JP2019051518A - Hydrogen treatment device - Google Patents

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Toshihiro Yoshii
敏浩 吉井
基茂 柳生
Motoshige Yagyu
基茂 柳生
美香 田原
Mika Tawara
美香 田原
雅人 岡村
Masahito Okamura
雅人 岡村
重広 味森
Shigehiro Mishin
重広 味森
雅士 田邊
Masashi Tanabe
雅士 田邊
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Abstract

To provide a hydrogen treatment device which can reduce thermal damage caused by reaction heat by smoothly treating hydrogen contained in treated gas while suppressing oxygen from freeing from a reaction material.SOLUTION: A hydrogen treatment device 50 removes hydrogen contained in gas by passing through a reaction part 80 structured of a reaction material in which introduced gas reacts with the hydrogen, and is provided with a housing for including the reaction part 80, an inlet part for introducing the gas in the housing, and an outlet part for guiding the gas, which is introduced to the housing and passes through the rection part 80, to an external of the housing. The reaction part 80 is structured by arranging in a state that a dummy material 84 which does not react with the hydrogen is mixed with the reaction material 81.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明の実施形態は、ガス中に含まれる水素を除去する水素処理装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a hydrogen treatment apparatus that removes hydrogen contained in a gas.

原子力プラントでは、原子炉炉心を収容する原子炉圧力容器を原子炉格納容器に格納している。原子炉格納容器には、原子炉圧力容器を包囲する上部ドライウェルと下部ドライウェル、および、上部ドライウェルとベント管を介して接続され内部に水を貯蔵したサプレッションプールを備えたウェットウェルが形成されている。また、原子炉圧力容器を包囲して生体遮蔽壁が設置されている。   In a nuclear power plant, a reactor pressure vessel that houses a reactor core is stored in a reactor containment vessel. The reactor containment vessel has an upper dry well and a lower dry well that surround the reactor pressure vessel, and a wet well with a suppression pool that is connected to the upper dry well via a vent pipe and stores water inside. Has been. In addition, a biological shielding wall is installed surrounding the reactor pressure vessel.

上記のような構成の原子炉格納容器において、原子炉事故が発生すると、原子炉格納容器内に水素が発生する。例えば、原子炉圧力容器に接続された主蒸気管等が万一破断した場合、原子炉格納要容器内の上部ドライウェルに高温・高圧の原子炉一次冷却材(水)が放出され、上部ドライウェル内の圧力・温度が急激に上昇する。   In the reactor containment vessel configured as described above, when a nuclear accident occurs, hydrogen is generated in the reactor containment vessel. For example, if the main steam pipe connected to the reactor pressure vessel breaks, high temperature and high pressure reactor primary coolant (water) is discharged into the upper dry well in the reactor containment vessel, and the upper dry tube The pressure and temperature in the well rise rapidly.

上部ドライウェル内の気体と混合して、ベント管を通してサプレッションプールにおいて吸収される。原子炉圧力容器には内には非常用炉心冷却系によりサプレッションプールの水が注入されて炉心が冷却されるが、この冷却水は長期的には炉心から崩壊熱を吸収し、破断した配管の破断口からドライウェルへ流出される。このため、上部ドライウェル内の圧力・温度は常にウェットウェルよりも高い状態となる。   It mixes with the gas in the upper dry well and is absorbed in the suppression pool through the vent tube. The reactor pressure vessel is filled with water from the suppression pool by the emergency core cooling system to cool the core, but this cooling water absorbs the decay heat from the core for a long time and It flows out from the break opening to the dry well. For this reason, the pressure and temperature in the upper dry well are always higher than the wet well.

このような長期的な事象下で、軽水炉型原子力発電所の原子炉内では冷却材である水が放射分解され、水素ガスと酸素ガスが発生する。さらに、燃料被覆管の温度が上昇する場合には水蒸気と燃料被覆管材料のジルコニウムとの間で反応(Metal−Water反応)が生じ、短時間で水素ガスが発生する。   Under such a long-term event, in the reactor of a light water reactor type nuclear power plant, water as a coolant is radioactively decomposed to generate hydrogen gas and oxygen gas. Further, when the temperature of the fuel cladding tube rises, a reaction (Metal-Water reaction) occurs between the water vapor and the zirconium of the fuel cladding tube material, and hydrogen gas is generated in a short time.

こうして発生する水素ガスが破断した配管の破断口から原子炉格納容器内に放出され、原子炉格納容器内の水素ガス濃度は次第に上昇する。また、水素ガスは非凝縮性であるから、原子炉格納容器内の圧力も上昇する。   The hydrogen gas generated in this way is discharged into the reactor containment vessel from the fractured port of the broken pipe, and the hydrogen gas concentration in the reactor containment vessel gradually increases. Moreover, since hydrogen gas is non-condensable, the pressure in the reactor containment vessel also increases.

このような水素ガスが発生し、原子炉格納容器内の水素濃度が上昇する事態に対して、何等有効な対策を採ることができずに水素ガス濃度が4vol%かつ酸素濃度が5vol%以上に上昇した場合、すなわち可燃性ガスとしての水素ガスの濃度が可燃限界を超えた場合、気体は可燃状態となる。さらに、水素ガス濃度が上昇すると過剰な反応が発生する可能性が生じる。   For such a situation where hydrogen gas is generated and the hydrogen concentration in the reactor containment vessel increases, no effective measures can be taken and the hydrogen gas concentration is increased to 4 vol% and the oxygen concentration is increased to 5 vol% or more. When it rises, that is, when the concentration of hydrogen gas as the combustible gas exceeds the combustible limit, the gas becomes combustible. Furthermore, when the hydrogen gas concentration increases, there is a possibility that an excessive reaction occurs.

可燃性ガスである水素ガスが可燃状態となる等の事態を防止する有効な対策としては、例えば、従来の沸騰水型原子力発電設備の場合には、圧力抑制式の原子炉格納容器内を窒素ガスで置換し酸素濃度を低く維持することがある。このような対策を実践可能な装置等を導入することにより、Metal−Water反応により短時間で大量に発生する水素ガスに対しても原子炉格納容器内が可燃性雰囲気となることを防止し、固有の安全性が達成される。   For example, in the case of a conventional boiling water nuclear power generation facility, an effective measure for preventing a situation where hydrogen gas, which is a flammable gas, becomes a flammable state, It may be replaced with gas to keep the oxygen concentration low. By introducing equipment that can implement such measures, the reactor containment vessel is prevented from becoming a flammable atmosphere even for hydrogen gas generated in large quantities in a short time by the Metal-Water reaction. Inherent safety is achieved.

また、他の対策例としては、再結合器およびブロアを有する可燃性ガス濃度抑制装置を原子炉格納容器外に設置することである。可燃性ガス濃度抑制装置は、原子炉格納容器内の気体を原子炉格納容器外に吸引し、昇温させて水素ガスと酸素ガスを再結合させて水に戻し、残りの気体を冷却してから原子炉格納容器内へ戻すように動作する装置である。このように動作する可燃性ガス濃度抑制装置を設置することで、原子炉格納容器内の可燃性ガス濃度上昇が抑制される。   Another countermeasure example is to install a combustible gas concentration suppressing device having a recombiner and a blower outside the reactor containment vessel. The flammable gas concentration suppression device sucks the gas in the reactor containment vessel out of the reactor containment vessel, raises the temperature, recombines hydrogen gas and oxygen gas, returns them to water, and cools the remaining gas. Is a device that operates to return to the reactor containment. By installing the combustible gas concentration suppressing device that operates in this manner, an increase in the combustible gas concentration in the reactor containment vessel is suppressed.

さらに、上述の対策(装置)とは異なる別の対策例としては、外部電源を必要とせず、静的に可燃性ガス濃度を抑制する装置が提案されている。外部電源を必要とせず、静的に可燃性ガス濃度を抑制する技術の例として、例えば、水素の酸化触媒を用いて再結合反応を促進させる触媒式再結合装置を原子炉格納容器内に複数設置する技術や、活性金属を用いて水素を処理する技術等がある。   Furthermore, as another countermeasure example different from the above countermeasure (apparatus), an apparatus that statically suppresses the combustible gas concentration without requiring an external power supply has been proposed. As an example of a technique for statically reducing the concentration of combustible gas without requiring an external power source, for example, a plurality of catalytic recombination devices that promote a recombination reaction using a hydrogen oxidation catalyst are contained in a reactor containment vessel. There are technologies to install and technologies to treat hydrogen using active metals.

特開2005−3371号公報JP 2005-3371 A

Metal−Water反応によって大量の水素が発生する事象下において、上述の水素と酸素の再結合による従来の水素処理技術では、低酸素状態で水素の除去を行うことが困難である。水素除去ができない場合、格納容器内圧力を低減することができず、事故を収束に導くことが困難となる。この場合、現行のシステムでは格納容器内雰囲気を環境に放出して格納容器内圧力を低減し、事故を収束することが計画されているが、同時に放射性廃棄物を環境に放出するリスクを少なからず負うことになる。そこで、酸素濃度が低く再結合を行うのが難しい低酸素状態下においても、水素除去処理される水素を含有するガス(以下、「被処理ガス」と称する。)から水素を除去する方法として、水素吸蔵合金を利用する技術が提案されている。   Under the event that a large amount of hydrogen is generated by the Metal-Water reaction, it is difficult to remove hydrogen in a low oxygen state by the above-described conventional hydrogen treatment technique by recombination of hydrogen and oxygen. When hydrogen cannot be removed, the pressure in the containment vessel cannot be reduced, and it becomes difficult to lead the accident to convergence. In this case, the current system is planned to release the atmosphere in the containment vessel to reduce the pressure in the containment vessel and converge the accident, but at the same time there is a considerable risk of releasing radioactive waste into the environment. Will bear. Therefore, as a method of removing hydrogen from a gas containing hydrogen to be subjected to hydrogen removal treatment (hereinafter referred to as “treated gas”) even in a low oxygen state where oxygen concentration is low and recombination is difficult, A technique using a hydrogen storage alloy has been proposed.

しかしながら、水素吸蔵合金が吸蔵する水素の重量は、例えば、Ti−Feの場合、合金重量の約1.8%と低く、吸蔵量は高々その合金重量の数%程度にすぎない。そのため、水素吸蔵合金を利用する水素除去技術を用いて、原子炉の過酷事故発生時のような大量に水素が発生する事態に対処するためには、膨大な量の水素吸蔵合金が必要となり、現実的には適用が困難という点で課題がある。   However, the weight of the hydrogen occluded by the hydrogen occlusion alloy is, for example, about 1.8% of the alloy weight in the case of Ti—Fe, and the occlusion amount is only a few percent of the alloy weight at most. Therefore, a huge amount of hydrogen storage alloy is required to cope with the situation where hydrogen is generated in large quantities, such as when a severe nuclear reactor accident occurs, using hydrogen removal technology that uses a hydrogen storage alloy. In reality, there is a problem in that it is difficult to apply.

また、被処理ガスから水素を除去する別な方法として、水素/酸素反応を促進する触媒を下段に、水素/窒素反応を促進する触媒を上段に設置して、水素を除去する方法も提案されている。   As another method for removing hydrogen from the gas to be treated, a method for removing hydrogen by placing a catalyst for promoting the hydrogen / oxygen reaction at the lower stage and a catalyst for promoting the hydrogen / nitrogen reaction at the upper stage has been proposed. ing.

しかしながら、原子炉の過酷事故発生から数時間では、原子炉格納容器内は酸素が少ないため、触媒を処理材とする水素除去技術は必ずしも十分な効果を発揮し得ない点で課題がある。   However, within a few hours after the occurrence of a severe nuclear reactor accident, there is little oxygen in the reactor containment vessel, so there is a problem in that the hydrogen removal technology using the catalyst as a treatment material cannot always exhibit a sufficient effect.

一方、水素を除去処理する処理材(水素との反応材)として、例えば、酸化銅(CuO)、過酸化マンガン(Mn)、酸化コバルト(Co)等の金属酸化物、過酸化物イオン(O 2−)と金属とで構成される塩である金属過酸化物等の複数の酸化数を取り得る金属酸化物中の高次の酸化数を持つ材料を用い、水素を酸化させることによって水素を除去する技術も提案されている。この技術では、反応材として金属過酸化物を用いる場合にはもちろんのこと、金属酸化物を用いる場合においても、金属酸化物に含まれるOと水素ガスとが結合して水(HO)を生成することできるため、外部からの酸素を必要とすることなく水素を除去することができる利点がある。 On the other hand, as the treated material to remove process hydrogen (reaction material with hydrogen), for example, copper oxide (CuO), peroxide manganese (Mn n O m), metal oxide such as cobalt oxide (Co n O m), Using a material having a higher-order oxidation number in a metal oxide that can take a plurality of oxidation numbers such as a metal peroxide that is a salt composed of peroxide ions (O 2 2− ) and a metal, hydrogen There has also been proposed a technique for removing hydrogen by oxidizing. In this technique, not only when a metal peroxide is used as a reaction material, but also when a metal oxide is used, O and hydrogen gas contained in the metal oxide are combined to form water (H 2 O). Therefore, there is an advantage that hydrogen can be removed without requiring oxygen from the outside.

