JP2019103566A - 超音波プローブ - Google Patents

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友広 佐藤
Tomohiro Sato
友広 佐藤
浩之 四方
Hiroyuki Shikata
浩之 四方
尾名 康裕
Yasuhiro Ona
康裕 尾名
健吾 岡田
Kengo Okada
健吾 岡田
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Abstract

【課題】グレーティングローブ(GL)等の音響特性を向上させる。【解決手段】超音波プローブ1は、電子回路モジュール13を備える。電子回路モジュール13は、少なくとも1つの端面が面一となるように配列された多層絶縁板51、多層絶縁板5のそれぞれにパターン形成された配線52、及び、多層絶縁板5の面一の端面側に設けられ音響アレイ11に接続するための電極53を含む多層基板32と、多層基板32の側面に実装された集積回路チップ31とを含む。複数の電子回路モジュール13を配列して一塊として備え、複数の電子回路モジュール13の面一の端面側に音響アレイ11が接続される。【選択図】図3

Description

本発明の実施形態は、超音波プローブに関する。
医用分野では、超音波プローブの複数の振動子(圧電振動子)を用いて発生させた超音波を利用して、被検体内部を画像化する超音波診断装置が使用されている。超音波診断装置は、超音波診断装置に接続された超音波プローブから被検体内に超音波を送信させ、反射波に基づくエコー信号を生成し、画像処理によって所望の超音波画像を得る。
超音波プローブには、格子状に複数の振動子を配置する2Dアレイプローブが存在する。2Dアレイプローブでは、振動子の数が膨大になるため、いくつかの振動子のセット毎の背面側に電子回路モジュールを備える構造をもつ。各電子回路モジュールは、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う集積回路チップ(IC:Integrated Circuit)と、それを実装する、複数の基板が配列された多層基板と、基板と各電子回路モジュールに対応する複数の振動子とを配線接続するFPC(Flexible Printed Circuit)等を備える。
特開2011−223468号公報
本発明が解決しようとする課題は、グレーティングローブ(GL)等の音響特性を向上させることである。
実施形態に係る超音波プローブは、電子回路モジュールを備える。電子回路モジュールは、少なくとも1つの端面が面一となるように配列された多層絶縁板、多層絶縁板のそれぞれにパターン形成された配線、及び、多層絶縁板の面一の端面側に設けられ音響アレイに接続するための電極を含む多層基板と、多層基板の側面に実装された集積回路チップとを含む。複数の電子回路モジュールを配列して一塊として備え、複数の電子回路モジュールの面一の端面側に音響アレイが接続される。
図1は、第1の実施形態に係る超音波プローブ及び超音波診断装置の構成を示す概略図。 図2は、比較例に係る超音波プローブを示す側面図。 図3は、第1の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図。 図4は、第1の実施形態に係る超音波プローブの電子回路モジュールを示す斜視図。 図5は、第2の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図。 図6は、第3の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図。 図7は、第4の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図。 図8は、第1の実施形態に係る超音波プローブの第1の変形例を示す側面図。 図9は、第1の実施形態に係る超音波プローブの第2の変形例を示す側面図。 図10は、第1の実施形態に係る超音波プローブの第3の変形例を示す側面図。
以下、図面を参照しながら、超音波プローブの実施形態について詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る超音波プローブ及び超音波診断装置の構成を示す概略図である。
図1は、本実施形態に係る超音波プローブ1及び超音波診断装置Uを示す。なお、超音波診断装置Uに、超音波プローブ1を加えた装置を超音波診断装置と称する場合もある。以下の説明では、超音波診断装置Uの外部に、超音波プローブ1が備えられる場合について説明する。
超音波プローブ1は、被検体(例えば、患者)に対して超音波の送受波を行う。超音波プローブ1は、被検体の表面に対してその前面を接触させ超音波の送受波を行うものであり、2次元(2D)に配列された複数個の微小な振動子(圧電素子)をその先端部に有している。この振動子は電気音響変換素子であり、送信時には電気パルスを超音波パルスに変換し、又、受信時には反射波を電気信号(受信信号)に変換する機能を有している。
