JP2019079886A - Nozzle standby device, liquid processing unit and operation method of liquid processing unit and storage medium - Google Patents

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Abstract

To save solvent supplied to a nozzle storage part, when sucking the solvent to a tip of a nozzle and forming a liquid layer of the solvent, in the nozzle storage part.SOLUTION: After making a nozzle 41A standby at a nozzle storage part 51, and forming a liquid membrane so as to close a discharge opening 47 of a nozzle by supplying solvent at a first flow rate from a solvent discharge opening 56, the solvent is supplied at a second flow rate smaller than the first flow rate. The second flow rate can maintain a state where the discharge opening 47 of the nozzle is closed with the solvent, and when the liquid membrane formed at the discharge opening 47 of the nozzle comes into contact with the solvent, the solvent is sucked to a tip of the nozzle by surface tensity, and a liquid layer of the solvent is formed. Consequently, it is not required to form a liquid reservoir of the solvent in the nozzle storage part 51, and since the supply flow rate is reduced from the first flow rate to the second flow rate while supplying the solvent from the solvent discharge opening 56, the solvent can be saved.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、乾燥により固化する処理液を吐出するためのノズルをノズル収容部に待機させ、ノズルの先端部に溶剤を吸い込んで溶剤の液層を形成する技術に関する。   The present invention relates to a technique for causing a nozzle for discharging a treatment liquid to be solidified by drying to stand by in a nozzle accommodating portion, and sucking a solvent to a tip portion of the nozzle to form a liquid layer of the solvent.

半導体デバイスの製造工程の中には、レジストパターンを形成するためにレジスト液を基板に塗布する処理がある。レジスト液の塗布は、例えばスピンチャックに保持された半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を回転させながら、このウエハのほぼ中心部にノズルからレジスト液を吐出することにより行なわれる。   Among semiconductor device manufacturing processes, there is a process of applying a resist solution to a substrate to form a resist pattern. The application of the resist solution is performed, for example, by discharging the resist solution from the nozzles substantially at the center of the wafer while rotating a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a “wafer”) held by a spin chuck.

レジスト液は有機材料よりなるレジスト膜の成分と、この成分の溶剤例えばシンナー液とを含むものであって、大気に接触すると乾燥し易い性質があり、乾燥により濃度等が変化するおそれがある。このため、ノズルの先端内部のレジスト液層の外側に空気層と溶剤層（溶剤の液層）とを形成して、ノズル内のレジスト液の乾燥を防止する手法が採られている。例えばこの手法は、ノズル内のレジスト液をダミー吐出してから、当該ノズル内を吸引して空気層を形成し、次いで、ノズルの先端部を溶剤に浸漬してノズル内を吸引することにより行われる。   The resist solution contains a component of a resist film made of an organic material and a solvent of the component, for example, a thinner solution, and has a property of being easily dried when it comes in contact with the air, and there is a possibility that the concentration etc. may change due to drying. For this reason, a method is employed in which the air layer and the solvent layer (solvent liquid layer) are formed outside the resist solution layer inside the tip of the nozzle to prevent the resist solution in the nozzle from drying. For example, this method dummy discharges the resist solution in the nozzle, then sucks the inside of the nozzle to form an air layer, and then immerses the tip of the nozzle in a solvent and sucks the inside of the nozzle. It will be.

特許文献１には、洗浄室にノズルを進入した後、ノズル内のレジスト液を吸引し、次いで、洗浄室内に溶剤の液溜まりを形成して、この液溜まりにノズルの先端を浸漬して吸引することにより、溶剤層を形成する手法が記載されている。洗浄室は逆円錐形の漏斗状に構成され、その下端に排出孔を介して排出路が設けられている。   In Patent Document 1, after the nozzle is moved into the cleaning chamber, the resist solution in the nozzle is sucked, and then, a liquid pool of the solvent is formed in the cleaning chamber, and the tip of the nozzle is immersed in the liquid pool and suctioned. The method of forming a solvent layer is described. The washing chamber is configured in the shape of a reverse conical funnel, and a discharge passage is provided at its lower end via the discharge hole.

ところで、３次元ＮＡＮＤ型メモリ用のレジスト薄膜のように粘度が高いレジスト液を使用する場合には、レジスト液が排出孔の内壁に付着しやすく、次第に堆積していくため、排出孔で詰まりを引き起こし易くなる。このため、例えば次のレジスト液のダミー吐出時にレジスト液がオーバーフローし、ノズルの先端が汚染されるおそれがある。排出孔を拡大すればレジスト液の詰まりは改善されるが、洗浄室内に溶剤が貯留しにくくなり、洗浄室に液溜まりを形成するためには、溶剤の流量を増大せざるを得ず、溶剤の消費量が多くなるというデメリットがある。   By the way, when using a resist solution having a high viscosity, such as a resist thin film for a three-dimensional NAND memory, the resist solution easily adheres to the inner wall of the discharge hole and gradually accumulates. It becomes easy to cause. Therefore, for example, the resist solution may overflow at the time of the next dummy discharge of the resist solution, and the tip of the nozzle may be contaminated. Although the clogging of the resist solution is improved by enlarging the discharge hole, it becomes difficult to store the solvent in the cleaning chamber, and in order to form a liquid pool in the cleaning chamber, the flow rate of the solvent must be increased. The disadvantage is that the consumption of

特許文献２には、ノズル洗浄液の消費量を抑える手法が提案されている。この手法は、底面部に排出流路が設けられたノズル収容部内に洗浄液を供給すると共に、排出流路内にも洗浄液を供給して渦流を形成し、この渦流により排出流量を調整して、ノズル収容部内に洗浄液を貯留するときの洗浄液の消費量を抑えるものである。しかしながら、この手法はノズル収容部内に洗浄液を貯留するものであるため、排出流路の内径を大きくすれば、洗浄液の供給量は多くなり、本発明の課題の解決を図ることは困難である。   Patent Document 2 proposes a method for reducing the consumption of the nozzle cleaning liquid. In this method, the cleaning liquid is supplied into the nozzle housing portion having the discharge flow path in the bottom portion, and the cleaning liquid is also supplied into the discharge flow path to form a vortex, and the discharge flow rate is adjusted by this vortex. The amount of consumption of the cleaning liquid when storing the cleaning liquid in the nozzle housing portion is suppressed. However, since this method stores the cleaning liquid in the nozzle housing portion, if the inner diameter of the discharge flow channel is increased, the amount of the supplied cleaning liquid increases, and it is difficult to solve the problem of the present invention.

特開２０１０−６２３５２号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-62352 特開２０１７−９２２３９号公報（段落００６９、００７０等）JP, 2017-92239, A (paragraph 0069, 0070 etc.)

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液を吐出するためのノズルをノズル収容部に待機させ、ノズルの先端部に溶剤を吸い込んで溶剤の液層を形成するにあたり、ノズル収容部に供給される溶剤の省液化を図ることができる技術を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and the object thereof is to make the nozzle for discharging the treatment liquid stand by in the nozzle accommodating portion, suck the solvent into the tip of the nozzle, and carry out the liquid layer of the solvent. In forming, it is providing the technique which can aim at the liquefaction reduction of the solvent supplied to a nozzle seat part.

このため、本発明は、乾燥により固化する処理液を吐出するためのノズルを待機させ、ノズルの先端部に溶剤を吸い込んで溶剤の液層を形成するためのノズル待機装置において、
前記ノズルの先端部を囲むように形成された内周面を含み、ノズルの吐出口と対向して排出口が形成されたノズル収容部と、
前記ノズル収容部内に開口し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内されて前記排出口から排出されるように形成された溶剤吐出口と、
前記ノズルの先端部に溶剤の液層を形成するときに、溶剤吐出口に第１の流量で溶剤を供給し、当該溶剤により前記ノズルの吐出口を塞ぐように液膜が形成された後、溶剤吐出口に、前記ノズルの吐出口が溶剤により塞がれた状態を維持できる、前記第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を供給する溶剤供給部と、を備えたことを特徴とする。 For this reason, the present invention is a nozzle standby device for making the nozzle for discharging the treatment liquid solidified by drying stand by and sucking the solvent into the tip of the nozzle to form the liquid layer of the solvent,
A nozzle housing portion including an inner circumferential surface formed so as to surround a tip end portion of the nozzle, and having a discharge port formed opposite to the discharge port of the nozzle;
A solvent discharge port which is opened in the nozzle storage portion and formed so that the discharged solvent is guided along the inner peripheral surface of the nozzle storage portion and discharged from the discharge port;
When forming a liquid layer of solvent at the tip of the nozzle, after a solvent is supplied at a first flow rate to the solvent discharge port and a liquid film is formed to close the discharge port of the nozzle by the solvent, The solvent discharge port is provided with a solvent supply unit capable of maintaining the discharge port of the nozzle closed by the solvent and supplying the solvent at a second flow rate smaller than the first flow rate. I assume.

また、本発明の液処理装置は、
基板を保持する基板保持部と、
乾燥により固化する処理液を、前記基板保持部に保持された基板の表面に吐出するためのノズルと、
前記ノズル待機装置と、
前記ノズル待機装置に待機するノズル内の流路を上流側に吸引して溶剤を吸い込むための吸引機構と、を備えたことを特徴とする。 Moreover, the liquid processing apparatus of the present invention is
A substrate holding unit for holding a substrate;
A nozzle for discharging a processing liquid solidified by drying onto the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
The nozzle standby device;
And a suction mechanism for suctioning a solvent by sucking the flow path in the nozzle waiting on the nozzle standby device to the upstream side.

