JP2015196609A - Manufacturing method for glass substrate and manufacturing apparatus for glass substrate - Google Patents

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慎吾 藤本
Shingo Fujimoto
慎吾 藤本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a heterogeneous base material containing a silica component much from flowing out from a dissolution bath.SOLUTION: A dissolution bath includes: a first side wall arranged in a front-rear direction; a second side wall arranged in parallel with the first side wall at an interval; a plurality of electrode pairs comprising a plurality of electrodes provided on the first side wall in the front-rear directions at intervals and a plurality of electrodes provided on the second side wall in the front-rear directions at intervals; and a front side wall connecting front end parts of the first side wall and second side wall to each other and a rear side wall connecting rear-side end parts of the first side wall and second side wall to each other. The distance between the rear-side electrode pair closest to the rear side wall among the plurality of electrode pairs to the rear side wall is shorter than a distance which is a half of the distance to another electrode pair adjoining the front side of the rear-side electrode pair. In dissolution process, a current is supplied between the rear-side electrode pairs so as to heat a molten glass between the rear-side electrode pairs and the rear side wall.

Description

本発明は、ガラス基板を製造するガラス基板の製造方法およびガラス基板の製造装置に関する。   The present invention relates to a glass substrate manufacturing method and a glass substrate manufacturing apparatus for manufacturing a glass substrate.

ガラス基板は、一般的に、ガラス原料から熔融ガラスを生成させた後、熔融ガラスをガラス基板へと成形する工程を経て製造される。上記の工程中には、ガラス原料を熔解させて熔融ガラスを生成させる熔解処理が含まれる。   Generally, a glass substrate is produced through a process of forming molten glass from a glass raw material and then forming the molten glass into a glass substrate. The above process includes a melting process in which a glass raw material is melted to produce a molten glass.

熔解処理を行う熔解槽には、対向する側壁に電極対が設けられ、熔解槽に収容される熔融ガラスに対して電極対により通電をすることで熔融ガラスを加熱し(通電加熱)、加熱された熔融ガラスにガラス原料を投入することでガラス原料を熔解させることが行われている(例えば、特許文献1参照)。   In the melting tank that performs the melting treatment, electrode pairs are provided on opposite side walls, and the molten glass is heated by energizing the molten glass accommodated in the melting tank with the electrode pair (electric heating) and heated. The glass raw material is melted by introducing the glass raw material into the molten glass (see, for example, Patent Document 1).

特開2014−9133号公報JP 2014-9133 A

ところで、熔解槽に投入されるガラス原料のうち、シリカ成分は、ガラス原料の他の成分よりも熔解しにくい。このため、シリカ成分が多い異質素地が熔融ガラスの液面に集まる傾向がある。特に、熔解槽から熔融ガラスが排出される排出部の液面付近では熔融ガラスが長く留まり、溶融ガラスが高い温度で長時間保持されることで熔解しにくい異質素地の生成が顕著である。   By the way, among the glass raw materials put into the melting tank, the silica component is harder to melt than the other components of the glass raw material. For this reason, there exists a tendency for the heterogeneous substrate with many silica components to gather on the liquid level of molten glass. In particular, the molten glass stays long in the vicinity of the liquid surface of the discharge portion where the molten glass is discharged from the melting tank, and the formation of a heterogeneous base that is difficult to melt is remarkable when the molten glass is held at a high temperature for a long time.

熔解槽の熔融ガラスは通電加熱されるため、電極対の間が最も温度が高い高温部となり、高温部から離れるほど温度が低い低温部となる。このため、高温部では熔融ガラスの上昇流が生じる一方、低温部では熔融ガラスの下降流が生じる。例えば、熔融ガラスが熔解槽から排出される排出部が設けられる壁面は、一般に電極対から離れた位置にあり、また、外部への放熱により冷却されるため、この壁面に沿って下降流が生じやすい。このため、熔融ガラスの液面に集まった異質素地が排出部の近傍の下降流によって降下し、排出部より排出されるおそれがある。シリカ成分が多い異質素地は粘度が高いため、この異質素地が完全に熔融しないまま熔解槽から排出されると、製造されるガラス基板に脈理が生じるおそれがある。
また、熔融ガラスの電気抵抗は温度が下がると大きくなるため、熔融ガラスの温度が下がると電流が流れにくくなる。このため、電流の流れ方向と垂直な方向において溶融ガラスに温度差が生じ高温部と低温部が形成されると、熔融ガラスの電気抵抗が小さい高温部ほど電気が流れやすく、温度が上がりやすくなる一方、電気抵抗が大きい低温部ほど電気が流れにくく、温度が下がりやすくなる。その結果、高温部と低温部との温度差がさらに大きくなり、局所的な対流が生じ、熔融ガラスの流速が上がるなどによって、下降流が速くなるという問題がある。
Since the molten glass in the melting tank is energized and heated, the space between the electrode pair becomes the highest temperature portion where the temperature is the highest, and the lower the temperature is, the lower the temperature portion becomes. For this reason, while an upward flow of the molten glass occurs in the high temperature portion, a downward flow of the molten glass occurs in the low temperature portion. For example, the wall surface on which the discharge part for discharging molten glass from the melting tank is generally located at a position away from the electrode pair and is cooled by heat radiation to the outside, so that a downward flow occurs along this wall surface. Cheap. For this reason, there is a possibility that the heterogeneous substrate collected on the liquid surface of the molten glass falls due to the downward flow in the vicinity of the discharge part and is discharged from the discharge part. Since the heterogeneous substrate having a large amount of silica component has a high viscosity, if the heterogeneous substrate is discharged from the melting tank without being completely melted, there is a possibility that striae may occur in the manufactured glass substrate.
In addition, since the electric resistance of the molten glass increases as the temperature decreases, current does not flow easily when the temperature of the molten glass decreases. For this reason, if a temperature difference occurs in the molten glass in a direction perpendicular to the flow direction of the current and a high temperature portion and a low temperature portion are formed, electricity flows more easily in the high temperature portion where the electrical resistance of the molten glass is smaller, and the temperature is likely to rise. On the other hand, the lower the temperature of the electrical resistance, the less the electricity flows and the temperature tends to decrease. As a result, there is a problem that the temperature difference between the high temperature portion and the low temperature portion is further increased, local convection is generated, and the flow velocity of the molten glass is increased, so that the downward flow is accelerated.

本発明は、シリカ成分が多い異質素地が熔融せずに熔解槽から流出することを抑制できるガラス基板の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method and manufacturing apparatus of a glass substrate which can suppress that the heterogeneous substrate with many silica components flows out of a melting tank, without melting.

