JP2019024030A - Imprint mold and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、インプリントモールド及びインプリントモールドを製造する方法に関する。 The present disclosure relates to an imprint mold and a method of manufacturing the imprint mold.
近年、半導体デバイス(例えば、半導体メモリ等)等の技術分野において、半導体デバイスの小型化、微細化の一層の進展により、フォトリソグラフィー法を用いた製造に限界が訪れつつある。また、小型化、微細化が進展する半導体デバイスをフォトリソグラフィー法で製造するために用いられる露光装置やフォトマスクも、従来に比して極めて高価になってくる。そのため、小型化、微細化が進展する半導体デバイスを安価に製造することが困難となってきている現状がある。 In recent years, in the technical field of semiconductor devices (for example, semiconductor memories), there is a limit in manufacturing using a photolithography method due to further progress in miniaturization and miniaturization of semiconductor devices. In addition, an exposure apparatus and a photomask used for manufacturing a semiconductor device that is becoming smaller and finer by a photolithography method are also extremely expensive as compared with the related art. Therefore, there is a current situation that it is difficult to inexpensively manufacture semiconductor devices that are becoming smaller and finer.
そのような現状において、近年、半導体デバイス等の製造工程において、基板の表面に凹凸パターンを形成した型部材(インプリントモールド)を用い、凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術であるナノインプリント技術が利用されてきている。 Under such circumstances, in recent years, in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a pattern member (imprint mold) having a concavo-convex pattern formed on the surface of a substrate is used, and the concavo-convex pattern is transferred to a workpiece such as a substrate at the same magnification Nanoimprint technology, which is a forming technology, has been used.
ナノインプリント技術において用いられるインプリントモールド100として、図7に示すように、第1面101A及び当該第1面101Aに対向する第2面101Bを有する基部101と、基部101の第1面101Aから突出する凸構造部102と、凸構造部102の上面に形成されてなる凹凸パターン103とを有するものが知られている。第1面101A上における凸構造部102の周囲に位置する所定の領域には、インプリントモールド100の品名、型番等を示すネームマーク、IDコード、アライメントマーク等、凹凸構造により構成されるマーク構造体104が形成されている。ナノインプリント技術においては、一度インプリントモールドを製造すれば、凹凸パターンを容易に繰り返し転写形成することができるため、高いスループットが得られ経済的である。そのため、近年、半導体デバイスの技術分野に限らず、様々な技術分野への応用が期待されている。
As an
上記インプリントモールド100は、凸構造部102の上面にハードマスク層201が形成されているインプリントモールド用ブランクス200を用い、例えば、電子線リソグラフィー等により製造され、このインプリントモールド用ブランクス200は、以下に説明する工程を経て製造される。
The
まず、第1面301A及び第1面301Aに対向する第2面301Bを有する透明基材(石英ガラス基板等)301を準備し、金属クロム等により構成されるハードマスク層302を当該透明基材301の第1面301A上に形成する(図8(A)参照)。次に、ハードマスク層302上に、凸構造部102及びマーク構造体104に対応するレジストパターン303を形成し(図8(B)参照)、当該レジストパターン303をマスクとしてハードマスク層302をエッチングしてハードマスクパターン304を形成する(図8(C)参照)。このハードマスクパターン304をマスクとして透明基材301の第1面301Aにウェットエッチング処理を施すことで、第1面301Aに凸構造部102及びマーク構造体104を同時に形成してインプリントモールド用ブランクス200が製造される(図8(D)参照)。
First, a transparent base material (quartz glass substrate or the like) 301 having a
このようにしてインプリントモールド用ブランクス200の製造工程において凸構造部102及びマーク構造体104を同時に形成すると、凸構造部102の上面とマーク構造体104の上面とが同じ高さになってしまう。その結果、当該インプリントモールド用ブランクス200を用いて製造されるインプリントモールド100を用い、凸構造部102の上面に形成されている凹凸パターン103を被転写基板上のインプリント樹脂に押し当てるときに、凹凸パターン103とともにマーク構造体104も被転写基板等に接触してしまうという問題がある。
Thus, if the
このような課題を解決すべく、従来、マーク構造体104用のレジストパターン303の寸法を、凸構造部102の高さ(設計値)の2倍よりも小さくし、等方性のエッチング液を用いたウェットエッチングにより透明基材301の第1面301Aを加工することで、凸構造部102とマーク構造体104とを同時に形成するとともに、マーク構造体104の上面位置を凸構造部102の上面位置よりも低くすることのできるインプリントモールドの製造方法が提案されている(特許文献1参照)。
In order to solve such a problem, conventionally, the dimension of the
上記特許文献1に記載のインプリントモールドの製造方法によれば、マーク構造体104用のレジストパターン303の寸法を凸構造部102の高さとの関係において適切に設定し、等方性のエッチング液によって生じるアンダーカット(サイドエッチング)の現象を利用することで、マーク構造体104の上面位置を凸構造部102の上面位置よりも低くすることができる。
According to the imprint mold manufacturing method described in
しかしながら、等方性のエッチング液によるアンダーカット(サイドエッチング)量をより高い精度で制御することは困難であるため、凸構造部102やマーク構造体104の寸法精度、位置精度等をさらに向上させることは困難である。また、マーク構造体104がアライメントマークである場合、当該マーク構造体104を用いたアライメント精度をさらに向上させることが困難であるという問題もある。さらに、上面位置が凸構造部102よりも低いマーク構造体104を、等方性エッチングによるアンダーカットを利用して凸構造部102と同時に形成する以上、マーク構造体104の寸法の微細化には限界があり、より微細な寸法のマーク構造体104を形成することが困難であるという問題もある。
However, since it is difficult to control the amount of undercut (side etching) with an isotropic etchant with higher accuracy, the dimensional accuracy and position accuracy of the
上記課題に鑑みて、本発明は、凸構造部及びマーク構造体がさらに高精度に形成されてなるインプリントモールド用ブランクス及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide blanks for imprint molds and imprint molds in which convex structures and mark structures are formed with higher accuracy, and methods for producing the same.
