KR102637790B1 - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents
Display device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR102637790B1 KR102637790B1 KR1020180062894A KR20180062894A KR102637790B1 KR 102637790 B1 KR102637790 B1 KR 102637790B1 KR 1020180062894 A KR1020180062894 A KR 1020180062894A KR 20180062894 A KR20180062894 A KR 20180062894A KR 102637790 B1 KR102637790 B1 KR 102637790B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- area
- electrode
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- -1 region Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예는, 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 개재된 평탄화층을 구비한 표시부, 및 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지층을 포함하고, 상기 표시 소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하며, 상기 제2 도전층의 단부가 상기 제1 도전층의 단부 및 상기 제3 도전층의 단부보다 외부로 더 돌출된 디스플레이 장치를 개시한다.One embodiment of the present invention includes a display unit disposed on the substrate, a thin film transistor, a display element electrically connected to the thin film transistor, and a planarization layer interposed between the thin film transistor and the display element, and and a thin film encapsulation layer that seals the display unit, wherein the display element includes a first electrode electrically connected to the thin film transistor, wherein the first electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a first conductive layer sequentially stacked. Disclosed is a display device including three conductive layers, wherein an end of the second conductive layer protrudes further outward than an end of the first conductive layer and an end of the third conductive layer.
Description
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a display device and a method of manufacturing the same.
각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전함에 따라, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 우수한 특성을 지닌 다양한 디스플레이 장치들이 연구 및 개발되고 있다.As the display field, which visually expresses various electrical signal information, is rapidly developing, various display devices with excellent characteristics such as thinness, weight reduction, and low power consumption are being researched and developed.
한편, 박형화 및 플렉서블한 특징을 가지는 디스플레이 장치는 외부로부터 수분이나 산소 등의 침투를 차단시키기 위해 박막 형태의 봉지층을 포함할 수 있다. 그러나, 박막 봉지층에 미세한 균열 등의 결함이 발생한 경우는 이를 통하여 외부의 수분 및/또는 산소가 디스플레이 장치 내로 침투하여 암점 등의 불량을 유발할 수 있다.Meanwhile, a display device that is thin and flexible may include an encapsulation layer in the form of a thin film to block penetration of moisture or oxygen from the outside. However, if a defect such as a fine crack occurs in the thin film encapsulation layer, external moisture and/or oxygen may penetrate into the display device, causing defects such as dark spots.
본 발명의 실시예들은, 박막 봉지층에 발생할 수 있는 결함을 최소화할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a display device that can minimize defects that may occur in the thin film encapsulation layer.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 개재된 평탄화층을 구비한 표시부; 및 상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고, 상기 표시 소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하며, 상기 제2 도전층의 단부가 상기 제1 도전층의 단부 및 상기 제3 도전층의 단부보다 외부로 더 돌출된 디스플레이 장치를 개시한다.One embodiment of the present invention includes: a substrate; a display unit disposed on the substrate and including a thin film transistor, a display element electrically connected to the thin film transistor, and a planarization layer interposed between the thin film transistor and the display element; and a thin film encapsulation layer that seals the display unit, wherein the display element includes a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the first electrode includes a first conductive layer and a second conductive layer sequentially stacked. and a third conductive layer, wherein an end of the second conductive layer protrudes further outward than an end of the first conductive layer and an end of the third conductive layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층이 상기 제3 도전층 하부에 위치하고, 상기 제2 도전층의 면적이 상기 제1 도전층의 면적 및 상기 제3 도전층의 면적보다 크며, 상기 제1 도전층의 면적이 상기 제3 도전층의 면적보다 클 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer is located below the third conductive layer, the area of the second conductive layer is larger than the area of the first conductive layer and the third conductive layer, and the first conductive layer is located below the third conductive layer. The area of the conductive layer may be larger than the area of the third conductive layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 동일한 재질을 포함할 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer and the third conductive layer may include the same material.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 도전층은 은을 포함할 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer and the third conductive layer are made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and gallium zinc oxide. It may contain at least one of indium (IGZO), and the second conductive layer may contain silver.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하고, 상기 평탄화층은, 상기 평탄화층을 중앙부와 외곽부로 분할하는 분할영역을 포함하며, 상기 중앙부의 면적이 상기 표시 영역의 면적보다 클 수 있다.In this embodiment, the display unit includes a display area and a non-display area outside the display area, and the planarization layer includes a split area dividing the planarization layer into a central part and an outer part, and the central part. The area of may be larger than the area of the display area.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부는, 상기 비표시 영역에 배치된 전압선을 더 포함하고, 상기 전압선은 티타늄을 포함하는 제1 층, 알루미늄을 포함하는 제2 층, 및 티타늄을 포함하는 제3 층을 포함할 수 있다.In this embodiment, the display unit further includes a voltage line disposed in the non-display area, and the voltage line includes a first layer including titanium, a second layer including aluminum, and a third layer including titanium. may include.
