JP2019096824A - 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電気的な特性を維持しつつ、高い信頼性が得られる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサは、容量形成部と、周縁部と、外部電極と、酸化物層と、を具備する。上記容量形成部は、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成され一軸方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する。上記周縁部は、上記容量形成部の周囲を被覆し、外面を構成する高マグネシウム領域と、上記高マグネシウム領域と上記容量形成部との間に形成された低マグネシウム領域と、を有する。上記外部電極は、ニッケルを主成分とし、上記周縁部の上記外面に形成され、上記複数の内部電極に接続される。上記酸化物層は、ニッケルとマグネシウムとを含み、上記高マグネシウム領域と上記外部電極との間に形成される。【選択図】図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。

積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極と積層体を同時焼成する技術が知られている（特許文献１参照）。一方で、外部電極と積層体を同時焼成した場合、焼成中には外部電極が積層体よりも低い温度で体積収縮することから、積層体にかかる応力が大きくなり、クラック等の不具合が発生するという問題があった。

そこで、特許文献２には、チップ状積層体とＮｉ外部電極との間の接着強度を高める観点から、当該積層体とＮｉ外部電極の境界面に（Ｎｉ、Ｍｇ）化合物の酸化層を有する積層セラミックコンデンサが記載されている。当該酸化層は、誘電体セラミック粉末にＭｇ化合物粉末を添加し、所定の酸素分圧雰囲気下で焼成することで形成される。

特開２００５−４４９０３号公報 特開２００９−１７２０１１号公報

しかしながら、特許文献２に記載の積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック粉末に添加したＭｇが焼成中に積層体に拡散すると、容量の低下等の電気的な特性の低下を招くという懸念があった。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、電気的な特性を維持しつつ、高い信頼性が得られる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミックコンデンサは、容量形成部と、周縁部と、外部電極と、酸化物層と、を具備する。
上記容量形成部は、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成され一軸方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する。
上記周縁部は、上記容量形成部の周囲を被覆し、外面を構成する高マグネシウム領域と、上記高マグネシウム領域と上記容量形成部との間に形成された低マグネシウム領域と、を有する。
上記外部電極は、ニッケルを主成分とし、上記周縁部の上記外面に形成され、上記複数の内部電極に接続される。
上記酸化物層は、ニッケルとマグネシウムとを含み、上記高マグネシウム領域と上記外部電極との間に形成される。

この構成により、周縁部の外面付近においてマグネシウム濃度が高く構成されるため、焼成中に外部電極側へ拡散したマグネシウムがニッケルと反応し、酸化物層が形成される。このため、容量形成部及び周縁部を含むセラミック素体と、外部電極とが酸化物層を介して接合されることとなり、これらの接合が酸化物同士の接合となる。したがって、金属材料とセラミック材料（酸化物）との接合よりも親和性の高い接合が形成され、外部電極の接合面における剥がれやクラック等の不具合を防止することができる。
さらに、上記周縁部は、容量形成部近傍においてマグネシウム濃度が低くなるように構成される。これにより、容量形成部の電気的な特性を低下させる可能性のあるマグネシウムが、容量形成部まで拡散することを防止することができる。したがって、電気的な特性も維持しつつ、外部電極の接合に関して高い信頼性も得ることができる。

上記低マグネシウム領域は、５μｍ以上の厚さで形成されてもよい。
これにより、高マグネシウム領域から容量形成部へのマグネシウムの拡散を、より確実に防止することができる。

上記高マグネシウム領域のマグネシウム濃度は、０．６ｍｏｌ％以上であってもよい。
これにより、十分な厚さの酸化物層を形成することができる。

上記低マグネシウム領域のマグネシウム濃度は、０．３ｍｏｌ％以下であってもよい。
これにより、容量形成部のマグネシウムによる電気的な特性の低下を、より確実に防止することができる。

本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、容量形成部と、周縁部と、を含む未焼成のセラミック素体が作製される。上記容量形成部は、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成され一軸方向に積層された複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する。上記周縁部は、上記容量形成部の周囲を被覆し、外面を構成する高マグネシウム領域と、上記高マグネシウム領域と上記容量形成部との間に形成された低マグネシウム領域と、を有する。
上記周縁部の上記外面にニッケルを主成分とする電極材料が塗布される。
上記セラミック素体と上記電極材料とが同時焼成される。

以上のように、本発明によれば、電気的な特性を維持しつつ、高い信頼性が得られる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いた態様を示す模式的な斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 上記積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いた態様を示す模式的な斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 本発明の第２実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 上記積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いた態様を示す模式的な斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。 本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１８のＣ−Ｃ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサの図１８のＤ−Ｄ'線に沿った断面図である。 上記積層セラミックコンデンサのセラミック素体の模式的な分解斜視図である。 上記積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いた態様を示す模式的な斜視図である。 本発明の第３実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 上記積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いた態様を示す模式的な斜視図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。

＜第１実施形態＞
［積層セラミックコンデンサ１０の基本構成］
図１〜３は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。

積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、酸化物層Ｐ１とを具備する。積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１の表面に外部電極１４，１５が形成された構成を有する。なお、酸化物層Ｐ１の構成については、「積層セラミックコンデンサ１０の詳細構成」において説明する。

セラミック素体１１の外面は、典型的には、Ｘ軸方向を向いた２つの端面１１ａ，１１ｂと、Ｙ軸方向を向いた２つの側面１１ｃ，１１ｄと、Ｚ軸方向を向いた２つの主面１１ｅ，１１ｆと、を有する。端面１１ａ，１１ｂには、外部電極１４，１５が形成される。セラミック素体１１の各面を接続する稜部は面取りされていてもよい。
なお、セラミック素体１１は、図１〜３に示すような直方体形状でなくてもよい。例えば、セラミック素体１１の各面は曲面であってもよく、セラミック素体１１は全体として丸みを帯びた形状であってもよい。

セラミック素体１１は、容量形成部１６と、エンドマージン部１７ａ，１７ｂと、カバー部１８と、サイドマージン部１９と、を有する。
容量形成部１６は、複数のセラミック層２０と、複数の第１内部電極１２と、複数の第２内部電極１３と、を有し、これらが積層された構成を有する。容量形成部１６は、積層セラミックコンデンサ１０における電荷を蓄える機能を有する。
エンドマージン部１７ａ，１７ｂ、カバー部１８、及びサイドマージン部１９は、容量形成部１６の周囲を被覆する周縁部を構成する。より詳細に、エンドマージン部１７ａ，１７ｂは、Ｘ軸方向から容量形成部１６を被覆する。カバー部１８は、Ｚ軸方向から容量形成部１６を被覆する。サイドマージン部１９は、Ｙ軸方向から容量形成部１６を被覆する。