一般的には、スカンジウム(Sc)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブテン(Mo)、テクネチウム(Tc)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、カドミウム(Cd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、ニオブ(Nb)等から選択される金属過酸化物が反応材として有効である。   Generally, scandium (Sc), titanium (Ti), vanadium (V), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), Zinc (Zn), yttrium (Y), zirconium (Zr), molybdenum (Mo), technetium (Tc), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), cadmium (Cd), hafnium (Hf), tantalum (Ta), A metal peroxide selected from tungsten (W), rhenium (Re), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), niobium (Nb), etc. is effective as the reaction material.

しかしながら、上述した金属過酸化物等を反応材として用いる水素除去技術を原子炉格納容器内の雰囲気に含まれる水素ガスを除去するために適用する場合、低温での水素との反応が良好なマンガン(Mn)系の酸化物は、約280度(℃)になると酸素の遊離が生じる性質がある。従って、酸素の遊離が生じる酸素遊離温度(約280℃)以上の環境下では、Mn系の酸化物が不活性化されている原子炉格納容器内に酸素を供給することとなるため、好ましくない。   However, when the hydrogen removal technology using the above-described metal peroxide or the like as a reaction material is applied to remove hydrogen gas contained in the atmosphere in the reactor containment vessel, manganese that has a good reaction with hydrogen at a low temperature The (Mn) -based oxide has a property that oxygen is liberated at about 280 degrees (° C.). Therefore, in an environment of an oxygen release temperature (about 280 ° C.) or higher where oxygen release occurs, oxygen is supplied into the reactor containment vessel in which the Mn-based oxide is inactivated, which is not preferable. .

酸素が供給される事態を回避するためには、温度が上昇しても酸素の遊離を生じない反応材の適用が有効である。温度が上昇しても酸素の遊離を生じない材料としては、銅(Cu)の酸化物がある。ところが、Cuの酸化物は、低温での反応速度が低くいため、水素との反応材の全てをCuの酸化物とすることは、大量の水素除去を必要とする環境下での装置適用を想定した場合に不利となる。   In order to avoid a situation in which oxygen is supplied, it is effective to use a reaction material that does not release oxygen even when the temperature rises. An example of a material that does not release oxygen even when the temperature rises is copper (Cu) oxide. However, since the reaction rate of Cu oxide is low at low temperatures, it is assumed that all of the reactants with hydrogen are made of Cu oxide is applied to an apparatus in an environment that requires a large amount of hydrogen removal. It will be disadvantageous if you do.

また、Cuの酸化物は、水素との反応熱が大きいため、水素と反応すると処理材(反応材)の温度が高くなる性質がある。従って、低温での反応速度の低さを補うために、低温での反応が良好な材料としてMn系の酸化物を用いる場合には、前記酸素の遊離を如何に抑制するかが重要である。   Further, since the Cu oxide has a large heat of reaction with hydrogen, the temperature of the treatment material (reaction material) becomes high when it reacts with hydrogen. Therefore, in order to compensate for the low reaction rate at low temperature, it is important how to suppress the liberation of oxygen when a Mn-based oxide is used as a material having a good reaction at low temperature.

さらに、処理材(反応材)が水素と反応し、水素が酸化して水となる際には、反応熱が生じるため、処理材を封入した容器自体の温度が上昇する。処理材を封入した容器の温度上昇は当該容器の構造安全性を低下させ得るため、好ましくない。   Further, when the treatment material (reaction material) reacts with hydrogen and the hydrogen is oxidized to become water, reaction heat is generated, so that the temperature of the container itself enclosing the treatment material rises. An increase in the temperature of the container in which the treatment material is enclosed is not preferable because the structural safety of the container can be lowered.

一方、容器に封入される処理材を効率的に使用するためには、処理材と反応させる被処理ガスが容器内に流入する流入口から急峻に温度を上昇させることが求められる。   On the other hand, in order to efficiently use the processing material enclosed in the container, it is required to rapidly increase the temperature from the inlet where the gas to be processed that reacts with the processing material flows into the container.

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、反応材からの酸素遊離を抑えつつ被処理ガスに含まれる水素をスムーズに処理し、反応熱に起因する熱損傷を低減可能な水素処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and can smoothly treat hydrogen contained in a gas to be treated while suppressing oxygen release from a reaction material, and can reduce thermal damage caused by reaction heat. An object is to provide a processing apparatus.

また、本発明の実施形態に係る水素処理装置は、上述した課題を解決するため、導入されたガスが水素と反応する反応材で構成される反応部を通過することで前記ガスに含まれる水素を除去する水素処理装置であって、前記反応部を内包する筐体と、前記筐体に前記ガスを導入する入口部と、前記筐体に導入されて前記反応部を通過した前記ガスを前記筐体外へ導く出口部と、を備え、前記反応部は、前記反応材に水素と反応しないダミー材を混在させた状態で配置して構成されることを特徴とする。   In addition, in order to solve the above-described problem, the hydrogen treatment apparatus according to the embodiment of the present invention passes hydrogen through a reaction unit composed of a reaction material that reacts with hydrogen, and hydrogen contained in the gas. A casing that contains the reaction part, an inlet part that introduces the gas into the casing, and the gas that has been introduced into the casing and passed through the reaction part. And an outlet portion that leads to the outside of the housing, wherein the reaction portion is arranged and arranged in a state where a dummy material that does not react with hydrogen is mixed in the reaction material.

本発明の実施形態によれば、反応材からの酸素遊離を抑えつつ被処理ガスに含まれる水素をスムーズに処理し、反応熱に起因する熱損傷を低減することができる。   According to the embodiment of the present invention, hydrogen contained in the gas to be processed can be smoothly processed while suppressing oxygen liberation from the reaction material, and thermal damage caused by reaction heat can be reduced.

本発明の実施形態に係る水素処理装置の適用例を示す概略図。Schematic which shows the example of application of the hydrogen processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る水素処理装置の構成例を示す概略図。Schematic which shows the structural example of the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る水素処理装置が具備する反応材モジュールの反応材収容体の構成例(第1の構成例)を示す概略図。Schematic which shows the structural example (1st structural example) of the reaction material container of the reaction material module which the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention comprises. 本発明の実施形態に係る水素処理装置に適用し得る反応材と、反応速度、酸素遊離の有無、および反応時の発熱量との関係を示す説明図(表)。Explanatory drawing (table | surface) which shows the relationship between the reaction material which can be applied to the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention, reaction rate, the presence or absence of oxygen release, and the emitted-heat amount at the time of reaction. 本発明の実施形態に係る水素処理装置に適用し得る反応材と反応速度との関係を示す説明図(グラフ)。Explanatory drawing (graph) which shows the relationship between the reaction material and reaction rate which can be applied to the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る水素処理装置が具備する反応材モジュールの反応材収容体の構成例(第2の構成例)を示す概略図。Schematic which shows the structural example (2nd structural example) of the reaction material container of the reaction material module which the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention comprises. 本発明の実施形態に係る水素処理装置が具備する反応材モジュールの反応材収容体の構成例(第3の構成例)を示す概略図。Schematic which shows the structural example (3rd structural example) of the reaction material container of the reaction material module which the hydrogen treatment apparatus which concerns on embodiment of this invention comprises.

以下、本発明の実施形態に係る水素処理装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明においては、上、下、左、右等の方向を示す言葉は、図示した状態または通常の使用状態を基準とする。   Hereinafter, a hydrogen treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, words indicating directions such as up, down, left, and right are based on the illustrated state or the normal use state.

本発明の実施形態に係る水素処理装置では、水素を除去する技術として、金属酸化物または過酸化物イオン(O 2−)と金属とで構成される塩である金属過酸化物等の複数の酸化数を取り得る金属酸化物中の高次の酸化数を持つ材料を反応材として用い、水素を酸化させることによって水素を消費(除去)する技術を採用する。反応材として金属過酸化物を用いて被処理ガスに含有する水素を除去する技術は、金属過酸化物自体に含まれる酸素を利用するため、外部の酸素を必要とすることなく被処理ガスから水素を除去することができるという利点がある。なお、反応材として金属酸化物を用いる場合においても、金属酸化物に含まれるOと水素ガスとが結合して水(HO)を生成することできる。 In the hydrogen treatment apparatus according to the embodiment of the present invention, as a technique for removing hydrogen, a plurality of metal peroxides such as a metal oxide or a salt composed of a peroxide ion (O 2 2− ) and a metal are used. A material that consumes (removes) hydrogen by oxidizing a hydrogen using a material having a higher-order oxidation number in a metal oxide that can take a certain oxidation number is employed. The technology for removing hydrogen contained in the gas to be treated using a metal peroxide as a reaction material uses oxygen contained in the metal peroxide itself, so that it does not require external oxygen from the gas to be treated. There is an advantage that hydrogen can be removed. Note that even when a metal oxide is used as the reaction material, water (H 2 O) can be generated by combining O and hydrogen gas contained in the metal oxide.

続いて、本発明の実施形態に係る水素処理装置について、本発明の実施形態に係る水素処理装置を原子炉格納容器1(図1)の雰囲気から水素を除去する際に適用する場合を例示して説明する。   Subsequently, for the hydrogen treatment apparatus according to the embodiment of the present invention, a case where the hydrogen treatment apparatus according to the embodiment of the present invention is applied when removing hydrogen from the atmosphere of the reactor containment vessel 1 (FIG. 1) is illustrated. I will explain.

図1は、本発明の実施形態に係る水素処理装置の一例である水素処理装置50の適用例(原子炉格納容器1の雰囲気から水素を除去するために水素処理装置50を適用する場合の一例)を示す概略図である。   FIG. 1 shows an application example of a hydrogen treatment apparatus 50 that is an example of a hydrogen treatment apparatus according to an embodiment of the present invention (an example in which the hydrogen treatment apparatus 50 is applied to remove hydrogen from the atmosphere of the reactor containment vessel 1. ).

ここで、図1に示される各構成は、それぞれ、原子炉格納容器1、炉心2、原子炉圧力容器3、生体遮蔽壁4、上部ドライウェル5、下部ドライウェル6、ウェットウェル7、ベント管8、サプレッションプール9、主蒸気管11、安全弁12、および真空破壊弁13である。   Here, each configuration shown in FIG. 1 includes a reactor containment vessel 1, a core 2, a reactor pressure vessel 3, a biological shielding wall 4, an upper dry well 5, a lower dry well 6, a wet well 7, and a vent pipe. 8, a suppression pool 9, a main steam pipe 11, a safety valve 12, and a vacuum breaker valve 13.

水素処理装置50は、例えば、原子炉格納容器1と供給配管51および戻り配管52を介して連結される。また、供給配管51には水素除去処理される雰囲気ガス(被処理ガス)15を水素処理装置50内に導くと共に水素処理装置50内で水素除去処理後の雰囲気ガス(以下、「処理済ガス」と称する。)16を水素処理装置50外へ送出するポンプ53が設けられる。   The hydrogen treatment apparatus 50 is connected to the reactor containment vessel 1 through a supply pipe 51 and a return pipe 52, for example. Further, an atmosphere gas (processed gas) 15 to be subjected to hydrogen removal treatment is introduced into the supply pipe 51 into the hydrogen treatment apparatus 50 and the atmosphere gas after hydrogen removal treatment in the hydrogen treatment apparatus 50 (hereinafter referred to as “treated gas”). A pump 53 for sending 16 to the outside of the hydrogen treatment apparatus 50 is provided.

さらに、供給配管51および戻り配管52には、それぞれ、流路の開閉状態を切り替える開閉弁54が設けられる。開閉弁54は、水素除去が不要な場合、すなわち、原子炉が通常に運用されている場合には閉じており、Metal−Water反応によって大量の水素が発生する事象が生じた場合等、水素処理装置50を稼動させる必要が生じた場合に開かれる。
図2は水素処理装置50の構成例を示す概略図である。
Furthermore, the supply pipe 51 and the return pipe 52 are each provided with an on-off valve 54 for switching the open / close state of the flow path. The on-off valve 54 is closed when hydrogen removal is not necessary, that is, when the nuclear reactor is normally operated, and a hydrogen treatment is performed when an event in which a large amount of hydrogen is generated by the Metal-Water reaction occurs. Opened when the device 50 needs to be activated.
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration example of the hydrogen treatment apparatus 50.

水素処理装置50は、水素除去手段として、供給配管51および戻り配管52と連結される筐体55内に反応材モジュール60を具備する。   The hydrogen treatment apparatus 50 includes a reaction material module 60 in a housing 55 connected to a supply pipe 51 and a return pipe 52 as a hydrogen removing unit.

