JP2019046730A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019046730A JP2019046730A JP2017171001A JP2017171001A JP2019046730A JP 2019046730 A JP2019046730 A JP 2019046730A JP 2017171001 A JP2017171001 A JP 2017171001A JP 2017171001 A JP2017171001 A JP 2017171001A JP 2019046730 A JP2019046730 A JP 2019046730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- electrode
- organic layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 161
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)anilino)phenyl]phenyl]-9,9-dimethyl-n-phenylfluoren-2-amine Chemical group C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 claims description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 bis (2-methyl-8-hydroxyquinoline)-4-phenylphenol-aluminum Chemical compound 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical group C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RZEAFQWWFOBINJ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)-9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=CC=CC=C12 RZEAFQWWFOBINJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)O1 PNPLRTWSLDSFET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylphenyl)-n-[4-[4-[3-(2-methylphenyl)anilino]phenyl]phenyl]aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C=CC=3)C=3C(=CC=CC=3)C)=CC=2)=C1 OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-N-[4-[4-[N-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)anilino]phenyl]phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】有機EL素子を用いた表示装置において、有機層の膜厚を大幅に変更することなく、有機EL素子の短絡不良を抑制し、非発光画素が形成されることを防ぐことを目的とする。【解決手段】第1電極を形成し、第1電極の周縁部を覆い周縁部の内側領域を露出させる開口部を有する第1絶縁層を形成し、第1電極上に有機材料を用いて有機層を形成し、有機層を気体化させる加熱処理を行い、加熱処理により開口部によって露出する第1電極の上面から有機層の少なくとも一部を除去した後第1電極の上方に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を形成し、発光層の上方に第1電極と対向する第2電極を形成する工程を含む。【選択図】図1
Description
本発明は有機エレクトロルミネセンス素子(以下、「有機EL素子」という。)が画素に配列された表示装置に関する。
マトリクス状に画素を配列させて表示画面を構成し、各画素をトランジスタで駆動する所謂アクティブマトリクス型表示装置において、有機EL素子を用いて画素が構成される有機EL表示装置が開発されている。有機EL素子は、陽極と陰極との間に有機エレクトロルミネセンス材料を含む有機層が設けられた構造を有している。有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等の機能の異なる層を適宜組み合わせて形成される。有機層の各層の厚さは数ナノメートルから数百ナノメートル程度であり、全体でも1μm以下の厚みしか有していない。
このような有機EL表示装置において、画素が配列する領域に意図しない異物が混入すると、有機層が異物又は異物の周辺領域を十分に被覆することができず、陽極と陰極とが接触し短絡してしまうこととなる。陽極と陰極が短絡した有機EL素子は発光しないので、有機EL表示装置の表示画面に非発光画素を生じさせ、欠陥として視認されることとなる。
このような不具合を解消するために、正孔輸送層の膜厚を十分に厚くして、異物を埋設することで電極間の短絡を防ぐ構造が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。しかしながら、有機層の膜厚を増加させると、有機EL表示装置の駆動に影響を与えることが問題となる。例えば、正孔輸送層の抵抗率が高い場合、膜厚を増加させると駆動電圧が上昇し素子特性が変化することが問題となる。また、正孔輸送層の抵抗率が低い場合には、隣接する画素に電流が流れ、クロストークが発生することが問題となる。
