JP2019050128A

JP2019050128A - Light-emitting device

Info

Publication number: JP2019050128A
Application number: JP2017173880A
Authority: JP
Inventors: 弘次畠山; Koji Hatakeyama; 渡辺　輝一; Terukazu Watanabe; 輝一渡辺; 博樹丹; Hiroki Tan; 誠保科; Makoto Hoshina
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2017-09-11
Filing date: 2017-09-11
Publication date: 2019-03-28

Abstract

To realize high reliability of an encapsulation ability by an encapsulation structure including a first inorganic layer, an intermediate layer containing a resin material, and a second inorganic layer.SOLUTION: A light-emitting part 142 is provided on a substrate 100 and consists of a laminated structure of a first electrode 110, an organic layer 120 and a second electrode 130. The organic layer 120 includes a light-emitting layer (EML). The first inorganic layer 210 covers the light-emitting part 142. The intermediate layer 220 contains a resin material and covers the first inorganic layer 210. The second inorganic layer 230 covers the intermediate layer 220. Thickness of the first inorganic layer 210 exceeds 15 nm and less than 245 nm.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

近年、発光装置として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発する有機層を有している。有機層は、一部の物質、例えば、水分又は酸素によって劣化するおそれがある。有機層の劣化を防ぐため、発光部、すなわち有機層を封止することがある。 In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have been developed as light emitting devices. The OLED has an organic layer that emits light by organic electroluminescence (EL). The organic layer can be degraded by some materials, such as moisture or oxygen. In order to prevent deterioration of the organic layer, the light emitting portion, that is, the organic layer may be sealed.

特許文献１には、発光部を封止する方法について記載されている。この方法では、発光部をＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって堆積された第１バリア層によって覆う。次いで、第１バリア層をＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって堆積された有機材料によって覆う。次いで、有機材料を異方性エッチングによってエッチングする。次いで、有機材料をＡＬＤによって形成された第２バリア層によって覆う。第１バリア層がパーティクルを覆う場合、パーティクルにより生じる凹凸によって、異方性エッチングでは、パーティクルの近傍にのみ有機材料が残り、残りの領域の有機材料が除去されるように有機材料がエッチングされる。有機材料によってパーティクルの移動を抑制し、パーティクルの移動による第１バリア層のダメージを抑えることができる。 Patent Document 1 describes a method for sealing a light emitting unit. In this method, the light emitting part is covered with a first barrier layer deposited by ALD (Atomic Layer Deposition). Next, the first barrier layer is covered with an organic material deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition). Next, the organic material is etched by anisotropic etching. Next, the organic material is covered with a second barrier layer formed by ALD. When the first barrier layer covers the particles, due to the unevenness caused by the particles, in the anisotropic etching, the organic material remains only in the vicinity of the particle, and the organic material is etched so that the organic material in the remaining region is removed. . The movement of the particles can be suppressed by the organic material, and damage to the first barrier layer due to the movement of the particles can be suppressed.

特許文献２にも、発光部を封止する方法について記載されている。この方法では、ＡＬＤによって堆積された無機層及び蒸着重合によって堆積された有機層を発光部上に交互に積層している。 Patent Document 2 also describes a method for sealing a light emitting unit. In this method, inorganic layers deposited by ALD and organic layers deposited by vapor deposition polymerization are alternately stacked on the light emitting portion.

特開２０１５−１７６７１７号公報JP-A-2015-176717 特開２０１７−１０７４９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2017-10749

本発明者は、発光部を、第１無機層、樹脂材料を含む中間層及び第２無機層を含む封止構造によって封止することを検討した。特に、本発明者は、この封止構造による封止能力の高い信頼性を実現することを検討した。 The inventor has studied to seal the light emitting portion with a sealing structure including a first inorganic layer, an intermediate layer including a resin material, and a second inorganic layer. In particular, the present inventor has studied to realize high reliability of sealing ability by this sealing structure.

本発明が解決しようとする課題としては、第１無機層、樹脂材料を含む中間層及び第２無機層を含む封止構造による封止能力の高い信頼性を実現することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to realize high sealing capability reliability by a sealing structure including a first inorganic layer, an intermediate layer including a resin material, and a second inorganic layer.

