JP2019028257A - Display device and method for driving display device - Google Patents

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Abstract

To provide a display device capable of improving a sweeping effect on ionic impurities of a liquid crystal device to be used as optical modulation means, and a driving method of a display device.SOLUTION: A projection type display device 1000 as a display device includes: a liquid crystal device 100 having a liquid crystal layer 50 containing a liquid crystal, held between an element substrate 10 and a counter substrate 20, a pixel electrode 15a disposed in a display region E, and a pixel electrode 15b adjoining to the pixel electrode 15a; heating means 510 capable of heating the liquid crystal layer 50 to a temperature equal to or higher than Tni of the liquid crystal; cooling means 520 capable of cooling the liquid crystal layer to a predetermined temperature lower than Tni, or lower; and a lamp unit 1101 for irradiating the liquid crystal layer 50 with light. When the temperature of the liquid crystal layer 50 is elevated to Tni or higher by the heating means 510, an AC signal V1 is applied to the pixel electrode 15a, while an AC signal V2 at the same frequency as the AC signal V1, with a shifted phase is applied to the pixel electrode 15b.SELECTED DRAWING: Figure 13

Description

本発明は、表示装置、および表示装置の駆動方法に関する。   The present invention relates to a display device and a display device driving method.

従来、トランジスターが備わるアクティブ駆動型の液晶装置を、液晶ライトバルブとして用いた表示装置が知られていた。このような表示装置では、液晶装置に入射する光束密度が、直視型ディスプレイ用の液晶装置と比べて大きくなる。そのため、液晶材料、配向膜、シール材などの液晶装置の部材に由来するイオン性不純物が、液晶層中に拡散して表示ムラなどの表示不良の原因となることがある。   Conventionally, a display device using an active drive type liquid crystal device provided with a transistor as a liquid crystal light valve has been known. In such a display device, the light flux incident on the liquid crystal device has a higher density than the liquid crystal device for direct-view display. For this reason, ionic impurities derived from liquid crystal device members such as liquid crystal materials, alignment films, and sealing materials may diffuse into the liquid crystal layer and cause display defects such as display unevenness.

そこで、イオン性不純物による表示不良の発生を抑えるために、例えば、特許文献1には、イオントラップ電極により、イオン性不純物を掃引する液晶表示装置が提案されている。   Thus, in order to suppress the occurrence of display defects due to ionic impurities, for example, Patent Document 1 proposes a liquid crystal display device that sweeps ionic impurities by an ion trap electrode.

また、特許文献2および特許文献3には、非表示期間に有効画素領域を用いて、横電界を発生させてイオン性不純物を掃引する技術が提案されている。   Patent Documents 2 and 3 propose a technique for generating a lateral electric field and sweeping ionic impurities using an effective pixel region in a non-display period.

さらに、特許文献4には、オフシーケンス時のイオン性不純物の掃引効果を高めるために、オフシーケンスにおける液晶装置の温度を、立ち上げ期間後の液晶装置の温度より高くする表示装置が提案されている。   Further, Patent Document 4 proposes a display device in which the temperature of the liquid crystal device in the off sequence is higher than the temperature of the liquid crystal device after the start-up period in order to enhance the sweep effect of the ionic impurities during the off sequence. Yes.

特開2007−279172号公報JP 2007-279172 A 特開2008−292861号公報JP 2008-292861 A 特開2015−111247号公報JP 2015-1111247 A 特開2013−235171号公報JP 2013-235171 A

しかしながら、特許文献1から特許文献4に記載の技術では、イオン性不純物の掃引効果を向上させることが難しいという課題があった。例えば、特許文献1から特許文献3に記載の技術では、イオン性不純物の掃引効果が得られにくい場合があった。特に、VA(Vertical Alignment)方式の液晶装置では、初期の垂直配向状態において、横方向へのイオン性不純物の移動が遅くなる傾向があり、上記掃引効果が得られにくくなるおそれがあった。   However, the techniques described in Patent Documents 1 to 4 have a problem that it is difficult to improve the sweeping effect of ionic impurities. For example, in the techniques described in Patent Document 1 to Patent Document 3, it may be difficult to obtain the sweep effect of ionic impurities. In particular, in a VA (Vertical Alignment) type liquid crystal device, the movement of ionic impurities in the lateral direction tends to be slow in the initial vertical alignment state, which may make it difficult to obtain the sweep effect.

また、特許文献4に記載の技術では、液晶装置の温度を比較的に高くする加熱手段が備えられているものの、液晶装置や液晶が加熱される温度が明示されていなかった。そのため、液晶層に含まれる液晶の種類によっては、イオン性不純物の掃引効果を向上させることが難しい場合があった。   In addition, in the technique described in Patent Document 4, although a heating unit that relatively increases the temperature of the liquid crystal device is provided, the temperature at which the liquid crystal device and the liquid crystal are heated is not clearly described. Therefore, depending on the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer, it may be difficult to improve the sweeping effect of ionic impurities.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例]本適用例に係わる表示装置は、第1基板と、第1基板と対向配置された第2基板と、第1基板および第2基板の間に挟持された液晶を含む液晶層と、第1基板の表示領域に配置された第1画素電極と、第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、を有する液晶装置と、液晶層の温度を、液晶のTni(ネマティック−等方相転移温度)以上に加熱可能な加熱手段と、液晶層の温度を、Tniよりも低い所定の温度以下に冷却可能な冷却手段と、液晶層に光を照射する光源と、を備え、加熱手段により液晶層の温度をTni以上としたときに、第1画素電極に第1交流信号が印加され、第2画素電極に第1交流信号と同じ周波数で位相がずれた第2交流信号が印加される。   [Application Example] A display device according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, a liquid crystal layer including liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate, , A liquid crystal device having a first pixel electrode disposed in the display area of the first substrate, and a second pixel electrode adjacent to the first pixel electrode, and the temperature of the liquid crystal layer, the liquid crystal Tni (nematic-isotropy) A heating means capable of heating the liquid crystal layer to a predetermined temperature lower than Tni, and a light source for irradiating the liquid crystal layer with light. When the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or higher, the first AC signal is applied to the first pixel electrode, and the second AC signal having the same frequency as the first AC signal is applied to the second pixel electrode. The

本適用例によれば、従来と比べてイオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。詳しくは、加熱手段によって液晶層の温度を液晶のTni以上とすることが可能であり、液晶の異方性を変えて等方相として、イオン性不純物の移動度を大きくすることができる。特に、VA方式の液晶装置では、液晶を等方相とすることによって、イオン性不純物の横方向への移動度が大きくなると共に、配向膜に吸着したイオン性不純物を解離させやすくすることが可能となる。   According to this application example, the sweeping effect of the ionic impurities can be improved as compared with the conventional example. Specifically, the temperature of the liquid crystal layer can be set to Tni or higher of the liquid crystal by heating means, and the mobility of ionic impurities can be increased as an isotropic phase by changing the anisotropy of the liquid crystal. In particular, in the VA liquid crystal device, by making the liquid crystal isotropic, the lateral mobility of the ionic impurities can be increased and the ionic impurities adsorbed on the alignment film can be easily dissociated. It becomes.

液晶のTni以上まで加熱することにより、液晶層に含まれる液晶の種類によらず、液晶が等方性となる。このとき、位相がずれた第1交流信号および第2交流信号を印加することにより、第1画素電極から第2画素電極に向かう横電界が発生する。そのため、液晶層中のイオン性不純物を、第1画素電極から第2画素電極の方向に掃引することができる。   By heating to above Tni of the liquid crystal, the liquid crystal becomes isotropic regardless of the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer. At this time, by applying the first AC signal and the second AC signal that are out of phase, a lateral electric field from the first pixel electrode toward the second pixel electrode is generated. Therefore, ionic impurities in the liquid crystal layer can be swept from the first pixel electrode toward the second pixel electrode.

液晶層中でのイオン性不純物の移動度が大きくなるため、イオン性不純物の掃引に要する時間を短縮することができる。また、冷却手段により、Tni以上まで加熱した液晶層を、Tniよりも低い所定の温度まで冷却して液晶を配向させることが可能となる。そのため、表示装置のオンシーケンス期間にイオン性不純物の掃引を実施しても、冷却手段がない場合と比べて、表示装置の立ち上げ時間(表示可能な状態になるまでの時間)を短縮することができる。   Since the mobility of ionic impurities in the liquid crystal layer increases, the time required for sweeping ionic impurities can be shortened. Further, the liquid crystal layer heated to Tni or higher by the cooling means can be cooled to a predetermined temperature lower than Tni to align the liquid crystal. Therefore, even if sweeping of ionic impurities is performed during the on-sequence period of the display device, the start-up time of the display device (time until display can be performed) is shortened compared to the case where there is no cooling means. Can do.

以上により、イオン性不純物に起因する表示ムラなどの表示不良の発生が抑制されるため、表示品質が向上した表示装置を提供することができる。   As described above, since display defects such as display unevenness due to ionic impurities are suppressed, a display device with improved display quality can be provided.

上記適用例に記載の表示装置においては、Tniは、80℃以上、100℃未満であることが好ましい。   In the display device described in the application example, Tni is preferably 80 ° C. or higher and lower than 100 ° C.

これによれば、Tniが100℃以上の場合と比べて、加熱および冷却の時間を短縮することができる。そのため、イオン性不純物の掃引に要する時間の短縮や、駆動エネルギーの低減が可能となる。あるいは、加熱手段および冷却手段を簡略化することができる。   According to this, compared with the case where Tni is 100 degreeC or more, the time of a heating and cooling can be shortened. Therefore, the time required for sweeping ionic impurities can be shortened and the driving energy can be reduced. Alternatively, the heating means and the cooling means can be simplified.

上記適用例に記載の表示装置においては、オンシーケンス期間に、加熱手段により液晶層の温度をTni以上とし、オンシーケンス期間の後に、冷却手段により液晶層の温度を所定の温度以下とすることが好ましい。   In the display device described in the application example, the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or higher by the heating unit during the on-sequence period, and the temperature of the liquid crystal layer is set to a predetermined temperature or less by the cooling unit after the on-sequence period. preferable.

これによれば、表示装置が表示を開始する前に、表示装置を稼働させなかった期間に拡散したイオン性不純物を、表示領域の外側へ掃引することが可能になる。これにより、従来よりも良好な表示品質で表示装置を表示させることができる。また、冷却手段によって、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オンシーケンス期間を含む、表示装置が表示可能となるまでの立ち上げ時間を短縮することができる。   According to this, before the display device starts display, ionic impurities diffused during a period when the display device is not operated can be swept to the outside of the display region. Thereby, it is possible to display the display device with a display quality better than the conventional one. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or less by the cooling means, the start-up time until the display device can display can be shortened including the on-sequence period.

上記適用例に記載の表示装置においては、オフシーケンス期間に、加熱手段により液晶層の温度をTni以上とし、オフシーケンス期間の後に、冷却手段により液晶層の温度を所定の温度以下とすることが好ましい。   In the display device described in the application example, the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or higher by the heating unit during the off sequence period, and the temperature of the liquid crystal layer is set to a predetermined temperature or less by the cooling unit after the off sequence period. preferable.

これによれば、表示装置を表示させた期間に、液晶装置の部材などから生じたイオン性不純物を表示領域の外側へ掃引することができる。したがって、表示装置を稼働させなかった期間に拡散するイオン性不純物を低減することが可能となる。また、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オフシーケンス期間を含む、表示装置の立ち下げ時間を短縮することができる。   According to this, ionic impurities generated from a member of the liquid crystal device or the like can be swept to the outside of the display region during a period in which the display device is displayed. Therefore, it is possible to reduce ionic impurities that diffuse during a period when the display device is not operated. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or lower, it is possible to shorten the fall time of the display device including the off-sequence period.

上記適用例に記載の表示装置においては、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間との両方の期間に、加熱手段により液晶層の温度をTni以上とし、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間とがそれぞれ終了した後に、冷却手段により液晶層の温度を所定の温度以下とすることが好ましい。   In the display device described in the above application example, after both the on-sequence period and the off-sequence period are finished, the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or more by the heating unit in both the on-sequence period and the off-sequence period. The temperature of the liquid crystal layer is preferably set to a predetermined temperature or lower by the cooling means.

これによれば、オンシーケンス期間の表示装置の表示前にイオン性不純物の掃引を行って、従来よりも良好な表示品質で表示装置を表示させることができる。また、オフシーケンス期間にイオン性不純物の掃引を行って、表示装置を表示させた期間に、液晶装置の部材などから生じたイオン性不純物を表示領域の外側へ掃引することができる。さらには、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オンシーケンス期間を含む表示装置が表示可能となるまでの立ち上げ時間、およびオフシーケンス期間を含む表示装置の立ち下げ時間の、両方を短縮することができる。   According to this, sweeping of ionic impurities can be performed before display of the display device in the on-sequence period, and the display device can be displayed with better display quality than before. In addition, ionic impurities can be swept during the off-sequence period, and ionic impurities generated from a member of the liquid crystal device or the like can be swept to the outside of the display region during the display period of the display device. Furthermore, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or less, the rise time until the display device including the on-sequence period can be displayed, and the fall time of the display device including the off-sequence period, Both can be shortened.

上記適用例に記載の表示装置においては、第1基板の表示領域の外側に少なくとも1つの周辺電極を有し、第1交流信号が印加される期間に、第1交流信号と印加電圧が同じか、または大きな、正または負の直流信号または交流信号が周辺電極に印加されることが好ましい。   In the display device according to the application example, the first AC signal and the applied voltage are the same during a period in which the first AC signal is applied and at least one peripheral electrode is provided outside the display area of the first substrate. Or a large positive or negative DC or AC signal is preferably applied to the peripheral electrodes.

これによれば、第1交流信号および第2交流信号で掃引されたイオン性不純物を、表示領域の外側に掃引することが可能となる。そのため、表示領域におけるイオン性不純物がさらに低減されて、表示装置の表示品質をさらに向上させることができる。   According to this, ionic impurities swept by the first AC signal and the second AC signal can be swept to the outside of the display area. Therefore, ionic impurities in the display region are further reduced, and the display quality of the display device can be further improved.

[適用例]本適用例に係わる表示装置の駆動方法は、第1基板と、第1基板と対向配置された第2基板と、第1基板および第2基板の間に挟持された液晶を含む液晶層と、第1基板の表示領域に配置された第1画素電極と、第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、を有する液晶装置と、液晶層に光を照射する光源と、を備えた表示装置の駆動方法であって、液晶層を加熱して、液晶層の温度を液晶のTni以上としたときに、第1画素電極に第1交流信号を印加すると共に、第2画素電極に第1交流信号と同じ周波数で位相がずれた第2交流信号を印加し、第1交流信号および第2交流信号を印加した後に、液晶層を冷却して、液晶層の温度をTniよりも低い所定の温度以下とする。   [Application Example] A display device driving method according to this application example includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal device having a liquid crystal layer, a first pixel electrode disposed in a display region of the first substrate, a second pixel electrode adjacent to the first pixel electrode, and a light source for irradiating the liquid crystal layer with light. A driving method of a display device provided, wherein when the liquid crystal layer is heated and the temperature of the liquid crystal layer is equal to or higher than Tni of the liquid crystal, a first AC signal is applied to the first pixel electrode and the second pixel electrode After applying the second AC signal whose phase is shifted at the same frequency as the first AC signal and applying the first AC signal and the second AC signal, the liquid crystal layer is cooled, and the temperature of the liquid crystal layer is set to be higher than Tni. The temperature should be lower than the predetermined temperature.

本適用例によれば、従来と比べてイオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。詳しくは、液晶層の温度をTni以上とすることから、液晶を等方相として、イオン性不純物の移動度を大きくすることができる。特に、VA方式の液晶装置では、液晶を等方相とすることによって、イオン性不純物の横方向への移動度が大きくなると共に、配向膜に吸着したイオン性不純物を解離させやすくすることが可能となる。   According to this application example, the sweeping effect of the ionic impurities can be improved as compared with the conventional example. Specifically, since the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or higher, the mobility of ionic impurities can be increased using the liquid crystal as an isotropic phase. In particular, in the VA liquid crystal device, by making the liquid crystal isotropic, the lateral mobility of the ionic impurities can be increased and the ionic impurities adsorbed on the alignment film can be easily dissociated. It becomes.

液晶のTni以上まで加熱することにより、液晶層に含まれる液晶の種類によらず、液晶を等方相として、イオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。   By heating the liquid crystal to Tni or higher, the ionic impurity sweeping effect can be improved with the liquid crystal in an isotropic phase regardless of the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer.

液晶層中でのイオン性不純物の移動度が大きくなるため、イオン性不純物の掃引に要する時間を短縮することができる。また、Tni以上まで加熱した液晶層を、Tniよりも低い所定の温度まで冷却することで、液晶を配向させることが可能となる。そのため、オンシーケンス期間にイオン性不純物の掃引を実施しても、冷却しない場合と比べて、表示装置の立ち上げ時間(表示可能な状態とするまでの時間)を短縮することができる。   Since the mobility of ionic impurities in the liquid crystal layer increases, the time required for sweeping ionic impurities can be shortened. In addition, it is possible to align the liquid crystal by cooling the liquid crystal layer heated to Tni or higher to a predetermined temperature lower than Tni. Therefore, even when the ionic impurities are swept during the on-sequence period, the start-up time of the display device (the time until the display can be displayed) can be shortened compared to the case where the ionic impurities are not cooled.

