JP2019110748A - 同期コンバータのボディダイオード導通の最小化 - Google Patents

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Abstract

【課題】シュートスルー電流を回避しながらデッドタイムを最小化する同期コンバータを提供する。【解決手段】電源、インダクタ101、出力端子、および制御回路を含む同期コンバータであって、制御回路は、活性化されたときに、電源からインダクタへのエネルギーを送達する電子付勢スイッチ105と、活性化されたときに、インダクタから出力端子へエネルギーを送達するボディダイオードを含む電子消勢スイッチ111と、活性化されたときに、電子消勢スイッチをオフにし、電子消勢スイッチのボディダイオード109を通して流れる電流をリダイレクトし、電子消勢スイッチのボディダイオードから電荷を除去する電子プルダウンスイッチと、を含む。電子付勢スイッチおよび電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されない。【選択図】図1A

Description

本開示は、同期ブーストコンバータ、同期バックブーストコンバータ、および同期Hブリッジコンバータを含む同期コンバータに関する。
同期ブーストコンバータ、同期バックブーストコンバータ、および同期Hブリッジコンバータなどの同期コンバータは、制御された量のエネルギーをインダクタに転送する制御された付勢スイッチおよび制御された量のエネルギーをインダクタから出力端子を通して負荷に転送する制御された消勢スイッチを使用し得る。
2つのスイッチは、2つのスイッチを通してコンバータの出力から接地への未制御のシュートスルー電流を回避するために、決して同時にオンされてはならない。結果として、各スイッチングサイクル中に両方のスイッチがオフになる2つの過渡的な期間があり得る。これらの期間は、スイッチングコンバータのデッドタイムと呼ばれる。
デッドタイムは、スイッチングコンバータにおける電力損失およびEMIの問題を引き起こす。したがって、シュートスルー電流を回避しながらこのデッドタイムを最小化することは、継続的な問題となっており、効果的な解決策がまだ提供されていない。
同期コンバータは、電源、インダクタ、出力端子、および制御回路を含み得る。制御回路は、活性化されたときに、電源からのエネルギーをインダクタに送達する電子付勢スイッチと、活性化されたときに、インダクタからのエネルギーを出力端子に送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチはボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、活性化されたときに、電子消勢スイッチをオフにし、電子消勢スイッチのボディダイオードを流れる電流をリダイレクトし、かつ電子消勢スイッチのボディダイオードから電荷を除去する電子プルダウンスイッチと、を含み得る。電子付勢スイッチおよび電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されることはない。
ボディダイオードからの電流および電荷は、1ナノ秒以内に電子プルダウンスイッチによって除去され得る。
制御回路は、ボディダイオードからリダイレクトされた電流およびボディダイオードから除去された電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオードを含み得る。
制御回路は,電子付勢スイッチおよび電子消勢スイッチを制御するドライバを含み得る。リダイレクト/除去ダイオードは、ドライバ内のボディダイオードであってもよい。
電子付勢スイッチ、電子消勢スイッチ、および電子プルダウンスイッチは、各々NMOSデバイスまたはGaN電力スイッチであってもよい。
同期コンバータは、同期ブーストコンバータ、同期バックブーストコンバータ、または同期Hブリッジコンバータであってもよい。
これら、ならびにその他の構成要素、ステップ、特徴、目的、利益および利点は、以下の例示的な実施形態の詳細な説明、添付の図面、および特許請求の範囲を検討することにより明らかになるであろう。
本発明は、例えば、以下の項目を提供する。
(項目1)
電源、インダクタ、および出力端子を含む同期コンバータのための制御回路であって、前記制御回路は、
活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する電子付勢スイッチと、
活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチは、ボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、
活性化されたときに、前記電子消勢スイッチをオフにし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードから電荷を除去する電子プルダウンスイッチと、を備え、
前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されることはない、制御回路。
(項目2)
前記第1のボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記電子プルダウンスイッチによって除去される、上記項目に記載の制御回路。
(項目3)
前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオードをさらに備える、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目4)
