JP2019046890A - Adhesive transfer method for semiconductor device and transfer pin - Google Patents
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Abstract
Description
半導体デバイスを接着剤の転写により基板に実装するための接着剤転写方法、およびその転写ピンに関するものである。 The present invention relates to an adhesive transfer method for mounting a semiconductor device on a substrate by transfer of an adhesive, and a transfer pin thereof.
半導体デバイスを構成する半導体チップを、半導体パッケージを構成する基板に実装し、その組み立てを行う際、半導体チップを基板にダイボンドする。このダイボンド方法の一つとして、接着剤の転写を用いたものがある。この場合、半導体チップの下面にペースト状の導電性接着剤を転写して塗布し、半導体チップを基板に押し当てて接着固定する。接着剤の転写および半導体チップの搭載はダイボンダを用いた自動装置により行う。導電性接着剤の転写は、一般に次のような工程からなる。 A semiconductor chip constituting a semiconductor device is mounted on a substrate constituting a semiconductor package, and when the assembly is carried out, the semiconductor chip is die-bonded to the substrate. As one of the die bonding methods, there is one using transfer of an adhesive. In this case, the conductive adhesive in paste form is transferred and applied to the lower surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip is pressed against the substrate and adhered and fixed. The transfer of the adhesive and the mounting of the semiconductor chip are performed by an automatic device using a die bonder. Transfer of the conductive adhesive generally comprises the following steps.
1)金属製の転写ピン(以下、金属ピン)の先端を、皿の中に充填された導電性接着剤に浸漬する。
2)工程1)の後、金属ピンを基板の実装面に押し当てて、導電性接着剤を塗布する。
3)工程2)の後、基板上に塗布された導電性接着剤の上に、半導体チップを載せ、加圧して半導体チップを固定する。
1) Immerse the tip of a metal transfer pin (hereinafter, metal pin) in a conductive adhesive filled in a dish.
2) After step 1), a metal pin is pressed against the mounting surface of the substrate to apply a conductive adhesive.
3) After the step 2), the semiconductor chip is placed on the conductive adhesive applied on the substrate and pressed to fix the semiconductor chip.
ここで、半導体チップを固定する際に、半導体チップの下面から導電性接着剤が溢れる。このため半導体チップの上面に形成されたワイヤボンディングパッドや電気回路に導電性接着剤が付着することを避ける必要がある。半導体チップの上面への導電性接着剤の付着を避けるには、例えば特許文献1のような解決方法が提案されている。
Here, when the semiconductor chip is fixed, the conductive adhesive overflows from the lower surface of the semiconductor chip. For this reason, it is necessary to prevent the conductive adhesive from adhering to the wire bonding pad or the electric circuit formed on the upper surface of the semiconductor chip. In order to avoid the adhesion of the conductive adhesive on the upper surface of the semiconductor chip, for example, a solution method as in
近年、高周波用途や高出力用途の半導体デバイスに用いられる半導体チップは、周波数特性や放熱性を確保するため、半導体のチップ厚さが薄いものが用いられている。例えば高周波用および高出力用半導体チップのチップ厚さは80μm〜150μmと薄い。このように半導体チップの厚みが薄くなった場合、上記特許文献1に示すような半導体デバイスおいても、塗布する導電性接着剤の厚みを十分に薄く抑える必要がある。しかしながら、導電性接着剤の塗布は上述の通り、金属ピンを用いて行うため、導電性接着剤の粘度が高粘度になると金属ピンの先端部への付着量が増大する。半導体パッケージに塗布した導電性接着剤が厚いと、半導体チップの上面に這い上がり、その上面のワイヤボンディングパッドや電気回路に付着する。このため導電性接着剤を薄く微少量に塗布するためには、導電性接着剤の粘度は低い方が望ましい。
In recent years, as semiconductor chips used for semiconductor devices for high frequency applications and high output applications, semiconductor chips having a thin chip thickness are used in order to secure frequency characteristics and heat dissipation. For example, the chip thickness of the high frequency and high power semiconductor chips is as thin as 80 μm to 150 μm. As described above, when the thickness of the semiconductor chip is reduced, it is necessary to suppress the thickness of the conductive adhesive to be applied sufficiently thin even in the semiconductor device as shown in the above-mentioned
一方、導電性接着剤は、一般に銀フィラーを接着剤に混ぜることで導電性能、放熱性能を高めており、特に低抵抗、高放熱タイプの接着剤は銀フィラーの密度が高く、接着剤の粘度は比較的高粘度になるため、安定した接着剤の微少量な塗布が困難となっている。加えて、高周波用途や高出力用途の半導体チップの性能向上とともに、導電性接着剤の高い導電性能や放熱性能が求められるため、前述した接着剤の微少量な塗布を更に難しくしている。このため使用できる導電性接着剤は限られたものとなって、高性能でダイボンディングの自動組立化が可能な半導体チップの開発を、困難ならしめる要因ともなっていた。 On the other hand, conductive adhesives generally improve conductivity and heat radiation performance by mixing silver filler into the adhesive, especially low resistance, high heat radiation type adhesive has high density of silver filler and viscosity of the adhesive Since it has a relatively high viscosity, it is difficult to apply a small amount of stable adhesive. In addition, since the high conductive performance and heat dissipation performance of the conductive adhesive are required along with the performance improvement of the semiconductor chip for high frequency applications and high power applications, the application of the minute amount of the above-mentioned adhesive is made more difficult. For this reason, the conductive adhesives that can be used are limited, which is a factor that makes it difficult to develop a semiconductor chip capable of high-performance and capable of automatic assembly of die bonding.
