JP2019067981A - Heat sink - Google Patents

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Abstract

To provide a heat sink capable of restraining acceleration of deterioration, while realizing efficient cooling.SOLUTION: A heat sink 2 includes a coolant passage 20. The coolant passage 20 includes a first passage part 23 and a second passage part 24 extending in a first direction D1, a third passage part 25 extending in a second direction D2, and a bent part 26 connecting the third passage part 25 and the second passage part 24. Since the depth D25 of the third passage part 25 is shallower than the depths D23, D24 of the first and second passage parts 23, 24, cross-sectional area S25 of the third passage part 25 is smaller than the cross-sectional areas S23, S24 of the first and second passage parts 23, 24. The bent part 26 includes a shallow region 26A extending from a position, corresponding to the side end 25r of the third passage part 25 in the first direction D1 toward the second passage part 24, and having a depth D26a shallower than that of the second passage part 24.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ヒートシンクに関する。   The present invention relates to a heat sink.

特許文献1には、レーザダイオードアレイを冷却するためのヒートシンクが記載されている。このヒートシンクは、冷却水が流れる水路が形成された放熱体を備えている。水路には、レーザダイオードアレイが載置される領域において、冷却水の乱流を生じさせる屈曲部が形成されている。これにより、水路内を流れる冷却水の温度分布の均一化が図られている。   Patent Document 1 describes a heat sink for cooling a laser diode array. The heat sink is provided with a heat dissipating body in which a water channel through which cooling water flows is formed. In the water channel, a bend is formed in the region where the laser diode array is mounted, which causes turbulent flow of the cooling water. Thereby, the temperature distribution of the cooling water flowing in the water channel is made uniform.

特許文献2には、電子部品を冷却するための冷却プレートが記載されている。この冷却プレートは、冷媒が貫流する流通路を有する良熱伝導部材からなる。流通路においては、電子部品の表面に対向する部分の断面積が、他の部分の断面積よりも小さくなるように、当該電子部品に対向する部分の内壁に突起部材が設けられている。   Patent Document 2 describes a cooling plate for cooling an electronic component. The cooling plate is made of a good heat conducting member having a flow passage through which the refrigerant flows. In the flow passage, a projecting member is provided on the inner wall of the portion facing the electronic component such that the cross-sectional area of the portion facing the surface of the electronic component is smaller than the cross-sectional area of the other portion.

特許第3462598号Patent No. 3462598 特公平7−70852号公報Japanese Examined Patent Publication 7-70852

上述したように、ヒートシンク等の冷却部材にあっては、冷媒に乱流を生じさせたり、流路の断面積を部分的に小さくしたりする等、効率的な冷却が図られている。これに対して、本発明者らは、互いに断面積が異なる流路が屈曲して接続されている部分においては、流路を形成する部材の劣化が促進されるおそれがあるとの問題点を見出した。   As described above, in the case of a cooling member such as a heat sink, efficient cooling is achieved, such as causing turbulent flow in the refrigerant or partially reducing the cross-sectional area of the flow path. On the other hand, the inventors of the present invention have a problem that deterioration of members forming the flow path may be promoted in a portion where the flow paths having different cross-sectional areas are bent and connected. I found it.

本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、効率的な冷却を実現しつつ劣化の促進を抑制可能なヒートシンクを提供することを目的とする。   This invention is made in view of such a situation, and it aims at providing a heat sink which can control promotion of degradation, realizing efficient cooling.

本発明者らは、上記の問題点を勘案してさらなる検討を進めた結果、互いに断面積が異なる流路が屈曲して接続されている部分にあっては、屈曲方向の冷媒の流れと、断面積が拡大する方向への冷媒の流れといったように、複数の方向への冷媒の流れが生じることに起因して意図せず乱流が生じることにより、当該部分において流路を形成する部材の劣化が促進されるとの知見を得るに至った。本発明は、そのような知見に基づいてなされたものである。   As a result of further investigations in consideration of the above problems, the inventors of the present invention have found that the flow of the refrigerant in the bending direction is in the portion where the flow paths having different cross-sectional areas are bent and connected. An unintended turbulent flow caused by the flow of the refrigerant in a plurality of directions, such as the flow of the refrigerant in the direction in which the cross-sectional area is expanded We came to find that deterioration is promoted. The present invention has been made based on such findings.

すなわち、本発明に係るヒートシンクは、半導体レーザ素子を冷却するためのヒートシンクであって、第1方向及び第1方向に交差する第2方向に沿って延びる主面と、冷媒が流通する冷媒流路と、を備え、主面は、第1方向及び第2方向に交差する第3方向からみて半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含み、冷媒流路は、冷媒が導入される導入部と、冷媒が導出される導出部と、第1方向に沿って導入部から載置エリアに向かうように延びる第1流路部と、第1方向に沿って載置エリアから導出部に至るように延びる第2流路部と、第3方向からみて載置エリアに重複する位置において第1流路部から第2流路部に向かうように第2方向に沿って延びる第3流路部と、第2方向における第3流路部の端部と第1方向における第2流路部の端部とを接続する屈曲部と、を含み、第3流路部の断面積は、第3方向についての第3流路部の深さが第3方向についての第1流路部及び第2流路部の深さよりも浅いことにより、第1流路部及び第2流路部の断面積よりも小さくされており、屈曲部は、第1方向における第3流路部の端部に対応する位置から第2流路部に向かって延び、第3方向についての深さが第2流路部よりも浅くされた浅部領域を含む。   That is, the heat sink according to the present invention is a heat sink for cooling a semiconductor laser device, and a main surface extending in a first direction and a second direction intersecting the first direction, and a refrigerant flow path through which a refrigerant flows And the main surface includes a mounting area on which the semiconductor laser device is mounted as viewed from a third direction intersecting the first direction and the second direction, and the refrigerant flow path is an introduction portion into which the refrigerant is introduced A lead-out portion from which the refrigerant is drawn, a first flow-path portion extending from the introduction portion to the placement area along the first direction, and the placement area to the lead-out portion along the first direction And a third flow passage extending in the second direction from the first flow passage to the second flow passage at a position overlapping the mounting area as viewed from the third direction. An end portion of the third flow passage portion in the second direction and a second flow in the first direction The third flow path portion has a cross-sectional area such that the depth of the third flow path portion in the third direction is the first flow path portion in the third direction; By making the depth smaller than the depth of the second flow path portion, the cross-sectional area of the first flow path portion and the second flow path portion is made smaller, and the bent portion is an end portion of the third flow path portion in the first direction. And a shallow region having a depth in the third direction which is shallower than the second flow passage portion.

