JP2018522403A - 集積回路及びデバイスレベル冷却のためのマイクロホース - Google Patents

集積回路及びデバイスレベル冷却のためのマイクロホース Download PDF

Info

Publication number
JP2018522403A
JP2018522403A JP2017562724A JP2017562724A JP2018522403A JP 2018522403 A JP2018522403 A JP 2018522403A JP 2017562724 A JP2017562724 A JP 2017562724A JP 2017562724 A JP2017562724 A JP 2017562724A JP 2018522403 A JP2018522403 A JP 2018522403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat dissipation
cooling
microhose
fluid
dissipation device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017562724A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6615913B2 (ja
Inventor
ジー. ミルネ,ジェイソン
ジー. ミルネ,ジェイソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Co
Original Assignee
Raytheon Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Raytheon Co filed Critical Raytheon Co
Publication of JP2018522403A publication Critical patent/JP2018522403A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6615913B2 publication Critical patent/JP6615913B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • H05K1/0209External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0272Adaptations for fluid transport, e.g. channels, holes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6683High-frequency adaptations for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/2918Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/141Analog devices
    • H01L2924/1423Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)

Abstract

放熱デバイスは、少なくとも1つの放熱面と、アディティブ製造プロセスによって放熱面上に直に形成されたマイクロサイズの冷却機構とを含む。冷却機構は、直接的に放熱面へと、クーラント源からの冷却媒体を搬送する少なくとも1つの例えばマイクロホースなどの流体通路を含む。冷却機構は、冷却媒体が放熱面と直に熱接触するように、放熱面に流体的に封止される。

