JP2019117833A - Semiconductor module and power conversion system - Google Patents

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Abstract

To provide a semiconductor module that makes it easy to shorten a connection wire connected to a power terminal and to provide a power conversion system.SOLUTION: A semiconductor module 2 comprises: a module body part 21 incorporating a switching element 24; and a power element group 220 formed of three or more power terminals 22 projecting in parallel from one another in a direction parallel to a main surface of the module body part 21. If a direction parallel to a direction in which the power terminals 22 project is a Z direction, a direction of a normal of the main surface of the module main body part 21 is an X direction, a direction orthogonal to the X direction and the Z direction is a Y direction, both ends of the module body part 21 in the Y direction are first end part 211 and a second end part 212, respectively, and the center between the first end part 211 and the second end part 212 in the Y direction is a module center C21, a half of power terminals 22 of the power terminal group 220 are arranged within a first area 201 between the module center C21 and the first end part 211.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体モジュール及びこれを備えた電力変換装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor module and a power conversion device provided with the same.

インバータ等の電力変換装置においては、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールを備えたものがある。半導体モジュールは、スイッチング素子によってオンオフ制御される電力を授受するための複数のパワー端子を備える。特許文献1には、3本のパワー端子を備えた半導体モジュールが開示されている。   Some power converters such as inverters include a semiconductor module having a switching element built-in. The semiconductor module is provided with a plurality of power terminals for transferring and receiving the power controlled to be turned on and off by the switching element. Patent Document 1 discloses a semiconductor module provided with three power terminals.

これら3本のパワー端子は、半導体モジュールの主面に平行な方向に、並んで配置されている。パワー端子には、半導体モジュールの外部の電力配線に接続される。すなわち、例えば、コンデンサに接続されるバスバーや、外部出力端子に接続されるバスバーが、パワー端子に接続される。   These three power terminals are arranged side by side in a direction parallel to the main surface of the semiconductor module. The power terminal is connected to an external power wiring of the semiconductor module. That is, for example, the bus bar connected to the capacitor and the bus bar connected to the external output terminal are connected to the power terminal.

特開2013−149684号公報JP, 2013-149684, A

しかしながら、3本以上のパワー端子を備えた半導体モジュールにおいては、パワー端子の配置によっては、それぞれのパワー端子に接続される接続配線が長くなるおそれがある。すなわち、スイッチング素子を内蔵したモジュール本体部と、モジュール本体部から突出したパワー端子との位置関係によって、パワー端子に接続される接続配線を長くせざるを得なくなるおそれがある。その結果、配線抵抗の低減、損失の低減を図ることが困難となるおそれがある。   However, in a semiconductor module provided with three or more power terminals, the connection wiring connected to each power terminal may be long depending on the arrangement of the power terminals. That is, depending on the positional relationship between the module body incorporating the switching element and the power terminal projecting from the module body, there is a possibility that the connection wiring connected to the power terminal can not but be lengthened. As a result, it may be difficult to reduce the wiring resistance and the loss.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、パワー端子に接続される接続配線を短くしやすい半導体モジュール及び電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor module and a power conversion device in which the connection wiring connected to the power terminal can be easily shortened.

本発明の一態様は、スイッチング素子(24)を内蔵したモジュール本体部(21)と、
上記モジュール本体部から、該モジュール本体部の主面に平行な方向に、互いに平行に突出した3本以上のパワー端子(22)からなるパワー端子群(220)と、を有し、
上記パワー端子の突出方向に平行な方向をZ方向とし、上記モジュール本体部の主面の法線方向をX方向とし、X方向とZ方向との双方に直交する方向をY方向とし、Y方向における上記モジュール本体部の両端をそれぞれ第1端部(211)及び第2端部(212)とし、Y方向における上記第1端部と上記第2端部との中央をモジュール中央(C21)としたとき、
上記パワー端子群のうちの過半数の上記パワー端子は、上記モジュール中央と上記第1端部との間の第1領域(201)に収まるように配置されている、半導体モジュール(2)にある。
One aspect of the present invention is a module body (21) incorporating a switching element (24);
A power terminal group (220) composed of three or more power terminals (22) projecting in parallel with each other in a direction parallel to the main surface of the module main body from the module main body;
The direction parallel to the projecting direction of the power terminal is the Z direction, the normal direction of the main surface of the module main body is the X direction, and the direction orthogonal to both the X direction and the Z direction is the Y direction. The two ends of the module main body in the first and second ends are respectively the first end (211) and the second end (212), and the center of the first end and the second end in the Y direction is the module center (C21) When you
A majority of the power terminals of the power terminal group are in the semiconductor module (2), which is arranged to be contained in a first region (201) between the module center and the first end.

本発明の他の態様は、上記半導体モジュールを備えた電力変換装置(1)であって、
上記半導体モジュールは、上記モジュール本体部から上記パワー端子と反対側へ、制御端子(23)を突出してなり、
上記半導体モジュールに電気的に接続される電子部品(3)と、
上記パワー端子の一つに接続される出力配線(41)の一部を保持する配線保持体(5)と、
上記制御端子と接続される制御基板(6)と、をさらに有し、
上記制御基板は、Z方向において上記半導体モジュールに対向配置されており、
上記電子部品と上記配線保持体とは、上記半導体モジュールを挟んでY方向における互いに反対側に配置されている、電力変換装置にある。
Another aspect of the present invention is a power converter (1) provided with the above semiconductor module, which
The semiconductor module has a control terminal (23) projecting from the module body to the opposite side of the power terminal,
An electronic component (3) electrically connected to the semiconductor module;
A wiring holding body (5) holding a part of the output wiring (41) connected to one of the power terminals;
A control board (6) connected to the control terminal;
The control substrate is disposed to face the semiconductor module in the Z direction,
The electronic component and the wiring holder are included in the power conversion device, which are disposed on opposite sides in the Y direction with the semiconductor module interposed therebetween.

上記半導体モジュールにおいては、上記パワー端子群のうちの過半数の上記パワー端子は、上記第1領域に収まるように配置されている。これにより、過半数のパワー端子を、Y方向において、上記モジュール本体部の第1端部に近い位置に配置することができる。その結果、過半数のパワー端子にそれぞれ接続される接続配線を、第1端部側に引き出すことにより、接続配線を短くしやすくなる。   In the semiconductor module, a majority of the power terminals of the power terminal group are arranged to be contained in the first region. As a result, a majority of the power terminals can be disposed at a position near the first end of the module body in the Y direction. As a result, by drawing out the connection wires respectively connected to the majority of the power terminals to the first end side, the connection wires can be easily shortened.

すなわち、接続配線による接続先である電子部品や、接続配線を保持する保持部品を、半導体モジュールの近傍に配置する際、これらの部品がモジュール本体部に干渉しないように配置することとなる。それゆえ、過半数のパワー端子を第1領域に配置することで、これらのパワー端子と第1端部側に配置した上記部品との間の距離を短くしやすくなる。その結果、接続配線を短くしやすくなる。   That is, when arranging the electronic component which is the connection destination by the connection wiring and the holding component which holds the connection wiring in the vicinity of the semiconductor module, these components are arranged so as not to interfere with the module body. Therefore, by arranging a majority of the power terminals in the first region, it becomes easy to shorten the distance between these power terminals and the above-mentioned components arranged on the first end side. As a result, the connection wiring can be easily shortened.

上記電力変換装置においては、上記電子部品と上記配線保持体とが、上記半導体モジュールを挟んでY方向における互いに反対側に配置されている。それゆえ、過半数のパワー端子22が第1領域に収まるように配置されることで、接続配線の短縮を効果的に図りやすくなる。   In the power converter, the electronic component and the wiring holder are disposed on opposite sides of the semiconductor module in the Y direction. Therefore, by arranging the majority of the power terminals 22 to be contained in the first region, shortening of the connection wiring can be effectively achieved.

以上のごとく、上記態様によれば、パワー端子に接続される接続配線を短くしやすい半導体モジュール及び電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
As described above, according to the above aspect, it is possible to provide a semiconductor module and a power conversion device that can easily shorten the connection wiring connected to the power terminal.
The reference numerals in parentheses described in the claims and the means for solving the problems indicate the correspondence with the specific means described in the embodiments described later, and the technical scope of the present invention is limited. It is not a thing.