請求項１に記載の発明は、
基板上に設けられ、第１電極、発光層を含む有機層及び第２電極の積層構造からなる発光部と、
前記発光部を覆う第１無機層と、
前記第１無機層を覆い、樹脂材料を含む中間層と、
前記中間層を覆う第２無機層と、
を備え、
前記第１無機層の厚さは、１５ｎｍ超２４５ｎｍ未満である発光装置である。 The invention described in claim 1
A light emitting section provided on a substrate and having a laminated structure of a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode;
A first inorganic layer covering the light emitting part;
An intermediate layer covering the first inorganic layer and containing a resin material;
A second inorganic layer covering the intermediate layer;
With
In the light-emitting device, the first inorganic layer has a thickness of more than 15 nm and less than 245 nm.

実施形態に係る発光装置を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０を説明するための平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。 FIG. 1 is a plan view for explaining a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

図２を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、発光部１４２、第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０を備えている。発光部１４２は、基板１００上に設けられ、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造からなっている。有機層１２０は、発光層（ＥＭＬ）を含んでいる。第１無機層２１０は、発光部１４２を覆っている。中間層２２０は、樹脂材料を含んでおり、第１無機層２１０を覆っている。第２無機層２３０は、中間層２２０を覆っている。 An outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a light emitting unit 142, a first inorganic layer 210, an intermediate layer 220, and a second inorganic layer 230. The light emitting unit 142 is provided on the substrate 100 and has a stacked structure of the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130. The organic layer 120 includes a light emitting layer (EML). The first inorganic layer 210 covers the light emitting unit 142. The intermediate layer 220 includes a resin material and covers the first inorganic layer 210. The second inorganic layer 230 covers the intermediate layer 220.

第１無機層２１０の厚さは、１５ｎｍ超２４５ｎｍ未満である。表１を用いて後述するように、本発明者は、第１無機層２１０の厚さが厚すぎても薄すぎても、封止構造に不良が生じ得ることを見出した。特に、本発明者は、第１無機層２１０の厚さが上述の範囲にあるとき、封止構造による封止能力の高い信頼性が実現されることを見出した。 The thickness of the first inorganic layer 210 is more than 15 nm and less than 245 nm. As will be described later with reference to Table 1, the present inventor has found that the sealing structure can be defective even if the first inorganic layer 210 is too thick or too thin. In particular, the present inventor has found that when the thickness of the first inorganic layer 210 is in the above-described range, high reliability of the sealing ability by the sealing structure is realized.

第１無機層２１０の厚さは、３５ｎｍ超であることがより好ましい。表１を用いて後述するように、本発明者は、第１無機層２１０の厚さが上述の範囲にあるとき、封止構造による封止能力のさらに高い信頼性が実現されることを見出した。 More preferably, the thickness of the first inorganic layer 210 is greater than 35 nm. As will be described later with reference to Table 1, the present inventor has found that when the thickness of the first inorganic layer 210 is in the above range, higher reliability of the sealing capability by the sealing structure is realized. It was.

中間層２２０の厚さは、６μｍ超であることが好ましい。表１を用いて後述するように、本発明者は、中間層２２０の厚さが上述の範囲にあるとき、封止構造による封止能力のさらに高い信頼性が実現されることを見出した。 The thickness of the intermediate layer 220 is preferably greater than 6 μm. As will be described later with reference to Table 1, the present inventor has found that when the thickness of the intermediate layer 220 is in the above range, higher reliability of the sealing ability by the sealing structure is realized.

図２に示す例では、第１無機層２１０は、発光部１４２に接している。つまり、第１無機層２１０と発光部１４２の間には、他の層が設けられていない。表１を用いて後述するように、本発明者は、第１無機層２１０が発光部１４２に接していると、封止構造による封止能力のさらに高い信頼性が実現されることを見出した。 In the example illustrated in FIG. 2, the first inorganic layer 210 is in contact with the light emitting unit 142. That is, no other layer is provided between the first inorganic layer 210 and the light emitting unit 142. As will be described later with reference to Table 1, the present inventor has found that when the first inorganic layer 210 is in contact with the light-emitting portion 142, higher reliability of the sealing ability by the sealing structure is realized. .

図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトについて説明する。 A planar layout of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG.

発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第２電極１３０、複数の絶縁層１５０、第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０を備えている。 The light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of first electrodes 110, a plurality of second electrodes 130, a plurality of insulating layers 150, a first inorganic layer 210, an intermediate layer 220, and a second inorganic layer 230.

