JP2019116416A

JP2019116416A - Apparatus and method for manufacturing glass substrate

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Publication number: JP2019116416A
Application number: JP2018229934A
Authority: JP
Inventors: 智陽林; Zhi Yang Lin
Original assignee: Avanstrate Inc; Avanstrate Asia Pte Ltd; Avanstrate Taiwan Inc
Current assignee: Avanstrate Inc; Avanstrate Asia Pte Ltd; Avanstrate Taiwan Inc
Priority date: 2017-12-26
Filing date: 2018-12-07
Publication date: 2019-07-18
Anticipated expiration: 2038-12-07
Also published as: TW201932423A; JP6714677B2

Abstract

To prevent the downflow of molten glass from occurring in the vicinity of the outflow port of a melting tank.SOLUTION: The method for manufacturing a glass substrate uses a melting tank for melting a glass raw material to form molten glass. The melting tank comprises: wall parts contacting the molten glass; a plurality of electrode pairs provided in a side wall surrounding the molten glass in the wall parts; and an outflow port provided in a portion of the side wall extended so as to intersect a direction in which the electrode pairs are arranged and discharging the molten glass to the outside. In the wall parts, the material of a first portion around the outflow port has a conductivity larger than that of a second portion positioned away from the first portion to the outflow port.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、ガラス基板製造装置、及びガラス基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a glass substrate manufacturing apparatus and a method of manufacturing a glass substrate.

ガラス基板は、ガラス原料を熔融して生成させた熔融ガラスを成形して製造される。一般に、ガラス基板製造装置は、ガラス原料から熔融ガラスを生成させる熔解槽と、熔融ガラスをガラス基板へと成形する成形装置と、熔解槽と成形装置との間を熔融ガラスが移送可能であるように接続する移送管と、を備える。 The glass substrate is manufactured by molding a molten glass produced by melting a glass raw material. Generally, a glass substrate manufacturing apparatus is capable of transferring molten glass between a melting tank for forming molten glass from a glass raw material, a forming apparatus for forming molten glass into a glass substrate, and a forming apparatus. And a transfer pipe connected to the

ガラス原料を熔解して熔融ガラスをつくるとき、熔融ガラスの液面上に投入されたガラス原料は、バーナー等の火炎により熔解される。熔解したガラス原料は、液面の下方の熔融ガラスに溶けて行く。熔融ガラスは、熔解槽に蓄えられ、熔融ガラスと接触する電極対を用いて通電される。この通電により、熔融ガラス自身はジュール熱を発し、このジュール熱が熔融ガラス自身を加熱する。 When a glass material is melted to form a molten glass, the glass material introduced onto the liquid surface of the molten glass is melted by a flame such as a burner. The melted glass material melts into the molten glass below the liquid level. The molten glass is stored in the melting tank and is energized using an electrode pair in contact with the molten glass. By this energization, the molten glass itself generates Joule heat, and this Joule heat heats the molten glass itself.

熔融ガラスにガラス組成のムラ（ガラス組成が均一でないこと）が存在すると、成形されたガラス基板において、例えば脈理と呼ばれるスジ状の欠陥が発生する。この脈理は、不均質なガラス組成に起因する熔融ガラスの粘度の違い、つまり、ガラス原料の熔解ムラに起因して、成形時の熔融ガラスの表面に微細な表面凹凸として形成され、この表面凹凸がガラス基板に残存したものである。このため、ガラス原料を熔解する段階で脈理等の原因となるガラス組成のムラを引き起こさないようにする必要がある。 When unevenness of the glass composition (unevenness of the glass composition) is present in the molten glass, streak-like defects called, for example, striae occur in the formed glass substrate. The striae are formed as fine surface irregularities on the surface of the molten glass at the time of molding due to the difference in the viscosity of the molten glass due to the inhomogeneous glass composition, that is, the uneven melting of the glass material, and this surface The unevenness remains on the glass substrate. For this reason, it is necessary to prevent unevenness of the glass composition which causes striae etc. at the stage of melting the glass material.

例えば、熔解槽において、熔融ガラスのホットスプリングを強調し、熔融ガラスの対流を促進して十分に撹拌を行うと共に、ガラス原料投入端側の表層の半熔融状態等のガラスが導出端側へ早流れすることを阻止し得るガラス熔解窯が知られている（特許文献１）。
上記ガラス熔解窯では、ガラス原料の投入端側の領域から導出端側の領域に至る途中のホットスプリング領域に、通電方向を窯の長さ方向とした複数対の電極を適宜間隔で窯の幅方向全長に亘って複列配置することにより、熔融ガラスのホットスプリングを強調している。これにより、半熔融状態等のガラスが導出端側へ早流れすることを抑えている。 For example, in the melting tank, the hot spring of the molten glass is emphasized and the convection of the molten glass is promoted to sufficiently stir the glass, and the glass such as the semi-melted state of the surface layer on the glass material feeding end side is quickly directed to the leading end side There is known a glass melting furnace which can prevent the flow (Patent Document 1).
In the above-described glass melting, in the hot spring region halfway from the region on the feeding end side of the glass material to the region on the leading end side, the width of the crucible is appropriately set with an interval of plural pairs of electrodes whose conduction direction is the crucible length direction. By arranging in multiple rows over the entire length in the direction, the hot spring of the molten glass is emphasized. This suppresses premature flow of the glass in the semi-molten state to the outlet end side.

特開２００２−６０２２６号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-60226

熔解槽内の熔融ガラスは、熔解槽の底部に設けられた流出口から、移送管を通って流出する。したがって、熔解槽内の流出口付近では、流出口に向かう熔融ガラスの流れが形成される。このような熔融ガラスの流れとして、熔解槽内での熔融ガラスの対流や、熔解槽内の熔融ガラスの温度分布に起因して、熔融ガラスの液面付近から下方向に向かって流れる下降流が形成される場合がある。熔融ガラスの下降流が形成されると、液面に浮遊する未溶解のガラス原料が、周囲の熔融ガラスと十分に混ざり合うことなく下降し、流出する可能性がある。このようにして流出した熔融ガラスには、ガラス組成のムラが生じているため、ガラス基板に脈理を発生させ、ガラス基板の品質を低下させてしまうおそれがある。 The molten glass in the melting tank flows out from the outlet provided at the bottom of the melting tank through the transfer pipe. Therefore, a flow of molten glass toward the outlet is formed near the outlet in the melting tank. As such a flow of molten glass, the downward flow which flows downward from the vicinity of the liquid surface of the molten glass due to the convection of the molten glass in the melting tank and the temperature distribution of the molten glass in the melting tank May be formed. When a downward flow of molten glass is formed, the undissolved glass raw material floating on the liquid surface may descend and flow out without sufficiently mixing with the surrounding molten glass. Since the molten glass that has flowed out in this manner has unevenness in the glass composition, it may cause striae in the glass substrate and degrade the quality of the glass substrate.

そこで、本発明は、熔解槽の流出口付近で熔融ガラスの下降流が発生することを抑制することのできるガラス基板製造装置及びガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of a glass substrate manufacturing apparatus and a glass substrate which can suppress that the downward flow of molten glass generate | occur | produces in the outflow opening vicinity of a melting tank.

本発明の一態様は、ガラス基板製造装置であって、
ガラス原料を熔解し、熔融ガラスをつくる熔解槽を備え、
前記熔解槽は、前記熔融ガラスと接する壁部と、前記壁部のうち前記熔融ガラスを囲む側壁に設けられた複数の電極対と、前記側壁のうち、前記複数の電極対が並ぶ方向と交差するように延在した部分に設けられ、前記熔融ガラスを外部に流出させる流出口と、を有し、
前記壁部のうち、前記流出口の周りの第１の部分の材料は、前記流出口に対して前記第１の部分よりも離れて位置する第２の部分の材料よりも導電率が大きい、ことを特徴とする。 One aspect of the present invention is a glass substrate manufacturing apparatus,
Equipped with a melting tank for melting glass raw materials and producing molten glass,
The melting tank intersects with a wall portion in contact with the molten glass, a plurality of electrode pairs provided on a side wall of the wall portion surrounding the molten glass, and a direction in which the plurality of electrode pairs are arranged in the side wall And an outlet for letting the molten glass flow out.
The material of the first portion of the wall portion around the outlet is more conductive than the material of the second portion located farther from the outlet than the first portion. It is characterized by

前記第２の部分は、前記電極対のうち前記流出口に最も接近して配置された第１の電極対の周りに設けられ、
前記第２の部分の材料は、前記流出口に対して前記第１の電極対よりも離れて配置された第２の電極対の周りの第３の部分の材料よりも導電率が小さく、
前記第１の部分の材料は、前記第３の部分の材料よりも導電率が大きいことが好ましい。 The second portion is provided around a first electrode pair of the electrode pair disposed closest to the outlet.
The material of the second portion has a lower conductivity than the material of the third portion around the second electrode pair disposed farther from the outlet than the first electrode pair,
It is preferable that the material of the first portion has a conductivity higher than the material of the third portion.

前記ガラス基板製造装置は、前記電極対が並ぶ方向において、前記電極対のうち前記流出口に最も接近して配置された第１の電極対と、前記流出口との間隔Ｍは、前記流出口から最も離れて位置する前記第２の部分の端と、前記第１の電極対との間隔Ｎより長い場合に好適である。 In the glass substrate manufacturing apparatus, a distance M between a first electrode pair of the electrode pair disposed closest to the outlet and the outlet in the direction in which the electrode pair is arranged is the outlet And the distance N between the end of the second portion located farthest from and the distance N between the first electrode pair.

