JP2019021877A - Wiring board and planar transformer - Google Patents

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Abstract

To provide a wiring board capable of increasing a diameter of a connection conductor, and suppressing occurrence of a defect in an insulation layer and generation of a void in the connection conductor.SOLUTION: A wiring board comprises: at least one insulation layer having a surface and a rear surface; a first wiring layer arranged on a surface side of the at least one insulation layer; a second wiring layer arranged on a rear surface side of the insulation layer in which the first wiring layer is arranged; and a connection conductor electrically connecting the first wiring layer and the second wiring layer. The insulation layer includes a through hole penetrating this insulation layer in a thickness direction. The connection conductor includes metallic grains arranged in the through hole, and a junction part joining the grains, the first wiring layer, and the second wiring layer.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、配線基板及びプレーナトランスに関する。   The present disclosure relates to a wiring board and a planar transformer.

複数の絶縁層と複数の配線層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法として、金属ペーストを絶縁層上に印刷し、焼成して配線層を形成する方法が知られている(特許文献1参照)。この方法では、複数の配線層同士を導通する接続導体であるビアも金属ペーストの焼成により形成される。   As a method for manufacturing a multilayer wiring board in which a plurality of insulating layers and a plurality of wiring layers are alternately stacked, a method of forming a wiring layer by printing a metal paste on the insulating layer and baking it is known (Patent Document). 1). In this method, vias, which are connection conductors for conducting a plurality of wiring layers, are also formed by firing a metal paste.

特開平6−204039号公報JP-A-6-204039

上述の多層配線基板において、電気抵抗を低減するため、配線層の厚肉化と合わせて接続導体の大径化が求められることがある。しかし、上述の方法で大径の接続導体を形成すると、接続導体の形成材料と絶縁層との熱膨張率の差異に起因して焼成時に応力が発生し、絶縁層にクラック等の欠陥が発生しやすい。また、接続導体内部に空隙(いわゆるボイド)が発生し、接続導体の形成が困難になる場合がある。   In the multilayer wiring board described above, in order to reduce electrical resistance, it is sometimes required to increase the diameter of the connecting conductor in conjunction with increasing the thickness of the wiring layer. However, when a large-diameter connection conductor is formed by the method described above, stress is generated during firing due to the difference in thermal expansion coefficient between the connection conductor forming material and the insulating layer, and defects such as cracks are generated in the insulating layer. It's easy to do. In addition, voids (so-called voids) are generated inside the connection conductor, which may make it difficult to form the connection conductor.

本開示の一局面は、接続導体を大径化しつつ、絶縁層における欠陥の発生や接続導体内のボイドの発生を抑制できる配線基板を提供することを目的とする。   One aspect of the present disclosure aims to provide a wiring board capable of suppressing generation of defects in an insulating layer and generation of voids in the connection conductor while increasing the diameter of the connection conductor.

本開示の一態様は、表面及び裏面を有する少なくとも1つの絶縁層と、少なくとも1つの絶縁層の表面側に配置された第1配線層と、第1配線層が配置された絶縁層の裏面側に配置された第2配線層と、第1配線層と第2配線層とを電気的に接続する接続導体と、を備える配線基板である。絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有する。接続導体は、貫通孔内に配置される金属製の粒体と、粒体と第1配線層及び第2配線層とを接合する接合部と、を有する。   One embodiment of the present disclosure includes at least one insulating layer having a front surface and a back surface, a first wiring layer disposed on a front surface side of the at least one insulating layer, and a back surface side of the insulating layer on which the first wiring layer is disposed And a connection conductor that electrically connects the first wiring layer and the second wiring layer to each other. The insulating layer has a through hole penetrating the insulating layer in the thickness direction. The connection conductor includes a metal particle disposed in the through hole, and a joint that joins the particle, the first wiring layer, and the second wiring layer.

このような構成によれば、金属製の粒体を接合部によって配線層と接合した接続導体を用いることで、接続導体内のボイドの発生が抑制される。また、接続導体の焼成の必要がないため、絶縁層と接続導体との熱膨張率の差異に起因する応力が抑制され、かつ接合部の接合時の応力も粒体によって緩衝される。そのため、絶縁層にクラックや破損等の欠陥が発生することも抑制される。したがって、接続導体の大径化が容易になる。   According to such a structure, generation | occurrence | production of the void in a connection conductor is suppressed by using the connection conductor which joined the metal particle | grains with the wiring layer by the junction part. Further, since there is no need to fire the connection conductor, the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer and the connection conductor is suppressed, and the stress at the time of joining the joint is also buffered by the granules. Therefore, the occurrence of defects such as cracks and breakage in the insulating layer is also suppressed. Therefore, it is easy to increase the diameter of the connection conductor.

本開示の一態様では、接続導体において、粒体の総体積は、接合部の総体積よりも小さくてもよい。このような構成によれば、接合部による接合強度が高まるので、接続導体の接続信頼性を向上することができる。   In one aspect of the present disclosure, in the connection conductor, the total volume of the particles may be smaller than the total volume of the joint portion. According to such a structure, since the joint strength by a junction part increases, the connection reliability of a connection conductor can be improved.

本開示の一態様では、粒体は、貫通孔を構成する絶縁層の内壁に固定されていなくてもよい。このような構成によれば、粒体が接合部によって絶縁層と固定されていないため、粒体を含む接続導体と絶縁層とがそれぞれ個別に変位するので、接続導体と絶縁層との間の熱膨張率の差異に起因する応力の発生を抑制できる。   In one aspect of the present disclosure, the particles may not be fixed to the inner wall of the insulating layer that forms the through hole. According to such a configuration, since the particles are not fixed to the insulating layer by the joint portion, the connecting conductor including the particles and the insulating layer are individually displaced. Generation of stress due to a difference in thermal expansion coefficient can be suppressed.

本開示の一態様では、第1配線層及び第2配線層の少なくとも一方は、隣接する絶縁層と固定されていない非固定領域と、隣接する絶縁層と固定されている固定領域とを有してもよい。または、第1配線層及び第2配線層は、隣接する絶縁層と固定されていなくてもよい。このような構成によれば、温度変化によって配線層及び絶縁層が膨張又は収縮した際に、熱膨張率の差異による配線層と絶縁層との変形量の差を絶縁層と固定されない非固定領域によって吸収できる。そのため、絶縁層と配線層との間で発生する応力が低減され、絶縁層におけるクラック等の欠陥が抑制される。   In one aspect of the present disclosure, at least one of the first wiring layer and the second wiring layer includes a non-fixed region that is not fixed to the adjacent insulating layer and a fixed region that is fixed to the adjacent insulating layer. May be. Alternatively, the first wiring layer and the second wiring layer may not be fixed to the adjacent insulating layer. According to such a configuration, when the wiring layer and the insulating layer expand or contract due to a temperature change, a non-fixed region where the difference in deformation amount between the wiring layer and the insulating layer due to the difference in thermal expansion coefficient is not fixed to the insulating layer. Can be absorbed by. Therefore, the stress generated between the insulating layer and the wiring layer is reduced, and defects such as cracks in the insulating layer are suppressed.

