CN106602879B - 具有半桥节点的dc-dc转换器、用于其的控制器以及控制其的方法 - Google Patents

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Abstract

本文公开一种用于DC‑DC转换器的控制器，该DC‑DC转换器包括高侧开关和低侧开关以及在其间的半桥节点的串联布置，控制器包括用于驱动高侧开关的高侧部分，并且该高侧部分被配置成在低侧开关打开时通过连接在半桥节点和电源节点之间的可再充电电源而被供电，高侧部分包括电平移位器、驱动器、包括锁存器的锁存器部分以及另外电路，该锁存器具有置位输入和复位输入并且被配置成将驱动器锁存到接通状态或断开状态中的任一者，其中锁存器部分被配置成并适于阻止另外电路从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。本文还公开一种具有此控制器的DC‑DC转换器以及操作转换器的方法。

Description

具有半桥节点的DC-DC转换器、用于其的控制器以及控制其的 方法
技术领域
本公开涉及用于具有半桥节点的DC-DC转换器的控制器以及控制该DC-DC转换器的方法。
背景技术
已知具有布置在低侧开关(LSS)和高侧开关(HSS)之间的半桥节点的各种DC-DC转换器。此些转换器例如用于为紧凑型荧光灯供电，或者用于PC和TV应用的适配器，并且可以提供于各种配置中，例如谐振转换器，例如所谓的LLC或LCC转换器。图1示出LLC转换器的框图。控制器100包括高侧部分110和低侧部分120。
用于此些转换器的控制器必须能够控制高侧开关和低侧开关。通常，为能够控制HSS(图1中示出为T1)，即使在LSS打开时，控制器的高侧部分需要其自身的单独电源，这通常由在C1示出的电容器实现，该电容器经由所谓的自举配置充电：电容器在转换器的LSS(T2)处于接通状态(也就是说，T2为闭合的)的时间期间充电。在该时间期间，在半桥节点的电压(V_hb)被拉低，因此电容器可以由电源电压(V_suphs)充电，该电源电压(V_suphs)通过二极管D1由DC电源130供应。
在LSS断开(也就是说，打开)的时刻，由于感应电流(在电感器L1中)，这些应用将有意地使高侧部分110的所谓的“浮动接地”电平升高，使该高侧部分110的电源仅用于充电的自举电容器。目前，自举电容器C1通过高侧部分汲取电力以操作其各种功能而放电。当然，这些功能中最基本的是打开和闭合HSS T1——这是暂时动作——但是可包括其它功能。在下一循环，LSS再次接通，使半桥节点连接到接地，并且自举电容器被再充电。
在一些操作模式中，可能发生特定稳定状态，其中HSS和LSS两者均断开一段较长的时段，并且在半桥节点V_hb的电压是浮动的，自举电容器可以通过高侧部分完全放电。突发模式操作为此种模式，其中HSS和LSS两者均可以断开一段相对较长时段，例如数十毫秒，通常高达约100ms。其结果是，在高侧部分可提供对高侧开关的适当控制之前，系统必须通过接通低侧部分来起动以确保对自举电容器再充电。这可能不是希望的。
发明内容
根据本公开的第一方面，提供了一种用于DC-DC转换器的控制器，该DC-DC转换器包括高侧开关和低侧开关以及在其间的半桥节点的串联布置，该控制器包括用于驱动高侧开关的高侧部分，并且该高侧部分被配置成在低侧开关打开时通过连接在半桥节点和电源节点(V_suphs)之间的可再充电电源而被供电，
高侧部分包括电平移位器、驱动器、锁存器部分(其包括锁存器)以及另外电路，该锁存器具有置位输入(slatch)和复位输入(rlatch)并且被配置成将驱动器锁存到接通状态或断开状态中的任一者，其中锁存器部分被配置成并适于阻止另外电路从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。通过阻止另外电路从电源中汲取电流，能够使电荷保留在电源中，使得即使电源被连接其不会流失或放电。因此，在随后决定改变高侧开关的状态时，能够依赖于电源。因此，能够使得实现DC到DC转换器的更简单操作，并且可以不必需要在低侧开关闭合的情况下重新启动DC-DC转换器。
在一个或多个实施例中，另外电路包括欠压锁定电路，该欠压锁定电路包括在锁存器部分中。在其它实施例中，此另外电路可包括例如过温保护电路。通常，此些电路可从可再充电电源(绝对测量值)中汲取电流以阻止电流被汲取，如本文所述。