上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、ガラス原料を熔融して熔融ガラスを生成する熔解処理を含むガラス基板の製造方法であって、
前記熔解処理を行う溶解槽は、
前後方向に配置される第1の側壁と、
前記第1の側壁と間隔を空けて平行に配置される第2の側壁と、
前記第1の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極、および、前記第2の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極からなる複数の電極対と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の前側端部同士を接続する前側壁と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の後側端部同士を接続する後側壁と、を備え、
前記複数の電極対のうち、前記後側壁に最も近い後側電極対と前記後側壁との距離は、前記後側電極対の前側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短く、
前記熔解処理において、前記後側電極対の間に電流を流し、前記後側電極対の間の熔融ガラスおよび前記後側壁を加熱することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass substrate including a melting process for melting a glass raw material to produce a molten glass,
The dissolution tank for performing the melting process is:
A first side wall disposed in the front-rear direction;
A second side wall spaced in parallel with the first side wall;
A plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the first side wall; and a plurality of electrode pairs comprising a plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the second side wall;
A front side wall connecting front end portions of the first side wall and the second side wall;
A rear side wall that connects rear end portions of the first side wall and the second side wall, and
Of the plurality of electrode pairs, the distance between the rear electrode pair closest to the rear side wall and the rear side wall is more than half the distance from the other electrode pair adjacent to the front side of the rear electrode pair. Short,
In the melting process, a current is allowed to flow between the rear electrode pair to heat the molten glass and the rear side wall between the rear electrode pair.

前記複数の電極のうち、前記前側壁に最も近い前側電極対と前記前側壁との距離は、前記前側電極対の後側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短く、
前記熔解処理において、前記前側電極対の間に電流を流し、前記前側電極対の間の熔融ガラスおよび前記前側壁を加熱することが好ましい。
Of the plurality of electrodes, the distance between the front electrode pair closest to the front side wall and the front side wall is shorter than half the distance between the other electrode pair adjacent to the rear side of the front electrode pair,
In the melting process, it is preferable that a current is passed between the front electrode pair to heat the molten glass and the front side wall between the front electrode pair.

前記熔解槽は、3対以上の前記電極対を備え、
各電極対を構成する電極の前後方向の幅は同一であることが好ましい。
The melting tank includes three or more pairs of the electrodes,
It is preferable that the width of the electrodes constituting each electrode pair in the front-rear direction is the same.

本発明の第2の態様は、ガラス原料を熔融して熔融ガラスを生成する熔解槽を含むガラス基板の製造装置であって、
前記熔解槽は、
前後方向に配置される第1の側壁と、
前記第1の側壁と間隔を空けて平行に配置される第2の側壁と、
前記第1の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極、および、前記第2の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極からなる複数の電極対と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の前側端部同士を接続する前側壁と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の後側端部同士を接続する後側壁と、を備え、
前記複数の電極対のうち、前記後側壁に最も近い後側電極対と前記後側壁との距離は、前記後側電極対の前側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短いことを特徴とする。
A second aspect of the present invention is a glass substrate manufacturing apparatus including a melting tank that melts a glass raw material to produce a molten glass,
The melting tank is
A first side wall disposed in the front-rear direction;
A second side wall spaced in parallel with the first side wall;
A plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the first side wall; and a plurality of electrode pairs comprising a plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the second side wall;
A front side wall connecting front end portions of the first side wall and the second side wall;
A rear side wall that connects rear end portions of the first side wall and the second side wall, and
Of the plurality of electrode pairs, the distance between the rear electrode pair closest to the rear side wall and the rear side wall is more than half the distance from the other electrode pair adjacent to the front side of the rear electrode pair. It is short.

本発明によれば、後側壁側に設けられた後側電極対の間に電流を流し、後側電極対の間の熔融ガラスおよび後側壁を加熱することで、後側壁の近傍で熔融ガラスが冷却されることで生じる熔融ガラスの下降流を抑制することができる。このため、シリカ成分が多い異質素地が、熔融せずに下降流によって熔融ガラスの液面から降下して熔融せずに排出されることを抑制することができる。   According to the present invention, the molten glass is heated in the vicinity of the rear side wall by flowing a current between the rear side electrode pair provided on the rear side wall side and heating the molten glass and the rear side wall between the rear side electrode pair. The downward flow of the molten glass caused by cooling can be suppressed. For this reason, it can suppress that the heterogeneous base material with many silica components descend | falls from the liquid level of a molten glass by a downward flow without melting, and is discharged | emitted without melting.

ガラス基板の製造方法のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of the manufacturing method of a glass substrate. ガラス基板の製造装置の概略図である。It is the schematic of the manufacturing apparatus of a glass substrate. 図1に示す熔解槽の斜視図である。It is a perspective view of the melting tank shown in FIG. 図3のIV-IV矢視断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG. 3. 図4のV−V矢視断面図である。It is a VV arrow sectional view of Drawing 4. 比較例の熔解槽の水平断面図である。It is a horizontal sectional view of the melting tank of a comparative example. 図6のVII−VII矢視断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along arrow VII-VII in FIG. 6. 実施例の熔解槽内のシミュレーションによる温度分布図である。It is a temperature distribution map by the simulation in the melting tank of an Example. 比較例の熔解槽内のシミュレーションによる温度分布図である。It is a temperature distribution figure by simulation in the melting tank of a comparative example. 実施例の熔解槽の熔融ガラスの流速をシミュレーションした流速分布図である。It is the flow velocity distribution diagram which simulated the flow velocity of the molten glass of the melting tank of an Example. 比較例の熔解槽の熔融ガラスの流速をシミュレーションした流速分布図である。It is the flow velocity distribution map which simulated the flow velocity of the molten glass of the melting tank of a comparative example.

以下、本発明のガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置について説明する。
(ガラス基板の製造方法の全体概要)
図1は、本実施形態のガラス基板の製造方法の工程の一例を示す図である。ガラス基板の製造方法は、熔解工程(ST1)、清澄工程(ST2)、均質化工程(ST3)、供給工程(ST4)、成形工程(ST5)、徐冷工程(ST6)、および、切断工程(ST7)を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有してもよい。製造されたガラス基板は、必要に応じて梱包工程で積層され、納入先の業者に搬送される。
The glass substrate manufacturing method and glass substrate manufacturing apparatus of the present invention will be described below.
(Overall overview of glass substrate manufacturing method)
Drawing 1 is a figure showing an example of a process of a manufacturing method of a glass substrate of this embodiment. The glass substrate manufacturing method includes a melting step (ST1), a clarification step (ST2), a homogenization step (ST3), a supply step (ST4), a molding step (ST5), a slow cooling step (ST6), and a cutting step ( ST7) is mainly included. In addition, a grinding process, a polishing process, a cleaning process, an inspection process, a packing process, and the like may be included. The manufactured glass substrate is laminated in a packing process as necessary, and is transported to a supplier.

