JP2019045255A - 温度計測手段の校正方法、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度センサを含む部材同士を接触させることなく温度センサの校正が可能な校正方法を提供する。【解決手段】第1物体4を保持する第1保持部15と、第1物体4の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する第2物体2を保持する第2保持部19を備えるリソグラフィ装置に含まれる温度計測手段37の校正方法において、第1物体4に設けられた第1マーク10と第2物体2に設けられた第2マーク11との相対位置を計測し、計測された相対位置に基づいて温度計測手段37の校正を行う。【選択図】図2
Description
本発明は、リソグラフィ装置に含まれるマーク位置の計測結果を用いた温度計測手段の校正方法に関するものである。
半導体デバイス等の製造のために基板上に微細なパターンを形成する装置として、リソグラフィ装置が知られている。リソグラフィ装置の一形態としてインプリント装置が知られている。インプリント装置は、基板上のインプリント材とパターンが形成されたパターン部を有する型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、硬化したインプリント材のパターンを形成する装置である。
インプリント装置では基板上に高精度にパターンを形成するために、基板と型との位置合わせを正確に行う必要がある。基板と型との位置合わせは、例えば、基板に設けられたマークの位置と型に設けられたマークの位置を合わせることによって実行される。また、温度変化によって基板や型の形状が変化してしまうため、基板と型との位置合わせにおいて、基板や型の温度制御を行うことが求められる。
温度制御を実行するために、一般的に温度センサが用いられる。温度センサは、経時変化等により測定誤差を有することが知られており、定期的に温度センサの校正を実行することで温度センサの計測精度が低下しないようにする必要がある。
特許文献1は、校正対象の表面温度センサを含む部材に対して基準温度センサを含む基準ブロックを当接させ、表面温度センサと基準温度センサの計測結果の差分に基づいて表面温度センサの校正を行う方法を開示している。
特許文献1に開示された温度センサの校正方法では、校正対象の温度センサを含む部材と基準温度センサを含む部材を接触させる必要がある。リソグラフィ装置では、上述したように高精度の位置合わせが求められるため、温度センサを含む部材同士の接触を避けることが好ましい。これは、部材同士の接触により生じた振動に起因して位置合わせ精度の低下を招くおそれがあるためである。
本発明は温度センサを含む部材同士を接触させることなく温度センサの校正が可能な校正方法を提供することを目的とする。
本発明の温度計測手段の校正方法は、第1物体を保持する第1保持部と、前記第1物体の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する第2物体を保持する第2保持部を備えるリソグラフィ装置に含まれる温度計測手段であって、前記第2保持部に設けられた温度計測手段の校正方法であって、前記第1物体に設けられた前記第1マークと前記第2物体に設けられた前記第2マークとの相対位置を計測する計測ステップと、計測された前記相対位置に基づいて前記温度計測手段の校正を行う校正ステップを含むことを特徴とする。
また、本発明の別の温度計測手段の校正方法は、第1物体を保持する第1保持部と、前記第1保持部の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、第2物体を保持する第2保持部を備えるリソグラフィ装置に含まれる温度計測手段であって、前記第2保持部に設けられた温度計測手段の校正方法であって、前記第1保持部に設けられた前記第1マークと前記第2保持部に設けられた前記第2マークとの相対位置を計測する計測ステップと、計測された前記相対位置に基づいて前記温度計測手段の校正を行う校正ステップを含むことを特徴とする。
本発明によれば、温度センサを含む部材同士を接触させることなく温度センサの校正を実行することができる。
図1は本実施形態に係るリソグラフィ装置としてのインプリント装置1の構成を示す図である。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
このインプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどの製造やモールドの複製に使用され、被処理基板である基板2に塗布されたインプリント材3を型4で成形し、基板2上にパターンを形成する装置である。
本実施形態では、リソグラフィ装置の代表例として、マスターモールドを原型として基板に原型のパターンを転写することで、マスターモールドの複製であるレプリカモールドを作製するためのインプリント装置1について説明する。なお、本発明は、型に形成された凹凸パターンを基板上に転写するためのインプリント装置や、投影光学系を介して基板を露光してパターンを基板に形成する露光装置にも適用することが可能である。
本実施形態では、光硬化法を採用したインプリント装置1を例にして説明する。また、基板2上のインプリント材3に入射する紫外線5の光軸と平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取る。