前記ガラス基板製造装置は、前記電極対が並ぶ方向において、前記電極対のうち前記流出口に最も接近して配置された第１の電極対と、前記流出口との間隔Ａは、前記流出口に対して前記第１の電極対よりも離れて配置された第２の電極対と、前記第１の電極対との間隔Ｂより長い場合に好適である。 In the glass substrate manufacturing apparatus, in the direction in which the electrode pairs are arranged, a distance A between a first electrode pair of the electrode pairs disposed closest to the outlet and the outlet is the outlet It is preferable in the case where the distance B is longer than the distance B between the second electrode pair disposed apart from the first electrode pair and the first electrode pair.

前記第１の部分は、前記電極対をなす２つの電極を結ぶ方向に沿った前記流出口の両側のそれぞれに、当該電極が設けられた側壁の間の間隔の２５％以上の範囲に配置されていることが好ましい。 The first portion is disposed on the both sides of the outlet along the direction connecting two electrodes forming the electrode pair in a range of 25% or more of the distance between the side walls provided with the electrodes. Is preferred.

前記電極対のうち前記流出口に最も接近して配置された第１の電極対の間を流れる電流量は、前記流出口に対して前記第１の電極対よりも離れて配置された第２の電極対の間を流れる電流量よりも多いことが好ましい。 The amount of current flowing between the first electrode pair disposed closest to the outlet of the electrode pair is a second amount of the second electrode disposed farther with respect to the outlet than the first electrode pair Preferably, the amount of current flowing between the pair of electrodes

前記第１の部分の材料の導電率の大きさは、前記第２の部分の材料の導電率の大きさの２０倍以下であることが好ましい。 It is preferable that the magnitude of the conductivity of the material of the first portion is not more than 20 times the magnitude of the conductivity of the material of the second portion.

本発明の別の一態様は、ガラス基板の製造方法であって、
熔解槽を用いてガラス原料を熔解し、熔融ガラスをつくる熔解工程を有し、
前記熔解槽は、前記熔融ガラスと接する壁部と、前記壁部のうち前記熔融ガラスを囲む側壁に設けられた複数の電極対と、前記側壁のうち、前記複数の電極対が並ぶ方向と交差するように延在した部分に設けられ、前記熔融ガラスを外部に流出させる流出口と、を有し、
前記壁部のうち、前記流出口の周りの第１の部分の材料は、前記流出口に対して前記第１の部分よりも離れて位置する第２の部分の材料よりも導電率が大きい、ことを特徴とする。 Another aspect of the present invention is a method for producing a glass substrate,
There is a melting process of melting glass raw materials using a melting tank and making molten glass,
The melting tank intersects with a wall portion in contact with the molten glass, a plurality of electrode pairs provided on a side wall of the wall portion surrounding the molten glass, and a direction in which the plurality of electrode pairs are arranged in the side wall And an outlet for letting the molten glass flow out.
The material of the first portion of the wall portion around the outlet is more conductive than the material of the second portion located farther from the outlet than the first portion. It is characterized by

前記熔解工程では、前記電極対のうち前記流出口に最も接近して配置された第１の電極対の間を流れる電流量を、前記流出口に対して前記第１の電極対よりも離れて配置された第２の電極対の間を流れる電流量よりも多くすることが好ましい。 In the melting step, the amount of current flowing between the first electrode pair disposed closest to the outlet of the electrode pair is separated from the outlet relative to the first electrode pair. It is preferable that the amount of current flowing between the disposed second electrode pair be larger than that.

本発明によれば、熔解槽の流出口付近で熔融ガラスの下降流が発生することを抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress the generation of the downward flow of the molten glass in the vicinity of the outlet of the melting tank.

本実施形態の製造方法のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the manufacturing method of this embodiment. ガラス基板製造装置の概略図である。It is the schematic of a glass substrate manufacturing apparatus. 熔解槽の概略的な斜視図である。It is a schematic perspective view of a melting tank. 熔解槽の長手方向に直交する方向に沿った断面図である。It is sectional drawing along the direction orthogonal to the longitudinal direction of a melting tank. 熔解槽の壁部について説明する図である。It is a figure explaining the wall part of a melting tank. 図５の熔解槽の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the melting tank of FIG. 熔解槽の壁部について説明する図である。It is a figure explaining the wall part of a melting tank. 図６の熔解槽の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the melting tank of FIG. 熔解槽内部の熔融ガラスの対流の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the convection of the molten glass inside a melting tank.

以下、本発明のガラス基板の製造方法、及びガラス基板製造装置について説明する。
（ガラス基板の製造方法の全体概要）
図１は、本実施形態のガラス基板の製造方法の工程の一例を示す図である。ガラス基板の製造方法は、熔解工程（ＳＴ１）、清澄工程（ＳＴ２）、均質化工程（ＳＴ３）、供給工程（ＳＴ４）、成形工程（ＳＴ５）、徐冷工程（ＳＴ６）、および、切断工程（ＳＴ７）を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有してもよい。製造されたガラス基板は、必要に応じて梱包工程で積層され、納入先の業者に搬送される。 Hereinafter, the manufacturing method of the glass substrate of this invention, and a glass substrate manufacturing apparatus are demonstrated.
(Overall summary of glass substrate manufacturing method)
FIG. 1: is a figure which shows an example of the process of the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment. The glass substrate production method includes a melting step (ST1), a clarifying step (ST2), a homogenizing step (ST3), a supplying step (ST4), a forming step (ST5), a slow cooling step (ST6), and a cutting step ( Mainly has ST7). In addition to this, it may have a grinding process, a polishing process, a cleaning process, an inspection process, a packing process, and the like. The manufactured glass substrates are stacked in a packing process as needed, and transported to a vendor of the recipient.

熔解工程（ＳＴ１）では、ガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作る。
清澄工程（ＳＴ２）では、熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、ＣＯ₂あるいはＳＯ₂を含んだ泡が発生する。この泡が熔融ガラス中に含まれる清澄剤（酸化スズ等）の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して放出される。その後、清澄工程では、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスの温度を制御することにより行われる。 In the melting step (ST1), molten glass is produced by heating the glass material.
In the fining step (ST2), the molten glass is heated to generate bubbles containing oxygen, CO ₂ or SO ₂ contained in the molten glass. The bubbles absorb and grow oxygen generated by the reduction reaction of a fining agent (tin oxide or the like) contained in the molten glass, and float on the liquid surface of the molten glass to be released. Thereafter, in the clarification step, the temperature of the molten glass is lowered, whereby the reduced substance obtained by the reduction reaction of the clarification agent undergoes an oxidation reaction. As a result, gas components such as oxygen in the bubbles remaining in the molten glass are reabsorbed in the molten glass and the bubbles disappear. The oxidation reaction and reduction reaction by the fining agent are carried out by controlling the temperature of the molten glass.

均質化工程（ＳＴ３）では、スターラを用いて熔融ガラスを撹拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。これにより、脈理等の原因であるガラスの組成ムラを低減することができる。均質化工程は、後述する撹拌槽において行われる。
供給工程（ＳＴ４）では、撹拌された熔融ガラスが成形装置に供給される。 In the homogenization step (ST3), the glass components are homogenized by stirring the molten glass using a stirrer. Thereby, composition nonuniformity of glass which is a cause such as striae can be reduced. A homogenization process is performed in the stirring tank mentioned later.
In the supply step (ST4), the stirred molten glass is supplied to the forming apparatus.

成形工程（ＳＴ５）及び徐冷工程（ＳＴ６）は、成形装置で行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、熔融ガラスをシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、オーバーフローダウンドロー法が用いられる。
徐冷工程（ＳＴ６）では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程（ＳＴ７）では、徐冷後のシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。 The forming step (ST5) and the slow cooling step (ST6) are performed by a forming apparatus.
In the forming step (ST5), molten glass is formed into sheet glass to make a flow of sheet glass. An overflow downdraw method is used for forming.
In the slow cooling step (ST6), the sheet glass being formed and flowing has a desired thickness, and is further cooled so as not to cause warpage so as not to cause internal distortion.
In a cutting process (ST7), a plate-like glass substrate is obtained by cutting the sheet glass after slow cooling into a predetermined length. The cut glass substrate is further cut into a predetermined size to produce a glass substrate of a target size.