熔解工程(ST1)では、ガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作る。熔融ガラスの加熱は、熔融ガラス自身に電気を流して発熱させて加熱する通電加熱により行うことができる。さらに、バーナーの火焔による補助的に加熱しガラス原料を熔解することもできる。
なお、熔融ガラスは、清澄剤を含有する。清澄剤として、酸化スズ、亜ヒ酸、アンチモン等が知られているが、特に制限されない。しかし、環境負荷低減の点から、清澄剤として酸化スズを用いることが好ましい。
In the melting step (ST1), molten glass is made by heating the glass raw material. The molten glass can be heated by energization heating in which electricity is supplied to the molten glass to generate heat. Further, the glass raw material can be melted by auxiliary heating with a burner flame.
In addition, molten glass contains a clarifier. As a fining agent, tin oxide, arsenous acid, antimony, and the like are known, but not particularly limited. However, it is preferable to use tin oxide as a clarifying agent from the viewpoint of reducing environmental burden.

清澄工程(ST2)では、熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれる酸素、CO2あるいはSO2を含んだ泡が発生する。この泡が清澄剤の還元反応により生じた酸素を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して放出される。その後、清澄工程では、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスの温度を制御することにより行われる。
なお、清澄工程は、熔融ガラスに存在する泡を減圧雰囲気で成長させて脱泡させる減圧脱泡方式を用いることもできる。減圧脱泡方式は、清澄剤を用いない点で有効である。しかし、減圧脱泡方式は装置が複雑化及び大型化する。このため、清澄剤を用い、熔融ガラス温度を上昇させる清澄方法を採用することが好ましい。
In the clarification step (ST2), when the molten glass is heated, bubbles containing oxygen, CO 2 or SO 2 contained in the molten glass are generated. This bubble grows by absorbing oxygen generated by the reductive reaction of the fining agent, and floats on the liquid surface of the molten glass and is released. Thereafter, in the clarification step, by reducing the temperature of the molten glass, the reducing substance obtained by the reduction reaction of the clarifier undergoes an oxidation reaction. Thereby, gas components, such as oxygen in the bubble which remain | survives in molten glass, are reabsorbed in molten glass, and a bubble lose | disappears. The oxidation reaction and reduction reaction by the fining agent are performed by controlling the temperature of the molten glass.
In addition, the clarification process can also use the reduced pressure defoaming system which grows the bubble which exists in molten glass in a reduced pressure atmosphere, and defoams. The vacuum degassing method is effective in that no clarifier is used. However, the vacuum degassing method makes the apparatus complicated and large. For this reason, it is preferable to employ | adopt the clarification method which raises molten glass temperature using a clarifier.

均質化工程(ST3)では、スターラを用いて熔融ガラスを攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。これにより、脈理等の原因であるガラスの組成ムラを低減することができる。
供給工程(ST4)では、攪拌槽された熔融ガラスが成形装置に供給される。
In the homogenization step (ST3), the glass component is homogenized by stirring the molten glass using a stirrer. Thereby, the composition unevenness of the glass which is a cause of striae or the like can be reduced.
In the supplying step (ST4), the molten glass that has been stirred is supplied to the molding apparatus.

成形工程(ST5)及び徐冷工程(ST6)は、成形装置で行われる。
成形工程(ST5)では、熔融ガラスをシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、オーバーフローダウンドロー法が用いられる。
徐冷工程(ST6)では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程(ST7)では、徐冷後のシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。
The molding step (ST5) and the slow cooling step (ST6) are performed by a molding apparatus.
In the forming step (ST5), the molten glass is formed into a sheet glass to make a flow of the sheet glass. An overflow downdraw method is used for molding.
In the slow cooling step (ST6), the sheet glass that has been formed and flowed is cooled to a desired thickness, so that internal distortion does not occur and warpage does not occur.
In the cutting step (ST7), the sheet glass after slow cooling is cut into a predetermined length to obtain a plate-like glass substrate. The cut glass substrate is further cut into a predetermined size to produce a glass substrate having a target size.

図2は、本実施形態における熔解工程(ST1)〜切断工程(ST7)を行うガラス基板の製造装置の概略図である。ガラス基板の製造装置は、図2に示すように、主に熔解装置100と、成形装置200と、切断装置300と、を有する。熔解装置100は、熔解槽110と、清澄管102と、攪拌槽103と、移送管104、105と、ガラス供給管106と、を有する。
図2に示す熔解槽110には、図示されないバーナー等の加熱手段が設けられている。熔解槽には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程(ST1)が行われる。熔解槽110で熔融した熔融ガラスは、移送管104を介して清澄管102に供給される。
清澄管102では、熔融ガラスMGの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄工程(ST2)が行われる。清澄後の熔融ガラスは、移送管105を介して攪拌槽103に供給される。
攪拌槽103では、スターラ103aによって熔融ガラスが攪拌されて均質化工程(ST3)が行われる。攪拌槽103で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管106を介して成形装置200に供給される(供給工程ST4)。
成形装置200では、オーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスが成形され(成形工程ST5)、徐冷される(徐冷工程ST6)。
切断装置300では、シートガラスから切り出された板状のガラス基板が形成される(切断工程ST7)。
FIG. 2 is a schematic view of a glass substrate manufacturing apparatus that performs the melting step (ST1) to the cutting step (ST7) in the present embodiment. As shown in FIG. 2, the glass substrate manufacturing apparatus mainly includes a melting apparatus 100, a forming apparatus 200, and a cutting apparatus 300. The melting apparatus 100 includes a melting tank 110, a clarification pipe 102, a stirring tank 103, transfer pipes 104 and 105, and a glass supply pipe 106.
The melting tank 110 shown in FIG. 2 is provided with heating means such as a burner (not shown). A glass raw material to which a clarifying agent is added is charged into the melting tank, and a melting step (ST1) is performed. The molten glass melted in the melting tank 110 is supplied to the clarification tube 102 via the transfer tube 104.
In the clarification tube 102, the temperature of the molten glass MG is adjusted, and the clarification step (ST2) of the molten glass is performed using the oxidation-reduction reaction of the clarifier. The clarified molten glass is supplied to the stirring vessel 103 through the transfer pipe 105.
In the stirring vessel 103, the molten glass is stirred by the stirrer 103a and the homogenization step (ST3) is performed. The molten glass homogenized in the stirring tank 103 is supplied to the forming apparatus 200 through the glass supply pipe 106 (supply process ST4).
In the forming apparatus 200, a sheet glass is formed from molten glass by an overflow down draw method (forming step ST5) and gradually cooled (slow cooling step ST6).
In the cutting device 300, a plate-shaped glass substrate cut out from the sheet glass is formed (cutting step ST7).

