JP2019066849A - フレキシブル表示装置及びその製造方法 - Google Patents

フレキシブル表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019066849A
JP2019066849A JP2018184044A JP2018184044A JP2019066849A JP 2019066849 A JP2019066849 A JP 2019066849A JP 2018184044 A JP2018184044 A JP 2018184044A JP 2018184044 A JP2018184044 A JP 2018184044A JP 2019066849 A JP2019066849 A JP 2019066849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
flexible display
light emitting
thickness
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018184044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6854268B2 (ja
Inventor
ハンサップ チョ，
Hangsup Cho
ハンサップ チョ，
ソンウン パク，
Seongeun Park
ソンウン パク，
ウサップ シン，
Woosup Shin
ウサップ シン，
ヒョンウ イ，
Hyeonwoo Lee
ヒョンウ イ，
ポンチュル キム，
Bongchul Kim
ポンチュル キム，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of JP2019066849A publication Critical patent/JP2019066849A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6854268B2 publication Critical patent/JP6854268B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】外部からの物理的衝撃による破損を減らすフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１の厚さの第１材料からなる支持基板１１０、前記支持基板１１０の一面に配置されて、前記第１の厚さより小さい第２の厚さ及び前記第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板１２０、前記バッファ基板１２０の一面に配置される薄膜トランジスタアレイ１３０、及び前記バッファ基板１２０の一面に対面して接合される封止基板１４０を含むフレキシブル表示装置１００を提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、フレキシブル表示装置及びその製造方法に関し、特に、丸く巻き取られた状態で駆動されるローラブル（ｒｏｌｌａｂｌｅ）表示装置及びその製造方法に関する。
表示装置（Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は、ＴＶ、携帯電話、ノートパソコン及びタブレットなどのような様々な電子機器に適用される。そのため、表示装置の薄型化、軽量化及び低消費電力化などを開発するための研究を続けている。
表示装置の代表例としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ ｄｅｖｉｃｅ：ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＦＥＤ）、電気発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＥＬＤ）、電気湿潤表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｗｅｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＥＷＤ）、及び有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）などが挙げられる。
このような表示装置は、内蔵した素子と配線の損傷または破損を防止するために平板に設けられて、平板状態で駆動されることが一般的である。それにより、表示装置の適用範囲が平板に限定される問題点がある。
これを解決するために、柔軟性を有するフレキシブル材料の基板で具現されたフレキシブル表示装置が提示された。例示として、フレキシブル表示装置としては、曲げ伸ばしができる形態のベンダブル（ｂｅｎｄａｂｌｅ）表示装置、折りたためられる形態のフォルダブル（ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示装置、及び巻き取られる形態のローラブル（ｒｏｌｌａｂｌｅ）表示装置などがある。
ところが、既存のフレキシブル表示装置は、柔軟性を有するためプラスチックのようなフレキシブル材料の基板で具現されることによって、外部からの物理的衝撃に弱くなる問題点がある。さらに、フレキシブル材料の基板を具現するためキャリア基板に対するレーザリフトオフ工程を行うことによって、レーザ照査の均一度が低下すると、フレキシブル材料の基板がキャリア基板とともに取り外される剥離不良を引き起こす問題点がある。