（ガラス基板製造装置の全体概要）
図２は、本実施形態における熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行うガラス基板製造装置の概略図である。ガラス基板製造装置は、図２に示すように、主に熔解装置１００と、成形装置１０８と、切断装置１０９と、を有する。熔解装置１００は、熔解槽１０１と、清澄管１０２と、撹拌槽１０３と、移送管１０４、１０５と、ガラス供給管１０６と、を有する。
図２に示す熔解槽１０１には、バーナー１１２（図３及び図４参照）等の加熱手段が設けられている。熔解槽には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程（ＳＴ１）が行われる。熔解槽１０１で熔融した熔融ガラスは、移送管１０４を介して清澄管１０２に供給される。
清澄管１０２では、熔融ガラスＭＧの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄工程（ＳＴ２）が行われる。具体的には、清澄管１０２内の熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、ＣＯ₂あるいはＳＯ₂を含んだ泡が、清澄剤の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して気相空間に放出される。その後、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄後の熔融ガラスは、移送管１０５を介して撹拌槽１０３に供給される。
撹拌槽１０３では、撹拌機１０７によって熔融ガラスが撹拌されて均質化工程（ＳＴ３）が行われる。撹拌槽１０３で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管１０６を介して成形装置１０８に供給される（供給工程ＳＴ４）。
成形装置１０８では、オーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスＳＧが成形され（成形工程ＳＴ５）、徐冷される（徐冷工程ＳＴ６）。
切断装置１０９では、シートガラスＳＧから切り出された板状のガラス基板が形成される（切断工程ＳＴ７）。 (Overall overview of glass substrate manufacturing equipment)
FIG. 2: is the schematic of the glass substrate manufacturing apparatus which performs the melting process (ST1)-cutting process (ST7) in this embodiment. The glass substrate manufacturing apparatus mainly includes a melting apparatus 100, a forming apparatus 108, and a cutting apparatus 109, as shown in FIG. The melting apparatus 100 includes a melting tank 101, a clarification pipe 102, a stirring tank 103, transfer pipes 104 and 105, and a glass supply pipe 106.
The melting tank 101 shown in FIG. 2 is provided with heating means such as a burner 112 (see FIGS. 3 and 4). A glass raw material to which a fining agent is added is introduced into the melting tank, and the melting step (ST1) is performed. The molten glass melted in the melting tank 101 is supplied to the clear tube 102 through the transfer tube 104.
In the fining tube 102, the temperature of the molten glass MG is adjusted, and the fining step (ST2) of the molten glass is performed using the oxidation-reduction reaction of the fining agent. Specifically, by raising the temperature of the molten glass in the fining tube 102, bubbles containing oxygen, CO ₂ or SO ₂ contained in the molten glass absorb oxygen generated by the reduction reaction of the fining agent. And float on the surface of the molten glass to be released into the gas phase space. Thereafter, by lowering the temperature of the molten glass, the reduced substance obtained by the reduction reaction of the fining agent undergoes an oxidation reaction. As a result, gas components such as oxygen in the bubbles remaining in the molten glass are reabsorbed in the molten glass and the bubbles disappear. The clarified molten glass is supplied to the stirring tank 103 via the transfer pipe 105.
In the stirring tank 103, the molten glass is stirred by the stirrer 107 and the homogenization step (ST3) is performed. The molten glass homogenized in the stirring tank 103 is supplied to the forming device 108 through the glass supply pipe 106 (supply step ST4).
In the forming apparatus 108, the sheet glass SG is formed from the molten glass by the overflow down draw method (forming step ST5), and is gradually cooled (slow cooling step ST6).
In the cutting device 109, a plate-like glass substrate cut out from the sheet glass SG is formed (cutting step ST7).

（熔解槽の構成）
図３は、本実施形態の熔解槽１０１の概略的な斜視図である。図４は、熔解槽１０１の長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
熔解槽１０１は、主として、熔解槽本体を構成する壁１１０と、バーナー１１２と、電極対１１４と、迫部１１３とを備える。
熔解槽１０１は、例えば、ガラス原料を、熔解槽１０１に蓄えられた熔融ガラスＭＧの液面１０１ｃの略全面に投入することにより、液面を含む表層において均一にガラス原料が熔融した熔融ガラスを作る。さらに、熔解槽１０１は、熔解槽１０１の内側側壁のうち、図３中の左右方向（第１の方向）に向く内側側壁の底部に設けられた流出口１０４ａから後工程に向けて熔融ガラスＭＧを流す。第１の方向とは、図３において、熔解槽１０１の長手方向であり、ガラス原料の投入口から移送管１０４へ向かう方向であるとともに、複数の電極対１１４が並ぶ方向である。 (Configuration of melting tank)
FIG. 3 is a schematic perspective view of the melting tank 101 of the present embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the melting tank 101.
The melting tank 101 mainly includes a wall 110 which constitutes the melting tank main body, a burner 112, an electrode pair 114, and an abutment 113.
In the melting tank 101, for example, a molten glass in which the glass material is melted uniformly in the surface layer including the liquid surface is introduced by charging the glass material to substantially the entire surface of the liquid surface 101c of the molten glass MG stored in the melting tank 101. create. Furthermore, the melting tank 101 is a molten glass MG from the outlet 104 a provided at the bottom of the inner side wall facing in the left-right direction (first direction) in FIG. Flow. The first direction is a longitudinal direction of the melting tank 101 in FIG. 3 and is a direction from the glass material inlet to the transfer pipe 104 and a direction in which a plurality of electrode pairs 114 are arranged.

壁１１０は、耐火レンガ等の耐火物により構成されている。熔解槽１０１は、壁１１０で囲まれた内部空間を有し、熔解槽１０１の内部空間は、空間内に投入されたガラス原料が熔解してできた熔融ガラスＭＧを加熱しながら収容する液槽１０１ａ内の空間と、液槽１０１ａ内の空間の上方に形成され、ガラス原料が投入される上部空間（気相空間）１０１ｂと、を有する。このうち、液槽１０１ａを構成する壁１１０の部分、すなわち、熔融ガラスＭＧと接する壁１１０の部分は、本実施形態の壁部をなす。 The wall 110 is made of a refractory such as a firebrick. The melting tank 101 has an internal space surrounded by the wall 110, and the internal space of the melting tank 101 is a liquid tank that accommodates, while heating, the molten glass MG formed by melting the glass raw material introduced into the space. It has an upper space (gas phase space) 101 b which is formed above the space in the liquid tank 101 a and into which the glass raw material is charged. Among these, the portion of the wall 110 constituting the liquid tank 101a, that is, the portion of the wall 110 in contact with the molten glass MG forms a wall portion of the present embodiment.

熔解槽１０１の底壁１１０ｃは、複数種類の耐火物が鉛直方向に積層された構造を有している。図４に示されるように、底壁１１０ｃは、少なくとも３種類の耐火物が積層された構造を有している。底壁１１０ｃは、第１耐火物１２１、第２耐火物１２２および第３耐火物１２３が、鉛直方向上方から下方に向かって積層している構造を有している。第１耐火物１２１、第２耐火物１２２および第３耐火物１２３は、例えば、耐熱耐火レンガ等である。第１耐火物１２１は、底壁１１０ｃの最上層を構成し、熔解槽本体１１０に貯留される熔融ガラスＭＧと接触する。後述する内側側壁１１０ａ、１１０ｂは、第１耐火物１２１と接続されている。 The bottom wall 110c of the melting tank 101 has a structure in which a plurality of types of refractories are vertically stacked. As shown in FIG. 4, the bottom wall 110 c has a structure in which at least three types of refractories are stacked. The bottom wall 110c has a structure in which the first refractory 121, the second refractory 122, and the third refractory 123 are stacked downward from above in the vertical direction. The first refractory 121, the second refractory 122, and the third refractory 123 are, for example, a heat-resistant refractory brick or the like. The first refractory 121 constitutes the uppermost layer of the bottom wall 110 c and is in contact with the molten glass MG stored in the melting tank body 110. The inner side walls 110 a and 110 b described later are connected to the first refractory 121.

迫部１１３は、熔解槽１０１の気相空間１０１ｂを覆う天井壁である。図４には、迫部１１３の詳細が示されている。迫部１１３は、高温の熔融ガラスＭＧに対して耐熱性を有する素材で成形されている。 The approaching part 113 is a ceiling wall that covers the gas phase space 101 b of the melting tank 101. The details of the approaching part 113 are shown in FIG. The approaching portion 113 is formed of a material having heat resistance to the high temperature molten glass MG.

上部空間１０１ｂと接する第１の方向と平行な壁１１０の部分には、燃料と酸素等を混合した燃焼ガスが燃焼して火炎を発する複数のバーナー１１２が設けられる。バーナー１１２は、電極対１１４が設けられた位置の熔融ガラスＭＧの液面１０１ｃより上方位置に設けられ、火炎によって上部空間１０１ｂの耐火物を加熱して壁１１０を高温にする。ガラス原料は、高温になった壁１１０の輻射熱により、また、高温となった気相の雰囲気によって加熱される。図３、４に示されるように、上部空間１０１ｂの互いに対向する一対の壁に、それぞれ３基のバーナー１１２が取り付けられている。図３では、熔解槽本体１１０の奥側の壁に取り付けられているバーナー１１２のみが示されている。バーナー１１２は、互いに対向する位置に設けられておらず、互い違いの位置に設けられている。すなわち、図４では、２基のバーナー１１２が互いに対向する位置に設けられるように見えるが、この２基のバーナー１１２は、図４の紙面に対して垂直方向の異なる位置に設けられている。なお、バーナー１１２は、互いに対向する一対の壁の一方のみに設けられてもよい。 In a portion of the wall 110 parallel to the first direction in contact with the upper space 101b, a plurality of burners 112 which emit a flame by burning a combustion gas in which fuel, oxygen and the like are mixed are provided. The burner 112 is provided at a position above the liquid surface 101c of the molten glass MG at the position where the electrode pair 114 is provided, and heats the refractory in the upper space 101b by the flame to make the wall 110 high temperature. The glass material is heated by the radiant heat of the high temperature wall 110 and by the high temperature gas phase atmosphere. As shown in FIGS. 3 and 4, three burners 112 are attached to the pair of opposing walls of the upper space 101b. In FIG. 3, only the burner 112 attached to the back wall of the melting tank body 110 is shown. The burners 112 are not provided at mutually opposing positions, but are provided at alternating positions. That is, although it appears that two burners 112 are provided at mutually opposing positions in FIG. 4, the two burners 112 are provided at different positions in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 4. In addition, the burner 112 may be provided only in one of the pair of walls facing each other.