内部電極１２，１３は、Ｚ軸方向に積層された複数のセラミック層２０の間に、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。第１内部電極１２は、エンドマージン部１７ａを介して端面１１ａに引き出され、エンドマージン部１７ｂを挟んで端面１１ｂから離間している。第２内部電極１３は、エンドマージン部１７ｂを介して端面１１ｂに引き出され、エンドマージン部１７ａを挟んで端面１１ａから離間している。
内部電極１２，１３は、典型的にはニッケル（Ｎｉ）を主成分として構成され、積層セラミックコンデンサ１０の内部電極として機能する。なお、内部電極１２，１３は、ニッケル以外に、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）の少なくとも１つを主成分としていてもよい。

セラミック層２０は、誘電体セラミックスによって形成され、具体的にはチタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成される。チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系材料の多結晶体が挙げられる。これにより、容量形成部１６における容量を大きくすることができる。この他、当該誘電体としては、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）系、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）系、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３）系などが挙げられる。

カバー部１８は、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びる平板状である。カバー部１８には、Ｚ軸方向を向く外面として主面１１ｅ，１１ｆが形成される。サイドマージン部１９は、Ｘ−Ｚ平面に沿って延びる平板状である。サイドマージン部１９には、Ｙ軸方向を向く外面として側面１１ｃ，１１ｄが形成される。

カバー部１８及びサイドマージン部１９は、誘電体セラミックスによって形成される。カバー部１８及びサイドマージン部１９を形成する材料は、絶縁性セラミックスであればよいが、セラミック層２０と同様の誘電体材料を用いることによりセラミック素体１１における内部応力が抑制される。

外部電極１４，１５は、ニッケル（Ｎｉ）を主成分として構成される。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面１１ａ，１１ｂをそれぞれ覆い、端面１１ａ，１１ｂに接続する４つの面（側面１１ｃ，１１ｄ及び主面１１ｅ，１１ｆ）に延出している。これにより、外部電極１４，１５のいずれにおいても、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面及びＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状がＵ字状となっている。外部電極１４，１５の表面には、外部電極１４，１５を下地膜として１又は複数のメッキ膜が形成されていてもよい（図示せず）。これにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装することが容易になる。

上記の構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層２０に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の基本構成は、図１〜３に示す構成に限定されず、適宜変更可能である。例えば、内部電極１２，１３の枚数やセラミック層２０の厚さは、積層セラミックコンデンサ１０に求められるサイズや性能に応じて、適宜決定可能である。

［積層セラミックコンデンサ１０の詳細構成］
カバー部１８は、主面１１ｅ，１１ｆ側に形成された高マグネシウム領域１８１と、高マグネシウム領域１８１と容量形成部１６とに隣接して形成された低マグネシウム領域１８２と、を有する。すなわちカバー部１８は、容量形成部１６とサイドマージン部１９とからなる積層体のＺ軸方向両側に積層された、マグネシウム濃度の異なる２層構造を有する。

高マグネシウム領域１８１は、低マグネシウム領域１８２やセラミック層２０よりも高いマグネシウム濃度を有する。高マグネシウム領域１８１に含まれるマグネシウムは、焼結時に外部電極１４，１５との接触部分においてニッケルと酸化物化し、酸化物層Ｐ１を形成する。
高マグネシウム領域１８１のマグネシウム濃度は、例えば０．６ｍｏｌ％以上である。当該マグネシウム濃度をこのように設定することで、外部電極１４，１５との接合強度を十分に高めることが可能な酸化物層Ｐ１を形成することができる。当該マグネシウム濃度は、１．４ｍｏｌ％以下でもよい。これにより、酸化物層Ｐ１の厚さを外部電極１４，１５の表面まで達しないように制御することができる。

高マグネシウム領域１８１は、主面１１ｅ，１１ｆから所定の深さ（厚さ）で形成される。当該深さは、後述する低マグネシウム領域１８２の厚さを適切に確保できればよく、積層セラミックコンデンサ１０のサイズや外部電極１４，１５との接合面積等を考慮して設定できる。高マグネシウム領域１８１の表面は、主面１１ｅ，１１ｆからＺ軸方向の下方に向かって端面１１ａ，１１ｂ及び側面１１ｃ，１１ｄの一部まで延びる。

高マグネシウム領域１８１と外部電極１４，１５との間には、酸化物層Ｐ１が形成される。
外部電極１４，１５は、上述のように、内部電極１２，１３と接続されるように容量形成部１６の端面１１ａ，１１ｂに配置されるとともに、主面１１ｅ，１１ｆ及び側面１１ｃ，１１ｄの一部まで延在する。これにより、外部電極１４，１５は、高マグネシウム領域１８１の一部を覆うように構成される。酸化物層Ｐ１は、外部電極１４，１５が高マグネシウム領域１８１まで延出した領域に形成される。

図４は、積層セラミックコンデンサ１０から外部電極１４，１５を取り除いた態様を示す、酸化物層Ｐ１が形成されたセラミック素体１１の模式的な斜視図である。図４の破線は、セラミック素体１１の表面において外部電極１４，１５が形成される範囲を示している。また、図４では、酸化物層Ｐ１の厚さの図示を省略している。

酸化物層Ｐ１は、ニッケル及びマグネシウムを含み、典型的にはニッケル及びマグネシウムを含む三元酸化物で構成される。外部電極１４，１５が酸化物層Ｐ１を介してカバー部１８上に設けられることで、酸化物層Ｐ１と酸化物からなるカバー部１８とが接することになる。これにより、金属材料と酸化物である誘電体セラミックスとが直接接する場合よりも、外部電極１４，１５とカバー部１８との接合強度を高めることができる。

さらに、酸化物層Ｐ１は、主面１１ｅ，１１ｆ、端面１１ａ，１１ｂ及び側面１１ｃ，１１ｄの各面の境界部を覆うように形成される。より具体的に、酸化物層Ｐ１は、主面１１ｅ，１１ｆと端面１１ａ，１１ｂの境界付近ではセラミック素体１１のＹ軸方向全長にわたって延びるとともに、主面１１ｅ，１１ｆ及び側面１１ｃ，１１ｄの境界部、並びに端面１１ａ，１１ｂ及び側面１１ｃ，１１ｄの境界部を跨ぐように形成される。この構成により、剥離やクラックが特に発生しやすい各面の境界部において外部電極１４，１５の接合強度を高め、積層セラミックコンデンサ１０の信頼性を高めることができる。

低マグネシウム領域１８２は、高マグネシウム領域１８１のマグネシウム濃度よりも低いマグネシウム濃度を有する。低マグネシウム領域１８２のマグネシウム濃度は、例えば０．３ｍｏｌ％以下である。これにより、低マグネシウム領域１８２を、容量形成部１６のセラミック層２０とほぼ同等のマグネシウム濃度で形成することができる。