各第１電極１１０及び各第２電極１３０は、一方向に延伸しており、互いに重なっている。複数の第１電極１１０及び複数の第２電極１３０は、当該一方向に直交する方向に沿って並んでいる。 Each first electrode 110 and each second electrode 130 extend in one direction and overlap each other. The plurality of first electrodes 110 and the plurality of second electrodes 130 are arranged along a direction orthogonal to the one direction.

各絶縁層１５０は、各第１電極１１０及び各第２電極１３０と重なっており、開口１５２を有している。絶縁層１５０は、開口１５２によって発光部１４２を画定している。各発光部１４２は、上述した一方向に延伸しており、複数の発光部１４２は、当該一方向に直交する方向に沿って並んでいる。このようにして、複数の発光部１４２は、ストライプ状に並んでいる。 Each insulating layer 150 overlaps each first electrode 110 and each second electrode 130 and has an opening 152. The insulating layer 150 defines the light emitting portion 142 by the opening 152. Each light emitting unit 142 extends in one direction described above, and the plurality of light emitting units 142 are arranged along a direction orthogonal to the one direction. In this way, the plurality of light emitting units 142 are arranged in stripes.

発光装置１０は、隣り合う発光部１４２の間に透光部１４４を有している。透光部１４４は、遮光部材、特に図１に示す例では第２電極１３０と重なっていない。したがって、発光装置１０の外部からの光は、透光部１４４を透過することができる。このようにして、発光装置１０は、透光性を有している。つまり、発光装置１０を挟んで向こう側が見えるようになっている。 The light emitting device 10 includes a light transmitting portion 144 between adjacent light emitting portions 142. The light transmitting portion 144 does not overlap the light shielding member, particularly the second electrode 130 in the example shown in FIG. Therefore, light from the outside of the light emitting device 10 can pass through the light transmitting portion 144. Thus, the light emitting device 10 has translucency. That is, the other side can be seen across the light emitting device 10.

第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０は、複数の発光部１４２を封止している。中間層２２０は、複数の発光部１４２を覆っている。第１無機層２１０の端部及び第２無機層２３０の端部は、中間層２２０の端部よりも外側に位置している。したがって、図２を用いて後述するように、第１無機層２１０と第２無機層２３０は、中間層２２０の端部の外側に互いに接することができる。 The first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, and the second inorganic layer 230 seal the plurality of light emitting units 142. The intermediate layer 220 covers the plurality of light emitting units 142. The end of the first inorganic layer 210 and the end of the second inorganic layer 230 are located outside the end of the intermediate layer 220. Therefore, as will be described later with reference to FIG. 2, the first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230 can be in contact with each other outside the end portion of the intermediate layer 220.

図２を用いて、発光装置１０の断面構造について説明する。 The cross-sectional structure of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG.

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、第１無機層２１０、中間層２２０、第２無機層２３０及び保護層３００を備えている。 The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, an organic layer 120, a second electrode 130, an insulating layer 150, a first inorganic layer 210, an intermediate layer 220, a second inorganic layer 230, and a protective layer 300.

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、第１無機層２１０、中間層２２０、第２無機層２３０及び保護層３００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。基板１００の第２面１０４は、基板１００の第１面１０２の反対側にある。 The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 150, the first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, the second inorganic layer 230, and the protective layer 300 are located on the first surface 102 side of the substrate 100. ing. The second surface 104 of the substrate 100 is on the opposite side of the first surface 102 of the substrate 100.

発光装置１０は、発光部１４２を有している。発光部１４２は、絶縁層１５０の開口１５２によって画定されており、絶縁層１５０の開口１５２内において積層された第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。 The light emitting device 10 includes a light emitting unit 142. The light emitting unit 142 is defined by the opening 152 of the insulating layer 150, and includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 stacked in the opening 152 of the insulating layer 150.

図２に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションである。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して発光装置１０の外部へ出射される。このため、第１電極１１０は、透光性を有する必要があり、したがって、透明導電材料を含む必要があり、第２電極１３０は、遮光性、特に光反射性を有する必要があり、したがって、光反射性導電材料を含む必要がある。 In the example shown in FIG. 2, the light emitting device 10 is bottom emission. Therefore, the light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted to the outside of the light emitting device 10. For this reason, the first electrode 110 needs to have translucency, and therefore needs to include a transparent conductive material, and the second electrode 130 needs to have light shielding properties, particularly light reflectivity, and therefore It is necessary to include a light-reflective conductive material.

