サーキュレータには限られず、アイソレータなどであっても良い。
The
非可逆回路素子100は、下ヨーク1を備えている。下ヨーク1の材質は任意であるが、後述する磁石15が発生させる直流磁界の磁束を効率的に回流させるためには、Fe、Ni、Coなどの強磁性体であることが望ましい。本実施形態においては、下ヨーク1を、平面視が矩形の板状とした。なお、下ヨーク1は、単純な板状ではなく、垂直部などを備えたものであっても良い。
The
下ヨーク1の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Cu、Ag、Au、Ptなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。 Since the high frequency current flows on the surface of the lower yoke 1, it is desirable that the surface of the lower yoke 1 be plated with a high conductivity material such as Cu, Ag, Au, or Pt in order to reduce insertion loss.
下ヨーク1の4つの辺のうち、3つの辺に、それぞれ切欠きが設けられ、それらの切欠きに、それぞれ絶縁体2が埋め込まれている。絶縁体2の材質は任意であるが、たとえば、樹脂を使用することができる。
Of the four sides of the lower yoke 1, three sides are each provided with a notch, and the
各絶縁体2に、それぞれ入出力端子3a、3b、3cが形成されている。本実施形態においては、入出力端子3a、3b、3cとして、CuやAgなどを主成分とする導電性樹脂を、絶縁体2に埋め込んだ。入出力端子3a、3b、3cは、絶縁体2を上下方向に貫通しており、絶縁体2の上面、側面、下面の3つの面において外部に露出している。なお、入出力端子3a、3b、3cの構造は任意であり、上記に代えて、たとえば、CuやAgなどの金属片を絶縁体2に埋め込んで、入出力端子としても良い。あるいは、絶縁体2の上面、側面、下面の3つの面にわたって、CuやAgなどの金属膜を形成して、入出力端子としても良い。
Each
非可逆回路素子100において、入出力端子3aが第1ポートP1を、入出力端子3bが第2ポートP2を、入出力端子3cが第3ポートP3を、それぞれ構成している。
In the
非可逆回路素子100は、フェライト板4を備えている。フェライト板4の組成は任意であるが、たとえば、NiZn系、MnZn系、YIG系、CVG系のフェライト等を使用することができる。本実施形態においては、フェライト板4を、平面視が矩形の板状とした。ただし、フェライト板4の形状は任意である。
The
フェライト板4の上側主面と下側主面とを貫通して、6つのスルーホール導体5a、5b、5c、5d、5e、5fが形成されている。スルーホール導体5a〜5fの材質は任意であるが、たとえば、CuやAgなどを使用することができる。
Six through-
フェライト板4の下側主面に、3つの信号電極6a、6b、6cが形成されている。信号電極6aは、入出力端子3aに対応する位置に形成されて、スルーホール導体5aに電気的に接続されている。信号電極6bは、入出力端子3bに対応する位置に形成されて、スルーホール導体5bに電気的に接続されている。信号電極6cは、入出力端子3cに対応する位置に形成されて、スルーホール導体5cに電気的に接続されている。
Three
また、フェライト板4の下側主面には、信号電極6a、6b、6cと間隔を開けて、グランド導体7が形成されている。グランド導体7が、スルーホール導体5d、5e、5fと電気的に接続されている。
A ground conductor 7 is formed on the lower main surface of the
信号電極6a、6b、6c、グランド導体7の材質は、それぞれ任意であるが、たとえば、CuやAgなどを使用することができる。
The
フェライト板4の上側主面に、中心電極8が形成されている。本実施形態においては、中心電極8を、平面視において、直径φが1.5mmの円形形状にした。
A
また、フェライト板4の上側主面には、中心電極8から外方に突出して、3つの補正用容量電極9、10、11が形成されている。補正用容量電極9は、矩形状の矩形部分9Aと、矩形部分9Aの両側に設けられた中心電極8に向けて弧状に広がる弧状部分9B、9Cとで構成されている。補正用容量電極10は、矩形状の矩形部分10Aのみで構成されている。補正用容量電極11は、矩形状の矩形部分11Aのみで構成されている。なお、弧状部分9B、9Cの詳しい形成位置などについては、後述する。
Further, on the upper main surface of the
補正用容量電極9は、中心電極8と、後述する伝送線路12とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。同様に、補正用容量電極10は、中心電極8と、後述する伝送線路13とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。補正用容量電極11は、中心電極8と、後述する伝送線路14とのインピーダンスの整合をはかるために設けられている。
The correcting
図3(A)、(B)に、それぞれ、フェライト板4を示す。フェライト板4の上側主面には、上述のとおり、中心電極8、補正用容量電極9、10、11が形成されている。中心電極8は、平面視において円形である。
FIGS. 3A and 3B show the
中心電極8と補正用容量電極9の矩形部分9Aとは、図に破線で示す境界Xで接している。境界Xは、中心電極8の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Xの補正用容量電極11側の端を接続点A、補正用容量電極10側の端を接続点Bと定義する。
The
中心電極8と補正用容量電極10の矩形部分10Aとは、図に破線で示す境界Yで接している。境界Yは、中心電極8の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Yの補正用容量電極9側の端を接続点C、補正用容量電極11側の端を接続点Dと定義する。
The
中心電極8と補正用容量電極11の矩形部分11Aとは、図に破線で示す境界Zで接している。境界Zは、中心電極8の外形をなす円周上の円弧からなる。境界Zの補正用容量電極10側の端を接続点E、補正用容量電極9側の端を接続点Fと定義する。