在一个或多个实施例中，锁存器另外包括另外复位输入，Q输出和非Q输出。在一个或多个实施例中，另外复位输入耦合到欠压锁定电路的输出(uvlo_reset)。在其它实施例中，例如，其中另外电路为过温保护电路，另外复位输入可以耦合到过温保护电路的输出。
在一个或多个实施例中，锁存器包括一对交叉耦合的或非门，该对或非门中的第一个或非门包括置位输入和非Q输出，以及该对或非门中的第二个或非门包括复位输入、另外复位输入和Q输出。没有限制地，在其它实施例中，锁存器可包括一对交叉耦合的与非门。
在一个或多个实施例中，欠压锁定电路包括比较器，该比较器用于比较阈值电压差(ref_uvlo)与在半桥节点的电压和锁存器部分的非Q输出的反相版本之间的差：非Q输出的反相版本等于在高侧开关T1接通时的V_suphs电压。
在一个或多个实施例中，欠压锁定电路包括第一MOS晶体管(T3)，该第一MOS晶体管(T3)具有连接到半桥节点电压的源极和经由偏置电阻器(R3)连接到电源节点的漏极，并且锁存器部分被配置成并适于阻止偏置电阻器从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。在此些实施例中，在置位输入为高时，系统激活欠压锁定电路以验证是否存在足够的电源电压。如果没有足够的电源电压，那么驱动输出保持为低，并且欠压锁定电路保持有效。
在一个或多个实施例中，比较器输出被设置为到第一MOS晶体管的栅极输入，并且欠压锁定电路被配置成响应于半桥节点电压和锁存器部分的非Q输出的反相版本之间的电压差超过阈值电压差(ref_uvlo)，确保通过接通第一MOS晶体管将另外复位输入连结到半桥节点电压。
在一个或多个其它实施例中，比较器包括第二MOS晶体管(T4)，该第二MOS晶体管(T4)经由电阻器(R4)连接在电源节点和半桥节点电压之间的源极-跟随器布置中，并且第二MOS晶体管的源极端连接到第一MOS晶体管的栅极，使得阈值电压差为第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的阈值电压的总和。
在又一另外实施例中，其中欠压锁定电路包括第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有经由一个或多个二极管连接到半桥节点电压的源极和经由偏置电阻器连接到电源节点的漏极，并且锁存器部分被配置成并适于阻止偏置电阻器从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。非Q输出的反相版本可以被设置为到第一MOS晶体管的栅极输入。
根据本公开的另一方面，提供了一种DC-DC转换器，该DC-DC转换器包括此种控制器、可再充电电源、高侧开关和低侧开关、电感元件以及电容元件。在一个或多个实施例中，可再充电电源包括电容器布置。电容器布置可以是单个电容器或者可以是例如多个电容器的并联布置。可再充电电源可以称为自举电源，并且可通常采取自举电容器或自举电容器布置的形式。
根据本公开的又一方面，提供了一种控制DC-DC转换器的方法，该DC-DC转换器包括高侧开关与低侧开关以及在其间的半桥节点的串联布置，并且控制器包括用于驱动高侧开关的高侧部分，该高侧部分包括电平移位器、驱动器、锁存器部分以及另外电路，该锁存器部分被配置成将驱动器锁存到接通状态或断开状态中的任一者，该方法包括：顺序地闭合和打开高侧开关和低侧开关，按顺序地，在低侧开关闭合时对半桥节点和电源节点之间连接的电源充电；在低压开关打开时将电力从电源提供到高侧部分；并且阻止另外电路从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。
在一个或多个实施例中，另外电路为欠压锁定电路，该欠压锁定电路包括开关和偏置电阻器的串联布置，并且阻止另外电路汲取电流包括打开开关以阻止电流流经偏置电阻器。
在一个或多个实施例中，另外电路为欠压锁定电路，该欠压锁定电路包括开关和偏置电阻器的串联布置，并且方法按顺序包括：闭合低侧开关(1000)；打开低侧开关(1010)；生成脉冲cur_pulse_on(1020)，从而设定锁存器信号slatch为高，并且激活欠压锁定电路；
借助于欠压锁定电路，确定是否存在足够电压操作高侧开关(1030)；响应于存在足够电压操作高侧开关，闭合开关以通过偏置电阻器汲取电流从而迫使或使得到锁存器的另外复位输入为低(1040)；以及响应于不存在足够电压操作高侧开关，保持开关打开以迫使或使得到锁存器的另外复位输入为高并且从而阻止高侧开关操作(1050)。