第1交流信号および第2交流信号により、第1画素電極と第2画素電極との間に生じる電界の分布が、第1画素電極から第2画素電極の方向に向かって移動する。そのため、液晶層中のイオン性不純物を、第1画素電極から第2画素電極の方向に掃引することができる。   Due to the first AC signal and the second AC signal, the distribution of the electric field generated between the first pixel electrode and the second pixel electrode moves from the first pixel electrode toward the second pixel electrode. Therefore, ionic impurities in the liquid crystal layer can be swept from the first pixel electrode toward the second pixel electrode.

以上により、イオン性不純物に起因する表示ムラなどの表示不良の発生を抑制する、表示装置の駆動方法を提供することができる。   As described above, it is possible to provide a method for driving a display device that suppresses the occurrence of display defects such as display unevenness due to ionic impurities.

上記適用例に記載の表示装置の駆動方法においては、オンシーケンス期間に、液晶層を加熱し、第1画素電極に第1交流信号を印加すると共に、第2画素電極に第2交流信号を印加し、オンシーケンス期間が終了した後に、液晶層を冷却することが好ましい。   In the display device driving method described in the application example, the liquid crystal layer is heated and the first AC signal is applied to the first pixel electrode and the second AC signal is applied to the second pixel electrode during the on-sequence period. Then, it is preferable to cool the liquid crystal layer after the on-sequence period ends.

これによれば、表示装置の表示前にイオン性不純物の掃引を行うため、イオン性不純物が低減された状態で表示装置を表示させることができる。また、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オンシーケンス期間を含む、表示装置が表示可能となるまでの立ち上げ時間を短縮することができる。   According to this, since the ionic impurities are swept before the display of the display device, the display device can be displayed in a state where the ionic impurities are reduced. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or lower, the start-up time until the display device can display can be shortened including the on-sequence period.

上記適用例に記載の表示装置の駆動方法においては、オフシーケンス期間に、液晶層を加熱し、第1画素電極に第1交流信号を印加すると共に、第2画素電極に第2交流信号を印加し、オフシーケンス期間の後に、液晶層を冷却することが好ましい。   In the display device driving method described in the application example, the liquid crystal layer is heated and the first AC signal is applied to the first pixel electrode and the second AC signal is applied to the second pixel electrode during the off-sequence period. The liquid crystal layer is preferably cooled after the off sequence period.

これによれば、表示装置を表示させた期間に、液晶装置の部材などから生じたイオン性不純物を表示領域の外側へ掃引することができる。また、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オフシーケンス期間を含む、表示装置の立ち下げ時間を短縮することができる。   According to this, ionic impurities generated from a member of the liquid crystal device or the like can be swept to the outside of the display region during a period in which the display device is displayed. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or lower, it is possible to shorten the fall time of the display device including the off-sequence period.

上記適用例に記載の表示装置の駆動方法においては、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間との両方の期間に、液晶層を加熱し、第1画素電極に第1交流信号を印加すると共に、第2画素電極に第2交流信号を印加し、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間とがそれぞれ終了した後に、液晶層を冷却することが好ましい。   In the display device driving method described in the application example, the liquid crystal layer is heated in both the on-sequence period and the off-sequence period, the first AC signal is applied to the first pixel electrode, and the second It is preferable to cool the liquid crystal layer after applying the second AC signal to the pixel electrode and completing the on-sequence period and the off-sequence period.

これによれば、表示装置の表示前にイオン性不純物の掃引を行うため、イオン性不純物が表示領域の外側へ掃引された状態で表示装置を表示させることができる。また、表示装置を表示させた期間に、液晶装置の部材などから生じた、表示領域の外側へ掃引することができる。さらには、液晶層の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オンシーケンス期間を含む表示装置が表示可能となるまでの立ち上げ時間、およびオフシーケンス期間を含む表示装置の立ち下げ時間の、両方を短縮することができる。   According to this, since the ionic impurities are swept before the display of the display device, the display device can be displayed in a state where the ionic impurities are swept to the outside of the display region. In addition, the display device can be swept to the outside of the display area, which is generated from a member of the liquid crystal device or the like during a period in which the display device is displayed. Furthermore, since the temperature of the liquid crystal layer is cooled to a predetermined temperature or less, the rise time until the display device including the on-sequence period can be displayed, and the fall time of the display device including the off-sequence period, Both can be shortened.

実施形態1に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment. 図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line H-H ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating an electrical configuration of the liquid crystal device. 液晶装置のうちで主に画素の構造を示す模式断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view mainly illustrating a pixel structure in a liquid crystal device. 液晶装置を備えた表示装置の構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the display apparatus provided with the liquid crystal device. 表示装置における加熱手段および冷却手段の制御機能を示すブロック図。The block diagram which shows the control function of the heating means and the cooling means in a display apparatus. 画素電極に電圧を印加する方法を説明するための液晶装置の模式平面図。FIG. 3 is a schematic plan view of a liquid crystal device for explaining a method for applying a voltage to a pixel electrode. 図7に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 7. 各走査線に対応して配置された画素電極に印加される交流信号の種類を示す模式平面図。FIG. 5 is a schematic plan view showing the types of AC signals applied to pixel electrodes arranged corresponding to each scanning line. 各交流信号を示すタイミングチャート。The timing chart which shows each alternating current signal. 各交流信号を示すタイミングチャート。The timing chart which shows each alternating current signal. 各交流信号を示すタイミングチャート。The timing chart which shows each alternating current signal. 画素電極に印加される交流信号の極性を1画面ごとに示す模式平面図。The schematic plan view which shows the polarity of the alternating current signal applied to a pixel electrode for every screen. 画素電極に印加される交流信号の極性を1画面ごとに示す模式平面図。The schematic plan view which shows the polarity of the alternating current signal applied to a pixel electrode for every screen. 画素電極に印加される交流信号の極性を1画面ごとに示す模式平面図。The schematic plan view which shows the polarity of the alternating current signal applied to a pixel electrode for every screen. 液晶層の温度に対する交流信号の印加の時期を示す模式図。The schematic diagram which shows the time of the application of the alternating current signal with respect to the temperature of a liquid crystal layer. 実施形態2に係る、液晶層の温度に対する交流信号の印加の時期を示す模式図。FIG. 6 is a schematic diagram showing the timing of application of an AC signal with respect to the temperature of the liquid crystal layer according to the second embodiment. 変形例4に係る液晶装置の構成を示す模式平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to Modification Example 4. 図14に示す液晶装置のB−B’線に沿う模式断面図。FIG. 15 is a schematic cross-sectional view taken along line B-B ′ of the liquid crystal device illustrated in FIG. 14.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も、本発明に含まれる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The embodiment described below describes an example of the present invention. The present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications that are implemented without departing from the spirit of the present invention are also included in the present invention.

なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。また、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。   In the following drawings, the scale of each layer and each member is made different from the actual scale so that each layer and each member can be recognized. Further, in the following description, for example, with respect to the substrate, the description “on the substrate” means that the substrate is disposed on the substrate, the substrate is disposed on another structure, Or it shall represent either the case where a part is arrange | positioned on a board | substrate and a part is arrange | positioned through another structure.

(実施形態1)
本実施形態では、液晶装置として、画素ごとに薄膜トランジスター(Thin Film Transistor:以降、「TFT」と略す。)を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する表示装置としての投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。
(Embodiment 1)
In the present embodiment, an active drive type liquid crystal device including a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) for each pixel will be described as an example of the liquid crystal device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector) as a display device described later.

<液晶装置の構成>
まず、本実施形態の表示装置に用いられる液晶装置の構成について、図1から図3を参照して説明する。図1は、実施形態1に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
<Configuration of liquid crystal device>
First, the configuration of the liquid crystal device used in the display device of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view illustrating the configuration of the liquid crystal device according to the first embodiment. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device.

図1および図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、第1基板としての素子基板10と、素子基板10と対向配置された第2基板としての対向基板20と、素子基板10および対向基板20の間に挟持された液晶を含む液晶層50と、を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 100 according to the present embodiment includes an element substrate 10 as a first substrate, a counter substrate 20 as a second substrate disposed opposite to the element substrate 10, and the element substrate 10. And a liquid crystal layer 50 including a liquid crystal sandwiched between the counter substrates 20.

素子基板10の基材10sには、例えば、ガラス基板、石英基板などの基板が用いられる。対向基板20の基材20sには、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。   As the base material 10s of the element substrate 10, for example, a substrate such as a glass substrate or a quartz substrate is used. As the base material 20s of the counter substrate 20, for example, a transparent substrate such as a glass substrate or a quartz substrate is used.

素子基板10は、対向基板20よりも大きい。素子基板10と対向基板20と(以降、「一対の基板」ということもある。)は、対向基板20の外縁に沿って配置されたシール材40を介して接合されている。一対の基板の隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層50が形成されている。   The element substrate 10 is larger than the counter substrate 20. The element substrate 10 and the counter substrate 20 (hereinafter, also referred to as “a pair of substrates”) are bonded together via a sealing material 40 disposed along the outer edge of the counter substrate 20. A liquid crystal layer 50 is formed by sealing liquid crystal having positive or negative dielectric anisotropy in a gap between the pair of substrates.

シール材40には、例えば、熱硬化性または電子線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示せず)が混入されている。   For the sealing material 40, for example, an adhesive such as a thermosetting or electron beam curable epoxy resin is employed. A spacer (not shown) is mixed in the sealing material 40 to keep the distance between the pair of substrates constant.

シール材40の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Pを含む表示領域Eが設けられている。シール材40と表示領域Eとの間には、表示領域Eを取り囲んで見切り部21が設けられている。見切り部21には、例えば、遮光性の金属または金属酸化物などが用いられる。   Inside the sealing material 40, a display area E including a plurality of pixels P arranged in a matrix is provided. A parting part 21 is provided between the sealing material 40 and the display area E so as to surround the display area E. For the parting portion 21, for example, a light-shielding metal or metal oxide is used.

表示領域Eの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域(図示せず)が設けられている。なお、図1および図2では図示を省略したが、表示領域Eにおいて、複数の画素Pをそれぞれ平面的に区分する遮光部(ブラックマトリックス:BM)が対向基板20に設けられている。   Around the display region E, a dummy pixel region (not shown) that does not contribute to display is provided. Although not shown in FIGS. 1 and 2, in the display area E, a light shielding portion (black matrix: BM) that divides each of the plurality of pixels P in a plane is provided on the counter substrate 20.

素子基板10には、複数の外部接続端子104が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第1辺部とシール材40との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、第1辺部に対向する第2辺部に沿ったシール材40と表示領域Eとの間に検査回路103が設けられている。   The element substrate 10 is provided with a terminal portion in which a plurality of external connection terminals 104 are arranged. A data line driving circuit 101 is provided between the first side portion along the terminal portion and the sealing material 40. In addition, an inspection circuit 103 is provided between the sealing material 40 and the display area E along the second side facing the first side.

第1辺部と直交し、互いに対向する第3辺部および第4辺部に沿ったシール材40と表示領域Eとの間には、走査線駆動回路102が設けられている。また、第2辺部のシール材40と検査回路103との間には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。   A scanning line driving circuit 102 is provided between the seal material 40 and the display region E along the third side and the fourth side that are orthogonal to the first side and face each other. A plurality of wirings 105 that connect the two scanning line driving circuits 102 are provided between the sealing material 40 on the second side and the inspection circuit 103.

これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、第1辺部に沿って配列した複数の外部接続端子104に接続されている。以降、第1辺部に沿った方向をX方向とし、第1辺部と直交し、互いに対向する第3辺部および第4辺部に沿った方向をY方向とする。なお、検査回路103の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路101に沿ったシール材40と表示領域Eとの間に設けてもよい。   Wirings connected to the data line driving circuit 101 and the scanning line driving circuit 102 are connected to a plurality of external connection terminals 104 arranged along the first side. Hereinafter, the direction along the first side is defined as the X direction, and the direction along the third side and the fourth side that are orthogonal to the first side and face each other is defined as the Y direction. Note that the arrangement of the inspection circuit 103 is not limited to this, and the inspection circuit 103 may be provided between the seal material 40 and the display region E along the data line driving circuit 101.

図2に示すように、基材10sの液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極15およびスイッチング素子であるTFT30と、信号配線と、これらを覆う配向膜18とが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the base material 10s on the liquid crystal layer 50 side, a light-transmitting pixel electrode 15 provided for each pixel P, a TFT 30 serving as a switching element, a signal wiring, and an orientation covering these A film 18 is formed.

また、TFT30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板10は、基材10sと、基材10s上に形成された画素電極15、TFT30、信号配線、配向膜18を含むものである。   In addition, a light shielding structure is employed that prevents light from entering the semiconductor layer in the TFT 30 to make the switching operation unstable. The element substrate 10 includes a base material 10s, a pixel electrode 15, a TFT 30, a signal wiring, and an alignment film 18 formed on the base material 10s.

基材20sの液晶層50側の表面には、見切り部21と、これを覆うように成膜された絶縁層22と、絶縁層22を覆うように設けられた対向電極23と、対向電極23を覆う配向膜24とが設けられている。本実施形態における対向基板20は、少なくとも見切り部21、対向電極23、配向膜24を含むものである。   On the surface of the base material 20 s on the liquid crystal layer 50 side, the parting portion 21, the insulating layer 22 formed so as to cover it, the counter electrode 23 provided so as to cover the insulating layer 22, and the counter electrode 23 And an alignment film 24 is provided. The counter substrate 20 in this embodiment includes at least a parting part 21, a counter electrode 23, and an alignment film 24.

見切り部21は、図1に示すように、表示領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Eに入射しないように遮蔽して、表示領域Eの表示における高いコントラストを確保している。   As shown in FIG. 1, the parting part 21 surrounds the display area E and is provided at a position overlapping the scanning line driving circuit 102 and the inspection circuit 103 in plan view. Thus, the light incident on these circuits from the counter substrate 20 side is shielded to prevent the circuit from malfunctioning due to the light. Further, unnecessary stray light is shielded from entering the display area E, and high contrast in the display of the display area E is ensured.

絶縁層22は、例えば、光透過性を有する酸化シリコンなどの無機材料からなり、見切り部21を覆うように設けられている。このような絶縁層22の形成方法としては、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。   The insulating layer 22 is made of, for example, an inorganic material such as silicon oxide having optical transparency, and is provided so as to cover the parting portion 21. Examples of the method for forming the insulating layer 22 include a method of forming a film using a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

対向電極23は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、絶縁層22を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の隅に設けられた上下導通部106に電気的に接続されている。上下導通部106は、素子基板10側の配線に電気的に接続されている。   The counter electrode 23 is made of a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide), for example, covers the insulating layer 22 and is electrically connected to the vertical conduction portion 106 provided at the corner of the counter substrate 20 as shown in FIG. It is connected. The vertical conduction part 106 is electrically connected to the wiring on the element substrate 10 side.

画素電極15を覆う配向膜18、および対向電極23を覆う配向膜24は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。配向膜18,24としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜し、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。   The alignment film 18 that covers the pixel electrode 15 and the alignment film 24 that covers the counter electrode 23 are selected based on the optical design of the liquid crystal device 100. As the alignment films 18 and 24, an inorganic alignment film formed by depositing an inorganic material such as SiOx (silicon oxide) using a vapor phase growth method and approximately vertically aligning with liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy. Is mentioned.

このような液晶装置100は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が、電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が、電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板10と対向基板20とを含む液晶パネル110において、光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されている。   Such a liquid crystal device 100 is, for example, a transmissive type, and a normally white mode in which the transmittance of the pixel P when no voltage is applied is larger than the transmittance when a voltage is applied, or a pixel when no voltage is applied. A normally black mode optical design is adopted in which the transmittance of P is smaller than the transmittance when a voltage is applied. In the liquid crystal panel 110 including the element substrate 10 and the counter substrate 20, polarizing elements are respectively arranged on the light incident side and the light emitting side according to the optical design.

本実施形態では、以降、配向膜18,24として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。   In the present embodiment, an example in which a normally black mode optical design is applied using the inorganic alignment film described above as the alignment films 18 and 24 and a liquid crystal having negative dielectric anisotropy will be described.

図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも表示領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、データ線6aに沿って平行に配置された容量線3bとを有している。走査線3aが延在する方向はX方向であり、データ線6aが延在する方向はY方向である。   As shown in FIG. 3, the liquid crystal device 100 is arranged in parallel along the data lines 6 a with a plurality of scanning lines 3 a and a plurality of data lines 6 a as signal wirings insulated and orthogonal to each other at least in the display region E. Capacitance line 3b. The direction in which the scanning line 3a extends is the X direction, and the direction in which the data line 6a extends is the Y direction.

走査線3a、データ線6a、および容量線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、容量素子16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。   A pixel electrode 15, a TFT 30, and a capacitor element 16 are provided in a region divided by the scanning line 3 a, the data line 6 a, the capacitor line 3 b, and these signal lines, and these constitute the pixel circuit of the pixel P. It is composed.

走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のデータ線側ソースドレイン領域(一方のソースドレイン領域)に電気的に接続されている。画素電極15は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域(他方のソースドレイン領域)に電気的に接続されている。   The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the data line 6a is electrically connected to the data line side source / drain region (one source / drain region) of the TFT 30. The pixel electrode 15 is electrically connected to the pixel electrode side source / drain region (the other source / drain region) of the TFT 30.