さらに、本発明の液処理装置の運転方法は、
乾燥により固化する処理液を、基板保持部に保持された基板の表面にノズルから吐出する工程と、
次いで前記ノズルを、ノズルの先端部を囲むように形成された内周面を含み、ノズルの吐出口と対向して排出口が形成されたノズル収容部に待機させる工程と、
前記ノズル収容部に待機しているノズルの吐出口から処理液を吐出して、当該吐出口と対向する排出口から処理液を排出する工程と、
続いて前記ノズル収容部内に開口する溶剤吐出口から第１の流量で溶剤を吐出し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内され、当該溶剤により前記ノズルの吐出口を塞ぐように液膜を形成する工程と、
しかる後、前記ノズル収容部内に開口する溶剤吐出口から、前記ノズルの吐出口が溶剤により塞がれた状態を維持できる、前記第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を吐出し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内される工程と、を含むことを特徴とする。 Furthermore, the operation method of the liquid processing apparatus of the present invention is
Discharging a processing liquid solidified by drying from the nozzle onto the surface of the substrate held by the substrate holder;
And allowing the nozzle to stand by at a nozzle housing portion including an inner peripheral surface formed so as to surround the tip of the nozzle and having a discharge port formed opposite to the discharge port of the nozzle;
Discharging the processing liquid from the discharge port of the nozzle waiting in the nozzle housing portion and discharging the processing liquid from the discharge port facing the discharge port;
Subsequently, the solvent is discharged at a first flow rate from the solvent discharge port opened in the nozzle housing portion, and the discharged solvent is guided along the inner peripheral surface of the nozzle housing portion, and the solvent discharge port of the nozzle by the solvent. Forming a liquid film to block the
Thereafter, the solvent is discharged at a second flow rate smaller than the first flow rate, which can maintain a state in which the discharge port of the nozzle is blocked by the solvent, from the solvent discharge port opened in the nozzle housing portion. And D. a step of guiding the discharged solvent along the inner circumferential surface of the nozzle housing portion.

さらに、本発明の記憶媒体は、
乾燥により固化する処理液を、基板保持部に保持された基板の表面にノズルから吐出する液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、前記液処理装置の運転方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。 Furthermore, the storage medium of the present invention is
A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for discharging a processing liquid solidified by drying on a surface of a substrate held by a substrate holding unit from a nozzle,
The computer program is characterized in that a step group is assembled to execute an operation method of the liquid processing apparatus.

本発明によれば、ノズル収容部において、処理液を吐出するためのノズルの先端部に溶剤を吸い込んで溶剤の液層を形成するにあたり、ノズル収容部の溶剤吐出口から第１の流量で溶剤を供給して、ノズルの吐出口を塞ぐように液膜を形成した後、第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を供給している。第２の流量は、ノズルの吐出口が溶剤により塞がれた状態を維持できる流量であり、ノズルの吐出口に形成された液膜と溶剤とが接触することにより、表面張力によってノズルの先端部に溶剤が吸い込まれ、溶剤の液層が形成される。従って、ノズル収容部に溶剤の液溜まりを形成する必要がなく、また、溶剤吐出口から溶剤を供給する間に、その供給流量を第１の流量から第２の流量に少なくしているので、溶剤の省液化を図ることができる。   According to the present invention, when the solvent is sucked into the tip of the nozzle for discharging the processing liquid in the nozzle housing portion to form the liquid layer of the solvent, the solvent is discharged at a first flow rate from the solvent discharge port of the nozzle housing portion. After forming the liquid film so as to close the discharge port of the nozzle, the solvent is supplied at a second flow rate smaller than the first flow rate. The second flow rate is a flow rate capable of maintaining a state in which the discharge port of the nozzle is blocked by the solvent, and the liquid film formed on the discharge port of the nozzle and the solvent come in contact with each other. The solvent is sucked into the part to form a liquid layer of the solvent. Therefore, it is not necessary to form a liquid reservoir in the nozzle housing portion, and the supply flow rate is reduced from the first flow rate to the second flow rate while the solvent is supplied from the solvent discharge port, It is possible to reduce the liquefaction of the solvent.

本発明のノズル待機装置を備えた液処理装置の一実施形態を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows one Embodiment of the liquid processing apparatus provided with the nozzle waiting | standby apparatus of this invention. 液処理装置を概略的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing a liquid processing apparatus. 液処理装置に設けられたノズルユニットを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the nozzle unit provided in the liquid processing apparatus. ノズルユニットに設けられた塗布ノズルと、待機ユニットの一部と、を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the application | coating nozzle provided in the nozzle unit, and a part of waiting | standby unit. ノズルユニットと、待機ユニットと、を示す縦断側面図である。It is a vertical side view showing a nozzle unit and a standby unit. 液処理装置の作用を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the effect | action of a liquid processing apparatus. 液処理装置の作用を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows the effect | action of a liquid processing apparatus.

図１及び図２は、本発明の一実施形態に係る液処理装置１の縦断側面図及び斜視図である。液処理装置１は、ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２を備えている。このスピンチャック２は、駆動軸２１を介して駆動機構２２により、ウエハＷを保持した状態で鉛直軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されており、その回転軸上にウエハＷの中心が位置するように設定されている。スピンチャック２の周囲にはスピンチャック２上のウエハＷを囲むようにして、上方側に開口部２３１を備えたカップ２３が設けられており、カップ２３の側周面上端側は内側に傾斜した傾斜部２３２を形成している。   1 and 2 are a longitudinal sectional side view and a perspective view of a liquid processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The liquid processing apparatus 1 includes a spin chuck 2 which is a substrate holding unit that sucks and holds horizontally the central portion of the back surface of the wafer W. The spin chuck 2 is configured to be rotatable and vertically movable about a vertical axis while holding the wafer W by a drive mechanism 22 via a drive shaft 21. The center of the wafer W is positioned on the rotation axis thereof. It is set to A cup 23 provided with an opening 231 on the upper side is provided around the spin chuck 2 so as to surround the wafer W on the spin chuck 2 and the side peripheral surface upper end side of the cup 23 is inclined inward. 232 are formed.

カップ２３の底部側には例えば凹部状をなす液受け部２４が設けられている。液受け部２４は、隔壁２４１によりウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画され、外側領域の底部には貯留したレジストなどを排出するための排液口２５が設けられ、内側領域の底部には処理雰囲気を排気するための排気口２６が設けられている。   On the bottom side of the cup 23, for example, a liquid receiving portion 24 in the form of a recess is provided. The liquid receiving portion 24 is divided into an outer area and an inner area over the entire periphery of the lower side of the periphery of the wafer W by the partition wall 241, and a drainage port 25 for discharging stored resist and the like at the bottom of the outer area. And an exhaust port 26 for exhausting the processing atmosphere is provided at the bottom of the inner region.

スピンチャック２に保持されたウエハ表面のほぼ中央には、ノズルユニット３の塗布ノズル４１により塗布液が吐出されるように構成されている。このノズルユニット３は、図３に示すように、処理液を吐出するための複数本例えば１０本の塗布ノズル４１と、処理液の溶剤を吐出するための例えば１本の溶剤ノズル４２と、を共通の支持部３１に一体的に固定することにより構成されている。この例における処理液は乾燥により固化するものであり、溶剤は例えばシンナーである。処理液の例としては、例えば３次元ＮＡＮＤ型メモリの製造に用いられる例えば粘度が５０ｃｐ〜１０００ｃｐのレジスト液が挙げられる。塗布ノズル４１が本発明のノズルに相当するものであり、以降、塗布ノズル４１及び溶剤ノズル４２をノズル４１、４２と記載する場合がある。   The coating solution is discharged from the coating nozzle 41 of the nozzle unit 3 substantially at the center of the wafer surface held by the spin chuck 2. As shown in FIG. 3, the nozzle unit 3 includes a plurality of, for example, ten coating nozzles 41 for discharging the treatment liquid, and, for example, one solvent nozzle 42 for discharging the solvent of the treatment liquid. It is comprised by fixing to the common support part 31 integrally. The treatment liquid in this example is solidified by drying, and the solvent is, for example, thinner. Examples of the processing solution include, for example, a resist solution having a viscosity of 50 cp to 1000 cp, which is used, for example, in the manufacture of a three-dimensional NAND memory. The application nozzle 41 corresponds to the nozzle of the present invention, and hereinafter, the application nozzle 41 and the solvent nozzle 42 may be described as the nozzles 41 and 42.

塗布ノズル４１及び溶剤ノズル４２は例えば同様に構成され、液処理装置１の横方向（Ｙ軸方向）に沿って一直線上に配列されるように支持部３１に固定されている。これらノズル４１、４２は、例えば図４に塗布ノズル４１を例にして示すように、支持部３１に接続される基端部４３と、基端部４３の下方側に鉛直方向に伸びる円筒部４４と、この円筒部４４から下方側に向けて縮径する略円錐状の先端部４５と、を備えている。これら基端部４３、円筒部４４及び先端部４５の内部には、鉛直方向に伸びる処理液の流路４６が形成され、この流路４６はノズル下方の先端側において、処理液の吐出口４７として開口している。吐出口４７は例えば平面形状が円形に形成されている。   The application nozzle 41 and the solvent nozzle 42 are configured in the same manner, for example, and are fixed to the support portion 31 so as to be arranged in a straight line along the lateral direction (Y-axis direction) of the liquid processing apparatus 1. For example, as shown in FIG. 4 with the application nozzle 41 as an example, the nozzles 41 and 42 have a proximal end 43 connected to the support 31 and a cylindrical portion 44 extending vertically below the proximal end 43. And a substantially conical tip 45 whose diameter decreases from the cylindrical portion 44 downward. A flow path 46 of the processing liquid extending in the vertical direction is formed in the base end portion 43, the cylindrical portion 44 and the tip end portion 45, and the flow path 46 is a discharge port 47 of the processing liquid at the tip end side below the nozzle. Open as. The discharge port 47 has, for example, a circular planar shape.

