JP2014212193A - Stack type cooling device for semiconductor module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体モジュールの積層型冷却装置に関する。 The present invention relates to a stacked cooling device for a semiconductor module.
ハイブリッド自動車や電気自動車等では、インバータやコンバータ等の負荷駆動回路において、複数の半導体モジュールと複数の冷却器が用いられており、効率的な冷却性等の観点から、複数の半導体モジュールと複数の冷却器とが交互に配置されて積層される。 In hybrid vehicles and electric vehicles, a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are used in load drive circuits such as inverters and converters. From the viewpoint of efficient cooling, a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are used. The coolers are alternately arranged and stacked.
本発明に関連する技術として、特許文献1には、複数の半導体モジュールと複数の冷却器とを積層した積層体を備えた電力変換装置が開示されている。ここでは、半導体モジュールは、半導体素子を内蔵した本体部を備え、半導体素子に導通した信号端子及びパワー端子が本体部の端面から突出している構成が開示されている。 As a technique related to the present invention, Patent Document 1 discloses a power conversion device including a stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked. Here, a configuration is disclosed in which a semiconductor module includes a main body portion in which a semiconductor element is incorporated, and a signal terminal and a power terminal conducted to the semiconductor element protrude from an end surface of the main body portion.
また、特許文献2には、複数の半導体モジュールと複数の冷却器とが交互に積層され、積層方向に隣接する半導体モジュールは、半導体モジュールに含まれるパワー半導体素子の発熱中心が対向しないように、交互にずらして配設される構成が開示されている。 Further, in Patent Document 2, a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are alternately stacked, and the semiconductor modules adjacent in the stacking direction are configured so that the heat generation centers of the power semiconductor elements included in the semiconductor module do not face each other. A configuration in which they are alternately shifted is disclosed.
上記のように、複数の半導体モジュールと複数の冷却器とが交互に配置されて積層された場合に、隣接する2つの半導体モジュールについて着目すると、一方の半導体モジュールの端子側面から突き出すパワー端子に接続される一方側のバスバと、他方の半導体モジュールの端子側面から突き出すパワー端子に接続される他方側のバスバとが平行に配置されることがある。 As described above, when a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are alternately arranged and stacked, when attention is paid to two adjacent semiconductor modules, connection to a power terminal protruding from the terminal side surface of one semiconductor module In some cases, the bus bar on one side and the bus bar on the other side connected to the power terminal protruding from the terminal side surface of the other semiconductor module are arranged in parallel.
このような場合に、仮に、一方の半導体モジュールに含まれる半導体素子が故障したときに、パワー端子及びバスバに過電流が流れることでパワー端子とバスバの間に斥力が生じる。これにより、バスバが他方の半導体モジュール側に曲がることで、他方の半導体モジュールのパワー端子又はバスバと接触して短絡する可能性がある。 In such a case, if a semiconductor element included in one semiconductor module fails, an overcurrent flows through the power terminal and the bus bar, so that repulsive force is generated between the power terminal and the bus bar. Thereby, when a bus bar bends to the other semiconductor module side, it may contact with the power terminal or bus bar of the other semiconductor module, and may short-circuit.
本発明の目的は、隣接する半導体モジュールにおいて、一方の半導体モジュールのバスバが他方の半導体モジュールのバスバ又はパワー端子と接触することを防止する半導体モジュールの積層型冷却装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a stacked cooling device for a semiconductor module that prevents a bus bar of one semiconductor module from coming into contact with a bus bar or a power terminal of the other semiconductor module in adjacent semiconductor modules.