データ線6aは、データ線駆動回路101(図1参照)に電気的に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路102(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。   The data line 6a is electrically connected to the data line driving circuit 101 (see FIG. 1), and supplies image signals D1, D2,..., Dn supplied from the data line driving circuit 101 to the pixels P. The scanning line 3a is connected to the scanning line driving circuit 102 (see FIG. 1), and supplies the scanning signals SC1, SC2,..., SCm supplied from the scanning line driving circuit 102 to each pixel P.

データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1から画像信号Dnは、この順番に線順次にて供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1から走査信号SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次にて供給する。   The image signal D1 to the image signal Dn supplied from the data line driving circuit 101 to the data line 6a may be supplied line-sequentially in this order, and for each of a plurality of adjacent data lines 6a for each group. You may supply. The scanning line driving circuit 102 supplies the scanning signal SCm from the scanning signal SC1 to the scanning line 3a in a pulse-sequential manner at a predetermined timing.

液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1から走査信号SCmの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1から画像信号Dnが、所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1から画像信号Dnは、画素電極15と、液晶層50を介して対向配置された対向電極23との間で一定期間保持される。   In the liquid crystal device 100, the TFT 30 as a switching element is turned on for a certain period by the input of the scanning signal SCm from the scanning signal SC1, so that the image signal Dn from the image signal D1 supplied from the data line 6a is predetermined. The pixel electrode 15 is written at this timing. A predetermined level of the image signal D1 to the image signal Dn written to the liquid crystal layer 50 through the pixel electrode 15 is constant between the pixel electrode 15 and the counter electrode 23 arranged to face the liquid crystal layer 50. Hold for a period.

保持された画像信号D1から画像信号Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と対向電極23との間に形成される液晶容量と並列に、容量素子16が接続されている。容量素子16は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域と容量線3bとの間に設けられている。容量素子16は、2つの容量電極の間に誘電体層を有している。   In order to prevent the image signal Dn from leaking from the held image signal D1, the capacitive element 16 is connected in parallel with the liquid crystal capacitance formed between the pixel electrode 15 and the counter electrode 23. The capacitive element 16 is provided between the pixel electrode side source / drain region of the TFT 30 and the capacitive line 3b. The capacitive element 16 has a dielectric layer between two capacitive electrodes.

<液晶装置を構成する画素の構成>
次に、液晶装置100を構成する画素の構造について、図4を参照して説明する。図4は、液晶装置のうちで主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
<Configuration of pixels constituting liquid crystal device>
Next, the structure of the pixels constituting the liquid crystal device 100 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view mainly showing a pixel structure in the liquid crystal device. FIG. 4 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is expressed on a scale that can be clearly shown.

図4に示すように、素子基板10の基材10s上には、走査線3aが形成されている。走査線3aの形成材料としては、遮光性を有し、例えば、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)などの金属のうちの1つ以上を含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものが挙げられる。   As shown in FIG. 4, the scanning line 3 a is formed on the base material 10 s of the element substrate 10. As a forming material of the scanning line 3a, it has a light shielding property, for example, a metal such as Al (aluminum), Ti (titanium), Cr (chromium), W (tungsten), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum). Examples thereof include simple metals, alloys, metal silicides, polysilicides, nitrides, or a laminate of these, including one or more of them.

走査線3aを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第1絶縁膜(下地絶縁膜)11aが形成され、第1絶縁膜11a上に島状に半導体層30aが形成されている。半導体層30aは、例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、データ線側ソースドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、画素電極側ソースドレイン領域を有するLDD(Lightly Doped Drain)構造が形成されている。   A first insulating film (base insulating film) 11a made of, for example, silicon oxide is formed so as to cover the scanning line 3a, and a semiconductor layer 30a is formed in an island shape on the first insulating film 11a. The semiconductor layer 30a is made of, for example, a polycrystalline silicon film, and is doped with impurity ions to have a data line side source / drain region, a junction region, a channel region, a junction region, and a pixel electrode side source / drain region. A structure is formed.

半導体層30aを覆うように、第2絶縁膜(ゲート絶縁膜)11bが形成されている。さらに、第2絶縁膜11bを挟んでチャネル領域の、半導体層30aと対向する位置に、ゲート電極30gが形成されている。   A second insulating film (gate insulating film) 11b is formed so as to cover the semiconductor layer 30a. Further, a gate electrode 30g is formed at a position facing the semiconductor layer 30a in the channel region with the second insulating film 11b interposed therebetween.

ゲート電極30gと第2絶縁膜11bとを覆うように第3絶縁膜11cが形成されている。半導体層30aのそれぞれの端部と重なる位置に、第2絶縁膜11b、第3絶縁膜11cを貫通する2つのコンタクトホールCNT1,CNT2が形成されている。   A third insulating film 11c is formed so as to cover the gate electrode 30g and the second insulating film 11b. Two contact holes CNT1 and CNT2 penetrating the second insulating film 11b and the third insulating film 11c are formed at positions overlapping the respective end portions of the semiconductor layer 30a.

そして、2つのコンタクトホールCNT1,CNT2を埋めると共に第3絶縁膜11cを覆うように、コンタクトホールCNT1を介して、データ線側ソースドレイン領域に繋がるソース電極31およびデータ線6aが形成されている。ソース電極31およびデータ線6aは、Al(アルミニウム)やその合金などの遮光性の導電材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることによって形成される。また、コンタクトホールCNT2を介して画素電極側ソースドレイン領域に繋がるドレイン電極32(第1中継電極6b)が形成されている。   A source electrode 31 and a data line 6a connected to the data line side source / drain region are formed through the contact hole CNT1 so as to fill the two contact holes CNT1 and CNT2 and cover the third insulating film 11c. The source electrode 31 and the data line 6a are formed by forming a conductive film using a light-shielding conductive material such as Al (aluminum) or an alloy thereof and patterning the conductive film. Further, a drain electrode 32 (first relay electrode 6b) connected to the pixel electrode side source / drain region via the contact hole CNT2 is formed.

データ線6aおよび第1中継電極6bと第3絶縁膜11cとを覆って、第1層間絶縁膜12が形成されている。第1層間絶縁膜12は、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなる。第1層間絶縁膜12には、TFT30が設けられた領域を覆うことによって生じた表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施されている。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理(Chemical Mechanical Polishing:CMP処理)やスピンコート処理などが挙げられる。   A first interlayer insulating film 12 is formed to cover the data line 6a, the first relay electrode 6b, and the third insulating film 11c. The first interlayer insulating film 12 is made of, for example, silicon oxide or nitride. The first interlayer insulating film 12 is subjected to a flattening process for flattening the surface irregularities generated by covering the region where the TFT 30 is provided. Examples of the planarization method include chemical mechanical polishing (CMP) and spin coating.

第1中継電極6bと重なる位置に、第1層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホールCNT3が形成されている。コンタクトホールCNT3を被覆すると共に、第1層間絶縁膜12を覆うように、配線7aと、コンタクトホールCNT3を介して第1中継電極6bに電気的に接続される第2中継電極7bとが形成されている。配線7aおよび第2中継電極7bは、例えば、Al(アルミニウム)やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜を成膜した後、これをパターニングすることにより形成される。   A contact hole CNT3 penetrating the first interlayer insulating film 12 is formed at a position overlapping the first relay electrode 6b. A wiring 7a and a second relay electrode 7b electrically connected to the first relay electrode 6b through the contact hole CNT3 are formed so as to cover the contact hole CNT3 and cover the first interlayer insulating film 12. ing. The wiring 7a and the second relay electrode 7b are formed, for example, by forming a conductive film made of a light-shielding metal such as Al (aluminum) or an alloy thereof and then patterning the conductive film.

配線7aは、平面的にTFT30の半導体層30aやデータ線6aと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能する。   The wiring 7a is formed so as to overlap the semiconductor layer 30a and the data line 6a of the TFT 30 in a plan view, and functions as a shield layer when given a fixed potential.

配線7aと第2中継電極7bとを覆うように、第2層間絶縁膜13aが形成されている。第2層間絶縁膜13aの形成材料としては、例えば、Si(シリコン)の酸化物や窒化物あるいは酸窒化物が挙げられる。第2層間絶縁膜13aには、CMP処理などの平坦化処理が施されている。   A second interlayer insulating film 13a is formed so as to cover the wiring 7a and the second relay electrode 7b. Examples of the material for forming the second interlayer insulating film 13a include Si (silicon) oxide, nitride, and oxynitride. The second interlayer insulating film 13a is subjected to a planarization process such as a CMP process.

第2層間絶縁膜13aの第2中継電極7bと重なる位置に、コンタクトホールCNT4が形成されている。コンタクトホールCNT4を被覆すると共に第2層間絶縁膜13aを覆うように、第1容量電極16aと第3中継電極16dとが形成されている。第1容量電極16aおよび第3中継電極16dは、例えば、Al(アルミニウム)やその合金などの遮光性の金属からなる導電膜を成膜した後、これをパターニングすることにより形成される。   A contact hole CNT4 is formed at a position overlapping the second relay electrode 7b of the second interlayer insulating film 13a. A first capacitor electrode 16a and a third relay electrode 16d are formed so as to cover the contact hole CNT4 and cover the second interlayer insulating film 13a. The first capacitor electrode 16a and the third relay electrode 16d are formed, for example, by forming a conductive film made of a light-shielding metal such as Al (aluminum) or an alloy thereof and then patterning the conductive film.

第1容量電極16aのうち、後に形成される誘電体層16bを介して第2容量電極16cと対向する部分の外縁を覆うように、絶縁膜13bがパターニング形成されている。また、第3中継電極16dのうちコンタクトホールCNT5と重なる部分を除いた外縁を覆うように、絶縁膜13bがパターニング形成されている。   The insulating film 13b is patterned to cover the outer edge of the portion of the first capacitor electrode 16a that faces the second capacitor electrode 16c with the dielectric layer 16b formed later. Further, the insulating film 13b is patterned so as to cover the outer edge of the third relay electrode 16d excluding the portion overlapping the contact hole CNT5.

絶縁膜13bと第1容量電極16aとを覆って誘電体層16bが成膜されている。誘電体層16bの形成材料としては、Si(シリコン)窒化膜、酸化ハフニウム(HfO2)、アルミナ(Al23)、酸化タンタル(Ta25)などの単層膜、あるいはこれらの単層膜のうち2種以上の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第3中継電極16dと重なる部分の誘電体層16bは、エッチングなどによって除かれている。 A dielectric layer 16b is formed to cover the insulating film 13b and the first capacitor electrode 16a. As a material for forming the dielectric layer 16b, a single layer film such as Si (silicon) nitride film, hafnium oxide (HfO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), or a single layer thereof. You may use the multilayer film which laminated | stacked 2 or more types of single layer films among the layer films. A portion of the dielectric layer 16b that overlaps the third relay electrode 16d in plan view is removed by etching or the like.

誘電体層16bを覆うように、第1容量電極16aに対向配置され、第3中継電極16dに繋がる第2容量電極16cが形成されている。第2容量電極16cは、例えば、TiN(窒化チタン)などの導電膜を成膜した後に、これをパターニングして形成される。誘電体層16bと、誘電体層16bを挟んで対向配置された第1容量電極16aと、第2容量電極16cとにより容量素子16が構成される。   A second capacitor electrode 16c that is disposed to face the first capacitor electrode 16a and is connected to the third relay electrode 16d is formed so as to cover the dielectric layer 16b. The second capacitor electrode 16c is formed by, for example, forming a conductive film such as TiN (titanium nitride) and then patterning it. The capacitive element 16 is configured by the dielectric layer 16b, the first capacitive electrode 16a and the second capacitive electrode 16c which are arranged to face each other with the dielectric layer 16b interposed therebetween.

次に、第2容量電極16cと誘電体層16bとを覆う第3層間絶縁膜14が形成されている。第3層間絶縁膜14は、例えば、Si(シリコン)の酸化物や窒化物からなり、CMP処理などの平坦化処理が施されている。さらに、第2容量電極16cが第3中継電極16dと接するように、第3層間絶縁膜14を貫通するコンタクトホールCNT5が形成されている。   Next, a third interlayer insulating film 14 that covers the second capacitor electrode 16c and the dielectric layer 16b is formed. The third interlayer insulating film 14 is made of, for example, Si (silicon) oxide or nitride, and is subjected to planarization processing such as CMP processing. Further, a contact hole CNT5 that penetrates the third interlayer insulating film 14 is formed so that the second capacitor electrode 16c is in contact with the third relay electrode 16d.

コンタクトホールCNT5を被覆し、第3層間絶縁膜14を覆うように、TOなどの透明導電膜(電極膜)が成膜されている。該透明導電膜(電極膜)をパターニングすることによって、画素電極15が形成される。これにより、画素電極15は、コンタクトホールCNT5を介して、第2容量電極16cおよび第3中継電極16dと電気的に接続される。   A transparent conductive film (electrode film) such as TO is formed so as to cover the contact hole CNT5 and cover the third interlayer insulating film 14. The pixel electrode 15 is formed by patterning the transparent conductive film (electrode film). Thereby, the pixel electrode 15 is electrically connected to the second capacitor electrode 16c and the third relay electrode 16d through the contact hole CNT5.

第2容量電極16cは、第3中継電極16d、コンタクトホールCNT4、第2中継電極7b、コンタクトホールCNT3、第1中継電極6bを介してTFT30のドレイン電極32と電気的に接続されると共に、コンタクトホールCNT5を介して画素電極15と電気的に接続されている。   The second capacitor electrode 16c is electrically connected to the drain electrode 32 of the TFT 30 through the third relay electrode 16d, the contact hole CNT4, the second relay electrode 7b, the contact hole CNT3, and the first relay electrode 6b, and is in contact with the second relay electrode 16c. The pixel electrode 15 is electrically connected via the hole CNT5.

第1容量電極16aは、複数の画素Pに跨るように形成され、等価回路(図3参照)における容量線3bとして機能する。第1容量電極16aには固定電位が与えられる。そのため、TFT30のドレイン電極32を介して画素電極15に与えられた電位を、第1容量電極16aと第2容量電極16cとの間において保持することができる。   The first capacitor electrode 16a is formed so as to straddle a plurality of pixels P, and functions as the capacitor line 3b in the equivalent circuit (see FIG. 3). A fixed potential is applied to the first capacitor electrode 16a. Therefore, the potential applied to the pixel electrode 15 through the drain electrode 32 of the TFT 30 can be held between the first capacitor electrode 16a and the second capacitor electrode 16c.

以上に述べたように、素子基板10の基材10s上には、複数の配線が形成されているため、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第1絶縁膜11a、第2絶縁膜11b、第3絶縁膜11cを括って配線層11と呼ぶ。配線層11の代表的な配線は走査線3aである。   As described above, since a plurality of wirings are formed on the base material 10 s of the element substrate 10, the wiring layer is represented using the reference numerals of the insulating film and the interlayer insulating film that insulate the wirings. To do. That is, the first insulating film 11a, the second insulating film 11b, and the third insulating film 11c are collectively referred to as the wiring layer 11. A typical wiring of the wiring layer 11 is the scanning line 3a.

また、第2層間絶縁膜13a、絶縁膜13b、誘電体層16bを括って配線層13と呼び、代表的な配線は配線7aである。同じく、配線層13の代表的な配線は、第1容量電極16a(容量線3b)である。   The second interlayer insulating film 13a, the insulating film 13b, and the dielectric layer 16b are collectively referred to as a wiring layer 13, and a representative wiring is the wiring 7a. Similarly, the representative wiring of the wiring layer 13 is the first capacitor electrode 16a (capacitor line 3b).

画素電極15を覆うように配向膜18が形成され、液晶層50を介して、素子基板10に対向配置される対向基板20の対向電極23を覆うように配向膜24が形成されている。上述したように、配向膜18,24は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から、例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラム18a,24aの集合体からなる。   An alignment film 18 is formed so as to cover the pixel electrode 15, and an alignment film 24 is formed so as to cover the counter electrode 23 of the counter substrate 20 disposed to face the element substrate 10 with the liquid crystal layer 50 interposed therebetween. As described above, the alignment films 18 and 24 are inorganic alignment films, and are formed of an aggregate of columns 18a and 24a grown in a columnar shape by, for example, oblique deposition of an inorganic material such as silicon oxide from a predetermined direction.

配向膜18,24に対して負の誘電異方性を有する液晶分子LCは、配向膜面の法線方向に対してカラム18a,24aの傾斜方向に3°から5°のプレチルト角度θpを有して略垂直配向(VA;Vertical Alignment)する。画素電極15と対向電極23との間に、交流電圧(駆動信号、交流信号)を印加して液晶層50を駆動することによって、液晶分子LCは画素電極15と対向電極23との間に生ずる電界方向に傾くように挙動(振動)する。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶として、Tni(ネマティック−等方相転移温度)が110℃のネマティック液晶を用いている。   The liquid crystal molecules LC having negative dielectric anisotropy with respect to the alignment films 18 and 24 have a pretilt angle θp of 3 ° to 5 ° in the inclination direction of the columns 18a and 24a with respect to the normal direction of the alignment film surface. Then, substantially vertical alignment (VA) is performed. A liquid crystal molecule LC is generated between the pixel electrode 15 and the counter electrode 23 by driving the liquid crystal layer 50 by applying an AC voltage (drive signal, AC signal) between the pixel electrode 15 and the counter electrode 23. It behaves (vibrates) so as to tilt in the electric field direction. In the present embodiment, nematic liquid crystal having a Tni (nematic-isotropic phase transition temperature) of 110 ° C. is used as the liquid crystal having negative dielectric anisotropy.

