JP2019033156A - 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法 - Google Patents

波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019033156A
JP2019033156A JP2017152663A JP2017152663A JP2019033156A JP 2019033156 A JP2019033156 A JP 2019033156A JP 2017152663 A JP2017152663 A JP 2017152663A JP 2017152663 A JP2017152663 A JP 2017152663A JP 2019033156 A JP2019033156 A JP 2019033156A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
waveguide
periodic filter
light
receiving element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017152663A
Other languages
English (en)
Inventor
高林 和雅
Kazumasa Takabayashi
和雅 高林
秋山 傑
Takashi Akiyama
傑 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2017152663A priority Critical patent/JP2019033156A/ja
Priority to US16/050,427 priority patent/US10530119B2/en
Publication of JP2019033156A publication Critical patent/JP2019033156A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4215Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4266Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4286Optical modules with optical power monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687Stabilising the frequency of the laser
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/28Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29346Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by wave or beam interference
    • G02B6/2935Mach-Zehnder configuration, i.e. comprising separate splitting and combining means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305Feedback control systems
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】光源波長のずれと波長フィルタの温度ずれを簡単な手法で検出し、波長制御と温度制御を独立して行うことのできる技術を提供する。
【解決手段】波長ロッカーは、光源からの出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、を有し、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆である。
【選択図】図1

Description

本発明は、波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法に関する。
波長多重を用いた光通信システムの光源として主に波長可変レーザが用いられている。波長可変レーザでは、その発振波長を精密に制御するための波長ロッカーが用いられる。波長ロッカーは、一般的には、波長可変レーザの出力光から分岐された光をエタロンフィルタなどの周期的な透過ピークを有する波長フィルタに通過させて、その透過光強度をモニタする。モニタ値が目標波長でのエタロンの透過光強度の値に合うようにフィードバックをかけて波長を制御する。
波長ロッカーで、周期的な透過特性を有する波長フィルタ(上記の例ではエタロン)の温度が変化すると、フィルタの透過特性が波長に対して平行にシフトする。そのため、透過光強度のモニタ値が所望の値となるように波長を制御した場合、温度変化によるフィルタの透過特性のシフト量に対応して、光源波長が目標波長からずれてしまうという問題がある。
光送信モジュールにおいて、波長変化に対する透過率の変化量と、外部環境温度変化に対する透過率の変化量の比が、第1の波長測定器と第2の波長測定器の間で異なるように構成された波長モニタが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
特開2005−32968号公報
公知の方法では、基準温度における目標値からのモニタ電流の変化量ΔIpd1とΔIpd2の比が、常に2つのエタロンフィルタの温度変動係数の比率と一致するように制御することでレーザの発振波長を安定化させており、制御処理が複雑である。また、温度特性の異なる2つのエタロンフィルタの間で意図しない温度ずれが生じる可能性があり、2つの周期的なフィルタの温度特性のずれの影響だけを正確に抽出することが難しい。
本発明は、光源波長のずれを制御するための波長フィルタが外部温度変化に関わらず正しく光源波長を検出する技術を提供することを課題とする。
一つの態様では、波長ロッカーは、
光源からの出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、
前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、
前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、
前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、
前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、
を有し、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆である。
一つの側面として、光源波長のずれを制御するための波長フィルタが外部温度変化に関わらず正しく光源波長を検出する技術が実現される。
実施形態の波長ロッカーの模式図である。 実施形態の導波路型フィルタの構成例を示す図である。 実施形態の導波路型フィルタの温度特性と光路長の関係を示す図である。 実施形態の導波路型フィルタの波長特性と温度特性の例を示す図である。 波長ずれがなく、温度ずれがあるときの特性例を示す図である。 実施形態の導波路型フィルタの波長特性と温度特性の別の例を示す図である。 波長ずれがなく、温度ずれがあるときの特性例を示す図である。 変形例の波長ロッカーの模式図である。 波長ロッカーを用いた波長可変レーザ装置の構成例を示す図である。