また、反応材モジュール60は、反応材を通気可能に収容し、各々が独立した1個の流路を形成する反応材収容体70(70A,70B,70C等)を複数個備えており、ガス流入側(図2において下側)とガス流出側(図2において上側)には、それぞれ、筐体55内で反応材収容体70を支持する下部支持板63および上部支持板64が設けられる。   The reaction material module 60 includes a plurality of reaction material containers 70 (70A, 70B, 70C, etc.) that contain the reaction material in a breathable manner and each form an independent flow path. On the inflow side (lower side in FIG. 2) and the gas outflow side (upper side in FIG. 2), a lower support plate 63 and an upper support plate 64 that support the reaction material container 70 in the housing 55 are provided.

反応材収容体70は、管状の収容容器の両端面(上面および下面)に通気可能な蓋が取り付けられており、内部に水素と反応する反応材で構成される反応部が収容されている。水素処理装置50において、反応材収容体70は、下面を流入口とし上面を流出口とする1個の流路を形成する。   The reaction material container 70 has air permeable lids attached to both end surfaces (upper surface and lower surface) of a tubular container, and a reaction portion made of a reaction material that reacts with hydrogen is accommodated therein. In the hydrogen treatment apparatus 50, the reaction material container 70 forms one flow path having the lower surface as an inlet and the upper surface as an outlet.

下部支持板63および上部支持板64は、例えば、筐体55の側壁の内周面と接する複数の貫通孔が設けられた多孔板であり、各貫通孔の箇所に反応材収容体70が配設される。また、各反応材収容体70と下部支持板63(各貫通孔)との間は適宜シール部材が取り付けられる。従って、筐体55の内部に導入される被処理ガス15は、漏れなく反応材モジュール60(より詳細には反応材収容体70)の内部に導入される。   The lower support plate 63 and the upper support plate 64 are, for example, perforated plates provided with a plurality of through holes in contact with the inner peripheral surface of the side wall of the housing 55, and the reaction material container 70 is disposed at each through hole. Established. In addition, a seal member is appropriately attached between each reaction material container 70 and the lower support plate 63 (each through hole). Therefore, the gas 15 to be processed introduced into the housing 55 is introduced into the reaction material module 60 (more specifically, the reaction material container 70) without leakage.

上部支持板64は、下部支持板63と同様の多孔板であるが、各貫通孔には、各反応材収容体70が加熱されて熱膨張した際に、熱膨張を逃がせるようクリアランス(隙間)が設定されている。   The upper support plate 64 is a porous plate similar to the lower support plate 63, but a clearance (gap) is provided in each through hole so that the thermal expansion can be released when each reaction material container 70 is heated and thermally expanded. ) Is set.

続いて、反応材モジュール60の反応材収容体70(70A〜70C等)を幾つか例示し、より詳細に説明する。   Subsequently, some of the reaction material containers 70 (70A to 70C, etc.) of the reaction material module 60 are illustrated and described in more detail.

図3は、水素処理装置50が具備する反応材モジュール60(図2)の反応材収容体70の構成例を示す概略図であり、より詳細には、反応材収容体70の第1構成例である第1の反応材収容体70Aを示す概略図である。   FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration example of the reaction material container 70 of the reaction material module 60 (FIG. 2) included in the hydrogen treatment apparatus 50, and more specifically, a first configuration example of the reaction material container 70. It is the schematic which shows 70 A of 1st reaction material accommodating bodies which are.

反応材収容体70としての反応材収容体70Aは、管状の収容容器71の内部に水素と反応する反応部80が収容されており、収容容器71の両端面(上面および下面)に通気可能な蓋72が取り付けられている。反応部80は、水素と反応する反応材を包含する反応層をガスの流れ方向(軸方向)に少なくとも1層有して構成される。収容容器71内に設けられている仕切部73は、反応部80が多層構造の場合に各反応層(または反応層内の各領域)を仕切るとともにガスを通気させる役割を担う。仕切部73は、例えば、多孔板、網目等で構成される。   The reaction material container 70 </ b> A as the reaction material container 70 has a reaction part 80 that reacts with hydrogen inside a tubular container 71, and can ventilate both end surfaces (upper surface and lower surface) of the container 71. A lid 72 is attached. The reaction unit 80 is configured to have at least one reaction layer including a reaction material that reacts with hydrogen in the gas flow direction (axial direction). The partition part 73 provided in the storage container 71 plays a role of partitioning each reaction layer (or each region in the reaction layer) and venting gas when the reaction part 80 has a multilayer structure. The partition part 73 is comprised with a perforated plate, a mesh, etc., for example.

反応材収容体70では、反応部80で生じる水素との反応を制御する反応調整手段が反応部80に設定されている。反応調整手段が有する少なくとも一つの制御因子を調整することによって、反応部80で生じる水素との反応は活性化されたり抑制化されたりして制御される。   In the reaction material container 70, reaction adjusting means for controlling the reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80 is set in the reaction unit 80. By adjusting at least one control factor of the reaction adjusting means, the reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80 is controlled by being activated or suppressed.

反応部80の制御因子としては、例えば、反応部80を構成する反応材81,82,83の配置構成(大きさ、材料種類、並び等)、反応材81,82,83と共に収容される水素と反応しない非反応材(以下、「ダミー材」と称する。)84の混合率(全体に対してダミー材の占める比率)、反応材81,82,83に添加され形態を安定化させる結合材(水素とは反応しない)の全体に対する割合等がある。   Control factors of the reaction unit 80 include, for example, the arrangement configuration (size, material type, arrangement, etc.) of the reaction materials 81, 82, and 83 that constitute the reaction unit 80, and hydrogen accommodated together with the reaction materials 81, 82, and 83. A non-reactive material (hereinafter referred to as “dummy material”) 84 that does not react with the reaction material 81 (the ratio of the dummy material to the whole), and a binder that is added to the reaction materials 81, 82, 83 to stabilize the form There is a ratio to the whole (which does not react with hydrogen).

反応材収容体70Aでは、例えば、3個の通気可能な仕切部73が設けられており、1個は、第1の反応層85を、ガスの通気方向(収容容器71の軸方向)に対して、上流(流入口)側に位置する第1の領域85aと、第1の領域85aの下流(流入口)側に位置する第2の領域85bとに仕切る一方、残りの2個は、それぞれ、第1の反応層85(85a,85b)と第2の反応層86、および第2の反応層86と第3の反応層87とを仕切っている。   In the reaction material container 70A, for example, three gas-permeable partition portions 73 are provided. One of the reaction material containers 70A moves the first reaction layer 85 in the gas ventilation direction (the axial direction of the container 71). The first region 85a located on the upstream (inlet) side and the second region 85b located on the downstream (inlet) side of the first region 85a, while the remaining two are respectively The first reaction layer 85 (85a, 85b) and the second reaction layer 86, and the second reaction layer 86 and the third reaction layer 87 are partitioned.

このような仕切部73を設けることによって、第1の反応材収容体70Aの内部では仕切部73が各反応層85(85a,85b),86,87の境界を形成し、反応部80が多層状に維持される。また、第1の反応層85においては、第1の領域85aと第2の領域85bとの境界を形成し、第1の反応層85に設けられる二つの領域85a,85bが区分けされたまま(それぞれ粒径の異なる第1の反応材81a,81bが混ざり合うことなく)維持される。   By providing such a partitioning portion 73, the partitioning portion 73 forms a boundary between the reaction layers 85 (85a, 85b), 86, 87 inside the first reaction material container 70A, and the reaction portion 80 has many. Maintained in layers. Further, in the first reaction layer 85, a boundary between the first region 85a and the second region 85b is formed, and the two regions 85a and 85b provided in the first reaction layer 85 remain separated ( The first reaction materials 81a and 81b having different particle sizes are maintained without being mixed with each other.

このようにして、図3に例示される第1の反応材収容体70A内には、それぞれ、第1,2,3の反応材81,82,83で構成される第1,2,3の反応層85,86,87をガスの通気方向(収容容器71の軸方向)に対して積層した3層構造の反応部80が収容される。すなわち、図3に例示される第1の反応材収容体70Aでは、反応部80が多層化されて構成されている。   In this manner, the first, second, and third reaction materials 81, 82, and 83 are respectively included in the first reaction material container 70A illustrated in FIG. A reaction unit 80 having a three-layer structure in which the reaction layers 85, 86, and 87 are stacked in the gas ventilation direction (the axial direction of the container 71) is accommodated. That is, in the first reaction material container 70 </ b> A illustrated in FIG. 3, the reaction unit 80 is configured to be multilayered.

なお、反応部80が多層状に構成されるのは、各反応層85(85a,85b),86,87で役割(機能)を分担するためであり、反応部80で生じる水素との反応具合を調整可能にするためである。反応部80で生じる水素との反応具合は、例えば、各反応層85(85a,85b),86,87における反応材81,82,83の選択や各反応層85(85a,85b),86,87のガス通気方向(収容容器71の軸方向)に対する長さ等、各反応層85(85a,85b),86,87が反応に関与する程度を調整することによって調整することができる。   The reason why the reaction unit 80 is formed in a multilayer shape is to share the role (function) in each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87, and the reaction condition with hydrogen generated in the reaction unit 80. This is to make adjustment possible. The reaction condition with hydrogen generated in the reaction unit 80 is, for example, the selection of the reaction material 81, 82, 83 in each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87 or the reaction layer 85 (85a, 85b), 86, It can be adjusted by adjusting the degree of the reaction layers 85 (85a, 85b), 86, 87 involved in the reaction, such as the length of the gas flow direction of 87 (the axial direction of the container 71).

従って、第1,2,3の反応層85,86,87で多層化される構成等の第1,2,3の反応材81,82,83の順で積層される反応部80の配置構成は、反応部80の制御因子の一つとなる。   Therefore, the arrangement configuration of the reaction unit 80 stacked in the order of the first, second, and third reaction materials 81, 82, and 83, such as a configuration in which the first, second, and third reaction layers 85, 86, and 87 are multilayered Is one of the control factors of the reaction unit 80.

反応部80を構成する反応材81,82,83は、それぞれ、異なる物質からなる金属過酸化物の反応材である。反応材81,82,83は、安定的な反応の再現性や反応材収容体70内の反応の調整容易性等の観点から略同形状に形成される。反応材81,82,83は、例えば、球、柱体、錐体、多面体等の加工が容易で形状再現性の良好な略同形状に形成される。本実施形態では、一例として、球状に造粒された金属過酸化物の粒子に、反応材81,82,83は形成される。   The reaction materials 81, 82, and 83 constituting the reaction unit 80 are metal peroxide reaction materials made of different substances. The reaction materials 81, 82, 83 are formed in substantially the same shape from the viewpoint of stable reproducibility of reaction and ease of adjustment of reaction in the reaction material container 70. For example, the reaction materials 81, 82, and 83 are formed into substantially the same shape that can be easily processed into a sphere, a column, a cone, a polyhedron, and the like and that has good shape reproducibility. In the present embodiment, as an example, the reactants 81, 82, and 83 are formed on metal peroxide particles that are granulated in a spherical shape.

なお、第1,2,3の反応層85,86,87を構成する第1,2,3の反応材81,82,83は、各反応層85,86,87において被処理ガス15が通風するための適度な通気性(一つの目安として各反応層85,86,87の空隙率が30%未満とならない程度)を確保する必要があるため、必ずしも全てを同形状にする必要はない。一部異なる形状の反応材81,82,83を混在させてもよい。   The first, second, and third reaction materials 81, 82, and 83 constituting the first, second, and third reaction layers 85, 86, and 87 are vented by the gas 15 to be treated in each reaction layer 85, 86, and 87. Therefore, it is necessary to ensure appropriate air permeability (as a guide, the degree of porosity of each reaction layer 85, 86, 87 is not less than 30%), and therefore it is not always necessary to make all the same shape. You may mix the reaction materials 81, 82, and 83 of a partially different shape.

反応部80において、最も上流側に配置される第1の反応層85は、仕切部73によって、その領域が第1,2の領域85a,85bの二つ等の複数領域に分けられている。第1,2の領域85a,85bを有する第1の反応層85は、第1の領域85aに第1の反応材81aが収容され、第2の領域85bに第1の反応材81bが収容されて構成される。第1の領域85aに収容される第1の反応材81aは、第2の領域85bに収容される第1の反応材81bに対して、同じ物質で同じ多孔率であるが、その大きさが小さい反応材で構成される。   In the reaction unit 80, the first reaction layer 85 arranged on the most upstream side is divided into a plurality of regions, such as two regions of the first and second regions 85a and 85b, by the partition unit 73. In the first reaction layer 85 having the first and second regions 85a and 85b, the first reaction material 81a is accommodated in the first region 85a, and the first reaction material 81b is accommodated in the second region 85b. Configured. The first reactant 81a accommodated in the first region 85a is the same substance and has the same porosity as the first reactant 81b accommodated in the second region 85b, but the size is the same. Consists of small reactants.