前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチを制御するドライバをさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは、前記ドライバ内のボディダイオードである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目5)
前記電子付勢スイッチ、前記電子消勢スイッチ、および前記電子プルダウンスイッチは、各々NMOSデバイスまたはGaN電力スイッチである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目6)
前記同期コンバータは、同期ブーストコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目7)
前記同期コンバータは、同期バックブーストコンバータまたは同期Hブリッジコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目8)
電源によって駆動され得る同期コンバータであって、前記同期コンバータは、
インダクタと、
出力端子と、
活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する電子付勢スイッチと、
活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチは、ボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、
活性化されたときに、前記電子消勢スイッチをオフにし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記消勢スイッチの前記ボディダイオードから電荷を除去する、電子プルダウンスイッチと、を備え、
前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されることはない、同期コンバータ。
(項目9)
前記ボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記電子プルダウンスイッチによって除去される、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目10)
前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオードをさらに備える、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目11)
前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチを制御するドライバをさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは、前記ドライバ内のボディダイオードである、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目12)
前記電子付勢スイッチ、前記電子消勢スイッチ、および前記電子プルダウンスイッチは、各々NMOSデバイスまたはGaN電力スイッチである、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目13)
前記同期コンバータは、同期ブーストコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目14)
前記同期コンバータは、同期バックブーストコンバータまたは同期Hブリッジコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の同期コンバータ。
(項目15)
電源、インダクタ、および出力端子を含む同期コンバータのための制御回路であって、前記制御回路は、
活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する付勢スイッチ手段と、
活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する消勢スイッチ手段であって、前記消勢スイッチ手段は、ボディダイオードを含む、消勢スイッチ手段と、
活性化されたときに、前記消勢スイッチ手段をオフにし、前記消勢スイッチ手段の前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記消勢スイッチ手段の前記ボディダイオードから電荷を除去する、プルダウンスイッチ手段と、を備え、
前記付勢スイッチ手段および前記消勢スイッチ手段は、決して両方とも同時に活性化されることはない、制御回路。
(項目16)
前記ボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記プルダウンスイッチ手段によって除去される、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目17)
前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオード手段をさらに備える、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目18)
前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチを制御するドライバ手段をさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは、前記ドライバ手段内のボディダイオードである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目19)
前記同期コンバータは、同期ブーストコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(項目20)