本開示の一態様では、第1配線層及び第2配線層は、銅を主成分としてもよい。このような構成によれば、低コストで高い電気伝導性及び高い熱伝導性を有する信頼性の高い配線板を得ることができる。
本開示の一態様では、粒体の材質は、第1配線層及び第2配線層の主成分と同じであってもよい。このような構成によれば、粒体と配線層との熱膨張率が同じになるため、温度変化時に接続導体と配線層との間に発生する応力を低減できる。
In one aspect of the present disclosure, the first wiring layer and the second wiring layer may contain copper as a main component. According to such a configuration, a highly reliable wiring board having high electrical conductivity and high thermal conductivity can be obtained at low cost.
In one aspect of the present disclosure, the material of the granules may be the same as the main component of the first wiring layer and the second wiring layer. According to such a configuration, since the thermal expansion coefficients of the particles and the wiring layer are the same, the stress generated between the connection conductor and the wiring layer when the temperature changes can be reduced.

本開示の一態様では、絶縁層は、セラミックを主成分としてもよい。このような構成によれば、絶縁層の平坦性が向上されるので、絶縁層に配線を高密度に配置することができる。さらに、高い絶縁性も得ることができる。   In one embodiment of the present disclosure, the insulating layer may include ceramic as a main component. According to such a configuration, since the flatness of the insulating layer is improved, wirings can be arranged in the insulating layer with high density. Furthermore, high insulation can also be obtained.

実施形態の配線基板の模式的な断面図である。It is a typical sectional view of a wiring board of an embodiment. 図1の配線基板における接続導体近傍の模式的な部分拡大断面図である。It is a typical partial expanded sectional view of the connection conductor vicinity in the wiring board of FIG. 図1の配線基板の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the wiring board of FIG. 図1とは異なる実施形態における配線基板の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of the wiring board in embodiment different from FIG.

以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
[1.第1実施形態]
[1−1.配線基板]
図1に示す配線基板1は、複数の絶縁層(第1絶縁層2及び第2絶縁層3)と、複数の配線層(第1配線層4、第2配線層5及び第3配線層6)と、複数の配線層間を接続する複数の接続導体7と、複数の配線層固定部材9とを備える。
Hereinafter, embodiments to which the present disclosure is applied will be described with reference to the drawings.
[1. First Embodiment]
[1-1. Wiring board]
A wiring board 1 shown in FIG. 1 includes a plurality of insulating layers (first insulating layer 2 and second insulating layer 3) and a plurality of wiring layers (first wiring layer 4, second wiring layer 5, and third wiring layer 6). ), A plurality of connection conductors 7 for connecting a plurality of wiring layers, and a plurality of wiring layer fixing members 9.

なお、本実施形態では、本開示の一例として2つの絶縁層と3つの配線層とを備える多層構造の配線基板1を説明するが、本開示の配線基板における絶縁層及び配線層の数はこれに限定されない。   In the present embodiment, a multilayered wiring board 1 including two insulating layers and three wiring layers will be described as an example of the present disclosure. The number of insulating layers and wiring layers in the wiring board of the present disclosure is as follows. It is not limited to.

配線基板1は、配線層のパターンの設計により、トランス(つまり変圧器)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、発光ダイオード(LED)照明装置、パワートランジスタ、モーター等の用途に使用される。配線基板1は、高電圧及び大電流の用途に特に好適に使用できる。   The wiring board 1 is used for applications such as a transformer (that is, a transformer), an insulated gate bipolar transistor (IGBT), a light emitting diode (LED) lighting device, a power transistor, and a motor, depending on the design of the wiring layer pattern. The wiring board 1 can be particularly suitably used for high voltage and large current applications.

<絶縁層>
第1絶縁層2及び第2絶縁層3は、それぞれ表面及び裏面を有する。また、第1絶縁層2及び第2絶縁層3は、それぞれセラミックを主成分とする。なお、「主成分」とは、80質量%以上含有される成分を意味する。
<Insulating layer>
The first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 each have a front surface and a back surface. The first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 are mainly composed of ceramic. The “main component” means a component contained in an amount of 80% by mass or more.

第1絶縁層2及び第2絶縁層3を構成するセラミックとしては、例えばアルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramic)等が挙げられる。これらのセラミックは単体で、又は2種以上組み合わせて使用することができる。   Examples of the ceramic constituting the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 include alumina, beryllia, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, silicon carbide, LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic), and the like. These ceramics can be used alone or in combination of two or more.

第1絶縁層2は、その表面側に隣接する第1配線層4が配置され、その裏面側に隣接する第2配線層5が配置されている。第2絶縁層3は、第1絶縁層2の表面側に第1配線層4を介して配置されており、その表面側に隣接する第3配線層6が配置されている。   The first insulating layer 2 has a first wiring layer 4 adjacent to the front surface side and a second wiring layer 5 adjacent to the back surface side. The second insulating layer 3 is arranged on the surface side of the first insulating layer 2 via the first wiring layer 4, and the third wiring layer 6 adjacent to the surface side is arranged.

第1絶縁層2及び第2絶縁層3は、それぞれ第1絶縁層2及び第2絶縁層3を厚み方向に貫通する少なくとも1つの貫通孔2A,3Aを有する。貫通孔2A,3Aはいわゆる配線層間を電気的に接続するビアが形成されるビアホールである。本実施形態では、第1絶縁層2の貫通孔2A及び第2絶縁層3の貫通孔3Aは、絶縁層2,3の厚み方向から視て(つまり平面視で)同じ位置に設けられており、同じ径を有する。   The first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 have at least one through-hole 2A, 3A that penetrates the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 in the thickness direction, respectively. The through holes 2A and 3A are via holes in which vias for electrically connecting so-called wiring layers are formed. In the present embodiment, the through hole 2A of the first insulating layer 2 and the through hole 3A of the second insulating layer 3 are provided at the same position as viewed from the thickness direction of the insulating layers 2 and 3 (that is, in plan view). Have the same diameter.

<配線層>
第1配線層4、第2配線層5及び第3配線層6は、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、白金、ニッケル、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コスト、導電性、熱伝導性、及び強度の観点から、銅が好ましい。したがって、各配線層4,5,6として、銅箔又は銅板が好適に使用できる。
<Wiring layer>
The 1st wiring layer 4, the 2nd wiring layer 5, and the 3rd wiring layer 6 have electroconductivity, and contain a metal as a main component. Examples of the metal include copper, aluminum, silver, gold, platinum, nickel, titanium, chromium, molybdenum, tungsten, and alloys thereof. Among these, copper is preferable from the viewpoints of cost, conductivity, thermal conductivity, and strength. Therefore, a copper foil or a copper plate can be suitably used as each wiring layer 4, 5, 6.

第1配線層4は、第1絶縁層2の表面側に配置されている。第1配線層4は、隣接する第1絶縁層2と固定されている固定領域Aと、隣接する第1絶縁層2と固定されていない非固定領域Bとを有する。なお、第1配線層4は、2つの絶縁層2,3の間に配置された内部配線層である。   The first wiring layer 4 is disposed on the surface side of the first insulating layer 2. The first wiring layer 4 has a fixed region A that is fixed to the adjacent first insulating layer 2 and a non-fixed region B that is not fixed to the adjacent first insulating layer 2. The first wiring layer 4 is an internal wiring layer disposed between the two insulating layers 2 and 3.