本発明に係る半導体モジュールの積層型冷却装置は、第1半導体モジュールと、積層方向に沿って第1半導体モジュールに冷却器を介して積層される第2半導体モジュールと、第1半導体モジュールにおいて積層方向に垂直な方向に平行な側面である端子側面から突き出す第1パワー端子と、第1半導体モジュールの端子側面に沿って第1パワー端子と垂直な方向に延伸する第1バスバと、第2半導体モジュールにおいて積層方向に垂直な方向であって第1半導体モジュールの端子側面に平行な端子側面から突き出す第2パワー端子と、第2半導体モジュールの端子側面に沿って第2パワー端子と垂直な方向に延伸する第2バスバと、を備え、第1バスバと第1パワー端子が接合される第1接合部と、第2バスバと第2パワー端子が接合される第2接合部とは、延伸方向または突き出し方向にずれて配置されることを特徴とする。 A stacked cooling apparatus for a semiconductor module according to the present invention includes a first semiconductor module, a second semiconductor module stacked on the first semiconductor module via a cooler along the stacking direction, and a stacking direction in the first semiconductor module. A first power terminal projecting from a terminal side surface that is a side surface parallel to a direction perpendicular to the first semiconductor device, a first bus bar extending in a direction perpendicular to the first power terminal along the terminal side surface of the first semiconductor module, and a second semiconductor module A second power terminal projecting from a terminal side surface perpendicular to the stacking direction and parallel to the terminal side surface of the first semiconductor module, and extending in a direction perpendicular to the second power terminal along the terminal side surface of the second semiconductor module A second bus bar, a first joint where the first bus bar and the first power terminal are joined, and a second bus bar and the second power terminal joined. And the second joint portion, characterized in that it is arranged to be shifted in the extending direction or protrude direction.
本発明によれば、第1バスバと第1パワー端子が接合される第1接合部と、第2バスバと第2パワー端子が接合される第2接合部とは、延伸方向または突き出し方向にずれて配置されている。これにより、第1バスバ又は第2バスバが曲がった場合であっても、第1バスバが第2バスバ又は第2パワー端子と接触すること、あるいは、第2バスバが第1バスバ又は第1パワー端子と接触することを防止することができる。 According to the present invention, the first joint where the first bus bar and the first power terminal are joined and the second joint where the second bus bar and the second power terminal are joined are displaced in the extending direction or the protruding direction. Are arranged. Thereby, even when the first bus bar or the second bus bar is bent, the first bus bar is in contact with the second bus bar or the second power terminal, or the second bus bar is the first bus bar or the first power terminal. Can be prevented from contacting.
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態につき、詳細に説明する。また、以下では、全ての図面において対応する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Embodiments according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Also, in the following, corresponding elements in all drawings are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
図1は、半導体モジュールの積層型冷却装置10を備える電力変換回路システム12のブロック図である。電力変換回路システム12は、モータジェネレータ14によって駆動輪が駆動されるハイブリッド自動車又は電気自動車等の車両に搭載される。