実施形態では、波長に対して周期的な透過特性を持つ第1のフィルタと第2のフィルタの間で、温度変化に対する波長特性のずれの方向が互いに逆になるように設計する。以下の説明では、波長領域で周期的な透過特性を有するフィルタを「周期フィルタ」と呼ぶ。光源波長が目標波長からずれた場合と、周期フィルタの温度がずれた場合で、第1の周期フィルタの透過出力のモニタ値と、第2の周期フィルタの透過出力のモニタ値の増減関係が反転する設計とする。
たとえば、温度変化に応じて第1の周期フィルタの透過光のモニタ値と第2の周期フィルタの透過光のモニタ値がともに増加する場合(同一方向の変化)、波長変動に対しては第1の周期フィルタの透過光のモニタ値は増加し、第2の周期フィルタの透過光のモニタ値は減少(逆方向に変化)するように設計する。これにより、光源波長の目標波長からのずれとフィルタ温度のずれを、2つのモニタ値の和、あるいは差を用いて簡単に検出することができる。また、和と差を利用して、光源波長とフィルタ温度の少なくとも一方を他方と独立して制御することができる。
波長に対して周期的な透過特性を有する2つのフィルタを1チップ上にモノリシックに集積する場合は、2つのフィルタ間で温度を同一にすることが比較的容易になる。この場合、フィルタ間の温度特性の差分を正確に抽出して、波長モニタと温度モニタを区別して行うことができる。
図1は、実施形態の波長ロッカー10の模式図である。波長可変レーザ等の光源からの出力光は、ビームスプリッタ(BS)によって一部、たとえば10%程度が分岐され、透過特性が周期的な2つのフィルタに入力される。2つのフィルタを、第1の周期フィルタ11と、第2の周期フィルタ12とする。透過特性が周期的とは、波長に対してフィルタの出力光の強度が周期的に変化する波長特性を持つことを意味する。図1の例では、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12は、同じ基板13上にモノリシックに形成された導波路型の周期フィルタであり、波長ロッカー用のフィルタ集積素子19として形成されている。
ビームスプリッタ(BS)で分岐された光は、フィルタ集積素子19上に形成された光分岐導波路14で分岐される。光分岐導波路14での分岐比は、たとえば1:1である。第1の周期フィルタ11は分岐路の一方に接続され、第2の周期フィルタ12は分岐路の他方に接続されている。第1の周期フィルタ11を透過した光は、フィルタ集積素子19から出力されて第1の受光素子15(フォトダイオードPD1)に入射し、その光強度がモニタされる。第2の周期フィルタ12を透過した光は、フィルタ集積素子19から出力されて第2の受光素子16(フォトダイオードPD2)に入射し、その光強度がモニタされる。
光分岐導波路14として、例えば、1×2の多モード干渉導波路や、分岐比が1:1となるように結合長が調整された方向性結合器導波路を用いることができる。光分岐導波路14は、ビームスプリッタ(BS)で分岐された光をさらに、第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐して、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12にそれぞれ入射させる。
第1の周期フィルタ11は、長さの異なる第1導波路111と第2導波路112を有する非対称のマッハツェンダ(MZ:Mach-Zhender)干渉計で形成される。第1導波路111と第2導波路112は、1×2の入力側光カプラ113と、2×1の出力側光カプラ114の間に延びる。
第2の周期フィルタ12は、長さの異なる第3導波路121と第4導波路122を有する非対称のMZ干渉計で形成される。第3導波路121と第4導波路122は、1×2の入力側光カプラ123と、2×1の出力側光カプラ124の間に延びる。
実施形態の特徴として、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12は、温度変化に対する波長特性のピーク波長のシフトの方向が互いに逆である。これにより、受光素子15と受光素子16のモニタ値の和または差を用いて、波長可変レーザの発振波長、および/または、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の温度を制御することができる。制御の詳細は後述する。
図2は、第1の周期フィルタ11及び第2の周期フィルタ12の構成を説明する図である。図2(A)を参照すると、第1の周期フィルタ11の短い方の導波路を第1導波路111、長い方の導波路を第2導波路112とする。第2の周期フィルタ12の短い方の導波路を第3導波路121、長い方の導波路を第4導波路122とする。
第1導波路111と第2導波路112の光路長差をΔL0とする。第1導波路111と第2導波路112で光路長差を除く部分の共通の長さをLcomとする。短い方の第1導波路111の長さはLcom、長い方の第2導波路112の長さはLcom+ΔL0である。
同様に、第3導波路121と第4導波路122の光路長差をΔL0、第3導波路121と第4導波路122で光路長差を除く部分の共通の長さをL’comとする。短い方の第3導波路121の長さはL’com、長い方の第4導波路122の長さはL’com+ΔL0である。図2(A)では、主として第1の周期フィルタ11に着目して描かれているが、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12において、2本の導波路間の関係は同じである。
第1の周期フィルタ11の光路長差ΔL0と、第2の周期フィルタ12の光路長差ΔL0は同じ値に設定され、たとえば、ΔL0=3mmである。非対称MZ干渉計の波長変化に対する透過率の変化(以降、単に「波長特性」と呼ぶ)の周期は光路長差に依存するため、ΔL0を適切に設定することで、所望の周期を得ることができる。ΔL0=3mmと設定した場合は、波長特性の周期を約0.8nm(周波数で約100GHz)に調整できる。
第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12は、温度が変化した場合の波長特性のピーク波長のシフトの方向が異なる。第1の周期フィルタ11では、温度の上昇に対してピーク波長が長波長側にシフトし、第2の周期フィルタ12では、温度の上昇に対してピーク波長が短波長側にシフトするように設計されている。このような温度特性が反転している導波路型の周期フィルタの構成をさらに詳細に説明する。
図2(B)と図2(C)に示すように、第1導波路111と第2導波路112は、導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化が互いに異なるように設計されている。第2導波路112のほうが、第1導波路111よりも、温度に対する屈折率の変化の割合が小さい導波路断面を有する。第3導波路121と第4導波路122は、導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化が互いに異なり、第4導波路122のほうが、第3導波路121よりも、温度に対する屈折率の変化の割合が小さい導波路断面を有する。
このような特性は、たとえば、導波路としてSiOクラッド134内にシリコン(Si)コア層が存在するシリコン細線導波路を用い、第1導波路111のSiコア層135−1よりも、第2導波路112のSiコア層135−2の幅を狭くすることで実現可能である。同様に第3導波路121のSiコア層135−1よりも、第4導波路122のSiコア層135−2の幅を狭くする。Siコア層135−1と135−2は、たとえば基板13としてSOI(Silicon-on-Insulator)基板を用い、上層のシリコン層を露光及び現像によりパターニングすることで形成可能である。SOI基板13のシリコン基板131上のSiO2層132は埋め込み酸化膜であり、下部クラッド層として用いられる。
Siコア層の幅の変化により温度に対する屈折率変化の割合が変わるのは、SiのほうがSiO2と比較して温度に対する屈折率変化の割合が1桁大きいからである。Siコア層135−1の幅が太く光閉じ込めが強い場合には、温度変化に対する等価屈折率の変化が大きくなる。逆に、Siコア層135−2の幅が狭く光閉じ込めが弱い場合には、温度変化に対する等価屈折率の変化が小さくなる。