このように、第1の反応材81(81a,81b)の大きさを変えることで、第1の反応層85における水素との反応時に生じる熱(発熱)による温度上昇速度を変えることができる。より詳細には、第1の反応材81の大きさが小さいほど温度上昇が速く、大きいほど温度上昇が遅くなる。   In this way, by changing the size of the first reaction material 81 (81a, 81b), it is possible to change the rate of temperature rise due to heat (heat generation) generated during the reaction with hydrogen in the first reaction layer 85. More specifically, the smaller the size of the first reaction material 81, the faster the temperature rise, and the larger the size, the slower the temperature rise.

例示の反応材収容体70Aでは、上流側に小さい第1の反応材81aが配置され、続いて、(第1の反応材81aよりも)大きい第1の反応材81bが配置されて第1の反応層85が構成されており、第1の反応材81bだけで第1の反応層85を構成した場合と比較して、第1の反応層85の上流側(第1の領域85a)で素早く温度を上昇させることができる。   In the illustrated reaction material container 70A, a small first reaction material 81a is disposed on the upstream side, and then a first reaction material 81b (larger than the first reaction material 81a) is disposed, and the first reaction material 81a is disposed. Compared with the case where the reaction layer 85 is configured, and the first reaction layer 85 is configured only by the first reaction material 81b, the reaction layer 85 is quickly formed on the upstream side (first region 85a) of the first reaction layer 85. The temperature can be raised.

このように、第1の反応層85の配置構成、すなわち、反応部80において、大きさを変えた第1の反応材81(81a,81b)を配置する反応材81〜83の配置構成は、反応部80で生じる水素との反応を制御する制御因子の一つである。また、上流側に相対的に小さい第1の反応材81aを配置し下流側に相対的に大きい第1の反応材81bを配置する反応材81〜83の配置構成も反応部80で生じる水素との反応を制御する制御因子の一つとなる。   Thus, the arrangement configuration of the first reaction layer 85, that is, the arrangement configuration of the reaction materials 81 to 83 in which the first reaction material 81 (81a, 81b) having a changed size is arranged in the reaction unit 80, This is one of the control factors that control the reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80. Further, the arrangement configuration of the reaction materials 81 to 83 in which the relatively small first reaction material 81 a is disposed on the upstream side and the relatively large first reaction material 81 b is disposed on the downstream side is also the hydrogen generated in the reaction unit 80. It becomes one of the control factors that control the reaction.

なお、ここで使用する反応材81,82,83の大きさとは、体積に相当するものであるが、断面積や底面積等の面積や一辺の長さ等の長さが一義的に決まると必然的に体積も一義的に決まる場合には、面積や長さに置き換えてもよい。例えば、球の場合、半径(または直径)が一義的に決まると体積も一義的に決まるため、半径をもって球状に形成された反応材の大きさを規定してもよい。また、正多面体では、一辺の長さが一義的に決まると必然的に体積も一義的に決まるので、一辺の長さをもって正多面体の大きさを規定してもよい。   In addition, although the magnitude | size of the reaction material 81, 82, 83 used here is corresponded to a volume, when length, such as area, such as a cross-sectional area and a bottom area, and the length of one side, is decided uniquely. If the volume is inevitably determined uniquely, it may be replaced with an area or length. For example, in the case of a sphere, when the radius (or diameter) is uniquely determined, the volume is also uniquely determined. Therefore, the size of the reaction material formed into a sphere with the radius may be defined. In the regular polyhedron, if the length of one side is uniquely determined, the volume is inevitably determined uniquely. Therefore, the size of the regular polyhedron may be defined by the length of one side.

第2の反応層86は、第2の反応材82によって構成され、例示の反応材収容体70Aでは、第1の反応層85(より詳細には第2の領域85b)および第3の反応層87との境界となる仕切部73間に第2の反応材82が収容されて構成される。   The second reaction layer 86 is constituted by the second reaction material 82. In the illustrated reaction material container 70A, the first reaction layer 85 (more specifically, the second region 85b) and the third reaction layer. The second reaction material 82 is accommodated between the partition portions 73 serving as a boundary with 87.

第3の反応層87は、第3の反応材83と、水素と反応しない材料(非反応材)であるダミー材84とによって構成され、例示の反応材収容体70Aでは、第2の反応層86との境界となる仕切部73と収容容器71の蓋72との間に、第3の反応材83およびダミー材84が収容されて構成される。   The third reaction layer 87 includes a third reaction material 83 and a dummy material 84 that is a material that does not react with hydrogen (non-reaction material). In the illustrated reaction material container 70A, the second reaction layer 87 is formed. A third reaction material 83 and a dummy material 84 are accommodated between the partition portion 73 serving as a boundary with 86 and the lid 72 of the accommodation container 71.

ダミー材84は、水素との再結合反応を生じない材料であり、設計上想定される反応部80の最高温度(例えば、約300〜500℃の範囲で設定される)を考慮した温度環境下で物理的に安定的な材料から選択され、例えば、耐熱性の樹脂材料、耐熱性や耐火性に優れたガラス(例えば、二酸化ケイ素(SiO)を主成分とするもの)等から選択される。 The dummy material 84 is a material that does not cause a recombination reaction with hydrogen, and is in a temperature environment in consideration of the maximum temperature of the reaction unit 80 that is assumed in design (for example, set in a range of about 300 to 500 ° C.). And is selected from, for example, a heat-resistant resin material, a glass excellent in heat resistance and fire resistance (for example, silicon dioxide (SiO 2 ) as a main component), and the like. .

このように、第3の反応材83とダミー材84とで構成される第3の反応層87は、ダミー材84が水素と反応しないため、第3の反応層87内のダミー材84の含有率、すなわち、第3の反応材83およびダミー材84の合計量に対するダミー材84の量の比率を変えることで、第3の反応層87で生じる反応熱量を変えることができる。   Thus, the third reaction layer 87 composed of the third reaction material 83 and the dummy material 84 contains the dummy material 84 in the third reaction layer 87 because the dummy material 84 does not react with hydrogen. By changing the rate, that is, the ratio of the amount of the dummy material 84 to the total amount of the third reaction material 83 and the dummy material 84, the amount of reaction heat generated in the third reaction layer 87 can be changed.

従って、第3の反応層87で生じる反応熱量を調整することで、第3の反応層87の温度を調整することができる。より詳細には、ダミー材84の含有率が高くなる程、第3の反応層87で生じる水素との反応熱量を減らすことができ、第3の反応層87の温度上昇を抑えることができる。   Therefore, the temperature of the third reaction layer 87 can be adjusted by adjusting the amount of reaction heat generated in the third reaction layer 87. More specifically, as the content of the dummy material 84 increases, the amount of reaction heat with hydrogen generated in the third reaction layer 87 can be reduced, and the temperature rise of the third reaction layer 87 can be suppressed.

なお、ダミー材84の形状は、ガスの流れに伴う圧損等の条件がなるべく変わらないように、混在させる反応材(図3に例示される第1の反応材収容体70Aでは第3の反応材83)と略同形状に形成されることが好ましい。   In addition, the shape of the dummy material 84 is a reaction material (a third reaction material in the first reaction material container 70 </ b> A illustrated in FIG. 3) so that conditions such as a pressure loss accompanying a gas flow do not change as much as possible. 83).

また、上述した第1の反応材収容体70Aは第3の反応層87にダミー材84が混在している場合を説明した例であるが、他の反応層85,86にダミー材84が混在していてもよい。反応部80の各反応層85,86,87におけるダミー材84の含有率が、ガスの流れ方向に対して上流側から下流側に向かうほど高くなるようにダミー材84を混在させて配置すれば、反応部80の終端側(下流側)での過剰な温度上昇を抑制する効果を高めることができる。   The first reaction material container 70A described above is an example in which the dummy material 84 is mixed in the third reaction layer 87, but the dummy material 84 is mixed in the other reaction layers 85 and 86. You may do it. If the dummy material 84 is mixed and arranged so that the content rate of the dummy material 84 in each reaction layer 85, 86, 87 of the reaction unit 80 increases from the upstream side to the downstream side in the gas flow direction. The effect of suppressing an excessive temperature rise on the terminal side (downstream side) of the reaction unit 80 can be enhanced.

このように、ダミー材84の含有率を調整可能な第3の反応層87の配置構成、すなわち、反応部80において、第3の反応材83にダミー材84を所望の割合で混在させる反応材81〜83の配置構成は、反応部80で生じる水素との反応を制御する制御因子の一つとなる。なお、ダミー材84の材料や大きさも、第1,2,3の反応材81,82,83の材料や大きさと同様に反応部80で生じる水素との反応を制御する制御因子の一つとなる。   As described above, the arrangement configuration of the third reaction layer 87 capable of adjusting the content of the dummy material 84, that is, the reaction material in which the dummy material 84 is mixed in the third reaction material 83 at a desired ratio in the reaction unit 80. The arrangement configuration 81 to 83 is one of control factors for controlling the reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80. Note that the material and size of the dummy material 84 are one of the control factors that control the reaction with hydrogen generated in the reaction section 80 as well as the material and size of the first, second, and third reaction materials 81, 82, and 83. .

続いて、反応部80における、例えば、第1,2,3の反応材81,82,83等で多層化された反応材の配置構成と水素との反応との関係について、図3に示される反応部80を例に説明する。   Next, FIG. 3 shows the relationship between the reaction material arrangement and the reaction configuration of the reaction material layered with, for example, the first, second, and third reaction materials 81, 82, and 83 in the reaction unit 80. The reaction unit 80 will be described as an example.

図4は水素処理装置50に適用し得る反応材と、反応速度、酸素遊離の有無、および反応時の発熱量(水素ガス1kgを処理するに当たり発生する熱量MJ)との関係を示す説明図(表)であり、図5は水素処理装置50(図1,2)に適用し得る反応材と反応速度との関係を示す説明図(グラフ)である。   FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the reaction material that can be applied to the hydrogen treatment apparatus 50, the reaction rate, the presence or absence of oxygen release, and the calorific value during the reaction (the amount of heat MJ generated when treating 1 kg of hydrogen gas). FIG. 5 is an explanatory diagram (graph) showing the relationship between the reaction material and the reaction rate applicable to the hydrogen treatment apparatus 50 (FIGS. 1 and 2).

なお、図4に示される記号「×」、「○」および「◎」は、水素との反応速度を表しており、それぞれ、「遅い」、「普通」および「速い」ことを示す。また、「−」は酸素遊離が生じない(酸素非遊離性の物質である)ことを示す。   The symbols “×”, “◯”, and “「 ”shown in FIG. 4 represent the reaction rate with hydrogen, and indicate“ slow ”,“ normal ”, and“ fast ”, respectively. Further, “−” indicates that oxygen is not released (non-oxygen free substance).

図4に示されるように、反応部80に適用する第1〜3の反応材81〜83の種類によって、水素との反応速度、酸素遊離の有無、および反応時の発熱量等、水素処理の性能が異なる。   As shown in FIG. 4, depending on the types of the first to third reactants 81 to 83 applied to the reaction unit 80, the reaction rate of hydrogen, the presence or absence of oxygen release, and the amount of heat generated during the reaction, etc. The performance is different.

また、図5に示されるように、水素と金属酸化物中の酸素と水素とが再結合する再結合反応の速度は、常温では微少であるが、温度が上昇するにつれて2次関数的に上昇することが知られていることから、常温付近で水素処理を行うよりも、常温よりも高い温度域で水素処理する方がより多くの水素を除去処理することができる点で有利である。   In addition, as shown in FIG. 5, the recombination reaction rate at which hydrogen and oxygen in the metal oxide recombine is small at room temperature, but increases as a quadratic function as the temperature increases. Since it is known, hydrogen treatment at a temperature range higher than normal temperature is advantageous in that more hydrogen can be removed than hydrogen treatment near normal temperature.

その一方で、再結合反応は一般に発熱反応であり、当該反応により生じる反応熱に起因する過剰な温度上昇や急激な温度上昇は、構造物の熱損傷を招き、構造物健全性の観点から好ましくない。また、約280℃以上の温度環境下では、Mn系の酸化物を反応材として使用する場合には酸素の遊離を招き得る。従って、構造物健全性や酸素の遊離を防止する観点から、反応時の温度を必要以上に上昇させることは回避したい要請もある。   On the other hand, the recombination reaction is generally an exothermic reaction, and excessive temperature rise or rapid temperature rise due to reaction heat generated by the reaction causes thermal damage to the structure, which is preferable from the viewpoint of structural soundness. Absent. In addition, in a temperature environment of about 280 ° C. or higher, oxygen may be liberated when an Mn-based oxide is used as a reaction material. Therefore, there is a demand to avoid raising the temperature during the reaction more than necessary from the viewpoint of preventing structural soundness and liberation of oxygen.