第2配線層5は、第1絶縁層2の裏面側に配置されている。第3配線層6は、第2絶縁層3の表面側に配置されている。第2配線層5及び第3配線層6は、第1配線層4と同様、隣接する絶縁層と固定されている固定領域Aと、隣接する絶縁層と固定されていない非固定領域Bとを有する。固定領域A及び非固定領域Bの詳細については後述する。   The second wiring layer 5 is disposed on the back side of the first insulating layer 2. The third wiring layer 6 is disposed on the surface side of the second insulating layer 3. Similar to the first wiring layer 4, the second wiring layer 5 and the third wiring layer 6 include a fixed region A that is fixed to the adjacent insulating layer and a non-fixed region B that is not fixed to the adjacent insulating layer. Have. Details of the fixed area A and the non-fixed area B will be described later.

<接続導体>
複数の接続導体7は、第1絶縁層2の貫通孔2A内と、第2絶縁層3の貫通孔3A内とに配置されている。接続導体7は、第1配線層4と、第2配線層5又は第3配線層6とを電気的に接続するいわゆるビアである。また、接続導体7は、第1配線層4と、第2配線層5又は第3配線層6と接合されている。
<Connection conductor>
The plurality of connection conductors 7 are disposed in the through hole 2 </ b> A of the first insulating layer 2 and in the through hole 3 </ b> A of the second insulating layer 3. The connection conductor 7 is a so-called via that electrically connects the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5 or the third wiring layer 6. The connection conductor 7 is joined to the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5 or the third wiring layer 6.

接続導体7は、図2に示すように、金属製の粒体7Aと、接合部7Bとを有する。以下では、第1絶縁層2の貫通孔2A内に配置された接続導体7について説明するが、以下の説明は、第2絶縁層3の貫通孔3A内に配置された接続導体7についても同様である。   As shown in FIG. 2, the connection conductor 7 includes metal particles 7 </ b> A and a joint portion 7 </ b> B. Below, although the connection conductor 7 arrange | positioned in the through-hole 2A of the 1st insulating layer 2 is demonstrated, the following description is the same also about the connection conductor 7 arrange | positioned in the through-hole 3A of the 2nd insulating layer 3. It is.

粒体7Aは、金属製の個体粒の集合体である。粒体7Aは、貫通孔2A内に配置されている。粒体7Aは、接合部7Bを介して第1配線層4と第2配線層5とを電気的に接続する。   The particle body 7A is an aggregate of metal individual particles. The granule 7A is disposed in the through hole 2A. The granule 7A electrically connects the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5 through the joint 7B.

粒体7Aの材質は特に限定されず、第1配線層4及び第2配線層5に使用可能な金属と同じものが使用できる。ただし、粒体7Aの材質は、第1配線層4及び第2配線層5の主成分と同じとすることが好ましい。これにより、温度変化時に接続導体7と配線層4,5との間に発生する応力を低減できる。   The material of the granule 7A is not particularly limited, and the same metal that can be used for the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5 can be used. However, the material of the granule 7A is preferably the same as the main components of the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5. Thereby, the stress which generate | occur | produces between the connection conductor 7 and the wiring layers 4 and 5 at the time of a temperature change can be reduced.

粒体7Aを構成する各粒の形状は特に限定されず、球体、多面体等とすることができる。また、各粒はすべて同形である必要はなく、粒体7Aは、大きさや形状が異なる粒を含んでもよい。   The shape of each particle constituting the particle body 7A is not particularly limited, and may be a sphere, a polyhedron, or the like. Further, it is not necessary that all the grains have the same shape, and the grain body 7A may include grains having different sizes and shapes.

なお、粒体7Aの最大幅は、例えば貫通孔2Aの直径の1/2以下、好ましくは1/10以下である。また、粒体7Aの最大幅の下限は、例えば貫通孔2Aの直径の1/100である。   The maximum width of the granular material 7A is, for example, ½ or less, preferably 1/10 or less of the diameter of the through hole 2A. Further, the lower limit of the maximum width of the granule 7A is, for example, 1/100 of the diameter of the through hole 2A.

粒体7Aは、接合部7Bによって、貫通孔2A内に保持されている。貫通孔2A内では、粒体7Aの粒同士が当接していてもよい。また、粒体7Aは、接合部7Bから突出した粒や、第1配線層4又は第2配線層5に当接する粒を含んでもよい。   The granule 7A is held in the through hole 2A by the joint 7B. Within the through-hole 2A, the grains 7A may be in contact with each other. The granular body 7A may include a grain protruding from the joint 7B or a grain that comes into contact with the first wiring layer 4 or the second wiring layer 5.

接合部7Bは、導電性を有し、粒体7Aと第1配線層4及び第2配線層5とを電気的に接続する。接合部7Bは、例えば銀−銅合金などの金属ロウ材や、錫−銀−銅合金等の半田材によって構成される。   The joint portion 7B has conductivity, and electrically connects the granule 7A to the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5. The joint portion 7B is made of, for example, a metal brazing material such as silver-copper alloy or a solder material such as tin-silver-copper alloy.

接合部7Bは、図2に示すように、粒体7Aの各粒の外面と接合されると共に、第1配線層4及び第2配線層5と接合されている。つまり、接合部7Bは、粒体7Aと第1配線層4及び第2配線層5とを接合している。   As shown in FIG. 2, the joint portion 7 </ b> B is joined to the outer surface of each grain of the granule 7 </ b> A and to the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5. That is, the joint portion 7B joins the particles 7A to the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5.

また、接合部7Bは、第1絶縁層2には接合されていない。つまり、粒体7Aは、貫通孔2Aを構成する第1絶縁層2の内壁に固定されていない。また、接続導体7と貫通孔2Aを構成する第1絶縁層2の内壁との間には空隙が存在する。   Further, the bonding portion 7B is not bonded to the first insulating layer 2. That is, the granular material 7A is not fixed to the inner wall of the first insulating layer 2 constituting the through hole 2A. Further, a gap exists between the connection conductor 7 and the inner wall of the first insulating layer 2 constituting the through hole 2A.

1つの接続導体7において、粒体7Aの総体積は、接合部7Bの総体積よりも小さい。したがって、接続信頼性の観点から、接合部7B内に粒体7Aが分散するように配置されるとよい。   In one connection conductor 7, the total volume of the granules 7A is smaller than the total volume of the joint 7B. Therefore, from the viewpoint of connection reliability, it is preferable that the particles 7A be dispersed in the joint 7B.

1つの接続導体7の体積(つまり、粒体7Aの総体積と接合部7Bの総体積との和)に対する粒体7Aの総体積の割合の下限としては、30%が好ましく、50%がより好ましい。一方、上記割合の上限としては、95%が好ましく、75%がより好ましい。上記割合が小さすぎると、接続導体7の骨格が小さくなり、接続導体7の形成が困難になるおそれがある。逆に、上記割合が大きすぎると、接合部7Bによる接合強度が低下して接続信頼性が不十分となるおそれがある。   The lower limit of the ratio of the total volume of the particles 7A to the volume of one connection conductor 7 (that is, the sum of the total volume of the particles 7A and the total volume of the joint 7B) is preferably 30%, more preferably 50%. preferable. On the other hand, the upper limit of the ratio is preferably 95% and more preferably 75%. When the said ratio is too small, there exists a possibility that the frame | skeleton of the connection conductor 7 may become small and formation of the connection conductor 7 may become difficult. On the other hand, if the ratio is too large, the bonding strength by the bonding portion 7B is lowered, and the connection reliability may be insufficient.

<配線層固定部材>
複数の配線層固定部材9は、図1に示すように、第1配線層4、第2配線層5、又は第3配線層6と第1絶縁層2又は第2絶縁層3との間にそれぞれ配置されている。
<Wiring layer fixing member>
As shown in FIG. 1, the plurality of wiring layer fixing members 9 are provided between the first wiring layer 4, the second wiring layer 5, or the third wiring layer 6 and the first insulating layer 2 or the second insulating layer 3. Each is arranged.