図2の構成をとることで、一例として、第1導波路111の温度に対する屈折率変化の割合を+0.0042%/℃、第2導波路112の温度に対する屈折率変化の割合を+0.0026%/℃に設定する。第3導波路121は第1導波路111と同じ光閉じ込め構造を有し、温度に対する屈折率変化の割合を第1導波路111と同じにする。第4導波路122は第2導波路112と同じ光閉じ込め構造を有し、温度に対する屈折率変化の割合を第2導波路112と同じにする。非対称MZ干渉計型の第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12のそれぞれは、温度に対する屈折率変化の割合が大きく短い導波路と、温度に対する屈折率変化の割合が小さく長い導波路で形成される。
なお、ここでは温度特性が異なる導波路の例として、光閉じ込めが異なるシリコン細線導波路を用いる例を挙げているが、これに限らず、屈折率変化の温度依存性が互いに異なる2つの導波路なら何でもよい。例えば、導波路を構成する材料は、化合物半導体や石英系材料でもよく、2つの導波路間で温度特性を変えるために、温度特性が異なる2つの材料でそれぞれの導波路を形成してもよい。
非対称MZ干渉計を形成する2つのシリコン細線導波路間で光閉じ込めの程度を異ならせるには、Siコア層の高さを異ならせる、Siコア層の高さと幅の両方を異ならせる等の構成を採用してもよい。2つの導波路のうちの一方の導波路で、コア層の高さと幅の少なくともひとつを他方の導波路よりも大きくすることで、光閉じ込めを大きくして温度変化に対する屈折率の変化を大きくすることができる。あるいは、2つの導波路間でコアとなる導波路の形状を変えてもよい。第1導波路111と第3導波路121を、光閉じ込め効果の高いリブ型のシリコンコアで形成し、第2導波路112と第4導波路122を細線型のシリコンコアで形成してもよい。この場合も、第1導波路111と第2導波路112の間、及び第3導波路121と第4導波路122の間で温度変化に対する屈折率変化の程度を異ならせることができる。
図3は、実施形態の周期フィルタの温度特性と光路長の関係を示す図である。2つの導波路間で温度特性が異なる非対称MZ干渉計で、2つの導波路間の光路長差ΔL0を維持したまま共通光路長Lcomを変化させたときの温度特性(nm/℃)の変化を示す。この温度特性は、温度変化に対する非対称MZ干渉計の波長特性のピーク波長のシフト量で表わされる。横軸でLcom=0mmの点は、第1導波路111(または第3導波路121)の長さがゼロである点を示す。
第1導波路111(または第3導波路121)の長さがゼロの場合、非対称MZ干渉計の温度特性は第2導波路112(または第4導波路122)の温度特性がそのまま反映される。第2導波路112(または第4導波路122)の等価屈折率変化の割合がそのまま表れ、波長特性の変動は0.0026%/℃の割合で発生する。たとえば、長距離光通信で一般的に用いられている1550nm帯の波長では、約0.04nm/℃の割合で波長は長波長側へシフトする。第1導波路111と第2導波路112の光路長差ΔL0を維持した状態で、第1導波路111と第2導波路112の双方を長くするにつれ、すなわち共通光路長Lcomを長くするにつれ、非対称MZ干渉計の温度特性は減少する。共通光路長Lcomがある長さを超えると、温度増加に伴って波長特性のピーク波長は短波長側にシフトする。
図3の例で、第1導波路111の光路長を1mm、第2導波路112の光路長を4mmとすると(Lcom=1mm、ΔL0=3mm)、第1の周期フィルタ11の温度変化による波長特性のシフト量は+0.032nm/℃である。一方、第3導波路121の光路長を9mm、第4導波路122の光路長を12mmとすると(Lcom=9mm、ΔL0=3mm)、第2の周期フィルタ12の温度変化による波長特性のシフト量は−0.032nm/℃となり、負の方向(短波長側)へのシフトが発生する。これにより、温度特性が逆になる2つの周期フィルタを実現することができる。以下に、互いに逆の温度特性が得られる原理を説明する。
温度変動の影響を含めたときの第1導波路111と第2導波路112の光路長差ΔL12は、式(1)で与えられる。光路長差ΔL12の温度依存性が導波路型の周期フィルタの波長特性の温度依存性を決定する。
ΔL12=L2×(1+βΔT)−L1×(1+αΔT) (1)
ここで、L1とL2は温度が所定値のときの第1導波路111と第2導波路112のそれぞれの光路長である。αとβは、第1導波路111と第2導波路112の温度に対する等価屈折率の変化の割合であり、ともに正の値、かつα>βである。上述のように、第1導波路111の温度変化に対する屈折率変化の割合の方が、第2導波路の温度変化に対する屈折率変化よりも大きく設計されているからである。
光路長L1とL2は、非対称MZ干渉計のフィルタ周期を所望の値に設定する観点から、L2とL1の差(L2−L1=ΔL0)が固定の値となるように設定される。この例ではΔL0=3mmである。光路長差ΔL0を固定したまま第1導波路111と第2導波路112の双方を長くしたときの共通光路長Lcomに対して、温度変動がある場合の第1導波路111と第2導波路112の光路長差ΔL12は、
ΔL12=(ΔL0+Lcom)×(1+βΔT)−Lcom×(1+αΔT)
=ΔL0+{βΔL−(α−β)Lcom}ΔT
=ΔL0+CΔT (2)
と表される。ここで、Cは非対称MZ干渉計の光路長差の温度変化の係数であり、式(2)から、
C=βΔL−(α−β)Lcom (3)
と表される。
第1導波路111と第2導波路をともに長くするにつれて、すなわちLcomを大きくするにつれて係数Cは減少し、
Lcom>βΔL/(α−β) (4)
となる条件で、温度に対する光路長差の変化が負になる。非対称MZ干渉計で形成される周期フィルタ11の波長特性は、光路長差ΔL12の変化に依存し、光路長差ΔL12が大きくなると長波長側にシフトし、小さくなると短波長側にシフトする。したがって、図3のように共通光路長Lcomの値を調整することによって、温度による波長シフトの方向を反転させることができ、温度特性が互いに反転した導波路型の周期フィルタ11、12を実現することができる。
次に、互いに温度特性が反転した第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12を用いた波長ロッカーと、その波長制御について説明する。
図4は、実施形態の導波路型の第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性の一例を示す。この例では、レーザの目標波長付近において、太い実線で示される第1の周期フィルタ11の波長に対する透過率(「モニタ1」と標記されるサインカーブ)の傾きは正になっている。細い実線で示される第2の周期フィルタ12の波長に対する透過率(「モニタ2」と標記されるサインカーブ)の傾きは負となっている。
第1の受光素子15(PD1)と第2の受光素子16(PD2)のモニタ値は、それぞれ第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の透過率に相当するため、モニタ値の傾きが、第1の受光素子15では正、第2の受光素子16では負となる。図4(A)に示すように、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の透過率がクロスする点の波長が、所定の温度で目標波長に一致するように調整されている。換言すると、第1の受光素子15でのモニタ値と、第2の受光素子16でのモニタ値がクロスする波長が目標波長に一致するように調整されている。この波長調整は、たとえば非対称MZ干渉計の一部に局所ヒータを用いた位相シフタを配置して、位相シフタへ注入する電流量を調整することで実現可能である。