将通过下文中所描述的实施例清楚并且参考这些实施例阐明本发明的这些以及其它方面。
附图说明
将参考附图仅举例描述实施例，在附图中
图1示出具有半桥节点的典型LLC谐振转换器；
图2示出高侧控制器的框图；
图3示出具有欠压锁定电路的常规锁存器部分的框图；
图4更详细示出图3的常规锁存器部分；
图5根据本发明控制器的一个方面示出具有欠压锁定电路的锁存器部分的框图；
图6更详细示出图5的锁存器部分；
图7根据本公开示出了另一锁存器部分；
图8根据本公开示出又一锁存器部分；
图9根据本公开示出另外锁存器部分，以及
图10根据本公开的另一方面示出流程图。
应注意，附图出于图解说明且未按比例绘制。为在附图中清楚且方便，这些图的各部分的相对尺寸和比例已示出为在尺寸上放大或缩小。相同的参考标记一般用于在修改的和不同的实施例中指代对应的或类似的特征。
具体实施方式
避免必须首先用低侧部分起动系统的一种方法将是除在HSS的闭合和打开期间之外，阻止任何电流从电容器流失。具体来说，能够提供一种其中在此待用时间期间没有偏置电流的设计。如果在高侧中无需偏置电流，那么自举电容器上的电压将保持相同并且将没有放电发生。在此情况下，能够使两个半桥开关(T1和T2)断开一段极长时段，同时可以在输入电流“脉冲接通”的任何时间起动导通T1。然而，这可限制功能性：例如，此些转换器包括欠压锁定电路以在输入电源并没有足够电压适当地接通HSS(其通常为MOSFET)以在线性区中操作的情况下阻止操作，这继而增加MOSFET的功耗，该增加可最终发生故障；欠压锁定电路的操作一般需要从电源中汲取电流。可提高DC-DC转换器功能性的另外电路的另一实例为过温控制保护电路。再次，此电路的操作通常需要从电源中汲取电流。
控制器100的典型高侧部分110示出在图2中。高侧部分具有三个主要元件：电平移位器210、锁存器部分220以及驱动器230。控制器的逻辑部分(未示出)相应地将“接通”(cur_pulse_on)电流脉冲202和“断开”(cur_pulse_off)电流脉冲204供应到电平移位器210，以便改变高侧开关的状态。如将为本领域技术人员所熟悉，电平移位器移位电流脉冲的电压电平，并且作为“置位”信号和“复位”信号稳固地转发到锁存器部分220。锁存器部分220包括S-R锁存器225，该S-R锁存器225具有置位输入slatch和复位输入rlatch以及输出Q与非Q。锁存器部分220包括另外功能性(其可以为如所示)和欠压锁定电路227。锁存器部分220可包括如在228所示的门开关，以便在低电源电压操作时将高侧开关的门连结到在半桥节点的电压；通常该状态由在低电源电压的条件下无法适当操作的驱动器限定。锁存器部分220向驱动器部分提供输出(示出为“驱动”)，该输出为来自锁存器的输出队列。如将为本领域技术人员所熟悉，驱动器部分缓冲液并放大Q输出(驱动)以驱动高侧开关。另外图2中示出自举电容器C1，其如图所示连接在半桥节点电压Vhb和电源电压V_suphs之间。如上文所论述，电源电压经由二极管连接到DC-DC转换器输入端，该DC-DC转换器输入端在使用中连接到DC电源(未示出)。在低侧开关(未示出)闭合时，DC电源然后可对控制器的高侧部分供电。然而，在低侧开关打开时，没有回到DC电源的返回路径；在此时，用于高侧部分的电力来自电容器C1，该电容器C1如图所示在电压V_suphs下连接在半桥轨或节点和电源轨或节点suphs之间。
在高侧部分中使用的电路中的大部分在稳定状态下不需要偏置电流。在接通或断开电流脉冲施加在图2中示出的电平移位器电路210的输入端的相对较短时间期间，电平移位器电路210仅从高侧电源V_suphs汲取一些电流。驱动器230也将在固定的高或低状态下不汲取任何电流，而仅在可发生一些环流时的低到高和高到低过渡期间汲取电流。然而，在锁存器部分220中，在大部分情况下，在欠压锁定电路中在接通和断开状态期间与在两个状态之间的切换期间均存在连续的偏置电流。需要偏置电流以正确地操作欠压锁定电路。欠压锁定电路测量相对于浮动接地(也就是说，在半桥节点的电压Vhb)的电源电压V_suphs。将这一电压差与参考电压相比较，并且只要电压差足够，控制器就被允许操作；然而，在电压小于预定参考电压的情况下，控制器被“锁定”。存在提供欠压锁定电路的若干已知方法，但是最方便的是需要偏置电流以用于适当操作。