<表示装置の構成>
次に、本実施形態の表示装置としての投射型表示装置について、図5を参照して説明する。図5は、液晶装置を備えた表示装置の構成を示す概略図である。
<Configuration of display device>
Next, a projection type display device as a display device of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of a display device including a liquid crystal device.

図5に示すように、本実施形態の投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207と、加熱手段510および冷却手段520とを備えている。   As shown in FIG. 5, the projection display apparatus 1000 according to the present embodiment includes a polarization illumination device 1100 arranged along the system optical axis L, two dichroic mirrors 1104 and 1105 as light separation elements, and three Reflective mirrors 1106, 1107, 1108, five relay lenses 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, three transmissive liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230 as light modulation means, and a cross dichroic as a light combiner A prism 1206, a projection lens 1207, a heating unit 510, and a cooling unit 520 are provided.

偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。   The polarized light illumination device 1100 is generally configured by a lamp unit 1101 as a light source composed of a white light source such as an ultra-high pressure mercury lamp or a halogen lamp, an integrator lens 1102, and a polarization conversion element 1103.

ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から出射された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。   The dichroic mirror 1104 reflects red light (R) and transmits green light (G) and blue light (B) out of the polarized light beam emitted from the polarization illumination device 1100. Another dichroic mirror 1105 reflects the green light (G) transmitted through the dichroic mirror 1104 and transmits the blue light (B).

ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。   The red light (R) reflected by the dichroic mirror 1104 is reflected by the reflection mirror 1106 and then enters the liquid crystal light valve 1210 via the relay lens 1205. Green light (G) reflected by the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1220 via the relay lens 1204. The blue light (B) transmitted through the dichroic mirror 1105 enters the liquid crystal light valve 1230 via a light guide system including three relay lenses 1201, 1202, 1203 and two reflection mirrors 1107, 1108.

液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて出射される。   The liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 are disposed to face the incident surfaces of the cross dichroic prism 1206 for each color light. The color light incident on the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230 is modulated based on video information (video signal) and is emitted toward the cross dichroic prism 1206.

このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。   In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected on the screen 1300 by the projection lens 1207 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と出射側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。   The liquid crystal light valve 1210 is the one to which the liquid crystal device 100 described above is applied. The liquid crystal device 100 is arranged with a gap between a pair of polarizing elements arranged in crossed Nicols on the incident side and the outgoing side of colored light. The same applies to the other liquid crystal light valves 1220 and 1230.

なお、液晶装置100は、投射型表示装置1000の他に、EVF(Electrical View Finder)、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などの各種電子機器に搭載されてもよい。   In addition to the projection display device 1000, the liquid crystal device 100 includes an EVF (Electrical View Finder), a mobile mini projector, a head-up display, a smartphone, a mobile phone, a mobile computer, a digital camera, a digital video camera, a display, and an in-vehicle device. It may be mounted on various electronic devices such as audio devices, exposure apparatuses, and lighting devices.

<加熱手段および冷却手段>
投射型表示装置1000は、液晶層50の温度を、液晶層50に含まれる液晶のTni以上に加熱可能な加熱手段510と、液晶層50の温度を、上記Tniよりも低い所定の温度以下に冷却可能な冷却手段520と、を備えている。
<Heating means and cooling means>
The projection display device 1000 includes a heating unit 510 capable of heating the temperature of the liquid crystal layer 50 to Tni or higher of the liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50, and the temperature of the liquid crystal layer 50 to a predetermined temperature lower than the above Tni. Cooling means 520 capable of cooling.

投射型表示装置1000における液晶装置100の加熱手段510および冷却手段520としては、特に限定されず、液晶のTniなどに応じて公知の技術が採用可能である。具体的には、加熱手段510としては、例えば、電熱線、温風機、赤外線ランプ、ペルチェ素子などが挙げられ、これらの1種以上を用いて直接的に、または媒体を介して間接的に液晶装置100を加熱する。冷却手段520としては、冷却器、冷風機、ペルチェ素子などが挙げられ、これらの1種以上を用いて直接的に、または媒体を介して間接的に液晶装置100を冷却する。また、冷却手段520としては、ランプユニット1101などを冷却するための電動ファン(図示せず)を用いてもよい。   The heating means 510 and the cooling means 520 of the liquid crystal device 100 in the projection display device 1000 are not particularly limited, and a known technique can be adopted according to the Tni of the liquid crystal. Specifically, examples of the heating unit 510 include a heating wire, a warm air machine, an infrared lamp, a Peltier element, and the like, and liquid crystal is used directly by using one or more of these or indirectly through a medium. The apparatus 100 is heated. Examples of the cooling unit 520 include a cooler, a cool air fan, and a Peltier element, and the liquid crystal device 100 is cooled directly using one or more of these or indirectly through a medium. Further, as the cooling means 520, an electric fan (not shown) for cooling the lamp unit 1101 or the like may be used.

加熱手段510または冷却手段520に用いる媒体としては、特に限定されず、水や溶剤などの液体またはゲル、熱伝導率が比較的に高い金属などの固体、アンモニアなどの気体が採用可能である。固体以外を用いる場合には、加熱手段510または冷却手段520と液晶装置100とを配管によって繋いで、媒体を循環させてもよい。   A medium used for the heating unit 510 or the cooling unit 520 is not particularly limited, and a liquid or gel such as water or a solvent, a solid such as a metal having a relatively high thermal conductivity, or a gas such as ammonia can be employed. When a material other than solid is used, the medium may be circulated by connecting the heating means 510 or the cooling means 520 and the liquid crystal device 100 with a pipe.

液晶装置100に対する、加熱手段510および冷却手段520の設置形態は、特に限定されず、上述した種類、媒体の有無などに応じて設定される。本実施形態では、加熱手段510および冷却手段520として、ペルチェ素子を用いて、媒体としてエチレングリコールを採用し、該媒体を充填したチューブ550を引き回して、液晶装置100(液晶ライトバルブ1210,1220,1230)に当接させて配置している。   The installation form of the heating unit 510 and the cooling unit 520 with respect to the liquid crystal device 100 is not particularly limited, and is set according to the type described above, the presence or absence of a medium, and the like. In the present embodiment, Peltier elements are used as the heating means 510 and the cooling means 520, ethylene glycol is adopted as a medium, and the tube 550 filled with the medium is drawn, so that the liquid crystal device 100 (liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230).

また、液晶装置100(液晶ライトバルブ1210,1220,1230)には、サーミスター(図示せず)が取り付けられ、液晶装置100(液晶層50)の温度を計測することが可能である。   Further, a thermistor (not shown) is attached to the liquid crystal device 100 (liquid crystal light valves 1210, 1220, 1230), and the temperature of the liquid crystal device 100 (liquid crystal layer 50) can be measured.

次に、加熱手段510および冷却手段520の制御機能について、図6を用いて説明する。図6は、表示装置における加熱手段および冷却手段の制御機能を示すブロック図である。   Next, control functions of the heating unit 510 and the cooling unit 520 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a block diagram illustrating control functions of the heating unit and the cooling unit in the display device.

図6に示すように、液晶装置100にはサーミスター540が設置されている。サーミスター540は液晶装置100の液晶層50の温度を計測する。この温度情報は、電気信号として電流制御回路560へ伝達される。電流制御回路560では、後述する加熱手段510および冷却手段520の稼働のタイミング、温度情報、温度調整する液晶層50の狙い温度などに応じて、DC電源(図示せず)の電流(出力)を調節して極性反転回路570に供給する。極性反転回路570は、温度情報および液晶層50の狙い温度に応じて、ペルチェ素子(加熱手段510および冷却手段520)に印加される直流電流を制御して、駆動電流の極性を反転させる。ペルチェ素子が駆動されると、加熱または冷却が行われ、媒体を介して液晶装置100に伝達されて液晶層50の温度が変わる。そして、変化した温度が再び計測されて、上述した制御のループが繰り返される。これにより、液晶層50の温度が所望の温度に調整される。   As shown in FIG. 6, the thermistor 540 is installed in the liquid crystal device 100. The thermistor 540 measures the temperature of the liquid crystal layer 50 of the liquid crystal device 100. This temperature information is transmitted to the current control circuit 560 as an electrical signal. In the current control circuit 560, the current (output) of a DC power source (not shown) is changed according to the operation timing of the heating means 510 and the cooling means 520 described later, temperature information, the target temperature of the liquid crystal layer 50 to be adjusted. Adjust and supply to the polarity inversion circuit 570. The polarity inversion circuit 570 controls the direct current applied to the Peltier elements (heating unit 510 and cooling unit 520) according to the temperature information and the target temperature of the liquid crystal layer 50, and inverts the polarity of the drive current. When the Peltier element is driven, heating or cooling is performed, and the temperature is transmitted to the liquid crystal device 100 through the medium to change the temperature of the liquid crystal layer 50. Then, the changed temperature is measured again, and the above-described control loop is repeated. Thereby, the temperature of the liquid crystal layer 50 is adjusted to a desired temperature.

ここで、液晶層50における液晶のTni以上の温度とは、用いる液晶のTniに依拠するため特に限定されないが、例えば、その温度の上限は140℃である。また、液晶層50における液晶のTniよりも低い所定の温度とは、用いる液晶のTniに依拠するため特に限定されないが、例えば、70℃である。   Here, the temperature equal to or higher than Tni of the liquid crystal in the liquid crystal layer 50 is not particularly limited because it depends on Tni of the liquid crystal to be used. For example, the upper limit of the temperature is 140 ° C. The predetermined temperature lower than the Tni of the liquid crystal in the liquid crystal layer 50 is not particularly limited because it depends on the Tni of the liquid crystal to be used, but is, for example, 70 ° C.

本実施形態では、1つのペルチェ素子を用いた加熱手段510および冷却手段520を例示したが、これに限定されない。加熱手段510と冷却手段520とは別系統であってもよく、複数のペルチェ素子を、加熱手段用と冷却手段用とに分けて用いてもよい。   In the present embodiment, the heating unit 510 and the cooling unit 520 using one Peltier element are illustrated, but the present invention is not limited to this. The heating unit 510 and the cooling unit 520 may be separate systems, and a plurality of Peltier elements may be used separately for the heating unit and the cooling unit.

なお、上述した液晶層50の加熱は、以下に述べる画素電極15への電圧(交流信号)の印加と共に実施する。   The above-described heating of the liquid crystal layer 50 is performed together with the application of a voltage (AC signal) to the pixel electrode 15 described below.

<画素電極への電圧印加>
次に、イオン性不純物を掃引するための、画素電極15に電圧を印加する方法について、図7および図8を参照して説明する。図7は、画素電極に電圧を印加する方法を説明するための液晶装置の模式平面図である。図8は、図7に示す液晶装置のA−A’線に沿う模式断面図である。
<Voltage application to pixel electrode>
Next, a method of applying a voltage to the pixel electrode 15 for sweeping ionic impurities will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a schematic plan view of a liquid crystal device for explaining a method of applying a voltage to the pixel electrode. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of the liquid crystal device shown in FIG.

図7に示すように、液晶装置100は、表示に寄与する画素Pが配置された表示領域Eと、表示領域Eを囲むように配置された見切り部21と、を有している。見切り部21の周囲には、額縁状にシール材40が配置されている。表示領域Eには、複数の画素電極15がマトリックス状に配置されている。   As shown in FIG. 7, the liquid crystal device 100 includes a display area E in which pixels P that contribute to display are arranged, and a parting portion 21 that is arranged so as to surround the display area E. A sealing material 40 is arranged around the parting portion 21 in a frame shape. In the display area E, a plurality of pixel electrodes 15 are arranged in a matrix.

液晶装置100の素子基板10には、例えば、表示領域Eにおける長辺(X方向)に沿って、走査線駆動回路102(図1参照)に電気的に接続された複数の走査線3aが延在して形成されている。上述したように、各走査線3aには、走査線3aの延在方向に沿って配列された複数の画素電極15(15a,15b,15c)が電気的に接続されている。すなわち、液晶装置100は、表示領域Eに配置された第1画素電極としての画素電極15aと、画素電極15aと隣り合う第2画素電極としての画素電極15bと、画素電極15bと隣り合う第3画素電極としての画素電極15cとを、有している。すなわち、Y方向において、画素電極15aと画素電極15bとが隣り合い、また画素電極15bと画素電極15cとが隣り合っている。これらの複数の画素電極15には、データ線駆動回路101から、交流信号が供給される。   On the element substrate 10 of the liquid crystal device 100, for example, a plurality of scanning lines 3a electrically connected to the scanning line driving circuit 102 (see FIG. 1) extend along the long side (X direction) in the display region E. Is formed. As described above, the plurality of pixel electrodes 15 (15a, 15b, 15c) arranged along the extending direction of the scanning line 3a are electrically connected to each scanning line 3a. That is, the liquid crystal device 100 includes a pixel electrode 15a as a first pixel electrode disposed in the display area E, a pixel electrode 15b as a second pixel electrode adjacent to the pixel electrode 15a, and a third electrode adjacent to the pixel electrode 15b. And a pixel electrode 15c as a pixel electrode. That is, in the Y direction, the pixel electrode 15a and the pixel electrode 15b are adjacent to each other, and the pixel electrode 15b and the pixel electrode 15c are adjacent to each other. An AC signal is supplied from the data line driving circuit 101 to the plurality of pixel electrodes 15.

ここで、第1走査線3a1に対して配列された複数の画素電極15aを囲む領域を、第1画素電極領域15a1とする。また、第2走査線3a2に対して配列された複数の画素電極15bを囲む領域を、第2画素電極領域15b2とする。また、第3走査線3a3に対して配列された複数の画素電極15cを囲む領域を、第3画素電極領域15c3とする。   Here, a region surrounding the plurality of pixel electrodes 15a arranged with respect to the first scanning line 3a1 is referred to as a first pixel electrode region 15a1. A region surrounding the plurality of pixel electrodes 15b arranged with respect to the second scanning line 3a2 is referred to as a second pixel electrode region 15b2. A region surrounding the plurality of pixel electrodes 15c arranged with respect to the third scanning line 3a3 is referred to as a third pixel electrode region 15c3.

図8に示すように、液晶装置100の素子基板10は、基材10s上に複数の配線層を有している。第3層間絶縁膜14の上には、複数の画素電極15が設けられている。各画素電極15は、下層の層間絶縁膜および配線層に設けられた中継電極などを介して、走査線3aに電気的に接続されている。   As shown in FIG. 8, the element substrate 10 of the liquid crystal device 100 has a plurality of wiring layers on a base material 10s. A plurality of pixel electrodes 15 are provided on the third interlayer insulating film 14. Each pixel electrode 15 is electrically connected to the scanning line 3a via a lower interlayer insulating film and a relay electrode provided in the wiring layer.

画素電極15の幅は、例えば、7.5μmである。隣り合う画素電極15と画素電極15との間の隙間は、例えば、0.5μmである。   The width of the pixel electrode 15 is 7.5 μm, for example. The gap between the adjacent pixel electrode 15 and the pixel electrode 15 is, for example, 0.5 μm.

表示領域Eに滞留するイオン性不純物60を、表示領域Eから表示領域Eの外側に掃引する際には、画素電極15(15a,15b,15c)には、隣り合う画素電極15間に生ずる電界(電気力線)の方向が、表示領域Eの中央から表示領域Eの外側(シール材40側)の方向に移動するように交流信号が与えられる。   When the ionic impurities 60 staying in the display area E are swept from the display area E to the outside of the display area E, an electric field generated between the adjacent pixel electrodes 15 is generated in the pixel electrodes 15 (15a, 15b, 15c). An AC signal is applied so that the direction of the electric lines of force moves from the center of the display area E toward the outside of the display area E (on the sealing material 40 side).

交流信号は、対向電極23に与えられる共通電位(LCCOM)を基準電位として、高電位と低電位とに遷移する信号である。正極性(+)または負極性(−)のイオン性不純物60は、上記電界方向の画素電極15(例えば、画素電極15a)から画素電極15(例えば、画素電極15b)への移動に伴って表示領域Eの外側に掃き寄せられる。   The AC signal is a signal that transitions between a high potential and a low potential using the common potential (LCCOM) applied to the counter electrode 23 as a reference potential. The positive (+) or negative (−) ionic impurities 60 are displayed as the electric field direction moves from the pixel electrode 15 (for example, the pixel electrode 15a) to the pixel electrode 15 (for example, the pixel electrode 15b). Sweeped outside area E.

<液晶装置の駆動方法>
次に、交流信号の印加に係る液晶装置の駆動方法について、図9から図11Cを参照して説明する。図9は、各走査線に対応して配置された画素電極に印加される交流信号の種類を示す模式平面図である。図10A,10B,10Cは、各交流信号を示すタイミングチャートである。図11A,11B,11Cは、画素電極に印加される交流信号の極性を1画面ごとに示す模式平面図である。
<Driving method of liquid crystal device>
Next, a method for driving a liquid crystal device according to application of an AC signal will be described with reference to FIGS. 9 to 11C. FIG. 9 is a schematic plan view showing the types of AC signals applied to the pixel electrodes arranged corresponding to the respective scanning lines. 10A, 10B, and 10C are timing charts showing each AC signal. 11A, 11B, and 11C are schematic plan views showing the polarity of the AC signal applied to the pixel electrode for each screen.