본 실시예에 있어서, 상기 전압선은, 서로 다른 전압이 인가되는 제1 전압선과 제2 전압선을 포함하고, 상기 제1 전압선은 상기 표시 영역의 일측에 대응하도록 배치된 제1 메인 전압선과, 상기 제1 메인 전압선으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 상기 분할영역을 가로지르는 제1 연결부를 포함하고, 상기 제2 전압선은, 상기 제1 메인 전압선의 양 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 영역들을 에워싸는 제2 메인 전압선과, 상기 제2 메인 전압선으로부터 상기 제1 방향을 따라 돌출되어 상기 분할영역을 가로지르는 제2 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부는 패드부와 연결될 수 있다.In this embodiment, the voltage line includes a first voltage line and a second voltage line to which different voltages are applied, wherein the first voltage line includes a first main voltage line disposed to correspond to one side of the display area, and the first voltage line. 1 A first connection part protrudes from the main voltage line in a first direction and crosses the divided area, and the second voltage line surrounds both ends of the first main voltage line and the remaining area of the display area. It includes a main voltage line and a second connection portion that protrudes from the second main voltage line along the first direction and crosses the divided area, and the first connection portion and the second connection portion may be connected to a pad portion.
본 실시예에 있어서, 상기 분할영역에서 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 각각의 상면과 측면은 상기 박막 봉지층과 직접 접할 수 있다.In this embodiment, the top and side surfaces of each of the first connection part and the second connection part in the divided area may be in direct contact with the thin film encapsulation layer.
본 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은 순차적으로 적층된 제1 무기막, 유기막, 및 제2 무기막을 포함하고, 상기 제1 무기막은, 상기 분할영역에서 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 각각에 포함된 상기 제2 층의 측면과 직접 접할 수 있다.In this embodiment, the thin film encapsulation layer includes a first inorganic film, an organic film, and a second inorganic film sequentially stacked, and the first inorganic film is formed at the first connection portion and the second connection portion in the divided region. It may be in direct contact with the side of the second layer included in each.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 소자는 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 유기 발광층을 가지는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다.In this embodiment, the display device may be an organic light-emitting device that includes a second electrode facing the first electrode, and an intermediate layer having an organic light-emitting layer between the first electrode and the second electrode.
본 발명의 다른 실시예는, 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 전극은, 상기 평탄화층 상에 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 순차적으로 적층한 후, 상기 제3 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제1 도전층을 각각 순차적으로 패터닝하여 형성되고, 패터닝된 상기 제2 도전층의 면적은, 패터닝된 상기 제1 도전층의 면적 및 패터닝된 상기 제3 도전층의 면적보다 크게 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법을 개시한다.Another embodiment of the present invention includes forming a thin film transistor on a substrate; forming a planarization layer covering the thin film transistor on the substrate; and forming a first electrode connected to the thin film transistor on the planarization layer, wherein the first electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer on the planarization layer. After sequentially stacking, the third conductive layer, the second conductive layer, and the first conductive layer are each formed by sequentially patterning, and the area of the patterned second conductive layer is equal to the area of the patterned first conductive layer. Disclosed is a method of manufacturing a display device that is formed to be larger than the area of the layer and the area of the patterned third conductive layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 제1 에천트에 의해 습식 식각되고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 에천트와 상이한 제2 에천트에 의해 습식 식각될 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer and the third conductive layer are wet-etched by a first etchant, and the second conductive layer is wet-etched by a second etchant different from the first etchant. You can.
본 실시예에 있어서, 상기 제3 도전층의 식각시, 상기 제2 도전층과 상기 제1 도전층은 상기 제1 에천트에 의해 식각되지 않을 수 있다.In this embodiment, when etching the third conductive layer, the second conductive layer and the first conductive layer may not be etched by the first etchant.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 에천트에 의해, 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 모두 식각될 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer may all be etched by the second etchant.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 도전층의 식각 시간은, 상기 제3 도전층의 식각 시간 보다 짧을 수 있다.In this embodiment, the etching time of the second conductive layer may be shorter than the etching time of the third conductive layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제3 도전층의 식각 시간은, 상기 제1 도전층의 식각 시간 보다 짧을 수 있다.In this embodiment, the etching time of the third conductive layer may be shorter than the etching time of the first conductive layer.
본 실시예에 있어서, 패터닝된 상기 제1 도전층의 면적은 패터닝된 상기 제3 도전층의 면적보다 크게 형성될 수 있다.In this embodiment, the area of the patterned first conductive layer may be larger than the area of the patterned third conductive layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 도전층은 은을 포함할 수 있다.In this embodiment, the first conductive layer and the third conductive layer are made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and gallium zinc oxide. It may contain at least one of indium (IGZO), and the second conductive layer may contain silver.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 가지는 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, forming an intermediate layer having an organic light-emitting layer on the first electrode; and forming a second electrode on the intermediate layer.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 전극 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, the step of forming a thin film encapsulation layer on the second electrode may be further included.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages in addition to those described above will become apparent from the following drawings, claims and detailed description of the invention.
본 발명의 실시예들에 의하면, 박막 봉지층에 발생할 수 있는 결함을 최소화하여, 암점 등의 불량이 발생하는 것을 최소화할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to embodiments of the present invention, defects that may occur in the thin film encapsulation layer can be minimized, thereby minimizing the occurrence of defects such as dark spots. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 전압선과 평탄화층을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 도 2의 A 부분을 확대하여 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 III-III' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of section II' of FIG. 1.
FIG. 3 is a plan view schematically showing the voltage line and planarization layer of the display device of FIG. 1.
Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion of part A of Figure 2.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a cross-section taken along line III-III' of FIG. 3.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.In the following embodiments, terms such as first and second are used not in a limiting sense but for the purpose of distinguishing one component from another component.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In the following examples, singular terms include plural terms unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have mean that the features or components described in the specification exist, and do not exclude in advance the possibility of adding one or more other features or components.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part of a film, region, component, etc. is said to be on or on another part, it is not only the case where it is directly on top of the other part, but also when another film, region, component, etc. is interposed between them. Also includes cases where there are.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the sizes of components may be exaggerated or reduced for convenience of explanation. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are shown arbitrarily for convenience of explanation, so the present invention is not necessarily limited to what is shown.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. In cases where an embodiment can be implemented differently, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially at the same time, or may be performed in an order opposite to that in which they are described.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numerals.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 2는 도 1의 I-I' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도, 도 3은 도 1의 디스플레이 장치의 전압선과 평탄화층을 개략적으로 도시한 평면도, 도 4는 도 2의 A 부분을 확대하여 개략적으로 도시한 단면도, 그리고 도 5는 도 3의 III-III' 단면의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the II′ cross-section of FIG. 1, and FIG. 3 is a voltage line of the display device of FIG. FIG. 4 is a plan view schematically showing the planarization layer, FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion of part A of FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of the III-III' cross section of FIG. 3.
이하에서는 도 1 내지 도 5를 참조하여, 디스플레이 장치(10) 및 이의 제조 과정을 설명한다.Hereinafter, the
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치(10)는 기판(101), 기판(101) 상에 위치하는 표시부(100) 및 표시부(100)를 밀봉하는 박막 봉지층(300)을 포함할 수 있다.1 to 5, the
기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성할 수도 있다. 플라스틱 재질은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등일 수 있다.The
한편, 화상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나, 화상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금, Kovar 합금 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, in the case of a bottom-emitting type where the image is implemented in the direction of the
표시부(100)는 기판(101) 상에 형성된다. 표시부(100)는 사용자가 인식할 수 있는 화상을 구현하는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The
표시영역(DA)에는 복수의 화소(P)들이 배치될 수 있다. 복수의 화소(P)들은 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)의 교차영역에 위치할 수 있으며, 비표시 영역(NDA)에는 표시 소자(100b) 등으로 전원을 공급하는 전압선(200)이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)에는 전원 공급장치(미도시) 또는 신호 생성장치(미도시)로부터 전기적 신호를 표시 영역(DA)으로 전달하는 패드부(150)가 배치될 수 있다.A plurality of pixels P may be arranged in the display area DA. A plurality of pixels (P) may be located in the intersection area of the data line (DL) and the scan line (SL), and in the non-display area (NDA), a
기판(101) 상에는 버퍼층(102)이 형성될 수 있다. 버퍼층(102)은 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 기판(101)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(102)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.A
기판(101) 상에는 박막 트랜지스터(100a) 및 박막 트랜지스터(100a)와 전기적으로 연결된 표시 소자(100b)가 위치할 수 있다.A
박막 트랜지스터(100a)는 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 포함할 수 있다. 이하에서는, 박막 트랜지스터(100a)가 활성층(103), 게이트 전극(105), 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)이 순차적으로 형성된 탑 게이트 타입(top gate type)인 경우를 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입의 박막 트랜지스터(100a)가 채용될 수 있다.The
활성층(103)은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon) 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고 활성층(103)은 다양한 물질을 함유할 수 있다. 선택적 실시예로서 활성층(103)은 유기 반도체 물질 등을 함유할 수 있다. 또 다른 선택적 실시예로서, 활성층(103)은 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있다. 예컨대, 활성층(103)은 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 등과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. The
게이트 절연막(104:gate insulating layer)은 활성층(103) 상에 형성된다. 게이트 절연막(104)은 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(104)은 활성층(103)과 게이트 전극(105)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 절연막(104)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역(NDA)의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다.A gate insulating layer (104) is formed on the active layer (103). The
게이트 전극(105)은 게이트 절연막(104)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(105)은 박막 트랜지스터(100a)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결될 수 있다.The