(熔解槽の構成)
次に、図3〜図5を参照して、熔解槽110の構成について説明する。図3は、熔解槽110の斜視図であり、図4は図3のIV−IV矢視断面図であり、図5は図4のV−V矢視断面図である。
図3〜図5に示すように、熔解槽110は、前側壁120と、後側壁130と、第1の側壁140と、第2の側壁150と、底部160と、迫部170と、後側電極対181と、前側電極対182と、電源装置190と、を備える。なお、図3〜図5における左側が前側であり、図3〜図5における右側が後側である。
(Configuration of melting tank)
Next, with reference to FIGS. 3-5, the structure of the melting tank 110 is demonstrated. 3 is a perspective view of the melting tank 110, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along arrows IV-IV in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along arrows V-V in FIG.
As shown in FIGS. 3 to 5, the melting tank 110 includes a front side wall 120, a rear side wall 130, a first side wall 140, a second side wall 150, a bottom part 160, a compression part 170, and a rear side. An electrode pair 181, a front electrode pair 182, and a power supply device 190 are provided. 3 to 5 is the front side, and the right side in FIGS. 3 to 5 is the rear side.

前側壁120は、図5に示すように、底部160の前側端部に鉛直に設けられる。前側壁120は第1の側壁140および第2の側壁150の前側端部同士を接続する。
後側壁130は、図5に示すように、底部160の前側壁120とは反対側の端部(後側端部)に鉛直に設けられている。後側壁130は第1の側壁140および第2の側壁150の後側端部同士を接続する。
第1の側壁140は、図4に示すように、前側壁120の一方の端部から後側壁130の一方の端部まで延在するように、底部160から鉛直に設けられている。
第2の側壁150は、図4に示すように、前側壁120の他方の端部から後側壁130の他方の端部まで延在し、前側壁120と後側壁130との間の空間を第1の側壁140との間に挟むように、底部160から鉛直に設けられている。
底部160は、前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150の下端部を接続するように水平に設けられている。
排出部131は、底部160の前側壁120よりも後側壁130に近い領域、または、後側壁130に設けられる。なお、図3〜図5において、排出部131は後側壁130に設けられている。熔解槽110内の熔融ガラスは、排出部131から移送管104に排出される。
As shown in FIG. 5, the front side wall 120 is provided vertically at the front end portion of the bottom portion 160. The front side wall 120 connects the front end portions of the first side wall 140 and the second side wall 150.
As shown in FIG. 5, the rear side wall 130 is provided vertically at the end (rear side end) of the bottom 160 opposite to the front side wall 120. The rear side wall 130 connects the rear end portions of the first side wall 140 and the second side wall 150.
As shown in FIG. 4, the first side wall 140 is provided vertically from the bottom 160 so as to extend from one end of the front side wall 120 to one end of the rear side wall 130.
As shown in FIG. 4, the second side wall 150 extends from the other end of the front side wall 120 to the other end of the rear side wall 130, and the second side wall 150 forms a space between the front side wall 120 and the rear side wall 130. 1 is provided vertically from the bottom 160 so as to be sandwiched between the first side wall 140 and the first side wall 140.
The bottom 160 is horizontally provided so as to connect the lower end portions of the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, and the second side wall 150.
The discharge part 131 is provided in a region closer to the rear side wall 130 than the front side wall 120 of the bottom part 160, or in the rear side wall 130. 3 to 5, the discharge part 131 is provided on the rear side wall 130. The molten glass in the melting tank 110 is discharged from the discharge unit 131 to the transfer pipe 104.

図3に破線で示す迫部170は、熔解槽110の気相空間を閉じる天井壁である。迫部170には、ガラス原料が投入される投入部171、バーナー172等が設けられている。投入部171は迫部170の前側(図3における左側)、すなわち、排出部131と反対側に設けられている。なお、図5においては、迫部170を省略している。
投入部171から投入される原料ガラスは、前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150、底部160、および、迫部170に囲まれた空間に貯留され熔融される。
A pressing portion 170 indicated by a broken line in FIG. 3 is a ceiling wall that closes the gas phase space of the melting tank 110. The pressing portion 170 is provided with a charging portion 171 into which a glass raw material is charged, a burner 172, and the like. The insertion portion 171 is provided on the front side (left side in FIG. 3) of the compression portion 170, that is, on the opposite side to the discharge portion 131. In FIG. 5, the abutment portion 170 is omitted.
The raw glass charged from the charging portion 171 is stored and melted in a space surrounded by the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, the second side wall 150, the bottom portion 160, and the compression portion 170. .

前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150、底部160、および、迫部170には、優れた耐火性を有し、かつ、強度(剛性)が高い部材を用いることができる。具体的には、電鋳耐火物、耐火レンガや耐火断熱レンガを用いることができる。
特に、前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150、および底部160の熔融ガラスと接触する層には、優れた耐火性を有し、かつ強度(剛性)が高く、溶融ガラスからの浸食に長期にわたって耐え、かつ電気抵抗率が高い部材が用いられる。具体的には、電鋳耐火物を用いることができ、特にジルコニア電鋳耐火物を用いることが好ましい。
For the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, the second side wall 150, the bottom part 160, and the compression part 170, members having excellent fire resistance and high strength (rigidity) are used. be able to. Specifically, an electroformed refractory, a refractory brick or a refractory heat insulating brick can be used.
In particular, the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, the second side wall 150, and the layer contacting the molten glass of the bottom 160 have excellent fire resistance and high strength (rigidity). A member that can withstand erosion from molten glass for a long period of time and has a high electrical resistivity is used. Specifically, an electrocast refractory can be used, and it is particularly preferable to use a zirconia electrocast refractory.

前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150、および底部160の熔融ガラスと接触する層よりも外側には、複数層からなる断熱層が設けられている。断熱層は、前側壁120、後側壁130、第1の側壁140、第2の側壁150、および底部160の熔融ガラスと接触する層の放熱量を小さくする役割を果たす。なお、図4、図5では、3層の断熱層が設けられている。断熱層には、耐火レンガや耐火断熱レンガを用いることができる。断熱層には、各断熱層で予測される温度に耐えられる耐火性を有する耐火レンガや耐火断熱レンガを用いることができる。例えば、図4、図5に示す3層の断熱層の場合、最も内側の断熱層に高アルミナ質の耐火断熱レンガ、中間の断熱層にはムライト質の耐火断熱レンガ、最も外側の断熱層にはセラミックファイバを用いることができる。   On the outer side of the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, the second side wall 150, and the layer 160 in contact with the molten glass, a heat insulating layer composed of a plurality of layers is provided. The heat insulating layer plays a role of reducing the heat radiation amount of the layer in contact with the molten glass on the front side wall 120, the rear side wall 130, the first side wall 140, the second side wall 150, and the bottom 160. 4 and 5, three heat insulating layers are provided. A fireproof brick or a fireproof heat insulating brick can be used for the heat insulation layer. As the heat insulation layer, fire bricks or fire insulation bricks having fire resistance capable of withstanding the temperature predicted by each heat insulation layer can be used. For example, in the case of the three heat insulation layers shown in FIGS. 4 and 5, the innermost heat insulation layer is a high alumina fireproof insulation brick, the middle heat insulation layer is a mullite fireproof heat insulation brick, and the outermost heat insulation layer. Can use ceramic fiber.