これら塗布ノズル４１及び溶剤ノズル４２は、共通の支持部３１により支持され、移動機構３２により、スピンチャック２上のウエハＷに処理液等を供給する処理位置と、後述する待機ユニット５に収容される待機位置との間で移動自在に構成されている。例えば移動機構３２は、図２中横方向（Ｙ軸方向）に伸びるガイド３３に沿ってガイドされる水平移動部３４と、この水平移動部３４から水平に伸びると共に、水平移動部３４に対して図示しない昇降機構により昇降するアーム部３５とを備え、このアーム部３５の先端に支持部３１が設けられている。   The coating nozzle 41 and the solvent nozzle 42 are supported by a common support 31 and are accommodated by the moving mechanism 32 in the processing position for supplying the processing liquid to the wafer W on the spin chuck 2 and the standby unit 5 described later. It is configured to be movable between itself and the standby position. For example, the moving mechanism 32 includes a horizontally moving unit 34 guided along a guide 33 extending in the lateral direction (Y-axis direction) in FIG. The arm unit 35 is raised and lowered by a raising and lowering mechanism (not shown), and a support unit 31 is provided at the tip of the arm unit 35.

図１に示すように、各塗布ノズル４１は、例えば夫々異なる処理液供給路４１１を介して夫々異なる処理液供給源４１２に接続されている。各処理液供給路４１１には、例えば夫々途中にサックバックバルブＶＡや、開閉バルブやマスフローコントローラ等を備えた流量調整部４１３が設けられている。また、処理液供給路４１１は例えばフレキシブルな材料により構成され、ノズルユニット３が移動する際、ノズルユニット３の動きを妨げないようになっている。   As shown in FIG. 1, each application nozzle 41 is connected to different processing solution supply sources 412 via, for example, different processing solution supply paths 411. Each processing liquid supply path 411 is provided with, for example, a suck back valve VA, a flow rate adjusting unit 413 provided with an open / close valve, a mass flow controller, and the like in the middle. Further, the processing liquid supply path 411 is made of, for example, a flexible material so that the movement of the nozzle unit 3 is not hindered when the nozzle unit 3 moves.

サックバックバルブＶＡは、対応する塗布ノズル４１からの処理液の吐出を停止させた際に、塗布ノズル４１の流路４６内に残留する処理液の先端液面を処理液供給路４１１側に後退（サックバック）させるためのものであり、また、本発明の吸引機構を兼用している。サックバックバルブＶＡは、例えば内部に処理液供給路４１１に連通する吸引室が形成されたベローズを備えており、このベローズを伸張させて吸引室内を負圧にすることにより、塗布ノズル４１内の処理液を処理液供給路４１１側に吸引するように構成されている。さらに、サックバックバルブＶＡにはニードルが設けられており、このニードルで吸引室の最大容積を変えることによって処理液の先端液面の後退する距離を調節することができるようになっている。   When the discharge of the processing liquid from the corresponding application nozzle 41 is stopped, the suck back valve VA retracts the leading end liquid surface of the processing liquid remaining in the flow path 46 of the application nozzle 41 to the processing liquid supply path 411 side. (Sack back) and also serves as the suction mechanism of the present invention. The suck back valve VA includes, for example, a bellows having a suction chamber formed therein, which communicates with the processing liquid supply passage 411. The bellows is expanded to make the suction chamber have a negative pressure, whereby the inside of the coating nozzle 41 is formed. The processing liquid is configured to be suctioned to the processing liquid supply path 411 side. Furthermore, the suck back valve VA is provided with a needle, and by changing the maximum volume of the suction chamber with this needle, it is possible to adjust the retreat distance of the tip liquid level of the processing solution.

流量調整部４１３は処理液の流量を調整するものであり、処理液供給源４１２には、例えば夫々種類の異なるレジスト液や、種類が同じであっても粘度等が異なるレジスト液、例えば３次元ＮＡＮＤ型メモリのレジスト薄膜用のレジスト液が処理液として貯留されている。溶剤ノズル４２は、溶剤供給路４２１を介して溶剤供給源４２２に接続されており、溶剤供給路４２１には、開閉バルブやマスフローコントローラ等を備えた流量調整部４２３が介設されている。サックバックバルブＶＡや流量調整部４１３、４２３は、後述する制御部６からの制御信号に基づいてその駆動が制御される。   The flow rate adjusting unit 413 adjusts the flow rate of the processing solution, and the processing solution supply source 412 includes, for example, different types of resist solutions, and resist solutions having the same type but different viscosity etc., for example, three-dimensional A resist solution for a resist thin film of a NAND type memory is stored as a processing solution. The solvent nozzle 42 is connected to a solvent supply source 422 via a solvent supply passage 421. The solvent supply passage 421 is provided with a flow rate adjustment unit 423 including an on-off valve, a mass flow controller, and the like. The drive of the suck back valve VA and the flow rate adjustment units 413 and 423 is controlled based on a control signal from the control unit 6 described later.

カップ２３の外面には、例えば図１及び図２に示すように、ノズル待機装置をなす待機ユニット５が設けられている。なお、図１においては、図示の便宜上、ノズルユニット３及び待機ユニット５を実際よりも大きく、簡略化して描いている。待機ユニット５には、例えば図５に示すように、各塗布ノズル４１と溶剤ノズル４２が夫々個別に収まるような筒状のノズル収容部５１がノズルの数量分即ち１１個設けられており、例えばこのノズル収容部５１はＹ軸方向に一直線上に配列されている。   On the outer surface of the cup 23, for example, as shown in FIGS. 1 and 2, a standby unit 5 which is a nozzle standby device is provided. In FIG. 1, for convenience of illustration, the nozzle unit 3 and the standby unit 5 are drawn to be larger than in actuality and simplified. For example, as shown in FIG. 5, the standby unit 5 is provided with cylindrical nozzle accommodating portions 51 for accommodating each of the coating nozzles 41 and the solvent nozzles 42 separately, that is, 11 nozzles, for example. The nozzle housing portions 51 are arranged in a straight line in the Y-axis direction.

塗布ノズル４１用のノズル収容部５１は同様に構成されており、このノズル収容部５１について図４を参照して説明する。図４は、図５中最も左側のノズル収容部５１を示すものである。ノズル収容部５１は、塗布ノズル４１の円筒部４４及び先端部４５を収容する部位が例えば円筒状であり、ノズル収容部５１の下部側は、例えば下に向かうほど内径が小さくなる縮径部５２として構成されている。また、ノズル収容部５１の下端は排出口５３を介して各ノズル収容部５１共用の排液室５４と連通している。排液室５４に流入した液体は、排出路５５を介して液処理装置１の外に排出される。   The nozzle housing 51 for the coating nozzle 41 is similarly configured, and this nozzle housing 51 will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the leftmost nozzle accommodation portion 51 in FIG. The nozzle housing portion 51 has, for example, a cylindrical portion for housing the cylindrical portion 44 and the tip end portion 45 of the coating nozzle 41, and the lower side of the nozzle housing portion 51 has, for example, a reduced diameter portion 52 whose inner diameter decreases toward the bottom. Is configured as. Further, the lower end of the nozzle housing portion 51 communicates with the drainage chamber 54 common to the nozzle housing portions 51 via the discharge port 53. The liquid that has flowed into the drainage chamber 54 is discharged to the outside of the liquid processing apparatus 1 through the discharge passage 55.

図４及び図５は、ノズルユニット３が待機ユニット５内に収容された待機位置にあるときを示しており、この待機位置では、例えば各塗布ノズル４１の先端部４５はノズル収容部５１の縮径部５２にあり、この縮径部５２の内周面が塗布ノズル４１の先端部を囲む内周面に相当する。そして、各ノズル４１の吐出口４７の下方側に、これら吐出口４１と対向するように排出口５３が位置している。この排出口５３は、例えば平面形状が円形に構成され、塗布ノズル４１の吐出口４７に対応する部位の塗布ノズル４１の外径よりも大きく形成されている。この例では、縮径部５２と排液室５４との間の最も内径が小さい部位が排出口５３に相当する。   4 and 5 show the nozzle unit 3 in the standby position accommodated in the standby unit 5. In this standby position, for example, the tip 45 of each application nozzle 41 is contracted in the nozzle housing 51. The inner circumferential surface of the reduced diameter portion 52 corresponds to the inner circumferential surface surrounding the tip of the application nozzle 41. The discharge port 53 is positioned below the discharge ports 47 of the nozzles 41 so as to face the discharge ports 41. The discharge port 53 has, for example, a circular planar shape, and is formed to be larger than the outer diameter of the application nozzle 41 at a portion corresponding to the discharge port 47 of the application nozzle 41. In this example, the portion with the smallest inner diameter between the reduced diameter portion 52 and the drainage chamber 54 corresponds to the drainage port 53.

また、塗布ノズル４１用のノズル収容部５１の下部側の側壁例えば縮径部５２の側壁には、溶剤を供給するための溶剤吐出口５６が設けられている。この溶剤吐出口５６は、例えば溶剤を縮径部５２の内周面に沿わせて供給するように形成され、このため、溶剤吐出口５６は、例えば図４（ｂ）に示すように、縮径部５２の接線方向に設けられている。これにより、溶剤吐出口５６から吐出された溶剤は、ノズル収容部５１の内周面に沿って案内されて排出口５３から排出され、縮径部５２においては、溶剤吐出口５６から吐出された溶剤が旋回流となって落下するように構成されている。   In addition, a solvent discharge port 56 for supplying a solvent is provided on the side wall of the lower side of the nozzle housing portion 51 for the coating nozzle 41, for example, the side wall of the reduced diameter portion 52. The solvent discharge port 56 is formed, for example, so as to supply the solvent along the inner peripheral surface of the reduced diameter portion 52. Therefore, as shown in FIG. 4B, the solvent discharge port 56 is contracted, for example. It is provided in the tangential direction of the diameter portion 52. Thus, the solvent discharged from the solvent discharge port 56 is guided along the inner peripheral surface of the nozzle housing 51 and discharged from the discharge port 53, and the reduced diameter portion 52 is discharged from the solvent discharge port 56. The solvent is configured to drop in a swirling flow.