図4(B)は、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタを上記の波長関係に調整し、波長ロッカー用のフィルタ集積素子19の温度が所定の温度に保たれたままで、レーザの波長が目標波長から長波長側にずれた場合を示す。この場合、第1の受光素子15のモニタ値(モニタ1)、すなわち第1の周期フィルタ11の透過率が増大し、第2の受光素子16のモニタ値(モニタ2)、すなわち第2の周期フィルタ12の透過率は同じ分だけ減少する。光源の波長がずれた場合は、第1の受光素子15のモニタ値と、第2の受光素子のモニタ値の差が変化し、和はほぼ一定となる。図4(C)は、図4(B)の状態からさらに、波長ロッカー用のフィルタ集積素子19の温度が所定の温度よりも高くなった場合を示す。この場合、第1の周期フィルタ11の波長特性は、太い点線の状態から長波長側にシフトし、第2の周期フィルタ12の波長特性は、細い点線の状態から同じ量だけ短波長側にシフトする。その結果、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性がクロスする波長は変化せず、目標波長に維持される。目標波長において、第1の受光素子15のモニタ値と、第2の受光素子16のモニタ値がともに同じ割合で減少する。したがって、フィルタの温度が変化したときに第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子のモニタ値の差がゼロになるのは、光源の波長が目標波長に一致する場合である。第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子16のモニタ値の差がゼロになるように光源の波長を制御することで、温度に依らず目標波長に精度良く合わせることができる。
温度に対するモニタ値の変化に着目すると、温度が変化した場合に第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子16のモニタ値の和をとると、和の値は光源波長のずれにはあまり依存せずに、温度変化に強く依存して変化する。これは、モニタ値の和をとることで、2つの周期フィルタの目標波長付近での波長特性の反転により、波長ずれの影響が互いに相殺されるからである。2つのモニタ値の和をとることで、光源の波長が目標波長からずれている場合でも、主として温度変動の影響だけを抽出することができる。
実施形態のように、温度特性が互いに反転した導波路型の第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12を用い、第1の受光素子15でのモニタ値と第2の受光素子16でのモニタ値の和または差をとることにより、目標波長からの波長のずれと、所定温度からのフィルタ温度のずれを簡易な方法で精度良くモニタすることができる。従来法と比較して単純なモニタ値の演算で、光源波長及び/又は波長ロッカー用のフィルタ集積素子19の温度を互いに独立して精度よく制御することができる。
図5に、レーザの発振波長が目標波長に一致しており、かつ、フィルタの温度がずれた場合のフィルタ特性を示す。図5(A)は、図4(A)と同様に、波長ずれも温度ずれもない状態である。温度に対するモニタ値の変化に注目すると、図5(B)のように温度が変化した場合、第1、第2のフォトダイオードともにモニタ値が減少するため(たとえばモニタ値aからbに減少)、モニタ値の和を取ると温度の変化を抽出することができる。また、温度がずれている状態で、さらに波長がずれた場合でも、和を取ることによって波長ずれによる第1、第2のフォトダイオードのモニタ値の増減が相殺される。したがって、和を取ることにより、仮に波長が目標波長からずれている場合でも、主に温度変動の影響だけを抽出することが可能となる。
図6は、実施形態の導波路型の第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性の別の例を示す。図6(A)では、所定の温度において、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性が重なり、かつ目標波長での透過率が50%となるように調整されている。図4と同様に、第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子16のモニタ値は、それぞれ第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の透過率に相当し、所定の温度では第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12で波長に対するモニタ値の変化が同じになる。
図6(B)で、波長ロッカー用のフィルタ集積素子19が所定の温度に保たれたまま光源波長がずれると、波長のずれに応じて、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の透過率が50%からずれ、それに応じて、第1の受光素子15と第2の受光素子16のモニタ値も変化する。したがって、第1の受光素子15と第2の受光素子16でモニタ値がともに透過率50%に相当する値になるように光源波長を制御すれば、一般的な波長ロッカーと同様の手法で光源(レーザ)の波長を制御することが可能である。なお、上述した「所定の温度」では、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12で波長特性が一致しているので、モニタ値の差は波長ずれによらずゼロとなる。
図6(C)で、図6(B)の状態からさらに温度ずれが発生した場合は、第1の周期フィルタ11のモニタ出力は長波長側にシフトし、第2の周期フィルタ12のモニタ出力は短波長側にシフトする。その結果、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の間で波長特性がかい離する。目標波長で、第1の受光素子15のモニタ値は減少し、第2の受光素子16のモニタ値は増加する。第1の受光素子15のモニタ出力と第2の受光素子16のモニタ出力が互いに逆の動きをするため、和をとった場合は、互いに相殺し、温度ずれの有無に依らずに、ほぼ一定の値をとる。したがって、温度によらず、2つのモニタ値の和をとって、モニタ値の平均値が目標透過率(この例では、透過率50%)に相当する値となるように光源(レーザ)の波長を制御すれば、光源波長を目標波長に合わせることができる。
波長ロッカー用のフィルタ集積素子19の温度が変化した場合は、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性にずれが生じるため、それぞれのモニタ値の差分をとれば、温度ずれをモニタすることができる。
図7に、レーザの発振波長が目標波長に一致しており、かつ、フィルタの温度がずれた場合のフィルタ特性を示す。図7(A)は、図6(A)と同様に、波長ずれも温度ずれもない状態を示す。このときの2つのモニタ値の差はゼロである。図7(B)のように、波長ロッカー用フィルタ素子の温度が変化した場合には、第1、第2の導波路型周期フィルタの波長特性にずれが生じ、一方のモニタ値は増加し、他方のモニタ値は減少する。したがってモニタ値の差分を取れば、温度ずれをモニタすることが可能である。モニタ値の差が0となるように温度を制御すれば、波長ロッカー用のフィルタの温度を所望の値に調整することが可能となる。
第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12は、温度変化に対する波長特性の変化の方向が逆であることを前提として波長特性が同じに設定されているか(図6、7)、波長特性の傾きが逆方向に設定されているか(図4、5)によって、モニタ値の演算が変わってくる。