実施形態1における、半導体モジュールの正面説明図。FIG. 2 is a front view of the semiconductor module in the first embodiment. 図1のII矢視図。The II arrow line view of FIG. 実施形態1における、電力変換装置の一部の正面説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Front explanatory drawing of a part of power converter device in Embodiment 1. FIG. 実施形態1における、Z方向から見た、電力変換装置の説明図。Explanatory drawing of the power converter device seen from Z direction in Embodiment 1. FIG. 図4のV−V線矢視断面図。V-V arrow directional cross-sectional view of FIG. 実施形態1における、電力変換装置の回路図。FIG. 1 is a circuit diagram of a power conversion device according to a first embodiment. 実施形態1における、制御基板の一部の説明図。FIG. 7 is an explanatory view of a part of the control board in the first embodiment. 図1のVIII線矢視断面図。VIII sectional view taken on the line in FIG. 半導体モジュールの変形例にかかる、図1のVIII線矢視断面相当の断面図。Sectional drawing equivalent to the VIII line arrow cross section of FIG. 1 concerning the modification of a semiconductor module. 実施形態2における、電力変換装置の一部の正面説明図。FIG. 9 is a front view showing a part of the power conversion device in a second embodiment. 実施形態2における、制御基板の一部の説明図。FIG. 8 is an explanatory view of a part of the control substrate in the second embodiment. 実施形態3における、半導体モジュールの斜視説明図。FIG. 14 is a perspective view of a semiconductor module in a third embodiment. 図12のXIII矢視図。The XIII arrow line view of FIG. 変形形態における、半導体モジュールの正面説明図。Front explanatory drawing of the semiconductor module in a modification.

(実施形態1)
半導体モジュール及び電力変換装置に係る実施形態について、図1〜図9を参照して説明する。
本実施形態の半導体モジュール2は、図1に示すごとく、スイッチング素子24を内蔵したモジュール本体部21と、3本以上のパワー端子22からなるパワー端子群220と、を有する。
(Embodiment 1)
Embodiments according to a semiconductor module and a power conversion device will be described with reference to FIGS. 1 to 9.
As shown in FIG. 1, the semiconductor module 2 of the present embodiment has a module main body 21 incorporating the switching element 24 and a power terminal group 220 composed of three or more power terminals 22.

パワー端子22は、モジュール本体部21から、モジュール本体部21の主面に平行な方向に突出している。3本のパワー端子22は、互いに平行に突出している。本形態において、パワー端子群220は、3本のパワー端子22を有する。   The power terminals 22 project from the module body 21 in a direction parallel to the main surface of the module body 21. The three power terminals 22 project in parallel with one another. In the present embodiment, the power terminal group 220 has three power terminals 22.

図1、図2に示すごとく、パワー端子22の突出方向に平行な方向をZ方向とし、モジュール本体部21の主面の法線方向をX方向とする。X方向とZ方向との双方に直交する方向をY方向とする。Y方向におけるモジュール本体部21の両端をそれぞれ第1端部211及び第2端部212とする。Y方向における第1端部211と第2端部212との中央をモジュール中央C21とする。   As shown in FIGS. 1 and 2, the direction parallel to the projecting direction of the power terminal 22 is taken as the Z direction, and the normal direction of the main surface of the module body 21 is taken as the X direction. A direction orthogonal to both the X direction and the Z direction is taken as a Y direction. Both ends of the module body 21 in the Y direction are referred to as a first end 211 and a second end 212, respectively. The center of the first end 211 and the second end 212 in the Y direction is a module center C21.

パワー端子群220のうちの過半数のパワー端子22は、モジュール中央C21と第1端部211との間の第1領域201に収まるように配置されている。本形態においては、パワー端子群220は3本のパワー端子22からなるため、2本以上のパワー端子22が第1領域201に収まるように配置されていることとなる。特に本形態においては、2本のパワー端子22が第1領域201に収まるように配置されている。   The majority of the power terminals 22 of the power terminal group 220 are arranged to be contained in the first region 201 between the module center C 21 and the first end portion 211. In the present embodiment, since the power terminal group 220 includes three power terminals 22, two or more power terminals 22 are disposed so as to be contained in the first region 201. In particular, in the present embodiment, two power terminals 22 are arranged to be accommodated in the first region 201.

換言すると、モジュール本体部21のY方向の全幅を、モジュール中央C21を境に2つの領域に分けたとき、いずれか一方の領域に、過半数のパワー端子22が収まるように配置されている。この過半数のパワー端子22が収まるように配置された側の領域が、第1領域201ということとなる。そして、この第1領域201がある側の、モジュール本体部21の端部が第1端部211であり、反対側の端部が第2端部212である。   In other words, when the full width in the Y direction of the module body 21 is divided into two regions bordering the module center C21, a majority of the power terminals 22 are disposed in one of the regions. A region on the side where the majority of the power terminals 22 are disposed is referred to as a first region 201. The end of the module body 21 on the side where the first region 201 is present is the first end 211, and the end on the opposite side is the second end 212.

3本のパワー端子22は、Z方向の同じ方向に突出している。すなわち、パワー端子群220は、モジュール本体部21から互いに同じ方向に突出した3本以上のパワー端子22からなる。
モジュール本体部21は、Y方向の寸法Lyが、Z方向の寸法Lzよりも大きい。
The three power terminals 22 project in the same direction as the Z direction. That is, the power terminal group 220 includes three or more power terminals 22 protruding from the module body 21 in the same direction.
The module body portion 21 has a dimension Ly in the Y direction larger than a dimension Lz in the Z direction.

モジュール本体部21における、パワー端子22が突出した面とは異なる面から、制御端子23が突出している。本形態においては、制御端子23は、モジュール本体部21における、パワー端子22が突出した面と反対側の面から突出している。すなわち、制御端子23は、Z方向において、パワー端子22と反対向きに突出している。   The control terminal 23 protrudes from the surface of the module body 21 different from the surface from which the power terminal 22 protrudes. In the present embodiment, the control terminal 23 protrudes from the surface of the module body 21 opposite to the surface from which the power terminal 22 protrudes. That is, the control terminal 23 protrudes in the opposite direction to the power terminal 22 in the Z direction.

モジュール本体部21は、互いに直列接続されると共にY方向に並んだ複数のスイッチング素子24を内蔵している。また、モジュール本体部21は、互いに並列接続されると共にY方向に並んだ複数のスイッチング素子24を内蔵している。すなわち、モジュール本体部21は、後述する上アームスイッチング素子24uと下アームスイッチング素子24dとをそれぞれ複数内蔵している。上アームスイッチング素子24uと下アームスイッチング素子24dとは、互いに直列に接続されている。また、上アームスイッチング素子24u同士が並列に接続され、下アームスイッチング素子24d同士も並列に接続されている。   The module body 21 incorporates a plurality of switching elements 24 connected in series with one another and arranged in the Y direction. Also, the module body 21 incorporates a plurality of switching elements 24 connected in parallel to each other and arranged in the Y direction. That is, the module body 21 incorporates a plurality of upper arm switching elements 24 u and lower arm switching elements 24 d described later. The upper arm switching element 24 u and the lower arm switching element 24 d are connected in series with each other. The upper arm switching elements 24 u are connected in parallel, and the lower arm switching elements 24 d are also connected in parallel.

本形態においては、モジュール本体部21は、2個の上アームスイッチング素子24uと2個の下アームスイッチング素子24dとを内蔵している。これら4個のスイッチング素子24は、Y方向に並んで配置されている。モジュール本体部21は、図1、図8に示すごとく、スイッチング素子24を、絶縁樹脂216によって封止している。   In the present embodiment, the module body 21 incorporates two upper arm switching elements 24 u and two lower arm switching elements 24 d. These four switching elements 24 are arranged side by side in the Y direction. As shown in FIGS. 1 and 8, the module body 21 seals the switching element 24 with an insulating resin 216.

また、図1に示すごとく、制御端子23としては、上アームスイッチング素子24uに接続される制御端子23uと、下アームスイッチング素子24dに接続される制御端子23dとがある。そして、上アーム側の制御端子23uは、第2領域202に配置されている。下アーム側の制御端子23dは、第1領域201に配置されている。   As shown in FIG. 1, the control terminal 23 includes a control terminal 23u connected to the upper arm switching element 24u and a control terminal 23d connected to the lower arm switching element 24d. The control terminal 23 u on the upper arm side is disposed in the second region 202. The control terminal 23 d on the lower arm side is disposed in the first region 201.

制御端子23は、一つのスイッチング素子24に対応して、それぞれ複数本ずつ設けてある。各グループの制御端子23は、それぞれ対応するスイッチング素子24に対応するY方向の位置に、配置されている。特に、本形態においては、各グループの制御端子23は、対応する各スイッチング素子24のY方向の幅内に配置されている。   A plurality of control terminals 23 are provided corresponding to one switching element 24. The control terminals 23 of each group are disposed at positions in the Y direction corresponding to the corresponding switching elements 24. In particular, in the present embodiment, the control terminal 23 of each group is disposed within the width of the corresponding switching element 24 in the Y direction.

スイッチング素子24は、IGBTにて構成することができる。ここで、IGBTは、Insulated Gate Bipolar Transistor、すなわち、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの略である。また、スイッチング素子は、MOSFETとすることもできる。MOSFETは、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor、すなわち、金属酸化物電界効果トランジスタの略である。   The switching element 24 can be configured by an IGBT. Here, IGBT is an abbreviation for Insulated Gate Bipolar Transistor, that is, an insulated gate bipolar transistor. The switching element can also be a MOSFET. MOSFET is an abbreviation for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, or metal oxide field effect transistor.

