JP2019084823A5 - - Google Patents

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Claims (22)

  1. 窒化物と共晶系酸化物とを含有する付加造形用の粉末であって
    前記窒化物の度が前記共晶系酸化物の平均密度より低く、
    前記共晶系酸化物の重量/前記窒化物の重量が0.3以上10以下であることを特徴とする付加造形用の粉末。
  2. 窒化物と共晶系酸化物とを含有する付加造形用の粉末であって、
    前記窒化物の密度が前記共晶系酸化物の平均密度より低く、
    前記共晶系酸化物の体積/前記窒化物の体積が0.15以上6.01以下であることを特徴とする付加造形用の粉末。
  3. 前記窒化物は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載の付加造形用の粉末。
  4. 前記共晶系酸化物の融点が、前記窒化物の分解温度以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
  5. 前記共晶系酸化物が、酸化アルミニウムと、希土類酸化物と酸化アルミニウムの化合物とを含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
  6. さらに4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムを含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
  7. 前記窒化物は単独で粒子を構成していることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
  8. 前記共晶系酸化物を、共晶系酸化物の粒子として含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の付加造形用の粉末。
  9. 前記4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムを、4価のテルビウムを含有する酸化テルビウムの粒子として含むことを特徴とする請求項に記載の付加造形用の粉末。
  10. 平均直径が5μm以上100μm以下の窒化物領域と、前記窒化物領域共晶組織をなす酸化物領域とを有することを特徴とする構造物。
  11. 前記窒化物領域の密度は、前記酸化物領域の平均密度よりも小さいことを特徴とする請求項10に記載の構造物。
  12. 前記窒化物領域は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項10または11に記載の構造物。
  13. 前記酸化物領域は、酸化アルミニウムと、希土類酸化物と酸化アルミニウムの化合物とを含む共晶組織であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
  14. 前記酸化物領域が、アルミニウムとガドリニウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタンの群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
  15. 前記酸化物領域が、アルミニウムとイットリウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素の群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
  16. 前記酸化物領域が、アルミニウムとガドリニウムとジルコニウムとを含み、前記窒化物領域が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素の群から選択される少なくともいずれか1種を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか一項に記載の構造物。
  17. 前記酸化物領域の体積/前記窒化物領域の体積が0.15以上6.01以下であることを特徴とする請求項10〜16のいずれか一項に記載の構造物。
  18. 前記窒化物領域と前記酸化物領域のいずれかに、酸窒化物が含まれることを特徴とする請求項1017のいずれか一項に記載の構造物。
  19. 構造物の製造方法であって、
    窒化物粒子と、共晶系酸化物を含有する粒子とを含む粉末を準備する工程と、
    前記粉末からなる粉末層を形成する工程と、
    三次元モデルの形状データに応じて前記粉末層にエネルギービームを照射する工程と、
    を有し、
    前記エネルギービームの照射部の温度が前記窒化物粒子の分解温度以下となるように、前記粉末層に前記エネルギービームを照射することを特徴とする構造物の製造方法。
  20. 前記粉末が、請求項1〜9のいずれか一項に記載の粉末であることを特徴とする請求項19に記載の構造物の製造方法。
  21. 請求項1018のいずれか一項に記載の構造物を有する半導体製造装置部品であって、前記構造物は、その構造物中に中空部分を有することを特徴とする半導体製造装置部品。
  22. 請求項21に記載の半導体製造装置部品をウェハチャックの支持台として有することを特徴とする半導体製造装置。
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