包括欠压锁定电路330的常规锁存器部分220以框形式示出在图3中。锁存器为用一对交叉耦合的或非门310和320以及用于欠压电平检测的额外复位输入uvlo_reset来实现的S-R锁存器(具有置位输入slatch和复位输入rlatch以及输出Q和非Q)。欠压锁定电路由高侧电源电压V_suphs供电并检测高侧电源电压V_suphs的电压，并且产生另外复位输入uvlo-reset以起动锁存器。
图4更详细地示出此常规锁存器部分。具体来说，欠压锁定部分示出为与偏置电阻器R3串联的NMOS晶体管T3。NMOS晶体管T3的栅极由比较器410的输出端供电。在此电路中，只要电源电压V_suphs高于施加到比较器的欠压锁定参考电平(ref_uvlo)，就存在通过R3和晶体管T3流失的连续电流。在此情况下，呈现为到S-R锁存器的另外复位输入(uvlo_reset)的另外复位输入信号电平将为低(逻辑“0”)，也就是说，该另外复位输入信号电平连结到半桥节点电压V_hb。如果电源电压下降低于这一参考电平，那么晶体管T3将被断开，T3的漏极变为高，达到电源电压V_suphs，并且所呈现的uvlo_reset信号将为高(逻辑“1”)，复位S-R锁存器。本领域技术人员应了解，所有示出的数字逻辑门的电源总是在V_suphs(作为VDD电平)和V_hb(作为VSS电平)之间。这些电源未示出以便不会不必要地使图变得复杂。
图5根据本公开的一个方面示出锁存器部分的框图。图5与图3类似，不同之处在于欠压锁定电路530具有来自锁存器的非Q输出的另外输入。
欠压锁定电路中的部件包含电平检测器，并且此外，包括在锁存器的非Q输出为高的情况下断开偏置电流的电路系统；在锁存器的驱动输出为低时非Q输出将为高，并且锁存器输入也为低，这指示不存在cur_pulse_in信号(参见图1)。非Q输出用于在非Q为低时启用欠压锁定电路；在非Q为低时欠压锁定电路始终保持有效；相反，只要非Q为高，欠压锁定电路就断开。因此，在任何长的“等待时段”期间，例如在突发之间，在没有任何开关脉冲(cur_pulse_on和cur_pulse_off)以及HSS和LSS两者均打开的情况下，欠压锁定电路被断开并且可不汲取电流。在任何其它时段期间，欠压锁定电路可被允许汲取电流。
图5中示出的锁存器部分的例子实施例更详细地示出在图6中。类似于常规欠压锁定电路，该电路包括NMOS晶体管T3，该NMOS晶体管T3经由偏置电阻器R3耦合在半桥电压V_hb和高侧电源电压V_suphs之间。晶体管的栅极连接到比较器610的输出端。比较器的一侧为参考电平ref_uvlo。然而，比较器的另一侧在V_suphs下未连接到高侧电源节点，但是连接到锁存器的非Q输出的反相版本。
现在，在非Q为低的情况下，其反相版本将在电源电压(V_suphs)处，该电源电压还向反相器620(出于清楚起见，未示出)供电。然后，晶体管T3将被接通，其条件是半桥节点电压和电源电压(V_suphs)之间的差值至少为或超过阈值电压差(ref_uvlo)；因此，将仍存在从电源V_suphs汲取的电流。然而，只要两种情况中的任一种发生，驱动输出就将为低，并且将不再通过偏置电阻器从V_suphs汲取电流。这两种情况中的一种为控制器逻辑提供电流断开脉冲以打开高侧开关：也就是说“rlatch”为高(逻辑“1”)。两种情况中的另一种为在反相器输出端上的电压V_suphs下降低于比较器的参考电平，使得“uvlo_reset”为高(逻辑“1”)。
这两种情况中的每种向锁存器提供复位信号，并因此驱动输出Q将为低。此外，只要“slatch”为低(逻辑“0”)并且驱动输出为低(逻辑“0”)，则非Q将为高，并且经由反相器620和比较器610，T3的栅极将保持为低，使得T3将处于断开状态，因此将不再从V_suphs汲取电流。
这种控制环路情形将使其自身保持在此状态中，并且假如在比较器上呈现的电压高于uvlo参考电平，这种控制环路情形可仅在“slatch”从低变化到高时被改变成驱动输出再次为高。因此，显示出在驱动输出为低时(也就是说，在高开关断开时)，锁存器的非Q输出可以用于抑制或阻止任何偏置电流，除非到锁存器的置位输入为高或变高。换句话说，锁存器部分被配置成并适于阻止另外电路从电源中汲取电流，除非置位输入为高和驱动器处于接通状态中的至少一者成立。