パワー端子群220に属するパワー端子22としては、正極端子22Pと負極端子22Nと出力端子22Aとがある。本形態においては、正極端子22Pが、Y方向における最も第1端部211に近い位置に配置されている。出力端子22Aが、Y方向における最も第2端部212に近い位置に配置されている。負極端子22Nは、Y方向において、負極端子22Nと出力端子22Aとの間に配置されている。このように、本形態においては、3本のパワー端子22は、Y方向に並んで配置されている。   The power terminals 22 belonging to the power terminal group 220 include a positive electrode terminal 22P, a negative electrode terminal 22N, and an output terminal 22A. In the present embodiment, the positive electrode terminal 22P is disposed at a position closest to the first end 211 in the Y direction. The output terminal 22A is disposed at a position closest to the second end 212 in the Y direction. The negative electrode terminal 22N is disposed between the negative electrode terminal 22N and the output terminal 22A in the Y direction. Thus, in the present embodiment, the three power terminals 22 are arranged side by side in the Y direction.

正極端子22Pと負極端子22Nとは、第1領域201に収まるように配置されている。出力端子22Aは、モジュール中央C21と第2端部212との間の第2領域202に収まるように配置されている。   The positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are disposed so as to be accommodated in the first region 201. The output terminal 22A is disposed so as to be accommodated in the second area 202 between the module center C21 and the second end 212.

モジュール本体部21内において、正極端子22Pは、上アームスイッチング素子24uのコレクタに接続されている(図6参照)。負極端子22Nは、下アームスイッチング素子24dのエミッタに接続されている。出力端子22Aは、上アームスイッチング素子24uのエミッタと下アームスイッチング素子24dのコレクタとの接続点に接続されている。   In the module main body portion 21, the positive electrode terminal 22P is connected to the collector of the upper arm switching element 24u (see FIG. 6). The negative electrode terminal 22N is connected to the emitter of the lower arm switching element 24d. The output terminal 22A is connected to a connection point between the emitter of the upper arm switching element 24u and the collector of the lower arm switching element 24d.

図8に示すごとく、モジュール本体部21において、並列接続された複数のスイッチング素子24同士は、そのコレクタ面24cを、同一の導電部材213cに接合している。すなわち、2個の上アームスイッチング素子24uは、共に、一つの導電部材213cに、コレクタ面24cを接合している。また、2個の下アームスイッチング素子24dは、共に、他の一つの導電部材213cに、コレクタ面24cを接合している。このようにすることで、並列接続された複数のスイッチング素子24への電流経路中のインピーダンスを低減することができる。   As shown in FIG. 8, in the module main body 21, the plurality of switching elements 24 connected in parallel have their collector surfaces 24c joined to the same conductive member 213c. That is, the collector surfaces 24c of the two upper arm switching elements 24u are joined to one conductive member 213c. Further, the two lower arm switching elements 24d both connect the collector surface 24c to the other one conductive member 213c. By doing so, the impedance in the current path to the plurality of switching elements 24 connected in parallel can be reduced.

並列接続された複数のスイッチング素子24同士は、そのエミッタ面24eを、個別の導電ブロック214を介して、同一の導電部材213eに接合している。すなわち、2個の上アームスイッチング素子24uは、共通の導電部材213eに接合された個別の導電ブロック214に、エミッタ面24eを接合している。また、2個の下アームスイッチング素子24dは、共通の導電部材213eに接合された個別の導電ブロック214に、エミッタ面24eを接合している。   The plurality of switching elements 24 connected in parallel have their emitter surfaces 24 e joined to the same conductive member 213 e via the individual conductive blocks 214. That is, the two upper arm switching elements 24u join the emitter surface 24e to the individual conductive blocks 214 joined to the common conductive member 213e. Further, the two lower arm switching elements 24d join the emitter surface 24e to the individual conductive blocks 214 joined to the common conductive member 213e.

導電部材213c、213eは、モジュール本体部21の主面に露出した放熱板213でもある。上アームのエミッタ側の導電部材213eと、下アームのコレクタ側の導電部材213cとは、モジュール本体部21内において互いに接続されて、同電位となる。そして、これらは、出力端子21Aとも同電位である。上アームのコレクタ側の導電部材213cは、正極端子22Pと同電位となる。下アームのエミッタ側の導電部材213eは、負極端子22Nと同電位である。   The conductive members 213 c and 213 e are also the heat dissipation plate 213 exposed to the main surface of the module body 21. The conductive member 213e on the emitter side of the upper arm and the conductive member 213c on the collector side of the lower arm are connected to each other in the module body 21 and become the same potential. And these are the same electric potential also with the output terminal 21A. The conductive member 213c on the collector side of the upper arm has the same potential as the positive electrode terminal 22P. The conductive member 213e on the emitter side of the lower arm has the same potential as the negative electrode terminal 22N.

また、図9に示すごとく、モジュール本体部21において、並列接続された複数のスイッチング素子24同士は、そのエミッタ面24eを、同一の導電部材213cに直接接合した構成とすることもできる。すなわち、エミッタ側の導電部材213eに、複数の凸部215を設け、それぞれの凸部215に、スイッチング素子24のエミッタ面24eを当接させる。換言すると、図9の構成は、上述の図8に示した導電ブロック214を、エミッタ側の導電部材213eと一体化した構成ということもできる。   Further, as shown in FIG. 9, in the module main body portion 21, the plurality of switching elements 24 connected in parallel may have a configuration in which the emitter surface 24 e is directly joined to the same conductive member 213 c. That is, the plurality of convex portions 215 are provided on the conductive member 213 e on the emitter side, and the emitter surface 24 e of the switching element 24 is brought into contact with each of the convex portions 215. In other words, the configuration of FIG. 9 can be said to be a configuration in which the conductive block 214 shown in FIG. 8 described above is integrated with the conductive member 213e on the emitter side.

この構成の場合、並列接続された2つのスイッチング素子24同士は、エミッタ面24eを共通の一つの導電部材213eに直接接合することとなる。それゆえ、より、インピーダンスの低減を図ることができる。   In this configuration, the two switching elements 24 connected in parallel directly join the emitter surface 24 e to one common conductive member 213 e. Therefore, the impedance can be further reduced.

互いに並列接続された複数のスイッチング素子24に接続されたパワー端子22の少なくとも一つは、当該パワー端子22のY方向の中央である端子中央C22が、Y方向において、当該パワー端子22に接続されたスイッチング素子24の間に配置されている。本形態においては、図1に示すごとく、負極端子22Nの端子中央C22が、これに接続された2つの下アームスイッチング素子24dの間に配置されている。そして、負極端子22Nから2つの下アームスイッチング素子24dまでの電流経路の長さは、略同等となっている。   At least one of the power terminals 22 connected to the plurality of switching elements 24 connected in parallel to each other is connected to the power terminal 22 in the Y direction at a terminal center C22 which is the center of the power terminal 22 in the Y direction. It is disposed between the switching elements 24. In this embodiment, as shown in FIG. 1, the terminal center C22 of the negative electrode terminal 22N is disposed between two lower arm switching elements 24d connected thereto. The lengths of current paths from the negative electrode terminal 22N to the two lower arm switching elements 24d are substantially equal.

具体的には、端子中央C22は、互いに並列接続された2つのスイッチング素子24のそれぞれにおけるY方向の中心同士の間の、Y方向の位置にある。より好ましくは、端子中央C22は、並列接続された2個のスイッチング素子24の、それぞれのY方向の内側端縁の間の位置にある。   Specifically, the terminal center C22 is located in the Y direction between the centers in the Y direction of each of the two switching elements 24 connected in parallel with each other. More preferably, the terminal center C22 is at a position between the respective Y-direction inner edges of the two switching elements 24 connected in parallel.

本形態の電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2を備えている。
図3、図4に示すごとく、電力変換装置1は、半導体モジュール2の他に、コンデンサ3と、配線保持体5と、制御基板6とを有する。コンデンサ3は、半導体モジュール2に電気的に接続される電子部品である。配線保持体5は、パワー端子22の一つに接続される出力配線41の一部を保持する部品である。制御基板6には、制御端子23が接続される。制御基板6は、Z方向において半導体モジュール2に対向配置されている。コンデンサ3と配線保持体5とは、半導体モジュール2を挟んでY方向における互いに反対側に配置されている。
The power converter 1 of the present embodiment includes a plurality of semiconductor modules 2.
As shown in FIGS. 3 and 4, the power conversion device 1 includes a capacitor 3, a wiring support 5, and a control board 6 in addition to the semiconductor module 2. The capacitor 3 is an electronic component electrically connected to the semiconductor module 2. The wiring holder 5 is a component that holds a part of the output wiring 41 connected to one of the power terminals 22. A control terminal 23 is connected to the control board 6. The control substrate 6 is disposed to face the semiconductor module 2 in the Z direction. The capacitor 3 and the wiring holder 5 are disposed on opposite sides of the semiconductor module 2 in the Y direction.