図4、5の例では、波長ずれを2つのモニタ値の差で検出し、温度ずれを2つのモニタ値の和で検出したが、図6、7の例では、波長ずれを2つのモニタ値の和で検出し、温度ずれを2つのモニタ値の差で検出している。図4〜図7に共通して、第1の受光素子15と第2の受光素子16のモニタ値の単純な和と差をとることで、目標波長からの波長ずれと、所定の温度からの温度ずれを精度よくモニタすることができる。従来の構成と比較して、モニタ値の単純な演算で波長制御と、フィルタ集積素子19の温度制御を互いに精度独立して精度良く実施することができる。
図4〜図7の例では、第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の温度変化に対する波長特性のずれが、逆方向で同じシフト量である例を示しているが、完全に同じシフト量でない場合にも十分に効果を奏する。第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12で温度変化による波長特性のずれは常に相殺される方向に働くため、一般的な波長ロッカーと比較して、波長ロッカーの温度変化に対する発振波長のずれの影響を低減できるからである。
<変形例>
図8は、変形例の波長ロッカー10Aの模式図である。波長ロッカー10Aは、図1の波長ロッカー10の構成に加えて、第3の受光素子17(PD3)と、第3の受光素子17へレーザ光を分岐するためのビームスプリッタ(BS2)を有する。図1と同じ構成要素には同じ符号を付けて重複する説明を省略する。第3の受光素子17は、波長依存性を持つフィルタ等を通さずに、光源の出力光そのものに比例した光強度を検出する。
第3の受光素子17からのモニタ出力を用いて、第1の周期フィルタ11の透過光を検出する第1の受光素子15のモニタ出力と、第2の周期フィルタ12の透過光を検出する第2の受光素子16のモニタ出力を規格化することができる。これにより、レーザの出力強度が変動した場合でも安定したモニタ値を得ることができ、波長制御が安定する。変形例でも、導波路型の第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12は、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆になるように設計されており、温度変化に対する光源波長のずれの影響を抑制し、かつ、目標波長からの波長ずれと所定温度からの温度ずれを精度良く検出することができる。
<波長可変レーザ装置>
図9は、実施形態の波長可変レーザ装置1の概略図である。波長可変レーザ装置1は、波長可変レーザ光源と、波長ロッカー10と、コントローラ2を有する。波長ロッカー10の主要部分はフィルタ集積素子19として形成されており、温度制御用のペルチェ素子4上に配置されている。波長ロッカー10の第1の受光素子15と第2の受光素子16の出力は、コントローラ2の入力に接続される。
コントローラ2は、第1の受光素子15と第2の受光素子16のモニタ値に基づいて、波長可変レーザ光源3の波長と、ペルチェ素子4の温度、すなわち第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の温度を制御する。コントローラ2は、プロセッサ200とメモリ205を有し、プロセッサ200はメモリ205内のワークエリアを用いて演算を行う。
プロセッサ200は、加算器201、減算器202、波長制御部203、及び温度制御部204を有する。加算器201は、第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子16のモニタ値の和を計算する。減算器202は、第1の受光素子15のモニタ値と第2の受光素子16のモニタ値の差を計算する。波長制御部203は、加算器201と減算器202の出力に基づいて、波長可変レーザ光源3の波長制御パラメータを調整し、光源波長を目標波長に制御する。また、温度ずれが検出された場合、温度制御部204はフィルタ集積素子19の温度が所定の温度に維持されるように、ペルチェ素子4に注入される電流量を制御する。波長可変レーザ光源3の制御パラメータと、ペルチェ素子4の制御パラメータはメモリ205に保存されている。
第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性が図4(A)(及び図5(A))のように設定されている場合は(波長変化に対するモニタ強度の傾きが逆)、波長制御部203は、減算器202から出力されるモニタ値の差がゼロに近づくように、波長可変レーザ光源3の波長を制御する。これにより、波長可変レーザ光源3の波長は目標波長に調整される。温度制御部204は、加算器201から出力されるモニタ値の和が所定の値になるようにペルチェ素子4の電流量を制御し、フィルタ集積素子19の温度を調整する。
第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12の波長特性が図6及び図7のように同じ特性に設定されている場合は、波長制御部203は、加算器201から出力されるモニタ値の和が所定の値になるように、波長可変レーザ光源3の波長を制御する。これにより、光源波長は目標波長に制御される。温度制御部204は、減算器202から出力されるモニタ値の差がゼロに近づくようにペルチェ素子4の電流量を制御して、フィルタ集積素子19の温度を調整する。
フィルタ集積素子19(またはペルチェ素子4)の温度制御は必ずしも行わなくてもよい。実施形態の波長ロッカー10は、ある程度の温度変動がある場合でも、温度変化に対する波長特性のずれを常に相殺する方向に設計されているので、波長可変レーザ光源3の波長を目標波長に制御することが可能である。フィルタ集積素子19の温度を制御することで、光源の発振波長をさらに高精度に制御することができる。
以上、特定の実施例に基づいて発明を説明してきたが、本発明は上記の実施例に限定されない。たとえば、非対称MZ干渉計で形成される導波路型の周期フィルタの出力側光カプラ114、124として2×1カプラを使用する例を示したが、公知文献(たとえば特開2015-6854)に開示されている構造を採用して2×1カプラに替えて90°ハイブリッド導波路を用いてもよい。ビームスプリッタに替えて直角プリズムミラーを用いてもよい。また、フィルタ集積素子19とともに、第1の受光素子15と第2の受光素子16をペルチェ素子4上に配置してもよい。図9の波長ロッカー10に替えて、図8の波長ロッカー10Aを用いてもよい。第1の周期フィルタ11と第2の周期フィルタ12のそれぞれで2本の導波路の光路長差ΔL0は3mmに限定されず、用いる周波数帯またはグリッド間隔に応じて、適宜選択される。この場合も、2つの周期フィルタ間で温度変化に対する波長特性の変化が逆になるように共通光路長Lcomが設定される。
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
(付記1)
光源からの出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、
前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、
前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、
前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、
前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、
を有し、
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆であることを特徴とする波長ロッカー。
(付記2)
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、非対称のマッハツェンダ干渉計で形成されていることを特徴とする付記1に記載の波長ロッカー。
(付記3)
前記第1の周期フィルタは、第1導波路と、前記第1導波路よりも長い第2導波路を有し、