The
中心電極8と補正用容量電極9、10、11の矩形部分9A、10A、11Aとの境界X、Y、Zには、6つの接続点A、B、C、D、E、Fが存在することになる。本実施形態にかかる非可逆回路素子100においては、これらの接続点のうち、接続点Aに弧状部分9Bが形成され、接続点Bに弧状部分9Cが形成されている。すなわち、補正用容量電極9の矩形部分9Aの両側の接続点A、Bに、弧状部分9B、9Cが形成されている。弧状部分9B、9Cは、非可逆回路素子100の中心周波数を低くするために形成されている。なお、図3(A)、(B)においては、弧状部分9B、9Cを着色して示している。
There are six connection points A, B, C, D, E, and F at boundaries X, Y, and Z between the
弧状部分9Bの外周は、中心電極8との境界9BXと、矩形部分9Aとの境界9BYと、弧9BZとを繋いだものからなる。境界9BXは中心電極8の外形をなす円周上の円弧である。境界9BYは直線である。弧9BZは、一方の端部が中心電極8と接し、他方の端部が矩形部分9Aと接し、かつ、接続点Aの方向に凹んでいる。本実施形態にかかる非可逆回路素子100においては、弧9BZを、曲率半径RSが0.6mmの円弧とした。
The outer periphery of the arc-shaped
弧状部分9Cの外周は、中心電極8との境界9CXと、矩形部分9Aとの境界9CYと、弧9CZとを繋いだものからなる。境界9CXは中心電極8の外形をなす円周上の円弧である。境界9CYは直線である。弧9CZは、一方の端部が中心電極8と接し、他方の端部が矩形部分9Aと接し、かつ、接続点Bの方向に凹んでいる。本実施形態にかかる非可逆回路素子100においては、弧9CZを、曲率半径RTが0.6mmの円弧とした。
The outer periphery of the arc-shaped
なお、曲率半径RS、RTは、それぞれ、中心電極8の直径以下の大きさであることが好ましい。具体的には、本実施形態においては中心電極8の直径が1.5mmであるため、曲率半径RS、RTは、それぞれ、1.5mm以下であることが好ましい。曲率半径RS、RTが中心電極8の直径よりも大きくなると、中心電極8と補正用容量電極9とのインピーダンスに不整合が発生し、比帯域が狭くなってしまう虞があるからである。
The radii of curvature R S and R T are preferably smaller than the diameter of the
また、フェライト板4の上側主面には、補正用容量電極9から外方に突出して伝送線路12が、補正用容量電極10から外方に突出して伝送線路13が、補正用容量電極11から外方に突出して伝送線路14が、それぞれ形成されている。伝送線路12、13、14は、それぞれ、所定の幅および長さを備えている。ただし、伝送線路12、13、14の幅は、それぞれ、補正用容量電極9、10、11(矩形部分9A、10A、11A)の幅よりも狭い。
Further, on the upper main surface of the
伝送線路12の先端が、スルーホール導体5aに電気的に接続されている。同様に、伝送線路13の先端が、スルーホール導体5bに電気的に接続されている。伝送線路14の先端が、スルーホール導体5cに電気的に接続されている。
The tip of the
中心電極8、補正用容量電極9、10、11、伝送線路12、13、14の材質は、それぞれ任意であるが、たとえば、CuやAgなどを使用することができる。
The material of the
フェライト板4は、下ヨーク1の上側主面上に配置されている。そして、入出力端子3aと信号電極6aとが、入出力端子3bと信号電極6bとが、入出力端子3cと信号電極6cとが、それぞれ電気的に接続されている。また、下ヨーク1とグランド導体7とが電気的に接続されている。
The
この結果、伝送線路12の先端が、スルーホール導体5a、信号電極6aを経由して、入出力端子3a(第1ポートP1)と電気的に接続されている。同様に、伝送線路13の先端が、スルーホール導体5b、信号電極6bを経由して、入出力端子3b(第2ポートP2)と電気的に接続されている。伝送線路14の先端が、スルーホール導体5c、信号電極6cを経由して、入出力端子3c(第3ポートP3)と電気的に接続されている。
As a result, the tip of the
非可逆回路素子100は、中心電極8上に、磁石15が配置されている。磁石15の材質は任意であるが、たとえば、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン系のフェライト磁石、サマリウムコバルト系、ネオジム系の希土類磁石などを使用することができる。本実施形態においては、磁石15を、四角柱とした。ただし、磁石15の形状は任意であり、四角柱に代えて、円柱、楕円柱、四角柱以外の多角柱などの形状であっても良い。
In the
非可逆回路素子100は、上ヨーク16を備えている。上ヨーク16の材質は任意であるが、磁石15が発生させる直流磁界の磁束を効率的に回流させるためには、Fe、Ni、Coなどの強磁性体であることが望ましい。
The
上ヨーク16の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Cu、Ag、Au、Ptなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。
Since the high-frequency current flows on the surface of the
本実施形態の上ヨーク16は、平面視が矩形で板状の天面部16aと、天面部16aに対して垂直な板状の2つの垂直部16b、16cとを備えている。また、垂直部16bには、伝送線路12との接触を避けるために切欠き16bxが形成され、垂直部16cには、伝送線路14との接触を避けるために切欠き16cxが形成されている。ただし、上ヨーク16の形状は任意であり、種々の変更を加えることができる。
The
上ヨーク16は、中心電極8、補正用容量電極9、10、11、伝送線路12、13、14、磁石15を覆って、フェライト板4の上側主面上に配置されている。そして、垂直部16bとスルーホール導体5dとが、垂直部16cとスルーホール導体5eとが、それぞれ電気的に接続されている。ただし、垂直部16bとスルーホール導体5dとの電気的接続や、垂直部16cとスルーホール導体5eとの電気的接続は必須ではなく、省略することも可能である。
The