熔解槽１０１の図３中の左側側壁には、上部空間１０１ｂに接する面には、原料投入窓（投入口）１０１ｆが設けられている。この原料投入窓１０１ｆを通して、ガラス原料を収めたバケット１０１ｄ（図２参照）が上部空間１０１ｂに出入りし、熔融ガラスＭＧの液面１０１ｃ上を前後左右に移動するように構成されている。
熔解槽１０１では、熔融ガラスＭＧの液面の略全面に投入され、常に熔融ガラスＭＧの液面１０１ｃをガラス原料が覆うように浮遊していることによって、熔融ガラスＭＧの熱が液面１０１ｃを通して、気相である上部空間１０１ｂに放射されず、熔融ガラスＭＧの液面を含む表層において均一にガラス原料が熔融した熔融ガラスを形成させることができる。 A raw material input window (input port) 101 f is provided on the left side wall in FIG. 3 of the melting tank 101 in the surface in contact with the upper space 101 b. The bucket 101d (see FIG. 2) containing the glass raw material enters and leaves the upper space 101b through the raw material charging window 101f, and is configured to move forward and backward, and leftward and rightward on the liquid surface 101c of the molten glass MG.
In the melting tank 101, the heat of the molten glass MG passes through the liquid surface 101c by being poured over substantially the entire liquid surface of the molten glass MG and floating constantly so as to cover the liquid surface 101c of the molten glass MG. It is possible to form the molten glass in which the glass raw material is uniformly melted in the surface layer including the liquid surface of the molten glass MG without being radiated to the upper space 101b which is the gas phase.

熔解槽１０１の第１の方向と平行で、お互いに対向する液槽１０１ａの内側側壁１１０ａ，１１０ｂに、酸化錫あるいはモリブデン等の耐熱性を有する導電性材料で構成された３つの電極対１１４が設けられている。３つの電極対１１４は、内側側壁１１０ａ，１１０ｂのうち、熔融ガラスＭＧの下層に対応する領域に設けられている。３つの電極対１１４はいずれも、液槽１０１ａの外壁の面の外側から内壁の面まで延びている。３つの電極対１１４のうち、図中奥側の電極は図示されていない。電極対１１４のそれぞれをなす電極は、熔融ガラスＭＧを挟んでお互いに対向するように、内側側壁１１０ａ，１１０ｂに設けられている。各電極対１１４は、電極間に位置する熔融ガラスＭＧに電流を流す。熔融ガラスＭＧはこの通電により、ジュール熱を自ら発して熔融ガラスＭＧを加熱する。熔解槽１０１では、熔融ガラスＭＧは例えば１５００℃以上に加熱される。加熱された熔融ガラスＭＧは、移送管１０４を通して清澄管１０２へ送られる。
本実施形態では、熔解槽１０１には３つの電極対１１４が設けられるが、２つあるいは４つ、５つ、６つ以上の電極対が設けられてもよい。 Parallel to the first direction of the melting tank 101, on the inner side walls 110a and 110b of the liquid tank 101a facing each other, three electrode pairs 114 made of a heat-resistant conductive material such as tin oxide or molybdenum are provided. It is provided. The three electrode pairs 114 are provided in the region corresponding to the lower layer of the molten glass MG in the inner side walls 110a and 110b. Each of the three electrode pairs 114 extends from the outside of the surface of the outer wall of the liquid tank 101a to the surface of the inner wall. Of the three electrode pairs 114, the electrodes on the back side in the drawing are not shown. The electrodes forming each of the electrode pairs 114 are provided on the inner side walls 110 a and 110 b so as to face each other with the molten glass MG interposed therebetween. Each electrode pair 114 applies a current to the molten glass MG located between the electrodes. The molten glass MG generates Joule heat by itself and heats the molten glass MG. In the melting tank 101, the molten glass MG is heated, for example, to 1500 ° C. or higher. The heated molten glass MG is sent to the fining tube 102 through the transfer tube 104.
In the present embodiment, the melting tank 101 is provided with three electrode pairs 114, but two, four, five, six or more electrode pairs may be provided.

電極対１１４は、制御ユニット（図示せず）に接続され、制御ユニットから電流の供給を受ける。制御ユニットは、コンピュータ（図示せず）に接続される。コンピュータは、電極対１１４に流れる電流を制御するための制御信号を制御ユニットに送る。コンピュータは、熔解槽１０１に蓄えられる熔融ガラスＭＧの温度および粘度が所定の範囲内になるように制御信号を生成する。 The electrode pair 114 is connected to a control unit (not shown) and receives supply of current from the control unit. The control unit is connected to a computer (not shown). The computer sends a control signal to the control unit to control the current flowing to the electrode pair 114. The computer generates control signals such that the temperature and viscosity of the molten glass MG stored in the melting tank 101 fall within a predetermined range.

熔解槽１０１の流出口１０４ａは、移送管１０４を通して、清澄管１０２と接続されている。 The outlet 104 a of the melting tank 101 is connected to the fining tube 102 through the transfer tube 104.

図５及び図７は、熔解槽１０１の壁部について説明する図である。
熔解槽１０１の壁部は、液槽１０１ａを構成する壁１１０の部分であり、図５及び図７には、このうち、内側側壁１１０ａ、底壁１１０ｃ、及び、図３中の右側側壁が示されている。なお、図５及び図７において、３つの電極対１１４は、流出口１０４ａから近い順に、電極対１１４ａ、電極対１１４ｂ、電極対１１４ｃで表される。 FIG.5 and FIG.7 is a figure explaining the wall part of the melting tank 101. As shown in FIG.
The wall portion of the melting tank 101 is a portion of the wall 110 constituting the liquid tank 101a, and in FIG. 5 and FIG. 7, the inner side wall 110a, the bottom wall 110c, and the right side wall in FIG. It is done. In FIGS. 5 and 7, the three electrode pairs 114 are represented by the electrode pair 114a, the electrode pair 114b, and the electrode pair 114c in the order from the outlet 104a.

本実施形態において、壁部のうち、流出口１０４ａの周りの第１の部分１１１ａの材料は、流出口１０４ａに対して第１の部分１１１ａよりも離れて位置する第２の部分１１１ｂの材料よりも導電率が大きい。図５及び図７に示す例において、第１の部分１１１ａは、図３中の右側側壁である。第２の部分１１１ｂは、内側側壁１１０ａ、１１０ｂのうち、電極対１１４ａを囲むように配置された部分である。
電極対１１４ａの間を流れる電流は、熔融ガラスＭＧだけでなく、第１の部分１１１ａにも流れる。上記したように、第１の部分１１１ａの材料の導電率が、第２の部分１１１ｂの材料の導電率より大きいと、第１の部分１１１ａを流れる電流量は、第１の部分１１１ａの材料の導電率が第２の部分１１１ｂの材料の導電率と等しい場合と比べ、熔融ガラスＭＧを流れる電流量に対して多くなる。このため、第１の部分１１１ａにより消費される電力が増加し、第１の部分１１１ａの発熱量が大きくなる。したがって、流出口１０４ａ付近に位置する熔融ガラスＭＧは、通電によって加熱されることに加え、第１の部分１１１ａによっても加熱され、さらにその周囲に位置する熔融ガラスＭＧに対して相対的に温度が上昇する。これにより、流出口１０４ａの近傍で、熔融ガラスＭＧの液面付近から下方向に向かって流れる下降流の発生が抑制される。また、このような下降流の発生を抑制する効果によって、熔融ガラスＭＧ内に生じている下降流の速度を低減することもできる。本明細書において、導電率は、熔解工程（ＳＴ１）を行うときの熔解槽１０１内の熔融ガラスＭＧの温度（例えば１５００℃）における導電率を意味する。 In the present embodiment, in the wall portion, the material of the first portion 111a around the outlet 104a is greater than the material of the second portion 111b located farther from the outlet 104a than the first portion 111a. Also the conductivity is large. In the example shown in FIGS. 5 and 7, the first portion 111 a is the right side wall in FIG. 3. The second portion 111 b is a portion of the inner side walls 110 a and 110 b disposed so as to surround the electrode pair 114 a.
The current flowing between the electrode pair 114a flows not only to the molten glass MG but also to the first portion 111a. As described above, when the conductivity of the material of the first portion 111a is higher than the conductivity of the material of the second portion 111b, the amount of current flowing through the first portion 111a is the same as that of the material of the first portion 111a. Compared to the case where the conductivity is equal to the conductivity of the material of the second portion 111b, the amount of current flowing through the molten glass MG is larger. Therefore, the power consumed by the first portion 111a increases, and the calorific value of the first portion 111a increases. Therefore, the molten glass MG located in the vicinity of the outlet 104a is heated by the first portion 111a in addition to being heated by energization, and the temperature is relatively relative to the molten glass MG located in the periphery thereof. To rise. Thereby, in the vicinity of the outlet 104a, the generation of the downflow which flows downward from the vicinity of the liquid surface of the molten glass MG is suppressed. Further, the speed of the downflow generated in the molten glass MG can also be reduced by the effect of suppressing the generation of such downflow. In the present specification, the conductivity means the conductivity at the temperature (for example, 1500 ° C.) of the molten glass MG in the melting tank 101 when the melting step (ST1) is performed.