上記課題を解決するために、本発明は、インプリントモールドを製造するために用いられるインプリントモールド用ブランクスであって、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部と、前記基部の前記第1面から突出する凸構造部と、前記基部の前記第1面上に設けられてなり、凹凸構造により構成されるマーク構造体とを備え、前記凸構造部の周壁は、前記第1面から所定の角度をもって立ち上がる実質的な平坦面により構成され、前記マーク構造体を構成する凹凸構造の凸部の頂部が、前記凸構造部の上面よりも前記第1面側に位置するインプリントモールド用ブランクスを提供する。 In order to solve the above-mentioned problem, the present invention is an imprint mold blank used for manufacturing an imprint mold, and includes a base portion having a first surface and a second surface facing the first surface; A convex structure projecting from the first surface of the base, and a mark structure formed on the first surface of the base and configured by a concavo-convex structure, and the peripheral wall of the convex structure is It is constituted by a substantially flat surface rising from the first surface at a predetermined angle, and the top of the convex portion of the concavo-convex structure constituting the mark structure is located on the first surface side with respect to the upper surface of the convex structure portion. Blanks for imprint molds are provided.
前記凸構造部の周壁の前記第1面からの立ち上がり部分に、前記凸構造部を取り囲む凹状溝部が形成されていればよく、前記凹状溝部の深さを100nm〜200nmとすることができ、前記マーク構造体を構成する前記凹凸構造の前記凸部の前記第1面からの立ち上がり部分に、前記凸部を取り囲む凹状溝部が形成されていてもよく、前記凸構造部の周壁が、前記第1面から75°〜95°の角度をもって立ち上がっていてもよい。 It suffices if a concave groove surrounding the convex structure is formed on the rising portion of the peripheral wall of the convex structure from the first surface, and the depth of the concave groove can be set to 100 nm to 200 nm. A concave groove part surrounding the convex part may be formed at a rising part from the first surface of the convex part of the concave-convex structure constituting the mark structure, and the peripheral wall of the convex structural part is the first wall You may stand up at an angle of 75 ° to 95 ° from the surface.
前記マーク構造体を構成する前記凹凸構造の前記凸部の周壁の前記第1面に対するなす角度を、90°未満とすることができ、前記マーク構造体としてはアライメントマークを例示することができ、前記凸構造部の上面に設けられてなるハードマスク層をさらに備えていてもよい。 The angle formed with respect to the first surface of the peripheral wall of the convex portion of the concavo-convex structure constituting the mark structure can be less than 90 °, and the mark structure can be exemplified by an alignment mark, You may further provide the hard mask layer provided in the upper surface of the said convex structure part.
本発明は、上記インプリントモールド用ブランクスの前記凸構造部の上面に凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを提供する。 This invention provides the imprint mold by which an uneven | corrugated pattern is formed in the upper surface of the said convex structure part of the said blank for imprint molds.
本発明は、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部と、前記基部の前記第1面から突出する凸構造部と、前記基部の前記第1面上に設けられてなり、凹凸構造により構成されるマーク構造体とを備えインプリントモールド用ブランクスを製造する方法であって、第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材であって、前記基材の前記第1面にハードマスク層が形成されてなる基材を準備する工程と、前記ハードマスク層上に前記凸構造部及び前記マーク構造体のそれぞれに対応するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングすることで、前記凸構造部及び前記マーク構造体のそれぞれに対応するハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記基材の前記第1面にドライエッチング処理を施す工程とを含み、前記マーク構造体を構成する凹凸構造の凸部の頂部が、前記凸構造部の上面よりも前記第1面側に位置するようなエッチング条件にて前記基材の前記第1面にドライエッチング処理を施すインプリントモールド用ブランクスの製造方法を提供する。 The present invention is provided on the first surface of the base, a base having a first surface and a second surface facing the first surface, a convex structure protruding from the first surface of the base, and And a mark structure composed of a concavo-convex structure, and a method for producing imprint mold blanks, the substrate having a first surface and a second surface facing the first surface, Preparing a base material in which a hard mask layer is formed on the first surface of the base material, and forming a resist pattern corresponding to each of the convex structure portion and the mark structure on the hard mask layer Etching the hard mask layer using the resist pattern as a mask to form a hard mask pattern corresponding to each of the convex structure portion and the mark structure, and the hard mask Performing a dry etching process on the first surface of the base material using a pattern as a mask, and the top of the convex portion of the concave-convex structure constituting the mark structure is more than the first surface of the convex structure portion. Provided is a method for manufacturing imprint mold blanks, which performs a dry etching process on the first surface of the base material under etching conditions such as being located on the surface side.
