JP2018513855A

JP2018513855A - 電気活性部品を誘電的に絶縁するための化合物

Info

Publication number: JP2018513855A
Application number: JP2017552814A
Authority: JP
Inventors: クリスティアンジャンセン，; ホルガーパーニス，; ゼバスティアンハッセンスタブ−リーデル，; ヘルムートベッカーズ，; ジモンスタインハウアー，
Original assignee: ソルヴェイ（ソシエテアノニム）
Priority date: 2015-04-09
Filing date: 2016-04-11
Publication date: 2018-05-31
Also published as: WO2016162572A1; KR20170136548A; EP3078657A1; EP3280700A1; CN107683277A; US20180108451A1

Abstract

本発明は、ある種のフッ素化過酸化物化合物を使用して電気活性部品を誘電的に絶縁するための化合物、ガス混合物ならびに方法に関する。【選択図】なし

Description

本出願は、２０１５年４月９日出願の欧州特許出願第１５１６２８８７．２号に対する優先権を主張するものであり、この出願の全内容は、あらゆる目的のために参照により本明細書に援用される。

本発明は、ある種のフッ素化過酸化物化合物を使用して電気活性部品を誘電的に絶縁するための化合物、ガス混合物ならびに方法に関する。

液体またはガス状態の誘電絶縁媒体が、多種多様な電気装置における、例えば開閉装置または変圧器における電気活性部品の絶縁のために適用される。

ＳＦ_６とＮ_２との混合物が、誘電絶縁ガスとして広く適用される。これまでに、代わりの誘電絶縁ガスを提供するために努力されてきた。

国際公開第２０１４／０９６４１４号パンフレットは、ある種のフッ素化化合物、例えばフッ素化過酸化物を使用する電気活性部品の誘電絶縁方法に関係し、具体的にＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３を開示している。

本発明の目的は、電気活性部品の電気絶縁のための改善された化合物、ガス混合物および方法を提供することである。

有利にも、本発明の化合物およびガス混合物は、改善された絶縁、アーク消滅および／またはスイッチング性能を示す。同様に有利にも、本発明の化合物およびガス混合物は、例えば改善された地球温暖化係数（ＧＷＰ）および／または改善されたオゾン層破壊によって測定されるように、大気中へ放出された場合に有利な環境影響を示す。同様に有利にも、本発明の化合物およびガス混合物は、例えばより高いＬＣ５０および／またはより高い職業暴露限度によって測定されるように、改善された毒性学的挙動を示す。さらに、本化合物およびガス混合物は有利にも、改善された露点、蒸気圧、沸点、誘電強度、および／または熱安定性を示す。加えて、本発明による化合物は有利にも、例えば電気活性部品のために使用される構成材料に対して改善された化学的不活性および／または改善された伝熱特性を示す。同様に有利にも、本発明化合物は、低費用で容易に製造することができる。

これらのおよび他の目的は、特許請求の範囲に概要を述べられるように本発明によって解決される。

したがって、本発明の第１態様は、一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｒ１がＣＦ_３である場合に、Ｒ２はＣＦ_３ではないという条件で、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる）の化合物に関する。

したがって、Ｒ１中にならびにＲ２中に１〜４個の炭素原子を独立して含有する化合物を好適に使用することができる。

好ましくは、Ｒ１およびＲ２は過フッ素化されている、すなわち、アルキル基Ｒ１およびＲ２中のすべての水素原子がフッ素原子で置き換えられている。したがって、Ｒ１およびＲ２は、過フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチル基からなる群から選ばれ、より好ましくは、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、およびヘプタフルオロイソプロピルから独立して選ばれる。

あるいはまた、Ｒ１および／またはＲ２は、過フッ素化されていない。この場合には、Ｒ１およびＲ２は、部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルおよびまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる。好ましくは、Ｒ１およびＲ２は、ジフルオロメチル、テトラフルオロエチル、ｎ−ヘキサフルオロプロピルおよびイソヘキサフルオロプロピル、より好ましくはジフルオロメチルから独立して選ばれる。

Ｒ１およびＲ２は好ましくは同じものであり得る。代わりの好ましい実施形態では、Ｒ１およびＲ２は異なる。

具体的には、本発明の化合物は、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、（ＣＦ_３）_２ＣＦ−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、およびＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２である。

好ましくは、本発明による化合物は、２０℃未満、より好ましくは０℃以下、さらにより好ましくは−１０℃以下の、標準沸点、すなわち、１バールの圧力での沸点を有する。同様に好ましくは、本発明による化合物は、−８０℃以上、より好ましくは−５０℃以上の標準沸点を有する。