透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ））、カーボンナノチューブ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとすることができる。 The transparent conductive material is, for example, metal oxide (for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide) or ZnO (Zinc Oxide)), carbon nanotube, or PEDOT / PSS. be able to.

光反射性導電材料は、例えば、金属、特に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。 The light-reflective conductive material is, for example, a metal, particularly a metal selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or an alloy of a metal selected from this group. be able to.

他の例において、発光装置１０は、トップエミッションであってもよい。この例において、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０、第１無機層２１０、中間層２２０、第２無機層２３０及び保護層３００を透過して発光装置１０の外部へ出射される。 In another example, the light emitting device 10 may be top emission. In this example, light emitted from the organic layer 120 passes through the second electrode 130, the first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, the second inorganic layer 230, and the protective layer 300 and is emitted to the outside of the light emitting device 10. The

有機層１２０は、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含むようにすることができる。この例では、ＨＩＬ及びＨＴＬを介してＥＭＬに注入された正孔とＥＩＬ及びＥＴＬを介してＥＭＬに注入された電子がＥＭＬにおいて再結合して光が発せられる。 The organic layer 120 can include, for example, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). . In this example, holes injected into the EML through the HIL and HTL and electrons injected into the EML through the EIL and ETL are recombined in the EML to emit light.

第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０は、発光部１４２を封止するために設けられている。第１無機層２１０及び第２無機層２３０は、発光部１４２、特に有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水分又は酸素）を遮断するバリア層として機能している。中間層２２０は、第１無機層２１０と第２無機層２３０の間の中間層として機能している。 The first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, and the second inorganic layer 230 are provided to seal the light emitting unit 142. The first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230 function as a barrier layer that blocks a substance (for example, moisture or oxygen) that can deteriorate the light emitting portion 142, particularly the organic layer 120. The intermediate layer 220 functions as an intermediate layer between the first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230.

中間層２２０によって、第１無機層２１０に覆われた異物を固定することができる。具体的には、基板１００の第１面１０２上に異物がある状態で第１無機層２１０を形成すると、第１無機層２１０が異物を覆うようになる。異物に物理的な力（例えば、振動）が加わると、第１無機層２１０に覆われた異物が移動して第１無機層２１０を破ることがある。このような破れは、第１無機層２１０の封止能力を劣化させる。本実施形態では、第１無機層２１０に覆われた異物の移動を防ぐため、中間層２２０が設けられている。 The intermediate layer 220 can fix the foreign matter covered by the first inorganic layer 210. Specifically, when the first inorganic layer 210 is formed in a state where there is a foreign substance on the first surface 102 of the substrate 100, the first inorganic layer 210 covers the foreign substance. When a physical force (for example, vibration) is applied to the foreign matter, the foreign matter covered by the first inorganic layer 210 may move and break the first inorganic layer 210. Such tearing deteriorates the sealing ability of the first inorganic layer 210. In the present embodiment, an intermediate layer 220 is provided in order to prevent the movement of foreign matter covered by the first inorganic layer 210.

第１無機層２１０及び第２無機層２３０によって、有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水分又は酸素）が中間層２２０を伝搬することを防ぐことができる。具体的には、中間層２２０の底面は、第１無機層２１０によって覆われており、中間層２２０の上面及び側面は、第２無機層２３０によって覆われている。したがって、中間層２２０のいずれの部分も、第１無機層２１０及び第２無機層２３０の外側の環境に曝されていない。さらに、第２無機層２３０は、中間層２２０の端部を覆い、かつ中間層２２０の端部の外側で第１無機層２１０と接している。したがって、有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水分又は酸素）が第１無機層２１０と第２無機層２３０の間から入り込むことを防ぐことができる。このようにして、有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水分又は酸素）が中間層２２０を伝搬することを防ぐことができる。 The first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230 can prevent a substance (for example, moisture or oxygen) that can degrade the organic layer 120 from propagating through the intermediate layer 220. Specifically, the bottom surface of the intermediate layer 220 is covered with the first inorganic layer 210, and the top surface and side surfaces of the intermediate layer 220 are covered with the second inorganic layer 230. Therefore, no part of the intermediate layer 220 is exposed to the environment outside the first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230. Further, the second inorganic layer 230 covers the end of the intermediate layer 220 and is in contact with the first inorganic layer 210 outside the end of the intermediate layer 220. Therefore, a substance that can degrade the organic layer 120 (for example, moisture or oxygen) can be prevented from entering between the first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230. In this manner, a substance (for example, moisture or oxygen) that can degrade the organic layer 120 can be prevented from propagating through the intermediate layer 220.