図５に示すように、これら溶剤吐出口５６は、塗布ノズル４１の各ノズル収容部５１毎に、溶剤供給路５７を介して溶剤供給源５８に接続されており、各溶剤供給路５７には、開閉バルブやマスフローコントローラ等を備えた流量調整部５９が夫々介設されている。各流量調整部５９は、例えば制御部６の制御信号により駆動が制御され、各ノズル収容部５１に溶剤吐出口５６から吐出する溶剤の供給量を調整する機構である。本発明の溶剤供給部は、溶剤供給路５７と、流量調整部５９と、溶剤供給源５８と、を含むものである。この溶剤供給部は、後述するように、塗布ノズル４１の先端部に溶剤の液層を形成するときに、溶剤吐出口５６に第１の流量で溶剤を供給して、当該ノズル４１の吐出口４７を塞ぐように溶剤の液膜を形成した後、溶剤吐出口５６に第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を供給するように構成されている。また、溶剤ノズル４２に対応するノズル収納部５１は、例えば溶剤吐出口５６が形成されていない以外は、塗布ノズル４１に対応するノズル収容部５１と同様に構成されている。   As shown in FIG. 5, these solvent discharge ports 56 are connected to the solvent supply source 58 via the solvent supply path 57 for each nozzle housing portion 51 of the coating nozzle 41, and each solvent supply path 57 is connected to the solvent supply path 57. A flow rate adjusting unit 59 including an on-off valve, a mass flow controller, and the like is respectively interposed. Each flow rate adjustment unit 59 is a mechanism that is controlled by, for example, a control signal of the control unit 6 and adjusts the supply amount of the solvent discharged from the solvent discharge port 56 to each nozzle storage unit 51. The solvent supply unit of the present invention includes a solvent supply passage 57, a flow rate adjustment unit 59, and a solvent supply source 58. The solvent supply unit supplies the solvent at a first flow rate to the solvent discharge port 56 when forming the liquid layer of the solvent at the tip of the application nozzle 41 as described later, and the discharge port of the nozzle 41 After the liquid film of the solvent is formed so as to close 47, the solvent is supplied to the solvent discharge port 56 at a second flow rate smaller than the first flow rate. In addition, the nozzle housing portion 51 corresponding to the solvent nozzle 42 is configured in the same manner as the nozzle housing portion 51 corresponding to the application nozzle 41 except that the solvent discharge port 56 is not formed, for example.

後述するように、待機ユニット５では、塗布ノズル４１からレジスト液がダミー吐出されるが、レジスト液の粘度が高い場合には、排出口５３が小さいとレジスト液の詰まりが発生する。一方、排出口５３が大きいと、塗布ノズル４１の先端に溶剤の液層が形成できなくなる。このため、塗布ノズル４１の吐出口４７に対応する部位の塗布ノズル４１の外径Ｌ１が例えば２．５ｍｍ〜３．０ｍｍであるときには、排出口５３の内径Ｌ２は、例えば直径３．２ｍｍ〜３．６ｍｍに設定されることが好ましい。   As described later, in the standby unit 5, the resist solution is dummy-discharged from the coating nozzle 41. However, if the viscosity of the resist solution is high, clogging of the resist solution occurs if the discharge port 53 is small. On the other hand, when the discharge port 53 is large, the liquid layer of the solvent can not be formed at the tip of the application nozzle 41. Therefore, when the outer diameter L1 of the coating nozzle 41 at a portion corresponding to the discharge port 47 of the coating nozzle 41 is, for example, 2.5 mm to 3.0 mm, the inner diameter L2 of the discharge port 53 is, for example, 3.2 mm to 3 in diameter. It is preferable to set to .6 mm.

ノズルユニット３の塗布ノズル４１及び溶剤ノズル４２は、例えばウエハＷの回転中心上を通る直線上に配列され、また、待機ユニット５の各ノズル収容部５１も、ウエハＷの回転中心上を通る直線上に位置するように配列されている。ノズルユニット３は、既述のように移動機構３２により、ウエハＷの回転中心上を通る直線上に移動すると共に、昇降自在に構成され、こうして、ノズルユニット３は、待機位置と、処理位置との間で移動される。待機位置とは、既述のように各塗布ノズル４１の先端部４５が各ノズル収容部５１の縮径部５２に収容される位置である。また、処理位置とは、塗布ノズル４１、溶剤ノズル４２のいずれか一つのノズルがウエハＷの回転中心に処理液又は溶剤を供給する位置である。なお、ノズルユニット３は待機位置の上方側、例えばノズルユニット３の各塗布ノズル４１の先端が待機ユニット５のノズル収容部５１の上面よりも僅かに例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度上方側にある位置にて待機する場合もある。   The coating nozzle 41 and the solvent nozzle 42 of the nozzle unit 3 are arranged, for example, on a straight line passing above the rotation center of the wafer W, and each nozzle housing portion 51 of the standby unit 5 also passes along the rotation center of the wafer W It is arranged to be located at the top. The nozzle unit 3 is configured to move up and down on a straight line passing over the rotation center of the wafer W by the moving mechanism 32 as described above, and thus the nozzle unit 3 has a standby position, a processing position, and Moved between The standby position is a position where the tip end 45 of each application nozzle 41 is accommodated in the diameter-reduced portion 52 of each nozzle accommodation portion 51 as described above. Further, the processing position is a position where one of the coating nozzle 41 and the solvent nozzle 42 supplies the processing liquid or the solvent to the rotation center of the wafer W. Note that the nozzle unit 3 is located at the upper side of the standby position, for example, at a position where the tip of each application nozzle 41 of the nozzle unit 3 is slightly higher by about 1 mm to 2 mm than the upper surface of the nozzle housing 51 of the standby unit 5. There is also a case to wait.

この液処理装置１は制御部６を備えており、制御部６は例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、ウエハＷの塗布処理、待機ユニット５における塗布ノズル４１に対する処理等、各種の動作を行うことができるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。そして、このプログラムによって制御部６から液処理装置１の各部に制御信号が出力されることで、当該液処理装置１の各部の動作が制御される。プログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。   The liquid processing apparatus 1 includes a control unit 6, which is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program in which commands (step groups) are combined so that various operations such as coating of the wafer W and processing on the coating nozzle 41 in the standby unit 5 can be performed. Then, the control signal is output from the control unit 6 to each part of the liquid processing apparatus 1 by this program, whereby the operation of each part of the liquid processing apparatus 1 is controlled. The program is stored in the program storage unit in a state of being stored in a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magnet optical disk, or a memory card, for example.

次に、液処理装置１の作用について、ノズルユニット３の一の塗布ノズル４１Ａを用いてレジスト液の塗布処理を行う場合を例にして、図６及び図７を参照して説明する。先ず、例えば粘度が５０ｃｐ〜１０００ｃｐのレジスト液を用いて、塗布ノズル４１Ａによりスピンチャック２に保持されたウエハＷの表面にレジスト液を吐出して塗布処理を行う。即ち、スピンチャック２をカップ２３の上方側まで上昇させ、図示しない基板搬送機構からウエハＷを受け取る。そして、溶剤ノズル４２がスピンチャック２に保持されたウエハＷの回転中心に溶剤を供給する位置にノズルユニット３を移動し、溶剤であるシンナー液を供給する。次いで、スピンチャック２によりウエハＷを回転させ、この遠心力によりシンナー液を周縁部まで拡散させる。   Next, the operation of the liquid processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 6 and 7 by taking, as an example, a case where a resist liquid is applied using the one application nozzle 41A of the nozzle unit 3. First, using a resist solution having a viscosity of 50 cp to 1000 cp, for example, the resist solution is discharged onto the surface of the wafer W held by the spin chuck 2 by the coating nozzle 41A to perform the coating process. That is, the spin chuck 2 is raised to the upper side of the cup 23, and the wafer W is received from the substrate transfer mechanism (not shown). Then, the nozzle unit 3 is moved to a position where the solvent nozzle 42 supplies the solvent to the rotation center of the wafer W held by the spin chuck 2 and the thinner liquid which is the solvent is supplied. Next, the wafer W is rotated by the spin chuck 2 and the thinner is diffused to the peripheral portion by this centrifugal force.

次に、スピンチャック２の回転を中止し、塗布ノズル４１Ａがスピンチャック２に保持されたウエハＷの回転中心にレジスト液を供給する位置にノズルユニット３を移動し、レジスト液を吐出する。そして、スピンチャック２によりウエハＷを回転させ、この遠心力によりレジスト液をウエハＷの中心部から周縁部まで拡散させる。レジスト液は、例えばシンナー液によりウエハ表面が濡れている状態で塗布され、このようにしてレジスト液が塗布されたウエハＷは、基板搬送機構に受け渡される。   Next, the rotation of the spin chuck 2 is stopped, and the nozzle unit 3 is moved to a position where the resist solution is supplied to the rotation center of the wafer W held by the spin chuck 2 by the application nozzle 41A, and the resist solution is discharged. Then, the wafer W is rotated by the spin chuck 2, and the resist solution is diffused from the central portion of the wafer W to the peripheral portion by the centrifugal force. The resist solution is coated, for example, with the wafer surface wet with a thinner solution, and the wafer W coated with the resist solution in this way is delivered to the substrate transfer mechanism.