このヒートシンクは、冷却対象である半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含む主面と冷媒流路とを有する。冷媒流路は、第1方向に沿って延びる第1流路部及び第2流路部と、第1流路部から第2流路部に向かうように第2方向に沿って延びる第3流路部と、第2流路部と第3流路部とを接続する屈曲部と、を含む。第1流路部は冷媒の導入部に接続されており、第2流路部は冷媒の導出部に接続されている。したがって、ここでは、冷媒は、第1流路部、第3流路部、屈曲部、及び、第2流路部の順に流通する。   The heat sink has a main surface including a mounting area on which the semiconductor laser element to be cooled is mounted, and a coolant channel. The refrigerant flow path includes a first flow path portion and a second flow path portion extending along the first direction, and a third flow extending along the second direction from the first flow path portion toward the second flow path portion. It includes a passage portion and a bent portion connecting the second flow passage portion and the third flow passage portion. The first flow path portion is connected to the refrigerant introduction portion, and the second flow path portion is connected to the refrigerant discharge portion. Therefore, here, the refrigerant flows in the order of the first channel portion, the third channel portion, the bending portion, and the second channel portion.

特に、第3流路部は、載置エリアに重複する位置に設けられており、且つ、相対的に浅く断面積が小さくされている。このため、冷媒の流速が第3流路部を流通する際に増大され、載置エリアでの効率的な冷却が実現される。ここで、第2流路部と第3流路部とを接続する屈曲部は、第1方向における第3流路部の端部に対応する位置から第2流路部に向かって延び、相対的に浅い浅部領域を含む。このため、第3流路部を流通した冷媒が、この浅部領域において少なくとも部分的に屈曲して流通してから、相対的に深く断面積が大きな第2流路部に至る。したがって、当該屈曲部において、屈曲方向への冷媒の流れと、深さ方向(第3方向)への冷媒の流れとが混在しにくく、乱流の発生が抑制される。この結果、当該屈曲部において劣化の促進を抑制できる。   In particular, the third channel portion is provided at a position overlapping the mounting area, and is relatively shallow and has a small cross-sectional area. Therefore, the flow velocity of the refrigerant is increased when flowing through the third flow path portion, and efficient cooling in the mounting area is realized. Here, the bending portion connecting the second flow path portion and the third flow path portion extends from the position corresponding to the end portion of the third flow path portion in the first direction toward the second flow path portion, and is relatively Including shallow shallow regions. For this reason, the refrigerant flowing through the third flow passage portion is bent at least partially in the shallow portion region and flows, and then reaches the second flow passage portion having a relatively large cross-sectional area relatively deep. Therefore, in the bending portion, the flow of the refrigerant in the bending direction and the flow of the refrigerant in the depth direction (third direction) are less likely to be mixed, and the generation of the turbulent flow is suppressed. As a result, it is possible to suppress the promotion of deterioration in the bent portion.

本発明に係るヒートシンクにおいては、第1方向についての浅部領域の幅は、第1方向についての第3流路部の幅以下であってもよい。浅部領域の幅をこのように設定することにより、乱流の発生を十分に抑制し、劣化の促進を抑制できる。   In the heat sink according to the present invention, the width of the shallow region in the first direction may be equal to or less than the width of the third flow passage in the first direction. By setting the width of the shallow region in this manner, the occurrence of turbulent flow can be sufficiently suppressed and acceleration of deterioration can be suppressed.

本発明に係るヒートシンクにおいては、第1方向についての浅部領域の幅は、第1方向についての第3流路部の幅の1/2以上2/3以下であってもよい。この場合には、浅部領域の幅が第3流路部の幅と同等である場合と比較して、圧力損失を抑制できる。   In the heat sink according to the present invention, the width of the shallow region in the first direction may be 1/2 or more and 2/3 or less of the width of the third flow passage portion in the first direction. In this case, the pressure loss can be suppressed as compared with the case where the width of the shallow region is equal to the width of the third flow passage.

本発明に係るヒートシンクにおいては、浅部領域と第2流路部との間には、第1方向の反対方向に向かうにつれて第3方向についての深さが漸増する漸増領域が設けられていてもよい。この場合、深さ方向(第3方向)について、乱流の発生をより確実に抑制できる。   In the heat sink according to the present invention, the gradual increase region in which the depth in the third direction gradually increases toward the opposite direction to the first direction is provided between the shallow region and the second flow passage portion. Good. In this case, the occurrence of turbulent flow can be more reliably suppressed in the depth direction (third direction).

本発明に係るヒートシンクにおいては、屈曲部の端部は曲面状に形成されていてもよい。この場合にも、乱流の発生をより確実に抑制できる。また、冷媒の流通方向の急変を抑制することにより、直接的に劣化を抑制できる。   In the heat sink according to the present invention, the end of the bent portion may be formed in a curved shape. Also in this case, the occurrence of turbulent flow can be suppressed more reliably. Moreover, deterioration can be directly suppressed by suppressing a sudden change in the flow direction of the refrigerant.

本発明によれば、効率的な冷却を実現しつつ劣化の促進を抑制可能なヒートシンクを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a heat sink capable of suppressing the promotion of deterioration while realizing efficient cooling.