上記インプリントモールド用ブランクスの製造方法において、前記凸構造部の周壁の前記第1面からの立ち上がり部分に、前記凸構造部を取り囲む凹状溝部が形成されるようなエッチング条件にて、前記凹状溝部の深さが100nm〜200nmとなるようなエッチング条件にて、前記マーク構造体を構成する前記凹凸構造の前記凸部が前記基部の前記第1面から立ち上がる部分に、前記凸部を取り囲む凹状溝部が形成されるようなエッチング条件にて、前記凸構造部の周壁が前記基部の前記第1面から75°〜95°の角度をもって立ち上がるようなエッチング条件にて前記基材の前記第1面にドライエッチング処理を施すことができる。 In the above-described imprint mold blank manufacturing method, the concave groove portion is formed under an etching condition such that a concave groove portion surrounding the convex structure portion is formed at a rising portion from the first surface of the peripheral wall of the convex structure portion. A concave groove that surrounds the convex portion at a portion where the convex portion of the concave-convex structure constituting the mark structure rises from the first surface of the base under an etching condition such that the depth of the concave portion is 100 nm to 200 nm On the first surface of the base material under the etching conditions such that the peripheral wall of the convex structure portion rises at an angle of 75 ° to 95 ° from the first surface of the base portion. A dry etching process can be performed.
本発明は、インプリントモールドを製造する方法であって、上記インプリントモールド用ブランクスの前記凸構造部上に設けられている前記ハードマスク層上に、複数の凹状溝部及び凸部を含むレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記凸構造部上の前記ハードマスクをエッチングすることで、ハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記凸構造部をエッチングすることで、前記凸構造部上に凹凸パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する。 The present invention is a method for producing an imprint mold, wherein the resist pattern includes a plurality of concave grooves and convex portions on the hard mask layer provided on the convex structure portions of the imprint mold blanks. Forming a hard mask pattern by etching the hard mask on the convex structure portion using the resist pattern as a mask, and etching the convex structure portion using the hard mask pattern as a mask. The process of forming an uneven | corrugated pattern on the said convex structure part is included by this, The manufacturing method of the imprint mold characterized by the above-mentioned is provided.
本発明によれば、凸構造部及びマーク構造体がさらに高精度に形成されてなるインプリントモールド用ブランクス及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the convex structure part and the mark structure can provide the imprint mold blanks and imprint mold by which a highly accurate formation is performed, and those manufacturing methods.
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to this specification, in order to facilitate understanding, the shape, scale, vertical / horizontal dimensional ratio, etc. of each part may be changed from the actual one or may be exaggerated.
本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。 In the present specification and the like, a numerical range expressed using “to” means a range including each of the numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。 In this specification and the like, terms such as “film”, “sheet”, and “plate” are not distinguished from each other on the basis of the difference in names. For example, the “plate” is a concept including members that can be generally called “sheet” and “film”.
〔インプリントモールド用ブランクス〕
図1は、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクスの概略構成を示す切断端面図であり、図2は、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクスにおける凸構造部の周壁部分及びマーク構造体の概略構成を示す部分拡大切断端面図であり、図3(A)及び図3(B)は、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクスにおけるマーク構造体の概略構成を示す平面図である。
[Blanks for imprint molds]
FIG. 1 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold blank according to the present embodiment, and FIG. 2 is a peripheral wall portion of a convex structure portion and a mark structure in the imprint mold blank according to the present embodiment. FIG. 3 (A) and FIG. 3 (B) are plan views showing a schematic configuration of a mark structure in the imprint mold blanks according to the present embodiment.