本発明は、外部からの物理的衝撃による破損を減らすフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供するためのものである。
そして、本発明は、レーザリフトオフ工程を排除できる構造のフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供するためのものである。
本発明の目的は、以上で言及した目的に制限されず、言及していない本発明の他の目的及び長所は、下記の説明により理解されるし、本発明の実施形態によりさらに明らかに理解される。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせにより実現できることが容易に分かる。
本発明の一例示は、第１の厚さの第１材料からなる支持基板、前記支持基板の一面に配置されて、前記第１の厚さより小さい第２の厚さ及び前記第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板、前記バッファ基板の一面に配置される薄膜トランジスタアレイ、及び前記バッファ基板の一面に対面して接合される封止基板を含むフレキシブル表示装置を提供する。
前記第１材料は、ガラス（ｇｌａｓｓ）であり、前記第１の厚さは、５０μｍ〜１００μｍの範囲に該当する。
前記第２材料は、ＰＦＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、及びＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）のいずれかに選択されて、前記第２の厚さは、３μｍ〜２０μｍの範囲に該当する。
前記フレキシブル表示装置は、ローリング形態で具現された場合、曲率半径は、４０ｍｍ〜３５０ｍｍである。
前記フレキシブル表示装置は、前記封止基板の一面に配置されて、前記ローリング形態をガイドするためのローリング補助フィルムをさらに含んでいてもよい。
前記フレキシブル表示装置は、前記薄膜トランジスタアレイと前記封止基板の間に配置されて、複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子からなる有機発光素子アレイをさらに含んでいてもよい。
前記フレキシブル表示装置は、前記支持基板の他の一面に配置されて、前記有機発光素子アレイから放出された光を偏光する偏光フィルムをさらに含んでいてもよい。
そして、本発明の他の一例示は、第１材料からなるキャリア基板を設けるステップ、前記第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板を前記キャリア基板の一面に配置するステップ、前記バッファ基板の一面に薄膜トランジスタアレイを配置するステップ、複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子からなる有機発光素子アレイを前記薄膜トランジスタアレイ上に配置するステップ、前記有機発光素子アレイを覆い、前記バッファ基板の一面に対面する封止基板を配置するステップ、ローリング形態をガイドするためのローリング補助フィルムを前記封止基板の一面に配置するステップ、及び前記キャリア基板の一部をエッチング及び研磨し、前記バッファ基板の他の一面に対面して、第１の厚さからなる支持基板を設けるステップを含むフレキシブル表示装置の製造方法を提供する。
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置は、第１材料の支持基板と第１材料よりフレキシブルである第２材料のバッファ基板を含む。これにより、外部からの物理的衝撃及びベンディングストレスによるクラックを防止することができ、クラックが支持基板または有機発光素子側に伝達されることを防止することができる。従って、外部からの物理的衝撃による有機発光素子の破損を減少し得る。
また、本発明の一実施形態によれば、支持基板は、バッファ基板などの形成工程のためのキャリア基板の一部をエッチング及び研磨によって除去する過程で設けられる。すなわち、キャリア基板に対するレーザリフトオフ工程を排除することで、レーザリフトオフ工程による剥離不良を防止することができる。
これにより、フレキシブル表示装置の信頼度及び寿命が向上する。
本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の平面状態、一部ローリング状態及び完全ローリング状態を示した図面である。 本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の断面を示した図面である。 図２の薄膜トランジスタアレイ及び有機発光素子アレイの断面に対する一例示を示した図面である。 図２のローリング補助フィルムの平面に対する一例示を示した図面である。 図２の図示と違って、バッファ基板を含まない構造の第１比較例において発生し得る不良を例示的に示した図面である。 図２の図示と違って、支持基板を含まない構造の第２比較例において発生し得る不良を例示的に示した図面である。 本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置においてクラック伝達が防止されることを例示的に示した図面である。 本発明の他の一実施形態によるフレキシブル表示装置の断面を示した図面である。 本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。 図９の各ステップを示した図面である。