インプリント装置1は、まず、光照射部6と、型保持機構7と、基板ステージ8と、塗布部9と、型形状補正機構40と、基板加熱機構41と、制御部12とを備える。光照射部6は、インプリント処理の際に、型4および基板2に対して紫外線5を照射する。この光照射部6は、不図示の光源と、この光源から照射された紫外線5をインプリントに適した光に調整する不図示の光学素子とから構成される。照射された紫外線5は、ダイクロイックミラー13で反射され、型4および基板2へ導かれる。
型4は、外周形状が矩形であり、基板2に対向する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが3次元状に形成されたマスターモールドのパターン領域であるパターン部14を含む。また、型4の材質には、紫外線5を透過させることが可能な材質が用いられる。さらに、型4は、後述するような型形状補正機構40によるパターン部14の変形を容易とするために、紫外線5が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さを有する凹部が形成された形状を有していてもよい。
型保持機構7は、まず、型4を保持する型保持部15と、この型保持部15を保持し型4を移動させる型駆動機構16とを有する。型保持部15は、型4における紫外線5の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型4を保持し得る。例えば、型保持部15が真空吸着力により型4を保持する場合には、型保持部15は、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプのON/OFFにより型4の脱着が切り替えられる。
また、型保持部15および型駆動機構16は、光照射部6から照射された紫外線5が基板2に向かうように、中心部(内側)に開口領域17を有する。この開口領域17には、開口領域17の一部と型4とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材18(例えば石英板)を設置し、不図示の圧力調整装置により開口領域17内の空間圧力が調整できる構成としてもよい。
圧力調整装置は、例えば、型4と基板2上のインプリント材3との押し付けに際して、空間内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン部14を基板2に向かい凸形に撓ませ、インプリント材3に対してパターン部14の中心部から接触させ得る。これにより、パターン部14とインプリント材3との間に気体が残留することを抑え、パターン部14の凹凸部にインプリント材3を隅々まで充填させることができる。
型駆動機構16は、型4と基板2上のインプリント材3との押し付け(押印)、または引き離し(離型)を選択的に行うように型4を各軸方向に移動させる。この型駆動機構16に採用可能なアクチュエータとしては、例えば、ボイスコイルモータやエアシリンダ等がある。また、型4の高精度な位置決めに対応するために、型駆動機構16は、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、型駆動機構16は、Z軸方向だけでなく、X軸方向やY軸方向、またはθ軸(Z軸周りの回転)方向の位置調整機能や、型4の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成であってもよい。
なお、インプリント装置1におけるパターン部14の押し付け、および引き離し動作は、型4をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ8をZ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
基板2の被処理面には、パターン部14により成形されるインプリント材3が塗布部9により塗布される。基板ステージ8は、基板2を保持し、型4と基板2上のインプリント材3との押し付けに際して、型4と基板2との位置合わせを実施する。この基板ステージ8は、基板2を真空吸着力や静電力により保持する基板保持部19と、この基板保持部19を機械的手段により保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構20とを有する。
このステージ駆動機構20に採用可能なアクチュエータとしては、例えば、リニアモータや平面パルスモータがある。ステージ駆動機構20も、X軸およびY軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系、基板2のθ方向の位置調整機能、または基板2の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。また、基板ステージ8は、その側面に、X、Y、Z、ωx、ωy、およびωzの各方向に対応した複数の参照ミラー21を備える。
これに対して、インプリント装置1は、これらの参照ミラー21にそれぞれビームを照射することで、基板ステージ8の位置を測定する複数のレーザー干渉計22を備える。測長器であるレーザー干渉計22は、基板ステージ8の位置を計測し、後述する制御部12は、このときの計測値に基づいて基板2(基板ステージ8)の位置決め制御を実行する。