本発明の枠組みの中で、単数形は複数形を含むことを意図し、逆もまた同様である。

本発明の第２態様は、一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる）の２つ以上の化合物のガス混合物に関する。好ましくは、２つ以上の化合物は、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、（ＣＦ_３）_２ＣＦ−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、またはＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２からなる群から選ばれる。

本発明によるガス混合物は有利にも、上に記載されたような利点の少なくとも１つの改善をもたらすことができる。誘電体として使用される化合物は、放電を防ぐおよび／または迅速にクエンチするために使用される。しかし、これらの化合物は多くの場合、化学構造中のある種の化学結合の破壊による開裂を受け、ラジカルおよび／またはイオンの形成をもたらす。理論に制約されることなく、本発明者らは、本発明による化合物およびとりわけガス混合物が、例えば、そのような開裂で形成された可能なラジカルの再結合が化合物の同じ混合物を、または類似の特性を持った混合物をもたらすという利点を有すると考える。例として、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３とＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３との混合物の可能なラジカル開裂は、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３と、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３と、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３との有利な混合物をもたらし得る。

好ましくは、本発明ガス混合物は、不活性ガス、過フッ素化または部分フッ素化ケトン、過フッ素化または部分フッ素化エーテル、過フッ素化または部分フッ素化エステル、過フッ素化または部分フッ素化シアノ化合物、炭化水素化合物から選択される少なくとも１つの化合物、より好ましくは不活性ガスをさらに含む。

用語「不活性ガス」は、本発明による化合物と反応しないガスを意味することを意図する。好ましくは、不活性ガスは、空気、合成空気、空気成分、Ｎ_２、Ｏ_２、ＣＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＸｅまたはＳＦ_６からなるリストから選ばれ；より好ましくは、不活性ガスはＮ_２である。

好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化または部分フッ素化ケトンである。用語「ケトン」は、２個の炭素原子がカルボニル基の炭素に結合した状態で少なくとも１つのカルボニル基を組み込んでいる化合物を意味することを意図する。それは、飽和化合物ならびに二重結合および／または三重結合を含む不飽和化合物を包含するものとする。ケトンの少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル鎖は、線状または分岐であり得る。用語「ケトン」はまた、環状炭素骨格を持った化合物も包含するものとする。用語「ケトン」は、追加の鎖中ヘテロ原子、例えば、炭素骨格の一部であるおよび／または炭素骨格に結合している少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよい。より好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化ケトンである。好適な過フッ素化ケトンの例としては、１，１，１，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−３−（トリフルオロメチル）−ブタン−２−オン；１，１，１，３，３，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン−２−オン；１，１，１，２，２，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン−３−オン、１，１，１，４，４，５，５，５，−オクタフルオロ−３−ビス−（トリフルオロメチル）−ペンタン−２−オン；最も好ましくはヘプタフルオロイソプロピル−トリフルオロメチル−ケトンが挙げられる。

同様に好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化または部分フッ素化エーテルである。用語「エーテル」は、少なくとも１つの「−Ｃ−Ｏ−Ｃ−」部分を組み込んでいる化合物を意味することを意図する。とりわけ好適な例としては、ペンタフルオロ−エチル−メチルエーテルおよび２，２，２−トリフルオロエチル−トリフルオロメチルエーテルが挙げられる。

同様に好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化または部分フッ素化エステル、すなわち、少なくとも１つの「−Ｃ（Ｏ）Ｏ−」部分を組み込んでいる化合物である。好適な化合物は、当技術分野で公知であり、とりわけ好適な例としては、トリフルオロ酢酸のメチル、エチル、およびトリフルオロメチルエステルが挙げられる。

同様に好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化または部分フッ素化シアノ化合物、すなわち、構造「−Ｃ≡Ｎ」の少なくとも１つの部分を組み込んでいる化合物である。好ましくは、シアノ化合物は、過フッ素化されており、より好ましくは、シアノ化合物は、過フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、プロピル、ブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔブチルニトリルからなるリストから選ばれる。

同様に好ましくは、少なくとも１つの化合物は、過フッ素化または部分フッ素化炭化水素化合物である。「炭化水素化合物」は、フルオロ置換に加えて、他のハロゲン原子、例えばＣｌ、Ｂｒ、および／またはＩでまた置換されていてもよい、飽和または不飽和炭化水素を意味することを意図する。好適な例としては、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_４、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｉ、およびＣＦ_２Ｃｌ_２が挙げられる。