前述した目的、特徴及び長所は、添付の図面を参照して詳細に後述されており、これにより、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる。本発明を説明するにおいて、本発明に係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には詳説を省略する。以下では、添付の図面を参照して本発明による好ましい実施形態を詳説する。図面における同じ参照符号は、同一または類似の構成要素を指すものに使われる。
以下では、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置について添付の図面を参考にして詳説する。
図１は、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の平面状態、一部ローリング状態及び完全ローリング状態を示した図面である。
図１に示したように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、平板形態（ＰＳ；Ｐｌａｎｅ−Ｓｈａｐｅｄ）、一部が巻き取られた状態（ＨＲＳ；Ｈａｌｆ Ｒｏｌｌｉｎｇ−Ｓｈａｐｅｄ）及びローリング形態（ＲＳ；Ｒｏｌｌｉｎｇ−Ｓｈａｐｅｄ）のいずれかに変形された状態で駆動可能なローラブル表示装置である。ここで、一部が巻き取られた状態（ＨＲＳ；Ｈａｌｆ Ｒｏｌｌｉｎｇ−Ｓｈａｐｅｄ）及びローリング形態（ＲＳ；Ｒｏｌｌｉｎｇ−Ｓｈａｐｅｄ）の場合、フレキシブル表示装置１００は、所定の曲率半径（Ｒ）でベンディングされて、少なくとも一部が巻き取られた形態に変形されてもよい。
このため、フレキシブル表示装置１００は、柔軟な材料からなる基板を含む構造で具現される。
図２は、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の断面を示した図面である。図３は、図２の薄膜トランジスタアレイ及び有機発光素子アレイの断面に対する一例示を示した図面である。図４は、図２のローリング補助フィルムの平面に対する一例示を示した図面である。
図２に示したように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、支持基板１１０、支持基板１１０の一面に配置されるバッファ基板１２０、バッファ基板１２０の一面に配置される薄膜トランジスタアレイ１３０、及びバッファ基板１２０の一面に対面して接合される封止基板１４０を含む。
そして、フレキシブル表示装置１００は、薄膜トランジスタアレイ１３０と封止基板１４０の間に配置される有機発光素子アレイ１５０、有機発光素子アレイ１５０上に封止基板１４０を固定する接着フィルム１６０、封止基板１４０の一面に配置されるローリング補助フィルム１７０、及び支持基板１１０の他の一面に配置される偏光フィルム１８０をさらに含む。
また、フレキシブル表示装置１００は、平面状態（図１のＰＳ）に対応するボトムカバー１９０をさらに含んでいてもよい。
支持基板１１０は、第１の厚さの第１材料からなる。
ここで、第１材料は、光を透過して、半導体物質及び金属物質のエッチング及び熱処理などの工程に対する反応性の低い材料に選択されてもよい。また、第１材料は、臨界超過厚で自重による形態変形が発生しないほどの剛性を有しながらも、臨界以下厚でフレキシブルである材料に選択されてもよい。また、第１材料は、厚を減少するためのエッチング工程及び研磨工程を適用できる材料に選択されてもよい。例示として、第１材料は、ガラス（ｇｌａｓｓ）であってもよい。
そして、支持基板１１０に対応する第１の厚さは、第１材料の軟性発生有無、所定の物理的衝撃に対する破損有無、及び形態と配置維持のための剛性を考慮して選択されてもよい。例示として、第１の厚さは、５０μｍ〜１００μｍであってもよい。特に、第１の厚さは、約８０μｍであってもよい。
バッファ基板１２０は、第１の厚さより小さい第２の厚さ及び第１材料よりフレキシブルである第２材料からなる。
例示として、第２材料は、ＰＦＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、及びＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）のいずれかに選択されてもよい。特に、第２材料は、比較的に高い接近性を有するＰＩに選択されてもよい。
バッファ基板１２０に対応する第２の厚さは、バッファ基板１２０による浮き上がり不良と透過率低下及びバッファ基板１２０を介するクラック伝達有無をすべて防止できる範囲で選択されてもよい。
例示として、第２材料がＰＩである場合、第２の厚さは、３μｍ〜２０μｍであってもよい。
すなわち、バッファ基板１２０厚が３μｍ未満である場合、薄膜トランジスタアレイ１３０のクラックが支持基板１１０に伝達されるか、支持基板１１０のクラックが薄膜トランジスタアレイ１３０及び有機発光素子アレイ１５０に伝達されることが容易になる。
一方、バッファ基板１２０厚が２０μｍ超える場合、ローリング状態（図１のＲＳ、ＨＲＳ）時のベンディングストレスにより、バッファ基板１２０が支持基板１１０または薄膜トランジスタアレイ１３０から部分分離される浮き上がり不良が発生しやすくなる。そして、２０μｍ超える厚からなるバッファ基板１２０による光透過率低下が発生し得る。