複数の配線層固定部材9は、例えば接続導体7の接合部7Bと同様の金属ロウ材又は半田材によって構成される。第1配線層4は、複数の配線層固定部材9によって、隣接する第1絶縁層2及び第2絶縁層3に固定されている。   The plurality of wiring layer fixing members 9 are made of, for example, a metal brazing material or a solder material similar to the joint portion 7B of the connection conductor 7. The first wiring layer 4 is fixed to the adjacent first insulating layer 2 and second insulating layer 3 by a plurality of wiring layer fixing members 9.

<固定領域及び非固定領域>
上述のように、複数の配線層4,5,6は、それぞれ、固定領域Aと、非固定領域Bとを有する。本実施形態では、各配線層4,5,6の固定領域A及び非固定領域Bは、平面視で同じ位置に配置されている。以下では第1配線層4を用いて各領域の説明をするが、以下の説明は他の配線層についても同様である。
<Fixed area and non-fixed area>
As described above, each of the plurality of wiring layers 4, 5, 6 has the fixed region A and the non-fixed region B. In the present embodiment, the fixed area A and the non-fixed area B of each wiring layer 4, 5, 6 are arranged at the same position in plan view. Hereinafter, each region will be described using the first wiring layer 4, but the following description is the same for the other wiring layers.

固定領域Aは、第1配線層4が第1絶縁層2に固定された領域である。具体的には、図1に示すように、第1配線層4において、複数の配線層固定部材9が接合された領域が固定領域Aをそれぞれ構成する。固定領域Aの平面形状は特に限定されない。   The fixed region A is a region where the first wiring layer 4 is fixed to the first insulating layer 2. Specifically, as shown in FIG. 1, in the first wiring layer 4, regions where a plurality of wiring layer fixing members 9 are joined constitute fixing regions A, respectively. The planar shape of the fixed region A is not particularly limited.

複数の配線層固定部材9が接合されていない領域は、非固定領域Bに含まれる。本実施形態では、各接続導体7が各絶縁層2,3に接合されていないので、各配線層4,5,6における接続導体7との接合部分は、非固定領域Bに含まれる。   A region where the plurality of wiring layer fixing members 9 are not joined is included in the non-fixed region B. In the present embodiment, since each connection conductor 7 is not bonded to each insulating layer 2, 3, the connection portion of each wiring layer 4, 5, 6 with the connection conductor 7 is included in the non-fixed region B.

第1配線層4の厚み方向から視た固定領域Aの重心から外縁までの最大距離は、それぞれ、7mm以下が好ましく、5mm以下がより好ましい。上記最大距離が大きすぎると、絶縁層と配線層との熱膨張率の差異に起因したクラックや破損が第1絶縁層2及び第2絶縁層3に発生するおそれがある。   The maximum distance from the center of gravity of the fixed region A to the outer edge viewed from the thickness direction of the first wiring layer 4 is preferably 7 mm or less, and more preferably 5 mm or less. If the maximum distance is too large, cracks and breakage due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layer and the wiring layer may occur in the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3.

なお、「固定領域の重心から外縁までの最大距離」は、固定領域の重心から固定領域の外縁まで伸ばした線分(以下、延伸線分ともいう。)のうち、最も長い延伸線分の長さを意味する。なお、固定領域内に非固定領域が含まれる場合(例えば固定領域が環状の場合)は、まず、固定領域内に含まれる非固定領域を含んだ仮想の重心を定め、上記延伸線分を取得する。次に、取得した上記延伸線分のうち非固定領域を通る部分はその長さから除外する。つまり、上記延伸線分の長さは、固定領域内に含まれる部分のみの長さとする。   Note that the “maximum distance from the center of gravity of the fixed region to the outer edge” is the length of the longest stretched line segment from the center of gravity of the fixed region to the outer edge of the fixed region (hereinafter also referred to as a stretched line segment). Means. When a non-fixed area is included in the fixed area (for example, when the fixed area is circular), first, a virtual center of gravity including the non-fixed area included in the fixed area is determined, and the above-described stretched line segment is obtained. To do. Next, the part which passes through a non-fixed area | region among the acquired said extending line segments is excluded from the length. That is, the length of the stretched line segment is the length of only the portion included in the fixed region.

なお、非固定領域Bにおいて、本実施形態では、各配線層4,5,6は、第1絶縁層2又は第2絶縁層3と離間しているが、各配線層4,5,6は、第1絶縁層2又は第2絶縁層3に当接していてもよい。つまり、非固定領域Bでは、配線層と絶縁層とが面方向にそれぞれ個別に変位できれば、各図に示されるように、配線層と絶縁層とが離間せずに、当接していてもよい。   In the present embodiment, in the non-fixed region B, the wiring layers 4, 5, 6 are separated from the first insulating layer 2 or the second insulating layer 3, but the wiring layers 4, 5, 6 are The first insulating layer 2 or the second insulating layer 3 may be in contact. That is, in the non-fixed region B, as shown in each drawing, the wiring layer and the insulating layer may be in contact with each other as long as the wiring layer and the insulating layer can be individually displaced in the plane direction. .

[1−2.配線基板の製造方法]
次に、配線基板1の製造方法について説明する。
配線基板1は、図3に示す貫通孔形成工程S1と、粒体配置工程S2と、層配置工程S3と、接合工程S4とを備える製造方法によって得られる。
[1-2. Wiring board manufacturing method]
Next, a method for manufacturing the wiring board 1 will be described.
The wiring substrate 1 is obtained by a manufacturing method including the through-hole forming step S1, the grain arranging step S2, the layer arranging step S3, and the joining step S4 shown in FIG.

<貫通孔形成工程>
本工程では、複数の絶縁層を形成すると共に、これらの絶縁層に、これらの絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を形成する。
<Through hole formation process>
In this step, a plurality of insulating layers are formed, and through holes that penetrate these insulating layers in the thickness direction are formed in these insulating layers.

本工程では、最初に未焼結セラミックをセラミック基板状に成形する。具体的には、まず、セラミック粉末、有機バインダ、溶剤、及び可塑剤等の添加剤を混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーを周知の方法によりシート状に成形することで、基板状の未焼結セラミック(いわゆるセラミックグリーンシート)が得られる。   In this step, first, an unsintered ceramic is formed into a ceramic substrate. Specifically, first, ceramic powder, an organic binder, a solvent, and additives such as a plasticizer are mixed to obtain a slurry. Next, this slurry is formed into a sheet by a known method, whereby a substrate-like unsintered ceramic (so-called ceramic green sheet) is obtained.

得られたセラミックグリーンシートに対し、穿設等により、貫通孔2A,3Aを設ける。その後、セラミックグリーンシートを焼結する。これにより、セラミック製の絶縁層2,3が形成される。   Through holes 2A and 3A are provided by drilling or the like in the obtained ceramic green sheet. Thereafter, the ceramic green sheet is sintered. Thereby, ceramic insulating layers 2 and 3 are formed.