本実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。It is a perspective view showing a semiconductor laser device concerning this embodiment. 図1のII−II線に沿っての概略断面図である。It is a schematic sectional drawing along the II-II line of FIG. 図1,2に示されたヒートシンクを示す図である。It is a figure which shows the heat sink shown by FIG. 図3に示された冷媒流路を示す図である。FIG. 4 is a view showing a refrigerant flow path shown in FIG. 3; 変形例に係る冷媒流路を示す図である。It is a figure which shows the refrigerant | coolant flow path which concerns on a modification. 別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。It is a figure which shows the refrigerant | coolant flow path which concerns on another modification. さらに別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。It is a figure which shows the refrigerant | coolant flow path which concerns on another modification.

以下、図面を参照して半導体レーザ装置の一実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素同士、或いは、相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。また、各図においては、第1方向D1、第1方向に交差(例えば直交)する第2方向D2、及び、第1方向D1及び第2方向D2に交差(例えば直交)する第3方向D3を示す座標系Sを記す。   Hereinafter, an embodiment of a semiconductor laser device will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same elements or corresponding elements may be denoted by the same reference numerals and redundant description may be omitted. In each drawing, a first direction D1, a second direction D2 intersecting (for example, orthogonal) to the first direction, and a third direction D3 intersecting (for example, orthogonal) to the first direction D1 and the second direction D2. Note the coordinate system S shown.

図1は、本実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。図2は、図1のII−II線に沿っての概略断面図である。図1,2に示されるように、半導体レーザ装置1は、ヒートシンク2と、基板3と、レーザユニット4と、を備えている。レーザユニット4は、一対のサブマウント5と、サブマウント5の間に配置された半導体レーザバー(半導体レーザ素子)6と、を有している。基板3は、絶縁層7を介して、第3方向D3に沿ってヒートシンク2上に積層されている。基板3は、例えば銅といった金属からなる。   FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor laser device according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view along the line II-II of FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor laser device 1 includes a heat sink 2, a substrate 3, and a laser unit 4. The laser unit 4 includes a pair of submounts 5 and a semiconductor laser bar (semiconductor laser element) 6 disposed between the submounts 5. The substrate 3 is stacked on the heat sink 2 along the third direction D3 via the insulating layer 7. The substrate 3 is made of metal such as copper.

絶縁層7は、例えば窒化アルミニウム(AlN)などの伝熱性及び電気絶縁性を有する材料によって板状に形成されている。絶縁層7の他の形成材料としては、炭化珪素(SiC)、ダイヤモンドなどが挙げられる。絶縁層7の両面は、ヒートシンク2と基板3との接合のため、メタライズ層が形成されている(メタライズされている)。基板3のヒートシンク2側の面は、全面にわたって絶縁層7を介してヒートシンク2に接合されている。ヒートシンク2と絶縁層7との接合には、鉛フリーの観点から、例えばインジウム(In)ハンダ、SnAgCuハンダなどが用いられる。   The insulating layer 7 is formed in a plate shape of a material having heat conductivity and electrical insulation such as aluminum nitride (AlN), for example. Examples of other materials for forming the insulating layer 7 include silicon carbide (SiC) and diamond. A metallized layer is formed (metallized) on both sides of the insulating layer 7 in order to bond the heat sink 2 to the substrate 3. The surface on the heat sink 2 side of the substrate 3 is bonded to the heat sink 2 via the insulating layer 7 over the entire surface. For bonding between the heat sink 2 and the insulating layer 7, for example, indium (In) solder, SnAgCu solder, or the like is used from the viewpoint of lead-free.

メタライズ層は、例えば絶縁層7の表面側から順に積層されたチタン(Ti)/銅(Cu)/ニッケル(Ni)/金(Au)の4層の金属層によって構成されている。メタライズ層は、例えば蒸着によって形成される。メタライズ層の厚さは、絶縁層7の両面において互いに等しい。メタライズ層の形成に起因する反りを抑えることができる。   The metallized layer is formed of, for example, four metal layers of titanium (Ti) / copper (Cu) / nickel (Ni) / gold (Au) stacked sequentially from the surface side of the insulating layer 7. The metallization layer is formed, for example, by vapor deposition. The thicknesses of the metallization layers are equal to each other on both sides of the insulating layer 7. Warpage resulting from the formation of the metallized layer can be suppressed.

レーザユニット4は、基板3上に設置されている。サブマウント5は、例えば銅タングステン(CuW)などの熱導電性及び電気伝導性を有する材料によって板状に形成されている。サブマウント5の他の構成材料としては、窒化アルミニウム(AlN)、炭化珪素(SiC)、タングステン(W)、銅モリブデン(MoCu)複合材料、銅ダイヤモンド複合材料などが挙げられる。サブマウント5の表面には、ニッケル(Ni)/金(Au)による2層のめっき層、或いはクロム(Cr)/白金(Pt)/金(Au)による3層のめっき層が形成されていてもよい。各サブマウント5は、基板3に対してハンダ接合されている。各サブマウント5と基板3との接合には、例えばインジウム(In)ハンダが用いられる。   The laser unit 4 is disposed on the substrate 3. The submount 5 is formed in a plate shape from a material having thermal conductivity and electrical conductivity such as copper tungsten (CuW), for example. Other constituent materials of the submount 5 include aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), tungsten (W), copper-molybdenum (MoCu) composite material, copper-diamond composite material and the like. On the surface of the submount 5, two plating layers of nickel (Ni) / gold (Au) or three plating layers of chromium (Cr) / platinum (Pt) / gold (Au) are formed. It is also good. Each submount 5 is soldered to the substrate 3. For example, indium (In) solder is used to bond each submount 5 to the substrate 3.