非可逆回路素子100は、磁石15が発生させた直流磁界の磁束が、下ヨーク1および上ヨーク16を回流してフェライト板4に印加されることによって、非可逆回路素子(サーキュレータ)として機能する。
The
具体的には、非可逆回路素子100は、入出力端子3a(第1ポートP1)に入力された信号が入出力端子3c(第3ポートP3)から出力され、入出力端子3c(第3ポートP3)に入力された信号が入出力端子3b(第2ポートP2)から出力され、入出力端子3b(第2ポートP2)に入力された信号が入出力端子3a(第1ポートP1)から出力され、これらと逆の方向には信号は流れない。
Specifically, in the
(非可逆回路素子100の製造方法)
以上の構造を有する第1実施形態にかかる非可逆回路素子100は、従来から非可逆回路素子の製造において一般的に用いられている製造方法によって製造することができる。
(Manufacturing method of non-reciprocal circuit device 100)
The
(非可逆回路素子100の特性)
非可逆回路素子100のS11特性を図4(A)に、S22特性を図4(B)に、S33特性を図4(C)に、それぞれ示す。また、非可逆回路素子100のS31特性を図5(A)に、S23特性を図5(B)に、それぞれ示す。各図には、比較のために、非可逆回路素子100の補正用容量電極9に弧状部分9B、9Cを形成しなかった場合の各特性を比較例として示している。
(Characteristics of non-reciprocal circuit device 100)
The S11 characteristic of the
ここで、S11特性、S22特性およびS33特性は、各入出力端子における反射特性である。具体的には、S11特性、S22特性およびS33特性は、それぞれ、入出力端子3a(第1ポートP1)、入出力端子3b(第2ポートP2)および入出力端子3c(第3ポートP3)におけるリターンロスの周波数特性である。また、S31特性及びS23特性は、入出力端子間における通過特性である。具体的には、S31特性およびS23特性は、それぞれ、入出力端子3a(第1ポートP1)から入出力端子3c(第3ポートP3)へのインサーションロス、および、入出力端子3c(第3ポートP3)から入出力端子3b(第2ポートP2)へのインサーションロスの周波数特性である。
Here, the S11 characteristic, the S22 characteristic, and the S33 characteristic are reflection characteristics at each input / output terminal. Specifically, the S11 characteristic, the S22 characteristic, and the S33 characteristic are respectively at the input /
図4(A)〜(C)のS11特性、S22特性、S33特性を比較して分かるように、非可逆回路素子100は、補正用容量電極9に弧状部分9B、9Cを形成した第1ポートP1のみ、共振モードの周波数が低周波側に移動している。補正用容量電極に弧状部分を形成しなかった第2ポートP2、第3ポートP3は、いずれも、共振モードの周波数が移動していない。また、第1ポートP1のS11のみ、リターンロスが低減している。
4A to 4C, the
そして、図5(A)から分かるように、非可逆回路素子100は、第1ポートP1の補正用容量電極9に弧状部分9B、9Cを形成したことによって、S31特性の中心周波数が低周波側に移動している。これに対し、図5(B)から分かるように、非可逆回路素子100では、S23特性の中心周波数は移動していない。
As can be seen from FIG. 5A, the
このことから分かるように、本発明を使用すれば、非可逆回路素子の中心周波数をポートごとに個別調整することが可能になる。たとえば、本実施形態の非可逆回路素子100のように、S31特性の中心周波数を低周波側に移動させるが、S23特性の中心周波数は移動させないといった調整が可能になる。したがって、本発明の非可逆回路素子は、送信と受信の周波数帯が異なる周波数分割複信(FDD;Frequency Division Duplex)を使用した通信機器などにおいて、使用されることが期待される。
As can be seen from this, when the present invention is used, the center frequency of the nonreciprocal circuit element can be individually adjusted for each port. For example, as in the
[第2実施形態]
(非可逆回路素子200の構造)
図6に、第2実施形態にかかる非可逆回路素子200を示す。ただし、図6は、非可逆回路素子200の要部平面図であり、フェライト板4の上側主面を示している。
[Second Embodiment]
(Structure of non-reciprocal circuit device 200)
FIG. 6 shows a
非可逆回路素子200は、第1実施形態にかかる非可逆回路素子100の構成に変更を加えた。具体的には、非可逆回路素子100では、中心電極8と補正用容量電極9、10、11の矩形部分9A、10A、11Aとの境界X、Y、Zにある6つの接続点のうち、第1ポートP1の接続点A、Bに、弧状部分9B、9Cを形成した。これに対し、非可逆回路素子200では、第1ポートP1〜第3ポートP3の6つの接続点A、B、C、D、E、Fの全てに、弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cを形成した。
The
具体的には、非可逆回路素子200では、第1ポートP1の接続点Aに弧状部分9Bを形成し、接続点Bに弧状部分9Cを形成した。また、非可逆回路素子200では、第2ポートP2の接続点Cに弧状部分10Bを形成し、接続点Dに弧状部分10Cを形成した。さらに、非可逆回路素子200では、第3ポートP3の接続点Eに弧状部分11Bを形成し、接続点Fに弧状部分11Cを形成した。
Specifically, in the
なお、弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cの外形は、それぞれ、中心電極8および矩形部分9A、10A、11Aのいずれとも接していない部分に、弧を有している。本実施形態においては、これらの弧を、それぞれ、曲率半径が0.6mmの円弧とした。