게이트 전극(105)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(105)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
게이트 전극(105)상에는 층간 절연막(106)이 형성된다. 층간 절연막(106)은 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)과 게이트 전극(105)을 절연한다. 층간 절연막(106)은 표시 영역(DA)뿐만 아니라 비표시영역의 일부에까지 연장되어 형성될 수 있다. An interlayer insulating
층간 절연막(106)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.The
층간 절연막(106) 상에는 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)을 형성할 수 있다. 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 활성층(103)의 영역과 접촉하도록 형성된다. 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)은 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층, 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층의 적층 구조를 가질 수 있다.A
박막트랜지스터(100a) 상에는 평탄화층(109)이 형성된다. 평탄화층(109)은 박막 트랜지스터(100a)로부터 비롯된 단차를 해소하여, 하부 요철에 의해 표시 소자(100b)에 불량이 발생하는 것을 방지한다. 평탄화층(109)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 또한, 평탄화층(109)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로 형성될 수도 있다.A
평탄화층(109)은 비표시 영역(NDA) 내에서 표시 영역(DA)을 에워싸는 분할영역(V)을 포함할 수 있다. 분할영역(V)은 평탄화층(109)의 일부가 제거되어 형성되며, 외부로부터 수분이 유기 물질로 이루어진 평탄화층(109)을 따라 표시영역(DA) 내로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 분할영역(V)에 의해 평탄화층(109)은 중앙부(109a)와 외곽부(109b)로 분할될 수 있으며, 중앙부(109a)는 표시 영역(DA)보다 큰 면적을 가질 수 있다.The
평탄화층(109)상에는 표시 소자(100b)가 형성된다. 표시 소자(100b)는 일 예로 제1 전극(111), 제1 전극(111)과 대향하는 제2 전극(113), 및 제1 전극(111)과 제2 전극(113) 사이에 개재되는 중간층(112)을 구비한 유기발광소자일 수 있다.A
제1 전극(111)은 평탄화층(109)상에 형성되고, 박막 트랜지스터(100a)와 전기적으로 연결될 수 있다. The
제1 전극(111)은 일 예로, 반사 전극일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(111)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO) 중 적어도 하나를 구비할 수 있다. 일 예로, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(111)은 투명 또는 반투명 전극층인 제1 도전층(111a), 은을 포함하는 제2 도전층(111b) 및 투명 또는 반투명 전극층인 제3 도전층(111c)의 적층 구조를 가질 수 있다. For example, the
제1 전극(111)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 예를 들면, 포토 리소그래피법에 의해 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(111)은, 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b) 및 제3 도전층(111c)을 순차적으로 적층한 다음, 적층 순서와 반대로 제3 도전층(111c), 제2 도전층(111b), 및 제1 도전층(111a)을 각각 습식 에칭에 의하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다.The
제3 도전층(111c)의 에칭시에는 제2 도전층(111b)은 에칭되지 않는다. 이를 위해, 제3 도전층(111c)은 ITO 등을 포함하는 투명 또는 반투명 전극층만을 선택적으로 에칭할 수 있는 제1 에천트를 사용하여 에칭될 수 있다. 예를 들어, 제3 도전층(111c)만을 선택적으로 에칭할 수 있는 제1 에천트는, ITO 전용 에천트일 수 있다. 한편, 제1 도전층(111a)은 제2 도전층(111b)에 의해 커버된 상태이고, 제3 도전층(111c)의 에칭시 제2 도전층(111b)은 에칭되지 않으므로, 제3 도전층(111c)의 에칭시 제1 도전층(111a)도 에칭되지 않는다.When etching the third
제3 도전층(111c)을 에칭하여 패터닝한 후에는, 제2 에천트를 사용하여 제2 도전층(111b)을 에칭하여 패터닝한다. 제2 에천트는 제1 에천트와 상이한 조성을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 에천트는 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)을 함께 식각할 수 있는 에천트일 수 있다. 즉, 제2 에천트는 종래 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)이 적층된 상태에서 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)을 동시 식각하여 제1 전극(111)을 형성할 때 사용하던 에천트일 수 있다. After etching and patterning the third
한편, 종래 제2 에천트를 사용하여 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)을 동시 식각할 때에는, 제2 도전층(111b)의 식각률보다 제1 도전층(111a) 및 제3 도전층(111c)의 식각률이 훨씬 작고, 에칭 후의 잔사 발생을 방지하기 위하여 과식각을 할 필요가 있었다. 예를 들어, 종래 제2 에천트를 사용하여 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)을 동시 식각할 때에는 약 80초 이상 에칭을 진행하였으며, 이에 따라 디스플레이 장치(10) 내의 다른 배선에 손상이 발생하고, 이와 같은 과정을 통해 제2 도전층(111b)에 포함되었던 은의 이온이 환원되어 석출됨으로써, 은의 파티클에 의한 배선 또는 전극에 불량이 발생할 수 있었다. 그러나, 본 발명에 의하면, 제3 도전층(111c), 제2 도전층(111b) 및 제1 도전층(111a)을 순차적으로 각각 식각하기 때문에, 제2 도전층(111b)의 에칭 시간을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전층(111b)은 약 4 내지 7초 동안 에칭을 진행하여 패터닝할 수 있으며, 이에 따라 제2 에천트에 의해 다른 배선 등에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, when simultaneously etching the first
제1 도전층(111a)은 제3 도전층(111c)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(111a)은 제1 에천트를 사용하여 패터닝될 수 있다. 다만, 제1 도전층(111a)의 에칭시에는 평탄화층(109)상에 잔사 발생을 방지하기 위하여, 제3 도전층(111c)의 에칭 시간보다 긴 시간동안 식각공정을 진행할 수 있다. 예를 들어, 제3 도전층(111c)은 2회에 걸쳐 각각 7초 내지 12초 동안 식각을 하는 반면, 제1 도전층(111a)은 2회에 걸쳐 각각 15초 내지 25초 동안 식각을 진행할 수 있다.The first
한편, 제1 도전층(111a)의 식각시에는 제3 도전층(111c)도 함께 식각될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(111a)의 면적은 제3 도전층(111c)의 면적보다 크게 형성될 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 제2 도전층(111b)의 식각 시간을 최소화함에 따라, 제2 도전층(111b)의 면적이 제1 도전층(111a)의 면적보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제2 도전층(111b)의 단부는 제1 도전층(111a)의 단부 및 제3 도전층(111c)의 단부보다 외부로 더 돌출될 수 있다.Meanwhile, when etching the first
선택적 실시예로, 은을 포함하는 제2 도전층(111b)은 은의 응집현상을 방지하기 위하여, 은과 동일하거나 작은 원자 반경을 가지는 합금 원소를 더 포함할 수 있다. 합금 원소는 아연(Zn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 플래티늄(Pt), 안티모니(Sb), 망가니즈(Mn), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. In an optional embodiment, the second conductive layer 111b containing silver may further include an alloy element having an atomic radius equal to or smaller than that of silver in order to prevent silver aggregation. The alloy elements are zinc (Zn), nickel (Ni), cobalt (Co), copper (Cu), gallium (Ga), germanium (Ge), platinum (Pt), antimony (Sb), manganese (Mn), It may contain at least one of tungsten (W) and molybdenum (Mo).