これらの事情を考慮すれば、水素処理装置50を設計するにあたり、例えば、反応部80の温度が常温から400℃程度までの範囲内が想定される場合、反応部80は、出来るだけ上流側から(ガス導入口にできるだけ近い位置で)温度を400℃まで上昇させるように構成し、温度が280℃以上となる反応部80内の領域では酸素を遊離しないことが求められる。   Considering these circumstances, when designing the hydrogen treatment apparatus 50, for example, when the temperature of the reaction unit 80 is assumed to be within a range from room temperature to about 400 ° C., the reaction unit 80 is as far as possible from the upstream side. It is required that the temperature is raised to 400 ° C. (at a position as close as possible to the gas inlet), and oxygen is not liberated in the region in the reaction unit 80 where the temperature is 280 ° C. or higher.

そこで、第1の反応材収容体70Aでは、ガスが通気する上流側からなるべく速やかに温度を400℃程度まで上昇させつつ、温度が280℃以上となる反応部80内の領域で酸素を遊離しないことの要求を満足させるべく、一例として、異なる役割(機能)を有する反応層85(85a,85b),86,87による3層構造の反応部80を採用している。   Therefore, in the first reaction material container 70A, the temperature is raised to about 400 ° C. as quickly as possible from the upstream side through which the gas flows, and oxygen is not liberated in the region in the reaction unit 80 where the temperature becomes 280 ° C. or higher. In order to satisfy this requirement, as an example, a reaction unit 80 having a three-layer structure including reaction layers 85 (85a, 85b), 86, and 87 having different roles (functions) is employed.

第1の反応材収容体70A(図3)の一番上流側(図3において下側)に位置する第1の反応層85(85a,85b)としての第1の反応材81(81a,81b)は、被処理ガス15に含まれる水素と反応して水素を消費しつつ、被処理ガス15を昇温する役割を担う。第1の反応層85(85a,85b)に続く第2の反応層86としての第2の反応材82は、昇温された被処理ガス15に含まれる水素と反応して水素を消費しつつ、被処理ガス15をさらに昇温する役割を担う。第2の反応層86に続く第3の反応層87としての第3の反応材83は、昇温された被処理ガス15含まれる水素と反応して水素を消費しつつ、被処理ガス15の過剰な加熱を抑える役割を担う。   The first reaction material 81 (81a, 81b) as the first reaction layer 85 (85a, 85b) located on the most upstream side (lower side in FIG. 3) of the first reaction material container 70A (FIG. 3). ) Plays a role of raising the temperature of the gas 15 to be processed while consuming hydrogen by reacting with the hydrogen contained in the gas 15 to be processed. The second reaction material 82 as the second reaction layer 86 following the first reaction layer 85 (85a, 85b) reacts with the hydrogen contained in the gas 15 to be processed and consumes hydrogen. In addition, it plays a role of further raising the temperature of the gas 15 to be processed. The third reaction material 83 as the third reaction layer 87 following the second reaction layer 86 reacts with the hydrogen contained in the gas to be processed 15 whose temperature has been raised and consumes hydrogen, Plays a role of suppressing excessive heating.

第1の反応層85(85a,85b)は、例えば約230度以下の温度域(図4に示される低温に相当)で反応速度が普通以上となる、反応熱を発生させる反応材、すなわち、低温度域で水素との反応が活性で反応熱を発生させる反応材を用いて構成する。   The first reaction layer 85 (85a, 85b) is, for example, a reaction material that generates heat of reaction with a reaction rate of normal or higher in a temperature range of about 230 ° C. or less (corresponding to the low temperature shown in FIG. 4), that is, The reaction material is composed of a reaction material that is active in reaction with hydrogen at a low temperature range and generates heat of reaction.

第1の反応層85(85a,85b)を形成する反応材の一例としては、二酸化マンガン(MnO)等のMn系の金属酸化物である。なお、Mn系の金属酸化物は、前述したように、約280℃以上の環境下では酸素を遊離してしまうため、被処理ガス15の流れ方向に対する第1の反応層85(85a,85b)の長さは、第1の反応層85(85a,85b)の最下流部での温度が酸素遊離温度(約280℃)に到達しない長さに設定する。 An example of a reaction material that forms the first reaction layer 85 (85a, 85b) is a Mn-based metal oxide such as manganese dioxide (MnO 2 ). Note that, as described above, the Mn-based metal oxide liberates oxygen in an environment of about 280 ° C. or higher. Therefore, the first reaction layer 85 (85a, 85b) with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 is used. Is set to such a length that the temperature at the most downstream portion of the first reaction layer 85 (85a, 85b) does not reach the oxygen release temperature (about 280 ° C.).

その一方で、被処理ガス15の流れ方向に対する第1の反応層85(85a,85b)の長さは、第1の反応層85(85a,85b)の最下流部での温度が、Mn系の金属酸化物の反応速度よりも速くなる(逆転する)他の反応材が選択可能な温度まで昇温できる長さに設定することが好ましい。例えば、図4に示される例では、約230℃以上になるとMnOの反応速度よりもCuOの反応速度の方が速くなるため、第1の反応層85(85a,85b)の最下流部での温度が約230℃以上、かつ、酸素遊離温度(約280℃)に到達しない範囲となるように、被処理ガス15の流れ方向に対する第1の反応層85(85a,85b)の長さを設定する。 On the other hand, the length of the first reaction layer 85 (85a, 85b) with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 is such that the temperature at the most downstream portion of the first reaction layer 85 (85a, 85b) is Mn-based. It is preferable to set the length so that the temperature can be increased to a temperature at which another reaction material that is faster (reverses) than the reaction rate of the metal oxide can be selected. For example, in the example shown in FIG. 4, the reaction rate of CuO becomes higher than the reaction rate of MnO 2 at about 230 ° C. or higher, and therefore in the most downstream portion of the first reaction layer 85 (85a, 85b). The length of the first reaction layer 85 (85a, 85b) with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 is set so that the temperature of the gas is within a range of about 230 ° C. or higher and not reaching the oxygen liberation temperature (about 280 ° C.). Set.

また、図3に例示される反応部80では、反応部80の最上流側に位置する第1の領域85aには相対的に大きさが小さい第1の反応材81aを配置することによって、相対的に大きさが大きい第1の反応材81bのみで第1の反応層85を構成する場合よりも速やかに第1の反応層85の温度を上昇させることを可能にしている。   Further, in the reaction unit 80 illustrated in FIG. 3, the first reaction material 81 a having a relatively small size is disposed in the first region 85 a located on the most upstream side of the reaction unit 80. Therefore, it is possible to raise the temperature of the first reaction layer 85 more quickly than the case where the first reaction layer 85 is configured only by the first reaction material 81b having a large size.

第2の反応層86は、例えば約230度以上の温度域(図4に示される高温に相当)で反応速度が普通以上であり、酸素遊離温度(約280℃)以上の温度となっても酸素を遊離しない反応材を用いて構成される。また、第2の反応層86は、例えば、生じる反応熱が第3の反応層87で生じる反応熱よりも高くなる反応材を用いて構成される。   In the second reaction layer 86, for example, the reaction rate is normal or higher in a temperature range of about 230 ° C. or higher (corresponding to the high temperature shown in FIG. 4), and the oxygen release temperature (about 280 ° C.) or higher. It is configured using a reaction material that does not liberate oxygen. In addition, the second reaction layer 86 is configured using, for example, a reaction material in which the generated reaction heat is higher than the reaction heat generated in the third reaction layer 87.

第2の反応層86を形成する反応材は、第1の反応層85(85a,85b)を形成する反応材との関係では、高温域での反応速度が第1の反応層85(85a,85b)を形成する反応材の反応速度を上回る反応材であることが好ましい。   The reaction material that forms the second reaction layer 86 has a reaction rate in the high temperature range that is higher than that of the first reaction layer 85 (85a, 85b) in relation to the reaction material that forms the first reaction layer 85 (85a, 85b). Preferably, the reaction material exceeds the reaction rate of the reaction material forming 85b).

第2の反応層86を形成する反応材の一例としては、酸化銅(CuO)等の銅(Cu)系の金属酸化物である。Cu系の金属酸化物は、高温域において、Mn系の金属酸化物の反応速度よりも速く、上記第2の反応層86を形成する反応材として好ましい反応材である。   An example of a reaction material that forms the second reaction layer 86 is a copper (Cu) -based metal oxide such as copper oxide (CuO). The Cu-based metal oxide is faster than the reaction rate of the Mn-based metal oxide in a high temperature range, and is a preferable reaction material as the reaction material for forming the second reaction layer 86.

なお、被処理ガス15の流れ方向に対する第2の反応層86の長さは、水素との反応時の温度が、収容容器71、仕切部73、および蓋72を備える反応材収容体70を含めた構造物健全性が維持される温度域となるように設定される。また、被処理ガス15の流れ方向に対する第2の反応層86の長さは、水素との反応時の温度が第2の反応層86での反応速度が第1の反応層85(85a,85b)での反応速度よりも速くなる温度域となるように設定されることが好ましい。   Note that the length of the second reaction layer 86 with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 includes the reaction material container 70 including the container 71, the partition 73, and the lid 72 when the temperature during the reaction with hydrogen is large. The temperature is set so that the soundness of the structure is maintained. Further, the length of the second reaction layer 86 with respect to the flow direction of the gas 15 to be treated is such that the temperature during the reaction with hydrogen is the reaction rate in the second reaction layer 86 is the first reaction layer 85 (85a, 85b). It is preferable that the temperature range is set to be faster than the reaction rate in (1).

第3の反応層87は、例えば、230度以上の温度域(図4に示される高温に相当)で反応速度が普通以上であり、反応熱が第2の反応層86で生じる反応熱に対して低くなる反応材が用いられる。また、過剰な温度上昇を避ける観点から、第3の反応材83の他に適当量のダミー材84を含めることもできる。例示される第3の反応層87では、ダミー材84は、第3の反応材83と同じ領域内に分離されずに配置されている(混在している)が、領域を区切って別々に配置しても良い。   For example, the reaction rate of the third reaction layer 87 is normal or higher in a temperature range of 230 ° C. or higher (corresponding to the high temperature shown in FIG. 4), and the reaction heat is generated with respect to the reaction heat generated in the second reaction layer 86. Reactive materials that are low are used. Further, from the viewpoint of avoiding excessive temperature rise, an appropriate amount of dummy material 84 can be included in addition to the third reaction material 83. In the third reaction layer 87 illustrated, the dummy material 84 is arranged without being separated (mixed) in the same region as the third reaction material 83, but is arranged separately by dividing the region. You may do it.

第3の反応層87を形成する反応材の一例としては、四酸化三コバルト(Co)等のコバルト(Co)系の金属酸化物である。Co系の金属酸化物は、高温域でも、Mn系の金属酸化物と反応速度で遜色なく、酸素の遊離を生じない点で高温域での使用に適している。また、高温域の反応速度はCu系の金属酸化物よりもやや劣るものの、Cu系の金属酸化物よりも発熱量が少なく過剰な温度上昇を避けるのに適している。 An example of a reaction material that forms the third reaction layer 87 is a cobalt (Co) -based metal oxide such as tricobalt tetroxide (Co 3 O 4 ). The Co-based metal oxide is suitable for use in a high-temperature region in that it is inferior to the Mn-based metal oxide at a reaction rate even in a high-temperature region and does not cause oxygen liberation. Further, although the reaction rate in the high temperature range is slightly inferior to that of the Cu-based metal oxide, the calorific value is smaller than that of the Cu-based metal oxide, and it is suitable for avoiding an excessive temperature rise.

なお、上述した第1の反応材収容体70Aは、反応材収容体70の一例であり、他にも反応部80の構成等、種々の構成を採用し得る。例えば、反応部80に水素との反応を制御する制御因子を設定するという共通のコンセプトの下においても種々の構成を採用し得る。そこで、第1の反応材収容体70A以外の反応材収容体70例として、第2の反応材収容体70B(図6)および第3の反応材収容体70C(図7)について説明する。   The first reaction material container 70A described above is an example of the reaction material container 70, and various other structures such as the structure of the reaction unit 80 may be employed. For example, various configurations can be adopted under the common concept of setting a control factor for controlling the reaction with hydrogen in the reaction unit 80. Therefore, as an example of the reaction material container 70 other than the first reaction material container 70A, a second reaction material container 70B (FIG. 6) and a third reaction material container 70C (FIG. 7) will be described.

図6,7は、それぞれ、第1の反応材収容体70A(図3)以外の反応材収容体70の一例である第2の反応材収容体70B(図6)および第3の反応材収容体70C(図7)の構成例を示す概略図である。   6 and 7 respectively show a second reaction material container 70B (FIG. 6) and a third reaction material container that are examples of the reaction material container 70 other than the first reaction material container 70A (FIG. 3). It is the schematic which shows the structural example of body 70C (FIG. 7).