第１無機層２１０は、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜である。第１無機層２１０は、ＡＬＤによって形成された一又は複数の無機層を含んでいる。ＡＬＤ膜は、段差被覆性に優れている。したがって、第１無機層２１０は、基板１００の第１面１０２上の凹凸（例えば、発光部１４２又は絶縁層１５０）の形状に沿って形成されている。特に図２に示す例において、第１無機層２１０は、第２電極１３０、絶縁層１５０及び基板１００の第１面１０２に接している。 The first inorganic layer 210 is an ALD (Atomic Layer Deposition) film. The first inorganic layer 210 includes one or a plurality of inorganic layers formed by ALD. The ALD film is excellent in step coverage. Accordingly, the first inorganic layer 210 is formed along the shape of the unevenness (for example, the light emitting portion 142 or the insulating layer 150) on the first surface 102 of the substrate 100. In particular, in the example illustrated in FIG. 2, the first inorganic layer 210 is in contact with the second electrode 130, the insulating layer 150, and the first surface 102 of the substrate 100.

中間層２２０は、樹脂材料、例えばポリイミドを含んでいる。中間層２２０は、例えば、塗布膜とすることができる。つまり、中間層２２０は、中間層２２０を構成する溶液を塗布し、この溶液を塗布して形成することができる。 The intermediate layer 220 includes a resin material such as polyimide. The intermediate layer 220 can be, for example, a coating film. That is, the intermediate layer 220 can be formed by applying a solution constituting the intermediate layer 220 and applying the solution.

第２無機層２３０は、第１無機層２１０と同様にして、ＡＬＤ膜である。第１無機層２１０は、ＡＬＤによって形成された一又は複数の無機層を含んでいる。 The second inorganic layer 230 is an ALD film in the same manner as the first inorganic layer 210. The first inorganic layer 210 includes one or a plurality of inorganic layers formed by ALD.

保護層３００は、第１無機層２１０及び第２無機層２３０を保護するために設けられている。保護層３００は、第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０を覆っている。保護層３００は、例えば、樹脂材料を含むようにすることができる。 The protective layer 300 is provided to protect the first inorganic layer 210 and the second inorganic layer 230. The protective layer 300 covers the first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, and the second inorganic layer 230. The protective layer 300 can include, for example, a resin material.

次に、図２を用いて、発光装置１０の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described with reference to FIG.

基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０を形成する。一例において、第１電極１１０は、導電層をパターニングすることによって形成することができる。 A first electrode 110 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. In one example, the first electrode 110 can be formed by patterning a conductive layer.

次いで、基板１００の第１面１０２上に絶縁層１５０を形成する。一例において、絶縁層１５０は、絶縁層をパターニングすることによって形成することができる。 Next, the insulating layer 150 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. In one example, the insulating layer 150 can be formed by patterning the insulating layer.

次いで、基板１００の第１面１０２上に有機層１２０及び第２電極１３０を順に形成する。一例において、有機層１２０及び第２電極１３０は、マスクを用いた蒸着により形成することができる。 Next, the organic layer 120 and the second electrode 130 are sequentially formed on the first surface 102 of the substrate 100. In one example, the organic layer 120 and the second electrode 130 can be formed by vapor deposition using a mask.

次いで、基板１００の第１面１０２上に第１無機層２１０をＡＬＤによって形成する。 Next, the first inorganic layer 210 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 by ALD.

次いで、基板１００の第１面１０２上に中間層２２０を形成する。一例において、中間層２２０は、中間層２２０を構成する溶液を塗布し、この溶液を乾燥させることで形成することができる。 Next, the intermediate layer 220 is formed on the first surface 102 of the substrate 100. In one example, the intermediate layer 220 can be formed by applying a solution constituting the intermediate layer 220 and drying the solution.