本発明の一実施形態は、有機EL素子を用いた表示装置において、有機層の膜厚を大幅に変更することなく、有機EL素子の短絡不良を抑制し、非発光画素が形成されることを防ぐことにある。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1電極を形成し、第1電極の周縁部を覆い周縁部の内側領域を露出させる開口部を有する第1絶縁層を形成し、第1電極上に有機材料を用いて有機層を形成し、有機層を気体化させる加熱処理を行い、加熱処理により開口部によって露出する第1電極の上面から有機層の少なくとも一部を除去した後第1電極の上方に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を形成し、発光層の上方に第1電極と対向する第2電極を形成する工程を含む。
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第1電極を形成し、第1電極の周縁部を覆い周縁部の内側領域を露出させる開口部を有する第1絶縁層を形成し、第1電極上に有機材料を用いて有機層を形成し、有機層を形成した後プラズマ処理を行い、プラズマ処理により開口部によって露出する第1電極の上面から有機層の少なくとも一部を除去した後第1電極の上方に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を形成し、発光層の上方に第1電極と対向する第2電極を形成する工程を含む。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、基板の一主面に対して画素領域、タッチセンサが配置される側を「上方」に該当するとして説明する。
第1実施形態:
1−1.画素の構造
図1は、本発明の一実施形態に係る画素102の断面構造を示す。画素102は、少なくとも一つのトランジスタ114、有機EL素子116を含む。画素102は、トランジスタ114と有機EL素子116が絶縁層を介して積層された構造を有する。有機EL素子116は、複数のトランジスタによって構成される画素回路によって駆動される。図1は、トランジスタ114が有機EL素子116と電気的に接続される態様を模式的に示す。トランジスタ114はゲートに印加される映像信号によってソース・ドレイン間を流れる電流(ドレイン電流)が制御される。有機EL素子116の発光はドレイン電流によって制御される。
1−1.画素の構造
図1は、本発明の一実施形態に係る画素102の断面構造を示す。画素102は、少なくとも一つのトランジスタ114、有機EL素子116を含む。画素102は、トランジスタ114と有機EL素子116が絶縁層を介して積層された構造を有する。有機EL素子116は、複数のトランジスタによって構成される画素回路によって駆動される。図1は、トランジスタ114が有機EL素子116と電気的に接続される態様を模式的に示す。トランジスタ114はゲートに印加される映像信号によってソース・ドレイン間を流れる電流(ドレイン電流)が制御される。有機EL素子116の発光はドレイン電流によって制御される。
トランジスタ114及び有機EL素子116が配設される基板112の第1面には、下地絶縁層118が設けられる。トランジスタ114は、下地絶縁層118の上に設けられる半導体層120、ゲート絶縁層122及びゲート電極124が積層された構造を有する。半導体層120は、非晶質シリコン又は多結晶のシリコン、若しくは金属酸化物等の半導体材料を用いて形成される。半導体層120はゲート絶縁層122によってゲート電極124と絶縁され、第1絶縁層126を介して設けられるソース・ドレイン電極128とは直接接触するように設けられる。第1絶縁層126は、ゲート電極124とソース・ドレイン電極128を電気的に分離する層間絶縁膜として設けられる。第1絶縁層126上には、トランジスタ114及びトランジスタ114と電気的に接続されるソース・ドレイン電極128を埋設するように、第2絶縁層130が設けられる。第2絶縁層130は、半導体層120、ゲート電極124及びソース・ドレイン電極128等による凹凸を埋め込み、表面を平坦化する平坦化膜として用いられる。第1絶縁層126は、酸化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で形成される。第2絶縁層130は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機絶縁材料で形成される。
第2絶縁層130の上面側に有機EL素子116が設けられる。有機EL素子116は、第1電極132、有機EL層138及び第2電極140が積層された構造を有する。有機EL素子116において、例えば、第1電極132は陽極であり、第2電極140は陰極である。第1電極132は、第2絶縁層130を貫通するコンタクトホール131を介してソース・ドレイン電極128と電気的に接続される。有機EL素子116は2端子素子であり、第1電極132と第2電極140との間に印加される電圧の大小によって発光が制御される。第1電極132は、画素毎に個別に電位が制御され、第2電極140は複数の画素間で共通の電位が印加される。第1電極132は画素毎に配設されるのに対し、第2電極140は複数の画素102に亘る共通の電極として配設される。