第2の反応材収容体70B(図6)は、第1の反応材収容体70A(図3)に対して、第1の反応層85および第3の反応層87の構成が相違する。また、第3の反応材収容体70C(図7)は、第1の反応材収容体70A(図3)に対して、第3の反応層87の構成が相違する。しかしながら、第2の反応材収容体70Bおよび第3の反応材収容体70Cは、何れも上記相違以外の点に実質的な相違はないので、第2の反応材収容体70Bおよび第3の反応材収容体70Cの説明では、第1の反応材収容体70Aと実質的に相違しない構成要素に同じ符号を付して、重複する説明を省略する。   The structure of the first reaction layer 85 and the third reaction layer 87 of the second reaction material container 70B (FIG. 6) is different from that of the first reaction material container 70A (FIG. 3). Further, the third reaction material container 70C (FIG. 7) is different from the first reaction material container 70A (FIG. 3) in the configuration of the third reaction layer 87. However, since the second reaction material container 70B and the third reaction material container 70C are not substantially different from each other in the above differences, the second reaction material container 70B and the third reaction are not substantially different. In the description of the material container 70C, constituent elements that are not substantially different from the first reaction material container 70A are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

まず、第2の反応材収容体70Bについて説明すれば、第1の反応層85は、第1の領域85aと、第1の領域85aの下流側に位置する第3の領域85cとに分けられる。第3の領域85cには、第1の領域85aに収容される第1の反応材81aの他、ダミー材84が混在して収容される。第3の領域85c内のダミー材84は、第1の反応材81aと略同形状に形成されている。   First, the second reaction material container 70B will be described. The first reaction layer 85 is divided into a first region 85a and a third region 85c located on the downstream side of the first region 85a. . In the third region 85c, the dummy material 84 is mixedly accommodated in addition to the first reaction material 81a accommodated in the first region 85a. The dummy material 84 in the third region 85c is formed in substantially the same shape as the first reaction material 81a.

また、第2の反応材収容体70Bにおける第3の反応層87は、第1の反応材収容体70A(図3)の第3の反応層87に対して、ダミー材84が省かれて(ダミー材84の含有率を0%として)構成されている。つまり、第2の反応材収容体70Bにおいて、第3の反応層87は、ダミー材84を混在させずに第3の反応材83を収容して構成される。   Further, the third reaction layer 87 in the second reaction material container 70B has the dummy material 84 omitted from the third reaction layer 87 in the first reaction material container 70A (FIG. 3) ( The content rate of the dummy material 84 is set to 0%). That is, in the second reaction material container 70 </ b> B, the third reaction layer 87 is configured to accommodate the third reaction material 83 without mixing the dummy material 84.

このように第2の反応材収容体70Bにおける反応部80では、第1の反応層85の第3の領域85cが第1の反応層85の温度上昇を抑える役割を果たしており、第1の反応層85(85a,85c)の最下流部での温度が酸素遊離温度(約280℃)に到達しないように構成されている。   Thus, in the reaction part 80 in the second reaction material container 70B, the third region 85c of the first reaction layer 85 plays a role of suppressing the temperature rise of the first reaction layer 85, and the first reaction. The temperature at the most downstream portion of the layer 85 (85a, 85c) is configured not to reach the oxygen release temperature (about 280 ° C.).

なお、第3の反応層87内にダミー材84が混在していないため、ダミー材84による第3の反応層87の温度上昇を抑える効果は弱まっているが、第3の反応層87の温度が設計上許容される上限温度に対して十分な余裕がある等の事情があれば、第3の反応層87内にダミー材84が混在していなくても特に問題にはならない。   In addition, since the dummy material 84 is not mixed in the third reaction layer 87, the effect of suppressing the temperature increase of the third reaction layer 87 by the dummy material 84 is weakened, but the temperature of the third reaction layer 87 is reduced. However, there is no particular problem even if the dummy material 84 is not mixed in the third reaction layer 87 if there is a sufficient margin with respect to the upper limit temperature allowed in design.

続いて、第3の反応材収容体70C(図7)について説明すると、第3の反応層87は、第1の反応材収容体70A(図3)に対して、第3の反応層87内にダミー材84を混在させる代わりに、粒径を所望の寸法に固定する等、反応材全体の形態を安定化させるとともに自身は水素と反応しない結合材(バインダー)を第3の反応材83に添加して構成される反応材(以下、「加工反応材」とする)93を収容して構成される。   Subsequently, the third reaction material container 70C (FIG. 7) will be described. The third reaction layer 87 is located in the third reaction layer 87 with respect to the first reaction material container 70A (FIG. 3). Instead of mixing the dummy material 84 to the third reaction material 83, a binder (binder) that stabilizes the overall shape of the reaction material, such as fixing the particle size to a desired size, and does not react with hydrogen itself. A reaction material (hereinafter referred to as a “processing reaction material”) 93 configured by addition is accommodated.

第3の反応材収容体70Cにおいて、第3の反応層87を構成する加工反応材93は、結合材が添加されていない純粋な反応材(純粋反応材)である第3の反応材83に結合材を添加して形成される。一般に水素との反応度は、結合材の量が多いほど低下し、少ないほど上昇する。従って、加工反応材93を収容して構成される第3の反応層87(図7)は、機能的には、第3の反応材83にダミー材84を混在させた状態で収容して構成される第3の反応層87(図3)と実質的に同様となる。   In the third reaction material container 70C, the processing reaction material 93 constituting the third reaction layer 87 is replaced with the third reaction material 83 which is a pure reaction material (pure reaction material) to which no binder is added. It is formed by adding a binder. In general, the degree of reactivity with hydrogen decreases as the amount of binder increases, and increases as the amount of binder decreases. Accordingly, the third reaction layer 87 (FIG. 7) configured to contain the processing reaction material 93 is functionally configured to contain the dummy material 84 mixed with the third reaction material 83. This is substantially the same as the third reaction layer 87 (FIG. 3).

故に、加工反応材93に含まれる結合材の比率を調整可能な第3の反応層87の配置構成、すなわち、反応部80において、第3の反応材83に結合材を所望の割合で添加して成形した加工反応材93を配置する反応材81,82,93の配置構成は、第3の反応材83にダミー材84を混在させた状態で収容して構成される第3の反応層87の配置構成と同様に反応部80で生じる水素との反応を制御する制御因子の一つとなる。   Therefore, in the arrangement configuration of the third reaction layer 87 capable of adjusting the ratio of the binder contained in the processing reaction material 93, that is, in the reaction unit 80, the binder is added to the third reaction material 83 at a desired ratio. The arrangement configuration of the reaction materials 81, 82, 93 for arranging the processed reaction material 93 formed in this way is the third reaction layer 87 configured by accommodating the dummy material 84 in a mixed state with the third reaction material 83. This is one of the control factors for controlling the reaction with hydrogen generated in the reaction section 80 in the same manner as the arrangement configuration.

以上、反応材収容体70の幾つかの構成例として、第1〜3の反応材収容体70A〜70Cを例に説明したが、上述した反応材収容体70(70A〜70C)は、代表的な一例であり、その構成は、上述した内容に限定されない。例えば、反応部80を構成する反応材81,82,83の配置構成(大きさ、材料種類、並び等)、反応材81,82,83と共に収容するダミー材84の比率、加工反応材93を収容して反応部80を構成する場合の結合材の比率等の水素との反応を制御する上述した制御因子を反応部80に少なくとも一つ設定した構成である限り、他の構成は設計要求等を考慮して任意に設定できる。   As mentioned above, although the 1st-3rd reaction material container 70A-70C was demonstrated to the example as some structural examples of the reaction material container 70, the reaction material container 70 (70A-70C) mentioned above is typical. The configuration is not limited to the above-described content. For example, the arrangement configuration (size, material type, arrangement, etc.) of the reaction materials 81, 82, 83 constituting the reaction unit 80, the ratio of the dummy material 84 accommodated together with the reaction materials 81, 82, 83, and the processing reaction material 93 As long as the reaction unit 80 has at least one control factor that controls the reaction with hydrogen, such as the ratio of the binding material in the case where the reaction unit 80 is accommodated, the other configuration has design requirements, etc. Can be set arbitrarily.

例えば、反応部80において、必ずしも多層化されていなくても良く、単層構成でも良い。例えば、反応部80をMn系の反応材で構成される反応層からなる単層構成としたり、Cu系やCo系の反応材で構成される反応層からなる単層構成としたりすることもできる。   For example, the reaction unit 80 does not necessarily have to be multi-layered, and may have a single-layer configuration. For example, the reaction part 80 can be configured as a single layer composed of a reaction layer composed of a Mn-based reaction material, or a single layer structure composed of a reaction layer composed of a Cu-based or Co-based reaction material. .

第1の反応材81がMn系の反応材である第1の反応層85からなる単層構成の反応部80の場合、反応部80の温度を素早く上昇させつつ、最高温度が酸素遊離温度に到達しないようにする必要あるため、例えば、領域を3つに分割し、最上流側の領域を大きさの小さい第1の反応材81aとし、続く領域を大きさが大きい第1の反応材81bとし、最下流側の領域を大きい第1の反応材81bとダミー材84を混在させる、または第1の反応材81b(純粋反応材)に結合材を添加した加工反応材93とした反応部80の構成等を採用することができる。この場合、大きさとダミー材84の比率(または結合材の比率)との少なくとも二つの制御因子によって反応部80で生じる水素との反応を制御することができる。   In the case of the reaction part 80 having a single layer structure in which the first reaction material 81 is a first reaction layer 85 which is a Mn-based reaction material, the maximum temperature becomes the oxygen liberation temperature while the temperature of the reaction part 80 is rapidly increased. Since it is necessary not to reach, for example, the region is divided into three, the region on the most upstream side is the first reactant 81a having a small size, and the subsequent region is the first reactant 81b having a large size. The reaction section 80 is a processing reaction material 93 in which the first reaction material 81b and the dummy material 84 are mixed in the region on the most downstream side, or a binding reaction material is added to the first reaction material 81b (pure reaction material). It is possible to adopt the following configuration. In this case, the reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80 can be controlled by at least two control factors of the size and the ratio of the dummy material 84 (or the ratio of the binder).

第2の反応材82がCu系の反応材で構成される第2の反応層86、または第3の反応材83がCお系の反応材で構成される第3の反応層87からなる単層構成の反応部80の場合、反応部80の温度を素早く上昇させる必要あるため、例えば、領域を複数に分割し、上流側から下流側にかけて順次大きさが大きくなるように配置した構成を採用できる。この場合に、下流側の一部領域で温度が反応材収容体70の温度が構造物の健全性に悪影響を及ぼし(熱損傷を与え)得る温度に到達するのであれば、第2の反応材82または第3の反応材83と共にダミー材84を含めて収容する領域をさらに設けることで、構造物の健全性を維持可能な構成とすることができる。   The second reaction material 82 is composed of a second reaction layer 86 composed of a Cu-based reaction material, or the third reaction material 83 is composed of a third reaction layer 87 composed of a C-based reaction material. In the case of the reaction part 80 having a layer structure, since the temperature of the reaction part 80 needs to be quickly raised, for example, a configuration in which the region is divided into a plurality of parts and is arranged so that the size sequentially increases from the upstream side to the downstream side is adopted. it can. In this case, if the temperature reaches the temperature at which the temperature of the reaction material container 70 can adversely affect the soundness of the structure (causes thermal damage) in a partial region on the downstream side, the second reaction material By further providing a region that contains the dummy material 84 together with the 82 or the third reaction material 83, the soundness of the structure can be maintained.

また、上述した例は、何れも各反応層85(85a,85b),86,87が、それぞれ、同じ(1種類の)金属酸化物で構成される場合の例であるが、必ずしも同じ金属酸化物で構成される場合に限定されない。各反応層85(85a,85b),86,87は、各反応層85(85a,85b),86,87の機能が維持される限り、すなわち、各反応層85(85a,85b),86,87が担う役割が維持される限り、2種類以上の金属酸化物を混合して構成することもできる。   Moreover, although the example mentioned above is an example in which each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87 is respectively comprised with the same (one type) metal oxide, it is not necessarily the same metal oxidation. It is not limited to the case where it is composed of objects. Each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87 is as long as the function of each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87 is maintained, that is, each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, As long as the role of 87 is maintained, two or more kinds of metal oxides can be mixed and configured.

例えば、異なる2種類のMn系金属酸化物を混合して第1の反応層85(85a,85b)を構成したり、異なる2種類のCu系金属酸化物を混合して第2の反応層86を構成したり、異なる2種類のCo系金属酸化物を混合して第3の反応層87を構成したり、Co系金属酸化物にCu系金属酸化物を混合して第3の反応層87を構成してもよい。   For example, two different types of Mn-based metal oxides are mixed to form the first reaction layer 85 (85a, 85b), or two different types of Cu-based metal oxides are mixed to form the second reaction layer 86. Or a mixture of two different types of Co-based metal oxides to form the third reaction layer 87, or a mixture of Co-based metal oxides with a Cu-based metal oxide to form the third reaction layer 87. May be configured.