本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1は、第1面2A及び当該第1面2Aに対向する第2面2Bを有する基部2と、基部2の第1面2A側における平面視略中央部に位置し、当該第1面2Aから突出する凸構造部21と、基部2の第1面2A上に設けられてなり、凹凸構造により構成されるマーク構造体22と、基部2の第2面2B側における平面視略中央部に形成されてなる窪み部23とを備え、インプリントモールド10(図4参照)を製造するために用いられるものである。
The blank 1 for imprint molds according to the present embodiment includes a
インプリントモールド用ブランクス1の基部2を構成する材料は、特に限定されるものではなく、インプリントモールド用ブランクスとして一般的なものである。例えば、当該基部2は、インプリントモールド10(図4参照)を製造する際に一般的に用いられている基板(例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板;ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板;シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等)により構成され得る。
The material which comprises the
インプリントモールド用ブランクス1の基部2の厚さT2は、強度や取り扱い適性等を考慮し、例えば、300μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。インプリントモールド用ブランクス1の基部2の大きさ(平面視における大きさ)も特に限定されるものではないが、当該基部2が石英ガラスにより構成される場合、例えば、当該基部2の大きさは152mm×152mm程度である。
The thickness T 2 of the
インプリントモールド用ブランクス1の基部2の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1から製造されるインプリントモールド10(図4参照)が光インプリント用として一般的に用いられる石英ガラスにより構成される場合、通常、当該基部2の平面視形状は略矩形状である。
The shape of the
インプリントモールド用ブランクス1の基部2の第1面2Aから突出する凸構造部21は、平面視において基部2(第1面2A)の略中央に設けられている。かかる凸構造部21の形状は、略矩形状、略円形状等を例示することができる。
The
凸構造部21の上面の大きさ(寸法)は、インプリントモールド10(図4参照)を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定される。例えば、凸構造部21が平面視矩形状である場合、凸構造部21の上面の大きさは26mm×33mm程度に設定され得る。
The size (dimension) of the upper surface of the
凸構造部21の高さT21は、インプリントモールド10(図4参照)が凸構造部21を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、10μm〜100μm程度に設定され得る。なお、本実施形態において、「凸構造部21の高さT21」とは、基部2の第1面2Aを基準とした高さ、すなわち第1面2Aから凸構造部21の上面までの長さ(第1面2Aに対する垂直方向の長さ)を意味するものとする。
The height T 21 of the
凸構造部21の周壁211は、基部2の第1面2Aから所定の角度をもって立ち上がる実質的に平坦面により構成される。本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21は、後述するようにドライエッチング処理により形成される(図5参照)ため、凸構造部21の周壁211が実質的な平坦面により構成されることになる。その結果、形状、寸法精度の高い転写領域を有する凸構造部21を形成することができる。より具体的には、凸構造部21の周壁211と基部2の第1面2Aとのなす角度θ1は、75°〜95°であるのが好ましく、85°〜90°であるのがより好ましい。当該角度θ1が95°を超えると、インプリントモールド用ブランクス1から作製されたインプリントモールド10(図4参照)の凹凸パターン11を転写するときに、凹凸パターン11が形成されている凸構造部21の上面を均一に押圧することが困難となり、凹凸パターン11が転写されて形成される転写パターンの寸法が変化したり、形状が歪んだりする等の転写不良が発生するおそれがある。なお、本実施形態において、凸構造部21の周壁211と基部2の第1面2Aとのなす角度θ1は、下記式により定義される。
tanθ1=T21/D21
上記式において、T21は「凸構造部21の高さ」を表し、D21は「インプリントモールド用ブランクス1の側面視において、凸構造部21の上面の周縁部21Eと、基部2の第1面2Aからの周壁211の立ち上がり部21Bとの間の水平方向(第1面2Aの平行方向)の長さ」を表す(図2B参照)。
The
tan θ 1 = T 21 / D 21
In the above formula, T 21 represents “the height of the
凸構造部21の周壁211の第1面2Aからの立ち上がり部分に、凸構造部21を取り囲む凹状溝部212が形成されている。凸構造部21を取り囲む凹状溝部212が形成されていることで、インプリントモールド用ブランクス1から作製されたインプリントモールド10(図4参照)を用いた転写工程において基部2を撓ませる際に生じる応力を凹状溝部212に集中させることができるため、凸構造部21の上面の変形を抑制することができ、その結果、凸構造部21の上面に形成されている凹凸パターン11を転写して形成される転写パターンの寸法、形状変化を抑制し、高精度での転写パターンの形成が可能となる。また、凹状溝部212が形成されていることで、凸構造部21の周壁211と基部2の第1面2Aとの境界が明確になるため、インプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21を形成した後、容易に検査することができる。凹状溝部212の深さD212は、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1の製造工程において凸構造部21を形成する際のエッチング条件に応じて適宜設定され得るが、例えば、100nm〜200nm程度に設定され得る。
A
一般に、インプリントモールド用ブランクス1の検査工程において、凹状溝部212を検出・検査した後、凸構造部21の周縁を検査するが、凸構造部21とその周壁211とのなす角度(180°−θ1)が90°に近い方が、凸構造部21の周縁部と凹状溝部212との距離が小さくなることに加え、当該周縁部がさらに明確に見えるようになるため、当該周縁部の検出・検査を容易に行うことができる。角度θ1が75°未満であると、凸構造部21の周縁部と凹状溝部212との距離が大きくなり、当該周縁部が不明瞭になり、当該周縁部の検出・検査が困難となるおそれがある。