塗布部9(ディスペンサ)は、型保持部15の近傍に設置され、基板2上にインプリント材3を塗布する。ここで、このインプリント材3は、紫外線5を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂(レジスト材)であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。インプリント材3には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物が用いられる。
インプリント装置1は、インプリント処理に際し、被処理部となる基板2上のパターン領域であるパターン形成領域23の位置情報を得るためのアライメント計測部24を備える。アライメント計測部24から照射されるアライメント光25は、ダイクロイックミラー26、13を透過し、基板2上に形成されたアライメントマークに照射される。これらのアライメントマークで反射したアライメント光25は、アライメント計測部24で受光され、基板2の位置情報を得ることができる。
また、インプリント装置1は、基板2上に型4のパターンを正確に転写するために、基板2または基板保持部19に設けられたアライメントマークと、型4または型保持部15に設けられたアライメントマークの位置合わせを実行する。本実施形態では、これらのアライメントマークの位置の検出結果に基づいて後述する温度計測手段の校正を行う。温度計測手段の配置や校正方法については後述する。
基板加熱機構41は、照射光32を照射する加熱用光源33と、この照射光32の照射量を調整する光調整器34と、調整された調整光35が基板2の表面に向かうように光路を規定するダイクロイックミラー26とを含む。制御部12は、インプリント装置1に含まれる各構成要素の動作および調整などを制御し得る。
制御部12は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って、各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部12は、少なくとも型保持部15、基板ステージ8、型形状補正機構40、光照射部6、およびアライメント計測部24の動作を制御する。なお、制御部12は、インプリント装置1と一体(共通の筐体内)で構成してもよいし、インプリント装置1とは別体(別の筐体内)で構成してもよい。
また、インプリント装置1は、基板ステージ8を載置するベース定盤27と、型保持機構7を支持するブリッジ定盤28と、ベース定盤27から延設され、除振器29を介してブリッジ定盤28を支持するための支柱30とを備える。除振器29は、床面からブリッジ定盤28へ伝わる振動を除去する。さらに、インプリント装置1は、型4を装置外部から型保持部15へ搬送する不図示の型搬送機構や、基板2を装置外部から基板ステージ8へ搬送する不図示の基板搬送機構などを含み得る。
次に図2を用いて基板2や型4の温度制御を行うための構成について説明する。図2(A)は、図1の一部の構成を拡大したものである。図2(A)は、第1物体としての型4を保持する第1保持部としての型保持部15と、第2物体としての基板2を保持する第2保持部としての基板保持部19を示しており、型保持部15は温度計測手段36を含み、基板保持部19は温度計測手段37を含む。また、型保持部15は、型4の温度を調節する温度調節手段38を有し、基板保持部19は、基板2の温度を調節する温度調節手段39を有する。
基板2及び基板保持部19は互いに接触しているため、基板2と基板保持部19の温度はほぼ等しい状態となる。ゆえに、基板保持部19に含まれる温度計測手段37により基板2の温度を計測することができる。同様に、型4及び型保持部15は互いに接触しているため、型4と型保持部15の温度はほぼ等しい状態となる。ゆえに、型保持部15に含まれる温度計測手段36により型4の温度を計測することができる。
本実施形態においては、型4に設けられたアライメントマークと基板2に設けられたアライメントマークの相対位置に基づいて温度計測手段36または温度計測手段37の校正を行う。具体的には、校正対象の温度計測手段の測定誤差に起因した、型4に設けられたアライメントマークと基板2に設けられたアライメントマークの相対位置の変化に基づいて温度計測手段の校正を実行する。温度計測手段の具体的な校正方法については後述する。
なお、本実施形態では型4及び基板2に設けられたアライメントマークの相対位置に基づいて温度計測手段の校正を行っているが、型保持部15及び基板保持部19に設けられたアライメントマークの相対位置に基づいて温度計測手段の校正を行ってもよい。
図2(B)は、型4をZ軸方向から見た図であり、型4には黒い四角で示した4つのマークが含まれる。型4に含まれる4つのマークを第1マーク10と記載する。なお、第1マークを構成するマークの数は4つに限定されず、また各マークの形状として任意の形状を採用し得る。図2(C)は、基板2をZ軸方向から見た図であり、基板2には白い四角で示した4つのマークが含まれる。基板2に含まれる4つのマークを第2マーク11と記載する。なお、第2マークを構成するマークの数は4つに限定されず、また各マークの形状として任意の形状を採用し得る。図1に示したアライメント計測部24から照射されるアライメント光25により、第1マーク及び第2マークの位置を検出することができる。
次に、図3及び図4を用いて本実施形態における温度計測手段の校正方法について説明する。図3はアライメント計測部24によって取得された第1マーク10及び第2マーク11の位置情報を示す図である。本実施形態では、第1マーク10を含む型4の線膨張係数が小さく、第2マーク11を含む基板2の線膨張係数が型4の線膨張係数よりも大きい状態を想定している。なお、アライメントマークが型保持部15及び基板保持部19に設けられている場合には、基板保持部19の線膨張係数が型保持部15の線膨張係数よりも大きいものとする。