第1の側壁140および第2の側壁150には、前後方向に間隔を空けて複数の電極が設けられている。なお、図3〜図5においては、第1の側壁140に第1電極181a、第3電極182a、第5電極183aが、第2の側壁に第2電極181b、第4電極182b、第6電極183bが設けられている。   A plurality of electrodes are provided on the first side wall 140 and the second side wall 150 at intervals in the front-rear direction. 3 to 5, the first electrode 181a, the third electrode 182a, and the fifth electrode 183a are provided on the first side wall 140, and the second electrode 181b, the fourth electrode 182b, and the sixth electrode are provided on the second side wall. 183b is provided.

後側電極対181は、第1の側壁140の側壁の最も後側壁130側に設けられた第1電極181a、および、第2の側壁150の側壁の最も後側壁130側に設けられた第2電極181bからなる。
前側電極対182は、第1の側壁140の側壁の最も前側壁120側に設けられた第3電極182a、および、第2の側壁150の側壁の最も前側壁120側に設けられた第4電極182bからなる。
図4に示すように、第1電極181aと第2電極181b、第3電極182aと第4電極182bとは対向している。
The rear electrode pair 181 includes a first electrode 181 a provided closest to the rear sidewall 130 of the first sidewall 140 and a second electrode provided closest to the rear sidewall 130 of the second sidewall 150. It consists of an electrode 181b.
The front electrode pair 182 includes a third electrode 182a provided closest to the front sidewall 120 of the first sidewall 140 and a fourth electrode provided closest to the front sidewall 120 of the second sidewall 150. 182b.
As shown in FIG. 4, the first electrode 181a and the second electrode 181b, and the third electrode 182a and the fourth electrode 182b are opposed to each other.

また、後側電極対181と前側電極対182との間に、さらに1又は複数の電極対が設けられていてもよい。図3〜図5においては、後側電極対181と前側電極対182との間に、1対の電極対183が設けられている。電極対183は第5電極183aと第6電極183bとからなる。第5電極183aは第1の側壁140の側壁の第1電極181aと第3電極182aの間に設けられている。第6電極183bは第2の側壁150の側壁の第2電極181bと第4電極182bの間に設けられている。   One or more electrode pairs may be further provided between the rear electrode pair 181 and the front electrode pair 182. 3 to 5, one electrode pair 183 is provided between the rear electrode pair 181 and the front electrode pair 182. The electrode pair 183 includes a fifth electrode 183a and a sixth electrode 183b. The fifth electrode 183a is provided between the first electrode 181a and the third electrode 182a on the side wall of the first side wall 140. The sixth electrode 183b is provided between the second electrode 181b and the fourth electrode 182b on the side wall of the second side wall 150.

第1電極181a、第2電極181b、第3電極182a、第4電極182b、第5電極183aおよび第6電極183bは、耐熱性を有する導電性材料からなる。耐熱性を有する導電性材料として、例えば、酸化スズ、モリブデン、白金等を用いることができる。
好ましくは、酸化スズが用いられ、各電極は、複数の酸化スズのブロックにより、それぞれ一体に形成されている。
第1電極181a、第2電極181b、第3電極182a、第4電極182b、第5電極183aおよび第6電極183bの前後方向の幅は同一であることが好ましい。また、第1電極181a、第2電極181b、第3電極182a、第4電極182b、第5電極183aおよび第6電極183bの高さは、同一であることが好ましい。
The first electrode 181a, the second electrode 181b, the third electrode 182a, the fourth electrode 182b, the fifth electrode 183a, and the sixth electrode 183b are made of a conductive material having heat resistance. As the conductive material having heat resistance, for example, tin oxide, molybdenum, platinum, or the like can be used.
Preferably, tin oxide is used, and each electrode is integrally formed by a plurality of tin oxide blocks.
The first electrode 181a, the second electrode 181b, the third electrode 182a, the fourth electrode 182b, the fifth electrode 183a, and the sixth electrode 183b preferably have the same width in the front-rear direction. The first electrode 181a, the second electrode 181b, the third electrode 182a, the fourth electrode 182b, the fifth electrode 183a, and the sixth electrode 183b preferably have the same height.

本実施形態において、複数の電極対181、182、183のうち、後側壁130に最も近い後側電極対181と後側壁130との距離は、後側電極対181の前側に隣接する他の電極対183との距離の半分の距離よりも短いことが好ましい。なお、図3〜図5においては、後側電極対181と後側壁130との距離がゼロである。   In the present embodiment, among the plurality of electrode pairs 181, 182, 183, the distance between the rear electrode pair 181 closest to the rear side wall 130 and the rear side wall 130 is the other electrode adjacent to the front side of the rear electrode pair 181. It is preferable that the distance is shorter than half the distance to the pair 183. 3 to 5, the distance between the rear electrode pair 181 and the rear side wall 130 is zero.

また、本実施形態において、複数の電極対181、182、183のうち、前側壁120に最も近い前側電極対182と前側壁120との距離は、前側電極対182の後側に隣接する他の電極対183との距離の半分の距離よりも短いことが好ましい。なお、図3〜図5においては、前側電極対182と前側壁120との距離がゼロである。   In the present embodiment, among the plurality of electrode pairs 181, 182, and 183, the distance between the front electrode pair 182 closest to the front side wall 120 and the front side wall 120 is the other distance adjacent to the rear side of the front electrode pair 182. It is preferable that the distance is shorter than half of the distance to the electrode pair 183. 3 to 5, the distance between the front electrode pair 182 and the front side wall 120 is zero.

電源装置190は、後側電極対181の第1電極181aおよび第2電極181bに接続されており、第1電極181aと第2電極181bとの間に電力を供給する。電源装置190が第1電極181aと第2電極181bとの間の熔融ガラスおよび後側壁130に通電することにより、熔融ガラスおよび後側壁130が加熱される。   The power supply device 190 is connected to the first electrode 181a and the second electrode 181b of the rear electrode pair 181 and supplies power between the first electrode 181a and the second electrode 181b. When the power supply device 190 energizes the molten glass and the rear side wall 130 between the first electrode 181a and the second electrode 181b, the molten glass and the rear side wall 130 are heated.