前記第2の周期フィルタは、第3導波路と、前記第3導波路よりも長い第4導波路を有し、
前記第1導波路と前記第2導波路の光路長差と、前記第3導波路と前記第4導波路の光路長差は同じであり、
前記第1導波路の光路長と、前記第3導波路の光路長は異なることを特徴とする付記2に記載の波長ロッカー。
(付記4)
前記第1導波路と前記第2導波路の共通光路長と、前記第3導波路と前記第4導波路の共通光路長は、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタの温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆で、かつ同じシフト量となるように設定されていることを特徴とする付記3に記載の波長ロッカー。
(付記5)
前記第1導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化の割合は、前記第2導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化の割合よりも大きく、
前記第3導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化の割合は、前記第4導波路の温度変化に対する等価屈折率の変化の割合よりも大きいことを特徴とする付記3に記載の波長ロッカー。
(付記6)
前記第2導波路は前記第1導波路よりも長く、前記第2導波路の幅は前記第1導波路の幅よりも狭く、
前記第4導波路は前記第3導波路よりも長く、前記第4導波路の幅は前記第3導波路の幅よりも狭いことを特徴とする付記3〜5のいずれかに記載の波長ロッカー。
(付記7)
目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向は逆方向であり、かつ前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値が同じであることを特徴とする付記1に記載の波長ロッカー。
(付記8)
目標波長において、前記第1の受光素子の出力値の波長に対する変化と、前記第2の受光素子の出力値の波長に対する変化は同じであることを特徴とする付記1に記載の波長ロッカー。
(付記9)
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、同一基板上にモニリシックに形成されていることを特徴とする付記1〜8のいずれかに記載の波長ロッカー。
(付記10)
レーザ光源と、
前記レーザ光源の出力光の一部が入力される波長ロッカーと、
前記波長ロッカーの出力に基づいて、前記レーザ光源の波長を目標波長に制御するコントローラと
を有する波長可変レーザ装置において、
前記波長ロッカーは、前記レーザ光源の出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、を有し、
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆であり、
前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の和または差を用いて、光源波長を前記目標波長に制御することを特徴とする波長可変レーザ装置。
(付記11)
目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向は逆方向であり、かつ前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値が同じであり、
前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の差がゼロに近づくように前記レーザ光源の波長を制御することを特徴とする付記10に記載の波長可変レーザ装置。
(付記12)
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタの温度を調整する温度調整素子、
をさらに有し、
前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の和が所定の値になるように、前記温度調整素子の温度を制御することを特徴とする付記11に記載の波長可変レーザ装置。
(付記13)
目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化は同じであり、
前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の和が所定の値になるように前記レーザ光源の波長を制御することを特徴とする付記10に記載の波長可変レーザ装置。
(付記14)
前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタの温度を調整する温度調整素子、
をさらに有し、
前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の差がゼロに近づくように、前記温度調整素子の温度を制御することを特徴とする付記13に記載の波長可変レーザ装置。
(付記15)
波長ロッカーを有する波長可変レーザ装置の制御方法であって、
前記波長ロッカーに、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、温度変化に対する波長特性のシフト方向が逆になる温度特性を有する第1の周期フィルタと第2の周期フィルタを配置し、
前記第1の周期フィルタの透過出力と前記第2の周期フィルタの透過出力をモニタし、
前記第1の周期フィルタの第1モニタ値と、前記第2の周期フィルタの第2モニタ値の和または差を用いて、光源波長を目標波長に制御する
ことを特徴とする波長可変レーザ装置の制御方法。
(付記16)
前記目標波長において、前記第1モニタ値の波長に対する変化の方向と前記第2モニタ値の変化の方向は逆方向であり、かつ前記第1モニタ値と前記第2モニタ値が同じになるように前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタを調整し、
前記第1モニタ値と前記第2モニタ値の差がゼロに近づくように光源波長を制御することを特徴とする付記15に記載の波長可変レーザ装置の制御方法。
(付記17)
前記第1モニタ値と前記第2モニタ値の和が所定の値になるように、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタの温度を制御することを特徴とする付記16に記載の波長可変レーザ装置の制御方法。
(付記18)
目標波長において、前記第1モニタ値の波長に対する変化と前記第2モニタ値の波長に対する変化が同じになるように前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタを調整し、
前記第1モニタ値と前記第2モニタ値の和が所定の値になるように光源波長を制御することを特徴とする付記15に記載の波長可変レーザ装置の制御方法。
(付記19)
前記第1モニタ値と前記第2モニタ値の差がゼロに近づくように、前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタの温度を制御することを特徴とする付記18に記載の波長可変レーザ装置の制御方法。
1 波長可変レーザ装置
2 コントローラ
3 波長可変レーザ光源
4 ペルチェ素子
10、10A、波長ロッカー
11 第1の周期フィルタ
12 第2の周期フィルタ
13 基板
14 分岐導波路
15 第1の受光素子
16 第2の受光素子
17 第3の受光素子
19 フィルタ集積素子
111 第1導波路
112 第2導波路
113、123 入力側光カプラ
114、124 出力側光カプラ
121 第3導波路
122 第4導波路
200 プロセッサ
201 加算器
202 減算器
203 波長制御部
204 温度制御部
205 メモリ