根据本公开的另一锁存器部分示出在图7中。在此实施例和其它类似实施例中，在图6中示出的比较器和参考电压已经由源极跟随器NMOS晶体管T4与源极电阻器R4替换。在此情况下，用以触发欠压锁定的实际参考电平为T3和T4的阈值电压的总和。在一个或多个其它实施例中，与T4的源极串联的串联二极管可以被包括以提高此参考电平。在一些实施例中，可以选择为单个NMOS晶体管的阈值电平至少两倍的参考电平以支持数字逻辑的正确运作。应了解，在驱动输出处于高状态的情况下，此电路将汲取相对稍高的电流，因为电流流经电阻器R3和电阻器R4两者，仍旧在驱动输出处于低状态并且置位信号“slatch”为低的情况下，电路不从电源V_suphs汲取电流。
根据本公开的又一锁存器部分示出在图8中。电路大体上与图6中示出的实施例类似；然而，在此情况下比较器被与晶体管T3的源极串联连接的一对二极管D3和二极管D4替换。在此情况下，参考电平为T3的阈值电压(Vgs_T3)和二极管中每个二极管两端的正向电压降(V_D1+V_D2)的总和。假如在电源节点的电压V_suphs超过半桥节点电压V_hb至少V_D1+V_D2+Vgs_T3以及非Q的反相版本的电压为V_suphs，那么欠压锁定复位信号为低，(即uvlo_reset＝低)。否则，如果非Q为高使得反相信号为低并且T3被断开，或者电压V_suphs并未超过半桥节点电压(V_hb)至少V_D1+V_D2+Vgs_T3，那么uvlo_reset为高并且操作被锁定。
图9示出根据本公开的另外锁存器部分。电路与图6中示出的电路类似，不同之处在于，在此电路中反相器620和比较器610被PMOS晶体管T6和NMOS晶体管T5以及控制晶体管T4替换。T6和T5连接为在供电轨suphs和半桥节点之间串联的开关，其中NMOS晶体管T4作为在其间的另外开关。另外偏置电阻器R4跨T5连接。
在此实施例和类似实施例中，晶体管T5和T6充当反相器。为了更好地理解在图9中锁存器部分的欠压锁定电路的操作，首先考虑非Q为高(也就是说，“1”)的情况：然后考虑T5为接通并且T6为断开，并因此T3的栅极通过R4被拉低(也就是说，“0”)，并且uvlo reset为高或“1”。因此，在驱动断开时(非Q为高或“1”)，电路系统被停用并且uvlo_reset为高或“1”。相反，在非Q为低或“0”时(对应于其中slatch＝“1”或驱动＝“1”的情形)，晶体管T5为断开并且T6为接通。然而，现经由T4和T3，在晶体管T3接通并且能够使得uvlo_reset＝“0”之前，V_suphs和V_hb之间的电压需要为至少两倍的阈值电平。因此，T4用以确保在V_suphs和V_hb之间的电压差为至少两倍的阈值电平时，uvlo_reset才为零。
根据本公开的另一方面，一种控制如上所述的DC-DC转换器的方法示出在图10中。该方法包括，在1000，打开高侧开关并闭合低侧开关。在此时段期间，对连接在半桥节点(其在低侧开关接通时接近于零)和电源节点之间的电源充电。电源可通常为电容器或电容器布置，例如两个并联电容器的电容器布置。在1010，低侧开关被打开，并由于谐振电路中的电感元件，在半桥节点的电压然后提高以接近于DC-DC转换器的输入电压。谐振电流将流经高侧MOSFET(T1)的背栅二极管。高侧电路系统然后由自举电容器C1供应。
在1020，逻辑控制将要接通高侧开关并且生成cur_pulse_on信号(参见图1)。结果，信号slatch变为逻辑“1”。反相非Q输出变为逻辑“1”并且欠压锁定电路系统被激活。在其它实施例中，除了欠压锁定电路系统之外或作为欠压锁定电路系统的替代，其它电路系统例如过温保护通过反相非Q信号激活。
在1030，检查在V_suphs和V_hb之间是否存在ref_uvlo的至少电压差。如果“否”，那么uvlo_reset信号将保持为高(逻辑“1”)并且驱动输出将保持为低(逻辑“0”)，保持高侧断开(示出在步骤1050)。相反，如果“是”，那么uvlo_reset信号将为低(逻辑“0”)并且驱动输出将为“1”，接通高侧开关(示出在步骤1040)。如果在此状态下，(a)V_suphs和V_hb之间的电压差下降低于ref_uvlo电平或(b)rlatch信号变为逻辑“1”，那么高侧开关被断开(示出为步骤1050)。
由于谐振电路系统中的电感元件，在半桥节点的电压然后降低接近于零。谐振电流将流经低侧开关(T2)的背栅二极管。如(1000)中所示，控制逻辑然后将再次接通低侧开关以重复循环。
因此，在步骤1020、1030、1040之后的状态中，电流被从电源中汲取。由于系统在长断开时段期间处于状态1010或1050，因为在这些时段中没有电流被汲取，所以在这些长断开时段期间保持电源电压。