第2絶縁層130上には、第1電極132の周縁部を覆い内側領域を露出する開口部を有する第3絶縁層134が設けられる。有機EL層138は、第3絶縁層134から露出する第1電極132上面から第3絶縁層134にかけて設けられる。詳細には、有機EL層138は、第3絶縁層134の開口部において第1電極132と接するように設けられ、さらに第3絶縁層134の表面に沿って設けられる。第2電極140は、有機EL層138及び第3絶縁層134の上面を覆うように設けられる。第3絶縁層134は、第1電極132を露出する開口部の端部が滑らかな段差を形成するために、有機樹脂材料を用いて形成される。有機樹脂材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。
有機EL素子116は、有機EL層138で発光した光を、第1電極132側に出射するボトムエミッション型と、第2電極140側に出射するトップエミッション型の構造が知られている。ボトムエミッション型では、第1電極132が透明導電膜で形成され、第2電極140が金属電極で形成される。一方、トップエミッション型では、第1電極が有機EL層138で発光した光を反射するように金属膜又は金属膜と透明導電膜とを含む積層体で形成され、第2電極140は透明導電膜又は透光性の金属膜で形成される。
例えば、トップエミッション型における第1電極132は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)等の光反射性の金属層によって構成される。また、第1電極132は、酸化インジウムスズ(以下、「ITO」ともいう。)、酸化インジウム亜鉛(以下、「IZO」ともいう。)、アルミニウムが添加された酸化亜鉛(以下、「AZO」ともいう。)、ガリウムが添加された酸化亜鉛(以下、「GZO」ともいう。)等の透明導電膜と金属膜との積層体で形成される。一方、第2電極140は、有機EL層138で発光した光を外側へ出射させるため、ITO、IZO、AZO、GZO等の透明導電膜、又はリチウムを含むアルミニウム膜(AlLi)、マグネシウムを含む銀膜(MgAg)等の金属膜であって透光性を有する膜厚で形成される。
有機EL層138は、低分子系又は高分子系の有機EL材料を含む。有機EL層138は、低分子系の有機EL材料で形成される場合、有機EL材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むようにキャリア注入層(正孔注入層、電子注入層)、キャリア輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)、キャリアブロック層(正孔ブロック層、電子ブロック層)等が適宜設けられる。例えば、有機EL層138は、発光層を正孔注入層と電子注入層とで挟んだ構造を有する。他の形態として、有機EL層138は、さらに正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層などを適宜付加される。有機EL層138は、これら複数の層が積層される場合でも、合計膜厚は100nm〜200nm程度である。
有機EL層138の内、発光層は、ホスト材料とゲスト材料を組み合わせて形成することができる。ホスト材料とゲスト材料の組み合わせを用いると、励起状態のホスト分子のエネルギーがゲスト分子へ移動してゲスト分子がエネルギーを放出して発光する。ホスト化合物として、電子輸送材料、正孔輸送材料を用いることができる。例えば、Alq3等のキノリノール金属錯体に4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)、4−(ジシアノメチレン)−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルユロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(DCJTB)等のピラン系誘導体、2,3−キナクリドン等のキナクリドン誘導体や、3−(2'−ベンゾチアゾール)−7−ジエチルアミノクマリン等のクマリン誘導体をドープしたもの、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリン)−4−フェニルフェノール−アルミニウム錯体に、ペリレン等の縮合多環芳香族をドープしたもの、あるいは4,4'−ビス(m−トリルフェニルアミノ)ビフェニル(TPD)にルブレン等をドープしたもの、4,4´−ビスカルバゾリルビフェニル(CBP)、4,4´−ビス(9−カルバゾリル)−2,2´−ジメチルビフェニル(CDBP)等のカルバゾール系化合物に、トリス−(2フェリニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)(緑色)、ビス(4,6-ジ-フルオロフェニル)-ピリジネート−N,C2)イリジウム(ピコリネート)(FIr(pic))(青色)、ビス(2−2’−ベンゾチエニル)−ピリジネート−N,C3イリジウム(アセチルアセトネート)(Btp2Ir(acac))(赤色)、トリス−(ピコリネート)イリジウム(Ir(pic)3)(赤色)、ビス(2−フェニルベンゾチオゾラト−N,C2)イリジウム(アセチルアセトネート)(Bt2Ir(acac))(黄色)等のイリジウム錯体や白金錯体をドープしたもの等が用いられる。
有機EL素子116は、第1電極132と第2電極140との間に設けられる有機EL層138が極めて薄い層であるため、電極間の短絡が問題となる。具体的には、何らかの原因で電極間に所定の大きさ以上(例えば、有機EL層138の膜厚以上の大きさ)の異物が存在すると、有機EL層138は当該異物を十分に被覆することができず、第1電極132と第2電極140とが短絡する。別言すれば、第1電極132上に異物が付着していると、有機EL層138は異物による段差を十分に被覆できず、その後第2電極140を形成することで、段差部分に第2電極140が回り込み第1電極132と接触してしまう。短絡が発生した有機EL素子116は非発光となるので、有機EL表示装置の表示画面には滅点不良が発生する。