In general, in the inspection process of the
本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1において、基部2の第1面2A上における凸構造部21の周囲の所定の領域に、凹凸構造により構成されるマーク構造体22が形成されている。マーク構造体22としては、例えば、品名、型番等を示すネームマーク、IDコード、アライメントマーク等が挙げられる。
In the
マーク構造体22の凸部221の頂部222の高さ位置は、凸構造部21の上面の高さ位置よりも低い。マーク構造体22の凸部221の頂部222の高さ位置が凸構造部21の上面の高さ位置よりも低いことで、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1から製造されるインプリントモールド10(図4参照)を用いたインプリント処理時に、マーク構造体22が被転写基板やインプリント樹脂に接触してしまうのを防止することができる。
The height position of the
マーク構造体22の第1面2Aからの高さT22(頂部222の高さ位置)は、凸構造部21の第1面2Aからの高さT21(凸構造部21の上面の高さ位置)等との関係において、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1から製造されるインプリントモールド10(図4参照)を用いたインプリント処理時に、マーク構造体22が被転写基板やインプリント樹脂に接触しない程度に適宜設定されればよい。
The height T 22 from the
マーク構造体22がアライメントマークである場合、当該マーク構造体22の平面視形状は、特に限定されるものではなく、例えば、図3(A)に示すような十字形状であってもよいし、図3(B)に示すようなラインアンドスペース形状であってもよい。アライメントマークとして用いられるマーク構造体22が、図3(B)に示すラインアンドスペース形状である場合、このマーク構造体22を備えるインプリントモールド10(図4参照)を用いて被転写基板に凹凸パターン11を転写する際に、マーク構造体22とはピッチの異なるラインアンドスペース形状のアライメントマークが被転写基板に形成されていれば、アライメントマーク同士を重ねることで観察され得るモアレ模様(干渉縞)によってインプリントモールド10と被転写基板との位置合わせが可能となる。
When the
マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の周壁224の第1面2Aに対するなす角度θ2は、90°未満であるのが好ましく、80°〜89°であるのがより好ましい。当該角度θ2が90°を超えると、マーク構造体22の高さと凸部構造21の高さT21とが同一になってしまい、インプリントモールド用ブランクス1から作製されたインプリントモールド10(図4参照)を用いて凹凸パターン11を被転写基板に転写するときにマーク構造体22が被転写基板に接触してしまうおそれがある。一方、角度θ2が80°未満であると、マーク構造体22がアライメントマークとして用いられる場合、アライメントにおいて適当な高さを有するためには幅(寸法)を大きくしなければならないが、平面視におけるマーク構造体22の寸法が大きくなってしまうことでアライメント精度が低下してしまうおそれがある。また、角度θ2が80°未満のマーク構造体22は、その形成工程としてのエッチングにおける再現性が低下してしまうため、マーク構造体22の寸法や形状に要求される精度を満足することができないおそれがある。
The angle θ 2 formed with respect to the
マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の第1面からの立ち上がり部分に、凸部221を取り囲む凹状溝部223が形成されている。凸部221を取り囲む凹状溝部223が形成されていることで、マーク構造体22の視認性が向上し、位置検出精度が向上する。その結果、マーク構造体22を使用したアライメント精度が向上され得る。
A
本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1の基部2の第2面2B側には、凸構造部21に対向する窪み部23が形成されている。窪み部23が形成されていることで、凸構造部21の上面を容易に湾曲させることができる。
On the
インプリントモールド用ブランクス1の第2面2B側からの平面視における窪み部23の形状は、略円形であるのが好ましい。窪み部23の平面視形状が略円形であることで、凸構造部21の上面を、略均一に湾曲させることができる。
It is preferable that the shape of the recessed
インプリントモールド用ブランクス1の窪み部23は、当該窪み部23の外形を第1面2A側に投影した投影領域が、平面視における凸構造部21の外形を物理的に包含するように、好ましくは凸構造部21の上面の中心と上記投影領域の中心とを一致させるように、第2面2B側に形成されている。
The
インプリントモールド用ブランクスの窪み部23の深さD23は、特に限定されるものではない。凸構造部21の上面を効果的に湾曲させることができるように、窪み部23の深さD23が設定される。
The depth D 23 of the
本実施形態において、インプリントモールド用ブランクスの基部2の第1面2A及び凸構造部21の上面には、ハードマスク層3が形成されている。ハードマスク層3を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属;窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した2種以上を組み合わせて用いることができる。
In the present embodiment, the
ハードマスク層3は、後述するインプリントモールドの製造方法における一工程(図6(B)参照)にてパターニングされ、インプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21の上面をエッチングする際のマスクとして用いられるものである。そのため、インプリントモールド用ブランクス1の構成材料の種類に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層3の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、インプリントモールド用ブランクス1の基部2が石英ガラスにより構成される場合、ハードマスク層3として金属クロム膜等が好適に選択され得る。
The
ハードマスク層3の厚さは、インプリントモールド用ブランクス1の種類に応じたエッチング選択比、製造されるインプリントモールド10における凹凸パターン11のアスペクト比等を考慮して適宜設定される。例えば、インプリントモールド用ブランクス1の基部2が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層3が金属クロムにより構成される場合、ハードマスク層3の厚さは、1nm〜20nm程度に設定され得る。
The thickness of the