超音波プローブ1は小型、軽量に構成されており、有線通信又は無線通信を介して超音波診断装置Uに接続される。超音波プローブ1の種類としては、2Dアレイプローブ等が挙げられる。2Dアレイプローブは、複数の振動子が2次元的に配列された構成を有する。なお、超音波プローブ1の詳細構成については、図3〜図10を用いて後述する。
超音波診断装置Uは、図示しないが、送受信回路、Bモード処理回路、ドプラ処理回路、画像生成回路、画像メモリ、表示制御回路、処理回路、及び記憶回路等を備える。
超音波診断装置Uの送受信回路は、パルス発生器、送信遅延回路、及びパルサ回路等を有し、超音波プローブ1の振動子に駆動信号を供給する。また、送受信回路は、アンプ回路、A/D(Analog to Digital)変換器、及び加算器等を有し、超音波プローブ1の振動子が受信したエコー信号に対して各種処理を行ってエコーデータを生成する。
超音波診断装置UのBモード処理回路は、処理回路による制御の下、送受信回路からエコーデータを受信し、対数増幅、及び包絡線検波処理等を行って、信号強度が輝度の明るさで表現されるデータ(2次元又は3次元データ)を生成する。超音波診断装置Uのドプラ処理回路は、処理回路による制御の下、送受信回路から受信したエコーデータから速度情報を周波数解析し、ドプラ効果による血流や組織、造影剤エコー成分を抽出し、平均速度、分散、パワー等の移動態情報を多点について抽出したデータ(2次元又は3次元データ)を生成する。
超音波診断装置Uの画像生成回路は、処理回路による制御の下、Bモード処理後のデータ、又は、ドプラ処理後のデータに基づいて、所定の輝度レンジで表現されたBモード画像、又は、ドプラ画像を画像データとして生成する。
超音波診断装置Uの画像メモリは、1フレーム当たり2軸方向に複数のメモリセルを備え、それを複数フレーム分備えたメモリである。又は、画像メモリは、3軸方向(X軸、Y軸、及びZ軸方向)に複数のメモリセルを備えたメモリである。画像メモリは、処理回路の制御による制御の下、画像生成回路によって生成された超音波画像を2次元画像データ、又は、3次元画像データとして記憶する。
超音波診断装置Uの表示制御回路は、GPU(Graphics Processing Unit)及びVRAM(Video RAM)等を含む。表示制御回路は、処理回路の制御による制御の下、処理回路から表示出力要求のあった超音波画像(例えば、ライブ画像)等をディスプレイに表示させる。
超音波診断装置Uの処理回路は、専用又は汎用のCPU(central processing unit)、MPU(micro processor unit)、又はGPU(Graphics Processing Unit)の他、特定用途向け集積回路(ASIC:application specific integrated circuit)、及び、プログラマブル論理デバイス等を意味する。プログラマブル論理デバイスとしては、例えば、単純プログラマブル論理デバイス(SPLD:simple programmable logic device)、複合プログラマブル論理デバイス(CPLD:complex programmable logic device)、及び、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA:field programmable gate array)等が挙げられる。
超音波診断装置Uの記憶回路は、RAM(random access memory)、フラッシュメモリ(flash memory)等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等によって構成される。記憶回路は、USB(universal serial bus)メモリ及びDVD(digital video disk)等の可搬型メディアによって構成されてもよい。記憶回路は、処理回路において用いられる各種処理プログラム(アプリケーションプログラムの他、OS(operating system)等も含まれる)や、プログラムの実行に必要なデータを記憶する。
超音波診断装置Uの入力回路は、操作者によって操作が可能な入力デバイスからの信号を入力する回路と、入力デバイスとを含む。入力デバイスは、トラックボール、スイッチ、マウス、キーボード、走査面に触れることで入力操作を行うタッチパッド、表示画面とタッチパッドとが一化されたタッチスクリーン、光学センサを用いた非接触入力回路、及び音声入力回路等によって実現される。操作者により入力デバイスが操作されると、入力部はその操作に応じた入力信号を生成して処理回路に出力する。
なお、図1において、送受信回路及び処理回路が超音波診断装置Uに設けられる場合の例について示すが、その場合に限定されるものではない。送受信回路及び処理回路は、超音波プローブ1に設けられてもよいし、超音波診断装置U及び超音波プローブ1の両方に設けられてもよい。