このように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、第１の厚さ及び第１材料からなる支持基板１１０と、第２の厚さ及び第２材料からなるバッファ基板１２０をいずれも含むことで、所定の曲率半径（図１のＲ）のローリング状態（図１のＲＳ、ＨＲＳ）で具現されてもよい。例示として、フレキシブル表示装置１００がローリング状態（図１のＲＳ、ＨＲＳ）である際の曲率半径（図１のＲ）は、４０ｍｍ〜３５００ｍｍであってもよい。
これとともに、支持基板１１０及びバッファ基板１２０をいずれも含むことで、外部からの物理的衝撃に対する剛性が向上して、外部からの物理的衝撃またはベンディングストレスによるクラックが垂直方向に伝達されることを防止することができる。これにより、フレキシブル表示装置１００の寿命及び信頼度が向上する。また、クラック伝達による暗点不良を防止することができるため、画質低下を防止することができる。
図３に示したように、薄膜トランジスタアレイ１３０は、複数のサブ画素に対応する複数の画素領域を定義して、複数の画素領域それぞれに対応する少なくとも１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む。
そして、有機発光素子アレイ１５０は、複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子（ＯＬＥＤ）を含む。
例示として、薄膜トランジスタアレイ１３０に備えたいずれか薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、バッファ基板１２０上に配置されるアクティブ層（ＡＣＴ）、アクティブ層（ＡＣＴ）を覆うゲート絶縁膜１３１上に配置されるゲート電極（ＧＥ）、ゲート電極（ＧＥ）を覆う第１の層間絶縁膜１３２上に配置されるソース電極（ＳＥ）とドレーン電極（ＤＥ）を含んでいてもよい。そして、ソース電極（ＳＥ）とドレーン電極（ＤＥ）は、第２の層間絶縁膜１３３でカバーされる。
ここで、ゲート電極（ＧＥ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のチャンネル領域に重畳される。ソース電極（ＳＥ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のソース領域に連結されて、ドレーン電極（ＤＥ）は、アクティブ層（ＡＣＴ）のドレーン領域に連結される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が有機発光素子（ＯＬＥＤ）に駆動電流を供給する駆動素子である場合、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極（ＳＥ）とドレーン電極（ＤＥ）のいずれかは、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に連結される。
有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、第２の層間絶縁膜１３３上に配置される。
有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、相互対向する第１電極１５１と第２電極１５２、及び第１及び第２電極１５１、１５２の間に配置される有機発光層１５３を含む。
そして、有機発光素子アレイ１５０は、第１電極１５１の縁を覆うバンク層１５４をさらに含んでいてもよい。
さらに、図２を続けて説明する。
偏光フィルム１８０は、有機発光素子アレイ１５０から放出されて、バッファ基板１２０及び支持基板１１０を透過した光を偏光する。かかる偏光フィルム１８０により、外部光による画質低下を防止することができる。
例示として、偏光フィルム１８０厚は、１７０μｍ〜６５０μｍであってもよい。
封止基板１４０は、薄膜トランジスタアレイ１３０と封止基板１４０の間の接着フィルム１６０を介して有機発光素子アレイ１５０上に固定されてもよい。すなわち、バッファ基板１２０と封止基板１４０は、薄膜トランジスタアレイ１３０及び有機発光素子アレイ１５０を介した状態で、接着フィルム１６０を介して相互対向して接合される。
ローリング補助フィルム１７０は、フレキシブル表示装置１００がローリング形態に変形されることを引き起こすためのものである。
例示として、図４に示したように、ローリング補助フィルム１７０は、少なくとも１つのベース１７１と、ベース１７１上に配置されて、所定間隔で離隔した複数の支柱パターン１７２を含んでいてもよい。ここで、支柱パターン１７２は、一対のベース１７１の間に介在されてもよい。
支柱パターン１７２の配列方向は、フレキシブル表示装置１００のローリング方向に対応する。すなわち、フレキシブル表示装置１００の長側角をベンディングしてローリング形態に変形する場合、支柱パターンは、短側角に平行して、支柱パターンの配列方向は、長側角に平行する。
以上のように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、ガラス材料の支持基板１１０と、ガラス材料よりフレキシブルであるプラスチック材料のバッファ基板１２０をいずれも含む構造である。
これにより、外部からの物理的衝撃に対する剛性が向上して、外部からの物理的衝撃またはベンディングストレスによるクラックが垂直方向に伝達されることを防止することができる。
図５は、図２の図示と違って、バッファ基板を含まない構造の第１比較例で発生し得る不良を例示的に示した図面である。図６は、図２の図示と違って、支持基板を含まない構造の第２比較例で発生し得る不良を例示的に示した図面である。図７は、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置においてクラック伝達を防止することを例示的に示した図面である。