通过阅读本公开，本领域技术人员将明白其它变化和修改。此些变化和修改可涉及等效物和其它特征，该等效物和其它特征已在用于DC-DC转换器的控制器的领域中已知，且可用作本文已经描述的特征的替代或补充。
尽管所附权利要求书涉及特定特征组合，但应理解，本发明的公开内容的范围还包括本文中明确地或隐含地公开的任何新颖特征或任何新颖特征组合或其任何一般化，而不管其是否涉及与当前在任何权利要求中主张的本发明相同的发明，或其是否缓解与本发明所缓解的任一或全部技术问题相同的技术问题。
在单独实施例的上下文中描述的特征也可以组合地提供于单个实施例中。相反，为了简洁起见，在单个实施例的上下文中所描述的多种特征也可以单独地或以任何合适的子组合形式提供。申请人在此提醒，在审查本申请案或由此衍生的任何另外的申请案期间，可根据此些特征和/或此些特征的组合而制订新的权利要求。
为完整性起见，还规定术语“包括”不排除其它要素或步骤，术语“一”或“一个”不排除多个，单个处理器或其它单元可实现在权利要求中所述的若干构件的功能，且权利要求中的参考标记不应被解释为限制权利要求的范围。
参考符号的列表
100 控制器
110 高侧部分
120 低侧部分
130 DC电源
202 电流_脉冲_接通
204 电流_脉冲_断开
210 电平移位器
220 锁存器部分
225 锁存器
227 欠压锁定电路
228 开关
230 驱动器
310 或非门
320 或非门
330 欠压锁定电路
410 比较器
530 欠压锁定电路
610 比较器
620 反相器

Claims (12)

1.一种用于DC-DC转换器的控制器(100)，其特征在于，所述DC-DC转换器包括高侧开关(T1)、低侧开关(T2)和半桥节点(V_hb)的串联布置，所述半桥节点(V_hb)介于高侧开关(T1)和低侧开关(T2)之间，
所述控制器包括用于驱动所述高侧开关的高侧部分(110)，并且所述高侧部分(110)被配置成在所述低侧开关打开时通过连接在所述半桥节点和电源节点(V_suphs)之间的可再充电电源(C1)而被供电，
所述高侧部分包括电平移位器(210)、驱动器(230)、包括锁存器(225)的锁存器部分(220)，所述锁存器(225)具有置位输入(slatch)、复位输入(rlatch)、另外复位输入、Q输出和非Q输出，并且被配置成使所述驱动器锁存到接通状态或断开状态，
另外电路包括被包括在所述锁存器部分中的欠压锁定电路(530)，所述欠压锁定电路包括比较器，所述比较器用于比较阈值电压差(ref_uvlo)与在所述半桥节点和所述锁存器部分的反相非Q输出之间的电压差，
其中所述锁存器部分被配置成阻止所述另外电路从所述可再充电电源中汲取电流，除非所述置位输入为高和所述驱动器处于所述接通状态中的至少一者成立。
2.根据权利要求1所述的控制器，其特征在于，所述另外复位输入被耦合到所述欠压锁定电路的输出。
3.根据权利要求1或2所述的控制器，其特征在于，所述锁存器包括一对交叉耦合的或非门，所述一对或非门中的第一个包括所述置位输入和所述非Q输出，所述一对或非门中的第二个包括所述复位输入、所述另外复位输入和所述Q输出。
4.根据权利要求3所述的控制器，其特征在于，所述欠压锁定电路包括第一MOS晶体管(T3)，所述第一MOS晶体管(T3)具有连接到所述半桥节点的电压的源极和经由偏置电阻器(R3)连接到所述电源节点的漏极，并且所述锁存器部分被配置成阻止所述偏置电阻器从所述可再充电电源中汲取电流，除非所述置位输入为高和所述驱动器处于所述接通状态中的至少一者成立。
5.根据权利要求4所述的控制器，其特征在于，所述比较器输出被设置为到所述第一MOS晶体管的栅极输入，并且所述欠压锁定电路被配置成响应于所述半桥节点和所述锁存器部分的反相非Q输出之间的电压差超过所述阈值电压差(ref_uvlo)，确保通过接通所述第一MOS晶体管将所述另外复位输入连接到所述半桥节点电压。
6.根据权利要求4所述的控制器，其特征在于，所述比较器包括第二MOS晶体管(T4)，所述第二MOS晶体管(T4)经由电阻器(R4)连接在所述电源节点和所述半桥节点电压之间的源极跟随器布置中，并且所述第二MOS晶体管的源极端连接到所述第一MOS晶体管的栅极，使得所述阈值电压差为所述第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的阈值电压的总和。