一方、塗布処理を終了した後、所定時間以上塗布液の吐出が行われない場合は、ノズルユニット３を待機ユニット５に対向する位置まで移動させてから降下させ、各塗布ノズル４１の先端を夫々対応するノズル収容部５１内に収容し、待機位置に位置させる。この状態で、塗布ノズル４１Ａの流路４６の先端内部のレジスト液７１をダミーディスペンスによりノズル収容部５１内に吐出する（図６（ａ）参照）。   On the other hand, when the application liquid is not discharged for a predetermined time or more after the application processing is completed, the nozzle unit 3 is moved to a position facing the standby unit 5 and then lowered to lower the tip of each application nozzle 41 It accommodates in the corresponding nozzle accommodating part 51, and makes it position in a waiting position. In this state, the resist solution 71 inside the tip of the flow path 46 of the application nozzle 41A is discharged into the nozzle housing portion 51 by dummy dispensing (see FIG. 6A).

レジスト液７１は、ノズル収容部５１の排出口５３を介して排液室５４側へ排出される。この例では、排出口５３は塗布ノズル４１Ａの吐出口４７に対応する部位のノズル４１Ａの外径よりも大きく、例えば直径３．６ｍｍの大きさに形成されているので、レジスト液７１の粘度が約１０００ｃｐとある程度高い場合にも、排出口５３におけるレジスト液７１の詰まりが抑えられる。   The resist solution 71 is discharged to the drainage chamber 54 side through the discharge port 53 of the nozzle accommodation unit 51. In this example, the discharge port 53 is larger than the outer diameter of the nozzle 41A at a portion corresponding to the discharge port 47 of the application nozzle 41A, and has a diameter of 3.6 mm, for example. Clogging of the resist solution 71 at the discharge port 53 can be suppressed even in the case where it is as high as about 1000 cp.

続いて、塗布ノズル４１Ａの処理液供給路４１１に設けられたサックバックバルブＶＡにより１回目の吸引を行なう。このようにすると、塗布ノズル４１Ａの流路４６内のレジスト液７１の液面は、図６（ｂ）に示すように処理液供給路４１１側に後退して、当該液面は塗布ノズル４１Ａの先端から上昇する。例えば塗布ノズル４１Ａ内のレジスト液７１の液面は、ノズル先端から１ｍｍ〜３ｍｍ程度上昇させるように、サックバックバルブＶＡにより吸引することが望ましい。   Subsequently, the first suction is performed by the suck back valve VA provided in the treatment liquid supply path 411 of the application nozzle 41A. By doing this, the liquid level of the resist solution 71 in the flow path 46 of the coating nozzle 41A recedes to the processing liquid supply path 411 side as shown in FIG. 6B, and the liquid level is the same as that of the coating nozzle 41A. Rise from the tip. For example, it is desirable that the liquid surface of the resist solution 71 in the coating nozzle 41A be sucked by the suck back valve VA so as to be raised by about 1 mm to 3 mm from the tip of the nozzle.

次いで、図６（ｃ）に示すように、サックバックバルブＶＡにより２回目の吸引を行ないながら、溶剤吐出口５６からノズル収容部５１内に溶剤７２を第１の流量で第１の供給時間で供給して、塗布ノズル４１Ａの流路４６の先端部に溶剤の液膜７３を形成する。液膜７３とは、塗布ノズル４１Ａの吐出口４７を塞ぐ膜であり、その厚さは例えば１ｍｍである。溶剤吐出口５６から吐出された溶剤７２は、ノズル収容部５１の縮径部５２の内周面に沿って案内されて、旋回流となって落下していき、排出口５３から排出される。   Next, as shown in FIG. 6C, while the second suction is performed by the suck back valve VA, the solvent 72 is introduced into the nozzle housing portion 51 from the solvent discharge port 56 at the first flow rate for the first supply time. Then, the liquid film 73 of the solvent is formed at the tip of the flow path 46 of the application nozzle 41A. The liquid film 73 is a film that closes the discharge port 47 of the application nozzle 41A, and its thickness is, for example, 1 mm. The solvent 72 discharged from the solvent discharge port 56 is guided along the inner peripheral surface of the reduced diameter portion 52 of the nozzle housing portion 51, falls as a swirling flow, and is discharged from the discharge port 53.

このように溶剤７２は、ノズル収容部５１の内周面を伝わってスパイラル状に落下していくので、排出口５３を大きくすると、溶剤７２が排出口５３を介して速やかに排出されていく。これにより、後述する評価試験からも明らかなように、溶剤７２の供給量が第１の流量よりも少ないと、塗布ノズル４１Ａ内を吸引しても溶剤７２をノズル内に吸い込めない。このため、溶剤７２の供給量を第１の流量に設定して、吸引機構をなすサックバックバルブＶＡにより、塗布ノズル４１内の流路４６を上流側から吸引して吸い込んでいる。このようにすることにより、図７（ａ）に示すように、溶剤７２を塗布ノズル４１Ａ側に引き寄せて、塗布ノズル４１Ａの先端部に溶剤の液膜７３を形成する。   As described above, since the solvent 72 falls in a spiral shape along the inner peripheral surface of the nozzle housing portion 51, the solvent 72 is rapidly discharged through the discharge port 53 when the discharge port 53 is enlarged. Thus, as apparent from the evaluation test described later, when the amount of the solvent 72 supplied is smaller than the first flow rate, the solvent 72 can not be sucked into the nozzle even if suction is performed in the application nozzle 41A. Therefore, the supply amount of the solvent 72 is set to the first flow rate, and the flow path 46 in the application nozzle 41 is sucked and sucked from the upstream side by the suck back valve VA forming the suction mechanism. By doing this, as shown in FIG. 7A, the solvent 72 is drawn to the coating nozzle 41A side, and the liquid film 73 of the solvent is formed on the tip of the coating nozzle 41A.

この例では、排出口５３の直径が３．６ｍｍであるため、第１の流量を９０ｍｌ／分〜１５０ｍｌ／分例えば１００ｍｌ／分、第１の供給時間を例えば１〜２秒に設定することにより、塗布ノズル４１Ａの先端部に溶剤の液膜７３を形成することができる。なお、塗布ノズル４１Ａの吸引力を大きくすることによって、第１の流量を９０ｍｌ／分よりも小さくすることも考えられるが、粘度の高いレジスト液を用いると、レジスト液が塗布ノズル４１Ａの流路４６の内壁面に付着しやすい。このため、吸引力を大きくすると、レジスト液が千切れて分離するおそれがあり、後述するように塗布ノズル４１Ａの内部に溶剤の液層を形成するときに、レジスト液の液層と混合しやすくなってしまい、得策ではない。   In this example, since the diameter of the discharge port 53 is 3.6 mm, the first flow rate is set to 90 ml / min to 150 ml / min, for example, 100 ml / min, and the first supply time is set to, for example, 1 to 2 seconds. The liquid film 73 of the solvent can be formed at the tip of the coating nozzle 41A. Although it is conceivable to make the first flow rate smaller than 90 ml / min by increasing the suction force of the coating nozzle 41A, when a resist solution having a high viscosity is used, the resist solution flows in the flow path of the coating nozzle 41A. It easily adheres to the 46 inner wall surface. Therefore, if the suction force is increased, the resist solution may break up and be separated, and it is easy to mix with the liquid layer of the resist solution when forming the liquid layer of the solvent inside the coating nozzle 41A as described later. It is not a good idea.

続いて、図６（ｄ）に示すように、サックバックバルブＶＡによる塗布ノズル４１Ａ内の流路４６の吸引を続け、塗布ノズル４１Ａの先端に液膜７３が形成された状態で、この液膜７３と接触するように、溶剤吐出口５６から溶剤を第２の流量で、例えば第１の供給時間よりも長い第２の供給時間で供給する。第２の流量とは、塗布ノズル４１の吐出口４７が溶剤により塞がれた状態を維持できる、第１の流量よりも少ない流量である。   Subsequently, as shown in FIG. 6D, the suction of the flow path 46 in the application nozzle 41A by the suck back valve VA is continued, and the liquid film 73 is formed at the tip of the application nozzle 41A. The solvent is supplied from the solvent discharge port 56 at a second flow rate, for example, for a second supply time longer than the first supply time so as to be in contact with 73. The second flow rate is a flow rate smaller than the first flow rate, which can maintain the discharge port 47 of the coating nozzle 41 blocked by the solvent.

これにより、図７（ｂ）に示すように、液膜７３に接触する溶剤７２は、表面張力及び塗布ノズル４１Ａ内の流路４６の吸引により、塗布ノズル４１Ａの流路４６内に引き込まれていく。つまり、液膜７３が起点となって、ノズル収容部５１の縮径部５２の内周面に供給された溶剤７２が表面張力により、流路４６に引き込まれる。溶剤７２を第２の流量で吐出することにより、塗布ノズル４１の吐出口４７が溶剤により塞がれた状態を維持できるため、表面張力の利用により、ノズル収容部５１に排出口５３を塞ぐような溶剤の液溜まりを形成することなく、塗布ノズル４１Ａに溶剤を吸い込ませることができる。この例では、排出口５３の直径が３．６ｍｍであるため、第２の供給量を３０ｍｌ／分〜６０ｍｌ／分例えば４０ｍｌ／分、第２の供給時間を例えば６〜７秒に設定している。   Thus, as shown in FIG. 7B, the solvent 72 in contact with the liquid film 73 is drawn into the flow path 46 of the application nozzle 41A by the surface tension and the suction of the flow path 46 in the application nozzle 41A. Go. That is, the solvent 72 supplied to the inner circumferential surface of the reduced diameter portion 52 of the nozzle housing portion 51 is drawn into the flow path 46 by surface tension, with the liquid film 73 as a starting point. By discharging the solvent 72 at the second flow rate, the discharge port 47 of the application nozzle 41 can be maintained in a closed state by the solvent, so that the discharge port 53 is closed in the nozzle housing portion 51 by using surface tension. The solvent can be sucked into the coating nozzle 41A without forming a liquid pool of the solvent. In this example, since the diameter of the discharge port 53 is 3.6 mm, the second supply amount is set to 30 ml / min to 60 ml / min, for example, 40 ml / min, and the second supply time is set to 6 to 7 seconds, for example. There is.