本実施形態においては、後側電極対181と後側壁130との距離が、後側電極対181の前側に隣接する他の電極対183との距離の半分の距離よりも短いため、後側電極対181の間に電流を流し、後側電極対181の間の熔融ガラスおよび後側壁130を加熱することで、後側壁130の近傍で熔融ガラスが冷却されることを抑制することができる。これにより、後側壁130の近傍で生じる冷却された熔融ガラスの下降流を抑制することができる。このため、熔融ガラスの液面に集まったシリカ成分の多い異質素地が、排出部131の近傍の下降流によって熔融ガラスの液面から降下して排出部131より排出されることを抑制することができる。この際、後側壁130の、熔融ガラスに接触する面の平均温度を、熔解槽110内の熔融ガラスの平均温度よりも高くすることが好ましい。   In the present embodiment, since the distance between the rear electrode pair 181 and the rear side wall 130 is shorter than the half of the distance with the other electrode pair 183 adjacent to the front side of the rear electrode pair 181, the rear electrode By flowing an electric current between the pair 181 and heating the molten glass and the rear side wall 130 between the rear electrode pair 181, it is possible to suppress the molten glass from being cooled in the vicinity of the rear side wall 130. Thereby, the downflow of the cooled molten glass produced in the vicinity of the rear side wall 130 can be suppressed. For this reason, it is possible to prevent the heterogeneous substrate having a large amount of silica component collected on the liquid surface of the molten glass from descending from the liquid surface of the molten glass by the downward flow in the vicinity of the discharge unit 131 and being discharged from the discharge unit 131. it can. Under the present circumstances, it is preferable to make the average temperature of the surface which contacts the molten glass of the rear side wall 130 higher than the average temperature of the molten glass in the melting tank 110. FIG.

なお、上述したように熔融ガラスは温度が上昇するほど電気抵抗が小さくなるが、後側壁130を構成する耐火物もまた、温度が上昇するほど電気抵抗が小さくなる。このため、熔融ガラスの熔解温度の付近(特に、無アルカリガラス又は微アルカリガラスの熔解温度の付近)では、後側壁130の電気抵抗も小さくなる。このため、後側壁130の温度を高くしすぎると、後側壁130の電気抵抗が溶融ガラスMGの電気抵抗よりも小さくなる。この状態では、熔融ガラスが加熱されにくくなるだけでなく、後側壁130の過熱により熔解槽110が破損するおそれがある。そのため、後側壁130の温度は、後側壁130の電気抵抗が溶融ガラスMGの電気抵抗よりも大きくなるような温度範囲に調整される。なお、後側電極対181の配置によって調整することができる。また、後側壁130の温度は、断熱層の配置、熱伝導率等によっても調整することができる。   As described above, the molten glass has a lower electrical resistance as the temperature rises, but the refractory constituting the rear side wall 130 also has a lower electrical resistance as the temperature rises. For this reason, in the vicinity of the melting temperature of the molten glass (particularly in the vicinity of the melting temperature of the alkali-free glass or fine alkali glass), the electrical resistance of the rear side wall 130 is also reduced. For this reason, if the temperature of the rear side wall 130 is too high, the electrical resistance of the rear side wall 130 becomes smaller than the electrical resistance of the molten glass MG. In this state, the molten glass is not only easily heated, but the melting tank 110 may be damaged due to overheating of the rear side wall 130. Therefore, the temperature of the rear side wall 130 is adjusted to a temperature range in which the electric resistance of the rear side wall 130 is larger than the electric resistance of the molten glass MG. It can be adjusted by the arrangement of the rear electrode pair 181. Further, the temperature of the rear side wall 130 can be adjusted by the arrangement of the heat insulating layer, the thermal conductivity, and the like.

後側壁130を加熱する効果を充分に得るために、後側電極対181と後側壁130との距離は、後側電極対181と他の電極対183との距離の1/4以下であることが好ましく、第1電極181aが第1の側壁140の内壁面の最後端部に設けられ、かつ、第2電極181bが第2の側壁150の内壁面の最後端部に設けられていることがさらに好ましい。   In order to sufficiently obtain the effect of heating the rear side wall 130, the distance between the rear electrode pair 181 and the rear side wall 130 is ¼ or less of the distance between the rear electrode pair 181 and the other electrode pair 183. Preferably, the first electrode 181a is provided at the rearmost end portion of the inner wall surface of the first side wall 140, and the second electrode 181b is provided at the rearmost end portion of the inner wall surface of the second side wall 150. Further preferred.

また、本実施形態においては、前側電極対182と前側壁120との距離が、前側電極対182の後側に隣接する他の電極対183との距離の半分の距離よりも短いため、前側電極対182の間に電流を流し、前側電極対182の間の熔融ガラスおよび前側壁120を加熱することで、前側壁120の近傍で熔融ガラスが冷却されることを抑制することができる。これにより、前側壁120の近傍で生じる冷却された熔融ガラスの下降流を抑制することができる。このため、熔融ガラスの液面に集まったシリカ成分の多い異質素地が、投入部121の近傍の下降流によって熔融ガラスの液面から降下し、底部160に沿って排出部131側へ移動し、排出部131から排出されることを抑制することができる。この際、前側壁120の温度を熔解槽110内の熔融ガラスの平均温度よりも高くすることが好ましい。   In the present embodiment, the distance between the front electrode pair 182 and the front side wall 120 is shorter than half the distance from the other electrode pair 183 adjacent to the rear side of the front electrode pair 182, so the front electrode By flowing a current between the pair 182 and heating the molten glass and the front side wall 120 between the front electrode pair 182, it is possible to suppress the molten glass from being cooled in the vicinity of the front side wall 120. Thereby, the downward flow of the cooled molten glass produced in the vicinity of the front side wall 120 can be suppressed. For this reason, the heterogeneous substrate with a lot of silica components collected on the liquid surface of the molten glass descends from the liquid surface of the molten glass by the downward flow in the vicinity of the charging unit 121, moves to the discharge unit 131 side along the bottom 160, It is possible to suppress discharge from the discharge unit 131. At this time, the temperature of the front side wall 120 is preferably made higher than the average temperature of the molten glass in the melting tank 110.

前側壁120を加熱する効果を充分に得るために、前側電極対182と前側壁120との距離は、前側電極対182と他の電極対183との距離の1/4以下であることが好ましく、第3電極182aが第1の側壁140の内壁面の最前端部に設けられ、かつ、第4電極182bが第2の側壁150の内壁面の最前端部に設けられていることがさらに好ましい。   In order to sufficiently obtain the effect of heating the front side wall 120, the distance between the front electrode pair 182 and the front side wall 120 is preferably ¼ or less of the distance between the front electrode pair 182 and the other electrode pair 183. More preferably, the third electrode 182a is provided at the foremost end portion of the inner wall surface of the first side wall 140, and the fourth electrode 182b is provided at the foremost end portion of the inner wall surface of the second side wall 150. .