7.根据权利要求1或2所述的控制器，其特征在于，所述欠压锁定电路包括第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管具有经由一个或多个二极管连接到所述半桥节点电压的源极和经由偏置电阻器连接到所述电源节点的漏极，并且所述锁存器部分被配置成阻止所述偏置电阻器从所述可再充电电源中汲取电流，除非所述置位输入为高和所述驱动器处于所述接通状态中的至少一者成立。
8.根据权利要求7所述的控制器，其特征在于，所述反相非Q输出被提供为到所述第一MOS晶体管的栅极输入。
9.一种DC-DC转换器，其特征在于，包括根据在前的任一项权利要求所述的控制器、所述可再充电电源、所述高侧开关和低侧开关以及与所述控制器耦合的电感元件。
10.根据权利要求9所述的DC-DC转换器，其特征在于，所述可再充电电源包括电容器。
11.一种控制DC-DC转换器和控制器的方法，所述DC-DC转换器包括高侧开关、低侧开关和半桥节点的串联布置，所述半桥节点介于高侧开关和低侧开关之间，所述控制器包括用于驱动所述高侧开关的高侧部分，所述高侧部分包括电平移位器、驱动器、锁存器部分，所述锁存器部分包括锁存器，所述锁存器另外包括置位输入、复位输入(rlatch)、另外复位输入、Q输出和非Q输出，并且被配置成使所述驱动器锁存到接通状态或断开状态，另外电路包括被包括在所述锁存器部分中的欠压锁定电路(530)，所述欠压锁定电路包括比较器，所述比较器用于比较阈值电压差(ref_uvlo)与在所述半桥节点和所述锁存器部分的反相非Q输出之间的电压差，所述方法包括：
顺序地闭合和打开所述高侧开关和所述低侧开关，
在所述低侧开关闭合时，对连接在所述半桥节点和电源节点之间的可再充电电源充电；
在所述低侧开关打开时，将电力从所述可再充电电源提供到所述高侧部分；
并且阻止所述另外电路从所述可再充电电源中汲取电流，除非所述置位输入为高和所述驱动器处于所述接通状态中的至少一者成立。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述另外电路为包括开关和偏置电阻器的串联布置的欠压锁定电路，并且所述方法按顺序包括，
闭合所述低侧开关(1000)；
打开所述低侧开关(1010)；
生成脉冲(1020)，从而设定置位输入(slatch)为高并且激活所述欠压锁定电路；
借助于所述欠压锁定电路确定半桥节点电压和电源节点电压之间的差值是否超过阈值电压差(1030)；
响应于半桥节点电压和电源节点电压之间的差值高于或等于阈值电压差，操作所述高侧开关，闭合所述开关以汲取通过所述偏置电阻器的电流，从而迫使到所述锁存器的另外复位输入为低(1040)；以及
响应于半桥节点电压和电源节点电压之间的差值低于阈值电压差，操作所述高侧开关，保持所述开关打开以使得到所述锁存器的所述另外复位输入为高，并且从而阻止所述高侧开关操作(1050)。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3358738A1 (de) * 2017-02-03 2018-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Leistungshalbleiterschaltung
US10193554B1 (en) * 2017-11-15 2019-01-29 Navitas Semiconductor, Inc. Capacitively coupled level shifter
US10523183B2 (en) * 2018-01-31 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dynamic high voltage (HV) level shifter with temperature compensation for high-side gate driver
IT201800002464A1 (it) 2018-02-07 2019-08-07 St Microelectronics Srl Convertitore elettronico, relativo sistema audio, circuito integrato e procedimento per operare un convertitore elettronico