半導体レーザバー6は、例えば板状をなしている。半導体レーザバー6の先端面は、複数の発光領域を有する出射端面となっている。半導体レーザバー6は、サブマウント5に接合されている。半導体レーザバー6とサブマウント5との接合には、ヒートシンク2と基板3との接合に用いられるハンダよりも高融点のハンダが用いられる。このようなハンダとしては、例えば金錫ハンダが挙げられる。   The semiconductor laser bar 6 has, for example, a plate shape. The front end surface of the semiconductor laser bar 6 is an emission end surface having a plurality of light emitting regions. The semiconductor laser bar 6 is bonded to the submount 5. For bonding the semiconductor laser bar 6 and the submount 5, a solder having a melting point higher than that of the solder used for bonding the heat sink 2 and the substrate 3 is used. Examples of such solder include gold-tin solder.

半導体レーザバー6は、化合物半導体からなる基板を有しており、発光領域に対応する位置に活性層が位置し、活性層の両側にクラッド層が位置している。基板の材料としては、ヒ化ガリウム(GaAs)、窒化ガリウム(GaN)、ヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)、リン化ガリウム(GaP)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)、リン化インジウム(InP)などが挙げられる。本実施形態では、例えば基板の主成分はヒ化ガリウム(GaAs)である。活性層にはヒ化ガリウムに加えてインジウム(In)が含まれ、クラッド層にはヒ化ガリウムに加えてアルミニウム(Al)が含まれている。   The semiconductor laser bar 6 has a substrate made of a compound semiconductor, the active layer is located at a position corresponding to the light emitting region, and the cladding layers are located on both sides of the active layer. Materials for the substrate include gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), aluminum gallium arsenide (AlGaAs), gallium phosphide (GaP), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium phosphide (InP), etc. Be In the present embodiment, for example, the main component of the substrate is gallium arsenide (GaAs). The active layer contains indium (In) in addition to gallium arsenide, and the cladding layer contains aluminum (Al) in addition to gallium arsenide.

以上のような半導体レーザ装置1を駆動する場合、サブマウント5に接続されている基板3に駆動電圧を印加する。これにより、半導体レーザバー6に駆動電流が供給され、その出射端面の複数の発光領域からそれぞれレーザ光が発振する。レーザ発振時に半導体レーザバー6で発生した熱は、サブマウント5から基板3に伝わり、ヒートシンク2側に放熱される。すなわち、半導体レーザバー6は、一方のサブマウント5、基板3、及び絶縁層7を介してヒートシンク2に熱的に接続されており、レーザ発振時に発生した熱がヒートシンク2を介して放出されるようになっている。   When driving the semiconductor laser device 1 as described above, a driving voltage is applied to the substrate 3 connected to the submount 5. As a result, a drive current is supplied to the semiconductor laser bar 6, and laser beams are respectively oscillated from the plurality of light emitting areas of the emitting end face. Heat generated by the semiconductor laser bar 6 at the time of laser oscillation is transmitted from the submount 5 to the substrate 3 and dissipated to the heat sink 2 side. That is, the semiconductor laser bar 6 is thermally connected to the heat sink 2 via one submount 5, the substrate 3 and the insulating layer 7 so that the heat generated at the time of laser oscillation is released via the heat sink 2 It has become.

引き続いて、図1,2に示されたヒートシンクの一実施形態について説明する。図3は、図1,2に示されたヒートシンクを示す図である。図3の(a)は平面図であり、図3の(b)は(a)のIII−III線に沿っての断面図である。図4は、図3に示された冷媒流路を示す図である。図4の(a)は斜視図であり、(b)は平面図である。図3,4に示されるヒートシンク2は、例えば、銅等の金属といった高い伝熱性を有する材料によって肉厚の矩形板状に形成されている。ヒートシンク2は、上述したように、半導体レーザバー6を冷却するためのものである。ヒートシンク2は、第1方向D1及び第2方向D2に沿って延びる矩形状の主面2sを有している。   Subsequently, an embodiment of the heat sink shown in FIGS. 1 and 2 will be described. FIG. 3 is a diagram showing the heat sink shown in FIGS. (A) of FIG. 3 is a plan view, and (b) of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III of (a). FIG. 4 is a view showing the refrigerant flow path shown in FIG. (A) of FIG. 4 is a perspective view and (b) is a plan view. The heat sink 2 shown in FIGS. 3 and 4 is formed in a thick rectangular plate shape by a material having high heat conductivity such as a metal such as copper. The heat sink 2 is for cooling the semiconductor laser bar 6 as described above. The heat sink 2 has a rectangular main surface 2s extending along the first direction D1 and the second direction D2.

主面2sは、第3方向D3からみて半導体レーザバー6(レーザユニット4)が載置される載置エリア2aを含む。載置エリア2aは、例えば、第3方向D3に沿って半導体レーザバー6に重複する矩形状のエリアである。   The main surface 2s includes a mounting area 2a in which the semiconductor laser bar 6 (laser unit 4) is mounted as viewed in the third direction D3. The mounting area 2a is, for example, a rectangular area overlapping the semiconductor laser bar 6 along the third direction D3.

ヒートシンク2には、冷媒(例えば水等の冷却液)が流通する冷媒流路20が形成されている。冷媒流路20は、第3方向D3からみて、全体としてU字状に屈曲して形成されている。具体的には、冷媒流路20は、導入部21、導出部22、第1流路部23、第2流路部24、第3流路部25、及び、屈曲部26を含む。第1流路部23、第2流路部24、及び、第3流路部25は、直方体状を呈している。導入部21は、冷媒流路20に冷媒を導入する(導入部21から冷媒が導入される)。導出部22は、冷媒流路20から冷媒を導出する(導出部22から冷媒が導出される)。   The heat sink 2 is formed with a refrigerant flow path 20 through which a refrigerant (for example, a coolant such as water) flows. The refrigerant flow path 20 is formed to be bent in a U-shape as a whole as viewed in the third direction D3. Specifically, the refrigerant flow path 20 includes the introduction portion 21, the discharge portion 22, the first flow path portion 23, the second flow path portion 24, the third flow path portion 25, and the bending portion 26. The first flow passage portion 23, the second flow passage portion 24, and the third flow passage portion 25 have a rectangular parallelepiped shape. The introduction unit 21 introduces the refrigerant into the refrigerant flow path 20 (the refrigerant is introduced from the introduction unit 21). The lead-out unit 22 leads the refrigerant from the refrigerant flow passage 20 (the refrigerant is led from the lead-out unit 22).