コンデンサ3は、コンデンサ素子を内蔵したコンデンサ本体部31から、コンデンサバスバー32P、32Nを突出している。コンデンサバスバー32Pは、半導体モジュール2の正極端子22Pに接続され、コンデンサバスバー32Nは、半導体モジュール2の負極端子22Nに接続される。図4においては、コンデンサ3から3本のコンデンサバスバー32Pと3本のコンデンサバスバー32Nとが突出した形となっている。ただし、複数のコンデンサバスバー32P同士は同電位であり、複数のコンデンサバスバー32N同士も同電位である。そして、複数のコンデンサバスバー32P同士を一体化し、複数のコンデンサバスバー32N同士を一体化してもよい。   The capacitor 3 projects the capacitor bus bars 32P and 32N from a capacitor body 31 in which a capacitor element is built. The capacitor bus bar 32P is connected to the positive electrode terminal 22P of the semiconductor module 2, and the capacitor bus bar 32N is connected to the negative electrode terminal 22N of the semiconductor module 2. In FIG. 4, three capacitor bus bars 32P and three capacitor bus bars 32N protrude from the capacitor 3. However, the plurality of capacitor bus bars 32P are at the same potential, and the plurality of capacitor bus bars 32N are also at the same potential. Then, the plurality of capacitor bus bars 32P may be integrated, and the plurality of capacitor bus bars 32N may be integrated.

コンデンサバスバー32P、32Nは、Y方向において、コンデンサ3と半導体モジュール2とを接続する。つまり、コンデンサバスバー32P、32Nは、Y方向における第1端部211側から正極端子22P及び負極端子22Nへ向かって延びている。すなわち、第1端部211に近い第1領域201に収まるように配置された正極端子22P及び負極端子22Nに対して、第1端部211側から延びるコンデンサバスバー32P、32Nが接続される。   Capacitor bus bars 32P and 32N connect capacitor 3 and semiconductor module 2 in the Y direction. That is, the capacitor bus bars 32P and 32N extend from the first end 211 side in the Y direction toward the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N. That is, capacitor bus bars 32P and 32N extending from the first end portion 211 side are connected to the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N arranged to be contained in the first region 201 close to the first end portion 211.

本形態において、配線保持体5は、出力バスバー41と、外部配線(図示略)とを接続するための端子台である。つまり、端子台としての配線保持体5には、出力バスバー41の端子を、外部配線の端子とともに載置し、ボルト等によって両者を締結することにより、接続することができるよう構成されている。ここで、外部配線は、例えば回転電機に接続される配線である。なお、配線保持体5は、樹脂成形体からなる。そして、配線保持体5は、電力変換装置1の筐体に固定されている。   In the present embodiment, the wiring holder 5 is a terminal block for connecting the output bus bar 41 and an external wiring (not shown). That is, the terminal of the output bus bar 41 is mounted on the wiring holder 5 as the terminal block together with the terminal of the external wiring, and can be connected by fastening the both with a bolt or the like. Here, the external wiring is, for example, a wiring connected to a rotating electrical machine. The wiring holder 5 is made of a resin molded body. The wire holder 5 is fixed to the housing of the power conversion device 1.

上述のように、下アームスイッチング素子24dは、第1領域201に配置されている。制御基板6は、半導体モジュール2と配線保持体5との双方に対して、Z方向に対向している。配線保持体5は、出力配線である出力バスバー41に流れる電流を検出する電流センサ7を備えている。   As described above, the lower arm switching element 24 d is disposed in the first region 201. The control substrate 6 is opposed to both the semiconductor module 2 and the wiring holder 5 in the Z direction. The wiring holder 5 includes a current sensor 7 that detects a current flowing through the output bus bar 41 which is an output wiring.

制御基板6の主面がZ方向を向いており、モジュール本体部21及び配線保持体5に、Z方向から対向している。電流センサ7の信号線71は、配線保持体5から制御基板6側へ突出している。そして、信号線71が、制御基板6に接続されている。   The main surface of the control board 6 faces in the Z direction, and is opposed to the module body 21 and the wiring holder 5 in the Z direction. A signal line 71 of the current sensor 7 protrudes from the wiring holder 5 to the control substrate 6 side. The signal line 71 is connected to the control board 6.

電力変換装置1において、図4、図5に示すごとく、複数の半導体モジュール2が互いにX方向に積層配置されている。複数の半導体モジュール2は、Z方向の同じ方向に、パワー端子22を突出させている。これに伴い、複数の半導体モジュール2は、Z方向の同じ方向に、制御端子23を突出させている。   In the power converter 1, as shown in FIG. 4 and FIG. 5, a plurality of semiconductor modules 2 are stacked and arranged in the X direction. The plurality of semiconductor modules 2 project the power terminals 22 in the same direction as the Z direction. Along with this, the plurality of semiconductor modules 2 project the control terminals 23 in the same direction as the Z direction.

複数の半導体モジュール2は、複数の冷却管81と共に、X方向に積層されており、冷却管81は、Y方向に冷媒wを流通させるよう構成されている。第2端部212よりも第1端部211側が、冷媒wの上流側である。なお、図3においては、冷却管81を省略してある。   The plurality of semiconductor modules 2 are stacked in the X direction together with the plurality of cooling pipes 81, and the cooling pipes 81 are configured to distribute the refrigerant w in the Y direction. The first end 211 side of the second end 212 is the upstream side of the refrigerant w. In FIG. 3, the cooling pipe 81 is omitted.

半導体モジュール2は、略直方体形状のモジュール本体部21を有する。モジュール本体部21は、他の面よりも面積の大きい一対の主面を備えている。この主面の法線方向が、X方向である。また、半導体モジュール2のパワー端子22は、略板状に形成されている。パワー端子22の主面は、モジュール本体部21の主面と略平行である。   The semiconductor module 2 has a module body 21 having a substantially rectangular parallelepiped shape. The module main body 21 includes a pair of main surfaces having a larger area than the other surfaces. The normal direction of this main surface is the X direction. Also, the power terminals 22 of the semiconductor module 2 are formed in a substantially plate shape. The main surface of the power terminal 22 is substantially parallel to the main surface of the module body 21.

図1、図3、図8に示すごとく、モジュール本体部21は、その両主面に、放熱板213を露出させている。冷却管81は、半導体モジュール2の放熱板213に熱的に接触するように、配置されている。   As shown in FIGS. 1, 3 and 8, the heat sink 213 is exposed on both main surfaces of the module body 21. The cooling pipe 81 is disposed so as to be in thermal contact with the heat dissipation plate 213 of the semiconductor module 2.

図4に示すごとく、冷却管81は、内部に冷媒wを流通させる冷媒流路を備えている。X方向に隣り合う冷却管81同士は、Y方向における両端部付近において、連結管82によって接続されている。また、X方向の一端に配された冷却管81には、冷媒wを導入する冷媒導入管83と、冷媒wを排出する冷媒排出管84とが設けてある。冷却管81は、アルミニウム合金等、熱伝導性に優れた金属によって構成されている。   As shown in FIG. 4, the cooling pipe 81 is provided with a refrigerant flow path through which the refrigerant w flows. The cooling pipes 81 adjacent to each other in the X direction are connected by a connecting pipe 82 in the vicinity of both ends in the Y direction. Further, the cooling pipe 81 disposed at one end in the X direction is provided with a refrigerant introducing pipe 83 for introducing the refrigerant w and a refrigerant discharge pipe 84 for discharging the refrigerant w. The cooling pipe 81 is made of a metal having excellent thermal conductivity, such as an aluminum alloy.

冷媒導入管83から導入された冷媒wは、適宜、連結管82を介して各冷却管81に流入する。冷却管81に導入された冷媒wは、Y方向に流れる。このときの冷媒wの流れる向きは、モジュール本体部21の第1端部211側から第2端部212側へ向かう向きである。そして、この間に、冷媒wは、モジュール本体部21と熱交換を行うことで、モジュール本体部21を冷却する。受熱した冷媒wは、第2端部212側の連結管82を適宜介して、冷媒排出管84から排出される。   The refrigerant w introduced from the refrigerant introduction pipe 83 appropriately flows into the respective cooling pipes 81 via the connecting pipe 82. The refrigerant w introduced into the cooling pipe 81 flows in the Y direction. The flow direction of the refrigerant w at this time is the direction from the first end 211 side of the module body 21 toward the second end 212 side. During this time, the refrigerant w exchanges heat with the module body 21 to cool the module body 21. The refrigerant w that has received heat is discharged from the refrigerant discharge pipe 84 via the connection pipe 82 on the second end 212 side as appropriate.