これに対し、本実施形態に係る表示装置では、異物による段差を有機層によって緩和するようにしている。図1は、第1電極132上に異物150が存在し、有機層136によって異物150による段差が緩和されている態様を示す。有機層136は異物150の周辺を埋めるように設けられ、なだらかな傾斜面を有することで、第1電極132上に異物150が存在しても急峻な段差が形成されないようにされている。有機層136によって異物150の周辺部はなだらかな傾斜面とされているので、有機EL層138はその傾斜面に沿って設けられる。これにより、異物150は、有機層136と有機EL層138によって埋設されることとなり、この上に第2電極140を設けても、第1電極132との短絡は防止することができる。
図2は、第2絶縁層130の上に異物150が付着している態様を示す。この場合、第1電極132は異物150を被覆して形成されず、異物150の周辺領域に段差が形成される。通常であれば、この上に有機EL層138を形成しても、この段差部分を十分に被覆することができない。しかしながら、図2で示すように、段差部分を埋めるように有機層136を設けることで、急峻な段差は緩和される。有機EL層138は、第1電極132から有機層136の表面に沿って設けられることで、段差部分を十分に被覆することが可能となる。これにより、有機EL層138の上に第2電極140を形成しても、第1電極132と短絡することが防止することができる。
異物150の周辺部分に設けえられる有機層136は、絶縁性を有していることが好ましい。有機層136が絶縁性を有していることで、第1電極132と第2電極140の短絡を防止することができる。絶縁性を有する有機材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料を用いることができる。
また、有機層136は、有機EL層138を形成する材料と同じ材料を用いることができる。例えば、有機層136として、正孔輸送層又は正孔注入層を形成する材料と同じ材料を用いることができる。異物150の周辺に設けられる有機層136を、有機EL層138と同じ材料を用いることで、第1電極132と有機EL層138との界面に異種材料が介在することを防ぎ、界面特性を良好なものとすることができる。
有機層136として正孔輸送材料を用いる場合には、有機層136として正孔注入材料を用いる場合には、例えば、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(BSPB)から選ばれたいずれか一種を用いることができる。
また、有機層136として、正孔注入材料を用いる場合には、フタロシアニン(H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(VOPc)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(DNTPD)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(PCzPCN1)、2,3,6,7,10,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(HAT−CN)、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)等から選ばれたいずれか一種を用いることができる。
なお、ここに例示される正孔輸送材料、正孔注入材料は一例であり、これらに限定されるものではない。また、本実施形態では、第1電極132が陽極であり第2電極140が陰極である場合を例示するが、第1電極132が陰極である場合には有機層136として電子輸送材料を用いることができる。いずれにしても、異物150の周辺に設ける有機層136を、有機EL材料で形成することで、有機EL素子116に与える影響を抑えつつ、短絡不良の発生を抑制することができる。
第2電極140の上層側には封止層142が設けられる。封止層142は、有機EL素子116への水分の浸入を防ぐ保護膜として設けられる。図1及び図2は、封止層142が第1無機絶縁膜144、有機樹脂膜146第2無機絶縁膜148が積層された構造を示す。第1無機絶縁膜144及び第2無機絶縁膜148は水蒸気透過率の低い無機絶縁膜が用いられる。例えば、第1無機絶縁膜144及び第2無機絶縁膜148は窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜が用いられる。有機樹脂膜としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。封止層142を、無機絶縁膜と有機樹脂膜とを組み合わせて形成することで、封止性能を高め、水蒸気の浸入を防止することができる。
なお、図1及び図2は、画素102に異物が含まれる態様を例示するものであり、表示装置100の全ての画素に異物150が含まれるものではない。表示装置100は、図3に示すように、基板112の第1面に複数の画素102が配列する画素部104、走査信号を出力する第1駆動回路106、映像信号を出力する第2駆動回路108、及び映像信号等が入力される端子部110が設けられる。画素部104に配列される画素の数は、フルHD対応であれば、1080×1920個の画素が配列される。各画素はRGBに対応した副画素から構成されるとすると、副画素の総数は1080×1920×3個となる。このような多数の画素の中で、非発光画素があると滅点欠陥となって視認される。滅点欠陥は製品歩留まりを低下させる要因となるため、極力低減することが望ましい。本実施形態によれば、異物の周辺に有機層136を設けることで、第1電極132と第2電極140との短絡を防止することができるので、滅点欠陥の発生を抑制することができる。