第1流路部23は、第1方向D1に沿って導入部21から載置エリア2aに向かうように延びている。第1流路部23は、一端部23aにおいて導入部21に接続されており、他端部23bにおいて第3流路部25に接続されている。第1流路部23は、第3方向D3についての深さD23を有し、第1方向D1に交差(直交)する断面における断面積S23を有している。   The first flow passage portion 23 extends from the introduction portion 21 toward the placement area 2 a along the first direction D1. The first flow passage portion 23 is connected to the introduction portion 21 at one end portion 23a, and is connected to the third flow passage portion 25 at the other end portion 23b. The first flow passage portion 23 has a depth D23 in the third direction D3 and has a cross-sectional area S23 in a cross section intersecting (orthogonal to) the first direction D1.

第2流路部24は、第1方向D1に沿って載置エリア2aから導出部22に至るように延びている。第2流路部24は、一端部24aにおいて屈曲部26に接続されており、他端部24bにおいて導出部22に接続されている。第2流路部24は、第3方向D3についての深さD24を有し、第1方向D1に交差(直交)する断面における断面積S24を有している。ここでは、一例として、深さD23と深さD24とは互いに略同一であり、断面積S23と断面積S24とは互いに略同一である。   The second flow passage portion 24 extends from the placement area 2a to the lead-out portion 22 along the first direction D1. The second flow passage portion 24 is connected to the bending portion 26 at one end 24 a and connected to the lead-out portion 22 at the other end 24 b. The second flow passage portion 24 has a depth D24 in the third direction D3 and has a cross-sectional area S24 in a cross section intersecting (orthogonal to) the first direction D1. Here, as an example, the depth D23 and the depth D24 are substantially the same as each other, and the cross-sectional area S23 and the cross-sectional area S24 are substantially the same as each other.

第3流路部25は、主面2s近傍において、第1流路部23から第2流路部24に向かうように第2方向D2に沿って延びている。第3流路部25は、第3方向D3からみて載置エリア2aに重複するように位置している。換言すれば、第3流路部25は、レーザユニット4(半導体レーザバー6)の直下に位置している。第3流路部25は、一端部25aにおいて第1流路部23の他端部23bに接続されており、他端部25bにおいて屈曲部26に接続されている。   The third flow passage portion 25 extends along the second direction D2 from the first flow passage portion 23 toward the second flow passage portion 24 in the vicinity of the main surface 2s. The third flow passage portion 25 is positioned so as to overlap the placement area 2a as viewed in the third direction D3. In other words, the third flow passage 25 is located directly below the laser unit 4 (semiconductor laser bar 6). The third flow passage 25 is connected to the other end 23b of the first flow passage 23 at one end 25a, and is connected to the bending portion 26 at the other end 25b.

第3方向D3からみて、第1流路部23は、第1方向における第3流路部25の側端部25rに対応する位置まで至っている(すなわち、第1方向における冷媒流路20の端部まで延在している)。一方、第3方向D3からみて、第2流路部24は、第3流路部25の側端部25rに対応する位置まで至っておらず、第3流路部25の側端部25rと反対側の側端部25pに対応する位置でとどまっている(すなわち、第1方向D1における冷媒流路20の端部まで至っていない)。これにより、第2流路部24の一端部24aと第3流路部25の他端部25bとは、互いに離間する。屈曲部26は、この一端部24aと他端部25bとを接続することにより、第2流路部24と第3流路部25とを互いに接続している。   When viewed from the third direction D3, the first flow passage portion 23 reaches the position corresponding to the side end 25r of the third flow passage portion 25 in the first direction (that is, the end of the refrigerant flow passage 20 in the first direction Extends to the On the other hand, the second flow passage 24 does not reach the position corresponding to the side end 25 r of the third flow passage 25 as viewed from the third direction D 3, and is opposite to the side end 25 r of the third flow passage 25. It remains at the position corresponding to the side end 25p (that is, it does not reach the end of the refrigerant flow passage 20 in the first direction D1). Thereby, the one end 24 a of the second flow passage 24 and the other end 25 b of the third flow passage 25 are separated from each other. The bending portion 26 connects the second flow path portion 24 and the third flow path portion 25 to each other by connecting the one end portion 24 a and the other end portion 25 b.

第3流路部25は、第3方向D3についての深さD25と、第2方向D2に交差(直交)する断面における断面積S25と、を有している。第3流路部25の断面積S25は、深さD25が深さD23,D24よりも浅いことにより、断面積S23,S24よりも小さくされている。ただし、第3流路部25の第1方向についての幅W25は、断面積S25が断面積S23,S24よりも小さくなる範囲において、第1流路部23及び第2流路部24の第2方向についての幅よりも大きくてもよい。   The third flow path unit 25 has a depth D25 in the third direction D3 and a cross-sectional area S25 in a cross section intersecting (orthogonal to) the second direction D2. The cross-sectional area S25 of the third flow passage 25 is smaller than the cross-sectional areas S23 and S24 because the depth D25 is smaller than the depths D23 and D24. However, the width W25 of the third flow passage 25 in the first direction is the second flow passage 23 and the second flow passage 24 in a range in which the cross-sectional area S25 is smaller than the cross-sectional areas S23 and S24. It may be larger than the width of the direction.

