JP2019075432A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の配線層を備えた配線基板において、スタブを発生させることなく配線層間の接続を行う。【解決手段】配線基板は、導電体からなる先端部と、一端が先端部に接続された導電体からなる心線と、心線の他端に接続された導電体からなる頭部と、少なくとも表面が絶縁体で構成され、心線の側面を覆い且つ表面にネジ山を有する胴体部と、を有するネジ型ビアと、複数の配線層を有し、ネジ型ビアが埋め込まれた基板と、を含む。先端部が基板の内部の配線層に設けられた第１の配線に接続され、頭部が基板の表面の配線層に設けられた第２の配線に接続されている。【選択図】図６

Description

開示の技術は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

互いに異なる配線層に設けられた配線同士を接続するビアを備えた配線基板に関する技術として、以下の技術が知られている。

例えば、複数層の配線を備えた基板に形成された非貫通孔内の底部に導電材料を配し、非貫通孔内に、導電細線を挿入して導電材料と接合し、導電細線と非貫通孔の側壁面との間隙を絶縁材料で充填する配線基板の製造方法が知られている。

また、導電性グランドコアを包囲する誘電体層と、該誘電体層に対して横方向に結合された信号導体層とを備えた構成要素を多層基板内の孔に挿入することで、基板のインピーダンス整合を実現する技術が知られている。

また、多層プリント基板の表面パターンと裏面パターンとを接続する中心導体と、中心導体の周囲に配する被覆導体と、中心導体と被覆導体との間に配する絶縁材とを有するバイアスルーホール部とを、備えたプリント基板構造が知られている。

特開２０１５−１２８１００号公報 特開２００６−１９１０１８号公報 実開平４−９７３８０号公報

複数の配線層を備えた配線基板において、配線層間の接続には、ビアが用いられている。

ビアの一部は、スタブと称される配線の分岐路を形成する場合があり、これによって、信号配線を流れる信号に悪影響が及ぶ場合がある。すなわち、信号配線を流れる信号は、スタブと信号配線との分岐点に達すると二手に分かれ、そのうちのひとつはスタブに向かい、スタブ端部で反射され再び分岐点に戻る。これにより、信号配線を流れる信号とスタブ端部で反射された信号が干渉し、分岐点において信号が減衰する場合がある。

スタブを除去する手法として、ビアの形成位置において配線基板の裏面からドリルを挿入してスタブを切削除去するバックドリル工法が知られている。しかしながら、バックドリル工法において、信号配線を切断しないようにスタブを完全に除去することは困難であり、０．５ｍｍ程度のスタブが残る。スタブに起因して生じる信号の反射損失は、信号の伝送レートが高くなる程大きくなり、バックドリル工法を適用したとしても、例えば、２５Ｇｂｐｓ（bps: bits per second）を超える高速伝送を実現することは困難である。一方、スキップビアやスタックビアなどスタブが発生しないビア技術も存在するが、製造限界から配線層３層分の短いビアしか作成できない。

開示の技術は、複数の配線層を備えた配線基板において、スタブを発生させることなく配線層間の接続を行うことを目的とする。

開示の技術に係る配線基板は、ネジ型ビアと、前記ネジ型ビアが埋め込まれた基板と、を含む。ネジ型ビアは、導電体からなる先端部と、一端が前記先端部に接続された導電体からなる心線と、前記心線の他端に接続された導電体からなる頭部と、少なくとも表面が絶縁体で構成され、前記心線の側面を覆い且つ表面にネジ山を有する胴体部と、を有する。前記先端部が前記基板の内部の配線層に設けられた第１の配線に接続され、前記頭部が前記基板の表面の配線層に設けられた第２の配線に接続されている。