次いで、基板１００の第１面１０２上に第２無機層２３０をＡＬＤによって形成する。 Next, the second inorganic layer 230 is formed on the first surface 102 of the substrate 100 by ALD.

次いで、基板１００の第１面１０２上に保護層３００を形成する。 Next, the protective layer 300 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.

このようにして、発光装置１０が製造される。 In this way, the light emitting device 10 is manufactured.

表１は、実施例１から５及び比較例１から４までのそれぞれに係る発光装置１０の封止構造による封止能力の信頼性試験の結果を説明するための表である。 Table 1 is a table for explaining the result of the reliability test of the sealing ability by the sealing structure of the light emitting device 10 according to each of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4.

信頼性試験では、以下の試験１から４までにおいて発光装置１０の封止構造に不良が発生したか否かを試験した。 In the reliability test, whether or not a defect occurred in the sealing structure of the light emitting device 10 in the following tests 1 to 4 was tested.

（試験１）
発光装置１０を−４０℃の温度下に１５分間置き、その後、８５℃の温度下に１５分置き、このサイクルを１０００回繰り返した。 (Test 1)
The light-emitting device 10 was placed at a temperature of −40 ° C. for 15 minutes, and then placed at a temperature of 85 ° C. for 15 minutes, and this cycle was repeated 1000 times.

（試験２）
発光装置１０を−４０℃の温度下に１０００時間置いた。 (Test 2)
The light emitting device 10 was placed at a temperature of −40 ° C. for 1000 hours.

（試験３）
発光装置１０を１０５℃の温度下に１０００時間置いた。 (Test 3)
The light emitting device 10 was placed at a temperature of 105 ° C. for 1000 hours.

（試験４）
発光装置１０を８５℃及び８５％ＲＨの温度下及び湿度下に１０００時間置いた。 (Test 4)
The light emitting device 10 was placed at a temperature of 85 ° C. and 85% RH and under humidity for 1000 hours.

実施例１から５及び比較例１から４までのそれぞれに係る発光装置１０において、第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０の条件は、表１に示すようにした。 In the light emitting device 10 according to each of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4, the conditions of the first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, and the second inorganic layer 230 are as shown in Table 1.

表中の「ＳｉＮ_ｘの厚さ（μｍ）」のＳｉＮ_ｘは、ＣＶＤによって堆積させ、発光部１４２と第１無機層２１０の間に設けた。表中の「第１無機層２１０の厚さ（ｎｍ）」の第１無機層２１０は、ＡＬＤによって堆積させた。表中の「第２無機層２３０の厚さ（ｎｍ）」の第２無機層２３０は、ＡＬＤによって堆積させた。実施例１から５及び比較例１から４までのいずれにおいても、保護層３００の厚さは、１００μｍとした。 "The thickness of the SiN _x (μm)" in Table SiN _x of the deposited by CVD, provided between the light emitting portion 142 and the first inorganic layer 210. The first inorganic layer 210 of “thickness (nm) of the first inorganic layer 210” in the table was deposited by ALD. The second inorganic layer 230 of “thickness (nm) of the second inorganic layer 230” in the table was deposited by ALD. In any of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4, the thickness of the protective layer 300 was 100 μm.

表中において、「ＳｉＮ_ｘの厚さ（μｍ）」の欄の「−」は、第１無機層２１０が発光部１４２に接していることを意味し、「中間層２２０の厚さ（μｍ）」の欄の「−」は、中間層２２０が設けられていないことを意味し、「第２無機層２３０の厚さ（ｎｍ）」の欄の「−」は、第２無機層２３０が設けられていないことを意味する。 In the table, “-” in the column of “SiN _x thickness (μm)” means that the first inorganic layer 210 is in contact with the light emitting portion 142, and “the thickness of the intermediate layer 220 (μm)”. "-" In the column "" means that the intermediate layer 220 is not provided, and "-" in the column "Thickness (nm) of the second inorganic layer 230" is provided in the second inorganic layer 230. It means not being done.

表中の「不良の数」の欄の数は、試験１から４までにおいて発光装置１０に発生した不良の数を意味する。 The number in the “number of defects” column in the table means the number of defects generated in the light emitting device 10 in tests 1 to 4.