屈曲部26の第3方向D3についての深さは、ここでは、第2方向D2に沿って(ここでは2段階に)変化している。すなわち、屈曲部26は、第3方向D3についての深さD26aと、第3方向D3についての別の深さD26bと、を有している。深さD26aは、深さD26bよりも小さい。深さD26bは、ここでは、深さD24と略同一である。これにより、屈曲部26は、第3方向D3についての深さ(深さD26a)が第2流路部24よりも浅くされた浅部領域26Aを含むことになる。   Here, the depth of the bending portion 26 in the third direction D3 changes along the second direction D2 (here, in two steps). That is, the bending portion 26 has a depth D26a in the third direction D3 and another depth D26b in the third direction D3. The depth D26a is smaller than the depth D26b. Here, the depth D26b is substantially the same as the depth D24. Thus, the bending portion 26 includes the shallow region 26A in which the depth (the depth D26a) in the third direction D3 is shallower than the second flow passage portion 24.

浅部領域26Aは、第1方向D1における第3流路部25の側端部25rに対応する位置から第2流路部24に向かって延びている。浅部領域26Aは、第2方向D2における第2流路部24の側端部24rに対応する位置まで至っている(すなわち、第2方向D2における冷媒流路20の端部まで至っている)。第1方向D1についての浅部領域26Aの幅W26Aは、第1方向D1についての第3流路部25の幅以下(幅W25以下)である。ここでは、幅W26Aは、幅W25の1/2以上2/3以下であり、一例として1/2程度である。   The shallow region 26A extends from the position corresponding to the side end 25r of the third flow passage 25 in the first direction D1 toward the second flow passage 24. The shallow region 26A reaches a position corresponding to the side end 24r of the second flow passage 24 in the second direction D2 (that is, reaches the end of the refrigerant flow passage 20 in the second direction D2). The width W26A of the shallow region 26A in the first direction D1 is equal to or less than the width (the width W25 or less) of the third flow passage portion 25 in the first direction D1. Here, the width W26A is 1⁄2 or more and 2/3 or less of the width W25, and is about 1⁄2 as an example.

以上のような冷媒流路20においては、導入部21から導入された冷媒は、まず、第1流路部23の一端部23aから他端部23bに向けて第1方向D1に流通する。第1流路部23の他端部23bに至った冷媒は、第2方向D2に向けて屈曲しつつ第3流路部25に流入し、第3流路部25の一端部25aから他端部25bに向けて第2方向D2に流通する。このとき、断面積の減少に応じて、冷媒の流速が増大される。第3流路部25の他端部25bに至った冷媒は、屈曲部26を流通する過程で第1方向D1の反対方向に向けて屈曲され、第2流路部24に流入する。   In the refrigerant flow passage 20 as described above, the refrigerant introduced from the introduction portion 21 first flows from the one end 23a of the first flow passage 23 toward the other end 23b in the first direction D1. The refrigerant reaching the other end 23 b of the first flow passage 23 flows into the third flow passage 25 while bending in the second direction D 2, and flows from the one end 25 a of the third flow passage 25 to the other end It distributes in the second direction D2 toward the unit 25b. At this time, the flow velocity of the refrigerant is increased according to the reduction of the cross-sectional area. The refrigerant reaching the other end 25 b of the third flow passage 25 is bent in the direction opposite to the first direction D 1 in the process of flowing through the bending portion 26 and flows into the second flow passage 24.

このとき、第3流路部25から屈曲部26の浅部領域26Aにわたって深さが浅い状態が維持されることから、少なくとも浅部領域26Aを流通する冷媒は、深さ方向(第3方向D3)への流れが生じない状態において第1方向D1の反対方向へ屈曲する。その後、浅部領域26Aを通過した冷媒に対して、第2流路部24に向かうに際して深さ方向への流れが生じる。第2流路部24に流入した冷媒は、第2流路部24の一端部24aから他端部24bに向けて第1方向D1の反対方向に流通し、導出部22に至って導出部22から導出される。   At this time, since the shallow state is maintained from the third flow path 25 to the shallow region 26A of the bending portion 26, the refrigerant flowing through at least the shallow region 26A has a depth direction (third direction D3 Bending in the opposite direction of the first direction D1 in a state where no flow to the Thereafter, with respect to the refrigerant that has passed through the shallow region 26A, a flow in the depth direction occurs when traveling toward the second flow passage portion 24. The refrigerant having flowed into the second flow passage 24 flows from the one end 24a to the other end 24b of the second flow passage 24 in the direction opposite to the first direction D1 and reaches the outlet 22 and from the outlet 22 It is derived.

以上説明したように、ヒートシンク2においては、冷却対象である半導体レーザバー6が載置される載置エリア2aを含む主面2sと冷媒流路20とを有する。冷媒流路20は、第1方向D1に沿って延びる第1流路部23及び第2流路部24と、第1流路部23から第2流路部24に向かうように第2方向D2に沿って延びる第3流路部25と、第2流路部24と第3流路部25とを接続する屈曲部26と、を含む。第1流路部23は冷媒の導入部21に接続されており、第2流路部24は冷媒の導出部22に接続されている。したがって、ここでは、冷媒は、第1流路部23、第3流路部25、屈曲部26、及び、第2流路部24の順に流通する。   As described above, the heat sink 2 has the main surface 2s including the mounting area 2a on which the semiconductor laser bar 6 to be cooled is mounted, and the refrigerant flow path 20. The refrigerant flow path 20 extends in the first direction D1 such that the first flow path portion 23 and the second flow path portion 24 extend from the first flow path portion 23 toward the second flow path portion 24 in the second direction D2. And a bent portion 26 connecting the second flow path portion 24 and the third flow path portion 25. The first flow passage portion 23 is connected to the introduction portion 21 of the refrigerant, and the second flow passage portion 24 is connected to the discharge portion 22 of the refrigerant. Therefore, in this case, the refrigerant flows in the order of the first flow passage portion 23, the third flow passage portion 25, the bending portion 26, and the second flow passage portion 24.