次に、図1に示される適用例における水素処理装置50の作用、および水素処理装置50を用いた水素処理方法について説明する。   Next, the action of the hydrogen treatment apparatus 50 and the hydrogen treatment method using the hydrogen treatment apparatus 50 in the application example shown in FIG. 1 will be described.

図1に示される適用例に係る原子炉において、何らかの原因により、燃料被覆管の温度が上昇し、水蒸気と燃料被覆管材料であるジルコニウムとの間で反応(Metal−Water反応)が生じて水素が発生すると、大量の蒸気とともに発生した水素が原子炉圧力容器3から漏洩する。Metal−Water反応が始まり、原子炉圧力容器3から原子炉格納容器1内に多量の蒸気と水素とが漏れ出た直後のタイミングで水素処理装置50を稼働させる。すなわち、通常時には閉じている開閉弁54を開いてポンプ53を起動させる。   In the nuclear reactor according to the application example shown in FIG. 1, for some reason, the temperature of the fuel cladding tube rises, and a reaction (Metal-Water reaction) occurs between water vapor and zirconium, which is the fuel cladding tube material, to generate hydrogen. When hydrogen is generated, hydrogen generated together with a large amount of steam leaks from the reactor pressure vessel 3. The metal-water reaction is started, and the hydrogen treatment apparatus 50 is operated at a timing immediately after a large amount of steam and hydrogen leaks from the reactor pressure vessel 3 into the reactor containment vessel 1. That is, the on-off valve 54 that is normally closed is opened to start the pump 53.

水素処理装置50においてポンプ53が起動すると、供給配管51、水素処理装置50、戻り配管52、および原子炉格納容器1内を循環する気流が生じる。ポンプ53の軌道に伴い生じる気流によって、原子炉格納容器1内の雰囲気は、被処理ガス15として供給配管51を介して水素処理装置50内に導入される。   When the pump 53 is activated in the hydrogen treatment apparatus 50, an air flow circulating in the supply pipe 51, the hydrogen treatment apparatus 50, the return pipe 52, and the reactor containment vessel 1 is generated. The atmosphere in the reactor containment vessel 1 is introduced into the hydrogen treatment apparatus 50 through the supply pipe 51 as the gas to be treated 15 by the air flow generated along the orbit of the pump 53.

水素処理装置50内では、水素処理装置50内に導入される被処理ガス15が複数林立する反応材収容体70内に流入する。反応材収容体70内では、被処理ガス15が反応部80を通過し、その過程で被処理ガス15に含まれる水素と反応部80の反応材としての金属酸化物に含まれる酸素とが反応して水(水蒸気)が生成される。   In the hydrogen treatment apparatus 50, the gas to be treated 15 introduced into the hydrogen treatment apparatus 50 flows into the reaction material container 70 in which a plurality of forests are established. In the reaction material container 70, the gas 15 to be processed passes through the reaction portion 80, and in the process, hydrogen contained in the gas 15 to be treated reacts with oxygen contained in the metal oxide as the reaction material of the reaction portion 80. Thus, water (steam) is generated.

従って、被処理ガス15は、反応材収容体70の内部を通過すると、反応材に含まれる酸素との反応で被処理ガス15に含まれる水素が消費され、水素が除去された処理済ガス16となって反応材収容体70の外部へ流出する。   Therefore, when the gas 15 to be processed passes through the inside of the reaction material container 70, the hydrogen contained in the gas 15 is consumed by the reaction with the oxygen contained in the reaction material, and the processed gas 16 from which hydrogen has been removed. And flows out of the reaction material container 70.

水素処理装置50内の反応材収容体70の外部へ流出した処理済ガス16は、水素処理装置50から戻り配管52へ流入する。戻り配管52へ流入した処理済ガス16は、戻り配管52を通って原子炉格納容器1の内部へ戻る。   The treated gas 16 that has flowed out of the reaction material container 70 in the hydrogen treatment apparatus 50 flows from the hydrogen treatment apparatus 50 into the return pipe 52. The treated gas 16 that has flowed into the return pipe 52 returns to the inside of the reactor containment vessel 1 through the return pipe 52.

図3に示される反応部80を例にして、反応部80内で生じる水素との反応をより詳細に説明する。   The reaction with hydrogen generated in the reaction unit 80 will be described in more detail by taking the reaction unit 80 shown in FIG. 3 as an example.

反応部80は、被処理ガス15の流れ方向に対して、複数の反応層である第1の反応層85(85a,85b)と、第2の反応層86と、第3の反応層87とが積層されている構造のため、反応部80へ導かれる被処理ガス15は、第1の反応層85(85a,85b)、第2の反応層86および第3の反応層87と、順次通過する。被処理ガス15に含まれる水素は、各反応層85(85a,85b),86,87を形成する反応材としての金属酸化物の酸素と反応して水(水蒸気)となる。   The reaction unit 80 includes a first reaction layer 85 (85a, 85b), a second reaction layer 86, and a third reaction layer 87 that are a plurality of reaction layers with respect to the flow direction of the gas 15 to be processed. The gas to be processed 15 guided to the reaction unit 80 sequentially passes through the first reaction layer 85 (85a, 85b), the second reaction layer 86, and the third reaction layer 87. To do. Hydrogen contained in the gas to be treated 15 reacts with oxygen of a metal oxide as a reaction material for forming each reaction layer 85 (85a, 85b), 86, 87 to become water (water vapor).

第1の反応層85(85a,85b)は、低温域(図4に示される低温)での反応がより良好(図4において反応速度が「◎」)な二酸化マンガン(MnO)を層状に形成した反応層であり、低温域の被処理ガス15であっても被処理ガス15に含まれる水素が消費される。また、MnOが反応時に生じる熱量は、図4に示されるように、水素ガス1kgを処理するに当たり熱量54MJを発生する。第1の反応層85(85a,85b)で生じた熱は、その大部分が被処理ガス15とともに移送されるため、第1の反応層85(85a,85b)を通過する過程で水素が消費されるとともに昇温される。 The first reaction layer 85 (85a, 85b) is layered with manganese dioxide (MnO 2 ) having a better reaction in the low temperature region (low temperature shown in FIG. 4) (reaction rate “◎” in FIG. 4). Even if it is the formed reaction layer and the gas 15 to be processed in the low temperature region, hydrogen contained in the gas 15 to be processed is consumed. Further, as shown in FIG. 4, the amount of heat generated during the reaction of MnO 2 generates a heat amount of 54 MJ when processing 1 kg of hydrogen gas. Most of the heat generated in the first reaction layer 85 (85a, 85b) is transferred together with the gas 15 to be processed, so that hydrogen is consumed in the process of passing through the first reaction layer 85 (85a, 85b). And the temperature is raised.

なお、前述したように、第1の反応層85(85a,85b)の被処理ガス15の流れ方向の長さは、第1の反応層85(85a,85b)の最下流部での温度が酸素遊離温度(約280℃)に到達しない長さに設定されているため、被処理ガス15の温度は酸素遊離温度未満に抑えられる。   As described above, the length of the first reaction layer 85 (85a, 85b) in the flow direction of the gas 15 to be treated is determined by the temperature at the most downstream portion of the first reaction layer 85 (85a, 85b). Since the length is set so as not to reach the oxygen liberation temperature (about 280 ° C.), the temperature of the gas to be treated 15 is suppressed to be lower than the oxygen liberation temperature.

第1の反応層85(85a,85b)を通過した被処理ガス15は、第1の反応層85(85a,85b)に続いて第2の反応層86に流入する。第2の反応層86は、高温域(図4に示される高温)での反応がより良好(図4において反応速度が「◎」)な酸化銅(CuO)を層状に形成した反応層であり、第1の反応層85(85a,85b)を通過して理想的には高温域の温度にまで昇温された被処理ガス15に含まれる水素が消費される。   The gas 15 to be processed that has passed through the first reaction layer 85 (85a, 85b) flows into the second reaction layer 86 following the first reaction layer 85 (85a, 85b). The second reaction layer 86 is a reaction layer in which copper oxide (CuO) having a better reaction in the high temperature region (the high temperature shown in FIG. 4) (the reaction rate is “◎” in FIG. 4) is formed in layers. The hydrogen contained in the gas 15 to be processed which has passed through the first reaction layer 85 (85a, 85b) and is ideally heated to a high temperature range is consumed.

また、図4に示されるように、第2の反応層86を形成するCuOは、水素ガス1kgを処理するに当たり熱量45MJを発生する。第2の反応層86で生じた熱は、大部分が被処理ガス15とともに移送されるため、被処理ガス15はさらに熱量を吸収することになるが、前述したように、水素との反応時の温度が、反応材収容体70を含めた構造健全性が維持される温度域となるように被処理ガス15の流れ方向に対する第2の反応層86の長さが設定されるため、過剰な温度上昇は回避される。   Further, as shown in FIG. 4, CuO forming the second reaction layer 86 generates a heat amount of 45 MJ when processing 1 kg of hydrogen gas. Since most of the heat generated in the second reaction layer 86 is transferred together with the gas to be processed 15, the gas to be processed 15 further absorbs heat, but as described above, during the reaction with hydrogen. The length of the second reaction layer 86 with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 is set so that the temperature of the second reaction layer 86 is in a temperature range in which the structural integrity including the reaction material container 70 is maintained. Temperature rise is avoided.

なお、第2の反応層86で生じる熱は、大部分が被処理ガス15とともに移送されるため、第2の反応層86で生じる熱が仕切部73を介して第1の反応層85(85a,85b)へ伝導する熱はごく僅かであり、第1の反応層85(85a,85b)の温度を上昇させることはない。従って、第2の反応層86が発熱したとしても、第1の反応層85(85a,85b)の最下流部での温度が酸素遊離温度(約280℃)に到達していない場合には、第1の反応層85(85a,85b)が酸素遊離温度に到達することはなく第1の反応層85(85a,85b)で生じ得る酸素遊離は抑制される。   In addition, since most of the heat generated in the second reaction layer 86 is transferred together with the gas to be processed 15, the heat generated in the second reaction layer 86 is transferred to the first reaction layer 85 (85 a through the partition portion 73. , 85b), and the heat conducted to the first reaction layer 85 (85a, 85b) is not increased. Therefore, even if the second reaction layer 86 generates heat, if the temperature at the most downstream portion of the first reaction layer 85 (85a, 85b) has not reached the oxygen release temperature (about 280 ° C.), The first reaction layer 85 (85a, 85b) does not reach the oxygen release temperature, and oxygen release that can occur in the first reaction layer 85 (85a, 85b) is suppressed.

第2の反応層86を通過した被処理ガス15は、第2の反応層86に続いて第3の反応層87に流入する。第3の反応層87は、高温域(図4に示される高温)での反応が良好(図4において反応速度が「○」)な四酸化三コバルト(Co)を層状に形成した反応層であり、第2の反応層86で生じる反応熱が小さい反応層である。 The gas to be processed 15 that has passed through the second reaction layer 86 flows into the third reaction layer 87 following the second reaction layer 86. In the third reaction layer 87, tricobalt tetroxide (Co 3 O 4 ) having a good reaction in the high temperature region (the high temperature shown in FIG. 4) (the reaction rate is “◯” in FIG. 4 ) was formed in layers. The reaction layer is a reaction layer that generates a small amount of reaction heat in the second reaction layer 86.

図4に示されるように、第3の反応層87を形成するCoの発熱量は8MJ/kgであり、CuOの発熱量45MJ/kgに対して約18%と1/5未満である。故に、被処理ガス15の流れ方向に対して、第3の反応層87の長さを第2の反応層86の長さよりも長く(第2の反応層86の長さを第3の反応層87の長さよりも短く)形成することで、反応部80のピーク温度を抑えつつ水素を効率良く処理することができる。 As shown in FIG. 4, the calorific value of Co 3 O 4 forming the third reaction layer 87 is 8 MJ / kg, which is about 18% of the calorific value of CuO 45 MJ / kg, less than 1/5. is there. Therefore, the length of the third reaction layer 87 is longer than the length of the second reaction layer 86 with respect to the flow direction of the gas 15 to be processed (the length of the second reaction layer 86 is set to the third reaction layer 86). (Shorter than the length of 87), hydrogen can be efficiently treated while suppressing the peak temperature of the reaction section 80.

以上、水素処理装置50によれば、例えば、相対的に大きさが小さい反応材を上流側に配置する、および被処理ガス15が低温であっても水素との反応が良好な反応材を選択する、の少なくとも一方を採用することによって、被処理ガス15が低温であっても、反応材収容体70を通過する過程で素早く昇温することができる。従って、被処理ガス15が低温であっても、反応材収容体70を通過する過程で素早く昇温して反応材収容体70内で生じる水素との反応速度を速めることができ、被処理ガス15に含まれる水素をスムーズに処理することができる。   As described above, according to the hydrogen treatment apparatus 50, for example, a relatively small reaction material is arranged on the upstream side, and a reaction material that reacts well with hydrogen even when the gas to be treated 15 is at a low temperature is selected. By adopting at least one of the above, even when the gas 15 to be processed is at a low temperature, the temperature can be quickly raised in the process of passing through the reaction material container 70. Therefore, even when the gas to be processed 15 is at a low temperature, the temperature can be quickly raised in the process of passing through the reaction material container 70 to increase the reaction rate with hydrogen generated in the reaction material container 70. 15 can be processed smoothly.