<粒体配置工程>
本工程では、各貫通孔2A,3A内に、粒体7Aと、接合部7Bとを配置する。具体的には、例えば粒体7Aと接合部7Bを構成する金属ロウ材又は半田材とを溶剤と混合したペーストを、ディスペンサ等によって各貫通孔2A,3A内に配置する。なお、図2に示す互いに接合された状態の粒体7Aと接合部7Bとを各貫通孔2A,3A内に配置してもよい。また、粒体7Aに含まれる複数の固体粒のそれぞれに対し、表面に金属ロウ材等の接合部7Bがコーティングされた状態の粒体7Aを各貫通孔2A,3A内に配置してもよい。
<Granule arrangement process>
In this step, the granules 7A and the joints 7B are disposed in the through holes 2A and 3A. Specifically, for example, a paste prepared by mixing a particle 7A and a metal brazing material or solder material constituting the joint 7B with a solvent is disposed in each of the through holes 2A and 3A by a dispenser or the like. In addition, you may arrange | position the particle body 7A and the junction part 7B which were mutually joined shown in FIG. 2 in each through-hole 2A, 3A. Further, for each of the plurality of solid particles included in the particle 7A, the particle 7A having a surface coated with a joint 7B such as a metal brazing material may be disposed in each of the through holes 2A and 3A. .

<層配置工程>
本工程では、粒体7A及び接合部7Bを配置した各絶縁層2,3と各配線層4,5,6とを交互に重ね合わせる。
<Layer arrangement process>
In this step, the insulating layers 2 and 3 on which the grains 7A and the joints 7B are arranged and the wiring layers 4, 5, and 6 are alternately overlapped.

つまり、本工程では、第1絶縁層2の表面側に第1配線層4を配置し、第1絶縁層2の裏面側に第2配線層5を配置する。また、第1配線層4の表面側に第2絶縁層3を配置し、第2絶縁層3の表面側に第3配線層6を配置する。また、各層の間に複数の配線層固定部材9を配置する。   That is, in this step, the first wiring layer 4 is disposed on the front surface side of the first insulating layer 2, and the second wiring layer 5 is disposed on the back surface side of the first insulating layer 2. The second insulating layer 3 is disposed on the surface side of the first wiring layer 4, and the third wiring layer 6 is disposed on the surface side of the second insulating layer 3. Further, a plurality of wiring layer fixing members 9 are arranged between the layers.

なお、層配置工程S3は、粒体配置工程S2の前に行ってもよい。また、粒体配置工程S2と、層配置工程S3とを同時に行ってもよい。例えば、第2配線層5を第1絶縁層2の裏面側に配置した後、粒体7A及び接合部7Bを貫通孔2A内に配置し、その後、第1配線層4を第1絶縁層2の表面側に配置してもよい。   In addition, you may perform layer arrangement | positioning process S3 before the granule arrangement | positioning process S2. Moreover, you may perform granule arrangement | positioning process S2 and layer arrangement | positioning process S3 simultaneously. For example, after the second wiring layer 5 is disposed on the back surface side of the first insulating layer 2, the particles 7 </ b> A and the joint 7 </ b> B are disposed in the through hole 2 </ b> A. You may arrange | position on the surface side of.

<接合工程>
本工程では、接合部7Bを溶融及び固化し、粒体7Aと第1配線層4及び第2配線層5とを接合する。
<Joint process>
In this step, the bonding portion 7B is melted and solidified, and the particles 7A are bonded to the first wiring layer 4 and the second wiring layer 5.

具体的には、層配置工程S3で得た各層を重ね合わせた積層体を加熱する。これにより、接続導体7が形成されると共に、複数の絶縁層2,3と複数の配線層4,5,6とが配線層固定部材9により接合される。   Specifically, the laminated body which laminated | stacked each layer obtained by layer arrangement | positioning process S3 is heated. Thereby, the connection conductor 7 is formed, and the plurality of insulating layers 2, 3 and the plurality of wiring layers 4, 5, 6 are joined by the wiring layer fixing member 9.

なお、配線層固定部材9は、接合部7Bと同様の金属ロウ材等を使用することができる。配線層固定部材9と絶縁層2,3との固定は絶縁層2,3の固定領域Aとなる範囲にメタライズ層(図示せず)を形成しておくことで容易に行うことができる。   The wiring layer fixing member 9 can be made of the same metal brazing material as that of the joint 7B. The wiring layer fixing member 9 and the insulating layers 2 and 3 can be fixed easily by forming a metallized layer (not shown) in a range that becomes the fixing region A of the insulating layers 2 and 3.

また、上述の接合工程において、接合部7Bを溶融及び固化しているが、貫通孔2Aを構成する絶縁層2の内壁と粒体7Aとの間は、接合部7Bによって固定されていない。これは、貫通孔2Aを構成する絶縁層2の内壁面に金属層を形成しないことで、接合部7Bの濡れ広がりを防止しているためである。   Moreover, in the above-mentioned joining process, the joining part 7B is melted and solidified, but the inner wall of the insulating layer 2 constituting the through hole 2A and the granule 7A are not fixed by the joining part 7B. This is because the metal layer is not formed on the inner wall surface of the insulating layer 2 constituting the through-hole 2A, thereby preventing the joint portion 7B from spreading out.

[1−3.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1a)金属製の粒体7Aを接合部7Bによって配線層4,5,6と接合した接続導体7を用いることで、粒体7Aが接続導体7における骨格ともいえる役割を果たすため、接続導体7内のボイドの発生が抑制される。また、接続導体7が絶縁層2,3における貫通孔2A,3A内に配置された状態で、接続導体7を絶縁層と同時に又は個別で焼成して形成する必要がないため、絶縁層2,3と接続導体7との熱膨張率の差異に起因する応力が抑制され、かつ接合部7Bの接合時の応力も粒体7Aによって緩衝される。そのため、絶縁層2,3にクラックや破損等の欠陥が発生することも抑制される。したがって、接続導体7の大径化が容易になり、配線基板1を高電圧及び大電流に対応した優れた品質のトランス等として提供することができる。
[1-3. effect]
According to the embodiment detailed above, the following effects can be obtained.
(1a) By using the connection conductor 7 in which the metal particles 7A are bonded to the wiring layers 4, 5, and 6 by the bonding portion 7B, the particles 7A serve as a skeleton in the connection conductor 7, so that the connection conductor The generation of voids in 7 is suppressed. Further, since it is not necessary to form the connection conductor 7 simultaneously or separately with the insulating layer in a state where the connection conductor 7 is disposed in the through holes 2A and 3A in the insulating layers 2 and 3, the insulating layer 2 and 3 and the connection conductor 7 are restrained from the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient, and the stress at the time of joining the joint 7B is also buffered by the granule 7A. Therefore, the occurrence of defects such as cracks and breakage in the insulating layers 2 and 3 is also suppressed. Therefore, it is easy to increase the diameter of the connection conductor 7, and the wiring board 1 can be provided as an excellent quality transformer corresponding to a high voltage and a large current.

(1b)接続導体7において、粒体7Aの総体積が接合部7Bの総体積よりも小さい。そのため、接合部7Bによる接合強度が高められ、接続導体7の接続信頼性を向上することができる。   (1b) In the connection conductor 7, the total volume of the granules 7A is smaller than the total volume of the joint 7B. Therefore, the joining strength by the joining part 7B is increased, and the connection reliability of the connecting conductor 7 can be improved.