다시 도 2를 참조하면, 제2 전극(113)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 제2 전극(113)은 중간층(112)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 제1 전극(111)에 의해 반사되어, 제2 전극(113) 측으로 방출될 수 있다.Referring again to FIG. 2, the
그러나, 본 실시예의 표시부(100)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(101) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 제1 전극(111)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 제2 전극(113)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시부(100)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.However, the
한편, 제1 전극(111)상에는 절연물로 화소 정의막(119)이 형성된다. 화소 정의막(119)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(119)은 제1 전극(111)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(112)이 위치한다. 즉, 화소 정의막(119)은 유기발광소자의 화소영역을 정의한다.Meanwhile, a
중간층(112)에 포함된 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(112)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.The organic light-emitting layer included in the
한편, 비표시 영역(NDA)에는 전압선(200)과, 평탄화층(109)을 중앙부(109a)와 외곽부(109b)로 분할하는 분할영역(V)이 배치될 수 있다. 전압선(200)은 적어도 일부가 분할영역(V)에 배치될 수 있다. 즉, 전압선(200)은 분할영역(V)에서 일부가 노출될 수 있다.Meanwhile, a
전압선(200)은 제1 전압선(210)과 제2 전압선(220)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 전압선(210)은 제1 전원전압(ELVDD)선일 수 있으며, 제2 전압선(220)은 제2 전원전압(ELVSS)선일 수 있다. 제2 전압선(220)은 제2 전극(113)과 연결될 수 있다. 도 2에서는, 제2 전압선(220)과 제2 전극(113)이 배선(116)을 통해 접속된 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않고 제2 전압선(220)과 제2 전극(113)은 직접 접할 수 있다.The
제1 전압선(210)은 표시 영역(DA)의 일측에 대응하도록 배치된 제1 메인 전압선(212)과 제1 연결부(214)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시부(DA)가 장방형인 경우, 제1 메인 전압선(212)은 표시 영역(DA)의 어느 하나의 변과 대응하도록 배치될 수 있다. 제1 전압선(212)은 어느 하나의 변과 나란하고, 어느 하나의 변 이상의 길이를 가질 수 있다. 제1 전압선(212)과 대응하는 어느 하나의 변은 패드부(150)와 인접한 변일 수 있다.The
제1 연결부(214)는 제1 메인 전압선(212)으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 분할영역(V)을 가로지를 수 있다. 여기서 제1 방향은 표시 영역(DA)으로부터 패드부(150)를 향하는 방향으로, 제1 연결부(214)는 패드부(150)와 연결될 수 있다. 제1 메인 전압선(212)은 중앙부(109a)에 의해 덮일 수 있으나, 제1 연결부(214)는 적어도 중간층(112)을 형성하는 과정까지 분할영역(V)에서 노출될 수 있다.The
제2 전압선(220)은 제1 메인 전압선(212)의 양단부들과 표시 영역(DA)의 나머지 영역들을 에워싸는 제2 메인 전압선(222)과 제2 메인 전압선(222)으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 분할영역(V)을 가로지르는 제2 연결부(224)를 포함할 수 있다. 제2 연결부(224)는 패드부(150)와 연결되며, 적어도 중간층(112)을 형성하는 과정까지 분할영역(V)에서 노출될 수 있다.The
한편, 전압선(200)은 소스 전극(107) 및 드레인 전극(108)과 동일한 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 전압선(200)은 도 5에 도시하는 바와 같이, 티타늄(Ti)을 포함하는 제1 층(200a), 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층(200b), 및 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층(200c)의 적층 구조를 가질 수 있다. 이때, 알루미늄(Al)은 티타늄(Ti)보다 식각률이 크다. 따라서, 제1 전극(111)을 패터닝할 때, 종래와 같이 제2 에천트를 사용하여 제1 도전층(111a), 제2 도전층(111b), 및 제3 도전층(111c)을 동시 식각하면, 분할영역(V)에서 노출된 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224)의 제2 층(200b)이 제2 에천트에 과도하게 노출됨으로써, 제2 층(200b)의 측면이 과식각되어 티타늄(Ti)을 포함하는 제3 층(200c)에 불량이 발생하고, 그 결과 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224)의 스텝 커버리지가 저하되어, 분할영역(V)에서 이와 접하는 박막 봉지층(300)에 크랙 등의 손상이 발생할 수 있다. Meanwhile, the
또한, 알루미늄(Al)을 포함하는 제2 층(200b)의 식각에 의하여 전자가 발생하고, 발생된 전자와 제2 에천트 내에 존재하는 은 이온이 결합하여, 은 이온이 환원됨으로써 제1 연결부(214) 또는 제2 연결부(224) 상에 은 입자가 흡착될 수 있다. 흡착된 은 입자는 세정 공정 등에 의해 제1 전극(111)으로 전이될 수 있다. 따라서, 제1 전극(111)은 은 파티클에 의한 불량이 발생할 수 있다. In addition, electrons are generated by etching the
그러나, 본 발명에 의하면, 제1 전극(111)의 제3 도전층(111c), 제2 도전층(111b) 및 제1 도전층(111a)이 순차적으로 각각 식각되기 때문에, 제2 도전층(111b)을 식각하는 제2 에천트의 사용 시간을 최소화할 수 있고, 이에 따라 제1 연결부(214) 및 제2 연결부(224)가 제2 에천트에 노출되는 시간을 최소화할 수 있다. 따라서, 제2 도전층(111b)의 에칭과정 중에, 제2 층(200b)에 발생하는 손상을 방지 내지는 최소화할 수 있다. 또한, 제1 층(200a), 제2 층(200b) 및 제3 층(200c)은 제1 도전층(111a) 및 제3 도전층(111c)을 에칭할 때 사용하는 제1 에천트에 영향을 받지 않으므로, 제1 전극(111)의 형성시, 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224)의 스텝 커버리지가 저하되지 않으며, 이에 따라 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224)를 커버하는 박막 봉지층(300)에 크랙 등의 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 층(200b)의 손상이 방지 내지는 최소화되므로, 제2 에천트 내에 존재하는 은 이온이 은 파티클로 환원되어 석출되는 현상도 방지 내지는 최소화함으로써, 은 파티클에 의한 암점 불량 등을 방지할 수 있다.However, according to the present invention, since the third