さらに、後側電極対181と前側電極対182との間に電極対183が設けられていると、熔融ガラスの後側電極対181の間の高温領域と、前側電極対182の間の高温領域との間の中央領域において、相対的に低温となることで生じる、熔融ガラスの下降流を抑制することができる。このため、熔融ガラスの液面に集まったシリカ成分の多い異質素地が、中央領域で生じる下降流によって熔融ガラスの液面から降下し、底部160に沿って排出部131側へ移動し、排出部131から排出されることを抑制することができる。   Furthermore, when the electrode pair 183 is provided between the rear electrode pair 181 and the front electrode pair 182, a high temperature region between the rear electrode pair 181 of the molten glass and a high temperature region between the front electrode pair 182 are provided. In the central region between the two, a downward flow of the molten glass caused by a relatively low temperature can be suppressed. For this reason, the heterogeneous substrate having a large amount of silica components collected on the liquid surface of the molten glass descends from the liquid surface of the molten glass due to the downward flow generated in the central region, and moves to the discharge unit 131 side along the bottom 160. It is possible to suppress the discharge from 131.

(ガラス基板の組成)
本実施形態で用いられるガラス基板は、例えば以下の組成を含む。
SiO:50〜70%、
Al:0〜25%、
:1〜15%、
MgO:0〜10%、
CaO:0〜20%、
SrO:0〜20%、
BaO:0〜10%、
RO:5〜30%(ただし、RはMg、Ca、Sr及びBaの合量)、を含有する無アルカリガラス。
なお、ガラス基板Gはアルカリ金属を微量含んだアルカリ微量含有ガラスであってもよい。アルカリ金属を含有させる場合、R’Oの合計が0.10%以上0.5%以下、好ましくは0.20%以上0.5%以下(ただし、R’はLi、Na及びKから選ばれる少なくとも1種であり、ガラス基板が含有するものである)含むことが好ましい。勿論、R’Oの合計が0.10%未満でもよい。
(Composition of glass substrate)
The glass substrate used by this embodiment contains the following compositions, for example.
SiO 2: 50~70%,
Al 2 O 3: 0~25%,
B 2 O 3 : 1 to 15%,
MgO: 0 to 10%,
CaO: 0 to 20%,
SrO: 0 to 20%,
BaO: 0 to 10%,
RO: Alkali-free glass containing 5 to 30% (where R is the total amount of Mg, Ca, Sr and Ba).
The glass substrate G may be a glass containing a trace amount of alkali metal. When an alkali metal is contained, the total of R ′ 2 O is 0.10% or more and 0.5% or less, preferably 0.20% or more and 0.5% or less (where R ′ is selected from Li, Na, and K) It is preferable that the glass substrate contains at least one kind. Of course, the total of R ′ 2 O may be less than 0.10%.

〔実施例〕
図3〜図5に示すように、後側電極対181が後側壁130側の端部に設けられているとともに、前側電極対182が前側壁120側の端部に設けられる熔解槽100を用いて熔融ガラスを製造する場合の熔解槽内の温度分布および熔融ガラスの流速分布のシミュレーションを行った。
〔Example〕
As shown in FIGS. 3 to 5, a melting tank 100 in which a rear electrode pair 181 is provided at an end portion on the rear side wall 130 side and a front electrode pair 182 is provided at an end portion on the front side wall 120 side is used. The simulation of the temperature distribution in the melting tank and the flow velocity distribution of the molten glass was performed.

〔比較例〕
図6、図7に示すような熔解槽を用いて熔融ガラスを製造する場合の熔解槽内の温度分布および熔融ガラスの流速分布のシミュレーションを行った。図6は図4と同様の水平断面図であり、図7は図6のVII−VII矢視断面図である。図6、図7に示す比較例の熔解槽200では、後側電極対281が後側壁230から離間して設けられているとともに、前側電極対282が前側壁220から離間して設けられている。なお、図6、図7において、図3〜5と同様の構成については、下2桁が同一の符号を付して説明を割愛する。
[Comparative Example]
The simulation of the temperature distribution in a melting tank and the flow velocity distribution of a molten glass in the case of manufacturing molten glass using a melting tank as shown in FIG. 6, FIG. 7 was performed. 6 is a horizontal sectional view similar to FIG. 4, and FIG. 7 is a sectional view taken along the arrow VII-VII in FIG. In the melting tank 200 of the comparative example shown in FIGS. 6 and 7, the rear electrode pair 281 is provided away from the rear side wall 230, and the front electrode pair 282 is provided away from the front side wall 220. . 6 and 7, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS. 3 to 5, and description thereof is omitted.

図8は実施例の熔解槽内のシミュレーションによる温度分布図であり、図9は比較例の熔解槽内のシミュレーションによる温度分布図である。実施例では前側壁120と後側壁130との中間部の熔融ガラスが均質な温度分布となっている。これに対し、比較例では、前側壁220と後側壁230との中間部で熔融ガラスが、前側壁220の近傍および後側壁230の近傍における熔融ガラスの温度高温となることがわかる。また、実施例では、後側壁130の排出部131近傍の温度が比較例よりも高温になることがわかる。   FIG. 8 is a temperature distribution diagram by simulation in the melting tank of the example, and FIG. 9 is a temperature distribution diagram by simulation in the melting tank of the comparative example. In the embodiment, the molten glass at the intermediate portion between the front side wall 120 and the rear side wall 130 has a uniform temperature distribution. On the other hand, in the comparative example, it can be seen that the molten glass reaches the high temperature of the molten glass in the vicinity of the front side wall 220 and in the vicinity of the rear side wall 230 at an intermediate portion between the front side wall 220 and the rear side wall 230. Moreover, in the Example, it turns out that the temperature of the discharge part 131 vicinity of the rear side wall 130 becomes higher temperature than a comparative example.

図10は実施例の熔解槽の後側壁130の近傍の熔融ガラスの流速をシミュレーションした流速分布図であり、図11は比較例の熔解槽の後側壁230の近傍の熔融ガラスの流速をシミュレーションした流速分布図である。比較例では後側壁230の近傍において熔融ガラスの下降流が生じるのに対し、実施例では後側壁130の近傍における熔融ガラスの下降流が抑制されることがわかる。   FIG. 10 is a flow velocity distribution diagram simulating the flow rate of the molten glass in the vicinity of the rear side wall 130 of the melting tank of the example, and FIG. It is a flow velocity distribution map. In the comparative example, the downflow of the molten glass is generated in the vicinity of the rear side wall 230, whereas in the example, the downflow of the molten glass in the vicinity of the rear side wall 130 is suppressed.