図6に回路図を示すように、本実施形態の電力変換装置1は、例えば、車両に搭載されるインバータである。そして、直流電源BATと三相交流の回転電機MGとの間において、直流電力と交流電力との電力変換を行う。電力変換装置1のスイッチング回路部は、3相のレグを備える。すなわち、3相のレグは、直流電源BATの正極に接続される正極配線12Pと、直流電源BATの負極に接続される負極配線12Nとの間に、互いに並列に接続されている。   As a circuit diagram is shown in FIG. 6, the power conversion device 1 of the present embodiment is, for example, an inverter mounted on a vehicle. Then, power conversion between DC power and AC power is performed between the DC power supply BAT and the three-phase AC rotary electric machine MG. The switching circuit unit of the power converter 1 includes three-phase legs. That is, the three-phase legs are connected in parallel with each other between the positive electrode wire 12P connected to the positive electrode of the DC power supply BAT and the negative electrode wire 12N connected to the negative electrode of the DC power supply BAT.

各レグは、互いに直列接続された上アームスイッチング素子24uと下アームスイッチング素子24dとによって形成されている。また、各アームは、2つのスイッチング素子24を並列接続してなる。すなわち、互いに並列接続された2つの上アームスイッチング素子24uと、互いに並列接続された2つの下アームスイッチング素子24dとが、直列接続されて、一つのレグを構成している。そして、これら2つの上アームスイッチング素子24uと2つの下アームスイッチング素子24dとが、一つの半導体モジュール2に内蔵されている。   Each leg is formed of an upper arm switching element 24 u and a lower arm switching element 24 d connected in series with each other. Each arm is formed by connecting two switching elements 24 in parallel. That is, two upper arm switching elements 24 u connected in parallel with each other and two lower arm switching elements 24 d connected in parallel with each other are connected in series to constitute one leg. The two upper arm switching elements 24 u and the two lower arm switching elements 24 d are incorporated in one semiconductor module 2.

そして、各レグにおける、上アームスイッチング素子24uと下アームスイッチング素子24dとの接続点が、それぞれ出力配線(すなわち出力バスバー41)を介して、回転電機MGの3つの電極に接続されている。また、直流電源BATとスイッチング回路部との間において、正極配線12Pと負極配線12Nとを懸架するように、コンデンサ3が接続されている。また、各スイッチング素子24には、フライホイールダイオードが逆並列接続されている。   The connection point between the upper arm switching element 24u and the lower arm switching element 24d in each leg is connected to the three electrodes of the rotary electric machine MG via the output wiring (ie, the output bus bar 41). Further, a capacitor 3 is connected between the DC power supply BAT and the switching circuit unit so as to suspend the positive electrode wire 12P and the negative electrode wire 12N. In addition, flywheel diodes are connected in reverse parallel to the switching elements 24.

次に、本実施形態の作用効果につき説明する。
上記半導体モジュール2において、パワー端子群220のうちの過半数のパワー端子22は、第1領域201に収まるように配置されている。これにより、過半数のパワー端子22を、Y方向において、モジュール本体部21の第1端部211に近い位置に配置することができる。その結果、過半数のパワー端子22にそれぞれ接続される接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N)を、第1端部211側に引き出すことにより、接続配線を短くしやすくなる。
Next, the operation and effect of the present embodiment will be described.
In the semiconductor module 2, a majority of the power terminals 22 of the power terminal group 220 are arranged to be contained in the first region 201. As a result, the majority of the power terminals 22 can be disposed at a position near the first end 211 of the module body 21 in the Y direction. As a result, by drawing the connection wires (that is, the capacitor bus bars 32P and 32N) connected to the majority of the power terminals 22 to the first end 211 side, the connection wires can be easily shortened.

すなわち、コンデンサ3を半導体モジュール2の近傍に配置する際、コンデンサ3がモジュール本体部21に干渉しないように配置することとなる。それゆえ、正極端子22P及び負極端子22Nを第1領域201に配置することで、これらのパワー端子22とコンデンサ3との間の距離を短くすることができる。その結果、接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N)を短くすることができる。   That is, when arranging the capacitor 3 in the vicinity of the semiconductor module 2, the capacitor 3 is arranged so as not to interfere with the module body 21. Therefore, by arranging the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N in the first region 201, the distance between the power terminal 22 and the capacitor 3 can be shortened. As a result, the connection wiring (i.e., the capacitor bus bars 32P and 32N) can be shortened.

パワー端子22と接続配線との間の接続は、パワー端子22の突出先端部付近において行われる。それゆえ、接続配線は、パワー端子22からY方向に引き出すことで、接続作業性も容易となる。そして、接続配線がパワー端子22からY方向に引き出される構成において、正極端子22P及び負極端子22Nを、Y方向の一方の領域である第1領域201に偏在させることで、接続配線を短くすることができる。   The connection between the power terminal 22 and the connection wiring is made near the protruding tip of the power terminal 22. Therefore, by drawing the connection wiring from the power terminal 22 in the Y direction, connection workability also becomes easy. Then, in the configuration in which the connection wiring is drawn out from the power terminal 22 in the Y direction, the connection wiring is shortened by unevenly distributing the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N in the first region 201 which is one region in the Y direction. Can.

パワー端子群220は、モジュール本体部21から互いに同じ方向に突出した3本以上のパワー端子22からなる。そのため、パワー端子22に接続される接続配線を、Z方向の同じ側に配置することができる。それゆえ、配線の簡素化を図ると共に、配線接続の作業性を向上させることができる。   The power terminal group 220 includes three or more power terminals 22 protruding from the module body 21 in the same direction. Therefore, the connection wiring connected to the power terminal 22 can be disposed on the same side in the Z direction. Therefore, the wiring can be simplified and the workability of the wiring connection can be improved.

モジュール本体部21は、Y方向の寸法Lyが、Z方向の寸法Lzよりも大きい。すなわち、モジュール本体部21はY方向に長尺の形状を有する。それゆえ、仮に、過半数のパワー端子22が第1領域201に収まらない配置とすると、第1端部211から過半数のパワー端子22への距離が長くなりやすい。そうすると、接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N)が長くなりやすい。そこで、このような形状のモジュール本体部21の半導体モジュール2において、過半数のパワー端子22が第1領域201に収まるように配置する。これにより、接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N)の短縮効果を大きくすることができる。   The module body portion 21 has a dimension Ly in the Y direction larger than a dimension Lz in the Z direction. That is, the module body 21 has a shape elongated in the Y direction. Therefore, if it is arranged that the majority of the power terminals 22 do not fit in the first region 201, the distance from the first end 211 to the majority of the power terminals 22 tends to be long. Then, the connection wiring (i.e., capacitor bus bars 32P and 32N) tends to be long. Therefore, in the semiconductor module 2 of the module main body 21 having such a shape, a majority of the power terminals 22 are disposed so as to be contained in the first region 201. Thereby, the shortening effect of connection wiring (namely, capacitor bus bars 32P and 32N) can be enlarged.

モジュール本体部21における、パワー端子22が突出した面とは異なる面から、制御端子23が突出している。これにより、パワー端子22に接続される接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N、出力バスバー41)の配策を容易にすることができる。   The control terminal 23 protrudes from the surface of the module body 21 different from the surface from which the power terminal 22 protrudes. Thereby, the wiring of the connection wiring (i.e., the capacitor bus bars 32P and 32N, the output bus bar 41) connected to the power terminal 22 can be facilitated.

モジュール本体部21は、互いに直列接続されると共にY方向に並んだ複数のスイッチング素子24を内蔵している。それゆえ、モジュール本体部21が、Y方向に大きくなりやすい。そのため、過半数のパワー端子22を第1領域201に収まるように配置することによる上述の効果を、大きく得やすい。   The module body 21 incorporates a plurality of switching elements 24 connected in series with one another and arranged in the Y direction. Therefore, the module body 21 tends to be large in the Y direction. Therefore, the above-described effect obtained by arranging a majority of the power terminals 22 so as to be contained in the first region 201 can be largely obtained.

モジュール本体部21は、互いに並列接続されると共にY方向に並んだ複数のスイッチング素子24を内蔵している。これによっても、モジュール本体部21が、Y方向に大きくなりやすい。そのため、過半数のパワー端子22を第1領域201に収まるように配置することによる上述の効果を、大きく得やすい。   The module body 21 incorporates a plurality of switching elements 24 connected in parallel to each other and arranged in the Y direction. Also by this, the module body 21 tends to be large in the Y direction. Therefore, the above-described effect obtained by arranging a majority of the power terminals 22 so as to be contained in the first region 201 can be largely obtained.

負極端子22Nは、端子中央C22が、Y方向において、下アームスイッチング素子24dの間に配置されている。これにより、互いに並列接続された2つの下アームスイッチング素子24dと、負極端子22Nとの間の電流経路の長さの差を低減することができる。これにより、2つの下アームスイッチング素子24dのそれぞれの電流経路のインピーダンスの差を小さくすることができる。   In the negative electrode terminal 22N, the terminal center C22 is disposed between the lower arm switching element 24d in the Y direction. This makes it possible to reduce the difference in the length of the current path between the two lower arm switching elements 24d connected in parallel to each other and the negative electrode terminal 22N. This makes it possible to reduce the difference in impedance between the current paths of the two lower arm switching elements 24d.