表中の「評価」では、以下の基準で発光装置１０を評価した。
Ｇ：不良の数が５未満である。
ＮＧ：不良の数が５以上である。 In “Evaluation” in the table, the light emitting device 10 was evaluated according to the following criteria.
G: The number of defects is less than 5.
NG: The number of defects is 5 or more.

比較例１の結果より、封止能力の高い信頼性を実現するためには、中間層２２０及び第２無機層２３０が必要になるといえる。上述のとおり、中間層２２０によって、第１無機層２１０に覆われた異物を固定することができる。したがって、中間層２２０及び第２無機層２３０によって、封止能力の高い信頼性を実現することが可能となる。 From the results of Comparative Example 1, it can be said that the intermediate layer 220 and the second inorganic layer 230 are necessary to achieve high reliability with high sealing ability. As described above, the foreign material covered by the first inorganic layer 210 can be fixed by the intermediate layer 220. Therefore, the intermediate layer 220 and the second inorganic layer 230 can achieve high reliability with high sealing ability.

比較例２及び３の結果より、封止能力の高い信頼性を実現するためには、第１無機層２１０の厚さは、薄すぎないことが必要になるといえ、具体的には、１５ｎｍ超である必要があるといえる。第１無機層２１０が薄すぎると、第１無機層２１０が異物を十分に覆うことができなくなると推測される。したがって、第１無機層２１０が薄すぎないことによって、封止能力の高い信頼性を実現することが可能となる。 From the results of Comparative Examples 2 and 3, it can be said that the thickness of the first inorganic layer 210 is not required to be too thin in order to realize high reliability with a sealing capability. Specifically, it exceeds 15 nm. It can be said that it is necessary. If the first inorganic layer 210 is too thin, it is estimated that the first inorganic layer 210 cannot sufficiently cover the foreign matter. Therefore, since the first inorganic layer 210 is not too thin, it is possible to achieve a high sealing capability and reliability.

比較例４の結果より、封止能力の高い信頼性を実現するためには、第１無機層２１０の厚さは、厚すぎないことが必要になるといえ、具体的には、２４５ｎｍ未満である必要があるといえる。第１無機層２１０が厚すぎると第１無機層２１０に加わる応力が大きくなる。この応力によって第１無機層２１０に欠陥が生じる可能性がある。したがって、第１無機層２１０の厚さが厚すぎないことによって、封止能力の高い信頼性を実現することが可能となる。 From the result of Comparative Example 4, it can be said that the thickness of the first inorganic layer 210 needs to be not too thick in order to achieve high reliability with a sealing capability, and specifically, is less than 245 nm. It can be said that there is a need. If the first inorganic layer 210 is too thick, the stress applied to the first inorganic layer 210 increases. This stress may cause a defect in the first inorganic layer 210. Therefore, since the thickness of the first inorganic layer 210 is not too thick, it is possible to achieve high reliability with high sealing ability.

実施例１から４の結果と実施例５の結果の比較（実施例１から４のそれぞれの不良の数は、実施例５の不良の数よりも小さい。）より、封止能力のさらに高い信頼性を実現するためには、発光部１４２と第１無機層２１０の間には他の層がないことが好ましいといえ、言い換えると、第１無機層２１０は、発光部１４２に接していることが好ましいといえる。ＳｉＮ_ｘ（ＣＶＤ膜）と第１無機層２１０が重なることによって、ＳｉＮ_ｘ（ＣＶＤ膜）と第１無機層２１０の重なり部分に応力が生じる可能性がある。この応力によって第１無機層２１０に欠陥が生じる可能性がある。したがって、第１無機層２１０が発光部１４２に接することによって、封止能力のさらに高い信頼性を実現することが可能となる。 More reliable than the comparison of the results of Examples 1 to 4 and the results of Example 5 (the number of defects in each of Examples 1 to 4 is smaller than the number of defects in Example 5). In order to achieve this, it is preferable that there is no other layer between the light emitting unit 142 and the first inorganic layer 210. In other words, the first inorganic layer 210 is in contact with the light emitting unit 142. Is preferable. When the SiN _x (CVD film) and the first inorganic layer 210 overlap with each other, there is a possibility that stress is generated in the overlapping portion between the SiN _x (CVD film) and the first inorganic layer 210. This stress may cause a defect in the first inorganic layer 210. Therefore, when the first inorganic layer 210 is in contact with the light emitting portion 142, it is possible to achieve a higher reliability of sealing ability.