この発明は係る課題を解決するためになされたものであって、半導体デバイスについて、接着剤の微少量な塗布をより安定して簡便に行うことを可能とする接着剤転写方法を得ることを特徴とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is characterized by obtaining an adhesive transfer method which enables stable and easy application of a minute amount of adhesive for semiconductor devices. I assume.
この発明による半導体デバイスの接着剤転写方法は、半導体デバイスを実装面に接着するための導電性接着剤の塗布に用いられる金属ピンからなる転写ピンであって、上記金属ピンは、先端部に複数の突出部が形成され、当該先端部の側面にフッ素系樹脂コーティングが付着し、上記突出部の先端面は、転写時に導電性接着剤を塗布するための金属露出部が形成されるとともに、当該先端面周辺の一部側面は、フッ素系樹脂コーティングの除かれた所定高さの領域を有することを特徴とするものである。 The adhesive transfer method for a semiconductor device according to the present invention is a transfer pin consisting of a metal pin used for applying a conductive adhesive for bonding a semiconductor device to a mounting surface, and the metal pin is plural at its tip. And the fluorocarbon resin coating is attached to the side surface of the tip portion, and the tip surface of the protrusion portion is formed with a metal exposed portion for applying a conductive adhesive at the time of transfer. A part of the side surface around the tip surface is characterized by having a region of a predetermined height from which the fluorine-based resin coating is removed.
また、先端部に複数の突出部が形成され、当該先端部側面にフッ素系樹脂コーティングが付着するとともに金属露出部が形成され、当該突出部の先端面周辺の一部側面に所定高さでフッ素系樹脂コーティングの除かれた領域を有した金属ピンを用いて、半導体デバイスに導電性接着剤を塗布する半導体デバイスの接着剤転写方法であって、上記金属ピンの先端部を、導電性接着剤の満たされた供給皿に浸す第1工程と、上記金属ピンの先端部を上方に移動する第2工程と、上記金属ピンの先端部を、上記半導体デバイスの接着剤塗布面に押し当て、上記導電性接着剤を塗布する第3工程と、上記金属ピンの先端部を上記半導体デバイスの接着剤塗布面から退避する第4工程と、を備えたものである。 In addition, a plurality of protrusions are formed at the tip, and a fluorine resin coating is attached to the side surface of the tip and a metal exposed portion is formed, and fluorine is provided at a predetermined height around a side surface of the tip surface of the protrusion What is claimed is: 1. A method for transferring an adhesive of a semiconductor device, comprising applying a conductive adhesive to a semiconductor device using a metal pin having a region from which a resin-based resin coating is removed, the tip of the metal pin being a conductive adhesive. A first step of immersing in the filled supply tray, a second step of moving the tip of the metal pin upward, and pressing the tip of the metal pin against the adhesive coated surface of the semiconductor device, A third step of applying a conductive adhesive and a fourth step of retracting the tip of the metal pin from the adhesive application surface of the semiconductor device are provided.
この発明によれば、半導体デバイスへの接着剤の転写において、接着剤の微少量な塗布をより安定して簡便に行うことができるという効果を奏する。 According to the present invention, in the transfer of the adhesive to the semiconductor device, it is possible to apply the minute amount of the adhesive more stably and easily.
実施の形態1.