開示の技術によれば、複数の配線層を備えた配線基板において、スタブを発生させることなく配線層間の接続が可能となる。

開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアの上面図である。 開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアの側面図である。 図１における３−３線に沿った断面図である。 図２における４−４線に沿った断面図である。 開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアの先端部の拡大図である。 開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアが内部に埋め込まれた配線基板の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る信号配線の拡大断面図である。 開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアの先端部が接続された信号配線の拡大断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 比較例に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 シミュレーションを用いて解析した信号伝送経路を示す図である ０．５ｍｍのスタブを有する配線基板を用いた場合のアイダイアグラムである。 スタブを有さない配線基板を用いた場合のアイダイアグラムである。 開示の技術の実施形態に係るネジ型ビアの各部の寸法を示す図である。 開示の技術の他の実施形態に係るネジ型ビアの側面図である。

以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。

[第１の実施形態]
図１は開示の技術の実施形態に係るネジ型ビア１０の上面図、図２はネジ型ビア１０の側面図、図３は図１における３−３線に沿った断面図、図４は図２における４−４線に沿った断面図である。ネジ型ビア１０は、先端部２０、心線３０、頭部４０及び胴体部５０を含んで構成されている。

先端部２０は、銅などの導電体で構成され、ネジ型ビア１０の先端に配置されている。図５は、先端部２０の拡大図である。図５に示すように、先端部２０は、表面に粗化処理が施されており、表面に微細な凹凸が形成されている。先端部２０の粗化は、例えば、有機酸系マイクロエッチング剤を用いたウェットエッチングによって行うことが可能である。

心線３０は、銅などの導電体で構成され、一端が先端部２０に接続されている。頭部４０は、銅などの導電体で構成されており、心線３０の他端に接続されている。すなわち、頭部４０は、心線３０を介して先端部２０に電気的に接続されている。頭部４０の上面には、図１に示すように、プラス型の溝４１が形成されている。溝４１は、ネジ型ビア１０を後述する基板１００（図６参照）に埋め込む際に用いられるドライバ等の工具を頭部４０に当接させるために用いられる。

胴体部５０は、心線３０の側面を覆っている。すなわち、心線３０は、胴体部５０の内部に埋設されている。胴体部５０の表面には、ネジ山５１が形成されている。胴体部５０は、少なくとも表面が絶縁性を有していればよく、また、セラミック並みの固さを有し、且つ磁性を有していないことが好ましい。胴体部５０を構成する材料として例えばNasseel IS（Nasseel Insulation Skin）を好適に用いることができる。Nasseel ISは、ステンレスの表面にセラミック層を形成することで、絶縁性を持たせた部材である。なお、胴体部５０を構成する材料として、セラミック並みの固さを確保できれば、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いることも可能である。

図６は、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂが内部に埋め込まれた、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００の構成の一例を示す断面図である。なお、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂの構成は、図１〜図５に示すネジ型ビア１０と同じである。

配線基板１００は、その厚さ方向に積層された複数の配線層Ｌ１〜Ｌ１６と、各配線層の間に設けられた複数の絶縁層１１０とを含んでいる。すなわち、配線層と絶縁層１１０とが交互に積層されている。なお、配線基板１００に設けられる配線層の層数は、適宜増減することが可能である。本実施形態において、配線層Ｌ１、Ｌ３、Ｌ５、Ｌ７、Ｌ１０、Ｌ１２、Ｌ１４及びＬ１６は、信号配線が形成される配線層であり、配線層Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１１、Ｌ１３及びＬ１５は、グランドプレーンが形成される配線層である。また、配線層Ｌ１及びＬ１６は、それぞれ、配線基板１００の最表面に配置される配線層である

ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂは、それぞれ、配線基板１００の表面から配線層Ｌ１６〜Ｌ６及びこれらの配線層Ｌ１６〜Ｌ６の間に設けられた絶縁層１１０を貫いて配線層Ｌ５に達している。ネジ型ビア１０Ａは、先端部２０が、配線層Ｌ５に設けられた信号配線１３０Ａに接続されており、頭部４０が配線層Ｌ１６に設けられた信号配線１２０Ａに接続されている。すなわち、信号配線１２０Ａと信号配線１３０Ａは、ネジ型ビア１０Ａを介して電気的に接続されている。同様に、ネジ型ビア１０Ｂは、先端部２０が、配線層Ｌ５に設けられた信号配線１３０Ｂに接続されており、頭部４０が配線層Ｌ１６に設けられた信号配線１２０Ｂに接続されている。すなわち、信号配線１２０Ｂと信号配線１３０Ｂは、ネジ型ビア１０Ｂを介して電気的に接続されている。なお、信号配線１２０Ａ及び１３０Ａは、一対の差動信号のうちの一方が通過する信号配線であってもよく、信号配線１２０Ｂ及び１３０Ｂは、一対の差動信号のうちの他方が通過する信号配線であってもよい。

以下に配線基板１００の製造方法について、図７Ａ〜図７Ｅを参照しつつ説明する。初めに、絶縁層１１０を間に挟んで積層された配線層Ｌ１〜Ｌ１６を有する基板１００ａを用意する（図７Ａ）。基板１００ａは、公知の工法を用いて作製することが可能である。

次に、ドリル加工により、基板１００ａの、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂの形成予定位置にビアホール１４０Ａ及び１４０Ｂを形成する（図７Ｂ）。ビアホール１４０Ａ及び１４０Ｂは、それぞれ、基板１００ａの表面から配線層Ｌ１６〜Ｌ６を貫通し、配線層Ｌ５に設けられた信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂに達するように形成される。このとき、ドリルが信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂを貫通することなくドリルの先端が信号配線１３０Ａ、１３０Ｂに接触するように、ドリルの位置決めが行われる。なお、ドリルの挿入深さは、１μｍ単位で指定することが可能である。

ビアホール１４０Ａ及び１４０Ｂの形成は、先端が粗化されたドリルを用いて行うことが好ましい。図７Ｃは、先端が粗化されたドリルを用いてビアホール１４０Ａを形成した場合の信号配線１３０Ａの拡大断面図である。ビアホール１４０Ａを形成する際に、先端が粗化されたドリルによって信号配線１３０Ａの表面を削ることで、信号配線１３０Ａの表面に凹凸が形成される。信号配線１３０Ｂについても同様である。

次に、ビアホール１４０Ａ及び１４０Ｂにそれぞれ、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを挿入する（図７Ｄ）。このとき、ドライバ等の工具を用いて、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを軸周りに回転させながら挿入してもよい。この場合、ドライバの先端は、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂの頭部４０の上面に形成された溝４１に嵌入される。ネジ型ビア１０Ａは、先端部２０が、配線層Ｌ５に形成された信号配線１３０Ａに接続され、頭部４０が、基板１００ａの表面の配線層Ｌ１６に形成された信号配線１２０Ａに接続される。これにより、信号配線１２０Ａと信号配線１３０Ａとが、ネジ型ビア１０Ａの頭部４０、心線３０及び先端部２０を介して、互いに電気的に接続される。同様に、ネジ型ビア１０Ｂは、先端部２０が、配線層Ｌ５に形成された信号配線１３０Ｂに接続され、頭部４０が、基板１００ａの表面の配線層Ｌ１６に形成された信号配線１２０Ｂに接続される。これにより、信号配線１２０Ｂと信号配線１３０Ｂとが、ネジ型ビア１０Ｂの頭部４０、心線３０及び先端部２０を介して、互いに電気的に接続される。

ここで、図７Ｅは、ネジ型ビア１０Ａの先端部２０が接続された信号配線１３０Ａの拡大断面図である。ビアホール１４０Ａの形成工程において、信号配線１３０Ａの表面に凹凸を形成し、また、ネジ型ビア１０Ａの先端部２０の表面に粗化処理を施すことで、先端部２０と信号配線１３０Ａとの接触面積を大きくすることができる。これにより、ネジ型ビア１０Ａと信号配線１３０Ａとの間で接触不良が発生するリスクを低減することができ、また、ネジ型ビア１０Ａと信号配線１３０Ａとの接触抵抗を小さくすることができる。ネジ型ビア１０Ｂ及び信号配線１３０Ｂについても同様である。