FIG. 1 is a block diagram of a power
モータジェネレータ14は、インバータ30から供給される3相交流電圧によって回転し、車両の駆動トルクを発生する3相交流電動発電機である。また、モータジェネレータ14は、車両の回生制動時に3相交流電圧を発生してインバータ30へ供給する。
The
バッテリ16は、充放電可能な電池であり、例えば、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池等の二次電池で構成される。バッテリ16は、直流電圧を昇降圧コンバータ18へ供給する。また、バッテリ16は、車両の回生制動時に、昇降圧コンバータ18から供給される直流電圧によって充電される。
The
昇降圧コンバータ18は、制御装置62からの制御信号に基づいて、バッテリ16から正極母線P1を介して供給される直流電圧を昇圧して正極母線P2を介してインバータ30へ供給する。また、昇降圧コンバータ18は、制御装置62からの制御信号に基づいて、インバータ30から供給される直流電圧をバッテリ16の電圧レベルに降圧してバッテリ16を充電する。
The step-up /
昇降圧コンバータ18は、リアクトル20、パワートランジスタ22,24及びダイオード26,28を備える。リアクトル20は、正極母線P1に一端が接続され、パワートランジスタ22,24の接続点に他端が接続される。
The step-up /
パワートランジスタ22,24は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)で構成される。パワートランジスタ22,24は、正極母線P2と負極母線N1との間に直列に接続され、制御装置62からの制御信号が入力されるベース端子を有する。パワートランジスタ22,24のコレクタ端子とエミッタ端子との間には、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すようにダイオード26,28がそれぞれ接続される。
The
インバータ30は、制御装置62からの制御信号に基づいて、昇降圧コンバータ18から正極母線P2を介して供給される直流電圧を3相交流電圧に変換してモータジェネレータ14を駆動する。これにより、モータジェネレータ14は、トルク指令値によって指令されたトルクを発生するように駆動される。また、インバータ30は、電力変換回路システム12が搭載された車両の回生制動時にモータジェネレータ14が発電した3相交流電圧を制御装置62からの制御信号に基づいて直流電圧に変換し、正極母線P2を介して昇降圧コンバータ18へ供給する。
インバータ30は、U相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36を備える。U相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36は、正極母線P2と負極母線N1との間に並列に接続される。U相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36は、それぞれパワートランジスタ38,40、パワートランジスタ42,44及びパワートランジスタ46,48が直列接続されて構成される。
パワートランジスタ38〜48は、例えば、IGBTで構成される。パワートランジスタ38〜48は、制御装置62からの制御信号が入力されるベース端子を有する。パワートランジスタ38〜48のコレクタ端子とエミッタ端子との間には、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すダイオード50〜60がそれぞれ接続される。インバータ30において、U相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36におけるパワートランジスタ38〜48の接続点は、モータジェネレータ14のU相コイル、V相コイル及びW相コイルの中性点端子と反対側のコイル端子にそれぞれ接続される。
The
コンデンサ57は、正極母線P1と負極母線N1との間に接続され、正極母線P1と負極母線N1との間の電圧又は電流の変動を平滑化する。コンデンサ59は、正極母線P2と負極母線N1との間に接続され、正極母線P2と負極母線N1との間の電圧又は電流の変動を平滑化する。
制御装置62は、図示していないECU(Electronic Control Unit)から出力されたモータジェネレータ14のトルク指令値、モータジェネレータ14の実回転数、モータジェネレータ14のモータ電流及びバッテリ16のバッテリ電圧等に基づいて、昇降圧コンバータ18及びインバータ30を駆動するための制御信号を生成し、その生成した制御信号を昇降圧コンバータ18及びインバータ30へ出力する。
The
ここで、昇降圧コンバータ18の昇降圧アーム19及びインバータ30のU相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36ごとにモジュール化され、これらが冷却器64〜69(図2参照)と交互に積層されて半導体モジュールの積層型冷却装置10が形成される。以下では、この半導体モジュールの積層型冷却装置10について詳細に説明する。
Here, the step-up / step-down
図2は、図1に示した昇降圧コンバータ18及びインバータ30を備える半導体モジュールの積層型冷却装置10の平面図である。図3は、図2の一点鎖線で囲まれた部分をX方向に沿って見た様子を示す側面図である。図2に示されるように、半導体モジュールの積層型冷却装置10は、昇降圧コンバータ18の昇降圧アーム19を備える半導体モジュール61と、インバータ30のU相アーム32、V相アーム34及びW相アーム36をそれぞれ備える半導体モジュール63,65,67と、冷却器64,66,68,70,72と、冷媒の流入口71と、冷媒の流出口73と、複数の接続部材74とを備える。
FIG. 2 is a plan view of the stacked