(1c)粒体7Aが、接合部7Bによって貫通孔2A,3Aを構成する絶縁層2,3の内壁に固定されていないため、粒体7Aを含む接続導体7と絶縁層2,3とがそれぞれ個別に変位できる。そのため、接続導体7と絶縁層2,3との間の熱膨張率の差異に起因する応力の発生を抑制できる。   (1c) Since the particles 7A are not fixed to the inner walls of the insulating layers 2 and 3 constituting the through holes 2A and 3A by the joint portion 7B, the connection conductor 7 including the particles 7A and the insulating layers 2 and 3 are Each can be displaced individually. Therefore, the generation of stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the connection conductor 7 and the insulating layers 2 and 3 can be suppressed.

(1e)配線層4,5,6が非固定領域Bを有するため、温度変化によって配線層4,5,6及び絶縁層2,3が膨張又は収縮した際に、配線層4,5,6と絶縁層2,3との間の熱膨張率の差異による配線層4,5,6と絶縁層2,3との変形量の差を絶縁層2,3と固定されない非固定領域Bによって吸収できる。そのため、絶縁層2,3と配線層4,5,6との間で発生する応力が低減され、絶縁層2,3におけるクラック等の欠陥が抑制される。   (1e) Since the wiring layers 4, 5, and 6 have the non-fixed region B, the wiring layers 4, 5, and 6 are expanded when the wiring layers 4, 5, and 6 and the insulating layers 2 and 3 expand or contract due to temperature changes. The difference in deformation amount between the wiring layers 4, 5, 6 and the insulating layers 2 and 3 due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating layers 2 and 3 is absorbed by the non-fixed region B that is not fixed to the insulating layers 2 and 3. it can. Therefore, the stress generated between the insulating layers 2 and 3 and the wiring layers 4, 5 and 6 is reduced, and defects such as cracks in the insulating layers 2 and 3 are suppressed.

そのため、例えば、絶縁層の主成分としてアルミナ(熱膨張率7.6×10−6m/K)を使用し、配線層の主成分として高い電気伝導性と高い熱伝導性を有する銅(熱膨張率17×10−6m/K)を使用することが可能となる。 Therefore, for example, alumina (thermal expansion coefficient 7.6 × 10 −6 m / K) is used as the main component of the insulating layer, and copper (thermal) having high electrical conductivity and high thermal conductivity as the main component of the wiring layer. An expansion coefficient of 17 × 10 −6 m / K) can be used.

(1f)第1絶縁層2及び第2絶縁層3は、それぞれセラミックを主成分とするので、各絶縁層2,3の平坦性が向上される。そのため、各絶縁層2,3に配線を高密度に配置することができる。さらに、高い絶縁性も得ることができる。これにより、配線層4,5,6に比較的大きな電流を流す場合でも、配線層4,5,6間の確実な電気的絶縁が可能となる。   (1f) Since the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 are mainly composed of ceramic, the flatness of the insulating layers 2 and 3 is improved. Therefore, wirings can be arranged at high density in each of the insulating layers 2 and 3. Furthermore, high insulation can also be obtained. Thereby, even when a relatively large current is passed through the wiring layers 4, 5, 6, reliable electrical insulation between the wiring layers 4, 5, 6 is possible.

[2.第2実施形態]
[2−1.配線基板]
図4に示す配線基板21は、複数の絶縁層(第1絶縁層2、第2絶縁層3、第3絶縁層22、第4絶縁層23、及び第5絶縁層24)と、複数の配線層(第1配線層4、第2配線層5、第3配線層6、第4配線層25、第5配線層26、及び第6配線層27)と、複数の配線層間を電気的に接続する複数の接続導体7と、複数の絶縁層固定部材10とを備える。
[2. Second Embodiment]
[2-1. Wiring board]
4 includes a plurality of insulating layers (first insulating layer 2, second insulating layer 3, third insulating layer 22, fourth insulating layer 23, and fifth insulating layer 24) and a plurality of wirings. The layers (first wiring layer 4, second wiring layer 5, third wiring layer 6, fourth wiring layer 25, fifth wiring layer 26, and sixth wiring layer 27) and a plurality of wiring layers are electrically connected. A plurality of connecting conductors 7 and a plurality of insulating layer fixing members 10.

複数の絶縁層2,3と配線層4,5,6と複数の接続導体7とは、図1の配線基板1と同じものであるため、同一の符号を付して説明を省略する。
第3絶縁層22、第4絶縁層23及び第5絶縁層24は、第1絶縁層2と同じ構成を有する。第3絶縁層22は、第1絶縁層2の表面側に配置されている。第4絶縁層23及び第5絶縁層24は、この順に第2絶縁層3の裏面側に配置されている。
The plurality of insulating layers 2 and 3, the wiring layers 4, 5 and 6, and the plurality of connection conductors 7 are the same as those of the wiring substrate 1 of FIG.
The third insulating layer 22, the fourth insulating layer 23, and the fifth insulating layer 24 have the same configuration as the first insulating layer 2. The third insulating layer 22 is disposed on the surface side of the first insulating layer 2. The fourth insulating layer 23 and the fifth insulating layer 24 are arranged on the back surface side of the second insulating layer 3 in this order.

<配線層>
第4配線層25は、第4絶縁層23及び第5絶縁層24の間に配置されている。第5配線層26は、第3絶縁層22の表面側に配置されている。第6配線層27は、第5絶縁層24の裏面側に配置されている。
<Wiring layer>
The fourth wiring layer 25 is disposed between the fourth insulating layer 23 and the fifth insulating layer 24. The fifth wiring layer 26 is disposed on the surface side of the third insulating layer 22. The sixth wiring layer 27 is disposed on the back side of the fifth insulating layer 24.

第5配線層26及び第6配線層27は、それぞれ、外部と電気的に接続される端子26A,26B,27A,27Bを含む。これらの端子26A,26B,27A,27Bは、絶縁層にその全体が固定されている。これらの端子26A,26B,27A,27Bは、比較的面積が小さく、絶縁層にその全体が固定されても熱膨張率の差異によって生じる応力が小さいため、絶縁層と接合されていてもよい。ただし、端子26A,26B,27A,27Bは、接続導体7によって配線層と接続されていればよいので、熱膨張率の差異によって生じる応力を考慮しなくてもよくなる理由から、絶縁層と固定されていない方がよい。   The fifth wiring layer 26 and the sixth wiring layer 27 include terminals 26A, 26B, 27A, and 27B that are electrically connected to the outside, respectively. These terminals 26A, 26B, 27A, 27B are entirely fixed to the insulating layer. These terminals 26A, 26B, 27A, and 27B have a relatively small area and may be bonded to the insulating layer because the stress caused by the difference in coefficient of thermal expansion is small even when the terminal 26A, 26B, 27A, and 27B are fixed to the insulating layer as a whole. However, since the terminals 26A, 26B, 27A, and 27B are only required to be connected to the wiring layer by the connection conductor 7, the terminal 26A, 26B, 27A, and 27B are fixed to the insulating layer because it is not necessary to consider the stress caused by the difference in thermal expansion coefficient. It is better not to.

また、本実施形態では、第1配線層4、第2配線層5、第3配線層6、及び第4配線層25は、それぞれ、主配線層4A,5A,6A,25Aと、主配線層4A,5A,6A,25Aと分離された副配線層4B,5B,6B,25Bとを有する。   In the present embodiment, the first wiring layer 4, the second wiring layer 5, the third wiring layer 6, and the fourth wiring layer 25 are respectively connected to the main wiring layers 4A, 5A, 6A, and 25A, and the main wiring layer. 4A, 5A, 6A, 25A and sub-wiring layers 4B, 5B, 6B, 25B separated from each other.