Note that the outer shapes of the arc-shaped
非可逆回路素子200のその他の構造は、非可逆回路素子100と同じにした。したがって、中心電極8は、直径が1.5mmの円形形状である。
The other structure of the
(非可逆回路素子200の特性)
非可逆回路素子200のS11特性を図7(A)に、S22特性を図7(B)に、S33特性を図7(C)に、それぞれ示す。また、非可逆回路素子200のS31特性を図8(A)に、S23特性を図8(B)に、それぞれ示す。さらに、非可逆回路素子200のS13特性を図9(A)に、S32特性を図9(B)に、それぞれ示す。各図には、比較のために、弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cを形成しなかった場合の各特性を比較例として示している。
(Characteristics of non-reciprocal circuit element 200)
FIG. 7A shows the S11 characteristic of the
図7(A)〜(C)のS11特性、S22特性、S33特性や、図9(A)、(B)のS13特性、S32特性から分かるように、第1ポートP1〜第3ポートP3の全ての接続点A、B、C、D、E、Fに弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cを形成した非可逆回路素子200は、第1ポートP1〜第3ポートP3の全てにおいて、共振モードの周波数が低周波側に移動している。また、第1ポートP1のS11および第3ポートP3のS33において、リターンロスが低減している。
As can be seen from the S11, S22, and S33 characteristics of FIGS. 7A to 7C, and the S13 and S32 characteristics of FIGS. 9A and 9B, the first port P1 to the third port P3. The
そして、図8(A)、(B)から分かるように、非可逆回路素子200においては、S31特性の中心周波数が低周波側に移動するとともに、S23特性の中心周波数も低周波側に移動している。また、図には示していないが、S12特性の中心周波数も低周波側に移動している。
8A and 8B, in the
上述したとおり、従来の非可逆回路素子において、中心周波数を低くするためには、中心電極の寸法を大きくする必要があった。そのため、フェライト板の寸法が大きくなり、非可逆回路素子の寸法が平面方向に大きくなってしまうという問題があった。 As described above, in the conventional nonreciprocal circuit device, in order to reduce the center frequency, it is necessary to increase the size of the center electrode. For this reason, there is a problem that the size of the ferrite plate is increased, and the size of the nonreciprocal circuit element is increased in the planar direction.
これに対し、本発明の非可逆回路素子によれば、中心電極8の寸法を大きくしなくても、接続点A、B、C、D、E、Fに弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cを形成することによって、S31特性およびS23特性の中心周波数を低周波側に移動させることができる。すなわち、本発明の非可逆回路素子は、寸法を平面方向に大きくすることなく、中心周波数(動作周波数)を低くすることができる。
On the other hand, according to the nonreciprocal circuit device of the present invention, the
(実験)
非可逆回路素子200の構造において、中心電極8の直径φの大きさ、および、補正用容量電極9、10、11の弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cの弧(円弧)の曲率半径Rの大きさを変化させて、非可逆回路素子の中心周波数がどのように変化するかを調べた。なお、非可逆回路素子200は、S31特性の中心周波数とS23特性の中心周波数とS12特性の中心周波数が等しくなるように設計しているので、ここではS31特性の中心周波数を非可逆回路素子200の中心周波数とした。
(Experiment)
In the structure of the
まず、非可逆回路素子200の構造において、中心電極8の直径φを、1.4mm、1.5mm、1.6mmの3通りに変化させ、弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cの円弧の曲率半径Rを、0.0mm(弧状部分なし)、0.1mm、0.2mm、0.4mm、0.6mmの5通りに変化させ、合計15種類の非可逆回路素子を作製した。
First, in the structure of the
次に、15種類の非可逆回路素子につき、それぞれ、中心周波数を測定した。表1に、各非可逆回路素子の中心周波数を示す。また、図10に、各非可逆回路素子の中心周波数をグラフにして示す。
表1および図10からわかるように、中心電極の直径φを大きくすることによって、中心周波数を低くすることができる。しかし、中心電極の直径φを大きくする代わりに、弧状部分の円弧の曲率半径Rを大きくすることによっても、中心周波数を低くすることができる。 As can be seen from Table 1 and FIG. 10, the center frequency can be lowered by increasing the diameter φ of the center electrode. However, the center frequency can be lowered by increasing the radius of curvature R of the arc of the arc-shaped portion instead of increasing the diameter φ of the center electrode.