図3(A)は、校正対象である基板保持部19に含まれる温度計測手段37が校正された状態で検出された第1マーク10及び第2マーク11の位置情報を示している。なお、第2マーク11を構成するマーク間の間隔(x1)は、第1マーク10と第2マーク11の相対位置を検出することにより取得される。
図3(B)は、温度計測手段37において生じた測定誤差に起因して第2マーク11の位置が変化した状態を示している。温度計測手段37に測定誤差が生じると、その測定誤差に起因して温度調節手段39による温度制御が実行される。
図3では、測定誤差に起因して温度計測手段37によって計測された温度が基準温度よりも低い温度であった場合を示している。このとき、温度調節手段39は基板保持部19に熱を加えることにより、温度計測手段37によって計測される温度を基準温度に近づけるような制御を行う。
結果として、基板保持部19が熱により膨張し、図3(B)に示すように、第2マーク11を構成するマーク間の間隔が図3(A)と比較して広がる。本実施形態では、第2マーク11を構成するマーク間の間隔の変化に基づいて、温度計測手段37の校正を実行する。
図3(A)は、第1マーク10を構成する複数のマークがX軸方向にx0の間隔で検出され、Y軸方向にy0の間隔で検出されることを示している。また、第2マーク11を構成する複数のマークがX軸方向にx1の間隔で検出され、Y軸方向にy1の間隔で検出されることを示している。
本実施形態では、型4の材料として線膨張係数の小さい材料を用いているため、図3(A)、(B)に示したように、第1マーク10の位置はほとんど変化しない。一方、基板2の材料は、型4の材料と比較して線膨張係数が大きいため、図3(B)に示すように、第2マーク11を構成する複数のマークはX軸方向に(x2+x0+x3)の間隔で検出され、Y軸方向に(y2+y0+y3)の間隔で検出される。そして、第2マーク11の間隔の変化量に基づいて温度計測手段37の校正を実行する。
次に図4を用いて温度計測手段の校正方法の具体的な手順について説明する。ステップS1において、基板2の温度と型4の温度が同一になるように温度制御が行われた状態で第1マーク10及び第2マーク11の位置検出を行う。S1において検出された第1マーク10及び第2マーク11の位置情報は、温度計測手段の校正に際して基準となる情報であるため、できる限り正確に第1マーク10及び第2マーク11の位置を検出することが好ましい。検出結果として図3(A)に示した結果が得られる。
続いてステップS2において、第1マーク10が設けられた第1物体としての型4及び第2マーク11が設けられた第2物体としての基板2がリソグラフィ装置1の内部に搬入される。基板2及び型4の搬入は、不図示の搬入機構により行っても良いし、作業者によって行われても良い。そしてステップS3において、搬入された基板2は基板保持部19によって保持され、搬入された型4は型保持部15によって保持される。
さらに、ステップS4において、基板2と基板保持部19の温度差が十分に小さくなり、型4と型保持部15の温度差が十分に小さくなるまで待機する。その後、ステップS5において基板2及び型4をそれぞれの保持部から取り外し、再度それぞれの保持部に取り付ける。これは、保持部と保持部によって保持される保持対象との温度差が低減される過程において生じ得る保持対象の変形を解消するために行われる。
その後、ステップS6において第1マーク10及び第2マーク11の位置検出を行う。ステップS6では、図3(B)に示したようなマーク位置の検出結果が得られる。なお、ステップS6のマーク位置の検出が行われる前に、温度計測手段37の測定誤差に起因した温度調節手段39による温度制御が実行される。
ステップS7では、ステップS1で得られた第1マーク10及び第2マーク11の位置情報と、ステップS6で得られた第1マーク10及び第2マーク11の位置情報に基づいて、温度計測手段37の測定誤差に起因した温度差を算出する。
温度計測手段37の測定誤差に起因した温度差ΔTは、
ΔT = Δd/(d0×CTE)
なる式によって算出される。
ΔT = Δd/(d0×CTE)
なる式によって算出される。
ここで、Δdは、ステップS1で得られた第2マーク11の配列間隔と、ステップS6で得られた第2マーク11の配列間隔の差分を示し、d0は、第1マーク10の配列間隔を示す。CTEは基板2の材料の線膨張係数である。温度変化により第2マーク11の配列間隔は略等方的に変化するため、本実施形態では、X軸方向における第2マーク11の配列間隔の変化に基づいてΔTの算出を行う。
続いてステップS8において、ステップS7で算出されたΔTに基づいて温度計測手段37の校正を行う。温度計測手段37の校正を実施した後に、ステップS9において、基板2と基板保持部19の温度差が十分に小さくなり、型4と型保持部15の温度差が十分に小さくなるまで待機する。その後、ステップS10において基板2及び型4をそれぞれの保持部から取り外し、再度それぞれの保持部に取り付ける。さらに、ステップS11において、第1マーク10及び第2マーク11の位置検出を行う。
ステップS12では、ステップS11において検出された第1マーク10及び第2マーク11の位置検出結果がステップS1の位置検出結果と一致するか否かの判定を行う。一致する場合には温度計測手段37の校正を終了し、一致しない場合にはステップS4に戻り、温度計測手段37の校正を継続して行う。