第３態様では、本発明は、電気活性部品の誘電絶縁方法であって、活性電気部品が、本発明による化合物または本発明によるガス混合物を含むガス気密ハウジング中に配置される方法に関する。

用語「活性電気部品」は、非常に幅広く理解されなければならない。好ましくは、それは、それがガス気密ハウジングを含むという条件で、電気エネルギーの発生、分配または使用のために使用されるいかなる部品もカバーし、ここで、誘電絶縁ガスは、電圧および電流に耐える部品の誘電絶縁を提供する。好ましくは、活性電気部品は、中電圧または高電圧部品である。用語「中電圧」は、１ｋＶ〜７２ｋＶの範囲の電圧に関係し；用語「高電圧」は、７２ｋＶ超の電圧を意味する。これらが本発明の枠組みにおいて好ましい電気活性部品であるが、部品はまた、１ｋＶよりも下の電圧が関係している低電圧部品であってもよい。

本発明の電気活性部品は「独立型」部品であり得るし、またはそれらは、部品のアセンブリの、例えば装置の部品であり得ることが指摘されなければならない。これは、詳細にこれから説明される。

電気活性部品は、開閉器、例えば、高速作動接地開閉器、断路器、負荷開閉器またはパッファ式回路遮断器、特に中電圧回路遮断器（ＧＩＳ−ＭＶ）、発電機回路遮断器（ＧＩＳ−ＨＶ）、高電圧回路遮断器、バスバー、ブッシング、ガス絶縁ケーブル、ガス絶縁伝送線、ケーブル・ジョイント、変流器、変圧器またはサージ避雷器であり得る。

電気活性部品はまた、電気回転機械、発電機、モーター、駆動部、半導体デバイス、コンピューター、電力工学デバイスまたは高周波数部分、例えば、アンテナまたは点火コイルの部品であってもよい。

本発明の方法は、中電圧開閉装置および高電圧開閉装置にとりわけ好適である。

電気活性部品において、絶縁ガスは好ましくは、０．１バール（絶対）以上の圧力にある。「絶縁ガス」は、それらのガス状態の本発明の化合物および／または混合物を意味することを意図する。絶縁ガスは好ましくは、３０バール（絶対）以下の圧力にある。好ましい圧力範囲は、１〜２０バール（絶対）である。

本発明化合物の分圧は、とりわけ、絶縁ガス中のその濃度に依存する。誘電絶縁ガスが本発明化合物からなる場合、その分圧は、全圧に等しく、上に与えられた範囲に相当する。誘電ガスが不活性ガスを含む場合、本発明化合物の分圧は、対応してより低い。１０バール（絶対）以下である本発明化合物の分圧が好ましい。

好ましい実施形態では、絶縁ガスは、本発明による化合物または本発明による混合物と不活性ガスとを含む。

化合物または混合物は、それぞれ、気候条件または電気装置の雰囲気での温度下で、電気部品での圧力下で、本質的に誘電絶縁ガス中で成分の凝縮がまったく起こらないようなものであることがまた好ましい。用語「本質的に凝縮がまったくない」は、誘電絶縁ガスの最大でも５重量％、好ましくは最大でも２重量％が凝縮することを意味する。例えば、式（Ｉ）の化合物の量不活性ガスの種類および量は、式（Ｉ）の化合物の分圧が、式（Ｉ）の化合物の凝縮が−２０℃で観察される圧力よりも低いように選択される。

第４目的では、本発明は、電気エネルギーの発生、分配および／または使用のための装置であって、この装置が、ガス気密ハウジング中に配置された電気活性部品を含み、前記ガス気密ハウジングが、本発明による化合物またはガス混合物を含むかまたはそれからなる絶縁媒体を含有する装置に関する。好ましくは、本装置は開閉装置である。

第５態様では、本発明は、一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２の化合物の製造方法に関する。Ｒ１およびＲ２は、異なり得るし、または同じものであり得る。Ｒ１およびＲ２が同じものである場合、化合物は、適切なカルボニルフルオリドおよび分子フッ素を使用して製造することができる。例えば、過フッ素化ジエチル誘導体は、次式に従って製造することができる：
Ｆ_２＋２ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ→ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＯＣＦ_２ＣＦ_３

Ｒ１およびＲ２が異なり、Ｒ１がＣＦ３である場合、本化合物は、適切なカルボニルフルオリド、ＣＯＦ_２および分子フッ素を使用して製造することができる。例えば、過フッ素化エチルメチル誘導体は、次式に従って製造することができる：
Ｆ_２＋ＣＯＦ_２＋ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ→ＣＦ_３ＯＯＣＦ_２ＣＦ_３