下降流の発生を抑制する効果を高めるために、第１の部分１１１ａの材料の導電率は、第２の部分１１１ｂの材料の導電率の４倍以上であることが好ましい。
一方で、第１の部分１１１ａの材料の導電率が、第２の部分１１１ｂの材料の導電率に対して過度に大きいと、第１の部分１１１ａの発熱量が大きくなりすぎ、これにより、第１の部分１１１ａの一部が熔融ガラスＭＧ中に溶出し、第１の部分１１１ａの損耗が進行する場合がある。このため、第１の部分１１１ａの材料の導電率は、第２の部分１１１ｂの材料の導電率の２０倍以下であることが好ましく、１５倍以下であることがより好ましい。 The conductivity of the material of the first portion 111a is preferably four or more times the conductivity of the material of the second portion 111b in order to enhance the effect of suppressing the generation of the downward flow.
On the other hand, if the conductivity of the material of the first portion 111a is excessively large relative to the conductivity of the material of the second portion 111b, the calorific value of the first portion 111a becomes too large. A part of the portion 111a of 1 may elute into the molten glass MG, and wear of the first portion 111a may progress. For this reason, the conductivity of the material of the first portion 111a is preferably 20 times or less of the conductivity of the material of the second portion 111b, and more preferably 15 times or less.

図５及び図７に示すように、第２の部分１１１ｂが、電極対１１４ａ（第１の電極対）の周りに設けられている場合、第２の部分１１１ｂの材料は、流出口１０４ａに対して電極対１１４ａよりも離れて配置された電極対のうち、電極対１１４ａに最も近い電極対１１４ｂ（第２の電極対）の周りの第３の部分１１１ｃの材料よりも導電率が小さく、かつ、第１の部分１１１ａの材料は、第３の部分１１１ｃの材料よりも導電率が大きいことが好ましい。すなわち、第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃの材料の導電率に関して、第１の部分１１１ａの導電率＞第３の部分１１１ｃの導電率＞第２の部分１１１ｂの導電率、を満たしていることが好ましい。なお、図５及び図７に示す例において、第３の部分１１１ｃは、内側側壁１１０ａ、１１０ｂのうち、電極対１１４ｂ及び電極対１１４ｃを囲むように配置された部分である。図５及び図７において、第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃをそれぞれ、斜線領域で示す。なお、図５及び図７において、第３の部分１１１ｃは、第１の方向に沿った電極対１１４ｂ及び電極１１４ａの中間点を通る、第１の方向と垂直な平面を基準として、電極対１１４ｂが位置する側の内側側壁１１０ａ、１１０ｂの部分に設けられている。第２の部分１１１ｂは、当該平面と、流出口１０４ａが位置する側壁（図３中の右側側壁）との間の内側側壁１１０ａ、１１０ｂの部分に設けられている。
第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃの材料の導電率が、上記した大小関係を満たしていると、第１の部分１１１ａ付近の熔融ガラスＭＧの温度上昇量が、さらにその周囲の熔融ガラスＭＧの温度上昇量に対して大きくなり、熔融ガラスＭＧの間の温度差が強調されるので、流出口１０４ａの近傍での下降流の発生を効果的に抑制できる。 As shown in FIGS. 5 and 7, when the second portion 111 b is provided around the electrode pair 114 a (first electrode pair), the material of the second portion 111 b is to the outlet 104 a. The conductivity of the electrode pair disposed farther than the electrode pair 114a is smaller than that of the material of the third portion 111c around the electrode pair 114b (second electrode pair) closest to the electrode pair 114a, and Preferably, the material of the first portion 111a has a conductivity higher than that of the third portion 111c. That is, regarding the conductivity of the material of the first to third portions 111a to 111c, the conductivity of the first portion 111a> the conductivity of the third portion 111c> the conductivity of the second portion 111b is satisfied. Is preferred. In the example shown in FIGS. 5 and 7, the third portion 111c is a portion of the inner side walls 110a and 110b which is disposed so as to surround the electrode pair 114b and the electrode pair 114c. In FIG. 5 and FIG. 7, the first to third portions 111 a to 111 c are respectively indicated by hatched regions. In FIGS. 5 and 7, the third portion 111c passes through the midpoint between the electrode pair 114b and the electrode 114a along the first direction, with the electrode pair 114b taken as a plane perpendicular to the first direction. Is provided on the portion of the inner side wall 110a, 110b on the side where the. The second portion 111b is provided at a portion of the inner side walls 110a and 110b between the plane and the side wall (right side wall in FIG. 3) where the outlet 104a is located.
When the conductivity of the material of the first to third portions 111a to 111c satisfies the above-mentioned magnitude relationship, the temperature rise amount of the molten glass MG near the first portion 111a further increases the temperature of the molten glass MG around it. As the temperature difference between the molten glass MG is emphasized, the generation of the downward flow near the outlet 104a can be effectively suppressed.

第１の部分１１１ａ付近の熔融ガラスＭＧと、その周囲の熔融ガラスＭＧとの間の温度差を強調する効果を高めるために、第２の部分１１１ｂの材料の導電率は、第３の部分１１１ｃの材料の導電率の１／２倍以下であることが好ましく、第１の部分１１１ａの材料の導電率は、第３の部分１１１ｃの材料の導電率の２倍以上であることが好ましい。
また、上記した導電率（Ｓ／ｍ）の大小関係を満たす、第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃの好ましい電気抵抗率（Ω・ｃｍ）の範囲として、１５００℃において、第１の部分１１１ａの電気抵抗率５０〜９０Ω・ｃｍ、第２の部分１１１ｂの電気抵抗率２００〜６００Ω・ｃｍ、第３の部分１１１ｃの電気抵抗率９０〜４００Ω・ｃｍが挙げられる。
第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃの材料の具体例として、ジルコニア系電鋳耐火物が挙げられる。ジルコニア系電鋳耐火物は、ジルコニア（ＺｒＯ₂）の含有量が９０質量％以上である耐火物である。ジルコニア系電鋳耐火物の好ましい具体例としては、サンゴバン・ティーエム（SAINT-GOBAIN TM）社のＳＣＩＭＯＳシリーズのジルコニア系電鋳耐火物が挙げられ、例えば、第１の部分１１１ａの材料としてＳＣＩＭＯＳＺが挙げられ、第２の部分１１１ｂの材料としてＳＣＩＭＯＳＭＣＺが挙げられ、第３の部分１１１ｃの材料としてＳＣＩＭＯＳＣＺが挙げられる。 The conductivity of the material of the second portion 111b is the third portion 111c in order to enhance the effect of emphasizing the temperature difference between the molten glass MG near the first portion 111a and the molten glass MG around it. The conductivity of the material of the first portion 111a is preferably 1⁄2 or less, and the conductivity of the material of the first portion 111a is preferably twice or more the conductivity of the material of the third portion 111c.
In addition, as a range of preferable electrical resistivity (Ω · cm) of the first to third portions 111a to 111c which satisfy the magnitude relation of the conductivity (S / m) described above, the first portion 111a at 1500 ° C. The electric resistivity of 50 to 90 Ω · cm, the electric resistivity of 200 to 600 Ω · cm of the second portion 111 b, and the electric resistivity of 90 to 400 Ω · cm of the third portion 111 c.
A specific example of the material of the first to third portions 111a to 111c is a zirconia-based electroformed refractory. The zirconia-based electroformed refractory is a refractory having a zirconia (ZrO ₂ ) content of 90% by mass or more. Preferred specific examples of the zirconia-based electroformed refractories include SCIMOS-series zirconia-based electroformed refractories of SAINT-GOBAINTM. For example, SCIMOS Z is used as a material of the first portion 111a. As a material of the second portion 111b, SCIMOS MCZ can be mentioned, and as a material of the third portion 111c, SCIMOS CZ can be mentioned.

第１から第３の部分１１１ａ〜１１１ｃは、図５及び図７に示す例において、いずれも内側側壁の一部を構成するよう配置されているが、このうち少なくとも一部は、内側側壁の一部を構成するよう配置する代わりに、図６及び図８に示す例のように、底壁１１０ｃの一部を構成するよう配置されていてもよい。あるいは、内側側壁の一部及び底壁１１０ｃの一部の両方を構成するよう配置されていてもよい。図６は、図５の熔解槽の変形例を示す図である。図８は、図７の熔解槽の変形例を示す図である。図６及び図８において、第２の部分１１１ｂは、底壁１１０ｃのうち第１耐火物１２１の一部を構成するよう配置されている。なお、図６及び図８に示す例において、電極対１１１ａに隣接する内側側壁の部分（図６及び図８中、電極対１１１ａの周りの斜線のない領域）の材料の導電率も、熔融ガラスＭＧの下降流の発生を抑制する観点から、第１の部分１１１ａの材料の導電率より小さいことが好ましい。 Although the first to third portions 111a to 111c are all arranged to form a part of the inner side wall in the example shown in FIGS. 5 and 7, at least a part of this is one of the inner side walls. Instead of arranging to form a part, it may be arranged to constitute a part of the bottom wall 110c as in the example shown in FIGS. Alternatively, it may be arranged to constitute both a part of the inner side wall and a part of the bottom wall 110c. FIG. 6 is a view showing a modification of the melting tank of FIG. FIG. 8 is a view showing a modification of the melting tank of FIG. In FIG. 6 and FIG. 8, the second portion 111 b is arranged to constitute a part of the first refractory 121 in the bottom wall 110 c. In the example shown in FIGS. 6 and 8, the conductivity of the material of the portion of the inner side wall adjacent to the electrode pair 111a (the region without hatching around the electrode pair 111a in FIGS. 6 and 8) is also the molten glass From the viewpoint of suppressing the generation of the downward flow of MG, the conductivity of the material of the first portion 111a is preferably smaller than that of the first portion 111a.