電力変換装置1において、制御基板6は、Z方向において半導体モジュール2に対向配置され、電子部品(本形態においては、コンデンサ3)と配線保持体5とは、半導体モジュール2を挟んでY方向における互いに反対側に配置されている。これにより、半導体モジュール2とコンデンサ3と配線保持体5と制御基板6とをコンパクトに配置しやすくなる。そして、過半数のパワー端子22を第1領域201に収まるように配置することによる配線の短縮効果が効果的に得られる。すなわち、上記のような構成の場合、コンデンサ3とパワー端子22との接続配線(すなわちコンデンサバスバー32P、32N)の延設方向をY方向としやすい。その場合、正極端子22P及び負極端子22Nを、第1領域201に収まるように配置することで、接続配線の短縮を効果的に図ることができる。   In the power conversion device 1, the control substrate 6 is disposed to face the semiconductor module 2 in the Z direction, and the electronic component (in the present embodiment, the capacitor 3) and the wiring holder 5 sandwich the semiconductor module 2 in the Y direction. They are arranged opposite to each other. As a result, the semiconductor module 2, the capacitor 3, the wiring holder 5, and the control board 6 can be easily disposed in a compact manner. And, by arranging the majority of the power terminals 22 so as to be contained in the first region 201, the wiring shortening effect can be effectively obtained. That is, in the case of the above configuration, it is easy to set the extending direction of the connection wiring (i.e., the capacitor bus bars 32P and 32N) between the capacitor 3 and the power terminal 22 to the Y direction. In that case, by arranging the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N so as to be contained in the first region 201, the connection wiring can be effectively shortened.

下アームスイッチング素子24dは、第1領域201に配置され、制御基板6は、半導体モジュール2と配線保持体5との双方に対してZ方向に対向しており、配線保持体5は、電流センサ7を備えている。これにより、かかる構成によって、図7に示すごとく、制御基板6における配線設計(すなわち、アートワーク)を容易にすることができる。   The lower arm switching element 24d is disposed in the first region 201, the control substrate 6 is opposed to both the semiconductor module 2 and the wiring holder 5 in the Z direction, and the wiring holder 5 is a current sensor It has seven. By this configuration, as shown in FIG. 7, the wiring design (i.e., artwork) in the control substrate 6 can be facilitated.

制御基板6は、半導体モジュール2及び配線保持体5に対して、Z方向に対向するように配置されている。それゆえ、制御基板6は、配線保持体5側(すなわち、図7の右側)に大きく面積を取りやすい。一方、上アームスイッチング素子24uの制御端子23は、U相とV相とW相との間の沿面距離を稼ぐことが求められる。それゆえ、制御基板6において、上アーム側の制御端子23uが接続されるプリント配線の形成領域を広く取ることが求められる。つまり、上アーム側の領域6uにおいては、図7に示すごとく、U相の制御端子23が接続されるプリント配線の形成領域6Uと、V相の制御端子23が接続されるプリント配線の形成領域6Vと、W相の制御端子23が接続されるプリント配線の形成領域6Wとは、互いに充分な沿面距離を介して離れて形成される。そうすると、制御基板6における上アーム側の領域6uは、大きくなりやすい。   The control board 6 is disposed to face the semiconductor module 2 and the wiring holder 5 in the Z direction. Therefore, the control board 6 tends to have a large area on the side of the wiring holder 5 (that is, on the right side in FIG. 7). On the other hand, the control terminal 23 of the upper arm switching element 24u is required to increase the creeping distance between the U phase, the V phase and the W phase. Therefore, in the control substrate 6, it is required to widen the formation area of the printed wiring to which the control terminal 23u on the upper arm side is connected. That is, in the area 6u on the upper arm side, as shown in FIG. 7, the printed wiring formation area 6U to which the U-phase control terminal 23 is connected and the printed wiring formation area to which the V-phase control terminal 23 is connected. 6 V and the printed wiring formation region 6 W to which the W-phase control terminal 23 is connected are formed apart from each other via a sufficient creepage distance. Then, the region 6u on the upper arm side of the control substrate 6 tends to be large.

一方、下アーム側の制御端子23dが接続されるプリント配線の形成領域6dは、U相、V相、W相の間において、特に沿面距離を設ける必要がない。それゆえ、この領域6dは比較的小さくしやすい。
そこで、上アーム側の領域6uを、配線保持体5に近い側とすることで、制御基板6における配線設計を容易にすることができる。
On the other hand, it is not necessary to provide a creeping distance between the U phase, the V phase and the W phase in the printed wiring formation region 6 d to which the control terminal 23 d on the lower arm side is connected. Therefore, this area 6d is relatively easy to make small.
Therefore, by setting the region 6 u on the upper arm side closer to the wiring holder 5, wiring design in the control substrate 6 can be facilitated.

出力端子22Aは、第2領域202に収まるように配置されている。これにより、出力端子22Aと、配線保持体5との間の距離を短くすることができる。その結果、出力配線(すなわち、出力バスバー41)の引き回しを簡素化することができ、出力配線を短くすることができる。   The output terminal 22A is disposed so as to be accommodated in the second region 202. Thereby, the distance between the output terminal 22A and the wiring holder 5 can be shortened. As a result, the routing of the output wiring (that is, the output bus bar 41) can be simplified, and the output wiring can be shortened.

複数の半導体モジュール2が互いにX方向に積層配置されており、複数の半導体モジュール2は、Z方向の同じ方向に、パワー端子22を突出させている。これにより、複数の半導体モジュール2及びその周囲の部品をコンパクトに配置しやすくなる。そして、この場合、パワー端子22に対して、Y方向から接続配線(すなわち、コンデンサバスバー32P、32N、出力バスバー41)をアクセスさせる設計となりやすい。そのため、過半数のパワー端子22(正極端子22P及び負極端子22N)を第1領域201に収まるように配置することによる効果を、一層顕著に得ることができる。   The plurality of semiconductor modules 2 are stacked in the X direction, and the plurality of semiconductor modules 2 project the power terminals 22 in the same direction as the Z direction. This makes it easier to compactly arrange the plurality of semiconductor modules 2 and the components therearound. Then, in this case, the power terminal 22 can be easily designed to access the connection wiring (that is, the capacitor bus bars 32P and 32N, the output bus bar 41) from the Y direction. Therefore, the effect of arranging the majority of the power terminals 22 (the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N) so as to be contained in the first region 201 can be obtained more remarkably.

冷却管81は、第2端部212よりも第1端部211側が、冷媒wの上流側である。これにより、モジュール本体部21における、より高温となりやすい第1端部211側の部分を、より低温となりやすい冷媒wによって冷却することができる。すなわち、半導体モジュール2は、モジュール本体部21における第1端部211側にパワー端子群220が偏った配置となっている。この場合、モジュール本体部21においては、第1端部211側において、パワー端子22とスイッチング素子24との間の電流経路が短くなりやすい。これに伴い、モジュール本体部21内における第1領域201の方が、多くの電流が流れやすくなり、発熱量も多くなりやすい。一方、冷却管81における冷媒wは、上流側の方が低温である。それゆえ、発熱量が多くなりやすい第1端部211側を、冷却管81における冷媒wの上流側とする。これにより、モジュール本体部21を全体として効率的に冷却することができる。   In the cooling pipe 81, the first end 211 side of the second end 212 is the upstream side of the refrigerant w. Thereby, the part by the side of the 1st end 211 which tends to become high temperature in module main part 21 can be cooled by refrigerant w which tends to become low temperature. That is, in the semiconductor module 2, the power terminal group 220 is biased to the side of the first end 211 in the module body 21. In this case, in the module body 21, the current path between the power terminal 22 and the switching element 24 tends to be short on the first end 211 side. Along with this, in the first region 201 in the module main body portion 21, a large amount of current easily flows, and the amount of heat generation tends to be large. On the other hand, the refrigerant w in the cooling pipe 81 has a lower temperature on the upstream side. Therefore, the side of the first end 211 where the amount of heat generation tends to be large is taken as the upstream side of the refrigerant w in the cooling pipe 81. As a result, the module body 21 can be efficiently cooled as a whole.

以上のごとく、上記態様によれば、パワー端子に接続される接続配線を短くしやすい電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to the above aspect, it is possible to provide a power conversion device in which the connection wiring connected to the power terminal can be easily shortened.

(実施形態2)
本形態においては、図10に示すごとく、モジュール本体部21において、上アームスイッチング素子24uが、第1領域201に配置されている形態である。そして、制御基板6に電流センサ7が搭載されている。
Second Embodiment
In this embodiment, as shown in FIG. 10, in the module main body 21, the upper arm switching element 24u is disposed in the first region 201. The current sensor 7 is mounted on the control board 6.

本形態においては、パワー端子群220のうち、負極端子22Nが、Y方向における最も第1端部211に近い位置に配置されている。正極端子22Pは、Y方向において、負極端子22Nと出力端子22Aとの間に配置されている。また、上アーム側の制御端子23uは、第1領域201に配置されている。下アーム側の制御端子23dは、第2領域202に配置されている。   In the present embodiment, in the power terminal group 220, the negative electrode terminal 22N is disposed at a position closest to the first end 211 in the Y direction. The positive electrode terminal 22P is disposed between the negative electrode terminal 22N and the output terminal 22A in the Y direction. The control terminal 23 u on the upper arm side is disposed in the first region 201. The control terminal 23 d on the lower arm side is disposed in the second region 202.