前記同期コンバータは、同期バックブーストコンバータまたは同期Hブリッジコンバータである、上記項目のいずれか一項に記載の制御回路。
(摘要)
電源、インダクタ、出力端子、および制御回路を含む同期コンバータ。制御回路は、活性化されたときに、電源からインダクタへのエネルギーを送達する電子付勢スイッチと、活性化されたときに、インダクタから出力端子へエネルギーを送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチはボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、活性化されたときに、電子消勢スイッチをオフにし、電子消勢スイッチのボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、電子消勢スイッチのボディダイオードから電荷を除去する電子プルダウンスイッチと、を含み得る。電子付勢スイッチおよび電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化され得ない。
図面は例示的な実施形態のものである。それらは、すべての実施形態を説明するものではない。他の実施形態を追加してまたは代わりに使用してもよい。明らかであるか不必要であるかもしれない詳細は、スペースを節約するために、またはより効果的に説明するために省略する場合がある。いくつかの実施形態は、追加の構成要素またはステップによって、および/または図示された構成要素またはステップのすべてを伴わずに実施されてもよい。異なる図面に同じ数字が示されている場合、同じまたは同様の構成要素またはステップを指す。
図1Aは、同期ブーストコンバータ電力段の例を図示する。
図1Bは、図1Aに図示したブーストコンバータのスイッチノード電圧波形の一例を図示する。
図2は、デッドタイム制御付きの従来の同期ブーストコンバータの一例を図示する。
図3は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えた同期ブーストコンバータ電力段の例を図示する。
図4は、従来のブーストコンバータ電力段と比較して、提案される同期ブーストコンバータ電力段(例えば、図3に図示されているようなゲートドライブを使用するもの)の、電力スイッチSおよびSの動作ゲート−ソース間電圧、およびスイッチノードにおける電圧の例を図示する。
図5は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えた同期バックブーストコンバータ電力段の例を図示する。
図6は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えたモータを駆動する同期Hブリッジコンバータ電力段の例を図示する。
例示的な実施形態をここで説明する。他の実施形態を追加してまたは代わりに使用し得る。明らかであるか不必要であるかもしれない詳細は、スペースを節約するために、またはより効果的に提示するために省略する場合がある。いくつかの実施形態は、追加の構成要素またはステップによって、および/または記述された構成要素またはステップのすべてを伴わずに実施されてもよい。
図1Aは、同期ブーストコンバータ電力段の例を図示する。図1Aに示された同期ブーストコンバータは、インダクタ101を付勢し、インダクタ101に蓄えられたエネルギーを出力端子に連結された出力コンデンサ103に消勢することにより、入力電圧(V入力)より高い出力電圧(V出力)を発生し得る。
ゲートコントローラ107が付勢スイッチ(S)105をオンすると、インダクタ101の電流(I)は増加し得る。次いで、Sゲートコントローラ107は、S105をオフにして、Iが消勢スイッチ(S)111のボディダイオード109を流れるまで、Iがスイッチノード電圧(VSW)を上昇させ得る。この時点で、Sゲートコントローラ113は、S111をオンして、そのエンハンストチャンネルを通してIを流すことによって導通損失を低減し得る。S111がオフにされると、再びS105がオンして電流を引き込み、VSWを下げてインダクタ101を付勢し、スイッチングサイクルを再開するまで、Iは最初S111のボディダイオード109を通って流れ得る。
図1Bは、図1Aに図示したブーストコンバータのスイッチノード電圧波形の例を図示する。
2つのスイッチ105および111は、2つのエンハンストスイッチS105およびS111を通してV出力から接地への未制御のシュートスルー電流を回避するために、決して同時にオンにしてはならない。結果として、各スイッチングサイクル中に両方のスイッチがオフになる2つの過渡的な期間があり得る。これらの期間は、スイッチングコンバータのデッドタイムと呼ばれる。
これらのデッドタイムの間、図1Bに示されるように、VSWは上下に転移し、ボディダイオード109がIを出力端子に導通させる。このブレークビフォメイク動作を確実にするために、システムは、他方のスイッチがオンになるように命令する前に、一方のスイッチがオフにされていることを検知する。追加の遅延が、電力スイッチのタイプおよびサイズに応じて十分なデッドタイムを確保するために、オフ〜オンの期間にしばしば挿入される。
図2は、デッドタイム制御201を有する同期ブーストコンバータの例を図示する。付勢信号が、S205を介してインダクタ203を付勢するために高レベルに上昇するとき、デッドタイム制御201は、S207がオフであり、若干の遅延が経過した後にのみS205がオンになることを可能にする。同様に、付勢信号が、S207を介してインダクタ203を消勢するために低レベルに低下するとき、デッドタイム制御201は、S205がオフであることをチェックし、別の遅延の後にS207がオンになることを可能にするする。(INTVCC−GND)レールと(VBST−VSW)レール信号との間で通信するために、UPおよびDNレベルシフタ211および209がそれぞれあってもよく、VBSTは、システムの他の場所で発生されるフローティング供給電圧である。