半導体モジュール61〜67は、冷却器64〜72によって両面から冷却される。半導体モジュール61,63,65,67は、冷却器64と冷却器66の間、冷却器66と冷却器68の間、冷却器68と冷却器70の間、冷却器70と冷却器72の間にそれぞれ配置される。すなわち、半導体モジュールの積層型冷却装置10においては、半導体モジュール61,63,65,67と、冷却器64,66,68,70,72とが交互に積層されている。なお、半導体モジュール61〜67と冷却器64〜72の積層方向はX方向に平行である。
The
冷却器64,66,68,70,72は、内部に冷媒が流れる冷却チューブであり、半導体モジュール61,63,65,67を両面から冷却する。複数の接続部材74は、内部に冷媒が流れる筒状を有し、冷却器64,66,68,70,72を連通するように配置されている。これにより、流入口71から流入した冷媒が冷却器64,66,68,70,72及び接続部材74を流れて流出口73から流出する。
The
ここで、半導体モジュール(第1半導体モジュール)61と、半導体モジュール61と冷却器66を介して積層される半導体モジュール(第2半導体モジュール)63とに着目する。図2において、上記X方向に垂直な方向であり、バスバ82,84の延伸する方向をY方向とする。また、図3において、Y方向に垂直な方向であり、半導体モジュール61の端子側面からパワー端子75が突き出る方向をZ方向とする。
Here, attention is focused on the semiconductor module (first semiconductor module) 61 and the semiconductor module (second semiconductor module) 63 stacked via the
半導体モジュール61は、端子側面からZ方向に突き出すパワー端子(第1パワー端子)75を有する。パワー端子75は、パワートランジスタ22,24の接続点を端子として取り出されたものである。パワー端子75は、例えば、銅等の導電性部材で構成される。
The
バスバ(第1バスバ)82は、銅等の導電性部材で構成され、Y方向に沿って延伸する。バスバ82は、一方端がパワー端子75とZ方向の端部において接合され、他方端がリアクトル20に接続される。なお、バスバ82とパワー端子75との配置関係については、図2に示されるように、X方向側にバスバ82が配置され、X方向の逆方向側にパワー端子75が配置される。
The bus bar (first bus bar) 82 is made of a conductive member such as copper and extends along the Y direction.
半導体モジュール63は、端子側面からZ方向に突き出すパワー端子(第2パワー端子)76を有する。パワー端子76は、パワートランジスタ38,40の接続点を端子として取り出されたものである。パワー端子76は、銅等の導電性部材で構成される。
The
バスバ(第2バスバ)84は、銅等の導電性部材で構成され、Y方向に沿って延伸する。バスバ84は、一方端がパワー端子76とZ方向の端部において接合され、他方端がモータジェネレータ14のU相コイルに接続される。なお、バスバ84とパワー端子76との配置関係については、図2に示されるように、X方向側にバスバ84が配置され、X方向の逆方向側にパワー端子76が配置される。
The bus bar (second bus bar) 84 is made of a conductive member such as copper and extends along the Y direction.
図3に示されるように、X方向に沿ってパワー端子75とパワー端子76を見た場合に、パワー端子75とパワー端子76とは、Y方向(図における左右方向)に対し互いにずれて、両者が重ならないように離れて配置されている。また、バスバ82とバスバ84とは、Z方向(図における上下方向)に対し互いにずれて、両者が重ならないように離れて配置されている。これにより、バスバ82とパワー端子75の接合部92と、バスバ84とパワー端子76の接合部94は、Y方向及びZ方向に対し互いにずれて配置されている。
As shown in FIG. 3, when the
なお、半導体モジュール65のパワー端子78とバスバ86との接合部96と、半導体モジュール67のパワー端子80とバスバ88との接合部98とは、上記接合部92と接合部94と同様に、Y方向及びZ方向に対し互いにずれた配置関係となっている。そして、接合部92,94,96,98は、図2に示されるように、ジグザグの配置関係となっている。なお、パワー端子75,76,78,80はそれぞれ異なる電位となる場合があるため、異なる電位のバスバが接触するとその間に短絡が生じる。
It should be noted that the
上記構成の半導体モジュールの積層型冷却装置10の作用について説明する。上述したように、バスバ82とパワー端子75の接合部92と、バスバ84とパワー端子76の接合部94は、Y方向及びZ方向に対し互いにずれて配置されている。ここで、仮に、パワートランジスタ24が短絡故障してしまった場合には、パワートランジスタ22のオンのタイミングでバスバ82及びパワー端子75に過電流が流れる。
The operation of the stacked
バスバ82とパワー端子75は、Z方向の端部では、バスバ82とパワー端子75を流れる電流の向きが反対方向となるため、両者の間で斥力が生じる。これが原因で、バスバ82が冷却器66を越えてX方向側に曲がることが生じうるが、その場合であっても、パワー端子75はパワー端子76に対してY方向にずれているため、バスバ82とパワー端子75とが接触することはない。また、バスバ84はバスバ82に対してZ方向ずれているためバスバ82とバスバ84とが接触することもない。
Since the direction of the current flowing through the
また、仮に、パワートランジスタ40が短絡故障してしまった場合に、パワートランジスタ38のオンのタイミングでバスバ84及びパワー端子76に過電流が流れ、両者の間で斥力が生じ、これによってバスバ84がX方向側に曲がった場合であっても、パワー端子78はパワー端子76に対してY方向の逆方向にずれているため、バスバ84とパワー端子76とが接触することはない。また、バスバ86はバスバ84に対してZ方向の逆方向にずれているためバスバ84とバスバ86とが接触することもない。