インプリントモールド用ブランクス1の基部2の第1面2A及び凸構造部21の上面にハードマスク層3を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、PVD(Physical Vapor Deposition)、CVD(Chemical Vapor Deposition)等の公知の成膜方法が挙げられる。
The method for forming the
次に、本実施形態に係るインプリントモールド用ブランクス1から製造されるインプリントモールド10について説明する。図4は、本実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。
Next, the
図4に示すように、本実施形態におけるインプリントモールド10は、第1面2A及び第1面2Aに対向する第2面2Bを有する基部2と、基部2の第1面2Aから突出する凸構造部21と、凸構造部21の上面に形成されてなる凹凸パターン11と、基部2の第1面2A上に設けられてなり、凹凸構造により構成されるマーク構造体22と、基部2の第2面2B側における平面視略中央部に形成されてなる窪み部23とを備える。本実施形態におけるインプリントモールド10は、上述したインプリントモールド用ブランクス1から製造され得る。以下に説明するインプリントモールド10において、インプリントモールド用ブランクス1と同様の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
As shown in FIG. 4, the
本実施形態におけるインプリントモールド10が備える凹凸パターン11の形状、寸法等は、インプリントモールド10(図4参照)にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得るものであって、特に制限されるものではない。例えば、凹凸パターン11の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。図示例において、凹凸パターン11は、凸構造部21の上面に形成された複数の凹部と隣接する凹部間に位置する凸部とを有する凹状パターンである。また、凹凸パターン11の寸法は、例えば、10nm〜200nm程度であればよい。
The shape, dimensions, and the like of the concavo-
本実施形態におけるインプリントモールド10においては、凸構造部21の周壁211が実質的な平坦面により構成される。これにより、インプリント工程においてインプリントモールド10を押圧する時に発生するインプリントモールド10の撓み、歪みの予測が容易になり、予測精度を高めることができる。その結果、インプリント工程によって形成される転写パターンの精度を高めることができ、同時に、より微細な転写パターンの形成が可能になる。また、凸構造部21の周壁211と基部2の第1面2Aとのなす角度θ1は、75°〜95°であるのが好ましく、85°〜90°であるのがより好ましい。当該角度θ1が75°未満であると、インプリント工程におけるインプリントモールド10押圧する時に、インプリントモールド10が撓む際に凸構造部21にも撓み、歪みが発生し、凸構造部21の上面の凹凸パターン11が変形し、転写パターンの寸法が変化したり、形状が歪んだりする等の転写不良が発生するおそれがあり、95°を超えると、インプリントモールド10の凹凸パターン11を転写するときに、凹凸パターン11が形成されている凸構造部21の上面を均一に押圧することが困難となり、凹凸パターン11が転写されて形成される転写パターンの寸法が変化したり、形状が歪んだりする等の転写不良が発生するおそれがある。
In the
さらに、本実施形態におけるインプリントモールド10においては、凸構造部21の周壁211の第1面2Aからの立ち上がり部分に、凸構造部21を取り囲む凹状溝部212が形成されている。凸構造部21を取り囲む凹状溝部212が形成されていることで、インプリントモールド10を用いた転写工程において基部2を撓ませる際に生じる応力を凹状溝部212に集中させることができるため、凸構造部21の上面の変形を抑制することができ、その結果、凸構造部21の上面に形成されている凹凸パターン11を転写して形成される転写パターンの寸法、形状変化を抑制し、高精度での転写パターンの形成が可能となる。
Furthermore, in the
さらにまた、本実施形態におけるインプリントモールド10においては、マーク構造体22の頂部222の高さ位置が凸構造部21の上面の高さ位置よりも低いことで、インプリント処理時に、マーク構造体22が被転写基板やインプリント樹脂に接触してしまうのを防止することができる。また、マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の第1面からの立ち上がり部分に、凸部221を取り囲む凹状溝部223が形成されている。凸部221を取り囲む凹状溝部223が形成されていることで、マーク構造体22の視認性が向上し、位置検出精度が向上する。その結果、マーク構造体22を使用したアライメント精度を向上させることができる。
Furthermore, in the
本実施形態におけるインプリントモールド10においては、凸構造部21が高い寸法精度にて形成されていることで、インプリントモールド10を用いたインプリント処理において高精度で凹凸パターン11を転写することができる。さらに、上記構成を有するインプリントモールド10によれば、後述するように凸構造部21がドライエッチング処理により形成されることで、当該凸構造部21の側壁211の第1面2Aからの立ち上がり角度がより鋭角(例えば75°〜95°程度)になり、その結果、凸構造部21の寸法精度が良好になり、使用する過程でインプリント性能を向上させ得る。
In the
さらにまた、上記構成を有するインプリントモールド10によれば、後述するように凸構造部21及びマーク構造体22がドライエッチング処理により形成されてなるものであることで、インプリントモールド10の基部2の側面や第2面2Bはエッチングされず、ダメージを有しない。そのため、当該インプリントモールド10をインプリント装置のモールド保持部に安定的に真空吸着させることができ、インプリント処理中にアライメント精度が低下するのを防止することができる。
Furthermore, according to the
〔インプリントモールド用ブランクスの製造方法〕
本実施形態におけるインプリントモールド用ブランクスを製造する方法について説明する。図5は、本実施形態におけるインプリントモールド用ブランクスの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
[Method for producing imprint mold blanks]
A method for manufacturing imprint mold blanks in the present embodiment will be described. FIG. 5 is a process flow chart showing each process of the imprint mold blank manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface.