従来のスイッチングコンバータは、シュートスルー電流を防止するためにデッドタイムを必要とする。しかし、デッドタイムに関連した電力損失がある。スイッチチャンネルの代わりにボディダイオードを通ってIが流れるとき、ボディダイオード導通損失は、エンハンストチャンネル抵抗の対応部分よりも大きくなり得る。ボディダイオードの逆回復電荷に起因して、より大きい損失が起こり得る。MOSFETのボディダイオードは、電流を導通させるために順方向バイアスされるとき、電荷を蓄積する。この電荷の量は、ダイオード導通時間およびスイッチングコンバータにおける電流の大きさを増加させる傾向がある。オフにするか、またはボディダイオードを逆バイアスするために、導通電流および蓄積された電荷は、リダイレクトおよび除去され得る。ブーストコンバータの消勢段階の終わりに向けて、S207はオフにされ、ボディダイオードが出力端子にIを流す。この時点で、S205がオンにされて、VSWを引き下げる。S205が引っ張るのに利用する電流の量は、Iの大きさよりも大きく、余分な電流の主要な要因はボディダイオードの逆回復電荷である。VSWのこの立ち下がり転移の間、S205は、高電圧および高電流の両方を経験し、顕著なスイッチング損失をもたらす。さらに、この期間中にS205が引く電流の量の増加は、リンギングを実質的に増加させ、システムのEMI放射を悪化させる。
デッドタイムを確立する1つの従来の方法は、スイッチのターンオフを検出することと、他のスイッチをオンにするように命令することと間に固定の遅延を挿入することである。しかしながら、このアプローチは、ゲートドライバが広範囲の電力スイッチに対応するように設計されている場合、長いボディダイオード導通時間をもたらす傾向がある。直すべきことは、ユーザにデッドタイムを調整する手段を提供することである。ユーザがスイッチングコンバータを走らせるアプリケーションを知っており、したがって正確な電力スイッチが決定されるとき、最適な条件に遅延をプログラムすることにより、ボディダイオード導通時間を低減することができる。
別のアプローチは、電力スイッチの動作状態を自律的に検出し、デッドタイムを最小限に抑えるためにその場で遅延をプログラムするインテリジェントスイッチングコンバータコントローラを実装することである。この自己プログラム可能なデッドタイムアプローチは、典型的には、スイッチノード転移中の電力スイッチのゲート−ソース間電圧およびドレイン−ソース間電圧を検知して、ゲートドライバの遅延を調整する。
これらのアプローチは、ボディダイオード導通をある程度低減するのに役立ち得るが、通常は10ns超のボディダイオード導通時間を留保して、シュートスルーが発生しないことを確保する。センサは−ユーザまたはシステム自体にかかわらず−閾値(すなわち、スイッチがオンまたはオフであるかどうかを決定するための電圧)においてそれ自身の許容誤差を有する。加えて、プログラム可能な遅延の変動は、特に遅延がナノ秒のオーダーであるため、温度、プロセス、および電圧にわたって最小化することが困難であり得る。したがって、実際には、シュートスルー災害からの時間マージンを確保するためにボディダイオード導通時間をあまり短くすることはできない。
シュートスルー電流を回避しながらボディダイオード導通を最小化することは困難であった。これは、2つのタスク−ボディダイオードの電流をリダイレクトするために1つのスイッチをオフにして他のスイッチをオンにすること、および蓄積された電荷を除去すること−が、プロセス、電圧、温度の変動にわたってタイミングアラインメントを呈しない可能性のある異なる回路によって実行されるためである。図2の同期ブーストコンバータの例において、(VBST−VSW)レールのSゲートコントローラ213は、消勢スイッチS207をオフにする。最終段のプルダウンデバイスS 215が、S207のゲート−ソース間電圧をその閾値未満にするとき、S207のボディダイオード217は、直ちにインダクタ電流Iの一部を導通することを開始する。
この正確なターンオフイベントを検出することは、簡単なタスクではない場合がある。それが達成されるとしても、Sゲートセンサ219、DNレベルシフタ209、デッドタイム制御201、およびSゲートコントローラ221からの遅延が存在し、それは、S 223が付勢スイッチS205のゲート電圧を引き上げ始めてIをS207のボディダイオード217から奪い取る前でさえ、容易にボディダイオード導通時間の数ナノ秒超を犠牲にする。これらの固有の遅延を補償するために,ゲート電圧検知は、時折ドライバの最終段から数段早く開始されることがある。この早期開始は、S207のターンオフおよびS205のターンオンを整列させる機会を提供することができるが、シュートスルー電流の危険性がある。DNレベルシフタ209およびドライバのヘッド開始および遅延によって得られる時間は、常に一致しない可能性があり、かつそれぞれの許容誤差内で変化するため、S205を少し遅くするオンする必要があり得る。結果として、システムは初期開始のケースにおいてさえ、顕著なボディダイオード導通時間で依然として終わり得る。
2つの異なる回路のタイミングアラインメントの課題は、消勢スイッチ207をオフしてボディダイオード電流をリダイレクトするタスクを実行するために単一のデバイスを使用することによって除去され得る。
図3は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えた同期ブーストコンバータ電力段の例を図示する。プルダウンデバイスSPULL301をオンしてS303をオフし、リダイレクトダイオードDRDIR305を通してそのボディダイオード307電流を奪い取る。S303のゲート−ソース間電圧が、SPULL301からの電流によってその閾値の下に引っ張られると、Iは、S303のボディダイオード307 を通して流れ始める。SPULL301は、DRDIR305が順方向バイアスされるまで、ゲート電圧をVSWの下に引き続き引っ張る。DRDIR305は、S303のゲート電圧をそのソース電圧の約1ダイオード電圧下(すなわち、VSW−0.7V)にクランプし、かつS303のゲート−酸化膜を保護する。