IT201800002466A1 (it) 2018-02-07 2019-08-07 St Microelectronics Srl Circuito integrato per implementare un amplificatore audio, relativo amplificatore audio
US10333408B1 (en) * 2018-04-26 2019-06-25 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Compensation of level-shift capacitance
CN108768142A (zh) * 2018-08-17 2018-11-06 广州金升阳科技有限公司 一种自举电路
JP7200727B2 (ja) * 2019-02-14 2023-01-10 富士電機株式会社 スイッチング電源の制御装置
JP7308137B2 (ja) * 2019-12-03 2023-07-13 ローム株式会社 スイッチング回路のゲート駆動回路および制御回路、スイッチング電源

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102904220A (zh) * 2012-11-07 2013-01-30 东南大学 高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路
CN202918193U (zh) * 2012-08-30 2013-05-01 成都芯源系统有限公司 自举电压刷新控制电路及电压转换电路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4114176A1 (de) * 1990-05-24 1991-11-28 Int Rectifier Corp Pegelschieberschaltung
US6858996B2 (en) * 2002-08-14 2005-02-22 International Rectifier Corporation Driver IC for use with simple microcontrol
US7592831B2 (en) * 2007-04-05 2009-09-22 International Rectifier Corporation Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator
US7782115B2 (en) * 2008-04-11 2010-08-24 Asic Advantage Inc. Voltage level shifter
US8044699B1 (en) * 2010-07-19 2011-10-25 Polar Semiconductor, Inc. Differential high voltage level shifter
KR101646910B1 (ko) * 2011-01-11 2016-08-09 페어차일드코리아반도체 주식회사 파워 온 리셋 회로를 포함하는 반도체 소자
TWI481194B (zh) * 2012-02-10 2015-04-11 Richtek Technology Corp 浮接閘驅動器電路以及在浮接閘驅動器電路中為單端準位平移器改善抗雜訊能力的電路與方法
JP5825144B2 (ja) * 2012-02-28 2015-12-02 富士電機株式会社 半導体装置およびハイサイド回路の駆動方法
US9647476B2 (en) * 2014-09-16 2017-05-09 Navitas Semiconductor Inc. Integrated bias supply, reference and bias current circuits for GaN devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202918193U (zh) * 2012-08-30 2013-05-01 成都芯源系统有限公司 自举电压刷新控制电路及电压转换电路
CN102904220A (zh) * 2012-11-07 2013-01-30 东南大学 高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路

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