上述したように、1本の走査線3aに電気的に接続された複数の画素電極15の領域を画素電極領域とする。表示領域Eの中央の画素電極領域を、第1画素電極領域15a1とする。表示領域Eには、中央の第1画素電極領域15a1を中心としてシール材40の長辺に向かって、第2画素電極領域15b2、第3画素電極領域15c3の順に繰り返し配置されている。   As described above, a region of the plurality of pixel electrodes 15 electrically connected to one scanning line 3a is defined as a pixel electrode region. A pixel electrode region at the center of the display region E is defined as a first pixel electrode region 15a1. In the display region E, the second pixel electrode region 15b2 and the third pixel electrode region 15c3 are repeatedly arranged in this order toward the long side of the sealing material 40 with the center first pixel electrode region 15a1 as the center.

例えば、表示領域Eの中央の第1画素電極領域15a1の一方の方向(例えば、図9における下方)には、第2画素電極領域15b2、第3画素電極領域15c3、引き続き第1画素電極領域15a1の順に配置されている。   For example, in one direction of the first pixel electrode region 15a1 at the center of the display region E (for example, downward in FIG. 9), the second pixel electrode region 15b2, the third pixel electrode region 15c3, and then the first pixel electrode region 15a1. Are arranged in the order.

中央の第1画素電極領域15a1の他方の方向(例えば、図9における上方)にも同様に、第2画素電極領域15b2、第3画素電極領域15c3、続いて第1画素電極領域15a1の順に配置されている。   Similarly, the second pixel electrode region 15b2, the third pixel electrode region 15c3, and then the first pixel electrode region 15a1 are arranged in the other direction of the center first pixel electrode region 15a1 (for example, upward in FIG. 9). Has been.

第1画素電極領域15a1には、第1交流信号としての交流信号V1が印加される。第2画素電極領域15b2には、第2交流信号としての交流信号V2が印加される。第3画素電極領域15c3には、第3交流信号としての交流信号V3が印加される。   An AC signal V1 as a first AC signal is applied to the first pixel electrode region 15a1. An AC signal V2 as a second AC signal is applied to the second pixel electrode region 15b2. An AC signal V3 as a third AC signal is applied to the third pixel electrode region 15c3.

図10A、図10B、図10Cは、交流信号V1,V2,V3のタイミングチャートを示している。各画素電極領域15a1,15b2,15c3の画素電極15a,15b,15cには、5Vの矩形波交流信号を印加する。周波数は、交流信号V1,V2,V3で同じであり、例えば、10mHzから50mHzである。50mHzの場合、交流信号の1周期の時間は、20秒である。   10A, 10B, and 10C show timing charts of the AC signals V1, V2, and V3. A rectangular wave AC signal of 5V is applied to the pixel electrodes 15a, 15b, 15c of the pixel electrode regions 15a1, 15b2, 15c3. The frequency is the same for the AC signals V1, V2, and V3, and is, for example, 10 mHz to 50 mHz. In the case of 50 mHz, the period of one cycle of the AC signal is 20 seconds.

上記周波数の前提条件としては、画素電極15と対向する位置に対向電極23が配置されている。画素電極15間には、交流信号V1,V2,V3の印加によって+5Vから−5Vの電位差が発生する。画素電極15の幅は、例えば、上記したように、平面視で7.5μmである。画素電極15間の隙間は、例えば、0.5μmである。セルギャップは、例えば、2.5μmである。   As a precondition for the frequency, the counter electrode 23 is disposed at a position facing the pixel electrode 15. A potential difference of +5 V to −5 V is generated between the pixel electrodes 15 by application of AC signals V1, V2, and V3. For example, as described above, the width of the pixel electrode 15 is 7.5 μm in plan view. The gap between the pixel electrodes 15 is, for example, 0.5 μm. The cell gap is, for example, 2.5 μm.

なお、周波数は、10mHzから50mHzであることが好ましいが、低すぎると、画素電極15と対向電極23との間で直流信号が印加されるのと同様の状態となり、液晶の分解、焼き付き、シミなど、表示不良が発生する恐れがある。上記範囲より周波数が高くなると、電界のスクロール(移動速度)にイオン性不純物60が追従できなくなり、イオン性不純物60が掃引できなくなる恐れがある。   The frequency is preferably 10 mHz to 50 mHz. However, if the frequency is too low, the state is the same as when a DC signal is applied between the pixel electrode 15 and the counter electrode 23, and the liquid crystal is decomposed, burned, and stained. Display defects may occur. If the frequency is higher than the above range, the ionic impurity 60 cannot follow the electric field scroll (moving speed), and the ionic impurity 60 may not be able to be swept.

第2画素電極領域15b2の画素電極15bには、第1画素電極領域15a1に印加した交流信号V1に対して位相が120°遅延した交流信号V2を印加する。第3画素電極領域15c3の画素電極15cには、第2画素電極領域15b2に印加した交流信号V2に対して位相が120°遅延した交流信号V3を印加する。   An AC signal V2 having a phase delayed by 120 ° with respect to the AC signal V1 applied to the first pixel electrode region 15a1 is applied to the pixel electrode 15b of the second pixel electrode region 15b2. An AC signal V3 having a phase delayed by 120 ° with respect to the AC signal V2 applied to the second pixel electrode region 15b2 is applied to the pixel electrode 15c of the third pixel electrode region 15c3.

つまり、表示領域Eの中央にある第1画素電極領域15a1から表示領域Eの外側(シール材40の長辺側)に向かって、位相が120°(1/3周期)ずつずれて遅れるように交流信号V1,V2,V3を印加する。   That is, the phase is delayed by 120 ° (1/3 period) from the first pixel electrode region 15a1 in the center of the display region E toward the outside of the display region E (the long side of the sealing material 40). AC signals V1, V2, and V3 are applied.

また、第3画素電極領域15c3より外側の第1画素電極領域15a1には、再び交流信号V1が印加される。同様に、第2画素電極領域15b2には、交流信号V2が印加される。つまり、走査線の3ライン毎に同様の交流信号が繰り返し印加される。   The AC signal V1 is applied again to the first pixel electrode region 15a1 outside the third pixel electrode region 15c3. Similarly, the AC signal V2 is applied to the second pixel electrode region 15b2. That is, the same AC signal is repeatedly applied every three scanning lines.

具体的には、t0からt3の間に、画素電極15aでは、交流信号V1により+5Vの電位差が発生する(図10A参照)。これに対して、画素電極15bでは、交流信号V2によりt0からt2の間に−5Vの電位差が発生し、t2からt3の間に+5Vの電位差が発生する(図10B参照)。また、画素電極15cでは、交流信号V3によりt0からt1の間に+5Vの電位差が発生し、t1からt3の間に−5Vの電位差が発生する(図10C参照)。 Specifically, between t 0 of t 3, the pixel electrode 15a, the AC signal V1 + potential difference 5V is generated (see FIG. 10A). In contrast, in the pixel electrode 15b, -5V potential difference is generated between t 0 of t 2 by an AC signal V2, the potential difference between the + 5V during t 3 is generated from t 2 (see FIG. 10B). Further, the pixel electrode 15c, the potential difference of + 5V between t 1 from t 0 is generated by the AC signal V3, -5V potential difference is generated between t 1 of t 3 (see FIG. 10C).

次いで、t3からt6の間に、画素電極15aでは、交流信号V1により−5Vの電位差が発生する(図10A参照)。これに対して、画素電極15bでは、交流信号V2によりt2から引き続きt3からt5の間に+5Vの電位差が発生し、t5からt6の間に−5Vの電位差が発生する(図10B参照)。また、画素電極15cでは、交流信号V3によりt1から引き続きt3からt4の間に−5Vの電位差が発生し、t4からt6の間に+5Vの電位差が発生する(図10C参照)。 Next, between t 3 and t 6 , a potential difference of −5 V is generated in the pixel electrode 15a by the AC signal V1 (see FIG. 10A). In contrast, in the pixel electrode 15b, a potential difference of + 5V during t 5 is generated continues from t 3 from t 2 by an AC signal V2, -5V potential difference is generated between the t 5 of t 6 (Fig. 10B). Further, the pixel electrode 15c, -5V potential difference is generated subsequently to between t 3 of t 4 from t 1 by an AC signal V3, a potential difference of + 5V during t 6 is generated from t 4 (see FIG. 10C) .

次いで、t6からは、画素電極15aでは、交流信号V1により−5Vの電位差が発生し(図10A参照)、画素電極15bでは、交流信号V2によりt5から引き続き−5Vの電位差が発生し(図10B参照)、画素電極15cでは、交流信号V3によりt4から引き続き+5Vの電位差が発生し(図10C参照)、以降も上記と同様に繰り返される。ここで、図10Aから図10Cにおいて、t0からt6の時間は20秒間であるが、これに限定されるものではない。 Next, from t 6 , a potential difference of −5 V is generated in the pixel electrode 15 a by the AC signal V 1 (see FIG. 10A), and in the pixel electrode 15 b, a potential difference of −5 V is continuously generated from t 5 by the AC signal V 2 ( see FIG. 10B), the pixel electrode 15c, the potential difference continues + 5V from t 4 is generated by an AC signal V3 (see FIG. 10C), also repeated in the same manner as described above or later. Here, in FIGS. 10A to 10C, the time from t 0 to t 6 is 20 seconds, but is not limited thereto.

図10Aから図10Cに示した矩形波の交流信号V1,V2,V3は、基準電位を0Vとして、高電位(+5V)と低電位(−5V)とに遷移するものである。基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではないが、正極性(+)のイオン性不純物60と負極性(−)のイオン性不純物60との両方を掃引するために、高電位をプラス電位とし、低電位をマイナス電位とすることが好ましい。これにより、プラス電位の領域に負極性(−)のイオン性不純物60を引き寄せ、マイナス電位の領域に正極性(+)のイオン性不純物60を引き寄せることができる。   The rectangular wave AC signals V1, V2, and V3 shown in FIGS. 10A to 10C transition to a high potential (+ 5V) and a low potential (−5V) with the reference potential set to 0V. The setting of the reference potential, the high potential, and the low potential is not limited to this, but in order to sweep both the positive (+) ionic impurities 60 and the negative (−) ionic impurities 60. In addition, it is preferable that the high potential is a positive potential and the low potential is a negative potential. Thus, the negative (−) ionic impurity 60 can be attracted to the positive potential region, and the positive (+) ionic impurity 60 can be attracted to the negative potential region.

したがって、印加する交流信号V1,V2,V3によって画素電極領域間の電位の極性を反転させて、正極性および負極性のイオン性不純物60を、次々に引き寄せて移動させることができる。すなわち、上述したように、表示領域EのY方向の中央から、表示領域Eの外側に向かって、位相が120°ずつずれた交流信号V1,V2,V3を印加することにより、イオン性不純物60は、第1画素電極領域15a1、第2画素電極領域15b2、第3画素電極領域15c3が繰り返し配置された表示領域Eを外側に向かって、順次掃引される。   Therefore, the polarity of the potential between the pixel electrode regions is reversed by the applied AC signals V1, V2, and V3, and the positive and negative ionic impurities 60 can be attracted and moved one after another. That is, as described above, the ionic impurities 60 are applied by applying the AC signals V1, V2, and V3 whose phases are shifted by 120 ° from the center in the Y direction of the display region E toward the outside of the display region E. Are sequentially swept outward from the display area E in which the first pixel electrode area 15a1, the second pixel electrode area 15b2, and the third pixel electrode area 15c3 are repeatedly arranged.

具体的には、例えば、負極性のイオン性不純物60が、t0で第1画素電極領域15a1に存在する場合、t3で第1画素電極領域15a1の電位がマイナス電位に遷移することにより、反発されて、第1画素電極領域15a1と隣り合う、プラス電位の第2画素電極領域15b2に引き寄せられて移動する。また、t3では、第3画素電極領域15c3はマイナス電位であるため、イオン性不純物60は、第3画素電極領域15c3には反発されて、移動しにくい。 Specifically, for example, ionic impurities 60 negative polarity, when present in the first pixel electrode region 15a1 in t 0, by the potential of the first pixel electrode region 15a1 in t 3 is shifted to a negative potential, It is repelled and moved by being attracted to the second pixel electrode region 15b2 having a positive potential adjacent to the first pixel electrode region 15a1. Further, at t 3 , since the third pixel electrode region 15c3 has a negative potential, the ionic impurity 60 is repelled by the third pixel electrode region 15c3 and hardly moves.

次に、t5で第2画素電極領域15b2の電位がマイナス電位に遷移することにより、イオン性不純物60は反発されて、第2画素電極領域15b2と隣り合う、プラス電位の第3画素電極領域15c3に引き寄せられて移動する。また、t5では、第1画素電極領域15a1はマイナス電位であるため、イオン性不純物60は、第1画素電極領域15a1へは移動しにくい。 Next, the potential of the second pixel electrode region 15b2 at t 5 is shifted to a negative potential, ionic impurities 60 are repelled, adjacent to the second pixel electrode regions 15b2, the third pixel electrode region of positive potential It is attracted to 15c3 and moves. Further, at t 5 , the first pixel electrode region 15a1 has a negative potential, and thus the ionic impurity 60 hardly moves to the first pixel electrode region 15a1.

次に、t7で第3画素電極領域15c3の電位がマイナス電位に遷移することにより、イオン性不純物60は反発されて、第3画素電極領域15c3と隣り合う、プラス電位の第1画素電極領域15a1に引き寄せられて移動する。また、t7では、第2画素電極領域15b2はマイナス電位であるため、イオン性不純物60は、第2画素電極領域15b2へは移動しにくい。以降、上記電位の遷移に応じて、イオン性不純物60は順次引き寄せられて移動する。なお、イオン性不純物60が正極性であっても、引き寄せられるタイミングは異なるものの、負極性のイオン性不純物60と同様に移動する。 Then, by the potential of the third pixel electrode region 15C3 at t 7 is shifted to a negative potential, ionic impurities 60 are repelled, adjacent to the third pixel electrode regions 15C3, the first pixel electrode region of positive potential It is attracted to 15a1 and moves. Further, at t 7 , the second pixel electrode region 15b2 has a negative potential, and thus the ionic impurity 60 hardly moves to the second pixel electrode region 15b2. Thereafter, the ionic impurities 60 are sequentially attracted and moved in accordance with the transition of the potential. Even if the ionic impurity 60 has a positive polarity, it moves in the same manner as the negative ionic impurity 60, although the drawing timing is different.

なお、印加する交流信号V1,V2,V3の電圧の時間平均の基準電位差は略0Vである。具体的には、100mV以下であることが好ましい。100mV以上ある場合は、焼き付きが発生する恐れがある。100mV以下では、焼き付きが発生しにくい。   The time-average reference potential difference of the voltages of the applied AC signals V1, V2, and V3 is approximately 0V. Specifically, it is preferably 100 mV or less. When it is 100 mV or more, there is a possibility that burn-in may occur. If it is 100 mV or less, seizure hardly occurs.

ここで、画素電極15に印加される交流信号V1,V2,V3における極性の組み合せは、(V1,V2,V3):t1(+,−,−)、t2(+,+,−)、t3(−,+,−)、t4(−,+,+)、t5(−,−,+)、t6(+,−,+)の6つとなる。これら6つの組み合せが、t7以降も順次繰り返される。 Here, combinations of polarities in the AC signals V1, V2, and V3 applied to the pixel electrode 15 are (V1, V2, V3): t 1 (+, −, −), t 2 (+, +, −). , T 3 (−, +, −), t 4 (−, +, +), t 5 (−, −, +), and t 6 (+, −, +). These six combinations are sequentially repeated after t 7 .

これにより、図11Aから図11Cに示すように、Y方向の中央から上下の長辺側(表示領域Eの外側)へ、イオン性不純物60が順次引き寄せられて移動する。詳しくは、t1(図11A)で負極性のイオン性不純物60が、Y方向の中央にある場合(左右方向は問わない)に、t3(図11C)に移行すると、イオン性不純物60は、交流信号V2が印加されている、隣り合う画素電極領域へ引き寄せられる。次に、t5(図11C)に移行すると、イオン性不純物60は、交流信号V3が印加されている、隣り合う画素電極領域へ引き寄せられる。このように、上述した6つの極性の組み合せが、順次繰り返されることによって、イオン性不純物60は、中央から遠ざかるように、上下どちらかの長辺側へ向かって掃引される。 As a result, as shown in FIGS. 11A to 11C, the ionic impurities 60 are sequentially attracted and moved from the center in the Y direction to the upper and lower long sides (outside the display region E). Specifically, when the negative ionic impurity 60 is at the center in the Y direction (regardless of the left-right direction) at t 1 (FIG. 11A), the ionic impurity 60 is changed to t 3 (FIG. 11C). , It is attracted to the adjacent pixel electrode region to which the AC signal V2 is applied. Next, when shifting to t 5 (FIG. 11C), the ionic impurity 60 is attracted to the adjacent pixel electrode region to which the AC signal V3 is applied. In this way, the combination of the six polarities described above is sequentially repeated, so that the ionic impurity 60 is swept toward either the upper or lower long side so as to move away from the center.

なお、イオン性不純物60が正極性であっても、引き寄せられるタイミングは負極性とは異なるものの、負極性の場合と同様に、中央から遠ざかるように掃引される。また、イオン性不純物60が、中央ではなく、長辺側に近付いた領域にある場合も、中央から遠ざかる方向に掃引されることに変わりはない。このようにして、イオン性不純物60が、表示領域Eの外側に向かって掃引される。   Even when the ionic impurity 60 is positive, the pulling timing is different from that of the negative polarity, but is swept away from the center as in the case of the negative polarity. Even when the ionic impurity 60 is not in the center but in a region closer to the long side, the ionic impurity 60 is still swept away from the center. In this way, the ionic impurities 60 are swept toward the outside of the display area E.