主配線層4A,5A,6A,25Aは、コイル等の配線パターンが形成された配線層である。主配線層4A,5A,6A,25Aは、比較的面積が大きいため、図1に示す非固定領域Bを有する。   The main wiring layers 4A, 5A, 6A, and 25A are wiring layers on which wiring patterns such as coils are formed. Since the main wiring layers 4A, 5A, 6A, and 25A have a relatively large area, they have a non-fixed region B shown in FIG.

副配線層4B,5B,6B,25Bは、厚み方向に主配線層同士を接続するための配線層である。例えば、第1配線層4の副配線層4Bは、接続導体7を介して、第2配線層5の主配線層5Aと第3配線層6の主配線層6Aとを電気的に接続している。   The sub wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B are wiring layers for connecting the main wiring layers in the thickness direction. For example, the sub wiring layer 4B of the first wiring layer 4 electrically connects the main wiring layer 5A of the second wiring layer 5 and the main wiring layer 6A of the third wiring layer 6 via the connection conductor 7. Yes.

副配線層4B,5B,6B,25Bは、端子26A,26B,27A,27Bと同様、比較的面積が小さく、平面視での重心から外縁までの最大距離が7mm以下である。そのため、副配線層4B,5B,6B,25Bは、非固定領域Bを含まずに、平面視における全体が表面側又は裏面側の絶縁層と固定されていてもよい。この場合、副配線層4B,5B,6B,25Bは、固定領域Aのみを含む。   Similar to the terminals 26A, 26B, 27A, and 27B, the sub-wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B have a relatively small area, and the maximum distance from the center of gravity to the outer edge in plan view is 7 mm or less. Therefore, the sub-wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B do not include the non-fixed region B, and the whole in a plan view may be fixed to the front-side or back-side insulating layer. In this case, the sub wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B include only the fixed region A.

<絶縁層固定部材>
絶縁層固定部材10は、隣接する絶縁層同士(例えば第1絶縁層2及び第2絶縁層3)を厚み方向に接合して固定する部材である。絶縁層固定部材10は、各絶縁層間に配置されている。各絶縁層固定部材10は、それぞれ、厚み方向から視て第1配線層4、第2配線層5、第3配線層6、又は第4配線層25を囲うように配置されている。
<Insulating layer fixing member>
The insulating layer fixing member 10 is a member that joins and fixes adjacent insulating layers (for example, the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3) in the thickness direction. The insulating layer fixing member 10 is disposed between the insulating layers. Each insulating layer fixing member 10 is disposed so as to surround the first wiring layer 4, the second wiring layer 5, the third wiring layer 6, or the fourth wiring layer 25 as viewed from the thickness direction.

各絶縁層固定部材10は、2つのメタライズ層10Aと、接合部10Bとを有する。
2つのメタライズ層10Aは、接合する2つの絶縁層のうち一方の絶縁層(例えば第1絶縁層2)の裏面と、他方の絶縁層(例えば第2絶縁層3)の表面とに配置されている。
Each insulating layer fixing member 10 has two metallized layers 10A and a joint portion 10B.
The two metallized layers 10A are arranged on the back surface of one insulating layer (for example, the first insulating layer 2) and the front surface of the other insulating layer (for example, the second insulating layer 3) of the two insulating layers to be joined. Yes.

接合部10Bは、2つのメタライズ層10Aの間に配置され、2つのメタライズ層10Aを厚み方向に接合している。
メタライズ層10Aの材質は、例えばタングステンやモリブデンを主成分とすることができる。また、接合部10Bの材質は、接続導体7の接合部7Bと同様とすることができる。
The joint portion 10B is disposed between the two metallized layers 10A and joins the two metallized layers 10A in the thickness direction.
The material of the metallized layer 10A can be mainly composed of tungsten or molybdenum, for example. The material of the joint 10B can be the same as that of the joint 7B of the connection conductor 7.

なお、複数の絶縁層固定部材10は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂接着剤で形成された絶縁層固定部材10を含んでもよい。また、セラミックを含むペーストを用いて絶縁層固定部材10を形成してもよい。樹脂又はセラミックを使用する場合は、メタライズ層10Aは形成しなくともよい。   The plurality of insulating layer fixing members 10 may include an insulating layer fixing member 10 formed of a resin adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin. Alternatively, the insulating layer fixing member 10 may be formed using a paste containing ceramic. When resin or ceramic is used, the metallized layer 10A may not be formed.

また、各絶縁層間を封止及び固定するために、各絶縁層の間に設けられた絶縁層固定部材10に加えて、複数の絶縁層に跨って配線基板の側部を一括で覆う絶縁層固定部材10を設けてもよい。また、各絶縁層の間に設絶縁層固定部材10をそれぞれ配置する替わりに、複数の絶縁層に跨って配線基板の側部を一括で覆う絶縁層固定部材10のみを設けてもよい。   Further, in order to seal and fix each insulating layer, in addition to the insulating layer fixing member 10 provided between the insulating layers, an insulating layer that collectively covers the side portions of the wiring board across the plurality of insulating layers A fixing member 10 may be provided. Further, instead of disposing the insulating layer fixing member 10 between the insulating layers, only the insulating layer fixing member 10 that covers the side portions of the wiring board across the plurality of insulating layers may be provided.

[2−2.効果]
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(2a)複数の配線層4,5,6,25が複数の絶縁層固定部材10によって封止されるので、各配線層4,5,6,25の酸化や、空気中の水分による配線層間のショートが抑制される。その結果、配線基板1の信頼性を高めることができる。
[2-2. effect]
According to the embodiment detailed above, the following effects can be obtained.
(2a) Since the plurality of wiring layers 4, 5, 6 and 25 are sealed by the plurality of insulating layer fixing members 10, the wiring layers 4, 5, 6 and 25 are oxidized and wiring layers are caused by moisture in the air. The short circuit is suppressed. As a result, the reliability of the wiring board 1 can be improved.

[3.他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
[3. Other Embodiments]
As mentioned above, although embodiment of this indication was described, it cannot be overemphasized that this indication can take various forms, without being limited to the above-mentioned embodiment.

(3a)上記実施形態の配線基板1において、配線層と絶縁層との間に必ずしも配線層固定部材9を設ける必要はない。つまり、各配線層は、固定領域Aを有さず、非固定領域Bのみを有してもよい。   (3a) In the wiring substrate 1 of the above embodiment, the wiring layer fixing member 9 is not necessarily provided between the wiring layer and the insulating layer. That is, each wiring layer may have only the non-fixed region B without the fixed region A.

(3b)上記実施形態の配線基板1において、各配線層の固定領域A及び非固定領域Bは、平面視において異なる位置に配置されてもよい。つまり、配線層固定部材9は各層で異なる位置に配置されてもよい。   (3b) In the wiring board 1 of the above embodiment, the fixed area A and the non-fixed area B of each wiring layer may be arranged at different positions in plan view. That is, the wiring layer fixing member 9 may be arranged at a different position in each layer.

(3c)上記実施形態の配線基板1において、粒体7Aは、貫通孔2A,3Aを構成する絶縁層2,3の内壁と当接していてもよい。また、粒体7Aは、接合部7Bによって貫通孔2A,3Aを構成する絶縁層2,3の内壁と接合されてもよい。   (3c) In the wiring substrate 1 of the above embodiment, the granular material 7A may be in contact with the inner walls of the insulating layers 2 and 3 constituting the through holes 2A and 3A. Moreover, the granular material 7A may be joined to the inner walls of the insulating layers 2 and 3 constituting the through holes 2A and 3A by the joint portion 7B.