以下に図面を参照してこの発明に係る実施の形態1による半導体デバイスの接着剤転写方法、および転写ピンについて説明する。図1は、実施の形態1による半導体デバイスの接着剤転写用の転写ピンの構成を例示する図であって、(a)は上面図、(b)は側面図、(c)は(b)の側面の一部分を拡大した拡大図、(d)は下面図である。図2は、実施の形態1による半導体パッケージへの導電性接着剤の転写方法を示す図である。図3は、実施の形態1による接着剤の転写によって、半導体チップを半導体パッケージへ搭載した状態を例示する図である。実施の形態1による接着剤転写用の転写ピンは、導電性接着剤を塗布するための工具であって、金属ピン1から構成される。半導体チップ10は、半導体パッケージ(図示せず)を構成する基板のパッケージ実装面9に、自動組立装置を用いたダイボンディングによって実装される。自動組立装置は、取付け部6と、3軸可動ロボットアーム(図示せず)と、コントローラ(図示せず)と、台座(図示せず)と、供給皿70と、実装ノズル11を備えて構成される。
An adhesive transfer method for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention and a transfer pin will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view illustrating the configuration of a transfer pin for adhesive transfer of a semiconductor device according to the first embodiment, wherein (a) is a top view, (b) is a side view, (c) is (b) FIG. 7D is an enlarged view of a part of the side surface of FIG. FIG. 2 is a view showing a method of transferring the conductive adhesive to the semiconductor package according to the first embodiment. FIG. 3 is a view exemplifying a state in which the semiconductor chip is mounted on the semiconductor package by the transfer of the adhesive according to the first embodiment. The transfer pin for adhesive transfer according to the first embodiment is a tool for applying a conductive adhesive, and is composed of a
図1、2に示すように、金属ピン1は、取付け部2に固定されて、使用される。取付け部2は、キー座が形成されており、上記自動組立装置(図示せず)に設けられた取付け部6の把持部に把持され、取り付け部6に装着される。取付け部6は、上記自動組立装置に設けられた3軸可動ロボットアームに設けられる。上記自動組立装置はコントローラの制御によって、3軸可動ロボットアームのアクチュエータを駆動し、取付け部6を水平方向および垂直方向に3次元的に可動して、取付け部2の先に保持した金属ピン1を所定位置に移動するように、位置制御を行う。金属ピン1は、自動組立装置の取付け部6と取付け部2が水平垂直方向に可動するのに伴い、1つもしくは複数の半導体パッケージ上の所定の実装面に移動し、接着剤を転写する。また、複数の半導体チップ10は、それぞれ上記自動組立装置に設けられた半導体保持部によって保持され、この接着剤の転写された複数の実装面まで移動する。各半導体チップ10は、接着剤の転写されたそれぞれの実装面に押し当てられ、ダイボンドされる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ここで、実施の形態1による金属ピン1は、ステンレスを素材とした母材から、切削加工、鋳造、鍛造等により形成したものである。図1の例において、金属ピン1は、円筒形状のベース部30と、ベース部30の下面に設けられた先端部3とから形成される。
Here, the
図1(b)(c)に示すように、先端部3は、直方体形状の基柱40の底面における4隅の4つの角部のそれぞれから、突出部50が突出して形成される。突出部50は、その辺の長さが基柱40の辺の長さの半分よりも小さい直方体形状をなしている。これによって隣接する突出部50の間に空隙が形成され、図1(d)に示すように、4つの突出部50に囲まれた十字形状の溝が形成されている。また、ベース部30の直径よりも基柱40の四辺の長さが短くなっており、図1(a)(b)に示すように、ベース部30と先端部3の接続面は段差形状をなしている。また、先端部3の突出部50は、半導体チップ10の底部接着面の面積に合わせて、その底面の寸法形状が定められている。
As shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c), the
金属ピン1の先端部3は、フッ素系樹脂コーティング4が施されている。このフッ素系樹脂コーティング4は、先端部3の基柱40の側面および底面に付着し、その表面を覆っている。また、フッ素系樹脂コーティング4は、先端部3の突出部50の側面に付着し、その表面を覆っている。先端部3の突出部50の底面とその底面側周縁の一部側面は、フッ素系樹脂コーティング4が付着せずに金属面が露出した金属露出部5が形成される。フッ素系樹脂コーティング4の厚さは30〜100μm程度である。
The
金属露出部5は接着剤への付着性を有し、金属ピン1の先端部3に導電性接着剤8を付着させる。フッ素系樹脂コーティング4は接着剤に対し非付着性を有し、導電性接着剤8が付着しない。図1(c)に示す先端部3の底面から上方に向かって長さ(高さ)Lの領域は、フッ素系樹脂コーティング4の付着が施されていない。これによって、金属ピン1の先端部3は、複数の金属露出部5はそれぞれ接着剤が付着し、付着した接着剤の高さがLとなる。
The exposed
図2は、図1の金属ピン1を用いた半導体パッケージの導電性接着剤の転写方法を示したものであって、導電性接着剤8の塗布を行う転写工程の時間経過に従った、(a)〜(d)の工程順を示している。自動組立装置は、金属ピン1の可動範囲内の台座上に供給皿70が設置されており、転写工程に入る前に、予め供給皿70の内側収容部に導電性接着剤7が充満している。また、台座上の供給皿70の設置領域とは異なる領域に、半導体パッケージが置かれる。
FIG. 2 shows a method of transferring the conductive adhesive of the semiconductor package using the
まず、金属ピン1は、自動組立装置の取り付け部6に取り付けられる。
次に、図2(a)に示す第1工程(a)において、自動組立装置の取り付け部6を上方に可動し、金属ピン1の先端部3を供給皿70の方に下降させて、供給皿70内の導電性接着剤7に、金属ピン1の先端部3を浸す。このとき、先端部3のフッ素系樹脂コーティング膜4が導電性接着剤7に浸り、ベース部30は導電性接着剤7に浸らないように、取り付け部6の上下位置を調整する。
First, the
Next, in the first step (a) shown in FIG. 2 (a), the mounting portion 6 of the automatic assembling apparatus is moved upward, and the
次の第2工程(b)では、自動組立装置のコントローラの制御により、取り付け部6を上方に可動し、金属ピン1を上昇させ、図2(b)に示す状態となる。この状態では、フッ素系樹脂コーティング膜4の表面張力が低く撥水効果がある。このため導電性接着剤8が付着せずに金属露出部5のみに導電性接着剤8が付着する。
In the next second step (b), under the control of the controller of the automatic assembling apparatus, the mounting portion 6 is moved upward, the
次の第3工程(c)では、自動組立装置のコントローラの制御により取り付け部6を水平面内で可動し、図2(b)の状態から、導電性接着剤8を塗布する半導体パッケージにおけるパッケージ実装面9の直上まで、金属ピン1を平行移動する。その位置から金属ピン1を下降することで、図2(c)に示す通り、導電性接着剤8の付着した金属露出部5がパッケージ実装面9に接触し、導電性接着剤8がパッケージ実装面9に付着する。図1(d)の金属露出部5を使う場合は、導電性接着剤8が4箇所に付着する。
In the next third step (c), the mounting portion 6 is moved in the horizontal plane by the control of the controller of the automatic assembling apparatus, and package mounting in the semiconductor package to which the
次の第4工程(d)では、自動組立装置のコントローラの制御により取り付け部6を上下方向に可動し、図2(d)の状態から金属ピン1を上昇すると、パッケージ実装面9に導電性接着剤8が残り、導電性接着剤8の塗布が完了し、半導体パッケージへの導電性接着剤8の転写が完了する。図2(d)の例では、パッケージ実装面9上の金属露出部5に対応した複数個所(図1(d)の金属露出部5を使う場合は4箇所)に、転写された導電性接着剤8が残留する。