続いて、超音波プローブ1の詳細構成について説明する。
図2は、比較例に係る超音波プローブを示す側面図である。
図2は、比較例に係る超音波プローブ101を示す。超音波プローブ101は、第1の方向及びそれに直交する第2の方向(アジマス方向及びエレベーション方向)に2次元配列された音響アレイ111と、アジマス方向に配列された複数の電子回路モジュール113とを備える。各音響アレイ111は、図示しないが、音響レンズ、音響整合層、及び振動子を設ける。各電子回路モジュール113は、集積回路チップ(IC:Integrated Circuit)131、複数の基板(多層基板)132、音響減衰材(バッキング)133、及びFPC(Flexible Printed Circuit)134を設ける。
集積回路チップ131は、多層基板132に実装され、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う。多層基板132は、隣り合う基板の表面と裏面とが対向するようにエレベーション方向に配列(積層)された複数の基板を備える。各基板は、集積回路チップ131とFPC134とを電気的に接続するためにパターン形成された配線を設ける。音響減衰材133は、振動子の後方に向かう超音波を吸収して不要振動を抑える機能を有する。FPC134は、多層基板132の基板と各電子回路モジュール113に対応する複数の音響アレイ111とを配線接続する。
図2において、隣り合う2個の電子回路モジュール113の間に、互いのFPC134が介在する。そのため、隣り合う2個の電子回路モジュール113の間隔を拡げて製造しなくてはならず、その場合、境界で隣り合う2個の音響アレイ111の間隔も拡がってしまう。そうなると、超音波ビームの音圧分布において中心軸の側面に拡散する疑似成分、つまり、グレーティングローブ(GL)が発生してしまうという問題がある。
そこで、後述の超音波プローブでは、隣り合う2個の電子回路モジュール113の間に電子回路モジュール113の厚みによる音響的なギャップを減らすことで、GL等の音響特性を向上させる。
図3は、第1の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図である。図4は、第1の実施形態に係る超音波プローブの電子回路モジュールを示す斜視図である。
図3及び図4は、第1の実施形態に係る超音波プローブ1を示す。超音波プローブ1は、アジマス方向及びエレベーション方向に2次元配列された音響アレイ11と、FPC12と、アジマス方向に配列された複数の電子回路モジュール13とを備える。つまり、超音波プローブ1は、複数の電子回路モジュール13を配列して複数の電子回路モジュール13を一塊として備える。各音響アレイ11は、図示しないが、音響レンズ、音響整合層、及び振動子を設ける。また、図3(図5〜図10についても同様)において、便宜上、各電子回路モジュール13が4個の音響アレイ11に対応するものとして図示するが、その場合に限定されるものではない。各電子回路モジュール13は、10個〜20個の音響アレイ11に対応する場合が好適である。
なお、音響アレイ11とFPC12との間に音響減衰材が設けられてもよい。また、図3において電子回路モジュール13がアジマス方向に2個、図4において電子回路モジュール13がアジマス方向に3個配列される場合について図示するが、その場合に限定されるものではない。
FPC12は、音響アレイ11と電子回路モジュール13との間に設けられ、音響アレイ11と電子回路モジュール13とを電気的に接続する。FPC12は、音響アレイ11と電極53との位置を調整するように設けられる。
各電子回路モジュール13は、集積回路チップ(IC:Integrated Circuit)31及び複数の基板(多層基板)32を設ける。IC31は、多層基板32に実装され、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う。各電子回路モジュール13への入出力信号の接続は、少なくとも1つのターミネーション基板で接続される構成とする。なお、図4において基板がエレベーション方向に7層配列されて多層基板32を構成し、多層基板32がアジマス方向に3個配列される場合について図示するが、その場合に限定されるものではない。
多層基板32は、エレベーション方向に複数の絶縁板が配列された多層絶縁板51と、各絶縁板に設けられIC31と電極53とを電気的に接続するためにパターン形成された配線52と、多層絶縁板51の超音波送受信側に設けられFPC12を介して音響アレイ11に接続するための電極53とを設ける。