特に、第3流路部25は、載置エリア2aに重複する位置に設けられており、且つ、相対的に浅く断面積が小さくされている。このため、冷媒の流速が第3流路部25を流通する際に増大され、載置エリア2aでの効率的な冷却が実現される。ここで、第2流路部24と第3流路部25とを接続する屈曲部26は、第1方向D1における第3流路部25の側端部25rに対応する位置から第2流路部24に向かって延び、相対的に浅い浅部領域26Aを含む。このため、第3流路部25を流通した冷媒が、この浅部領域26Aにおいて少なくとも部分的に屈曲して流通してから、相対的に深く断面積が大きな第2流路部24に至る。したがって、当該屈曲部26において、屈曲方向への冷媒の流れと、深さ方向(第3方向D3)への冷媒の流れとが混在しにくく、乱流の発生が抑制される。この結果、当該屈曲部26において劣化の促進を抑制できる。   In particular, the third flow passage portion 25 is provided at a position overlapping with the placement area 2a, and is relatively shallow and has a small cross-sectional area. For this reason, the flow velocity of the refrigerant is increased when flowing through the third flow passage portion 25, and efficient cooling in the placement area 2a is realized. Here, the bent portion 26 connecting the second flow passage portion 24 and the third flow passage portion 25 is the second flow passage from the position corresponding to the side end 25 r of the third flow passage portion 25 in the first direction D1. It extends towards the portion 24 and includes a relatively shallow shallow region 26A. For this reason, the refrigerant flowing through the third flow passage portion 25 is bent at least partially in the shallow region 26A and flows, and then reaches the second flow passage portion 24 which is relatively deep and has a large cross-sectional area. Therefore, in the bending portion 26, the flow of the refrigerant in the bending direction and the flow of the refrigerant in the depth direction (the third direction D3) are not easily mixed, and the generation of the turbulent flow is suppressed. As a result, acceleration of deterioration can be suppressed in the bent portion 26.

また、ヒートシンク2においては、第1方向D1についての浅部領域26Aの幅W26Aは、第1方向D1についての第3流路部25の幅W25以下である。浅部領域26Aの幅W26Aをこのように設定することにより、乱流の発生を十分に抑制し、劣化の促進を抑制できる。   In the heat sink 2, the width W26A of the shallow region 26A in the first direction D1 is equal to or less than the width W25 of the third flow passage 25 in the first direction D1. By setting the width W26A of the shallow region 26A in this manner, the occurrence of turbulent flow can be sufficiently suppressed and acceleration of deterioration can be suppressed.

特に、ヒートシンク2においては、第1方向D1についての浅部領域26Aの幅W26Aは、第1方向D1についての第3流路部25の幅W25の1/2以上2/3以下である。このため、浅部領域26Aの幅W26Aが第3流路部25の幅W25と同等である場合と比較して、圧力損失が抑制される。   In particular, in the heat sink 2, the width W26A of the shallow region 26A in the first direction D1 is 1/2 or more and 2/3 or less of the width W25 of the third flow passage 25 in the first direction D1. For this reason, compared with the case where width W26A of shallow part field 26A is equivalent to width W25 of the 3rd channel part 25, pressure loss is controlled.

以上の実施形態は、本発明に係るヒートシンクの一例について説明したものである。したがって、本発明に係るヒートシンクは、上述したヒートシンク2を任意に変更したものとすることが可能である。   The above embodiment describes an example of the heat sink according to the present invention. Therefore, the heat sink according to the present invention can be obtained by arbitrarily changing the heat sink 2 described above.

引き続いて、ヒートシンク2における冷媒流路20の変形例について説明する。図5は、変形例に係る冷媒流路を示す図である。図5の(a)は斜視図であり、(b)は平面図である。図5に示される例のように、冷媒流路20においては、第1方向D1についての浅部領域26Aの幅W26Aは、第1方向D1についての第3流路部25の幅W25と略同一であってもよい。この場合、屈曲部26の全体が浅部領域26Aとなる。このような構成によれば、冷媒が屈曲部26において屈曲して流通するときに、深さ方向(第3方向D3)への流れが生じないため、より確実に乱流の発生を抑制できる。   Subsequently, a modification of the refrigerant flow passage 20 in the heat sink 2 will be described. FIG. 5 is a view showing a refrigerant flow path according to a modification. (A) of FIG. 5 is a perspective view, and (b) is a plan view. As in the example shown in FIG. 5, in the refrigerant flow passage 20, the width W26A of the shallow region 26A in the first direction D1 is substantially the same as the width W25 of the third flow passage 25 in the first direction D1. It may be In this case, the whole of the bending portion 26 becomes the shallow region 26A. According to such a configuration, since the flow in the depth direction (the third direction D3) does not occur when the refrigerant bends and flows in the bending portion 26, the generation of the turbulent flow can be more reliably suppressed.

図6は、別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。図6の(a)は斜視図であり、(b)は平面図である。図6に示される例のように、冷媒流路20においては、浅部領域26Aと第2流路部24との間に、第1方向D1の反対方向に向かうにつれて第3方向D3についての深さが漸増する漸増領域26Bが設けられている、ここでは、第3方向D3についての漸増領域26Bの深さD26bは、浅部領域26Aの深さD26aから第2流路部24の深さD24に至るまで一定の割合で(すなわち直線的に)漸増しているが、曲線的に漸増してもよい。このように漸増領域26Bを設けた場合、深さ方向(第3方向)について、乱流の発生をより確実に抑制できる。   FIG. 6 is a view showing a refrigerant flow path according to another modification. (A) of FIG. 6 is a perspective view, and (b) is a plan view. As in the example shown in FIG. 6, in the refrigerant flow passage 20, the depth in the third direction D3 is directed between the shallow region 26A and the second flow passage portion 24 in the direction opposite to the first direction D1. The gradual increase area 26B where the gradual increase gradually is provided, in this case, the depth D26b of the gradual increase area 26B in the third direction D3 is the depth D24a of the second flow passage portion 24 from the depth D26a of the shallow area 26A. Although it increases gradually at a constant rate (ie, linearly), it may increase gradually. When the gradually increasing region 26B is provided as described above, the occurrence of turbulent flow can be more reliably suppressed in the depth direction (third direction).