第１の流量及び第１の供給時間、第２の流量及び第２の供給時間は、予め実験により求められたものである。レジスト液の粘度や、塗布ノズル４１の吐出口４７の大きさ、吐出口４７に対応する部位のノズルの外径の大きさに応じて、ノズル収容部５１の排出口５３の大きさが設定され、この排出口５３の大きさに基づいて、第１の流量及び第１の供給時間、第２の流量及び第２の供給時間が適宜求められる。   The first flow rate and the first supply time, the second flow rate and the second supply time are obtained in advance by experiment. The size of the discharge port 53 of the nozzle housing portion 51 is set according to the viscosity of the resist solution, the size of the discharge port 47 of the coating nozzle 41, and the size of the outer diameter of the nozzle corresponding to the discharge port 47. The first flow rate and the first supply time, the second flow rate and the second supply time may be appropriately determined based on the size of the discharge port 53.

こうして、図６（ｅ）に示すように、塗布ノズル４１Ａの流路４６内に、処理液供給路４１１側から順に処理液層８１と空気層８２と溶剤の液層（溶剤層）８３とが形成される。これにより、塗布ノズル４１Ａの先端内部の処理液（レジスト液）は空気層８２と溶剤層８３によって大気と遮断されるため、処理液の乾燥を防止することができる。   Thus, as shown in FIG. 6E, in the flow path 46 of the coating nozzle 41A, the processing liquid layer 81, the air layer 82, and the liquid layer (solvent layer) 83 of the solvent are sequentially provided from the processing liquid supply path 411 side. It is formed. As a result, the processing liquid (resist liquid) inside the tip of the coating nozzle 41A is shielded from the atmosphere by the air layer 82 and the solvent layer 83, so that the processing liquid can be prevented from drying.

例えば、塗布ノズル４１Ａ内の溶剤層８３の液面は、塗布ノズル４１Ａの先端から５ｍｍ〜１５ｍｍ程度上昇させるように、サックバックバルブＶＡにより吸引することが望ましい。なお、この後、溶剤吐出口５６からの溶剤の供給を停止した状態で、サックバックバルブＶＡにより塗布ノズル４１Ａ内の流路４６を吸引して、塗布ノズル４１Ａの先端内部において溶剤層８３の外側にさらに空気層を形成するようにしてもよい。このように塗布ノズル４１Ａ内において溶剤層８３よりも先端側に空気層を形成することにより、塗布ノズル４１Ａの先端内部への溶剤の滴の吸い込みを防止することができる。この状態で、ノズルユニット３の各塗布ノズル４１は待機ユニット５内の待機位置において待機する。   For example, it is desirable that the liquid surface of the solvent layer 83 in the application nozzle 41A be sucked by the suck back valve VA so as to be raised about 5 mm to 15 mm from the tip of the application nozzle 41A. After that, with the supply of the solvent from the solvent discharge port 56 stopped, the flow path 46 in the application nozzle 41A is sucked by the suck back valve VA, and the outside of the solvent layer 83 inside the tip of the application nozzle 41A. In addition, an air layer may be formed. By thus forming an air layer on the tip side of the solvent layer 83 in the coating nozzle 41A, it is possible to prevent the suction of a drop of solvent into the tip of the coating nozzle 41A. In this state, each application nozzle 41 of the nozzle unit 3 stands by at the standby position in the standby unit 5.

続いて、各塗布ノズル４１の先端に処理液層８１と空気層８２と溶剤層８３とが形成されたノズルユニット３を用いて、液処理装置１にてウエハＷの塗布処理を行なう場合について、ノズルユニット３の一の塗布ノズル４１Ａを用いる場合を例にして説明する。先ず、塗布ノズル４１Ａから溶剤層８３を排出する処理を行う。つまり、塗布ノズル４１Ａを待機ユニット５の待機位置に配置し、当該ノズル４１Ａの流量調整部４１３により所定量のレジスト液を吐出させて、ノズル先端の溶剤層８３を排出した後、レジスト液のサックバックを行う。この際、レジスト液の廃棄量を少なくするために、溶剤層８３のみを排出するためのレジスト液の供給量は予め実験により求めておき、例えばレジスト液の液面を例えば２ｍｍ程度下降させ、こうして溶剤層８３を排出する。   Subsequently, in the case where the liquid processing apparatus 1 performs the application processing of the wafer W using the nozzle unit 3 in which the treatment liquid layer 81, the air layer 82, and the solvent layer 83 are formed at the tip of each application nozzle 41, The case where one application nozzle 41A of the nozzle unit 3 is used will be described as an example. First, a process of discharging the solvent layer 83 from the coating nozzle 41A is performed. That is, after the application nozzle 41A is disposed at the standby position of the standby unit 5, the resist solution of a predetermined amount is discharged by the flow rate adjusting unit 413 of the nozzle 41A, and the solvent layer 83 at the tip of the nozzle is discharged. Do the back. At this time, in order to reduce the amount of waste resist solution, the supply amount of the resist solution for discharging only the solvent layer 83 is determined in advance by experiment, for example, the liquid level of the resist solution is lowered by about 2 mm, and thus The solvent layer 83 is discharged.

次いで、ノズルユニット３を塗布ノズル４１ＡがウエハＷに塗布液を供給する処理位置まで移動させて、この塗布ノズル４１Ａからレジスト液をウエハＷに供給して、既述の手法にて塗布処理を行なう。そして、塗布処理を終了した後、所定時間以上塗布液の吐出が行われない場合は、使用した塗布ノズル４１Ａを待機ユニット５のノズル収容部５１内に収容して、上述のように、塗布ノズル４１Ａの内部に、処理液供給路４１１側から順に処理液層８１と空気層８２と溶剤層８３とを形成する。   Next, the nozzle unit 3 is moved to the processing position where the coating nozzle 41A supplies the coating liquid to the wafer W, the resist liquid is supplied to the wafer W from the coating nozzle 41A, and the coating processing is performed by the method described above. . When the application liquid is not discharged for a predetermined time or more after completion of the application process, the used application nozzle 41A is accommodated in the nozzle accommodation portion 51 of the standby unit 5, and the application nozzle is used as described above. A treatment liquid layer 81, an air layer 82, and a solvent layer 83 are formed in the inside of 41A sequentially from the treatment liquid supply path 411 side.

この後、上記一の塗布ノズル４１Ａとは異なる他の塗布ノズル４１Ｂを用いて 塗布処理を行う場合には、塗布ノズル４１Ａと同様に、他の塗布ノズル４１Ｂの 溶剤層８３の排出を行う。次いで、この塗布ノズル４１Ｂを用いてウエハＷに処理液であるレジスト液の塗布処理を行い、続いて、ノズルユニット３を待機ユニット５の待機位置に配置し、この塗布ノズル４１Ｂの先端内部に処理液層８１と空気層８２と溶剤層８３とを形成するための処理を行う。   Thereafter, when the coating process is performed using another coating nozzle 41B different from the one coating nozzle 41A, the solvent layer 83 of the other coating nozzle 41B is discharged similarly to the coating nozzle 41A. Next, the wafer W is coated with a resist solution, which is a processing liquid, using the coating nozzle 41B, and then the nozzle unit 3 is disposed at the standby position of the standby unit 5 and processing is performed inside the tip of the coating nozzle 41B. A treatment for forming the liquid layer 81, the air layer 82 and the solvent layer 83 is performed.

ここで、使用する塗布ノズル４１Ａの溶剤を排出し、所定の塗布処理を行い、次いで、当該塗布ノズル４１Ａの先端内部に処理液層８１と空気層８２と溶剤層８３とを形成するための処理を行う一連の動作や、次いで、他の塗布ノズル４１Ｂ等を用いて次の塗布処理を行なう際の一連の動作は、制御部６に格納されたプログラムに基づいて行われる。   Here, the solvent of the application nozzle 41A to be used is discharged, and a predetermined application process is performed, and then, a process for forming the treatment liquid layer 81, the air layer 82, and the solvent layer 83 inside the tip of the application nozzle 41A. Next, a series of operations for performing the next coating process using another coating nozzle 41 B and the like are performed based on the program stored in the control unit 6.

上述の実施形態によれば、ノズル収容部５１において、塗布ノズル４１の先端部に溶剤の液層８３を形成するにあたり、第１の流量で溶剤を供給して、塗布ノズル４１の吐出口４７を塞ぐように液膜７３を形成した後、第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を供給している。これにより、塗布ノズル４１の吐出口４７に形成された液膜７３と溶剤とが接触することにより、表面張力によって塗布ノズル４１の先端部に溶剤が吸い込まれ、溶剤の液層８３が形成される。従って、ノズル収容部５１に排出口５３を覆うような溶剤の液溜まりを形成する必要がなく、ノズル収容部５１への溶剤の供給途中で、その供給量を第１の流量から第２の流量に低減しているので、溶剤の省液化を図ることができる。   According to the above-described embodiment, in forming the liquid layer 83 of the solvent at the tip of the coating nozzle 41 in the nozzle housing portion 51, the solvent is supplied at a first flow rate to discharge the discharge port 47 of the coating nozzle 41. After the liquid film 73 is formed to be closed, the solvent is supplied at a second flow rate smaller than the first flow rate. As a result, when the liquid film 73 formed at the discharge port 47 of the coating nozzle 41 contacts the solvent, the surface tension of the coating nozzle 41 is absorbed by the surface tension, and the liquid layer 83 of the solvent is formed. . Therefore, it is not necessary to form a liquid pool of the solvent for covering the discharge port 53 in the nozzle housing portion 51, and during the supply of the solvent to the nozzle housing portion 51, the supply amount thereof is changed from the first flow rate to the second flow rate. Can reduce the liquefaction of the solvent.