多層基板32は、隣り合う基板の表面と裏面とが対向するようにエレベーション方向に配列された複数の基板を備える。各基板は、主としてアルミナ、セラミック等の材料によって構成される。各基板の材料として、音響減衰材として機能させる材料が選択されてもよい。多層基板32の端面、つまり、超音波送受信側の面は面一となるように構成される。また、多層基板32の側面には、実装された状態でIC31が多層基板32からはみ出さないように凹部が成形され、その凹部を実施空間としてIC31が実装される。例えば、多層基板32の各基板は、T字の形状を有し、多層基板32の両側の凹部のそれぞれにIC31が実装される。
音響アレイ11と電子回路モジュール13とは、それぞれに設けられた電極同士が電気的に接続されることで結線される。この場合、隣り合う2個の電子回路モジュール13の間にはFPC134(図2に図示)のように介在するものがない。そのため、隣り合う2個の電子回路モジュール13の間の寸法誤差は、多層基板32の寸法公差で決定される。多層基板32の寸法公差は、例えば0.1[mm]程度であり、音響アレイ11の電極ピッチは、例えば0.2[mm]程度であることから、音響アレイ11と電子回路モジュール13の接続を、寸法精度上問題なく行うことができる。
以上のように、超音波プローブ1によれば、隣り合う2個の電子回路モジュール13の間に電子回路モジュール13の厚みによる音響的なギャップを減らすことで、GL等の音響特性を向上させることができる。さらに、超音波プローブ1によれば、電子回路モジュール13内の電極53の位置精度や平面度を向上させることができる。また、超音波プローブ1によれば、電極の位置精度の向上により超音波プローブ1の製造を容易にすることができる。
(第2の実施形態)
図3及び図4に示す超音波プローブ1において、実装対象となるIC31が多層基板32の設計可能な高さを上回っている場合、音響アレイ11への接続時に、隣り合う2個の電子回路モジュール13同士が干渉する場合も有り得る。そこで、第2の実施形態に係る超音波プローブでは、集積回路チップ31の実装位置をずらし、隣り合う2個の電子回路モジュール13同士が干渉しないような構成を備える。
図5は、第2の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図である。
図5は、第2の実施形態に係る超音波プローブ1Aを示す。超音波プローブ1Aは、アジマス方向及びエレベーション方向に2次元配列された音響アレイ11と、FPC12と、アジマス方向に配列された複数の電子回路モジュール13Aとを備える。つまり、超音波プローブ1Aは、複数の電子回路モジュール13Aを配列して複数の電子回路モジュール13Aを一塊として備える。なお、図5において、図3に示す構成と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
各電子回路モジュール13Aは、IC31A及び複数の基板(多層基板)32Aを設ける。IC31Aは、多層基板32Aに実装され、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う。各電子回路モジュール13Aへの入出力信号の接続は、少なくとも1つのターミネーション基板で接続される構成とする。
多層基板32Aは、エレベーション方向に複数の絶縁板が配列された多層絶縁板51Aと、各絶縁板に設けられIC31Aと電極53とを電気的に接続するためにパターン形成された配線52Aと、多層絶縁板51Aの超音波送受信側に設けられFPC12を介して音響アレイ11に接続するための電極53とを設ける。
多層基板32Aは、多層基板32(図4に図示)と同様に、エレベーション方向に配列された複数の基板を備える。多層基板32Aの端面、つまり、超音波送受信側の面は面一となるように構成される。また、多層基板32Aの側面には、実装された状態でIC31Aが多層基板32Aからはみ出すように凹部が成形され、その凹部を実施空間の一部としてIC31Aが実装される。例えば、多層基板32Aの各基板は、T字の形状を有し、多層基板32Aの両側の凹部のそれぞれに、上下に互い違いになるようにIC31Aが実装される。IC31Aのこのような実装位置により、図3に示す多層基板32の凹みの深さと比較して、多層基板32Aの凹みの深さを抑えることができる。
以上のように、超音波プローブ1Aによれば、超音波プローブ1と同様の効果がある。
(第3の実施形態)
図3及び図4に示す超音波プローブ1において、実装対象となるIC31が多層基板32の設計可能な高さを上回っている場合、音響アレイ11への接続時に、隣り合う2個の電子回路モジュール13同士が干渉する場合も有り得る。そこで、第3の実施形態に係る超音波プローブでは、集積回路チップ31が多層基板32内部に埋め込まれるような構成を備える。
図6は、第3の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図である。
図6は、第3の実施形態に係る超音波プローブ1Bを示す。超音波プローブ1Bは、アジマス方向及びエレベーション方向に2次元配列された音響アレイ11と、FPC12と、アジマス方向に配列された複数の電子回路モジュール13Bとを備える。つまり、超音波プローブ1Bは、複数の電子回路モジュール13Bを配列して複数の電子回路モジュール13Bを一塊として備える。なお、図6において、図3に示す構成と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