In the next fourth step (d), the mounting portion 6 is vertically moved by control of the controller of the automatic assembling apparatus, and when the
図3は、図2の導電性接着剤8をパッケージ実装面9に塗布した後に、半導体チップ10をパッケージ実装面9に搭載した状態を例示している。
半導体チップ10は、自動組立装置の実装ノズル11に真空吸着され、自動組立装置の移動機構によって、パッケージ実装面9における導電性接着剤8の転写部位の上方まで運ばれる。その後、半導体チップ10は、底面がパッケージ実装面9上の導電性接着剤8に当接し、パッケージ実装面9に搭載される。また、半導体チップ10がパッケージ実装面9を押すように、実装ノズル11に荷重を加えることで、導電性接着剤8は圧力が加わって半導体チップ10の下面に濡れ広がる。このとき、半導体チップ10上面への導電性接着剤8の付着を避けるため、図2(d)の導電性接着剤8の塗布完了後の高さHは、半導体チップ10の厚さよりも薄くしている。
FIG. 3 illustrates a state in which the
The
ここで、パッケージ実装面9に塗布される導電性接着剤8の高さHと面積Sは、上述の図2(b)の金属ピン1の金属露出部5に付着した導電性接着剤8の量で決まる。図1(c)に示した金属露出部5の高さLを予め調整するによって、パッケージ実装面9に塗布される導電性接着剤8の高さを調整することができる。かくして、図3の半導体チップ10の搭載時における導電性接着剤8の半導体チップ10の上面への付着を抑えることができる。
Here, the height H and the area S of the
さらに、導電性接着剤8の塗布時は、金属ピン9の先端部3における金属露出部5とパッケージ実装面9が接触するが、先端部3の接触部は、フッ素系樹脂コーティング4で覆われた構造ではなく、金属露出部5において金属部が露出した構造となっている。このため、フッ素系樹脂コーティング4が摩耗することはなく耐久性に優れる。
Furthermore, when the
また、導電性接着剤8の粘度が高粘度になった場合は、金属ピン9の先端部3における金属露出部5に、導電性接着剤8の付着する量が増える。しかしながら、フッ素系樹脂コーティング4が介在することによって、導電性接着剤8の付着量を抑制することができる。これにより、導電性接着剤8として、低抵抗かつ高放熱のものを使用し、半導体チップの組立を自動で行うことができるので、高性能(低抵抗、高放熱)でかつ低価格化に優れた高周波および高出力デバイスの提供を、可能とする。
When the viscosity of the
実施の形態1による接着剤転写方法は、先端部3に複数の突出部50が形成され、当該先端部3側面にフッ素系樹脂コーティング4が付着するとともに金属露出部5が形成され、当該突出部50の先端面周辺の一部側面に所定高さLでフッ素系樹脂コーティング4の除かれた領域を有した転写ピンをなす金属ピン1を用いて、半導体デバイスに導電性接着剤7を塗布する半導体デバイスの接着剤転写方法であって、上記金属ピン1の先端部3を、導電性接着剤7の満たされた供給皿70に浸す第1工程と、上記金属ピン1の先端部3を上方に移動する第2工程と、上記金属ピン1の先端部3を、上記半導体デバイスの接着剤塗布面に押し当て、上記導電性接着剤7を塗布する第3工程と、上記金属ピン1の先端部3を上記半導体デバイスの接着剤塗布面から退避する第4工程とを備えたことを特徴とする。
In the adhesive transfer method according to the first embodiment, a plurality of projecting
また、転写ピンは、半導体デバイスを実装面に接着するための導電性接着剤7の塗布に用いられる金属ピン1からなり、上記金属ピン1は、先端部3に複数の突出部50が形成され、当該先端部3の側面にフッ素系樹脂コーティング4が付着し、上記突出部50の先端面は、転写時に導電性接着剤7を塗布するための金属露出部5が形成されるとともに、当該先端面周辺の一部側面は、フッ素系樹脂コーティング4の除かれた所定高さの領域を有することを特徴とする。
The transfer pin is formed of a
これによって、半導体デバイスへの接着剤の転写において、接着剤の微少量な塗布をより安定して簡便に行うことができるという効果を奏する。 As a result, in the transfer of the adhesive to the semiconductor device, it is possible to apply the minute amount of the adhesive more stably and easily.
実施の形態2.