低マグネシウム領域１８２は、図３に示すように、容量形成部１６から所定の厚さＤ１で形成され、例えば当該厚さＤ１が５μｍ以上となるように形成される。なお、低マグネシウム領域１８２の厚さが一定でない場合には、低マグネシウム領域１８２のうち最も薄い部分の厚さを、厚さＤ１と規定する。

マグネシウムは、焼成時に、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体のチタンに置き換わり、当該誘電体の比誘電率εを低下させる作用を有する。積層セラミックコンデンサ１０では、低マグネシウム領域１８２を十分な厚さで設けることにより、高マグネシウム領域１８１から容量形成部１６へのマグネシウムの拡散を防止することができる。これにより、マグネシウムが上記誘電体に作用してセラミック層２０の比誘電率εを低下させることを防止でき、積層セラミックコンデンサ１０の容量の低下を防止できる。

さらに、マグネシウムが内部電極まで拡散した場合、内部電極の材料であるニッケル等とマグネシウムとが反応し、内部電極１２，１３の端部に酸化物が形成される可能性がある。低マグネシウム領域１８２を設けて容量形成部１６へのマグネシウムの拡散を防止することで、内部電極の酸化を防止することができ、電極として機能し得る領域を確保することができる。したがって、積層セラミックコンデンサ１０の容量の低下をさらに防止できる。

［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図５は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図６及び図７は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図５に沿って、図６及び図７を適宜参照しながら説明する。

（ステップＳ１１：未焼成のセラミック素体１１１作製）
ステップＳ１１では、容量形成部１６及びエンドマージン部１７ａ，１７ｂを形成するための第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、カバー部１８を形成するための第３セラミックシート１０３及び第４セラミックシート１０４と、を準備する。そして、図６に示すように、これらのセラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４を積層し、未焼成のセラミック素体１１１を作製する。

セラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４は、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体である誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。セラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４は、例えば、ロールコーターやドクターブレードなどを用いてシート状に成形される。セラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４の厚さは適宜調整可能である。

図６に示すように、第１セラミックシート１０１には第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極１１２が形成され、第２セラミックシート１０２には第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極１１３が形成されている。

内部電極１１２，１１３は、任意の導電性ペーストをセラミックシート１０１，１０２に塗布することによって形成することができる。導電性ペーストの塗布方法は、公知の技術から任意に選択可能である。例えば、導電性ペーストの塗布には、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。

セラミックシート１０１，１０２をＺ軸方向に交互に積層することで、未焼成の積層体１０５が作製される。
なお、サイドマージン部１９は、セラミックシート１０１，１０２における内部電極１１２，１１３のＹ軸方向外側の領域（図７に示す未焼成のサイドマージン部１１９）の積層構造により形成される。

一方、カバー部１８に対応するセラミックシート１０３，１０４には内部電極が形成されていない。
セラミックシート１０３，１０４では、マグネシウム濃度が異なる。第３セラミックシート１０３のマグネシウム濃度は、例えば０．３ｍｏｌ％以下であり、セラミックシート１０１，１０２と同等である。第４セラミックシート１０４には、第３セラミックシート１０３よりも多い量のマグネシウム（例えば０．６ｍｏｌ％以上）が添加されている。第３セラミックシート１０３は、低マグネシウム領域１８２の形成に用いられ、第４セラミックシート１０４は、高マグネシウム領域１８１の形成に用いられる。

図６に示すように、複数の第３セラミックシート１０３は、積層体１０５のＺ軸方向上下面に積層される。さらに、複数の第４セラミックシート１０４は、積層されたセラミックシート１０３のＺ軸方向上下面に積層される。セラミックシート１０３，１０４の積層構造は、カバー部１８に対応する未焼成のカバー部１１８として構成される。カバー部１１８のうち、セラミックシート１０４の積層構造は未焼成の高マグネシウム領域１１８ａとして構成され、セラミックシート１０３の積層構造は未焼成の低マグネシウム領域１１８ｂとして構成される。

未焼成のセラミック素体１１１は、セラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４を圧着することにより一体化される。セラミックシート１０１，１０２，１０３，１０４の圧着には、例えば、静水圧加圧や一軸加圧などを用いることが好ましい。これにより、セラミック素体１１１を高密度化することが可能である。

図７は、ステップＳ１１で得られる未焼成のセラミック素体１１１の斜視図である。未焼成のセラミック素体１１１は、セラミック層１２０の間に内部電極１１２，１１３が交互に積層された容量形成部（図示せず）を有し、内部電極１１２，１１３がエンドマージン部１１７を介してＸ軸方向両端面に露出している。未焼成のセラミック素体１１１は、上記容量形成部の周囲に未焼成のカバー部１１８及び未焼成のサイドマージン部１１９が形成されており、Ｙ軸方向両側面及びＺ軸方向両主面からは内部電極１１２，１１３が露出していない。

なお、以上では１つのセラミック素体１１に相当する未焼成のセラミック素体１１１について説明したが、実際には、個片化されていない大判のシートとして構成された積層シートが形成され、セラミック素体１１１ごとに個片化される。

（ステップＳ１２：電極材料塗布）
ステップＳ１２では、ステップＳ１１で得られた未焼成のセラミック素体１１１の表面に電極材料を塗布する。

例えば、未焼成のセラミック素体１１１の両端面に未焼成の電極材料を塗布する。電極材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）を主成分とする金属粉末を含む導電性ペーストが用いられる。電極材料は、これらの他、有機バインダ等の添加物を適宜含んでいてもよい。

塗布方法としては、ディップ工法が用いられる。これにより、両端面を覆い、かつ未焼成のカバー部１１８の第４セラミックシート１０４の積層部分まで達するように電極材料を塗布することができる。あるいは、スクリーン印刷法やロール転写法が用いられてもよい。

（ステップＳ１３：焼成）
ステップＳ１３では、ステップＳ１２で得られた未焼成のセラミック素体１１１及び電極材料を同時に焼結させることにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１を作製する。つまり、ステップＳ１３により、セラミックシート１０１，１０２の積層体１０５が容量形成部１６及びサイドマージン部１９になり、セラミックシート１０３，１０４の積層構造である未焼成のカバー部１１８がカバー部１８になる。

ステップＳ１３では、所定の温度及び時間等の条件下で焼成する。焼成温度は、例えば１１５０〜１４００℃程度とすることができる。また、焼成は、所定の酸素分圧下で行うことができる。当該酸素分圧は、例えば、１２６０℃において２．２＊１０^−４Ｐａ≦ＰＯ_２≦６．２＊１０^−４Ｐａとすることができる。なお、脱バインダ処理を行った後、上記酸素分圧下での焼成を行ってもよい。また、当該焼成を行った後、再酸化処理等を行っても良い。