한편, 분할영역(V) 내에는 댐부(109c)가 형성될 수 있다. 댐부(109c)는 표시부(100)를 밀봉하기 위한 박막 봉지층(300)의 유기막(330)의 형성시, 유기물이 기판(101)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하여, 유기막(330)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다.Meanwhile, a
댐부(109c)는 평탄화층(109)과 동일한 층에 동일한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 댐부(109c)는 두 층 이상으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 댐부(109c)가 이층 구조를 가지는 경우, 하부층은 평탄화층(109)과 동일한 재질로 이루어질 수 있고, 상부층은 화소 정의막(119)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 댐부(109c)는 두 개 이상의 복수 개로 구성될 수 있다. 댐부(109c)가 복수 개로 구성되는 경우, 기판(101)의 외곽으로 갈수록 댐부(109c)의 높이가 증가할 수 있다.The
박막 봉지층(300)은 표시부(100)를 밀봉하여 외부의 산소 및 수분 등이 표시부(100)로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막 봉지층(300)은 적어도 하나의 무기막(310, 320)과 적어도 하나의 유기막(330)을 포함할 수 있다. 도 2에서는, 박막 봉지층(300)이 순차적으로 적층된 제1 무기막(310), 유기막(330), 및 제2 무기막(320)을 포함하는 예를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않는다. 즉, 박막 봉지층(300)은 교대로 배치된 복수 개의 추가적인 무기 봉지막 및 유기 봉지막을 더 포함할 수 있으며, 무기 봉지막 및 유기 봉지막의 적층 횟수는 제한되지 않는다.The thin
유기막(330)은 예컨대, 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. The
제1 무기막(310)과 제2 무기막(320)은 예컨대, 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물(SiON)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.The first
한편, 댐부(109c)는 유기막(330)의 형성시, 유기물이 기판(101)의 가장자리 방향으로 흐르는 것을 차단하므로, 유기막(330)은 댐부(109c)의 내측에 위치하게 된다. 이에 반해, 제1 무기막(310)과 제2 무기막(320)은 유기막(330) 보다 크게 형성되며, 외곽부(109b)를 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 분할영역(V)은 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(320)에 의해 덮이게 된다. 이때, 상술한 바와 같이 분할영역(V) 내에서 노출된 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224)는 스텝 커버리지가 저하되지 않으므로, 제1 연결부(214) 및 제2 연결부(224) 상부에 형성되는 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(320)에 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해 외부의 수분이나 산소 등이 표시 소자로 침투하는 것이 방지되어, 암점 등의 불량의 발생을 최소화할 수 있다. Meanwhile, the
한편, 제1 무기막(310)은 분할영역(V)에서 제1 연결부(214)와 제2 연결부(224) 각각의 상면 및 측면과 직접 접할 수 있다. 특히, 본원발명에 의하면 제1 연결부(214) 및 제2 연결부(224)의 제2 층(200b)의 인입현상이 방지되기 때문에, 제1 무기막(310)은 제2 층(200b)의 측면과 직접 접할 수 있다. Meanwhile, the first
또한, 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(320)은 외곽부(109b)의 외측으로 연장될 수 있고, 외곽부(109b)의 외측에서 제1 무기막(310) 및 제2 무기막(320)은 서로 접할 수 있다. In addition, the first
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, but this is merely an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiment are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.
Claims (20)
상기 기판 상에 배치되고, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 표시 소자, 및 상기 박막 트랜지스터와 상기 표시 소자 사이에 개재된 평탄화층을 구비한 표시부; 및
상기 표시부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고,
상기 표시 소자는 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 순차적으로 적층된 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 포함하며,
상기 제2 도전층의 단부가 상기 제1 도전층의 단부 및 상기 제3 도전층의 단부보다 외부로 더 돌출된 디스플레이 장치.Board;
a display unit disposed on the substrate and including a thin film transistor, a display element electrically connected to the thin film transistor, and a planarization layer interposed between the thin film transistor and the display element; and
It includes a thin film encapsulation layer that seals the display unit,
The display element includes a first electrode electrically connected to the thin film transistor, and the first electrode includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer sequentially stacked,
A display device wherein an end of the second conductive layer protrudes further outward than an end of the first conductive layer and an end of the third conductive layer.