図５に示したように、第１比較例（ＲＥＦ１）は、ガラス材料の支持基板を除いて、プラスチック材料のバッファ基板１２０のみを含む構造である。
この場合、外部からの物理的衝撃に弱いため、外部からの物理的衝撃によるクラックが薄膜トランジスタアレイ１３０及び有機発光素子アレイ１５０に発生しやすい問題点がある。特に、外部からの物理的衝撃によるクラックが有機発光素子（ＯＬＥＤ）に伝達されると、当該サブ画素が暗点不良になるため、画質低下または寿命終了を引き起こす問題点がある。
かかる第１比較例（ＲＥＦ１）において、前面打撃強度が約０．２２Ｊ〜１．０８Ｊである場合、すなわち、平均０．５７Ｊである場合にクラックが発生することが実験で確認された。
一方、図６に示したように、第２比較例（ＲＥＦ２）は、プラスチック材料のバッファ基板を除いて、ガラス材料の支持基板１１０のみを含む構造である。
この場合、外部からの物理的衝撃に対する剛性が図５の第１比較例より高い反面、ベンディングストレスによる基板内部のクラックが基板に伝達されやすい問題点がある。すなわち、ローリング状態時のベンディングストレスにより、薄膜トランジスタアレイ１３０及び有機発光素子アレイ１５０などに配置された絶縁膜でクラックが発生する場合、クラックがガラス材料の支持基板１１０に伝達されることで、クラックが外部に視認される。それにより、画質低下、審美性低下及び寿命終了を引き起こす問題点がある。
かかる第２比較例（ＲＥＦ２）において、前面打撃強度が約０．０５Ｊ〜０．０９Ｊである場合、すなわち、平均０．０６Ｊである場合にクラックが発生することが実験で確認された。
一方、図７に示したように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、ガラス材料の支持基板１１０とプラスチック材料のバッファ基板１２０いずれも備えることで、外部からの物理的衝撃及びベンディングストレスによる不良を防止することができる。
すなわち、バッファ基板１２０により外部からの物理的衝撃が薄膜トランジスタアレイ１３０及び有機発光素子アレイ１５０に伝達されることを緩和することができるため、外部からの物理的衝撃によるクラックが暗点不良などの問題点に繋がることを減少することができる。
また、ベンディングストレスによる絶縁膜のクラックがガラス材料の支持基板１１０まで繋がることを防止することができる。
また、本発明の一実施形態において、前面打撃強度が約０．６１Ｊ〜１．０８Ｊである場合、すなわち、平均０．９２Ｊである場合にクラックが発生することが実験で確認された。ほかに説明すると、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００は、第１及び第２比較例より約１．６倍及び約１５．３倍以上強い打撃強度でもクラックを発生せずに正常状態を維持することができるため、信頼度及び寿命が向上する。
一方、フレキシブル表示装置のベゼル領域をさらに減少させるため、支持基板１１０の側面に各種の駆動部を配置してもよい。
図８は、本発明の他の一実施形態によるフレキシブル表示装置の断面を示した図面である。
図８に示したように、本発明の他の一実施形態によるフレキシブル表示装置１００’は、支持基板１１０の側面がバッファ基板１２０’に接することを除くと、図１〜図４に示した一実施形態と同様であるため、以下では、重複する説明を省略する。
本発明の他の一実施形態によれば、バッファ基板１２０’の一面には薄膜トランジスタアレイ１３０’が配置されて、バッファ基板１２０’の他の一面は、支持基板１１０の一面及び側面に接する。このため、バッファ基板１２０’は、支持基板１１０の縁を基準として折りたたまれる。
また、バッファ基板１２０’の一面に配置された薄膜トランジスタアレイ１３０’の一部は、支持基板１１０の側面に対応する領域に配置される。
このようにすると、非表示領域が支持基板１１０の側面まで拡張されるため、フレキシブル表示装置１００’のベゼル幅を減少することができる。
次に、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法について説明する。
図９は、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法を示した図面である。図１０〜図１６は、図９の各ステップを示した図面である。
図９に示したように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法は、キャリア基板を設けるステップ（Ｓ１０）、キャリア基板の一面にバッファ基板を配置するステップ（Ｓ２０）、バッファ基板の一面に薄膜トランジスタアレイを配置するステップ（Ｓ３０）、薄膜トランジスタアレイ上に有機発光素子アレイを配置するステップ（Ｓ４０）、バッファ基板の一面に対面する封止基板を配置するステップ（Ｓ５０）、キャリア基板の一部をエッチング及び研磨してバッファ基板の他の一面に対面して、第１の厚さからなる支持基板を設けるステップ（Ｓ６０）、有機発光素子アレイから放出された光を偏光する偏光フィルムを支持基板の他の一面に配置するステップ（Ｓ７０）、及びローリング形態をガイドするためのローリング補助フィルムを封止基板の一面に配置するステップ（Ｓ８０）を含む。