焼成工程において、第４セラミックシート１０４（高マグネシウム領域１１８ａ）に含まれるマグネシウムの一部が電極材料と接する部分に拡散する。このとき、ニッケルがマグネシウム及び酸素を取り込みながら酸化物を形成することで、第４セラミックシート１０４と電極材料とが接する部分にニッケル及びマグネシウムを含む酸化物層Ｐ１が形成される。これにより、図１〜４に示す酸化物層Ｐ１が形成される。一方、第３セラミックシート１０３にはマグネシウムがほとんど含まれていないため、第３セラミックシート１０３と電極材料とが接する部分に酸化物層は形成されない。

第４セラミックシート１０４が高いマグネシウム濃度を有するため、所定の酸素分圧下で焼成することにより安定的にニッケルの酸化物を形成することができる。また、焼成後における誘電体セラミックスは酸化物である。このため、酸化物層Ｐ１により、外部電極１４，１５とカバー部１８との接合部分の一部が、金属と酸化物の接合ではなく、酸化物同士の接合となる。したがって、外部電極１４，１５とカバー部１８との接合強度を高めることができ、外部電極１４，１５の剥がれや接合部分のクラックの発生を防止することができる。

また、未焼成の電極材料と未焼成のセラミック素体１１１とを同時に焼成する場合、電極材料と誘電体セラミックスの焼結挙動の違いから、電極材料とセラミック素体１１１との接合部分には大きな応力が発生する。つまり、電極材料の方がセラミック素体１１１よりも低い温度（例えば数百℃）で焼結が開始され、体積の収縮が開始される。一方で、誘電体セラミックスは数百℃の時点では未焼結の状態であるため、体積収縮は起こらない。これにより、焼成時には誘電体セラミックスからなるカバー部１８やセラミック層２０に応力が加わり、焼成後の外部電極１４，１５の剥がれやセラミック素体１１との接合部分におけるクラックが起こりやすくなる。

一方、ニッケル及びマグネシウムを含む酸化物は、電極材料と同様の温度で焼結が開始され、電極材料との間に体積収縮に起因する応力はほとんど発生しない。したがって、焼成時における当該応力を緩和し、外部電極１４，１５の剥がれやクラックをより効果的に防止することができる。

ここで、仮にカバー部１８に対応するセラミックシート１０３，１０４の全てを第４セラミックシート１０４と同等の高いマグネシウム濃度とした場合は、焼成時にマグネシウムがセラミック素体１１側へ拡散する可能性がある。上述のように、マグネシウムは、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体の比誘電率εを低下させる作用も有する。このため、セラミック素体１１側へマグネシウムが拡散することで、容量形成部１６の容量を低下させる可能性がある。

そのため、本実施形態では、容量形成部１６に対応する未焼成の積層体１０５上にマグネシウム濃度の低い第３セラミックシート１０３を積層する。これにより、容量形成部１６と高マグネシウム領域１８１との間に低マグネシウム領域１８２が設けられ、高マグネシウム領域１８１からの容量形成部１６側へのマグネシウムの拡散を防止することができる。したがって、積層セラミックコンデンサ１０の容量の低下を防止することができる。特に、焼成後の低マグネシウム領域１８２の厚さＤ１が５μｍ以上となるように第３セラミックシート１０３を積層することで、より効果的に容量の低下を防止することができる。

なお、焼成後の外部電極１４，１５を下地膜として、電解メッキなどのメッキ処理により１又は複数のメッキ膜を形成してもよい。第４セラミックシート１０４のマグネシウム濃度等を調整することで、酸化物層Ｐ１が外部電極１４，１５の表面まで達しないように制御することができ、良好なメッキ膜を形成することができる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、カバー部１８が異なるマグネシウム濃度の２層構造を有していたが、カバー部に加えてサイドマージン部も２層構造を有していてもよい。
なお、以下の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。

［積層セラミックコンデンサ３０の構成］
図８及び９は、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ３０を示す図である。図８は、図３に対応する（第１外部電極１４の形成領域をＹ−Ｚ平面で切断した）断面図である。図９は、積層セラミックコンデンサ３０から外部電極１４，１５を取り除いた態様を示す、セラミック素体３１の斜視図である。
なお、積層セラミックコンデンサ３０の外観、及び積層セラミックコンデンサ３０のＹ軸方向中央部をＺ−Ｘ平面で切断した断面の構成は、図１及び図２に示す積層セラミックコンデンサ１０の構成と同様であるため、図示を省略する。

積層セラミックコンデンサ３０は、セラミック素体３１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、酸化物層Ｐ３とを具備する。
セラミック素体３１は、容量形成部１６と、エンドマージン部１７ａ，１７ｂと、カバー部３８と、サイドマージン部３９と、を有する。エンドマージン部１７ａ，１７ｂ、カバー部３８、及びサイドマージン部３９は、容量形成部１６の周囲を被覆する周縁部を構成する。

カバー部３８は、容量形成部１６及びエンドマージン部１７ａ，１７ｂをＺ軸方向両側からそれぞれ覆っている。カバー部３８には、Ｚ軸方向を向く外面として主面３１ｅ，３１ｆが形成されている。本実施形態において、カバー部３８は、Ｙ軸方向の幅寸法が容量形成部１６と略同一になるように形成される。サイドマージン部３９は、容量形成部１６、エンドマージン部１７ａ，１７ｂ、及びカバー部３８をＹ軸方向両側からそれぞれ覆っている。サイドマージン部３９には、Ｙ軸方向を向く外面として側面３１ｃ，３１ｄが形成されている。

カバー部３８は、カバー部１８と同様に、主面３１ｅ，３１ｆ側に形成された第１高マグネシウム領域３８１と、第１高マグネシウム領域３８１と容量形成部１６とに隣接して形成された第１低マグネシウム領域３８２と、を有する。

第１高マグネシウム領域３８１は、第１低マグネシウム領域３８２よりも高いマグネシウム濃度を有し、例えば第１実施形態の高マグネシウム領域１８１と同等の濃度を有する。第１低マグネシウム領域３８２は、第１高マグネシウム領域３８１よりも低い、例えばセラミック層２０と同等のマグネシウム濃度を有する。第１低マグネシウム領域３８２は、好ましくはＺ軸方向の厚さＤ２１が５μｍ以上で形成される。

サイドマージン部３９は、カバー部３８と同様に、側面３１ｃ，３１ｄ側に形成された第２高マグネシウム領域３９１と、第２高マグネシウム領域３９１と容量形成部１６とに隣接して形成された第２低マグネシウム領域３９２と、を有する。

第２高マグネシウム領域３９１は、第２低マグネシウム領域３９２よりも高いマグネシウム濃度を有し、例えば第１実施形態の高マグネシウム領域１８１と同等の濃度を有する。第２高マグネシウム領域３９１は、側面３１ｃ，３１ｄから所定の深さ（厚さ）で形成される。当該深さは、積層セラミックコンデンサ３０のサイズや外部電極１４，１５との接合面積等によって適宜設定できる。