例えば、水素処理装置50では、水素と反応させる反応部80を被処理ガス15の流れ方向に対して複数の反応層が積層した構成とし、反応部80の最も入口側(被処理ガス15の流れ方向を基準とする最上流側)に低温での水素との反応が良好なMn系の金属酸化物を配置した構成とすれば、被処理ガス15が低温であっても、反応材収容体70を通過する初期過程から昇温することができ、被処理ガス15が反応材収容体70を通過する初期過程から反応速度を速めることができるので、被処理ガス15に含まれる水素をスムーズに処理することができる。   For example, in the hydrogen treatment apparatus 50, the reaction unit 80 that reacts with hydrogen has a configuration in which a plurality of reaction layers are stacked with respect to the flow direction of the gas to be treated 15. If the Mn-based metal oxide that has a good reaction with hydrogen at a low temperature is arranged on the most upstream side with respect to the direction), the reactant container 70 even if the gas 15 to be processed is at a low temperature. The temperature can be raised from the initial process passing through the gas, and the reaction speed can be increased from the initial process in which the gas to be processed 15 passes through the reaction material container 70, so that the hydrogen contained in the gas to be processed 15 can be processed smoothly. can do.

また、水素処理装置50では、Mn系の金属酸化物を配置した部分の被処理ガス15の流れ方向に対する長さを制約したり、温度が上昇する下流側の領域でダミー材84を混在させたり、結合材を添加した加工反応材93を収容することで、Mn系の金属酸化物が酸素遊離温度(約280℃)以上になると生じる酸素遊離を抑止することができ、Mn系の金属酸化物で生じ得る酸素遊離を抑えつつ被処理ガス15に含まれる水素をスムーズに処理することができる。   Further, in the hydrogen treatment apparatus 50, the length of the portion where the Mn-based metal oxide is arranged in the flow direction of the gas to be treated 15 is restricted, or the dummy material 84 is mixed in the downstream region where the temperature rises. In addition, by accommodating the processing reaction material 93 to which the binder is added, oxygen release that occurs when the Mn-based metal oxide reaches or exceeds the oxygen release temperature (about 280 ° C.) can be suppressed. Thus, hydrogen contained in the gas to be processed 15 can be processed smoothly while suppressing oxygen liberation that may occur.

また、Mn系の金属酸化物を配置した部分の被処理ガス15の流れ方向に対する下流側に高温域(約230℃以上の温度域)での反応速度が普通以上(図4において反応速度が「○」か「◎」)であり、酸素を遊離しない(酸素非遊離性の)Cu系の金属酸化物やCo系の金属酸化物を配置すれば、Mn系の金属酸化物では酸素を遊離させてしまう酸素遊離温度(約280℃)以上の環境下においても酸素遊離を抑止することができる。   Further, the reaction rate in the high temperature range (temperature range of about 230 ° C. or higher) is normal or higher at the downstream side with respect to the flow direction of the gas to be processed 15 in the portion where the Mn-based metal oxide is arranged (the reaction rate is “ ○ ”or“ ◎ ”), and if a Cu-based metal oxide or a Co-based metal oxide that does not liberate oxygen (non-oxygen-free) is disposed, the Mn-based metal oxide releases oxygen. Oxygen release can be suppressed even in an environment at or above the oxygen release temperature (about 280 ° C.).

さらに、水素処理装置50によれば、反応部80の構成を、例えば、被処理ガス15の流れ方向の上流側から、Mn系の金属酸化物を配置した部分、Cu系の金属酸化物を配置し部分、Co系の金属酸化物を配置した部分の順番で設けたり、温度が上昇する反応部80の下流側等の適当な領域内に発熱(温度上昇)を抑制するダミー材84を混在させたり、結合材を添加した加工反応材93を収容することで、反応部80のピーク温度を水素との反応が良好な高温度域の範囲内、かつ構造物の健全性を維持可能な範囲内に抑えることができ、水素処理の効率をほとんど低下させることなく、反応材収容体70の健全性が損なわれるような過剰な温度上昇(反応材収容体70の熱損傷)を回避することができる。   Further, according to the hydrogen treatment apparatus 50, the configuration of the reaction unit 80 includes, for example, a portion where a Mn-based metal oxide is disposed from the upstream side in the flow direction of the gas to be treated 15, and a Cu-based metal oxide. And a dummy material 84 that suppresses heat generation (temperature rise) is mixed in an appropriate region such as the downstream side of the reaction portion 80 where the temperature rises, or the order in which the Co-based metal oxide is arranged. Or the processing reaction material 93 to which the binder is added is accommodated so that the peak temperature of the reaction portion 80 is within a high temperature range in which the reaction with hydrogen is good and the soundness of the structure can be maintained. An excessive increase in temperature (thermal damage of the reaction material container 70) that impairs the soundness of the reaction material container 70 can be avoided without substantially reducing the efficiency of the hydrogen treatment. .

なお、本発明は上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階では、上述した実施例以外にも様々な形態で実施することが可能である。本発明は、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、追加、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be implemented in various forms other than the above-described examples in the implementation stage. The present invention can be variously omitted, added, replaced, and changed without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…原子炉格納容器、2…炉心、3…原子炉圧力容器、4…生体遮蔽壁、5…上部ドライウェル、6…下部ドライウェル、7…ウェットウェル、8…ベント管、9…サプレッションプール、11…主蒸気管、12…安全弁、13…真空破壊弁、15…被処理ガス、16…処理済ガス、50…水素処理装置、51…供給配管、52…戻り配管、53…ポンプ、54…開閉弁、55…筐体、60…反応材モジュール、63…下部支持板、64…上部支持板、70(70A〜70C)…反応材収容体、71…収容容器、72…蓋、73…仕切部、80…反応部、81(81a,81b)…第1の反応材、82…第2の反応材、83…第3の反応材、84…ダミー材(非反応材)、85(85a,85b,85c)…第1の反応層、85a…第1の領域、85b…第2の領域、85c…第3の領域、86…第2の反応層、87…第3の反応層、93…加工反応材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reactor containment vessel, 2 ... Core, 3 ... Reactor pressure vessel, 4 ... Living body shielding wall, 5 ... Upper dry well, 6 ... Lower dry well, 7 ... Wet well, 8 ... Vent pipe, 9 ... Suppression pool , 11 ... main steam pipe, 12 ... safety valve, 13 ... vacuum break valve, 15 ... gas to be treated, 16 ... treated gas, 50 ... hydrogen treatment device, 51 ... supply pipe, 52 ... return pipe, 53 ... pump, 54 ...... Opening / closing valve, 55 ... Housing, 60 ... Reaction material module, 63 ... Lower support plate, 64 ... Upper support plate, 70 (70A to 70C) ... Reactive material container, 71 ... Storage container, 72 ... Cover, 73 ... Partition part, 80 ... reaction part, 81 (81a, 81b) ... first reaction material, 82 ... second reaction material, 83 ... third reaction material, 84 ... dummy material (non-reaction material), 85 (85a , 85b, 85c) ... first reaction layer, 85a ... first region , 85b ... second region, 85c ... third region, 86 ... second reaction layer, 87 ... third reaction layer, 93 ... processing reaction material.

Claims (8)

導入されたガスが水素と反応する反応材で構成される反応部を通過することで前記ガスに含まれる水素を除去する水素処理装置であって、
前記反応部を内包する筐体と、
前記筐体に前記ガスを導入する入口部と、
前記筐体に導入されて前記反応部を通過した前記ガスを前記筐体外へ導く出口部と、を備え、
前記反応部は、前記反応材に水素と反応しないダミー材を混在させた状態で配置して構成されることを特徴とする水素処理装置。
A hydrogen treatment apparatus that removes hydrogen contained in the gas by passing through a reaction section composed of a reaction material that reacts with hydrogen in the introduced gas,
A housing containing the reaction part;
An inlet for introducing the gas into the housing;
An outlet portion that introduces the gas that has been introduced into the housing and passed through the reaction section, and leads the outside of the housing;
The said reaction part is arrange | positioned and comprised in the state which mixed the dummy material which does not react with the said reaction material with hydrogen, The hydrogen processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記反応部は、前記ガスの流れ方向に対して、それぞれ異なる反応材で構成される複数の反応層を有し、
前記複数の反応層の少なくとも一つは、前記反応材に前記ダミー材を混在させて構成されることを特徴とする請求項1記載の水素処理装置。
The reaction section has a plurality of reaction layers each made of a different reaction material with respect to the gas flow direction,
The hydrogen treatment apparatus according to claim 1, wherein at least one of the plurality of reaction layers is configured by mixing the dummy material with the reaction material.
前記複数の反応層は、前記ガスの流れ方向に対して上流側に前記反応材に前記ダミー材が混在させずに構成される反応層が配置され、その下流側に前記反応材に前記ダミー材を混在させて構成される反応層が配置され、前記反応材に前記ダミー材を混在させて構成される反応層は、前記ガスの流れ方向に対して上流側から下流側に向かうほど前記反応層の全体に占める前記ダミー材の比率が高くなるように配置されることを特徴とする請求項2記載の水素処理装置。 In the plurality of reaction layers, a reaction layer configured without mixing the dummy material with the reaction material is disposed on the upstream side with respect to the gas flow direction, and the dummy material is disposed on the reaction material on the downstream side. The reaction layer configured by mixing the dummy material with the reaction material is arranged so that the reaction layer becomes closer to the downstream side from the upstream side with respect to the gas flow direction. The hydrogen treatment apparatus according to claim 2, wherein the dummy material is arranged so that a ratio of the dummy material to the whole is high. 前記反応部は、前記ガスの流れ方向に対して、同じ物質で構成される反応材と前記ダミー材とを混在させて構成される反応層を有し、
前記反応層は、前記ガスの流れ方向に対して複数の領域に分割されており、最も下流側に位置する領域内に存在する前記反応材および前記ダミー材の合計に対する前記ダミー材の比率が、他の領域内に存在する前記反応材および前記ダミー材の合計に対する前記ダミー材の比率よりも高くなるように設定されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の水素処理装置。
The reaction section has a reaction layer configured by mixing a reaction material composed of the same substance and the dummy material with respect to the gas flow direction,
The reaction layer is divided into a plurality of regions with respect to the gas flow direction, and the ratio of the dummy material to the total of the reaction material and the dummy material present in the region located on the most downstream side is as follows: The hydrogen according to any one of claims 1 to 3, wherein the hydrogen is set to be higher than a ratio of the dummy material to a total of the reaction material and the dummy material existing in another region. Processing equipment.
前記ダミー材は、耐熱性の樹脂および耐熱性のガラスから選択される何れか一方であることを特徴とする1から4の何れか1項に記載の水素処理装置。 5. The hydrogen treatment apparatus according to claim 1, wherein the dummy material is any one selected from a heat-resistant resin and a heat-resistant glass. 前記反応部は、前記ガスの流れ方向に対して、それぞれ異なる反応材で構成される複数の反応層を有し、
前記複数の反応層のうち、前記ガスの流れ方向に対して最上流側に位置する反応層は、マンガン系の金属酸化物を含む反応層であることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の水素処理装置。
The reaction section has a plurality of reaction layers each made of a different reaction material with respect to the gas flow direction,
The reaction layer located on the most upstream side with respect to the gas flow direction among the plurality of reaction layers is a reaction layer containing a manganese-based metal oxide. The hydrogen treatment apparatus according to claim 1.
前記反応部は、前記ガスの流れ方向に対して、それぞれ異なる反応材で構成される複数の反応層を有し、
前記複数の反応層のうち、前記ガスの流れ方向に対して最上流側に位置するマンガン系の金属酸化物を含む反応層と下流側で接する反応層は、銅系の金属酸化物を含む反応層であることを特徴とする請求項6記載の水素処理装置。
The reaction section has a plurality of reaction layers each made of a different reaction material with respect to the gas flow direction,
Among the plurality of reaction layers, the reaction layer in contact with the reaction layer including a manganese-based metal oxide located on the most upstream side with respect to the gas flow direction on the downstream side is a reaction including a copper-based metal oxide. The hydrogen treatment apparatus according to claim 6, wherein the hydrogen treatment apparatus is a layer.
前記複数は、少なくとも三つであり、前記ガスの流れ方向に対して、最も下流に位置する反応層は、コバルト系の金属酸化物を含む反応層であることを特徴とする請求項6または7記載の水素処理装置。 The plurality of the plurality are at least three, and the reaction layer located most downstream with respect to the gas flow direction is a reaction layer containing a cobalt-based metal oxide. The hydrogen treatment apparatus as described.
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