(3d)上記実施形態の配線基板1,21において、接続導体7における粒体7Aの総体積を接合部7Bの総体積よりも大きくしてもよい。   (3d) In the wiring boards 1 and 21 of the above embodiment, the total volume of the particles 7A in the connection conductor 7 may be larger than the total volume of the joint 7B.

(3e)上記実施形態の配線基板1,21において、各絶縁層の材質はセラミックに限定されない。例えば、各絶縁層は樹脂、ガラス等を主成分としてもよい。   (3e) In the wiring boards 1 and 21 of the above embodiment, the material of each insulating layer is not limited to ceramic. For example, each insulating layer may contain resin, glass, or the like as a main component.

(3f)上記実施形態の配線基板1において、配線層固定部材9として接着剤を用いてもよい。この場合の接着剤としては、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂等の樹脂接着剤を選択することができる。   (3f) In the wiring substrate 1 of the above embodiment, an adhesive may be used as the wiring layer fixing member 9. As the adhesive in this case, a resin adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin can be selected.

(3g)上記実施形態の配線基板21において、副配線層4B,5B,6B,25Bが固定領域Aと非固定領域Bとの両方をそれぞれ有してもよい。また、副配線層4B,5B,6B,25Bが非固定領域Bのみを有してもよい。   (3g) In the wiring substrate 21 of the above embodiment, the sub-wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B may have both the fixed area A and the non-fixed area B, respectively. Further, the sub wiring layers 4B, 5B, 6B, and 25B may have only the non-fixed region B.

(3h)上記実施形態の配線基板1,21は、プレーナトランスを形成可能である。つまり、第1配線層と第2配線層とは、それぞれコイル状の配線パターンを絶縁層の外縁部に有してもよい。また、絶縁層の中央部にはコイル状に形成された巻線配線パターンの内側を貫通するコア挿入孔が形成されていてもよい。このコア挿入孔には、例えばフェライトなどの磁性体コアが挿入される。   (3h) The wiring boards 1 and 21 of the above embodiment can form a planar transformer. That is, the first wiring layer and the second wiring layer may each have a coil-shaped wiring pattern at the outer edge of the insulating layer. Further, a core insertion hole penetrating the inside of the winding wiring pattern formed in a coil shape may be formed in the central portion of the insulating layer. For example, a magnetic core such as ferrite is inserted into the core insertion hole.

(3i)上記実施形態の配線基板1,21において、各絶縁層と各配線層とが同じ厚みを有するように図示されているが、各絶縁層の厚みと配線層の厚みとは、異なっていてもよい。また、各配線層の占有面積は異なっていてもよい。   (3i) In the wiring substrates 1 and 21 of the above embodiment, each insulating layer and each wiring layer are shown to have the same thickness, but the thickness of each insulating layer is different from the thickness of the wiring layer. May be. Further, the occupied area of each wiring layer may be different.

(3j)上記実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。   (3j) The functions of one component in the above embodiment may be distributed as a plurality of components, or the functions of a plurality of components may be integrated into one component. Moreover, you may abbreviate | omit a part of structure of the said embodiment. In addition, at least a part of the configuration of the above embodiment may be added to or replaced with the configuration of the other embodiment. In addition, all the aspects included in the technical idea specified from the wording described in the claims are embodiments of the present disclosure.

1…配線基板、2…第1絶縁層、2A…貫通孔、3…第2絶縁層、
3A…貫通孔、4…第1配線層、4A…主配線層、4B…副配線層、5…第2配線層、
5A…主配線層、5B…副配線層、6…第3配線層、6A…主配線層、
6B…副配線層、7…接続導体、7A…粒体、7B…接合部、9…配線層固定部材、
10…絶縁層固定部材、10A…メタライズ層、10B…接合部、
21…配線基板、22,23,24…絶縁層、25,26,27…配線層、
25A…主配線層、25B…副配線層、26A,26B,27A,27B…端子。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board, 2 ... 1st insulating layer, 2A ... Through-hole, 3 ... 2nd insulating layer,
3A ... through hole, 4 ... first wiring layer, 4A ... main wiring layer, 4B ... sub wiring layer, 5 ... second wiring layer,
5A ... main wiring layer, 5B ... sub wiring layer, 6 ... third wiring layer, 6A ... main wiring layer,
6B ... Sub-wiring layer, 7 ... Connection conductor, 7A ... Granule, 7B ... Junction, 9 ... Wiring layer fixing member,
10 ... Insulating layer fixing member, 10A ... Metallized layer, 10B ... Joining part,
21 ... Wiring board, 22, 23, 24 ... Insulating layer, 25, 26, 27 ... Wiring layer,
25A ... main wiring layer, 25B ... sub wiring layer, 26A, 26B, 27A, 27B ... terminals.

Claims (9)

表面及び裏面を有する少なくとも1つの絶縁層と、
前記少なくとも1つの絶縁層の表面側に配置された第1配線層と、
前記第1配線層が配置された前記絶縁層の裏面側に配置された第2配線層と、
前記第1配線層と前記第2配線層とを電気的に接続する接続導体と、
を備え、
前記絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記接続導体は、
前記貫通孔内に配置される金属製の粒体と、
前記粒体と前記第1配線層及び前記第2配線層とを接合する接合部と、
を有する、配線基板。
At least one insulating layer having a front surface and a back surface;
A first wiring layer disposed on a surface side of the at least one insulating layer;
A second wiring layer disposed on the back side of the insulating layer on which the first wiring layer is disposed;
A connection conductor for electrically connecting the first wiring layer and the second wiring layer;
With
The insulating layer has a through-hole penetrating the insulating layer in the thickness direction,
The connection conductor is
Metal particles disposed in the through hole; and
A bonding portion for bonding the particles, the first wiring layer and the second wiring layer;
Having a wiring board.
前記接続導体において、前記粒体の総体積は、前記接合部の総体積よりも小さい、請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein in the connection conductor, a total volume of the particles is smaller than a total volume of the joint portion. 前記粒体は、前記貫通孔を構成する前記絶縁層の内壁に固定されていない、請求項1又は請求項2に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the granules are not fixed to an inner wall of the insulating layer that constitutes the through hole. 前記第1配線層及び前記第2配線層の少なくとも一方は、隣接する前記絶縁層と固定されていない非固定領域と、隣接する前記絶縁層と固定されている固定領域とを有する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の配線基板。   2. The at least one of the first wiring layer and the second wiring layer has a non-fixed region that is not fixed to the adjacent insulating layer and a fixed region that is fixed to the adjacent insulating layer. The wiring board according to claim 3. 前記第1配線層及び前記第2配線層は、隣接する前記絶縁層と固定されていない、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の配線基板。   4. The wiring board according to claim 1, wherein the first wiring layer and the second wiring layer are not fixed to the adjacent insulating layer. 5. 前記第1配線層及び前記第2配線層は、銅を主成分とする、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the first wiring layer and the second wiring layer are mainly composed of copper. 前記粒体の材質は、前記第1配線層及び前記第2配線層の主成分と同じである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein a material of the grain is the same as a main component of the first wiring layer and the second wiring layer. 前記絶縁層は、セラミックを主成分とする、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the insulating layer is mainly composed of ceramic. 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の配線基板を用いたプレーナトランス。   A planar transformer using the wiring board according to any one of claims 1 to 8.
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