상기 제1 도전층이 상기 제3 도전층 하부에 위치하고,
상기 제2 도전층의 면적이 상기 제1 도전층의 면적 및 상기 제3 도전층의 면적보다 크며, 상기 제1 도전층의 면적이 상기 제3 도전층의 면적보다 큰 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
The first conductive layer is located below the third conductive layer,
A display device in which the area of the second conductive layer is larger than the area of the first conductive layer and the area of the third conductive layer, and the area of the first conductive layer is larger than the area of the third conductive layer.
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 동일한 재질을 포함하는 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
A display device wherein the first conductive layer and the third conductive layer include the same material.
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 도전층은 은을 포함하는 디스플레이 장치.According to paragraph 3,
The first conductive layer and the third conductive layer are made of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and gallium zinc indium (IGZO). Contains one,
A display device wherein the second conductive layer includes silver.
상기 표시부는, 표시 영역과, 상기 표시 영역의 외곽에 비표시 영역을 포함하고,
상기 평탄화층은, 상기 평탄화층을 중앙부와 외곽부로 분할하는 분할영역을 포함하며, 상기 중앙부의 면적이 상기 표시 영역의 면적보다 큰 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
The display unit includes a display area and a non-display area outside the display area,
The planarization layer includes a divided area dividing the planarization layer into a central part and an outer part, and the area of the central part is larger than the area of the display area.
상기 표시부는, 상기 비표시 영역에 배치된 전압선을 더 포함하고,
상기 전압선은 티타늄을 포함하는 제1 층, 알루미늄을 포함하는 제2 층, 및 티타늄을 포함하는 제3 층을 포함하는 디스플레이 장치.According to clause 5,
The display unit further includes a voltage line disposed in the non-display area,
The voltage line includes a first layer containing titanium, a second layer containing aluminum, and a third layer containing titanium.
상기 전압선은, 서로 다른 전압이 인가되는 제1 전압선과 제2 전압선을 포함하고,
상기 제1 전압선은 상기 표시 영역의 일측에 대응하도록 배치된 제1 메인 전압선과, 상기 제1 메인 전압선으로부터 제1 방향을 따라 돌출되어 상기 분할영역을 가로지르는 제1 연결부를 포함하고,
상기 제2 전압선은, 상기 제1 메인 전압선의 양 단부들과 상기 표시 영역의 나머지 영역들을 에워싸는 제2 메인 전압선과, 상기 제2 메인 전압선으로부터 상기 제1 방향을 따라 돌출되어 상기 분할영역을 가로지르는 제2 연결부를 포함하며,
상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부는 패드부와 연결된 디스플레이 장치.According to clause 6,
The voltage line includes a first voltage line and a second voltage line to which different voltages are applied,
The first voltage line includes a first main voltage line disposed to correspond to one side of the display area, and a first connection portion that protrudes from the first main voltage line in a first direction and crosses the divided area,
The second voltage line includes a second main voltage line surrounding both ends of the first main voltage line and the remaining area of the display area, and a second main voltage line that protrudes from the second main voltage line along the first direction and crosses the divided area. It includes a second connection,
A display device wherein the first connection part and the second connection part are connected to a pad part.
상기 분할영역에서 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 각각의 상면과 측면은 상기 박막 봉지층과 직접 접하는 디스플레이 장치.In clause 7,
A display device in which a top surface and a side surface of each of the first connection part and the second connection part in the divided area are in direct contact with the thin film encapsulation layer.
상기 박막 봉지층은 순차적으로 적층된 제1 무기막, 유기막, 및 제2 무기막을 포함하고,
상기 제1 무기막은, 상기 분할영역에서 상기 제1 연결부와 상기 제2 연결부 각각에 포함된 상기 제2 층의 측면과 직접 접하는 디스플레이 장치.In clause 7,
The thin film encapsulation layer includes a first inorganic film, an organic film, and a second inorganic film sequentially stacked,
The first inorganic layer is in direct contact with a side surface of the second layer included in each of the first connection part and the second connection part in the divided area.
상기 표시 소자는 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 유기 발광층을 가지는 중간층을 포함하는 유기 발광 소자인 디스플레이 장치.According to paragraph 1,
The display device is an organic light emitting device including a second electrode opposing the first electrode, and an intermediate layer having an organic light emitting layer between the first electrode and the second electrode.
상기 기판 상에 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층을 형성하는 단계; 및
상기 평탄화층 상에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 전극은, 상기 평탄화층 상에 제1 도전층, 제2 도전층 및 제3 도전층을 순차적으로 적층한 후, 상기 제3 도전층, 상기 제2 도전층, 및 상기 제1 도전층을 각각 순차적으로 패터닝하여 형성되고,
패터닝된 상기 제2 도전층의 면적은, 패터닝된 상기 제1 도전층의 면적 및 패터닝된 상기 제3 도전층의 면적보다 크게 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법.Forming a thin film transistor on a substrate;
forming a planarization layer covering the thin film transistor on the substrate; and
It includes forming a first electrode connected to the thin film transistor on the planarization layer,
The first electrode is formed by sequentially stacking a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer on the planarization layer, and then forming the third conductive layer, the second conductive layer, and the first conductive layer. is formed by sequentially patterning each,
A method of manufacturing a display device wherein the area of the patterned second conductive layer is formed to be larger than the area of the patterned first conductive layer and the area of the patterned third conductive layer.