交流信号V1,V2,V3の印加は、上述した加熱手段により、液晶層50の温度を液晶のTni以上として、液晶を等方性にして実施される。そのため、イオン性不純物60の移動度が増して、イオン性不純物60の掃引効果を向上させることができる。   The application of the AC signals V1, V2, and V3 is performed by setting the temperature of the liquid crystal layer 50 to Tni or higher of the liquid crystal and making the liquid crystal isotropic by the heating means described above. Therefore, the mobility of the ionic impurity 60 is increased, and the sweep effect of the ionic impurity 60 can be improved.

また、例えば、5Vの中で振幅を変えて電位差をつくる方法に比べて、本実施形態では、位相をずらして画素電極領域間に電位差を生じさせるため、電界強度を大きくすることが可能となり、イオン性不純物60を効率的に掃引することができる。   In addition, for example, in this embodiment, since the potential difference is generated between the pixel electrode regions by shifting the phase, the electric field strength can be increased as compared with the method of creating the potential difference by changing the amplitude in 5V. The ionic impurities 60 can be efficiently swept.

<表示装置の駆動方法>
次に、液晶層50の加熱および冷却、画素電極15a,15bへの交流信号V1,V2の印加に係る投射型表示装置1000の駆動方法について、図12を参照して説明する。図12は、液晶層の温度に対する交流信号の印加の時期を示す模式図である。
<Driving method of display device>
Next, a driving method of the projection display apparatus 1000 related to heating and cooling of the liquid crystal layer 50 and application of AC signals V1 and V2 to the pixel electrodes 15a and 15b will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic diagram showing the timing of application of an AC signal with respect to the temperature of the liquid crystal layer.

本実施形態の投射型表示装置1000の駆動方法は、オンシーケンス期間に、液晶層50を加熱手段510によって加熱して、液晶層50の温度を液晶のTni以上としたときに、画素電極15aに交流信号V1を印加すると共に、画素電極15bに交流信号V1と同じ周波数で位相がずれた交流信号V2を印加する。そして、オンシーケンス期間の後に、液晶層50を冷却手段520によって冷却して、液晶層50の温度をTniよりも低い所定の温度以下とする。   In the driving method of the projection display device 1000 of the present embodiment, when the liquid crystal layer 50 is heated by the heating means 510 during the on-sequence period and the temperature of the liquid crystal layer 50 is set to Tni or higher of the liquid crystal, the pixel electrode 15a is applied. An AC signal V1 is applied, and an AC signal V2 having the same phase as the AC signal V1 is applied to the pixel electrode 15b. Then, after the on-sequence period, the liquid crystal layer 50 is cooled by the cooling means 520, and the temperature of the liquid crystal layer 50 is set to a predetermined temperature lower than Tni.

図12において、横軸は時刻を表しており、縦軸の1つ(図12における上側)はペルチェ素子に供給される駆動電流の極性および大きさを表し、縦軸のもう1つは液晶層50の温度を表している。また、図12の下方には、横軸(時刻)を区分した破線の区間と対応させて、交流信号(V1,V2など)の印加される期間と、投射型表示装置1000の稼働状態(電源OFF期間から表示期間まで)とを、矢印で示している。   In FIG. 12, the horizontal axis represents time, one of the vertical axes (upper side in FIG. 12) represents the polarity and magnitude of the drive current supplied to the Peltier element, and the other vertical axis represents the liquid crystal layer. A temperature of 50 is represented. In the lower part of FIG. 12, the period during which an AC signal (V1, V2, etc.) is applied and the operating state (power supply) of the projection display device 1000 are associated with the broken-line sections dividing the horizontal axis (time). (From the OFF period to the display period) are indicated by arrows.

図12に示すように、投射型表示装置1000が稼働状態にない、電源OFF期間には、ペルチェ素子へ駆動電流が供給されず、液晶層50の温度は、比較的に低い温度(例えば、投射型表示装置1000が置かれた環境温度)にある。   As shown in FIG. 12, during the power OFF period when the projection display device 1000 is not in an operating state, no driving current is supplied to the Peltier element, and the temperature of the liquid crystal layer 50 is relatively low (for example, projection) Environment temperature where the type display device 1000 is placed).

次に、投射型表示装置1000を稼働させるために、電源を投入してオンシーケンス期間を開始させると、ペルチェ素子にプラスの駆動電流が供給される。これにより、液晶層50への加熱が開始されて、液晶層50の温度が上昇する。なお、ペルチェ素子の駆動電流の極性は、加熱手段510および冷却手段520として用いるペルチェ素子の面によって決まるため、駆動電流の極性をマイナスとして加熱を行ってもよい。   Next, when the on-sequence period is started by turning on the power to operate the projection display apparatus 1000, a positive drive current is supplied to the Peltier element. Thereby, heating to the liquid crystal layer 50 is started, and the temperature of the liquid crystal layer 50 rises. Since the polarity of the drive current of the Peltier element is determined by the surface of the Peltier element used as the heating means 510 and the cooling means 520, heating may be performed with the polarity of the drive current being negative.

次に、液晶層50の温度がTniに到達すると、液晶層50に含まれる液晶の温度もTniとなる。液晶層50の温度がTni以上となったところで、上述した交流信号の印加が開始される。液晶が等方相となるため、垂直配向状態と比べて、イオン性不純物の横方向への移動度が大きくなる。この状態で交流信号V1,V2が印加されるため、イオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。オンシーケンス期間の長さは、特に限定されないが、例えば、10秒間から20秒間程度である。なお、ペルチェ素子の駆動電流は、液晶層50(液晶)の温度をTni以上の一定温度で保持し、過度な昇温を防ぐために、断続的に供給される。   Next, when the temperature of the liquid crystal layer 50 reaches Tni, the temperature of the liquid crystal included in the liquid crystal layer 50 also becomes Tni. When the temperature of the liquid crystal layer 50 becomes equal to or higher than Tni, application of the AC signal described above is started. Since the liquid crystal has an isotropic phase, the mobility of the ionic impurities in the lateral direction is larger than that in the vertical alignment state. Since AC signals V1 and V2 are applied in this state, the sweeping effect of ionic impurities can be improved. The length of the on-sequence period is not particularly limited, but is, for example, about 10 seconds to 20 seconds. Note that the driving current of the Peltier element is intermittently supplied in order to keep the temperature of the liquid crystal layer 50 (liquid crystal) at a constant temperature equal to or higher than Tni and prevent excessive temperature rise.

次に、オンシーケンス期間が終了すると、ペルチェ素子の駆動電流の極性が反転され、マイナスの駆動電流が供給されて、液晶層50の冷却が開始される。これにより、液晶層50の温度が下降する。この冷却は、液晶層50の温度が、液晶のTniより低い所定の温度以下、すなわち、投射型表示装置1000(液晶装置100)が表示可能な上限温度以下となるまで実施される。投射型表示装置1000が表示可能な上限温度とは、液晶層50に含まれる液晶の種類に依拠するため、特に限定されないが、例えば70℃程度である。なお、液晶層50の冷却を実施している間にも、イオン性不純物の再拡散を抑える観点から、交流信号の印加を継続することが好ましい。   Next, when the on-sequence period ends, the polarity of the drive current of the Peltier element is reversed, a negative drive current is supplied, and cooling of the liquid crystal layer 50 is started. As a result, the temperature of the liquid crystal layer 50 decreases. This cooling is performed until the temperature of the liquid crystal layer 50 is equal to or lower than a predetermined temperature lower than Tni of the liquid crystal, that is, equal to or lower than the upper limit temperature at which the projection display device 1000 (liquid crystal device 100) can display. The upper limit temperature that can be displayed by the projection display apparatus 1000 depends on the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50 and is not particularly limited, but is, for example, about 70 ° C. Note that, while the liquid crystal layer 50 is being cooled, it is preferable to continue application of an AC signal from the viewpoint of suppressing re-diffusion of ionic impurities.

次に、液晶層50の温度が、Tniより低い所定の温度以下となった時点で、冷却および交流信号の印加が終了する。以上で、投射型表示装置1000の立ち上げが完了して、表示期間が開始され、表示可能な状態になる。ここで、投射型表示装置1000の表示期間においては、光の入射によって液晶層50の温度が上昇する場合がある。そのため、ペルチェ素子と、上述した電動ファンなどの投射型表示装置1000を冷却するための機構とを併用して、液晶層50の冷却を実施してもよい。例えば、ペルチェ素子の駆動電流を、オンシーケンス期間後の冷却時よりも小さい電流値で供給し、消費電力を抑えながら液晶層50の冷却を実施してもよい。   Next, when the temperature of the liquid crystal layer 50 becomes equal to or lower than a predetermined temperature lower than Tni, the cooling and the application of the AC signal are finished. As described above, the start-up of the projection display apparatus 1000 is completed, the display period is started, and display is possible. Here, in the display period of the projection display apparatus 1000, the temperature of the liquid crystal layer 50 may rise due to the incidence of light. Therefore, the liquid crystal layer 50 may be cooled by using a Peltier element and a mechanism for cooling the projection display device 1000 such as the electric fan described above. For example, the driving current of the Peltier element may be supplied at a current value smaller than that during cooling after the on-sequence period, and the liquid crystal layer 50 may be cooled while suppressing power consumption.

なお、投射型表示装置1000に表示期間の積算カウンターを設けて、一定の積算表示期間が経過したところで、液晶層50の加熱および画素電極15への交流信号V1,V2などの印加、液晶層50の冷却を行わせてもよい。ここで、液晶層50の加熱および画素電極15への交流信号V1,V2などの印加、液晶層50の冷却の一連の操作を、以降、単に「イオン性不純物の掃引操作」ともいう。このように定期的にイオン性不純物の掃引操作を行うことにより、投射型表示装置1000の表示品質をさらに向上させてもよい。   The projection type display device 1000 is provided with an integration counter for the display period. When a certain integration display period has elapsed, the liquid crystal layer 50 is heated and the AC signals V1, V2, etc. are applied to the pixel electrodes 15, and the liquid crystal layer 50 is supplied. The cooling may be performed. Here, a series of operations of heating the liquid crystal layer 50, applying the AC signals V1, V2, and the like to the pixel electrode 15 and cooling the liquid crystal layer 50 are hereinafter simply referred to as “ionic impurity sweeping operation”. The display quality of the projection display apparatus 1000 may be further improved by periodically performing the ionic impurity sweeping operation in this manner.

以上に述べたように、本実施形態に係る投射型表示装置1000、および投射型表示装置1000の駆動方法によれば、以下の効果を得ることができる。   As described above, according to the projection display apparatus 1000 and the driving method of the projection display apparatus 1000 according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

従来と比べてイオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。詳しくは、加熱手段510によって液晶層50の温度を液晶のTni以上とすることが可能であり、液晶の異方性を変えて等方相として、イオン性不純物の移動度を大きくすることができる。特に、VA方式の液晶装置100では、液晶を等方相とすることによって、イオン性不純物の横方向への移動度が大きくなると共に、配向膜に吸着したイオン性不純物を解離させやすくすることが可能となる。   Compared with the prior art, the sweeping effect of ionic impurities can be improved. Specifically, the temperature of the liquid crystal layer 50 can be set to be equal to or higher than Tni of the liquid crystal by the heating unit 510, and the mobility of ionic impurities can be increased as an isotropic phase by changing the anisotropy of the liquid crystal. . In particular, in the VA liquid crystal device 100, by making the liquid crystal isotropic, the mobility of the ionic impurities in the lateral direction is increased and the ionic impurities adsorbed on the alignment film can be easily dissociated. It becomes possible.

液晶のTni以上まで加熱することにより、液晶層50に含まれる液晶の種類によらず、液晶が等方性となる。このとき、位相がずれた交流信号V1,V2,V3を印加することにより、画素電極15aから画素電極15cに向かう横電界が発生する。すなわち、第1画素電極領域15a1から第2画素電極領域15b2へ、さらに第2画素電極領域15b2から第3画素電極領域15c3へ、電界方向が変化していくことにより、表示領域EのY方向(上下方向)における中央側から外側(長辺側)に向かって、イオン性不純物を掃引することができる。   By heating up to Tni or more of the liquid crystal, the liquid crystal becomes isotropic regardless of the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50. At this time, a lateral electric field from the pixel electrode 15a toward the pixel electrode 15c is generated by applying the AC signals V1, V2, and V3 that are out of phase. That is, the electric field direction changes from the first pixel electrode region 15a1 to the second pixel electrode region 15b2 and from the second pixel electrode region 15b2 to the third pixel electrode region 15c3, so that the Y direction ( The ionic impurities can be swept from the center side (in the vertical direction) toward the outside (long side).

液晶層50中でのイオン性不純物の移動度が大きくなるため、イオン性不純物の掃引に要する時間を短縮することができる。また、冷却手段520により、Tni以上まで加熱した液晶層50を、Tniよりも低い所定の温度まで冷却して液晶を配向させることが可能となる。そのため、投射型表示装置1000のオンシーケンス期間にイオン性不純物の掃引を実施しても、冷却手段520がない場合と比べて、投射型表示装置1000の立ち上げ時間(表示可能な状態になるまでの時間)を短縮することができる。   Since the mobility of the ionic impurities in the liquid crystal layer 50 increases, the time required for sweeping the ionic impurities can be shortened. Further, the liquid crystal layer 50 heated to Tni or higher can be cooled to a predetermined temperature lower than Tni by the cooling means 520 to align the liquid crystal. Therefore, even if the ionic impurities are swept during the on-sequence period of the projection display apparatus 1000, the startup time of the projection display apparatus 1000 (until the display becomes possible) as compared with the case where there is no cooling means 520. Time).

投射型表示装置1000の表示開始前にイオン性不純物の掃引を行って、投射型表示装置1000を稼働させなかった期間に拡散したイオン性不純物を、表示領域Eの外側へ掃引することが可能になる。これにより、従来よりも良好な表示品質で投射型表示装置1000を表示させることができる。また、冷却手段520によって、液晶層50の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オンシーケンス期間を含む、投射型表示装置1000が表示可能となるまでの立ち上げ時間を短縮することができる。   It is possible to sweep ionic impurities before starting the display of the projection display device 1000 and sweep out the ionic impurities diffused during the period when the projection display device 1000 is not operated to the outside of the display region E. Become. Thereby, the projection display apparatus 1000 can be displayed with better display quality than before. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer 50 is cooled to a predetermined temperature or less by the cooling unit 520, the start-up time until the projection display device 1000 can display can be shortened including the on-sequence period. .

以上により、イオン性不純物に起因する表示ムラなどの表示不良の発生が抑制されるため、表示品質が向上した投射型表示装置1000、およびその駆動方法を提供することができる。   As described above, since occurrence of display defects such as display unevenness due to ionic impurities is suppressed, it is possible to provide a projection display device 1000 with improved display quality and a driving method thereof.

(実施形態2)
<表示装置の駆動方法>
実施形態2に係る投射型表示装置1000の駆動方法について、図13を参照して説明する。図13は、実施形態2に係る、液晶層の温度に対する交流信号の印加の時期を示す模式図である。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Embodiment 2)
<Driving method of display device>
A driving method of the projection display apparatus 1000 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic diagram illustrating the timing of application of an AC signal with respect to the temperature of the liquid crystal layer according to the second embodiment. In addition, about the component same as Embodiment 1, the same code | symbol is used and the overlapping description is abbreviate | omitted.

実施形態2では、実施形態1と同様な液晶装置100を適用した投射型表示装置1000において、駆動方法を実施形態1に対して、以下に述べるように変更している。   In the second embodiment, in the projection display device 1000 to which the liquid crystal device 100 similar to the first embodiment is applied, the driving method is changed from the first embodiment as described below.

本実施形態の投射型表示装置1000の駆動方法は、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間との両方の期間に、加熱手段510により液晶層50を加熱して、液晶層50の温度をTni以上とし、画素電極15aに交流信号V1を印加すると共に、画素電極15bに交流信号V2を印加し、オンシーケンス期間とオフシーケンス期間とがそれぞれ終了した後に、冷却手段520により液晶層50を冷却して、液晶層50の温度を所定の温度以下とする。   In the driving method of the projection display apparatus 1000 of this embodiment, the liquid crystal layer 50 is heated by the heating unit 510 in both the on-sequence period and the off-sequence period, and the temperature of the liquid crystal layer 50 is set to Tni or more. The AC signal V1 is applied to the pixel electrode 15a and the AC signal V2 is applied to the pixel electrode 15b. After the on-sequence period and the off-sequence period are finished, the liquid crystal layer 50 is cooled by the cooling unit 520, and the liquid crystal The temperature of the layer 50 is set to a predetermined temperature or lower.

図13に示すように、本実施形態では、実施形態1と同様にオンシーケンス期間にイオン性不純物の掃引操作を実施し、これに加えてオフシーケンス期間でもイオン性不純物の掃引操作を実施する。   As shown in FIG. 13, in this embodiment, the ionic impurity sweeping operation is performed during the on-sequence period, and in addition to this, the ionic impurity sweeping operation is also performed during the off-sequence period.