以上の各工程を経ることで、配線基板１００が完成する。その後、配線基板１００に部品を半田付けする際のリフロー工程において、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂの先端部２０及び信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂを構成する導電体がそれぞれ軟化し、導電体間の接合が強化される。また、先端部２０、信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂの表面が、それぞれ粗化されることでアンカー効果を生じ、これにより、ネジ型ビア１０Ａと信号配線１３０Ａとの接合強度、ネジ型ビア１０Ｂと信号配線１３０Ｂとの接合強度をそれぞれ高めることが可能である。

図８Ａ及び図８Ｂは、比較例に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。比較例に係る製造方法においては、図８Ａに示すように、基板１００ａを貫通するスルーホール１５０Ａ及び１５０Ｂが形成され、めっき処理などによりスルーホール１５０Ａ及び１５０Ｂの内壁に導電膜１５１が形成される。これにより、配線層Ｌ５に設けられた信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂが、それぞれ、導電膜１５１を介して、配線層Ｌ１６に設けられた信号配線１２０Ａ及び１２０Ｂに電気的に接続される。また、スルーホール１５０Ａ及び１５０Ｂの内壁に形成された導電膜１５１の、配線層Ｌ５から配線層Ｌ１に至る部分によりスタブ１６０が形成される。

次に、図８Ｂに示すように、公知のバックドリル工法により、基板１００ａの裏面側からドリルを用いてスタブ１６０を除去する。しかしながら、バックドリル工法によって、信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂを切断しないようにスタブ１６０を完全に除去することは困難であり、０．５ｍｍ程度のスタブ１６０が残る。一般的にスタブに起因して生じる信号の反射損失は、信号の伝送レートが高くなる程大きくなり、２５Ｇｂｐｓを超える高速伝送においては、０．５ｍｍ程度のスタブであっても信号の伝送品質に悪影響が及ぶ。

一方、開示の技術に係る配線基板１００によれば、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを基板１００ａに埋め込むことで各配線層Ｌ１〜Ｌ１６に設けられた配線の層間接続を行うことができるので、スタブが発生することがない。従って、スタブに起因する信号の伝送品質の劣化を防止することが可能である。

ここで、シミュレーションにより０．５ｍｍのスタブを有する配線基板と、スタブを有さない配線基板とで信号の伝送品質をアイダイアグラムにより比較した。図９は、シミュレーションを用いて解析した信号伝送経路（解析トポロジ）を示す図である。本解析では、図９に示すように、トランスミッタ（ＴＸ）２０１から送信された差動信号が、ＴＸパッケージ２０２、コネクタ２０３、配線基板の信号配線２０４、２０６、２０８及びビア２０５、２０７を経由してレシーバ（ＲＸ）２０９に伝送する場合を想定した。配線基板内において、差動信号は、配線層Ｌ１４の信号配線２０４（５ｍｍ）、配線層Ｌ１４とＬ３とを繋ぐビア２０５、配線層Ｌ３の信号配線２０６（５０ｍｍ）、配線層Ｌ３とＬ１とを繋ぐビア２０７、配線層Ｌ１の信号配線２０８（７０ｍｍ）を通過するものとした。差動信号の伝送レートを２８．０５Ｇｂｐｓとした。差動信号のパターンとして擬似ランダムパターン（ＰＲＢＳ１５（１０００００ｂｉｔ））を用いた。トランスミッタ（Ｔｘ）２０１におけるデターミニスティックジッタＤｊを１．７８ｐｓ、ランダムジッタＲｊを０．２５ｐｓとした。