Claims (10)

  1. 光源からの出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、
    前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、
    前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、
    前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、
    前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、
    を有し、
    前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、
    前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆であることを特徴とする波長ロッカー。
  2. 前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、非対称のマッハツェンダ干渉計で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の波長ロッカー。
  3. 前記第1の周期フィルタは、第1導波路と、前記第1導波路よりも長い第2導波路を有し、
    前記第2の周期フィルタは、第3導波路と、前記第3導波路よりも長い第4導波路を有し、
    前記第1導波路と前記第2導波路の光路長差と、前記第3導波路と前記第4導波路の光路長差は同じであり、
    前記第1導波路の光路長と、前記第3導波路の光路長は異なることを特徴とする請求項2に記載の波長ロッカー。
  4. 前記第2導波路は前記第1導波路よりも長く、前記第2導波路の幅は前記第1導波路の幅よりも狭く、
    前記第4導波路は前記第3導波路よりも長く、前記第4導波路の幅は前記第3導波路の幅よりも狭いことを特徴とする請求項3に記載の波長ロッカー。
  5. 目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向は逆方向であり、かつ前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値が同じであることを特徴とする請求項1に記載の波長ロッカー。
  6. 目標波長において、前記第1の受光素子の出力値の波長に対する変化と、前記第2の受光素子の出力値の波長に対する変化は同じであることを特徴とする請求項1に記載の波長ロッカー。
  7. レーザ光源と、
    前記レーザ光源の出力光の一部が入力される波長ロッカーと、
    前記波長ロッカーの出力に基づいて、前記レーザ光源の波長を目標波長に制御するコントローラと
    を有する波長可変レーザ装置において、
    前記波長ロッカーは、前記レーザ光源の出力光の一部を第1のモニタ光と第2のモニタ光に分岐する手段と、前記第1のモニタ光が入力される第1の周期フィルタと、前記第2のモニタ光が入力される第2の周期フィルタと、前記第1の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第1の受光素子と、前記第2の周期フィルタを透過した光の強度をモニタする第2の受光素子と、を有し、
    前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、
    前記第1の周期フィルタと前記第2の周期フィルタは、温度変化に対する波長特性のシフト方向が互いに逆であり、
    前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の和または差を用いて、光源波長を前記目標波長に制御することを特徴とする波長可変レーザ装置。
  8. 目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化の方向は逆方向であり、かつ前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値が同じであり、
    前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の差がゼロに近づくように前記レーザ光源の波長を制御することを特徴とする請求項7に記載の波長可変レーザ装置。
  9. 目標波長において、前記第1の受光素子のモニタ値の波長に対する変化と、前記第2の受光素子のモニタ値の波長に対する変化は同じであり、
    前記コントローラは、前記第1の受光素子のモニタ値と前記第2の受光素子のモニタ値の和が所定の値になるように前記レーザ光源の波長を制御することを特徴とする請求項7に記載の波長可変レーザ装置。
  10. 波長ロッカーを有する波長可変レーザ装置の制御方法であって、
    前記波長ロッカーに、波長に対して透過光の強度が周期的に変化する波長特性を有し、温度変化に対する波長特性のシフト方向が逆になる温度特性を有する第1の周期フィルタと第2の周期フィルタを配置し、
    前記第1の周期フィルタの透過出力と前記第2の周期フィルタの透過出力をモニタし、
    前記第1の周期フィルタの第1モニタ値と、前記第2の周期フィルタの第2モニタ値の和または差を用いて、光源波長を目標波長に制御する
    ことを特徴とする波長可変レーザ装置の制御方法。
JP2017152663A 2017-08-07 2017-08-07 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法 Pending JP2019033156A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017152663A JP2019033156A (ja) 2017-08-07 2017-08-07 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法
US16/050,427 US10530119B2 (en) 2017-08-07 2018-07-31 Wavelength locker, wavelength tunable laser apparatus, and method for controlling wavelength tunable laser apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017152663A JP2019033156A (ja) 2017-08-07 2017-08-07 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019033156A true JP2019033156A (ja) 2019-02-28

Family

ID=65231634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017152663A Pending JP2019033156A (ja) 2017-08-07 2017-08-07 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10530119B2 (ja)
JP (1) JP2019033156A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109828331A (zh) * 2019-03-27 2019-05-31 浙江大学 一种波长锁定器及波长可调激光器
JP2019161065A (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 古河電気工業株式会社 波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の波長制御方法