第１の部分１１１ａは、電極対１１１ａをなす２つの電極を結ぶ方向に沿った流出口１０４ａの両側のそれぞれに、内側側壁１１０ａ、１１０ｂの間の間隔の好ましくは２５％以上、より好ましくは４０％以上、特に好ましくは５０％の範囲にわたって配置されている。これにより、上記２つの電極を結ぶ方向に沿った流出口１０４ａの両側の流出口１０４ａから離れた位置から流出口１０４ａに向かって流れる下降流の発生を抑制できる。なお、図５から図８に示す例において、第１の部分１１１ａは、図３中の左側側壁の全体を構成している。 The first portion 111a is preferably 25% or more, more preferably 40%, of the distance between the inner side walls 110a and 110b on each side of the outlet 104a along the direction connecting two electrodes of the electrode pair 111a. It is disposed over a range of% or more, particularly preferably 50%. As a result, it is possible to suppress the generation of the downward flow flowing toward the outlet 104 a from a position distant from the outlet 104 a on both sides of the outlet 104 a along the direction in which the two electrodes are connected. In the example shown in FIGS. 5 to 8, the first portion 111 a constitutes the entire left side wall in FIG. 3.

本実施形態は、図５に示す例のように、電極対１１４ａ〜１１４ｃが並ぶ方向（第１の方向）において、電極対１１４ａ（第１の電極対）と流出口１０４ａとの間隔Ａは、流出口１０４ａに対して電極対１１４ａよりも離れて配置された電極対のうち、電極対１１４ａに最も近い電極対１１４ｂ（第２の電極対）と電極対１１４ａとの間隔Ｂより長い場合に好適である。間隔Ａを定めるとき、流出口１０４ａとは、図５及び図６に示すように、熔解槽１０１の壁１１０の外側を延びる移送管１０４の部分と接する壁１１０の壁面の部分をいう。電極対１１４ａの間を流れる電流は、電極対１１４ａと電極対１１４ｂの間の中間点を通る、第１の方向と垂直な平面と、第１の部分１１１ａとの間（内側側壁１１０ａ、１１０ｂのそれぞれに設けられた第１の部分１１１ｂの間）に位置する熔融ガラスＭＧ内を流れるとともに、一部は第１の部分１１１ａを流れる。上記した間隔Ａが間隔Ｂよりも長い熔解槽では、間隔Ａが間隔Ｂ以下の長さである場合と比べ、電極対１１４ａから第１の部分１１１ａに流れる電流量が少なく、第１の部分１１１ａの発熱量は少ない。しかし、本実施形態によれば、上述したように、第１の部分１１１ａの材料の導電率が第２の部分１１１ｂの材料の導電率より大きいことによって、間隔Ａが間隔Ｂよりも長い熔解槽を用いて溶解工程を行った場合でも、第１の部分１１１ａの材料の導電率が第２の部分１１１ｂの材料の導電率と等しい場合と比べ、第１の部分１１１ａに流れる電流量が増え、第１の部分１１１ａの発熱量が確保されるため、上記した下降流の発生を抑制する効果が得られる。
間隔Ａの好ましい長さは、例えば、間隔Ｂの長さの１００％を超え、１５０％以下である。 In the present embodiment, as in the example shown in FIG. 5, in the direction (first direction) in which the electrode pairs 114 a to 114 c are arranged, the distance A between the electrode pair 114 a (first electrode pair) and the outflow port 104 a is Among the electrode pairs disposed farther than the electrode pair 114a with respect to the outlet 104a, it is preferable when the distance B between the electrode pair 114b (second electrode pair) closest to the electrode pair 114a and the electrode pair 114a is longer. It is. When defining the interval A, the outlet 104a refers to the portion of the wall of the wall 110 which contacts the portion of the transfer pipe 104 extending outside the wall 110 of the melting tank 101, as shown in FIGS. The current flowing between the electrode pair 114a passes between the plane perpendicular to the first direction and the first portion 111a passing through the midpoint between the electrode pair 114a and the electrode pair 114b (on the inner side walls 110a and 110b). While flowing in the molten glass MG located between the first portions 111b provided in each), a portion flows in the first portion 111a. In the melting tank in which the interval A is longer than the interval B, the amount of current flowing from the electrode pair 114a to the first portion 111a is smaller than in the case where the interval A is equal to or less than the interval B, and the first portion 111a The calorific value of is small. However, according to the present embodiment, as described above, the melting tank is such that the distance A is longer than the distance B because the conductivity of the material of the first portion 111a is higher than the conductivity of the material of the second portion 111b. Even when the dissolution process is performed using the above, the amount of current flowing through the first portion 111a is increased compared to the case where the conductivity of the material of the first portion 111a is equal to the conductivity of the material of the second portion 111b, Since the calorific value of the first portion 111a is secured, the effect of suppressing the generation of the above-described downward flow is obtained.
A preferred length of the spacing A is, for example, more than 100% and less than or equal to 150% of the length of the spacing B.

本実施形態は、図７に示す例のように、電極対１１４ａ〜１１４ｃが並ぶ方向（第１の方向）において、電極対１１４ａ（第１の電極対）と流出口１０４ａとの間隔Ｍは、流出口１０４ａから最も離れて位置する第２の部分１１１ｂの端と電極対１１４ａとの間隔Ｎより長い場合に好適である。間隔Ｍを定めるとき、流出口１０４ａとは、図３中の右側側壁の熔融ガラスＭＧと接する壁面の部分（図７及び図８において、第２の部分１１１ｂと接する第１の部分１１１ａの端）をいう。なお、図７及び図８において、間隔Ｍと間隔Ｎは、便宜的に、等しい長さで示している。電極対１１４ａの間を流れる電流は、内側側壁１１０ａ、１１０ｂのそれぞれに設けられた第１の部分１１１ｂの間（図７及び図８において、電極対１１４ａと電極対１１４ｂの間の中間点を通る、第１の方向と垂直な平面と、第１の部分１１１ａとの間）に位置する熔融ガラスＭＧ内を流れるとともに、一部は第１の部分１１１ａを流れる。上記した間隔Ｍが間隔Ｎよりも長い熔解槽では、図３中の右側側壁から外部に熱が放出され難く、第１の方向の端部における熔融ガラスＭＧの温度は中央部に比べて低くなり難い。その反面、間隔Ｍが間隔Ｎ以下の長さである場合と比べ、電極対１１４ａから第１の部分１１１ａに流れる電流量が少なく、第１の部分１１１ａの発熱量は少ない。しかし、本実施形態によれば、上述したように、第１の部分１１１ａの材料の導電率が第２の部分１１１ｂの材料の導電率より大きいことによって、間隔Ｍが間隔Ｎよりも長い熔解槽を用いて溶解工程を行った場合でも、第１の部分１１１ａの材料の導電率が第２の部分１１１ｂの材料の導電率と等しい場合と比べ、第１の部分１１１ａに流れる電流量が増え、第１の部分１１１ａの発熱量が確保されるため、上記した下降流の発生を抑制する効果が得られる。
間隔Ｍの好ましい長さは、例えば、間隔Ｎの１００％を超え、１５０％以下である。 In the present embodiment, as in the example shown in FIG. 7, in the direction (first direction) in which the electrode pairs 114 a to 114 c are arranged, the distance M between the electrode pair 114 a (first electrode pair) and the outlet 104 a is It is suitable when the distance N between the end of the second portion 111b located farthest from the outlet 104a and the electrode pair 114a is longer. When defining the interval M, the outlet 104a is the portion of the wall surface in contact with the molten glass MG on the right side wall in FIG. 3 (the end of the first portion 111a in contact with the second portion 111b in FIGS. 7 and 8) Say In FIG. 7 and FIG. 8, the space M and the space N are shown with equal lengths for convenience. The current flowing between the electrode pair 114a passes between the first portions 111b provided on each of the inner side walls 110a and 110b (through an intermediate point between the electrode pair 114a and the electrode pair 114b in FIGS. 7 and 8). While flowing in the molten glass MG located in a plane perpendicular to the first direction and between the first portion 111a), and a portion of it flows in the first portion 111a. In the melting tank where the distance M is longer than the distance N, heat is less likely to be released to the outside from the right side wall in FIG. 3, and the temperature of the molten glass MG at the end in the first direction is lower hard. On the other hand, the amount of current flowing from the electrode pair 114a to the first portion 111a is small and the amount of heat generation of the first portion 111a is small, as compared with the case where the distance M is the length N or less. However, according to the present embodiment, as described above, the melting tank is such that the distance M is longer than the distance N because the conductivity of the material of the first portion 111a is higher than the conductivity of the material of the second portion 111b. Even when the dissolution process is performed using the above, the amount of current flowing through the first portion 111a is increased compared to the case where the conductivity of the material of the first portion 111a is equal to the conductivity of the material of the second portion 111b, Since the calorific value of the first portion 111a is secured, the effect of suppressing the generation of the above-described downward flow can be obtained.
A preferred length of the spacing M is, for example, more than 100% and less than or equal to 150% of the spacing N.