実施例１の結果と実施例３の結果の比較（実施例１の不良の数は、実施例３の不良の数よりも小さい。）より、封止能力のさらに高い信頼性を実現するためには、第１無機層２１０の厚さは、薄すぎないことが好ましいといえ、具体的には、３５ｎｍ超であることが好ましいといえる。第１無機層２１０が薄すぎると、第１無機層２１０が異物を十分に覆うことができなくなると推測される。したがって、第１無機層２１０の厚さが上述の範囲にあることによって、封止能力のさらに高い信頼性を実現することが可能となる。 Compared with the result of Example 1 and the result of Example 3 (the number of defects in Example 1 is smaller than the number of defects in Example 3), in order to achieve higher reliability of sealing capability It can be said that the thickness of the first inorganic layer 210 is preferably not too thin, and specifically, it can be said that it is preferably more than 35 nm. If the first inorganic layer 210 is too thin, it is estimated that the first inorganic layer 210 cannot sufficiently cover the foreign matter. Therefore, when the thickness of the 1st inorganic layer 210 exists in the above-mentioned range, it becomes possible to implement | achieve the reliability with still higher sealing capability.

実施例１の結果と実施例２の結果の比較（実施例１の不良の数は、実施例２の不良の数よりも小さい。）より、封止能力のさらに高い信頼性を実現するためには、中間層２２０の厚さは、薄すぎないことが好ましいといえ、具体的には、６μｍ超であることが好ましいといえる。中間層２２０が薄すぎると、中間層２２０が異物を十分に固定することができなくなると推測される。したがって、中間層２２０が薄すぎないことによって、封止能力のさらに高い信頼性を実現することが可能となる。 Compared with the result of Example 1 and the result of Example 2 (the number of defects in Example 1 is smaller than the number of defects in Example 2), in order to realize higher reliability of sealing capability In other words, it can be said that the thickness of the intermediate layer 220 is preferably not too thin, specifically, it is preferable that the thickness is more than 6 μm. If the intermediate layer 220 is too thin, it is estimated that the intermediate layer 220 cannot sufficiently fix the foreign matter. Therefore, since the intermediate layer 220 is not too thin, it is possible to realize higher reliability of the sealing capability.

以上、本実施形態によれば、第１無機層２１０、中間層２２０及び第２無機層２３０を含む封止構造による封止能力の高い信頼性を実現することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to achieve high reliability with high sealing ability by the sealing structure including the first inorganic layer 210, the intermediate layer 220, and the second inorganic layer 230.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１０４第２面
１１０第１電極
１２０有機層
１３０第２電極
１４２発光部
１４４透光部
１５０絶縁層
１５２開口
２１０第１無機層
２２０中間層
２３０第２無機層
３００保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Substrate 102 1st surface 104 2nd surface 110 1st electrode 120 Organic layer 130 2nd electrode 142 Light-emitting part 144 Light-transmitting part 150 Insulating layer 152 Opening 210 1st inorganic layer 220 Intermediate layer 230 2nd inorganic layer 300 Protective layer

Claims

A light emitting section provided on a substrate and having a laminated structure of a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode;
A first inorganic layer covering the light emitting part;
An intermediate layer covering the first inorganic layer and containing a resin material;
A second inorganic layer covering the intermediate layer;
With
The thickness of the said 1st inorganic layer is a light-emitting device which is more than 15 nm and less than 245 nm.

The light-emitting device according to claim 1.
The first inorganic layer is a light emitting device in contact with the light emitting unit.

The light-emitting device according to claim 1 or 2,
The light emitting device wherein the thickness of the first inorganic layer is greater than 35 nm.

The light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
The thickness of the said intermediate | middle layer is a light-emitting device which exceeds 6 micrometers.

In the light-emitting device as described in any one of Claim 1 to 4,
The light emitting device in which the first inorganic layer and the second inorganic layer are ALD films.

In the light-emitting device as described in any one of Claim 1-5,
The light emitting device, wherein the second inorganic layer covers an end portion of the intermediate layer and is in contact with the first inorganic layer outside the end portion of the intermediate layer.