実施の形態1は、加工した金属ピン9の先端部3にフッ素系樹脂コーティング4を施した転写ピンを用いたが、この形状に限られるものではない。
Second Embodiment
Although
図4は、実施の形態2による転写ピンの構成を例示する図であって、(a)は上面図、(b)は側面図、(c)は(b)の側面の一部分を拡大した拡大図、(d)は下面図、(e)は(c)の断面図である。実施の形態2による転写ピンを構成する金属ピン9は、先端部3の側面および先端面が、フッ素系樹脂コーティング4で覆われた構造となっている。ただし、金属ピン9の先端部3は、全面がフッ素系樹脂コーティング4で覆われておらず、先端部3の一部にフッ素系樹脂コーティング4がない。図4(d)(e)に示す例では、先端部3の先端面の中央部にフッ素系樹脂コーティング4が付着しておらず、金属面が露出し、長方形状に開口した金属露出部が形成されている。この金属露出部5は、導電性接着剤8の塗布時に導電性接着剤8の付着領域として機能する。
FIG. 4 is a view illustrating the configuration of a transfer pin according to the second embodiment, wherein (a) is a top view, (b) is a side view, and (c) is an enlarged view of a part of the side surface of (b) (D) is a bottom view, (e) is a cross-sectional view of (c). The metal pin 9 constituting the transfer pin according to the second embodiment has a structure in which the side surface and the end surface of the
なお、上記以外の構成および図4に示す金属ピン9を用いた導電性接着剤8の塗布を行う転写工程については、上記実施の形態1とほぼ同じであるため、その説明を繰り返さない。
The configuration other than the above and the transfer step for applying
実施の形態2による転写ピンは、半導体デバイスを実装面に接着するための導電性接着剤7の塗布に用いられる金属ピン1からなり、上記金属ピン1は、先端部3の側面にフッ素系樹脂コーティング4が付着し、上記先端部3における先端面の中央部は、転写時に導電性接着剤を塗布するためのフッ素系樹脂コーティングの除かれた金属露出部5を有することを特徴とする。
The transfer pin according to the second embodiment comprises a
このように、金属ピン1の先端部の先端面の中央が開口した金属露出部5を設けることによって、転写の際に接着剤の微少量な塗布をより安定して簡便に行うことができる。これによって、より高性能な高周波半導体デバイスまたは高出力半導体デバイスの組立自動化が可能となり、低価格化に寄与することができる。
As described above, by providing the metal exposed
1 金属ピン、2 取付け部(転写ピン側)、3 先端部、4 フッ素系樹脂コーティング、5 金属露出部、6 取付け部(装置側)、7 供給皿、8 導電性接着剤、9 パッケージ実装面、10 半導体チップ、11 実装ノズル。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
上記金属ピンは、先端部に複数の突出部が形成され、当該先端部の側面にフッ素系樹脂コーティングが付着し、
上記突出部の先端面は、転写時に導電性接着剤を塗布するための金属露出部が形成されるとともに、当該先端面周辺の一部側面は、フッ素系樹脂コーティングの除かれた所定高さの領域を有することを特徴とする転写ピン。 A transfer pin comprising a metal pin used to apply a conductive adhesive for bonding a semiconductor device to a mounting surface, the transfer pin comprising:
The metal pin has a plurality of protrusions formed at its tip, and a fluorine resin coating adheres to the side surface of the tip,
The tip end face of the protrusion has a metal exposed part for applying a conductive adhesive at the time of transfer, and a part of the side face around the tip face has a predetermined height from which the fluorine-based resin coating is removed. A transfer pin characterized by having a region.
上記金属ピンは、先端部の側面にフッ素系樹脂コーティングが付着し、
上記先端部における先端面の中央部は、転写時に導電性接着剤を塗布するためのフッ素系樹脂コーティングの除かれた金属露出部を有することを特徴とする転写ピン。 A transfer pin comprising a metal pin used to apply a conductive adhesive for bonding a semiconductor device to a mounting surface, the transfer pin comprising:
The metal pin has a fluorine resin coating attached to the side of the tip,
A transfer pin characterized in that a central portion of a tip surface of the tip portion has a metal exposed portion from which a fluorocarbon resin coating is removed for applying a conductive adhesive at the time of transfer.
上記金属ピンの先端部を、導電性接着剤の満たされた供給皿に浸す第1工程と、
上記金属ピンの先端部を上方に移動する第2工程と、
上記金属ピンの先端部を、上記半導体デバイスの接着剤塗布面に押し当て、上記導電性接着剤を塗布する第3工程と、
上記金属ピンの先端部を上記半導体デバイスの接着剤塗布面から退避する第4工程と、
を備えた半導体デバイスの接着剤転写方法。 A plurality of protrusions are formed at the tip, a fluorine resin coating is attached to the side surface of the tip, and a metal exposed portion is formed, and a fluorine resin at a predetermined height around a portion of the tip surface of the protrusion A method for adhesive transfer of a semiconductor device, comprising applying a conductive adhesive to a semiconductor device using a metal pin having an area where the coating is removed.
A first step of immersing the tip portion of the metal pin in a conductive adhesive filled tray;
A second step of moving the tip of the metal pin upward;
A third step of pressing the tip end of the metal pin against the adhesive coated surface of the semiconductor device and applying the conductive adhesive;
A fourth step of evacuating the tip of the metal pin from the adhesive coated surface of the semiconductor device;
The adhesive transfer method of the semiconductor device provided with this invention.
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Family Applications (1)
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-
2017
- 2017-08-31 JP JP2017166448A patent/JP2019046890A/en active Pending
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