図１０に示したように、第１材料からなるキャリア基板１１１を設けて（Ｓ１０）、第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板１２０をキャリア基板１１１の一面に配置する。（Ｓ２０）
ここで、キャリア基板１１１の第１材料は、光を透過して、半導体物質及び金属物質のエッチング及び熱処理などの工程に対する反応性の低い材料に選択されてもよい。例示として、第１材料は、ガラス（ｇｌａｓｓ）であってもよい。
そして、キャリア基板１１１厚は、自重による形態変形が発生しないほどの剛性を有しながらも、移送時に容易である重さに対応する範囲で選択されてもよい。例示として、キャリア基板１１１がガラス（ｇｌａｓｓ）からなる場合、キャリア基板１１１厚は、４００μｍ〜７００μｍであってもよい。
バッファ基板１２０の第２材料は、ＰＦＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、及びＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）のいずれかに選択されてもよい。特に、第２材料は、比較的に高い接近性を有するＰＩに選択されてもよい。
バッファ基板１２０厚は、バッファ基板１２０による浮き上がり不良と透過率低下及びバッファ基板１２０を介するクラック伝達有無を全て防止できる範囲で選択されてもよい。例示として、第２材料がＰＩである場合、第２の厚さは、３μｍ〜２０μｍであってもよい。
図１１に示したように、バッファ基板１２０の一面上に薄膜トランジスタアレイ１３０を配置して（Ｓ３０）、薄膜トランジスタアレイ１３０上に有機発光素子アレイ１５０を配置する。（Ｓ４０）
薄膜トランジスタアレイ１３０は、複数のサブ画素に対応する複数の画素領域を定義して、複数の画素領域それぞれに対応する少なくとも１つの薄膜トランジスタ（図３のＴＦＴ）を含む。
有機発光素子アレイ１５０は、複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子（図３のＯＬＥＤ）を含む。
図１２に示したように、バッファ基板１２０の一面に対面する封止基板１４０を有機発光素子アレイ１５０上に配置する。（Ｓ５０）
図１２に示したように、封止基板１４０は、封止基板１４０と薄膜トランジスタアレイ１３０の間に配置された接着フィルム１６０を介して有機発光素子アレイ１５０上に固定される。
そして、図１３に示したように、キャリア基板の一部１１１’をエッチング及び研磨して、第１の厚さの支持基板１１０を設ける。（Ｓ６０）
前述したように、バッファ基板１２０は、キャリア基板１１１’の一面に配置される。そのため、支持基板１１０を設けるステップの後、バッファ基板１２０の一面上には薄膜トランジスタアレイ１３０が配置されて、バッファ基板１２０の他の一面は、支持基板１１０の一面に対面する。
支持基板１１０の第１の厚さは、第１材料の軟性発生有無、所定の物理的衝撃に対する破損有無、及び形態と配置維持のための剛性を考慮して選択することができる。例示として、第１の厚さは、５０μｍ〜１００μｍであってもよい。特に、第１の厚さは、約８０μｍであってもよい。
図１４に示したように、支持基板１１０の他の一面に偏光フィルム１８０を配置する。（Ｓ７０）ここで、偏光フィルム１８０厚は、１７０μｍ〜６５０μｍであってもよい。
図１５に示したように、封止基板１４０の一面にローリング補助フィルム１７０を配置する。（Ｓ８０）
ローリング補助フィルム１７０は、フレキシブル表示装置１００がローリング形態に変形されることを引き起こすためのものである。
そして、図１６に示したように、フレキシブル表示装置１００が平板形態を維持する場合、平板形態に対応するボトムカバー１９０に表示モジュール（ＤＭ）を収納することができる。ここで、表示モジュール（ＤＭ）は、偏光フィルム１８０、支持基板１１０、バッファ基板１２０、薄膜トランジスタアレイ１３０、有機発光素子アレイ１５０、接着フィルム１６０、封止基板１４０及びローリング補助フィルム１７０を含む。
また、別途示してはいないが、本発明の他の一実施形態によるフレキシブル表示装置（図８の１００’）を製造する方法は、キャリア基板の一部１１１’をエッチング及び研磨して、第１の厚さの支持基板１１０を設けるステップ（Ｓ７０）の後、支持基板１１０の一部縁領域を除去して、バッファ基板１２０の他の一面のうち、一部縁領域を露出するステップ、及びバッファ基板１２０の他の一面のうち、露出した一部縁領域が支持基板１１０の側面に接する形態にバッファ基板１２０を変形するステップをさらに含んでいてもよい。
以上のように、本発明の一実施形態によるフレキシブル表示装置の製造方法は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程を用いたキャリア基板１１１の除去過程を含まない。それにより、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）工程によるバッファ基板１２０の損傷を防止することができる。すなわち、キャリア基板１１１の表面に配置された異物またはクラックにより、レーザが均一に照査されなかった領域でバッファ基板１２０がキャリア基板１１１とともに取り外される不良、すなわち、剥離不良を防止することができる。
従って、フレキシブル表示装置１００の工程不良が減少されて、信頼度及び収率が向上する。
以上で説明した本発明は、上述した実施形態及び添付の図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であることは、本発明が属する技術分野で従来の知識を有する者にとって明らかである。

Claims (12)

  1. 第１の厚さを有する第１材料からなる支持基板；
    前記支持基板の一面に配置されて、前記第１の厚さより小さい第２の厚さ及び前記第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板；
    前記バッファ基板の一面に配置される薄膜トランジスタアレイ；及び、
    前記バッファ基板の一面に対面して接合される封止基板を含むフレキシブル表示装置。
  2. 前記第１材料は、ガラス（ｇｌａｓｓ）であり、前記第１の厚さは、５０μｍ〜１００μｍの範囲に該当する、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  3. 前記第２材料は、ＰＦＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、及びＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）のいずれかに選択されて、前記第２の厚さは、３μｍ〜２０μｍの範囲に該当する、請求項２に記載のフレキシブル表示装置。
  4. ローリング形態に具現された場合、曲率半径は、４０ｍｍ〜３５００ｍｍである、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  5. 前記封止基板の一面に配置されて、前記ローリング形態をガイドするためのローリング補助フィルムをさらに含む、請求項４に記載のフレキシブル表示装置。
  6. 前記薄膜トランジスタアレイと前記封止基板の間に配置されて、複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子からなる有機発光素子アレイをさらに含み、
    前記有機発光素子アレイは、前記封止基板により密封される、請求項１に記載のフレキシブル表示装置。
  7. 前記支持基板の他の一面に配置されて、前記有機発光素子アレイから放出された光を偏光する偏光フィルムをさらに含み、
    前記偏光フィルム厚は７０μｍ〜６５０μｍである、請求項６に記載のフレキシブル表示装置。
  8. 第１材料からなるキャリア基板を設けるステップ；
    前記第１材料よりフレキシブルである第２材料からなるバッファ基板を前記キャリア基板の一面に配置するステップ；
    前記バッファ基板の一面に薄膜トランジスタアレイを配置するステップ；
    複数のサブ画素に対応する複数の有機発光素子からなる有機発光素子アレイを前記薄膜トランジスタアレイ上に配置するステップ；
    前記有機発光素子アレイを覆い、前記バッファ基板の一面に対面する封止基板を配置するステップ；及び、
    前記キャリア基板の一部をエッチング及び研磨し、前記バッファ基板の他の一面に対面して、第１の厚さからなる支持基板を設けるステップを含むフレキシブル表示装置の製造方法。
  9. 前記キャリア基板を設けるステップにおいて、前記第１材料は、ガラス（ｇｌａｓｓ）であり、
    前記支持基板を設けるステップにおいて、前記第１の厚さは、５０μｍ〜１００μｍの範囲に該当する、請求項８に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
  10. 前記バッファ基板を配置するステップにおいて、前記第２材料は、ＰＦＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、及びＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）のいずれかに選択されて、前記バッファ基板は、３μｍ〜２０μｍの範囲に該当する第２の厚さからなる、請求項９に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
  11. 前記支持基板を設けるステップにおいて、前記支持基板の一面は、前記バッファ基板と対面して、
    前記支持基板を設けるステップの後、前記有機発光素子アレイから放出された光を偏光する偏光フィルムを前記支持基板の他の一面に配置するステップをさらに含む、請求項８に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。
  12. 前記支持基板を設けるステップの後、ローリング形態をガイドするためのローリング補助フィルムを前記封止基板の一面に配置するステップをさらに含む、請求項８に記載のフレキシブル表示装置の製造方法。