RDIR305は、デッドタイム低減とシュートスルー電流防止との間のトレードオフのためのいかなるタイミングアラインメント要件無しで、SPULL301がS303のボディダイオード307からIをシームレスにリダイレクトすることを可能にする。S303のボディダイオード307は、以前のアプローチと同様の方法で導通するが、実質的に短い持続時間のみ導通することができ、それはS303のゲート−ソース間電圧がその閾値電圧を横切る瞬間からDRDIR305が順方向バイアスされるまでである。SPULL301の電流の大きさは、インダクタ309の電流に打ち勝つのに十分に高く設計されているので、一旦DRDIR305が、スイッチノード(すなわち、VSW)からSPULL301へ電流を導通すると、S303のボディダイオード307に流れる電流は残されない。
RDIR305のこの順方向バイアスの直前に、SPULL301の高電流がS303のゲートをプルダウンしている。したがって、ゲート電圧は、VSWより上の閾値電圧からVSWの1ダイオード電圧下に迅速に進み、ボディダイオード導通に対して実質的に短い量の時間を残す。SPULL301のこの高電流およびS303をオフしてからボディダイオード電流をリダイレクトすることへのシームレスな移行は、1ナノ秒未満のボディダイオード導通時間をもたらすことができる。 この実質的に短いボディダイオード導通時間は、逆回復電荷の量およびブーストコンバータにおけるその関連する問題を低減することができる。
従来のアプローチは、S303からインダクタ309の電流方向を変更するために、付勢スイッチS311を割り当て得る。しかしながら、S303およびSEE311は、同時にオンにされた場合にV出力から接地に短絡回路を形成し得る。提案される技法は、S303からインダクタ309の電流方向を変化させるために、SPULL301を使用する。以前の方法とは異なり、S303およびSPULL301を通してV出力から接地への潜在的な短絡回路経路はない。SPULL301の動作の順序は、最初にS303をオフにし、次いでその電流をリダイレクトするように並べられる。しかしながら、いくつかの実施において、これはS311が必要とされないことを意味しない。S311用のゲートコントローラ313は、SPULL301をオンにしてインダクタ309の電流をリダイレクトした後、さらにS311を迅速にオンにすることができ、それによりS311は、他のブーストコンバータと同様に、主付勢スイッチの役割を果たす。提案された技法は、電流をリダイレクトするためにSPULL301を使用することによってS311の負担を軽くする。
ダイオードDRDIR305は、図3の(VBST−VSW)レールドライバの最終段のプルダウンNMOSデバイスS 315のまさにボディダイオードであってもよい。他のアプローチと比較して、余分のシリコンまたはプリント回路基板の物件を必要とする本アプローチの唯一の追加の構成要素は、プルダウンデバイスSPULL301であり得る。
別の詳細は、SPULL301がS303のゲートをプルダウンしているときの、(VBST−VSW)レールドライバ出力の条件である。SPULL301が動作する直前に、ゲート電圧は、(VBST−VSW)レールドライバの最終段のプルアップPMOSデバイスS 317によってVBSTにプルアップされる。したがって、S303用のSゲートコントローラ319は、S 317とSPULL301との間の衝突を回避するために適切に準備することができる。換言すれば、Sゲートコントローラ319は、SPULL301がS303のゲートを引っ張っているときにS 317をオフにしてもよい。
図4は、従来のブーストコンバータ段と比較して、電力スイッチSおよびSの作動状態のゲート−ソース間電圧、および提案されている同期ブーストコンバータ電力段(例えば、図3に示されているようなゲートドライブを使用するもの)のスイッチノードにおける電圧の例を図示する。VSW波形の点線の円401と403との比較は、提案されている技術の最小化された(またはほとんど除去された)ボディダイオード導通動作をハイライトする。
提案される技法は、消勢スイッチSがNMOSスイッチである同期ブーストコンバータに適用され得る。このゆえ、この正確な技術は、PMOS消勢スイッチを備えたバックコンバータ、非同期ブーストコンバータ、および同期ブーストコンバータと互換性がない場合がある。一方で、この方法は、ローサイド付勢スイッチがオンする前に、ハイサイド消勢スイッチのボディダイオードを通して電流が流れるNMOS電力スイッチを使用する同期バックブーストコンバータおよび同期Hブリッジ回路に有用であり得る。
加えて、この技術は、GaNデバイスのためのボディダイオード対応物の電圧がはるかに高いので、同期ブースト、バックブースト、およびHブリッジコンバータ回路用のNMOS電力スイッチの代わりにGaN電力スイッチが使用される場合に有用であり得る。