まず、インプリントモールド用ブランクス1(図1参照)を製造するために用いられる、第1面40A及び第1面40Aに対向する第2面40Bを有し、第1面40Aにハードマスク層41が形成されている基材40(図5(A)参照)を準備する。
First, it has the
基材40を構成する材料は、特に限定されるものではなく、インプリントモールド用ブランクスとして一般的なものである。例えば、当該基材40は、インプリントモールド10(図4参照)を製造する際に一般的に用いられている基板(例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板;ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板;シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等)により構成され得る。
The material which comprises the
ハードマスク層41を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属;窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した2種以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of the material constituting the
ハードマスク層41は、後述する工程(図5(B)参照)にてパターニングされ、インプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21及びマーク構造体22の上面をエッチングする際のマスクとして用いられるものである。そのため、インプリントモールド用ブランクス1の構成材料の種類に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層41の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、基材40が石英ガラスにより構成される場合、ハードマスク層41として金属クロム膜等が好適に選択され得る。
The
ハードマスク層41の厚さは、基材40の種類に応じたエッチング選択比、凸構造部21の高さT21等を考慮して適宜設定される。例えば、基材40が石英ガラスにより構成され、ハードマスク層41が金属クロムにより構成される場合、ハードマスク層41の厚さは、100nm〜1μm程度に設定され得る。
The thickness of the
基材40の第1面40Aにハードマスク層41を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、PVD(Physical Vapor Deposition)、CVD(Chemical Vapor Deposition)等の公知の成膜方法が挙げられる。
The method for forming the
ハードマスク層41上に、インプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21及びマーク構造体22のそれぞれに対応する、ネガ型又はポジ型の電子線反応性レジスト材料、紫外線反応性レジスト材料等により構成されるレジストパターン42を形成する(図5(A)参照)。ハードマスク層41上にレジストパターン42を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ハードマスク層41上にレジスト膜を形成し、レジストパターン42に対応する遮光部又は開口部を有するフォトマスクを用いて上記レジスト膜に露光・現像処理を施す方法(フォトリソグラフィー法)等が挙げられる。
Constructed on the
続いて、レジストパターン42をマスクとしてハードマスク層41にドライエッチング処理を施してハードマスクパターン43を形成し(図5(B)参照)、当該ハードマスクパターン43をマスクとして第1面40Aに、CF4、CHF3等のフッ素系のエッチングガスを用いたドライエッチング処理を施すことで、凸構造部21及びマーク構造体22を形成する(図5(C)参照)。
Subsequently, the
ハードマスクパターン43をマスクとする第1面40Aのドライエッチング処理において、マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の頂部222の高さ位置が、凸構造部21の上面の高さ位置よりも低くなるようなエッチング条件を設定する。このようなエッチング条件としては、通常のドライエッチングより等方性の高い条件(例えば、真空度:180mmTorr、CF4流量:30cm3/秒、O2流量:20cm3/秒等)等が挙げられる。このようなエッチング条件により第1面40Aにドライエッチング処理を施すことで、マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の頂部222の高さ位置を、凸構造部21の上面の高さ位置よりも低くすることができる。また、第1ステップとして等方性の高い条件(例えば、真空度:300mmTorr、CF4流量:40cm3/秒、O2流量:20cm3/秒等)にてエッチングし(エッチング深さ:1〜10μm)、第2ステップとして異方性の高い条件(例えば、真空度:120Torr、CF4流量:20cm3/秒、O2流量:10cm3/秒等)にてエッチングする(全エッチング深さ:30μm)2段階エッチングを行うことによっても、マーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の頂部222の高さ位置を、凸構造部21の上面の高さ位置よりも低くすることができる。
In the dry etching process of the
上記ドライエッチング処理において、凸構造部21の周壁211の立ち上がり部分及びマーク構造体22を構成する凹凸構造の凸部221の立ち上がり部分のそれぞれに、凸構造部21及び凸部221のそれぞれを取り囲む凹状溝部212,223が形成されるようなエッチング条件、凸構造部21の周壁211の第1面2Aに対するなす角度θ1が75°〜95°となるようなエッチング条件、凸部221の第1面2Aに対するなす角度θ2が90°未満となるようなエッチング条件を設定するのが好ましい。
In the dry etching process, a concave shape surrounding each of the
上述したインプリントモールド用ブランクスの製造方法によれば、凸構造部21及びマーク構造体22を同一のドライエッチング工程により形成することができるため、凸構造部21及びマーク構造体22を極めて高い寸法精度及び位置精度にて形成することができる。
According to the imprint mold blanks manufacturing method described above, the
〔インプリントモールドの製造方法〕
上記のようにして製造されるインプリントモールド用ブランクスを用いてインプリントモールドを製造する方法を説明する。図6は、本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
[Imprint Mold Manufacturing Method]
A method for producing an imprint mold using the imprint mold blanks produced as described above will be described. FIG. 6 is a process flow chart showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface.
本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法においては、まず、上記インプリントモールド用ブランクス1(図1,図5(C)参照)を準備し、凸構造部21の上面のハードマスク層3上に、インプリントモールド10の凹凸パターン11に対応するレジストパターン51を形成する(図6(A)参照)。なお、インプリントモールド用ブランクス1が、凸構造部21の上面にハードマスク層3が設けられていない態様のものであれば、予めハードマスク層3を設けておく。
In the imprint mold manufacturing method in the present embodiment, first, the imprint mold blanks 1 (see FIGS. 1 and 5C) are prepared, and the
レジストパターン51は、当該レジストパターン51に対応する開口部及び遮光部を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー方法により形成されてもよいし、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィー方法により形成されてもよいし、レジストパターン51に対応する凹凸パターンを有するマスターモールドを用いたインプリント方法により形成されてもよい。 The resist pattern 51 may be formed by a photolithography method using a photomask having an opening and a light shielding portion corresponding to the resist pattern 51, or may be formed by an electron beam lithography method using an electron beam drawing apparatus. Alternatively, it may be formed by an imprint method using a master mold having a concavo-convex pattern corresponding to the resist pattern 51.