補正用容量電極に弧状部分を設けることによって、中心電極の直径φが小さい非可逆回路素子の中心周波数が、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが大きい非可逆回路素子の中心周波数よりも、低くなる場合がある。たとえば、補正用容量電極に曲率半径Rが0.6mmの弧状部分を設けた中心電極の直径φが1.5mmの非可逆回路素子の中心周波数が26.60GHzであるのに対し、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが1.6mmの非可逆回路素子の中心周波数は26.80GHzである。 A nonreciprocal circuit element in which the center frequency of the nonreciprocal circuit element having a small diameter φ of the center electrode is large and the diameter φ of the center electrode having no arcuate part in the correction capacitor electrode is large by providing the correction capacitive electrode with an arcuate portion. May be lower than the center frequency. For example, the center frequency of the nonreciprocal circuit element having a diameter φ of 1.5 mm of the center electrode provided with an arc-shaped portion having a curvature radius R of 0.6 mm on the correction capacitor electrode is 26.60 GHz, whereas the correction capacitor The center frequency of the non-reciprocal circuit element having a diameter φ of 1.6 mm of the center electrode in which no arc-shaped portion is provided on the electrode is 26.80 GHz.
図11に、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが1.5mmの非可逆回路素子のS31特性と、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが1.6mmの非可逆回路素子のS31特性と、補正用容量電極に曲率半径Rが0.6mmの弧状部分を設けた中心電極の直径φが1.5mmの非可逆回路素子のS31特性とを比較して示す。図11から分かるように、中心電極の直径φが1.5mmの非可逆回路素子は、補正用容量電極に曲率半径Rが0.6mmの弧状部分を設けることによって、S31特性の中心周波数が低周波側に移動し、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが1.6mmの非可逆回路素子のS31特性と極めて近似したS31特性を備えている。この知見を利用すれば、補正用容量電極に弧状部分を設けることによって、中心電極(フェライト板;非可逆回路素子)の寸法を大きくすることなく、非可逆回路素子の中心周波数を低くすることが可能になる。 FIG. 11 shows the S31 characteristics of the non-reciprocal circuit element in which the correction electrode is not provided with an arcuate portion and the diameter φ of the center electrode in which the correction capacitor electrode is not provided with an arcuate portion. The S31 characteristic of the nonreciprocal circuit element having a diameter of 1.6 mm and the S31 characteristic of the nonreciprocal circuit element having a diameter φ of 1.5 mm of the center electrode in which the arcuate portion having the curvature radius R of 0.6 mm is provided on the correction capacitor electrode. Are shown in comparison. As can be seen from FIG. 11, the nonreciprocal circuit element having the diameter φ of the center electrode of 1.5 mm has a low center frequency of the S31 characteristic by providing an arc-shaped portion with a curvature radius R of 0.6 mm in the correction capacitor electrode. It has S31 characteristics that are very close to the S31 characteristics of the nonreciprocal circuit element having a diameter φ of 1.6 mm of the center electrode that moves to the frequency side and has no arcuate portion on the correction capacitor electrode. If this knowledge is used, the center frequency of the non-reciprocal circuit element can be lowered without increasing the size of the center electrode (ferrite plate; non-reciprocal circuit element) by providing an arc-shaped portion in the correction capacitor electrode. It becomes possible.
図12に、補正用容量電極に曲率半径Rが0.6mmの弧状部分を設けた中心電極の直径φが1.5mmの非可逆回路素子(中心周波数=26.60GHz)を実施例として、補正用容量電極に弧状部分を設けていない中心電極の直径φが1.6mmの非可逆回路素子(中心周波数=26.80GHz)を比較例として、両者のフェライト板の大きさをイメージとして示す。 FIG. 12 shows a correction using a non-reciprocal circuit element (center frequency = 26.60 GHz) having a diameter φ of 1.5 mm as a center electrode in which an arc-shaped portion having a radius of curvature R of 0.6 mm is provided on a correction capacitor electrode. As a comparative example, a nonreciprocal circuit element (center frequency = 26.80 GHz) having a diameter φ of 1.6 mm of a center electrode in which no arc-shaped portion is provided in the capacitor electrode for use is shown as an image of the size of both ferrite plates.
図12からわかるように、実施例の非可逆回路素子は、比較例の非可逆回路素子よりも低い中心周波数を有しているにもかかわらず、比較例の非可逆回路素子よりもフェライト板が小さくなっている。具体的には、図12にGで示す寸法分だけ、フェライト板の一辺の長さが小さくなっている。 As can be seen from FIG. 12, the non-reciprocal circuit element of the example has a lower center frequency than the non-reciprocal circuit element of the comparative example, but the ferrite plate is higher than the non-reciprocal circuit element of the comparative example. It is getting smaller. Specifically, the length of one side of the ferrite plate is reduced by the dimension indicated by G in FIG.