図１０Ａは、０．５ｍｍのスタブを有する配線基板を用いた場合のアイダイアグラムである。図１０Ｂは、スタブを有さない配線基板を用いた場合のアイダイアグラムである。アイダイアグラムは、伝送信号の波形をサンプリングし、これらを重ね合わせて表示したものである。波形の中央に現れるアイパターンの電圧軸方向の開口幅（Eye Height）および時間軸方向の開口幅（Eye Width）がともに大きい程、伝送品質が高いと判定することができる。図１０Ａに示す０．５ｍｍのスタブを有する配線基板を用いた場合のアイパターンの電圧軸方向の開口幅（Eye Height）は、９０ｍＶであった。一方、図１０Ｂに示すスタブを有さない配線基板を用いた場合のアイパターンの電圧軸方向の開口幅（Eye Height）は、１３５ｍＶであった。すなわち、スタブを完全に除去することで、アイパターンの電圧軸方向の開口幅（Eye Height）が４５ｍＶ拡大し、信号の伝送品質が向上した。開示の技術の実施形態に係る配線基板１００は、スタブを有していないので、図１０Ｂに示す結果と同様の結果が得られるものと推定される。

また、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００によれば、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂにおいて、胴体部５０の比誘電率及び径、心線３０の径などを変化させることにより、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂのインピーダンスをコントロールすることが可能である。ここで、図１１に示すように、心線３０の径をａ、胴体部５０の径をｂ、心線３０同士の間隔をｃ、心線３０と直近のグランドビア１７０との距離をｄとし、上記のａ〜ｄの値を変化させたときの、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂのインピーダンスを算出した。その結果を下記の表１に示す。なお、各水準において、胴体部５０の比誘電率を３．８とした。ａ〜ｄの値を表１に示すように変化させることで、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂのインピーダンスは、６８．１Ω〜９１．１Ωの範囲で変化した。

このように、開示の技術の実施形態に係る配線基板１００によれば、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂのインピーダンスコントロールを容易に行うことができる。ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂと、これらに接続される信号配線１２０Ａ、１３０Ａ、１２０Ｂ、１３０Ｂとの間で、インピーダンス不整合が生じている場合、反射により信号の伝送品質が低下する。従って、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂのインピーダンスと、これらに接続される信号配線１２０Ａ、１３０Ａ、１２０Ｂ、１３０Ｂのインピーダンスとの差が小さくなるように、ａ〜ｄの少なくとも１つの値を調整することが好ましい。これにより、インピーダンス不整合による信号反射を抑制することができ、信号の伝送品質を向上させることができる。

また、本実施形態に係る配線基板１００によれば、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂの先端部２０、信号配線１３０Ａ、１３０Ｂの表面が粗化されているので、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂと信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂとの接触面積を大きくすることができる。これにより、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂと信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂとの接触抵抗を低減することができる。また、アンカー効果によって、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂと信号配線１３０Ａ及び１３０Ｂとの接合強度を高めることができる。

なお、本実施形態では、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを用いて配線層Ｌ１６に設けられた信号配線１２０Ａ、１２０Ｂと、配線層Ｌ５に設けられた信号配線１３０Ａ、１３０Ｂとを接続する場合を例示したが、開示の技術は、この態様に限定されるものではない。配線基板１００の内部に設けられた、いずれの配線層の配線も、ネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを用いて、配線基板の最表面に設けられた配線層の配線と接続することが可能である。

また、本実施形態では、差動信号が通過する伝送経路上にネジ型ビア１０Ａ及び１０Ｂを配置する場合を例示したが、シングルエンド信号が通過する伝送経路上にネジ型ビアを配置してもよい。