WO2020230489A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 不二越機械工業株式会社 非接触式ウェーハ厚み測定装置
CN113922915A (zh) * 2021-09-03 2022-01-11 烽火通信科技股份有限公司 Dml光模块波长自动纠偏方法、dml光模块及dwdm系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10050405B2 (en) 2016-04-19 2018-08-14 Lumentum Operations Llc Wavelength locker using multiple feedback curves to wavelength lock a beam
US10263385B1 (en) * 2016-12-21 2019-04-16 Acacia Communications, Inc. Wavelength locker
US10670803B2 (en) * 2017-11-08 2020-06-02 Lumentum Operations Llc Integrated wavelength monitor
CN110345888B (zh) * 2019-08-09 2021-08-24 佛山市顺德区美的饮水机制造有限公司 测量物体的物理尺寸的方法、装置、饮水设备和存储介质

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4847851A (en) * 1988-05-19 1989-07-11 University Of South Florida Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser
US6137812A (en) * 1994-02-24 2000-10-24 Micron Optics, Inc. Multiple cavity fiber fabry-perot lasers
US6501776B1 (en) * 1999-01-29 2002-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Temperature-insensitive semiconductor laser
WO2002091534A1 (fr) * 2001-05-08 2002-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif de controle de longueur d'onde
JP3717438B2 (ja) 2001-06-07 2005-11-16 古河電気工業株式会社 光モジュール、光送信器及びwdm光送信装置
JP2005032968A (ja) 2003-07-11 2005-02-03 Toshiba Corp 光送信モジュール
JP4332067B2 (ja) 2004-05-25 2009-09-16 富士通株式会社 波長可変レーザ装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019161065A (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 古河電気工業株式会社 波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の波長制御方法
CN109828331A (zh) * 2019-03-27 2019-05-31 浙江大学 一种波长锁定器及波长可调激光器
WO2020230489A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 不二越機械工業株式会社 非接触式ウェーハ厚み測定装置
CN113922915A (zh) * 2021-09-03 2022-01-11 烽火通信科技股份有限公司 Dml光模块波长自动纠偏方法、dml光模块及dwdm系统
CN113922915B (zh) * 2021-09-03 2023-05-23 烽火通信科技股份有限公司 Dml光模块波长自动纠偏方法、dml光模块及dwdm系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20190044300A1 (en) 2019-02-07
US10530119B2 (en) 2020-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019033156A (ja) 波長ロッカー、これを用いた波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ装置の制御方法
Arianfard et al. Sagnac interference in integrated photonics
US10355448B2 (en) Tunable laser source
US8744222B2 (en) Practical silicon photonic multi-function integrated-optic chip for fiber sensor applications
US7230963B2 (en) Monolithic wavelength stabilized asymmetric laser
JP6342651B2 (ja) 外部影響に対して低感受性の集積フォトニックデバイスおよび感受性低減方法
US8532441B2 (en) Optical device for wavelength locking
US10409012B2 (en) Controlling back scattering in optical waveguide systems
JP2009278015A (ja) 平面光波回路及びこれを備えた波長可変レーザ装置
JP6759739B2 (ja) 光デバイス、波長可変光源、及びこれを用いた光送信器
JP6968359B2 (ja) 光増幅器及び光スイッチ装置
JP2015068854A (ja) 光学素子および波長モニタ
Wu et al. Mode-assisted silicon integrated interferometric optical gyroscope
JP2018129338A (ja) 波長可変レーザ装置
JP6771602B2 (ja) 波長制御素子及び波長制御方法
US11714240B2 (en) On-chip optical switch based on an echelle grating
JP5034026B2 (ja) 光ファイバジャイロ
US11079232B2 (en) Device comprising a ring optical resonator
Melati et al. Athermal echelle grating and tunable echelle grating demultiplexers using a Mach-Zehnder interferometer launch structure
JP2021068905A (ja) フォトニック集積回路を用いたレーザ波長のセンタロック
JP2004361398A (ja) 温度感度が低い光ファイバデバイスのためのシステムおよび方法
US20230417551A1 (en) Chip-integrated optical rotation rate sensor
JP6871560B2 (ja) 光集積回路、および光集積回路の制御方法
Ribeiro et al. A thermally tunable but athermal silicon MZI filter
JP5459067B2 (ja) 波長制御装置及び制御方法