そして、レジストパターン51をマスクとしてハードマスク層3をエッチングしてハードマスクパターン52を形成し(図6(B)参照)、当該ハードマスクパターン52をマスクとして凸構造部21の上面をエッチングすることで、凹凸パターン11を形成する。このようにして、本実施形態におけるインプリントモールド10(図4参照)を製造することができる。
Then, the
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
上記実施形態において、インプリントモールド用ブランクス1の凸構造部21の上面にハードマスク層3が設けられている態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、当該ハードマスク層3は設けられていなくてもよい。
In the said embodiment, although the aspect in which the
本発明は、半導体デバイスの製造過程等において用いられるインプリントモールドを製造する方法等として有用である。 The present invention is useful as a method of manufacturing an imprint mold used in a manufacturing process of a semiconductor device.
1…インプリントモールド用ブランクス
2…基部
21…凸構造部
22…マーク構造体
10…インプリントモールド
11…凹凸パターン
DESCRIPTION OF
Claims (15)
第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基部と、
前記基部の前記第1面から突出する凸構造部と、
前記基部の前記第1面上に設けられてなり、凹凸構造により構成されるマーク構造体と
を備え、
前記凸構造部の周壁は、前記第1面から所定の角度をもって立ち上がる実質的な平坦面により構成され、
前記マーク構造体を構成する凹凸構造の凸部の頂部が、前記凸構造部の上面よりも前記第1面側に位置するインプリントモールド用ブランクス。 Blanks for imprint molds used for producing imprint molds,
A base having a first surface and a second surface opposite the first surface;
A convex structure protruding from the first surface of the base;
A mark structure which is provided on the first surface of the base and is configured by an uneven structure;
The peripheral wall of the convex structure portion is configured by a substantially flat surface that rises at a predetermined angle from the first surface,
An imprint mold blank in which a top portion of a convex portion of the concavo-convex structure constituting the mark structure is positioned closer to the first surface than an upper surface of the convex structure portion.
第1面及び当該第1面に対向する第2面を有する基材であって、前記基材の前記第1面にハードマスク層が形成されてなる基材を準備する工程と、
前記ハードマスク層上に前記凸構造部及び前記マーク構造体のそれぞれに対応するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層をエッチングすることで、前記凸構造部及び前記マーク構造体のそれぞれに対応するハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンをマスクとして前記基材の前記第1面にドライエッチング処理を施す工程と
を含み、
前記マーク構造体を構成する凹凸構造の凸部の頂部が、前記凸構造部の上面よりも前記第1面側に位置するようなエッチング条件にて前記基材の前記第1面にドライエッチング処理を施すインプリントモールド用ブランクスの製造方法。 A base portion having a first surface and a second surface facing the first surface, a convex structure portion projecting from the first surface of the base portion, and a concavo-convex structure provided on the first surface of the base portion A method for producing imprint mold blanks comprising a mark structure comprising:
Preparing a base material having a first surface and a second surface facing the first surface, wherein a hard mask layer is formed on the first surface of the base material;
Forming a resist pattern corresponding to each of the convex structure portion and the mark structure on the hard mask layer;
Etching the hard mask layer using the resist pattern as a mask to form a hard mask pattern corresponding to each of the convex structure portion and the mark structure;
Performing a dry etching process on the first surface of the base material using the hard mask pattern as a mask,
Dry etching treatment is performed on the first surface of the base material under etching conditions such that the top of the convex portion of the concavo-convex structure constituting the mark structure is located closer to the first surface than the upper surface of the convex structure portion A method for manufacturing imprint mold blanks.
請求項8に記載のインプリントモールド用ブランクスの前記凸構造部上に設けられている前記ハードマスク層上に、複数の凹状溝部及び凸部を含むレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記凸構造部上の前記ハードマスクをエッチングすることで、ハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンをマスクとして前記凸構造部をエッチングすることで、前記凸構造部上に凹凸パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 A method of manufacturing an imprint mold,
Forming a resist pattern including a plurality of concave grooves and convex portions on the hard mask layer provided on the convex structure portion of the blank for imprint mold according to claim 8;
Etching the hard mask on the convex structure portion using the resist pattern as a mask to form a hard mask pattern;
Etching the convex structure portion using the hard mask pattern as a mask to form a concave / convex pattern on the convex structure portion.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230205080A1 (en) * | 2021-12-27 | 2023-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009226660A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | Method for patterning by dry etching, mold used for it and method for manufacturing inkjet head |
JP2011029642A (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography template |
JP5445714B2 (en) * | 2013-10-11 | 2014-03-19 | 大日本印刷株式会社 | Mold for nanoimprint lithography and method for manufacturing the same |
-
2017
- 2017-07-21 JP JP2017142284A patent/JP6988223B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009226660A (en) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | Method for patterning by dry etching, mold used for it and method for manufacturing inkjet head |
JP2011029642A (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography template |
JP5445714B2 (en) * | 2013-10-11 | 2014-03-19 | 大日本印刷株式会社 | Mold for nanoimprint lithography and method for manufacturing the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230205080A1 (en) * | 2021-12-27 | 2023-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article |
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