表示期間が終了した後、オフシーケンス期間が開始され、投射型表示装置1000の立ち下げ動作が始められる。このとき、ペルチェ素子にプラスの駆動電流が供給される。これにより、液晶層50への加熱が開始されて、液晶層50の温度が上昇する。なお、ペルチェ素子の駆動電流の極性は、加熱手段510および冷却手段520として用いるペルチェ素子の面によって決まるため、駆動電流の極性をマイナスとして加熱を行ってもよい。   After the display period ends, an off-sequence period is started, and the operation for lowering the projection display apparatus 1000 is started. At this time, a positive drive current is supplied to the Peltier element. Thereby, heating to the liquid crystal layer 50 is started, and the temperature of the liquid crystal layer 50 rises. Since the polarity of the drive current of the Peltier element is determined by the surface of the Peltier element used as the heating means 510 and the cooling means 520, heating may be performed with the polarity of the drive current being negative.

次に、液晶層50の温度がTniに到達すると、液晶層50に含まれる液晶の温度もTniとなる。液晶層50の温度がTni以上となったところで、交流信号V1,V2などの印加が開始される。このとき液晶が等方相となることから、垂直配向状態と比べて、イオン性不純物の横方向への移動度が大きくなる。この状態で交流信号が印加されるため、イオン性不純物の掃引効果を向上させることができる。オフシーケンス期間の長さは、特に限定されないが、例えば、10秒間から20秒間程度である。なお、ペルチェ素子の駆動電流は、液晶層50(液晶)の温度をTni以上の一定温度で保持し、過度な昇温を防ぐために、断続的に供給される。   Next, when the temperature of the liquid crystal layer 50 reaches Tni, the temperature of the liquid crystal included in the liquid crystal layer 50 also becomes Tni. When the temperature of the liquid crystal layer 50 becomes equal to or higher than Tni, application of AC signals V1, V2, etc. is started. At this time, since the liquid crystal is in an isotropic phase, the mobility of the ionic impurities in the lateral direction is larger than that in the vertical alignment state. Since an AC signal is applied in this state, the sweeping effect of ionic impurities can be improved. The length of the off sequence period is not particularly limited, and is, for example, about 10 seconds to 20 seconds. Note that the driving current of the Peltier element is intermittently supplied in order to keep the temperature of the liquid crystal layer 50 (liquid crystal) at a constant temperature equal to or higher than Tni and prevent excessive temperature rise.

次に、オフシーケンス期間が終了すると、ペルチェ素子の駆動電流の極性が反転され、マイナスの駆動電流が供給されて、液晶層50の冷却が開始される。これにより、液晶層50の温度が下降する。この冷却は、液晶層50の温度が、液晶のTniより低い所定の温度以下、すなわち、投射型表示装置1000(液晶装置100)が稼働可能な上限温度以下となるまで実施される。投射型表示装置1000が稼働可能な上限温度とは、液晶層50に含まれる液晶の種類に依拠するため、特に限定されないが、例えば70℃程度である。ここで、液晶層50の冷却を実施している間にも、イオン性不純物の再拡散を抑える観点から、交流信号の印加を継続することが好ましい。   Next, when the off sequence period ends, the polarity of the drive current of the Peltier element is reversed, a negative drive current is supplied, and cooling of the liquid crystal layer 50 is started. As a result, the temperature of the liquid crystal layer 50 decreases. This cooling is performed until the temperature of the liquid crystal layer 50 is equal to or lower than a predetermined temperature lower than Tni of the liquid crystal, that is, equal to or lower than an upper limit temperature at which the projection display device 1000 (liquid crystal device 100) can operate. The upper limit temperature at which the projection display apparatus 1000 can operate depends on the type of liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50 and is not particularly limited, but is about 70 ° C., for example. Here, while the liquid crystal layer 50 is being cooled, it is preferable to continue the application of the AC signal from the viewpoint of suppressing re-diffusion of ionic impurities.

次に、液晶層50の温度が、Tniより低い所定の温度以下となった時点で、冷却および交流信号の印加が終了する。以上で、投射型表示装置1000の立ち下げが完了して、電源OFF期間が開始される。ここで、投射型表示装置1000が置かれた環境温度が、冷却が終了した時点の液晶層50の温度より低い場合には、放冷によって液晶層50の温度は上記環境温度付近まで徐々に下降していく。このとき、待機電力などを用いて冷却手段520を稼働させ、液晶層50の温度を上記環境温度付近まで積極的に下降させてもよい。   Next, when the temperature of the liquid crystal layer 50 becomes equal to or lower than a predetermined temperature lower than Tni, the cooling and the application of the AC signal are finished. As described above, the shutdown of the projection display device 1000 is completed, and the power-off period is started. Here, when the environmental temperature in which the projection display device 1000 is placed is lower than the temperature of the liquid crystal layer 50 at the time when the cooling is finished, the temperature of the liquid crystal layer 50 is gradually lowered to near the environmental temperature by cooling. I will do it. At this time, the cooling means 520 may be operated using standby power or the like, and the temperature of the liquid crystal layer 50 may be actively lowered to the vicinity of the environmental temperature.

なお、投射型表示装置1000に表示期間の積算カウンターを設けて、一定の積算表示期間が経過したところで、イオン性不純物の掃引操作を行わせてもよい。このように定期的にイオン性不純物の掃引を行うことにより、投射型表示装置1000の表示品質をより向上させることができる。   The projection display apparatus 1000 may be provided with a display period integration counter, and the ionic impurities may be swept when a certain integration display period has elapsed. Thus, by periodically sweeping ionic impurities, the display quality of the projection display apparatus 1000 can be further improved.

以上に述べたように、本実施形態に係る投射型表示装置1000、および投射型表示装置1000の駆動方法によれば、実施形態1の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。   As described above, according to the projection display apparatus 1000 and the driving method of the projection display apparatus 1000 according to the present embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of the first embodiment.

投射型表示装置1000を表示させた期間(表示期間)に、液晶装置100の部材などから生じたイオン性不純物を、表示領域Eの外側へ掃引することができる。したがって、投射型表示装置1000を表示させた期間に拡散するイオン性不純物を低減することが可能となる。また、液晶層50の温度が所定の温度以下まで冷却されるため、オフシーケンス期間を含む、投射型表示装置1000の立ち下げ時間を短縮することができる。   During the period (display period) in which the projection display device 1000 is displayed, ionic impurities generated from the members of the liquid crystal device 100 can be swept to the outside of the display region E. Therefore, it is possible to reduce ionic impurities that diffuse during the period in which the projection display apparatus 1000 is displayed. In addition, since the temperature of the liquid crystal layer 50 is cooled to a predetermined temperature or less, the fall time of the projection display device 1000 including the off-sequence period can be shortened.

(実施形態3)
<表示装置の駆動方法>
実施形態3に係る投射型表示装置1000の駆動方法について説明する。実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Embodiment 3)
<Driving method of display device>
A driving method of the projection display apparatus 1000 according to the third embodiment will be described. About the same component as Embodiment 1, the same code | symbol is used and the overlapping description is abbreviate | omitted.

実施形態3では、実施形態1と同様な液晶装置100を適用した投射型表示装置1000において、駆動方法を実施形態1に対して、以下に述べるように変更している。   In the third embodiment, in the projection display device 1000 to which the liquid crystal device 100 similar to the first embodiment is applied, the driving method is changed from the first embodiment as described below.

本実施形態では、投射型表示装置1000に表示期間の積算カウンターを設けている。この積算カウンターを用いて、一定の積算表示期間が経過したところで、電源OFF期間に、イオン性不純物の掃引操作を行わせる。一定の積算表示期間としては、特に限定されないが、例えば、1000時間から2000時間である。また、イオン性不純物の掃引操作を行わせる閾値(一定の積算表示期間)を、液晶ライトバルブ1210,1220,1230の中で異なる値としてもよい。例えば、青色光(B)が入射される液晶ライトバルブ1230の上記閾値を、他よりも小さい値としてもよい。   In the present embodiment, the projection display apparatus 1000 is provided with a display period integration counter. Using this integration counter, when a certain integration display period has elapsed, an ionic impurity sweeping operation is performed during the power OFF period. The fixed integration display period is not particularly limited, and is, for example, 1000 hours to 2000 hours. Further, the threshold value (a constant integrated display period) for performing the sweep operation of the ionic impurities may be set to different values in the liquid crystal light valves 1210, 1220, and 1230. For example, the threshold value of the liquid crystal light valve 1230 on which blue light (B) is incident may be set to a value smaller than the others.

以上に述べたように、本実施形態に係る投射型表示装置1000、および投射型表示装置1000の駆動方法によれば、実施形態1の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。   As described above, according to the projection display apparatus 1000 and the driving method of the projection display apparatus 1000 according to the present embodiment, the following effects can be obtained in addition to the effects of the first embodiment.

定期的にイオン性不純物の掃引を行うことにより、比較的に長時間稼働させなかった場合に、拡散したイオン性不純物が低減され、投射型表示装置1000の表示品質をより向上させることができる。また、定期実施により、オフシーケンス期間またはオンシーケンス期間のイオン性不純物の掃引を簡略化することが可能となる。そのため、投射型表示装置1000の立ち上げ時間または立ち下げ時間を短縮することができる。   By periodically sweeping ionic impurities, the diffused ionic impurities are reduced when the system is not operated for a relatively long time, and the display quality of the projection display apparatus 1000 can be further improved. Further, the periodic implementation can simplify the sweeping of ionic impurities during the off-sequence period or the on-sequence period. For this reason, the startup time or the shutdown time of the projection display apparatus 1000 can be shortened.

(変形例1)
<表示装置の駆動方法>
変形例1に係る投射型表示装置1000の駆動方法について説明する。実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Modification 1)
<Driving method of display device>
A method for driving the projection display apparatus 1000 according to Modification 1 will be described. About the same component as Embodiment 1, the same code | symbol is used and the overlapping description is abbreviate | omitted.

本変形例では、実施形態2の投射型表示装置1000の駆動方法において、表示期間の前に実施するイオン性不純物の掃引操作を省略している。すなわち、オフシーケンス期間に、加熱手段510により液晶層50を加熱し、液晶層50の温度をTni以上として、画素電極15aに交流信号V1を印加すると共に、画素電極15bに交流信号V2を印加し、オフシーケンス期間の後に、冷却手段520により液晶層50を冷却し、液晶層50の温度を所定の温度以下とする。   In the present modification, in the driving method of the projection display apparatus 1000 according to the second embodiment, the ionic impurity sweeping operation performed before the display period is omitted. That is, during the off-sequence period, the liquid crystal layer 50 is heated by the heating unit 510, the temperature of the liquid crystal layer 50 is set to Tni or higher, the AC signal V1 is applied to the pixel electrode 15a, and the AC signal V2 is applied to the pixel electrode 15b. After the off sequence period, the liquid crystal layer 50 is cooled by the cooling means 520, and the temperature of the liquid crystal layer 50 is set to a predetermined temperature or lower.

このように、投射型表示装置1000の立ち下げの際にのみ、イオン性不純物の掃引操作を行うことによって、投射型表示装置1000の立ち上げ時間(オンシーケンス期間)を短縮することができる。   Thus, the start-up time (on-sequence period) of the projection display apparatus 1000 can be shortened by performing the sweep operation of the ionic impurities only when the projection display apparatus 1000 is lowered.

(変形例2)
<表示装置の構成>
変形例2に係る表示装置の構成について説明する。実施形態2と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Modification 2)
<Configuration of display device>
A configuration of the display device according to Modification 2 will be described. The same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

本変形例では、実施形態2の表示装置(投射型表示装置1000)の構成において、液晶装置100に用いた液晶層50に含まれるTniが110℃の液晶に代えて、Tniが80℃以上、100℃未満であって、負の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いている。具体的には、本変形例の液晶層50に含まれる液晶のTniは80℃である。また、加熱手段510および冷却手段520に用いる媒体として、実施形態2のエチレングリコールに代えて水を採用している。その他の構成は、実施形態2の表示装置と同様としている。   In this modification, in the configuration of the display device (projection display device 1000) of the second embodiment, Tni included in the liquid crystal layer 50 used in the liquid crystal device 100 is replaced with liquid crystal having 110 ° C., and Tni is 80 ° C. or higher. A nematic liquid crystal having a negative dielectric anisotropy that is less than 100 ° C. is used. Specifically, the Tni of the liquid crystal contained in the liquid crystal layer 50 of this modification is 80 ° C. In addition, as a medium used for the heating unit 510 and the cooling unit 520, water is employed instead of the ethylene glycol of the second embodiment. Other configurations are the same as those of the display device of the second embodiment.

これによれば、実施形態2の効果に加えて以下の効果を得ることができる。Tniが80℃であることから、イオン性不純物の掃引操作を行う温度を、実施形態2よりも低くすることが可能となる。そのため、加熱手段510を用いて該温度まで加熱する際に、加熱に要する時間やエネルギーを削減することができる。また、該温度から、Tniより低い所定の温度へ冷却する際に、冷却に要する時間やエネルギーを削減することができる。このように、加熱および冷却の期間が短縮されることから、投射型表示装置1000の立ち上げおよび立ち下げの時間を短縮することができる。さらに、媒体として水を用いるため、媒体の取り扱いが容易になる。   According to this, in addition to the effects of the second embodiment, the following effects can be obtained. Since Tni is 80 ° C., the temperature at which the ionic impurity sweep operation is performed can be made lower than that in the second embodiment. Therefore, when heating to the temperature using the heating means 510, time and energy required for heating can be reduced. In addition, when cooling from the temperature to a predetermined temperature lower than Tni, the time and energy required for cooling can be reduced. Thus, since the heating and cooling periods are shortened, the startup and shutdown time of the projection display apparatus 1000 can be shortened. Furthermore, since water is used as the medium, the medium can be handled easily.

(変形例3)
<表示装置の構成>
変形例3に係る表示装置の構成について説明する。変形例2と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Modification 3)
<Configuration of display device>
A configuration of the display device according to Modification 3 will be described. The same components as those of the modified example 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

本変形例では、実施形態1の表示装置(投射型表示装置1000)の構成を示した図5において、加熱手段510および冷却手段520を、媒体(水)が充填されたチューブ550を介して、液晶ライトバルブ1230にのみ当接させて配置している。また、この構成において、液晶ライトバルブ1230に対してのみ、イオン性不純物の掃引操作を行う。すなわち、本変形例では、液晶ライトバルブ1210,1220に対しては、加熱および冷却は行わず、且つ液晶層50におけるイオン性不純物の掃引も行わない。   In this modification, in FIG. 5 showing the configuration of the display device (projection display device 1000) of Embodiment 1, the heating means 510 and the cooling means 520 are connected via a tube 550 filled with a medium (water). The liquid crystal light valve 1230 is disposed in contact with only the liquid crystal light valve 1230. In this configuration, the ionic impurity sweeping operation is performed only on the liquid crystal light valve 1230. That is, in this modification, the liquid crystal light valves 1210 and 1220 are not heated and cooled, and the ionic impurities in the liquid crystal layer 50 are not swept.

これによれば、変形例2の効果に加えて以下の効果を得ることができる。液晶ライトバルブ1210,1220に対する加熱および冷却を実施しないため、加熱手段510および冷却手段520を変形例2よりも小型化するなど、投射型表示装置1000の構成を簡略化することができる。詳しくは、液晶ライトバルブ1230には、青色光(B)が入射する。青色光(B)は、赤色光(R)および緑色光(G)よりも波長が短く、紫外光に近いため、液晶材料、配向膜18、シール材40などの液晶装置100の部材に由来するイオン性不純物が発生しやすい。そのため、イオン性不純物が発生しやすい液晶ライトバルブ1230にのみ、イオン性不純物の掃引を行うこととして、投射型表示装置1000を簡略化した構成とすることができる。   According to this, in addition to the effect of the modified example 2, the following effect can be obtained. Since the liquid crystal light valves 1210 and 1220 are not heated and cooled, the configuration of the projection display apparatus 1000 can be simplified, for example, the heating means 510 and the cooling means 520 can be made smaller than the second modification. Specifically, blue light (B) is incident on the liquid crystal light valve 1230. Blue light (B) has a wavelength shorter than that of red light (R) and green light (G) and is close to ultraviolet light, and thus is derived from members of the liquid crystal device 100 such as the liquid crystal material, the alignment film 18, and the sealing material 40. Ionic impurities are likely to occur. Therefore, the projection display device 1000 can be simplified by sweeping ionic impurities only in the liquid crystal light valve 1230 where ionic impurities are likely to be generated.

また、液晶ライトバルブ1230には青色光(B)が入射することから、表示期間における液晶層50の温度上昇が、液晶ライトバルブ1210,1220よりも小さくなる。したがって、液晶ライトバルブ1230の液晶層50には、液晶ライトバルブ1210,1220よりもTniが低い液晶を用いることが可能になる。詳しくは、液晶ライトバルブ1210,1220では、Tniが比較的に低い液晶を用いると、表示期間に入射(照射)される赤色光(R)または緑色光(G)により、液晶層50の温度がTniを超えやすく、表示が不能となる場合がある。これに対して、液晶ライトバルブ1230(青色光(B))では、温度上昇が比較的に小さいため、Tniが比較的に低い液晶を用いて、イオン性不純物の掃引操作における加熱および冷却の時間またはエネルギーを削減することができる。   Further, since blue light (B) is incident on the liquid crystal light valve 1230, the temperature rise of the liquid crystal layer 50 during the display period is smaller than that of the liquid crystal light valves 1210 and 1220. Therefore, the liquid crystal layer 50 of the liquid crystal light valve 1230 can use a liquid crystal having a lower Tni than the liquid crystal light valves 1210 and 1220. Specifically, in the liquid crystal light valves 1210 and 1220, when a liquid crystal having a relatively low Tni is used, the temperature of the liquid crystal layer 50 is increased by red light (R) or green light (G) incident (irradiated) during the display period. Tni may be easily exceeded and display may become impossible. On the other hand, in the liquid crystal light valve 1230 (blue light (B)), since the temperature rise is relatively small, the heating and cooling time in the sweeping operation of the ionic impurities using the liquid crystal having a relatively low Tni. Or energy can be reduced.