以上より、本発明の非可逆回路素子によれば、中心電極(フェライト板;非可逆回路素子)の寸法を大きくすることなく、非可逆回路素子の中心周波数を低くすることが可能である。 As described above, according to the nonreciprocal circuit device of the present invention, the center frequency of the nonreciprocal circuit device can be lowered without increasing the size of the center electrode (ferrite plate; nonreciprocal circuit device).
次に、中心電極の直径φに対する、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rの適正値について検討する。 Next, an appropriate value of the radius of curvature R of the arc of the arcuate portion of the correction capacitor electrode with respect to the diameter φ of the center electrode will be examined.
上述したとおり、非可逆回路素子200において、中心周波数を低くするためには、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rを大きくすれば良い。しかしながら、曲率半径Rを大きくし過ぎると、中心電極8と補正用容量電極9、10、11とのインピーダンスに不整合が生じ、比帯域が狭くなってしまう虞がある。
As described above, in the
そこで、曲率半径Rの大きさがインピーダンスの不整合に与える影響を調べるために、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rが大きい非可逆回路素子を作製し、その特性を測定した。具体的には、中心電極8の直径φが1.5mmで、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rが1.5mmの非可逆回路素子を作製し、その特性を測定した。この非可逆回路素子は、中心電極の直径φと補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rとが等しい。
Therefore, in order to investigate the effect of the radius of curvature R on impedance mismatch, a nonreciprocal circuit device having a large radius of curvature R of the arc of the arcuate portion of the correcting capacitor electrode was fabricated and its characteristics were measured. Specifically, a non-reciprocal circuit device having a diameter φ of the
作製した非可逆回路素子のS11特性を図13(A)に、S22特性を図13(B)に、S33特性を図13(C)に、それぞれ示す。また、作製した非可逆回路素子のS31特性を図14(A)に、S23特性を図14(B)に、それぞれ示す。さらに、作製した非可逆回路素子のS13特性を図15(A)に、S32特性を図15(B)に、それぞれ示す。各図には、比較のために、補正用容量電極に弧状部分を形成しなかった場合と、補正用容量電極に円弧の曲率半径Rが0.6mmの弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cを形成した場合の各特性を示している。
FIG. 13A shows the S11 characteristics, FIG. 13B shows the S22 characteristics, and FIG. 13C shows the S33 characteristics of the manufactured nonreciprocal circuit element. In addition, FIG. 14A shows the S31 characteristic of the produced nonreciprocal circuit element, and FIG. 14B shows the S23 characteristic. Further, FIG. 15A shows the S13 characteristics and FIG. 15B shows the S32 characteristics of the produced nonreciprocal circuit device. In each figure, for comparison, a case where no arc-shaped portion is formed on the correction capacitor electrode and an arc-shaped
図13(A)〜(C)、図14(A)、(B)、図15(A)、(B)から分かるように、中心電極の直径φおよび弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cの円弧の曲率半径Rを1.5mmとした非可逆回路素子は、インピーダンスの不整合により、各特性が乱れ始めている。ただし、図14(A)、(B)からわかるように、まだ、S31特性、S23特性は、実用上問題のない比帯域を備えている。しかしながら、曲率半径Rをこれよりも大きくすると、比帯域が狭くなるため好ましくない。したがって、補正用容量電極の弧状部分の円弧の曲率半径Rは、中心電極の直径φ以下の大きさであることが好ましいということができる。
As can be seen from FIGS. 13 (A) to (C), FIGS. 14 (A), (B), FIGS. 15 (A) and (B), the diameter φ of the center electrode and the
[第3実施形態]
図16に、第3実施形態にかかる非可逆回路素子300を示す。ただし、図16は、非可逆回路素子300の要部平面図であり、フェライト板4の上側主面を示している。
[Third Embodiment]
FIG. 16 shows a
非可逆回路素子300では、6つある接続点A〜Fのうち、接続点Aに弧状部分9Bを形成するとともに、接続点Fに弧状部分11Cを形成し、その他の接続点B〜Eには弧状部分を形成しなかった。すなわち、非可逆回路素子300では、第1ポートP1と第3ポートP3との間の2つの接続点A、Fに、弧状部分9B、11Cを形成した。
In the
非可逆回路素子300は、S23特性やS12特性の中心周波数をほとんど移動させることなく、S31特性の中心周波数だけが低周波側に移動している。
In the
[第4実施形態]
図17に、第4実施形態にかかる非可逆回路素子400を示す。ただし、図17は、非可逆回路素子400の要部平面図であり、フェライト板4の上側主面を示している。
[Fourth Embodiment]
FIG. 17 shows a
非可逆回路素子400では、6つある接続点A〜Fのうち、接続点Aに弧状部分9Bを形成し、接続点Cに弧状部分10Bを形成し、接続点Eに弧状部分11Bを形成し、その他の接続点B、D、Fには弧状部分を形成しなかった。すなわち、非可逆回路素子400では、第1ポートP1においては第3ポートP3側の接続点Aに弧状部分9Bを形成し、第2ポートP2においては第1ポートP1側の接続点Cに弧状部分10Bを形成し、第3ポートP3においては第2ポートP2側の接続点Eに弧状部分11Bを形成した。