熔解工程では、電極対１１４ａ（第１の電極対）の間を流れる電流量Ｉ１を、流出口１０４ａに対して電極対１１４ａよりも離れて配置された電極対のうち、電極対１１４ａに最も近い電極対１１４ｂ（第２の電極対）の間を流れる電流量Ｉ２よりも多くすることが好ましい。これにより、第１の部分１１１ａを流れる電流量Ｉ１が増して第１の部分１１１ａの発熱量がさらに増すため、下降流の発生を抑制する効果が高くなる。具体的には、電極対１１４ａの間を流れる電流量Ｉ１が、電極対１１４ｂの間を流れる電流量Ｉ２よりも多くなるよう、コンピュータが、電極対１１４ａ、１１４ｂを流れる電流を制御する制御信号を、制御ユニットに送ることで、上記した熔解工程が行われる。
下降流を抑制する効果を高めるために、電極対１１４ａの間を流れる電流量Ｉ１は、電極対１１４ｂの間を流れる電流量Ｉ２の２倍以上であることが好ましい。
一方で、電極対１１４ａの間を流れる電流量が、電極対１１４ｂの間を流れる電流量に対して過度に大きいと、第１の部分１１１ａの発熱量が大きくなりすぎ、これにより、第１の部分１１１ａの一部が熔融ガラスＭＧ中に溶出し、第１の部分１１１ａの損耗が進行する場合がある。このため、電極対１１４ａの間を流れる電流量Ｉ１は、電極対１１４ｂの間を流れる電流量Ｉ２の５倍以下であることが好ましく、４倍以下であることがより好ましい。 In the melting step, the amount of current I1 flowing between the electrode pair 114a (first electrode pair) is the closest to the electrode pair 114a among the electrode pairs arranged more distant than the electrode pair 114a with respect to the outlet 104a. The amount of current I2 flowing between the electrode pair 114b (second electrode pair) is preferably larger. As a result, the amount of current I1 flowing through the first portion 111a is increased to further increase the calorific value of the first portion 111a, so that the effect of suppressing the generation of the downward flow is enhanced. Specifically, the computer controls a control signal for controlling the current flowing through the electrode pairs 114a and 114b so that the current amount I1 flowing between the electrode pairs 114a is larger than the current amount I2 flowing between the electrode pairs 114b. By sending to the control unit, the above-mentioned melting process is performed.
In order to enhance the effect of suppressing the downward flow, the amount of current I1 flowing between the electrode pair 114a is preferably at least twice the amount I2 of current flowing between the electrode pair 114b.
On the other hand, if the amount of current flowing between the electrode pair 114a is excessively large with respect to the amount of current flowing between the electrode pair 114b, the calorific value of the first portion 111a becomes too large. A part of the portion 111a may elute into the molten glass MG, and the wear of the first portion 111a may progress. Therefore, the amount of current I1 flowing between the electrode pair 114a is preferably 5 times or less of the amount I2 of current flowing between the electrode pair 114b, and more preferably 4 times or less.

図９は、熔解槽１０１内部の熔融ガラスの流れを説明する図である。
熔解工程では、熔融ガラスＭＧの下層において熔融ガラスＭＧの温度分布に起因した対流が生じないように、熔融ガラスＭＧの深さ方向に沿って下層の温度を、調整することが好ましい。このような熔融ガラスＭＧの流れをつくることにより、流出口１０４ａの近傍で熔融ガラスＭＧの下降流を発生し難くすることができる。熔融ガラスＭＧの下層とは、熔融ガラスＭＧの表層以外の領域をいう。熔融ガラスＭＧの表層とは、液面１０１ｃから熔解槽１０１の底部に向かった深さの５％以下の範囲内の液面１０１ｃを含む領域をいう。なお、流出口１０４ａは、熔解槽１０１の底部に設けられており、熔解槽１０１の底部とは、下層の一部であって、底面側に位置する領域、好ましくは、熔解槽１０１の深さ方向において底面からの高さが、液面１０１ｃと熔解槽１０１の底面との間の深さの１／２の以下である領域をいう。
上記した下層の温度の調整は、具体的には、下層に位置する熔融ガラスＭＧのうち、熔解槽１０１の第１の方向（図３中の左右方向）の両端部に位置する熔融ガラスに与える熱量を少なくとも調整する（大きくする）ことにより、下層における温度分布を均一化させることで行う。このように両端部に位置する熔融ガラスに与える熱量を少なくとも調整するのは、図３中の左右の側壁から外部に熱が放出され易く、上記両端部における熔融ガラスＭＧの温度は中央部に比べて低くなり易いからである。すなわち、温度が低下し易い両端部に位置する熔融ガラスの温度が上昇するように、両端部に位置する熔融ガラスに与える熱量を調整する。このため、温度が低下し易い両端部に位置する熔融ガラスＭＧの温度が上昇するように、図３中の左側側壁のうち液槽を構成する部分（第４の部分）の材料の導電率を、この部分に最も接近して配置された電極対１１４ｃの周りの壁部の材料の導電率よりも大きくすることが好ましい。例えば、第４の部分の材料には、第１の部分１１１ａと同じ材料、あるいは、第１の部分１１１ａの材料よりも導電率が高い材料が用いられる。また、第４の部分は、内側側壁１１０ａ、１１０ｂの間の間隔の好ましくは５０％以上、より好ましくは８０％以上、特に好ましくは１００％の範囲にわたって配置されている。さらに、これらの態様と合わせて、３つの電極対１１４に供給する電力を、第１の方向の中央部の電極対１１４ｂに比べて、両側に位置する電極対１１４ａ、１１４ｃを高く設定することも好ましい。
以上のように熔解工程を行うことにより、熔融ガラスＭＧは、下層における熔融ガラスＭＧの温度分布に起因した対流を起こすことなく、熔融ガラスＭＧの流出口１０４ａからの流出に引っ張られて、図９に示す矢印のように流れる。 FIG. 9 is a view for explaining the flow of molten glass in the melting tank 101.
In the melting step, it is preferable to adjust the temperature of the lower layer along the depth direction of the molten glass MG so that convection caused by the temperature distribution of the molten glass MG does not occur in the lower layer of the molten glass MG. By creating such a flow of molten glass MG, it is possible to make it difficult to generate a downward flow of molten glass MG in the vicinity of the outlet 104 a. The lower layer of the molten glass MG refers to a region other than the surface layer of the molten glass MG. The surface layer of the molten glass MG refers to a region including the liquid surface 101 c within 5% or less of the depth from the liquid surface 101 c toward the bottom of the melting tank 101. The outlet 104 a is provided at the bottom of the melting tank 101, and the bottom of the melting tank 101 is a part of the lower layer and is a region located on the bottom side, preferably the depth of the melting tank 101. It refers to a region in which the height from the bottom in the direction is less than or equal to 1⁄2 of the depth between the liquid surface 101 c and the bottom of the melting tank 101.
Specifically, the adjustment of the temperature of the lower layer described above is given to the molten glass positioned at both ends in the first direction (left and right direction in FIG. 3) of the melting tank 101 among the molten glass MG positioned in the lower layer. It is carried out by homogenizing the temperature distribution in the lower layer by at least adjusting (increasing) the amount of heat. As described above, at least the amount of heat given to the molten glass positioned at both ends is adjusted so that heat is easily released to the outside from the left and right side walls in FIG. 3 and the temperature of the molten glass MG at the both ends is higher than that at the central portion. It is easy to get low. That is, the amount of heat given to the molten glass located at both ends is adjusted so that the temperature of the molten glass located at the both ends where the temperature tends to decrease is increased. For this reason, the conductivity of the material of the portion (fourth portion) constituting the liquid tank in the left side wall in FIG. 3 is set so that the temperature of the molten glass MG located at both end portions where the temperature tends to decrease Preferably, the conductivity of the material of the wall around the electrode pair 114c disposed closest to this portion is larger than that of the material. For example, as the material of the fourth portion, the same material as that of the first portion 111a or a material whose conductivity is higher than that of the material of the first portion 111a is used. Also, the fourth portion is disposed over preferably 50%, more preferably 80%, and particularly preferably 100% of the distance between the inner side walls 110a and 110b. Furthermore, in combination with these embodiments, the power supplied to the three electrode pairs 114 may be set higher for the electrode pairs 114a and 114c located on both sides compared to the electrode pair 114b at the central portion in the first direction. preferable.
By performing the melting step as described above, the molten glass MG is pulled by the outflow from the outlet 104 a of the molten glass MG without causing convection due to the temperature distribution of the molten glass MG in the lower layer, as shown in FIG. It flows like the arrow shown.

本実施形態によれば、第１の部分１１１ａの材料の導電率が、第２の部分１１１ｂの材料の導電率より大きいことによって、流出口１０４ａの近傍で、熔融ガラスＭＧの液面付近から下方向に向かって流れる下降流の発生が抑制される。このため、熔融ガラスＭＧの液面に浮遊する未熔解のガラス原料や、液面付近に存在する半熔融状態のガラス原料が、周囲の熔融ガラスＭＧと十分に混ざりあうことなく下降し、流出口１０４ａから流出することが抑制される。特に、ＳｉＯ_２（シリカ）等の熔解性の低い（熔解温度が高い）原料成分は熔け難く、液面に異質素地として浮遊する場合があるため、このように下降流の発生を抑制できることは有効である。また、下降流の発生を抑制する効果によって、熔融ガラスＭＧ内に生じている下降流に異質素地が残らない程度に下降流の速度を低減することができる。
このようにして、成形されたガラス基板において脈理等が発生してガラス品質が低下することが抑制される。 According to the present embodiment, the conductivity of the material of the first portion 111a is higher than the conductivity of the material of the second portion 111b, whereby the vicinity of the liquid surface of the molten glass MG from the vicinity of the liquid surface of the molten glass MG is lowered. The generation of the downward flow flowing in the direction is suppressed. Therefore, the unmelted glass raw material floating on the liquid surface of the molten glass MG and the semi-molten glass raw material existing near the liquid level descend without sufficiently mixing with the surrounding molten glass MG, and the outlet It is suppressed from flowing out of 104a. In particular, raw material components with low meltability (high melting temperature) such as SiO ₂ (silica) are difficult to melt and may float on the liquid surface as heterogeneous substrates, so it is effective to be able to suppress the occurrence of downflow in this way It is. In addition, due to the effect of suppressing the generation of the downward flow, the speed of the downward flow can be reduced to such an extent that the foreign substance does not remain in the downward flow occurring in the molten glass MG.
In this manner, it is possible to suppress the occurrence of striae and the like in the formed glass substrate and the deterioration of the glass quality.