［第２の実施形態］
図１２は、開示の技術の第２の実施形態に係るネジ型ビア１０Ｃの側面図である。ネジ型ビア１０Ｃは、胴体部５０が、頭部４０側から先端部２０側に向けて径が徐々に小さくなっているテーパ部５２を有する。すなわち、ネジ型ビア１０Ｃは、先端部２０の近傍が尖っており、木ネジのような形状を有する。本実施形態に係るネジ型ビア１０Ｃによれば、先端部２０の近傍が尖っているので、基板への埋め込みが容易である。また、ネジ型ビア１０Ｃをドリルとして機能させながらネジ型ビア１０Ｃの基板への埋め込みを行うことが可能である。従って、基板にビアホールを形成する工程を省略することが可能である。

なお、配線基板１００は、開示の技術における配線基板の一例である。ネジ型ビア１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、開示の技術におけるネジ型ビアの一例である。先端部２０は、開示の技術における先端部の一例である。心線３０は、開示の技術における心線の一例である。頭部４０は、開示の技術における頭部の一例である。胴体部５０は、開示の技術における胴体部の一例である。配線層Ｌ１〜Ｌ１６は、開示の技術における配線層の一例である。第１の配線１３０Ａ及び１３０Ｂは、開示の技術における第１の配線の一例である。第２の配線１２０Ａ及び１２０Ｂは、開示の技術における第２の配線の一例である

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ ネジ型ビア
２０ 先端部
３０ 心線
４０ 頭部
５０ 胴体部
５１ ネジ山
５２ テーパ部
１００ 配線基板
１００ａ 基板
１１０ 絶縁層
１２０Ａ、１２０Ｂ、１３０Ａ、１３０Ｂ 信号配線
１４０Ａ、１４０Ｂ ビアホール

Claims (10)

1. 導電体からなる先端部と、一端が前記先端部に接続された導電体からなる心線と、前記心線の他端に接続された導電体からなる頭部と、少なくとも表面が絶縁体で構成され、前記心線の側面を覆い且つ表面にネジ山を有する胴体部と、を有するネジ型ビアと、
   複数の配線層を有し、前記ネジ型ビアが埋め込まれた基板と、
   を含み、
   前記先端部が前記基板の内部の配線層に設けられた第１の配線に接続され、前記頭部が前記基板の表面の配線層に設けられた第２の配線に接続されている
   配線基板。
2. 前記先端部は、表面が粗化されている
   請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１の配線の前記先端部が接続される部分が粗化されている
   請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記ネジ型ビアは、差動信号が通過する配線に接続されている
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
5. 前記胴体部は、前記頭部側から前記先端部側に向けて径が徐々に小さくなっているテーパ部を有する
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
6. 複数の配線層を有する基板を用意する工程と、
   導電体からなる先端部と、一端が前記先端部に接続された導電体からなる心線と、前記心線の他端に接続された導電体からなる頭部と、少なくとも表面が絶縁体で構成され、前記心線の側面を覆い且つ表面にネジ山を有する胴体部と、を含むネジ型ビアを、前記基板に埋め込む工程と、
   を含み、
   前記ネジ型ビアを前記基板に埋め込む工程において、前記先端部を前記基板の内部の配線層に設けられた第１の配線に接続し、前記頭部を前記基板の表面の配線層に設けられた第２の配線に接続する
   配線基板の製造方法。
7. 前記基板の表面から前記第１の配線に達するビアホールを形成する工程を更に含み、
   前記基板に前記ネジ型ビアを埋め込む工程において、前記ネジ型ビアを前記ビアホールに挿入する
   請求項６に記載の製造方法。
8. 前記ビアホールを形成する工程において、前記第１の配線の表面を粗化する
   請求項７に記載の製造方法。
9. 前記先端部が粗化された前記ネジ型ビアを前記基板に埋め込む
   請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の製造方法。
10. 前記ネジ型ビアを前記基板に埋め込む工程において、前記ネジ型ビアのインピーダンスと、前記第１の配線及び前記第２の配線のそれぞれのインピーダンスとの差が小さくなるように前記心線の径及び前記胴体部の径の少なくとも一方が調整された前記ネジ型ビアを、前記基板に埋め込む
    請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の製造方法。