In the
非可逆回路素子400は、第2実施形態にかかる非可逆回路素子200と同様に、S31特性、S23特性、S12特性の中心周波数が、それぞれ、低周波側に移動している。ただし、非可逆回路素子400は、非可逆回路素子200に比べて、中心周波数の移動量が小さい。
In the
[第5実施形態]
図18に、第5実施形態にかかる高周波フロントエンド回路モジュール500を示す。ただし、図18は、高周波フロントエンド回路モジュール500の等価回路図である。
[Fifth Embodiment]
FIG. 18 shows a high-frequency front-
高周波フロントエンド回路モジュール500は、図示しないが、たとえば、1枚の基板上に種々の電子部品を実装したものからなる。高周波フロントエンド回路モジュール500は、図18に示す等価回路を備えている。
Although not shown, the high-frequency front-
高周波フロントエンド回路モジュール500は、たとえば、アンテナ70に接続して使用される。
The high-frequency front-
高周波フロントエンド回路モジュール500は、RFIC51を備えている。RFIC51は、4対の送信端子TX、受信端子RXを備えている。高周波フロントエンド回路モジュール500が接続されるアンテナ70も、4系統での送信、受信が可能になっている。
The high frequency front
高周波フロントエンド回路モジュール500のRFIC51と、アンテナ70とが、4系統の接続回路53a、53b、53c、54dによって接続されている。接続回路53a、53b、53c、54dは、いずれも同じ構成になっているので、ここでは接続回路53aの構成について説明する。
The
接続回路53aは、パワーアンプ54と、上述した第1実施形態にかかる非可逆回路素子(サーキュレータ)100と、バンドパスフィルタ55と、スイッチ56と、ローノイズアンプ57とを備えている。
The
パワーアンプ54の一端が、RFIC51の送信端子TXに接続されている。パワーアンプ54の他端に、非可逆回路素子100の第1ポートP1が接続されている。非可逆回路素子100の第3ポートP3に、バンドパスフィルタ55の一端が接続されている。バンドパスフィルタ55の他端が、アンテナ70に接続されている。
One end of the
また、非可逆回路素子100の第2ポートP2に、スイッチ56の1つの端子が接続されている。スイッチ56の別の1つの端子が、抵抗を介してグランドに終端されている。スイッチ56のさらに別の1つの端子に、ローノイズアンプ57の一端が接続されている。ローノイズアンプ57の他端が、RFIC51の受信端子RXに接続されている。
One terminal of the
図18は、高周波フロントエンド回路モジュール500が送信をおこなっている状態を示している。RFIC51の送信端子TXから出力された送信信号は、パワーアンプ54、非可逆回路素子100、バンドパスフィルタ55を経由して、アンテナ70に伝送される。
FIG. 18 shows a state in which the high-frequency front-
このとき、アンテナ70が不要な反射波を発生させる場合がある。このアンテナ70が発生させた不要な反射波は、バンドパスフィルタ55、非可逆回路素子100、スイッチ56を経由して、グランドに落とされる。すなわち、高周波フロントエンド回路モジュール500においては、非可逆回路素子100によって、パワーアンプ54が、アンテナ70の不要な反射波から守られている。
At this time, the
一方、高周波フロントエンド回路モジュール500が受信をおこなう場合は、スイッチ56は、非可逆回路素子100の第2ポートP2を、ローノイズアンプ57に接続する。受信の場合は、アンテナ70から出力された受信信号が、バンドパスフィルタ55、非可逆回路素子100、スイッチ56、ローノイズアンプ57を経由して、RFIC51の受信端子RXに入力される。
On the other hand, when the high-frequency front-
接続回路53b〜53dも、接続回路53aと同じ動作をおこなう。
The
高周波フロントエンド回路モジュール500においては、第1実施形態にかかる非可逆回路素子100によって、パワーアンプ54が、アンテナ70の不要な反射波から守られている。
In the high-frequency front-
以上、第1実施形態〜第4実施形態にかかる非可逆回路素子100、200、300、400、第5実施形態にかかる高周波フロントエンド回路モジュール500について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
The
たとえば、非可逆回路素子100、200、300、400は、いずれもサーキュレータであったが、これらはアイソレータであっても良い。なお、アイソレータを構成するためには、入出力ポートである伝送線路12、13、14のうちの1つを、抵抗を介してグランドに接続して終端させれば良い。
For example, each of the
また、非可逆回路素子100、200、300、400では、中心電極8、補正用容量電極9、10、11、伝送線路12、13、14が、フェライト板4の上側主面に形成されたものであった。すなわち、これらの電極や線路は、たとえば薄膜技術を使って、フェライト板4の上側主面に直接に形成されたものであった。しかしながら、この方法に代えて、フェライト板4とは別体の、金属板を加工して作製した電極や線路を使用しても良い。
In the
また、非可逆回路素子100、200、300、400では、補正用容量電極9、10、11の弧状部分9B、9C、10B、10C、11B、11Cの弧を円弧としたが、弧は円弧には限定されない。
In the
また、高周波フロントエンド回路モジュール500は、非可逆回路素子100、パワーアンプ54に加えて、RFIC51、バンドパスフィルタ55、スイッチ56、ローノイズアンプ57の他の電子部品を備えていたが、本発明の高周波フロントエンド回路モジュールは、最低限、非可逆回路素子とパワーアンプとを備えていれば良い。
In addition to the
1・・・下ヨーク
2・・・絶縁体
3a、3b、3c・・・入出力端子
4・・・フェライト板
5a、5b、5c、5d、5e、5f・・・スルーホール導体
6a、6b、6c・・・信号電極
7・・・グランド導体
8・・・中心電極
9、10、11・・・補正用容量電極
9A、10A、11A・・・矩形部分
9B、9C、10B、10C、11B、11C・・・弧状部分
9BX、9CX・・・境界(弧状部分と中心電極との境界)
9BY、9CY・・・境界(弧状部分と矩形部分との境界)
9BZ、9CZ・・・弧(円弧)
12、13、14・・・伝送線路
15・・・磁石
16・・・上ヨーク
P1・・・第1ポート
P2・・・第2ポート
P3・・・第3ポート
R、RS、RT・・・曲率半径
A、B、C、D、E、F・・・接続点(補正用容量電極の矩形部分と中心電極との接続点)
X、Y、Z・・・境界(補正用容量電極の矩形部分と中心電極との境界)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
9B Y , 9C Y ... Boundary (boundary between arc-shaped part and rectangular part)
9B Z , 9C Z ... Arc (arc)
12, 13, 14 ...