1−2.製造方法1
図4(A)、図4(B)、図5(A)、及び図5(B)を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。
図4(A)、図4(B)、図5(A)、及び図5(B)を参照して、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。
図4(A)は、第2絶縁層130の上面に、トランジスタ114と電気的に接続される第1電極132、及び第1電極132の周辺部を覆い、内側領域を露出させる開口部を有する第3絶縁層134までが形成された段階を示す。なお、トランジスタ114は、下地絶縁層118の上に、半導体層120、ゲート絶縁層122、ゲート電極124を形成することで作製される。ゲート電極124の上層には第1絶縁層126が形成される。第1絶縁層126の上面には、トランジスタ114のソース領域、ドレイン領域と接続されるソース・ドレイン電極128が形成される。下地絶縁層118及び第1絶縁層126は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で形成される。
第1絶縁層126の上層には、平坦化膜として機能する第2絶縁層130が形成される。第2絶縁層130は、有機絶縁材料を用いて形成される。有機絶縁材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。第2絶縁層130は、これらの有機材料を用いて蒸着重合法で作製することができる。
第2絶縁層130の上面には第1電極132が形成される。第1電極132は、第2絶縁層130に形成されたコンタクトホール131によってソース・ドレイン電極128と接続するように形成される。第2絶縁層130及び第1電極132の上層側には第3絶縁層134が形成される。第3絶縁層134は、第1電極132の周縁部を覆い、周縁部の内側領域を露出させる開口部が形成される。第3絶縁層134は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の感光性の有機樹脂材料を用いて作製される。
なお、第1電極132が陽極である場合、有機EL層138にホールを注入するため、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)導電性材料で形成される。例えば、陽極としての第1電極132は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)等の導電性金属酸化物材料を用いて形成される。第1電極132は導電性金属酸化物材料を用い、スパッタリング法、真空蒸着法により作製される。なお、有機EL素子116がトップエミッション型である場合には、第1電極132で光を反射させるために、酸化インジウムスズ(ITO)膜や酸化インジウム亜鉛(IZO)膜に重ねてアルミニウム(Al)、銀(Ag)などの金属膜が形成される。
図4(A)は、第1電極132の上面に異物150が付着している態様を模式的に示す。異物150は、意図しないで付着するものであり、第1電極132の形成時にスパッタリング装置内部で、あるいは有機EL層138を成膜するときの真空蒸着装置の内部で付着することが考えられる。第1電極132上に異物150が付着していると、有機EL層138が均一に成膜されず、第1電極132と第2電極140が短絡することが問題となる。しかしながら、以下に述べるように、本実施形態の製造方法によれば、異物150による第1電極132と第2電極140との短絡を防ぐことができる。
図4(B)は、第1電極132及び第3絶縁層134の上から有機層136を形成する段階を示す。有機層136は、真空蒸着法により形成される。有機層136の膜厚は適宜設定されればよいが、例えば、100nm〜1000nmの厚さで形成される。このとき、有機層136は、正孔輸送材料と同じ材料を用いて形成することができる。なお、有機層136を正孔輸送材料で形成し、厚膜化することで異物150を埋設することもできる。しかしながら、正孔輸送層を必要以上に厚膜化すると駆動電圧が上昇し、また発光層で発生した光が第1電極で反射されて出射されるまでの光学距離が変化するので(光学設計ができなくなるので)、好ましくない。
そこで、本実施形態では、有機層136を成膜した後、加熱して流動化させ、さらに気体化させて除去させている。図5(A)は、有機層136が形成された基板を加熱する段階を示す。加熱処理により有機層136は流動化し、異物150の周辺部をカバーする。その後、さらに加熱することで有機層136は気体化し、図5(B)に示すように異物150の周辺部分を除いて除去される。
図6(A)は、加熱処理の一例を示し、加熱時間と温度の関係をグラフで示す。加熱処理は、クリーンオーブン、ホットプレート等で行うことができる。最初に、時刻T0において室温(TE0)から基板の加熱を開始し、時刻T1で有機層136が流動化する温度(TE1)まで加熱する。この状態で時刻T2まで一定時間保持し、さらに有機層136が気体化(蒸発又は昇華)する温度(TE2)まで加熱する。有機層136が気体化する温度(TE2)で一定時間保持した後、時刻T4で冷却をする。このように2段階の加熱処理をすることで、確実に有機層136を流動化させ、さらに気体化させて除去することができる。