図5は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えた同期バックブーストコンバータ電力段の例を図示する。電力段は、付勢電力スイッチSE1およびSE2509を通してインダクタLを付勢することによって、V入力からV出力へエネルギーを送達し、消勢電力スイッチSD1およびSD2503を通してインダクタLを消勢する。システムは、最初にSE1およびSE2509をオンしてインダクタを付勢する。インダクタ電流が、この図には示されていないがシステムの他の場所に存在する制御回路によって設定されたある特定の値に達するとき、システムはSE1をオフにし、インダクタ電流は、SD1のボディダイオードが順方向にバイアスされるまで第1のスイッチングノードVSW1をプルダウンする。このVSW1電圧の転移は、この第1のデッドタイムにおけるインダクタ電流によって行われる。次いで、SD1は、SD1およびSE2509を通してインダクタ電流を循環させる際の導通損失を低減するためにオンされる。出力端子へのインダクタを消勢するために、システムはSE2509をオフして、SD2503のボディダイオード505が順バイアスになるまでインダクタ電流が第2のスイッチングノードVSW2を充電させる。このVSW2電圧の転移はまた、この第2のデッドタイムにおけるインダクタ電流によって行われる。次いで、SD2503をオンにして、インダクタのエネルギーを出力端子に送達する際の導通損失を低減する。ここで付勢段階に戻る前に、同期バックブーストコンバータは、SD2503をオフにし、SE2509をオンにすることによって、別のインダクタ電流循環段階を経る。システムは、SD2503およびSE2509を通してV出力から接地へのシュートスルー電流を回避するために、この転移のために別のデッドタイムを置いてもよい。しかし、システムがSD2503をオフにするとき、インダクタ電流がSD2503のボディダイオード505を流れ、この第3のデッドタイム中のボディダイオード導通は、著しい電力損失およびEMI問題の原因となる。
同期バックブーストコンバータの動作におけるこのボディダイオード導通およびその関連する問題を低減するために、提案されているゲートドライブ方法は、ブーストコンバータの対応物におけるようにSPULL501を使用することができるSPULL501をオンにしてSD2503をオフし、リダイレクトダイオードDRDIR507を通してそのボディダイオード505の電流を奪いとる。SPULL501からの電流によってSD2503のゲート−ソース間電圧がその閾値の下に引き下げられると、インダクタ電流がSD2503のボディダイオード505を通して流れ始める。SPULL501は、DRDIR507が順方向にバイアスされるまで、ゲート電圧をVSW2の下に引き下げ続ける。DRIDR507は、SD2503のゲート電圧を、そのソース電圧の約1ダイオード電圧下(すなわち、VSW2−0.7V)にクランプし、かつSD2503のゲート−酸化膜を保護する。
RDIR507は、デッドタイム低減とシュートスルー電流防止との間のトレードオフのためのいかなるタイミングアラインメント要件無しで、SPULL501がSD2503のボディダイオード505からインダクタ電流をシームレスにリダイレクトすることを可能にする。SD2503のボディダイオード505は、従来のアプローチと同様のこの方法で導通し得るが、実質的に短い持続時間のみ導通し得て、それはSD2503のゲート−ソース間電圧がその閾値電圧を横切る瞬間からDRDIR507が順方向バイアスされるまでである。SPULL501の電流の大きさは、インダクタ電流に打ち勝つのに十分に高く設計されているので、一旦DRDIR507が、スイッチノード(すなわち、VSW2)からSPULL501へ電流を導通すると、SD2503のボディダイオード505に流れる電流は残されない。
このDRDIR507の順方向バイアスの直前に、SPULL501の高電流がSD2503のゲートをプルダウンしている。したがって、ゲート電圧は、VSW2より上の閾値電圧からVSW2の1ダイオード電圧下に迅速に進み、ボディダイオード導通に対して実質的に短い量の時間を残す。SPULL501のこの高電流およびSD2503をオフしてからそのボディダイオード電流をリダイレクトすることへのシームレスな移行は、1ナノ秒未満のボディダイオード導通時間をもたらすことができる。この実質的に短いボディダイオード導通時間は、逆回復電荷の量および同期バックブーストコンバータにおけるその関連する問題を低減することができる。
図6は、ボディダイオード導通を最小化し得るゲートドライブを備えたとモータ601を駆動する同期Hブリッジコンバータの電力段の例を図示する。負荷電流I負荷は、双方向性であることができ、それはVSW1からVSW2へ流れることができ、その逆も同様であることを意味する。I負荷がVSW1からVSW2へ流れ、システムがS2とS4とを転流するとき、デッドタイムはブレークビフォメイク転流を保証し、V入力から接地への大きなシュートスルー電流を防止する。ブーストコンバータのケースと同様に、問題のあるデッドタイムは、Sがオフにされる直後で、Sがオンになる直前である。このデッドタイム中、負荷電流はSのボディダイオード609を通って流れ、順方向バイアスから電荷を累積する。このゆえ、Sは、VSW2ノードを引き下げる負荷電流だけよりも余分な電流を引き込み得、S603のボディダイオード609の逆回復電荷がない場合よりもVSW2ノードの立ち下がりエッジ中により多くの電力損失およびEMIノイズを誘発し得る。
このボディダイオード導通および同期Hブリッジコンバータ動作におけるそれに関連する問題を低減するために、提案されているゲートドライブ方法は、ブーストコンバータの対応物におけるようにSPULL2 607を使用することができる。SPULL2607がオンにされてS603をオフし、そのボディダイオード609電流をリダイレクトダイオードDRDIR2を通して奪い取る。S603のゲート−ソース間電圧がSPULL2607からの電流によってその閾値より下に引き下げられるとき、S603のボディダイオード609を通して負荷電流が流れ始める。SPULL2607は、DRDIR2が順方向にバイアスされるまで、ゲート電圧をVSW2の下に引き下げ続ける。DRIDR2は、S 603のゲート電圧をそのソース電圧の約1ダイオード電圧下(すなわち、VSW2−0.7V)にクランプし、かつS603のゲート−酸化膜を保護する。