(変形例4)
<表示装置の構成>
変形例4に係る液晶装置の構成について、図14および図15を用いて説明する。図14は、変形例4に係る液晶装置の構成を示す模式平面図である。図15は、図14に示す液晶装置のB−B’線に沿う模式断面図である。実施形態1と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
(Modification 4)
<Configuration of display device>
A configuration of a liquid crystal device according to Modification 4 will be described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. 14 is a schematic plan view illustrating a configuration of a liquid crystal device according to Modification 4. 15 is a schematic cross-sectional view taken along the line BB ′ of the liquid crystal device shown in FIG. About the same component as Embodiment 1, the same code | symbol is used and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図14および図15に示すように、本変形例の液晶装置300は、素子基板10の表示領域Eの外側に少なくとも1つの周辺電極130を有し、交流信号V1が印加される期間に、交流信号V1と印加電圧が同じか、または大きな、交流信号が周辺電極130に印加される。すなわち、画素電極15を用いてイオン性不純物を表示領域Eの外側に掃引することに加えて、周辺電極130を設けて掃引を行ってもよい。   As shown in FIGS. 14 and 15, the liquid crystal device 300 according to the present modification includes at least one peripheral electrode 130 outside the display region E of the element substrate 10, and the alternating current signal V <b> 1 is applied during the period of alternating current signal V <b> 1. An AC signal having the same or larger applied voltage as the signal V <b> 1 is applied to the peripheral electrode 130. That is, in addition to sweeping ionic impurities to the outside of the display region E using the pixel electrode 15, the peripheral electrode 130 may be provided for sweeping.

液晶装置300は、例えば、表示に寄与する実表示領域E1と、実表示領域E1を囲んで配置されたダミー画素領域E2と、ダミー画素領域E2を囲む額縁状のシール材40と、が設けられている。シール材40とダミー画素領域E2との間には、見切り領域E3が設けられている。   The liquid crystal device 300 includes, for example, an actual display area E1 that contributes to display, a dummy pixel area E2 that is disposed so as to surround the actual display area E1, and a frame-shaped sealing material 40 that surrounds the dummy pixel area E2. ing. A parting area E3 is provided between the sealing material 40 and the dummy pixel area E2.

図15に示すように、第3層間絶縁膜14上における見切り領域E3と平面視で重なる領域には、イオン性不純物60を見切り領域E3に掃引するための周辺電極130が設けられている。周辺電極130は、第1電極131と、第2電極132と、第3電極133とを有しており、それぞれ平面視で四角形の枠状をなしている。   As shown in FIG. 15, a peripheral electrode 130 for sweeping the ionic impurities 60 to the parting region E3 is provided in a region overlapping the parting region E3 on the third interlayer insulating film 14 in plan view. The peripheral electrode 130 includes a first electrode 131, a second electrode 132, and a third electrode 133, and each has a rectangular frame shape in plan view.

第1電極131、第2電極132、第3電極133には、隣り合う電極間に生ずる電界(電気力線)の方向が、表示領域Eに近い第1電極131から第3電極133の方向に移動するように交流信号が与えられる。   In the first electrode 131, the second electrode 132, and the third electrode 133, the direction of the electric field (electric field lines) generated between adjacent electrodes is in the direction from the first electrode 131 close to the display area E to the third electrode 133. An AC signal is given to move.

本変形例の対向基板20において、対向電極23は、例えば、実表示領域E1およびダミー画素領域E2と平面視で重なって設けられており、見切り領域E3とは平面視で重なって設けられていない。具体的には、液晶層50を介して第1電極131、第2電極132、第3電極133のそれぞれに対向する部分には対向電極23が設けられていない。   In the counter substrate 20 of the present modification, for example, the counter electrode 23 is provided so as to overlap with the actual display area E1 and the dummy pixel area E2 in a plan view, and is not provided so as to overlap with the parting area E3. . Specifically, the counter electrode 23 is not provided in a portion facing each of the first electrode 131, the second electrode 132, and the third electrode 133 through the liquid crystal layer 50.

したがって、第1電極131、第2電極132、第3電極133のそれぞれと対向電極23との間で電界が生じ難い。つまり、第1電極131、第2電極132、第3電極133のそれぞれと対向電極23との間で生じる電界によってイオン性不純物60の移動が妨げられることなく、イオン性不純物60が見切り領域E3へ効率よく掃引される。   Therefore, an electric field is hardly generated between each of the first electrode 131, the second electrode 132, and the third electrode 133 and the counter electrode 23. That is, the movement of the ionic impurity 60 is not hindered by the electric field generated between each of the first electrode 131, the second electrode 132, and the third electrode 133 and the counter electrode 23, and the ionic impurity 60 moves to the parting region E3. Swept efficiently.

また、周辺電極130は、少なくとも1つあればよく、第2電極132および第3電極133を設けずに、第1電極131のみを設けてもよい。周辺電極130が1つの場合には、第1電極131のみを設けて、第1電極131に正または負の直流信号を印加して、イオン性不純物60の掃引を行ってもよい。このように、周辺電極130は、第1電極131から第3電極133の3本であることに限定されず、領域の広さに応じて、本数を増減させてもよい。   Further, at least one peripheral electrode 130 is sufficient, and only the first electrode 131 may be provided without providing the second electrode 132 and the third electrode 133. When there is one peripheral electrode 130, only the first electrode 131 may be provided, and a positive or negative DC signal may be applied to the first electrode 131 to sweep the ionic impurities 60. As described above, the number of the peripheral electrodes 130 is not limited to three, that is, the first electrode 131 to the third electrode 133, and the number of the peripheral electrodes 130 may be increased or decreased depending on the size of the region.

以上により、交流信号V1および交流信号V2で掃引されたイオン性不純物60を、表示領域Eの外側に掃引することが容易になる。そのため、表示領域Eにおけるイオン性不純物がさらに低減されて、表示装置の表示品質をより向上させることができる。   As described above, the ionic impurities 60 swept by the AC signal V1 and the AC signal V2 can be easily swept to the outside of the display area E. Therefore, ionic impurities in the display region E are further reduced, and the display quality of the display device can be further improved.

また、図15に示すように、ダミー画素領域E2のダミー画素電極121,122を用いてイオン性不純物60を掃引するようにしてもよい。   Further, as shown in FIG. 15, the ionic impurities 60 may be swept using the dummy pixel electrodes 121 and 122 in the dummy pixel region E2.

具体的には、第1実施形態のような表示領域Eの画素電極15と、本変形例のダミー画素領域E2のダミー画素電極121,122と、を含めた画素電極によって、イオン性不純物60を掃引するようにしてもよい。   Specifically, the ionic impurity 60 is removed by the pixel electrode including the pixel electrode 15 of the display area E as in the first embodiment and the dummy pixel electrodes 121 and 122 of the dummy pixel area E2 of this modification. You may make it sweep.

ダミー画素領域E2には、実表示領域E1の画素電極15と同様な構成のダミー画素電極121,122が設けられている。ダミー画素電極121,122を用いることにより、イオン性不純物60を実表示領域E1の外周より遠くに離れた領域まで(例えば、周辺電極130まで)掃引する(受け渡す)ことができる。これにより、例えば、投射型表示装置1000の電源をOFFにしている間に、イオン性不純物60が拡散して実表示領域E1に戻ることを抑えることができる。その結果、表示特性に影響を及ぼすことを抑えることができる。なお、ダミー画素電極121,122は、イオン性不純物60をより遠くまで掃引するために、さらに増やして設けてもよい。   In the dummy pixel region E2, dummy pixel electrodes 121 and 122 having the same configuration as the pixel electrode 15 in the actual display region E1 are provided. By using the dummy pixel electrodes 121 and 122, the ionic impurities 60 can be swept (delivered) to a region far away from the outer periphery of the actual display region E1 (for example, to the peripheral electrode 130). Thereby, for example, it is possible to prevent the ionic impurities 60 from diffusing and returning to the actual display region E1 while the power of the projection display device 1000 is turned off. As a result, it is possible to suppress the influence on the display characteristics. Note that the dummy pixel electrodes 121 and 122 may be further increased in order to sweep the ionic impurities 60 farther.

(変形例5)
本発明の表示装置に用いられる液晶装置は透過型であることに限定されず、反射型の液晶装置であってもよい。すなわち、反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置であってもよい。
(Modification 5)
The liquid crystal device used in the display device of the present invention is not limited to the transmissive type, and may be a reflective type liquid crystal device. That is, it may be a projection display device using a reflective liquid crystal device.

10…第1基板としての素子基板、15…画素電極、15a…第1画素電極としての画素電極、15b…第2画素電極としての画素電極、20…第2基板としての対向基板、50…液晶層、100…液晶装置、130…周辺電極、131…周辺電極としての第1電極、132…周辺電極としての第2電極、133…周辺電極としての第3電極、510…加熱手段、520…冷却手段、1000…投射型表示装置、1101…光源としてのランプユニット、E…表示領域、V1…第1交流信号としての交流信号、V2…第2交流信号としての交流信号。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Element substrate as 1st board | substrate, 15 ... Pixel electrode, 15a ... Pixel electrode as 1st pixel electrode, 15b ... Pixel electrode as 2nd pixel electrode, 20 ... Counter substrate as 2nd board | substrate, 50 ... Liquid crystal Layer: 100 ... Liquid crystal device, 130 ... Peripheral electrode, 131 ... First electrode as peripheral electrode, 132 ... Second electrode as peripheral electrode, 133 ... Third electrode as peripheral electrode, 510 ... Heating means, 520 ... Cooling Means 1000 ... Projection type display device, 1101 ... Lamp unit as light source, E ... Display area, V1 ... AC signal as first AC signal, V2 ... AC signal as second AC signal.

Claims (10)

第1基板と、前記第1基板と対向配置された第2基板と、前記第1基板および前記第2基板の間に挟持された液晶を含む液晶層と、前記第1基板の表示領域に配置された第1画素電極と、前記第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、を有する液晶装置と、
前記液晶層の温度を、前記液晶のTni以上に加熱可能な加熱手段と、
前記液晶層の温度を、前記Tniよりも低い所定の温度以下に冷却可能な冷却手段と、
前記液晶層に光を照射する光源と、を備え、
前記加熱手段により前記液晶層の温度を前記Tni以上としたときに、前記第1画素電極に第1交流信号が印加され、前記第2画素電極に前記第1交流信号と同じ周波数で位相がずれた第2交流信号が印加される、表示装置。
A first substrate; a second substrate disposed opposite the first substrate; a liquid crystal layer including liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate; and a display region of the first substrate. A liquid crystal device having a first pixel electrode formed and a second pixel electrode adjacent to the first pixel electrode;
Heating means capable of heating the liquid crystal layer to a temperature equal to or higher than Tni of the liquid crystal;
A cooling means capable of cooling the temperature of the liquid crystal layer to a predetermined temperature lower than Tni;
A light source for irradiating the liquid crystal layer with light,
When the temperature of the liquid crystal layer is set to Tni or higher by the heating means, a first AC signal is applied to the first pixel electrode, and a phase shifts at the same frequency as the first AC signal to the second pixel electrode. A display device to which a second AC signal is applied.
前記Tniは、80℃以上、100℃未満である、請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the Tni is 80 ° C. or higher and lower than 100 ° C. オンシーケンス期間に、前記加熱手段により前記液晶層の温度を前記Tni以上とし、
前記オンシーケンス期間の後に、前記冷却手段により前記液晶層の温度を前記所定の温度以下とする、請求項1または請求項2に記載の表示装置。
During the on-sequence period, the temperature of the liquid crystal layer is set to the Tni or higher by the heating means,
The display device according to claim 1, wherein after the on-sequence period, the temperature of the liquid crystal layer is set to be equal to or lower than the predetermined temperature by the cooling unit.
オフシーケンス期間に、前記加熱手段により前記液晶層の温度を前記Tni以上とし、
前記オフシーケンス期間の後に、前記冷却手段により前記液晶層の温度を前記所定の温度以下とする、請求項1または請求項2に記載の表示装置。
During the off-sequence period, the temperature of the liquid crystal layer is set to the Tni or higher by the heating means,
3. The display device according to claim 1, wherein the temperature of the liquid crystal layer is set to be equal to or lower than the predetermined temperature by the cooling unit after the off-sequence period.
オンシーケンス期間とオフシーケンス期間との両方の期間に、前記加熱手段により前記液晶層の温度を前記Tni以上とし、
前記オンシーケンス期間と前記オフシーケンス期間とがそれぞれ終了した後に、前記冷却手段により前記液晶層の温度を前記所定の温度以下とする、請求項1または請求項2に記載の表示装置。
In both the on-sequence period and the off-sequence period, the temperature of the liquid crystal layer is set to the Tni or higher by the heating means,
3. The display device according to claim 1, wherein after the on-sequence period and the off-sequence period are ended, the temperature of the liquid crystal layer is set to the predetermined temperature or less by the cooling unit.
前記第1基板の前記表示領域の外側に少なくとも1つの周辺電極を有し、
前記第1交流信号が印加される期間に、前記第1交流信号と印加電圧が同じか、または大きな、正または負の直流信号または交流信号が前記周辺電極に印加される、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の表示装置。
Having at least one peripheral electrode outside the display area of the first substrate;
The positive or negative DC signal or AC signal having the same or larger applied voltage as the first AC signal or a larger voltage is applied to the peripheral electrode during the period in which the first AC signal is applied. Item 6. The display device according to any one of Items 5.
第1基板と、前記第1基板と対向配置された第2基板と、前記第1基板および前記第2基板の間に挟持された液晶を含む液晶層と、前記第1基板の表示領域に配置された第1画素電極と、前記第1画素電極に隣り合う第2画素電極と、を有する液晶装置と、
前記液晶層に光を照射する光源と、を備えた表示装置の駆動方法であって、
前記液晶層を加熱して、前記液晶層の温度を前記液晶のTni以上としたときに、前記第1画素電極に第1交流信号を印加すると共に、前記第2画素電極に前記第1交流信号と同じ周波数で位相がずれた第2交流信号を印加し、
前記第1交流信号および前記第2交流信号を印加した後に、前記液晶層を冷却して、前記液晶層の温度を前記Tniよりも低い所定の温度以下とする、表示装置の駆動方法。
A first substrate; a second substrate disposed opposite the first substrate; a liquid crystal layer including liquid crystal sandwiched between the first substrate and the second substrate; and a display region of the first substrate. A liquid crystal device having a first pixel electrode formed and a second pixel electrode adjacent to the first pixel electrode;
A driving method of a display device comprising: a light source that irradiates light to the liquid crystal layer,
When the liquid crystal layer is heated so that the temperature of the liquid crystal layer is equal to or higher than Tni of the liquid crystal, a first AC signal is applied to the first pixel electrode and the first AC signal is applied to the second pixel electrode. Apply a second AC signal that is out of phase at the same frequency as
A driving method of a display device, wherein after applying the first AC signal and the second AC signal, the liquid crystal layer is cooled so that the temperature of the liquid crystal layer is equal to or lower than a predetermined temperature lower than the Tni.
オンシーケンス期間に、前記液晶層を加熱し、前記第1画素電極に前記第1交流信号を印加すると共に、前記第2画素電極に前記第2交流信号を印加し、
前記オンシーケンス期間が終了した後に、前記液晶層を冷却する、請求項7に記載の表示装置の駆動方法。
During the on-sequence period, the liquid crystal layer is heated, the first AC signal is applied to the first pixel electrode, and the second AC signal is applied to the second pixel electrode,
The method for driving the display device according to claim 7, wherein the liquid crystal layer is cooled after the on-sequence period ends.
オフシーケンス期間に、前記液晶層を加熱し、前記第1画素電極に前記第1交流信号を印加すると共に、前記第2画素電極に前記第2交流信号を印加し、
前記オフシーケンス期間の後に、前記液晶層を冷却する、請求項7に記載の表示装置の駆動方法。
During the off-sequence period, the liquid crystal layer is heated, the first AC signal is applied to the first pixel electrode, and the second AC signal is applied to the second pixel electrode,
The method for driving a display device according to claim 7, wherein the liquid crystal layer is cooled after the off-sequence period.
オンシーケンス期間とオフシーケンス期間との両方の期間に、前記液晶層を加熱し、前記第1画素電極に前記第1交流信号を印加すると共に、前記第2画素電極に前記第2交流信号を印加し、
前記オンシーケンス期間と前記オフシーケンス期間とがそれぞれ終了した後に、前記液晶層を冷却する、請求項7に記載の表示装置の駆動方法。
In both the on-sequence period and the off-sequence period, the liquid crystal layer is heated and the first AC signal is applied to the first pixel electrode, and the second AC signal is applied to the second pixel electrode. And
The method for driving a display device according to claim 7, wherein the liquid crystal layer is cooled after the on-sequence period and the off-sequence period are ended.
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