本実施形態が適用されるガラス基板は、例えば以下の組成を含む無アルカリガラスからなる。
ＳｉＯ_２：５５−８０質量％
Ａｌ_２Ｏ_３：８−２０質量％
Ｂ_２Ｏ_３：０−１８質量％
ＲＯ０〜１７モル％（ＲＯはＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)、
Ｒ’₂Ｏ０〜２モル％（Ｒ’₂ＯはＬｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ及びＫ₂Ｏの合量)。 The glass substrate to which this embodiment is applied is made of, for example, non-alkali glass containing the following composition.
SiO ₂ : 55% to 80% by mass
Al ₂ O ₃ : 8-20% by mass
B ₂ O ₃ : 0-18 mass%
RO 0 to 17 mol% (RO is the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO),
R _'2 O 0 to 2 mol% (R' ₂ O is Li ₂ O, the total content of Na ₂ O and K ₂ O).

ＳｉＯ_２は６０〜７５質量％、さらには、６３〜７２質量％であることが、熱収縮率を小さくするという観点から好ましい。
ＲＯのうち、ＭｇＯが０〜１０質量％、ＣａＯが０〜１０質量％、ＳｒＯが０〜１０質量％、ＢａＯが０〜１０質量％であることが好ましい。 The content of SiO ₂ is preferably 60 to 75% by mass, and more preferably 63 to 72% by mass from the viewpoint of reducing the thermal contraction rate.
Among RO, it is preferable that MgO is 0 to 10% by mass, CaO is 0 to 10% by mass, SrO is 0 to 10% by mass, and BaO is 0 to 10% by mass.

また、ＳｉＯ２、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、及びＲＯを少なくとも含み、モル比（（２×ＳｉＯ２）＋Ａｌ₂Ｏ₃）／（（２×Ｂ₂Ｏ₃）＋ＲＯ）は４．５以上であるガラスであってもよい。また、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、及びＢａＯの少なくともいずれか含み、モル比（ＢａＯ＋ＳｒＯ）／ＲＯは０．１以上であることが好ましい。 _{_{Further, SiO2, Al 2 O 3,}} B 2 O 3, and at least includes an RO, the molar ratio ((2 × SiO2) + Al 2 O 3) / ((2 × B 2 O 3) + RO) is 4.5 or more It may be glass. Further, it is preferable that at least one of MgO, CaO, SrO, and BaO is included, and the molar ratio (BaO + SrO) / RO is 0.1 or more.

また、質量％表示のＢ₂Ｏ₃の含有率の２倍と質量％表示のＲＯの含有率の合計は、３０質量％以下、好ましくは１０〜３０質量％であることが好ましい。
さらに、熔融ガラス中で価数変動する金属の酸化物（酸化スズ、酸化鉄）を合計で０．０５〜１．５質量％含んでいることが好ましい。
ＡＳ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＰｂＯを実質的に含まないことが好ましいが、これらを任意に含んでいてもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物（酸化スズ、酸化鉄）を合計で０．０５〜１．５質量％含み、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３及びＰｂＯを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。 The total content of double mass percentages of the RO for the content of the mass percentages of B ₂ O ₃ is 30 wt% or less, it is preferred that preferably 10 to 30 mass%.
Furthermore, it is preferable that a total of 0.05 to 1.5% by mass of metal oxides (tin oxide, iron oxide) whose valences fluctuate in the molten glass.
Although it is preferable to be substantially free of AS ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ and PbO, they may be optionally included.
In addition, it contains 0.05 to 1.5 mass% in total of metal oxides (tin oxide, iron oxide) whose valences fluctuate in glass, and substantially contains As ₂ O ₃ , Sb ₂ O ₃ and PbO. It is not essential but optional.

本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を含むディスプレイ用ガラス基板に好適である。ＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素）等の酸化物半導体を使用した酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びＬＴＰＳ（低温度ポリシリコン）半導体を使用したＬＴＰＳディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、本実施形態で製造されるガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が極めて少ないことが求められる液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板にも好適である。言い換えると、本実施形態のガラス基板の製造方法は、ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適であり、特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適である。その他、携帯端末機器などのディスプレイや筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。特に、ポリシリコンＴＦＴを用いた液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。
また、本実施形態で製造されるガラス基板は、カバーガラス、磁気ディスク用ガラス、太陽電池用ガラス基板などにも適用することが可能である。 The glass substrate manufactured by this embodiment is suitable for the glass substrate for displays containing the glass substrate for flat panel displays. It is suitable for a glass substrate for an oxide semiconductor display using an oxide semiconductor such as IGZO (indium, gallium, zinc, oxygen) and a glass substrate for an LTPS display using an LTPS (low temperature polysilicon) semiconductor. Moreover, the glass substrate manufactured by this embodiment is suitable for the glass substrate for liquid crystal displays in which it is calculated | required that content of an alkali metal oxide is very small. Moreover, it is suitable also for the glass substrate for organic electroluminescent displays. In other words, the method for producing a glass substrate of the present embodiment is suitable for producing a glass substrate for a display, and is particularly suitable for producing a glass substrate for a liquid crystal display. In addition, it can be used as a display for a mobile terminal device or the like, a cover glass for a housing, a touch panel, a glass substrate of a solar cell, or a cover glass. In particular, it is suitable for a glass substrate for a liquid crystal display using a polysilicon TFT.
In addition, the glass substrate manufactured in the present embodiment can be applied to a cover glass, a glass for a magnetic disk, a glass substrate for a solar cell, and the like.

以上、本発明のガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。 As mentioned above, although the manufacturing method and the glass substrate manufacturing apparatus of this invention were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, various improvement and change are made. Of course it is good.

１００熔解装置
１０１熔解槽
１０２清澄管
１０３撹拌槽
１０４、１０５移送管
１０４ａ流出口
１０６ガラス供給管
１０７撹拌機
１０８成形装置
１０９切断装置
１１０壁
１１０ａ、１１０ｂ内側側壁
１１１ａ第１の部分
１１１ｂ第２の部分
１１１ｃ第３の部分
１１４電極対
ＭＧ熔融ガラス
ＳＧシートガラス DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 melting apparatus 101 melting tank 102 clear tube 103 stirring tank 104, 105 transfer pipe 104a outlet 106 glass supply pipe 107 stirrer 108 forming apparatus 109 cutting apparatus 110 wall 110a, 110b inner side wall 111a first portion 111b second portion 111c third portion 114 electrode pair MG molten glass SG sheet glass

Claims

A glass substrate manufacturing apparatus,
Equipped with a melting tank for melting glass raw materials and producing molten glass,
The melting tank intersects with a wall portion in contact with the molten glass, a plurality of electrode pairs provided on a side wall of the wall portion surrounding the molten glass, and a direction in which the plurality of electrode pairs are arranged in the side wall And an outlet for letting the molten glass flow out.
The material of the first portion of the wall portion around the outlet is more conductive than the material of the second portion located farther from the outlet than the first portion. A glass substrate manufacturing apparatus characterized by

The second portion is provided around a first electrode pair of the electrode pair disposed closest to the outlet.
The material of the second portion has a lower conductivity than the material of the third portion around the second electrode pair disposed farther from the outlet than the first electrode pair,
The glass substrate manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the material of the first portion has a conductivity higher than the material of the third portion.

In the direction in which the electrode pairs are arranged, a distance M between a first electrode pair of the electrode pairs disposed closest to the outlet and the outlet is the most distant from the outlet. The glass substrate manufacturing apparatus of Claim 1 or 2 longer than the space | interval N of the end of a 2nd part and a said 1st electrode pair.

The first portion is disposed on the both sides of the outlet along the direction connecting two electrodes forming the electrode pair in a range of 25% or more of the distance between the side walls provided with the electrodes. The glass substrate manufacturing apparatus of any one of Claim 1 to 3.

The amount of current flowing between the first electrode pair disposed closest to the outlet of the electrode pair is a second amount of the second electrode disposed farther with respect to the outlet than the first electrode pair The glass substrate manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of current flowing between the pair of electrodes is larger than the amount of current flowing between the pair of electrodes.

The glass substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein the magnitude of the conductivity of the material of the first portion is not more than 20 times the magnitude of the conductivity of the material of the second portion. manufacturing device.

A method of manufacturing a glass substrate,
There is a melting process of melting glass raw materials using a melting tank and making molten glass,
The melting tank intersects with a wall portion in contact with the molten glass, a plurality of electrode pairs provided on a side wall of the wall portion surrounding the molten glass, and a direction in which the plurality of electrode pairs are arranged in the side wall And an outlet for letting the molten glass flow out.
The material of the first portion of the wall portion around the outlet is more conductive than the material of the second portion located farther from the outlet than the first portion. The manufacturing method of the glass substrate characterized by the above.

In the melting step, the amount of current flowing between the first electrode pair disposed closest to the outlet of the electrode pair is separated from the outlet relative to the first electrode pair. The manufacturing method of the glass substrate of Claim 7 made more than the electric current amount which flows between the arrange | positioned 2nd electrode pair.