Further, if the
このように、半導体モジュールの積層型冷却装置10では、パワー端子とバスバとの接合部は、隣接する半導体モジュールにおいて、Y方向及びZ方向に対し互いにずれて配置される。したがって、半導体モジュールの積層型冷却装置10において接合されたパワー端子とバスバとの間に斥力が生じ、当該バスバが隣接する半導体モジュール側に曲がった場合であっても、隣接する半導体モジュールのパワー端子又はバスバに接触して短絡することを防止することができる。
As described above, in the stacked
なお、図2では、半導体モジュール61〜67の正極端子91及び負極端子93に接続されるバスバについては図示していないが、正極端子91同士及び負極端子93同士は、それぞれ同電位であるため、バスバが曲がって隣接する端子と接触した場合であっても短絡回路が形成されることはない。したがって、図2では、正極端子91及び負極端子93は、ぞれぞれ一列に並んで配置されている。
In FIG. 2, the bus bars connected to the
10 半導体モジュールの積層型冷却装置、12 電力変換回路システム、14 モータジェネレータ、16 バッテリ、18 昇降圧コンバータ、19 昇降圧アーム、20 リアクトル、22,24 パワートランジスタ、26,28 ダイオード、30 インバータ、32 U相アーム、34 V相アーム、36 W相アーム、38,40,42,44,46,48 パワートランジスタ、50,52,54,56,58,60 ダイオード、57,59 コンデンサ、61,63,65,67 半導体モジュール、62 制御装置、64,66,68,69,70,72 冷却器、71 流入口、73 流出口、74 接続部材、75,76,78,80 パワー端子、82,84,86,88 バスバ、91 正極端子、92,94,96,98 接合部、93 負極端子。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
積層方向に沿って第1半導体モジュールに冷却器を介して積層される第2半導体モジュールと、
第1半導体モジュールにおいて積層方向に垂直な方向に平行な側面である端子側面から突き出す第1パワー端子と、
第1半導体モジュールの端子側面に沿って第1パワー端子と垂直な方向に延伸する第1バスバと、
第2半導体モジュールにおいて積層方向に垂直な方向であって第1半導体モジュールの端子側面に平行な端子側面から突き出す第2パワー端子と、
第2半導体モジュールの端子側面に沿って第2パワー端子と垂直な方向に延伸する第2バスバと、
を備え、
第1バスバと第1パワー端子が接合される第1接合部と、第2バスバと第2パワー端子が接合される第2接合部とは、延伸方向または突き出し方向にずれて配置されることを特徴とする半導体モジュールの積層型冷却装置。 A first semiconductor module;
A second semiconductor module stacked on the first semiconductor module via a cooler along the stacking direction;
A first power terminal protruding from a terminal side surface which is a side surface parallel to a direction perpendicular to the stacking direction in the first semiconductor module;
A first bus bar extending in a direction perpendicular to the first power terminal along the terminal side surface of the first semiconductor module;
A second power terminal protruding from a terminal side surface in a direction perpendicular to the stacking direction in the second semiconductor module and parallel to the terminal side surface of the first semiconductor module;
A second bus bar extending in a direction perpendicular to the second power terminal along the terminal side surface of the second semiconductor module;
With
The first joint where the first bus bar and the first power terminal are joined and the second joint where the second bus bar and the second power terminal are joined are arranged so as to be shifted in the extending direction or the protruding direction. A stacked cooling device for a semiconductor module.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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ID=51931734
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JP (1) | JP2014212193A (en) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150423 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20151102 |