X, Y, Z... Boundary (boundary between the rectangular portion of the correction capacitor electrode and the center electrode)
Claims (9)
前記フェライト板上に設けられた円形形状の中心電極と、
前記中心電極から外方に突出して前記フェライト板上に設けられた3つの補正用容量電極と、
3つの前記補正用容量電極からそれぞれ外方に突出して前記フェライト板上に設けられた伝送線路と、
前記中心電極上に設けられた磁石と、を備え、
3つの前記補正用容量電極のそれぞれは、前記伝送線路よりも幅の広い矩形部分を含み、かつ、3つの前記補正用容量電極のうち少なくとも1つは、前記中心電極に向けて弧状に広がる弧状部分をさらに含む、
非可逆回路素子。 A ferrite plate,
A circular center electrode provided on the ferrite plate;
Three correcting capacitive electrodes provided on the ferrite plate so as to protrude outward from the center electrode;
A transmission line provided on the ferrite plate projecting outward from each of the three capacitance electrodes for correction;
A magnet provided on the center electrode,
Each of the three correction capacitor electrodes includes a rectangular portion wider than the transmission line, and at least one of the three correction capacitor electrodes has an arc shape extending in an arc shape toward the center electrode. Further including a portion,
Non-reciprocal circuit element.
3つの前記矩形部分と前記中心電極との境界に位置する6つの前記接続点のうち、少なくとも1つの前記接続点に前記弧状部分が付加され、
前記弧状部分における前記補正用容量電極の外形は、当該弧状部分が付加された前記接続点の方向に凹んだ弧である請求項1に記載された非可逆回路素子。 When the boundary between the rectangular portion and the center electrode is a circular arc on the circumference forming the outer shape of the central electrode, and both ends of the circular arc are defined as connection points between the rectangular portion and the central electrode,
Of the six connection points located at the boundary between the three rectangular parts and the central electrode, the arc-shaped part is added to at least one of the connection points,
2. The nonreciprocal circuit device according to claim 1, wherein an outer shape of the correction capacitor electrode in the arc-shaped portion is an arc recessed in a direction of the connection point to which the arc-shaped portion is added.
少なくとも、隣り合う2つの前記補正用容量電極に含まれる2つの前記矩形部分の間に位置する2つの前記接続点に、
それぞれ前記弧状部分が付加された、請求項2に記載された非可逆回路素子。 Of the six connection points,
At least the two connection points located between the two rectangular portions included in the two adjacent correction capacitor electrodes,
The nonreciprocal circuit device according to claim 2, wherein each of the arcuate portions is added.
少なくとも、1つの前記補正用容量電極に含まれる1つの前記矩形部分の両側に位置する2つの前記接続点に、
それぞれ前記弧状部分が付加された、請求項2または3に記載された非可逆回路素子。 Of the six connection points,
At least two connection points located on both sides of one rectangular portion included in one correction capacitor electrode,
4. The nonreciprocal circuit device according to claim 2, wherein each of the arcuate portions is added.
当該円弧の曲率半径が前記中心電極の直径以下の大きさである、請求項1ないし5のいずれか1項に記載された非可逆回路素子。 The outer shape of the correction capacitor electrode in the arc-shaped portion is an arc,
6. The nonreciprocal circuit device according to claim 1, wherein a radius of curvature of the arc is equal to or smaller than a diameter of the center electrode.
パワーアンプと、を備えた高周波フロントエンド回路モジュール。
A nonreciprocal circuit device according to any one of claims 1 to 8,
A high-frequency front-end circuit module including a power amplifier.
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JP2018015786A Pending JP2019134337A (en) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | Non-reciprocal circuit device and high-frequency front-end circuit module |
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