第２低マグネシウム領域３９２は、第２高マグネシウム領域３９１よりも低いマグネシウム濃度を有し、例えばセラミック層２０と同等の濃度でもよい。第２低マグネシウム領域３９２は、好ましくはＹ軸方向の厚さＤ２２が５μｍ以上で形成される。

酸化物層Ｐ３は、カバー部１８の第１高マグネシウム領域３８１と外部電極１４，１５との間、並びにサイドマージン部３９の第２高マグネシウム領域３９１と外部電極１４，１５との間に形成される。
酸化物層Ｐ３は、酸化物層Ｐ１と同様に、ニッケル及びマグネシウムを含み、典型的にはニッケル及びマグネシウムを含む三元酸化物で構成される。

酸化物層Ｐ３は、第１高マグネシウム領域３８１に対応して形成された第１酸化領域Ｐ３１と、第２高マグネシウム領域３９１に対応して形成された第２酸化領域Ｐ３２とを含む。
第１酸化領域Ｐ３１は、主面３１ｅ，３１ｆ及び端面３１ａ，３１ｂの境界部に形成され、Ｚ軸方向及びＸ軸方向にそれぞれ対向する４つの部分を含む。第２酸化領域Ｐ３２は、側面３１ｃ，３１ｄ及び端面３１ａ，３１ｂの境界部に形成され、かつ、側面３１ｃ，３１ｄの端面３１ａ，３１ｂにそれぞれ接する周縁において、セラミック素体３１のＺ軸方向全長にわたって形成される。
第２酸化領域Ｐ３２は、Ｙ軸方向及びＸ軸方向にそれぞれ対向する４つの部分を含む。

本実施形態の酸化物層Ｐ３により、セラミック素体３１の各面の境界部が覆われることとなり、剥離やクラックが特に発生しやすい当該境界部における外部電極１４，１５の接合強度を高めることができる。特に酸化物層Ｐ３は、第２酸化領域Ｐ３２により側面３１ｃ，３１ｄの周縁においてセラミック素体３１のＺ軸方向全長にわたって形成されるので、接合面積を十分に確保することができる。したがって、外部電極１４，１５の接合強度をより高めることができる。

［積層セラミックコンデンサ３０の製造方法］
図１０は、積層セラミックコンデンサ３０の製造方法を示すフローチャートである。図１１〜１３は、積層セラミックコンデンサ３０の製造過程を示す図である。
積層セラミックコンデンサ３０は、第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１３にそれぞれ対応するステップＳ２１、ステップＳ１２及びステップＳ１３を経て製造されるが、ステップＳ２１の未焼成のセラミック素体１３１の作製工程が第１実施形態のステップＳ１１と異なる。したがって、本工程について詳細に説明する。

（Ｓ２１−１：セラミックシート準備）
ステップＳ２１−１では、まず容量形成部１６及びエンドマージン部１７ａ，１７ｂを形成するための第１セラミックシート３０１及び第２セラミックシート３０２と、カバー部３８を形成するための第３セラミックシート３０３及び第４セラミックシート３０４と、を準備する。セラミックシート３０１，３０２，３０３，３０４は、チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体である誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートであるが、セラミックシート３０１，３０２の電極パターンが第１実施形態と異なる。なお、セラミックシート３０３，３０４は、セラミックシート１０３，１０４と同様に内部電極が形成されていない。

図１１は、セラミックシート３０１，３０２の平面図である。この段階では、セラミックシート３０１，３０２が、個片化されていない大判のシートとして構成される。図１１には、各積層セラミックコンデンサ１０に個片化する際の切断線Ｌｘ，Ｌｙが示されている。切断線ＬｘはＸ軸に平行であり、切断線ＬｙはＹ軸に平行である。

図１１に示すように、第１セラミックシート３０１には第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極３１２が形成され、第２セラミックシート３０２には第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極３１３が形成されている。これらの内部電極３１２，３１３は、内部電極１１２，１１３と同様に印刷法等により形成される。

セラミックシート３０３，３０４は、第１実施形態のセラミックシート１０３，１０４にそれぞれ対応する大判のシートである。第３セラミックシート３０３のマグネシウム濃度は、例えば０．３ｍｏｌ％以下であり、セラミックシート３０１，３０２と同等である。第４セラミックシート３０４には、第３セラミックシート３０３よりも多い量のマグネシウム（例えば０．６ｍｏｌ％以上）が添加されている。第３セラミックシート３０３は、第１低マグネシウム領域３８２の形成に用いられ、第４セラミックシート３０４は、第１高マグネシウム領域３８１の形成に用いられる。

（Ｓ２１−２：積層）
ステップＳ２１−２では、セラミックシート３０１，３０２，３０３，３０４を図１２に示すように積層することにより積層シート３０６を作製する。積層シート３０６は、第１実施形態のセラミック素体１１１と同様に積層される。すなわち、セラミックシート３０１，３０２の積層体３０５のＺ軸方向両側に第３セラミックシート３０３が積層され、積層された第３セラミックシート３０３のＺ軸方向両側に第４セラミックシート３０４が積層される。セラミックシート３０３，３０４の積層構造は、未焼成のカバー部１３８を構成する。第３セラミックシート３０３の積層構造は、未焼成の第１低マグネシウム領域１３８ｂを構成し、第４セラミックシートの積層構造は、未焼成の第１高マグネシウム領域１３８ａを構成する。
そして、第１実施形態のセラミック素体１１１と同様にセラミックシート３０１，３０２，３０３，３０４が圧着される。

（Ｓ２１−３：切断）
ステップＳ２１−３では、積層シート３０６を切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って切断することにより、未焼成の積層チップＣ（図１３参照）を作製する。積層チップＣは、焼成後の容量形成部１６、エンドマージン部１７ａ，１７ｂ及びカバー部３８に対応する。積層シート３０６の切断には、例えば、押し切り刃や回転刃などを用いることができる。積層シート３０６では、切断面である両側面に内部電極の端部が露出している。

（ステップＳ２１−４：サイドマージン部形成）
ステップＳ２１−４では、ステップＳ２１−３で得られた積層チップＣのＹ軸方向両側面に未焼成のサイドマージン部１３９を設けることにより、図１３に示す未焼成のセラミック素体１３１を作製する。サイドマージン部１３９は、セラミックシートやセラミックスラリーなどのセラミック材料から形成される。

サイドマージン部１３９は、例えば、セラミックシートを積層体の側面に貼り付けることにより形成することができる。また、サイドマージン部１３９は、積層チップＣの側面を、例えば塗布やディップなどによってセラミックスラリーでコーティングすることにより形成することもできる。