以上、本発明のガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
上記実施形態においては、排出部131が後側壁130に設けられる場合について説明したが、本発明はこれに限らず、底部160に排出部が設けられていてもよい。また、上記実施形態においては、ガラス原料が投入される投入部121が前側壁120に設けられている場合について説明したが、熔解槽110の上部の任意の位置からガラス原料を投入してもよい。
As mentioned above, although the manufacturing method of the glass substrate of this invention was demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, you may make various improvement and a change. Of course.
Although the case where the discharge part 131 is provided in the rear side wall 130 has been described in the above embodiment, the present invention is not limited thereto, and the discharge part may be provided in the bottom part 160. Moreover, in the said embodiment, although the case where the injection | throwing-in part 121 into which a glass raw material was thrown in was provided in the front side wall 120 was demonstrated, you may throw in a glass raw material from the arbitrary positions of the upper part of the melting tank 110. .

本実施形態の製造方法により製造されるガラス基板は、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板、有機ELディスプレイ用ガラス基板、カバーガラスに好適に用いられる。その他、携帯端末機器などのディスプレイや筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。特に、ポリシリコンTFTを用いた液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。   The glass substrate manufactured by the manufacturing method of this embodiment is used suitably for the glass substrate for liquid crystal displays, the glass substrate for organic EL displays, and a cover glass, for example. In addition, it can be used as a display for a portable terminal device, a cover glass for a casing, a touch panel plate, a glass substrate of a solar cell, or a cover glass. Particularly, it is suitable for a glass substrate for a liquid crystal display using a polysilicon TFT.

100 熔解装置
102 清澄槽
103 攪拌槽
104、105 移送管
106 ガラス供給管
110 熔解槽
120、420 前側壁
130、430 後側壁
131、431 排出部
140、440 第1の側壁
150、450 第2の側壁
160、460 底部
170 迫部
171 投入部
181、481 後側電極対
181a、481a 第1電極
181b、481b 第2電極
182、482 前側電極対
182a、482a 第3電極
182b、482b 第4電極
183、483 電極対
183a、483a 第5電極
183b、483b 第6電極
190 電源装置
200 成形装置
300 切断装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Melting apparatus 102 Clarification tank 103 Agitation tank 104, 105 Transfer pipe 106 Glass supply pipe 110 Melting tank 120, 420 Front side wall 130, 430 Rear side wall 131, 431 Discharge part 140, 440 1st side wall 150, 450 2nd side wall 160, 460 Bottom 170 Compressor 171 Input portion 181, 481 Rear electrode pair 181a, 481a First electrode 181b, 481b Second electrode 182, 482 Front electrode pair 182a, 482a Third electrode 182b, 482b Fourth electrode 183, 483 Electrode pair 183a, 483a Fifth electrode 183b, 483b Sixth electrode 190 Power supply device 200 Molding device 300 Cutting device

Claims (4)

ガラス原料を熔融して熔融ガラスを生成する熔解処理を含むガラス基板の製造方法であって、
前記熔解処理を行う溶解槽は、
前後方向に配置される第1の側壁と、
前記第1の側壁と間隔を空けて平行に配置される第2の側壁と、
前記第1の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極、および、前記第2の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極からなる複数の電極対と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の前側端部同士を接続する前側壁と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の後側端部同士を接続する後側壁と、を備え、
前記複数の電極対のうち、前記後側壁に最も近い後側電極対と前記後側壁との距離は、前記後側電極対の前側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短く、
前記熔解処理において、前記後側電極対の間に電流を流し、前記後側電極対の間の熔融ガラスおよび前記後側壁を加熱することを特徴とする、ガラス基板の製造方法。
A method for producing a glass substrate including a melting process for melting a glass raw material to produce a molten glass,
The dissolution tank for performing the melting process is:
A first side wall disposed in the front-rear direction;
A second side wall spaced in parallel with the first side wall;
A plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the first side wall; and a plurality of electrode pairs comprising a plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the second side wall;
A front side wall connecting front end portions of the first side wall and the second side wall;
A rear side wall that connects rear end portions of the first side wall and the second side wall, and
Of the plurality of electrode pairs, the distance between the rear electrode pair closest to the rear side wall and the rear side wall is more than half the distance from the other electrode pair adjacent to the front side of the rear electrode pair. Short,
In the melting process, a current is passed between the rear electrode pair to heat the molten glass and the rear side wall between the rear electrode pair.
前記複数の電極のうち、前記前側壁に最も近い前側電極対と前記前側壁との距離は、前記前側電極対の後側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短く、
前記熔解処理において、前記前側電極対の間に電流を流し、前記前側電極対の間の熔融ガラスおよび前記前側壁を加熱することを特徴とする、請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
Of the plurality of electrodes, the distance between the front electrode pair closest to the front side wall and the front side wall is shorter than half the distance between the other electrode pair adjacent to the rear side of the front electrode pair,
2. The method for producing a glass substrate according to claim 1, wherein, in the melting process, a current is passed between the front electrode pair to heat the molten glass and the front side wall between the front electrode pair.
前記熔解槽は、3対以上の前記電極対を備え、
各電極対を構成する電極の前後方向の幅は同一である、請求項1又は2に記載のガラス基板の製造方法。
The melting tank includes three or more pairs of the electrodes,
The manufacturing method of the glass substrate of Claim 1 or 2 with which the width | variety of the front-back direction of the electrode which comprises each electrode pair is the same.
ガラス基板の製造装置であって、
ガラス原料を熔融して熔融ガラスを生成する熔解槽を含み、
前記熔解槽は、
前後方向に配置される第1の側壁と、
前記第1の側壁と間隔を空けて平行に配置される第2の側壁と、
前記第1の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極、および、前記第2の側壁に前後方向に間隔を空けて設けられる複数の電極からなる複数の電極対と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の前側端部同士を接続する前側壁と、
前記第1の側壁および前記第2の側壁の後側端部同士を接続する後側壁と、を備え、
前記複数の電極対のうち、前記後側壁に最も近い後側電極対と前記後側壁との距離は、前記後側電極対の前側に隣接する他の電極対との距離の半分の距離よりも短い、ガラス基板の製造装置。
An apparatus for manufacturing a glass substrate,
Including a melting tank for melting glass raw material to produce molten glass,
The melting tank is
A first side wall disposed in the front-rear direction;
A second side wall spaced in parallel with the first side wall;
A plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the first side wall; and a plurality of electrode pairs comprising a plurality of electrodes provided at intervals in the front-rear direction on the second side wall;
A front side wall connecting front end portions of the first side wall and the second side wall;
A rear side wall that connects rear end portions of the first side wall and the second side wall, and
Of the plurality of electrode pairs, the distance between the rear electrode pair closest to the rear side wall and the rear side wall is more than half the distance from the other electrode pair adjacent to the front side of the rear electrode pair. Short glass substrate manufacturing equipment.
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