本形態においては、正極端子22Pの端子中央C22が、これに接続された2つの上アームスイッチング素子24uの間に配置されている。そして、正極端子22Pから2つの上アームスイッチング素子24uまでの電流経路の長さは、略同等となっている。   In the present embodiment, a terminal center C22 of the positive electrode terminal 22P is disposed between two upper arm switching elements 24u connected thereto. The lengths of current paths from the positive electrode terminal 22P to the two upper arm switching elements 24u are substantially equal.

出力バスバー41は、配線保持体5に保持されると共に、制御基板6を貫通している。そして、制御基板6における、出力バスバー41が貫通する箇所に、電流センサ7が配置されている。これにより、電流センサ7が出力バスバー41に流れる電流を検出することができるよう構成されている。なお、図11に示すごとく、電流センサ7は3個設けてあり、それぞれ、U相、V相、W相の出力バスバー41に流れる電流を検出するよう構成されている。   The output bus bar 41 is held by the wiring holder 5 and penetrates the control board 6. Then, the current sensor 7 is disposed at a portion of the control board 6 through which the output bus bar 41 passes. Thus, the current sensor 7 is configured to be able to detect the current flowing through the output bus bar 41. As shown in FIG. 11, three current sensors 7 are provided, and are configured to detect the current flowing through the U-phase, V-phase, and W-phase output bus bars 41, respectively.

本形態において、配線保持体5は、出力バスバー41の一部をインサートした樹脂成形体からなる。
その他の構成は、実施形態1と同様である。なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
In the present embodiment, the wiring holder 5 is formed of a resin molded body into which a part of the output bus bar 41 is inserted.
The other configuration is the same as that of the first embodiment. In addition, the code | symbol same as the code | symbol used in already-appeared embodiment among the code | symbol used in Embodiment 2 or subsequent ones represents the component similar to the thing in already-appeared embodiment, etc., unless shown.

本形態においては、下記の観点で、制御基板6における配線設計を容易にすることができる。
上述したように、下アーム側の制御端子23dが接続されるプリント配線の形成領域6dは、上アーム側の制御端子23uが接続されるプリント配線の形成領域6uと比べて、小さくしやすい。
In the present embodiment, the wiring design in the control substrate 6 can be facilitated from the following viewpoints.
As described above, the printed wiring formation region 6d to which the lower arm side control terminal 23d is connected can be easily made smaller than the printed wiring formation region 6u to which the upper arm side control terminal 23u is connected.

それゆえ、下アーム側の領域6dを、配線保持体5に近い側とすることで、制御基板6における配線保持体5とZ方向に対向する領域を、電流センサ7の搭載スペースとして確保しやすくなる。このように、本形態においても、制御基板6における配線設計を容易にすることができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
Therefore, by setting the region 6 d on the lower arm side closer to the wire holder 5, it is easy to secure the region facing the wire holder 5 in the control board 6 in the Z direction as a mounting space for the current sensor 7. Become. Thus, also in the present embodiment, the wiring design in the control substrate 6 can be facilitated.
In addition, it has the same operation effect as Embodiment 1.

(実施形態3)
本形態は、図12、図13に示すごとく、正極端子22Pと負極端子22Nとが、互いにX方向に並んで配置されている形態である。すなわち、X方向から見たとき、正極端子22Pと負極端子22Nとが互いに重なるように配置されている。
(Embodiment 3)
In this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are arranged side by side in the X direction. That is, when viewed from the X direction, the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are arranged so as to overlap each other.

正極端子22P及び負極端子22Nは、第1領域201に収まるように配置されている。出力端子22Aは、第2領域202に収まるように配置されている。
その他の構成は、実施形態1と同様である。
The positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are arranged to be contained in the first region 201. The output terminal 22A is disposed so as to be accommodated in the second region 202.
The other configuration is the same as that of the first embodiment.

本形態においては、正極端子22Pと負極端子22Nとが、互いの主面をX方向に対向させるように配置されている。これにより、正極端子22Pと負極端子22Nとの配置スペースを、Y方向において、短くすることができる。それゆえ、正極端子22Pと負極端子22Nとを第1領域201に収めやすい。さらには、正極端子22Pと負極端子22Nとの双方を、第1端部211に近い位置に配置することも可能となる。   In the present embodiment, the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are arranged such that their main surfaces face in the X direction. Thereby, the arrangement space of positive electrode terminal 22P and negative electrode terminal 22N can be shortened in the Y direction. Therefore, the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N can be easily accommodated in the first region 201. Furthermore, both of the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N can be disposed at a position near the first end portion 211.

また、正極端子22Pと負極端子22Nとにおけるインダクタンスを低減することができる。すなわち、互いに逆向きに電流が流れる、正極端子22Pと負極端子22Nとを、互いに対向させることで、両者のそれぞれに起因する磁界を打ち消し合うことができる。その結果、インダクタンス低減を図ることができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
Moreover, the inductance in positive electrode terminal 22P and negative electrode terminal 22N can be reduced. That is, by making the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N, in which currents flow in opposite directions to each other, face each other, it is possible to cancel out the magnetic fields caused by the two. As a result, the inductance can be reduced.
In addition, it has the same operation effect as Embodiment 1.

また、上記実施形態においては、半導体モジュールが4個のスイッチング素子を内蔵したものにつき、説明したが、これに限られるものではない。
例えば、図14に示すごとく、内蔵する上アームスイッチング素子24uと下アームスイッチング素子24dとを1個ずつ備えた半導体モジュール2とすることもできる。この場合においても、同図に示すように、モジュール中央C21よりも第1端部211側である、第1領域201に過半数のパワー端子22が収まるように配置される。図14に示す形態においては、パワー端子群220のうち、正極端子22P及び負極端子22Nが第1領域201に収まり、出力端子22Aが第2領域202に収まっている。
Moreover, in the said embodiment, although it demonstrated about what the semiconductor module built in 4 switching elements, it is not restricted to this.
For example, as shown in FIG. 14, the semiconductor module 2 may be provided with one upper arm switching element 24u and one lower arm switching element 24d incorporated therein. Also in this case, as shown in the figure, a majority of the power terminals 22 are disposed in the first region 201, which is closer to the first end 211 than the module center C21. In the mode shown in FIG. 14, in the power terminal group 220, the positive electrode terminal 22P and the negative electrode terminal 22N are accommodated in the first region 201, and the output terminal 22A is accommodated in the second region 202.

上記実施形態においては、半導体モジュールに接続される電子部品を、コンデンサとした形態を示したが、電子部品は、これに限られることはない。この電子部品として、例えば、リアクトルなど、他の部品を配置することもできる。   In the said embodiment, although the form which used the capacitor | condenser as the electronic component connected to a semiconductor module was shown, an electronic component is not restricted to this. As this electronic component, other components, such as a reactor, can also be arranged, for example.

本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。   The present invention is not limited to the above embodiments, and can be applied to various embodiments without departing from the scope of the invention.

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
201 第1領域
21 モジュール本体部
211 第1端部
212 第2端部
22 パワー端子
220 パワー端子群
24 スイッチング素子
C21 モジュール中央
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 power converter 2 semiconductor module 201 1st area | region 21 module main-body part 211 1st end part 212 2nd end part 22 power terminal 220 power terminal group 24 switching element C21 module center

Claims (15)