図6(B)は、有機層136に対する一段階の加熱処理を示す。最初に、時刻T0において室温(TE0)から基板の加熱を開始し、時刻T1で有機層136が流動化する温度(TE1)に達し、さらに時刻T2で有機層136が気体化(蒸発又は昇華)する温度(TE2)まで連続的に加熱する。そして、有機層136が気体化する温度(TE2)で一定時間保持した後、時刻T4で冷却をする。この場合、有機層は、時刻T1〜T2の間で流動化し、時刻T2以降は気体化する温度(TE2)で加熱されることにより気体化される。このように一段階の加熱処理をすることで、加熱処理の時間を短縮することができる。
なお、有機層136として有機EL層138に形成される正孔輸送層と同じ材料を用いる場合、加熱処理によって有機層136を完全に除去しなくてもよい。すなわち、有機層136の一部を第1電極132上に残存させ、正孔輸送層として用いてもよい。有機層136を、有機EL層138の正孔輸送層と同じ材料を用いて形成することで、有機層136を薄膜化して正孔輸送層の一部として用いることができる。
このように、本実施形態によれば、有機EL層138を形成する前段階で、画素102に異物が付着していても、第1電極132と第2電極140との短絡を防ぐことができる。それにより、有機EL素子116の短絡を防止し、非発光画素が形成されることを防ぐことができる。この場合において、有機EL素子116は、有機EL層138の膜厚を増加させる必要がないので、駆動電圧が高くなることを防ぐことができる。
第2実施形態:
本実施形態は、有機層136の形成及び除去する工程において、第1実施形態とは異なる方法について例示する。なお、本実施形態では第1実施形態と相違する部分について説明するものとし、特段に言及の無い部材、工程については第1実施形態と同様である。
本実施形態は、有機層136の形成及び除去する工程において、第1実施形態とは異なる方法について例示する。なお、本実施形態では第1実施形態と相違する部分について説明するものとし、特段に言及の無い部材、工程については第1実施形態と同様である。
2−1.製造方法2
第1実施形態において、図5(A)に示すように、有機層136を流動化させ、異物150の周辺部をカバーさせた後、プラズマ処理により有機層136を除去してもよい。例えば、図5(A)に示す状態の基板を基板ステージに配置させ、酸素ガスを用いて酸素プラズマを生成し、基板に酸素イオンが照射されるようにバイアスを印加し、基板ステージを冷却することで、有機層136を異方性エッチングすることができる。
第1実施形態において、図5(A)に示すように、有機層136を流動化させ、異物150の周辺部をカバーさせた後、プラズマ処理により有機層136を除去してもよい。例えば、図5(A)に示す状態の基板を基板ステージに配置させ、酸素ガスを用いて酸素プラズマを生成し、基板に酸素イオンが照射されるようにバイアスを印加し、基板ステージを冷却することで、有機層136を異方性エッチングすることができる。
異方性エッチングを行うことで、図5(B)に示すように、第1電極132の上面に残存する有機層136は除去され、異物の周辺部をカバーする有機層136を残存させることができる。これにより、異物150による急峻な段差を緩和してなだらかな傾斜面を形成することができる。この上面に形成される有機EL層は異物150を含む段差に沿って形成されるので、第1電極132と第2電極140との短絡を防止することができる。なお、有機層136として正孔輸送材料又は正孔注入材料を用いて形成する場合は、異方性エッチングにより有機層136を第1電極132上から完全に除去する必要はなく、薄く残存させて良い。
2−2.製造方法3
有機層136を、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)を用いて、塗布法で形成してもよい。図7(A)は、PEDOT−PSSのような有機層136塗布法で形成する段階を示す。塗布された有機樹脂は加熱処理により焼成され、有機層136が形成される。有機層136は、異物150が埋め込まれる程度の厚さに形成されてもよい。すなわち、有機層136を塗布した後、レベリング処理を行い、異物150が有機層136に埋設するようにしてもよい。レベリング処理により、有機層136の表面が平坦化し、後の工程で行われるプラズマ処理(異方性エッチング)により、均一に有機層136を除去することができる。
有機層136を、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)を用いて、塗布法で形成してもよい。図7(A)は、PEDOT−PSSのような有機層136塗布法で形成する段階を示す。塗布された有機樹脂は加熱処理により焼成され、有機層136が形成される。有機層136は、異物150が埋め込まれる程度の厚さに形成されてもよい。すなわち、有機層136を塗布した後、レベリング処理を行い、異物150が有機層136に埋設するようにしてもよい。レベリング処理により、有機層136の表面が平坦化し、後の工程で行われるプラズマ処理(異方性エッチング)により、均一に有機層136を除去することができる。
その後、図7(B)に示すように異方性エッチングにより第1電極132の表面が露出するまで有機層136を除去する。このとき、異物150の周辺部には有機層136が残存するようにエッチング条件を制御する。異方性エッチングは、酸素ガスを用いて酸素プラズマを生成し、基板に酸素イオンが照射されるようにバイアスを印加し、基板ステージを冷却することで行うことができる。
また、有機層136として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性の有機樹脂を用いてもよい。この場合も、図7(A)と同様に、絶縁性の有機樹脂を用いて有機層136塗布法で形成することができる。塗布された有機樹脂は加熱処理により焼成され、有機層136が形成される。異物150の周囲に残存する有機層136は絶縁性を有するので、第1電極132と第2電極140の短絡を確実に防止することができる。