本発明は、塗布ノズル４１の吐出口４７に液膜７３を形成するときには、溶剤の供給量は大流量である第１の流量が必要であるが、液膜７３の形成後は、溶剤の供給量を第１の流量よりも少ない第２の流量に設定しても、溶剤が塗布ノズル４１内に引き込まれることを見出したことにより成されたものである。このため、ノズル収容部５１の排出口５３が３．２ｍｍ〜３．６ｍｍであっても、溶剤の省液化を図りながら、塗布ノズル４１の先端部に溶剤の液層８３を形成することができる。   According to the present invention, when the liquid film 73 is formed at the discharge port 47 of the coating nozzle 41, the first flow rate which is the large flow rate of the solvent is required, but after the formation of the liquid film 73, the solvent is supplied. Even if the amount is set to a second flow rate smaller than the first flow rate, it is made by finding that the solvent is drawn into the coating nozzle 41. For this reason, even if the discharge port 53 of the nozzle housing portion 51 is 3.2 mm to 3.6 mm, the liquid layer 83 of the solvent can be formed at the tip of the application nozzle 41 while reducing the liquefaction of the solvent. .

従って、レジスト液の粘度が約１０００ｃｐと比較的大きい場合に、レジスト液の排出口５３を大きく設定できるので、ダミーディスペンスの際のレジスト液の詰まりを抑制しながら、溶剤の省液化を図ることができる。例えば溶剤を第１の流量を１００ｍｌ／分として１〜２秒供給し、次いで第２の流量を４０ｍｌ／分として６〜７秒供給して、塗布ノズル４１の先端に溶剤の液層８３を形成する場合には、溶剤を第１の流量（１００ｍｌ／分）で７〜８秒供給する場合に比べて、溶剤供給量を４５％程度削減することができる。このように既存の設備を用い、溶剤の供給量の調整を行うことにより溶剤の省液化を図ることができる手法は有効である。   Therefore, when the viscosity of the resist solution is relatively large at about 1000 cp, the discharge port 53 of the resist solution can be set large, so that liquefaction of the solvent can be achieved while suppressing clogging of the resist solution at the time of dummy dispensing. it can. For example, the solvent is supplied at a first flow rate of 100 ml / min for 1 to 2 seconds, and then the second flow rate of 40 ml / min is supplied for 6 to 7 seconds to form a liquid layer 83 of the solvent at the tip of the coating nozzle 41 In this case, the amount of supplied solvent can be reduced by about 45% as compared to the case where the solvent is supplied for 7 to 8 seconds at the first flow rate (100 ml / min). Thus, the method which can aim at the liquefaction reduction of a solvent is effective by adjusting the supply amount of a solvent using the existing installation.

（評価試験１）
以下、本発明を成すに至った実験例について説明する。先ず、ノズル収容部５１の排出口５３の大きさと、塗布ノズル４１の溶剤層８３の形成との関連性について評価した。図４に示す本発明のノズル収容部５１において、排出口５３を直径３．６ｍｍとし、塗布ノズル４１の吸引量を一定にして、溶剤吐出口５６からの溶剤の供給量を２０ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分の間で変化させて、塗布ノズル４１に溶剤層８３が形成されるか否かについて、目視で確認した。また、排出口５３が３．０ｍｍのノズル収容部５１についても同様の評価を行った。 (Evaluation test 1)
Hereinafter, experimental examples for achieving the present invention will be described. First, the relationship between the size of the discharge port 53 of the nozzle housing portion 51 and the formation of the solvent layer 83 of the coating nozzle 41 was evaluated. In the nozzle housing portion 51 of the present invention shown in FIG. 4, the discharge port 53 has a diameter of 3.6 mm, the suction amount of the coating nozzle 41 is constant, and the supply amount of the solvent from the solvent discharge port 56 is 20 ml / min to 120 ml. It was checked visually whether or not the solvent layer 83 was formed on the coating nozzle 41 by changing between 1 / minute. Moreover, the same evaluation was performed also about the nozzle accommodating part 51 whose discharge port 53 is 3.0 mm.

この結果、排出口５３が３．６ｍｍの場合には、溶剤の供給量が１００ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分であるときには溶剤層８３が形成され、排出口５３が３．０ｍｍの場合には、溶剤の供給量が２０ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分であるときに溶剤の液層が形成されることが認められた。排出口５３を大きくすると、溶剤が排出口５３から速やかに排出され、塗布ノズル４１による吸引がしにくくなるため、溶剤層８３を形成するためには、溶剤の供給流量を増大する必要があることが理解される。   As a result, when the discharge port 53 is 3.6 mm, the solvent layer 83 is formed when the supply amount of the solvent is 100 ml / min to 120 ml / min, and when the discharge port 53 is 3.0 mm, the solvent It was observed that a liquid phase of the solvent was formed when the feed rate of the solution was 20 ml / min to 120 ml / min. If the size of the discharge port 53 is increased, the solvent is quickly discharged from the discharge port 53 and suction by the coating nozzle 41 is difficult to be performed. Therefore, to form the solvent layer 83, it is necessary to increase the supply flow rate of the solvent. Is understood.

（評価試験２）
続いて、塗布ノズル４１の先端の液膜７３の有無と、塗布ノズル４１の溶剤層８３の形成との関連性について評価した。図４に示す本発明のノズル収容部５１において、排出口５３を直径３．６ｍｍとし、塗布ノズル４１に液膜７３を形成したときとしないときに対して、溶剤吐出口５６からの溶剤の供給量を２０ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分の間で変化させて、溶剤層８３が形成されるか否かの確認を行った。なお、塗布ノズル４１の吸引量は一定とした。また、排出口５３が３．０ｍｍのノズル収容部５１についても同様の評価を行った。 (Evaluation test 2)
Subsequently, the relationship between the presence or absence of the liquid film 73 at the tip of the coating nozzle 41 and the formation of the solvent layer 83 of the coating nozzle 41 was evaluated. In the nozzle housing portion 51 of the present invention shown in FIG. 4, the discharge port 53 has a diameter of 3.6 mm, and the supply of the solvent from the solvent discharge port 56 with and without the liquid film 73 formed on the application nozzle 41. The amount was varied between 20 ml / min and 120 ml / min to check whether the solvent layer 83 was formed. The suction amount of the application nozzle 41 was constant. Moreover, the same evaluation was performed also about the nozzle accommodating part 51 whose discharge port 53 is 3.0 mm.

この結果、塗布ノズル４１に液膜７３を形成した場合には、溶剤の供給量が４０ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分であるときには溶剤層８３が形成され、液膜７３を形成しない場合には、溶剤の供給量が１００ｍｌ／分〜１２０ｍｌ／分であるときに溶剤層８３が形成されることが認められた。このように、排出口５３が３．６ｍｍと大きい場合でも、予め塗布ノズル４１の先端に液膜７３を保持した場合で溶剤を供給すると、その後の溶剤供給量が低流量であっても、液膜７３が起点となり、ノズル収容部５１の縮径部５２の内周面の溶剤を引きこむ現象が観察された。これらの評価試験から、塗布ノズル４１の吐出口４７に液膜７３を形成するときには、第１の流量で溶剤を供給し、次いで、第１の流量よりも低流量の第２の流量で供給することによって、塗布ノズル４１内に溶剤層８３を形成しながら溶剤の省液化を図ることができることが確認された。従って、排出口５３の内径が３．２〜３．６ｍｍの場合には、第１の流量が９０ｍｌ／分〜１５０ｍｌ／分であれば、塗布ノズル４１の先端に液膜７３が形成され、第２の流量が３０ｍｌ／分〜６０ｍｌ／分であれば溶剤層８３が形成されると理解される。   As a result, when the liquid film 73 is formed on the coating nozzle 41, the solvent layer 83 is formed when the supply amount of the solvent is 40 ml / min to 120 ml / min, and the solvent is not formed when the liquid film 73 is not formed. It was observed that the solvent layer 83 was formed when the feed rate of the solution was 100 ml / min to 120 ml / min. As described above, even when the discharge port 53 is as large as 3.6 mm, when the liquid film 73 is held at the tip of the coating nozzle 41 in advance and the solvent is supplied, the liquid is supplied even if the subsequent solvent supply amount is low. It was observed that the film 73 was the starting point and the solvent was drawn into the inner peripheral surface of the reduced diameter portion 52 of the nozzle housing portion 51. From these evaluation tests, when the liquid film 73 is formed at the discharge port 47 of the coating nozzle 41, the solvent is supplied at a first flow rate and then supplied at a second flow rate lower than the first flow rate. Thus, it was confirmed that the liquefaction of the solvent can be achieved while forming the solvent layer 83 in the coating nozzle 41. Therefore, when the inside diameter of the discharge port 53 is 3.2 to 3.6 mm, the liquid film 73 is formed at the tip of the application nozzle 41 if the first flow rate is 90 ml / min to 150 ml / min. It is understood that a solvent layer 83 is formed if the flow rate of 2 is 30 ml / min to 60 ml / min.