Description

本出願は、2015年6月4日に出願された米国仮出願第62/170,896号及び2015年11月9日に出願された米国仮出願第62/252,909号の利益を主張するものであり、これら双方の全体をここに援用する。
本発明は小型デバイスの冷却に関し、より具体的には詳細には回路基板を冷却することに関する。
例えばエレクトロニクスコンポーネントを実装する用途などの様々な用途が、冷却を必要とするコンポーネントを実装している。特定の用途において、エレクトロニクスコンポーネントは比較的小さいものであり得る。電子シャーシアセンブリ又はモジュールは、例えば回路基板又はカードなどの小型のエレクトロニクスコンポーネントを含み得る。モジュールの効率的な動作は、マイクロサイズのエレクトロニクスコンポーネントによって生成される熱を管理することに当てにすることがある。
マイクロサイズのエレクトロニクスコンポーネントを冷却する1つの従来方法は、エレクトロニクスアセンブリに接合された別個の冷却マニホールド又は構造を使用することを含む。例えばモノリシック又は金属製のコールドウォールなどの冷却構造が、別々に形成され、その後、はんだ、エポキシ、又はその他のコネクタを用いてエレクトロニクスアセンブリに取り付けられ得る。しかしながら、これらの冷却構造の製造は、コンポーネント間に信頼性あるシールを形成することの複雑さのために、複雑で高価なものになり得る。流体スプレッダを使用することもでき、大きな流体ホース及びコネクタを介してスプレッダに流体を送り込むことが可能にされ得る。しかしながら、エレクトロニクスアセンブリ及び付随するコンポーネントの空間的な制約を考えると、流体スプレッダ及び嵩張るコネクタを使用することは不利になり得る。
別の1つの従来方法は浸漬冷却を含む。しかしながら、浸漬冷却は一般に、嵩張るとともに漏れを起こしやすい大きなハウジングを必要とする。他の方法は、流体配給源を使用するとともに、エポキシシール又はOリングによってシールされたチャネル化チップを通じて流体送達を提供することを含む。しかしながら、上述のように、コンポーネント間に信頼性あるシールを形成することは、エレクトロニクスコンポーネントの複雑でコストのかかる製造を必要とし得る。
アディティブ製造は、例えば回路基板などの小型の熱放散デバイス上に直接的に、複雑な又はマイクロサイズの中空フィーチャ(造形)を形成又は印刷することを可能にする。中空フィーチャは、マイクロホースの形態とし得る。マイクロホースは、クーラント源と連通し得るとともに、追加の接合材料又は嵩張る接続コンポーネントなしで、回路基板に直接的に封止され得る。例えば流体などのクーラントをエレクトロニクスデバイスに直接的に送達することは、デバイスのいっそう効率的な冷却を可能にし、デバイスからのいっそう大きい全体パワー出力をもたらす。
本発明の一態様によれば、放熱デバイスは、少なくとも1つの放熱面と、上記少なくとも1つの放熱面上に直に形成された冷却機構とを含む。上記冷却機構は、冷却媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ上記冷却機構は、上記少なくとも1つの放熱面に流体的に封止され、上記冷却媒体は、上記放熱面と直に熱接触する。
本発明の一態様によれば、上記少なくとも1つの流体通路は、少なくとも1つの流体供給経路と少なくとも1つの流体戻り経路とを含み得る。上記少なくとも1つの流体供給経路が、上記放熱面に上記冷却媒体を送達する。
本発明の一態様によれば、上記少なくとも1つの流体供給経路及び上記少なくとも1つの流体戻り経路は、互いに平行とし得る。
本発明の一態様によれば、上記少なくとも1つの流体供給経路及び上記少なくとも1つの流体戻り経路は、上記少なくとも1つの流体供給経路及び上記少なくとも1つの流体戻り経路の各々の上記冷却媒体を混ぜることなく、重なり合うように構成され得る。
本発明の一態様によれば、上記冷却機構は、アディティブ製造された少なくとも1つのマイクロホースを含み得る。
本発明の一態様によれば、上記冷却機構は、流体供給マイクロホースと流体戻りマイクロホースとを含んだチャネルを含むことができ、上記流体供給マイクロホースが、上記放熱面に上記冷却媒体を送達する。
本発明の一態様によれば、上記少なくとも1つのマイクロホースは、ポリイミド、エポキシ、ウルテム、ベンゾシクロブテン、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、アクリル系プラスチック(ABS)、又はポリ乳酸(PLA)で形成され得る。
本発明の一態様によれば、当該放熱デバイスは、第1の放熱面と、該第1の放熱面上に配置された第2の放熱面とを含むことができ、上記少なくとも1つの流体通路は、上記第1の放熱面及び上記第2の放熱面の上に配置される。
本発明の一態様によれば、上記第1の放熱面及び上記第2の放熱面の各々が、水平部分及び垂直部分を含むことができ、上記少なくとも1つの流体通路は、上記少なくとも1つの流体通路が当該放熱デバイスに巻き付くように、上記第1の放熱面及び上記第2の放熱面の各々の上記水平部分及び上記垂直部分に沿って延在し得る。
本発明の一態様によれば、上記冷却機構は、上記少なくとも1つの流体通路を画成する外壁を含み得る。この壁は、菱形、円形、半円形、三角形、五角形、又は楕円形である形状を有し得る。
本発明の一態様によれば、上記少なくとも1つの流体通路は、自立型であって支持されていないとし得る。
本発明の一態様によれば、当該放熱デバイスは、上記少なくとも1つの流体通路を介して上記放熱面と連通した少なくとも1つのポンプ駆動クーラント源を含み得る。
本発明の一態様によれば、当該放熱デバイスは、少なくとも1つの被加熱面と、上記少なくとも1つの被加熱面に直に形成された加熱機構とを含むことができ、上記加熱機構は、加熱媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ上記加熱機構は、上記加熱媒体が上記少なくとも1つの被加熱面と直に熱接触するように、上記少なくとも1つの被加熱面に流体的に封止される。
本発明の一態様によれば、少なくとも1つの能動回路又は受動回路を有するプリント回路基板は、プリント配線板と、冷却媒体源と、上記プリント配線板に直にプリントされた冷却チャネルとを含み得る。上記冷却チャネルは、上記冷却媒体源と上記プリント配線板との間で流体連通した流体供給マイクロホース及び流体戻りマイクロホースを含む。上記流体供給マイクロホースが、上記プリント配線板に直に冷却媒体を送達する。
本発明の一態様によれば、当該プリント回路基板は、上記プリント配線板上に配置されたモノリシックマイクロ波集積回路を含むことができ、上記冷却チャネルは、上記プリント配線板及び上記モノリシック集積回路の上に延在する蛇行経路を有する。
本発明の一態様によれば、放熱デバイスを形成する方法は、アディティブ製造プロセスを用いて、上記放熱デバイスの放熱面上に直に冷却機構を形成することを含む。上記冷却機構は、上記放熱面に冷却媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ上記冷却機構は、上記冷却媒体と上記少なくとも1つの放熱面との間の直接的な熱接触のために、上記少なくとも1つの放熱面に流体的に封止される。
本発明の一態様によれば、上記アディティブ製造プロセスを用いることは、3Dプリント、ディスペンス、リソグラフィ、原子層成長、ステンシル印刷若しくはスクリーン印刷、溶融堆積若しくは気相堆積、スタンプ転写、焼結、及びラミネーションのうちの少なくとも1つを含み得る。
本発明の一態様によれば、上記冷却機構を形成することは、流体供給マイクロホース及び流体戻りマイクロホースを含んだチャネルを形成することを含むことができ、上記流体供給マイクロホースは、上記少なくとも1つの放熱面に上記冷却媒体を送達するように構成される。
本発明の一態様によれば、上記チャネルを形成することは、互いに平行であるように上記流体供給マイクロホース及び上記流体戻りマイクロホースを形成することを含み得る。
本発明の一態様によれば、上記放熱デバイスを形成することは、プリント回路基板を形成することを含み得る。
本発明の一態様によれば、プリント回路基板アセンブリを形成することは更に、回路基板アセンブリのプリント配線板上に上記冷却機構をプリントすることと、上記プリント配線板上に配置された回路デバイス又はモノリシックマイクロ波集積回路上に上記冷却機構をプリントすることとを含み得る。上記冷却機構は、上記プリント配線板及び上記モノリシックマイクロ波集積回路と同時に熱接触し得る。