図7は、さらに別の変形例に係る冷媒流路を示す図である。図7の(a)は斜視図であり、(b)は側面図である。図7に示される例では、屈曲部26の端部が曲面状に面取りされている。より具体的には、屈曲部26のうち、浅部領域26Aのエッジ26rが部分的な円筒面状に面取りされており、且つ、浅部領域26Aと漸増領域26Bとの境界が部分的な円筒面状にされている。この場合には、乱流の発生をより確実に抑制できる。さらに、この場合には、冷媒の流通方向の急変を抑制することにより、直接的に劣化を抑制できる。   FIG. 7 is a view showing a refrigerant flow path according to still another modification. (A) of FIG. 7 is a perspective view, and (b) is a side view. In the example shown in FIG. 7, the end of the bending portion 26 is chamfered in a curved shape. More specifically, in the bending portion 26, the edge 26r of the shallow region 26A is chamfered in a partial cylindrical shape, and the boundary between the shallow region 26A and the gradual increase region 26B is a partial cylinder. It is flat. In this case, the occurrence of turbulent flow can be suppressed more reliably. Furthermore, in this case, deterioration can be directly suppressed by suppressing a sudden change in the flow direction of the refrigerant.

2…ヒートシンク、2a…載置エリア、2s…主面、6…半導体レーザバー(半導体レーザ素子)、20…冷媒流路、21…導入部、22…導出部、23…第1流路部、24…第2流路部、25…第3流路部、26…屈曲部、26A…浅部領域、26B…漸増領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Heat sink, 2a ... mounting area, 2s ... principal surface, 6 ... Semiconductor laser bar (semiconductor laser element), 20 ... Refrigerant flow path, 21 ... Introduction part, 22 ... Derivation part, 23 ... 1st flow path part, 24 ... 2nd channel part, 25 ... 3rd channel part, 26 ... bent part, 26A ... shallow part area, 26B ... gradually increasing area.

Claims (5)

半導体レーザ素子を冷却するためのヒートシンクであって、
第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に沿って延びる主面と、
冷媒が流通する冷媒流路と、を備え、
前記主面は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向からみて前記半導体レーザ素子が載置される載置エリアを含み、
前記冷媒流路は、冷媒が導入される導入部と、前記冷媒が導出される導出部と、前記第1方向に沿って前記導入部から前記載置エリアに向かうように延びる第1流路部と、前記第1方向に沿って前記載置エリアから前記導出部に至るように延びる第2流路部と、前記第3方向からみて前記載置エリアに重複する位置において前記第1流路部から前記第2流路部に向かうように前記第2方向に沿って延びる第3流路部と、前記第2方向における前記第3流路部の端部と前記第1方向における前記第2流路部の端部とを接続する屈曲部と、を含み、
前記第3流路部の断面積は、前記第3方向についての前記第3流路部の深さが前記第3方向についての前記第1流路部及び前記第2流路部の深さよりも浅いことにより、前記第1流路部及び前記第2流路部の断面積よりも小さくされており、
前記屈曲部は、前記第1方向における前記第3流路部の端部に対応する位置から前記第2流路部に向かって延び、前記第3方向についての深さが前記第2流路部よりも浅くされた浅部領域を含む、
ヒートシンク。
A heat sink for cooling a semiconductor laser device;
A major surface extending along a first direction and a second direction intersecting the first direction;
A refrigerant flow path through which the refrigerant flows;
The main surface includes a mounting area on which the semiconductor laser device is mounted when viewed from a third direction intersecting the first direction and the second direction,
The refrigerant flow path is a first flow path portion that extends from the introduction portion toward the placement area along the first direction from the introduction portion into which the refrigerant is introduced, the discharge portion from which the refrigerant is drawn, and the first direction And a second flow passage portion extending from the placement area to the lead-out portion along the first direction, and the first flow passage portion at a position overlapping the placement area as viewed from the third direction A third flow passage extending along the second direction from the second flow direction toward the second flow passage, an end of the third flow passage in the second direction, and the second flow in the first direction And a bend connecting the end of the passage,
Regarding the cross-sectional area of the third flow passage portion, the depth of the third flow passage portion in the third direction is greater than the depths of the first flow passage portion and the second flow passage portion in the third direction. By being shallow, the cross-sectional area of the first flow path portion and the second flow path portion is made smaller,
The bent portion extends from a position corresponding to an end of the third flow passage in the first direction toward the second flow passage, and the depth in the third direction is the second flow passage Including shallower regions that are shallower than
heatsink.
前記第1方向についての前記浅部領域の幅は、前記第1方向についての前記第3流路部の幅以下である、
請求項1に記載のヒートシンク。
The width of the shallow region in the first direction is equal to or less than the width of the third flow passage in the first direction.
The heat sink according to claim 1.
前記第1方向についての前記浅部領域の幅は、前記第1方向についての前記第3流路部の幅の1/2以上2/3以下である、
請求項2に記載のヒートシンク。
The width of the shallow region in the first direction is not less than 1/2 and not more than 2/3 of the width of the third flow passage in the first direction.
The heat sink according to claim 2.
前記浅部領域と前記第2流路部との間には、前記第1方向の反対方向に向かうにつれて前記第3方向についての深さが漸増する漸増領域が設けられている、
請求項1〜3のいずれか一項に記載のヒートシンク。
A gradually increasing region is provided between the shallow region and the second flow passage portion, in which the depth in the third direction gradually increases in the direction opposite to the first direction.
The heat sink as described in any one of Claims 1-3.
前記屈曲部の端部は曲面状に形成されている、
請求項1〜4のいずれか一項に記載のヒートシンク。
The end of the bent portion is formed in a curved shape.
The heat sink as described in any one of Claims 1-4.
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