このように、本実施形態によれば、有機層136を異方性エッチングにより除去することによっても、第1実施形態と同様に第1電極132と第2電極140との短絡を防ぐことができる。それにより、有機EL素子116の短絡を防止し、非発光画素が形成されることを防ぐことができる。この場合において、有機EL素子116は、有機EL層138の膜厚を増加させる必要がないので、駆動電圧が高くなることを防ぐことができる。
100・・・表示装置、102・・・画素、104・・・画素部、106・・・第1駆動回路、108・・・第2駆動回路、110・・・端子部、112・・・基板、114・・・トランジスタ、116・・・有機EL素子、118・・・下地絶縁層、120・・・半導体層、122・・・ゲート絶縁層、124・・・ゲート電極、126・・・第1絶縁層、128・・・ソース・ドレイン電極、130・・・第2絶縁層、131・・・コンタクトホール、132・・・第1電極、134・・・第3絶縁層、136・・・有機層、138・・・有機EL層、140・・・第2電極、142・・・封止層、144・・・第1無機絶縁膜、146・・・有機樹脂膜、148・・・第2無機絶縁膜、150・・・異物
Claims (19)
- 第1電極を形成し、
前記第1電極の周縁部を覆い、前記周縁部の内側領域を露出させる開口部を有する第1絶縁層を形成し、
前記第1電極上に、有機材料を用いて有機層を形成し、
前記有機層を気体化させる加熱処理を行い、
前記加熱処理により、前記開口部によって露出する前記第1電極の上面から、前記有機層の少なくとも一部を除去した後、前記第1電極の上方に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を形成し、
前記発光層の上方に、前記第1電極と対向する第2電極を形成する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記加熱処理は、前記有機層を流動化させ、さらに気体化させる処理である、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記加熱処理は、前記有機層を流動化させる第1加熱段階と、前記有機層を気体化させる第2加熱段階と、を含む、請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記加熱処理は、前記有機層が流動化する温度から気体化する温度まで連続的に上昇させる、請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機層を除去した後、前記有機材料と同じ材料を用いて正孔輸送層を形成し、さらに前記正孔輸送層の上層側に前記発光層を形成する、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機材料が、正孔輸送材料である、請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記正孔輸送材料が、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(BSPB)から選ばれた一種である、請求項6に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機層の一部を前記第1電極上に残存させ、前記有機EL層を形成する、請求項6に記載の表示装置の製造方法。
- 第1電極を形成し、
前記第1電極の周縁部を覆い、前記周縁部の内側領域を露出させる開口部を有する第1絶縁層を形成し、
前記第1電極上に、有機材料を用いて有機層を形成し、
前記有機層を形成した後、プラズマ処理を行い、
前記プラズマ処理により、前記開口部によって露出する前記第1電極の上面から、前記有機層の少なくとも一部を除去した後、前記第1電極の上方に有機エレクトロルミネセンス材料を含む発光層を形成し、
前記発光層の上方に、前記第1電極と対向する第2電極を形成する、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記プラズマ処理を行う前に、前記有機層を流動化させる熱処理を行う、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理は、酸素プラズマによって行われる、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理により、前記有機層を異方性エッチングする、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機層を除去した後、前記有機材料と同じ材料を用いて正孔輸送層を形成し、さらに前記正孔輸送層の上層側に前記発光層を形成する、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機材料が、正孔輸送材料である、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記正孔輸送材料が、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−ビス[N−(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(DFLDPBi)、4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(BSPB)から選ばれた一種である、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機層を塗布法で形成する、請求項9に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機層を塗布形成した後、レベリング処理を行う、請求項16に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機材料が、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸の混合物(PEDOT−PDSS)である、請求項16に記載の表示装置の製造方法。