以上の目的及び関連する目的の達成のため、本発明は、以下にて十分に記述されて請求項中で指摘される機構を有する。以下の記載及び添付の図面は、本発明の特定の例示的な実施形態を詳細に説明するものである。しかしながら、これらの実施形態は、本発明の原理が使用され得る様々なやり方のうちのほんの数例を示すものである。本発明の他の目的、利点及び新機構が、以下の本発明の詳細な説明が図面とともに検討されることで明らかになる。
従来技術に従ったエレクトロニクスモジュールの熱経路を示す模式図である。 アディティブ製造マイクロホースが回路基板にプリントされたプリント回路基板を有するエレクトロニクスモジュールの熱経路を示す模式図である。 図2のエレクトロニクスモジュールのプリント回路基板を示す模式図である。 マイクロホースを備えたチャネルを示す図3のプリント回路基板の細部の模式図である。 菱形の形状をしたマイクロホースを有するチャネルを示す模式図である。 様々な形状を持つマイクロホースを有するチャネルを示す模式図である。 形状が三角形であるマイクロホースを備えたチャネルを示す模式図である。 回路基板上にプリントされた図6Aのマイクロホースを示す図である。 平行配置で構成されたマイクロホースを示す模式図である。 互いに重なり合うマイクロホースを示す模式図である。 プリント回路基板の側面を示す模式図である。 プリント回路基板の等角図を示す模式図である。 回路基板上のプリントされた冷却チャネルを形成する例示的な方法を示す図である。 図10Aに示される方法によって形成される冷却チャネルの例示的な一形状を示す図である。 図10Aに示される方法によって形成される冷却チャネルの例示的な他の一形状を示す図である。 図10Aに示される方法によって形成される冷却チャネルの例示的な更なる他の一形状を示す図である。 プリント回路基板の断面図を示す模式図である。 モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)の形態をした放熱デバイスを示す模式図である。 必ずしも縮尺通りではないものである添付のシートは、本発明及び関係する素材の様々な態様を、様々に示し、テキストにて記述する。
ここに記載される原理は、放熱デバイス用の冷却機構を形成するアディティブ(加法)製造プロセスに特定の用途を有する。ここに記載される冷却機構は、例えば、エレクトロニクスシャーシアセンブリを冷却するために、又はマイクロサイズのコンポーネントが冷却を必要とする何らかの用途においてなどで、多様な用途で実現可能であり得る。アディティブ製造を用いることは、複雑な内部フィーチャ(造形)を形成することにおけるアディティブ製造の能力により、冷却機構を放熱デバイス上に直接プリントするのに有利である。複雑な内部フィーチャの例は、例えばクーラントが通り抜けることを可能にするための小さい冷却通路又はチャネルなどの、支持されない中空フィーチャを含み得る。例えば、アディティブ製造プロセスを用いて回路基板上に直にマイクロホース構造がプリントされて、回路基板に直に冷却媒体が送達されることを可能にし得る。
ここで図1−6を参照するに、本出願に従った冷却機構は、従来の冷却方法とは対照的に、放熱デバイス上に直接的に形成され得る。デバイスに直に冷却機構をプリントすることは、追加のコネクタ又はコンポーネントを使用することなく、プリントが行われるときに流体シールを作り出すことを可能にする。図1の従来技術に示されるように、従来のエレクトロニクスモジュール20は、プリント配線板22と、例えば冷却流体などの冷却媒体をプリント配線板22に供給するためのコールドウォール24とを含む。プリント配線板22を冷却することは、それが電子回路の効率を高めてモジュール20の全体的なパワー増大を可能にする点で有利である。例えば、モジュール20は、1ギガヘルツと8ギガヘルツとの間の周波数で動作することができ、電子回路を冷却することは、特定の周波数で最大100ワットに至るパワー増大を可能にし得る。従来のモジュール20は、プリント配線板22とコールドウォール24との間に配置されるので、プリント配線板22とモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)28との間に回路バンプ26と、MMIC28とヒートスプレッダ32との間のテープ自動ボンド層30とを含んでいる。自動ボンド層30は銅モリブデンで形成され得る。ヒートスプレッダ32とコールドウォール24との間に熱インタフェース材料34も設けられている。プリント配線板22は、サイズ的に比較的小さく、およそ5.5ミリメートル×3.8ミリメートル幅及び長さを有する。プリント配線板22のサイズ制約に起因して、プリント配線板22に冷却流体を供給するのに、標準サイズのホース及びその他の流体コネクタは、モジュール20とは適合しない。さらに、従来の流体コネクタをマイクロレベルに縮小することは、製造上の限界のために実現可能でないことがある。
次に、図2−4を参照するに、本出願の原理に従った放熱デバイス36が示されている。放熱デバイス36は、放熱面38を含み得る。放熱デバイス36はエレクトロニクスモジュールとすることができ、放熱面38は、プリント配線板22(回路基板)又は回路基板の別の放熱面を含み得る。放熱デバイス36は、如何なる好適な放熱デバイス又はデバイスの放熱コンポーネントであってもよい。好適な放熱コンポーネント又はデバイスの例は、電気デバイス、回路、プロセッサ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、リミッタ、ダイオード、レーザダイオード、又は抵抗のうちの少なくとも1つを含み得る。数多くのその他の好適デバイスが、ここに記載される原理を実装し得る。放熱デバイスのその他の例は、非電気デバイスを含み得る。非電気デバイスの例は、燃料生成システム及び自動車用途で使用されるデバイスを含み得る。
放熱デバイス36は、冷却媒体のソース(源)40を含み得る。ソース40は、冷却流体を供給するリザーバ、コールドウォール、エアホース、流体ホース、ヒートシンク、コネクタ、又はファンとし得る。放熱デバイス36に好適な如何なる冷却源が使用されてもよい。冷却源は、ポンプ駆動されるソースとし得る。放熱面38は、従来のエレクトロニクスモジュール20においてのように、回路バンプ42及びMMIC44を含み得る。図1の従来モジュール20とは対照的に、放熱デバイス36は、アディティブ製造プロセスによって放熱面38上に直にプリント又は形成された冷却機構46を含んでいる。プリントによる冷却機構は、多階層での流体経路ルーティングを可能にするように、例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ若しくはプロセッサなどのダイ、デバイスパッケージ若しくはオーバーモールドされたデバイスの上で、又は回路カードアセンブリレベルでなど、回路アセンブリ階層構造の複数の階層で実装され得る。
冷却機構46は、放熱面38又は放熱デバイス36を改変することなく、冷却機構46のフィーチャが放熱面38上に直に付与されるように、アディティブ製造によって形成される。冷却機構46は、例えば流体通路、チャネル、開口、導管、ダクト、ノズル、又はガイドなどの、クーラント用の少なくとも1つの中空フィーチャを含み得る。クーラントは、固体、液体、気体、プラズマ、又は複数材料の好適な混合物とし得る。例示的な一構成において、クーラントは、例えば溶解されるワックスのように、相変化し得る。クーラントの選択は、放熱面38に依存し得る。クーラントが流体又はその他の移動クーラントである一構成において、クーラントは、それが放熱デバイス36の放熱面38に直に送達されるように、冷却機構46を流れ抜け得る。ソースは、冷却機構46が強制対流ループを含むようにポンプ駆動されるソースとし得る。クーラントが固体である一構成において、クーラントは、放熱デバイス36との直接的な熱接触のために、冷却機構46の中に配置され得る。
更なる他の例示的な一構成において、放熱デバイス36は、冷却機構46の構造と同様の構造を持つ加熱機構を含んでいてもよい。加熱機構は、デバイス36の少なくとも1つの表面に熱を送達するように構成され得る。加熱機構は、その表面に加熱媒体を送達するように構成された少なくとも1つの通路を含み得る。加熱機構は、加熱媒体が被加熱表面と直に熱接触するように、デバイス36上に直にプリントされてデバイス36に流体的に封止され得る。
アディティブ製造された冷却機構46は、放熱面38を冷却するのに好適な如何なる構成で形成されてもよい。例えば、冷却機構46は、例えば放熱面38と連通したチャネル48など、少なくとも1つの中空フィーチャを含み得る。中空フィーチャは、追加の材料を使用せずに、支持されていなくてもよいが、そのような支持が必要とされる場合には、中空フィーチャを補強又は支持するために何らかの好適な形状が使用されてもよい。中空フィーチャは、当該中空フィーチャの内表面又は外表面でコーティングされ得る。このコーティングは、如何なる好適材料で形成されてもよい。少なくとも1つのチャネル48は、放熱デバイス36のMMIC部分の長さに沿って延在するマイクロサイズのチャネルとし得る。冷却機構46は、マイクロチャネル48内に含められてクーラント源40と流体連通した少なくとも1つのマイクロサイズのホース又はマイクロホース50を含み得る。該少なくとも1つのマイクロホース50は、流体供給経路52として機能する注入ホース52と、流体戻り経路54として機能する排出ホース54とを含み得る。供給経路52及び戻り経路54は、どちらも放熱デバイス36を横切って延在するように構成された別々のホースとし得る。これら少なくとも1つのマイクロホース50、52、54は、やはりソース40と流体連通しているコネクタ56と流体連通し得る。コネクタ56は、接続金具、弁、又は何らかの適切な接続デバイスとし得る。クーラントが流体の形態である一構成において、コネクタ56はまた、クーラントの流れを調整及び/又は測定するための圧力計、スイッチ、又はその他の流体調整デバイスと流体連通し得る。
放熱面38上に直に冷却機構46を形成することは、追加の嵩張るコンポーネントを排除し得るとともに、標準的な接続金具を冷却源40と冷却機構46との間での使用のために適応させ得る点で有利である。例えば、冷却機構46は、図1の従来モジュール20で使用されるようなヒートスプレッダ32、自動ボンド層30、及び/又は熱インタフェース34の必要性を排除し得る。故に、放熱構造の全重量が有意に低減され得る。冷却機構46を形成するのにアディティブ製造プロセスを使用することはまた、冷却機構46の小さくて複雑な中空幾何学構成が放熱面38上に形成され得る点で有利である。アディティブ製造は、放熱デバイス36を通る蛇行した一体化流体通路を有する冷却機構46を形成することを可能にし得る。アディティブ製造はまた、複雑な形状又は小さいサイズを有し得る放熱デバイス36の多数の表面上に冷却機構46を形成することを可能にする。
放熱デバイス36内に冷却機構46を実装することの別の1つの利点は、従来モジュール20と比較して、放熱デバイス36が、同じ容積又はより小さい容積の放熱デバイス36又はエレクトロニクスモジュールの中に収容され得ることである。冷却機構46を使用することの更に別の1つの利点は、放熱面38に直にプリントされている冷却機構46が、クーラントが放熱面38に直に接触することを可能にすることである。冷却機構46は、追加の接合プロセス又は材料を用いることなく、放熱面38に流体的に封止される。従来モジュール20と比較して、デバイスに直接的に流体を送達することは、およそ2倍大きいパワーが放熱デバイス36から出力されることを可能にし得る。例示的な一構成において、アディティブ製造された冷却機構を有する放熱デバイス36の電力消散は220ワットほどの高さ又はそれよりも高くなり得る。放熱デバイス36の電力消散は用途に依存し得る。
更に図3及び4を参照するに、供給経路52及び戻り経路54は、チャネル48内に配置され得る。図3に示されるように、供給経路52及び戻り経路54は、供給経路52及び戻り経路54の各々がクーラント源及び被冷却面と流体連通するように、互いに平行に配置され得る。他の一構成において、供給経路52及び戻り経路54は、単一のクーラントが供給経路52及び戻り経路を連続して通って流れることができるように、互いに直列に配置されてもよい。平行経路は、チャネル48中での低い圧力降下、ひいては、高い冷却効率を可能にする。また、平行な供給及び戻りルーティングはまた、アセンブリを横切っての温度勾配を排除する。チャネル48は、およそ0.250センチメートルの直径を有し得るが、チャネルは如何なる好適な直径を有していてもよく、直径はマイクロホースの直径に依存し得る。マイクロホース52、54の寸法は、流れ及び圧力降下に関して最適化され得る。マイクロホース52、54の好適な直径の例は、0.025センチメートルと0.102センチメートルとの間の範囲に入り得るが、より小さい直径及びより大きい直径も達成可能である。マイクロホースは、0.012センチメートルの壁厚を有し得るが、厚さは、0.001cm以下と最大0.1cm以上との間で、より小さくてもよいし、より大きくてもよい。マイクロホースの寸法は、特定のパワー出力を達成するように選定され得る。マイクロホース52、54は、毎秒6ミリリットルと7ミリリットルとの間である冷却媒体の流量を達成するように形成され得るが、マイクロホース(供給経路及び戻り経路)52、54は、如何なる好適な圧力降下及び/又は流量を達成するように寸法を定められてもよい。低い流量は、一般に、高い熱流束レベルを拒絶し得る。マイクロホース52、54はまた、特定の温度を持つ冷却媒体をサポートするように構成され得る。マイクロホースの例示的な一構成において、注入ホース52に入って来るクーラントの温度はおよそ摂氏45度とすることができ、排出ホース54を出て行くクーラントの温度はおよそ摂氏55度とすることができる。マイクロホースは、使用されるクーラント及び放熱デバイス36の特定の用途に応じて、他のクーラント温度に合わせて構成されてもよい。
更に図5A−6Bを参照するに、マイクロホースは、如何なる好適形状を有していてもよく、形状は用途に依存し得る。マイクロホースは、全て同じ又は異なる形状を有し得る。チャネル48も、マイクロホースの形状と相補的な形状を有するように形成され得る。例示的な構成を図5A及び5Bに示す。図5Aに示すように、チャネル48は、チャネル48中を延在する菱形形状の開口50を有するように形成され得る。菱形の形状をした開口50の高さは、およそ1ミリメートルとし得るものであるチャネル48の高さよりも小さいとし得る。チャネル48及び開口50は、如何なる好適な寸法を有していてもよい。チャネル48は、互いに平行に配置される注入マイクロホース及び排出マイクロホースの双方を含むために、およそ0.012センチメートルの幅を有し得る。チャネル48内の開口50の全てが同じ形状を有していてもよく、マイクロホースは相補的な形状を有し得る。図5Bに示すように、マイクロホースは、例えば半円形58、菱形60、又は円形62などの異なる形状を有していてもよい。別の1つの好適形状は五角形の形状とし得る。
図6A及び6Bに示すように、マイクロホースは、放熱面38上にプリントされた三角形の形状63を有していてもよい。図6Bに示すように、放熱面は、プリント配線板22とし得る。チャネル48及びマイクロホースは、プリント配線板22に直接的にプリントされ得る。チャネル48は、コネクタ56を介してクーラント源と連通し得る。
次に図7−9Bを参照するに、放熱デバイス36は、プリント配線板22の頂部上で互いに平行に配置され且つ離間された、例えば複数のMMICなどの、複数の回路デバイス44を含み得る。図7に示すように、複数のMMIC44の各々に対して平行にチャネル48の供給経路52及び戻り経路54が配置され得る。図8に示すように、別の好適な一構成は、各経路の冷却媒体が他経路の冷却媒体を混ざらないように互いに重なり合う又は交差する供給経路52及び戻り経路54を含み得る。図9A及び9Bに最もよく示されるように、チャネル48は、チャネル48の経路が蛇行する、巻かれる、又は遠回しされるであり得るように、複数のMMIC44の各々の上及び/又は周りに形成され得る。
図9Bに最もよく示されるように、プリントによる冷却機構は、例えば異なる高さ及び構成の表面上など、放熱デバイス36の様々なトポグラフィ上に配置され得る。例えば、プリント配線板22は頂面64を有することができ、頂面64上に複数の回路デバイス44が配置され得る。複数の回路デバイス44の各々もまた、プリント配線板22の頂面64よりも高くなった頂面66を有し得る。チャネル48は、チャネル48が頂面64、66の各々と熱接触するように、プリント配線板22及び回路デバイス44の頂面64、66の各々にプリントされ得る。チャネル48はまた、チャネル48が第1の水平表面を横切って、すなわち、プリント配線板22の頂面64を横切って進み、垂直表面に沿って、すなわち、回路デバイス44の側面68に沿って進み、そして、第2の水平表面を横切って、すなわち、回路デバイス44の頂面66を横切って進むように、デバイス44又はプリント配線板22の端面又は側面68にもプリントされ得る。チャネル48は、放熱デバイス36に巻き付くように形成されてもよい。チャネル48はまた、複数の回路デバイス44上に直接的にプリントされたマイクロホースを含み得る。
放熱デバイス36を形成する方法は、アディティブ製造プロセスを用いて、放熱デバイス36の放熱面38上に直に冷却機構46を形成することを含む。冷却機構46は、放熱デバイス36の形成中に形成されることができ、アディティブ製造プロセスは、如何なる好適プロセスを含んでいてもよい。好適プロセスの例は、3Dプリント、ディスペンス、リソグラフィ、原子層成長、ステンシル印刷若しくはスクリーン印刷、溶融堆積モデリング、スタンプ転写、気相堆積、焼結、過渡液相焼結、ラミネーション、めっき、浸漬、ブラシコーティング、又はスプレイコーティングを含む。マイクロホース50は、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、アクリル系プラスチック(ABS)、ポリ乳酸(PLA)、又は熱に耐え得るその他の好適ポリマー材料などの、電気的に適合する材料で形成され得る。例えばパイララックス(Pyralux;デュポン社の登録商標)などの、アクリル系接着剤を有するポリイミドは、1つの好適材料であるとすることができ、ラミネーションは、1つの好適プロセスであるとすることができる。冷却機構のマイクロホース及びその他のフィーチャは、アディティブ製造に好適な如何なる材料で形成されてもよい。好適材料の例は、他のポリマー材料、金属材料、エポキシ、誘電体材料、セラミック材料、エアロゲル、はんだ付けに典型的に使用される合金、発泡体、炭化水素、半導体、及び複合材料を含む。更なる他の好適材料は、ガラス、水晶、アモルファス材料、メッシュ材料、及び半導体を含む。
マイクロホースがポリマーで形成される一構成において、この方法は、ブランクの回路カード上に直にマイクロホース50をプリントすることを含み得る。従来からの3Dプリンタを用いてポリマーをディスペンスし得る。このプリンタが、ポリマー接着剤を作製するのに好適な温度で動作可能であるとし得る。好適な動作温度は、摂氏210度と摂氏250度との間とし得るが、ポリマー材料に応じて、その他の温度が好適であることもある。エポキシ系ポリマーを硬化させるために紫外線が使用され得る。
図9Bに示すように、この方法は更に、例えばプリント配線板22の頂面64などの放熱デバイスの第1の放熱面上に冷却機構をプリントすることを含み得る。この方法は更に、例えばMMIC44の頂面66などの放熱デバイスの第2の放熱面上に冷却機構をプリントすることを含み得る。冷却機構は、双方のコンポーネントに直にクーラントが送達されるように、プリント配線板22及びMMIC44の双方と同時に熱接触し得る。先述のように、頂面64、66はまた、冷却機構の経路が放熱デバイス36の周りで曲がるように、様々な高さを有していてもよい。
次に、図10A−10Dを参照するに、アディティブ製造法は、冷却機構の中空フィーチャを形成するために、犠牲成形材料の上にポリマーコーティングを塗布することを含み得る。犠牲成形材料70は、アディティブ製造プロセスの間、例えば流路又はチャネル48などの中空フィーチャを画成して維持するために使用され得る。アディティブ製造プロセスによって所望のフィーチャが形成された後、犠牲材料70が除去され得る。例えば、チャネル48の垂直に延在する壁69は、層ごと(レイヤ・バイ・レイヤ)のアディティブ製造プロセスで構築されることができ、チャネル48の所望の形状を形成するために犠牲材料71がディスペンスされ得る。犠牲材料は、3Dプリンタ、ディスペンスシステム、シリンジ、例えばチューブ若しくはボトルなどの手動ディスペンス機構、光パターニング、ステンシル印刷、又は表面上にパターンを形成するのに好適な何らかの方法を用いて施され得る。犠牲材料は、溶解、化学溶液を用いた分解、又は力若しくは圧力による物理的な置き換えによって除去され得る。犠牲材料は、ポリマー、ワックス、金属、金属合金、炭化水素、プラスチック、又は何らかの好適材料とし得る。
図10Aに最もよく示されるように、犠牲材料70は、チャネル48又は冷却機構の他の中空フィーチャを画成するために、様々な直径のビーズを形成するペーストとしてディスペンスされ得る。チャネル48の外装部分を形成するために、ビーズの上に誘電体ペースト71がディスペンスされ得る。誘電体ペースト71は、犠牲ペースト70と完全に混ざることなく、ビーズの形状に従うことができ、犠牲ペースト70を除去することを可能にする。図10Aに示すように、チャネル48は、湾曲形状70aを有するように形成され得るが、如何なる好適形状が形成されてもよい。チャネル48は、直線状であってもよいし、又は変化する直径を有してもよい。チャネルは、T字形状又はY字形状の交差を有していてもよい。図1に示すように、図10B−10Dに示すように、犠牲ペーストはまた、自己支持構造を形成し得る。例えば、犠牲ペースト70は、図10Bに示すようなピラー70b、図10Cに示すような螺旋70c、又は図10Dに示すようなクロスオーバ70dを形成し得る。チャネル48は、10ミリメートルと15ミリメートルとの間の範囲の直径を有し得るが、如何なる好適な直径が形成されてもよい。誘電体ペースト71はおよそ摂氏100度の融点を有し、その結果、当該誘電体ペーストは、紫外線を用いて硬化されることができ、そして、狭いチャネルから犠牲ペースト70が取り除かれ得る。
次に、図11を参照するに、プリントされたマイクロホース50と放熱デバイス36又はエレクトロニクスモジュール内の放熱面38との間に形成される境界面の更なる細部が、模式図によって示されている。放熱面38は、前述したように、複数のMMIC44及び回路バンプ42を含み得る。放熱面38の少なくとも一部が窒化ガリウムで形成されることがある。これまた先述したように、チャネル48がMMIC44に直にプリントされて、クーラントが放熱面に対して流体的に封止されることを可能にしている。チャネル48は、マイクロサイズとすることができ、チャネル48を画成する垂直に延在した壁69を有している。マイクロサイズのチャネルは、シリコン又はアディティブ製造に適した何らかの材料で形成され得る。
次に、図12を参照するに、アディティブ製造される冷却機構46の別の例示的な一構成が、放熱デバイス36内に示されている。放熱デバイス36は、チップレベル又はウエハレベルで供給経路及び戻り経路を含んだ流体チャネルを有するMMICチップの形態であるとし得る。MMICチップは、例示的なデバイスであり、如何なる他の好適な放熱デバイスが使用されてもよい。冷却機構46は、マイクロ流体MMICチップ内冷却のために実装され得る。放熱面すなわちMMIC44は、シリコン流体マニホールド72と、イオン又は化学エッチングプロセスによって形成されたチップ内マイクロチャネル74とを含み得る。流体マニホールド72は、流体を短い流れ長さのマイクロチャネル74に分配し、熱伝達性能及び熱流体効率を最大化する。マイクロチャネル74は各々、20ミクロンと30ミクロンとの間の厚さを有し得る。マイクロチャネル74は、高電子移動度トランジスタの熱流束を管理可能なレベルまで広げるとともに、高いフィン効率を提供して、対流熱抵抗を最小化する。MMIC44は、増大されたパワー密度の電界効果トランジスタ78を含み得る。
1つ以上の特定の好適実施形態に関して本発明を図示して説明してきたが、明らかなことには、本明細書及び添付の図面を読んで理解した当業者には、等価な代替及び変更が思い浮かぶことになる。特に、上述の要素(コンポーネント、アセンブリ、装置、組成など)によって実行される様々な機能に関して、そのような要素を記述するために使用される用語(“手段”への参照を含む)は、特段の断りがない限り、ここに例示した本発明の1つ以上の実施形態においてその機能を果たす開示構造とは構造的に等価でないとしても、記述される要素の指定機能を実行する(すなわち、機能的に等価な)如何なる要素にも対応することが意図される。また、本発明の或る特定の機構は、例示した幾つかの実施形態のうちの1つ以上に関してのみ上述されているかもしれないが、そのような機構が、所与又は特定の用途に関して望ましくて有利であるように、他の実施形態の1つ以上の他の機構と組み合わされてもよい。

Claims (20)

  1. 少なくとも1つの放熱面と、
    前記少なくとも1つの放熱面上に直に形成された冷却機構と
    を有し、
    前記冷却機構は、冷却媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ
    前記冷却機構は、前記少なくとも1つの放熱面に流体的に封止され、前記冷却媒体は、前記放熱面と直に熱接触する、
    放熱デバイス。
  2. 前記少なくとも1つの流体通路は、少なくとも1つの流体供給経路と少なくとも1つの流体戻り経路とを含み、前記少なくとも1つの流体供給経路が、前記放熱面に前記冷却媒体を送達する、請求項1に記載の放熱デバイス。
  3. 前記少なくとも1つの流体供給経路及び前記少なくとも1つの流体戻り経路は、互いに平行である、請求項2に記載の放熱デバイス。
  4. 前記少なくとも1つの流体供給経路及び前記少なくとも1つの流体戻り経路は、前記少なくとも1つの流体供給経路及び前記少なくとも1つの流体戻り経路の各々の前記冷却媒体を混ぜることなく、重なり合うように構成されている、請求項2又は3に記載の放熱デバイス。
  5. 前記冷却機構は、アディティブ製造された少なくとも1つのマイクロホースを含む、請求項1乃至4の何れかに記載の放熱デバイス。
  6. 前記冷却機構は、流体供給マイクロホースと流体戻りマイクロホースとを含んだチャネルを含み、前記流体供給マイクロホースが、前記放熱面に前記冷却媒体を送達する、請求項5に記載の放熱デバイス。
  7. 前記少なくとも1つのマイクロホースは、ポリイミド、エポキシ、ウルテム、ベンゾシクロブテン、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、アクリル系ポリマー、又はポリ乳酸で形成されている、請求項5又は6に記載の放熱デバイス。
  8. 当該放熱デバイスは、第1の放熱面と、該第1の放熱面上に配置された第2の放熱面とを含み、前記少なくとも1つの流体通路は、前記第1の放熱面及び前記第2の放熱面の上に配置されている、請求項1乃至7の何れかに記載の放熱デバイス。
  9. 前記第1の放熱面及び前記第2の放熱面の各々が、水平部分及び垂直部分を含み、前記少なくとも1つの流体通路は、前記第1の放熱面及び前記第2の放熱面の各々の前記水平部分及び前記垂直部分に沿って延在し、前記少なくとも1つの流体通路は、当該放熱デバイスに巻き付いている、請求項8に記載の放熱デバイス。
  10. 前記冷却機構は、前記少なくとも1つの流体通路を画成する外壁を含み、該壁は、三角形、五角形、菱形、円形、又は半円形である形状を有する、請求項1乃至9の何れかに記載の放熱デバイス。
  11. 当該放熱デバイスは、前記少なくとも1つの流体通路を介して前記放熱面と連通した少なくとも1つのポンプ駆動クーラント源を含む、請求項1乃至10の何れかに記載の放熱デバイス。
  12. 当該放熱デバイスは、
    少なくとも1つの被加熱面と、
    前記少なくとも1つの被加熱面に直に形成された加熱機構と
    を含み、
    前記加熱機構は、加熱媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ
    前記加熱機構は、前記少なくとも1つの被加熱面に流体的に封止され、前記加熱媒体は、前記少なくとも1つの被加熱面と直に熱接触する、
    請求項1乃至11の何れかに記載の放熱デバイス。
  13. 少なくとも1つの能動回路又は受動回路を有するプリント回路基板であって、
    プリント配線板と、
    冷却媒体源と、
    前記プリント配線板に直にプリントされた冷却チャネルであり、当該冷却チャネルは、前記冷却媒体源と前記プリント配線板との間で流体連通した流体供給マイクロホース及び流体戻りマイクロホースを含み、前記流体供給マイクロホースが、前記プリント配線板に直に冷却媒体を送達する、冷却チャネルと、
    を有するプリント回路基板。
  14. 当該プリント回路基板は更に、前記プリント配線板上に配置されたモノリシックマイクロ波集積回路を含み、前記冷却チャネルは、前記プリント配線板及び前記モノリシック集積回路の上に延在する蛇行経路を有する、請求項13に記載のプリント回路基板。
  15. 放熱デバイスを形成する方法であって、
    アディティブ製造プロセスを用いて、前記放熱デバイスの放熱面上に直に冷却機構を形成する
    ことを有し、
    前記冷却機構は、前記放熱面に冷却媒体を搬送する少なくとも1つの流体通路を含み、且つ
    前記冷却機構は、前記冷却媒体と前記少なくとも1つの放熱面との間の直接的な熱接触のために、前記少なくとも1つの放熱面に流体的に封止される、
    方法。
  16. 前記アディティブ製造プロセスを用いることは、3Dプリント、ディスペンス、リソグラフィ、原子層成長、ステンシル印刷若しくはスクリーン印刷、溶融堆積若しくは気相堆積、スタンプ転写、焼結、及びラミネーションのうちの少なくとも1つを含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記冷却機構を形成することは、流体供給マイクロホース及び流体戻りマイクロホースを含んだチャネルを形成することを含み、前記流体供給マイクロホースは、前記少なくとも1つの放熱面に前記冷却媒体を送達するように構成される、請求項15又は16に記載の方法。
  18. 前記チャネルを形成することは、互いに平行であるように前記流体供給マイクロホース及び前記流体戻りマイクロホースを形成することを含む、請求項17に記載の方法。
  19. 前記放熱デバイスを形成することは、プリント回路基板アセンブリを形成することを含む、請求項15乃至18の何れかに記載の方法。
  20. 当該方法は更に、
    回路基板のプリント配線板上に前記冷却機構をプリントすることと、
    前記プリント配線板上に配置された第2の回路デバイス上に前記冷却機構をプリントすることと
    を含み、
    前記冷却機構は、前記プリント配線板及び前記第2の回路デバイスと同時に熱接触する、
    請求項19に記載の方法。
JP2017562724A 2015-06-04 2016-06-03 集積回路及びデバイスレベル冷却のためのマイクロホース Active JP6615913B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562170896P 2015-06-04 2015-06-04
US62/170,896 2015-06-04
US201562252909P 2015-11-09 2015-11-09
US62/252,909 2015-11-09
PCT/US2016/035714 WO2016196929A2 (en) 2015-06-04 2016-06-03 Micro-hoses for integrated circuit and device level cooling

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018522403A true JP2018522403A (ja) 2018-08-09
JP6615913B2 JP6615913B2 (ja) 2019-12-04

Family

ID=56236071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017562724A Active JP6615913B2 (ja) 2015-06-04 2016-06-03 集積回路及びデバイスレベル冷却のためのマイクロホース

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9960101B2 (ja)
EP (1) EP3304591A2 (ja)
JP (1) JP6615913B2 (ja)
KR (1) KR102100177B1 (ja)
IL (1) IL255935B (ja)
TW (1) TWI685931B (ja)
WO (1) WO2016196929A2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11235528B2 (en) 2017-09-02 2022-02-01 R3 Printing, Inc. Carriageless print head assembly for extrusion-based additive construction
US10388590B1 (en) 2018-01-31 2019-08-20 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Cooling bond layer and power electronics assemblies incorporating the same
US11015872B2 (en) 2018-06-29 2021-05-25 The Boeing Company Additively manufactured heat transfer device
US12029008B2 (en) 2019-04-11 2024-07-02 The Penn State Research Foundation Hybrid microjet liquid-cooled heat spreader
US11158566B2 (en) * 2019-05-24 2021-10-26 Google Llc Integrated circuit with a ring-shaped hot spot area and multidirectional cooling
US11277937B2 (en) * 2019-07-31 2022-03-15 Jetcool Technologies Inc. Re-entrant flow cold plate
KR102463257B1 (ko) 2020-07-06 2022-11-04 주식회사 테크늄 리튬 이차전지용 전해질 첨가제 및 이를 포함하는 리튬이차전지
KR102467447B1 (ko) 2020-09-03 2022-11-15 주식회사 테크늄 리튬이차전지용 전해질 첨가제 및 이를 포함하는 리튬이차전지
US11776875B2 (en) 2020-11-13 2023-10-03 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Systems including a vapor chamber as the heat spreading substrate of a power device embedded in a PCB and methods of forming the same
CN112601437B (zh) * 2021-01-06 2022-06-21 皖西学院 一种高效散热的特殊铝合金混合微通道液冷冷板
US20240130077A1 (en) * 2021-03-17 2024-04-18 3M Innovative Properties Company Multichannel manifold cold plate