本工程では、サイドマージン部１３９の材料として、異なるマグネシウム濃度の２つのセラミック材料を準備する。すなわち、マグネシウム濃度が高い（例えば０．６ｍｏｌ％以上の）セラミック材料と、マグネシウム濃度が低い（例えば０．３ｍｏｌ％以下の）セラミック材料と、を準備する。そして、まず積層チップＣの側面に、低マグネシウム濃度のセラミック材料を用いて第２低マグネシウム領域１３９ｂを設ける。続いて、第２低マグネシウム領域１３９ｂ上に、高マグネシウム濃度のセラミック材料を用いて第２高マグネシウム領域１３９ａを設ける。

以上により、図１３に示すセラミック素体１３１が作製される。
その後、第１実施形態と同様に電極材料が塗布され（ステップＳ１２）、焼成される（ステップＳ１３）ことで酸化物層Ｐ３が形成され、積層セラミックコンデンサ３０が作製される。
このように、未焼成のサイドマージン部１３９を未焼成のセラミック素体１３１に後付けする工法を用いても、所定のマグネシウム濃度分布を有する積層セラミックコンデンサ３０を作製することができる。

［変形例］
図１４は、本発明の第２実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ４０を示す図であり、図３、図８に対応する（第１外部電極１４の形成領域をＹ−Ｚ平面で切断した）断面図である。
積層セラミックコンデンサ４０は、セラミック素体４１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、酸化物層Ｐ４とを具備し、積層セラミックコンデンサ３０と同様にカバー部４８とサイドマージン部４９の双方がマグネシウム濃度の異なる２層構造を有する。本変形例では、カバー部４８、サイドマージン部４９、及び酸化物層Ｐ４の配置が上述のカバー部３、サイドマージン部４９及び酸化物層Ｐ３と異なる。以下、上述の第２実施形態と異なる部分について説明する。

サイドマージン部４９は、容量形成部１６をＹ軸方向両側からそれぞれ覆っている。サイドマージン部４９のＺ軸方向の厚さは、容量形成部１６と同一である。カバー部４８は、容量形成部１６、エンドマージン部１７ａ，１７ｂ及びサイドマージン部４９をＺ軸方向両側からそれぞれ覆っている。

カバー部４８は、カバー部１８と同様の構成を有し、主面４１ｅ，４１ｆ側に形成された第１高マグネシウム領域４８１と、第１高マグネシウム領域４８１と容量形成部１６とに隣接して形成された第１低マグネシウム領域４８２と、を有する。

サイドマージン部４９も、側面４１ｃ，４１ｄ側に形成された第２高マグネシウム領域４９１と、第２高マグネシウム領域４９１と容量形成部１６とに隣接して形成された第２低マグネシウム領域４９２と、を有する。

本変形例の第２高マグネシウム領域４９１は、Ｚ軸方向に沿って連続しておらず、分断されている。第２高マグネシウム領域４９１は、内部電極１２，１３と同一平面上に形成され、各内部電極とＹ軸方向に離間して対向し、かつＸ軸方向に延びる帯状に構成される（後述する図１６の符号Ｍ１参照）。Ｚ軸方向に隣接する第２高マグネシウム領域４９１間には、セラミック層２０と略同一の厚みの第２低マグネシウム領域４９２が配置される。

第２低マグネシウム領域４９２は、Ｚ軸方向に沿って、内部電極１２，１３及び第２高マグネシウム領域４９１に挟まれた幅狭層と、セラミック層２０から連続してＹ軸方向に延びる幅広層と、の積層構造で形成される。上記幅狭層におけるＹ軸方向に沿った幅（容量形成部１６上の厚さ）は、第２実施形態と同様のＤ２２で構成される。

これにより、図１５に示すような形状の酸化物層Ｐ４が形成される。
具体的に、酸化物層Ｐ４の第１酸化領域Ｐ４１は、第１実施形態の酸化物層Ｐ１と同様の形状を有し、酸化物層Ｐ４の第２酸化領域Ｐ４２は、側面４１ｃ，４１ｄと端面４１ａ，４１ｂとの境界部に形成される。つまり、積層セラミックコンデンサ４０の酸化物層Ｐ４は、第１実施形態の酸化物層Ｐ１と同様の形状の第１酸化領域Ｐ４１に加え、さらに第２酸化領域Ｐ４２を有する。したがって、外部電極１４，１５との接合強度をより高めることができる。

なお、サイドマージン部４９の第２高マグネシウム領域４９１はＺ軸方向に分断されているが、第２高マグネシウム領域４９１に添加されたマグネシウムは拡散する。このため、第２酸化領域Ｐ４２は、第２高マグネシウム領域４９１の形成範囲内でもＺ軸方向に連続的に形成され得る。

このような積層セラミックコンデンサ４０は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０と同様のステップＳ１１〜Ｓ１３を経て製造されるが、セラミックシートの構成を変えることでサイドマージン部４９が作製される。

図１６は、ステップＳ１１の図６に対応する図であり、セラミックシート４０１，４０２，１０３，１０４を積層して未焼成のセラミック素体１４１を作製する過程の分解斜視図である。カバー部４８に対応するセラミックシート１０３，１０４は、第１実施形態と同様に積層され、未焼成のカバー部１１８を構成する。一方、セラミックシート４０１，４０２の内部電極１１２，１１３の周縁には、マグネシウム濃度の異なるセラミックペーストが塗布されている。

内部電極１１２，１１３に隣接した位置には、セラミックシート４０１，４０２のＸ軸方向全長にわたって低マグネシウムペーストＭ２が塗布されている。低マグネシウムペーストＭ２のマグネシウム濃度は、セラミックシート４０１，４０２を構成するセラミック材料と同等（例えば０．３ｍｏｌ%以下）である。低マグネシウムペーストＭ２のＹ軸方向外側には、マグネシウム濃度が高い（例えば０．６ｍｏｌ％以上）の高マグネシウムペーストＭ１が、セラミックシート４０１，４０２のＸ軸方向全長にわたって塗布されている。これらのペーストＭ１，Ｍ２の塗布には、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。なお、図１６において、低マグネシウムペーストＭ２は、内部電極１１２，１１３のＸ軸方向端部側（すなわちエンドマージン部１７ａ，１７ｂ側）にも塗布されている。

以上により、図１７に示す未焼成のセラミック素体１４１が作製され、その後、第１実施形態と同様に電極材料が塗布され（ステップＳ１２）、焼成される（ステップＳ１３）。図１７では、説明のため、マグネシウム濃度の高い領域をドットで示している。
これにより、高マグネシウムペーストＭ１により、第２高マグネシウム領域４９１が形成される。また、低マグネシウムペーストＭ２が塗布された領域と、電極形成領域（容量形成部１１６）よりＹ軸方向外側の未焼成のセラミック層１２０の端部領域と、により、第２低マグネシウム領域４９２が形成される。したがって、図１４に示す積層セラミックコンデンサ４０が作製される。