各電子回路モジュール13Bは、IC31B及び複数の基板(多層基板)32Bを設ける。IC31Bは、多層基板32Bの内部に実装され、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う。各電子回路モジュール13Bへの入出力信号の接続は、少なくとも1つのターミネーション基板で接続される構成とする。
多層基板32Bは、エレベーション方向に複数の絶縁板が配列された多層絶縁板51Bと、各絶縁板に設けられIC31Bと電極53とを電気的に接続するためにパターン形成された配線52Bと、多層絶縁板51Bの超音波送受信側に設けられFPC12を介して音響アレイ11に接続するための電極53とを設ける。また、多層基板32Bの内部には、IC31Cが収容可能なように成形された実装空間が備えられ、その実装空間にIC31Bが実装される。
多層基板32Bは、多層基板32(図4に図示)と同様に、エレベーション方向に配列された複数の基板を備える。多層基板32Bの端面、つまり、超音波送受信側の面は面一となるように構成される。
以上のように、超音波プローブ1Bによれば、超音波プローブ1と同様の効果がある。
(第4の実施形態)
図3及び図4に示す超音波プローブ1において、実装対象となるIC31が多層基板32の設計可能な高さを上回っている場合、音響アレイ11への接続時に、隣り合う2個の電子回路モジュール13同士が干渉する場合も有り得る。そこで、第4の実施形態に係る超音波プローブでは、集積回路チップ31が多層基板32の片面のみに実装されるようにする。
図7は、第4の実施形態に係る超音波プローブを示す側面図である。
図7は、第4の実施形態に係る超音波プローブ1Cを示す。超音波プローブ1Cは、アジマス方向及びエレベーション方向に2次元配列された音響アレイ11と、FPC12と、アジマス方向に配列された複数の電子回路モジュール13Cとを備える。つまり、超音波プローブ1Cは、複数の電子回路モジュール13Cを配列して複数の電子回路モジュール13Cを一塊として備える。なお、図7において、図3に示す構成と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
各電子回路モジュール13Cは、IC31C及び複数の基板(多層基板)32Cを設ける。IC31Cは、多層基板32Cに実装され、超音波の送受信の制御及び遅延加算を行う。各電子回路モジュール13Cへの入出力信号の接続は、少なくとも1つのターミネーション基板で接続される構成とする。
多層基板32Cは、エレベーション方向に複数の絶縁板が配列された多層絶縁板51Cと、各絶縁板に設けられIC31Cと電極53とを電気的に接続するためにパターン形成された配線52Cと、多層絶縁板51Cの超音波送受信側に設けられFPC12を介して音響アレイ11に接続するための電極53とを設ける。
多層基板32Cは、多層基板32(図4に図示)と同様に、エレベーション方向に配列された複数の基板を備える。多層基板32Cの端面、つまり、超音波送受信側の面は面一となるように構成される。また、多層基板32Cの側面には、実装された状態でIC31Cが多層基板32Cからはみ出さないように凹部が成形され、その凹部を実施空間としてIC31Cが実装される。例えば、多層基板32Cの片側の凹部のみに、IC31Cが実装される。多層基板32Cのこのような実装位置により、図3に示す場合と比較して、多層基板32Cの片側のみが成形されるだけでよい。
以上のように、超音波プローブ1Cによれば、超音波プローブ1と同様の効果がある。
(第1の変形例)
前述した第1に係る超音波プローブ1(第2〜第4の実施形態に係る超音波プローブ1A〜1Cについても同様)は、多層基板32の各基板の縁部に音響減衰材(バッキング)を備えてもよい。
図8は、第1の実施形態に係る超音波プローブの第1の変形例を示す側面図である。なお、図8では、第1の実施形態のうち第1に係る超音波プローブの第1の変形例を示す。
各振動子を駆動した際に生じる超音波は音響レンズ側だけではなく、その背面側にも生じる。一般的には背面側に伝わる超音波は反射して振動子で受信されてノイズとなる。第1の実施例においては電子回路モジュール13内に伝搬するとともに、電子回路モジュール13の表面を横波となって伝搬し、不要振動となりノイズの原因になる。
そのため、第1の実施例では、超音波プローブ1は、各基板の表面に音響減衰する音響減衰材Dを設ける。これにより、ノイズ低減を図ることもできる。
(第2の変形例)
前述した第1に係る超音波プローブ1(第2〜第4の実施形態に係る超音波プローブ1A〜1Cについても同様)は、多層基板32とIC31と間に、充填材(アンダーフィル)を備えてもよい。
