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- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 24
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- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N N#B Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N Terbium(III) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N Gadolinium Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000003181 co-melting Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (22)
- 窒化物と共晶系酸化物とを含有する付加造形用の粉末であって、
前記窒化物の密度が前記共晶系酸化物の平均密度より低く、
前記共晶系酸化物の重量/前記窒化物の重量が0.3以上10以下であることを特徴とする付加造形用の粉末。 - 窒化物と共晶系酸化物とを含有する付加造形用の粉末であって、
前記窒化物の密度が前記共晶系酸化物の平均密度より低く、
前記共晶系酸化物の体積/前記窒化物の体積が0.15以上6.01以下であることを特徴とする付加造形用の粉末。 - 前記窒化物は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載の付加造形用の粉末。
- 前記共晶系酸化物の融点が、前記窒化物の分解温度以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
- 前記共晶系酸化物が、酸化アルミニウムと、希土類酸化物と酸化アルミニウムの化合物とを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
- さらに4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
- 前記窒化物は単独で粒子を構成していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
- 前記共晶系酸化物を、共晶系酸化物の粒子として含むことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
- 前記4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムを、4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムの粒子として含むことを特徴とする請求項6に記載の付加造形用の粉末。
- 平均直径が5μm以上100μm以下の窒化物領域と、前記窒化物領域と共晶組織をなす酸化物領域とを有することを特徴とする構造物。
- 前記窒化物領域の密度は、前記酸化物領域の平均密度よりも小さいことを特徴とする請求項10に記載の構造物。
- 前記窒化物領域は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項10または11に記載の構造物。
- 前記酸化物領域は、酸化アルミニウムと、希土類酸化物と酸化アルミニウムの化合物とを含む共晶組織であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
- 前記酸化物領域が、アルミニウムとガドリニウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタンの群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
- 前記酸化物領域が、アルミニウムとイットリウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素の群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
- 前記酸化物領域が、アルミニウムとガドリニウムとジルコニウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素の群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
- 前記酸化物領域の体積/前記窒化物領域の体積が0.15以上6.01以下であることを特徴とする請求項10〜16のいずれか一項に記載の構造物。
- 前記窒化物領域と前記酸化物領域のいずれかに、酸窒化物が含まれることを特徴とする請求項10〜17のいずれか一項に記載の構造物。
- 構造物の製造方法であって、
窒化物粒子と、共晶系酸化物を含有する粒子とを含む粉末を準備する工程と、
前記粉末からなる粉末層を形成する工程と、
三次元モデルの形状データに応じて前記粉末層にエネルギービームを照射する工程と、
を有し、
前記エネルギービームの照射部の温度が前記窒化物粒子の分解温度以下となるように、前記粉末層に前記エネルギービームを照射することを特徴とする構造物の製造方法。 - 前記粉末が、請求項1〜9のいずれか一項に記載の粉末であることを特徴とする請求項19に記載の構造物の製造方法。
- 請求項10〜18のいずれか一項に記載の構造物を有する半導体製造装置部品であって、前記構造物は、その構造物中に中空部分を有することを特徴とする半導体製造装置部品。
- 請求項21に記載の半導体製造装置部品をウェハチャックの支持台として有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/178,884 US10759712B2 (en) | 2017-11-09 | 2018-11-02 | Powder for additive modeling, structure, semiconductor production device component, and semiconductor production device |
US16/936,761 US11440850B2 (en) | 2017-11-09 | 2020-07-23 | Powder for additive modeling, structure, semiconductor production device component, and semiconductor production device |
JP2022196098A JP7483840B2 (ja) | 2017-11-09 | 2022-12-08 | 付加造形用の材料粉末、構造物、半導体製造装置部品、および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017216031 | 2017-11-09 | ||
JP2017216031 | 2017-11-09 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022196098A Division JP7483840B2 (ja) | 2017-11-09 | 2022-12-08 | 付加造形用の材料粉末、構造物、半導体製造装置部品、および半導体製造装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019084823A JP2019084823A (ja) | 2019-06-06 |
JP2019084823A5 true JP2019084823A5 (ja) | 2021-12-09 |
JP7191644B2 JP7191644B2 (ja) | 2022-12-19 |
Family
ID=66761970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018205584A Active JP7191644B2 (ja) | 2017-11-09 | 2018-10-31 | 付加造形用の材料粉末、構造物、半導体製造装置部品、および半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7191644B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220208592A1 (en) * | 2020-12-31 | 2022-06-30 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck prepared by additive manufacturing, and related methods and structures |
US20230084930A1 (en) * | 2021-09-16 | 2023-03-16 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck and related methods and structures |
JP2023072375A (ja) * | 2021-11-12 | 2023-05-24 | キヤノン株式会社 | セラミックス構造体を製造するための粉末およびそれを用いたセラミックス構造体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6579818B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Kyocera Corporation | Glass ceramic sintered product |
JP2006290729A (ja) | 2003-06-30 | 2006-10-26 | Kenichiro Miyahara | 薄膜接合体 |
EP2292357B1 (en) | 2009-08-10 | 2016-04-06 | BEGO Bremer Goldschlägerei Wilh.-Herbst GmbH & Co KG | Ceramic article and methods for producing such article |
KR102226887B1 (ko) | 2012-02-29 | 2021-03-12 | 오아시스 머티리얼 코포레이션 | 천이 액체상, 알루미늄 질화물 부품의 무가압 연결 |
-
2018
- 2018-10-31 JP JP2018205584A patent/JP7191644B2/ja active Active
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