＜第３実施形態＞
本発明は、多端子型の積層セラミックコンデンサにも適用することができる。一例として、いわゆる３端子型の積層セラミックコンデンサ５０について説明する。

図１８〜図２０は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサ５０を示す図である。図１８は、積層セラミックコンデンサ５０の斜視図である。図１９は、積層セラミックコンデンサ５０の図１８のＣ−Ｃ'線に沿った断面図である。図２０は、積層セラミックコンデンサ５０の図１８のＤ−Ｄ'線に沿った断面図である。
以下、上述の第１及び第２実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、説明を省略する。

積層セラミックコンデンサ５０は、セラミック素体５１と、第１外部電極５４と、第２外部電極５５と、第３外部電極６１と、第４外部電極６２と、酸化物層Ｐ５とを具備する。外部電極５４，５５を端面外部電極５４，５５とも称し、外部電極６１，６２を側面外部電極６１，６２とも称する。

端面外部電極５４，５５は、第１実施形態の外部電極１４，１５と同様に、ニッケルを主成分とし端面５１ａ，５１ｂを覆うように形成される。但し、端面外部電極５４，５５は、いずれも後述する第１内部電極５２に接続され、同一の極性を有する。

側面外部電極６１，６２は、ニッケルを主成分とし、セラミック素体５１の側面５１ｃ，５１ｄにそれぞれ設けられる。側面外部電極６１，６２は、それぞれ一方の主面５１ｅから他方の主面５１ｆまでＺ軸方向に延びる帯状に形成される。側面外部電極６１，６２は、いずれも後述する第２内部電極５３に接続され、同一の極性を有するともに、端面外部電極５４，５５とは異なる極性を有する。

セラミック素体５１は、容量形成部５６と、第１エンドマージン部５７と、カバー部５８と、第２エンドマージン部５９と、を有する。第１エンドマージン部５７、カバー部１８、及び第２エンドマージン部５９は、容量形成部５６の周囲を被覆する周縁部を構成する。

容量形成部５６は、複数のセラミック層２０と、複数の第１内部電極５２と、複数の第２内部電極５３と、を有し、これらが積層された構成を有する。容量形成部５６は、積層セラミックコンデンサ５０における電荷を蓄える機能を有する。

図２１は、セラミック素体５１の模式的な分解斜視図である。なお、実際には焼成後のセラミック素体５１を分解することはできないが、図２１では説明の便宜上セラミック素体５１を分解して示している。

第１内部電極５２は、セラミック素体５１のＸ軸方向全長にわたって延びる帯状に形成される。第１内部電極５２は、第１エンドマージン部５７を介して端面５１ａ，５１ｂに引き出され、端面外部電極５４，５５に接続される。第２内部電極５３は、Ｘ−Ｙ平面内の中央部に形成される。第２内部電極５３は、第２エンドマージン部５９を介して側面５１ｃ，５１ｄにそれぞれ延びる引出し部５３ａ，５３ｂを含み、引出し部５３ａ，５３ｂにより側面外部電極６１，６２に接続される。なお、第１内部電極５２のＹ軸方向の幅寸法と引出し部５３ａ，５３ｂを除く第２内部電極５３のＹ軸方向の幅寸法はほぼ同一に形成される。

積層セラミックコンデンサ５０では、端面外部電極５４，５５と側面外部電極６１，６２の間に電圧が印加されると、第１内部電極５２と第２内部電極５３との間の複数のセラミック層２０に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ５０では、端面外部電極５４，５５と側面外部電極６１，６２との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。

カバー部５８は、カバー部１８と同様に、主面５１ｅ，５１ｆ側に形成された高マグネシウム領域５８１と、高マグネシウム領域５８１と容量形成部５６とに隣接して形成された低マグネシウム領域５８２と、を有する。

高マグネシウム領域５８１は、例えば第１実施形態の高マグネシウム領域１８１と同等のマグネシウム濃度を有し、低マグネシウム領域５８２は、高マグネシウム領域５８１よりも低い、例えばセラミック層２０と同等のマグネシウム濃度を有する。低マグネシウム領域５８２は、好ましくはＺ軸方向の厚さが５μｍ以上で形成される。

図２２は、積層セラミックコンデンサ５０から外部電極５４，５５，６１，６２を取り除いた態様を示す、酸化物層Ｐ５が形成されたセラミック素体５１の斜視図である。
酸化物層Ｐ５は、カバー部５８の高マグネシウム領域５８１と外部電極５４，５５，６１，６２との間に形成される。酸化物層Ｐ５は、酸化物層Ｐ１と同様に、ニッケル及びマグネシウムを含み、典型的にはニッケル及びマグネシウムを含む三元酸化物で構成される。

酸化物層Ｐ５は、端面５１ａ，５１ｂ、側面５１ｃ，５１ｄ及び主面５１ｅ，５１ｆの境界部に形成された第１酸化領域Ｐ５１と、側面５１ｃ，５１ｄ及び主面５１ｅ，５１ｆの境界部に形成された第２酸化領域Ｐ５２とを含む。

第１酸化領域Ｐ５１は、第１実施形態の酸化物層Ｐ１と同様に構成される。すなわち、第１酸化領域Ｐ５１は、Ｚ軸方向及びＸ軸方向にそれぞれ対向する４つの部分を含み、高マグネシウム領域５８１と端面外部電極５４，５５との間に形成される。第１酸化領域Ｐ５１により、剥離やクラックが特に発生しやすい各面の境界部において外部電極１４，１５の接合強度を高めることができる。

第２酸化領域Ｐ５２は、高マグネシウム領域５８１と側面外部電極６１，６２との間に形成され、Ｚ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ対向する４つの部分を含む。第２酸化領域Ｐ５２は、セラミック素体１１のＸ軸方向中央部における、側面５１ｃ，５１ｄ及び主面５１ｅ，５１ｆの境界部にそれぞれ形成される。

第２酸化領域Ｐ５２により、側面外部電極６１，６２の接合強度も高めることができる。すなわち、側面外部電極６１，６２は、外部電極１４，１５と比較してセラミック素体５１との接合面が少ない。このため、側面外部電極６１，６２は、側面５１ｃ，５１ｄ及び主面５１ｅ，５１ｆの境界部でクラックや剥がれが起こりやすい。本実施形態では、第２酸化領域Ｐ５２を設けることで、特に不具合の起きやすい側面外部電極６１，６２の接合強度を高めることができる。

なお、積層セラミックコンデンサ５０は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０と同様のステップＳ１１〜Ｓ１３を経て製造される。但し、セラミックシート１０１，１０２の内部電極パターンは、図２１に示す内部電極５２，５３に対応する形状に変更される。