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 제1 에천트에 의해 습식 식각되고, 상기 제2 도전층은 상기 제1 에천트와 상이한 제2 에천트에 의해 습식 식각되는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 11,
The first conductive layer and the third conductive layer are wet-etched using a first etchant, and the second conductive layer is wet-etched using a second etchant different from the first etchant.
상기 제3 도전층의 식각시, 상기 제2 도전층과 상기 제1 도전층은 상기 제1 에천트에 의해 식각되지 않는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 12,
When etching the third conductive layer, the second conductive layer and the first conductive layer are not etched by the first etchant.
상기 제2 에천트에 의해, 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 제3 도전층은 모두 식각되는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 13,
A method of manufacturing a display device in which the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer are all etched by the second etchant.
상기 제2 도전층의 식각 시간은, 상기 제3 도전층의 식각 시간 보다 짧은 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 11,
The method of manufacturing a display device wherein the etching time of the second conductive layer is shorter than the etching time of the third conductive layer.
상기 제3 도전층의 식각 시간은, 상기 제1 도전층의 식각 시간 보다 짧은 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 15,
The method of manufacturing a display device wherein the etching time of the third conductive layer is shorter than the etching time of the first conductive layer.
패터닝된 상기 제1 도전층의 면적은 패터닝된 상기 제3 도전층의 면적보다 크게 형성되는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 11,
A method of manufacturing a display device, wherein the area of the patterned first conductive layer is formed to be larger than the area of the patterned third conductive layer.
상기 제1 도전층과 상기 제3 도전층은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 산화갈륨아연(GZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 도전층은 은을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 11,
The first conductive layer and the third conductive layer are made of at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), gallium zinc oxide (GZO), and gallium zinc indium (IGZO). A method of manufacturing a display device, including one, wherein the second conductive layer includes silver.
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 가지는 중간층을 형성하는 단계; 및
상기 중간층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 11,
forming an intermediate layer having an organic light-emitting layer on the first electrode; and
A method of manufacturing a display device further comprising forming a second electrode on the intermediate layer.
상기 제2 전극 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.According to clause 19,
A method of manufacturing a display device further comprising forming a thin film encapsulation layer on the second electrode.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180062894A KR102637790B1 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | Display device and manufacturing method thereof |
| CN201910322604.0A CN110556485B (en) | 2018-05-31 | 2019-04-22 | Display device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180062894A KR102637790B1 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | Display device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190137205A KR20190137205A (en) | 2019-12-11 |
| KR102637790B1 true KR102637790B1 (en) | 2024-02-19 |
Family
ID=68736276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180062894A KR102637790B1 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | Display device and manufacturing method thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102637790B1 (en) |
| CN (1) | CN110556485B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220091632A (en) * | 2020-12-23 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method of manufacturing for the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170077448A1 (en) | 2015-09-14 | 2017-03-16 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP2018147770A (en) | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing display device |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4062171B2 (en) * | 2003-05-28 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | Manufacturing method of laminated structure |
| KR100739323B1 (en) * | 2005-01-07 | 2007-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting diode and pixel circuit including light emitting diode |
| KR100714010B1 (en) * | 2005-04-07 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light Emission Display |
| KR101582938B1 (en) * | 2008-11-20 | 2016-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device |
| KR101782557B1 (en) * | 2010-10-25 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method of the same |
| KR101802860B1 (en) * | 2010-12-14 | 2017-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method of the same |
| KR101833235B1 (en) * | 2011-07-14 | 2018-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin-film transistor array substrate, organic light emitting display device comprising the same and manufacturing method of the same |
| KR101821167B1 (en) * | 2011-08-30 | 2018-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device having a reflection structure and method of manufacturing an organic light emitting display device having a reflection structure |
| CN103380490B (en) * | 2011-11-14 | 2016-08-10 | 松下电器产业株式会社 | Film transistor device and manufacture method, organic EL display element and organic EL display |
| KR102327087B1 (en) * | 2014-10-14 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus |
| KR102477299B1 (en) * | 2015-06-12 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
-
2018
- 2018-05-31 KR KR1020180062894A patent/KR102637790B1/en active IP Right Grant
-
2019
- 2019-04-22 CN CN201910322604.0A patent/CN110556485B/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170077448A1 (en) | 2015-09-14 | 2017-03-16 | Japan Display Inc. | Display device |
| JP2018147770A (en) | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and method of manufacturing display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190137205A (en) | 2019-12-11 |
| CN110556485A (en) | 2019-12-10 |
| CN110556485B (en) | 2024-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102668686B1 (en) | Display device | |
| US11610955B2 (en) | Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit | |
| US11839105B2 (en) | Display device | |
| KR102632616B1 (en) | Display device | |
| KR102611205B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102314470B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR102655376B1 (en) | Etchant and manufacturing method of display device using the same | |
| KR102637790B1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| KR102652999B1 (en) | Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same | |
| KR20190058759A (en) | Etchant and manufacturing method of display device using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |