JP2018527614A - Color filter array substrate and liquid crystal display panel - Google Patents
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Abstract
本発明は、カラーフィルタアレイ基板を開示する。そのカラーフィルタアレイ基板は、ガラス基板、第１金属層、絶縁層、活性層、オーミックコンタクト層、第２金属層、第１パッシベーション層、カラーフィルタ層、第２パッシベーション層、及び画素電極層を含む。カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、チャネルに対応する第１金属層上に共通電極線が設けられ、チャネルに対応する第２金属層上に金属線が設けられる。本発明は、光漏れを効果的に遮蔽することができ、ＰＩと液晶の流通性を増加させることもできる。 The present invention discloses a color filter array substrate. The color filter array substrate includes a glass substrate, a first metal layer, an insulating layer, an active layer, an ohmic contact layer, a second metal layer, a first passivation layer, a color filter layer, a second passivation layer, and a pixel electrode layer. . A channel is opened at the color resist layer overlapping position of the color filter layer, a common electrode line is provided on the first metal layer corresponding to the channel, and a metal line is provided on the second metal layer corresponding to the channel. The present invention can effectively block light leakage and increase the flowability of PI and liquid crystal.
Description
本発明は表示技術分野に関し、特にカラーフィルタアレイ基板及び液晶表示パネルに関する。 The present invention relates to the field of display technology, and more particularly to a color filter array substrate and a liquid crystal display panel.
ＢＣＳ／ＢＭ ｌｅｓｓ技術がＬＣＤパネルに使用されると、１つのＢＭの使用を減少し、コストを節約することができる。ＢＣＳ（ｂｌａｃｋ ｃｏｌｕｍｎ ｓｐａｃｅ、ブラックカラムスペーサ）技術には、黒色材料が使用される。黒色材料の作用は、周辺に、ＢＭの代わりに黒色材料を直接使用して遮光作用を果たすことができ、もう１つの作用は、エリアＡＡにおいてセルの厚さを支持することである。エリアＡＡでの走査線（ｇａｔｅ）及びデータ線（ｄａｔａ）に対する遮光は、カラーレジストスタックと金属の交互により実現される。カラーレジストの重なりについては、一般的に、赤色と青色の重なりが使用される。その理由は、２つの色の波スペクトルには交差部分がなく、遮光の効果がより良好であることである。 When BCS / BM less technology is used for LCD panels, the use of one BM can be reduced and cost can be saved. A black material is used for BCS (black column space) technology. The effect of the black material is that the black material can be used directly in the periphery instead of BM to provide a light shielding effect, and another effect is to support the cell thickness in area AA. The light shielding for the scanning line (gate) and the data line (data) in the area AA is realized by alternating the color resist stack and the metal. As for the color resist overlap, a red and blue overlap is generally used. The reason is that the wave spectrum of the two colors does not have an intersection and the light shielding effect is better.
ＢＣＳ／ＢＭ ｌｅｓｓ技術による市場で現在入手可能な製品は、ＩＰＳ技術を使用するものである。ＩＰＳ技術には、１層の平坦化層（ＰＦＡ）が使用されて、カラーレジストの重なりによる突起が平坦化される。しかしながら、ＨＶＡモードに対してＢＣＳ／ＢＭ ｌｅｓｓ技術を使用する場合、平坦化層の使用は、ＨＶＡのコストを増加させるため、ＨＶＡ技術には平坦化層が使用されない。ＨＶＡモードのＢＣＳ／ＢＭ ｌｅｓｓ技術において、カラーレジストの重なり位置に四方で突出する問題が発生し、ＰＩ塗布及び液晶滴下の製造プロセス中に、四方で突出する阻止壁により、ＰＩ及び液晶の流動が不均一になり、表示効果に影響を及ぼす。 Products currently available on the market with BCS / BM less technology are those that use IPS technology. In the IPS technology, a single planarization layer (PFA) is used to planarize the protrusions caused by overlapping color resists. However, when using the BCS / BM less technology for the HVA mode, the use of the planarization layer increases the cost of the HVA, so no planarization layer is used for the HVA technology. In the HVA mode BCS / BM less technology, a problem of protruding in all directions at the overlapping position of the color resist occurs, and during the PI coating and liquid crystal dripping manufacturing process, the blocking walls protruding in all directions cause the flow of PI and liquid crystal. It becomes non-uniform and affects the display effect.
従って、上記の課題を解決するために、新たな技術的手段を提案することが必要である。 Therefore, it is necessary to propose new technical means in order to solve the above problems.
本発明の目的は、ＨＶＡモードのＢＣＳ／ＢＭ ｌｅｓｓ技術において、カラーレジストの重なり位置に四方で突出する問題が発生し、ＰＩ塗布及び液晶滴下の製造プロセス中に、四方で突出する阻止壁により、ＰＩ及び液晶の流動が不均一になり、表示効果に影響を及ぼすという従来技術における問題を解決するために、カラーフィルタアレイ基板及び液晶表示パネルを提供することである。 The object of the present invention is that the problem of protruding in four directions at the overlapping position of the color resist occurs in the BCS / BM less technology in the HVA mode, and the blocking wall protruding in all directions during the manufacturing process of PI coating and liquid crystal dropping, In order to solve the problem in the prior art that the flow of PI and liquid crystal becomes non-uniform and affects the display effect, a color filter array substrate and a liquid crystal display panel are provided.
上記課題を解決するために、本発明は以下の技術的手段を提供している。
カラーフィルタアレイ基板が提供され、前記カラーフィルタアレイ基板は、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む前記第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、Ｙ軸方向において、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線が設けられ、Ｘ軸方向において、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域であり、前記カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりである。
In order to solve the above problems, the present invention provides the following technical means.
A color filter array substrate is provided, the color filter array substrate comprising:
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
The second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at the overlapping position of the color resist of the color filter layer, and a common electrode line is provided on the first metal layer corresponding to the channel for shielding light in the Y-axis direction, and in the X-axis direction, For light shielding, a metal line is provided on the second metal layer corresponding to the channel, the overlapping position of the color resist is an overlapping region of the adjacent color resist, and the overlapping position of the color resist is: An overlap of a red color resist and a blue color resist, an overlap of a red color resist and a green color resist, or an overlap of a blue color resist and a green color resist.
前記金属線は、ドレイン電極線の延長部分である。 The metal line is an extension of the drain electrode line.
前記チャネルは、Ｙ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。 The channels are respectively opened at positions where color resists overlap in the Y-axis direction.
前記チャネルはさらに、Ｘ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。 The channels are further opened at overlapping positions of the color resists in the X-axis direction.
カラーフィルタアレイ基板が提供され、前記カラーフィルタアレイ基板は、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む前記第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第１金属層に共通電極線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である。
A color filter array substrate is provided, the color filter array substrate comprising:
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
The second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at the overlapping position of the color resist of the color filter layer, and a common electrode line is provided in the first metal layer corresponding to the channel for light shielding, and the overlapping position of the color resist is adjacent to the color resist. This is the overlap region of the resist.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記チャネルは、Ｙ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。 Preferably, in the color filter array substrate, the channels are respectively opened at overlapping positions of the color resists in the Y-axis direction.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記チャネルはさらに、Ｘ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設され、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線が設けられる。 Preferably, in the color filter array substrate, the channels are further opened at the overlapping positions of the color resists in the X-axis direction, and metal lines are provided on the second metal layer corresponding to the channels for light shielding. It is done.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記金属線は、ドレイン電極線の延長部分である。 Preferably, in the color filter array substrate, the metal line is an extension of the drain electrode line.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりである。 Preferably, in the color filter array substrate, the overlapping position of the color resist is an overlap of a red color resist and a blue color resist, an overlap of a red color resist and a green color resist, or an overlap of a blue color resist and a green color resist. is there.
カラーフィルタアレイ基板が提供され、前記カラーフィルタアレイ基板は、
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む前記第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第２金属層に金属線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である。
A color filter array substrate is provided, the color filter array substrate comprising:
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
The second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at a position where the color resist of the color filter layer overlaps, and a metal line is provided in the second metal layer corresponding to the channel for light shielding. This is the overlap area.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記金属線は、ドレイン電極線の延長部分である。 Preferably, in the color filter array substrate, the metal line is an extension of the drain electrode line.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記チャネルは、Ｘ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。 Preferably, in the color filter array substrate, the channels are respectively opened at overlapping positions of the color resists in the X-axis direction.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記金属線の幅は、前記チャネルの幅以上である。 Preferably, in the color filter array substrate, the width of the metal line is not less than the width of the channel.
好ましくは、前記カラーフィルタアレイ基板において、前記カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりである。 Preferably, in the color filter array substrate, the overlapping position of the color resist is an overlap of a red color resist and a blue color resist, an overlap of a red color resist and a green color resist, or an overlap of a blue color resist and a green color resist. is there.
上述したカラーフィルタアレイ基板を含む液晶表示パネルが提供される。 A liquid crystal display panel including the above-described color filter array substrate is provided.
従来技術と比較して、コストを増加させないために、本発明は、平坦化層を増加させずにＰＩ及び液晶の流動性を増加させるように、カラーレジストスタックの構造を変更する。即ち、カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設される。このとき、チャネルでカラーレジストが一層しか存在しないため、遮光作用を果たすことができず、光漏れのリスクがある。この場合に、本発明は、Ｙ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線を設け、且つＸ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線を設けることによって、ここでの光漏れを回避する。本発明の実施例は、光漏れを効果的に遮蔽するだけでなく、ＰＩ及び液晶の流動性を増加させることもできる。 In order not to increase costs compared to the prior art, the present invention modifies the structure of the color resist stack to increase the fluidity of the PI and liquid crystal without increasing the planarization layer. That is, a channel is opened at the position where the color resist of the color filter layer overlaps. At this time, since there is only one color resist in the channel, the light shielding effect cannot be achieved and there is a risk of light leakage. In this case, the present invention provides a common electrode line on the first metal layer corresponding to the channel in the Y-axis direction and a metal on the second metal layer corresponding to the channel in the X-axis direction. By providing a line, light leakage here is avoided. Embodiments of the present invention not only effectively shield light leakage, but can also increase the fluidity of PI and liquid crystals.
本発明の上記内容を更に分かり易くするために、以下において実施例を挙げ、図面と併せて詳細に説明する。 In order to make the above contents of the present invention easier to understand, examples will be given below and described in detail in conjunction with the drawings.
本明細書において、用語「実施例」は、実例、例示又は例証として使用されることが意図されている。さらに、本明細書及び添付した特許請求の範囲で使用される冠詞「一」は、別段の指定がない限り、又は、単数形を意図する文脈から明らかでない限り、一般的に、一般的に、「１つ又は複数」を意味すると解釈され得る。 In this specification, the term “example” is intended to be used as an illustration, illustration or illustration. In addition, the article “one” as used in the specification and the appended claims generally, unless otherwise specified, or unless otherwise apparent from the context intended for the singular, It can be taken to mean “one or more”.
本発明の実施例において、コストを増加させないために、本発明は、平坦化層を増加させずにＰＩ及び液晶の流動性を増加させるように、カラーレジストスタックの構造を変更する。即ち、カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設される。このとき、チャネルでカラーレジストが一層しか存在しないため、遮光作用を果たすことができず、光漏れのリスクがある。この場合に、本発明は、Ｙ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線を設け、且つＸ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線を設けることによって、ここでの光漏れを回避する。 In an embodiment of the present invention, in order not to increase the cost, the present invention modifies the structure of the color resist stack to increase the fluidity of PI and liquid crystal without increasing the planarization layer. That is, a channel is opened at the position where the color resist of the color filter layer overlaps. At this time, since there is only one color resist in the channel, the light shielding effect cannot be achieved and there is a risk of light leakage. In this case, the present invention provides a common electrode line on the first metal layer corresponding to the channel in the Y-axis direction and a metal on the second metal layer corresponding to the channel in the X-axis direction. By providing a line, light leakage here is avoided.
下記では、具体的な実施例を用いて、本発明の技術方案を説明する。 In the following, the technical solution of the present invention will be described using specific examples.
図１は、本発明の実施例によるカラーフィルタアレイ基板の構造模式図である。説明を簡単にするために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。 FIG. 1 is a schematic structural diagram of a color filter array substrate according to an embodiment of the present invention. For simplicity of explanation, only the parts relevant to the embodiment of the present invention are shown.
カラーフィルタアレイ基板は、ガラス基板１０１と、第１金属層１０２と、絶縁層１０３と、活性層１０４と、オーミックコンタクト層１０５と、第２金属層１０６と、第１パッシベーション層１０７と、カラーフィルタ層１０８と、第２パッシベーション層１０９と、画素電極層１１０とを含む。ここで、第１金属層１０２は、前記ガラス基板１０１の上方に設けられる。前記第１金属層１０２は、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む。前記絶縁層１０３は、前記第１金属層１０２の上方に設けられる。前記活性層１０４は、前記第１金属層１０２がオンされると、ソースの電荷をドレインに導通させることができるために、前記絶縁層１０３の上方に設けられる。前記オーミックコンタクト層１０５は、前記第２金属層１０６と前記活性層１０４との接触抵抗を小さくして導通を容易にするために、前記活性層１０４の両端の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、前記オーミックコンタクト層１０５の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、データ線、薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む。前記第１パッシベーション層１０７は、前記第２金属層１０６とカラーフィルタ層１０８を分離するために、前記第２金属層１０６の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、前記第１パッシベーション層１０７の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含む。前記第２パッシベーション層１０９は、前記カラーフィルタ層１０８と画素電極層１１０を分離するために、前記カラーフィルタ層１０８の上方に設けられる。前記画素電極層１１０は、前記第２パッシベーション層１０９の上方に設けられる。 The color filter array substrate includes a glass substrate 101, a first metal layer 102, an insulating layer 103, an active layer 104, an ohmic contact layer 105, a second metal layer 106, a first passivation layer 107, and a color filter. A layer 108, a second passivation layer 109, and a pixel electrode layer 110. Here, the first metal layer 102 is provided above the glass substrate 101. The first metal layer 102 includes a scan line and a gate of a thin film field effect transistor. The insulating layer 103 is provided above the first metal layer 102. The active layer 104 is provided above the insulating layer 103 so that when the first metal layer 102 is turned on, the source charge can be conducted to the drain. The ohmic contact layer 105 is provided above both ends of the active layer 104 in order to reduce the contact resistance between the second metal layer 106 and the active layer 104 and facilitate conduction. The second metal layer 106 is provided above the ohmic contact layer 105. The second metal layer 106 includes a data line and a source and drain of a thin film field effect transistor. The first passivation layer 107 is provided above the second metal layer 106 to separate the second metal layer 106 and the color filter layer 108. The color filter layer 108 is provided above the first passivation layer 107. The color filter layer 108 includes a first color resist, a second color resist, and a third color resist that are sequentially arranged. The second passivation layer 109 is provided above the color filter layer 108 in order to separate the color filter layer 108 and the pixel electrode layer 110. The pixel electrode layer 110 is provided above the second passivation layer 109.
図２は、本発明の実施例による共通電極線を用いてチャネルを遮蔽する構造模式図である。前記カラーフィルタ層１０８のカラーレジストの重なり位置にチャネル１１１が開設され、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第１金属層１０２上に共通電極線１１２が設けられる。前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である。 FIG. 2 is a schematic view of a structure for shielding a channel using a common electrode line according to an embodiment of the present invention. A channel 111 is opened at a position where the color resist layer 108 overlaps the color resist, and a common electrode line 112 is provided on the first metal layer 102 corresponding to the channel 111 for shielding light. The overlapping position of the color resist is an overlap region of adjacent color resists.
本発明の実施例では、前記チャネル１１１は、Ｙ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。Ｙ軸方向において、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第１金属層１０２上に共通電極線１１２が設けられる。即ち、前記データ線の方向では、前記チャネル１１１に対応する前記共通電極線の幅を広げて遮光を実現する。好ましくは、前記チャネルに対応する前記共通電極線の幅は、前記チャネルの幅以上である。 In the embodiment of the present invention, the channels 111 are respectively opened at the overlapping positions of the color resists in the Y-axis direction. In the Y-axis direction, a common electrode line 112 is provided on the first metal layer 102 corresponding to the channel 111 for shielding light. That is, in the direction of the data line, the common electrode line corresponding to the channel 111 is widened to realize light shielding. Preferably, the width of the common electrode line corresponding to the channel is equal to or greater than the width of the channel.
本発明の実施例では、カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりであってもよい。例えば、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なりの場合、チャネルが掘り込まれたカラーレジストは、青色カラーレジストであってもよく、赤色カラーレジストにはチャネルが掘り込まれてもよい。 In the embodiment of the present invention, the overlapping position of the color resist may be the overlapping of the red color resist and the blue color resist, the overlapping of the red color resist and the green color resist, or the overlapping of the blue color resist and the green color resist. . For example, when a red color resist and a blue color resist are overlapped, the color resist in which the channel is dug may be a blue color resist, and the channel may be dug in the red color resist.
図１及び図３は、本発明の実施例によるドレイン電極の位置に金属線を追加してチャネルを遮蔽する構造模式図である。 FIG. 1 and FIG. 3 are schematic views illustrating a structure for shielding a channel by adding a metal line to a position of a drain electrode according to an embodiment of the present invention.
カラーフィルタアレイ基板は、ガラス基板１０１と、第１金属層１０２と、絶縁層１０３と、活性層１０４と、オーミックコンタクト層１０５と、第２金属層１０６と、第１パッシベーション層１０７と、カラーフィルタ層１０８と、第２パッシベーション層１０９と、画素電極層１１０とを含む。ここで、第１金属層１０２は、前記ガラス基板１０１の上方に設けられる。前記第１金属層１０２は、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む。前記絶縁層１０３は、前記第１金属層１０２の上方に設けられる。前記活性層１０４は、前記第１金属層１０２がオンされると、ソースの電荷をドレインに導通させることができるために、前記絶縁層１０３の上方に設けられる。前記オーミックコンタクト層１０５は、前記第２金属層１０６と前記活性層１０４との接触抵抗を小さくして導通を容易にするために、前記活性層１０４の両端の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、前記オーミックコンタクト層１０５の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、データ線、薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む。前記第１パッシベーション層１０７は、前記第２金属層１０６とカラーフィルタ層１０８を分離するために、前記第２金属層１０６の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、前記第１パッシベーション層１０７の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含む。前記第２パッシベーション層１０９は、前記カラーフィルタ層１０８と画素電極層１１０を分離するために、前記カラーフィルタ層１０８の上方に設けられる。前記画素電極層１１０は、前記第２パッシベーション層１０９の上方に設けられる。 The color filter array substrate includes a glass substrate 101, a first metal layer 102, an insulating layer 103, an active layer 104, an ohmic contact layer 105, a second metal layer 106, a first passivation layer 107, and a color filter. A layer 108, a second passivation layer 109, and a pixel electrode layer 110. Here, the first metal layer 102 is provided above the glass substrate 101. The first metal layer 102 includes a scan line and a gate of a thin film field effect transistor. The insulating layer 103 is provided above the first metal layer 102. The active layer 104 is provided above the insulating layer 103 so that when the first metal layer 102 is turned on, the source charge can be conducted to the drain. The ohmic contact layer 105 is provided above both ends of the active layer 104 in order to reduce the contact resistance between the second metal layer 106 and the active layer 104 and facilitate conduction. The second metal layer 106 is provided above the ohmic contact layer 105. The second metal layer 106 includes a data line and a source and drain of a thin film field effect transistor. The first passivation layer 107 is provided above the second metal layer 106 to separate the second metal layer 106 and the color filter layer 108. The color filter layer 108 is provided above the first passivation layer 107. The color filter layer 108 includes a first color resist, a second color resist, and a third color resist that are sequentially arranged. The second passivation layer 109 is provided above the color filter layer 108 in order to separate the color filter layer 108 and the pixel electrode layer 110. The pixel electrode layer 110 is provided above the second passivation layer 109.
本発明の実施例において、前記カラーフィルタ層１０８のカラーレジストの重なり位置にチャネル１１１が開設され、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第２金属層１０６上に金属線１１３が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である。 In an embodiment of the present invention, a channel 111 is opened at a position where the color resist of the color filter layer 108 overlaps, and a metal wire 113 is provided on the second metal layer 106 corresponding to the channel 111 for light shielding. The overlapping position of the color resists is an overlapping region of adjacent color resists.
本発明の実施例において、前記チャネル１１１は、Ｘ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。Ｘ軸方向において、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第２金属層１０６上に金属線１１３が設けられる。本実施例において、前記金属線１１３は、ドレイン電極線の延長部分である。即ち、前記走査線の方向において、遮光を実現するために、ドレイン電極線を前記チャネルの位置に延長することによって、延長された部分がチャネルを遮蔽することができれば十分である。前記金属線１１３の幅は、前記チャネルの幅以上である。 In the embodiment of the present invention, the channels 111 are respectively opened at the overlapping positions of the color resists in the X-axis direction. In the X-axis direction, a metal line 113 is provided on the second metal layer 106 corresponding to the channel 111 for light shielding. In this embodiment, the metal line 113 is an extension of the drain electrode line. That is, in order to realize light shielding in the direction of the scanning line, it is sufficient that the extended portion can shield the channel by extending the drain electrode line to the position of the channel. The width of the metal line 113 is not less than the width of the channel.
本発明の実施例では、カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりであってもよい。例えば、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なりの場合、チャネルが掘り込まれたカラーレジストは、青色カラーレジストであってもよく、赤色カラーレジストにはチャネルが掘り込まれてもよい。 In the embodiment of the present invention, the overlapping position of the color resist may be the overlapping of the red color resist and the blue color resist, the overlapping of the red color resist and the green color resist, or the overlapping of the blue color resist and the green color resist. . For example, when a red color resist and a blue color resist are overlapped, the color resist in which the channel is dug may be a blue color resist, and the channel may be dug in the red color resist.
本発明の実施例は液晶表示パネルをさらに提供する。前記液晶表示パネルは、カラーフィルタアレイ基板及び液晶層を含む。前記カラーフィルタアレイ基板は、ガラス基板１０１と、第１金属層１０２と、絶縁層１０３と、活性層１０４と、オーミックコンタクト層１０５と、第２金属層１０６と、第１パッシベーション層１０７と、カラーフィルタ層１０８と、第２パッシベーション層１０９と、画素電極層１１０とを含む。ここで、第１金属層１０２は、前記ガラス基板１０１の上方に設けられる。前記第１金属層１０２は、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む。前記絶縁層１０３は、前記第１金属層１０２の上方に設けられる。前記活性層１０４は、前記第１金属層１０２がオンされると、ソースの電荷をドレインに導通させることができるために、前記絶縁層１０３の上方に設けられる。前記オーミックコンタクト層１０５は、前記第２金属層１０６と前記活性層１０４との接触抵抗を小さくして導通を容易にするために、前記活性層１０４の両端の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、前記オーミックコンタクト層１０５の上方に設けられる。前記第２金属層１０６は、データ線、薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む。前記第１パッシベーション層１０７は、前記第２金属層１０６とカラーフィルタ層１０８を分離するために、前記第２金属層１０６の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、前記第１パッシベーション層１０７の上方に設けられる。前記カラーフィルタ層１０８は、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含む。前記第２パッシベーション層１０９は、前記カラーフィルタ層１０８と画素電極層１１０を分離するために、前記カラーフィルタ層１０８の上方に設けられる。前記画素電極層１１０は、前記第２パッシベーション層１０９の上方に設けられる。 Embodiments of the present invention further provide a liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel includes a color filter array substrate and a liquid crystal layer. The color filter array substrate includes a glass substrate 101, a first metal layer 102, an insulating layer 103, an active layer 104, an ohmic contact layer 105, a second metal layer 106, a first passivation layer 107, a color A filter layer 108, a second passivation layer 109, and a pixel electrode layer 110 are included. Here, the first metal layer 102 is provided above the glass substrate 101. The first metal layer 102 includes a scan line and a gate of a thin film field effect transistor. The insulating layer 103 is provided above the first metal layer 102. The active layer 104 is provided above the insulating layer 103 so that when the first metal layer 102 is turned on, the source charge can be conducted to the drain. The ohmic contact layer 105 is provided above both ends of the active layer 104 in order to reduce the contact resistance between the second metal layer 106 and the active layer 104 and facilitate conduction. The second metal layer 106 is provided above the ohmic contact layer 105. The second metal layer 106 includes a data line and a source and drain of a thin film field effect transistor. The first passivation layer 107 is provided above the second metal layer 106 to separate the second metal layer 106 and the color filter layer 108. The color filter layer 108 is provided above the first passivation layer 107. The color filter layer 108 includes a first color resist, a second color resist, and a third color resist that are sequentially arranged. The second passivation layer 109 is provided above the color filter layer 108 in order to separate the color filter layer 108 and the pixel electrode layer 110. The pixel electrode layer 110 is provided above the second passivation layer 109.
本発明の実施例において、前記カラーフィルタ層１０８のカラーレジストの重なり位置にはチャネル１１１が開設される。具体的には、前記チャネル１１１は、Ｙ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。前記チャネル１１１はさらに、Ｘ軸方向におけるカラーレジストの重なり位置にそれぞれ開設される。前記カラーレジスト重ね位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である。 In the embodiment of the present invention, a channel 111 is opened at the color resist overlapping position of the color filter layer 108. Specifically, the channels 111 are respectively opened at overlapping positions of color resists in the Y-axis direction. The channels 111 are further opened at the overlapping positions of the color resists in the X-axis direction. The color resist overlapping position is an overlap region of adjacent color resists.
本発明の実施例では、Ｙ軸方向において、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第１金属層１０２上に共通電極線１１２が設けられる。即ち、前記データ線の方向では、前記チャネル１１１に対応する前記共通電極線の幅を広げて遮光を実現する。好ましくは、前記チャネルに対応する前記共通電極線の幅は、前記チャネルの幅以上である。 In an embodiment of the present invention, a common electrode line 112 is provided on the first metal layer 102 corresponding to the channel 111 for shielding light in the Y-axis direction. That is, in the direction of the data line, the common electrode line corresponding to the channel 111 is widened to realize light shielding. Preferably, the width of the common electrode line corresponding to the channel is equal to or greater than the width of the channel.
本発明の実施例において、Ｘ軸方向において、遮光のために、前記チャネル１１１に対応する前記第２金属層１０６上に金属線１１３が設けられる。本実施例において、前記金属線１１３は、ドレイン電極線の延長部分である。即ち、前記走査線の方向において、遮光を実現するために、ドレイン電極線を前記チャネルの位置に延長することによって、延長された部分がチャネルを遮蔽することができれば十分である。前記金属線１１３の幅は、前記チャネルの幅以上である。 In an embodiment of the present invention, a metal line 113 is provided on the second metal layer 106 corresponding to the channel 111 for shielding light in the X-axis direction. In this embodiment, the metal line 113 is an extension of the drain electrode line. That is, in order to realize light shielding in the direction of the scanning line, it is sufficient that the extended portion can shield the channel by extending the drain electrode line to the position of the channel. The width of the metal line 113 is not less than the width of the channel.
本発明の実施例では、カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりであってもよい。例えば、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なりの場合、チャネルが掘り込まれたカラーレジストは、青色カラーレジストであってもよく、赤色カラーレジストにはチャネルが掘り込まれてもよい。 In the embodiment of the present invention, the overlapping position of the color resist may be the overlapping of the red color resist and the blue color resist, the overlapping of the red color resist and the green color resist, or the overlapping of the blue color resist and the green color resist. . For example, when a red color resist and a blue color resist are overlapped, the color resist in which the channel is dug may be a blue color resist, and the channel may be dug in the red color resist.
以上により、コストを増加させないために、本発明は、平坦化層を増加させずにＰＩ及び液晶の流動性を増加させるように、カラーレジストスタックの構造を変更する。即ち、カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設される。このとき、チャネルでカラーレジストが一層しか存在しないため、遮光作用を果たすことができず、光漏れのリスクがある。この場合に、本発明は、Ｙ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線を設け、且つＸ軸方向において、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線を設けることによって、ここでの光漏れを回避する。本発明の実施例は、光漏れを効果的に遮蔽するだけでなく、ＰＩ及び液晶の流動性を増加させることもできる。 As described above, in order not to increase the cost, the present invention changes the structure of the color resist stack so as to increase the fluidity of PI and liquid crystal without increasing the planarization layer. That is, a channel is opened at the position where the color resist of the color filter layer overlaps. At this time, since there is only one color resist in the channel, the light shielding effect cannot be achieved and there is a risk of light leakage. In this case, the present invention provides a common electrode line on the first metal layer corresponding to the channel in the Y-axis direction and a metal on the second metal layer corresponding to the channel in the X-axis direction. By providing a line, light leakage here is avoided. Embodiments of the present invention not only effectively shield light leakage, but can also increase the fluidity of PI and liquid crystals.
１つ以上の実施形態に関して本発明を図示及び説明したが、当業者は、本明細書及び添付の図面を読んで理解した上で、同等の変形及び修正を想到することができる。本発明は、このようなすべての修正及び変形を含み、特許請求の範囲のみによって限定される。特に、上記の構成要素によって実行される様々な機能に関して、そのような構成要素を記述するための用語は、構造が本明細書の例示的な実施形態における機能の開示された構造と同一でない場合であっても、該構成要素の特定の機能（例えば、それは機能的に等価である）を実行する任意の構成要素（特に指示のない限り）に対応することが意図されている。さらに、本明細書の特定の特徴は、幾つかの実施形態のうちの１つのみに関して開示されているが、そのような特徴は、例えば指定の又は特定の用途に対して望ましい及び有利であり得る１つまたは複数の他の実施形態と組み合わせることができる。また、用語「含む」、「有する」、「含有する」、又はそれらの変形が、具体的な実施形態又は特許請求の範囲で使用されている限り、これら用語は、用語「含む」と同様に、包括的であることが意図される。 Although the present invention has been illustrated and described with respect to one or more embodiments, those skilled in the art can devise equivalent variations and modifications upon reading and understanding this specification and the accompanying drawings. The present invention includes all such modifications and variations and is limited only by the scope of the claims. In particular, with respect to the various functions performed by the above components, the terminology for describing such components is such that the structure is not identical to the disclosed structure of the function in the exemplary embodiments herein. Nevertheless, it is intended to correspond to any component (unless otherwise indicated) that performs a particular function of the component (eg, it is functionally equivalent). Furthermore, although specific features herein are disclosed with respect to only one of several embodiments, such features are desirable and advantageous, for example, for a specified or specific application. It can be combined with one or more other embodiments obtained. In addition, as long as the terms “include”, “having”, “containing”, or variations thereof, are used in the specific embodiments or claims, these terms are similar to the term “including”. Intended to be comprehensive.
以上により、本発明では好適な実施例を前述の通り開示したが、上述の好適な実施例は本発明を限定するものでなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定された範囲を基準とする。 As described above, the preferred embodiments of the present invention have been disclosed as described above. However, the above-described preferred embodiments are not intended to limit the present invention, and those skilled in the art do not depart from the spirit and scope of the present invention. Various changes and modifications can be made. Therefore, the protection scope of the present invention is based on the scope specified in the claims.
Claims (15)
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、Ｙ軸方向において、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線が設けられ、Ｘ軸方向において、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域であり、前記カラーレジストの重なり位置は、赤色カラーレジストと青色カラーレジストの重なり、赤色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なり、又は、青色カラーレジストと緑色カラーレジストの重なりである、ことを特徴とするカラーフィルタアレイ基板。 A color filter array substrate, wherein the color filter array substrate is
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
A second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at the overlapping position of the color resist of the color filter layer, and a common electrode line is provided on the first metal layer corresponding to the channel for shielding light in the Y-axis direction, and in the X-axis direction, For light shielding, a metal line is provided on the second metal layer corresponding to the channel, the overlapping position of the color resist is an overlapping region of the adjacent color resist, and the overlapping position of the color resist is: A color filter array substrate comprising: an overlap of a red color resist and a blue color resist; an overlap of a red color resist and a green color resist; or an overlap of a blue color resist and a green color resist.
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第１金属層上に共通電極線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である、ことを特徴とするカラーフィルタアレイ基板。 A color filter array substrate, wherein the color filter array substrate is
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
A second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at the overlapping position of the color resist of the color filter layer, and a common electrode line is provided on the first metal layer corresponding to the channel for light shielding, and the overlapping position of the color resist is adjacent to the color resist layer. A color filter array substrate, which is an overlapping region of color resists.
ガラス基板と、
前記ガラス基板の上方に設けられ、走査線及び薄膜電界効果トランジスタのゲートを含む第１金属層と、
前記第１金属層の上方に設けられる絶縁層と、
前記絶縁層の上方に設けられる活性層と、
前記活性層の両端の上方に設けられるオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上方に設けられ、データ線、及び薄膜電界効果トランジスタのソースとドレインを含む第２金属層と、
前記第２金属層の上方に設けられ、前記第２金属層とカラーフィルタ層を分離するための第１パッシベーション層と、
前記第１パッシベーション層の上方に設けられ、順次に配列された第１カラーレジスト、第２カラーレジスト及び第３カラーレジストを含むカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上方に設けられ、前記カラーフィルタ層と画素電極層を分離するための第２パッシベーション層と、
前記第２パッシベーション層の上方に設けられる前記画素電極層と、を含み、
前記カラーフィルタ層のカラーレジストの重なり位置にチャネルが開設され、遮光のために、前記チャネルに対応する前記第２金属層上に金属線が設けられ、前記カラーレジストの重なり位置は、隣接するカラーレジストのオーバーラップ領域である、ことを特徴とするカラーフィルタアレイ基板。 A color filter array substrate, wherein the color filter array substrate is
A glass substrate;
A first metal layer provided above the glass substrate and including a scanning line and a gate of a thin film field effect transistor;
An insulating layer provided above the first metal layer;
An active layer provided above the insulating layer;
An ohmic contact layer provided above both ends of the active layer;
A second metal layer provided above the ohmic contact layer and including a data line and a source and a drain of a thin film field effect transistor;
A first passivation layer provided above the second metal layer for separating the second metal layer and the color filter layer;
A color filter layer provided above the first passivation layer and including a first color resist, a second color resist, and a third color resist, which are sequentially arranged;
A second passivation layer provided above the color filter layer and separating the color filter layer and the pixel electrode layer;
The pixel electrode layer provided above the second passivation layer,
A channel is opened at the overlapping position of the color resist of the color filter layer, and a metal line is provided on the second metal layer corresponding to the channel for light shielding, and the overlapping position of the color resist is adjacent to the color resist. A color filter array substrate, which is an overlap region of a resist.
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