スイッチング素子(24)を内蔵したモジュール本体部(21)と、
上記モジュール本体部から、該モジュール本体部の主面に平行な方向に、互いに平行に突出した3本以上のパワー端子(22)からなるパワー端子群(220)と、を有し、
上記パワー端子の突出方向に平行な方向をZ方向とし、上記モジュール本体部の主面の法線方向をX方向とし、X方向とZ方向との双方に直交する方向をY方向とし、Y方向における上記モジュール本体部の両端をそれぞれ第1端部(211)及び第2端部(212)とし、Y方向における上記第1端部と上記第2端部との中央をモジュール中央(C21)としたとき、
上記パワー端子群のうちの過半数の上記パワー端子は、上記モジュール中央と上記第1端部との間の第1領域(201)に収まるように配置されている、半導体モジュール(2)。
A module body (21) incorporating a switching element (24);
A power terminal group (220) composed of three or more power terminals (22) projecting in parallel with each other in a direction parallel to the main surface of the module main body from the module main body;
The direction parallel to the projecting direction of the power terminal is the Z direction, the normal direction of the main surface of the module main body is the X direction, and the direction orthogonal to both the X direction and the Z direction is the Y direction. The two ends of the module main body in the first and second ends are respectively the first end (211) and the second end (212), and the center of the first end and the second end in the Y direction is the module center (C21) When you
The semiconductor module (2), wherein a majority of the power terminals of the power terminal group are disposed in a first region (201) between the module center and the first end.
上記パワー端子群は、上記モジュール本体部から互いに同じ方向に突出した3本以上の上記パワー端子からなる、請求項1に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to claim 1, wherein the power terminal group comprises three or more of the power terminals projecting in the same direction from the module body. 上記モジュール本体部は、Y方向の寸法(Ly)が、Z方向の寸法(Lz)よりも大きい、請求項1又は2に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to claim 1, wherein a dimension (Ly) in the Y direction of the module body is larger than a dimension (Lz) in the Z direction. 上記モジュール本体部における、上記パワー端子が突出した面とは異なる面から、制御端子(23)が突出している、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to any one of claims 1 to 3, wherein the control terminal (23) protrudes from a surface of the module main body different from the surface from which the power terminal protrudes. 上記モジュール本体部は、互いに直列接続されると共にY方向に並んだ複数の上記スイッチング素子を内蔵している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to any one of claims 1 to 4, wherein the module body incorporates a plurality of the switching elements connected in series with each other and arranged in the Y direction. 上記モジュール本体部は、互いに並列接続されると共にY方向に並んだ複数の上記スイッチング素子を内蔵している、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The semiconductor module according to any one of claims 1 to 5, wherein the module body incorporates a plurality of the switching elements connected in parallel to each other and arranged in the Y direction. 上記モジュール本体部は、互いに直列接続されると共にY方向に並んだ複数の上記スイッチング素子を有すると共に、互いに並列接続されると共にY方向に並んだ複数の上記スイッチング素子を有しており、互いに並列接続された複数の上記スイッチング素子に接続された上記パワー端子の少なくとも一つは、当該パワー端子のY方向の中央である端子中央(C22)が、Y方向において、当該パワー端子に接続された上記スイッチング素子の間に配置されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The module main body has a plurality of the switching elements connected in series and aligned in the Y direction, and further includes a plurality of switching elements connected in parallel and aligned in the Y direction. In at least one of the power terminals connected to the plurality of connected switching elements, the terminal center (C22) at the center of the power terminal in the Y direction is connected to the power terminal in the Y direction. The semiconductor module according to any one of claims 1 to 4, which is disposed between switching elements. 上記パワー端子群は、上記パワー端子として、正極端子(22P)と負極端子(22N)と出力端子(22A)とを有し、上記正極端子と上記負極端子とは、互いにX方向に並ぶと共に、上記第1領域に収まるように配置されており、上記出力端子は、上記モジュール中央と上記第2端部との間の第2領域(202)に収まるように配置されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。   The power terminal group has a positive electrode terminal (22P), a negative electrode terminal (22N), and an output terminal (22A) as the power terminal, and the positive electrode terminal and the negative electrode terminal are arranged in the X direction with each other. The device according to claim 1, wherein the output terminal is arranged to be accommodated in a second region (202) between the center of the module and the second end. The semiconductor module according to any one of 7. 請求項2に記載の半導体モジュールを備えた電力変換装置(1)であって、
上記半導体モジュールは、上記モジュール本体部から上記パワー端子と反対側へ、制御端子(23)を突出してなり、
上記半導体モジュールに電気的に接続される電子部品(3)と、
上記パワー端子の一つに接続される出力配線(41)の一部を保持する配線保持体(5)と、
上記制御端子と接続される制御基板(6)と、をさらに有し、
上記制御基板は、Z方向において上記半導体モジュールに対向配置されており、
上記電子部品と上記配線保持体とは、上記半導体モジュールを挟んでY方向における互いに反対側に配置されている、電力変換装置。
A power converter (1) comprising the semiconductor module according to claim 2, wherein
The semiconductor module has a control terminal (23) projecting from the module body to the opposite side of the power terminal,
An electronic component (3) electrically connected to the semiconductor module;
A wiring holding body (5) holding a part of the output wiring (41) connected to one of the power terminals;
A control board (6) connected to the control terminal;
The control substrate is disposed to face the semiconductor module in the Z direction,
The power conversion device, wherein the electronic component and the wiring holder are disposed on opposite sides in the Y direction across the semiconductor module.
上記モジュール本体部は、上記スイッチング素子として、上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子とを有し、上記下アームスイッチング素子は、上記第1領域に配置されており、上記制御基板は、上記半導体モジュールと上記配線保持体との双方に対して、Z方向に対向しており、上記配線保持体は、上記出力配線に流れる電流を検出する電流センサ(7)を備えている、請求項9に記載の電力変換装置。   The module main body has an upper arm switching element and a lower arm switching element as the switching element, the lower arm switching element is disposed in the first region, and the control substrate is the semiconductor module 10. The device according to claim 9, further comprising a current sensor (7) facing in the Z direction with respect to both the wire holder and the wire holder, wherein the wire holder detects a current flowing through the output wire. Power converter. 上記モジュール本体部は、上記スイッチング素子として、上アームスイッチング素子(24u)と下アームスイッチング素子(24d)とを有し、上記上アームスイッチング素子は、上記第1領域に配置されており、上記制御基板は、上記半導体モジュールと上記配線保持体との双方に対して、Z方向に対向しており、上記制御基板には、上記出力配線に流れる電流を検出する電流センサ(7)が搭載されている、請求項9に記載の電力変換装置。   The module main body includes an upper arm switching element (24u) and a lower arm switching element (24d) as the switching elements, and the upper arm switching element is disposed in the first region, and the control is performed. The substrate faces both the semiconductor module and the wiring support in the Z direction, and the control substrate is mounted with a current sensor (7) for detecting the current flowing through the output wiring. The power converter according to claim 9. 上記パワー端子のうち上記出力配線に接続される出力端子(22A)は、上記モジュール中央と上記第2端部との間の第2領域(202)に収まるように配置されている、請求項9〜11のいずれか一項に記載の電力変換装置。   The output terminal (22A) connected to the output wiring of the power terminals is disposed so as to be accommodated in a second region (202) between the module center and the second end. The power converter device as described in any one of -11. 上記パワー端子群は、上記出力端子以外の上記パワー端子として、正極端子(22P)と負極端子(22N)とを有し、上記正極端子と上記負極端子とは、互いにX方向に並ぶと共に、上記第1領域に収まるように配置されている、請求項12に記載の電力変換装置。   The power terminal group has a positive electrode terminal (22P) and a negative electrode terminal (22N) as the power terminals other than the output terminal, and the positive electrode terminal and the negative electrode terminal are arranged in the X direction with one another. The power conversion device according to claim 12, wherein the power conversion device is arranged to fit in the first region. 複数の上記半導体モジュールが互いにX方向に積層配置されており、複数の上記半導体モジュールは、Z方向の同じ方向に、上記パワー端子を突出させている、請求項9〜13のいずれか一項に記載の電力変換装置。   The semiconductor device according to any one of claims 9 to 13, wherein the plurality of semiconductor modules are stacked in the X direction, and the plurality of semiconductor modules project the power terminals in the same direction as the Z direction. Power converter as described. 複数の上記半導体モジュールは、複数の冷却管(81)と共に、X方向に積層されており、上記冷却管は、Y方向に冷媒(w)を流通させるよう構成されており、上記第2端部よりも上記第1端部側が、上記冷媒の上流側である、請求項14に記載の電力変換装置。   The plurality of semiconductor modules are stacked in the X direction together with the plurality of cooling pipes (81), and the cooling pipes are configured to circulate the refrigerant (w) in the Y direction, and the second end The power conversion device according to claim 14, wherein the first end side is more upstream than the refrigerant than the first end side.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012100457A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Denso Corp Electric power conversion apparatus
JP2014207317A (en) * 2013-04-12 2014-10-30 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor module unit
JP2014212193A (en) * 2013-04-18 2014-11-13 トヨタ自動車株式会社 Stack type cooling device for semiconductor module
JP2016015451A (en) * 2014-07-03 2016-01-28 株式会社デンソー Semiconductor device
JP2017050486A (en) * 2015-09-04 2017-03-09 トヨタ自動車株式会社 Power controller
JP2017208498A (en) * 2016-05-20 2017-11-24 株式会社デンソー Semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012100457A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Denso Corp Electric power conversion apparatus
JP2014207317A (en) * 2013-04-12 2014-10-30 トヨタ自動車株式会社 Semiconductor module unit
JP2014212193A (en) * 2013-04-18 2014-11-13 トヨタ自動車株式会社 Stack type cooling device for semiconductor module
JP2016015451A (en) * 2014-07-03 2016-01-28 株式会社デンソー Semiconductor device
US20170155341A1 (en) * 2014-07-03 2017-06-01 Denso Corporation Semiconductor device
JP2017050486A (en) * 2015-09-04 2017-03-09 トヨタ自動車株式会社 Power controller
JP2017208498A (en) * 2016-05-20 2017-11-24 株式会社デンソー Semiconductor device
US20190088568A1 (en) * 2016-05-20 2019-03-21 Denso Corporation Semiconductor device

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