［変形例］
図２３及び２４は、本発明の第３実施形態の変形例に係る積層セラミックコンデンサ７０を示す図である。図２３は、図２０と同様の、側面外部電極６１，６２の形成領域を含むＹ−Ｚ平面で切断した断面図である。図２４は、積層セラミックコンデンサ７０から外部電極５４，５５，６１，６２を取り除いた態様を示す、酸化物層Ｐ７が形成されたセラミック素体７１の斜視図である。
積層セラミックコンデンサ７０は、セラミック素体７１と、第１外部電極５４と、第２外部電極５５と、第３外部電極６１と、第４外部電極６２と、酸化物層Ｐ７とを具備する。積層セラミックコンデンサ７０では、後述するように、セラミック素体７１の第２エンドマージン部７９も異なるマグネシウム濃度の２層構造を有するため、上記実施形態とは酸化物層Ｐ７の構成が異なる。

セラミック素体７１は、容量形成部５６と、第１エンドマージン部５７と、カバー部５８と、第２エンドマージン部７９と、を有する。第１エンドマージン部５７、カバー部５８及び第２エンドマージン部７９は、本変形例において周縁部を構成する。

第２エンドマージン部７９は、側面７１ｃ，７１ｄ側に形成された第２高マグネシウム領域７９１と、第２高マグネシウム領域７９１と容量形成部５６とに隣接して形成された第２低マグネシウム領域７９２と、を有する。第２実施形態の変形例と同様に、第２高マグネシウム領域７９１は、Ｚ軸方向に沿って連続しておらず、分断されている。すなわち、第２高マグネシウム領域７９１は、第１内部電極５２と同一平面上に形成され、各第１内部電極５２とＹ軸方向に離間して対向し、かつＸ軸方向に延びる帯状に構成される。第２低マグネシウム領域７９２は、Ｚ軸方向に沿って、第１内部電極５２及び第２高マグネシウム領域７９１に挟まれた幅狭層と、セラミック層２０から連続してＹ軸方向に延びる幅広層と、の積層構造で形成される。

これにより、図２４に示すような形状の、第１酸化領域Ｐ７１、第２酸化領域Ｐ７２及び第３酸化領域Ｐ７３を含む酸化物層Ｐ７が形成される。
具体的に、第１酸化領域Ｐ７１は、第３実施形態の第１酸化領域Ｐ５１と同様に、端面７１ａ，７１ｂ、側面７１ｃ，７１ｄ及び主面７１ｅ，７１ｆの境界部に形成される。第２酸化領域Ｐ７２は、第２酸化領域Ｐ５２と同様の側面７１ｃ，７１ｄ及び主面７１ｅ，７１ｆの境界部に形成される。

第３酸化領域Ｐ７３は、第２エンドマージン部７９の第２高マグネシウム領域７９１と外部電極６１，６２との間に形成され、側面７１ｃ，７１ｄの中央部に形成される。第３酸化領域Ｐ７３は、Ｚ軸方向に分断された複数の断片を含むように形成されており、側面７１ｃ，７１ｄから露出する第２内部電極５３の引出し部５３ａ，５３ｂとＺ軸方向に交互に配置される。これにより、第２内部電極５３と側面外部電極６１，６２との導通を確保できる。このように、非連続的な第３酸化領域Ｐ７３を形成する方法としては、第３酸化領域Ｐ７３におけるマグネシウム濃度の調整すること、第３酸化領域Ｐ７３の側面７１ｃ，７１ｄからの深さを調整すること等が挙げられる。

この構成により、酸化物層Ｐ７として、第２酸化領域Ｐ７２に加えて第３酸化領域Ｐ７３を設けることができ、側面外部電極６１，６２の接合信頼性をさらに高めることができる。
なお、酸化領域は、第２エンドマージン部７９のみならず、第１エンドマージン部５７にも形成されていてもよい。また、酸化領域は、第１エンドマージン部５７のみに形成されていてもよい。さらに、第１及び第２実施形態の構成においても、第３実施形態と同様に、エンドマージン部に酸化領域が形成されていてもよい。

以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば本発明の実施形態は各実施形態を組み合わせた実施形態とすることができる。

例えば以上の各実施形態では、周縁部がマグネシウム濃度の異なる２層の領域を有する構成例について説明したが、これに限定されない。例えば、周縁部が、外面を構成する高マグネシウム領域と、容量形成部に隣接する低マグネシウム領域を少なくとも含む３層以上の領域を有してもよい。これによっても、容量形成部へのマグネシウムの拡散を防止し、容量低下を抑制することができる。

また、第３実施形態では、いわゆる３端子型の積層セラミックコンデンサについて説明したが、他の構成の多端子型の積層セラミックコンデンサでもよい。

さらに、積層セラミックコンデンサでは、容量形成部がＺ軸方向に複数に分割して設けられていてもよい。この場合、各容量形成部において内部電極がＺ軸方向に沿って交互に配置されていればよく、容量形成部が切り替わる部分において第１内部電極又は第２内部電極が連続して配置されていてもよい。

１０…積層セラミックコンデンサ
１１，３１，４１，５１，７１…セラミック素体
１２，１３，５２，５３…内部電極
１４，１５，５４，５５，６１，６２…外部電極
１６，５６・・・容量形成部
１８，３８，４８，５８・・・カバー部
１９，３９，４９・・・サイドマージン部
１７ａ，１７ｂ，５７，７９・・・エンドマージン部
Ｐ１，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ７・・・酸化物層

Claims (5)

1. チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成され一軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する容量形成部と、
   前記容量形成部の周囲を被覆し、外面を構成する高マグネシウム領域と、前記高マグネシウム領域と前記容量形成部との間に形成された低マグネシウム領域と、を有する周縁部と、
   ニッケルを主成分とし、前記周縁部の前記外面に形成され、前記複数の内部電極に接続された外部電極と、
   ニッケルとマグネシウムとを含み、前記高マグネシウム領域と前記外部電極との間に形成された酸化物層と、
   を具備する積層セラミックコンデンサ。
2. 請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであって、
   前記低マグネシウム領域は、５μｍ以上の厚さで形成される
   積層セラミックコンデンサ。
3. 請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサであって、
   前記高マグネシウム領域のマグネシウム濃度は、０．６ｍｏｌ％以上である
   積層セラミックコンデンサ。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサであって、
   前記低マグネシウム領域のマグネシウム濃度は、０．３ｍｏｌ％以下である
   積層セラミックコンデンサ。
5. チタンを含むペロブスカイト構造の誘電体で形成され一軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、を有する容量形成部と、
   前記容量形成部の周囲を被覆し、外面を構成する高マグネシウム領域と、前記高マグネシウム領域と前記容量形成部との間に配置された低マグネシウム領域と、を有する周縁部と、
   を含む未焼成のセラミック素体を作製し、
   前記周縁部の前記外面にニッケルを主成分とする電極材料を塗布し、
   前記セラミック素体と前記電極材料とを同時焼成する
   積層セラミックコンデンサの製造方法。

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