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226058A (ja) * 1990-04-27 1992-08-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 熱伝達システム
JPH06224338A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Hitachi Ltd 電子装置
JP2001308470A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路部品モジュール及びその製造方法
US6919231B1 (en) * 2004-03-24 2005-07-19 Intel Corporation Methods of forming channels on an integrated circuit die and die cooling systems including such channels
JP2006054434A (ja) * 2004-06-29 2006-02-23 Cooligy Inc 熱を発生するデバイスにおける所望のホットスポットを冷却するための柔軟な流体輸送のための方法及び装置
JP2006065770A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Casio Comput Co Ltd 反応装置及び電気・電子機器
JP2007024551A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 中継基板、及びマイクロチップ搭載装置
JP2008072109A (ja) * 2001-09-28 2008-03-27 Univ Leland Stanford Jr 電気浸透マイクロチャネル冷却システム
JP2009521115A (ja) * 2005-12-23 2009-05-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 犠牲相互接続部を用いたオンチップ相互接続スタック冷却
JP2012015415A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Fujitsu Ltd 電子デバイスとその製造方法
US20140332949A1 (en) * 2013-05-10 2014-11-13 Raytheon Company Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6708501B1 (en) * 2002-12-06 2004-03-23 Nanocoolers, Inc. Cooling of electronics by electrically conducting fluids
US7454920B2 (en) * 2004-11-04 2008-11-25 Raytheon Company Method and apparatus for moisture control within a phased array
JP2007324544A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Fuji Xerox Co Ltd 積層型半導体パッケージ
US20100288479A1 (en) * 2008-01-14 2010-11-18 Wen Jin Meng Metal-Based Microchannel Heat Exchangers Made by Molding Replication and Assembly
DE112008003714T5 (de) * 2008-10-29 2010-11-25 Advantest Corp. Temperatursteuerung für elektronische Bauelemente
US8081478B1 (en) 2008-12-09 2011-12-20 Lockheed Martin Corporation Fluid cooled electronics module cover
CN101826494B (zh) * 2010-04-13 2011-06-22 北京大学 基于碳纳米管阵列和低温共烧陶瓷的散热装置及制备方法
JP5642419B2 (ja) * 2010-05-07 2014-12-17 一般財団法人電力中央研究所 気密ケース入り熱電変換モジュール
US8353332B2 (en) * 2010-10-13 2013-01-15 Reid Aarne H Integrated electronics cooling device
US9307674B2 (en) * 2011-05-06 2016-04-05 International Business Machines Corporation Cooled electronic system with liquid-cooled cold plate and thermal spreader coupled to electronic component
US9854714B2 (en) * 2011-06-27 2017-12-26 Ebullient, Inc. Method of absorbing sensible and latent heat with series-connected heat sinks
US8627876B2 (en) 2012-02-29 2014-01-14 Ford Global Technologies, Llc Molding tool with conformal portions and method of making the same
US8567477B2 (en) 2012-02-29 2013-10-29 Ford Global Technologies, Llc Mold core for forming a molding tool
US9371984B2 (en) * 2012-08-31 2016-06-21 Kyocera Corporation Light irradiation apparatus and printing apparatus
US11048829B2 (en) 2013-03-15 2021-06-29 Kemeera Llc 3D printing systems and methods for fabricating injection molds
US9526191B2 (en) 2013-05-15 2016-12-20 Dy 4 Systems Inc. Fluid cooled enclosure for circuit module apparatus and methods of cooling a conduction cooled circuit module
JP6201458B2 (ja) * 2013-06-28 2017-09-27 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法
CN103996665B (zh) * 2014-06-09 2016-08-03 电子科技大学 一种采用脉动流及波壁微通道的强化散热装置
US9439331B1 (en) * 2015-03-29 2016-09-06 Banqiu Wu Cost-effective cooling method for computer system

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226058A (ja) * 1990-04-27 1992-08-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 熱伝達システム
JPH06224338A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Hitachi Ltd 電子装置
JP2001308470A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路部品モジュール及びその製造方法
JP2008072109A (ja) * 2001-09-28 2008-03-27 Univ Leland Stanford Jr 電気浸透マイクロチャネル冷却システム
US6919231B1 (en) * 2004-03-24 2005-07-19 Intel Corporation Methods of forming channels on an integrated circuit die and die cooling systems including such channels
JP2006054434A (ja) * 2004-06-29 2006-02-23 Cooligy Inc 熱を発生するデバイスにおける所望のホットスポットを冷却するための柔軟な流体輸送のための方法及び装置
JP2006065770A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Casio Comput Co Ltd 反応装置及び電気・電子機器
JP2007024551A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Ngk Spark Plug Co Ltd 中継基板、及びマイクロチップ搭載装置
JP2009521115A (ja) * 2005-12-23 2009-05-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 犠牲相互接続部を用いたオンチップ相互接続スタック冷却
JP2012015415A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Fujitsu Ltd 電子デバイスとその製造方法
US20140332949A1 (en) * 2013-05-10 2014-11-13 Raytheon Company Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system

Also Published As

Publication number Publication date
IL255935B (en) 2022-05-01
EP3304591A2 (en) 2018-04-11
US20160358842A1 (en) 2016-12-08
WO2016196929A3 (en) 2017-02-09
US9960101B2 (en) 2018-05-01
WO2016196929A2 (en) 2016-12-08
JP6615913B2 (ja) 2019-12-04
KR102100177B1 (ko) 2020-04-13
KR20180015219A (ko) 2018-02-12
TW201709444A (zh) 2017-03-01
TWI685931B (zh) 2020-02-21
IL255935A (en) 2018-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6615913B2 (ja) 集積回路及びデバイスレベル冷却のためのマイクロホース
Palko et al. Extreme two‐phase cooling from laser‐etched diamond and conformal, template‐fabricated microporous copper
Drummond et al. A hierarchical manifold microchannel heat sink array for high-heat-flux two-phase cooling of electronics
US9980415B2 (en) Configurable double-sided modular jet impingement assemblies for electronics cooling
Sekar et al. A 3D-IC technology with integrated microchannel cooling
US7000686B2 (en) Heat transport device and electronic device
US9835363B2 (en) Evaporative heat transfer system
US20220203258A1 (en) Microfluidic-based apparatus and method for vaporization of liquids
US11659648B2 (en) Metal body formed on a component carrier by additive manufacturing
US10160071B2 (en) Co-extruded microchannel heat pipes
US20130032311A1 (en) System for Using Active and Passive Cooling for High Power Thermal Management
US6989594B2 (en) Device for cooling hot spot in micro system
JP2008509550A (ja) 電子基板用冷却システム
TW200920605A (en) A dropplet ejection device for a highly viscous fluid
US20120325439A1 (en) Method and apparatus for heat spreaders having a vapor chamber with a wick structure to promote incipient boiling
JP2006518100A (ja) 三次元高性能ヒートシンク
KR20040017211A (ko) 열전송장치 및 그 제조방법
Oueslati et al. PCB-integrated heat exchanger for cooling electronics using microchannels fabricated with the direct-write method
US10371468B2 (en) Co-extruded microchannel heat pipes
van Erp et al. Microfluidic cooling for GaN electronic devices
RU2755608C1 (ru) Способ охлаждения электронного оборудования
CN118315282A (zh) 一种适用于半导体器件的填埋扇出式封装方法及装置
CN114980656A (zh) 导热部件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190717

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191008

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191106

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6615913

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250