以上のように、アライメントマークの位置検出結果に基づいて温度計測手段の校正を行うことで、温度計測手段を含む部材同士を接触させることなく、温度計測手段の校正を実現することができる。
(物品の製造方法に係る実施形態)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したリソグラフィ装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。さらに、該製造方法は、上述したインプリント装置を用いて複製された型(レプリカモールド)を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを形成する工程を含む。
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したリソグラフィ装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。さらに、該製造方法は、上述したインプリント装置を用いて複製された型(レプリカモールド)を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)にパターンを形成する工程を含む。
なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチング工程の代わりに、パターンを形成された基板を処理(加工)する他の工程を含み得る。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
(変形例)
例えば、本実施形態では、型保持部15によって型4が保持され、基板保持部19によって基板2が保持された状態で温度計測手段の校正を行う例について説明したが、型4に代えてアライメントマークが設けられた校正用のプレートを用いても良い。また。基板2に代えてアライメントマークが設けられた校正用のプレートを用いても良い。さらに、型4と基板2を入れ替えることで、型保持部15に含まれる温度計測手段38の校正を行うことができる。
例えば、本実施形態では、型保持部15によって型4が保持され、基板保持部19によって基板2が保持された状態で温度計測手段の校正を行う例について説明したが、型4に代えてアライメントマークが設けられた校正用のプレートを用いても良い。また。基板2に代えてアライメントマークが設けられた校正用のプレートを用いても良い。さらに、型4と基板2を入れ替えることで、型保持部15に含まれる温度計測手段38の校正を行うことができる。
2 基板(第2物体)
4 型(第1物体)
10 第1マーク
11 第2マーク
15 型保持部(第1保持部)
19 基板保持部(第2保持部)
37 温度計測手段
4 型(第1物体)
10 第1マーク
11 第2マーク
15 型保持部(第1保持部)
19 基板保持部(第2保持部)
37 温度計測手段
Claims (6)
- 第1物体を保持する第1保持部と、前記第1物体の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する第2物体を保持する第2保持部を備えるリソグラフィ装置に含まれる温度計測手段であって、前記第2保持部に設けられた温度計測手段の校正方法であって、
前記第1物体に設けられた前記第1マークと前記第2物体に設けられた前記第2マークとの相対位置を計測する計測ステップと、
計測された前記相対位置に基づいて前記温度計測手段の校正を行う校正ステップを含むことを特徴とする校正方法。 - 第1物体を保持する第1保持部と、前記第1保持部の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、第2物体を保持する第2保持部を備えるリソグラフィ装置に含まれる温度計測手段であって、前記第2保持部に設けられた温度計測手段の校正方法であって、
前記第1保持部に設けられた前記第1マークと前記第2保持部に設けられた前記第2マークとの相対位置を計測する計測ステップと、
計測された前記相対位置に基づいて前記温度計測手段の校正を行う校正ステップを含むことを特徴とする校正方法。 - 前記第1マーク及び前記第2マークは複数のマークを含み、
前記第1マークに含まれる複数のマーク間の間隔を計測するステップと、
前記第2マークに含まれる複数のマーク間の間隔を計測するステップをさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の校正方法。 - 前記校正ステップにおいて、前記第1マークと前記第2マークの相対位置と、前記第1マークに含まれる複数のマーク間の間隔と、前記第2マークに含まれる複数のマーク間の間隔に基づいて前記温度計測手段の校正を行うことを特徴とする請求項3に記載の校正方法。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の校正方法によって校正された温度計測手段を含み、前記温度計測手段によって温度制御された基板にパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
- 請求項5に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程で前記パターンが形成された基板を処理する工程を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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