以上において、上述の実施形態では、溶剤供給部から第１の流量で溶剤が供給される溶剤吐出口５６と、溶剤供給部から第２の流量で溶剤が供給される溶剤吐出口５６とは共通化されているが、第１の流量で溶剤を吐出する溶剤吐出口と、第２の流量で溶剤を吐出する溶剤吐出口とを、例えば縮径部５２の側壁面に別個に設けるようにしてもよい。 In the above embodiment, the solvent discharge port 56 to which the solvent is supplied at the first flow rate from the solvent supply unit and the solvent discharge port 56 to which the solvent is supplied at the second flow rate from the solvent supply unit are common. In this case, a solvent discharge port for discharging the solvent at the first flow rate and a solvent discharge port for discharging the solvent at the second flow rate are separately provided on the side wall surface of the reduced diameter portion 52, for example. It is also good.

本発明の処理液の例としては、レジスト液の他に、顔料レジスト（ＯＣＣＦ）や水溶性レジスト等が挙げられ、溶剤の例としては、ＰＧＭＥＡやＯＫ７３等のシンナーや、水等が挙げられる。また、上述の実施形態では、複数の塗布ノズル４１を備えたノズルユニット３の例を示しているが、塗布ノズル４１の本数は上述の例に限らず、１本の塗布ノズルを備える構成に対しても適用可能である。さらに、本発明は、半導体ウエハ以外の被処理基板、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板の液処理装置に適用できる。   Examples of the processing solution of the present invention include a pigment resist (OCCF), a water-soluble resist and the like in addition to the resist solution, and examples of the solvent include a thinner such as PGMEA and OK 73, water and the like. Moreover, although the above-mentioned embodiment shows an example of nozzle unit 3 provided with a plurality of application nozzles 41, the number of application nozzles 41 is not limited to the above-mentioned example, and a configuration provided with one application nozzle Is also applicable. Furthermore, the present invention can be applied to a liquid processing apparatus for processing substrates other than semiconductor wafers, for example, FPD (flat panel display) substrates.

１ 液処理装置
２ スピンチャック
３ ノズルユニット
３２ 移動機構
４１ 塗布ノズル
４２ 溶剤ノズル
４６ 流路
４７ 吐出口
５ 待機ユニット
５１ ノズル収容部
５２ 縮径部
５３ 排出口
５６ 溶剤吐出口
５７ 溶剤供給路
５９ 流量調整部
６ 制御部
８１ 処理液層
８２ 空気層
８３ 溶剤の液層（溶剤層）
ＶＡ サックバックバルブ
Ｗ 半導体ウエハ Reference Signs List 1 liquid processing apparatus 2 spin chuck 3 nozzle unit 32 moving mechanism 41 application nozzle 42 solvent nozzle 46 channel 47 outlet port 5 standby unit 51 nozzle housing 52 reduced diameter portion 53 outlet port 56 solvent outlet port 57 solvent supply path 59 flow adjustment Part 6 Control part 81 Treatment liquid layer 82 Air layer 83 Liquid layer of solvent (solvent layer)
VA Suck Back Valve W Semiconductor Wafer

Claims (9)

乾燥により固化する処理液を吐出するためのノズルを待機させ、ノズルの先端部に溶剤を吸い込んで溶剤の液層を形成するためのノズル待機装置において、
前記ノズルの先端部を囲むように形成された内周面を含み、ノズルの吐出口と対向して排出口が形成されたノズル収容部と、
前記ノズル収容部内に開口し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内されて前記排出口から排出されるように形成された溶剤吐出口と、
前記ノズルの先端部に溶剤の液層を形成するときに、溶剤吐出口に第１の流量で溶剤を供給し、当該溶剤により前記ノズルの吐出口を塞ぐように液膜が形成された後、溶剤吐出口に、前記ノズルの吐出口が溶剤により塞がれた状態を維持できる、前記第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を供給する溶剤供給部と、を備えたことを特徴とするノズル待機装置。 In a nozzle standby device for holding a nozzle for discharging a treatment liquid solidified by drying and for sucking the solvent into the tip of the nozzle to form a liquid layer of the solvent,
A nozzle housing portion including an inner circumferential surface formed so as to surround a tip end portion of the nozzle, and having a discharge port formed opposite to the discharge port of the nozzle;
A solvent discharge port which is opened in the nozzle storage portion and formed so that the discharged solvent is guided along the inner peripheral surface of the nozzle storage portion and discharged from the discharge port;
When forming a liquid layer of solvent at the tip of the nozzle, after a solvent is supplied at a first flow rate to the solvent discharge port and a liquid film is formed to close the discharge port of the nozzle by the solvent, The solvent discharge port is provided with a solvent supply unit capable of maintaining the discharge port of the nozzle closed by the solvent and supplying the solvent at a second flow rate smaller than the first flow rate. And a nozzle standby device. 溶剤供給部から第１の流量で溶剤が供給される溶剤吐出口と溶剤供給部から第２の流量で溶剤が供給される溶剤吐出口とは、共通化されていることを特徴とする請求項１記載のノズル待機装置。   The invention is characterized in that the solvent discharge port to which the solvent is supplied at a first flow rate from the solvent supply part and the solvent discharge port to which the solvent is supplied at a second flow rate from the solvent supply part are shared. The nozzle standby device according to 1). 前記ノズル収容部において、溶剤吐出口から吐出された溶剤が旋回流となって落下する部位に、下へ向かうほど内径が小さくなる縮径部が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のノズル待機装置。   The nozzle accommodating portion is characterized in that a reduced diameter portion in which the inner diameter decreases as it goes downward is formed at a portion where the solvent discharged from the solvent discharge port falls as a swirling flow. 2. The nozzle standby device according to 2. 前記ノズルの吐出口に対応する部位のノズルの外径は、２．５ｍｍ〜３．０ｍｍであり、
前記ノズルの排出口の内径は、３．２ｍｍ〜３．６ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のノズル待機装置。 The outer diameter of the nozzle at a portion corresponding to the discharge port of the nozzle is 2.5 mm to 3.0 mm,
The nozzle standby device according to any one of claims 1 to 3, wherein the inner diameter of the discharge port of the nozzle is 3.2 mm to 3.6 mm. 第１の流量は、９０ｍｌ／分〜１５０ｍｌ／分であり、
第２の流量は、３０ｍｌ／分〜６０ｍｌ／分であることを特徴とする１ないし４のいずれか一項に記載のノズル待機装置。 The first flow rate is 90 ml / min to 150 ml / min,
The nozzle standby device according to any one of 1 to 4, wherein the second flow rate is 30 ml / min to 60 ml / min. 基板を保持する基板保持部と、
乾燥により固化する処理液を、前記基板保持部に保持された基板の表面に吐出するためのノズルと、
請求項１ないし５のいずれか一項に記載のノズル待機装置と、
前記ノズル待機装置に待機するノズル内の流路を上流側に吸引して溶剤を吸い込むための吸引機構と、を備えた液処理装置。 A substrate holding unit for holding a substrate;
A nozzle for discharging a processing liquid solidified by drying onto the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
A nozzle standby device according to any one of claims 1 to 5,
A liquid processing apparatus comprising: a suction mechanism for suctioning a solvent by sucking the flow path in the nozzle waiting on the nozzle standby device upstream. 前記処理液の粘度は、５０ｃｐ〜１０００ｃｐであることを特徴とする請求項６記載の液処理装置。   The viscosity of the said process liquid is 50 cp-1000 cp, The liquid processing apparatus of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 乾燥により固化する処理液を、基板保持部に保持された基板の表面にノズルから吐出する工程と、
次いで前記ノズルを、ノズルの先端部を囲むように形成された内周面を含み、ノズルの吐出口と対向して排出口が形成されたノズル収容部に待機させる工程と、
前記ノズル収容部に待機しているノズルの吐出口から処理液を吐出して、当該吐出口と対向する排出口から処理液を排出する工程と、
続いて前記ノズル収容部内に開口する溶剤吐出口から第１の流量で溶剤を吐出し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内され、当該溶剤により前記ノズルの吐出口を塞ぐように液膜を形成する工程と、
しかる後、前記ノズル収容部内に開口する溶剤吐出口から、前記ノズルの吐出口が溶剤により塞がれた状態を維持できる、前記第１の流量よりも少ない第２の流量で溶剤を吐出し、吐出された溶剤が前記ノズル収容部の内周面に沿って案内される工程と、を含むことを特徴とする液処理装置の運転方法。 Discharging a processing liquid solidified by drying from the nozzle onto the surface of the substrate held by the substrate holder;
And allowing the nozzle to stand by at a nozzle housing portion including an inner peripheral surface formed so as to surround the tip of the nozzle and having a discharge port formed opposite to the discharge port of the nozzle;
Discharging the processing liquid from the discharge port of the nozzle waiting in the nozzle housing portion and discharging the processing liquid from the discharge port facing the discharge port;
Subsequently, the solvent is discharged at a first flow rate from the solvent discharge port opened in the nozzle housing portion, and the discharged solvent is guided along the inner peripheral surface of the nozzle housing portion, and the solvent discharge port of the nozzle by the solvent. Forming a liquid film to block the
Thereafter, the solvent is discharged at a second flow rate smaller than the first flow rate, which can maintain a state in which the discharge port of the nozzle is blocked by the solvent, from the solvent discharge port opened in the nozzle housing portion. And D. a step of guiding the discharged solvent along the inner peripheral surface of the nozzle housing portion. 乾燥により固化する処理液を、基板保持部に保持された基板の表面にノズルから吐出する液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８項に記載の液処理装置の運転方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。


A storage medium storing a computer program used in a liquid processing apparatus for discharging a processing liquid solidified by drying on a surface of a substrate held by a substrate holding unit from a nozzle,
A storage medium characterized in that the computer program is configured to execute a method of operating a liquid processing apparatus according to claim 8.


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