あるいはまた、一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２の化合物は、適切なカルボニルフルオリド、オキシフルオリドおよび分子フッ素を使用して製造することができる。１つの代替手段では、カルボニルフルオリドは、フローリアクターでインサイチュにて製造され、好ましくはＦ_２およびＣＯからインサイチュにて製造される。Ｆ２とＣＯとの混合物が、ＣＯＦ_２を製造するために、例えば電気スパークによって、好適には火を付けられる。例えば、過フッ素化ジエチル誘導体は、次式に従って製造することができる：
Ｆ_２＋ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＦ＋ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ→ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＯＣＦ_２ＣＦ_３

この実施形態の反応は、静的または連続フローリアクターで実施することができる。好ましくは、反応器は、分子フッ素を伴う反応に好適な材料製、例えばＭｏｎｅｌ（登録商標）４００またはニッケル製である。同様に好ましくは、反応は、連続フローマイクロリアクターで実施される。

好ましくは、この実施形態の反応は、触媒の存在下で実施される。同様に好ましくは、金属フルオリドの存在下で。好適な金属フッ化物は、ＡｇＦ、ＣｕＦ、ＣｕＦ_２、ＢａＦ_２、ＣｓＦおよびＮｉＦ_２、特にＡｇＦである。

好ましくは、この実施形態の反応は、−２０〜１８０℃、より好ましくは０〜１４０℃、最も好ましくは２０〜５０℃、特に約２５℃の温度で実施される。

本発明の別の目的は、誘電絶縁ガスとしてまたは誘電絶縁ガスの構成要素としての、本明細書に記載されるような、本発明の化合物または混合物の使用に関する。本発明の化合物および混合物はまた、他の用途向けに、例えば消火剤としてならびにチャンバークリーニング剤として、特に、ＮＦ_３の代替品としてプラズマ助長チャンバークリーニング用に有用である。

本発明の別の目的は、独立気泡ポリウレタン、フェノール系および熱可塑性樹脂フォームの製造における発泡剤としてのフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンの代替品として、エアゾールにおける噴射剤として、伝熱媒体として、消火剤として、ヒートポンプ用などの電力サイクル作動流体として、重合反応用の不活性媒体として、金属表面から微粒子を除去するための流体として、例えば、滑剤の微細フィルムを金属部上に置くために使用され得るキャリア流体として、金属などの研磨面からバフ研磨化合物を除去するためのバフ研磨剤として、宝石類または金属部品からなど、水を除去するための置換乾燥剤として、塩素型現像剤を含む従来型回路製造技術におけるレジスト現像剤として、または、例えば、１，１，１−トリクロロエタンもしくはトリクロロエチレンなどのクロロハイドロカーボンと一緒に使用される場合にフォトレジスト用のストリッパーとしての一般式（Ｉ）の化合物の使用である。

参照により本明細書に援用される特許、特許出願および刊行物のいずれかの開示が用語を不明瞭にさせ得る程度まで本出願の記載と矛盾する場合、本記載が優先するものとする。

以下の実施例は、それに限定する意図なしに本発明をさらに説明する。

実施例１ａ：ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３の製造
ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３は、米国特許出願公開第−Ａ−２００７／００４９７７４号明細書の実施例３に記載されているように製造する。

実施例１ｂ：ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３の製造
カルボニルフルオリド（ＣＯＦ_２）とトリフルオロアセチルフルオリド（ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ）との等モル混合物を、室温でフッ化銀（ＡｇＦ、１．０当量）の存在下にＭｏｎｅｌ（登録商標）４００連続フローリアクターにおいて１．１当量のＦ_２で処理する。

実施例１ｃ：ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３の製造
カルボニルフルオリド（ＣＯＦ_２）とペンタフルオロエチルオキシフルオリド（ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＦ）との等モル混合物を、２４時間２５℃でフッ化銀（ＡｇＦ、１．０当量）の存在下にＭｏｎｅｌ（登録商標）４００製の静的反応器において反応させる。

実施例１ｄ：ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３の製造
トリフルオロアセチルフルオリド（ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ）を、室温でフッ化銀（ＡｇＦ、１．０当量）の存在下に１．１当量のＦ_２でＭｏｎｅｌ（登録商標）４００連続フローリアクターにおいて処理する。

実施例１ｅ：ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３の製造
ペンタフルオロエチルオキシフルオリド（ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＦ）とトリフルオロアセチルフルオリド（ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ）との等モル混合物を、フッ化銀（ＡｇＦ、１．０当量）の存在下にＭｏｎｅｌ（登録商標）４００製の静的反応器において１４０℃に加熱する。