図9は、第1〜第4の実施形態に係る超音波プローブの第2の変形例を示す側面図である。なお、図9では、第1〜第4の実施形態のうち第1に係る超音波プローブの第2の変形例を示す。
第1の変形例で示したように、背面側に伝搬した超音波はIC31にも伝わり、ここで反射しノイズの原因となる。そのため、第2の実施例では、超音波プローブ1は、多層基板32とIC31の間に、エポキシ樹脂等からなる充填材Eを設ける。それにより、不要振動を抑制することもできる。
(第3の変形例)
前述した第1に係る超音波プローブ1(第2〜第4の実施形態に係る超音波プローブ1A〜1Cについても同様)は、IC31に、放熱材(例えば、熱伝導材や放熱板(ヒートスプレッダ))を備えてもよい。
図10は、第1〜第4の実施形態に係る超音波プローブの第3の変形例を示す側面図である。なお、図10では、第1〜第4の実施形態のうち第1に係る超音波プローブの第3の変形例を示す。
超音波プローブ1の駆動時における主発熱源の1つはIC31である。そのため、第3の実施例では、超音波プローブ1は、IC31の放熱のためにIC31に熱伝導材F及び放熱板Gを設けてもよい。この場合においても、実装された状態の熱伝導材F、放熱板G、及びIC31が多層基板32からはみ出さない構成とすることが好適である。なお、熱伝導材F及び放熱板Gを設けることで多層基板32の幅(アジマス方向の幅)を超えてしまう場合は、図5を用いて説明したように、上下方向に互い違いに実装されてもよい。
以上説明した少なくとも1つの実施形態によれば、GL等の音響特性を向上させることができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1,1A,1B,1C 超音波プローブ
11 音響アレイ
12 FPC
13,13A,13B,13C 電子回路モジュール
31,31A,31B,31C 集積回路チップ(IC)
32,32A,32B,32C 多層基板
51,51A,51B,51C 多層絶縁板
52,52A,52B,52C 配線
53 電極

Claims (12)

  1. 少なくとも1つの端面が面一となるように配列された多層絶縁板、前記多層絶縁板のそれぞれにパターン形成された配線、及び、前記多層絶縁板の前記面一の端面側に設けられ音響アレイに接続するための電極を含む多層基板と、前記多層基板の側面に実装された集積回路チップとを含む電子回路モジュールを備えた超音波プローブであって、
    複数の前記電子回路モジュールを配列して一塊として備え、前記複数の電子回路モジュールの前記面一の端面側に音響アレイが接続された、
    超音波プローブ。
  2. 前記多層基板の前記側面に、前記集積回路チップの実装空間を備えた、
    請求項1に記載の超音波プローブ。
  3. 前記多層基板の両側の側面にそれぞれ、前記集積回路チップの実装空間を備え、前記両側の実装空間において前記多層基板に実装された状態の前記集積回路チップが前記多層基板からはみ出さない構成とする、
    請求項2に記載の超音波プローブ。
  4. 前記多層基板の両側の側面にそれぞれ、前記集積回路チップの実装空間を備え、前記両側の実装空間において前記多層基板に実装された状態の前記集積回路チップが前記多層基板からはみ出す構成とし、前記両側に実装された状態の前記集積回路チップが両側で上下方向に互い違いに設けられる、
    請求項2に記載の超音波プローブ。
  5. 前記多層基板の片側の側面に、前記集積回路チップの実装空間を備え、前記片側の実装空間において前記多層基板に実装された状態の前記集積回路チップが前記多層基板からはみ出さない構成とする、
    請求項2に記載の超音波プローブ。
  6. 前記多層基板に、前記集積回路チップが埋め込まれた構成とする、
    請求項1に記載の超音波プローブ。
  7. 前記音響アレイが接続される第2の基板を更に備え、前記第2の基板を介して前記電子回路モジュールと前記音響アレイとを電気的に接続する、
    請求項1乃至6のうちいずれか一項に記載の超音波プローブ。
  8. 前記第2の基板は、前記音響アレイと前記電極との位置を調整するように設けられる、
    請求項7に記載の超音波プローブ。
  9. 前記電子回路モジュールへの入出力信号の接続は、少なくとも1つのターミネーション基板で接続される構成とする、
    請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の超音波プローブ。
  10. 前記多層基板の各基板の縁部に音響減衰材を更に備えた、
    請求項1乃至9のうちいずれか一項に記載の超音波プローブ。
  11. 前記多層基板と前記集積回路チップと間に、充填材を更に備えた、
    請求項1乃至10のうちいずれか一項に記載の超音波プローブ。
  12. 前記集積回路チップに、放熱材を備えた、
    請求項1乃至11のうちいずれか一項に記載の超音波プローブ。
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