JP2018184044A 2017-09-29 2018-09-28 フレキシブル表示装置及びその製造方法 Active JP6854268B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127711A KR102355103B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR10-2017-0127711 2017-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019066849A true JP2019066849A (ja) 2019-04-25
JP6854268B2 JP6854268B2 (ja) 2021-04-07

Family

ID=63683800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018184044A Active JP6854268B2 (ja) 2017-09-29 2018-09-28 フレキシブル表示装置及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10930715B2 (ja)
EP (1) EP3462278B1 (ja)
JP (1) JP6854268B2 (ja)
KR (1) KR102355103B1 (ja)
CN (1) CN109585457B (ja)
TW (1) TWI688801B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110112192B (zh) * 2019-04-29 2021-07-13 云谷（固安）科技有限公司 一种有机发光显示模组及电子设备
CN110444577B (zh) * 2019-08-14 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN113471235B (zh) * 2020-03-30 2024-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、发光元件的转移方法
CN113496652A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及电子装置
CN111383540B (zh) * 2020-04-30 2022-04-08 上海天马微电子有限公司 一种可卷曲显示装置
WO2022065814A1 (ko) * 2020-09-22 2022-03-31 삼성전자 주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 전자 장치
TWI763463B (zh) * 2021-04-27 2022-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN113193154B (zh) * 2021-04-30 2023-04-07 合肥维信诺科技有限公司 柔性显示面板及其制备方法、显示装置
CN114280823A (zh) * 2021-12-21 2022-04-05 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板、显示面板的制备方法以及显示面板的修复方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003280548A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Toshiba Corp フレキシブル表示パネル
US20060163565A1 (en) * 2002-12-14 2006-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
WO2008020566A1 (fr) * 2006-08-16 2008-02-21 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif d'affichage
JP2008046565A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Fujifilm Corp 表示装置
JP2008157996A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Fujifilm Corp 表示素子及び携帯機器並びに撮像装置
JP2011008937A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
JP2011522299A (ja) * 2008-06-06 2011-07-28 ポリマー、ビジョン、リミテッド 可撓性ディスプレイの保護
US20120212433A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Pantech Co., Ltd. Flexible display apparatus and mobile terminal using the same
US20130169515A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Valeriy Prushinskiy Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
JP2013254747A (ja) * 2009-06-04 2013-12-19 Samsung Display Co Ltd 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
JP2015180930A (ja) * 2014-03-06 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2015228022A (ja) * 2014-05-06 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
JP2016110114A (ja) * 2014-12-01 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および運転支援システム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP6257758B2 (ja) 2014-04-24 2018-01-10 クラリアント・インターナシヨナル・リミテツド 無水フタル酸を製造するための最適化された空隙率を有する触媒配置構成物
US9535522B2 (en) * 2014-12-22 2017-01-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display device
KR102305462B1 (ko) * 2015-04-30 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 가요성 윈도우 기판 및 이를 구비한 가요성 표시 장치
KR102438247B1 (ko) * 2015-09-07 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170050729A (ko) * 2015-10-30 2017-05-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106409873B (zh) * 2016-10-12 2019-06-04 上海天马微电子有限公司 柔性显示装置及制造方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003280548A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Toshiba Corp フレキシブル表示パネル
US20060163565A1 (en) * 2002-12-14 2006-07-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
WO2008020566A1 (fr) * 2006-08-16 2008-02-21 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif d'affichage
JP2008046565A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Fujifilm Corp 表示装置
JP2008157996A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Fujifilm Corp 表示素子及び携帯機器並びに撮像装置
JP2011522299A (ja) * 2008-06-06 2011-07-28 ポリマー、ビジョン、リミテッド 可撓性ディスプレイの保護
JP2013254747A (ja) * 2009-06-04 2013-12-19 Samsung Display Co Ltd 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
JP2011008937A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
US20120212433A1 (en) * 2011-02-18 2012-08-23 Pantech Co., Ltd. Flexible display apparatus and mobile terminal using the same
US20130169515A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Valeriy Prushinskiy Flexible display apparatus and method of manufacturing the same
JP2015180930A (ja) * 2014-03-06 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2015228022A (ja) * 2014-05-06 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
JP2016110114A (ja) * 2014-12-01 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および運転支援システム

Also Published As

Publication number Publication date
EP3462278B1 (en) 2021-03-24
TW201915557A (zh) 2019-04-16
JP6854268B2 (ja) 2021-04-07
CN109585457B (zh) 2023-09-26
KR20190037903A (ko) 2019-04-08
EP3462278A1 (en) 2019-04-03
KR102355103B1 (ko) 2022-01-24
TWI688801B (zh) 2020-03-21
US20190103448A1 (en) 2019-04-04
US10930715B2 (en) 2021-02-23
CN109585457A (zh) 2019-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019066849A (ja) フレキシブル表示装置及びその製造方法
KR102627326B1 (ko) 폴더블 표시장치
US10869388B2 (en) Display device
CN110444678B (zh) 显示装置和用于显示装置的支撑膜结构
US10304869B2 (en) Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
KR20240010749A (ko) 폴더블 표시장치
US20180197928A1 (en) Flexible Display Device with Wire Having Reinforced Portion and Manufacturing Method for the Same
US11143891B2 (en) Display device
US8905615B2 (en) Light source module and display device having the same
US20150382446A1 (en) Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
US11532797B2 (en) Display apparatus including glass substrates
JP2007226164A (ja) 半透過型液晶ディスプレイ、フラットパネルディスプレイ装置及び電子機器
JP2015204239A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US20120171425A1 (en) Display panel
TW201818378A (zh) 支撐框體及含有該支撐框體的顯示裝置
KR20170071662A (ko) 가요성 표시 장치
KR102213438B1 (ko) 플렉서블 표시장치의 제조방법
KR102056247B1 (ko) 표시 장치와 그의 제조 방법
JP2007065054A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US20070035674A1 (en) Active matrix display with larger aperture
JP2009222803A (ja) 表示装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181001

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190924

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200928

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20200928

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20201006

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20201013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210302

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210315

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6854268

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250