実施例１ｆ：ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２−ＣＦ_３、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３のような過フッ素化過酸化物の混合物の製造
ＣＯ（１当量）とＦ_２（１．０５当量）とを含むフローに火を付ける。その後、トリフルオロアセチルフルオリド（ＣＦ_３Ｃ（Ｏ）Ｆ、１．０当量）からなるフローを前述のフローへ混ぜ込み、合わせたフローをフッ化銀（ＡｇＦ）の床上に導く。反応生成物を、−７８℃での冷却トラップにおいてトラップする。

実施例２：ガス混合物の製造
国際公開第９８２３３６３号パンフレットに記載されているように、体積比１：４でＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３とＮ_２とからなる均一ガス混合物を、静的ミキサーおよび圧縮機を含む装置で製造する。

実施例３：実施例２の誘電絶縁ガスを含有するアースケーブルの提供
実施例２のガス混合物を、ケーブルにおいて１０バール（絶対）の全圧が達成されるまで、高電圧用アースケーブル中へ直接供給する。

実施例４：体積比１：４でＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３とＮ_２とを含有する開閉装置
ガス気密金属ケースで取り囲まれた開閉器を含有する開閉装置が使用される。実施例２のガス混合物を、１８バール（絶対）の圧力が達成されるまでバルブを通してガス気密金属ケースに注入する。

実施例５：実施例３の誘電絶縁ガスを含有するガス−絶縁伝送線の提供
実施例２のガス混合物を、ケーブルにおいて１０バール（絶対）の全圧が達成されるまで、高電圧用アースケーブル中へ直接供給する。

Claims

一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｒ１がＣＦ_３である場合に、Ｒ２がＣＦ_３ではないという条件で、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる）の化合物。
Ｒ１およびＲ２が、過フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる、請求項１に記載の化合物。
化合物が、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、（ＣＦ_３）_２ＣＦ−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、またはＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２である、請求項１または２に記載の化合物。
化合物が、２０℃未満、好ましくは０℃以下の標準沸点を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から独立して選ばれる）の２つ以上の化合物のガス混合物。
２つ以上の化合物が、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３、ＣＦ_３ＣＦ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、（ＣＦ_３）_２ＣＦ−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、ＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_３、またはＣＦ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＦ（ＣＦ_３）_２からなる群から選ばれる、請求項５に記載のガス混合物。
不活性ガス、過フッ素化または部分フッ素化ケトン、過フッ素化または部分フッ素化エーテル、過フッ素化または部分フッ素化エステル、過フッ素化または部分フッ素化シアノ化合物、炭化水素化合物から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含む、請求項５または６に記載のガス混合物。
少なくとも１つの化合物が、空気、合成空気、空気成分、Ｎ_２、Ｏ_２、ＣＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＸｅまたはＳＦ_６からなる群から選択される不活性ガス；好ましくはＮ_２である、請求項７に記載のガス混合物。
電気活性部品の誘電絶縁方法であって、活性電気部品が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物または請求項５〜８のいずれか一項に記載のガス混合物を含むガス気密ハウジング中に配置される方法。
一般式Ｒ３−Ｃ（Ｏ）Ｆ（式中、Ｒ３は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピルおよびｎ−プロピルからなる群から選ばれる）の化合物を、Ｆ_２と反応させる工程を含む；一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−Ｒ１（式中、Ｒ１は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選ばれる）の化合物の製造方法。
一般式Ｒ３−Ｃ（Ｏ）Ｆの化合物を反応させる工程が金属フッ化物の存在下で実施される、請求項１０に記載の方法。
一般式Ｒ３−Ｃ（Ｏ）Ｆ（式中、Ｒ３は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピルおよびｎ−プロピルからなる群から選ばれる）の化合物を、ＣＯＦ_２およびＦ_２と反応させる工程を含む；一般式Ｒ１−Ｏ−Ｏ−ＣＦ_３（式中、Ｒ１は、過フッ素化または部分フッ素化メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、イソブチル、ｎ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選ばれる）の化合物の製造方法。
電気エネルギーの発生、分配および／または使用のための装置であって、前記装置が、ガス気密ハウジング中に配置された電気活性部品を含み、前記ガス気密ハウジングが、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物または請求項５〜８のいずれか一項に記載のガス混合物を含むかまたはそれからなる絶縁媒体を含有する装置。
装置が開閉装置である、請求項１３に記載の装置。