- 前記有機材料が、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂から選ばれた一種である、請求項16に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017171001A JP2019046730A (ja) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017171001A JP2019046730A (ja) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019046730A true JP2019046730A (ja) | 2019-03-22 |
Family
ID=65814540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017171001A Pending JP2019046730A (ja) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019046730A (ja) |
-
2017
- 2017-09-06 JP JP2017171001A patent/JP2019046730A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102596065B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101825642B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102080008B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
US8507314B2 (en) | Organic light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6691764B2 (ja) | 発光表示装置及びその製造方法 | |
US7400088B2 (en) | Organic electroluminescent display device | |
KR102048952B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US10573840B2 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting display panel having the same | |
KR101121640B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20170113780A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2005005149A (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
KR20140081473A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20170051820A (ko) | 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
US20200280009A1 (en) | Light emitting device | |
JP2010123704A (ja) | 有機電界発光素子および表示装置 | |
KR101374891B1 (ko) | 표시장치 | |
KR100974479B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
US20190181190A1 (en) | Display device | |
TWI654784B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
JP2019036382A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2019046730A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
WO2021176610A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
KR102349697B1 (ko) | 유기 발광 소자와 그 제조 방법 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 | |
JP2019036621A (ja) | 表示装置 | |
US9129915B2 (en) | Organic EL display device and method of manufacturing the same |