RDIR2は、デッドタイム低減とシュートスルー電流防止との間のトレードオフのためのいかなるタイミングアラインメント要件無しで、SPULL2607がS603のボディダイオード609から負荷電流をシームレスにリダイレクトすることを可能にする。S603のボディダイオード609は、従来のアプローチと同様のこの方法で導通し得るが、実質的に短い持続時間のみ導通し得て、それはS603のゲート−ソース間電圧がその閾値電圧を横切る瞬間からDRDIR2が順方向バイアスされるまでである。SPULL2607の電流の大きさは、負荷電流に打ち勝つのに十分に高く設計されているので、一旦DRDIR2が、スイッチノード(すなわち、VSW2)からSPULL2607へ電流を導通すると、S603のボディダイオード609に流れる電流は残されない。
このDRDIR2の順方向バイアスの直前に、SPULL2607の大電流がS603のゲートをプルダウンしている。したがって、ゲート電圧は、VSW2より上の閾値電圧からVSW2より1ダイオード電圧下の電に迅速に進み、ボディダイオード導通のための実質的に短い量の時間を残す。SPULL2607のこの高電流およびS603をオフしてからそのボディダイオード電流をリダイレクトすることへのシームレスな移行は、1ナノ秒未満のボディダイオード導通時間をもたらすことができる。この短いボディダイオード導通時間は、逆回復電荷の量および同期Hブリッジコンバータにおけるその関連する問題を低減することができる。
Hブリッジコンバータの対称アーキテクチャのために、負荷電流がVSW2からVSW1に流れるときのケースに対して問題および解決策は対称的である。換言すれば、I負荷がVSW2からVSW1に流れ、システムがS611をオフにし,次いでS613をオンにする場合は、SPULL1615は、S611のゲートをプルダウンし、S611のボディダイオード617導通を遮断して減少させることができ、ブーストコンバータのケースにおけると同様に、シュートスルーの問題を回避するためのなんらかのタイミングアラインメント問題を起こすことはない。
説明した構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、および利点は、単なる例示に過ぎない。それらのいずれも、またそれに関する議論も、どんな形であれ保護の範囲を制限することを意図しない。多数の他の実施形態も考えられる。これらは、より少ない、追加の、および/または異なる構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、および/または利点を有する実施形態を含む。これらには、構成要素および/またはステップが異なって配列および/または順序付けされる実施形態も含まれる。
特に断りのない限り、本明細書に記載されているすべての測定値、値、定格、位置、大きさ、サイズ、および他の仕様は、以下の特許請求の範囲を含めて概算であり正確ではない。それらは、関連する機能と関係する従来技術で慣習的なものと一致する合理的な範囲を有することが意図されている。
本開示で引用されたすべての記事、特許、特許出願、および他の刊行物は、参照により本明細書に組み込まれる。
特許請求の範囲において使用される場合、「のための手段(means for)」という句は、記載された対応する構造および材料およびそれらの等価物を包含するように意図され、そう解釈されるべきである。同様に、特許請求の範囲において使用される場合の「のためのステップ(step for)」という句は、記載された対応する動作およびそれらの等価物を包含するように意図され、そう解釈されるべきである。特許請求の範囲からのこれらの句の不在は、特許請求の範囲が、これらの対応する構造、材料、または動作、またはそれらの等価物に限定されることを意図せず、そう解釈されるべきではないことを意味する。
保護の範囲は、以下に続く特許請求の範囲によってのみ制限される。その範囲は、特定の意味が記載されていることを除いて、本明細書およびこれに続く訴追経歴に照らして解釈するときに、特許請求の範囲で使用される言語の通常の意味と一致するように広義であり、すべての構造および機能的等価物を包含することが意図され、そう解釈されるべきである。
「第1」および「第2」などの関係用語は、実際の関係またはそれらの間の順序を必ずしも要求または暗示することなく、ある実体または行動を別の実態または行動と見分けるためにのみ使用することができる。本明細書または特許請求の範囲における要素のリストに関連して使用されるとき、「備える(comprises)」、「備える(comprising)」およびその任意の他の変形は、リストが非排他的であり、他の要素が含まれ得ることを指すことが意図される。同様に、「1つの(a)」または「1つの(an)」によって進行された要素は、さらなる制約を伴わずに、同一タイプの追加の要素の存在を排除しない。
請求項のいずれも、特許法第101条、第102条または第103条の要件を満たさない主題を包含することを意図するものではなく、またはそのように解釈されるべきではない。そのような主題の何らかの意図しない範囲は、本明細書では放棄される。この段落に言及されている場合を除き、記載または図示されたものは、特許請求の範囲に記載されていないかどうかにかかわらず、何かの構成要素、ステップ、特徴、目的、利益、利点、または同等物を一般に献呈させることを意図しておらず、またはそう解釈されるべきではない。
要約は、読者が技術的開示の性質を迅速に確認するのを助けるために提供されている。請求項の範囲または意味を解釈または制限するために使用されないことを理解して提示されている。加えて、前述の詳細な説明における様々な特徴は、本開示を合理化するために様々な実施形態において、共にグループ化されている。本開示方法は、各請求項に明示的に列挙されているよりも多くの特徴を要求する請求実施形態を必要とすると解釈されるべきではない。むしろ、以下に続く請求項が反映するように、発明の主題は、単一の開示された実施形態のすべての特徴を下回る。したがって、以下の特許請求の範囲は、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、別々に請求される主題として独立して立証される。

Claims (10)

  1. 電源、インダクタ、および出力端子を含む同期コンバータのための制御回路であって、前記制御回路は、
    活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する電子付勢スイッチと、
    活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチは、ボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、
    活性化されたときに、前記電子消勢スイッチをオフにし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードから電荷を除去する電子プルダウンスイッチと、を備え、
    前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されることはない、制御回路。
  2. 前記第1のボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記電子プルダウンスイッチによって除去され、前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオードをさらに備え、前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチを制御するドライバをさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは、前記ドライバ内のボディダイオードである、請求項1に記載の制御回路。
  3. 前記電子付勢スイッチ、前記電子消勢スイッチ、および前記電子プルダウンスイッチは、各々NMOS デバイスまたはGaN電力スイッチであり、前記同期コンバータは、同期ブーストコンバータ、同期バックブーストコンバータまたは同期Hブリッジコンバータである、請求項1に記載の制御回路。
  4. 電源によって駆動され得る同期コンバータであって、前記同期コンバータは、
    インダクタと、
    出力端子と、
    活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する電子付勢スイッチと、
    活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する電子消勢スイッチであって、前記電子消勢スイッチは、ボディダイオードを含む、電子消勢スイッチと、
    活性化されたときに、前記電子消勢スイッチをオフにし、前記電子消勢スイッチの前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記消勢スイッチの前記ボディダイオードから電荷を除去する、電子プルダウンスイッチと、を備え、
    前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチは、決して両方とも同時に活性化されることはない、同期コンバータ。
  5. 前記ボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記電子プルダウンスイッチによって除去され、前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオードと、前記電子付勢スイッチおよび前記電子消勢スイッチとを制御するドライバと、をさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは前記ドライバ内のボディダイオードである、請求項4に記載の同期コンバータ。
  6. 前記電子付勢スイッチ、前記電子消勢スイッチ、および前記電子プルダウンスイッチは、各々NMOS デバイスまたはGaN電力スイッチであり、前記同期コンバータは同期ブーストコンバータであり、前記同期コンバータは同期バックブーストコンバータまたは同期Hブリッジコンバータである、請求項4に記載の同期コンバータ。
  7. 電源、インダクタ、および出力端子を含む同期コンバータのための制御回路であって、前記制御回路は、
    活性化されたときに、前記電源から前記インダクタへエネルギーを送達する付勢スイッチ手段と、
    活性化されたときに、前記インダクタから前記出力端子へエネルギーを送達する消勢スイッチ手段であって、前記消勢スイッチ手段は、ボディダイオードを含む、消勢スイッチ手段と、
    活性化されたときに、前記消勢スイッチ手段をオフにし、前記消勢スイッチ手段の前記ボディダイオードを通して流れる電流をリダイレクトし、前記消勢スイッチ手段の前記ボディダイオードから電荷を除去する、プルダウンスイッチ手段と、を備え、
    前記付勢スイッチ手段および前記消勢スイッチ手段は、決して両方とも同時に活性化されることはない、制御回路。
  8. 前記ボディダイオードからの前記電流および電荷は、1ナノ秒以内に前記プルダウンスイッチ手段によって除去される、請求項7に記載の制御回路。
  9. 前記ボディダイオードからリダイレクトされた前記電流および前記ボディダイオードから除去された前記電荷が流れるリダイレクト/除去ダイオード手段をさらに備え、前記付勢スイッチ手段および前記消勢スイッチ手段を制御するドライバ手段をさらに備え、前記リダイレクト/除去ダイオードは前記ドライバ手段内のボディダイオードである、請求項7に記載の制御回路。
  10. 前記同期コンバータは、同期ブーストコンバータ、同期バックブーストコンバータ、または同期 Hブリッジコンバータである、請求項7に記載の制御回路。
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